JPH1031844A

JPH1031844A - 多層構造光情報媒体

Info

Publication number: JPH1031844A
Application number: JP8187361A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Nishida; 哲也西田; Yumiko Anzai; 由美子安齋
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-07-17
Filing date: 1996-07-17
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【課題】再生用光ビーム波長のより短い高記録密度媒体
用再生装置を用いても再生信号強度が低下することなく
再生することのできる３次元的な情報を有する多層光情
報媒体を提供すること。【解決手段】互いに向き合って配置された２個の基板
１、５の間に、基板１の表面に設けられた凹凸とその上
に設けられた半透明層２から構成される第１の情報構体
と、情報を再生する光ビームに透明な透明接着剤層３の
表面に設けられた凹凸とその上に設けられた反射層４か
ら構成される第２の情報構体を配置し、光ビームが入射
する方の基板１の厚さを０．５２ｍｍから０．６５ｍｍ
の範囲とし、上記半透明層を少なくとも３層の誘電体か
ら構成し、かつ、互いに接する２層の誘電体の光学定数
を異なるようにした多層構造光情報媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク、光テ
ープ、光カード等の多層構造光情報媒体に関する。この
多層構造光情報媒体には、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）、レーザディスク（ＬＤ）、ディジタルビデオディ
スク（ＤＶＤ）等の再生専用型の光ディスク、電子計算
機用等の追記型又は書替え型光ディスク等も含まれる。

【０００２】

【従来の技術】従来、光情報媒体の高記録密度化の方法
は、２次元的な情報媒体平面上の記録密度を向上させる
ものであった。しかし、装置の小型化の要請から情報媒
体の大きさは制限され、さらに光の回折限界により記録
可能なマークの大きさも制限されるため、平面上での高
密度化には限界がある。

【０００３】そこで、さらに高密度化する方法として、
深さ方向を含めた３次元的な記録再生方法が検討され
た。例えば、特開昭５９−１２７２３７号には、多層の
記録層を持つディスクの各記録層に光を絞り込み、記録
再生を行うことが記載されている。しかし、この実施例
では具体的な情報媒体の構造が示されておらず、信頼性
のある記録は困難である。

【０００４】また、例えば特開昭６０−２０２５４５号
には、多層の記録層を持つディスクの各層に、回折限界
の光スポットを形成するための情報媒体の厚さについて
述べられている。しかしこの実施例においても、安価に
作製可能な情報媒体の構造が明瞭に示されていない。

【０００５】また、例えば特開昭５４−１３０９０２号
には、多層の情報層を持つディスクが記載されている。
しかし、このディスクは、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を上
げることが困難であり、また、各情報層の平面的な記録
密度を高くすることが困難であった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、いず
れも２次元的に各層の記録密度を向上させるため、より
短い波長の再生用光ビームを用いることが考慮されてお
らず、より短い波長の再生用光ビームを多層構造光情報
媒体に適用したときに再生信号強度が低下するという問
題があった。

【０００７】本発明の目的は、再生用光ビームの波長の
より短い高記録密度媒体用情報再生装置を用いても、再
生信号強度が低下しない多層構造光情報媒体を提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の多層構造光情報媒体は、互いに向き合って
配置された第１及び第２の基板の間に、収束された光ビ
ームにより情報を再生する第１及び第２の情報構体を配
置し、上記光ビームが入射する第１の基板側に配置され
た第１の情報構体を第１の基板表面に設けられた凹凸と
その上に設けられた半透明層から構成し、第２の基板側
に配置された第２の情報構体を上記光ビームに透明な物
質の層の表面に設けられた凹凸とその上に設けられた反
射層から構成し、第１の基板の厚さを０．５２ｍｍから
０．６５ｍｍの範囲とし、半透明層を少なくとも３層の
誘電体から構成し、かつ、互いに接する２層の誘電体の
光学定数を異なるようにしたものである。

【０００９】第１の基板の厚さを上記のようにしたの
は、厚さが０．５２ｍｍ未満、或いは０．６５ｍｍを超
えるときは、第１又は第２の情報構体のどちらかの情報
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）がエラーなく情報を再生できる
レベルを下回るためである。この多層構造光情報媒体の
第１の基板の第２の基板側と逆の側の表面から、反射層
の第１の基板側の表面までの距離を０．５５ｍｍ以上、
０．６８ｍｍ以下とすることが好ましい。また、透明な
物質の層の厚さを３０μｍから８０μｍの範囲とするこ
とが好ましい。半透明層及び反射層は、第１の基板側か
ら収束光で測定した反射率が、いずれも１５％から４０
％の範囲にあることが好ましく、また、この反射率の値
がそれぞれ１０％以内の差で一致することが好ましい。

【００１０】また、上記目的を達成するために、本発明
の多層構造光情報媒体は、第１の基板上に情報構体を２
面から４面有する第１の光情報媒体と、第２の基板上に
情報構体を２面から４面有する第２の光情報媒体とを第
１及び第２の基板がそれぞれ外側に位置するように配置
した構造とし、第１及び第２の基板の厚さをそれぞれ
０．５２ｍｍ以上０．６５ｍｍ以下とし、第１及び第２
の基板上の情報構体の内のそれぞれ基板から最も離れた
位置の第１及び第２の情報構体を情報を再生するための
光ビームに透明な物質の層の表面に設けられた凹凸とそ
の上に設けられた反射層から構成し、この第１及び第２
の情報構体の他の情報構体を（１）基板の表面に設けら
れた凹凸とその上に設けられた半透明層及び／又は
（２）上記光ビームに透明な物質の層の表面に設けられ
た凹凸とその上に設けられた半透明層から構成し、この
半透明層を少なくとも３層の誘電体から構成し、かつ、
互いに接する２層の誘電体の光学定数を異なるようにし
たものである。

【００１１】この多層構造光情報媒体の第１及び第２の
基板に、それぞれ最も近い位置に配置された情報構体
は、いずれもそれぞれの基板表面に設けられた凹凸と、
凹凸の上に設けられた半透明層からなることが好まし
い。

【００１２】また、第１の基板の第２の基板側と逆の側
の表面から、第１の基板上に設けられた反射層の第１の
基板側の表面までの距離を０．５５ｍｍ以上、０．６８
ｍｍ以下とし、これと同様に、第２の基板の第１の基板
側と逆の側の表面から、第２の基板上に設けられた反射
層の第２の基板側の表面までの距離を０．５５ｍｍ以
上、０．６８ｍｍ以下とすることが好ましい。

【００１３】また、第１及び第２の基板上に設けられた
半透明層及び反射層のそれぞれの基板側から収束光で測
定した反射率の値がそれぞれ１０％以内の差で一致する
ようにすることが好ましい。さらに、透明な物質の層の
厚さを３０μｍから８０μｍの範囲とすることが好まし
い。

【００１４】また、上記目的を達成するために、本発明
の多層構造光情報媒体は、第１の基板上に、情報構体を
２面から４面有する第１の光情報媒体と、第２の基板上
に、情報構体を２面から４面有する第２の光情報媒体と
を第１及び第２の基板がそれぞれ外側に位置するように
配置した構造とし、第１及び第２の基板の厚さをそれぞ
れ０．５２ｍｍ以上０．６５ｍｍ以下とし、第１及び第
２の基板上の情報構体の内のそれぞれ基板から最も離れ
た位置の第１及び第２の情報構体を記録層とその上に設
けられた反射層から構成し、第１及び第２の情報構体の
他の情報構体を（１）基板の表面に設けられた凹凸とそ
の上に設けられた半透明層及び／又は（２）上記光ビー
ムに透明な物質の層の表面に設けられた凹凸とその上に
設けられた半透明層から構成し、さらに、この半透明層
を少なくとも３層の誘電体から構成し、かつ、互いに接
する２層の誘電体の光学定数を異なるようにしたもので
ある。

【００１５】記録層は、相変化型記録層、光磁気型記録
層及び熱変形型記録層の内の１種とすることができる。
第１及び第２の基板にそれぞれ最も近い位置に配置され
た情報構体をいずれもそれぞれの基板表面に設けられた
凹凸とこの凹凸の上に設けられた半透明層とすることが
好ましい。

【００１６】また、第１の基板の第２の基板側と逆の側
の表面から第１の基板上に設けられた反射層の第１の基
板側の表面までの距離を０．５５ｍｍ以上、０．６８ｍ
ｍ以下とし、これと同様に、第２の基板の第１の基板側
と逆の側の表面から第２の基板上に設けられた反射層の
第２の基板側の表面までの距離を０．５５ｍｍ以上、
０．６８ｍｍ以下とすることが好ましい。第１及び第２
の基板上に設けられた半透明層及び反射層のそれぞれの
基板側から収束光で測定した反射率の値がそれぞれ１０
％以内の差で一致するようにすることが好ましい。

【００１７】また、上記目的を達成するために、本発明
の多層構造光情報媒体は、互いに向き合って配置された
第１及び第２の基板の間に第１及び第２の情報構体を配
置し、情報を記録及び再生する光ビームが入射する第１
の基板側に配置された第１の情報構体を第１の基板表面
に設けられた凹凸とその上に設けられた半透明層から構
成し、第２の基板側に配置された第２の情報構体を記録
層と、この記録層の光ビームが入射する側と逆の側に設
けられた反射層から構成し、第１の基板の厚さを０．５
２ｍｍから０．６５ｍｍの範囲とし、さらに半透明層を
少なくとも３層の誘電体から構成し、かつ、互いに接す
る２層の誘電体の光学定数を異なるようにしたものであ
る。

