JPS63148443A - 光デイスク用マザ−の製造方法 - Google Patents
光デイスク用マザ−の製造方法Info
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- JPS63148443A JPS63148443A JP29519986A JP29519986A JPS63148443A JP S63148443 A JPS63148443 A JP S63148443A JP 29519986 A JP29519986 A JP 29519986A JP 29519986 A JP29519986 A JP 29519986A JP S63148443 A JPS63148443 A JP S63148443A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は党ディスクマスクリングプロセスにおけるスタ
ンパ−を大量に複製するｔめの光ディスク用マザーの製
造方法に関する。
ンパ−を大量に複製するｔめの光ディスク用マザーの製
造方法に関する。
従来の光ディスク用スタンパ−〇ａｇｅ方法として、第
１の方法は、光学研磨されたガラス基板上に感光性レジ
ストを１２０ＯＡ穆度塗布して、 Ｈｅ−Ｃｄレーザー
ビームを照射して、現債を行なった後に凹凸のあるレジ
スト１ｃｔｔ！？ガラス厘盤を作成する。
１の方法は、光学研磨されたガラス基板上に感光性レジ
ストを１２０ＯＡ穆度塗布して、 Ｈｅ−Ｃｄレーザー
ビームを照射して、現債を行なった後に凹凸のあるレジ
スト１ｃｔｔ！？ガラス厘盤を作成する。
次に、この原盤上に、 Ｎイスバッタ法によって、導体
化処理層を１０００〜２０００Ａ形成し、その上に電鋳
Ｎイメνキをすることによってスタンパ−を得る方法で
ある。
化処理層を１０００〜２０００Ａ形成し、その上に電鋳
Ｎイメνキをすることによってスタンパ−を得る方法で
ある。
第２の方法としては、前述の第１の方法で得られ几スタ
ンバ−をマザーとして用い、この面に電鋳ＩＪｉメ−／
−？を行ないマスターを作成し、できあがったヤスター
の面忙さらＫ ＩＩ ｆｌＭ Ｎｉメ−／キを行なって
スタンパ−を得る方法である。
ンバ−をマザーとして用い、この面に電鋳ＩＪｉメ−／
−？を行ないマスターを作成し、できあがったヤスター
の面忙さらＫ ＩＩ ｆｌＭ Ｎｉメ−／キを行なって
スタンパ−を得る方法である。
第３の方法としては、ガラス基板上に感光性レジストを
塗布して、Ｈｇ −ｃｄレーザービームを照射して現倫
を行な−た俊に、所定の凹凸パターンの得られたガラス
厘盤上を残りたレジス）Ｉｌｌをマスフとしてガラス幕
板の入を所定の深さだけ選択的にエツチングを行なへ。
塗布して、Ｈｇ −ｃｄレーザービームを照射して現倫
を行な−た俊に、所定の凹凸パターンの得られたガラス
厘盤上を残りたレジス）Ｉｌｌをマスフとしてガラス幕
板の入を所定の深さだけ選択的にエツチングを行なへ。
次に、マスクとして用いた前記のレジスト膜を除去する
ことによって凹凸のあるガラスのマザー％得られる。
ことによって凹凸のあるガラスのマザー％得られる。
次に、このガラスマザーの面に導体化処理層を形成し、
その土に電鋳Ｎｉメ９中を行ない、マスターを作成し、
できあｈｚったマスターの面にさらに電鋳Ｎｉメッキを
行なってスフソバーを得る方法である。
その土に電鋳Ｎｉメ９中を行ない、マスターを作成し、
できあｈｚったマスターの面にさらに電鋳Ｎｉメッキを
行なってスフソバーを得る方法である。
しかし、前述の従来技術では、まず、第１０製今方法で
は、ガラス基板上のレジスト層に機械的強度がないため
、スタンパ−をガラス基板からはがす際にレジスト層が
破壊されてしまうことがあって、レーザーカッティング
１回忙つき１枚のスタ゛／パーしか得られなかった。
は、ガラス基板上のレジスト層に機械的強度がないため
、スタンパ−をガラス基板からはがす際にレジスト層が
破壊されてしまうことがあって、レーザーカッティング
１回忙つき１枚のスタ゛／パーしか得られなかった。
まｔ、ピットの高さについては、レジストの膜厚で決ま
ってしまうが、この製造方法による膵厚分ｔけ±１０９
’＋ａ度であり、ピット高さの低いスタンパ−を得よう
とする場合、精度的に問題であった。
ってしまうが、この製造方法による膵厚分ｔけ±１０９
’＋ａ度であり、ピット高さの低いスタンパ−を得よう
とする場合、精度的に問題であった。
次に、第２の製造方法では、複製を何回かぐつかえずの
で、スタンパ−の表面欠陥が増加し、エラーレートが悪
化したり、不良品が多くなるという問題があった。
で、スタンパ−の表面欠陥が増加し、エラーレートが悪
化したり、不良品が多くなるという問題があった。
また、スタンパ−のピツト高さの精度についても、第１
の製造方法と同じ問題があった。
の製造方法と同じ問題があった。
次に、第３の製造方法では、現状の１２００Ａより浅い
ピット深さのスタンパ−を作成する場合、ガラスだけを
選択的にエツチングする１穆においてピツト深さをコン
トロールする時、エツチングの条件忙よりては、ピット
深さがねらい値どおりにならなかっ几り、処理枚数間に
バラツキを生じてしまうという問題６ｔあった。
