JP2870301B2 - 電鋳装置 - Google Patents
電鋳装置Info
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- JP2870301B2 JP2870301B2 JP15291292A JP15291292A JP2870301B2 JP 2870301 B2 JP2870301 B2 JP 2870301B2 JP 15291292 A JP15291292 A JP 15291292A JP 15291292 A JP15291292 A JP 15291292A JP 2870301 B2 JP2870301 B2 JP 2870301B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電鋳装置に係り、とく
に光ディスク用スタンパの電鋳装置に関する。
に光ディスク用スタンパの電鋳装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的にＣＤやＣＤ−ＲＯＭ，追記型あ
るいは書換型光ディスク用スタンパはニッケルを電鋳す
ることにより製造されている。
るいは書換型光ディスク用スタンパはニッケルを電鋳す
ることにより製造されている。
【０００３】フォトレジスト１０を露光・現像してグル
ーブとピットとを形成したガラス原盤２０の上にスパッ
タあるいは真空蒸着によってニッケルを被覆し、表面を
導体化処理する。
ーブとピットとを形成したガラス原盤２０の上にスパッ
タあるいは真空蒸着によってニッケルを被覆し、表面を
導体化処理する。
【０００４】導体化処理されたガラス原盤２０上に、ス
ルファミン酸ニッケル浴中で電鋳を行い、ガラス原盤２
０のグルーブとピット形状を転写したニッケル原盤３０
を作成する（図３のａ）。
ルファミン酸ニッケル浴中で電鋳を行い、ガラス原盤２
０のグルーブとピット形状を転写したニッケル原盤３０
を作成する（図３のａ）。
【０００５】ガラス原盤２０とニッケル原盤３０を離型
し、ニッケル原盤３０上のフォトレジスト１０を剥離す
る（図３のｂ）。このニッケル原盤３０をスタンパとし
て射出成形等の母型とする。
し、ニッケル原盤３０上のフォトレジスト１０を剥離す
る（図３のｂ）。このニッケル原盤３０をスタンパとし
て射出成形等の母型とする。
【０００６】次に、１枚のガラス原盤２０から複数のス
タンパを製作する方法を説明する。ニッケル原盤３０上
のフォトレジスト１０を剥離した後、例えば重クロム酸
カリウム水溶液等の重クロム酸塩水溶液に浸漬して表面
を酸化処理する（図３のｃ）。この表面の酸化ニッケル
が電鋳後の原盤と電鋳盤との離型層となる。
タンパを製作する方法を説明する。ニッケル原盤３０上
のフォトレジスト１０を剥離した後、例えば重クロム酸
カリウム水溶液等の重クロム酸塩水溶液に浸漬して表面
を酸化処理する（図３のｃ）。この表面の酸化ニッケル
が電鋳後の原盤と電鋳盤との離型層となる。
【０００７】表面に酸化ニッケル層４０を形成したニッ
ケル原盤３１上に、スルファミン酸ニッケル浴中で電鋳
を行い、ニッケル原盤３１のグルーブとピット形状を転
写した反転原盤５０を作成する（図３のｄ）。
ケル原盤３１上に、スルファミン酸ニッケル浴中で電鋳
を行い、ニッケル原盤３１のグルーブとピット形状を転
写した反転原盤５０を作成する（図３のｄ）。
【０００８】ニッケル原盤３１と反転原盤５０を分離す
るとともに、反転原盤５０を重クロム酸カリウム水溶液
等の重クロム酸塩水溶液に浸漬して表面を酸化処理する
（図３のｅ）。
るとともに、反転原盤５０を重クロム酸カリウム水溶液
等の重クロム酸塩水溶液に浸漬して表面を酸化処理する
（図３のｅ）。
【０００９】反転原盤５０をスルファミン酸ニッケル浴
中にで電鋳を行い、反転原盤５０のグルーブとピット形
状を転写したスタンパ６０を作成する（図３のｆ）。反
転原盤５０とスタンパ６０を分離する（図３のｇ）。
中にで電鋳を行い、反転原盤５０のグルーブとピット形
状を転写したスタンパ６０を作成する（図３のｆ）。反
転原盤５０とスタンパ６０を分離する（図３のｇ）。
【００１０】ニッケル原盤３０から反転原盤５０の作
成、反転原盤５０からスタンパ６０の作成を繰り返すこ
とにより、１枚のガラス原盤２０から複数枚のスタンパ
