JPS60195748A - 情報記録担体複製用原盤の製造方法 - Google Patents
情報記録担体複製用原盤の製造方法Info
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- JPS60195748A JPS60195748A JP5170884A JP5170884A JPS60195748A JP S60195748 A JPS60195748 A JP S60195748A JP 5170884 A JP5170884 A JP 5170884A JP 5170884 A JP5170884 A JP 5170884A JP S60195748 A JPS60195748 A JP S60195748A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は情報記録担体、例えばビデオディスク、デジタ
ルオーディオディスク、光メモリ−ディスク等のディス
ク複1に必要とする情報記録担体複製用原盤の製造方法
に関するものである。
ルオーディオディスク、光メモリ−ディスク等のディス
ク複1に必要とする情報記録担体複製用原盤の製造方法
に関するものである。
従来例の構成とその内題点
一般に高密度情報記録担体の複製用原簡は次のようにし
て製造される。平坦で満らかな表面を持つガラス原盤に
先ず光学研磨を行ない、表内の微細な傷や付着物を除去
する。次にガラス原−を超音波洗浄、有II溶剤による
洗浄を行ない、フレオンの蒸気乾燥により次工程に送ら
れる。記録材料の密着強化剤としては、有機系のプライ
マー材(シランカップリング剤)をスピン塗布もしくは
クロム等の金属膜を蒸着する。次に第11図に示すよう
にガラス原盤1に記録材料であるホトレジスト2をスピ
ン塗布し乾燥させる。ここでスピン回転数とホトレジス
ト溶液の濃度を選択することにより、乾燥優のホトレジ
ストの膜厚を数100A乃至数1000Aの範囲で任意
に設定することができる。
て製造される。平坦で満らかな表面を持つガラス原盤に
先ず光学研磨を行ない、表内の微細な傷や付着物を除去
する。次にガラス原−を超音波洗浄、有II溶剤による
洗浄を行ない、フレオンの蒸気乾燥により次工程に送ら
れる。記録材料の密着強化剤としては、有機系のプライ
マー材(シランカップリング剤)をスピン塗布もしくは
クロム等の金属膜を蒸着する。次に第11図に示すよう
にガラス原盤1に記録材料であるホトレジスト2をスピ
ン塗布し乾燥させる。ここでスピン回転数とホトレジス
ト溶液の濃度を選択することにより、乾燥優のホトレジ
ストの膜厚を数100A乃至数1000Aの範囲で任意
に設定することができる。
このようにして作られたガラス原盤1を回転させ、ホト
レジストを感光させ得る波長領域の発振波長を持つレー
ザー光源、例えばHe−cdレーザー(λ−4416人
>、ArL/−ザ(λ−4579A )を第2図に示す
ようにレンズ系3によって収束しガラス原盤1上のホト
レジスト層に照射する。一方この光源は信号によってオ
ン、オフされるので、信号に応じてホトレジスト2に光
が照射される。一般にガラス原盤1上に塗布されるホト
レジスト2は解像度及び信号形状からポジ型レジストが
用いられる。次に露光が終ったガラス原111は現一工
程へ送られmsされる。ポジ型レジストの場合は露光さ
れた部分が可溶性となり第3図に示すようにホトレジス
ト2が除去される。ホトレジスト層の除去される部分4
が厚み方向に完全になる条件、即ちガラス表面が完全に
露出する条件を選ぶことにより形成される凹部の深さ或
いは凸部の高さをホトレジスト層の厚さと等しくするこ
とができる。
レジストを感光させ得る波長領域の発振波長を持つレー
ザー光源、例えばHe−cdレーザー(λ−4416人
>、ArL/−ザ(λ−4579A )を第2図に示す
ようにレンズ系3によって収束しガラス原盤1上のホト
レジスト層に照射する。一方この光源は信号によってオ
ン、オフされるので、信号に応じてホトレジスト2に光
が照射される。一般にガラス原盤1上に塗布されるホト
レジスト2は解像度及び信号形状からポジ型レジストが
用いられる。次に露光が終ったガラス原111は現一工
程へ送られmsされる。ポジ型レジストの場合は露光さ
れた部分が可溶性となり第3図に示すようにホトレジス
ト2が除去される。ホトレジスト層の除去される部分4
が厚み方向に完全になる条件、即ちガラス表面が完全に
露出する条件を選ぶことにより形成される凹部の深さ或
