JPH036390A - 情報記録媒体成形用スタンパーの製造方法 - Google Patents
情報記録媒体成形用スタンパーの製造方法Info
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- JPH036390A JPH036390A JP14122489A JP14122489A JPH036390A JP H036390 A JPH036390 A JP H036390A JP 14122489 A JP14122489 A JP 14122489A JP 14122489 A JP14122489 A JP 14122489A JP H036390 A JPH036390 A JP H036390A
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、光カード、光ディスク、光磁気ディスク等の
情報を記録、再生する情報記録媒体を複製するための情
報記録媒体成形用スタンパ−の製造方法、特に電鋳法に
よる前記スタンバ−の製造方法に関するものである。
情報を記録、再生する情報記録媒体を複製するための情
報記録媒体成形用スタンパ−の製造方法、特に電鋳法に
よる前記スタンバ−の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、情報記録媒体成形用スタンパ−は、通常特開昭6
1−284843号公報、実開昭58−141435号
公報、「光デイスクプロセス技術の要点No、5J(日
本工業技術センター 昭和50年3月発行)等に記載さ
れているような方法により製造されている。
1−284843号公報、実開昭58−141435号
公報、「光デイスクプロセス技術の要点No、5J(日
本工業技術センター 昭和50年3月発行)等に記載さ
れているような方法により製造されている。
その具体的な方法を示すと、第3図(a)〜(e)に示
すような方法か挙げられる。同図は、一般的な電鋳法に
よる情報記録媒体成形用スタンパ−の製造方法を示す工
程図である。その工程図において、9は青板ガラス等の
ガラス基板、8はガラス基板上にバターニングするため
のフォトレジスト、8′はフォトレジストに露光及び現
像を行なうことにより得られるトラッキンク用溝、情報
用ピット等の凹凸の微細パターン、6はガラス基板上に
トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パター
ンを形成することによって得られるガラス原盤、11は
ガラス原盤へ電鋳法により金属膜を形成するだめの導電
化膜、6′はトラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸
の微細パターンの施されたガラス原盤に導電化膜を形成
したガラス原盤、12は電鋳法により導電化膜を形成し
たガラス原盤へ成膜される金属膜、13は前記導電化膜
及び金属膜を一体として同時にガラス原盤より剥離する
ことにより得られる情報記録媒体成形用スタンパ−であ
る。
すような方法か挙げられる。同図は、一般的な電鋳法に
よる情報記録媒体成形用スタンパ−の製造方法を示す工
程図である。その工程図において、9は青板ガラス等の
ガラス基板、8はガラス基板上にバターニングするため
のフォトレジスト、8′はフォトレジストに露光及び現
像を行なうことにより得られるトラッキンク用溝、情報
用ピット等の凹凸の微細パターン、6はガラス基板上に
トラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パター
ンを形成することによって得られるガラス原盤、11は
ガラス原盤へ電鋳法により金属膜を形成するだめの導電
化膜、6′はトラッキング用溝、情報用ピット等の凹凸
の微細パターンの施されたガラス原盤に導電化膜を形成
したガラス原盤、12は電鋳法により導電化膜を形成し
たガラス原盤へ成膜される金属膜、13は前記導電化膜
及び金属膜を一体として同時にガラス原盤より剥離する
ことにより得られる情報記録媒体成形用スタンパ−であ
る。
一般的な電鋳法による情報記録媒体成形用スタンバ−の
製造方法は、まず、ガラス基板9の表面にフォトレジス
ト8を塗布しく第3図(a)参照)、この上にトラッキ
ング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パターン8′を
