JPH0690809B2 - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- JPH0690809B2 JPH0690809B2 JP2240762A JP24076290A JPH0690809B2 JP H0690809 B2 JPH0690809 B2 JP H0690809B2 JP 2240762 A JP2240762 A JP 2240762A JP 24076290 A JP24076290 A JP 24076290A JP H0690809 B2 JPH0690809 B2 JP H0690809B2
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- JP
- Japan
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- film
- optical memory
- memory device
- guide groove
- manufacturing
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ素子の製
造方法に関する。
造方法に関する。
＜従来の技術＞ 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるためである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加えることになる。すなわち、ある
定まった場所に情報を記憶したり、あるいは、ある定ま
った場所に記録された情報を再生したりするためには光
ビームを極めて正確に位置決めしなければならないので
ある。一般に再生専用の光メモリでは記録したビットに
あらかじめ番地情報を入れておくことができるので記録
情報を再生しながら光ビームの位置決めをすることがで
きるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
においては情報記録時に番地情報まで一緒に記録するこ
とは極めて困難である。したがって追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板にあらかじめ
何等かのガイド信号及びガイド番地を入れておくという
方法が採られている。例えば第５図に従来の追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の一部
斜視図をしめすが、同図に示すように基板に凹凸の溝を
形成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生す
る方法が一般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続
した形状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与え
るのである。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されている。例えば第６図に示すように凹凸の溝の
入ったNiスタンパーを用い射出成形によりアクリルやポ
リカーボネート等の樹脂基板２に直接凹凸の溝を転写す
る方法や、第７図に示すようにガラスあるいはアクリル
等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンパー１との間に紫
外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化樹脂に凹凸の溝を
転写する方法（2P法）等である。
て注目されている。この光メモリが高密度及び大容量と
なる理由は、情報の記録単位であるビットが光のビーム
径だけで決まるため、その形状を１μｍ程度の大きさに
することができるためである。しかしこの事は光メモリ
装置に多くの制限を加えることになる。すなわち、ある
定まった場所に情報を記憶したり、あるいは、ある定ま
った場所に記録された情報を再生したりするためには光
ビームを極めて正確に位置決めしなければならないので
ある。一般に再生専用の光メモリでは記録したビットに
あらかじめ番地情報を入れておくことができるので記録
情報を再生しながら光ビームの位置決めをすることがで
きるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモリ
においては情報記録時に番地情報まで一緒に記録するこ
とは極めて困難である。したがって追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板にあらかじめ
何等かのガイド信号及びガイド番地を入れておくという
方法が採られている。例えば第５図に従来の追加記録メ
モリあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の一部
斜視図をしめすが、同図に示すように基板に凹凸の溝を
形成しておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生す
る方法が一般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続
した形状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与え
