JPS59210547A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS59210547A JPS59210547A JP8461383A JP8461383A JPS59210547A JP S59210547 A JPS59210547 A JP S59210547A JP 8461383 A JP8461383 A JP 8461383A JP 8461383 A JP8461383 A JP 8461383A JP S59210547 A JPS59210547 A JP S59210547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- optical memory
- memory element
- guide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるためである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に清報を記録したり、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならないのである。一般
に再生専用の光メモリでは記録したビットに予め番地情
報を入れておく事ができるので記録情報を再生しながら
光ビームの位置決めをすることができるが、追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録
時に番地情報まで一緒に記録する事は極めて困難である
。
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるためである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まった
場所に清報を記録したり、あるいはある定まった場所に
記録された情報を再生したりするためには光ビームを極
めて正確に位置決めしなければならないのである。一般
に再生専用の光メモリでは記録したビットに予め番地情
報を入れておく事ができるので記録情報を再生しながら
光ビームの位置決めをすることができるが、追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリにおいては情報記録
時に番地情報まで一緒に記録する事は極めて困難である
。
従って追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリで
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れてお（という方法が採られている。例えば第１図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基板
に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録あ
るいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は円
周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビッ
ト情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はす
てに何種類か提案されている。たとえば第２図に示す如
く凹凸の溝の入ったＮ１スタンパ−１を用い射出成形に
よりアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板２に直接
凹凸の溝を転写する方法や、第３図に示す如くガラスあ
るいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンノ
々−１かしこれらの方法はいずれも樹脂を用いているの
で樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する
ため記録媒体の品質が劣化するという欠７虐を有する。
はメモリ基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地
を入れてお（という方法が採られている。例えば第１図
に従来の追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
のメモリ基板の一部斜視図を示すが同図に示す如く基板
に凹凸の溝を形成しておきこの溝に添って情報を記録あ
るいは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝は円
周方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビッ
ト情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はす
てに何種類か提案されている。たとえば第２図に示す如
く凹凸の溝の入ったＮ１スタンパ−１を用い射出成形に
よりアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板２に直接
凹凸の溝を転写する方法や、第３図に示す如くガラスあ
るいはアクリル等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンノ
々−１かしこれらの方法はいずれも樹脂を用いているの
で樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達する
ため記録媒体の品質が劣化するという欠７虐を有する。
く目的〉
本発明は以上の従来技術に改良を加えたものて水分、酸
素等による記録媒体の腐蝕に対して信頼性の高い光メモ
リ素子を作成する為の製造方法を提供することを目的と
するものである。
素等による記録媒体の腐蝕に対して信頼性の高い光メモ
リ素子を作成する為の製造方法を提供することを目的と
するものである。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第４図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製滴を工
程順に示す説明図である。
程順に示す説明図である。
次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基板の製造
の一実施例を工程順に説明する。
の一実施例を工程順に説明する。
工程（ｉ）・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の高