形成することによってガラス原盤6を得る。(第3図(
b)参照)次に、この表面に導電化膜11を形成した後
(第3図(C)参照)、電鋳法により金属膜12を形成
しく第3図(d)参照)、これらの導電化膜11及び金
属膜12を一体として同時にガラス原盤6から剥離する
ことにより、情報記録媒体成形用スタンバ−(マザー、
マスター)13を製造している。(第3図(e)参□照
) 一般的な電鋳法(Electroforming)のプ
ロセスは上述した通りてあり、特にその中て電鋳工程の
第3図(fl:)、(d)を詳しく説明すると、第3図
(C)の導電化膜11は真空中ての金属の蒸着もしくは
スバッターリンタ等の方法により成膜され、材料として
は銀、多くはニッケルかよく用いられている。そしてス
パッターリンク法によりニッケルをトラッキング用溝、
情報用ピット等の凹凸の微細パターン8′の上に500
〜1000人の厚さに成膜するのが一般的である。
製造方法は、まず、ガラス基板9の表面にフォトレジス
ト8を塗布しく第3図(a)参照)、この上にトラッキ
ング用溝、情報用ピット等の凹凸の微細パターン8′を
形成することによってガラス原盤6を得る。(第3図(
b)参照)次に、この表面に導電化膜11を形成した後
(第3図(C)参照)、電鋳法により金属膜12を形成
しく第3図(d)参照)、これらの導電化膜11及び金
属膜12を一体として同時にガラス原盤6から剥離する
ことにより、情報記録媒体成形用スタンバ−(マザー、
マスター)13を製造している。(第3図(e)参□照
) 一般的な電鋳法(Electroforming)のプ
ロセスは上述した通りてあり、特にその中て電鋳工程の
第3図(fl:)、(d)を詳しく説明すると、第3図
(C)の導電化膜11は真空中ての金属の蒸着もしくは
スバッターリンタ等の方法により成膜され、材料として
は銀、多くはニッケルかよく用いられている。そしてス
パッターリンク法によりニッケルをトラッキング用溝、
情報用ピット等の凹凸の微細パターン8′の上に500
〜1000人の厚さに成膜するのが一般的である。
次に、電鋳工程の第3図(d)に入るが、その前段階て
電鋳液のスルファミン酸ニッケル電鋳液に含有されてい
る有機不純物は定期的な活性炭処理によって、また金属
イオンは電解クリーニングによって偏析させ除去をはか
っている。
電鋳液のスルファミン酸ニッケル電鋳液に含有されてい
る有機不純物は定期的な活性炭処理によって、また金属
イオンは電解クリーニングによって偏析させ除去をはか
っている。
ここて使用するスルファミン酸ニッケル電鋳液の一例を
示すと以下のごときものが挙げられる。
示すと以下のごときものが挙げられる。
スルファミン酸ニッケル・4水塩
[旧(N)1230.)2.4)+20] 500
g/R硼酸 [83BO3] 35
〜38 g/I!ピット防止剤 2
.5 mR/Rスルソアミン酸ニッケル電鋳液のpHは
通常3〜5の範囲が用いられて、pHの変動は内部歪を
発生させ、スタンパ−のカーリングを引き起すので臭化
ニッケル、スルファミン酸、カセイソーダ等を直接添加
して調整している。
g/R硼酸 [83BO3] 35
〜38 g/I!ピット防止剤 2
.5 mR/Rスルソアミン酸ニッケル電鋳液のpHは
通常3〜5の範囲が用いられて、pHの変動は内部歪を
発生させ、スタンパ−のカーリングを引き起すので臭化
ニッケル、スルファミン酸、カセイソーダ等を直接添加
して調整している。
第4図(a)、(b)は情報記録媒体成形用スタンパ−
の製造方法における従来の電鋳法の構成を示す工程説明
図である。同図において、7はニッケル金属を析出させ
て電鋳を行なうためのスルファミン酸ニッケル電鋳液、
4はスルファミン酸ニッケル電鋳液を収容するための電
鋳槽、5は電鋳槽内のスルファミン酸ニッケル電鋳液を
循環させ、ゴミ、不純物等を除去するか過フィルター、
lは導電化処理されたガラス原盤に金属膜を形成するた
めのニッケルチップ、2はニッケルチップの酸化槽及び
スルファミン酸ニッケル電鋳液の電解クリーニングを行
なうためのダミー板、6′はトラッキング用溝、情報用
ピット等の凹凸の微細パターンの施されたガラス原盤に
導電化膜を形成したガラス原盤、3は導電化膜を形成し
たガラス原盤を回転させるためのモーターである。同図
に示すように、ニッケルチップ1は球形状のものが使用
されるが、このニッケルチップlは常時pH3〜5のス
ルファミン酸ニッケル電鋳液7の中に浸漬しているため