るのである。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されている。例えば第６図に示すように凹凸の溝の
入ったNiスタンパーを用い射出成形によりアクリルやポ
リカーボネート等の樹脂基板２に直接凹凸の溝を転写す
る方法や、第７図に示すようにガラスあるいはアクリル
等の基板４と凹凸の溝の入ったスタンパー１との間に紫
外線硬化樹脂３を挿入し該紫外線硬化樹脂に凹凸の溝を
転写する方法（2P法）等である。
＜発明が解決しようとする課題＞ しかしこれらの方法はいずれも樹脂を用いているので樹
脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するため
記録媒体の品質が劣化するという問題があった。
脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するため
記録媒体の品質が劣化するという問題があった。
本発明は以上の従来技術に改良を加えたものであって、
水分、酸素等による記録媒体の腐食にたいして信頼性の
高い光メモリ素子を作成するための製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
水分、酸素等による記録媒体の腐食にたいして信頼性の
高い光メモリ素子を作成するための製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
＜課題を解決するための手段＞ 上述の目的を達成するために、本発明は光ビームを照射
することで情報を記録しあるいは再生する光メモリ素子
の製造方法において、ガラス基板上にSiの酸化物からな
る膜を形成し、該Siの酸化物からなる膜上にレジスト膜
を被覆し、該レジスト膜に光を照射してガイド溝パター
ンを記録し、該ガイド溝パターンを記録したレジスト膜
を現像し、現像後の前記レジスト膜の被覆状態におい
て、前記Siの酸化物からなる膜の途中の深さまでリアク
ティブイオンエッチングを行うことによって、ガイド溝
底部にSiの酸化物の層が残った状態のガイド溝を形成
し、該ガイド溝を形成した後の前記Siの酸化物からなる
膜上に記録媒体を被覆したことを特徴とする光メモリ素
子の製造方法である。
することで情報を記録しあるいは再生する光メモリ素子
の製造方法において、ガラス基板上にSiの酸化物からな
る膜を形成し、該Siの酸化物からなる膜上にレジスト膜
を被覆し、該レジスト膜に光を照射してガイド溝パター
ンを記録し、該ガイド溝パターンを記録したレジスト膜
を現像し、現像後の前記レジスト膜の被覆状態におい
て、前記Siの酸化物からなる膜の途中の深さまでリアク
ティブイオンエッチングを行うことによって、ガイド溝
底部にSiの酸化物の層が残った状態のガイド溝を形成
し、該ガイド溝を形成した後の前記Siの酸化物からなる
膜上に記録媒体を被覆したことを特徴とする光メモリ素
子の製造方法である。
＜作用＞ ガラス基板上にSiの酸化物からなる膜を形成した後、こ
の膜上にレジスト膜を被覆する。このレジスト膜に光を
照射してガイド溝パターンを記録してこれを現像する。
この現像後のレジスト膜の被覆状態において、Siの酸化
物からなる膜の途中の深さまでリアクティブイオンエッ
チングを行い、ガイド溝底部にSiの酸化物の層が残った
状態のガイド溝を形成する。こうして作成されたガイド
溝を有するSiの酸化物からなる膜上に記録媒体を被覆す
ることによって光メモリ素子を製造する。
の膜上にレジスト膜を被覆する。このレジスト膜に光を
照射してガイド溝パターンを記録してこれを現像する。
この現像後のレジスト膜の被覆状態において、Siの酸化
物からなる膜の途中の深さまでリアクティブイオンエッ
チングを行い、ガイド溝底部にSiの酸化物の層が残った
状態のガイド溝を形成する。こうして作成されたガイド
溝を有するSiの酸化物からなる膜上に記録媒体を被覆す
ることによって光メモリ素子を製造する。
＜実施例＞ 以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
まず第１図を用いて、光メモリ素子の基板の製法の基礎
的な工程を順を追って説明する。
的な工程を順を追って説明する。
工程（１）…酸素、水分等の通過に対して信頼性の高い
（酸素、水分等を通過させない）ガラス基板５の上にレ
ジスト膜６を塗布する。（第１図（ａ））。
（酸素、水分等を通過させない）ガラス基板５の上にレ
ジスト膜６を塗布する。（第１図（ａ））。
工程（２）…上記ガラス基板５の上に塗布したレジスト
膜６にArレーザ等の光７を対物レンズ８を会して照射し
て光メモリ素子用のガイド溝（第５図参照）の幅と同一
の幅を持つ線（あるいは番地信号を記録する断続線）を
書き込む（第１図（ｂ））。
膜６にArレーザ等の光７を対物レンズ８を会して照射し
て光メモリ素子用のガイド溝（第５図参照）の幅と同一
の幅を持つ線（あるいは番地信号を記録する断続線）を
書き込む（第１図（ｂ））。
工程（３）…上記線（若しくは断続線）を書き込んだレ
ジスト膜６を現像工程に通すことで上記レジスト膜６に
凹凸の溝の潜像を形成する（第１図（ｃ））。
ジスト膜６を現像工程に通すことで上記レジスト膜６に
凹凸の溝の潜像を形成する（第１図（ｃ））。
工程（４）…上記凹凸の溝を形成したレジスト膜６の被
覆状態においてCF4、CHF3等のエッチングガス中でスパ