６０を作成できる。
成、反転原盤５０からスタンパ６０の作成を繰り返すこ
とにより、１枚のガラス原盤２０から複数枚のスタンパ
６０を作成できる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、電鋳板表面の酸化処理と電鋳を繰り返
すために、製造工程が複雑になるという不都合があっ
た。
来例においては、電鋳板表面の酸化処理と電鋳を繰り返
すために、製造工程が複雑になるという不都合があっ
た。
【００１２】また、酸化処理に重クロム酸塩を用いてい
るために、その保管、取り扱いおよび設備について安全
上特別の注意が必要になるという問題点があった。
るために、その保管、取り扱いおよび設備について安全
上特別の注意が必要になるという問題点があった。
【００１３】
【発明の目的】本発明の目的は、かかる従来例の有する
不都合を改善し、とくに光ディスク用スタンパの製造に
おいて工程の簡略化が可能でしかも工数を低減すること
ができるとともに酸化処理時に危険な重クロム酸塩を用
いる必要がない電鋳装置を提供することにある。
不都合を改善し、とくに光ディスク用スタンパの製造に
おいて工程の簡略化が可能でしかも工数を低減すること
ができるとともに酸化処理時に危険な重クロム酸塩を用
いる必要がない電鋳装置を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明では、被
電鋳原盤を電鋳液中に保持するとともにカソード電極と
なるカソードホルダと、このカソードホルダを電鋳時に
回転させるシャフトと、アノード電極であるとともに電
鋳液にニッケルイオンを供給するニッケルペレットと、
酸化処理時に電鋳液中で被電鋳原盤の表面に酸素ガスを
供給するガス噴射管と、このガス噴射管に酸素ガスを導
入するガス導入管とを具備するという構成を採ってい
る。これによって前述した目的を達成しようとするもの
である。
電鋳原盤を電鋳液中に保持するとともにカソード電極と
なるカソードホルダと、このカソードホルダを電鋳時に
回転させるシャフトと、アノード電極であるとともに電
鋳液にニッケルイオンを供給するニッケルペレットと、
酸化処理時に電鋳液中で被電鋳原盤の表面に酸素ガスを
供給するガス噴射管と、このガス噴射管に酸素ガスを導
入するガス導入管とを具備するという構成を採ってい
る。これによって前述した目的を達成しようとするもの
である。
【００１５】
【作用】導体化処理されたガラス原盤をカソードホルダ
に取り付け、ガラス原盤を電鋳液中に浸漬する。シャフ
トを回転させながら、ガラス原盤側をカソードとして電
流を流す。ニッケルイオンは、アノードのニッケルペレ
ットより供給される。これにより、ガラス原盤のグルー
ブとピット形状を転写したニッケル原盤が作成される。
に取り付け、ガラス原盤を電鋳液中に浸漬する。シャフ
トを回転させながら、ガラス原盤側をカソードとして電
流を流す。ニッケルイオンは、アノードのニッケルペレ
ットより供給される。これにより、ガラス原盤のグルー
ブとピット形状を転写したニッケル原盤が作成される。
【００１６】カソードホルダを電鋳槽から引き上げ、ガ
ラス原盤とニッケル原盤を離型するとともに、ニッケル
原盤上のフォトレジストを剥離する。
ラス原盤とニッケル原盤を離型するとともに、ニッケル
原盤上のフォトレジストを剥離する。
【００１７】ニッケル原盤をカソードホルダに取り付
け、ニッケル原盤を電鋳液中に浸漬する。シャフトを回
転させてニッケル原盤を電鋳液の中で回転させる。この
時、電鋳槽下方のガス導入管の先端の多孔性の円筒ガス
噴射管より、ニッケル原盤の表面全域に渡るように酸素
ガスの微細な気泡を噴射する。酸素ガスをバブリングし
ながらニッケル原盤作成時と同様の電流条件で電鋳を開
始し、ニッケル原盤の表面にニッケルイオンの電着と酸
化を同時に生じさせる。
け、ニッケル原盤を電鋳液中に浸漬する。シャフトを回
転させてニッケル原盤を電鋳液の中で回転させる。この
時、電鋳槽下方のガス導入管の先端の多孔性の円筒ガス
噴射管より、ニッケル原盤の表面全域に渡るように酸素
ガスの微細な気泡を噴射する。酸素ガスをバブリングし
ながらニッケル原盤作成時と同様の電流条件で電鋳を開
始し、ニッケル原盤の表面にニッケルイオンの電着と酸
化を同時に生じさせる。
【００１８】通電約３分後に酸素供給を止め、酸化ニッ
