JPH01246391A - スタンパの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はスタンパの製造方法に関し、特に、コンパクト
ディスク、ビデオディスク、レーザービジョンディスク
等の光ディスクを複製するために用いられるスタンパの
製造方法に関する。

〔従来技術〕

光デイスク複製用スタンパを作製する従来の方法として
は、先ずガラス基板上に設けられたフォトレジスト層に
対しフォトリソグラフィーにより凹凸微細形状を形成し
、次いでこの微細形状の上に導電性のＮｉ皮膜をスパッ
ター、真空蒸着等により形成し、ニッケル電鋳を行なっ
た後、Ｎｉ電鋳層をＮｉマスターとしてガラス基板側か
ら剥離し、そのＮｉマスターに剥離皮膜処理を施してニ
ッケル電鋳することによりＮｉマザーを得、そのＮｉマ
ザーに同様の処理を行なうことによりＮｉスタンパを作
成する方法があった。

しかしながら、このような従来のスタンパ作成方法では
、ＮｉマスターからＮｉマザー複製の際及びＮｉマザー
からＮｉスタンパ複製の際に、同じ電気量を流して電鋳
しても剥離皮膜処理の度合いが異なると・陰極電流効率
（析出効率）が異なり、バッチ間でＮｉ厚みに差を生じ
、スタンパとして形状が異なってしまうという問題があ
った。また、陰極電流効率が下がると、Ｎｉが析出する
代わりに電鋳浴の劣化が進行し、ガスの発生により析出
面にブツやピンホールが形成されるため、スタンパとし
ての品質がダウンしてしまうという問題があった。

さらに、ＮｕマスターとＮｉマザー、　ＮｉマザーとＮ
ｉスタンパの剥離に関しても、剥離不良を起こす場合が
あり、高精度の微細パターンの転写が困難になることが
しばしばあった。

〔目　　　的〕

本発明はこのような従来技術の問題点を解決し、複製に
対して高精度の微細形状の転写を実現する高品質のスタ
ンパを提供することを目的とする。

〔構　　成〕

上記目的は、基板上にフォトレジスト層を設け、フォト
リソグラフィーによって該フォトレジスト層に凹凸微細
形状を形成する工程と、該凹凸微細形状の上に導電性皮
膜を設けた後、ニッケル電鋳を行ないマスターを作成す
る工程と、該マスターに剥離皮膜処理を施した後、ニッ
ケル電鋳を行ないマザーを作成する工程と、該マザーに
剥離皮膜処理を施した後、ニッケル電鋳を行ないスタン
パを作成する工程とを具備し、前記マスターから前記マ
ザーを作成する際及び前記マザーから前記スタンパを作
成する際の剥離皮膜処理にて形成されるニッケル酸化膜
の厚さを２０〜３０Å範囲とすることを特徴とするスタ
ンパの製造方法により達成される。

〔効　　果〕

本発明によれば、マザー及びスタンパ複製の際の剥離皮
膜処理において形成されるニッケル酸化膜の厚さを２０
〜３０Å範囲としたので、陰極電流効率即ち析出ニッケ
ルの厚みがコントロールされることにより、マスターと
マザー、マザーとスタンパの剥離性が良好となり、高精
度の溝パターンの転写が実現される。したがって信号特
性の優れた光ディスクの複製が可能なスタンパの提供が
可能となる。

〔実施例〕

以下・本発明の実施例につき説明するが、これに限定さ
れるものではない。

第１図は本発明の一実施例に係るＮｉスタンパの製造方
法の製造工程を示す図である。

先ず、研磨、洗浄したガラス基板Ｉを準備し、その表面
にフォトレジスト２を塗布する。そしてこのフォトレジ
スト２に対して、レーザーを用いて露光を行い、しかる
後に現像し、第１図の（ｃ）の如き凹凸微細形状を得る
０次に、この凹凸微細形状の表面に導電性を付与するた
め、スパッタリング、真空蒸着等の手段により、該表面
に導電性皮膜３を形成する。次に、Ｎｉ電鋳を行いＮｉ
電鋳Ａ１４を形成し、ガラス基板ｌ側とＮｉ電鋳層４と
を剥離し、Ｎｉ電鋳層４側をＮｉマスター５とする。次
に、このＮｉマスター５の凹凸微細形状が形成された面
側に剥離皮膜処理を施してＮｉ酸化膜６を形成し、その
後。