ッタリング（リアクティブイオネッチング）を行いガラ
ス基板５に溝９を形成する（第１図（ｄ））。
覆状態においてCF4、CHF3等のエッチングガス中でスパ
ッタリング（リアクティブイオネッチング）を行いガラ
ス基板５に溝９を形成する（第１図（ｄ））。
工程（５）…上記レジスト膜６をアセトン等の溶媒ある
いはO2中でのスパッタリング等により除去する。この結
果ガラス基板５に溝９が残る（第１図（ｅ））。
いはO2中でのスパッタリング等により除去する。この結
果ガラス基板５に溝９が残る（第１図（ｅ））。
以上の基板の製法において工程（２）でArレーザ等の光
７でレジスト膜６にガイド溝を形成するための線潜像を
形成したが、この方法以外の方法としてあらかじめガイ
ド溝を記録したフォトマスクを製造しておき、該フォト
マスクを利用して紫外線照射によってガイド溝の潜像を
形成してもよい。
７でレジスト膜６にガイド溝を形成するための線潜像を
形成したが、この方法以外の方法としてあらかじめガイ
ド溝を記録したフォトマスクを製造しておき、該フォト
マスクを利用して紫外線照射によってガイド溝の潜像を
形成してもよい。
次に上記基礎工程を用いた光メモリ素子の基板の製法の
実施例を第２図を用いて説明する。
実施例を第２図を用いて説明する。
まず酸素、水分等の通過に対して信頼性の高いガラス基
板５の上にSiO2膜10をスパッタリング法、電子ビーム蒸
着法、CVD法等によって形成する（第２図（ａ））。該S
iO2膜10は正確にはSiO2でなくとも良く、上記膜形成法
にて生成されるSiOx膜で良いことは勿論である。上記Si
O2膜10を形成したガラス基板５の上にレジスト膜６を塗
布する。以下第１図に示した工程と同じ工程をたどるこ
とによって第２図（ｂ）に示されるようにガラス基板５
上のSiO2膜10に溝を形成する（第２図（ｂ））。
板５の上にSiO2膜10をスパッタリング法、電子ビーム蒸
着法、CVD法等によって形成する（第２図（ａ））。該S
iO2膜10は正確にはSiO2でなくとも良く、上記膜形成法
にて生成されるSiOx膜で良いことは勿論である。上記Si
O2膜10を形成したガラス基板５の上にレジスト膜６を塗
布する。以下第１図に示した工程と同じ工程をたどるこ
とによって第２図（ｂ）に示されるようにガラス基板５
上のSiO2膜10に溝を形成する（第２図（ｂ））。
この第２図に示した製法によれば第１図に示した製法と
比べて基板に凹凸の溝をスパッタエッチングによって形
成する際その速度が速いという利点及び上記凹凸の溝が
SiO2膜単体に形成されるためエッチング深さの均一性を
得るという利点がある。なお、第１図に示した製法では
基板に凹凸の溝をスパッタエッチングによって形成する
場合そのエッチング速度が比較的遅く、またガラス基板
において組成むらが存在するためエッチング深さが不均
一になるという短所がある。
比べて基板に凹凸の溝をスパッタエッチングによって形
成する際その速度が速いという利点及び上記凹凸の溝が
SiO2膜単体に形成されるためエッチング深さの均一性を
得るという利点がある。なお、第１図に示した製法では
基板に凹凸の溝をスパッタエッチングによって形成する
場合そのエッチング速度が比較的遅く、またガラス基板
において組成むらが存在するためエッチング深さが不均
一になるという短所がある。
ここで第２図の例ではSiO2膜10の膜厚に等しい溝を形成
したが、第３図に示すようにあらかじめSiO2膜10（ある
いはSiOx膜）の膜厚を充分厚く形成し、凹凸の溝を形成
する際のスパッタエッチングをSiO2膜10の膜厚の途中で
止めることによってSiO2膜上に凹凸の溝を形成しても構
わない。この製法を採用すればガラス基板５を構成する
金属物質、例えばNa等のアルカリ金属が基板表面に溶出
することがなくなるので、基板表面上に被覆する記録媒
体の金属物質による劣化等を防止できる。
したが、第３図に示すようにあらかじめSiO2膜10（ある
いはSiOx膜）の膜厚を充分厚く形成し、凹凸の溝を形成
する際のスパッタエッチングをSiO2膜10の膜厚の途中で
止めることによってSiO2膜上に凹凸の溝を形成しても構
わない。この製法を採用すればガラス基板５を構成する
金属物質、例えばNa等のアルカリ金属が基板表面に溶出
することがなくなるので、基板表面上に被覆する記録媒
体の金属物質による劣化等を防止できる。
なお、第２図及び第３図に示した製法ではガラス基板上
にSiO2膜10（若しくはSiOx膜）を被覆形成して凹凸の溝
を形成したが、上記SiO2膜（若しくはSiOx膜）以外にSi
3N4膜、AiN膜、MgF膜等の他の誘電体膜を用いても良
く、また、これの誘電体膜を積層しても良い。
にSiO2膜10（若しくはSiOx膜）を被覆形成して凹凸の溝
を形成したが、上記SiO2膜（若しくはSiOx膜）以外にSi
3N4膜、AiN膜、MgF膜等の他の誘電体膜を用いても良
く、また、これの誘電体膜を積層しても良い。
第４図は第２図、第３図に示した製法によって得た基板
を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図であ
る。同図においてガラス基板５上にSiO2膜（若しくはSi
Ox膜）からなる凹凸の溝（すなわちガイドトラック）付
きの誘電体膜10が被覆され、該誘電体膜10上に該誘電体
膜10の屈折率より大きな屈折率を有する、例えばAlN
膜、SiO膜等の誘電体膜11が被覆される。この誘電体膜1