、ニッケルチップlの表面層は酸化し茶褐色に変色して
いる。この状態でニッケルチップ1をプラス電極、導電
化膜を形成したガラス原盤6′をマイナス極としてスル
ファミン酸ニッケル電鋳液7中で通電させ、ニッケル金
属を析出させて電鋳を行なうと、ニッケルチップの酸化
層まで電鋳か行なわれる。そのため、この酸化層を除去
する必要があるが、その方法を第4図(a)に示す。
の製造方法における従来の電鋳法の構成を示す工程説明
図である。同図において、7はニッケル金属を析出させ
て電鋳を行なうためのスルファミン酸ニッケル電鋳液、
4はスルファミン酸ニッケル電鋳液を収容するための電
鋳槽、5は電鋳槽内のスルファミン酸ニッケル電鋳液を
循環させ、ゴミ、不純物等を除去するか過フィルター、
lは導電化処理されたガラス原盤に金属膜を形成するた
めのニッケルチップ、2はニッケルチップの酸化槽及び
スルファミン酸ニッケル電鋳液の電解クリーニングを行
なうためのダミー板、6′はトラッキング用溝、情報用
ピット等の凹凸の微細パターンの施されたガラス原盤に
導電化膜を形成したガラス原盤、3は導電化膜を形成し
たガラス原盤を回転させるためのモーターである。同図
に示すように、ニッケルチップ1は球形状のものが使用
されるが、このニッケルチップlは常時pH3〜5のス
ルファミン酸ニッケル電鋳液7の中に浸漬しているため
、ニッケルチップlの表面層は酸化し茶褐色に変色して
いる。この状態でニッケルチップ1をプラス電極、導電
化膜を形成したガラス原盤6′をマイナス極としてスル
ファミン酸ニッケル電鋳液7中で通電させ、ニッケル金
属を析出させて電鋳を行なうと、ニッケルチップの酸化
層まで電鋳か行なわれる。そのため、この酸化層を除去
する必要があるが、その方法を第4図(a)に示す。
まず、第4図(a)において、ニッケルチップ1をプラ
ス電極、銅等の導電率の良いダミー板2をマイナス電極
として、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の中で電気を
通電させ、ダミー板2上にニッケルチップlの酸化層を
析出させて、ニッケルチップlの酸化層を除去すると同
時に、先に述へたスルファミン酸ニッケル電鋳液7の電
解クリーニングを行なう。
ス電極、銅等の導電率の良いダミー板2をマイナス電極
として、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の中で電気を
通電させ、ダミー板2上にニッケルチップlの酸化層を
析出させて、ニッケルチップlの酸化層を除去すると同
時に、先に述へたスルファミン酸ニッケル電鋳液7の電
解クリーニングを行なう。
次に、第4図(b)に示すように、ニッケルチップlを
プラス電極、導電化膜を形成したガラス原盤6′をマイ
ナス電極として、モーター3により導電化膜を形成した
ガラス原盤6′を回転させなからスルファミン酸ニッケ
ル電鋳液7中て通電させ、導電化膜を形成したガラス原
盤6′上にニッケル金属を析出させて電鋳を行なう。
プラス電極、導電化膜を形成したガラス原盤6′をマイ
ナス電極として、モーター3により導電化膜を形成した
ガラス原盤6′を回転させなからスルファミン酸ニッケ
ル電鋳液7中て通電させ、導電化膜を形成したガラス原
盤6′上にニッケル金属を析出させて電鋳を行なう。
また、電鋳槽4中てスルファミン酸ニッケル電鋳液7を
循環させながら濾過フィルター5を通し、ゴミや不純物
を除去する。液温はヒーターにより506C程度に保っ
ている。
循環させながら濾過フィルター5を通し、ゴミや不純物
を除去する。液温はヒーターにより506C程度に保っ
ている。
[発明が解決しようとする課題1
しかしながら、上記の従来例ては、ニッケルチップの酸
化層及びスルファミン酸ニッケル電鋳液の電解クリーニ
ングについては対策をとっているものの、導電化膜につ
いては何ら考慮されていない。そのため次のような欠点
があった。
化層及びスルファミン酸ニッケル電鋳液の電解クリーニ
ングについては対策をとっているものの、導電化膜につ
いては何ら考慮されていない。そのため次のような欠点
があった。
(1)情報記録媒体成形用スタンバ−を安価に製造する
場合、プロセス間にストックか発生する。
場合、プロセス間にストックか発生する。
例えば、導電化膜を形成した後、数日間放置され、その
後電鋳を行なうが、放置されている間に酸化皮膜が形成
