JPH0533181A

JPH0533181A - スタンパー電鋳装置の原盤ホルダー及び電鋳方法

Info

Publication number: JPH0533181A
Application number: JP3336929A
Authority: JP
Inventors: Hirofumi Kamitakahara; 弘文上高原; Hitoshi Yoshino; 斉芳野; Osamu Shikame; 修鹿目; Naoki Kushida; 直樹串田; Hisanori Hayashi; 久範林
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1990-12-19
Filing date: 1991-12-19
Publication date: 1993-02-09
Anticipated expiration: 2014-11-29
Also published as: US5167792A; JP2984443B2

Abstract

(57)【要約】【目的】電鋳によって導電化膜上に金属膜を成膜する
際に、コンタクトリングへの金属膜の析出を防ぐと共に
導電化膜に亀裂を生じさせることなく金属膜を成膜でき
る原盤ホルダーを提供することを目的とする。【構成】コンタクトリング１８上に該コンタクトリン
グ１８の開口部Ｃよりも小さい開口部ｄを有する絶縁部
材２が各々の開口部の中心が一致するように形成されて
なる原盤ホルダー１５。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光学的に情報の記録・
再生を行なう光記録媒体成型用スタンパーの製造に用い
る原盤ホルダー及びこの原盤ホルダーを用いた電鋳方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、各種情報の記録には、磁気テー
プ、磁気ディスク等の磁気材料、各種半導体メモリー等
が主として用いられてきた。この様な磁気メモリー、半
導体メモリーは情報の書き込み及び、読み出しが容易に
行なえるという利点はあるが、反面、情報の内容を容易
に書き換えられたり又、高密度記録ができないという問
題点があった。

【０００３】この様な問題点を解決するために、多種多
様の情報を効率良く取り扱う手段として、光記録媒体に
よる光学的情報記録方法が提案され、そのための光学的
情報記録担体、記録再生方法、記録再生装置が提案され
ている。かかる情報記録担体としての光記録媒体は、一
般にレーザー光を用いて情報記録担体上の光記録層の一
部を揮散させるか、反射率の変化を生じさせるか、ある
いは変形を生じさせて、光学的な反射率や透過率の差に
よって情報を記録し、あるいは再生を行なっている。

【０００４】この場合、光記録層は情報を書き込み後、
現像処理などの必要がなく、「書いた後に直読する」こ
とのできる、いわゆるＤＲＡＷ（ダイレクトリード
アフターライト）媒体であり、高密度記録が可能であ
り、又追加書き込みも可能であることから、情報の記録
・保存媒体として有効である。

【０００５】一般的な光記録媒体では、基板表面にトラ
ック溝及び／又はプリピット等のプリフォーマットが形
成されており、この様な基板は例えば圧縮成形法、２Ｐ
法や射出成形法等によって製造されている。そして何れ
の成形法においても、例えばポリカーボネート樹脂やポ
リメタクリル酸メチル樹脂等のプラスチック材料にサブ
ミクロンオーダーの凹凸を転写するために、スタンパー
が用いられている。そして、この様な情報記録媒体用基
板成形用スタンパーは、従来実開昭５８−１４１４３５
号公報、特開昭６１−２８４８４３号公報及び日本工業
技術センター発行の「光ディスクプロセス技術の要点Ｎ
ｏ．５」（昭和６０年３月１５日発行）に記載されてい
るように製造されている。

【０００６】即ちスタンパーの製造方法として、具体的
には図５に示す如く、先ずガラス基板９の表面にフォト
レジスト層８を塗布形成し（図５（Ａ））、該レジスト
層８にトラッキング用溝や情報用ピット等のプリフォー
マットに対応したパターンの露光及び現像を行なって表
面にレジストパターン８′を有する原盤６を得る（図５
（Ｂ））。

【０００７】次に、原盤６の表面に導電化膜１１を形成
した後（図５（Ｃ））、電鋳法により金属膜１２を形成
させ（図５（Ｄ））、さらに金属膜１２の表面を研磨し
た後、これら導電化膜１１及び金属膜１２を一体として
同時にガラス原盤６から剥離させ、情報記録媒体成型用
スタンパー１３を製造している（図５（Ｅ））。

【０００８】電鋳法による一般的な情報記録媒体成型用
スタンパーの製造プロセスは上述した通りであり、特に
図５の（Ｃ）〜（Ｄ）の工程を詳しく説明すると、原盤
上の導電化膜１１は、真空中での金属の蒸着もしくはス
パッターリング等の方法により成膜され、材料には銀、
多くはニッケルがよく用いられている。そしてニッケル
膜を５００Å〜１０００Å、トラッキング用溝、情報用
ピット等に対応する凹凸の微細レジストパターン８′の
上に成膜する。

