JPH0678590B2 - スタンパー製造方法 - Google Patents
スタンパー製造方法Info
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- JPH0678590B2 JPH0678590B2 JP63234034A JP23403488A JPH0678590B2 JP H0678590 B2 JPH0678590 B2 JP H0678590B2 JP 63234034 A JP63234034 A JP 63234034A JP 23403488 A JP23403488 A JP 23403488A JP H0678590 B2 JPH0678590 B2 JP H0678590B2
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- Japan
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- stamper
- metal
- silver
- nickel
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、微少凹凸（以下ピットと称する）を有する光
ディスク等の情報記録円盤を製造するために用いられる
ピットを担持した型円盤であるスタンパーの製造方法に
関する。
ディスク等の情報記録円盤を製造するために用いられる
ピットを担持した型円盤であるスタンパーの製造方法に
関する。
背景技術 従来のスタンパーの製造方法としては、第３図のフロー
チャートに示す工程S1〜S7を有する所謂銀スパッタ法が
知られている。
チャートに示す工程S1〜S7を有する所謂銀スパッタ法が
知られている。
まず、露光現像工程S1において、第４図（ａ）に示す如
き、ピットを有するフォトレジスト層２とガラス原盤１
とからなる現象原盤を得る。
き、ピットを有するフォトレジスト層２とガラス原盤１
とからなる現象原盤を得る。
次に、ポストベイク工程S2において、かかる現像原盤の
フォトレジスト層２を乾燥させガラス原盤１上に定着さ
せて、第４図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。
フォトレジスト層２を乾燥させガラス原盤１上に定着さ
せて、第４図（ｂ）に示す如き乾燥した原盤を得る。
次に、銀スパッタ工程S3において、銀よりスパッタリン
グを施し、フォトレジスト層２上に銀導電膜３を形成し
て、第４図（ｃ）に示す如き積層された原盤を得る。こ
のように、ピットを有するフォトレジスト層上にスパッ
タリングすることによりフォトレジスト層上を導電化す
る。
グを施し、フォトレジスト層２上に銀導電膜３を形成し
て、第４図（ｃ）に示す如き積層された原盤を得る。こ
のように、ピットを有するフォトレジスト層上にスパッ
タリングすることによりフォトレジスト層上を導電化す
る。
次に、電鋳工程S4において、ニッケル（Ni）を銀導電膜
３上にメッキして肉厚のニッケル層４すなわちニッケル
スタンパーを形成して、第４図（ｄ）に示す如き構成の
ものを得る。
３上にメッキして肉厚のニッケル層４すなわちニッケル
スタンパーを形成して、第４図（ｄ）に示す如き構成の
ものを得る。
次に、スタンパー分離工程S5においては、第４図（ｅ）
に示す如くニッケル層４であるスタンパーをガラス原盤
１から分離する。
に示す如くニッケル層４であるスタンパーをガラス原盤
１から分離する。
次に、フォトレジスト剥離工程S6においてニッケル層４
上に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第４図
（ｆ）に示す如き構成のものを得る。フォトレジスト剥
離にはアルカリ溶液または市販の有機溶剤が用いられて
いる。
上に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第４図
（ｆ）に示す如き構成のものを得る。フォトレジスト剥
離にはアルカリ溶液または市販の有機溶剤が用いられて
いる。
最後に、銀剥離工程S7において銀導電膜３をニッケル層
４から剥離して、第４図（ｇ）に示す如きニッケルスタ
ンパーを得る。
４から剥離して、第４図（ｇ）に示す如きニッケルスタ
ンパーを得る。
しかしながら、従来の銀スパッタ法においては、銀が電
鋳工程中において腐食しやすい故に、腐食された凹部が
信号欠陥の原因となる。形成された銀導電膜の表面が荒
くなるために、すべての電気信号のS/Nが悪くなり、例
えばビデオ光ディスクとした場合のその再生画面が劣化
するという欠点があった。
鋳工程中において腐食しやすい故に、腐食された凹部が
信号欠陥の原因となる。形成された銀導電膜の表面が荒
くなるために、すべての電気信号のS/Nが悪くなり、例
えばビデオ光ディスクとした場合のその再生画面が劣化
するという欠点があった。
