JPH08147758A - 光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置 - Google Patents
光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置Info
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- JPH08147758A JPH08147758A JP6280573A JP28057394A JPH08147758A JP H08147758 A JPH08147758 A JP H08147758A JP 6280573 A JP6280573 A JP 6280573A JP 28057394 A JP28057394 A JP 28057394A JP H08147758 A JPH08147758 A JP H08147758A
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- optical recording
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、パーソナルコンピュータやワーク
ステーション等の外部記録装置に用いられる光記録媒体
及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置に関す
るもので、隣接するトラックからの信号によるクロスト
ークが低く、レーザの熱的影響による信号特性の劣化が
少ない光記録媒体を提供すること、およびこの光記録媒
体と光ディスク再生装置を用いることで大容量の記憶装
置を提供することを目的としている。 【構成】 基板１上にランド２及びグルーブ３を形成
し、ランド２又はグルーブ３中の少なくとも一方の位置
に位相シフト層４を有し、さらに基板上に記録膜６を有
する光記憶媒体とした。
ステーション等の外部記録装置に用いられる光記録媒体
及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置に関す
るもので、隣接するトラックからの信号によるクロスト
ークが低く、レーザの熱的影響による信号特性の劣化が
少ない光記録媒体を提供すること、およびこの光記録媒
体と光ディスク再生装置を用いることで大容量の記憶装
置を提供することを目的としている。 【構成】 基板１上にランド２及びグルーブ３を形成
し、ランド２又はグルーブ３中の少なくとも一方の位置
に位相シフト層４を有し、さらに基板上に記録膜６を有
する光記憶媒体とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、パーソナルコンピュー
タやワークステーション等の外部記録装置に用いられる
光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生
装置に関するものである。
タやワークステーション等の外部記録装置に用いられる
光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下従来の光記録媒体について図１４を
用いて説明する。４４は基板、４５，４６はそれぞれ基
板４４上に設けられたランド及びグルーブ、４７は基板
４４上に形成された下部誘電体膜、４８は下部誘電体膜
４７上に形成された記録膜、４９は記録膜４８上に形成
された上部誘電体膜、５０は上部誘電体膜４９上に形成
された反射膜、５１は反射膜５０上に形成された紫外線
硬化樹脂である。また５２，５３はそれぞれ基板４４の
ランド４５及びグルーブ４６が設けられた側と反対側の
面に塗布された潤滑剤及び帯電防止剤である。
用いて説明する。４４は基板、４５，４６はそれぞれ基
板４４上に設けられたランド及びグルーブ、４７は基板
４４上に形成された下部誘電体膜、４８は下部誘電体膜
４７上に形成された記録膜、４９は記録膜４８上に形成
された上部誘電体膜、５０は上部誘電体膜４９上に形成
された反射膜、５１は反射膜５０上に形成された紫外線
硬化樹脂である。また５２，５３はそれぞれ基板４４の
ランド４５及びグルーブ４６が設けられた側と反対側の
面に塗布された潤滑剤及び帯電防止剤である。
【０００３】次に光記録媒体における情報の記録、消
去、再生方法について図１５を用いて説明する。最初に
記録方法について説明する。まずスピンドルモータ５４
により光記録媒体５５を回転させる。次に所定のトラッ
ク上に送り手段５９によって半導体レーザ５６及び対物
レンズ５８を移動させる。そして半導体レーザ５６より
発振されたレーザビーム５７を対物レンズ５８を用いて
絞り込み、回転している光記録媒体５５に照射する。照
射したレーザビーム５７の熱により記録膜４８の光学特
性又は磁気特性を変化させることによって情報の記録を
行う。次に再生方法について説明する。記録のときのも
のと比べて十分に出力の低いレーザビーム５７を光記録
媒体５５に照射し、反射したレーザビーム５７の反射光
強度、あるいは偏向方向を検出することによって再生を
行う。最後に消去について説明する。消去方法は基本的