され、ロット間のバラツキが発生する。そのために品質
が不安定となり、また信頼性が乏しくなる。
後電鋳を行なうが、放置されている間に酸化皮膜が形成
され、ロット間のバラツキが発生する。そのために品質
が不安定となり、また信頼性が乏しくなる。
(2)通常のプロセスては、導電化膜をスパッターリン
グ等て成膜した後、数日間放置され、電鋳を行なうが、
その際に導電化膜には酸化皮膜が形成され、電鋳法によ
る金属膜との密着性を妨げる。
グ等て成膜した後、数日間放置され、電鋳を行なうが、
その際に導電化膜には酸化皮膜が形成され、電鋳法によ
る金属膜との密着性を妨げる。
本発明は、この様な従来の情報記録媒体成形用スタンバ
−の電鋳法による製造方法に鑑みてなされたものてあり
、従来技術の欠点を改善し、情報記録媒体成形用スタン
バ−の製造プロセス間にストックが発生し、数日間放置
されている間に導電化膜に酸化皮膜が形成されても、ロ
ット間のバラツキが発生することはなく、また導電化膜
と電鋳法による金属膜との密着性を向上させることがて
きる情報記録媒体成形用スタンバ−の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
−の電鋳法による製造方法に鑑みてなされたものてあり
、従来技術の欠点を改善し、情報記録媒体成形用スタン
バ−の製造プロセス間にストックが発生し、数日間放置
されている間に導電化膜に酸化皮膜が形成されても、ロ
ット間のバラツキが発生することはなく、また導電化膜
と電鋳法による金属膜との密着性を向上させることがて
きる情報記録媒体成形用スタンバ−の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
[課題を解決するための手段]
即ち、本発明は、ガラス基板上に形成したレジスト膜に
所定の凹凸のカッティングを施してガラス原盤を得る工
程、前記カッティングによってガラス原盤に形成された
凹凸の微細パターンの表面に導電化膜を形成する工程、
前記導電化膜上に形成される酸化皮膜なスルファミン酸
ニッケル電鋳液中で電解をかけることにより除去する工
程、前記酸化皮膜を除去した導電化膜上に電鋳法により
金属膜を形成する工程、前記金属膜及び導電化膜を一体
として、ガラス原盤より剥離する工程からなることを特
徴とする情報記録媒体成形用スタンバ−の製造方法であ
る。
所定の凹凸のカッティングを施してガラス原盤を得る工
程、前記カッティングによってガラス原盤に形成された
凹凸の微細パターンの表面に導電化膜を形成する工程、
前記導電化膜上に形成される酸化皮膜なスルファミン酸
ニッケル電鋳液中で電解をかけることにより除去する工
程、前記酸化皮膜を除去した導電化膜上に電鋳法により
金属膜を形成する工程、前記金属膜及び導電化膜を一体
として、ガラス原盤より剥離する工程からなることを特
徴とする情報記録媒体成形用スタンバ−の製造方法であ
る。
[作用]
本発明は、ガラス基板上に形成したレジスト膜に所定の
凹凸のカッティングを施してガラス原盤を得た後、前記
カッティングによってガラス原盤に形成された凹凸の微
細パターンの表面に導電化膜を形成し、次いて導電化膜
上に電鋳法により金′属膜を形成し、前記金属膜及び導
電化膜を一体として、ガラス原盤より剥離する従来の情
報記録媒体成形用スタンバ−の製造方法において、従来
の電鋳方法のプロセス間に、導電化膜上に形成される酸
化皮膜なスルファミン酸ニッケル電鋳液中で電解をかけ
ることにより除去し、該酸化皮膜を除去した導電化膜上
に電鋳法により金属膜を形成する工程を導入し、導電化
膜の表面層と共に酸化皮膜を除去するプロセス、すなわ
ち逆電鋳を施すことにより導電化膜の表面層を活性化し
、導電化膜と金属膜との密着性を向上させ、また情報記
録媒体成形用スタンバ−の製造プロセス間にストックか
発生し、数日間放置されている間に導電化膜に酸化皮膜
が形成され、ロット間のバラツキが発生するのを防止し
たものである。
凹凸のカッティングを施してガラス原盤を得た後、前記
カッティングによってガラス原盤に形成された凹凸の微
細パターンの表面に導電化膜を形成し、次いて導電化膜
上に電鋳法により金′属膜を形成し、前記金属膜及び導
電化膜を一体として、ガラス原盤より剥離する従来の情
報記録媒体成形用スタンバ−の製造方法において、従来
の電鋳方法のプロセス間に、導電化膜上に形成される酸
化皮膜なスルファミン酸ニッケル電鋳液中で電解をかけ
