JPS62214532A - スタンパの製造方法 - Google Patents
スタンパの製造方法Info
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- JPS62214532A JPS62214532A JP5691586A JP5691586A JPS62214532A JP S62214532 A JPS62214532 A JP S62214532A JP 5691586 A JP5691586 A JP 5691586A JP 5691586 A JP5691586 A JP 5691586A JP S62214532 A JPS62214532 A JP S62214532A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の稿する技術分野〕
本発明は回転記録体用のスタンパの製造方法に関す名。
従来よりプラスチックスの円盤上に微細な凹凸として情
報信号を記録し、光学的な方法により、それを読み取り
再生する方式の回転記録媒体が用いられている。代表的
なものとして、光学式のビデオディスクやデジタル・オ
ーディオディスクがある。かかる記録媒体の微細な凹凸
の信号は、プラスチック成形時に金型に取り付けるスタ
ンパ上に記録された微細な凹凸の信号を転写する方法に
よって得られる。このスタンパは成形機の金型面にとり
つけ、記録媒体の信号面を形成するもので通常は次に述
べる様に電鋳によって製造される。
報信号を記録し、光学的な方法により、それを読み取り
再生する方式の回転記録媒体が用いられている。代表的
なものとして、光学式のビデオディスクやデジタル・オ
ーディオディスクがある。かかる記録媒体の微細な凹凸
の信号は、プラスチック成形時に金型に取り付けるスタ
ンパ上に記録された微細な凹凸の信号を転写する方法に
よって得られる。このスタンパは成形機の金型面にとり
つけ、記録媒体の信号面を形成するもので通常は次に述
べる様に電鋳によって製造される。
即ち、基板として光学的に平坦なガラス盤にレジスト或
いは金属等の薄膜を形成させ、これをレーザ等によって
加工し情報信号に応じた凹凸を形成させる。このように
して得られるガラス原盤を母型として電鋳により凹凸の
逆転し転写した云わゆるマスタ盤を得る。この時、前記
原盤は通常導電性がないので、マスタ盤電鋳時には原盤
上に銀鏡反応、真空蒸着、スパッタリング等により導電
性薄膜を形成させた後にニッケル電鋳全行う。このマス
ク盤をそのま＼スタンパとして用い、プラスチックディ
スクの成形を行なえば、原盤上の情報信号がプラスチッ
クディスク上に再生される。信号の凹凸の深さは通常再
生用のレーザ光の波長の２ｎ分のｌ（ｎは正の整数）に
とられ得る。
いは金属等の薄膜を形成させ、これをレーザ等によって
加工し情報信号に応じた凹凸を形成させる。このように
して得られるガラス原盤を母型として電鋳により凹凸の
逆転し転写した云わゆるマスタ盤を得る。この時、前記
原盤は通常導電性がないので、マスタ盤電鋳時には原盤
上に銀鏡反応、真空蒸着、スパッタリング等により導電
性薄膜を形成させた後にニッケル電鋳全行う。このマス
ク盤をそのま＼スタンパとして用い、プラスチックディ
スクの成形を行なえば、原盤上の情報信号がプラスチッ
クディスク上に再生される。信号の凹凸の深さは通常再
生用のレーザ光の波長の２ｎ分のｌ（ｎは正の整数）に
とられ得る。
しかしながら、通常はこのマスタ盤を剥離処理した後に
￥Ｌ’ＳＩし、一度凹凸の反転した云わゆるマザー盤を
得、更にこのマザー盤を更に剥離処理して１！鋳し、ス
タンパを得、これを用いてプラスチック・ディスクの成
形を行なう。この様にマスク盤からマザー盤へ、マザー
盤から更にスタンパへと繰返し転写を行う内に、サブミ
クロンサイズの凹凸が徐々に損われ、レリーフ状の情報
の転写が正確でなくなる。また従来ニッケル電鋳後、母
型と電鋳体とを剥離しマスク盤を形成する工程でマスタ
盤上に残るレジストヲ、酸や０２プラズマ処理で。
￥Ｌ’ＳＩし、一度凹凸の反転した云わゆるマザー盤を
得、更にこのマザー盤を更に剥離処理して１！鋳し、ス
タンパを得、これを用いてプラスチック・ディスクの成
形を行なう。この様にマスク盤からマザー盤へ、マザー
盤から更にスタンパへと繰返し転写を行う内に、サブミ
クロンサイズの凹凸が徐々に損われ、レリーフ状の情報
の転写が正確でなくなる。また従来ニッケル電鋳後、母
型と電鋳体とを剥離しマスク盤を形成する工程でマスタ
盤上に残るレジストヲ、酸や０２プラズマ処理で。
除去する試みはなされているものの完全に除去すること
はできず、その結果ドロップアウトの発生と云う問題が
あった。