発明の概要 本発明はこのような従来のスタンパー製造方法の欠点を
除去するためになされたもので、本発明の目的は、銀導
電膜の電鋳中の腐食を防ぎフォトレジストが容易に除去
可能なスタンパー製造方法を提供することである。
除去するためになされたもので、本発明の目的は、銀導
電膜の電鋳中の腐食を防ぎフォトレジストが容易に除去
可能なスタンパー製造方法を提供することである。
本発明のスタンパー製造方法は、情報信号に対応する微
少凹凸を有する原盤上に第１の金属を物理蒸着法によっ
て積層して剥離容易な第１導電層を形成する第１導電層
形成工程と、 前記第１導電層上に第１の金属に対して剥離の容易な第
２の金属を物理蒸着法によって積層して第２導電層を形
成する第２導電層形成工程と、 前記第２導電層上に前記第２の金属を電鋳によりメッキ
してスタンパー基板を形成する電鋳工程と、 前記原盤から前記スタンパー基板を第１及び第２導電層
ともに分離するスタンパー基板分離工程と、 前記スタンパー基板から前記第１導電層を剥離する第１
導電剥離工程とを含むことを特徴とする。
少凹凸を有する原盤上に第１の金属を物理蒸着法によっ
て積層して剥離容易な第１導電層を形成する第１導電層
形成工程と、 前記第１導電層上に第１の金属に対して剥離の容易な第
２の金属を物理蒸着法によって積層して第２導電層を形
成する第２導電層形成工程と、 前記第２導電層上に前記第２の金属を電鋳によりメッキ
してスタンパー基板を形成する電鋳工程と、 前記原盤から前記スタンパー基板を第１及び第２導電層
ともに分離するスタンパー基板分離工程と、 前記スタンパー基板から前記第１導電層を剥離する第１
導電剥離工程とを含むことを特徴とする。
発明の構成 以下に、本発明の構成を図面を参照しつつ説明する。
本発明のスタンパー製造方法は、第１図のフローチャー
トに示す工程S11〜S18を含む。
トに示す工程S11〜S18を含む。
(1)情報信号のピットを有する原盤作成工程（S11及びS
12）： 露光現像工程S11において、ガラス原盤上にフォトレジ
ストを一様に塗布しフォトレジスト層を形成したものを
用意して、これを回転させつつ、記録すべき情報に応じ
て明滅するレーザービームをフォトレジスト層に照射し
て露光させる。次いで、露光原盤を現像して、第２図
（ａ）に示す如きピットを有するフォトレジスト層２と
ガラス原盤１とからなる現像原盤を得る。次に、ポスト
ベイク工程S12において、フォトレジスト層２を乾燥さ
せガラス原盤１上に定着させ第２図（ｂ）に示す如き乾
燥した原盤を得る。
12）： 露光現像工程S11において、ガラス原盤上にフォトレジ
ストを一様に塗布しフォトレジスト層を形成したものを
用意して、これを回転させつつ、記録すべき情報に応じ
て明滅するレーザービームをフォトレジスト層に照射し
て露光させる。次いで、露光原盤を現像して、第２図
（ａ）に示す如きピットを有するフォトレジスト層２と
ガラス原盤１とからなる現像原盤を得る。次に、ポスト
ベイク工程S12において、フォトレジスト層２を乾燥さ
せガラス原盤１上に定着させ第２図（ｂ）に示す如き乾
燥した原盤を得る。
(2)第１導電層形成工程（S13）： 次に、銀スパッタ工程S13においては、物理蒸着法によ
って例えば第１の金属として銀によりスパッタリングを
施し、フォトレジスト層２上に第１導電層として銀導電
膜３を形成して、第２図（ｃ）に示す如き積層された原
盤を得る。
って例えば第１の金属として銀によりスパッタリングを
施し、フォトレジスト層２上に第１導電層として銀導電
膜３を形成して、第２図（ｃ）に示す如き積層された原
盤を得る。
（３）第２導電層形成工程（S14）： さらに、ニッケルスパッタ工程S14においては、第２の
金属としてニッケルによりスパッタリングを施し、銀導
電膜３の上に第２導電層としてニッケル導電膜４を形成
して、第２図（ｄ）に示す如き積層された原盤を得る。
なお、第２導電層としてのニッケルの代わりに、高導電
率で高硬度を有しかつ耐腐食性があり第１の金属に対し
て剥離が容易に金属、例えばクロム等を用いることも可
能である。ニッケル導電膜４は、次の電鋳工程S15にお
いて電鋳液により銀導電膜が侵されないような厚さを有
するものが望ましい。
金属としてニッケルによりスパッタリングを施し、銀導
電膜３の上に第２導電層としてニッケル導電膜４を形成
して、第２図（ｄ）に示す如き積層された原盤を得る。
なお、第２導電層としてのニッケルの代わりに、高導電
率で高硬度を有しかつ耐腐食性があり第１の金属に対し
て剥離が容易に金属、例えばクロム等を用いることも可
能である。ニッケル導電膜４は、次の電鋳工程S15にお
いて電鋳液により銀導電膜が侵されないような厚さを有
するものが望ましい。
第１及び第２の導電膜形成工程において、銀及びニッケ
ルをスパッタリングを用いた場合について説明したが、
成膜に際してスパッタリングの代わりに真空蒸着あるい
は無電解めっきなどの方法を用いてもよい。また、真空
蒸着法及びスパッタリング蒸着法等の物理蒸着法で成膜