1の膜厚は500〜1000Å程度である。上記誘電体膜11上に
GdTbFe、TbFe、GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金薄
膜12（記録媒体）が被覆される。この合金薄膜12の膜厚
は50〜400Å程度である。この合金薄膜12の膜厚の下限
は垂直磁化膜の作成条件から決まり、上限は磁気光学効
果の増大条件から決まる。よって上記合金薄膜12の適正
膜厚は膜生成方法に依存する。上記合金薄膜12をスパッ
タリングによって膜生成する場合その膜厚が50Å程度以
下だと垂直磁化膜を得ることが困難であるのでその膜厚
は50Å程度より大であることが必要である。上記合金薄
膜12の上にはAlN、SiO2等の誘電体膜13及びCu、Al、ス
テンレス、Ni等の金属からなる反射膜14が形成される。
上記誘電体膜13及び反射膜14は磁気光学効果の特性向上
を促すとともに上記合金薄膜12への酸素及び水分の到達
を防止する作用を有する。15は接着層、16は該接着層15
より接着されるガラス、アクリル等からなる保護板であ
る。この保護板16の代わりにメモリ素子の２枚を背中合
わせに貼り合わせて両面使用のメモリ素子にすることも
可能である。
を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図であ
る。同図においてガラス基板５上にSiO2膜（若しくはSi
Ox膜）からなる凹凸の溝（すなわちガイドトラック）付
きの誘電体膜10が被覆され、該誘電体膜10上に該誘電体
膜10の屈折率より大きな屈折率を有する、例えばAlN
膜、SiO膜等の誘電体膜11が被覆される。この誘電体膜1
1の膜厚は500〜1000Å程度である。上記誘電体膜11上に
GdTbFe、TbFe、GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金薄
膜12（記録媒体）が被覆される。この合金薄膜12の膜厚
は50〜400Å程度である。この合金薄膜12の膜厚の下限
は垂直磁化膜の作成条件から決まり、上限は磁気光学効
果の増大条件から決まる。よって上記合金薄膜12の適正
膜厚は膜生成方法に依存する。上記合金薄膜12をスパッ
タリングによって膜生成する場合その膜厚が50Å程度以
下だと垂直磁化膜を得ることが困難であるのでその膜厚
は50Å程度より大であることが必要である。上記合金薄
膜12の上にはAlN、SiO2等の誘電体膜13及びCu、Al、ス
テンレス、Ni等の金属からなる反射膜14が形成される。
上記誘電体膜13及び反射膜14は磁気光学効果の特性向上
を促すとともに上記合金薄膜12への酸素及び水分の到達
を防止する作用を有する。15は接着層、16は該接着層15
より接着されるガラス、アクリル等からなる保護板であ
る。この保護板16の代わりにメモリ素子の２枚を背中合
わせに貼り合わせて両面使用のメモリ素子にすることも
可能である。
以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構造の光磁気メ
モリ素子について示したが、本発明は第４図に示した合
金薄膜12の膜厚を厚くして反射膜14を除去した構造を有
する単層膜構造の光磁気メモリ素子あるいはTe、TeS、T
eOx等を記録媒体とする追加記録型の光メモリ素子にお
いても適用可能である。
モリ素子について示したが、本発明は第４図に示した合
金薄膜12の膜厚を厚くして反射膜14を除去した構造を有
する単層膜構造の光磁気メモリ素子あるいはTe、TeS、T
eOx等を記録媒体とする追加記録型の光メモリ素子にお
いても適用可能である。
＜発明の効果＞ 本発明によれば光メモリ素子のガイド信号あるいはガイ
ド番地の形成に樹脂材を用いないので酸素あるいは水分
等が記録媒体に達することを防止でき、そのため信頼性
の高い光メモリ素子を得ることができる。
ド番地の形成に樹脂材を用いないので酸素あるいは水分
等が記録媒体に達することを防止でき、そのため信頼性
の高い光メモリ素子を得ることができる。
また、本発明によれば凹凸の溝をスパッタエッチングに
よって形成する際その速度が速いという効果が得られ
る。
よって形成する際その速度が速いという効果が得られ
る。
さらに、本発明によれば上記凹凸の溝がSiO2膜単体に形
成されるためエッチング深さの均一性が得られるという
効果がある。
成されるためエッチング深さの均一性が得られるという
効果がある。
さらにまた、本発明によれば凹凸の溝を形成する際のリ
アクティブイオンエッチングをSiの酸化物からなる膜厚
の途中で止めているので、ガラス基板を構成する金属物
質が溶出することがないので基板上に被覆する記録媒体
の金属物質による劣化を防止することができるという効
果がある。
アクティブイオンエッチングをSiの酸化物からなる膜厚
の途中で止めているので、ガラス基板を構成する金属物
質が溶出することがないので基板上に被覆する記録媒体
の金属物質による劣化を防止することができるという効
果がある。
第１図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製法の基礎
工程の一実施例を示す説明図、第２図及び第３図は本発
明に係る光メモリ素子の基板の製法の実施例を示す説明
図、第４図は本発明に係る光メモリ素子の一部側面断面
図、第５図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第６図及
