JPH09231569A - 光ディスク原盤製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤製造方法Info
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- JPH09231569A JPH09231569A JP8036100A JP3610096A JPH09231569A JP H09231569 A JPH09231569 A JP H09231569A JP 8036100 A JP8036100 A JP 8036100A JP 3610096 A JP3610096 A JP 3610096A JP H09231569 A JPH09231569 A JP H09231569A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスク原盤の製造方法において、高密度
かつ高精度なプリピット形成を可能とする。 【解決手段】 プリピット１０の長さ分の露光パルスよ
りも長い露光パルスでプリピット１０を形成し、所定の
長さ以上のプリピット１０については露光パルスを複数
に分割する。これにより、高密度なプリピット１０の形
成を行なう場合であっても、露光パルスが長く与えられ
るために短いプリピット１０の長さ及び幅が規定の寸法
通りに形成される。また、長いプリピット１０について
は、これを形成するための露光パルスが複数に分割され
るため、レーザ光のパワーが過剰になってその幅が規定
の寸法よりも広くなってしまうようなことが起こらず、
長いプリピット１０の長さ及び幅も規定の寸法通りに形
成される。したがって、プリピット１０が高精度に形成
される。
かつ高精度なプリピット形成を可能とする。 【解決手段】 プリピット１０の長さ分の露光パルスよ
りも長い露光パルスでプリピット１０を形成し、所定の
長さ以上のプリピット１０については露光パルスを複数
に分割する。これにより、高密度なプリピット１０の形
成を行なう場合であっても、露光パルスが長く与えられ
るために短いプリピット１０の長さ及び幅が規定の寸法
通りに形成される。また、長いプリピット１０について
は、これを形成するための露光パルスが複数に分割され
るため、レーザ光のパワーが過剰になってその幅が規定
の寸法よりも広くなってしまうようなことが起こらず、
長いプリピット１０の長さ及び幅も規定の寸法通りに形
成される。したがって、プリピット１０が高精度に形成
される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にＤＶＤ（Digi
al Video Disk ）等の高密度な光ディスクの原盤を製造
するのに適した光ディスク原盤製造方法に関する。
al Video Disk ）等の高密度な光ディスクの原盤を製造
するのに適した光ディスク原盤製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光ディスクは、光ディスク原盤
から複製される。つまり、光ディスク原盤は、基板上に
フォトレジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜
に露光パルスに基づくレーザ光を照射してプリピットを
形成し、これを現像することによって製造される。露光
パルスは、オリジナルのデジタル信号をＥＦＭ変調（Ｅ
ＦＭ：Eight to Fourteen Modulation）して生成したパ
ルス信号である。そして、カッティング済みの光ディス
ク原盤に基き、この光ディスク原盤のプリピットパター
ンが反転転写されたスタンパと称される金型が製作さ
れ、このスタンパから光ディスクの基板が複製される。
この際、光ディスク基板には光ディスク原盤に形成され
たプリピットパターンが転写されてピットパターンが形
成される。そこで、この光ディスクのピットパターン形
成面に記録層や保護層等の各種の膜状層を製膜すること
で光ディスクが製造される。
から複製される。つまり、光ディスク原盤は、基板上に
フォトレジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜
に露光パルスに基づくレーザ光を照射してプリピットを
形成し、これを現像することによって製造される。露光
パルスは、オリジナルのデジタル信号をＥＦＭ変調（Ｅ
ＦＭ：Eight to Fourteen Modulation）して生成したパ
ルス信号である。そして、カッティング済みの光ディス
ク原盤に基き、この光ディスク原盤のプリピットパター
ンが反転転写されたスタンパと称される金型が製作さ
れ、このスタンパから光ディスクの基板が複製される。
この際、光ディスク基板には光ディスク原盤に形成され
たプリピットパターンが転写されてピットパターンが形
成される。そこで、この光ディスクのピットパターン形
成面に記録層や保護層等の各種の膜状層を製膜すること
で光ディスクが製造される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、光ディスクの記
録密度の高密度化が進み、例えば、ＤＶＤでは、トラッ
クピッチが０．７４μｍで最小ピッチ長が０．４５μｍ
となっている。これらの数値は、トラックピッチが１．
６μｍで最小ピッチ長が０．６９μｍであるＣＤ（Comp
act Disk）と比較すると、ＤＶＤの記録密度がいかに高
密度であるかが良くわかる。ところが、ＤＶＤのような
記録密度が高い光ディスクでは、その光ディスク原盤を
従来方法で製造すると、プリピット列を高精度に形成す
ることができないことが判明した。
録密度の高密度化が進み、例えば、ＤＶＤでは、トラッ
クピッチが０．７４μｍで最小ピッチ長が０．４５μｍ
となっている。これらの数値は、トラックピッチが１．
６μｍで最小ピッチ長が０．６９μｍであるＣＤ（Comp
act Disk）と比較すると、ＤＶＤの記録密度がいかに高
密度であるかが良くわかる。ところが、ＤＶＤのような
記録密度が高い光ディスクでは、その光ディスク原盤を
従来方法で製造すると、プリピット列を高精度に形成す
ることができないことが判明した。
【０００４】図８は、記録密度が高い光ディスクに関し