【０００９】次に電鋳工程（Ｄ）では、導電化膜１１を
形成した原盤６を原盤ホルダーで保持し図６（Ｂ）に示
す電鋳装置を用いて、原盤を２０〜３０ｒｐｍの回転速
度で回転させながら、スルファミン酸ニッケル電鋳液７
中で通電させ、導電化膜１１を形成したガラス原盤６上
にニッケル金属を析出させて電鋳を行なっている。そし
てこの工程を図６に示す電鋳装置の断面図を用い説明す
ると、図６の（Ａ）に示されるように、先ずニッケルチ
ップ１０をプラス電極、銅等の導電率の良いダミー板１
４をマイナス電極として、スルファミン酸ニッケル電鋳
液７中で通電して、ニッケルチップ１０の酸化層を除去
すると同時に、先に述べたスルファミン酸ニッケル電鋳
液７の電解クリーニングを行なう。

【００１０】次に（Ｂ）に示されるように、ニッケルチ
ップ１０をプラス電極、導電化膜１１を形成した原盤６
をマイナス電極として、原盤ホルダー１５で保持され
た、導電化膜１１を表面に形成した原盤６を２０〜３０
ｒｐｍの回転速度で回転させながら、スルファミン酸ニ
ッケル電鋳液７中で通電させ、導電化膜１１を形成した
原盤６上にニッケル金属を析出させて電鋳を行なうもの
である。

【００１１】ところで、導電化膜１１を形成したガラス
原盤６を保持するために用いられる原盤ホルダー１５に
は、図４の（Ａ）に示す様に導電化膜１１に電源からの
電流を供給するコンタクトリング１８が導電化膜１１の
外縁部で接触する様に形成されたものと、図４（Ｂ）に
示す様にコンタクトリング１８が導電化膜１１の内縁部
で接触する様に形成されたものとがある。そして電源か
らの電流は導電部材１９及びコンタクトリングを通して
導電化膜１１に供給される。いずれの場合にもコンタク
トリングは導電化膜に電流を供給するために導電率の良
い材料でなくてはならず、主に銅やステンレス鋼（例え
ばＳＵＳ等）の薄板が用いられている。

【００１２】しかしながら、上記従来の原盤ホルダーで
は、コンタクトリングに導電率の良い銅やＳＵＳの薄板
が、電鋳液に対して露出部を有するために、コンタクト
リングの外壁又は内壁にまでニッケル金属が析出固着し
てしまい、次のような欠点があった。

【００１３】（１）電鋳法により原盤上にニッケル金属
を析出させた後、原盤６を原盤ホルダー１５から取り外
して、形成された金属膜に研磨を施し、情報記録媒体成
型用スタンパーを製造しているが、図７の（Ａ）、
（Ｂ）に示す様に金属膜１２とコンタクトリングが図７
の１７に示す様に密着するため、原盤をホルダーから取
り外す際にコンタクトリングを取り外すと図９に示すよ
うに金属膜１２と導電化膜１１が原盤６から剥離し、研
磨工程で剥離部分より研磨液が浸入し、情報記録媒体成
型用スタンパーのトラッキング用溝、情報用ピット等の
凹凸の微細パターンを侵していた。

【００１４】この様な問題点に対して、予め、有効部
（トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パタ
ーン）の２倍程度に原盤の大きさを設定することで、研
磨液の浸入がスタンパーの有効部に達しない様にして、
上記の問題点の対策をとっているものの、不要な部分は
最終工程でトリミングし、捨てるので電鋳効率も悪く、
経済性も悪い。更に１回の電鋳につき１回しかコンタク
トリングを使用できないため、コンタクトリングの利用
効率及び経済性が悪い。更にコンタクトリングへの金属
膜の析出固着を防ぐために図１０に示す様にコンタクト
リング１８を不導体３で被覆した構成も提案されている
が、この場合、不導体３と金属膜１２の接触部分で図９
に示す様に、導電化膜１１に亀裂５が生じ研磨工程で亀
裂５から研磨液が侵入しスタンパーの微細なパターンを
浸すという問題点があった。これは金属膜１２が不導体
３と接触する部分に於て特に肉厚に析出する結果、該金
属膜の応力が導電化膜１１の一部に集中するためと考え
られる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点に
鑑みなされたものであって、コンタクトリングと金属膜
の固着を防ぎコンタクトリングを取り外す際にガラス原
盤と導電化膜の間で剥離が生じないスタンパーを製造す
ることのできるスタンパー電鋳装置の原盤ホルダーを提
供することを目的とするものである。

【００１６】又本発明は、コンタクトリングに固着せず
導電化膜に亀裂を生じることなく金属膜を成膜すること
のできるスタンパーの電鋳方法を提供することを目的と
するものである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明の原盤ホルダー
は、表面に微細な凹凸パターンを有するガラス原盤上に
形成されてなる導電化膜上に電鋳を行なって金属膜を成
膜するスタンパー電鋳装置の原盤ホルダーに於て、導電
化膜と電源との導通をとるためのコンタクトリング上に
成膜速度分布をもたせる手段を有することを特徴とする
ものである。

【００１８】又本発明のスタンパーの電鋳方法は、表面
に微細な凹凸パターンを有し、その上に導電化膜の施さ
れた原盤に電鋳を行なって金属膜を成膜するスタンパー
の電鋳方法に於て、該金属膜の成膜速度を制御する手段
を有する電鋳装置を用いて電鋳を行なうことを特徴とす
るものである。