ニッケル？ｌ電鋳を行ないそのニッケル電鋳層を剥離し
てＮｉマザー７を得る。Ｎｉ酸化膜６の形成の際にはエ
リプソメータでその厚みを測定し、厚さが２０〜３０人
となるようにする。次に、Ｎｉマザー７に上記と同様に
剥離皮膜処理を施してＮｉ酸化膜８を形成する。このＮ
ｉ酸化膜８の形成の際にもエリプソメータでその厚みを
測定し、厚さが２０〜３０人となるようにする。Ｎｉ酸
化膜８の形成後、ニッケルミ１電鋳を行ない、形成され
た電鋳層を剥離してＮｉスタンパ９が得られる。

本実施例でＮｉマスター５及びＮｉマザー７にＮｉ酸化
膜６，８を形成するに当たり、エリプソメータで厚みを
測定してその厚さを２０〜３０人となるようにするのは
以下の現象に鑑みたものである。

第２図は本発明におけるＮｉ電鋳で使用するＮｉ電鋳浴
の電解中の現象を模式的に示した図である。

陽極側では次式のようにＮｉが溶解する。

Ｎｉ−＋Ｎｉ”＋２ｅ− 一方、陰極側では次式のようにＮｉが析出する。

Ｎｉ２”　＋　２ｅ−→Ｎｉ そして電解中に電子は陰極から陽極に向って流れるため
、Ｎｉ酸化膜は電子の流れを抑制し、陰極電流効果を低
下させ、その分が熱となったり、浴の分解を起こしたり
して陰極におけるＮｉの析出量を減少させる。第３図な
いし第５図は、電鋳浴がスルファミン酸ニッケル溶液の
場合に、陰極電流効率の減少に応じて分解生成物の濃度
が増加する様子を示すものである。第３図はアゾジスル
ホン酸、第４図は亜硫酸塩、第５図は過硫酸塩のＵｖ吸
収スペクトルを示し、これらの図においてＡは陰極電流
効率７５％、Ｂは同８０％、Ｃは同８８％の場合のデー
タである。

ここで、第６図にＮｉ酸化膜厚と陰極電流効率との関係
を示す、　Ｎｉ１ｌ化膜厚が増加するにつれて陰極電流
効率が劣化し七いることが分かる。一方。

Ｎｉマザー７やＮｉスタンパ９の剥離という観点からす
ると、Ｎｉ酸化膜厚が２０人より小さいと剥離が不良と
なり、２０Å以上になると良好となる。したがって、陰
極電流効率と剥離性の双方を良好とするＮｉ酸化膜厚は
２０〜３０人となる。この場合、陰極電流効率は８８％
以上となる。

本実施例では、以上の関係を考慮してＮｉ酸化膜６．８
の厚さを２０〜３０人に管理しているので、陰極電流効
率即ち析出Ｎｉ厚みがコントロールされ、Ｎｉマスター
５とＮｉマザー７、Ｎｉマザー７とＮｉスタンパ９の剥
離性が良好に維持できることとなった。このことにより
、溝パターンの転写性もよくなり、Ｎｉスタンパ９を用
いて複製した光ディスクは信号特性も転写前と殆ど同等
で、満足できる品質の高いものであった。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例に係るスタンパの製造方法の工
程を示す図、第２図はＮｉ電鋳層の電解中の現象を模式
的に示した図、第３図ないし第５図は陰極電流効率の減
少に応じて分解生成物の濃度が増加する様子を示す図、
第６図はＮｉ酸化膜厚と陰極電流効率との関係を示す図
である。 １・・・ガラス基板　　　２・・・フォトレジスト３・
・・導電性皮膜　　　４・・・Ｎｉ＊ｔｖ１層５・・・
Ｎｉマスター　　　６，８・・・Ｎｉ酸化膜７・・・Ｎ
ｉマザー　　　　９・・・Ｎｉスタンパ（ほか１名） 第５図 液長（ｍＰ） Ｖギ徒

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上にフォトレジスト層を設け、フォトリソグ
   ラフィーによって該フォトレジスト層に凹凸微細形状を
   形成する工程と、該凹凸微細形状の上に導電性皮膜を設
   けた後、ニッケル電鋳を行ないマスターを作成する工程
   と、該マスターに剥離皮膜処理を施した後、ニッケル電
   鋳を行ないマザーを作成する工程と、該マザーに剥離被
   膜処理を施した後、ニッケル電鋳を行ないスタンパを作
   成する工程とを具備するスタンパの製造方法において、
   前記マスターから前記マザーを作成する際及び前記マザ
   ーから前記スタンパを作成する際の剥離皮膜処理にて形
   成されるニッケル酸化膜の厚さを２０〜３０Å範囲とす
   ることを特徴とするスタンパの製造方法。