JPH10293942A - 光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法 - Google Patents
光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法Info
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- JPH10293942A JPH10293942A JP9101239A JP10123997A JPH10293942A JP H10293942 A JPH10293942 A JP H10293942A JP 9101239 A JP9101239 A JP 9101239A JP 10123997 A JP10123997 A JP 10123997A JP H10293942 A JPH10293942 A JP H10293942A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスクの高密度記録再生消去特性を確保
する新規な光ディスクを提供する。 【解決手段】 透過性剛性基板１上に、レーザ光１０の
照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去
を行う相変化型光記録媒体２を透過性スペーサ３を介し
て複数積層する。レーザ光１０は、集光レンズ１１によ
って集光され、透過性剛性基板１を通して入射される。
相変化型光記録媒体２は、透明下部保護膜・相変化記録
膜・透明上部保護膜・透過型反射膜、または透明下部保
護膜・相変化記録膜・透明上部保護膜・透過型反射膜・
透明干渉膜から成る。ｎ層構成の場合、最上層である第
ｎ層には金属反射層を持つ構成も可能である。透過性ス
ペーサ３は、厚さ数１０μｍのフォトポリマ材等の熱硬
化性樹脂から成る。
する新規な光ディスクを提供する。 【解決手段】 透過性剛性基板１上に、レーザ光１０の
照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去
を行う相変化型光記録媒体２を透過性スペーサ３を介し
て複数積層する。レーザ光１０は、集光レンズ１１によ
って集光され、透過性剛性基板１を通して入射される。
相変化型光記録媒体２は、透明下部保護膜・相変化記録
膜・透明上部保護膜・透過型反射膜、または透明下部保
護膜・相変化記録膜・透明上部保護膜・透過型反射膜・
透明干渉膜から成る。ｎ層構成の場合、最上層である第
ｎ層には金属反射層を持つ構成も可能である。透過性ス
ペーサ３は、厚さ数１０μｍのフォトポリマ材等の熱硬
化性樹脂から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ光を用いて
高密度に情報を記録、再生、消去する光学情報記録媒体
および光学情報記録再生消去方法に関する。
高密度に情報を記録、再生、消去する光学情報記録媒体
および光学情報記録再生消去方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光を用いた光ディスク記録方式は
大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできる
ことから、大容量メモリとして実用化が進んでいる。光
ディスクはコンパクトディスクやレーザディスクとして
知られている再生専用型、ユーザ自身で記録できる追記
型、及びユーザ側で繰り返し記録消去ができる書換型に
分類される。追記型・書換型の光ディスクはコンピュー
タの外部メモリ、あるいは文書・画像ファイルとして使
用されている。
大容量記録が可能であり、非接触で高速アクセスできる
ことから、大容量メモリとして実用化が進んでいる。光
ディスクはコンパクトディスクやレーザディスクとして
知られている再生専用型、ユーザ自身で記録できる追記
型、及びユーザ側で繰り返し記録消去ができる書換型に
分類される。追記型・書換型の光ディスクはコンピュー
タの外部メモリ、あるいは文書・画像ファイルとして使
用されている。
【０００３】再生専用型においては、ＣＤ−ＲＯＭに代
表されるデータファイルが急速に普及し、パーソナル分
野での高密度記録用媒体として使用されている。また、
このＣＤ−ＲＯＭの大容量性に着目して、ＭＰＥＧ２な
どの画像圧縮技術を用いて、画像データを含むマルチメ
ディアファイルとしての応用が検討されている。この用
途では、現行の１ディスク当たり６５０ＭＢの容量では
不十分であり、現行の８倍容量となるＤＶＤ−ＲＯＭが
製品化され始めた。一方、レーザディスクに代表される
再生専用民生向け画像ファイルでは、小型高品質映像を
提供するＤＶＤプレーヤが出荷され始めたが、ハイビジ
ョン再生を目指した更なる高密度化は引き続き重要なテ
ーマとなっている。
表されるデータファイルが急速に普及し、パーソナル分
野での高密度記録用媒体として使用されている。また、
このＣＤ−ＲＯＭの大容量性に着目して、ＭＰＥＧ２な
どの画像圧縮技術を用いて、画像データを含むマルチメ
ディアファイルとしての応用が検討されている。この用
途では、現行の１ディスク当たり６５０ＭＢの容量では
不十分であり、現行の８倍容量となるＤＶＤ−ＲＯＭが
製品化され始めた。一方、レーザディスクに代表される
再生専用民生向け画像ファイルでは、小型高品質映像を
提供するＤＶＤプレーヤが出荷され始めたが、ハイビジ
ョン再生を目指した更なる高密度化は引き続き重要なテ
ーマとなっている。
【０００４】追記型光ディスクでは、記録した情報が安
定に保存できるというメリットを最大限に利用した応用
分野で、一定の市場を確保している。この用途において