【００１９】更に又本発明の原盤ホルダーは、光記録媒
体に予め記録されてなる情報に対応した凹凸パターンを
表面に有するガラス原盤上に形成されてなる導電化膜上
に電鋳を行ない、金属膜を成膜するために該導電化膜と
電源との導通をとるコンタクトリングを有する光記録媒
体成形用スタンパー電鋳装置の原盤ホルダーにおいて、
該コンタクトリング上に該金属膜の成膜速度を該コンタ
クトリング近傍で減少させる手段を有することを特徴と
するものである。

【００２０】即ち本発明によれば導電化膜上に形成され
る金属膜の成膜速度を制御することでコンタクトリング
近傍に於て金属膜の析出量を減少させることができ金属
膜のコンタクトリングへの固着を防ぐとともに導電化膜
の亀裂の発生を防止することができるものである。

【００２１】なお導電化膜への亀裂の発生を防止できる
理由は明らかでないが、これは金属膜の析出量を徐々に
減少するように成膜できるため導電化膜に加わる金属膜
の応力歪が分散されるためと考えられる。

【００２２】次に本発明を図面を用いて詳細に説明す
る。

【００２３】図１及び図２は本発明の成膜速度を制御す
る手段を有する電鋳装置の原盤ホルダー１５及びホルダ
ーに取付けられた原盤６の概略断面図で、図１及び図２
に於て６は基板の表面にトラッキング用溝、情報用ピッ
ト等に対応する微細な凹凸パターンを形成することによ
って得られる原盤、１１は電鋳の際の電極となる導電化
膜、１２は導電化膜上に電鋳によって成膜された金属
膜、１８は導電化膜と電源とを電気的に接続するコンタ
クトリング２は金属膜１２の成膜速度を制御する手段で
ある絶縁部材で、図１はガラス原盤６上の導電化膜１１
の外縁部で接触して電源から導電化膜に電流を供給する
コンタクトリングを有する原盤ホルダーで、又、図２は
コンタクトリングが導電化膜１１の内縁部で接触するコ
ンタクトリングを有する原盤ホルダーを示すものであ
る。

【００２４】本発明の原盤ホルダーに於て成膜速度を制
御する手段としては、コンタクトリング近傍で金属膜の
析出速度を減少させるものが好ましく、例えば図１の原
盤ホルダーに示す様に、中心に開口部を有するコンタク
トリング１８上にコンタクトリング１８の開口部ｃより
も小さな開口部ｄを有し且つ両方の開口部ｃ及びｄの中
心が一致する様に積層された絶縁部材２によってコンタ
クトリング近傍の金属膜１２の成膜速度を減少させるこ
とができる。又、これによってコンタクトリングに接近
するに従って金属膜の膜厚を徐々に減少させることが可
能となり、コンタクトリングへの金属膜の析出を防止で
き、又、導電化膜に加わる金属膜の応力歪を分散させる
ことができ、導電化膜に亀裂が生じない。

【００２５】更に図１の原盤ホルダーに示す様に絶縁部
材２の開口部近傍の突き出し部４の断面形状を絶縁部材
２の深さ方向に絶縁部材２の開口部ｄが拡大する様にテ
ーパー状に形成した場合、電鋳液中の金属イオンの流れ
を乱すことがなくなるため、コンタクトリング近傍以外
の部分における金属膜の膜厚を均一にすることができる
と共にコンタクトリング近傍に於ても金属膜の膜厚をよ
り滑らかに減少させることができ導電化膜の亀裂の発生
を防ぐうえでも特に有効である。又図２に示す原盤ホル
ダーの場合、絶縁部材２としてコンタクトリング１８よ
りも外形寸法の大きな絶縁部材を用いて該絶縁部材２を
コンタクトリング上に導電部材１９を介して該コンタク
トリングよりも外側に向かって突き出すように形成する
ことで上述の効果を奏するものであり、特に該絶縁部材
の外形寸法を深さ方向に減少するように突き出し部分４
の端縁部の断面形状をテーパー状に形成することによっ
て、コンタクトリング近傍以外の導電化膜上に均一な膜
厚の金属膜を成膜できると共に導電化膜１１への亀裂の
発生を有効に防止できるものである。

【００２６】本発明に於て成膜速度制御手段である絶縁
部材の突き出し部４の長さａは５〜３０ｍｍ特に５〜１
０ｍｍが好ましい。又コンタクトリングと絶縁部材の境
界線と、絶縁部材のテーパー部のなす角θ₁は４５°以
下、特に５°〜３０°、更には５°〜１０°が好まし
い。

【００２７】又、導電化膜１１の表面と絶縁部材２のコ
ンタクトリング１８との界面との距離、或いは絶縁部材
２が導電部材１９を介してコンタクトリング１８上に形
成されている場合は、導電化膜１１の表面と絶縁部材２
の導電部材１９との界面の距離をｄとした場合、ｄは１
ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ以下とする
ことが好ましい。

【００２８】絶縁部材２の突き出し部の長さａ、テーパ
ー部の角度θ、導電化膜１１と絶縁部材２の間の距離ｄ
を上述の範囲内とした場合、コンタクトリング近傍に於
て成膜される金属膜の膜厚を導電化膜に加わる応力歪を
有効に分散させることができる様に成膜できると共にコ
ンタクトリングへの金属膜の析出を防止でき、且つ良好
な電鋳効率を得ることができる。