い（酸素、水分等を通過させない）ガラス基板５の上に
レジスト膜６を塗布する（第４図（ａ））。
い（酸素、水分等を通過させない）ガラス基板５の上に
レジスト膜６を塗布する（第４図（ａ））。
工程（１１）・・・上記ガラス基板５の上に塗布したレ
ジスト膜６にＡｒ レーザ等の光７を対物レンズ８を介
して照射して光メモリ素子用のガイド溝（第１図参照）
の巾と同一の巾を持つ線（あるいは番地信号を記録する
断続線）を書き込む（第４図（ｂ））。
ジスト膜６にＡｒ レーザ等の光７を対物レンズ８を介
して照射して光メモリ素子用のガイド溝（第１図参照）
の巾と同一の巾を持つ線（あるいは番地信号を記録する
断続線）を書き込む（第４図（ｂ））。
工程ａ１１）・・上記線（若しくは断続線）を書き込ん
だレジスト膜６を現像工程に通すことで上記レジスト膜
６に凹凸の溝を形成する （第４図（Ｃ））。
だレジスト膜６を現像工程に通すことで上記レジスト膜
６に凹凸の溝を形成する （第４図（Ｃ））。
工程Ｇｖ）・上記凹凸の溝を形成したレジスト膜６の被
覆状態において、ＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 等のエツチング
ガス中でスパッタリング（リアクティブイオンエツチン
グ）を行ないガラス基板５に溝９を形成する（第４図（
ｄ））。
覆状態において、ＣＦ４ 、ＣＨＦ３ 等のエツチング
ガス中でスパッタリング（リアクティブイオンエツチン
グ）を行ないガラス基板５に溝９を形成する（第４図（
ｄ））。
工程（７戸−・上記レジスト膜６をアセトン等の溶媒。
０２中でのスパッタリング等により除去する。この結果
ガラス基板５に溝９が残るＣ９４４図（ｅ））。
ガラス基板５に溝９が残るＣ９４４図（ｅ））。
以上の基板の製法において工程（１１）でＡｒ レーザ
等の光７でレジスト膜６にガイド溝を形成する為の線潜
像を形成したが、この方法以外の方法として予めガイド
溝を記録したフォトマスクを製造しておき、該フォトマ
スクを利用して紫外線照射によってガイド溝の潜像を形
成してもよい。
等の光７でレジスト膜６にガイド溝を形成する為の線潜
像を形成したが、この方法以外の方法として予めガイド
溝を記録したフォトマスクを製造しておき、該フォトマ
スクを利用して紫外線照射によってガイド溝の潜像を形
成してもよい。
第５図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製製法の他
の実施例を示す説明図である。次に同図に従い本発明に
係る光メモリ素子の基板の製法の他の実施例を説明する
。まず酸素、水分等の通過に対して信頼性の高いガラス
基板５の上にＳ ｉ０２膜１０をスパッタリング法、電
子ビーム蒸着法。
の実施例を示す説明図である。次に同図に従い本発明に
係る光メモリ素子の基板の製法の他の実施例を説明する
。まず酸素、水分等の通過に対して信頼性の高いガラス
基板５の上にＳ ｉ０２膜１０をスパッタリング法、電
子ビーム蒸着法。
ＣＶＤ法等によって形成する（第５図（ａ））。該５ｉ
０２膜１０は正確には５１０２でなくとも良く、上記膜
形成法にて生成される５ｉｎ）（膜で良いことは勿論で
ある。上記５ｉ０２膜１０を形成したガラス基板５の上
にレジスト膜６を塗布する。以下第４図に示した工程と
同じ工程をたどることによって第５図（ｂ）に示される
如くガラス基板５上の５１０２膜１０に溝を形成する（
第５図（ｂ））。この第５図に示した製法によれは第４
図に示した製法と比へて基板に凹凸の溝をスパックエツ
チングによって形成する際その速度が早いという利点及
び上記凹凸の溝が５ｉ０２膜単体に形成される為エツチ
ング深さの均一性を得るという利点がある。尚、第４図
に示した製法では基板に凹凸の溝をスパッタエツチング
によって形成する場合そのエツチング速度が比較的遅く
、又ガラス基板において組成むらが存在する為エツチン
グ深さが不均一になるという短所がある。
０２膜１０は正確には５１０２でなくとも良く、上記膜
形成法にて生成される５ｉｎ）（膜で良いことは勿論で
ある。上記５ｉ０２膜１０を形成したガラス基板５の上
にレジスト膜６を塗布する。以下第４図に示した工程と
同じ工程をたどることによって第５図（ｂ）に示される
如くガラス基板５上の５１０２膜１０に溝を形成する（
第５図（ｂ））。この第５図に示した製法によれは第４
図に示した製法と比へて基板に凹凸の溝をスパックエツ
チングによって形成する際その速度が早いという利点及
び上記凹凸の溝が５ｉ０２膜単体に形成される為エツチ
ング深さの均一性を得るという利点がある。尚、第４図
に示した製法では基板に凹凸の溝をスパッタエツチング
によって形成する場合そのエツチング速度が比較的遅く
、又ガラス基板において組成むらが存在する為エツチン
グ深さが不均一になるという短所がある。
ここで第５図の例では５ｉ０２膜１０の膜厚に等しい溝
を形成したが、第６図に示す如く予め５ｉ０２膜１０（
あるいはＳ’ ｉ ０ ｘ膜）の膜厚を充分厚く形成し
、凹凸の溝を形成する際のスパッタエツチングを５１０
２膜１０の膜厚の途中で止めることによって５ｉ０２膜
上に凹凸の溝を形成しても構わない。
を形成したが、第６図に示す如く予め５ｉ０２膜１０（
あるいはＳ’ ｉ ０ ｘ膜）の膜厚を充分厚く形成し
、凹凸の溝を形成する際のスパッタエツチングを５１０
２膜１０の膜厚の途中で止めることによって５ｉ０２膜
上に凹凸の溝を形成しても構わない。
この製法を採用すれはガラス基板５を構成する金属物質
、例えばＮａ等のアルカリ金属が基板表面に溶出するこ
とが無くなるので、基板表面上に被覆形成する記録媒体
の金属物質による劣化等を防止できるものである。
、例えばＮａ等のアルカリ金属が基板表面に溶出するこ
とが無くなるので、基板表面上に被覆形成する記録媒体
の金属物質による劣化等を防止できるものである。
尚、第５図及び第６図に示した製法ではガラス基板上に
５ｉ０２膜１０（若しくは５ｉＯＸ膜）を被覆形成して
凹凸の溝を形成したが、上記５１０２膜（若しくは５Ｉ
ＯＸ膜）以外にＳｉ３Ｎ４膜、Ａ４Ｎ膜。
５ｉ０２膜１０（若しくは５ｉＯＸ膜）を被覆形成して
凹凸の溝を形成したが、上記５１０２膜（若しくは５Ｉ
ＯＸ膜）以外にＳｉ３Ｎ４膜、Ａ４Ｎ膜。
ＭｇＦ膜等の他の誘電体膜を用いても良く、又これらの
誘電体膜を積層して構成しても良い。
誘電体膜を積層して構成しても良い。
第７．図は第５図、第６図に示した製法によって得た基
板を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図であ
る。同図においてガラス基板５上に５ｉ０２膜（若しく