ケル層の形成を終了する。電鋳は連続して行い、酸化ニ
ッケル層の上にニッケル層を作成し、グルーブとピット
形状を転写した反転原盤を作成する。カソードホルダを
電鋳槽から引き上げ、ニッケル原盤と反転原盤を離型す
る。
ケル層の形成を終了する。電鋳は連続して行い、酸化ニ
ッケル層の上にニッケル層を作成し、グルーブとピット
形状を転写した反転原盤を作成する。カソードホルダを
電鋳槽から引き上げ、ニッケル原盤と反転原盤を離型す
る。
【００１９】反転原盤をカソードホルダに取り付け、反
転原盤を電鋳液中に浸漬する。ニッケル原盤作成時と同
様の電流条件で電鋳を開始し、スタンパを得る。カソー
ドホルダを電鋳槽から引き上げ、反転原盤とスタンパを
離型する。
転原盤を電鋳液中に浸漬する。ニッケル原盤作成時と同
様の電流条件で電鋳を開始し、スタンパを得る。カソー
ドホルダを電鋳槽から引き上げ、反転原盤とスタンパを
離型する。
【００２０】
【発明の実施例】以下、本発明の一実施例を図１ないし
図２に基づいて説明する。図１の実施例は、被電鋳原盤
を電鋳液９中に保持するカソードホルダ７と、カソード
ホルダ７を回転させるシャフト８と、電鋳液９にニッケ
ルイオンを供給するニッケルペレット１４と、電鋳液９
中で被電鋳原盤の表面に酸素ガスを供給するガス噴射管
１２と、ガス噴射管１２に酸素ガスを導入するガス導入
管１１とから構成される。
図２に基づいて説明する。図１の実施例は、被電鋳原盤
を電鋳液９中に保持するカソードホルダ７と、カソード
ホルダ７を回転させるシャフト８と、電鋳液９にニッケ
ルイオンを供給するニッケルペレット１４と、電鋳液９
中で被電鋳原盤の表面に酸素ガスを供給するガス噴射管
１２と、ガス噴射管１２に酸素ガスを導入するガス導入
管１１とから構成される。
【００２１】次に、本実施例の動作について図２を用い
て説明する。ガラス原盤２の上にフォトレジスト１を塗
布する。フォトレジスト１を塗布したガラス原盤２に露
光および現像を行い、所定のグルーブとピットとを形成
する。
て説明する。ガラス原盤２の上にフォトレジスト１を塗
布する。フォトレジスト１を塗布したガラス原盤２に露
光および現像を行い、所定のグルーブとピットとを形成
する。
【００２２】グルーブとピットとを形成したガラス原盤
２の表面をスパッタリングによって、ニッケルを約７０
０（オングストローム）の厚さで被覆し、表面を導体化
処理する。
２の表面をスパッタリングによって、ニッケルを約７０
０（オングストローム）の厚さで被覆し、表面を導体化
処理する。
【００２３】導体化処理されたガラス原盤２をカソード
ホルダ７に取り付け、ガラス原盤２を電鋳液９中に浸漬
する。
ホルダ７に取り付け、ガラス原盤２を電鋳液９中に浸漬
する。
【００２４】電鋳槽の蓋１０を閉めた後、シャフト８を
回転させながら、ガラス原盤２側をカソードとして電流
を流す。
回転させながら、ガラス原盤２側をカソードとして電流
を流す。
【００２５】ここで電鋳液９は、スルファミン酸ニッケ
ル濃度を４７０ｇ／ι、ほう酸濃度を３４ｇ／ιに調整
し、さらに表面張力低下剤を添加している。
ル濃度を４７０ｇ／ι、ほう酸濃度を３４ｇ／ιに調整
し、さらに表面張力低下剤を添加している。
【００２６】電鋳条件は、一例として、電流密度を６
（Ａ／ｄｍ2）、回転速度を６０（ｒｐｍ）としてい
る。ニッケルイオンは、アノードのニッケルペレット１
４より供給される。
（Ａ／ｄｍ2）、回転速度を６０（ｒｐｍ）としてい
る。ニッケルイオンは、アノードのニッケルペレット１
４より供給される。
【００２７】あらかじめ求められている通電時間と厚さ
との関係から約２８０（μｍ）の厚さのニッケルが電鋳
されるまで通電する。これにより、ガラス原盤２のグル
ーブとピット形状を転写したニッケル原盤３が作成され
る（図２のａ）。
との関係から約２８０（μｍ）の厚さのニッケルが電鋳
されるまで通電する。これにより、ガラス原盤２のグル
ーブとピット形状を転写したニッケル原盤３が作成され
る（図２のａ）。
【００２８】カソードホルダ７を電鋳槽から引き上げ、
ガラス原盤２とニッケル原盤３を離型するとともに、ニ
ッケル原盤３上のフォトレジスト１を剥離する（図２の
ｂ）。
ガラス原盤２とニッケル原盤３を離型するとともに、ニ
ッケル原盤３上のフォトレジスト１を剥離する（図２の