【００２９】又図１の絶縁部材に示すように、中心の開
口部の最大値をコンタクトリングの開口部の大きさと同
一にした場合或は図２の絶縁部材２に示す様に絶縁部材
２の外形寸法の最小値をコンタクトリングの外形寸法と
同一にした場合、金属膜１２をコンタクトリングに固着
させることなくコンタクトリングにより接近した状態で
金属膜を成膜することができ一層電鋳効率が向上すると
いう点で好ましい。又本発明に於て、図１の原盤ホルダ
ーの場合には絶縁部材２の開口部の形状とコンタクトリ
ングの開口部の形状が同一（相似形）であることが好ま
しく又図２の原盤ホルダーに於ても絶縁部材２の外形形
状とコンタクトリングの外形形状は同一（相似形）であ
ることが好ましい。更に絶縁部材の厚さとしては１０〜
５０ｍｍ特に１０〜２５ｍｍとした場合、絶縁部材がイ
オンの流れを阻害することなく且つ絶縁部材の剛性を持
続することができ好ましいものである。

【００３０】本発明に於て絶縁部材に用いられる材料と
しては絶縁性であれば特に限定されることなく用いるこ
とができるが、具体的には例えば硬質塩化ビニル、塩化
ビニルアクリル等を用いることができる。

【００３１】次に本発明の他の実施態様を図３の原盤ホ
ルダーで説明する。図３の（Ａ）の原盤ホルダー１５は
金属膜１２のコンタクトリング近傍の成膜速度を制御す
る手段である絶縁部材として中心に開口部を有する絶縁
シート１６及び絶縁シートを原盤ホルダーに保持する上
蓋２０を用いたものである。そして絶縁シート１６の開
口部ｄはコンタクトリング１８の開口部ｃよりも小さ
く、且つ、両方の開口部ｃ及びｄの中心が一致する様に
積層したものである。

【００３２】又、図３（Ｂ）はコンタクトリング１８が
導電化膜１１の内縁部で接触してなる形式の原盤ホルダ
ーであって、コンタクトリング近傍の金属膜１２の成膜
速度を制御する絶縁部材として絶縁シート１６及び上蓋
２０を用いてコンタクトリング１８上に導電部材１９を
介して固定し、そして絶縁シート１６の外形をコンタク
トリングの外形寸法よりも大きくして絶縁シートをコン
タクトリングよりも外側に突き出す様に形成したもので
ある。

【００３３】そして、絶縁シート１６をコンタクトリン
グよりも内側或は外側に向かって突き出すことによりコ
ンタクトリング近傍に於て金属膜の成膜速度を減少する
ように制御でき、金属膜の膜厚をコンタクトリングに接
近するに従って徐々に小さくして金属膜のコンタクトリ
ングへの付着を防ぎ、又、導電化膜に加わる金属膜の応
力歪を分散させることができる。この絶縁部材に於て絶
縁シート１６の突き出し部ｂの長さは５〜１５ｍｍ特に
５〜７ｍｍが好ましい。

【００３４】又、本実施態様に於て、導電化膜１１の表
面と絶縁シート１６のコンタクトリング１８との接触面
或は導電化膜１１の表面と絶縁シート１６のコンタクト
リング１８上の導電部材１９との接触面の距離をｌとす
るとｌは１ｍｍ以下、特に０．０５ｍｍ以上０．５ｍｍ
以下とすることが好ましい。

【００３５】絶縁シート１６の厚さは０．５ｍｍ〜２ｍ
ｍ特に０．５ｍｍ〜１ｍｍに設定した場合、電鋳時の電
鋳液中のイオンの流れを乱すことがなくコンタクトリン
グ近傍に於る金属膜の膜厚をよりスムーズに減少させる
ことができると共にコンタクトリング近傍以外の部分で
は金属膜の膜厚をより一層均一にできる。更に絶縁シー
ト１６を原盤ホルダーに保持するための絶縁部材からな
る上蓋を絶縁シート上に形成してもよく、この場合、上
蓋の先端部の形状を図３に示す様にテーパー状に形成す
ることが有効であってこのテーパー部の角度θ₂として
は１０°〜７０°特に３０°〜４５°とすることが好ま
しく、又、上蓋の厚さは１０〜５０ｍｍ特に１０〜２５
ｍｍが好ましい。

【００３６】本実施態様の絶縁部材に於て用いられる絶
縁シートの材料としては薄くても剛性を維持できる絶縁
材料を好適に使用でき例えばアクリル樹脂、フェノール
樹脂、塩化ビニル樹脂、セラミック材が挙げられる。

【００３７】次に本発明のスタンパーの電鋳方法につい
て説明する。

【００３８】本発明の電鋳方法は、図６の電鋳装置に導
電化膜を施したガラス原盤を装着した本発明の金属膜の
成膜速度を制御する手段を有する原盤ホルダー１５を取
り付けて通常の電鋳を行なうことで導電化膜上に金属膜
を析出させると共にコンタクトリング近傍に於て金属膜
の膜厚をコンタクトリングに接近するに従って減少する
ように成膜することができるものである。