いは凸部の高さをホトレジスト層の厚さと等しくするこ
とができる。
このようにして作られた凹凸状のレジスト原盤は、次に
ディスクの11報工程に必要な金’!!(スタンバ)の
−作工程へ送られる。スタンバ作製の方法は原理的には
通常のオーディオレコードと同じであるが、記録密度や
完成ディスクの機械精度の点で大きな差がありそれ相応
の配慮が必要である。レジスト原盤の表面は不導体であ
るので、電鋳を行なうためには表面を導体化する必要が
ある。導体化する方法としては古くから行なわれている
銀の無電解メッキ(銀鏡法)とニッケルの無電解メッキ
法等、又は真空中での金属(銀、ニッケル)の蒸着もし
くはスパッタリングの方法が使われている。
ディスクの11報工程に必要な金’!!(スタンバ)の
−作工程へ送られる。スタンバ作製の方法は原理的には
通常のオーディオレコードと同じであるが、記録密度や
完成ディスクの機械精度の点で大きな差がありそれ相応
の配慮が必要である。レジスト原盤の表面は不導体であ
るので、電鋳を行なうためには表面を導体化する必要が
ある。導体化する方法としては古くから行なわれている
銀の無電解メッキ(銀鏡法)とニッケルの無電解メッキ
法等、又は真空中での金属(銀、ニッケル)の蒸着もし
くはスパッタリングの方法が使われている。
第4図に表面が導体化された状態を示し、5は導体化処
理躾である。この導体化された表面をマイナス電極とし
て、又陽極としてニッケルチップを用いてスルファミン
酸ニッケル浴中で電気を通電させると、第5図に示すよ
うに原盤上にニッケル金属が析出して電鋳を行なうこと
ができる。ニッケルの厚みを300μ程度に設定し、こ
の厚みに到達したものをニッケルマスタ6と呼んでいる
。ガラス原盤からニッケルマスタ6を剥し取る。以上の
ようにしてニッケルマスクにガラス原盤の凹凸パターン
を写し取ることができる。又、マスク、マザー、スタン
バと転写するには、表面に重クロム醸カリ溶液等の浸積
による剥離Ill理を行ない、第6図に示すようにマス
タ6を母体としてマザー7をニッケル電鋳する。同様に
して、第7図に示すようにマザー7を母体としてスタン
バ8をニッケル電鋳し製作する。
理躾である。この導体化された表面をマイナス電極とし
て、又陽極としてニッケルチップを用いてスルファミン
酸ニッケル浴中で電気を通電させると、第5図に示すよ
うに原盤上にニッケル金属が析出して電鋳を行なうこと
ができる。ニッケルの厚みを300μ程度に設定し、こ
の厚みに到達したものをニッケルマスタ6と呼んでいる
。ガラス原盤からニッケルマスタ6を剥し取る。以上の
ようにしてニッケルマスクにガラス原盤の凹凸パターン
を写し取ることができる。又、マスク、マザー、スタン
バと転写するには、表面に重クロム醸カリ溶液等の浸積
による剥離Ill理を行ない、第6図に示すようにマス
タ6を母体としてマザー7をニッケル電鋳する。同様に
して、第7図に示すようにマザー7を母体としてスタン
バ8をニッケル電鋳し製作する。
以上のようにして高密度情報記録担体の複製用原盤が製
作されるが、凹凸状のレジスト層の機械的傷痕が殆んど
皆無に等しいため、レジストmvaから優か1枚のニッ
ケルマスクしかできない。このため金型を増やすために
、マザ一工程を軽てからスタンバを作製している。この
間のマスク、マザー、スタンバの転写工程が従来から存
在している為に工程が長く生産上に支障をきたしている
。
作されるが、凹凸状のレジスト層の機械的傷痕が殆んど
皆無に等しいため、レジストmvaから優か1枚のニッ
ケルマスクしかできない。このため金型を増やすために
、マザ一工程を軽てからスタンバを作製している。この
間のマスク、マザー、スタンバの転写工程が従来から存
在している為に工程が長く生産上に支障をきたしている
。
又、別の面からは凹凸状のパターンがメッキからメッキ
の転写時にだれたり、欠けたりする欠陥が発生し、S/
N比の劣化やスタンバへの汚れの問題等、ディスクへの
悪影響が問題となっている。
の転写時にだれたり、欠けたりする欠陥が発生し、S/
N比の劣化やスタンバへの汚れの問題等、ディスクへの
悪影響が問題となっている。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点を解消するもので、均質で高品
質のディスクが得られる極めて良質の複製用原盤を容易
に得られるようにすることを目的とする。
質のディスクが得られる極めて良質の複製用原盤を容易
に得られるようにすることを目的とする。
発明の構成