ることにより除去し、該酸化皮膜を除去した導電化膜上
に電鋳法により金属膜を形成する工程を導入し、導電化
膜の表面層と共に酸化皮膜を除去するプロセス、すなわ
ち逆電鋳を施すことにより導電化膜の表面層を活性化し
、導電化膜と金属膜との密着性を向上させ、また情報記
録媒体成形用スタンバ−の製造プロセス間にストックか
発生し、数日間放置されている間に導電化膜に酸化皮膜
が形成され、ロット間のバラツキが発生するのを防止し
たものである。
[実施例]
0
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明をさらに具体
的に説明する。
的に説明する。
実施例1
第1図(a)〜(c)は本発明の情報記録媒体成形用ス
タンパ−の製造方法の一例を示す工程説明図である。
タンパ−の製造方法の一例を示す工程説明図である。
まず、第3図の一般的な電鋳法による情報記録媒体成形
用スタンパ−の製造方法を示す工程図に基づき、導電化
膜を形成したガラス原盤の製造方法について述べる。
用スタンパ−の製造方法を示す工程図に基づき、導電化
膜を形成したガラス原盤の製造方法について述べる。
第3 [] (a)の工程では青板ガラス等のガラス基
板9にフォトレジスト8を形成する。フォトレジストは
AZ13004.6cp (ヘキスト ジャパン社製)
を用いて、レジスト:シンナー=1−2の重量比て希釈
する。希釈したレジス1〜をガラス基板9に滴下し、ス
ピンナーを用いて回転速度3000rpmで塗布し、膜
厚l000人のフォトレジスト8を形成する。
板9にフォトレジスト8を形成する。フォトレジストは
AZ13004.6cp (ヘキスト ジャパン社製)
を用いて、レジスト:シンナー=1−2の重量比て希釈
する。希釈したレジス1〜をガラス基板9に滴下し、ス
ピンナーを用いて回転速度3000rpmで塗布し、膜
厚l000人のフォトレジスト8を形成する。
次に、第3図(b)の工程において、レーザー・カッチ
インクマシーン、密着露光装置PLA (キャノン輛
製)等の露光装置を用いて、所定の凹凸のパターン(同
心円状、スパイラル状、ストライブ状)をカッティング
し、現像することにより、トラッキンク用溝、情報用ピ
ット等の凹凸の微細パターン8′を形成することにより
、ガラス原盤6か得られる。
インクマシーン、密着露光装置PLA (キャノン輛
製)等の露光装置を用いて、所定の凹凸のパターン(同
心円状、スパイラル状、ストライブ状)をカッティング
し、現像することにより、トラッキンク用溝、情報用ピ
ット等の凹凸の微細パターン8′を形成することにより
、ガラス原盤6か得られる。
さらに、第3図(C)の工程では、電鋳法により金属膜
を形成するために、スパッター装置、イオンブレーティ
ング装置、蒸着装置等の成膜装置を用いて導電化処理を
行なう。膜厚1000〜2000人のニッケル膜をスパ
ッター装置により成膜することにより導電化膜11をガ
ラス原盤6の上に形成した。
を形成するために、スパッター装置、イオンブレーティ
ング装置、蒸着装置等の成膜装置を用いて導電化処理を
行なう。膜厚1000〜2000人のニッケル膜をスパ
ッター装置により成膜することにより導電化膜11をガ
ラス原盤6の上に形成した。
このようにして製造された導電化膜を形成したガラス原
盤6′を用いて、第1図(a)〜(C)に基づき本発明
について説明する。
盤6′を用いて、第1図(a)〜(C)に基づき本発明
について説明する。
第1図(a)の工程では、スルファミン酸ニッケル電鋳
液7の金属イオンを除去するためと、ニッケルチップ1
の酸化した表面層を除去するために電解クリーニングを
行なう。
液7の金属イオンを除去するためと、ニッケルチップ1
の酸化した表面層を除去するために電解クリーニングを
行なう。
1
2
ここて使用するスルファミン酸ニッケル電鋳液7の液組
成の一例は以下のごときものである。
成の一例は以下のごときものである。
スルファミン酸ニッケル・4水塩
[N1(NH2SO:+)2.4H20] 50
0 g/j!硼酸 [’83BO:l ]
35〜38 g/I!ビット防止剤
2.5 mI!/I!ニッケルチップlをプラ
ス電極、銅等の導電率の良いタミー板2をマイナス電極
として、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の中て電気を
通電させ、ダミー板2上にニッケルチップlの酸化層を