【００３９】この電鋳工程に於ては通常原盤ホルダーの
回転数は５０ｒｍｐ以下特に２０〜３０ｒｍｐに設定
し、又通電量及び通電時間は通電電流の時間積分値で１
５０ＡＨ〜３００ＡＨとして金属膜をコンタクトリング
近傍以外の部分に於て厚さ１００μｍ〜２００μｍに析
出させる。又、このとき用いられる電鋳液としては成膜
する金属膜によっても異なるが例えばニッケル金属膜を
成膜する場合スルファミン酸ニッケル電鋳液などが用い
られる。この様にして導電化膜上に金属膜を成膜した
後、原盤ホルダーから原盤を取り外し金属膜面を研磨し
次いでガラス原盤から剥離してスタンパーが製造され
る。

【００４０】又本発明は種々の物品を成形するスタンパ
ーの製造に用いることができるが特に光記録媒体成形用
スタンパーの製造に有効である。即ち光記録媒体成形用
スタンパーの凹凸パターンの欠損は、そのパターンが転
写された光記録媒体の欠陥となってしまうためスタンパ
ー上のパターンの欠損は大きな問題となる。一方光記録
媒体にスタンパーによって予め形成されるプリフォーマ
ット情報例えば記録再生用レーザービームのトラッキン
グ用溝が形成されている。

【００４１】このトラッキング用溝は具体的には例えば
幅０．５μｍ〜２μｍ、ピッチ１．０〜５μｍや幅２〜
５μｍ、ピッチ４．８〜１５μｍのスパイラル、同心円
状或は平行に形成されている非常に微細なパターンであ
り、スタンパーに形成されるこれらのプリフォーマット
情報に対応する凹凸パターンは欠損し易いものである。
しかし本発明を用いることによって、電鋳して導電化膜
上に金属膜を成膜した後、原盤をホルダーから取り外す
際に金属膜とコンタクトリングの固着が無いためコンタ
クトリングを原盤から取り外しても金属膜と導電化膜の
間で剥離が生じず金属膜表面の研磨工程で剥離部分から
研磨液が浸入して凹凸パターンを破壊することがなく又
コンタクトリング近傍で金属膜の膜厚を徐々に減少する
ように成膜することで導電化膜に加わる金属膜の応力歪
を分散させることができ、導電化膜に亀裂が生じず研磨
工程で亀裂から研磨液の浸入によるスタンパー表面の凹
凸パターンの破壊を防止することができ、高精度で欠陥
の無いスタンパーを製造することができる。

【００４２】

【実施例】以下、実施例を示し、本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明がこれらに限定されるものではな
い。

【００４３】（実施例１）表面にピッチ１２μｍ、幅
３．０μｍ、深さ３０００Åのストライプ状の光カード
用トラック溝に対応する凹凸パターンが形成されたフォ
トマスク（ＨＯＹＡ製）の凹凸パターン形成面に、紫外
線硬化樹脂（日本化薬製、ＩＮＣ１１８）を適量滴下し
た。次に、厚さ１０ｍｍ、縦３００ｍｍ×横３４０ｍｍ
のガラス基板を用い、滴下した紫外線硬化樹脂を挟み込
むようにして、適当な圧力を加えながら紫外線硬化樹脂
が均一に５０μｍの厚さになった状態で光照射して硬化
を行なって、硬化後にフォトマスクを外して原盤を得
た。次に、ニッケルを１０００Åの厚さにスパッターす
ることにより、導電化膜１１を形成した原盤６を得た。

【００４４】次に電鋳工程では、導電化膜１１を形成し
た原盤６を図１に示されるような原盤ホルダー１５で保
持し２０〜３０ｒｍｐの回転速度で回転させながら、ス
ルファミン酸ニッケル電鋳液７中で通電させ、通電電流
の時間積分値１６０〜２４０ＡＨ（アンペア・アワー）
の条件で２００〜３００μｍのニッケル金属を析出さ
せ、金属膜１２を形成した。

【００４５】本実施例に用いたコンタクトリングの外形
寸法は厚さ０．５ｍｍ、直径４８０ｍｍで、又、開口部
の寸法は２９０ｍｍ×３３０ｍｍの長方形とした。

【００４６】又、絶縁部材２の外径寸法は直径５５０ｍ
ｍ、厚さ２０ｍｍ、開口部の寸法は２７０ｍｍ×３１０
ｍｍとした。なお絶縁部材の開口部はその深さ方向に拡
大するように形成した。具体的には絶縁部材２がコンタ
クトリングと接する面に於て絶縁部材の開口部の寸法と
コンタクトリングの開口部の寸法とが一致するように絶
縁部材２の内壁をテーパー状に形成し、絶縁部材２の突
き出し部４の長さａを１０ｍｍ、テーパー部の角度θ₁
を１０°とした。

【００４７】又、使用した電鋳液は以下のごとき組成の
ものである。・スルファミン酸ニッケル・４水塩〔Ｎｉ（ＮＨ₂Ｓ
Ｏ₃）２・４Ｈ₂Ｏ〕５００ｇ／１硼酸（Ｈ₃ＢＯ₃）３５〜３８ｇ／リットル・ピット防止剤２．５ｍｌ／リットル・ピット防止剤２．５ｍｌ／リットル