には記録の場合と同様の手順で行う。ただし光学特性を
変化させる場合は、照射するレーザビーム５７の出力
を、記録の場合に比べて、若干低めにする。
去、再生方法について図１５を用いて説明する。最初に
記録方法について説明する。まずスピンドルモータ５４
により光記録媒体５５を回転させる。次に所定のトラッ
ク上に送り手段５９によって半導体レーザ５６及び対物
レンズ５８を移動させる。そして半導体レーザ５６より
発振されたレーザビーム５７を対物レンズ５８を用いて
絞り込み、回転している光記録媒体５５に照射する。照
射したレーザビーム５７の熱により記録膜４８の光学特
性又は磁気特性を変化させることによって情報の記録を
行う。次に再生方法について説明する。記録のときのも
のと比べて十分に出力の低いレーザビーム５７を光記録
媒体５５に照射し、反射したレーザビーム５７の反射光
強度、あるいは偏向方向を検出することによって再生を
行う。最後に消去について説明する。消去方法は基本的
には記録の場合と同様の手順で行う。ただし光学特性を
変化させる場合は、照射するレーザビーム５７の出力
を、記録の場合に比べて、若干低めにする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、さらに高記録密度化を行うために、光記録
媒体５５の狭トラックピッチ化やランド・グルーブ記録
等を行おうとすると、隣接するトラック（ランド４５、
グルーブ４６）からの信号によるクロストークが高くな
るといった問題や、情報の記録・消去の際に、レーザビ
ーム５７が隣接するトラック上の信号マークに熱的な影
響を与え、光記録媒体５５における信号特性を悪化させ
るといった問題点があった。
の構成では、さらに高記録密度化を行うために、光記録
媒体５５の狭トラックピッチ化やランド・グルーブ記録
等を行おうとすると、隣接するトラック（ランド４５、
グルーブ４６）からの信号によるクロストークが高くな
るといった問題や、情報の記録・消去の際に、レーザビ
ーム５７が隣接するトラック上の信号マークに熱的な影
響を与え、光記録媒体５５における信号特性を悪化させ
るといった問題点があった。
【０００５】本発明は上記課題を解決するもので、隣接
するトラックからの信号によるクロストークが低く、レ
ーザの熱的影響による信号特性の劣化が少ない光記録媒
体を提供すること、およびこの光記録媒体を用いた光デ
ィスク再生装置による大容量の記憶装置を提供すること
を目的としている。
するトラックからの信号によるクロストークが低く、レ
ーザの熱的影響による信号特性の劣化が少ない光記録媒
体を提供すること、およびこの光記録媒体を用いた光デ
ィスク再生装置による大容量の記憶装置を提供すること
を目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、基板上に位相シフト層を設けるという構成を有して
いる。
に、基板上に位相シフト層を設けるという構成を有して
いる。
【０００７】
【作用】上記構成により、記録膜上で反射され、ランド
又はグルーブを透過してきた再生光は、隣接するトラッ
クの境界部で光強度がほぼゼロになる。またランドの記
録信号とグルーブの記録信号の間に位相差による干渉が
生じる。さらにトラック溝の深さを深くすることができ
る。
又はグルーブを透過してきた再生光は、隣接するトラッ
クの境界部で光強度がほぼゼロになる。またランドの記
録信号とグルーブの記録信号の間に位相差による干渉が
生じる。さらにトラック溝の深さを深くすることができ
る。
【０００８】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。
【０００９】まず最初に本発明の一実施例における光記
録媒体について説明する。図１は本発明の一実施例にお
いてランドに位相シフト層を持つ光記録媒体の主要部分
の断面図である。１は基板で、基板１は、一般に直径８
０〜１３０ｍｍ、厚さ０．５〜１．３ｍｍ程度の大きさ
を有した円板形のものが用いられることが多い。また基
板１の材料としては、ポリカーボネイト、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ガラス、アルミ、セラミックス等が
用いられる。それらの中でも特に、コスト面と性能面が
両立しているポリカーボネイトが好ましい。２，３はそ
れぞれ基板１上に形成されたランド及びグルーブで、ラ
ンド２及びグルーブ３のそれぞれのトラックの線幅ｔ
１，ｔ２は１．２μｍ以下が好ましい。この場合１．２
μｍ以上では線幅が広すぎて記録媒体の容量が小さくな
ってしまう。また下限はレーザの波長とＮＡの値から決
まるレーザビームのスポット径である。またランド２及
びグルーブ３は射出成型法及び２Ｐ法等により形成され
る。４はランド２上に形成された位相シフト層で、位相
シフト層４の膜厚（ｄ）は（数１）によって最良の値が
決められるが、０＜ｄ≦２００μｍの範囲にあればある
程度の効果
録媒体について説明する。図１は本発明の一実施例にお
いてランドに位相シフト層を持つ光記録媒体の主要部分
の断面図である。１は基板で、基板１は、一般に直径８