析出させて、ニッケルチップ1の酸化層を除去すると同
時に、先に述べたスルフ)・ミン酸ニッケル電鋳液7の
電解クリーニングを行なう。
0 g/j!硼酸 [’83BO:l ]
35〜38 g/I!ビット防止剤
2.5 mI!/I!ニッケルチップlをプラ
ス電極、銅等の導電率の良いタミー板2をマイナス電極
として、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の中て電気を
通電させ、ダミー板2上にニッケルチップlの酸化層を
析出させて、ニッケルチップ1の酸化層を除去すると同
時に、先に述べたスルフ)・ミン酸ニッケル電鋳液7の
電解クリーニングを行なう。
通電電流は8〜IOA、通電時間は10〜15m1n程
度で良い。また、ニッケルチップlを動かすとさらに効
果的である。
度で良い。また、ニッケルチップlを動かすとさらに効
果的である。
次に、第1図(b)の工程ては、導電化膜を形成したガ
ラス原盤6′をプラス電極、タミー板2をマイナス電極
としてモーター3により20〜30rpmの回転速度で
導電化膜を形成したガラス原盤6′を回転させなから、
スルファミン酸ニッケル電鋳液7中て通電させ、タミー
板2上に導電化膜11の表面層のニッケル金属を析出さ
せて表面層と共に酸化皮膜を除去し、導電化膜11の表
面層を活性化させる。
ラス原盤6′をプラス電極、タミー板2をマイナス電極
としてモーター3により20〜30rpmの回転速度で
導電化膜を形成したガラス原盤6′を回転させなから、
スルファミン酸ニッケル電鋳液7中て通電させ、タミー
板2上に導電化膜11の表面層のニッケル金属を析出さ
せて表面層と共に酸化皮膜を除去し、導電化膜11の表
面層を活性化させる。
この時の通電電流は0.5A以下、通電時間は15se
c〜60sec程度が好ましい。
c〜60sec程度が好ましい。
最後に第1図(C)の工程において、ニッケルチップl
をプラス電極、導電化膜を形成したガラス原盤6′をマ
イナス電極として、モーター3により20〜30rpm
の回転速度で導電化膜を形成したガラス原盤6′を回転
させなから、スルファミン酸ニッケル電鋳液7中で通電
させ、導電化膜を形成したガラス原盤6′上にニッケル
金属を析出させ電鋳を行なう。
をプラス電極、導電化膜を形成したガラス原盤6′をマ
イナス電極として、モーター3により20〜30rpm
の回転速度で導電化膜を形成したガラス原盤6′を回転
させなから、スルファミン酸ニッケル電鋳液7中で通電
させ、導電化膜を形成したガラス原盤6′上にニッケル
金属を析出させ電鋳を行なう。
通電電流の時間積分値は17〜34AH(アンペア・ア
ワー)て、 100〜200JL11の金属膜12を形
成させ、導電化膜11及び金属膜12を一体として同時
にガラス原盤6から剥離させ情報記録媒体成形用スタン
パ−゛を製造した。
ワー)て、 100〜200JL11の金属膜12を形
成させ、導電化膜11及び金属膜12を一体として同時
にガラス原盤6から剥離させ情報記録媒体成形用スタン
パ−゛を製造した。
3
4
実施例2
導電化膜を形成したカラス原盤6′は実施例1のぐとく
して作製し、第2図(a)〜(C)に基づき実施例2に
ついて説明する。
して作製し、第2図(a)〜(C)に基づき実施例2に
ついて説明する。
第2図(a)の工程ては、スルファミン酸ニッケル電鋳
液7の金属イオンを除去するためと、ニッケルチップl
の酸化した表面層を除去するために電解クリーニングを
行なう。
液7の金属イオンを除去するためと、ニッケルチップl
の酸化した表面層を除去するために電解クリーニングを
行なう。
ここて使用するスルファミン酸ニッケル電鋳液7の液組
成の一例は以下のごときものである。
成の一例は以下のごときものである。
スルファミン酸ニッケル・4水塩
[N1(NH2SO:+)2−4H20コ 5
00 g/j!硼酸 [H3B03]
35〜38 g/I!ピット防止剤
2.5 mj!/i)ニッケルチップ1をプラス
電極、銅等の導電率の良いタミー板2をマイナス電極と
して、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の中て電気を通
電させ、ダミー板2上にニッケルチップlの酸化層を析
出させて、ニッケルチップlの酸化層を除去すると同時
に、先に述べたスルファミン酸ニッケル電鋳液7の電解
クリーニングを行なった。
00 g/j!硼酸 [H3B03]
35〜38 g/I!ピット防止剤