ピット深さのスタンパ−を作成する場合、ガラスだけを
選択的にエツチングする１穆においてピツト深さをコン
トロールする時、エツチングの条件忙よりては、ピット
深さがねらい値どおりにならなかっ几り、処理枚数間に
バラツキを生じてしまうという問題６ｔあった。
また、ガラスマザーの上に形成しｔマスターをけくりす
る工１１において、ガラスマザーとＮｉとの局部的な離
産性のガラス中によって、マスターの表面に欠陥が発生
してしまうという問題があった、そこで本発明はこの様
な問題点を解決するもので、その目的とするところは、
離型性が良くて。
る工１１において、ガラスマザーとＮｉとの局部的な離
産性のガラス中によって、マスターの表面に欠陥が発生
してしまうという問題があった、そこで本発明はこの様
な問題点を解決するもので、その目的とするところは、
離型性が良くて。
表面欠陥の少なくて、ピット高さの精ｇの高いスタンパ
−を低コストで大量に得ることが可能な光ディスク用マ
ザーを提併するところにある。
−を低コストで大量に得ることが可能な光ディスク用マ
ザーを提併するところにある。
１）本発明は光ディスクマスタ１１ングプロセスにおい
て、ガラス＄板上に金属膜を設けて、この面を選択的忙
エツチングを行ない、ピットを形成しｆＣことを特徴と
する光ディスク用マザーのａｎ方法。
て、ガラス＄板上に金属膜を設けて、この面を選択的忙
エツチングを行ない、ピットを形成しｆＣことを特徴と
する光ディスク用マザーのａｎ方法。
２）前記の金属膜の材質には、 Ｎｆｆ１−０７”合金
薄耀を用い、ａｒの含有量ｈｚ ｓ ＊以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク用
マザーの製造方法。
薄耀を用い、ａｒの含有量ｈｚ ｓ ＊以上であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク用
マザーの製造方法。
第１図のα）〜ｈ）は１本発明忙よる光ディスク用スタ
ンパ−の製造工種説明図である。
ンパ−の製造工種説明図である。
まず、外径２００報、Ｈさ６鶴のガラス基板の表面を光
学研磨し、この表面上にＣｒの組成比が３チ以上のＮｉ
−Ｃｒ金膜をスパッタ装曾で形成す４スパνり膜の厚
さけ、 １２００λ＋５壬でコントロールし、た。こ
の時のスパッタ条件は、ＲＦスパヴタ方式で、パワー＋
’＋ｔ２００Ｗ、真空度Ｉ Ｘ １０−’ ＴＯｆｆ
。
学研磨し、この表面上にＣｒの組成比が３チ以上のＮｉ
−Ｃｒ金膜をスパッタ装曾で形成す４スパνり膜の厚
さけ、 １２００λ＋５壬でコントロールし、た。こ
の時のスパッタ条件は、ＲＦスパヴタ方式で、パワー＋
’＋ｔ２００Ｗ、真空度Ｉ Ｘ １０−’ ＴＯｆｆ
。
ＡＩ”ガス圧５ ｇ’ｒｏｒｔ”で行なった。（第１図
α））この基板上に、感光性レジストを２０００〜４０
００Ａ穆度の膜厚をスピンコード法によりて、第１図ａ
）の基板全面に塗布する。（第１図ｂ））次に、この基
板を回転させて、情報信号に対応して（この場合、ＣＤ
信号）変調を受けたＨｅ −Ｃｔｌｔ−レーザー光って
、レジス） Ｉ！＠３を露光する。
α））この基板上に、感光性レジストを２０００〜４０
００Ａ穆度の膜厚をスピンコード法によりて、第１図ａ
）の基板全面に塗布する。（第１図ｂ））次に、この基
板を回転させて、情報信号に対応して（この場合、ＣＤ
信号）変調を受けたＨｅ −Ｃｔｌｔ−レーザー光って
、レジス） Ｉ！＠３を露光する。
次に、この基板をアルカリ系の現像液で現像しレジスト
膜３の露光されｔ部分を除去し、凹凸のパターンを得る
。（第１図ｃ） ） 次に、この基板をスパッタ装置内へ取りけけ、前記レジ
スト膜３をマスクにして、第１図α）でスパッタしたＮ
ｉ −ａｒ合金膜を逆スパツタ方式によって除去する。
膜３の露光されｔ部分を除去し、凹凸のパターンを得る
。（第１図ｃ） ） 次に、この基板をスパッタ装置内へ取りけけ、前記レジ
スト膜３をマスクにして、第１図α）でスパッタしたＮ
ｉ −ａｒ合金膜を逆スパツタ方式によって除去する。
この時の逆スパνり条件は％ＲＦスパシタ方式で、パワ
ーａｔ２ａｏｗ、真空度１×１０−’ ＴＯ’Ｆ”ｆ
、 Ａｒガス圧５１１８ ’ｒｏｒｒで行なったｎ（第
１図ｄ） ） 次に、この基板上に、マスクと１７で残っているレジス
ト噂３を７ツシングして除去し、ガラス基板上Ｋ Ｎｊ
−Ｏｒ合金Ｒ，による凹凸のパターンを得る。
ーａｔ２ａｏｗ、真空度１×１０−’ ＴＯ’Ｆ”ｆ
、 Ａｒガス圧５１１８ ’ｒｏｒｒで行なったｎ（第
１図ｄ） ） 次に、この基板上に、マスクと１７で残っているレジス
ト噂３を７ツシングして除去し、ガラス基板上Ｋ Ｎｊ
−Ｏｒ合金Ｒ，による凹凸のパターンを得る。
次に、この基板上に、Ｏｒの組成比３％以上のＮｉ −
Ｃｒ金膜を再変スパヴタして第１図ｆ）のマザーを得る
。この時の噂厚け１００〜２００ ′に程ｌとり、た。
Ｃｒ金膜を再変スパヴタして第１図ｆ）のマザーを得る
。この時の噂厚け１００〜２００ ′に程ｌとり、た。
次に、第１図ｆ）のマザー原盤上に、スルファミン酸Ｎ
ｉ浴中で通電を行なりて、Ｎイ金属を析出させる電鋳Ｎ
ｉメヴ千法によってＮｉ金属マスターを作成する。（第