【００４８】電鋳終了後、目視で観察を行なった結果、
コンタクトリングにニッケル金属が全く析出せず、コン
タクトリングを取り外しても、導電化膜と原盤の間に剥
離が生じることはなかった。

【００４９】更に、導電化膜１１にも亀裂は生じていな
かった。

【００５０】導電化膜上に成膜された電鋳膜の厚さを測
定してみると、コンタクトリング近傍を除く２５０ｍｍ
×３００ｍｍの範囲において２００±５μｍで十分に膜
厚分布は良く、コンタクトリング近傍に於てのみ電鋳膜
の膜厚を減少させることができた。

【００５１】（実施例２〜４）実施例１に於て、絶縁部
材２のテーパー部の角度θ₁を各５°、１５°及び３０
°とした以外は実施例１と全く同様にして電鋳を行な
い、コンタクトリングへのニッケルの付着、コンタクト
リングを原盤から取り外した際の導電化膜と原盤の間で
の剥離の有無、コンタクトリング近傍を除く２５０ｍｍ
×３００ｍｍの領域に析出した金属膜の厚さ分布及び導
電化膜への亀裂の発生の有無を測定した。その結果を表
−１に示す。

【００５２】（比較例１）実施例１に於て、コンタクト
リングの厚さを１０ｍｍ（＝導電化膜１１と絶縁部材２
のコンタクトリング２との界面との距離（ｄ））とした
以外は実施例１と同様にして電鋳を行なって金属膜を成
膜し、実施例２と同様にして評価した。

【００５３】その結果を表−１に示す。

【００５４】

【表１】

【００５５】（実施例５）実施例１と同様にしてガラス
原盤を得た。次に、ニッケル２を１０００Åの厚さにス
パッターすることにより、導電化膜１１を形成したガラ
ス原盤６を得た。

【００５６】次に電鋳工程では、導電化膜１１を形成し
たガラス原盤６を図３に示されるような原盤ホルダー１
５で保持し２０〜３０ｒｐｍの回転速度で回転させなが
ら、実施例１で用いたスルファミン酸ニッケル電鋳液７
中で通電させ、通電電流の時間積分値１６０〜２４０Ａ
Ｈ（アンペア・アワー）の条件で２００〜３００μｍの
ニッケル金属を析出させ、金属膜１２を形成した。

【００５７】本実施例に於てコンタクトリングは実施例
１と同一の物を用い絶縁シート１６として厚さ１ｍｍ、
開口部の大きさ２７６×３１６ｍｍの硬化塩化ビニルを
用いて突き出し部４の長さｂを６ｍｍとした。又絶縁シ
ート１６を保持する絶縁材料からなる上蓋として厚さ２
０ｍｍ、絶縁シートと接する開口部の寸法２９０×３３
０ｍｍ、テーパー部の角度θ₂を４５°に形成したもの
を用いた。

【００５８】電鋳終了後観察を行なった結果、成膜速度
分布をもたせる効果が得られコンタクトリングにニッケ
ル金属が全く析出せず、コンタクトリングを取り外して
も、導電化膜より剥離が生じることはなかった。電鋳膜
の厚さを測定してみると、２５０ｍｍ×３００ｍｍの範
囲において２００±５μｍで十分に膜厚分布は良かっ
た。更に導電化膜１１には亀裂は認められなかった。

【００５９】（実施例６）厚さ５ｍｍ、外径１２５ｍ
ｍ、内径３０ｍｍのドーナツ形状のガラス基板上にフォ
トレジスト（商品名：ＡＺ−１３００、４．６ｃｐ；ヘ
キストジャパン製）をスピンコーターで１２００Åの厚
さに塗布した後、９０℃３０分の条件でプレベークを行
なった。

【００６０】次にレーザー露光装置を用いて光ディスク
のトラック溝パターン（溝幅０．６μｍ、ピッチ１．６
μｍ）を露光し現像液（商品名：ＡＺ３１２ＭＩＦ；ヘ
キストジャパン製）で現像し、１２０℃３０分の条件で
アフターベークして、トラッキング用溝のレジストパタ
ーン８′を形成し、光ディスク用の原盤６を製作した。
次に、ニッケルを１０００Åの厚さにスパッターするこ
とにより、導電化膜１１を形成した。

【００６１】次に電鋳工程では、導電化膜１１を形成し
た原盤６を図２に示されるような原盤ホルダー１５で保
持し２０〜３０ｒｐｍの回転速度で回転させながら、ス
ルファミン酸ニッケル電鋳液７中で通電させ、通電電流
の時間積分値１７〜３４ＡＨ（アンペア・アワー）の条
件で１００〜２００μｍのニッケル金属を析出させ、金
属膜１２を形成した。

【００６２】ここで用いたコンタクトリングは外径３５
ｍｍ、厚さ０．３とし、導電化膜１１の表面から絶縁部
材２の導電部材１９との接触面までの距離（ｄ）は０．
５ｍｍとした。又、絶縁部材２は外径５５ｍｍ、厚み２
０ｍｍとして、絶縁部材２の外周部はコンタクトリング
と接する面に於て、外径がコンタクトリングの外径と等
しくなる様にテーパー状に形成して絶縁部材２の突き出
し部４の長さａを１０ｍｍ、テーパー部の角度θ₂を１
０°とした。

