JPH0250995A - 光デイスク複製用スタンパの製造方法 - Google Patents
光デイスク複製用スタンパの製造方法Info
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- JPH0250995A JPH0250995A JP19946388A JP19946388A JPH0250995A JP H0250995 A JPH0250995 A JP H0250995A JP 19946388 A JP19946388 A JP 19946388A JP 19946388 A JP19946388 A JP 19946388A JP H0250995 A JPH0250995 A JP H0250995A
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- Pending
Links
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims abstract description 21
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
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- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims 1
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- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報記録媒体のレプリカ製造技術、即ち光
ディスク複製用スタンパの製造方法に関する。
ディスク複製用スタンパの製造方法に関する。
従来の技術
従来、光ディスク複製用スタンパの製造方法としては、
ガラス基板上に設けたフォトレジスト層に対しフォトリ
ソグラフィ法により凹凸微細形状を形成した後、この凹
凸微細形状上に導電性のＮｉ被膜を無電解めっき法、ス
パッタリング法又は真空蒸着法などにより形成し、Ｎｉ
電鋳を行い、前記ガラス基板を剥離してマスタを得、こ
のマスタを剥離被膜処理した後で電鋳を行いマスタから
剥離してマザーを得、このマザーを剥離被膜処理した後
で電鋳を行いマザーから剥離してスタンパを得るように
したものがある。
ガラス基板上に設けたフォトレジスト層に対しフォトリ
ソグラフィ法により凹凸微細形状を形成した後、この凹
凸微細形状上に導電性のＮｉ被膜を無電解めっき法、ス
パッタリング法又は真空蒸着法などにより形成し、Ｎｉ
電鋳を行い、前記ガラス基板を剥離してマスタを得、こ
のマスタを剥離被膜処理した後で電鋳を行いマスタから
剥離してマザーを得、このマザーを剥離被膜処理した後
で電鋳を行いマザーから剥離してスタンパを得るように
したものがある。
発明が解決しようとする問題点
このような従来方法による場合、形成した剥離被膜が電
鋳浴に浸漬する際に侵され、満足のいく剥離性が得られ
ず、欠陥、信号特性の良好なるスタンパを得るのが困難
な現状にある。
鋳浴に浸漬する際に侵され、満足のいく剥離性が得られ
ず、欠陥、信号特性の良好なるスタンパを得るのが困難
な現状にある。
問題点を解決するための手段
請求項１記載の発明では、ガラス基板上に設けたフォト
レジスト層に対しフォトリソグラフィ法により凹凸微細
形状を形成した後、この凹凸微細形状上に導電性のＮｉ
被膜を無電解めっき法、スパッタリング法又は真空蒸着
法などにより形成し、Ｎｉ電鋳を行い、前記ガラス基板
を剥離してマスタを得、このマスタを剥離被膜処理した
後でその剥離被膜処理面に対しＮｉスパッタリング膜を
５０ＯＡ以上の膜厚で形成して電鋳を行いマスタから剥
離してマザーを得、このマザーを剥離被膜処理した後で
その剥離被膜処理面に対しＮｉスパッタリング膜を５０
ＯＡ以上の膜厚で形成して電鋳を行いマザーから剥離し
てスタンパを得る。
レジスト層に対しフォトリソグラフィ法により凹凸微細
形状を形成した後、この凹凸微細形状上に導電性のＮｉ
被膜を無電解めっき法、スパッタリング法又は真空蒸着
法などにより形成し、Ｎｉ電鋳を行い、前記ガラス基板