する場合は、第１及び第２導電層形成工程の２つの工程
を１つの真空チャンバー内で行なうことができる故に、
作業時間の短縮に有効である。
ルをスパッタリングを用いた場合について説明したが、
成膜に際してスパッタリングの代わりに真空蒸着あるい
は無電解めっきなどの方法を用いてもよい。また、真空
蒸着法及びスパッタリング蒸着法等の物理蒸着法で成膜
する場合は、第１及び第２導電層形成工程の２つの工程
を１つの真空チャンバー内で行なうことができる故に、
作業時間の短縮に有効である。
（４）電鋳工程（S15）： 次に、電鋳工程S15においては、ニッケルをニッケル導
電膜４上にメッキしてニッケル導電膜４と一体となった
肉厚のニッケル層４すなわち第２の金属のニッケルスタ
ンパーを銀導電膜３上に形成して、第２図（ｅ）に示す
如き構成のものを得る。
電膜４上にメッキしてニッケル導電膜４と一体となった
肉厚のニッケル層４すなわち第２の金属のニッケルスタ
ンパーを銀導電膜３上に形成して、第２図（ｅ）に示す
如き構成のものを得る。
（５）スタンパー分離工程（S16）： 次に、スタンパー分離工程S16においては、第２図
（ｆ）に示す如くニッケル層４であるスタンパーをラス
原盤１から分離する。
（ｆ）に示す如くニッケル層４であるスタンパーをラス
原盤１から分離する。
（６）第１導電層剥離工程（S17及びS18）： 次に、フォトレジスト剥離工程S17においてニッケル層
４に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第２図
（ｇ）に示す如き構成のものを得る。最後に、銀剥離工
程S18において銀導電膜３をニッケル層４から剥離し
て、第２図（ｈ）に示す如きスタンパーを得る。銀剥離
の方法は、アンモニア、過酸化水素水および純水からな
る処理液にスタンパーを浸して行う。この間、超音波を
かけてもよい。銀剥離の方法は、別にこれに限定されず
銀導電膜３を溶かし、ニッケル導電膜３を侵さない処理
液をも用いる。
４に残ったフォトレジスト層２を剥離して、第２図
（ｇ）に示す如き構成のものを得る。最後に、銀剥離工
程S18において銀導電膜３をニッケル層４から剥離し
て、第２図（ｈ）に示す如きスタンパーを得る。銀剥離
の方法は、アンモニア、過酸化水素水および純水からな
る処理液にスタンパーを浸して行う。この間、超音波を
かけてもよい。銀剥離の方法は、別にこれに限定されず
銀導電膜３を溶かし、ニッケル導電膜３を侵さない処理
液をも用いる。
また、上記の第１導電層形成工程（S13）においては、
第１導電層としての銀の代わりに、第２導電層のニッケ
ル、クロム等の金属を侵さずに除去できるかつかる金属
に対して剥離が容易な金属、例えば銅、アルミニウム、
亜鉛等を用い得る。また、銀導電膜等の第１導電層はフ
ォトレジストを除去するために設けられているから少な
くともピットの信号面部分に均一にかつ薄く形成されれ
ばよい。
第１導電層としての銀の代わりに、第２導電層のニッケ
ル、クロム等の金属を侵さずに除去できるかつかる金属
に対して剥離が容易な金属、例えば銅、アルミニウム、
亜鉛等を用い得る。また、銀導電膜等の第１導電層はフ
ォトレジストを除去するために設けられているから少な
くともピットの信号面部分に均一にかつ薄く形成されれ
ばよい。
実施例 実施例として、第１導電層の第１の金属と銀としてスパ
ッタリングを施し、第２導電層の第１の金属をニッケル
としてスパッタリングを施してニッケルスタンパーを作
成した。
ッタリングを施し、第２導電層の第１の金属をニッケル
としてスパッタリングを施してニッケルスタンパーを作
成した。
このとき、フォトレジストに第１導電層の銀導電膜を従
来のものよりも薄く50〜200Åの膜厚で形成した。銀導
電膜厚は200Å以上と厚く形成するピット形状および表
面荒さが悪化し、50Å以下に薄くするとフォトレジスト
とともに除去され難くなった。したがって銀導電膜厚さ
は50〜200Åが好ましかった。
来のものよりも薄く50〜200Åの膜厚で形成した。銀導
電膜厚は200Å以上と厚く形成するピット形状および表
面荒さが悪化し、50Å以下に薄くするとフォトレジスト
とともに除去され難くなった。したがって銀導電膜厚さ
は50〜200Åが好ましかった。
さらに、第２導電層形成工程においてニッケル導電膜厚
は1000Å以上と厚くすると膜応力が高くなって電鋳時に
導電膜の不良が生じ、300Å以下に薄くすると電鋳初期
の通電量が限定された。したがって、ニッケル導電膜厚
は300〜1000Åが好ましかった。
は1000Å以上と厚くすると膜応力が高くなって電鋳時に
導電膜の不良が生じ、300Å以下に薄くすると電鋳初期
の通電量が限定された。したがって、ニッケル導電膜厚
は300〜1000Åが好ましかった。
発明の効果 本発明によれば、電鋳に用いる導電層を２層化して第１
導電層に剥離容易導電金属を用いている故に、転写され