【００１８】この多層構造光情報媒体の第１の基板の第
２の基板側と逆の側の表面から、反射層の第１の基板側
の表面までの距離を０．５７ｍｍ以上、０．６６ｍｍ以
下とすることが好ましい。また、半透明層及び反射層の
第１の基板側から収束光で測定した反射率の値をそれぞ
れ１０％以内の差で一致するようにすることが好まし
い。記録層は、相変化型記録層、光磁気型記録層及び熱
変形型記録層の内の１種の記録層とすることができる。

【００１９】また、上記目的を達成するために、本発明
の多層構造光情報媒体は、互いに向き合って配置された
２個の基板の間に、収束された光ビームにより情報を再
生する情報構体を少なくとも２個配置し、光ビームが入
射する側の基板に最も近い位置に配置された情報構体を
その基板表面に設けられた凹凸とその上に設けられた半
透明層から構成し、光ビームが入射する側の基板に最も
遠い位置に配置された情報構体を光ビームに透明な物質
の層の表面に設けられた凹凸とその上に設けられた反射
層又は記録層とその上に設けられた反射層から構成し、
さらに、この半透明層を少なくとも３層の誘電体から構
成し、かつ、互いに接する２層の誘電体の光学定数を異
なるようにしたものである。

【００２０】この多層構造光情報媒体では、光ビームは
一方から入射するのでも両方から入射するのでもよい。
光ビームが一方から入射するときは、その入射する側の
基板に対して情報構体を２個から４個、光ビームが両方
から入射するときは、それぞれの基板に対して情報構体
を２個から４個、合計４個から８個設けることが好まし
い。光ビームが両方から入射するときは、光ビームが入
射する側の基板に最も近い位置に配置された情報構体と
は、ある光ビームにより情報が記録される情報構体の内
で、光ビームが入射する側の基板に最も近い位置のもの
をいう。

【００２１】反射層を有する情報構体は、光ビームが入
射する側の基板に最も遠い位置に設ける。光ビームが両
方から入射するときは、それぞれの光ビームにより情報
が記録される情報構体の内でそれぞれの基板に最も遠い
位置の情報構体を反射層を有する情報構体とする。

【００２２】この多層構造光情報媒体の光ビームが入射
する側の基板の厚さを、光ビームが両方から入射すると
きは両方の基板の厚さを０．５２ｍｍから０．６５ｍｍ
の範囲とすることが好ましい。また、光ビームが入射す
る側の基板（光ビームが両方から入射するときは両方の
基板）の光ビームが入射する側の表面から、反射層の光
ビームが入射する基板側の表面までの距離を０．５５ｍ
ｍ以上、０．６８ｍｍ以下とすることが好ましい。さら
にまた、光ビームが入射する側の基板に最も遠い位置に
配置された情報構体を光ビームに透明な物質の層の表面
に設けられた凹凸とその上に設けられた反射層とすると
きは、この透明な物質の層の厚さを３０μｍから８０μ
ｍの範囲とすることが好ましい。

【００２３】いずれの多層構造光情報媒体でも半透明層
は、Ｓｉ、Ｃｅの酸化物、Ｌａの酸化物、Ｓｉの酸化
物、Ｉｎの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｇｅの酸化物、Ｐｂ
の酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔａの酸化物、Ｓｃの酸化
物、Ｙの酸化物、Ｔｉの酸化物、Ｚｒの酸化物、Ｖの酸
化物、Ｎｂの酸化物、Ｃｒの酸化物、Ｗの酸化物、Ｚｎ
の硫化物、Ｇａの硫化物、Ｉｎの硫化物、Ｓｂの硫化
物、Ｇｅの硫化物、Ｓｎの硫化物、Ｐｂの硫化物、Ｍｇ
の弗化物、Ｃｅの弗化物、Ｃａの弗化物、Ｓｉの窒化
物、Ａｌの窒化物、Ｔａの窒化物、Ｂの窒化物からなる
群から選ばれた少なくとも一種の材料からなることが好
ましい。

【００２４】また、誘電体層は少なくとも３層あればよ
いが、製造上の容易さから５層程度までとすることが好
ましい。さらに光入射側の誘電体から屈折率が、徐々に
増加又は徐々に減少するのではなく、屈折率の高低が繰
り返されるようにすることが好ましい。

【００２５】いずれの多層構造光情報媒体でも光入射側
と反対側の情報構体を構成する反射層は、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、金、金合金、銀、銀合金、銅、
銅合金の内の少なくとも一者で形成されていることが好
ましいが、アルミニウム、アルミニウム合金、銀又は銀
合金で形成されていることが、波長５００ｎｍ以下の短
波長まで媒体の反射率を高くできる点で特に好ましい。

【００２６】

【発明の実施の形態】

〈実施例１〉図１に本発明の第１の実施例の多層構造光
情報媒体の断面の拡大図を示す。まず、直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．５８ｍｍのディスク状ポリカーボネート板
の表面に射出成形法によって、情報を凹凸（光学的位相
ピット）として形成した基板１を作製した。この基板１
上に、高周波マグネトロンスパッタリング法により、ア
ルゴンガスを用いて（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル
％）層を６０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を８５ｎｍ、（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を６０ｎｍの厚さに続けて製膜した
３層の誘電体層からなる半透明層２を形成し第１の再生
専用の情報構体を構成し、光情報媒体Ａ１を作製した。

【００２７】次に、同様のポリカーボネート板の表面に
射出成形法によって、上記と異なる情報を凹凸として形
成した基板５を作製した。この基板５上に、高周波マグ
ネトロンスパッタリング法により、アルゴンガスを用い
てＡｇ層を５０ｎｍ製膜し、反射層４とした光情報媒体
Ａ２を作製した。

【００２８】このようにして作製した光情報媒体Ａ１及
びＡ２を、基板１及び５が外側になるようにして紫外線
硬化樹脂からなる透明接着剤層３で貼り合わせ、多層構
造光情報媒体Ａを作製した。ここでは、光情報媒体Ａ１
の半透明層２上に紫外線硬化樹脂を垂らした後に光情報
媒体Ａ２を気泡が入らないように４０μｍの厚さにして
貼り合わせ、光情報媒体Ａ１の側から紫外線を照射して
硬化させた。この透明接着剤層３の基板５側の凹凸と上
記反射層４とにより第２の再生専用の情報構体が構成さ
れる。

【００２９】また、比較のため、光情報媒体Ａ１の半透
明層２が、高周波マグネトロンスパッタリング法によ
り、アルゴン中に窒素を５％混入したガスを用いて製膜
した、硅素と硅素窒化物との混合物層の１層の誘電体層
である光情報媒体Ｂ１を作成した。同様に光情報媒体Ａ
１の半透明層２が、高周波マグネトロンスパッタリング
法により、アルゴンガスを用いて製膜した厚さ１２ｎｍ
のＡｕの１層の金属層である光情報媒体Ｃ１を作成し
た。光情報媒体Ｂ１と光情報媒体Ａ２から多層構造光情
報媒体Ｂを、光情報媒体Ｃ１と光情報媒体Ａ２から多層
構造光情報媒体Ｃを作製した。

【００３０】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ａ、Ｂ及びＣを、光ディスクドライブＡ（レーザ波長６
５０ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）０．６）、光ディ
スクドライブＢ（レーザ波長５３２ｎｍ、対物レンズ開
口数（ＮＡ）０．６）及び光ディスクドライブＣ（レー
ザ波長４１５ｎｍ、対物レンズ開口数（ＮＡ）０．６）
により再生評価した。ここで、上記ドライブＡはレーザ
波長の長い通常記録密度媒体用再生装置であり、ドライ
ブＢ及びドライブＣはレーザ波長のより短い高密度媒体
用再生装置である。

【００３１】上記各多層構造光情報媒体を線速度又は角
速度一定で回転させ、任意の半径位置に半導体レーザか
らの連続光を光ヘッド中の対物レンズで基板１を通して
第１又は第２の再生専用の情報構体に集光し、トラッキ
ングを行いながら各情報を有する面上に焦点が来るよう
に自動焦点合わせをして、反射光の強弱を検出すること
によって再生した。

【００３２】上記の多層構造光情報媒体Ａ、Ｂ及びＣに
ついて、光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣを用いて、一
定線速度３．８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体
面上０．５ｍＷとし、ピット深さ８０ｎｍ、マーク長
０．４４μｍ、マークピッチ０．８８μｍ、トラックピ
ッチ０．７４μｍの位相ピット列からなるデータを再生
した。上記各多層構造光情報媒体の第１及び第２の再生
専用の情報構体の情報を再生し、測定分解能バンド幅３
０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ）を測定した。第１及び第２の再生専用の情報構体の
情報を再生した結果をそれぞれ表１及び表２に示す。

【００３３】

【表１】

【００３４】

【表２】

【００３５】ここで、多層構造光情報媒体Ａでは、第
１、第２の再生専用の情報構体のどちらでも、光ディス
クドライブＡ、Ｂ、Ｃのどの再生装置を用いても、２５
ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られた。

【００３６】しかし、多層構造光情報媒体Ｂの第１、第
２の情報構体、再生専用多層構造光情報媒体Ｃの第１の
再生専用の情報構体を光ディスクドライブＣを用いたと
き及び、多層構造光情報媒体Ｃの第１の再生専用の情報
構体を光ディスクドライブＢを用いて再生したときに、
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり、エラー
無く情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回っ
た。

【００３７】また、多層構造光情報媒体Ｂの第１、第２
の情報構体、再生専用多層構造光情報媒体Ｃの第１の再
生専用の情報構体を光ディスクドライブＣを用いたとき
及び、多層構造光情報媒体Ｃの第１の再生専用の情報構
体を光ディスクドライブＢを用いて再生したときには、
光ヘッドから収束光により測定した反射率が１５％未満
と低くなり、サーボが不安定となった。