て、オリジナルのデジタル信号をＥＦＭ変調して生成し
た露光パルスと、この露光パルスに基づくレーザ光の照
射によりフォトレジスト膜上に形成されるプリピット１
０１との関係を示す模式図である。図８のグラフより明
らかなように、プリピット１０１は、ピット長が短くな
るほど露光パルスのパルス長に対して長さが短くなり、
しかも、ピット長が短くなるほどピット幅ｗが狭くな
る。例えば、１４Ｔのプリピット１０１では、その長さ
が露光パルスのパルス長に対応しているのに対し、５
Ｔ、４Ｔ、３Ｔと短くなるに従い、プリピット１０１の
長さは露光パルスのパルス長よりも短くなっている。ま
た、１４Ｔのプリピット１０１のピット幅ｗに対し、５
Ｔ、４Ｔ、３Ｔと短くなるに従い、プリピット１０１の
ピット幅ｗが狭くなっている。したがって、このような
光ディスク原盤から複製された光ディスクを再生する場
合、３Ｔ、４Ｔ等の短いピットは適正な長さ及び幅に達
しないために充分な変調度が得らず、１３Ｔ、１４Ｔ等
の長いピットは適正な幅よりも広くなってディスク面半
径方向のクロストークを生じさせ、これらを原因として
適正な再生信号が得られないという問題が生ずる。
て、オリジナルのデジタル信号をＥＦＭ変調して生成し
た露光パルスと、この露光パルスに基づくレーザ光の照
射によりフォトレジスト膜上に形成されるプリピット１
０１との関係を示す模式図である。図８のグラフより明
らかなように、プリピット１０１は、ピット長が短くな
るほど露光パルスのパルス長に対して長さが短くなり、
しかも、ピット長が短くなるほどピット幅ｗが狭くな
る。例えば、１４Ｔのプリピット１０１では、その長さ
が露光パルスのパルス長に対応しているのに対し、５
Ｔ、４Ｔ、３Ｔと短くなるに従い、プリピット１０１の
長さは露光パルスのパルス長よりも短くなっている。ま
た、１４Ｔのプリピット１０１のピット幅ｗに対し、５
Ｔ、４Ｔ、３Ｔと短くなるに従い、プリピット１０１の
ピット幅ｗが狭くなっている。したがって、このような
光ディスク原盤から複製された光ディスクを再生する場
合、３Ｔ、４Ｔ等の短いピットは適正な長さ及び幅に達
しないために充分な変調度が得らず、１３Ｔ、１４Ｔ等
の長いピットは適正な幅よりも広くなってディスク面半
径方向のクロストークを生じさせ、これらを原因として
適正な再生信号が得られないという問題が生ずる。
【０００５】このような現象が生ずる理由は、露光パル
スのパルス長と、この露光パルスに応じたフォトレジス
ト膜を変化させるレーザ光のパワー、すなわち露光面パ
ワーとが正比例の関係にあるからである。つまり、露光
パルスのパルス長が短くなれば露光面パワーが弱くな
り、露光パルスのパルス長が長くなれば露光面パワーが
強くなる。図９は、記録密度が高い光ディスクに関し
て、パワーが一定のレーザ光（Ｐ1 ，Ｐ2 ）により形成
したプリピット１０１のピット幅ｗを各長さのプリピッ
ト１０１毎に示すグラフである。図９のグラフより明ら
かなように、５Ｔよりも短いプリピット１０１ではピッ
ト幅ｗが急激に狭まる。これは、短いプリピット１０１
になるほど露光面パワーが不足するからである。これに
対し、図９中のレーザ光のパワーＰ1 とＰ2 とを比較す
ると、短いプリピット１０１であっても高いパワーＰ2
のレーザ光であれば広いピット幅ｗが確保されることが
分かる。しかし、レーザ光のパワーＰを単純に高めてし
まうと、長いプリピット１０１ではその露光面パワーが
過剰になり、ピット幅ｗが広くなり過ぎてしまう。した
がって、レーザ光のパワーが一定である場合には、露光
面パワーを一定にしてピット幅ｗを均一にするのが困難
である。
スのパルス長と、この露光パルスに応じたフォトレジス
ト膜を変化させるレーザ光のパワー、すなわち露光面パ
ワーとが正比例の関係にあるからである。つまり、露光
パルスのパルス長が短くなれば露光面パワーが弱くな
り、露光パルスのパルス長が長くなれば露光面パワーが
強くなる。図９は、記録密度が高い光ディスクに関し
て、パワーが一定のレーザ光（Ｐ1 ，Ｐ2 ）により形成
したプリピット１０１のピット幅ｗを各長さのプリピッ
ト１０１毎に示すグラフである。図９のグラフより明ら
かなように、５Ｔよりも短いプリピット１０１ではピッ
ト幅ｗが急激に狭まる。これは、短いプリピット１０１
になるほど露光面パワーが不足するからである。これに
対し、図９中のレーザ光のパワーＰ1 とＰ2 とを比較す
ると、短いプリピット１０１であっても高いパワーＰ2
のレーザ光であれば広いピット幅ｗが確保されることが
分かる。しかし、レーザ光のパワーＰを単純に高めてし
まうと、長いプリピット１０１ではその露光面パワーが
過剰になり、ピット幅ｗが広くなり過ぎてしまう。した
がって、レーザ光のパワーが一定である場合には、露光
面パワーを一定にしてピット幅ｗを均一にするのが困難
である。
【０００６】なお、特開平７−８５５０４号公報には、
プリピット形成用の露光パルスのパルス幅を可変する発
明が開示されている。しかし、この場合のパルス幅可変
は、ピット列の線密度を向上させるため、ピット間ギャ
ップが再生用のレーザ光のスポット径よりも小さいプリ
ピット列を形成するための露光パルスのパルス幅を縮小
補正することを内容としており、上記課題を解決するも
のではない。
プリピット形成用の露光パルスのパルス幅を可変する発
明が開示されている。しかし、この場合のパルス幅可変
は、ピット列の線密度を向上させるため、ピット間ギャ
ップが再生用のレーザ光のスポット径よりも小さいプリ
ピット列を形成するための露光パルスのパルス幅を縮小
補正することを内容としており、上記課題を解決するも
のではない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
基板上にフォトレジスト膜を形成した後、このフォトレ
ジスト膜に露光パルスに基づくレーザ光を照射してプリ
ピットを形成し、現像することによって光ディスク原盤
を製造する方法において、プリピットの長さ分の露光パ
ルスよりも長い露光パルスでプリピットを形成し、所定
の長さ以上のプリピットについては露光パルスを複数に
分割する。これにより、高密度なプリピット形成を行な
う場合であっても、露光パルスが長く与えられるために
短いプリピットの長さ及び幅が規定の寸法通りに形成さ
れる。また、長いプリピットについては、これを形成す