を剥離してマスタを得、このマスタを剥離被膜処理した
後でその剥離被膜処理面に対しＮｉスパッタリング膜を
５０ＯＡ以上の膜厚で形成して電鋳を行いマスタから剥
離してマザーを得、このマザーを剥離被膜処理した後で
その剥離被膜処理面に対しＮｉスパッタリング膜を５０
ＯＡ以上の膜厚で形成して電鋳を行いマザーから剥離し
てスタンパを得る。
また、請求項２記載の発明では、請求項１記載の発明に
おいて、マスタからマザーを複製する時、及びマザーか
らスタンパを複製する時の剥離被膜を３０Ａ〜４ＯＡの
膜厚とする。
おいて、マスタからマザーを複製する時、及びマザーか
らスタンパを複製する時の剥離被膜を３０Ａ〜４ＯＡの
膜厚とする。
作用
請求項１記載の発明によれば、マスタを剥離被膜処理し
た後、及びマザーを剥離被膜処理した後、各々マザー、
スタンパを複製する前にその剥離被膜処理面に対してＮ
ｉスパッタリング膜が５００Å以上の膜厚で形成されて
いるので、剥離被膜処理面、即ちマスタ、マザーの表面
が電鋳浴がら保護される。
た後、及びマザーを剥離被膜処理した後、各々マザー、
スタンパを複製する前にその剥離被膜処理面に対してＮ
ｉスパッタリング膜が５００Å以上の膜厚で形成されて
いるので、剥離被膜処理面、即ちマスタ、マザーの表面
が電鋳浴がら保護される。
この時、剥離被膜処理面に対してＮｉスパッタリングを
行うため、その剥離被膜の膜厚が２０Ａ〜３ＯＡでは剥
離被膜に対してスパッタリングによる食い込みで剥離性
が悪くなってしまう。この点、請求項２記載の発明のよ
うに、剥離被膜の膜厚を３０八〜４ＯＡと厚めにすれば
、剥離性がよく、溝形状の転写性のよいものとなる。
行うため、その剥離被膜の膜厚が２０Ａ〜３ＯＡでは剥
離被膜に対してスパッタリングによる食い込みで剥離性
が悪くなってしまう。この点、請求項２記載の発明のよ
うに、剥離被膜の膜厚を３０八〜４ＯＡと厚めにすれば
、剥離性がよく、溝形状の転写性のよいものとなる。
実施例１
まず、ガラス基板上に設けられたフォトレジスト層に対
し、フォトリソグラフィ法により凹凸微細形状を形成す
る。この後、この凹凸微細形状上に導電性のＮｉ被膜を
無電解めっき法、スパッタリング法又は真空蒸着法など
により形成し、Ｎｉ電鋳を行ってガラス基板を剥離して
マスタを得る。
し、フォトリソグラフィ法により凹凸微細形状を形成す
る。この後、この凹凸微細形状上に導電性のＮｉ被膜を
無電解めっき法、スパッタリング法又は真空蒸着法など
により形成し、Ｎｉ電鋳を行ってガラス基板を剥離して
マスタを得る。
次いで、３０人の膜厚で剥離被膜処理を施し、５００Ａ
の膜厚にＮｉスパッタリングを行い、電鋳してマスタか
ら剥離してマザーを得る。このマザーについても剥離被
膜処理を施し、かつ、５００への膜厚にＮｉスパッタリ
ングを行った後で、電鋳を行いマザーから剥離してスタ
ンパを得るものである。
の膜厚にＮｉスパッタリングを行い、電鋳してマスタか
ら剥離してマザーを得る。このマザーについても剥離被
膜処理を施し、かつ、５００への膜厚にＮｉスパッタリ
ングを行った後で、電鋳を行いマザーから剥離してスタ
ンパを得るものである。
このような実施例１の方法による場合、マスタ、マザー
、スタンパの各々の欠陥率は第１図に示すような良好な
る特性を示し、信号特性（ＩＤ部のトラック誤差信号）
は第２図に示すような良好なる特性を示したものである
。そして、各工程での剥離性も良好であった。
、スタンパの各々の欠陥率は第１図に示すような良好な
る特性を示し、信号特性（ＩＤ部のトラック誤差信号）
は第２図に示すような良好なる特性を示したものである
。そして、各工程での剥離性も良好であった。
実施例２
実施例１と同様の方法でマスタを得た後、４０人の膜厚
で剥離被膜処理を施し、５５０人の膜厚にＮｉスパッタ
リング膜を形成し電鋳してマスタからマザーを剥離した
。このマザーにも４０人の膜厚で剥離被膜処理を施し、
５５０人の膜厚にＮｉスパッタリング膜を形成し電鋳し
てマザーからスタンパを剥離した。
で剥離被膜処理を施し、５５０人の膜厚にＮｉスパッタ
リング膜を形成し電鋳してマスタからマザーを剥離した
。このマザーにも４０人の膜厚で剥離被膜処理を施し、
５５０人の膜厚にＮｉスパッタリング膜を形成し電鋳し
てマザーからスタンパを剥離した。
