JPH03290842A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、レーザ光により情報の記録、再生を行う光デ
イスクメモリや光カードに用いられる光記録媒体、さら
に詳細には、高密度記録が可能な光記録媒体に関するも
のである。

［従来技術］ 従来、光記録媒体８０は、第８図に示すように、トラッ
キング用案内溝８１の設けられたアクリル、ポリカーボ
ネート、ガラス等の透明基板８２上に、ＴｂＦｅＣｏ、
ＧｄＴｂＦｅ、ＴｂＣｏ等の光磁気記録材料、Ｔｅ、Ｔ
ａＯ２等の相変化記録材料、金属、色素等の穴あけ記録
材料等から成る光記録層８３および、５ｉ０２．ＡＩＮ
等の酸化物、窒化物等から成る保護層８４が、積層され
て構成されている。このような、光記録媒体８０におい
て、第９図のように溝幅をＷｏ、溝間距離をｗＬ、トラ
ックピッチをＰとすると Ｐ　＝Ｗａ　＋ＷＬ　　　　　（１） となる。また、レーザー光９１の光記録媒体８０上での
スポット径をｄｓとすると、トラックピッチＰはレーザ
光のスポット径ｄｓとほぼ等しくなるようにすなわちＰ
〜ｄｓとなるように作製されている。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来の光記録媒体では、第１０図のよう
に記録密度を高めるためトラックピッチＰをさらに小さ
くし、レーザ光９１のスポット径ｄｓよりもトラックピ
ッチＰを小さくすると特定のトラック９２に記録された
情報を再生する際、その隣りのトラック９３に記録され
たビット９４の一部にも、レーザ光のスポットが照射さ
れ、再生されるためクロストークが増大するという問題
があった。

本発明は、上述した問題点を解決するためになされたも
のであり、その目的とするところは、基板上に渦巻状あ
るいは同心円状等の光遮蔽膜および光記録層を順次積層
して形成し、光記録層上に照射されるレーザ光の一部を
光遮蔽膜により遮ることにより、光記録層上のレーザス
ポットよりもトラックピッチを小さくすることができ、
高密度記録が可能で、さらにクロストークの増大の少な
い光記録媒体を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ この目的を達成するために本発明の光記録媒体では、基
板上に渦巻状あるいは同心円状等に光遮蔽膜が形成され
、その上に光記録層が積層されている。さらに、トラッ
クピッチと光遮蔽膜の幅の和が再生に用いられるレーザ
光の光記録層上でのスポット径とほぼ等しくなるように
、トラックピッチおよび光遮蔽膜の幅が規定されている
。

［作用コ 上記の構成を有する本発明の光記録媒体では、トラック
ピッチをレーザ光の光記録層上でのスポット径よりも小
さくできるため狭トラツクピッチ化による高密度記録が
可能となる。さらに、トラックピッチよりも大きなスポ
ット径のレーザ光を照射しても、記録領域の両側に光遮
蔽膜が設けられているため、隣の記録領域には、レーザ
光が照射されない。これにより、再生時において再生す
べき記録領域の隣の記録領域に記録されている情報は再
生されないため、クロストークは増大しない。

［実施例］ 以下、本発明を具体化した一実施例を図面を参照して説
明する。

第１図は、本発明の一実施例である光記録媒体１０の要
部断面図である。この光記録媒体１０は、ガラス等の透
明な基板１２上に、光遮蔽膜１４、平坦化層１６、光記
録層１８、保護層２０を順次積層することにより構成さ
れる。

光遮蔽［１１４は、ＡＩ、Ｔａ等の金属膜、Ｃ２５ｉ等
の半導体、ＴｉＮ、Ｔａ２０ｓ等の窒化物。

酸化物等の化合物あるいは、色素等の有機物などから成
り、基板上に渦巻状若しくは、同心円状に固着されてい
る。この光遮蔽膜は、よく知られているフォトリソグラ
フィにより作製される。すなわち第２図（ａ）のように
、基板１２上にＡＩ。

Ｔａ等光遮蔽膜材料２１をスパッタ、真空蒸着法等の薄
膜形成手段により作製する。その上にフォトレジストを
回転塗布法等で塗布し、レーザ露光法等により露光し、
現像することにより、同図（ｂ）のように渦巻状若しく
は、同心円状にフォトレジスト２２を形成する。さらに
、酸、アルカリ溶液を用いたエツチング、あるいはプラ
ズマエツチング等により、フォートレジスト２２の形成
されていない部分の光遮蔽膜材料２１をエツチングする
。最後にフォートレジストを有機溶剤等で除去すること
により同図（ｃ）のように光遮蔽膜１４が形成される。

平坦化層１６は、例えば回転塗布法により、光遮蔽膜１
４が形成された基板１２を回転させつつ液状のＳｉ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ等の金属アルコキシド等を供給して塗布し、こ
れを高温ベークを用いて固化させて形成した５ｉ０２，
０２．ＺｒＯ２等の金属酸化膜である。これにより第２
図（ｄ）のように光遮蔽膜１４間の隙間が埋められ、平
坦化層１６の基板１２と反対の面は光遮蔽膜１４の凹凸
に拘らず略平坦となる。

光記録層１８は第２図（ｅ）のように例えば、希土類と
遷移金属とを主成分とするＴｂＦｅＣｏ。

Ｇ　ｄ　Ｔ　ｂ　Ｆ　’ｅ等のアモルファス合金である
光磁気記録材料、ＴｅＯ２等の相変化記録材料、Ｔｅ。

Ｂｉ等の金属、色素等の穴あけ記録材料等から成り、ス
パッタリング法、真空蒸着法、回転塗布法等により平坦
化層１６の上に略均−な厚さで略平坦に設けられる。こ
れにより、従来の溝付基板を用いた光記録媒体において
、光記録層の段差部分に生じていた記録感度の変動、ビ
ット形状の乱れによるＳ／Ｎの低下、段差部分からの膜
劣化による信頼性の低下等が生じず、優れた記録特性お
よび　信頼性が得られる。保護膜２０は第２図（ｅ）の
ように光記録層１８を化学変化から保護するためのもの
でＳｉＯ２，ＡＩＮ等から成り、スパッタリング法、真
空蒸着法、回転塗布法等により形成される。