るための露光パルスが複数に分割されるため、フォトレ
ジスト膜上でのレーザ光のパワーが過剰になってその幅
が規定の寸法よりも広くなってしまうようなことが起こ
らず、長いプリピットの長さ及び幅が規定の寸法通りに
形成される。したがって、プリピットが高精度に形成さ
れる。ここで、「所定の長さ」というのは、露光パルス
を分割しなければレーザ光のパワーが過剰になって規定
の寸法以上の幅に形成されてしまうようなプリピットの
長さを意味する。
基板上にフォトレジスト膜を形成した後、このフォトレ
ジスト膜に露光パルスに基づくレーザ光を照射してプリ
ピットを形成し、現像することによって光ディスク原盤
を製造する方法において、プリピットの長さ分の露光パ
ルスよりも長い露光パルスでプリピットを形成し、所定
の長さ以上のプリピットについては露光パルスを複数に
分割する。これにより、高密度なプリピット形成を行な
う場合であっても、露光パルスが長く与えられるために
短いプリピットの長さ及び幅が規定の寸法通りに形成さ
れる。また、長いプリピットについては、これを形成す
るための露光パルスが複数に分割されるため、フォトレ
ジスト膜上でのレーザ光のパワーが過剰になってその幅
が規定の寸法よりも広くなってしまうようなことが起こ
らず、長いプリピットの長さ及び幅が規定の寸法通りに
形成される。したがって、プリピットが高精度に形成さ
れる。ここで、「所定の長さ」というのは、露光パルス
を分割しなければレーザ光のパワーが過剰になって規定
の寸法以上の幅に形成されてしまうようなプリピットの
長さを意味する。
【０００８】請求項２及び３記載の発明は、分割された
パルス幅の内容を定義する。つまり、請求項２記載の発
明は、フォトレジスト膜上に照射するレーザ光のスポッ
ト径をｄ、露光線速をｖとするとき、分割された露光パ
ルスのパルス間隔ＴOFF が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ を満たすようにし、請求項３記載の発明は、基準パルス
をＴとするとき、分割された露光パルスのパルス幅Ｔ
ON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ を満たすようにした。ここで、基準パルスＴというの
は、プリピットを形成するための露光パルスのパルス幅
基準となるパルスであり、ｎＴの長さのプリピットにつ
いてｎＴとして定義される。例えば、３Ｔの長さのプリ
ピットについての基準パルスＴは３Ｔとなる。このよう
な分割されたパルス幅の内容についての定義により、長
いプリピットが適正な幅及び形状で形成される。
パルス幅の内容を定義する。つまり、請求項２記載の発
明は、フォトレジスト膜上に照射するレーザ光のスポッ
ト径をｄ、露光線速をｖとするとき、分割された露光パ
ルスのパルス間隔ＴOFF が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ を満たすようにし、請求項３記載の発明は、基準パルス
をＴとするとき、分割された露光パルスのパルス幅Ｔ
ON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ を満たすようにした。ここで、基準パルスＴというの
は、プリピットを形成するための露光パルスのパルス幅
基準となるパルスであり、ｎＴの長さのプリピットにつ
いてｎＴとして定義される。例えば、３Ｔの長さのプリ
ピットについての基準パルスＴは３Ｔとなる。このよう
な分割されたパルス幅の内容についての定義により、長
いプリピットが適正な幅及び形状で形成される。
【０００９】請求項４記載の発明は、基板上にフォトレ
ジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜に露光パ
ルスに基づくレーザ光を照射してプリピットを形成し、
現像することによって光ディスク原盤を製造する方法に
おいて、短いプリピットほどレーザ光のパワーを強くす
る。したがって、短いプリピットを形成する際にフォト
レジスト膜を変化させるレーザ光のパワー、すなわち露
光面パワーが低下せず、その長さ及び幅が規定の寸法通
りに形成される。
ジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜に露光パ
ルスに基づくレーザ光を照射してプリピットを形成し、
現像することによって光ディスク原盤を製造する方法に
おいて、短いプリピットほどレーザ光のパワーを強くす
る。したがって、短いプリピットを形成する際にフォト
レジスト膜を変化させるレーザ光のパワー、すなわち露
光面パワーが低下せず、その長さ及び幅が規定の寸法通
りに形成される。
【００１０】請求項５記載の発明は、基板上にフォトレ
ジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜に露光パ
ルスに基づくレーザ光を照射してプリピットを形成し、
現像することによって光ディスク原盤を製造する方法に
おいて、１つのプリピット中で後端ほどレーザ光のパワ
ーを弱くする。したがって、１つのプリピット形成中に
フォトレジスト膜を変化させるレーザ光のパワー、すな
わち露光面パワーが変化せず、プリピットが均一な幅で
形成される。
ジスト膜を形成した後、このフォトレジスト膜に露光パ
ルスに基づくレーザ光を照射してプリピットを形成し、
現像することによって光ディスク原盤を製造する方法に
おいて、１つのプリピット中で後端ほどレーザ光のパワ
ーを弱くする。したがって、１つのプリピット形成中に
フォトレジスト膜を変化させるレーザ光のパワー、すな
わち露光面パワーが変化せず、プリピットが均一な幅で
形成される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の第一の実施の形態を図１
ないし図４に基づいて説明する。図２に光ディスク原盤
露光機１を示す。この光ディスク原盤露光機１は、Ａｒ
＋レーザチューブ２からの出射された波長４５７．９ｎ
ｍのレーザ光ＬＢを複数個のミラーＭで適宜偏向し、第
一Ａ／Ｏ変調器３及び第二Ａ／Ｏ変調器４を通過させて
ビームエキスパンダ５でそのビーム径を広げた後に、Ｎ
Ａ＝０．９の対物レンズ６に入射してターンテーブル７