【００６３】電鋳終了後、観察を行なった結果、絶縁部
材２が成膜速度分布をもたせる効果が得られコンタクト
リングにニッケル金属が析出せず、コンタクトリングを
取り外しても、導電化膜より剥離が生じることはなかっ
た。金属膜の厚さを測定してみると、外径φ１２０ｍ
ｍ、内径φ５５ｍｍの領域において２００±７μｍで十
分に膜厚分布は良かった。

【００６４】（比較例２）実施例５の原盤ホルダーに於
て絶縁シート１６を除いてコンタクトリング１８上に上
蓋２０を直接設けてなる原盤ホルダーを用いて電鋳を行
なった。

【００６５】電鋳工程では実施例１と同様に、２０〜３
０ｒｐｍの回転速度で回転させながら、スルファミン酸
ニッケル電鋳液７中で通電させ、通電電流の時間積分値
１６０〜２４０ＡＨ（アンペア・アワー）の条件で２０
０〜３００μｍのニッケル金属を析出させ、金属膜１２
を形成した。

【００６６】電鋳終了後観察を行なった結果、コンタク
トリングにニッケル金属が析出しており、コンタクトリ
ングとニッケル金属が密着していたため、コンタクトリ
ングを取り外すと、導電化膜１１が原盤６より剥離が生
じてしまった。

【００６７】（比較例３）実施例６に於て、絶縁部材２
を設けず、図１０に示す様にコンタクトリング１８及び
導電部材１９の電鋳液に対して露出する部位を、不導体
で完全に被覆した構成として実施例６と同様にして電鋳
した後、目視で観察を行なったところ析出した金属膜１
２に不導体と接触した部分の膜厚が厚くその部分の導電
化膜１１に亀裂が生じていた。

【００６８】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の原盤ホルダ
ーによって次の効果を奏することができる。

【００６９】（１）電鋳法により金属膜を析出させた
後、コンタクトリングを取り外しても、金属膜と導電化
膜の原盤との間での剥離が生じることがなく、研磨工程
で剥離部分より研磨液が侵入し、情報記録媒体成型用ス
タンパーのトラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の
微細パターンを侵すといった欠点を解決出来た。

【００７０】（２）有効部（トラッキング用溝、情報用
ピット等凹凸の微細パターン）とほぼ同じ大きさで、ガ
ラス原盤の大きさを設定することが出来るので、電鋳効
率が良くなり、安価な情報記録媒体成型用スタンパーを
製作することができる。

【００７１】（３）１回の電鋳につき、複数回コンタク
トリングを使用できるため、コンタクトリングの利用効
率及び経済性が良い。

【００７２】（４）金属膜の膜厚をコンタクトリング近
傍に於て減少させることができ、導電化膜に加わる応力
を分散し、導電化膜への亀裂の発生を防止でき、研磨工
程で亀裂部分より研磨液が侵入しスタンパーの微細パタ
ーンを侵すという問題点を解決できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の金属膜の成膜速度を制御する手段を有
する原盤ホルダーの概略断面図である。

【図２】本発明の金属膜の成膜速度を制御する手段を有
する原盤ホルダーの他の実施態様の概略断面図である。

【図３】本発明の金属膜の成膜速度を制御する手段を有
する原盤ホルダーの更に他の実施態様の概略断面図であ
る。

【図４】従来の原盤ホルダーの断面図である。

【図５】電鋳法による情報記録媒体成形用スタンパーの
製造方法を示す工程説明図である。

【図６】電鋳装置の模式的断面図である。

【図７】従来の原盤ホルダーを用いて金属膜を成膜した
時の金属膜のコンタクトリングへの付着の状態を示す概
略断面図である。

【図８】従来の不導体で被覆したコンタクトリングを備
えた原盤ホルダーを用いて金属膜を成膜した時の概略断
面図である。

【図９】コンタクトリングに金属膜が付着した状態で、
原盤ホルダーからコンタクトリングを取り外したときの
状態の説明図。

【図１０】コンタクトリング及び導電部材を不導体で被
覆した従来の原盤ホルダーの概略図。

【符号の説明】

２絶縁部材３不導体４突き出し部５亀裂６原盤７電鋳液８フォトレジスト層９基板１０ニッケルチップ１１導電化膜１２金属膜１３スタンパー１４ダミー板１５原盤ホルダー１６絶縁シート１７コンタクトリングへの金属膜の析出部１８コンタクトリング１９導電部材２０上蓋