０〜１３０ｍｍ、厚さ０．５〜１．３ｍｍ程度の大きさ
を有した円板形のものが用いられることが多い。また基
板１の材料としては、ポリカーボネイト、アクリル樹
脂、エポキシ樹脂、ガラス、アルミ、セラミックス等が
用いられる。それらの中でも特に、コスト面と性能面が
両立しているポリカーボネイトが好ましい。２，３はそ
れぞれ基板１上に形成されたランド及びグルーブで、ラ
ンド２及びグルーブ３のそれぞれのトラックの線幅ｔ
１，ｔ２は１．２μｍ以下が好ましい。この場合１．２
μｍ以上では線幅が広すぎて記録媒体の容量が小さくな
ってしまう。また下限はレーザの波長とＮＡの値から決
まるレーザビームのスポット径である。またランド２及
びグルーブ３は射出成型法及び２Ｐ法等により形成され
る。４はランド２上に形成された位相シフト層で、位相
シフト層４の膜厚（ｄ）は（数１）によって最良の値が
決められるが、０＜ｄ≦２００μｍの範囲にあればある
程度の効果
【００１０】
【数１】
【００１１】を得ることができる。また位相シフト層４
の材料としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＧｅＯ2、
ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等
があり、これらの中でもＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4が、特性に
おいてさらに優れているので好ましい材料である。また
位相シフト層４の形成方法としては、真空蒸着法、電子
ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、スパッタリング法等の物理的もしく
は化学的方法があり、それらの中でも膜質が良好で、量
産にも向いているスパッタリング法が最も好ましい。さ
らにスパッタリングに用いるガスとしては、Ａｒ＋
Ｎ2、Ａｒ＋Ｈ2、Ｎ2、Ｈ2、Ａｒガス等があるが、特に
この場合はエネルギーの高いＡｒガスが好ましい。５は
基板１若しくは位相シフト層４上に形成された下部誘電
体膜で、下部誘電体膜５は、後述の記録膜６との密着
性、記録膜６のレーザの熱による流動化と湿度による劣
化の両方の抑制に優れたものであることが要求される。
この要求を満たす下部誘電体膜５の材料としてはＺｎＳ
・ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＧｅＯ2、ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等があり、この中でも最も湿
気を通し難く、記録膜６との密着性にも優れた性質を有
するＺｎＳ・ＳｉＯ2が最も好ましい材料である。ま
た、下部誘電体膜５の膜厚は、上記材料を用いて１６０
〜２００ｎｍとするのが好ましい。このとき１６０ｎｍ
以下でも、２００ｎｍ以上でも、下部誘電体膜５での反
射率が変化し、適正な特性が得られなくなる。６は下部
誘電体膜５上に形成された記録膜で、記録膜６はレーザ
の照射によって結晶質と非晶質とが可逆的に変化するこ
とが要求される。この要求を満たす材料としては、Ｇｅ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−ＴｅーＳ、Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ、Ｉｎ−Ｓｂ等があ
り、それらの中でも、特に結晶質と非晶質の安定性が良
く、その変化速度が光記録媒体の回転速度と適合してい
るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが最も好ましい材料である。また記
録膜６の膜厚は１５〜２５ｎｍとすることが好ましい。
この場合１５ｎｍ以下でも、２５ｎｍ以上でも反射率の
変化が問題になる。７は記録膜６上に形成された上部誘
電体膜で、その膜厚は１３〜２３ｎｍとするのが好まし
い。このとき１３ｎｍ以下でも、２３ｎｍ以上でもやは
り下部誘電体膜５と同様に反射率の変化が問題になる。
８は上部誘電体膜７上に設けられた反射膜で、反射膜８
の材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ等があ
り、ここでは耐湿性に優れたＡｌ−Ｃｒが好ましい材料
である。また反射膜８の膜厚は１００ｎｍ以上が好まし
い。この場合１００ｎｍ以下では反射率が低下し、光が
透過してしまう。９は反射膜８上に設けられた紫外線硬
化樹脂で、紫外線硬化樹脂９はスピンコーターによって
１０μｍ程度に成膜される。１０，１１は、基板１の表
面に塗布された潤滑剤及び帯電防止剤である。なお上部
誘電体膜５、記録膜６、下部誘電体膜７、反射膜８の各
薄膜は位相シフト層４と同様の方法で成膜する。
の材料としては、ＺｎＳ・ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＧｅＯ2、
ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等
があり、これらの中でもＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4が、特性に