るべきピットの形状を殆ど変化させずにフォトレジスト
を第１導電層とともに剥離させることができるので、フ
ォトレジストを完全に除去できる。さらに、第１導電層
の上に第２導電層を形成したので電鋳工程の際に第１導
電層を腐食させることがないので表面形状の良いピット
を有するスタンパーを製作することができる。
導電層に剥離容易導電金属を用いている故に、転写され
るべきピットの形状を殆ど変化させずにフォトレジスト
を第１導電層とともに剥離させることができるので、フ
ォトレジストを完全に除去できる。さらに、第１導電層
の上に第２導電層を形成したので電鋳工程の際に第１導
電層を腐食させることがないので表面形状の良いピット
を有するスタンパーを製作することができる。
第１図は本発明によるスタンパーの製造方法の工程を示
すフローチャート、第２図は第１図の各工程における部
材の概略断面図、第３図は銀スパッタ法によるスタンパ
ーの製造方法を示すフローチャート、第４図は第３図の
各工程における部材の概略断面図である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス原盤 ２……フォトレジスト ３……銀導電層 ４……ニッケル導電層
すフローチャート、第２図は第１図の各工程における部
材の概略断面図、第３図は銀スパッタ法によるスタンパ
ーの製造方法を示すフローチャート、第４図は第３図の
各工程における部材の概略断面図である。 主要部分の符号の説明 １……ガラス原盤 ２……フォトレジスト ３……銀導電層 ４……ニッケル導電層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 桂 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 パ イオニアビデオ株式会社内 (72)発明者 幸城 賢治 山梨県中巨摩郡田富町西花輪2680番地 パ イオニアビデオ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】情報信号に対応する微少凹凸を有する原盤
上に第１の金属を物理蒸着法によって積層して剥離容易
な第１導電層を形成する第１導電層形成工程と、 前記第１導電層上に第１の金属に対して剥離の容易な第
２の金属を物理蒸着法によって積層して第２導電層を形
成する第２導電層形成工程と、 前記第２導電層上に前記第２の金属を電鋳によりメッキ
してスタンパー基板を形成する電鋳工程と、 前記原盤から前記スタンパー基板を第１及び第２導電層
とともに分離するスタンパー基板分離工程と、 前記スタンパー基板から前記第１導電層を剥離する第１
導電層剥離工程とを含むことを特徴とするスタンパー製
造方法。 - 【請求項２】前記第１の金属は銀であり、かつ前記第２
の金属はニッケルであることを特徴とする請求項１記載
のスタンパー製造方法。 - 【請求項３】前記物理蒸着法はスパッタ蒸着法であるこ
とを特徴とする請求項２記載のスタンパー製造方法。 - 【請求項４】前記物理蒸着法は真空蒸着法であることを
特徴とする請求項２記載のスタンパー製造方法。 - 【請求項５】前記第１導電層の膜厚は50〜200Åであ
り、かつ前記第２導電層の膜厚は300〜1000Åであるこ
とを特徴とする請求項１から４までのいずれか１記載の
スタンパー製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234034A JPH0678590B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | スタンパー製造方法 |
| US07/346,537 US5015338A (en) | 1988-09-19 | 1989-05-02 | Method of manufacturing a stamper for formation of optical information carrying disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63234034A JPH0678590B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | スタンパー製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285375A JPH0285375A (ja) | 1990-03-26 |
| JPH0678590B2 true JPH0678590B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=16964527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63234034A Expired - Lifetime JPH0678590B2 (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | スタンパー製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5015338A (ja) |