１図ｇ）） 最徐に、このマスター表面上に再度電鋳Ｎｉメヴキを行
ないＮｉスタンパ−を作成する。
ｉ浴中で通電を行なりて、Ｎイ金属を析出させる電鋳Ｎ
ｉメヴ千法によってＮｉ金属マスターを作成する。（第
１図ｇ）） 最徐に、このマスター表面上に再度電鋳Ｎｉメヴキを行
ないＮｉスタンパ−を作成する。
これらのスタンパ−は、ピットの高さのバラツキも少な
く、また離型性も向上しｔことによって欠陥の少ないも
のであっ之。
く、また離型性も向上しｔことによって欠陥の少ないも
のであっ之。
以上述べ次様に本発明によれば、ガラス基板上に、Ｃｒ
の組成が３俤以上のＮｊ −Ｏｆ−合金膜を構成し、そ
の面を選択的にエツチングしてピットを形成し次光ディ
スク用マザーを用いることによって離型性六を良好で欠
陥の少なく、しかもビット高さのバラツキの少ない良好
なスタンパ−を低コストで大量Ｋｌ造すること＾を可能
となった。
の組成が３俤以上のＮｊ −Ｏｆ−合金膜を構成し、そ
の面を選択的にエツチングしてピットを形成し次光ディ
スク用マザーを用いることによって離型性六を良好で欠
陥の少なく、しかもビット高さのバラツキの少ない良好
なスタンパ−を低コストで大量Ｋｌ造すること＾を可能
となった。
第１図５）〜ｈ、＞Ｆｉ本発明の光ディスク用スタンパ
−の製造工種説明図。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・Ｎｉ −ａｒ合金膜 ３・・・…レジスト膿 ４・・・・・・ピット ５・・・・・・Ｎｉ −Ｏｒ合金膜 ６・・・・・・マザー ７・・・・・・マスター ８・・・・・・スタンパ− 以 上
−の製造工種説明図。 １・・・・・・ガラス基板 ２・・・・・・Ｎｉ −ａｒ合金膜 ３・・・…レジスト膿 ４・・・・・・ピット ５・・・・・・Ｎｉ −Ｏｒ合金膜 ６・・・・・・マザー ７・・・・・・マスター ８・・・・・・スタンパ− 以 上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）本発明は光ディスクマスタリングプロセスにおいて
、ガラス基板上に金属膜を設けて、この面を選択的にエ
ッチングを行ない、ピットを形成したことを特徴とする
光ディスク用マザーの製造方法。 ２）前記の金属膜の材質には、Ｈｉ−Ｃｒ合金薄膜を用
い、Ｃｒの含有量が３％以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光ディスク用マザーの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29519986A JPS63148443A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光デイスク用マザ−の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29519986A JPS63148443A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光デイスク用マザ−の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63148443A true JPS63148443A (ja) | 1988-06-21 |
Family
ID=17817479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29519986A Pending JPS63148443A (ja) | 1986-12-11 | 1986-12-11 | 光デイスク用マザ−の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63148443A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156138A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-21 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
-
1986
- 1986-12-11 JP JP29519986A patent/JPS63148443A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1156138A2 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-21 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
| EP1156138A3 (en) * | 2000-05-12 | 2004-07-14 | Pioneer Corporation | Electrode material for forming stamper and thin film for forming stamper |
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