上記目的を達成するため、本発明の情報記録担体11顎
用原盤の顎造方法は、情報信号に応じてその一部が貫通
された記録膜を担持するli板の上記貫通部を一定深さ
蝕刻した後、上記記録膜を除去するものである。
用原盤の顎造方法は、情報信号に応じてその一部が貫通
された記録膜を担持するli板の上記貫通部を一定深さ
蝕刻した後、上記記録膜を除去するものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面(第8〜第14
図)に基づいて説明する。先ず、第8図に示すように、
平滑且つ正常なガラス原盤11の表面に、密着強化剤で
あるシランカップリング剤、例えばHMDS(ヘキサメ
チルジシラザデン)をスピン塗布し数10Aの厚みに塗
布乾燥させ、更に感光材料1あるホトレジスト12を塗
布する。ホトレジスト12としては例えば、米国シラプ
レー社のポジ型のホトレジストであるA Z 1350
を使用する。
図)に基づいて説明する。先ず、第8図に示すように、
平滑且つ正常なガラス原盤11の表面に、密着強化剤で
あるシランカップリング剤、例えばHMDS(ヘキサメ
チルジシラザデン)をスピン塗布し数10Aの厚みに塗
布乾燥させ、更に感光材料1あるホトレジスト12を塗
布する。ホトレジスト12としては例えば、米国シラプ
レー社のポジ型のホトレジストであるA Z 1350
を使用する。
ホトレジスト12の膜厚は数100λ乃至数1000人
である。このようにして作られたレジスト原盤を回転さ
せながら第9図に示すようにレンズ系13により収束さ
れたレーザー光線により記録する。次に現像工程に送ら
れアルカリ現像液、例えば前記シラプレー社のAZデベ
ロッパーを1に対し純水を0から3の割合で希釈し、ス
プルー法やam滴下方式により、レジスト原盤を回転さ
せながら現像する。ポジ型のホトレジストであるので第
10図14のように露光された部分がアルカリ現像液に
より可溶性となり除去されて凹状のパターンができる。
である。このようにして作られたレジスト原盤を回転さ
せながら第9図に示すようにレンズ系13により収束さ
れたレーザー光線により記録する。次に現像工程に送ら
れアルカリ現像液、例えば前記シラプレー社のAZデベ
ロッパーを1に対し純水を0から3の割合で希釈し、ス
プルー法やam滴下方式により、レジスト原盤を回転さ
せながら現像する。ポジ型のホトレジストであるので第
10図14のように露光された部分がアルカリ現像液に
より可溶性となり除去されて凹状のパターンができる。
代表的なこれらのパターンは、コンパクトディスクでは
幅0.4〜0.6μm、深さ1100〜1300A1ト
ラツクピツチ1.6μmである。前記のように現像され
た凹状のビットの底はガラス表面が露出しており、次い
でこの部分14をエツチングしガラスを蝕刻する。その
方法としては、溶液中で化学的にエツチングする所謂ウ
ェットエツチング法と物理的機構によりエツチングする
ドライエツチング法がある。前者は化学薬品を用いて行
なうもので、例えばフッ化水素水とフッ化アンモニウム
の混合液でガラス面をエツチングするものであるが、湿
式による方法は最侵に必ず純水を用いた洗浄工程が入り
処理時間が短かくならない。又、ホトレジストの耐蝕性
も不充分である。ドライエツチング法としてはプラズマ
エツチング、スパッタエツチング、イオンエツチング等
がある。本発明者等はスパッタエツチングの1つである
反応性スパッタエツチングを使用しホトレジストをマス
キング材としてエツチングを行なった。エツチング条件
として種々検討の結果、ガラス材質の内、通常の原盤で
ある青板ガラス(ソーダ石灰ガラス)を蝕刻するには、
フロロカーボンガスよりもArガスの方が良いことが判
った。これはホトレジストのエツチングレートが7OO
カーボンガスでは大きい為に、ガラスを蝕刻する前にマ
スクであるホトレジストが先にエツチングされてしまう
ためである。
幅0.4〜0.6μm、深さ1100〜1300A1ト
ラツクピツチ1.6μmである。前記のように現像され
た凹状のビットの底はガラス表面が露出しており、次い
でこの部分14をエツチングしガラスを蝕刻する。その
方法としては、溶液中で化学的にエツチングする所謂ウ
ェットエツチング法と物理的機構によりエツチングする
ドライエツチング法がある。前者は化学薬品を用いて行
なうもので、例えばフッ化水素水とフッ化アンモニウム
の混合液でガラス面をエツチングするものであるが、湿
式による方法は最侵に必ず純水を用いた洗浄工程が入り