そして、かかる光記録媒体１０において、その基板１２
を通してレーザ光が光記録層１８に照射され記録層１８
が加熱されると磁化の反転、相変化あるいはビット形成
が生じ記録が行われる。また、再生は、光記録層１８に
レーザ光を照射し光記録層１８からの反射光の偏光面の
回転、あるいは反射光量の変化を検出することにより行
われる。

ここで、Ｍ３図のようにトラックピッチをＰ。

光遮蔽膜１４の幅をＷ　ｓ　、　　レーザ光３１の光記
録層１８上でのスポット径をｄｓとすると、Ｐ＋Ｗｓ畑
ｄｓ　　　　　（２） すなわち、トラックピッチと光遮蔽膜１４の幅の和がレ
ーザ光３１のスポット径とほぼ等しくなるように、トラ
ックピッチおよび光遮蔽膜１４の幅が決められている。

すなわち、レーザ光３１のスポット径ｄｓよりもトラッ
クピッチＰの方が小さいため狭トラツクピッチ化による
高密度記録が可能となる。ただし、光遮蔽膜１４の間か
らレーザ光が照射される光記録層１８の領域すなわち記
録領域３２の幅Ｗｒはスポット径ｄｓよりも小さい。

しかし、第４図（ａ）のように、レーザ光３１のうち記
録領域３２からはみ出した部分は光遮蔽膜１４により遮
蔽されるため、隣の記録領域には達せず、記録領域４１
に記録されたビットは再生されない。このため、トラッ
クピッチがレーザ光のスポット径よりも小さいにもかか
わらずクロストークは増大しない。また、同図（ｂ）の
ように記録時において熱拡散により、光遮蔽膜１４の下
側にビット４２が広がっても、レーザ光３１は、光遮蔽
膜１４で遮ぎられ、その下に達しないためやはり記録領
域４１に記録されたビットは再生されず、クロストーク
は増大しない。

以上、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明し
たが、本発明は、種々の変更が可能であり他の態様で実
施することができる。

例えば、トラックピッチＰと光遮蔽膜の幅Ｗｓの和は、
レーザ光のスポット径ｄｓと厳密に等しい必要はなく ０．８　（Ｐ＋Ｗｓ）≦ｄｓ≦１．２　（Ｐ＋Ｗ　ｓ　
）　　　　　　　　　　　　　　　（３）を満たせばよ
い。

また、光遮蔽膜１４の材料については特に限定せず、そ
の反射率についても特に限定しない。さらに、光吸収率
の大きな材料を用いてもよい。

また、平坦化層は必ずしも必要ではなく、第５図のよう
に光遮蔽膜１４の上に直接光記録層を設けてもよい。ま
た、保護層を記録層の両側に設けてもよい。また、平坦
化層、保護層、基板の材料についても特に限定しない。

また、第６図のように基板６１に溝付きのガラス、ポリ
カーボネート等を用いてもよい。このとき、溝部あるい
は、溝間の一方のみに光遮蔽膜１４を設け、その上に光
記録層１８を設けてもよい。

また、第７図のように基板７１の上に光記録層７２を設
け、その上に、光遮蔽膜７４、保護層７６を形成しても
よい。このとき、記録・再生は、基板７１と反対側から
行う。

また、トラックピッチ、および光遮蔽膜の幅は、光記録
媒体全面において一定である必要はなく、必要に応じて
変化させてもよい。

また、光遮蔽膜の両側あるいは、一方の側に保護層を設
けてもよい。

［発明の効果］ 以上詳述したことから明らかなように、本発明によれば
、基板に、渦巻状あるいは同心円状の光遮蔽膜が設け、
トラックピッチと光遮蔽膜の幅の和を光記録層に照射さ
れるレーザ光のスポット径とほぼ等しくすることにより
、トラックピッチをレーザ光のスポット径よりも小さく
でき、狭トラツクピッチ化による高密度記録が可能とな
る。さらに、光記録層に照射されるレーザ光の一部を光
遮蔽膜により遮ることにより、クロストークの増大を抑
えることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図から第７図までは本発明を具体化した実施例を示
すもので、第１図は本発明の一実施例である光記録媒体
の要部断面図、第２図は本発明の一実施例である光記録
媒体の作製法を示す説明図、第３図は本発明の一実施例
である光記録媒体のトラックピッチ、光遮蔽膜の幅およ
びレーザ光のスポット径との関係を示す説明図、第４図
はクロストークの増大の抑制を示す説明図、第５図から
第７図までは本発明の他の実施例を示す要部断面図、第
８図は従来の光記録媒体の一例を示す要部断面図、第９
図は従来の光記録媒体におけるトラックピッチとレーザ
光スポット径との関係を示す説明図、第１０図は従来の
光記録媒体におけるクロストークの増大を示す説明図で
ある。 図中、１０は光記録媒体、１２は基板、１４は光遮蔽膜
、１８は光記録層である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板および渦巻状、同心円状等に設けられた光遮蔽
   膜と、光記録層とを有し、トラックピッチと光遮蔽膜の
   幅の和が、再生に用いられるレーザ光の光記録層上での
   スポット径とほぼ等しいことを特徴とする光記録媒体。