【００３８】一方、多層構造光情報媒体Ｃの第２再生専
用の情報構体を光ディスクドライブＣを用いて再生した
ときには、光ヘッドから収束光により測定した反射率が
４０％超過となり、フォーカス信号のゲインが高くなり
過ぎて、オートフォーカスコントロールのゲインを切り
替えなければ、サーボが不安定となった。

【００３９】上記の多層構造光情報媒体Ａの透明接着剤
層３の厚さを３０μｍとし、基板１の板厚を変化させた
場合、光ディスクドライブＡを用い、第１及び第２の再
生専用の情報構体での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定し
た結果を表３に示す。

【００４０】

【表３】

【００４１】基板１の板厚が０．５２ｍｍ未満又は０．
６５ｍｍを越える場合は、球面収差によるノイズ増加の
ため、第１又は第２の再生専用の情報構体のどちらかの
情報信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり、エ
ラーなく情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回
った。

【００４２】また、多層構造光情報媒体Ａの基板１の板
厚を０．５２ｍｍとし、透明接着剤層３の厚さを変化さ
せて、基板１の表面（多層構造光情報媒体の外側の面）
から第２の情報構体までの厚さを変化させた場合、光デ
ィスクドライブＡを用い、第２の再生専用の情報構体で
の信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した結果を表４に示
す。

【００４３】

【表４】

【００４４】ここで、基板１の表面から第２の再生専用
の情報構体までの厚さが０．６８ｍｍ超過の場合は球面
収差によるノイズ増加のため、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
が２４ｄＢ未満となり、エラー無く情報を再生できる最
低レベルの２４ｄＢを下回った。

【００４５】上記の多層構造光情報媒体Ａにおいて、透
明接着剤層３の厚さを変化させた場合、第２の再生専用
の情報構体での第１の再生専用の情報構体からの再生信
号の面間クロストークは表５のように変化した。

【００４６】

【表５】

【００４７】ここで、透明接着剤層３の厚さが３０μｍ
未満の場合は面間クロストークが−３０ｄＢを越えて大
きくなることによるノイズ増加のため、エラーなく情報
を再生できなかった。

【００４８】また、透明接着剤層３の厚さが８０μｍ超
過の場合は、層間ジャンプ時のフォーカスの引込みが不
十分で、サーボが不安定になり、安定した層間ジャンプ
ができなかった。透明接着剤層３の厚さが８０μｍ以下
の場合は、層間ジャンプ時のフォーカスの引込みを十分
安定に行うことができ、安定した層間ジャンプが可能で
あった。

【００４９】また、第１の再生専用の情報構体と第２の
再生専用の情報構体での反射率の差が１０％以下の時は
第１の再生専用の情報構体と第２の再生専用の情報構体
との間で層間ジャンプした後、無調整でも安定にサーボ
がかかったが、１０％超過の時は層間ジャンプ後にサー
ボのゲイン調整が必要であった。

【００５０】上記の多層構造光情報媒体Ａの半透明層２
として、本実施例で用いた（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀
層、ＳｉＯ₂層の他に、少なくとも３層の誘電体層を積
層し、互いに接する２層の光学定数が異なるようにすれ
ばよい。このようにして、波長４００ｎｍから６５０ｎ
ｍまでの間で、第１又は第２の再生専用の情報構体の基
板側から収束光で測定した反射率（以下、反射率の定義
同じ）を１５％以上４０％以下となるようすることがで
きる。

【００５１】上記誘電体層が、Ｃｅ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉ
ｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ及びＷよりなる群より選ばれた元
素の酸化物、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂよりなる群より選ばれた元素の硫化物、Ｍｇ、Ｃｅ、
Ｃａよりなる群より選ばれた元素の弗化物、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｂよりなる群より選ばれた元素の窒化物若し
くはＳｉ又はこれらの混合物であっても、第１又は第２
の再生専用の情報構体での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２
４ｄＢ以上となり、エラーなく情報を再生できた。

【００５２】上記の多層構造光情報媒体Ａの反射層４と
して、本実施例で用いたＡｇの他に、アルミニウム、ア
ルミニウム合金、銀合金、等の金属層を用いても、本実
施例と同様の結果が得られた。ただし、アルミニウム、
アルミニウム合金を用いるときは、反射層中に酸素又は
窒素の内の少なくとも一者の濃度の高い領域を設ける等
の構造をとると、１ｄＢディスクノイズが低下した。ま
た、金、金合金、銅、銅合金等の金属層を用いると、光
ディスクドライブＡ（レーザ波長６５０ｎｍ）及び光デ
ィスクドライブＢ（レーザ波長５３２ｎｍ）では本実施
例と同様の結果が得られたが、光ディスクドライブＣ
（レーザ波長４１５ｎｍ）では、反射層４の反射率が低
下するため、第１又は第２再生専用の情報構体での信号
対雑音比（Ｓ／Ｎ）がエラーなく情報を再生できる最低
レベルの２４ｄＢを下回った。

【００５３】上記の多層光情報媒体Ａの透明接着剤層３
として、本実施例で用いた紫外線硬化樹脂の他に、シリ
コーン系反応性接着剤、エポキシ系反応性接着剤を用い
ても、本実施例と同様の結果が得られた。

【００５４】本実施例に用いた基板として、射出成型法
により作製したポリカーボネート基板の他に、射出成型
法により作製したポリオレフィン基板又はＰＭＭＡ基板
を用いても、また、ガラス又は樹脂基板等の表面にフォ
トポリメリゼイション法により情報を凹凸として設けた
紫外線硬化樹脂層を形成した基板を用いても本実施例と
同様の結果が得られた。

【００５５】〈実施例２〉図２に本発明の第２の実施例
の光情報媒体の断面の拡大図を示す。まず、直径１２０
ｍｍ、厚さ０．５８ｍｍのディスク状ポリカーボネート
板の表面に射出成形法によって、情報を凹凸（光学的位
相ピット）として形成した基板６を作製した。上記基板
６上に、高周波マグネトロンスパッタリング法により、
アルゴンガスを用いてＺｎＳ層を５７ｎｍ、ＳｉＯ₂層
を８５ｎｍ、ＺｎＳ層を５７ｎｍの厚さに続けて製膜し
た３層の誘電体層からなる半透明層７を形成し、第１の
再生専用の情報構体を構成した。

【００５６】次に、紫外線硬化樹脂を用いて凹凸をスタ
ンパから転写するフォトポリメリゼーション法（２Ｐ
法）によって、情報を凹凸として形成した紫外線硬化樹
脂層８を４０μｍの厚さに形成した。ここでは、スタン
パとしてプラスチックで作製した透明な型を用い、型の
側から紫外線を入射した。この上に、アルゴンガスを用
いたスパッタリング法によって銀からなる反射層９を５
０ｎｍ形成し第２再生専用の情報構体を設けた。さら
に、紫外線硬化樹脂を１０μｍの厚さでスピンコートし
た後、紫外線を照射して硬化させ保護層１０を形成し、
光情報媒体Ｄ１を作製した。

【００５７】同様にして、基板６’上に、半透明層
７’、紫外線硬化樹脂層８’、反射層９’、紫外線硬化
樹脂からなる保護層１０’を形成し、第３及び第４の再
生専用の情報構体を有するもう１枚の光情報媒体Ｄ２を
作製した。

【００５８】このようにして作製した光情報媒体Ｄ１及
びＤ２を、基板６及び６’が外側になるようにして接着
剤層１１で貼り合わせ、多層構造光情報媒体Ｄを作製し
た。ここでは、光情報媒体Ｄ１の保護層１０上にシリコ
ーン系反応性接着剤を５０μｍの厚さにスピンコートし
た後、光情報媒体Ｄ２を真空中で気泡が入らないように
して貼り合わせ、多層構造光情報媒体Ｄを作製した。

【００５９】上記の多層構造光情報媒体Ｄついて、前記
の光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣを用いて、一定線速
度３．８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体面上
０．５ｍＷとし、ピット深さ９０ｎｍ、マーク長０．４
４μｍ、マークピッチ０．８８μｍ、トラックピッチ
０．７４μｍの位相ピット列からなるデータを再生し
た。上記各多層構造光情報媒体の第１、第２、第３及び
第４の再生専用の情報構体の情報を再生し、測定分解能
バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音
比（Ｓ／Ｎ）を測定した。いずれの再生専用の情報構体
も光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装置を
用いても、３０％以上の反射率と、２５ｄＢ以上のＳ／
Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【００６０】上記の多層構造光情報媒体Ｄの紫外線硬化
樹脂層８の厚さを３０μｍとし、基板６の板厚を変化さ
せた場合、光ディスクドライブＡを用い、第１及び第２
の再生専用の情報構体での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測
定した結果を表６に示す。

【００６１】

【表６】

【００６２】基板６の板厚が０．５２ｍｍ未満又は０．
６５ｍｍを越える場合は、球面収差によるノイズ増加の
ため、第１又は第２の再生専用構体のどちらかの情報信
号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満となり、エラーな
く情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを下回った。

【００６３】また、多層構造光情報媒体Ｄの基板６の板
厚を０．５２ｍｍとし、紫外線硬化樹脂層８の厚さを変
化させて、基板６の基板６’側と逆の側の表面から、基
板６上に設けられた反射層９までの距離を変化させた場
合、光ディスクドライブＡを用い、第２の再生専用の情
報構体での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した結果を表
７に示す。

【００６４】

【表７】

【００６５】ここで、基板６の表面から反射層９までの
距離が０．６８ｍｍ超過の場合は球面収差によるノイズ
増加のため、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ未満と
なり、エラーなく情報を再生できる最低レベルの２４ｄ
Ｂを下回った。

【００６６】また、第２の再生専用の情報構体での第１
の再生専用の情報構体からの再生信号の面間クロストー
クは表８のように変化した。

【００６７】

【表８】

【００６８】ここで、透明接着剤層８の厚さが３０μｍ
未満の場合は面間クロストークが−３０ｄＢを越えて大
きくなることによるノイズ増加のため、エラーなく情報
を再生できなかった。