処理時間が短かくならない。又、ホトレジストの耐蝕性
も不充分である。ドライエツチング法としてはプラズマ
エツチング、スパッタエツチング、イオンエツチング等
がある。本発明者等はスパッタエツチングの1つである
反応性スパッタエツチングを使用しホトレジストをマス
キング材としてエツチングを行なった。エツチング条件
として種々検討の結果、ガラス材質の内、通常の原盤で
ある青板ガラス(ソーダ石灰ガラス)を蝕刻するには、
フロロカーボンガスよりもArガスの方が良いことが判
った。これはホトレジストのエツチングレートが7OO
カーボンガスでは大きい為に、ガラスを蝕刻する前にマ
スクであるホトレジストが先にエツチングされてしまう
ためである。
又、ガラス材としてのエツチングレートを上げる為には
コスト高となるが、石英ガラスやパイレックスガラス等
を使用することができる。−例として青板ガラスを用い
、エツチングガスはArガスで、真空度6xlOTor
r、電源パワー120W 、エツチング時間30分で約
1200Aの蝕刻ができた。この状態が第11図の15
の部分である。次に残留しているホトレジストを剥離剤
、例えばアセトンやシラプレー社のリムパー1112A
溶液により除去する。
コスト高となるが、石英ガラスやパイレックスガラス等
を使用することができる。−例として青板ガラスを用い
、エツチングガスはArガスで、真空度6xlOTor
r、電源パワー120W 、エツチング時間30分で約
1200Aの蝕刻ができた。この状態が第11図の15
の部分である。次に残留しているホトレジストを剥離剤
、例えばアセトンやシラプレー社のリムパー1112A
溶液により除去する。
更に表面を超音波洗浄、有機溶剤洗浄を行ない、フレオ
ンの蒸気乾燥を行なうことによって、第12図に示すよ
うに信号溝付ガラスマスクができ上がる。次に第13図
に示すようにスパッタリングでニッケルを700A l
!j度凹凸凹凸状パター2面け表面を導体化して導体化
処理M17を形成し、その後第14図に示すようにニッ
ケルマスク18を電鋳により作製する。再度ニッケルマ
スクを作製するときは信号溝付ガラスマスタからニッケ
ルマスクを剥し取る。同様の方法を繰り返して我々は、
10数枚のニッケルマスクを1枚の信号溝付ガラスマス
クがら作製することができ、又そのニッケルマスクは良
質なガラス表面が保存されることにより、高品質のディ
スクの生産が可能となった。
ンの蒸気乾燥を行なうことによって、第12図に示すよ
うに信号溝付ガラスマスクができ上がる。次に第13図
に示すようにスパッタリングでニッケルを700A l
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処理M17を形成し、その後第14図に示すようにニッ
ケルマスク18を電鋳により作製する。再度ニッケルマ
スクを作製するときは信号溝付ガラスマスタからニッケ
ルマスクを剥し取る。同様の方法を繰り返して我々は、
10数枚のニッケルマスクを1枚の信号溝付ガラスマス
クがら作製することができ、又そのニッケルマスクは良
質なガラス表面が保存されることにより、高品質のディ
スクの生産が可能となった。
このように本実施例によれば次のような利点がある。
■ 1枚の信号溝付ガラスマスクからニッケルマスクが
均質に多数作製できる。
均質に多数作製できる。
■ 多数のニッケルマスクが作製できることによってニ
ッケルマスクを金型として使えることにより、スタンパ
を金型として使うときよりS/N比の劣化の少ない高品
質で、均質なディスクが再現性良く得られる。
ッケルマスクを金型として使えることにより、スタンパ
を金型として使うときよりS/N比の劣化の少ない高品
質で、均質なディスクが再現性良く得られる。
■ 多数のニッケルマスクが作製できるため従来法のマ
スク、マザー、スタンバ工程の転写工程が省略でき、工
数の低減が可能となった。
スク、マザー、スタンバ工程の転写工程が省略でき、工
数の低減が可能となった。
更に最も大きな特徴の1つは、欠陥を持ちやすいレジス
ト表面でなく基板表面を保存して転写されるので、例え
ば基板としてガラスを用いた場合その表面ははるかに優
れたものであり、極めて良質のWIIIl用原盤表面を
得ることができる。
ト表面でなく基板表面を保存して転写されるので、例え
ば基板としてガラスを用いた場合その表面ははるかに優
れたものであり、極めて良質のWIIIl用原盤表面を
得ることができる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、均質で高品質のディスク