上にセットされた光ディスク原盤となるフォトレジスト
膜８に照射する構造である。ここで、第一Ａ／Ｏ変調器
３は、レーザ光ＬＢのパワーを設定し、第二Ａ／Ｏ変調
器４は、レーザ光ＬＢをオン・オフ制御する。第二Ａ／
Ｏ変換器４でのレーザ光ＬＢのオン・オフ制御は、この
第二Ａ／Ｏ変換器４に接続された信号源９に依存してい
る。つまり、この信号源９は、オリジナルのデジタルデ
ータをＥＦＭ変調し、所定の長さの露光パルスを所定の
タイミングで出力する構造である。
ないし図４に基づいて説明する。図２に光ディスク原盤
露光機１を示す。この光ディスク原盤露光機１は、Ａｒ
＋レーザチューブ２からの出射された波長４５７．９ｎ
ｍのレーザ光ＬＢを複数個のミラーＭで適宜偏向し、第
一Ａ／Ｏ変調器３及び第二Ａ／Ｏ変調器４を通過させて
ビームエキスパンダ５でそのビーム径を広げた後に、Ｎ
Ａ＝０．９の対物レンズ６に入射してターンテーブル７
上にセットされた光ディスク原盤となるフォトレジスト
膜８に照射する構造である。ここで、第一Ａ／Ｏ変調器
３は、レーザ光ＬＢのパワーを設定し、第二Ａ／Ｏ変調
器４は、レーザ光ＬＢをオン・オフ制御する。第二Ａ／
Ｏ変換器４でのレーザ光ＬＢのオン・オフ制御は、この
第二Ａ／Ｏ変換器４に接続された信号源９に依存してい
る。つまり、この信号源９は、オリジナルのデジタルデ
ータをＥＦＭ変調し、所定の長さの露光パルスを所定の
タイミングで出力する構造である。
【００１２】一方、光ディスク原盤は、研磨、洗浄した
図示しないガラス基板上にフォトレジストをスピンコー
ト法によって塗布後、９０℃のクリーンオーブン内で３
０分間ベークして形成したフォトレジスト膜８構成のも
のである。ベーク後のフォトレジスト膜８は、１０００
Åの膜厚を有する。このようなフォトレジスト膜８に対
して、光ディスク原盤露光機１は、露光線速２．４ｍ／
ｓ、トラックピッチ０．７４μｍ、パワー６ｍＷでレー
ザ光ＬＢを照射するように設定されている。
図示しないガラス基板上にフォトレジストをスピンコー
ト法によって塗布後、９０℃のクリーンオーブン内で３
０分間ベークして形成したフォトレジスト膜８構成のも
のである。ベーク後のフォトレジスト膜８は、１０００
Åの膜厚を有する。このようなフォトレジスト膜８に対
して、光ディスク原盤露光機１は、露光線速２．４ｍ／
ｓ、トラックピッチ０．７４μｍ、パワー６ｍＷでレー
ザ光ＬＢを照射するように設定されている。
【００１３】次いで、光ディスク原盤露光機１による露
光制御について説明する。この光ディスク原盤露光機１
の信号源９は、フォトレジスト膜８に形成するプリピッ
ト１０の長さ分の露光パルスよりも長い露光パルスを出
力する。具体的には、信号源９は、プリピットの長さｎ
Ｔに対し、（ｎ＋α）Ｔの長さの露光パルスを出力す
る。この場合、５Ｔ以上の長さのプリピット１０につい
ては、露光パルスを複数に分割して出力する。この場
合、分割された露光パルスのパルス間隔ＴOFF は、 ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ である。但し、ｄは、フォトレジスト膜８上に照射され
るレーザ光ＬＢのスポット径であり、ｖは露光線速であ
る。また、分割された露光パルスのパルス幅ＴON は、 Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ である。このような露光制御がなされることにより、プ
リピット１０は規格通りに正確に形成される。以下、そ
の理由を説明する。
光制御について説明する。この光ディスク原盤露光機１
の信号源９は、フォトレジスト膜８に形成するプリピッ
ト１０の長さ分の露光パルスよりも長い露光パルスを出
力する。具体的には、信号源９は、プリピットの長さｎ
Ｔに対し、（ｎ＋α）Ｔの長さの露光パルスを出力す
る。この場合、５Ｔ以上の長さのプリピット１０につい
ては、露光パルスを複数に分割して出力する。この場
合、分割された露光パルスのパルス間隔ＴOFF は、 ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ である。但し、ｄは、フォトレジスト膜８上に照射され
るレーザ光ＬＢのスポット径であり、ｖは露光線速であ
る。また、分割された露光パルスのパルス幅ＴON は、 Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ である。このような露光制御がなされることにより、プ
リピット１０は規格通りに正確に形成される。以下、そ
の理由を説明する。
【００１４】まず、露光パルスが長く与えられることに
より、短いプリピット１０の長さ及び幅が規定の寸法通
りに形成される。例えば、図１に例示するように、３Ｔ
の長さのプリピット１０の形成のためには、（３＋α）
Ｔの長さの露光パルスに基づくレーザ光ＬＢがフォトレ
ジスト膜８に照射され、４Ｔの長さのプリピット１０の
形成のためには、（４＋α）Ｔの長さの露光パルスに基
づくレーザ光ＬＢがフォトレジスト膜８に照射される。
したがって、短いプリピット１０の長さ及び幅が規定の
寸法通りに形成される。また、長いプリピット１０につ
いては、これを形成するための露光パルスが複数に分割
されるため、フォトレジスト膜８上でのレーザ光ＬＢの
パワーが過剰になることが防止される。したがって、プ
リピット１０の幅が規定の寸法よりも広くなってしまう
ようなことが起こらず、長いプリピット１０もその長さ
及び幅が規定の寸法通りに形成される。例えば、図１に
例示するように、５Ｔの長さのプリピット１０の形成の
ためには露光パルスが二分割され、１４Ｔの長さのプリ
ピット１０の形成のためには露光パルスが四分割されて
いる。これにより、全てのプリピット１０の幅が規定通
りのピット幅ｗで形成されている。なお、長いプリピッ
ト１０の形成のための露光パルスは複数に分割されて一
単位が短くなっているため、長いプリピット１０に対し
ても露光パルスが長く与えられている。例えば、５Ｔの
長さのプリピット１０用には（５＋α）Ｔの長さの露光
パルス、１４Ｔの長さのプリピット１０用には（１４＋
α）Ｔの長さの露光パルスに基づくレーザ光ＬＢがフォ
トレジスト膜８に照射される（図１参照）。
より、短いプリピット１０の長さ及び幅が規定の寸法通