おいてさらに優れているので好ましい材料である。また
位相シフト層４の形成方法としては、真空蒸着法、電子
ビーム蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶ
Ｄ法、光ＣＶＤ法、スパッタリング法等の物理的もしく
は化学的方法があり、それらの中でも膜質が良好で、量
産にも向いているスパッタリング法が最も好ましい。さ
らにスパッタリングに用いるガスとしては、Ａｒ＋
Ｎ2、Ａｒ＋Ｈ2、Ｎ2、Ｈ2、Ａｒガス等があるが、特に
この場合はエネルギーの高いＡｒガスが好ましい。５は
基板１若しくは位相シフト層４上に形成された下部誘電
体膜で、下部誘電体膜５は、後述の記録膜６との密着
性、記録膜６のレーザの熱による流動化と湿度による劣
化の両方の抑制に優れたものであることが要求される。
この要求を満たす下部誘電体膜５の材料としてはＺｎＳ
・ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＴｉＯ2、Ｔ
ａ2Ｏ5、ＭｇＯ、ＧｅＯ2、ＢＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ、Ｚ
ｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＳ等があり、この中でも最も湿
気を通し難く、記録膜６との密着性にも優れた性質を有
するＺｎＳ・ＳｉＯ2が最も好ましい材料である。ま
た、下部誘電体膜５の膜厚は、上記材料を用いて１６０
〜２００ｎｍとするのが好ましい。このとき１６０ｎｍ
以下でも、２００ｎｍ以上でも、下部誘電体膜５での反
射率が変化し、適正な特性が得られなくなる。６は下部
誘電体膜５上に形成された記録膜で、記録膜６はレーザ
の照射によって結晶質と非晶質とが可逆的に変化するこ
とが要求される。この要求を満たす材料としては、Ｇｅ
−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−ＴｅーＳ、Ｇｅ−Ｓ
ｅ−Ｓｂ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ａｓ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｔｅ、Ｓｅ−Ｔｅ、Ｓｅ−Ａｓ、Ｉｎ−Ｓｂ等があ
り、それらの中でも、特に結晶質と非晶質の安定性が良
く、その変化速度が光記録媒体の回転速度と適合してい
るＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅが最も好ましい材料である。また記
録膜６の膜厚は１５〜２５ｎｍとすることが好ましい。
この場合１５ｎｍ以下でも、２５ｎｍ以上でも反射率の
変化が問題になる。７は記録膜６上に形成された上部誘
電体膜で、その膜厚は１３〜２３ｎｍとするのが好まし
い。このとき１３ｎｍ以下でも、２３ｎｍ以上でもやは
り下部誘電体膜５と同様に反射率の変化が問題になる。
８は上部誘電体膜７上に設けられた反射膜で、反射膜８
の材料としては、Ａｌ、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｕ、Ｃｕ等があ
り、ここでは耐湿性に優れたＡｌ−Ｃｒが好ましい材料
である。また反射膜８の膜厚は１００ｎｍ以上が好まし
い。この場合１００ｎｍ以下では反射率が低下し、光が
透過してしまう。９は反射膜８上に設けられた紫外線硬
化樹脂で、紫外線硬化樹脂９はスピンコーターによって
１０μｍ程度に成膜される。１０，１１は、基板１の表
面に塗布された潤滑剤及び帯電防止剤である。なお上部
誘電体膜５、記録膜６、下部誘電体膜７、反射膜８の各
薄膜は位相シフト層４と同様の方法で成膜する。
【００１２】以上のように構成された光記録媒体におい
て、ランド上に位相シフト層を形成した一実施例につい
て、その作製方法を図２〜図８を用いて説明する。
て、ランド上に位相シフト層を形成した一実施例につい
て、その作製方法を図２〜図８を用いて説明する。
【００１３】まず図２に示すように、直径８６ｍｍ、厚
さ１．２ｍｍの基板１２上にトラック幅０．７μｍ、深
さ１２０ｎｍのランド１３及びグルーブ１４を交互に形
成する。次に図３に示すように基板１２上にスパッタリ
ング法によって厚さ５４ｎｍのＳｉＯ2膜１５を成膜す
る。なおこのときの真空度は５×１０-7ＴｏｒｒでＡｒ
ガスを使用した。このＳｉＯ2膜１５のうちグルーブ１
４上に形成されたものを除去するために、図４に示すよ
うに厚さ０．５μｍのフォトレジスト膜１６をＳｉＯ2
膜１５上に塗布し、図５に示すようにグルーブ１４上を
レーザビーム１７で露光し、現像液で約６０秒間現像し
て、図６に示すようにグルーブ１４上のフォトレジスト
膜１６だけを取り除いた状態にする。その後エッチング
を行うと、図７に示すようにグルーブ１４上のＳｉＯ2
膜１９だけが除去される。そして最後に図８に示される
ようにランド１３上に残っているフォトレジスト膜２０
を除去すると、ランド上に位相シフト層２１が形成され