ｂ）。
【００２９】ニッケル原盤３をカソードホルダ７に取り
付け、ニッケル原盤３を電鋳液９中に浸漬する。
付け、ニッケル原盤３を電鋳液９中に浸漬する。
【００３０】電鋳槽の蓋８を閉めた後、シャフト９を回
転させてニッケル原盤３を電鋳液１０の中で回転させ
る。
転させてニッケル原盤３を電鋳液１０の中で回転させ
る。
【００３１】この時、電鋳槽下方のガス導入管１１の先
端の多孔性の円筒ガス噴射管１２より、ニッケル原盤３
の表面全域に渡るように酸素ガスの微細な気泡１３を噴
射する。酸素ガスは、純度９９．９９％のものを用い、
流量０．１（ι／ｍｉｎ）で流す。
端の多孔性の円筒ガス噴射管１２より、ニッケル原盤３
の表面全域に渡るように酸素ガスの微細な気泡１３を噴
射する。酸素ガスは、純度９９．９９％のものを用い、
流量０．１（ι／ｍｉｎ）で流す。
【００３２】酸素ガスをバブリングしながらニッケル原
盤作成時と同様の電流条件で電鋳を開始し、ニッケル原
盤３の表面にニッケルイオンの電着と酸化を同時に生じ
させる。
盤作成時と同様の電流条件で電鋳を開始し、ニッケル原
盤３の表面にニッケルイオンの電着と酸化を同時に生じ
させる。
【００３３】通電約３分後に酸素供給を止め、酸化ニッ
ケル層４の形成を終了する。
ケル層４の形成を終了する。
【００３４】電鋳は連続して行い、酸化ニッケル層の上
にニッケル層を作成し、グルーブとピット形状を転写し
た反転原盤５を作成する（図２のｃ）。
にニッケル層を作成し、グルーブとピット形状を転写し
た反転原盤５を作成する（図２のｃ）。
【００３５】カソードホルダ７を電鋳槽から引き上げ、
ニッケル原盤３と反転原盤５を離型する（図２のｄ）。
ニッケル原盤３と反転原盤５を離型する（図２のｄ）。
【００３６】反転原盤５をカソードホルダ７に取り付
け、反転原盤５を電鋳液９中に浸漬する。
け、反転原盤５を電鋳液９中に浸漬する。
【００３７】ニッケル原盤作成時と同様の電流条件で電
鋳を開始し、スタンパ６を得る（図２のｅ）。
鋳を開始し、スタンパ６を得る（図２のｅ）。
【００３８】カソードホルダ７を電鋳槽から引き上げ、
反転原盤５とスタンパ６を離型する（図２のｆ）。
反転原盤５とスタンパ６を離型する（図２のｆ）。
【００３９】ニッケル原盤３から反転原盤５の作成、そ
して反転原盤５からスタンパ６の作成を繰り返すことに
より、１枚のガラス原盤２から複数枚のスタンパ６を作
成できる。
して反転原盤５からスタンパ６の作成を繰り返すことに
より、１枚のガラス原盤２から複数枚のスタンパ６を作
成できる。
【００４０】なお、本実施例では反転原盤５の電鋳時に
のみ酸素のバブリングを伴う電鋳を実施しているがニッ
ケル原盤３およびスタンパ６の表面の酸化処理が必要な
時には本発明の電鋳方法を適用できる。
のみ酸素のバブリングを伴う電鋳を実施しているがニッ
ケル原盤３およびスタンパ６の表面の酸化処理が必要な
時には本発明の電鋳方法を適用できる。
【００４１】
【発明の効果】本発明は以上のように構成され機能する
ので、これによると、酸化ニッケル層の作成とニッケル
層の作成を連続して行うことができ、しかも酸化ニッケ
ル層の作成が１回のみでよいため、製造工程の簡略か可
能となりしかも工数を低減することができ、さらに酸化
処理時に危険な重クロム酸塩を用いる必要がないという
従来にない優れた電鋳装置を提供することができる。
ので、これによると、酸化ニッケル層の作成とニッケル
層の作成を連続して行うことができ、しかも酸化ニッケ
ル層の作成が１回のみでよいため、製造工程の簡略か可
能となりしかも工数を低減することができ、さらに酸化
処理時に危険な重クロム酸塩を用いる必要がないという
従来にない優れた電鋳装置を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例を示す構成図である。
【図２】図１の動作を説明するための工程図である。
【図３】従来例の動作を説明するための工程図である。
７ カソードホルダ ８ シャフト ９ 電鋳液 １０ 電鋳槽蓋 １１ ガス導入管 １２ 円筒ガス噴射管 １３ 酸素ガスの微細な気泡 １４ ニッケルペレット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C25D 1/00 C25D 1/20 G11B 7/26 511