このような実施例２の方法による場合、マスタ、マザー
、スタンパの各々の欠陥率は第３図に示すような良好な
る特性を示し、信号特性は第４図に示すような良好なる
特性を示したものである。そして、各工程での剥離性も
良好であった。
、スタンパの各々の欠陥率は第３図に示すような良好な
る特性を示し、信号特性は第４図に示すような良好なる
特性を示したものである。そして、各工程での剥離性も
良好であった。
比較例１
ちなみに、実施例１と同様の方法でマスタを得た後、５
０Ａの剥離被膜処理を施し、５００Ａの膜厚にＮｉスパ
ッタリング膜を形成した後で電鋳してマスタからマザー
を剥離した。このマザーについても５０Ａの剥離被膜処
理を施し、５００Ａの膜厚にＮｉスパッタリング膜を形
成した後で電鋳してマザーからスタンパを剥離した。
０Ａの剥離被膜処理を施し、５００Ａの膜厚にＮｉスパ
ッタリング膜を形成した後で電鋳してマスタからマザー
を剥離した。このマザーについても５０Ａの剥離被膜処
理を施し、５００Ａの膜厚にＮｉスパッタリング膜を形
成した後で電鋳してマザーからスタンパを剥離した。
このような比較例１の方法による場合、マスタ、マザー
、スタンパの各々の欠陥率は第５図に示すようにマスタ
→マザー→スタンパと複製が進むにつれて欠陥率が著し
く高くなってしまったものである。また、信号特性は第
６図に示すような特性を示したものである。そして、各
工程での剥離性は水洗時に剥離してしまう程の弱いもの
であった。
、スタンパの各々の欠陥率は第５図に示すようにマスタ
→マザー→スタンパと複製が進むにつれて欠陥率が著し
く高くなってしまったものである。また、信号特性は第
６図に示すような特性を示したものである。そして、各
工程での剥離性は水洗時に剥離してしまう程の弱いもの
であった。
つまり、剥離被膜の膜厚が厚過ぎてもよくないことが判
る。
る。
比較例２
実施例１と同様の方法でマスタを得た後、２０人の剥離
被膜処理を施し、５００人の膜厚にＮｉスパッタリング
膜を形成した後で電鋳してマスタからマザーを剥離した
。このマザーについても２０人の剥離被膜処理を施し、
５００人の膜厚にＮｉスパッタリング膜を形成した後で
電鋳してマザーからスタンパを剥離した。
被膜処理を施し、５００人の膜厚にＮｉスパッタリング
膜を形成した後で電鋳してマスタからマザーを剥離した
。このマザーについても２０人の剥離被膜処理を施し、
５００人の膜厚にＮｉスパッタリング膜を形成した後で
電鋳してマザーからスタンパを剥離した。
このような比較例２の方法による場合、マスタ、マザー
、スタンパの各々の欠陥率は第７図に示すように比較例
１と同様にマスタ→マザー→スタンパと複製が進むにつ
れて欠陥率が著しく高くなってしまったものである。ま
た、信号特性も第８図に示すような特性を示したもので
ある。そして、各工程での剥離性は相当悪く、ワークが
反ってしまうケースもあった。つまり、剥離被膜の膜厚
が薄過ぎてもよくないことが判る。
、スタンパの各々の欠陥率は第７図に示すように比較例
１と同様にマスタ→マザー→スタンパと複製が進むにつ
れて欠陥率が著しく高くなってしまったものである。ま
た、信号特性も第８図に示すような特性を示したもので
ある。そして、各工程での剥離性は相当悪く、ワークが
反ってしまうケースもあった。つまり、剥離被膜の膜厚
が薄過ぎてもよくないことが判る。
発明の効果
本発明は、上述したように請求項１記載の発明によれば
、マスタを剥離被膜処理した後、及びマザーを剥離被膜
処理した後、各々マザー、スタンパを複製する前にその
剥離被膜処理面に対してＮｉスパッタリング膜が５００
Ａ以上の膜厚で形成されているので、剥離被膜処理面、
即ちマスタ、マザーの表面を電鋳浴から保護することが
でき、欠陥の少ないスタンパを得ることができ、この際
、剥離被膜処理面に対してＮｉスパッタリングを行うた
め、その剥離被膜の膜厚が薄過ぎると剥離性が悪くなっ
てしまうが、請求項２記載の発明のように、剥離被膜の
膜厚を３０Ａ〜４０人と厚めにしたので、剥離性がよく
、溝形状の転写性のよいものとし、良好なるスタンパを
得ることができる。
、マスタを剥離被膜処理した後、及びマザーを剥離被膜
処理した後、各々マザー、スタンパを複製する前にその
剥離被膜処理面に対してＮｉスパッタリング膜が５００