りに形成される。例えば、図１に例示するように、３Ｔ
の長さのプリピット１０の形成のためには、（３＋α）
Ｔの長さの露光パルスに基づくレーザ光ＬＢがフォトレ
ジスト膜８に照射され、４Ｔの長さのプリピット１０の
形成のためには、（４＋α）Ｔの長さの露光パルスに基
づくレーザ光ＬＢがフォトレジスト膜８に照射される。
したがって、短いプリピット１０の長さ及び幅が規定の
寸法通りに形成される。また、長いプリピット１０につ
いては、これを形成するための露光パルスが複数に分割
されるため、フォトレジスト膜８上でのレーザ光ＬＢの
パワーが過剰になることが防止される。したがって、プ
リピット１０の幅が規定の寸法よりも広くなってしまう
ようなことが起こらず、長いプリピット１０もその長さ
及び幅が規定の寸法通りに形成される。例えば、図１に
例示するように、５Ｔの長さのプリピット１０の形成の
ためには露光パルスが二分割され、１４Ｔの長さのプリ
ピット１０の形成のためには露光パルスが四分割されて
いる。これにより、全てのプリピット１０の幅が規定通
りのピット幅ｗで形成されている。なお、長いプリピッ
ト１０の形成のための露光パルスは複数に分割されて一
単位が短くなっているため、長いプリピット１０に対し
ても露光パルスが長く与えられている。例えば、５Ｔの
長さのプリピット１０用には（５＋α）Ｔの長さの露光
パルス、１４Ｔの長さのプリピット１０用には（１４＋
α）Ｔの長さの露光パルスに基づくレーザ光ＬＢがフォ
トレジスト膜８に照射される（図１参照）。
【００１５】次に、図３は、分割された露光パルスにお
けるパルス間隔ＴOFF と９Ｔのプリピット１０との関係
を３つの代表的なパルス間隔ＴOFF 毎に示す。条件は、
分割した露光パルスのパルス幅が３Ｔ、Ｔ＝６２．５ｎ
ｓである。まず、パルス間隔ＴOFF をｄ／（２ｖ）より
も狭いＴ／２とした場合には（図３左側）、露光パルス
を分割した効果が現わず、プリピット１０のピット幅が
規定の幅ｗよりも広くなってしまった。次に、パルス間
隔ＴOFF をｄ／ｖよりも広いＴOFF ＝Ｔとすると（図３
右側）、プリピット１０の形状がくびれてしまった。こ
れに対し、パルス間隔ＴOFF を３Ｔ／４とした場合には
（図３中央）、ピット幅ｗの良好なプリピット１０が得
られた。その理由は、パルス間隔ＴOFF の間にレーザ光
ＬＢのスポットが移動する距離を考えることで理解され
る（図４参照）。つまり、レーザ光ＬＢのスポットＬＳ
の直径をｄとすると、パルス間隔ＴOFF の間にレーザ光
ＬＢのスポットＬＳが移動する距離Ｌは、良好なプリピ
ット１０を得る条件として、ｄ／２≦Ｌ≦ｄであること
が必要である。スポットＬＳの移動距離Ｌがｄ／２より
も短ければフォトレジスト膜８を変化させるレーザ光Ｌ
Ｂのパワー、つまり露光面パワーが過剰となり、移動距
離Ｌがｄよりも長くなると露光面パワーが不足するから
である。例えば、図４に例示するように、パルス間隔Ｔ
OFF の間にレーザ光ＬＢのスポットＬＳがｄよりも長い
Ｌ1 も移動してしまうと、プリピット１０の形状にくび
れが生ずる。したがって、パルス間隔ＴOFF が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ に設定されていることが良好なプリピット１０を得る条
件である。
けるパルス間隔ＴOFF と９Ｔのプリピット１０との関係
を３つの代表的なパルス間隔ＴOFF 毎に示す。条件は、
分割した露光パルスのパルス幅が３Ｔ、Ｔ＝６２．５ｎ
ｓである。まず、パルス間隔ＴOFF をｄ／（２ｖ）より
も狭いＴ／２とした場合には（図３左側）、露光パルス
を分割した効果が現わず、プリピット１０のピット幅が
規定の幅ｗよりも広くなってしまった。次に、パルス間
隔ＴOFF をｄ／ｖよりも広いＴOFF ＝Ｔとすると（図３
右側）、プリピット１０の形状がくびれてしまった。こ
れに対し、パルス間隔ＴOFF を３Ｔ／４とした場合には
（図３中央）、ピット幅ｗの良好なプリピット１０が得
られた。その理由は、パルス間隔ＴOFF の間にレーザ光
ＬＢのスポットが移動する距離を考えることで理解され
る（図４参照）。つまり、レーザ光ＬＢのスポットＬＳ
の直径をｄとすると、パルス間隔ＴOFF の間にレーザ光
ＬＢのスポットＬＳが移動する距離Ｌは、良好なプリピ
ット１０を得る条件として、ｄ／２≦Ｌ≦ｄであること
が必要である。スポットＬＳの移動距離Ｌがｄ／２より
も短ければフォトレジスト膜８を変化させるレーザ光Ｌ
Ｂのパワー、つまり露光面パワーが過剰となり、移動距
離Ｌがｄよりも長くなると露光面パワーが不足するから
である。例えば、図４に例示するように、パルス間隔Ｔ
OFF の間にレーザ光ＬＢのスポットＬＳがｄよりも長い
Ｌ1 も移動してしまうと、プリピット１０の形状にくび
れが生ずる。したがって、パルス間隔ＴOFF が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ に設定されていることが良好なプリピット１０を得る条
件である。
【００１６】次に、分割された露光パルスのパルス幅Ｔ
ON については、パルス間隔ＴOFFを３Ｔ／４とした場
合、パルス幅ＴON ＝５Ｔでは連続パルスと大差なく、
パルス幅ＴON ＝Ｔでは充分なプリピット１０の幅が得
られず、パルス幅ＴON ＝３Ｔで良好なプリピット１０
が得られた。つまり、パルス幅ＴON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ に設定されていることが良好なプリピット１０を得る条
件である。
ON については、パルス間隔ＴOFFを３Ｔ／４とした場
合、パルス幅ＴON ＝５Ｔでは連続パルスと大差なく、
パルス幅ＴON ＝Ｔでは充分なプリピット１０の幅が得
られず、パルス幅ＴON ＝３Ｔで良好なプリピット１０
が得られた。つまり、パルス幅ＴON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ に設定されていることが良好なプリピット１０を得る条
件である。
【００１７】本発明の第二の実施の形態を図５及び図６
に基づいて説明する。本実施の形態も、第一の実施の形
態における光ディスク原盤露光機１を用いる。したがっ
て、これについては同一部分は同一符号で示し、説明も