が傳られる極めて良質の複製用原盤を容易に製作するこ
とができる。
が傳られる極めて良質の複製用原盤を容易に製作するこ
とができる。
第1図〜第7図は従来の製造方法を示す工程図、第8図
〜第14図は本発明の一実施例におけるII造方法を示
す工程図である。 11・・・ガラス原盤、12・・・ホトレジスト、13
・・・レンズ系、14・・・露光部分、15・・・蝕刻
部分、16・・・信号溝付ガラスマスタ、17・・・導
体化処理膜、18・・・ニッケルマスク 代理人 森 本 義 弘
〜第14図は本発明の一実施例におけるII造方法を示
す工程図である。 11・・・ガラス原盤、12・・・ホトレジスト、13
・・・レンズ系、14・・・露光部分、15・・・蝕刻
部分、16・・・信号溝付ガラスマスタ、17・・・導
体化処理膜、18・・・ニッケルマスク 代理人 森 本 義 弘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、情報信号に応じてその一部が興通された記録膜を担
持する基板の上記貫通部を一定深さ蝕刻した後、上記記
録膜を除去する情報記録担体複1用原盤の製造方法。 2、スパッタエツチング又はイオンエツチング又はプラ
ズマエツチングによって蝕刻を行なう特許請求の範囲第
1項記載の情報記録担体複製用原盤の製造方法。 3、IA板としてガラス材料を用いる特許請求の範囲第
1項記載の情報記録担体複製用原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5170884A JPS60195748A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5170884A JPS60195748A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60195748A true JPS60195748A (ja) | 1985-10-04 |
Family
ID=12894392
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5170884A Pending JPS60195748A (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60195748A (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
JPS58155550A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 異なる深さを持つ溝を同時に形成する方法 |
JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
JPS60147946A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-05 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
-
1984
- 1984-03-16 JP JP5170884A patent/JPS60195748A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS529353A (en) * | 1975-07-11 | 1977-01-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Solid-state oscillator |
JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
JPS58155550A (ja) * | 1982-03-12 | 1983-09-16 | Hitachi Ltd | 異なる深さを持つ溝を同時に形成する方法 |
JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
JPS60147946A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-05 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
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