はできず、その結果ドロップアウトの発生と云う問題が
あった。
この問題を解決するために、電鋳用に設は之導電性薄膜
を電鋳後、マスク盤の表面からエツチング等によシ除去
する方法も知られているが、！制用電極として用いるに
はその導電性の面で酸化されに＜＜、シかも３００〜５
００Ａの膜厚は少なくとも必要であシ、サブミクロンサ
イズの情報信号が小さくなればなる程、凹凸信号の側面
に寄与する導電性薄膜の厚さの２倍分だけ情報信号サイ
ズを小さくしてしまい８／Ｎの低下をも九らすと云う問
題点があった。
を電鋳後、マスク盤の表面からエツチング等によシ除去
する方法も知られているが、！制用電極として用いるに
はその導電性の面で酸化されに＜＜、シかも３００〜５
００Ａの膜厚は少なくとも必要であシ、サブミクロンサ
イズの情報信号が小さくなればなる程、凹凸信号の側面
に寄与する導電性薄膜の厚さの２倍分だけ情報信号サイ
ズを小さくしてしまい８／Ｎの低下をも九らすと云う問
題点があった。
本発明は、上記の如き従来の欠点を除いてサブミクロン
サイズの情報信号の転写の忠実なＳ／Ｎの大きな、しか
もドロップアウトの小さなスタンパの製造方法を提供す
ることを目的とする。
サイズの情報信号の転写の忠実なＳ／Ｎの大きな、しか
もドロップアウトの小さなスタンパの製造方法を提供す
ることを目的とする。
即ち本発明は、信号の記録され念７オトレジスト層が形
成された基板上に、前記フォトレジストに密着して情報
転写層を設ける工程と、前記情報転写層を酸化させた後
、前記情報転写層上に導電性を有した中間層を設ける工
程と、前記中間層上に電鋳法によりスタンパ層を形成す
る工程と、前記スタンパ層及び基板を前記情報転写層と
前記中間層との界面で剥離する工程とを備えたことを特
徴としている。
成された基板上に、前記フォトレジストに密着して情報
転写層を設ける工程と、前記情報転写層を酸化させた後
、前記情報転写層上に導電性を有した中間層を設ける工
程と、前記中間層上に電鋳法によりスタンパ層を形成す
る工程と、前記スタンパ層及び基板を前記情報転写層と
前記中間層との界面で剥離する工程とを備えたことを特
徴としている。
以下本発明の製造方法を図面を用いて説明する。
本発明に於いてば９４１図に示すように基板（１）上の
フォトレジスト層（２）と密着性の良好な情報転写層（
３）ヲ設ける（第１図−ａ）、この情報転写層（３）を
酸化させ念後、導電性を有し、且つ酸化被膜ができにく
いか、できても除去し易い金属から成る中間層（４）ヲ
設ける（第１図−ｂ）、更に中間層（４）を電極として
ニッケルを主成分とした電鋳（５）によシスタンパを形
成し念後、このスタンパを情報転写層（３）と中間層（
４）の界面で剥離して（第１図−Ｃ）マスク盤（６）を
得る（ 第１ ［１ｄ ’）。基板（１）は金属。
フォトレジスト層（２）と密着性の良好な情報転写層（
３）ヲ設ける（第１図−ａ）、この情報転写層（３）を
酸化させ念後、導電性を有し、且つ酸化被膜ができにく
いか、できても除去し易い金属から成る中間層（４）ヲ
設ける（第１図−ｂ）、更に中間層（４）を電極として
ニッケルを主成分とした電鋳（５）によシスタンパを形
成し念後、このスタンパを情報転写層（３）と中間層（
４）の界面で剥離して（第１図−Ｃ）マスク盤（６）を
得る（ 第１ ［１ｄ ’）。基板（１）は金属。
ガラス等が好寸しいが、プラスチック材料を用いても良
い、また情報転写層（３）は酸やプラズマ処理で容易に
酸化されねばならず、クロム、ニッケル、コバルトヲ主
成分とした材料が例として挙げられる。電鋳後マスク盤
上に残らない部分であシ、中間層へより忠実な転写がな
される情報転写層はサブミクロンサイズの凹凸信号の形
状を変化させないためにも、その膜厚は３００Ａ程度で
あることが好ましい。成膜方法は特に限定を受けないが
、酸化処理、中間層形成も含め、同−真空系での連続処
理が好ましい。更に中間層（４）は導電性を有し、且つ
酸化被膜ができにくいか、できても除去し易い例えば、
Ａｕを主成分とした蒸着膜、或いはスパッタ膜であるこ
とが好ましい。
い、また情報転写層（３）は酸やプラズマ処理で容易に
酸化されねばならず、クロム、ニッケル、コバルトヲ主
成分とした材料が例として挙げられる。電鋳後マスク盤
上に残らない部分であシ、中間層へより忠実な転写がな
される情報転写層はサブミクロンサイズの凹凸信号の形
状を変化させないためにも、その膜厚は３００Ａ程度で
あることが好ましい。成膜方法は特に限定を受けないが
、酸化処理、中間層形成も含め、同−真空系での連続処
理が好ましい。更に中間層（４）は導電性を有し、且つ
酸化被膜ができにくいか、できても除去し易い例えば、
Ａｕを主成分とした蒸着膜、或いはスパッタ膜であるこ
とが好ましい。