省略する（第三の実施の形態において同様）。
に基づいて説明する。本実施の形態も、第一の実施の形
態における光ディスク原盤露光機１を用いる。したがっ
て、これについては同一部分は同一符号で示し、説明も
省略する（第三の実施の形態において同様）。
【００１８】光ディスク原盤露光機１による露光制御に
ついて説明する。この光ディスク原盤露光機１の第一Ａ
／Ｏ変調器３は、短い長さのプリピット１０を形成する
ためのレーザ光ＬＢほどそのパワーを強く設定する。例
えば、図５に例示するように、プリピット１０のための
レーザ光ＬＢのパワーＰに関し、１３Ｔや１４Ｔのプリ
ピット１０を形成するためのパワーをＰ1 として設定す
るのに対し、３Ｔや４Ｔのプリピット１０を形成するた
めのパワーをＰ1 よりも強いＰ2 とする（図５左側）。
これにより、３Ｔや４Ｔのプリピット１０を形成するた
めのレーザ光ＬＢのパワーがＰ1 に設定される従来方式
の場合にはプリピット１０の長さ及び幅の寸法が小さく
なってしまうのに対し（図５右側）、本実施の形態の方
式では３Ｔや４Ｔのプリピット１０であってもその長さ
及び幅が規定の寸法通りに形成される。
ついて説明する。この光ディスク原盤露光機１の第一Ａ
／Ｏ変調器３は、短い長さのプリピット１０を形成する
ためのレーザ光ＬＢほどそのパワーを強く設定する。例
えば、図５に例示するように、プリピット１０のための
レーザ光ＬＢのパワーＰに関し、１３Ｔや１４Ｔのプリ
ピット１０を形成するためのパワーをＰ1 として設定す
るのに対し、３Ｔや４Ｔのプリピット１０を形成するた
めのパワーをＰ1 よりも強いＰ2 とする（図５左側）。
これにより、３Ｔや４Ｔのプリピット１０を形成するた
めのレーザ光ＬＢのパワーがＰ1 に設定される従来方式
の場合にはプリピット１０の長さ及び幅の寸法が小さく
なってしまうのに対し（図５右側）、本実施の形態の方
式では３Ｔや４Ｔのプリピット１０であってもその長さ
及び幅が規定の寸法通りに形成される。
【００１９】その理由を図６に基づいて説明する。図６
は、プリピット１０を形成するためのレーザ光ＬＢのパ
ワーＰとプリピット１０のピット幅ｗとの関係を異なる
長さ（３Ｔ及び１１Ｔ）のプリピット１０について示す
グラフである。図６に示すように、何れの長さのプリピ
ット１０であっても、レーザ光ＬＢのパワーＰとピット
幅ｗとは正比例の関係にある。つまり、パワーＰが小さ
くなればピット幅ｗも狭くなる。これに対し、同じパワ
ーＰであっても、短いプリピット１０を形成する場合に
はどうしても長いプリピット１０よりもピット幅ｗが狭
くなってしまう。例えば、パワーＰ1 のレーザ光ＬＢで
プリピット１０を形成する場合、１１Ｔのプリピット１
０ではピット幅ｗ1 が得られるのに対し、３Ｔのプリピ
ット１０ではｗ1 よりも狭いｗ2 のピット幅しか得られ
ない。これに対し、３Ｔのプリピット１０であっても、
レーザ光ＬＢのパワーがＰ2 になれば、ｗ1 のピット幅
が得られる。つまり、３Ｔや４Ｔ等の短いプリピット１
０を形成するためのパワーをＰ1 よりも強いＰ2 とする
本実施の形態の方式によれば、プリピット１０の長さに
拘らず、規定の寸法（例えばピット幅ｗ）のプリピット
１０が得られる。
は、プリピット１０を形成するためのレーザ光ＬＢのパ
ワーＰとプリピット１０のピット幅ｗとの関係を異なる
長さ（３Ｔ及び１１Ｔ）のプリピット１０について示す
グラフである。図６に示すように、何れの長さのプリピ
ット１０であっても、レーザ光ＬＢのパワーＰとピット
幅ｗとは正比例の関係にある。つまり、パワーＰが小さ
くなればピット幅ｗも狭くなる。これに対し、同じパワ
ーＰであっても、短いプリピット１０を形成する場合に
はどうしても長いプリピット１０よりもピット幅ｗが狭
くなってしまう。例えば、パワーＰ1 のレーザ光ＬＢで
プリピット１０を形成する場合、１１Ｔのプリピット１
０ではピット幅ｗ1 が得られるのに対し、３Ｔのプリピ
ット１０ではｗ1 よりも狭いｗ2 のピット幅しか得られ
ない。これに対し、３Ｔのプリピット１０であっても、
レーザ光ＬＢのパワーがＰ2 になれば、ｗ1 のピット幅
が得られる。つまり、３Ｔや４Ｔ等の短いプリピット１
０を形成するためのパワーをＰ1 よりも強いＰ2 とする
本実施の形態の方式によれば、プリピット１０の長さに
拘らず、規定の寸法（例えばピット幅ｗ）のプリピット
１０が得られる。
【００２０】本発明の第三の実施の形態を図７に基づい
て説明する。光ディスク原盤露光機１による露光制御と
して、この光ディスク原盤露光機１の第一Ａ／Ｏ変調器
３は、１つのプリピット１０中でその後端ほどレーザ光
ＬＢのパワーを弱くする（図７左側）。つまり、レーザ
光ＬＢのパワーが一定の場合、フォトレジスト膜８を変
化させるレーザ光ＬＢのパワー、つまり露光面パワーは
尻上がりに上昇する。このため、このような露光面パワ
ーによって形成されるプリピット１０は、その後端ほど
ピット幅ｗが広くなってしまう（図７右側）。これに対
し、１つのプリピット１０中でその後端ほどレーザ光Ｌ
Ｂのパワーを弱くすることで、露光面パワーの上昇が抑
えられ、プリピット１０が均一な幅で形成される。
て説明する。光ディスク原盤露光機１による露光制御と
して、この光ディスク原盤露光機１の第一Ａ／Ｏ変調器
３は、１つのプリピット１０中でその後端ほどレーザ光
ＬＢのパワーを弱くする（図７左側）。つまり、レーザ
光ＬＢのパワーが一定の場合、フォトレジスト膜８を変
化させるレーザ光ＬＢのパワー、つまり露光面パワーは
尻上がりに上昇する。このため、このような露光面パワ
ーによって形成されるプリピット１０は、その後端ほど
ピット幅ｗが広くなってしまう（図７右側）。これに対
し、１つのプリピット１０中でその後端ほどレーザ光Ｌ
Ｂのパワーを弱くすることで、露光面パワーの上昇が抑
えられ、プリピット１０が均一な幅で形成される。
【００２１】
【実施例】本出願の発明者等は、第一、第二、及び第三
の実施の形態の光ディスク原盤露光機１によって光ディ
スク原盤を製造し、この光ディスク原盤から共に図示し
ないスタンパの製作を経て光ディスク基板を複製し、こ
の光ディスク基板上に反射膜を形成し、再生のためのレ
ーザ光を照射してその再生信号を測定してみた。その結
果、第一及び第二の実施の形態に基づく光ディスク基板