は５ｉｎ）（膜）からなる凹凸の溝（即ちガイドトラッ
ク）付の誘電体膜１ｏが被覆され、該誘電体膜１０上に
該誘電体膜１ｏの屈折率より大きな屈折率を有する例え
ばＡＩ！Ｎ膜、ＳｉＯ膜等の誘電体膜１１が被覆される
。この誘電体膜１１の膜厚は５００〜ＩｏｏｏＡ程度で
ある。上記誘電体膜１１上にＧｄＴｂＦｅ 、ＴｂＦｅ
、ＧｄＣｏＦｅ等の希土類と遷移金属との合金薄膜１
２（記録媒体）か被覆される。この合金薄膜１２の膜厚
は５０〜４００λ程度である。この合金薄膜１２の膜厚
の下限は垂直磁化膜の作成条件から決まり、上限は磁気
光学効果の増大条件から決まる。よって上記合金薄膜１
２の適正膜厚は膜生成方法に依存する。上記合金薄膜Ｉ
２をスパッタリングによって膜生成する場合その膜厚が
５０λ程度以下だと垂直磁化膜を得る事が困難であるの
でその膜厚は５０八程度より大であることが必要である
。上記合金薄膜■２の上にはＡｌＮ、５ｉ０２等の誘電
体膜１３．及びＣｕ、Ａｌ、ステンレス、Ｎｉ等の金属
からなる反射膜Ｉ４が形成される。上記誘電体膜１３及
び反射膜１４は磁気光学効果の特性向上を促すとともに
上記合金薄膜１２への酸素及び水分の到達を防止する作
用を有する。１５は接着層、１６は該接着層１５より接
着されるガラス、アクリル等からなる保護板である。こ
の保護板１６の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせ
に貼り合わせて両面使用のメモリ素子にすることも可能
である。
板を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図であ
る。同図においてガラス基板５上に５ｉ０２膜（若しく
は５ｉｎ）（膜）からなる凹凸の溝（即ちガイドトラッ
ク）付の誘電体膜１ｏが被覆され、該誘電体膜１０上に
該誘電体膜１ｏの屈折率より大きな屈折率を有する例え
ばＡＩ！Ｎ膜、ＳｉＯ膜等の誘電体膜１１が被覆される
。この誘電体膜１１の膜厚は５００〜ＩｏｏｏＡ程度で
ある。上記誘電体膜１１上にＧｄＴｂＦｅ 、ＴｂＦｅ
、ＧｄＣｏＦｅ等の希土類と遷移金属との合金薄膜１
２（記録媒体）か被覆される。この合金薄膜１２の膜厚
は５０〜４００λ程度である。この合金薄膜１２の膜厚
の下限は垂直磁化膜の作成条件から決まり、上限は磁気
光学効果の増大条件から決まる。よって上記合金薄膜１
２の適正膜厚は膜生成方法に依存する。上記合金薄膜Ｉ
２をスパッタリングによって膜生成する場合その膜厚が
５０λ程度以下だと垂直磁化膜を得る事が困難であるの
でその膜厚は５０八程度より大であることが必要である
。上記合金薄膜■２の上にはＡｌＮ、５ｉ０２等の誘電
体膜１３．及びＣｕ、Ａｌ、ステンレス、Ｎｉ等の金属
からなる反射膜Ｉ４が形成される。上記誘電体膜１３及
び反射膜１４は磁気光学効果の特性向上を促すとともに
上記合金薄膜１２への酸素及び水分の到達を防止する作
用を有する。１５は接着層、１６は該接着層１５より接
着されるガラス、アクリル等からなる保護板である。こ
の保護板１６の代わりにメモリ素子の２枚を背中合わせ
に貼り合わせて両面使用のメモリ素子にすることも可能
である。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第７図に示した合
金薄膜１２の膜厚を厚くして反射膜１４を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴ
ｅ ＋ Ｔ ｅ Ｓ ＋ Ｔ ｅ Ｏｘ等を記録媒体と
する追加記録型の光メモリ素子においても適用可能であ
る。
モリ素子について示したが、本発明は第７図に示した合
金薄膜１２の膜厚を厚くして反射膜１４を除去した構造
を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あるいはＴ
ｅ ＋ Ｔ ｅ Ｓ ＋ Ｔ ｅ Ｏｘ等を記録媒体と
する追加記録型の光メモリ素子においても適用可能であ
る。
〈効果〉
本発明によれば光メモリ素子のガイド信号あるいはガイ
ド番地の形成に樹脂材を用いないので酸素あるいは水分
等が記録媒体に達することを防止でき、その為信頼性の
高い光メモリ素子を得ることができるものである。
ド番地の形成に樹脂材を用いないので酸素あるいは水分
等が記録媒体に達することを防止でき、その為信頼性の
高い光メモリ素子を得ることができるものである。
第１図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第２図及び第
３図は従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図、第４
図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製法の一実施例
を示す説明図、第５図及び第６図は本発明に係る光メモ
リ素子の基板の製法の他の実施例を示す説明図、第７図
は本発明に係る光メモリ素子の一部側面断面図を示す。 図中、１：Ｎ１スタンパ−２：樹脂基板３；紫外線硬化
樹脂 ４；基板 ５ニガラス基板 ６：レジスト膜７：光
８：対物レンズ９：溝 ］ ０
： ５ｉ０２膜ｌｌ：誘電体膜 １２：合金薄膜
１３：誘電体膜 １４：反射膜 １５：接着層 １６：保護板 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２（２１ 第３０ 第４ 図 第５図 第６図 量 第７図
３図は従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図、第４
図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製法の一実施例
を示す説明図、第５図及び第６図は本発明に係る光メモ
リ素子の基板の製法の他の実施例を示す説明図、第７図
は本発明に係る光メモリ素子の一部側面断面図を示す。 図中、１：Ｎ１スタンパ−２：樹脂基板３；紫外線硬化
樹脂 ４；基板 ５ニガラス基板 ６：レジスト膜７：光
８：対物レンズ９：溝 ］ ０
： ５ｉ０２膜ｌｌ：誘電体膜 １２：合金薄膜
１３：誘電体膜 １４：反射膜 １５：接着層 １６：保護板 代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第１図 第２（２１ 第３０ 第４ 図 第５図 第６図 量 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜にレーザ光等の光を照射してガイド溝パタ
ーンを記録し、 前記ガイド溝パターンを記録したレジスト膜を現像し、 現像後の前記レジスト膜の被覆状態においてスパッタリ