Ａ以上の膜厚で形成されているので、剥離被膜処理面、
即ちマスタ、マザーの表面を電鋳浴から保護することが
でき、欠陥の少ないスタンパを得ることができ、この際
、剥離被膜処理面に対してＮｉスパッタリングを行うた
め、その剥離被膜の膜厚が薄過ぎると剥離性が悪くなっ
てしまうが、請求項２記載の発明のように、剥離被膜の
膜厚を３０Ａ〜４０人と厚めにしたので、剥離性がよく
、溝形状の転写性のよいものとし、良好なるスタンパを
得ることができる。
第１図は実施例１による欠陥率の特性図、第２図は信号
特性図、第３図は実施例２による欠陥率の特性図、第４
図は信号特性図、第５図は比較例１による欠陥率の特性
図、第６図は信号特性図、第７図は比較例２による欠陥
率の特性図、第８図は信号特性図である。
特性図、第３図は実施例２による欠陥率の特性図、第４
図は信号特性図、第５図は比較例１による欠陥率の特性
図、第６図は信号特性図、第７図は比較例２による欠陥
率の特性図、第８図は信号特性図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス基板上に設けたフォトレジスト層に対しフォ
トリソグラフィ法により凹凸微細形状を形成した後、こ
の凹凸微細形状上に導電性のＮｉ被膜を無電解めつき法
、スパッタリング法又は真空蒸着法などにより形成し、
Ｎｉ電鋳を行い、前記ガラス基板を剥離してマスタを得
、このマスタを剥離被膜処理した後でその剥離被膜処理
面に対しＮｉスパッタリング膜を５００Å以上の膜厚で
形成して電鋳を行いマスタから剥離してマザーを得、こ
のマザーを剥離被膜処理した後でその剥離被膜処理面に
対しＮｉスパッタリング膜を５００Å以上の膜厚で形成
して電鋳を行いマザーから剥離してスタンパを得る光デ
ィスク複製用スタンパの製造方法 ２、マスタからマザーを複製する時、及びマザーからス
タンパを複製する時の剥離被膜を３０Å〜４０Åの膜厚
に形成したことを特徴とする請求項１記載の光ディスク
複製用スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19946388A JPH0250995A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 光デイスク複製用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19946388A JPH0250995A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 光デイスク複製用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250995A true JPH0250995A (ja) | 1990-02-20 |
Family
ID=16408222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19946388A Pending JPH0250995A (ja) | 1988-08-10 | 1988-08-10 | 光デイスク複製用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0250995A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5699848A (en) * | 1994-12-03 | 1997-12-23 | Skc Limited | Method for manufacturing a replica stamper |
-
1988
- 1988-08-10 JP JP19946388A patent/JPH0250995A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5699848A (en) * | 1994-12-03 | 1997-12-23 | Skc Limited | Method for manufacturing a replica stamper |
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