2.5 mj!/i)ニッケルチップ1をプラス
電極、銅等の導電率の良いタミー板2をマイナス電極と
して、スルファミン酸ニッケル電鋳液7の中て電気を通
電させ、ダミー板2上にニッケルチップlの酸化層を析
出させて、ニッケルチップlの酸化層を除去すると同時
に、先に述べたスルファミン酸ニッケル電鋳液7の電解
クリーニングを行なった。
通電電流は8〜IOA、通電時間は10〜lSm1n程
度て良い。また、ニッケルチ・ンブlを動かすとさらに
効果的である。
度て良い。また、ニッケルチ・ンブlを動かすとさらに
効果的である。
次に、第2図(b)の工程ては、導電化膜を形成したガ
ラス原盤6′をプラス電極、ニッケルチップ1をダミー
板の代用とし、マイナス電極を継ぐ。モーター3により
20〜30rpmの回転速度て導電化膜を形成したガラ
ス原盤6′を回転させながら、スルファミン酸ニッケル
電鋳液7中で通電させ、ダミー板の代用であるニッケル
チップl上に導電化膜11の表面層のニッケル金属を析
出させて、表面層と共に酸化皮膜を除去し、導電化膜1
1の表面層を活性化させる。
ラス原盤6′をプラス電極、ニッケルチップ1をダミー
板の代用とし、マイナス電極を継ぐ。モーター3により
20〜30rpmの回転速度て導電化膜を形成したガラ
ス原盤6′を回転させながら、スルファミン酸ニッケル
電鋳液7中で通電させ、ダミー板の代用であるニッケル
チップl上に導電化膜11の表面層のニッケル金属を析
出させて、表面層と共に酸化皮膜を除去し、導電化膜1
1の表面層を活性化させる。
この時の通電電流は0.5A以下、通電時間は15se
c〜30sec程度が好ましい。
c〜30sec程度が好ましい。
ここて、逆電鋳される導電化膜11の膜厚は100〜1
25人程度なので無視し、そのまま第2図(c)の工程
に移り(電極の極性を換えるのみ)、モーター3により
20〜30rpmの回転速度で導電化膜を 5 6 形成したガラス原盤6′を回転させながら、スルファミ
ン酸ニッケル電鋳液7中で通電させ、導電化膜を形成し
たガラス原盤6′上にニッケル金属を析出させて電鋳を
行なう。
25人程度なので無視し、そのまま第2図(c)の工程
に移り(電極の極性を換えるのみ)、モーター3により
20〜30rpmの回転速度で導電化膜を 5 6 形成したガラス原盤6′を回転させながら、スルファミ
ン酸ニッケル電鋳液7中で通電させ、導電化膜を形成し
たガラス原盤6′上にニッケル金属を析出させて電鋳を
行なう。
通電電流の時間積分値は17〜34AI+(アンペア・
アワー)て 100〜200gmの金属膜12を形成さ
せ、導電化膜11及び金属膜12を一体として、同時に
ガラス原盤6から剥離させ情報記録媒体成形用スタンパ
−を製造した。
アワー)て 100〜200gmの金属膜12を形成さ
せ、導電化膜11及び金属膜12を一体として、同時に
ガラス原盤6から剥離させ情報記録媒体成形用スタンパ
−を製造した。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明の情報記録媒体
成形用スタンパ−の製造方法によれば、導電化膜の表面
層と共に酸化皮膜を除去するプロセスすなわち逆電鋳を
施すことにより、導電化膜の表面層を活性化させること
で次のような効果を奏するこができる。
成形用スタンパ−の製造方法によれば、導電化膜の表面
層と共に酸化皮膜を除去するプロセスすなわち逆電鋳を
施すことにより、導電化膜の表面層を活性化させること
で次のような効果を奏するこができる。
(1)情報記録媒体成形用スタンパ−を安価に製造する
場合、製造プロセス間にス1〜ツクか発生する。数日間
放置されている間に導電化膜に酸化皮膜が形成されても
、本発明の上述した方法によりロット間のバラツキが発
生しない。そのために品質か安定となり、また信頼性が
向上する。
場合、製造プロセス間にス1〜ツクか発生する。数日間
放置されている間に導電化膜に酸化皮膜が形成されても
、本発明の上述した方法によりロット間のバラツキが発
生しない。そのために品質か安定となり、また信頼性が
向上する。
(2)また、導電化膜と、電鋳法による金属膜との密着
性を向上させることがてきる。
性を向上させることがてきる。
第1図(a)〜(C)は本発明の情報記録媒体成形用ス
タンパ−の製造方法の一例を示す工程説明図、第2図(
a)〜(C)は本発明の製造方法の他の例を示す工程説
明図、第3図(a)〜(e)は一般的な電鋳法による情