【００６９】また、透明接着剤層８の厚さが８０μｍ超
過の場合は、層間ジャンプ時のフォーカスの引込みが不
十分で、サーボが不安定になり、安定した層間ジャンプ
ができなかった。透明接着剤層３の厚さが８０μｍ以下
の場合は、層間ジャンプ時のフォーカスの引込みを十分
安定に行うことができ、安定した層間ジャンプが可能で
あった。

【００７０】また、第１の再生専用の情報構体と第２の
再生専用の情報構体での反射率の差が１０％以下の時は
第１の再生専用の情報構体と第２の再生専用の情報構体
との間で層間ジャンプした後、無調整でも安定にサーボ
がかかったが、１０％超過の時は層間ジャンプ後にサー
ボのゲイン調整が必要であった。

【００７１】上記の多層構造光情報媒体Ｄの基板６、
６’の厚さを０．５６ｍｍとし、第２及び第４の再生専
用の情報構体を設けた紫外線硬化樹脂層８、８’上には
反射層でなく、３層の誘電体層からなる半透明層を形成
し、さらにその上に２Ｐ法で４０μｍの厚さの紫外線硬
化樹脂層を形成し、この上に反射層を形成して第５及び
第６の再生専用の情報構体を構成した多層構造光情報媒
体Ｅを作製した。ここでは、半透明層として、Ｓｉ₃Ｎ₄
層を６５ｎｍ、ＳｉＯ₂層を８５ｎｍ、Ｓｉ₃Ｎ₄層を６
５ｎｍの厚さに続けて製膜した３層の誘電体層を用い
た。多層構造光情報媒体Ｅは片面に再生専用の情報構体
を３面、両面合わせて６面の再生専用の情報構体を有し
ている。

【００７２】上記の多層構造光情報媒体Ｅついて、光デ
ィスクドライブＡ、Ｂ及びＣを用いて、一定線速度３．
８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体面上０．５ｍ
Ｗとし、ピット深さ９０ｎｍ、マーク長０．４２μｍ、
マークピッチ０．８４μｍ、トラックピッチ０．７４μ
ｍの位相ピット列からなるデータを再生した。上記各多
層構造光情報媒体中の第１、第２、第３、第４、第５及
び第６再生専用の情報構体を再生し、測定分解能バンド
幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ
／Ｎ）を測定した。いずれの再生専用の情報構体も光デ
ィスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装置を用いて
も、３０％以上の反射率と、２５ｄＢ以上のＳ／Ｎが得
られ、エラーなく情報を再生できた。

【００７３】上記の多層構造光情報媒体Ｅの基板６、
６’の厚さを０．５４ｍｍとし、第５及び第６の再生専
用の情報構体を設けた紫外線硬化樹脂層上には反射層で
なく、３層の誘電体層からなる半透明層を形成し、さら
にその上に２Ｐ法で４０μｍの厚さの紫外線硬化樹脂層
を形成し、この上に反射層を形成して第７及び第８の再
生専用の情報構体を構成した多層構造光情報媒体Ｅ２を
作製した。ここでは、半透明層として、（ＺｎＳ）
₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を６０ｎｍ、ＳｉＯ₂層を８５ｎｍ、
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を６０ｎｍの厚さに続け
て製膜した３層の誘電体層を用いた。多層構造光情報媒
体Ｅ２は片面に再生専用の情報構体を４面、両面合わせ
て８面の再生専用の情報構体を有している。

【００７４】上記の多層構造光情報媒体Ｅ２ついて、光
ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣを用いて、一定線速度
３．８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体面上０．
７ｍＷとし、ピット深さ９０ｎｍ、マーク長０．４４μ
ｍ、マークピッチ０．８８μｍ、トラックピッチ０．７
４μｍの位相ピット列からなるデータを再生した。上記
各多層構造光情報媒体中の第１、第２、第３、第４、第
５、第６、第７及び第８再生専用の情報構体を再生し、
測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで
信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。いずれの再生専用
の情報構体も光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの
再生装置を用いても、３０％以上の反射率と、２４．５
ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生でき
た。

【００７５】また、誘電体層がＣｅ、Ｌａ、Ｓｉ、Ｉ
ｎ、Ａｌ、Ｇｅ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、
Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ及びＷよりなる群より選ばれた元
素の酸化物、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ
ｂよりなる群より選ばれた元素の硫化物、Ｍｇ、Ｃｅ、
Ｃａよりなる群より選ばれた元素の弗化物、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｂよりなる群より選ばれた元素の窒化物若し
くはＳｉ又はこれらの混合物であっても、第１から第８
のどの再生専用の情報構体での信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
も２４ｄＢ以上となり、エラーなく情報を再生できた。

【００７６】〈実施例３〉直径１２０ｍｍ、厚さ０．５
８ｍｍのディスク状ポリカーボネート板の表面に射出成
形法によって、情報を凹凸（光学的位相ピット）として
形成した基板を作製した。上記基板上に、高周波マグネ
トロンスパッタリング法により、アルゴンガスを用いて
（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀（モル％）層を６０ｎｍ、
ＳｉＯ₂層を８５ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を
６０ｎｍの厚さに続けて製膜した３層の誘電体層からな
る半透明層を形成し、第１の再生専用の情報構体を構成
し、光情報媒体Ｆ１を作製した。

【００７７】次に、直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍの
ディスク状ポリカーボネート板の表面に射出成形法によ
ってトラッキング用のスパイラル状Ｕ型溝をランド幅、
グルーブ幅共に０．７４μｍ、溝深さ７２ｎｍとなるよ
うに形成したレプリカ基板を作成した。この基板上に、
高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて、ま
ず、Ａｇを８０ｎｍ製膜し、反射層とした。さらに、同
一スパッタリング装置内で、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）
₂₀の組成の第１の誘電体層を１３０ｎｍの膜厚で形成
し、続いて原子％でＧｅ₂₁Ｓｂ₂₆Ｔｅ₅₃の組成の記録膜
を２５ｎｍの膜厚に形成し、続いて、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓ
ｉＯ₂）₂₀の組成の第２の誘電体層を２５ｎｍの膜厚で
形成し、相変化型記録層とし、第２の情報構体を構成
し、光情報媒体Ｆ２を作製した。

【００７８】このようにして作製した光情報媒体Ｆ１及
びＦ２を、それぞれの基板が外側になるようにして紫外
線硬化樹脂からなる透明接着剤層で貼り合わせ、多層構
造光情報媒体Ｆを作製した。ここでは、光情報媒体Ｆ１
の半透明層上に紫外線硬化樹脂を垂らした後に光情報媒
体Ｆ２を気泡が入らないようにしながら４０μｍの厚さ
にして貼り合わせ、光情報媒体Ｆ１の側から紫外線を照
射して硬化させた。

【００７９】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ｆを、実施例１で用いたのと同じ光ディスクドライブＡ
により記録・再生評価し、光ディスクドライブＢ及び光
ディスクドライブＣにより再生評価した。ここで、上記
ドライブＡはレーザ波長の長い通常記録密度媒体用評価
装置であり、ドライブＢ及びドライブＣはレーザ波長の
より短い高密度媒体用評価装置である。上記多層構造光
情報媒体を線速度又は角速度一定で回転させ、任意の半
径位置に半導体レーザからの連続光を光ヘッド中の対物
レンズで光情報媒体Ｆ１の基板を通して各情報構体に集
光し、トラッキングを行いながら自動焦点合わせをし、
反射光の強弱を検出することによって再生した。

【００８０】まず、上記多層構造光情報媒体Ｆの第１の
再生専用の情報構体にレーザ光を集光し、光ディスクド
ライブＡ、Ｂ及びＣを用いて評価した。一定線速度３．
８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体面上１．０ｍ
Ｗとし、ピット深さ９０ｎｍ、マーク長０．４４μｍ、
マークピッチ０．８８μｍ、トラックピッチ０．７４μ
ｍの位相ピット列からなるデータを再生し、測定分解能
バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音
比（Ｓ／Ｎ）を測定した結果を表９に示す。

【００８１】

【表９】

【００８２】どの光ディスクドライブを用いても信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ以上となり、エラーなく情
報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを上回った。

【００８３】次に、上記第２の情報構体にレーザ光を集
光し、光ディスクドライブＡを用いて、トラッキングを
行いながら自動焦点合わせをして、情報を記録・消去・
再生した。一定線速度３．８ｍ／ｓで回転させ、任意の
半径位置に半導体レーザからの連続光を記録が行われな
い低パワーレベルに保って、Ｕ形状案内溝の溝間（ラン
ド部）又は溝上（グルーブ部）に光スポットの中心が常
に一致するようにヘッドを駆動した。ランド部、グルー
ブ部の両方に記録することで、記録容量を２倍にするこ
とができる。ここに、１ビームによるオーバーライトで
記録と消去を同時に行った。１ビームによるオーバーラ
イトはレーザパワーを結晶化を起こす中間パワーレベル
（消去レベル）と非晶質化を起こす高パワーレベル（記
録レベル）との間で変化させることにより行った。非晶
質化の高パワーレベルと結晶化の中間パワーレベルとの
間のパワー比は１：０．３〜１：０．８の範囲が好まし
かった。これにより、既に記録されている部分に対して
行っても記録されていた情報が新たに記録した情報に書
き換えられる。

【００８４】再生光レベルを連続光１．０ｍＷとし、レ
ーザパワーを結晶化による中間パワーレベル７．０ｍＷ
と非晶質化による高パワーレベル１６．０ｍＷとの間で
変化させることにより情報をオーバーライトし、反射光
の強弱を検出して情報を再生し、再生信号を評価した。
ここでは、マーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍ、
の信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ３．６μｍ
を交互にオーバーライトした。前者の信号をオーバーラ
イトした場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波
対雑音比５３．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生
信号出力が得られた。また、後者の信号をオーバーライ
トした場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比５８．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信
号出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下
までの書き換え可能回数は１０万回以上であった。