る。その後スパッタリング法を用いて、下部誘電体膜Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ2を１８０ｎｍ、記録膜Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
を２０ｎｍ、上部誘電体膜ＺｎＳ・ＳｉＯ2を１８ｎ
ｍ、反射膜Ａｌ−Ｃｒを１５０ｎｍそれぞれ成膜する。
この様にして形成された積層薄膜上に、紫外線硬化樹脂
をスピンコーターによって１０μｍ塗布した後、紫外線
を照射し硬化させる。以上の手順により図１に示すよう
なランド上に位相シフト層を設けた光記録媒体が作製さ
れる。なおグルーブ上に位相シフト層を設けた光記憶媒
体でも作製方法は同様である。
さ１．２ｍｍの基板１２上にトラック幅０．７μｍ、深
さ１２０ｎｍのランド１３及びグルーブ１４を交互に形
成する。次に図３に示すように基板１２上にスパッタリ
ング法によって厚さ５４ｎｍのＳｉＯ2膜１５を成膜す
る。なおこのときの真空度は５×１０-7ＴｏｒｒでＡｒ
ガスを使用した。このＳｉＯ2膜１５のうちグルーブ１
４上に形成されたものを除去するために、図４に示すよ
うに厚さ０．５μｍのフォトレジスト膜１６をＳｉＯ2
膜１５上に塗布し、図５に示すようにグルーブ１４上を
レーザビーム１７で露光し、現像液で約６０秒間現像し
て、図６に示すようにグルーブ１４上のフォトレジスト
膜１６だけを取り除いた状態にする。その後エッチング
を行うと、図７に示すようにグルーブ１４上のＳｉＯ2
膜１９だけが除去される。そして最後に図８に示される
ようにランド１３上に残っているフォトレジスト膜２０
を除去すると、ランド上に位相シフト層２１が形成され
る。その後スパッタリング法を用いて、下部誘電体膜Ｚ
ｎＳ・ＳｉＯ2を１８０ｎｍ、記録膜Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
を２０ｎｍ、上部誘電体膜ＺｎＳ・ＳｉＯ2を１８ｎ
ｍ、反射膜Ａｌ−Ｃｒを１５０ｎｍそれぞれ成膜する。
この様にして形成された積層薄膜上に、紫外線硬化樹脂
をスピンコーターによって１０μｍ塗布した後、紫外線
を照射し硬化させる。以上の手順により図１に示すよう
なランド上に位相シフト層を設けた光記録媒体が作製さ
れる。なおグルーブ上に位相シフト層を設けた光記憶媒
体でも作製方法は同様である。
【００１４】次に本実施例の光記録媒体について検討す
る。まず前述の方法で作製されたランド上に位相シフト
層を設けた光記録媒体と従来の光記録媒体とを比較し
た。比較したものは、レーザの出力を変化させたときの
クロストークの大きさと、レーザの出力を変化させて１
００００回繰り返し記録したときのジッタ（対窓幅比）
の値である。ここで従来の光記録媒体は、光の位相が前
記光記録媒体と同じになるようにトラック溝の深さを９
８μｍとした以外は、全ての条件が前記光記録媒体と同
様である。さらにこのときの光記録媒体の線速度は１０
ｍ／ｓ、レーザの波長は７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、
基板の屈折率ｎ＝１．５８、位相シフト層の屈折率ｎ１
＝１．４８であった。これらの結果を図１０及び図１６
に示した。図１０は本実施例の光記録媒体の結果で、図
１６は従来の光記録媒体の結果である。図中の横軸はレ
ーザの記録ピークパワーであり、縦軸は、左側がクロス
トークの、右側がジッタの標準偏差である。図から明ら
かなように、クロストークに関しては、従来の光記録媒
体が−２０ｄＢ以上あるのに対して、本実施例では−３
５ｄＢ以下へと低減し、ジッタに関しては、従来の光記
録媒体は３０％を超えるのに対して、本実施例では１０
％以下に低減した。
る。まず前述の方法で作製されたランド上に位相シフト
層を設けた光記録媒体と従来の光記録媒体とを比較し
た。比較したものは、レーザの出力を変化させたときの
クロストークの大きさと、レーザの出力を変化させて１
００００回繰り返し記録したときのジッタ（対窓幅比）
の値である。ここで従来の光記録媒体は、光の位相が前
記光記録媒体と同じになるようにトラック溝の深さを９
８μｍとした以外は、全ての条件が前記光記録媒体と同
様である。さらにこのときの光記録媒体の線速度は１０
ｍ／ｓ、レーザの波長は７８０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５、
基板の屈折率ｎ＝１．５８、位相シフト層の屈折率ｎ１
＝１．４８であった。これらの結果を図１０及び図１６
に示した。図１０は本実施例の光記録媒体の結果で、図
１６は従来の光記録媒体の結果である。図中の横軸はレ
ーザの記録ピークパワーであり、縦軸は、左側がクロス
トークの、右側がジッタの標準偏差である。図から明ら
かなように、クロストークに関しては、従来の光記録媒
体が−２０ｄＢ以上あるのに対して、本実施例では−３
５ｄＢ以下へと低減し、ジッタに関しては、従来の光記
録媒体は３０％を超えるのに対して、本実施例では１０
％以下に低減した。
【００１５】次にグルーブ上に位相シフト層を設けた光
記録媒体の一実施例について説明する。
記録媒体の一実施例について説明する。