かくして本発明によって得られるスタンパは。
酸化され念情報転写層と電鋳用電極である中間層の界面
で剥離され形成されるため、レジスト残渣によるドロッ
プアウトの発生がなくなジサブミクロンサイズの情報信
号の転写の際に生じる信号形収部での小型化即ちＳ／Ｎ
の低下も、殆んど生じることがない。
で剥離され形成されるため、レジスト残渣によるドロッ
プアウトの発生がなくなジサブミクロンサイズの情報信
号の転写の際に生じる信号形収部での小型化即ちＳ／Ｎ
の低下も、殆んど生じることがない。
以下に本発明を実施例をもって説明する。
〔発明の実施例〕 実施例１
鏡面研磨した直径３５ Ｑ ＋ｍ 、厚さ６ｍのＡｔ円
盤上に８ｈｉｐｌｅｙ社ポジ形レジス）ＡＺ１３５Ｃ１
厚さ１０００λにスピンコータで均一に塗布し、ビーム
径を絞ったＡｒレーザ光によ５１８０Ｏｒｐｍの回転と 下、６ＭＨｚの矩杉波全ピッチ１．６μｍでスパイラル
状に感光させｆｃ、その後現像して深さ１０００Ａ。
盤上に８ｈｉｐｌｅｙ社ポジ形レジス）ＡＺ１３５Ｃ１
厚さ１０００λにスピンコータで均一に塗布し、ビーム
径を絞ったＡｒレーザ光によ５１８０Ｏｒｐｍの回転と 下、６ＭＨｚの矩杉波全ピッチ１．６μｍでスパイラル
状に感光させｆｃ、その後現像して深さ１０００Ａ。
８ＭＨｚ、ピッチ１．６μｍの信号を有する原盤を得た
。
。
この原盤上にクロム及び金の２つのターゲット’に有す
るマグネトロン式スパッタリング装置によシフロムを約
２８ＯＡ、原盤上に成膜した。次いで０２プラズマ中に
５分間放置しプラズマアッシャ−を行いクロム表面を十
分酸化させた。次いで金を約５０ＯＡ成膜させた。これ
等の操作はクロムをスパッタしてから真空を破ることな
く連続的に行なった。かかる金層で表面を覆われ九原盤
を次いでスルファミン酸ニッケル４００ｆｒ／Ｌ、塩化
ニッケに５ｆｒ／ｌ、ホウ酸３０Ｐｒ／ｌ、ピット防止
剤０．５ｙ ｒ ／ｌから成る電鋳浴に浸漬し垂直面に
対し４５゜の角度を保ちつつ電鋳ニッケルペレットを入
れ之アノードボックスに対向して回転せしめ、５０°Ｃ
で２２７Ａ−ｈｒ逆通電しめて電鋳全行なった。しかる
後に電鋳物を情報転写層と中間層の界面から剥離し、原
盤の溝が反転々写された厚さ０．３ ｍのスタンバを得
た。
るマグネトロン式スパッタリング装置によシフロムを約
２８ＯＡ、原盤上に成膜した。次いで０２プラズマ中に
５分間放置しプラズマアッシャ−を行いクロム表面を十
分酸化させた。次いで金を約５０ＯＡ成膜させた。これ
等の操作はクロムをスパッタしてから真空を破ることな
く連続的に行なった。かかる金層で表面を覆われ九原盤
を次いでスルファミン酸ニッケル４００ｆｒ／Ｌ、塩化
ニッケに５ｆｒ／ｌ、ホウ酸３０Ｐｒ／ｌ、ピット防止
剤０．５ｙ ｒ ／ｌから成る電鋳浴に浸漬し垂直面に
対し４５゜の角度を保ちつつ電鋳ニッケルペレットを入
れ之アノードボックスに対向して回転せしめ、５０°Ｃ
で２２７Ａ−ｈｒ逆通電しめて電鋳全行なった。しかる
後に電鋳物を情報転写層と中間層の界面から剥離し、原
盤の溝が反転々写された厚さ０．３ ｍのスタンバを得
た。
かくして得られ念スタンバと原盤を直接Ａｒレーザ光を
回転させながら再生し念ところＣ／Ｎ＝６０ｄＢで殆ん
どドロップアウトが観測し得なかった。
回転させながら再生し念ところＣ／Ｎ＝６０ｄＢで殆ん
どドロップアウトが観測し得なかった。
第１図は本発明のスタンバを製造する工程金示した概略
図で、 （ａ）園は原盤上に情報転写層が形成される状
態を示す断面図、 （ｂ）呟は酸化処理後更に中間層が
形成される状態金示す断面図、 ＜Ｃ）＠は情報転写層
と中間層の界面で剥離する状態を示す断面図ｈ （ｄ）
ｍは得られたスタンバを示す断面図である。 １・・・基板、 ２・・・フォトレジスト層、３・・・
情報転写層、４・・・中間層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 （Ｑン （Ｃ〕 ｔｄ） 第 １ 図
図で、 （ａ）園は原盤上に情報転写層が形成される状
態を示す断面図、 （ｂ）呟は酸化処理後更に中間層が
形成される状態金示す断面図、 ＜Ｃ）＠は情報転写層
と中間層の界面で剥離する状態を示す断面図ｈ （ｄ）
ｍは得られたスタンバを示す断面図である。 １・・・基板、 ２・・・フォトレジスト層、３・・・
情報転写層、４・・・中間層。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男 （Ｑン （Ｃ〕 ｔｄ） 第 １ 図
Claims (2)
- （１）信号の記録されたフォトレジスト層が形成された
基板上に、前記フォトレジストに密着して情報転写層を
設ける工程と、 前記情報転写層を酸化させた後、前記情報転写層上に導