【００８５】次に、上記第２の情報構体に記録したマー
ク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの信号を光ディス
クドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価した。測定分解能バ
ンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比
（Ｓ／Ｎ）を測定した結果を表１０に示す。

【００８６】

【表１０】

【００８７】どの光ディスクドライブを用いても信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ以上となり、エラーなく情
報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを上回った。

【００８８】上記相変化型記録層の記録膜組成として
は、上記の組成比以外のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、他の組成
のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｍ（Ｍは金属元素）系、Ｇｅ−Ｔ
ｅ−Ｓｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ
系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｍ（Ｍは金属元
素）系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系、Ｇ
ａ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系、又はＳｎ−Ｓｂ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ系、等を用いても、同様な結果が得られた。ま
た、上記の結晶、非晶質間相変化を利用したものの他に
結晶、結晶間相変化を利用したＩｎ−Ｓｂ系等を用いて
も、同様な結果が得られた。

【００８９】上記多層構造光情報媒体Ｆ中の相変化型記
録層である第２の情報構体を、基板側から順に、窒化硅
素、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、窒化硅素の薄膜をそれぞれ６０
ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ形成した３層構造とした光磁
気型記録層に換えた多層構造光情報媒体Ｇについて、多
層構造光情報媒体Ｆと同様に、光ディスクドライブＡに
より記録・再生評価し、光ディスクドライブＢ及び光デ
ィスクドライブＣにより再生評価した。

【００９０】まず、上記多層構造光情報媒体Ｇ中の第１
の再生専用の情報構体にレーザ光を集光し、光ディスク
ドライブＡ、Ｂ及びＣを用いて評価した。一定線速度
３．８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体面上１．
０ｍＷとし、ピット深さ８０ｎｍ、マーク長０．４４μ
ｍ、マークピッチ０．８８μｍ、トラックピッチ０．７
４μｍの位相ピット列からなるデータを再生し、測定分
解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。上記多層構造光情報媒体
Ｆ中の第１の再生専用の情報構体での結果と全く同じ結
果を示し、どの光ディスクドライブを用いても信号対雑
音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ以上となり、エラーなく情報
を再生できる最低レベルの２４ｄＢを上回った。

【００９１】次に、上記多層構造光情報媒体Ｇの第２の
情報構体にレーザ光を集光し、光ディスクドライブＡに
より、光磁気層の初期化磁化の向きと反対の方向に磁場
をかけながらレーザ光を照射して記録した。消去は、記
録と反対の方向に磁場をかけながら連続光を照射して行
った。再生は、カー回転角の向きを差動検出法により反
射光の強弱に変換して検出して行った。ここでは、再生
光レベルを連続光１．０ｍＷ、記録レーザパワーを１２
ｍＷとし、マーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ３．６μｍを
それぞれ消去した後記録した。この時、前者の信号を記
録した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比５３．０ｄＢ再生信号出力が得られた。また、後
者の信号を記録した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨ
ｚで搬送波対雑音比５８．０ｄＢの再生信号出力が得ら
れた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下までの書き換
え可能回数は１００万回以上であった。

【００９２】次に、上記光ディスクドライブＡで上記多
層構造光情報媒体Ｇの第２の情報構体に記録したマーク
長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの信号を光ディスク
ドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価した。測定分解能バン
ド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比
（Ｓ／Ｎ）を測定した結果を表１１に示す。

【００９３】

【表１１】

【００９４】どの光ディスクドライブを用いても信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４．１ｄＢ以上となり、エラーな
く情報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを上回った。

【００９５】上記多層構造光情報媒体Ｆの相変化型記録
層をシアニン色素よりなる薄膜を回転塗布法により７０
ｎｍ形成した熱変形型記録層に換えた多層構造光情報媒
体Ｈについて、多層構造光情報媒体Ｆと同様に、光ディ
スクドライブＡにより記録・再生評価し、光ディスクド
ライブＢ及び光ディスクドライブＣにより再生評価し
た。

【００９６】まず、上記多層構造光情報媒体Ｈの第１の
再生専用の情報構体にレーザ光を集光し、光ディスクド
ライブＡ、Ｂ及びＣを用いて評価した。一定線速度３．
８ｍ／ｓで回転させ、再生光レベルを媒体面上１．０ｍ
Ｗとし、ピット深さ８０ｎｍ、マーク長０．４４μｍ、
マークピッチ０．８８μｍ、トラックピッチ０．７４μ
ｍの位相ピット列からなるデータを再生し、測定分解能
バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音
比（Ｓ／Ｎ）を測定した。上記多層構造光情報媒体Ｆの
第１の情報構体での結果と全く同じ結果を示し、どの光
ディスクドライブを用いても信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）が
２４ｄＢ以上となり、エラーなく情報を再生できる最低
レベルの２４ｄＢを上回った。

【００９７】次に、上記多層光情報媒体Ｈの第２の情報
構体にレーザ光を集光し、光ディスクドライブＡによ
り、レーザ光を照射して記録した。再生は、再生光の熱
変形部分での回折による反射光の強弱を検出して行っ
た。ここでは、再生光レベルを連続光１．０ｍＷ、記録
レーザパワーを１４ｍＷとし、マーク長０．５μｍ、マ
ークピッチ１μｍの信号を記録した。この時、測定分解
能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５３．０ｄＢ再
生信号出力が得られた。

【００９８】次に、上記光ディスクドライブＡで上記多
層光情報媒体Ｈの第２の情報構体にに記録したマーク長
０．５μｍ、マークピッチ１μｍの信号を光ディスクド
ライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価した。測定分解能バンド
幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ
／Ｎ）を測定した結果を表１２に示す。

【００９９】

【表１２】

【０１００】どの光ディスクドライブを用いても信号対
雑音比（Ｓ／Ｎ）が２４ｄＢ以上となり、エラーなく情
報を再生できる最低レベルの２４ｄＢを上回った。

【０１０１】上記多層構造光情報媒体Ｈの熱変形型記録
層として、シアニン色素の代わりに、他の色素である、
フタロシアニン色素、ポリメチン色素、ナフトキノン系
色素、ローダミン染料、アズレニウム色素、大環状アザ
アヌレン系色素のうち少なくとも１つを主成分として用
いても、同様の結果が得られた。

【０１０２】〈実施例４〉実施例２の光情報媒体Ｄ１、
Ｄ２の紫外線硬化樹脂層８、８’（図２）の代わりに、
それぞれトラッキング用のトラックピッチ１．４８μ
ｍ、Ｕ形状（ランド幅、グルーブ幅共に０．７４μｍ）
の案内溝とアドレス情報等のプリピットを形成した紫外
線硬化樹脂層を、反射層９、９’の代わりに記録可能な
記録層及び反射層を形成した光情報媒体を作製した。ま
ず、記録層として、基板側から順に、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓ
ｉＯ₂）₂₀、Ｇｅ₂₁Ｓｂ₂₅Ｔｅ₅₄、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀の薄膜をそれぞれ１３０ｎｍ、２５ｎｍ、２５
ｎｍ形成して相変化型記録層とし、次に反射層としてＡ
ｇの薄膜を７０ｎｍ形成し、光情報媒体Ｉ１、Ｉ２を作
製した。この光情報媒体Ｉ１、Ｉ２を実施例２と同様に
貼り合わせて多層構造光情報媒体Ｉを作製した。

【０１０３】上記と同様に、記録層として、基板側から
順に、窒化硅素、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ、窒化硅素の薄膜を
それぞれ６０ｎｍ、２０ｎｍ、１５ｎｍ形成して光磁気
型記録層とし、さらに反射層としてＡｇの薄膜を５０ｎ
ｍ形成し、光情報媒体Ｊ１、Ｊ２を作製した。この光情
報媒体Ｊ１、Ｊ２を同様に貼り合わせて多層構造光情報
媒体Ｊを作製した。

【０１０４】さらに、上記と同様に、記録層として、基
板側にフタロシアニン色素の薄膜を６０ｎｍ形成して熱
変形型記録層とし、さらに反射層としてＡｇの薄膜を７
０ｎｍ形成し、光情報媒体Ｋ１、Ｋ２を作製した。この
光情報媒体Ｋ１、Ｋ２を同様に貼り合わせて多層構造光
情報媒体Ｋを作製した。

【０１０５】上記のように作製した多層構造光情報媒体
Ｉ、Ｊ及びＫを、前記の光ディスクドライブＡにより記
録し、光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣにより再生評価
した。ここで、上記光ディスクドライブＡはレーザ波長
の長い通常記録密度媒体用評価装置であり、光ディスク
ドライブＢ及びＣはレーザ波長のより短い高密度媒体用
評価装置である。

【０１０６】上記多層構造光情報媒体Ｉ、Ｊ及びＫを、
線速度３．８ｍ／ｓ一定で回転させ、任意の半径位置に
半導体レーザからの連続光を光ヘッド中の対物レンズで
それぞれの基板を通して第１及び第２の再生専用の情報
構体に集光し、トラッキングを行いながら自動焦点合わ
せをし、反射光の強弱を検出することによって再生し
た。再生光レベルをディスク面上１．０ｍＷとし、ピッ
ト深さ９０ｎｍ、マーク長０．４４μｍ、マークピッチ
０．８８μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの位相ピッ
ト列からなるデータを再生し、測定分解能バンド幅３０
ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を測定した。いずれの多層構造光情報媒体の再生専用の
情報構体も光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再
生装置を用いても、１５％以上の反射率と、２４．７ｄ
Ｂ以上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生でき
た。