も、スケールメリットを活かすという意味で、大容量
化、高密度化は重要な検討課題であることは言うまでも
ない。
定に保存できるというメリットを最大限に利用した応用
分野で、一定の市場を確保している。この用途において
も、スケールメリットを活かすという意味で、大容量
化、高密度化は重要な検討課題であることは言うまでも
ない。
【０００５】書換型光ディスクには、記録膜の相変化を
利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向の
変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、相変
化光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オーバライ
トが容易にできることから、今後、光磁気ディスクとと
もに、書換型光ディスクの主流になることが期待されて
いる。光磁気ディスクでは、第一世代の装置の４倍容量
の製品が出始め、８倍容量以上が検討されている。ま
た、相変化型光ディスクでも、２．６ＧＢ容量のＤＶＤ
−ＲＡＭに代表されるように、光磁気の８倍容量相当の
製品規格が提案されている。ここでも、大容量化、高密
度化は重要なキーワードとなっている。
利用した相変化型光ディスクと垂直磁化膜の磁化方向の
変化を利用した光磁気ディスクがある。このうち、相変
化光ディスクは、外部磁場が不要で、かつ、オーバライ
トが容易にできることから、今後、光磁気ディスクとと
もに、書換型光ディスクの主流になることが期待されて
いる。光磁気ディスクでは、第一世代の装置の４倍容量
の製品が出始め、８倍容量以上が検討されている。ま
た、相変化型光ディスクでも、２．６ＧＢ容量のＤＶＤ
−ＲＡＭに代表されるように、光磁気の８倍容量相当の
製品規格が提案されている。ここでも、大容量化、高密
度化は重要なキーワードとなっている。
【０００６】再生専用型では、基板上にあらかじめ射出
成形で作成した凹凸ピット上に、Ａｌ合金系の金属反射
膜を成膜し、再生に使用している。追記型では、Ｔｅや
Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎなどの低融点金属の合金材料、あるい
は使用するレーザ波長において、吸収特性を有する色素
材料を基板上に薄く塗布した媒体が使用される。書き換
え型では、光磁気ディスクにおいては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏなどの希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの
遷移金属の合金薄膜をＳｉＮなどの透明保護膜で挟み込
んだ媒体構成が採用され、相変化型光ディスクでは、Ｇ
ｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅなどのカルコゲナイド系薄膜
が記録膜として使用される。相変化型光ディスクの記録
膜には、他にも、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧ
ｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳ
ｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられる。ここで述
べた薄膜は、抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着
法、スパッタリング法などの成膜法や、スピン塗布法で
成膜される。
成形で作成した凹凸ピット上に、Ａｌ合金系の金属反射
膜を成膜し、再生に使用している。追記型では、Ｔｅや
Ｂｉ、Ｓｅ、Ｓｎなどの低融点金属の合金材料、あるい
は使用するレーザ波長において、吸収特性を有する色素
材料を基板上に薄く塗布した媒体が使用される。書き換
え型では、光磁気ディスクにおいては、Ｔｂ、Ｇｄ、Ｄ
ｙ、Ｈｏなどの希土類金属と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの
遷移金属の合金薄膜をＳｉＮなどの透明保護膜で挟み込
んだ媒体構成が採用され、相変化型光ディスクでは、Ｇ
ｅＳｂＴｅやＩｎＳｂＴｅなどのカルコゲナイド系薄膜
が記録膜として使用される。相変化型光ディスクの記録
膜には、他にも、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧ
ｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＳｂＳ
ｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系などが用いられる。ここで述
べた薄膜は、抵抗加熱真空蒸着法、電子ビーム真空蒸着
法、スパッタリング法などの成膜法や、スピン塗布法で
成膜される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】さて、こうした大容量
化、高密度化の流れの中で、従来、ここで示したような
再生専用型、追記型、書き換え型の各光ディスクでは、
いずれも透過性剛性のある基板上に凹凸ピット、追記型
記録膜、光磁気記録膜、あるいは相変化記録膜を形成し
たいわゆる単層構成となっている。従来、光ディスクで
は、このように、再生専用型、追記型、書換型があり、
また、同一基板上の内周と外周に再生専用部、追記部、
書換部を分割して形成した、パーシャルＲＯＭディスク
が提案、作成されている。（例えば、p249、「イレーザ
ブル光ディスク技術」、（株）トリケップス発行、平成
３年） ところが、このハイブリッド型のディスクでは、単層構