| JP (1) | JPH0678590B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04159634A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-02 | Pioneer Electron Corp | 光ディスク製造方法 |
| US6007652A (en) * | 1990-11-05 | 1999-12-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of preparing metal thin film having excellent transferability |
| JP2693289B2 (ja) * | 1991-08-09 | 1997-12-24 | シャープ株式会社 | 光メモリ |
| JP2868682B2 (ja) * | 1992-05-15 | 1999-03-10 | シャープ株式会社 | 光ディスク |
| DE4222856C1 (ja) * | 1992-07-11 | 1993-05-27 | Buerkert Gmbh | |
| JP3217999B2 (ja) | 1997-12-03 | 2001-10-15 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 部品製作方法及び部品製作装置 |
| JP3938253B2 (ja) | 1997-12-26 | 2007-06-27 | 日本板硝子株式会社 | 樹脂正立等倍レンズアレイおよびその製造方法 |
| DE19913466A1 (de) * | 1999-03-25 | 2000-09-28 | Bosch Gmbh Robert | Auf einem Substrat aufgebaute Schichtenfolge in Dünnschichttechnologie |
| JP2004005872A (ja) * | 2002-04-09 | 2004-01-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ディスク原盤作製方法および光ディスクとその製造方法 |
| TWI233423B (en) * | 2004-01-29 | 2005-06-01 | Tech Media Corp U | Method of fabricating a stamper with microstructure patterns |
| WO2009011026A1 (ja) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 複合金属箔の製造方法、複合金属箔、成形金属箔及び成形金属箔の製造方法 |
| JP4850817B2 (ja) * | 2007-11-29 | 2012-01-11 | 富士フイルム株式会社 | 磁気転写用マスターディスクの製造方法 |
| JP2010073272A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-02 | Fujifilm Corp | 転写用原盤及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4430401A (en) * | 1979-06-13 | 1984-02-07 | Discovision Associates | Method for producing a recording disc stamper |
| NL8303315A (nl) * | 1982-10-14 | 1984-05-01 | Philips Nv | Methode voor de vervaardiging van een moedermatrijs. |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP63234034A patent/JPH0678590B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-05-02 US US07/346,537 patent/US5015338A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5015338A (en) | 1991-05-14 |
| JPH0285375A (ja) | 1990-03-26 |
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