【０１０７】次に、上記多層構造光情報媒体Ｉ、Ｊ及び
Ｋの記録層にレーザ光を集光し、光ディスクドライブＡ
を用いて、トラッキングを行いながら自動焦点合わせを
して、情報を記録した。一定線速度３．８ｍ／ｓで回転
させ、任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を記
録が行われない低パワーレベルに保って、Ｕ形状案内溝
の溝間（ランド部）又は溝上（グルーブ部）に光スポッ
トの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。ラン
ド部、グルーブ部の両方に記録することで、記録容量を
２倍にすることができる。

【０１０８】多層光情報媒体Ｉでは、光ディスクドライ
ブＡにより、再生光レベルを連続光１．０ｍＷとし、レ
ーザパワーを結晶化による中間パワーレベル７．０ｍＷ
と非晶質化による高パワーレベル１６．０ｍＷとの間で
変化させることにより情報をオーバーライトし、反射光
の強弱を検出して情報を再生し、再生信号を評価した。
ここでは、マーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ３．６μｍを
交互にオーバーライトした。前者の信号をオーバーライ
トした場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比５３．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信
号出力が得られた。また、後者の信号をオーバーライト
した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑
音比５８．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信号
出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下ま
での書き換え可能回数は１０万回以上であった。

【０１０９】次に、上記のように光ディスクドライブＡ
で記録したマーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号を光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価し
た。測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨ
ｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。どちらの記録
層も、光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装
置を用いても、１５％以上の反射率と、２４．７ｄＢ以
上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【０１１０】多層構造光情報媒体Ｊでは、光ディスクド
ライブＡにより、光磁気層の初期化磁化の向きと反対の
方向に磁場をかけながらレーザ光を照射して記録した。
消去は、記録と反対の方向に磁場をかけながら連続光を
照射して行った。再生は、カー回転角の向きを差動検出
法により反射光の強弱に変換して検出して行った。ここ
では、再生光レベルを連続光１．０ｍＷ、記録レーザパ
ワーを１２ｍＷとし、マーク長０．５μｍ、マークピッ
チ１μｍの信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ
３．６μｍをそれぞれ消去した後記録した。この時、前
者の信号を記録した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨ
ｚで搬送波対雑音比５３．０ｄＢ再生信号出力が得られ
た。また、後者の信号を記録した場合、測定分解能バン
ド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５８．０ｄＢの再生信
号出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下
までの書き換え可能回数は１００万回以上であった。

【０１１１】次に、上記のように光ディスクドライブＡ
で記録したマーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号を光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価し
た。測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨ
ｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。どちらの記録
層も、光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装
置を用いても、１５％以上の反射率と、２４．１ｄＢ以
上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【０１１２】多層構造光情報媒体Ｋでは、光ディスクド
ライブＡにより、レーザ光を照射して記録した。再生
は、再生光の熱変形部分での回折による反射光の強弱を
検出して行った。ここでは、再生光レベルを連続光１．
０ｍＷ、記録レーザパワーを１４ｍＷとし、マーク長
０．５μｍ、マークピッチ１μｍの信号を記録した場
合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５
３．０ｄＢ再生信号出力が得られた。

【０１１３】次に、上記のように光ディスクドライブ
Ａ、Ｂ及びＣで再生評価した。測定分解能バンド幅３０
ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を測定した。どちらの記録層も、光ディスクドライブ
Ａ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装置を用いても、１５％以上
の反射率と、２４．１ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、エラ
ーなく情報を再生できた。

【０１１４】〈実施例５〉上記の多層構造光情報媒体
Ｉ、Ｊ及びＫの基板の厚さを０．５６ｍｍとし、基板上
の第１及び第２の再生専用の情報構体と記録可能な記録
層及び反射層からなる情報構体との間に、２Ｐ法で形成
した厚さ４０μｍの紫外線硬化樹脂層と３層の誘電体層
からなる半透明層とよりなる第３及び第４の再生専用の
情報構体を形成した多層構造光情報媒体Ｌ、Ｍ及びＮを
作製した。ここでは、半透明層として、Ｓｉ₃Ｎ₄層を６
５ｎｍ、ＳｉＯ₂層を８５ｎｍ、Ｓｉ₃Ｎ₄層を６５ｎｍ
の厚さに続けて製膜した３層の誘電体層を用いた。多層
構造光情報媒体Ｌ、Ｍ及びＮは片面に２面、両面合わせ
て４面の再生専用の情報構体と、片面に１面、両面合わ
せて２面の記録可能な情報構体とを有している。

【０１１５】まず、上記多層構造光情報媒体Ｌ、Ｍ及び
Ｎを、線速度３．８ｍ／ｓ一定で回転させ、任意の半径
位置に半導体レーザからの連続光を光ヘッド中の対物レ
ンズでそれぞれの基板を通して第１及び第２の再生専用
の情報構体に集光し、トラッキングを行いながら自動焦
点合わせをし、反射光の強弱を検出することによって再
生した。再生光レベルをディスク面上１．０ｍＷとし、
ピット深さ８０ｎｍ、マーク長０．４４μｍ、マークピ
ッチ０．８８μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの位相
ピット列からなるデータを再生し、測定分解能バンド幅
３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ）を測定した。いずれの多層構造光情報媒体の再生専
用の情報構体も光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれ
の再生装置を用いても、１２％以上の反射率と、２４．
５ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生で
きた。

【０１１６】次に、上記多層構造光情報媒体Ｌ、Ｍ及び
Ｎの記録層にレーザ光を集光し、光ディスクドライブＡ
を用いて、トラッキングを行いながら自動焦点合わせを
して、情報を記録した。一定線速度３．８ｍ／ｓで回転
させ、任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を記
録が行われない低パワーレベルに保って、Ｕ形状案内溝
の溝間（ランド部）又は溝上（グルーブ部）に光スポッ
トの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。ラン
ド部、グルーブ部の両方に記録することで、記録容量を
２倍にすることができる。

【０１１７】多層光情報媒体Ｌでは、光ディスクドライ
ブＡにより、再生光レベルを連続光１．０ｍＷとし、レ
ーザパワーを結晶化による中間パワーレベル７．０ｍＷ
と非晶質化による高パワーレベル１６．０ｍＷとの間で
変化させることにより情報をオーバーライトし、反射光
の強弱を検出して情報を再生し、再生信号を評価した。
ここでは、マーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ３．６μｍを
交互にオーバーライトした。前者の信号をオーバーライ
トした場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比５３．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信
号出力が得られた。また、後者の信号をオーバーライト
した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑
音比５８．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信号
出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下ま
での書き換え可能回数は１０万回以上であった。

【０１１８】次に、上記のように光ディスクドライブＡ
で記録したマーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号を光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価し
た。測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨ
ｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。どちらの記録
層も、光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装
置を用いても、１２％以上の反射率と、２４．７ｄＢ以
上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【０１１９】多層構造光情報媒体Ｍでは、光ディスクド
ライブＡにより、光磁気層の初期化磁化の向きと反対の
方向に磁場をかけながらレーザ光を照射して記録した。
消去は、記録と反対の方向に磁場をかけながら連続光を
照射して行った。再生は、カー回転角の向きを差動検出
法により反射光の強弱に変換して検出して行った。ここ
では、再生光レベルを連続光１．０ｍＷ、記録レーザパ
ワーを１２ｍＷとし、マーク長０．５μｍ、マークピッ
チ１μｍの信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ
３．６μｍをそれぞれ消去した後記録した。この時、前
者の信号を記録した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨ
ｚで搬送波対雑音比５３．０ｄＢ再生信号出力が得られ
た。また、後者の信号を記録した場合、測定分解能バン
ド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５８．０ｄＢの再生信
号出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下
までの書き換え可能回数は１００万回以上であった。

【０１２０】次に、上記のように光ディスクドライブＡ
で記録したマーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号を光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価し
た。測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨ
ｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。どちらの記録
層も、光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装
置を用いても、１２％以上の反射率と、２４．１ｄＢ以
上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【０１２１】多層構造光情報媒体Ｎでは、光ディスクド
ライブＡにより、レーザ光を照射して記録した。再生
は、再生光の熱変形部分での回折による反射光の強弱を
検出して行った。ここでは、再生光レベルを連続光１．
０ｍＷ、記録レーザパワーを１４ｍＷとし、マーク長
０．５μｍ、マークピッチ１μｍの信号を記録した場
合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５
３．０ｄＢ再生信号出力が得られた。

【０１２２】次に、上記のように光ディスクドライブ
Ａ、Ｂ及びＣで再生評価した。測定分解能バンド幅３０
ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を測定した。どちらの記録層も、光ディスクドライブ
Ａ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装置を用いても、１２％以上
の反射率と、２４．１ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、エラ
ーなく情報を再生できた。

【０１２３】また、第１から第６の再生専用の情報構体
と記録可能な情報構体での反射率の差が１０％以下の時
は第１の再生専用の情報構体と記録可能な情報構体との
間で層間ジャンプした後、無調整でも安定にサーボがか
かったが、１０％超過の時は層間ジャンプ後にサーボの
ゲイン調整が必要であった。

【０１２４】上記の多層構造光情報媒体Ｌ、Ｍ及びＮの
基板の厚さを０．５４ｍｍとし、基板上の第３及び第４
の再生専用の情報構体と記録可能な記録層及び反射層か
らなる情報構体との間に、２Ｐ法で形成した厚さ４０μ
ｍの紫外線硬化樹脂層と３層の誘電体層からなる半透明
層とよりなる第５及び第６の再生専用の情報構体形成し
た多層構造光情報媒体Ｏ、Ｐ及びＱを作製した。ここで
は、半透明層として、（ＺｎＳ）₈₀（ＳｉＯ₂）₂₀層を
６１ｎｍ、ＳｉＯ₂層を８５ｎｍ、（ＺｎＳ）₈₀（Ｓｉ
Ｏ₂）₂₀層を６１ｎｍの厚さに続けて製膜した３層の誘
電体層を用いた。多層構造光情報媒体Ｏ、Ｐ及びＱは片
面に３面、両面合わせて６面の再生専用の情報構体と、
片面に１面、両面合わせて２面の記録可能な情報構体と
を有している。