ングを行なうことによって前記基板にガイド溝を形成し
、 該ガイド溝を形成した後の基板上に記録媒体を被覆した
ことを特徴とする光メモリ素子の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8461383A JPS59210547A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光メモリ素子の製造方法 |
| US06/606,534 US4544443A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-03 | Method for manufacturing an optical memory element |
| CA000453843A CA1234684A (en) | 1983-05-13 | 1984-05-08 | Method for manufacturing an optical memory element |
| DE8484303176T DE3485354D1 (de) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Verfahren zur erzeugung eines optischen speicherelements. |
| EP91108307A EP0446967B1 (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | An optical memory element |
| EP84303176A EP0126594B1 (en) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Method for manufacturing an optical memory element |
| DE3486405T DE3486405T2 (de) | 1983-05-13 | 1984-05-10 | Optisches Speicherelement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8461383A JPS59210547A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光メモリ素子の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2240762A Division JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59210547A true JPS59210547A (ja) | 1984-11-29 |
Family
ID=13835542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8461383A Pending JPS59210547A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59210547A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
| JPS60195748A (ja) * | 1984-03-16 | 1985-10-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録担体複製用原盤の製造方法 |
| JPS6266442A (ja) * | 1985-09-19 | 1987-03-25 | Sharp Corp | 光メモリ素子用フオトマスク |
| US5170390A (en) * | 1988-08-22 | 1992-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element and driving system |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135503A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Sony Corp | Information recording media production method |
| JPS5210102A (en) * | 1975-07-15 | 1977-01-26 | Canon Inc | Recording medium |
| JPS5477105A (en) * | 1977-12-01 | 1979-06-20 | Pioneer Electronic Corp | Method of producing optical signal recording carrier |
| JPS54107705A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-23 | Pioneer Electronic Corp | Method of fabricating information recording carrier |
| JPS54138405A (en) * | 1978-04-19 | 1979-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation method of information recording media |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP8461383A patent/JPS59210547A/ja active Pending
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| US5335220A (en) * | 1988-08-22 | 1994-08-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element and driving system |
| US5459711A (en) * | 1988-08-22 | 1995-10-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical recording element and driving system |
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