電性を有した中間層を設ける工程と、前記中間層上に電
鋳法によりスタンパ層を形成する工程と、 前記スタンパ層及び基板を前記情報転写層と前記中間層
との界面で剥離する工程とを備えたことを特徴とするス
タンパの製造方法。 - （２）基板上に形成された情報転写層が、クロム、ニッ
ケル、コバルトを主成分としてなる情報転写層であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスタンパの
製造方法。（３）導電性を有した中間層がＡｕを主成分
としてなる蒸着膜或いはスパッタ膜であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載のスタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5691586A JPS62214532A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5691586A JPS62214532A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62214532A true JPS62214532A (ja) | 1987-09-21 |
Family
ID=13040768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5691586A Pending JPS62214532A (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62214532A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2782123B1 (en) * | 2011-11-18 | 2020-10-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for forming a metal wiring (e.g., a bump) on a semiconductor wafer by transferring a sintered metal wiring material with a coating layer from an underlying metal film on a transfer substrate |
| EP2645409B1 (en) * | 2010-11-26 | 2020-10-21 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for forming a metal wiring (e.g., a bump) on a semiconductor wafer by transferring a sintered metal wiring material from a metal film on a transfer substrate |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP5691586A patent/JPS62214532A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2645409B1 (en) * | 2010-11-26 | 2020-10-21 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for forming a metal wiring (e.g., a bump) on a semiconductor wafer by transferring a sintered metal wiring material from a metal film on a transfer substrate |
| EP2782123B1 (en) * | 2011-11-18 | 2020-10-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Method for forming a metal wiring (e.g., a bump) on a semiconductor wafer by transferring a sintered metal wiring material with a coating layer from an underlying metal film on a transfer substrate |
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