【０１２５】まず、上記多層構造光情報媒体Ｏ、Ｐ及び
Ｑを、線速度３．８ｍ／ｓ一定で回転させ、任意の半径
位置に半導体レーザからの連続光を光ヘッド中の対物レ
ンズでそれぞれの基板を通して第１及び第２の再生専用
の情報構体に集光し、トラッキングを行いながら自動焦
点合わせをし、反射光の強弱を検出することによって再
生した。再生光レベルをディスク面上１．０ｍＷとし、
ピット深さ８０ｎｍ、マーク長０．４４μｍ、マークピ
ッチ０．８８μｍ、トラックピッチ０．７４μｍの位相
ピット列からなるデータを再生し、測定分解能バンド幅
３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／
Ｎ）を測定した。いずれの多層構造光情報媒体の再生専
用の情報構体も光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれ
の再生装置を用いても、１０％以上の反射率と、２４．
３ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生で
きた。

【０１２６】次に、上記多層構造光情報媒体Ｏ、Ｐ及び
Ｑの記録層にレーザ光を集光し、光ディスクドライブＡ
を用いて、トラッキングを行いながら自動焦点合わせを
して、情報を記録した。一定線速度３．８ｍ／ｓで回転
させ、任意の半径位置に半導体レーザからの連続光を記
録が行われない低パワーレベルに保って、Ｕ形状案内溝
の溝間（ランド部）又は溝上（グルーブ部）に光スポッ
トの中心が常に一致するようにヘッドを駆動した。ラン
ド部、グルーブ部の両方に記録することで、記録容量を
２倍にすることができる。

【０１２７】多層光情報媒体Ｏでは、光ディスクドライ
ブＡにより、再生光レベルを連続光１．０ｍＷとし、レ
ーザパワーを結晶化による中間パワーレベル７．０ｍＷ
と非晶質化による高パワーレベル１６．０ｍＷとの間で
変化させることにより情報をオーバーライトし、反射光
の強弱を検出して情報を再生し、再生信号を評価した。
ここでは、マーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ３．６μｍを
交互にオーバーライトした。前者の信号をオーバーライ
トした場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対
雑音比５３．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信
号出力が得られた。また、後者の信号をオーバーライト
した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑
音比５８．０ｄＢ、原信号の消去比３０ｄＢの再生信号
出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下ま
での書き換え可能回数は１０万回以上であった。

【０１２８】次に、上記のように光ディスクドライブＡ
で記録したマーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号を光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価し
た。測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨ
ｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。どちらの記録
層も、光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装
置を用いても、１０％以上の反射率と、２４．５ｄＢ以
上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【０１２９】多層構造光情報媒体Ｐでは、光ディスクド
ライブＡにより、光磁気層の初期化磁化の向きと反対の
方向に磁場をかけながらレーザ光を照射して記録した。
消去は、記録と反対の方向に磁場をかけながら連続光を
照射して行った。再生は、カー回転角の向きを差動検出
法により反射光の強弱に変換して検出して行った。ここ
では、再生光レベルを連続光１．０ｍＷ、記録レーザパ
ワーを１２ｍＷとし、マーク長０．５μｍ、マークピッ
チ１μｍの信号とマーク長１．８μｍ、マークピッチ
３．６μｍをそれぞれ消去した後記録した。この時、前
者の信号を記録した場合、測定分解能バンド幅３０ｋＨ
ｚで搬送波対雑音比５３．０ｄＢ再生信号出力が得られ
た。また、後者の信号を記録した場合、測定分解能バン
ド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５８．０ｄＢの再生信
号出力が得られた。この時の搬送波対雑音比１ｄＢ低下
までの書き換え可能回数は１００万回以上であった。

【０１３０】次に、上記のように光ディスクドライブＡ
で記録したマーク長０．５μｍ、マークピッチ１μｍの
信号を光ディスクドライブＡ、Ｂ及びＣで再生評価し
た。測定分解能バンド幅３０ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨ
ｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）を測定した。どちらの記録
層も、光ディスクドライブＡ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装
置を用いても、１０％以上の反射率と、２４．０ｄＢ以
上のＳ／Ｎが得られ、エラーなく情報を再生できた。

【０１３１】多層構造光情報媒体Ｑでは、光ディスクド
ライブＡにより、レーザ光を照射して記録した。再生
は、再生光の熱変形部分での回折による反射光の強弱を
検出して行った。ここでは、再生光レベルを連続光１．
０ｍＷ、記録レーザパワーを１４ｍＷとし、マーク長
０．５μｍ、マークピッチ１μｍの信号を記録した場
合、測定分解能バンド幅３０ｋＨｚで搬送波対雑音比５
３．０ｄＢ再生信号出力が得られた。

【０１３２】次に、上記のように光ディスクドライブ
Ａ、Ｂ及びＣで再生評価した。測定分解能バンド幅３０
ｋＨｚ、周波数帯域９ＭＨｚで信号対雑音比（Ｓ／Ｎ）
を測定した。どちらの記録層も、光ディスクドライブ
Ａ、Ｂ、Ｃのいずれの再生装置を用いても、１０％以上
の反射率と、２４．０ｄＢ以上のＳ／Ｎが得られ、エラ
ーなく情報を再生できた。

【０１３３】また、第１から第６の再生専用の情報構体
と記録可能な情報構体での反射率の差が１０％以下の時
は第１の再生専用の情報構体と記録可能な情報構体との
間で層間ジャンプした後、無調整でも安定にサーボがか
かったが、１０％超過の時は層間ジャンプ後にサーボの
ゲイン調整が必要であった。

【０１３４】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、再
生用光ビーム波長のより短い高記録密度媒体用再生装置
を用いて、３次元的な情報を有する多層光情報媒体を再
生したときに、全ての情報構体で再生信号強度が低下す
ることなく情報を再生することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例で用いた多層光情報媒体
Ａの断面図。

