JPS63148443A - 光デイスク用マザ−の製造方法 - Google Patents
光デイスク用マザ−の製造方法Info
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- JPS63148443A JPS63148443A JP29519986A JP29519986A JPS63148443A JP S63148443 A JPS63148443 A JP S63148443A JP 29519986 A JP29519986 A JP 29519986A JP 29519986 A JP29519986 A JP 29519986A JP S63148443 A JPS63148443 A JP S63148443A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は党ディスクマスクリングプロセスにおけるスタ
ンパ−を大量に複製するtめの光ディスク用マザーの製
造方法に関する。
ンパ−を大量に複製するtめの光ディスク用マザーの製
造方法に関する。
従来の光ディスク用スタンパ−〇age方法として、第
1の方法は、光学研磨されたガラス基板上に感光性レジ
ストを120OA穆度塗布して、 He−Cdレーザー
ビームを照射して、現債を行なった後に凹凸のあるレジ
スト1ctt!?ガラス厘盤を作成する。
1の方法は、光学研磨されたガラス基板上に感光性レジ
ストを120OA穆度塗布して、 He−Cdレーザー
ビームを照射して、現債を行なった後に凹凸のあるレジ
スト1ctt!?ガラス厘盤を作成する。
次に、この原盤上に、 Nイスバッタ法によって、導体
化処理層を1000〜2000A形成し、その上に電鋳
Nイメνキをすることによってスタンパ−を得る方法で
ある。
化処理層を1000〜2000A形成し、その上に電鋳
Nイメνキをすることによってスタンパ−を得る方法で
ある。
第2の方法としては、前述の第1の方法で得られ几スタ
ンバ−をマザーとして用い、この面に電鋳IJiメ−/
−?を行ないマスターを作成し、できあがったヤスター
の面忙さらK II flM Niメ−/キを行なって
スタンパ−を得る方法である。
ンバ−をマザーとして用い、この面に電鋳IJiメ−/
−?を行ないマスターを作成し、できあがったヤスター
の面忙さらK II flM Niメ−/キを行なって
スタンパ−を得る方法である。
第3の方法としては、ガラス基板上に感光性レジストを
塗布して、Hg −cdレーザービームを照射して現倫
を行な−た俊に、所定の凹凸パターンの得られたガラス
厘盤上を残りたレジス)Illをマスフとしてガラス幕
板の入を所定の深さだけ選択的にエツチングを行なへ。
塗布して、Hg −cdレーザービームを照射して現倫
を行な−た俊に、所定の凹凸パターンの得られたガラス
厘盤上を残りたレジス)Illをマスフとしてガラス幕
板の入を所定の深さだけ選択的にエツチングを行なへ。
次に、マスクとして用いた前記のレジスト膜を除去する
ことによって凹凸のあるガラスのマザー%得られる。
ことによって凹凸のあるガラスのマザー%得られる。
次に、このガラスマザーの面に導体化処理層を形成し、
その土に電鋳Niメ9中を行ない、マスターを作成し、
できあhzったマスターの面にさらに電鋳Niメッキを
行なってスフソバーを得る方法である。
その土に電鋳Niメ9中を行ない、マスターを作成し、
できあhzったマスターの面にさらに電鋳Niメッキを
行なってスフソバーを得る方法である。
しかし、前述の従来技術では、まず、第10製今方法で
は、ガラス基板上のレジスト層に機械的強度がないため
、スタンパ−をガラス基板からはがす際にレジスト層が
破壊されてしまうことがあって、レーザーカッティング
1回忙つき1枚のスタ゛/パーしか得られなかった。
は、ガラス基板上のレジスト層に機械的強度がないため
、スタンパ−をガラス基板からはがす際にレジスト層が
破壊されてしまうことがあって、レーザーカッティング
1回忙つき1枚のスタ゛/パーしか得られなかった。
まt、ピットの高さについては、レジストの膜厚で決ま
ってしまうが、この製造方法による膵厚分tけ±109
’+a度であり、ピット高さの低いスタンパ−を得よう
とする場合、精度的に問題であった。
ってしまうが、この製造方法による膵厚分tけ±109
’+a度であり、ピット高さの低いスタンパ−を得よう
とする場合、精度的に問題であった。
次に、第2の製造方法では、複製を何回かぐつかえずの
で、スタンパ−の表面欠陥が増加し、エラーレートが悪
化したり、不良品が多くなるという問題があった。
で、スタンパ−の表面欠陥が増加し、エラーレートが悪
化したり、不良品が多くなるという問題があった。
また、スタンパ−のピツト高さの精度についても、第1
の製造方法と同じ問題があった。
の製造方法と同じ問題があった。
次に、第3の製造方法では、現状の1200Aより浅い
ピット深さのスタンパ−を作成する場合、ガラスだけを
選択的にエツチングする1穆においてピツト深さをコン
トロールする時、エツチングの条件忙よりては、ピット
深さがねらい値どおりにならなかっ几り、処理枚数間に