成であるため、記録容量の飛躍的な向上は困難である。
一方、単一ディスクを貼り合わせた両面構成のディスク
では、通常のディスクドライブでは両面同時アクセスを
するにはヘッドなどのコストがかかり、実施しにくいと
いう欠点があった。
化、高密度化の流れの中で、従来、ここで示したような
再生専用型、追記型、書き換え型の各光ディスクでは、
いずれも透過性剛性のある基板上に凹凸ピット、追記型
記録膜、光磁気記録膜、あるいは相変化記録膜を形成し
たいわゆる単層構成となっている。従来、光ディスクで
は、このように、再生専用型、追記型、書換型があり、
また、同一基板上の内周と外周に再生専用部、追記部、
書換部を分割して形成した、パーシャルＲＯＭディスク
が提案、作成されている。（例えば、p249、「イレーザ
ブル光ディスク技術」、（株）トリケップス発行、平成
３年） ところが、このハイブリッド型のディスクでは、単層構
成であるため、記録容量の飛躍的な向上は困難である。
一方、単一ディスクを貼り合わせた両面構成のディスク
では、通常のディスクドライブでは両面同時アクセスを
するにはヘッドなどのコストがかかり、実施しにくいと
いう欠点があった。
【０００８】再生専用型では、すでに片面から２層ある
いはそれ以上の多層膜をアクセスする再生専用型多層デ
ィスクが提案されている。（例えば、K.Rubin他, ；"Mu
ltilayer Volumetiric Storage", WA3-1, Optical Data
Storage Topical Meeting Technical Digest, (199
4)）また、再生専用のＤＶＤの規格にも、２層ディスク
が規定されており、片面から２層に記録された情報を再
生する方式が採用されている。
いはそれ以上の多層膜をアクセスする再生専用型多層デ
ィスクが提案されている。（例えば、K.Rubin他, ；"Mu
ltilayer Volumetiric Storage", WA3-1, Optical Data
Storage Topical Meeting Technical Digest, (199
4)）また、再生専用のＤＶＤの規格にも、２層ディスク
が規定されており、片面から２層に記録された情報を再
生する方式が採用されている。
【０００９】一方、相変化を利用した書換型では、特開
平３−１５７８３０号公報記載の光学的情報記録媒体に
あるように、記録膜を２層化した媒体構成の提案はある
が、この例では、２層それぞれに記録をおこなってはお
らず、再生信号に所望の位相差を付加する手段として２
層構成を採用しているに過ぎない。
平３−１５７８３０号公報記載の光学的情報記録媒体に
あるように、記録膜を２層化した媒体構成の提案はある
が、この例では、２層それぞれに記録をおこなってはお
らず、再生信号に所望の位相差を付加する手段として２
層構成を採用しているに過ぎない。
【００１０】今後、光ディスクの記録密度向上を考えた
場合、情報を記録できる書換型光ディスクは非常に有用
であるものの、片面多層構成で実用性能が確保できる光
学情報記録媒体は提案されていなかった。
場合、情報を記録できる書換型光ディスクは非常に有用
であるものの、片面多層構成で実用性能が確保できる光
学情報記録媒体は提案されていなかった。
【００１１】本発明の目的は上記の欠点を解決し、光デ
ィスクの高密度記録再生消去特性を確保する新規な光学
情報記録媒体を提供することにある。本発明では、剛性
のある基板と、その上に形成した複数の相変化型光記録
媒体が用いられ、優れた高密度記録再生消去特性を持つ
光学情報記録媒体が得られる。
ィスクの高密度記録再生消去特性を確保する新規な光学
情報記録媒体を提供することにある。本発明では、剛性
のある基板と、その上に形成した複数の相変化型光記録
媒体が用いられ、優れた高密度記録再生消去特性を持つ
光学情報記録媒体が得られる。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の光学情報記録媒
体は、透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録
膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型
光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積層したこ
とを特徴とする。
体は、透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録
膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型
光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積層したこ
とを特徴とする。
【００１３】本発明の光学情報記録媒体は、第１の透過
性剛性基板上にレーザ光の照射により記録膜の相変化に
よって情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を
透過性スペーサを介して複数積層した第１の光学情報記
録媒体と、第２の透過性剛性基板上にレーザ光の照射に
より記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う
相変化型光記録媒体を透過性スペーサを介して複数積層
した第２の光学情報記録媒体とを、前記相変化型光記録
媒体同士を接着層を介して対向させる形に貼り合わせて
成るようにしてもよい。
性剛性基板上にレーザ光の照射により記録膜の相変化に
よって情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を