では、従来方式に比較して３Ｔピットの変調度が０．０
８から０．１７に向上した。また、第三の実施の形態に
基づく光ディスク基板では、従来方式に比較して３Ｔピ
ットの変調度が０．０８から０．１６に向上した。しか
も、第三の実施の形態に基づく光ディスク基板では、ピ
ット長及びスペース長のバラツキが少なくなり、ジッタ
の改善がみられた。
の実施の形態の光ディスク原盤露光機１によって光ディ
スク原盤を製造し、この光ディスク原盤から共に図示し
ないスタンパの製作を経て光ディスク基板を複製し、こ
の光ディスク基板上に反射膜を形成し、再生のためのレ
ーザ光を照射してその再生信号を測定してみた。その結
果、第一及び第二の実施の形態に基づく光ディスク基板
では、従来方式に比較して３Ｔピットの変調度が０．０
８から０．１７に向上した。また、第三の実施の形態に
基づく光ディスク基板では、従来方式に比較して３Ｔピ
ットの変調度が０．０８から０．１６に向上した。しか
も、第三の実施の形態に基づく光ディスク基板では、ピ
ット長及びスペース長のバラツキが少なくなり、ジッタ
の改善がみられた。
【００２２】
【発明の効果】請求項１記載の発明は、プリピットの長
さ分の露光パルスよりも長い露光パルスでプリピットを
形成し、所定の長さ以上のプリピットについては露光パ
ルスを複数に分割するようにしたので、高密度なプリピ
ット形成を行なう場合であっても、露光パルスを長く与
えて短いプリピットの長さ及び幅を規定の寸法通りに形
成することができ、また、長いプリピットについては露
光パルスの分割によって露光面パワーの過剰な供給を防
止し、その長さ及び幅を規定の寸法通りに形成すること
ができ、したがって、プリピットを高精度に形成するこ
とができる。
さ分の露光パルスよりも長い露光パルスでプリピットを
形成し、所定の長さ以上のプリピットについては露光パ
ルスを複数に分割するようにしたので、高密度なプリピ
ット形成を行なう場合であっても、露光パルスを長く与
えて短いプリピットの長さ及び幅を規定の寸法通りに形
成することができ、また、長いプリピットについては露
光パルスの分割によって露光面パワーの過剰な供給を防
止し、その長さ及び幅を規定の寸法通りに形成すること
ができ、したがって、プリピットを高精度に形成するこ
とができる。
【００２３】請求項２記載の発明は、フォトレジスト膜
上に照射するレーザ光のスポット径をｄ、露光線速をｖ
とするとき、分割された露光パルスのパルス間隔ＴOFF
が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ を満たすようにし、請求項３記載の発明は、基準パルス
をＴとするとき、分割された露光パルスのパルス幅Ｔ
ON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ を満たすようにしたので、長いプリピットを適正な幅で
形成することができ、したがって、プリピットを高精度
に形成することができる。
上に照射するレーザ光のスポット径をｄ、露光線速をｖ
とするとき、分割された露光パルスのパルス間隔ＴOFF
が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ を満たすようにし、請求項３記載の発明は、基準パルス
をＴとするとき、分割された露光パルスのパルス幅Ｔ
ON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ を満たすようにしたので、長いプリピットを適正な幅で
形成することができ、したがって、プリピットを高精度
に形成することができる。
【００２４】請求項４記載の発明は、短いプリピットほ
どレーザ光のパワーを強くするようにしたので、短いプ
リピットを形成する際にその露光面パワーの低下を防止
し、その長さ及び幅を規定の寸法通りに形成することが
でき、したがって、プリピットを高精度に形成すること
ができる。
どレーザ光のパワーを強くするようにしたので、短いプ
リピットを形成する際にその露光面パワーの低下を防止
し、その長さ及び幅を規定の寸法通りに形成することが
でき、したがって、プリピットを高精度に形成すること
ができる。
【００２５】請求項５記載の発明は、１つのプリピット
中で後端ほどレーザ光のパワーを弱くするようにしたの
で、１つのプリピット形成中における露光面パワーの変
化を防止し、プリピットを均一な幅で形成することがで
き、したがって、プリピットを高精度に形成することが
できる。
中で後端ほどレーザ光のパワーを弱くするようにしたの
で、１つのプリピット形成中における露光面パワーの変
化を防止し、プリピットを均一な幅で形成することがで
き、したがって、プリピットを高精度に形成することが
できる。
【図１】本発明の第一の実施の形態として、露光パルス
とプリピットとの関係を示す模式図である。
とプリピットとの関係を示す模式図である。
【図２】光ディスク原盤露光機の概略図である。
【図３】分割された露光パルスにおけるパルス間隔とプ
リピットとの関係を３つの代表的なパルス間隔毎に示す
模式図である。
リピットとの関係を３つの代表的なパルス間隔毎に示す
模式図である。
【図４】最適なパルス間隔を説明するための模式図であ
る。
る。
【図５】本発明の第二の実施の形態として、露光パルス
とプリピットとの関係を示す模式図である。
とプリピットとの関係を示す模式図である。
【図６】レーザ光のパワーとプリピットのピット幅との
関係を示すグラフである。
関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第三の実施の形態として、露光パルス
とプリピットとの関係を示す模式図である。
とプリピットとの関係を示す模式図である。
【図８】従来技術の説明のために、露光パルスとプリピ
ットとの関係を示す模式図である。
ットとの関係を示す模式図である。
【図９】露光面パワーとプリピットのピット幅との関係
を各長さのプリピット毎に示すグラフである。
を各長さのプリピット毎に示すグラフである。
８ フォトレジスト膜 １０ プリピット ＬＢ レーザ光
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上にフォトレジスト膜を形成した