報記録媒体成形用スタンパ−の製造方法を示す工程図お
よび第4図(a)、(b)は情報記録媒体成形用スタン
パ−の製造方法における従来の電鋳法の構成を示す工程
説明図である。 l・・・ニッケルチップ 2・・・ダミー板3・・・
モーター 4・・・電鋳槽5・・・濾過フィル
ター 6・・・ガラス原盤6′・・・導電化膜を形成
したガラス原盤7・・・スルファミン酸ニッケル電鋳液
8・・・フォトレジスト 7 8 8 ′ ・・・凹凸の微細パターン 9・・・ガラス基板 11・・・導電化膜 12・・・金属膜
タンパ−の製造方法の一例を示す工程説明図、第2図(
a)〜(C)は本発明の製造方法の他の例を示す工程説
明図、第3図(a)〜(e)は一般的な電鋳法による情
報記録媒体成形用スタンパ−の製造方法を示す工程図お
よび第4図(a)、(b)は情報記録媒体成形用スタン
パ−の製造方法における従来の電鋳法の構成を示す工程
説明図である。 l・・・ニッケルチップ 2・・・ダミー板3・・・
モーター 4・・・電鋳槽5・・・濾過フィル
ター 6・・・ガラス原盤6′・・・導電化膜を形成
したガラス原盤7・・・スルファミン酸ニッケル電鋳液
8・・・フォトレジスト 7 8 8 ′ ・・・凹凸の微細パターン 9・・・ガラス基板 11・・・導電化膜 12・・・金属膜
Claims (1)
- ガラス基板上に形成したレジスト膜に所定の凹凸のカ
ッティングを施してガラス原盤を得る工程、前記カッテ
ィングによってガラス原盤に形成された凹凸の微細パタ
ーンの表面に導電化膜を形成する工程、前記導電化膜上
に形成される酸化皮膜をスルファミン酸ニッケル電鋳液
中で電解をかけることにより除去する工程、前記酸化皮
膜を除去した導電化膜上に電鋳法により金属膜を形成す
る工程、前記金属膜及び導電化膜を一体として、ガラス
原盤より剥離する工程からなることを特徴とする情報記
録媒体成形用スタンパーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14122489A JPH036390A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 情報記録媒体成形用スタンパーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14122489A JPH036390A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 情報記録媒体成形用スタンパーの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036390A true JPH036390A (ja) | 1991-01-11 |
Family
ID=15287009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14122489A Pending JPH036390A (ja) | 1989-06-05 | 1989-06-05 | 情報記録媒体成形用スタンパーの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH036390A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5655993A (en) * | 1995-04-17 | 1997-08-12 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Shift control apparatus for an automatic transmission |
-
1989
- 1989-06-05 JP JP14122489A patent/JPH036390A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5655993A (en) * | 1995-04-17 | 1997-08-12 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Shift control apparatus for an automatic transmission |
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