透過性スペーサを介して複数積層した第１の光学情報記
録媒体と、第２の透過性剛性基板上にレーザ光の照射に
より記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う
相変化型光記録媒体を透過性スペーサを介して複数積層
した第２の光学情報記録媒体とを、前記相変化型光記録
媒体同士を接着層を介して対向させる形に貼り合わせて
成るようにしてもよい。
【００１４】本発明の光学情報記録媒体は、前記透過性
剛性基板上に積層した前記相変化型光記録媒体が透明下
部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射膜
を順次形成して成るようにしてもよい。
剛性基板上に積層した前記相変化型光記録媒体が透明下
部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射膜
を順次形成して成るようにしてもよい。
【００１５】本発明の光学情報記録媒体は、前記透過性
剛性基板上に積層した最上層を除く前記相変化型光記録
媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護
膜、透明反射膜を順次形成したものであって、最上層の
前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記
録膜、透明上部保護膜、金属反射膜を順次形成してもよ
い。
剛性基板上に積層した最上層を除く前記相変化型光記録
媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護
膜、透明反射膜を順次形成したものであって、最上層の
前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記
録膜、透明上部保護膜、金属反射膜を順次形成してもよ
い。
【００１６】本発明の光学情報記録媒体は、前記透過性
剛性基板上に積層した前記相変化型光記録媒体が、透明
下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射
膜、透明干渉膜を順次形成して成るようにしてもよい。
剛性基板上に積層した前記相変化型光記録媒体が、透明
下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射
膜、透明干渉膜を順次形成して成るようにしてもよい。
【００１７】本発明の光学情報記録媒体は、前記透過性
剛性基板上に積層した最上層を除く前記相変化型光記録
媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護
膜、透明反射膜、透明干渉膜を順次形成したものであっ
て、最上層の前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護
膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、金属反射膜を順次
形成してもよい。
剛性基板上に積層した最上層を除く前記相変化型光記録
媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護
膜、透明反射膜、透明干渉膜を順次形成したものであっ
て、最上層の前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護
膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、金属反射膜を順次
形成してもよい。
【００１８】本発明の光学情報記録媒体は、前記透過性
スペーサが光硬化型樹脂であるようにしてもよい。
スペーサが光硬化型樹脂であるようにしてもよい。
【００１９】本発明の光学情報記録媒体は、前記相変化
記録膜がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とするようにしても
よい。
記録膜がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とするようにしても
よい。
【００２０】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明下
部保護膜と前記透明上部保護膜がＺｎＳならびにＳｉＯ
2を主成分とするようにしてもよい。
部保護膜と前記透明上部保護膜がＺｎＳならびにＳｉＯ
2を主成分とするようにしてもよい。
【００２１】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明干
渉膜がＺｎＳならびにＳｉＯ2を主成分とするようにし
てもよい。
渉膜がＺｎＳならびにＳｉＯ2を主成分とするようにし
てもよい。
【００２２】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明反
射膜がＳｉであるようにしてもよい。
射膜がＳｉであるようにしてもよい。
【００２３】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明反
射膜がＧｅであるようにしてもよい。
射膜がＧｅであるようにしてもよい。
【００２４】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明反
射膜がＳｉを主成分とする酸化物であるようにしてもよ
い。
射膜がＳｉを主成分とする酸化物であるようにしてもよ
い。
【００２５】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明反