【図２】本発明の第２の実施例で用いた多層光情報媒体
Ｄの断面図。

【符号の説明】

１、５、６、６’…基板２、７、７’…半透明層３…透明接着剤層４、９、９’…反射層８、８’…紫外線硬化樹脂層１０、１０’…保護層１１…接着剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに向き合って配置された第１及び第２
の基板の間に、収束された光ビームにより情報を再生す
る第１及び第２の情報構体が配置され、上記光ビームが
入射する上記第１の基板側に配置された上記第１の情報
構体は、上記第１の基板表面に設けられた凹凸とその上
に設けられた半透明層から構成され、上記第２の基板側
に配置された上記第２の情報構体は、上記光ビームに透
明な物質の層の表面に設けられた凹凸とその上に設けら
れた反射層から構成され、上記第１の基板の厚さは、
０．５２ｍｍから０．６５ｍｍの範囲であり、上記半透
明層は、少なくとも３層の誘電体からなり、かつ、互い
に接する２層の誘電体は、その光学定数が異なることを
特徴とする多層構造光情報媒体。
【請求項２】上記第１の基板の上記第２の基板側と逆の
側の表面から、上記反射層の上記第１の基板側の表面ま
での距離は、０．５５ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１記載の多層構造光情報媒
体。
【請求項３】上記透明な物質の層の厚さは、３０μｍか
ら８０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１又は
２記載の多層構造光情報媒体。
【請求項４】上記半透明層は、Ｓｉ、Ｃｅの酸化物、Ｌ
ａの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｉｎの酸化物、Ａｌの酸化
物、Ｇｅの酸化物、Ｐｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔａ
の酸化物、Ｓｃの酸化物、Ｙの酸化物、Ｔｉの酸化物、
Ｚｒの酸化物、Ｖの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｃｒの酸化
物、Ｗの酸化物、Ｚｎの硫化物、Ｇａの硫化物、Ｉｎの
硫化物、Ｓｂの硫化物、Ｇｅの硫化物、Ｓｎの硫化物、
Ｐｂの硫化物、Ｍｇの弗化物、Ｃｅの弗化物、Ｃａの弗
化物、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物、Ｔａの窒化物、Ｂ
の窒化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の材料
であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の多層
構造光情報媒体。
【請求項５】上記半透明層及び反射層は、上記第１の基
板側から収束光で測定した反射率が、いずれも１５％か
ら４０％の範囲にあることを特徴とする請求項１から４
のいずれか一に記載の多層構造光情報媒体。
【請求項６】上記反射率の値は、１０％以内の差で一致
することを特徴とする請求項５記載の多層構造光情報媒
体。
【請求項７】第１の基板上に、情報構体を２面から４面
有する第１の光情報媒体と、第２の基板上に、情報構体を２面から４面有する第２の
光情報媒体とを上記第１及び第２の基板がそれぞれ外側
に位置するように配置した構造を有し、上記第１及び第
２の基板の厚さは、それぞれ０．５２ｍｍ以上０．６５
ｍｍ以下であり、上記第１及び第２の基板上の上記情報
構体の内、それぞれ基板から最も離れた位置の第１及び
第２の情報構体は、情報を再生するための光ビームに透
明な物質の層の表面に設けられた凹凸とその上に設けら
れた反射層から構成され、上記第１及び第２の情報構体
の他の情報構体は、上記基板及び上記光ビームに透明な
物質の層からなる群から選ばれた少なくとも一つの構造
体の表面に設けられた凹凸とその上に設けられた半透明
層から構成され、該半透明層は、少なくとも３層の誘電
体からなり、かつ、互いに接する２層の誘電体は、その
光学定数が異なることを特徴とする多層構造光情報媒
体。
【請求項８】上記第１及び第２の基板に、それぞれ最も
近い位置に配置された上記情報構体は、いずれもそれぞ
れの基板表面に設けられた凹凸と、該凹凸の上に設けら
れた半透明層からなることを特徴とする請求項７記載の
多層構造光情報媒体。
【請求項９】上記第１の基板の上記第２の基板側と逆の
側の表面から、上記第１の基板上に設けられた上記反射
層の上記第１の基板側の表面までの距離は、０．５５ｍ
ｍ以上、０．６８ｍｍ以下であり、上記第２の基板の上
記第１の基板側と逆の側の表面から、上記第２の基板上
に設けられた上記反射層の上記第２の基板側の表面まで
の距離は、０．５５ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項７又は８記載の多層構造光情報
媒体。
【請求項１０】上記第１及び第２の基板上に設けられた
上記半透明層及び上記反射層のそれぞれの基板側から収
束光で測定した反射率の値は、それぞれ１０％以内の差
で一致することを特徴とする請求項７、８又は９記載の
多層構造光情報媒体。
【請求項１１】上記透明な物質の層の厚さは、３０μｍ
から８０μｍの範囲であることを特徴とする請求項７か
ら１０のいずれか一に記載の多層構造光情報媒体。
【請求項１２】上記半透明層は、Ｓｉ、Ｃｅの酸化物、
Ｌａの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｉｎの酸化物、Ａｌの酸
化物、Ｇｅの酸化物、Ｐｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔ
ａの酸化物、Ｓｃの酸化物、Ｙの酸化物、Ｔｉの酸化
物、Ｚｒの酸化物、Ｖの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｃｒの
酸化物、Ｗの酸化物、Ｚｎの硫化物、Ｇａの硫化物、Ｉ
ｎの硫化物、Ｓｂの硫化物、Ｇｅの硫化物、Ｓｎの硫化
物、Ｐｂの硫化物、Ｍｇの弗化物、Ｃｅの弗化物、Ｃａ
の弗化物、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物、Ｔａの窒化
物、Ｂの窒化物からなる群から選ばれた少なくとも一種
の材料であることを特徴とする請求項７から１１のいず
れか一に記載の多層構造光情報媒体。
【請求項１３】第１の基板上に、情報構体を２面から４
面有する第１の光情報媒体と、第２の基板上に、情報構体を２面から４面有する第２の
光情報媒体とを上記第１及び第２の基板がそれぞれ外側
に位置するように配置した構造を有し、上記第１及び第
２の基板の厚さは、それぞれ０．５２ｍｍ以上０．６５
ｍｍ以下であり、上記第１及び第２の基板上の上記情報
構体の内、それぞれ基板から最も離れた位置の第１及び
第２の情報構体は、記録層とその上に設けられた反射層
から構成され、上記第１及び第２の情報構体の他の情報
構体は、上記基板及び情報を再生するための光ビームに
透明な物質の層からなる群から選ばれた少なくとも一つ
の構造体の表面に設けられた凹凸とその上に設けられた
半透明層から構成され、該半透明層は、少なくとも３層
の誘電体からなり、かつ、互いに接する２層の誘電体
は、その光学定数が異なることを特徴とする多層構造光
情報媒体。
【請求項１４】上記記録層は、相変化型記録層、光磁気
型記録層及び熱変形型記録層からなる群から選ばれた１
種の記録層であることを特徴とする請求項１３記載の多
層構造光情報媒体。
【請求項１５】上記第１及び第２の基板に、それぞれ最
も近い位置に配置された上記情報構体は、いずれもそれ
ぞれの基板表面に設けられた凹凸と、該凹凸の上に設け
られた半透明層からなることを特徴とする請求項１３又
は１４記載の多層構造光情報媒体。
【請求項１６】上記第１の基板の上記第２の基板側と逆
の側の表面から、上記第１の基板上に設けられた上記反
射層の上記第１の基板側の表面までの距離は、０．５５
ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下であり、上記第２の基板の
上記第１の基板側と逆の側の表面から、上記第２の基板
上に設けられた上記反射層の上記第２の基板側の表面ま
での距離は、０．５５ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下であ
ることを特徴とする請求項１３、１４又は１５記載の多
層構造光情報媒体。
【請求項１７】上記第１及び第２の基板上に設けられた
上記半透明層及び上記反射層のそれぞれの基板側から収
束光で測定した反射率の値は、それぞれ１０％以内の差
で一致することを特徴とする請求項１３から１６のいず
れか一に記載の多層構造光情報媒体。
【請求項１８】上記半透明層は、Ｓｉ、Ｃｅの酸化物、
Ｌａの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｉｎの酸化物、Ａｌの酸
化物、Ｇｅの酸化物、Ｐｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔ
ａの酸化物、Ｓｃの酸化物、Ｙの酸化物、Ｔｉの酸化
物、Ｚｒの酸化物、Ｖの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｃｒの
酸化物、Ｗの酸化物、Ｚｎの硫化物、Ｇａの硫化物、Ｉ
ｎの硫化物、Ｓｂの硫化物、Ｇｅの硫化物、Ｓｎの硫化
物、Ｐｂの硫化物、Ｍｇの弗化物、Ｃｅの弗化物、Ｃａ
の弗化物、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物、Ｔａの窒化
物、Ｂの窒化物からなる群から選ばれた少なくとも一種
の材料であることを特徴とする請求項１３から１７のい
ずれか一に記載の多層構造光情報媒体。
【請求項１９】互いに向き合って配置された第１及び第
２の基板の間に、第１及び第２の情報構体が配置され、
情報を記録及び再生する光ビームが入射する上記第１の
基板側に配置された上記第１の情報構体は、上記第１の
基板表面に設けられた凹凸とその上に設けられた半透明
層から構成され、上記第２の基板側に配置された上記第
２の情報構体は、記録層と、該記録層の光ビームが入射
する側と逆の側に設けられた反射層から構成され、上記
第１の基板の厚さは、０．５２ｍｍから０．６５ｍｍの
範囲であり、上記半透明層は、少なくとも３層の誘電体
からなり、かつ、互いに接する２層の誘電体は、その光
学定数が異なることを特徴とする多層構造光情報媒体。
【請求項２０】上記第１の基板の上記第２の基板側と逆
の側の表面から、上記反射層の上記第１の基板側の表面
までの距離は、０．５７ｍｍ以上、０．６６ｍｍ以下で
あることを特徴とする請求項１９記載の多層構造光情報
媒体。
【請求項２１】上記半透明層は、Ｓｉ、Ｃｅの酸化物、
Ｌａの酸化物、Ｓｉの酸化物、Ｉｎの酸化物、Ａｌの酸
化物、Ｇｅの酸化物、Ｐｂの酸化物、Ｓｎの酸化物、Ｔ
ａの酸化物、Ｓｃの酸化物、Ｙの酸化物、Ｔｉの酸化
物、Ｚｒの酸化物、Ｖの酸化物、Ｎｂの酸化物、Ｃｒの
酸化物、Ｗの酸化物、Ｚｎの硫化物、Ｇａの硫化物、Ｉ
ｎの硫化物、Ｓｂの硫化物、Ｇｅの硫化物、Ｓｎの硫化
物、Ｐｂの硫化物、Ｍｇの弗化物、Ｃｅの弗化物、Ｃａ
の弗化物、Ｓｉの窒化物、Ａｌの窒化物、Ｔａの窒化
物、Ｂの窒化物からなる群から選ばれた少なくとも一種
の材料であることを特徴とする請求項１９又は２０記載
の多層構造光情報媒体。
【請求項２２】上記半透明層及び上記反射層の上記第１
の基板側から収束光で測定した反射率の値は、それぞれ
１０％以内の差で一致することを特徴とする請求項１
９、２０又は２１記載の多層構造光情報媒体。
【請求項２３】上記記録層は、相変化型記録層、光磁気
型記録層及び熱変形型記録層からなる群から選ばれた１
種の記録層であることを特徴とする請求項１９から２２
のいずれか一に記載の多層構造光情報媒体。
【請求項２４】互いに向き合って配置された２個の基板
の間に、収束された光ビームにより情報を再生する情報
構体が少なくとも２個配置され、上記光ビームが入射す
る側の基板に最も近い位置に配置された上記情報構体
は、上記基板表面に設けられた凹凸とその上に設けられ
た半透明層から構成され、上記光ビームが入射する側の
基板に最も遠い位置に配置された上記情報構体は、上記
光ビームに透明な物質の層の表面に設けられた凹凸とそ
の上に設けられた反射層又は記録層とその上に設けられ
た反射層から構成され、上記半透明層は、少なくとも３
層の誘電体からなり、かつ、互いに接する２層の誘電体
は、その光学定数が異なることを特徴とする多層構造光
情報媒体。
【請求項２５】上記光ビームが入射する側の基板の厚さ
は、０．５２ｍｍから０．６５ｍｍの範囲であることを
特徴とする請求項２４記載の多層構造光情報媒体。
【請求項２６】上記光ビームが入射する側の基板の上記
光ビームが入射する側の表面から、上記反射層の上記光
ビームが入射する基板側の表面までの距離は、０．５５
ｍｍ以上、０．６８ｍｍ以下であることを特徴とする請
求項２４又は２５記載の多層構造光情報媒体。
【請求項２７】上記光ビームが入射する側の基板に最も
遠い位置に配置された上記情報構体は、上記光ビームに
透明な物質の層の表面に設けられた凹凸とその上に設け
られた反射層であり、上記透明な物質の層の厚さは、３
０μｍから８０μｍの範囲であることを特徴とする請求
項２４、２５又は２６記載の多層構造光情報媒体。