バラツキを生じてしまうという問題6tあった。
ピット深さのスタンパ−を作成する場合、ガラスだけを
選択的にエツチングする1穆においてピツト深さをコン
トロールする時、エツチングの条件忙よりては、ピット
深さがねらい値どおりにならなかっ几り、処理枚数間に
バラツキを生じてしまうという問題6tあった。
また、ガラスマザーの上に形成しtマスターをけくりす
る工11において、ガラスマザーとNiとの局部的な離
産性のガラス中によって、マスターの表面に欠陥が発生
してしまうという問題があった、そこで本発明はこの様
な問題点を解決するもので、その目的とするところは、
離型性が良くて。
る工11において、ガラスマザーとNiとの局部的な離
産性のガラス中によって、マスターの表面に欠陥が発生
してしまうという問題があった、そこで本発明はこの様
な問題点を解決するもので、その目的とするところは、
離型性が良くて。
表面欠陥の少なくて、ピット高さの精gの高いスタンパ
−を低コストで大量に得ることが可能な光ディスク用マ
ザーを提併するところにある。
−を低コストで大量に得ることが可能な光ディスク用マ
ザーを提併するところにある。
1)本発明は光ディスクマスタ11ングプロセスにおい
て、ガラス$板上に金属膜を設けて、この面を選択的忙
エツチングを行ない、ピットを形成しfCことを特徴と
する光ディスク用マザーのan方法。
て、ガラス$板上に金属膜を設けて、この面を選択的忙
エツチングを行ない、ピットを形成しfCことを特徴と
する光ディスク用マザーのan方法。
2)前記の金属膜の材質には、 Nff1−07”合金
薄耀を用い、arの含有量hz s *以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ディスク用
マザーの製造方法。
薄耀を用い、arの含有量hz s *以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光ディスク用
マザーの製造方法。
第1図のα)〜h)は1本発明忙よる光ディスク用スタ
ンパ−の製造工種説明図である。
ンパ−の製造工種説明図である。
まず、外径200報、Hさ6鶴のガラス基板の表面を光
学研磨し、この表面上にCrの組成比が3チ以上のNi
−Cr金膜をスパッタ装曾で形成す4スパνり膜の厚
さけ、 1200λ+5壬でコントロールし、た。こ
の時のスパッタ条件は、RFスパヴタ方式で、パワー+
’+t200W、真空度I X 10−’ TOff
。
学研磨し、この表面上にCrの組成比が3チ以上のNi
−Cr金膜をスパッタ装曾で形成す4スパνり膜の厚
さけ、 1200λ+5壬でコントロールし、た。こ
の時のスパッタ条件は、RFスパヴタ方式で、パワー+
’+t200W、真空度I X 10−’ TOff
。
AI”ガス圧5 g’rort”で行なった。(第1図
α))この基板上に、感光性レジストを2000〜40
00A穆度の膜厚をスピンコード法によりて、第1図a
)の基板全面に塗布する。(第1図b))次に、この基
板を回転させて、情報信号に対応して(この場合、CD
信号)変調を受けたHe −Ctlt−レーザー光って
、レジス) I!@3を露光する。
α))この基板上に、感光性レジストを2000〜40
00A穆度の膜厚をスピンコード法によりて、第1図a
)の基板全面に塗布する。(第1図b))次に、この基
板を回転させて、情報信号に対応して(この場合、CD
信号)変調を受けたHe −Ctlt−レーザー光って
、レジス) I!@3を露光する。
次に、この基板をアルカリ系の現像液で現像しレジスト
膜3の露光されt部分を除去し、凹凸のパターンを得る
。(第1図c) ) 次に、この基板をスパッタ装置内へ取りけけ、前記レジ
スト膜3をマスクにして、第1図α)でスパッタしたN
i −ar合金膜を逆スパツタ方式によって除去する。
膜3の露光されt部分を除去し、凹凸のパターンを得る
。(第1図c) ) 次に、この基板をスパッタ装置内へ取りけけ、前記レジ
スト膜3をマスクにして、第1図α)でスパッタしたN
i −ar合金膜を逆スパツタ方式によって除去する。
この時の逆スパνり条件は%RFスパシタ方式で、パワ
ーat2aow、真空度1×10−’ TO’F”f
、 Arガス圧5118 ’rorrで行なったn(第
1図d) ) 次に、この基板上に、マスクと17で残っているレジス
ト噂3を7ツシングして除去し、ガラス基板上K Nj
−Or合金R,による凹凸のパターンを得る。
ーat2aow、真空度1×10−’ TO’F”f
、 Arガス圧5118 ’rorrで行なったn(第
1図d) ) 次に、この基板上に、マスクと17で残っているレジス
ト噂3を7ツシングして除去し、ガラス基板上K Nj
−Or合金R,による凹凸のパターンを得る。
次に、この基板上に、Orの組成比3%以上のNi −
Cr金膜を再変スパヴタして第1図f)のマザーを得る
。この時の噂厚け100〜200 ′に程lとり、た。
Cr金膜を再変スパヴタして第1図f)のマザーを得る
。この時の噂厚け100〜200 ′に程lとり、た。
次に、第1図f)のマザー原盤上に、スルファミン酸N