Claims (1)
- 【請求項１】 被電鋳原盤を電鋳液中に保持するととも
にカソード電極となるカソードホルダと、このカソード
ホルダを電鋳時に回転させるシャフトと、アノード電極
であるとともに電鋳液にニッケルイオンを供給するニッ
ケルペレットと、酸化処理時に電鋳液中で被電鋳原盤の
表面に酸素ガスを供給するガス噴射管とを備え、このガ
ス噴射管に酸素ガスを導入するガス導入管を装備したこ
とを特徴とする電鋳装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15291292A JP2870301B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 電鋳装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15291292A JP2870301B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 電鋳装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05320973A JPH05320973A (ja) | 1993-12-07 |
| JP2870301B2 true JP2870301B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=15550863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15291292A Expired - Lifetime JP2870301B2 (ja) | 1992-05-20 | 1992-05-20 | 電鋳装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2870301B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003031693A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-17 | Optical Forming Corporation | Systeme et procede d'electroformage |
| EP1698716A1 (en) * | 2003-12-26 | 2006-09-06 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method and apparatus for forming oxide coating |
-
1992
- 1992-05-20 JP JP15291292A patent/JP2870301B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003031693A1 (fr) * | 2001-09-28 | 2003-04-17 | Optical Forming Corporation | Systeme et procede d'electroformage |
| KR100830137B1 (ko) * | 2001-09-28 | 2008-05-20 | 가부시키가이샤 루스ㆍ콤 | 전주장치 및 전주방법 |
| EP1698716A1 (en) * | 2003-12-26 | 2006-09-06 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Method and apparatus for forming oxide coating |
| EP1698716A4 (en) * | 2003-12-26 | 2007-07-04 | Toyo Kohan Co Ltd | METHOD AND APPARATUS FOR FORMING OXIDE COATING |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05320973A (ja) | 1993-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19981201 |