び第７図は従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図で
ある。 １……Niスタンパー、２……樹脂基板、３……紫外線硬
化樹脂、４……基板、５……ガラス基板、６……レジス
ト膜、７……光、８……対物レンズ、９……溝、10……
SiO2膜、11……誘電体膜、12……合金薄膜、13……誘電
体膜、14……反射膜、15……接着層、16……保護膜。
工程の一実施例を示す説明図、第２図及び第３図は本発
明に係る光メモリ素子の基板の製法の実施例を示す説明
図、第４図は本発明に係る光メモリ素子の一部側面断面
図、第５図は従来のメモリ基板の一部斜視図、第６図及
び第７図は従来のメモリ基板の製造過程を示す説明図で
ある。 １……Niスタンパー、２……樹脂基板、３……紫外線硬
化樹脂、４……基板、５……ガラス基板、６……レジス
ト膜、７……光、８……対物レンズ、９……溝、10……
SiO2膜、11……誘電体膜、12……合金薄膜、13……誘電
体膜、14……反射膜、15……接着層、16……保護膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 山岡 秀嘉 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭54−164103（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−107801（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】光ビームを照射することで情報を記録しあ
るいは再生する光メモリ素子の製造方法において、 ガラス基板上にSiの酸化物からなる膜を形成し、 該Siの酸化物からなる膜上にレジスト膜を被覆し、 該レジスト膜に光を照射してガイド溝パターンを記録
し、 該ガイド溝パターンを記録したレジスト膜を現像し、 現像後の前記レジスト膜の被覆状態において、前記Siの
酸化物からなる膜の途中の深さまでリアクティブイオン
エッチングを行うことによって、ガイド溝底部にSiの酸
化物の層が残った状態のガイド溝を形成し、 該ガイド溝を形成した後の前記Siの酸化物からなる膜上
に記録媒体を被覆したことを特徴とする光メモリ素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2240762A JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2240762A JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8461383A Division JPS59210547A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03263635A JPH03263635A (ja) | 1991-11-25 |
| JPH0690809B2 true JPH0690809B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17064338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2240762A Expired - Lifetime JPH0690809B2 (ja) | 1990-09-10 | 1990-09-10 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690809B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009289386A (ja) * | 2008-06-02 | 2009-12-10 | Pulstec Industrial Co Ltd | ガラスディスク、ガラスディスクのデータ再生方法、および、ガラスディスクの製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS586213B2 (ja) * | 1976-03-05 | 1983-02-03 | 日本ビクター株式会社 | 情報記録媒体原盤の製造方法 |
| JPS54164103A (en) * | 1978-06-16 | 1979-12-27 | Pioneer Electronic Corp | Method of manufacturing information recording carrier |
| JPS5940341A (ja) * | 1982-08-31 | 1984-03-06 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 情報記録媒体の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-10 JP JP2240762A patent/JPH0690809B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03263635A (ja) | 1991-11-25 |
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