【００１６】図９は本発明の一実施例においてグルーブ
上に位相シフト層を設けた光記録媒体の主要部分の断面
図である。２２は基板、２３はランド、２４はグルー
ブ、２５は位相シフト層、２６は下部誘電体膜、２７は
記録膜、２８は上部誘電体膜、２９は反射膜、３０は紫
外線硬化樹脂、３１，３２は帯電防止剤及び潤滑剤であ
り、これらは図１に示すものと同じである。図１と異な
る点は、グルーブ２４上に位相シフト層２５を形成した
こと及び位相シフト層２５の最適値が（数２）で表され
ることである。
上に位相シフト層を設けた光記録媒体の主要部分の断面
図である。２２は基板、２３はランド、２４はグルー
ブ、２５は位相シフト層、２６は下部誘電体膜、２７は
記録膜、２８は上部誘電体膜、２９は反射膜、３０は紫
外線硬化樹脂、３１，３２は帯電防止剤及び潤滑剤であ
り、これらは図１に示すものと同じである。図１と異な
る点は、グルーブ２４上に位相シフト層２５を形成した
こと及び位相シフト層２５の最適値が（数２）で表され
ることである。
【００１７】
【数２】
【００１８】次に本実施例の光記録媒体と従来のものと
を比較する。ただしこのときの条件は、トラック溝の深
さが１２５ｎｍで、位相シフト層の厚さが２５ｎｍであ
ること以外は、前記実施例と同じである。図１１は本実
施例の結果を示している。本実施例ではクロストークが
−３０ｄＢ以下、ジッタは１０％以下であり、明らかに
従来のもの（それぞれ−２０ｄＢ、３０％）に比べて改
善されていることが分かる。
を比較する。ただしこのときの条件は、トラック溝の深
さが１２５ｎｍで、位相シフト層の厚さが２５ｎｍであ
ること以外は、前記実施例と同じである。図１１は本実
施例の結果を示している。本実施例ではクロストークが
−３０ｄＢ以下、ジッタは１０％以下であり、明らかに
従来のもの（それぞれ−２０ｄＢ、３０％）に比べて改
善されていることが分かる。
【００１９】次に本発明の一実施例における光ディスク
再生方法について図１２を用いて説明する。３３は基
板、３４と３５は基板３３上に形成されたランド及びグ
ルーブ、３６はグルーブ３５上に形成された位相シフト
層、３７は各種積層薄膜、３８は記録膜、３９は照射さ
れるレーザビームである。例としてランド３４上のデー
タを再生する場合を考える。基板３３上のランド３４上
にレーザビーム３９を照射する。照射されたレーザビー
ム３９は記録膜３８で反射されて戻ってくるが、その際
記録膜３８が結晶質であるか、非晶質であるかによって
反射されて戻ってくるレーザビーム３９の強度が異な
る。このビーム強度の差を検出することにより再生を行
う。また、このときランド３４上から外れてグルーブ３
５中で反射されたレーザビーム３９の位相は位相シフト
層３６によってランド３４中で反射されたビームの位相
と１８０°±９０°異なっている。従ってグルーブ３５
中で反射されたビームは、ランド３４中で反射されたビ
ームと干渉して振幅が小さくなり、データ信号に対して
あまり影響を与えなくなる。
再生方法について図１２を用いて説明する。３３は基
板、３４と３５は基板３３上に形成されたランド及びグ
ルーブ、３６はグルーブ３５上に形成された位相シフト
層、３７は各種積層薄膜、３８は記録膜、３９は照射さ
れるレーザビームである。例としてランド３４上のデー
タを再生する場合を考える。基板３３上のランド３４上
にレーザビーム３９を照射する。照射されたレーザビー
ム３９は記録膜３８で反射されて戻ってくるが、その際
記録膜３８が結晶質であるか、非晶質であるかによって
反射されて戻ってくるレーザビーム３９の強度が異な
る。このビーム強度の差を検出することにより再生を行
う。また、このときランド３４上から外れてグルーブ３
５中で反射されたレーザビーム３９の位相は位相シフト
層３６によってランド３４中で反射されたビームの位相
と１８０°±９０°異なっている。従ってグルーブ３５
中で反射されたビームは、ランド３４中で反射されたビ
ームと干渉して振幅が小さくなり、データ信号に対して
あまり影響を与えなくなる。
【００２０】次に本発明の一実施例における光ディスク
再生装置について図１３用いて説明する。４０は光記録
媒体で、光記録媒体４０は前述の実施例で示したもので
ある。４１は光記録媒体４０を回転させるスピンドルモ
ータで、スピンドルモータ４１は光記録媒体４０の線速
度が一定になるように制御されている。４２は光学ヘッ
ドで、光学ヘッド４２は半導体レーザ、光検出器、対物
レンズを有している。４３は光学ヘッド送り手段で、光
学ヘッド送り手段４３は光学ヘッド４２が光記録媒体４
０のトラックをトレースするためのものである。この様
な構成を有する光ディスク再生装置は従来のものに比べ
て、容量が７０〜１００％増と極めて大容量のものとな
っている。
再生装置について図１３用いて説明する。４０は光記録
媒体で、光記録媒体４０は前述の実施例で示したもので
ある。４１は光記録媒体４０を回転させるスピンドルモ
ータで、スピンドルモータ４１は光記録媒体４０の線速
度が一定になるように制御されている。４２は光学ヘッ
ドで、光学ヘッド４２は半導体レーザ、光検出器、対物
レンズを有している。４３は光学ヘッド送り手段で、光