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者串田直樹東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内 (72)発明者林久範東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に微細な凹凸パターンを有するガラ
ス原盤上に形成されてなる導電化膜上に、電鋳を行なっ
て金属膜を成膜するために該導電化膜と電源との導通を
とるコンタクトリングを有するスタンパー電鋳装置の原
盤ホルダーに於て、該コンタクトリング上に、該金属膜
の成膜速度を制御する手段を有することを特徴とするス
タンパー電鋳装置の原盤ホルダー。
【請求項２】該コンタクトリングが中心に開口部を有
し、該コンタクトリングは該導電化膜の外縁部で接触し
てなる原盤ホルダーであって、成膜速度を制御する手段
として、コンタクトリング上に絶縁部材を有し、該絶縁
部材がその中心に開口部を有し、該開口部がコンタクト
リングの開口部よりも小さく且つ両方の開口部の中心が
一致するように形成されてなる請求項１の原盤ホルダ
ー。
【請求項３】該絶縁部材の開口部近傍の断面形状が、
該絶縁部材の深さ方向に開口部が拡大するようにテーパ
ー状に形成されてなる請求項２の原盤ホルダー。
【請求項４】該コンタクトリングと該絶縁部材の境界
線と、絶縁部材のテーパー部の成す角度θ₁が５°〜３
０°である請求項３の原盤ホルダー。
【請求項５】該絶縁部材の開口部がもっとも大きくな
った時の開口部の形状及び寸法がコンタクトリングの開
口部の形状及び寸法と同一である請求項３の原盤ホルダ
ー。
【請求項６】該絶縁部材が絶縁シートである請求項２
の原盤ホルダー。
【請求項７】該絶縁部材の開口部の形状とコンタクト
リングの開口部の形状が同一である請求項２の原盤ホル
ダー。
【請求項８】該絶縁部材の突き出し部の長さ（ａ）が
５〜３０ｍｍである請求項２の原盤ホルダー。
【請求項９】該絶縁部材が該コンタクトリング上に導
電部材を介して形成されてなる請求項２の原盤ホルダ
ー。
【請求項１０】該絶縁部材が該コンタクトリング上に
直接形成されてなる請求項２の原盤ホルダー。
【請求項１１】該導電化膜の表面と該絶縁部材の該コ
ンタクトリング側の表面の間の距離（ｄ）が１ｍｍ以下
である請求項１０の原盤ホルダー。
【請求項１２】該導電化膜の表面と該絶縁シートの該
コンタクトリング側の表面との間の距離（ｌ）が１ｍｍ
以下である請求項６の原盤ホルダー。
【請求項１３】該絶縁シートの突き出し部の長さ
（ｂ）が５〜１５ｍｍである請求項６の原盤ホルダー。
【請求項１４】該コンタクトリングが該導電化膜の内
縁部で接触してなる原盤ホルダーであって、成膜速度を
制御する手段として、コンタクトリング上に該コンタク
トリングよりも外側に向かって突き出してなる絶縁部材
を有する請求項１の原盤ホルダー。
【請求項１５】該絶縁部材の外形形状とコンタクトリ
ングの外形形状が同一である請求項１４の原盤ホルダ
ー。
【請求項１６】該絶縁部材のコンタクトリングより突
き出した部分の断面形状がその深さ方向に外形寸法が減
少する様にテーパー状に形成されてなる請求項１４の原
盤ホルダー。
【請求項１７】コンタクトリングと絶縁部材の境界線
と、絶縁部材のテーパー部の成す角度（θ₁）が５°〜
３０°である請求項１６の原盤ホルダー。
【請求項１８】該絶縁部材の外形寸法が最も減少した
時の形状及び寸法がコンタクトリングの外形形状及び寸
法と同一であるクレーム１７の原盤ホルダー。
【請求項１９】該絶縁部材の突き出し部の長さ（ａ）
が５〜３０ｍｍである請求項１４の原盤ホルダー。
【請求項２０】該絶縁部材が該コンタクトリング上に
導電部材を介して形成されてなる請求項１４の原盤ホル
ダー。
【請求項２１】該導電化膜の表面と該絶縁部材のコン
タクトリング側の表面との間の距離（ｄ）が１ｍｍ以下
である請求項１４の原盤ホルダー。
【請求項２２】該絶縁部材が絶縁シートである請求項
１４の原盤ホルダー。
【請求項２３】該導電化膜の表面と該絶縁シートのコ
ンタクトリング側の表面との間の距離（ｌ）が１ｍｍ以
下である請求項２２の原盤ホルダー。
【請求項２４】該絶縁シートの突き出し部の長さ
（ｂ）が５〜１５ｍｍである請求項２２の原盤ホルダ
ー。
【請求項２５】光記録媒体に予め記録されてなる情報
に対応した凹凸パターンを表面に有するガラス原盤上に
形成されてなる導電化膜上に電鋳を行ない金属膜を成膜
するために該導電化膜と電源との導通をとるコンタクト
リングを有する光記録媒体成形用スタンパー電鋳装置の
原盤ホルダーにおいて該コンタクトリング上に、該金属
膜の成膜速度を該コンタクトリング近傍で減少させる手
段を有することを特徴とする光記録媒体成型用スタンパ
ーの原盤ホルダー。
【請求項２６】表面に微細な凹凸パターンを有するガ
ラス原盤上に形成されてなる導電化膜上に電鋳を行なっ
て金属膜を成膜するスタンパーの電鋳方法において、該
導電化膜と電源との導通をとるためのコンタクトリング
上に、該金属膜の成膜速度を制御する手段を有する原盤
ホルダーを用いて、該金属膜をその厚さがコンタクトリ
ングに接近するに従って減少するように成膜することを
特徴とするスタンパーの電鋳方法。