i浴中で通電を行なりて、Nイ金属を析出させる電鋳N
iメヴ千法によってNi金属マスターを作成する。(第
1図g)) 最徐に、このマスター表面上に再度電鋳Niメヴキを行
ないNiスタンパ−を作成する。
i浴中で通電を行なりて、Nイ金属を析出させる電鋳N
iメヴ千法によってNi金属マスターを作成する。(第
1図g)) 最徐に、このマスター表面上に再度電鋳Niメヴキを行
ないNiスタンパ−を作成する。
これらのスタンパ−は、ピットの高さのバラツキも少な
く、また離型性も向上しtことによって欠陥の少ないも
のであっ之。
く、また離型性も向上しtことによって欠陥の少ないも
のであっ之。
以上述べ次様に本発明によれば、ガラス基板上に、Cr
の組成が3俤以上のNj −Of−合金膜を構成し、そ
の面を選択的にエツチングしてピットを形成し次光ディ
スク用マザーを用いることによって離型性六を良好で欠
陥の少なく、しかもビット高さのバラツキの少ない良好
なスタンパ−を低コストで大量Kl造すること^を可能
となった。
の組成が3俤以上のNj −Of−合金膜を構成し、そ
の面を選択的にエツチングしてピットを形成し次光ディ
スク用マザーを用いることによって離型性六を良好で欠
陥の少なく、しかもビット高さのバラツキの少ない良好
なスタンパ−を低コストで大量Kl造すること^を可能
となった。
第1図5)〜h、>Fi本発明の光ディスク用スタンパ
−の製造工種説明図。 1・・・・・・ガラス基板 2・・・・・・Ni −ar合金膜 3・・・…レジスト膿 4・・・・・・ピット 5・・・・・・Ni −Or合金膜 6・・・・・・マザー 7・・・・・・マスター 8・・・・・・スタンパ− 以 上
−の製造工種説明図。 1・・・・・・ガラス基板 2・・・・・・Ni −ar合金膜 3・・・…レジスト膿 4・・・・・・ピット 5・・・・・・Ni −Or合金膜 6・・・・・・マザー 7・・・・・・マスター 8・・・・・・スタンパ− 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)本発明は光ディスクマスタリングプロセスにおいて
、ガラス基板上に金属膜を設けて、この面を選択的にエ
ッチングを行ない、ピットを形成したことを特徴とする
光ディスク用マザーの製造方法。 2)前記の金属膜の材質には、Hi−Cr合金薄膜を用
い、Crの含有量が3%以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の光ディスク用マザーの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29519986A JPS63148443A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光デイスク用マザ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29519986A JPS63148443A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光デイスク用マザ−の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63148443A true JPS63148443A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17817479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29519986A Pending JPS63148443A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光デイスク用マザ−の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63148443A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1156138A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-21 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP29519986A patent/JPS63148443A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1156138A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-21 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
EP1156138A3 (en) * | 2000-05-12 | 2004-07-14 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
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