学ヘッド送り手段４３は光学ヘッド４２が光記録媒体４
０のトラックをトレースするためのものである。この様
な構成を有する光ディスク再生装置は従来のものに比べ
て、容量が７０〜１００％増と極めて大容量のものとな
っている。
【００２１】以上の実施例から、基板上に位相シフト層
を設けるという方法を用いることにより、従来に比べ
て、ランドからの信号とグルーブからの信号との間のク
ロストークが低減し、記録・消去の際の高出力レーザに
よる隣接トラックへの熱的影響が少なくなる。従ってこ
の方法を用いた本実施例の光記録媒体は、ランド・グル
ーブ記録や狭トラックピッチ化に対応できる非常に優れ
た特性を有する光記録媒体であり、この光記録媒体を用
いた光ディスク再生装置は、従来の記録装置と比べて格
段に大容量の記録装置であると言える。
を設けるという方法を用いることにより、従来に比べ
て、ランドからの信号とグルーブからの信号との間のク
ロストークが低減し、記録・消去の際の高出力レーザに
よる隣接トラックへの熱的影響が少なくなる。従ってこ
の方法を用いた本実施例の光記録媒体は、ランド・グル
ーブ記録や狭トラックピッチ化に対応できる非常に優れ
た特性を有する光記録媒体であり、この光記録媒体を用
いた光ディスク再生装置は、従来の記録装置と比べて格
段に大容量の記録装置であると言える。
【００２２】なお本実施例では、位相シフト層を基板と
下部誘電体膜との間に設けたが、光の入射方向に対し
て、位相シフト層、記録膜の順であれば、基板上のどの
位置でもかまわない。また位相シフト層がありさえすれ
ば、記録媒体上のトラック溝の形状は問わない。
下部誘電体膜との間に設けたが、光の入射方向に対し
て、位相シフト層、記録膜の順であれば、基板上のどの
位置でもかまわない。また位相シフト層がありさえすれ
ば、記録媒体上のトラック溝の形状は問わない。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明は、基板上に位相シ
フト層を設けて、ランドを通過してきた反射光とグルー
ブを通過してきた反射光との間の位相差を１８０°±９
０°とすることによって、隣接するトラックの境界部で
光強度がほぼゼロにできる。またランドの記録信号とグ
ルーブの記録信号の間に位相差による干渉を生じるの
で、隣接するトラックの信号との間のクロストークが低
減する。また位相シフト層を設けたことによって、トラ
ック溝が従来より深くなり、情報の記録・消去の際、高
出力レーザが隣接するトラックに与える熱的影響が小さ
くなり、光記憶媒体の信号特性の劣化が少なくなる。従
って高密度記録が可能で、かつ信号特性の優れた光記憶
媒体を提供することができ、この光記録媒体を用いた光
ディスク再生装置の記憶容量を大きくすることができ
る。
フト層を設けて、ランドを通過してきた反射光とグルー
ブを通過してきた反射光との間の位相差を１８０°±９
０°とすることによって、隣接するトラックの境界部で
光強度がほぼゼロにできる。またランドの記録信号とグ
ルーブの記録信号の間に位相差による干渉を生じるの
で、隣接するトラックの信号との間のクロストークが低
減する。また位相シフト層を設けたことによって、トラ
ック溝が従来より深くなり、情報の記録・消去の際、高
出力レーザが隣接するトラックに与える熱的影響が小さ
くなり、光記憶媒体の信号特性の劣化が少なくなる。従
って高密度記録が可能で、かつ信号特性の優れた光記憶
媒体を提供することができ、この光記録媒体を用いた光
ディスク再生装置の記憶容量を大きくすることができ
る。
【図１】本発明の一実施例における光記録媒体の主要部
分の断面図
分の断面図
【図２】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図３】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図４】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図５】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図６】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図７】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図８】本発明の一実施例における光記録媒体の製造過
程を示す図
程を示す図
【図９】本発明の一実施例における光記録媒体の主要部
分の断面図
分の断面図
【図１０】本発明の一実施例における光記録媒体の特性
を示す図
を示す図
【図１１】本発明の一実施例における光記録媒体の特性
を示す図
を示す図
【図１２】本発明の一実施例における光記録媒体の再生
方法を説明する図
方法を説明する図
【図１３】本発明の一実施例における光記録装置の概念
図
図
【図１４】光記録媒体の主要部分の断面図
【図１５】光記録装置の概念図
【図１６】光記録媒体の特性を示す図