後、このフォトレジスト膜に露光パルスに基づくレーザ
光を照射してプリピットを形成し、現像することによっ
て光ディスク原盤を製造する方法において、 前記プリピットの長さ分の露光パルスよりも長い露光パ
ルスで前記プリピットを形成し、所定の長さ以上の前記
プリピットについては前記露光パルスを複数に分割する
ことを特徴とする光ディスク原盤製造方法。 - 【請求項２】 フォトレジスト膜上に照射するレーザ光
のスポット径をｄ、露光線速をｖとするとき、分割され
た露光パルスのパルス間隔ＴOFF が ｄ／（２ｖ）≦ＴOFF ≦ｄ／ｖ を満たすことを特徴とする請求項１記載の光ディスク原
盤製造方法。 - 【請求項３】 基準パルスをＴとするとき、分割された
露光パルスのパルス幅ＴON が Ｔ≦ＴON ≦３Ｔ を満たすことを特徴とする請求項１又は２記載の光ディ
スク原盤製造方法。 - 【請求項４】 基板上にフォトレジスト膜を形成した
後、このフォトレジスト膜に露光パルスに基づくレーザ
光を照射してプリピットを形成し、現像することによっ
て光ディスク原盤を製造する方法において、 短い長さの前記プリピットほどレーザ光のパワーを強く
することを特徴とする光ディスク原盤製造方法。 - 【請求項５】 基板上にフォトレジスト膜を形成した
後、このフォトレジスト膜に露光パルスに基づくレーザ
光を照射してプリピットを形成し、現像することによっ
て光ディスク原盤を製造する方法において、 １つの前記プリピット中で後端ほどレーザ光のパワーを
弱くすることを特徴とする光ディスク原盤製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8036100A JPH09231569A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 光ディスク原盤製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8036100A JPH09231569A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 光ディスク原盤製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09231569A true JPH09231569A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12460358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8036100A Pending JPH09231569A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 光ディスク原盤製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09231569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011668A1 (fr) * | 1998-08-20 | 2000-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Unite de commande de puissance laser et dispositif a disque optique |
| US6940797B1 (en) | 1999-06-25 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of compensating for tilt and/or defocus of a disc during recording |
| US7297472B2 (en) * | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP8036100A patent/JPH09231569A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000011668A1 (fr) * | 1998-08-20 | 2000-03-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Unite de commande de puissance laser et dispositif a disque optique |
| US6621779B1 (en) * | 1998-08-20 | 2003-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser power controller and optical disk device |
| USRE39952E1 (en) * | 1998-08-20 | 2007-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser power controller and optical disk device |
| US6940797B1 (en) | 1999-06-25 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of compensating for tilt and/or defocus of a disc during recording |
| US7379404B2 (en) | 1999-06-25 | 2008-05-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus and method of compensating for tilt and/or defocus of a disc during recording |
| US7297472B2 (en) * | 2002-03-11 | 2007-11-20 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
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