１ 基板 ２ ランド ３ グルーブ ４ 位相シフト層 ５ 下部誘電体膜 ６ 記録膜 ７ 上部誘電体膜 ８ 反射膜 ９ 紫外線硬化樹脂 １０ 潤滑剤 １１ 帯電防止剤 １２ 基板 １３ ランド １４ グルーブ １５ ＳｉＯ2膜 １６ フォトレジスト膜 １７ レーザビーム １８ グルーブ上の取り除かれたフォトレジスト膜 １９ グルーブ上の取り除かれたＳｉＯ2膜 ２０ ランド上の取り除かれたフォトレジスト膜 ２１ 完成した位相シフト層 ２２ 基板 ２３ ランド ２４ グルーブ ２５ 位相シフト層 ２６ 下部誘電体膜 ２７ 記録膜 ２８ 上部誘電体膜 ２９ 反射膜 ３０ 紫外線硬化樹脂 ３１ 潤滑剤 ３２ 帯電防止剤 ３３ 基板 ３４ ランド ３５ グルーブ ３６ 位相シフト層 ３７ 各種積層薄膜 ３８ 記録膜 ３９ レーザビーム ４０ 光記録媒体 ４１ スピンドルモータ ４２ 光学ヘッド ４３ 光学ヘッド送り手段 ４４ 基板 ４５ ランド ４６ グルーブ ４７ 下部誘電体膜 ４８ 記録膜 ４９ 上部誘電体膜 ５０ 反射膜 ５１ 紫外線硬化樹脂 ５２ 潤滑剤 ５３ 帯電防止剤 ５４ スピンドルモータ ５５ 光記録媒体 ５６ 半導体レーザ ５７ レーザビーム ５８ 対物レンズ ５９ 送り手段 ｔ１ ランドの幅 ｔ２ グルーブの幅
Claims (7)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に設けられた記録膜
と、前記基板上に設けられた位相シフト層とを備えた事
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】基板上にランド及びグルーブを設け、前記
ランドか前記グルーブの少なくとも一方の上に位相シフ
ト層を設けた事を特徴とする請求項１記載の光記録媒
体。 - 【請求項３】光の照射方向に対して、位相シフト層と記
録膜が順に設けられていることを特徴とする請求項１ま
たは２いずれか１記載の光記録媒体。 - 【請求項４】ランドを透過した光とグルーブを透過した
光との間の位相差を１８０°±９０°とすることを特徴
とする請求項１または２または３いずれか１記載の光記
録媒体。 - 【請求項５】位相シフト層の厚さ（ｄ）が０＜ｄ≦２０
０μｍであることを特徴とする請求項１または２または
３いずれか１記載の光記録媒体。 - 【請求項６】位相シフト層、記録膜を基板上に設けた光
記録媒体に光を照射して情報の再生を行う光ディスク再
生方法であって、照射された光が、位相シフト層を通過
した後、記録膜に達することを特徴とする光ディスク再
生方法。 - 【請求項７】基板上に記録膜及び位相シフト層を有する
光記録媒体と、前記光記録媒体を回転させるスピンドル
モータと、レーザ部とレンズ部と光検出部を有し、前記
光記録媒体に光を照射する光ヘッド部と、前記光ヘッド
部を移動させる送り手段を備えたことを特徴とする光デ
ィスク再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280573A JPH08147758A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6280573A JPH08147758A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08147758A true JPH08147758A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17626920
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6280573A Pending JPH08147758A (ja) | 1994-11-15 | 1994-11-15 | 光記録媒体及び光ディスク再生方法及び光ディスク再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08147758A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004127391A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JP2010152357A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | General Electric Co <Ge> | データ記憶装置及び方法 |
-
1994
- 1994-11-15 JP JP6280573A patent/JPH08147758A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004127391A (ja) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Toshiba Corp | 光記録媒体 |
| JP2010152357A (ja) * | 2008-12-23 | 2010-07-08 | General Electric Co <Ge> | データ記憶装置及び方法 |
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