射膜がＳｉを主成分とする窒化物であるようにしてもよ
い。
射膜がＳｉを主成分とする窒化物であるようにしてもよ
い。
【００２６】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明反
射膜がＧｅを主成分とする酸化物であるようにしてもよ
い。
射膜がＧｅを主成分とする酸化物であるようにしてもよ
い。
【００２７】本発明の光学情報記録媒体は、前記透明反
射膜がＧｅを主成分とする窒化物であるようにしてもよ
い。
射膜がＧｅを主成分とする窒化物であるようにしてもよ
い。
【００２８】また、本発明の光学情報記録再生消去方法
は、透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録膜
の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光
記録媒体を形成し、透過性スペーサを介して複数の相変
化型光記録媒体を積層した光学情報記録媒体を用い、前
記透過性剛性基板を介して入射する集光レーザ光の集光
位置を可変とすることにより、積層された複数の前記相
変化型記録媒体各層に情報を記録、再生、消去すること
を特徴とする。
は、透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録膜
の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光
記録媒体を形成し、透過性スペーサを介して複数の相変
化型光記録媒体を積層した光学情報記録媒体を用い、前
記透過性剛性基板を介して入射する集光レーザ光の集光
位置を可変とすることにより、積層された複数の前記相
変化型記録媒体各層に情報を記録、再生、消去すること
を特徴とする。
【００２９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。本発明に係る光学情報記録
媒体の構成は、図１に示すように、十分な剛性を有する
透過性剛性基板１上に、レーザ光の照射により記録膜の
相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光記
録媒体２を形成し、前記相変化型光記録媒体２上に透過
性スペーサ３を形成する。これらを１ユニットとして、
複数の相変化型光記録媒体を積層する。
て図面を参照して説明する。本発明に係る光学情報記録
媒体の構成は、図１に示すように、十分な剛性を有する
透過性剛性基板１上に、レーザ光の照射により記録膜の
相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光記
録媒体２を形成し、前記相変化型光記録媒体２上に透過
性スペーサ３を形成する。これらを１ユニットとして、
複数の相変化型光記録媒体を積層する。
【００３０】情報の記録再生消去に使用するレーザ光１
０は集光レンズ１１によって集光され、透過性剛性基板
１を通して入射される。透過性剛性基板１としては、従
来から光ディスク用として使用されている透明の樹脂基
板やガラス基板を用いることができる。基板の厚さは、
ディスクとしての剛性が確保されていればよく、使用さ
れる光ディスク用ヘッドの集光レンズの設計値に応じ
て、通常コンパクトディスク（ＣＤ）で使用される基板
厚さ１．２ｍｍ以外の寸法、例えば、０．６ｍｍ厚や
０．８ｍｍ厚も使用できる。
０は集光レンズ１１によって集光され、透過性剛性基板
１を通して入射される。透過性剛性基板１としては、従
来から光ディスク用として使用されている透明の樹脂基
板やガラス基板を用いることができる。基板の厚さは、
ディスクとしての剛性が確保されていればよく、使用さ
れる光ディスク用ヘッドの集光レンズの設計値に応じ
て、通常コンパクトディスク（ＣＤ）で使用される基板
厚さ１．２ｍｍ以外の寸法、例えば、０．６ｍｍ厚や
０．８ｍｍ厚も使用できる。
【００３１】図２は、本発明に係る他の光学情報記録媒
体の構成を示した図であり、図１記載の光学情報記録媒
体を２枚貼り合わせた構成である。すなわち、まず、第
１の透過性剛性基板１０１上に、レーザ光１０の照射に
より記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う
複数の相変化型光記録媒体２を透過性スペーサ３を介し
て形成する。次に、第２の透過性剛性基板２０１上に、
レーザ光１０の照射により記録膜の相変化によって情報
の記録再生消去を行う複数の相変化型光記録媒体２を透
過性スペーサ３を介して形成する。更に、これら２つの
光学情報記録媒体を接着層３００を介して、相変化型光
記録媒体２を対向させる形に貼り合わせたものである。
体の構成を示した図であり、図１記載の光学情報記録媒
体を２枚貼り合わせた構成である。すなわち、まず、第
１の透過性剛性基板１０１上に、レーザ光１０の照射に
より記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う
複数の相変化型光記録媒体２を透過性スペーサ３を介し
て形成する。次に、第２の透過性剛性基板２０１上に、
レーザ光１０の照射により記録膜の相変化によって情報
の記録再生消去を行う複数の相変化型光記録媒体２を透
過性スペーサ３を介して形成する。更に、これら２つの
光学情報記録媒体を接着層３００を介して、相変化型光
記録媒体２を対向させる形に貼り合わせたものである。
【００３２】次に本発明に係る光学情報記録媒体による
情報の記録再生消去方法について説明する。本発明で
は、相変化型光記録媒体２が多層に構成されている。相
変化光記録媒体２への記録再生消去には、透過性剛性基
板１を介して入射されたレーザ光１０を用いる。
情報の記録再生消去方法について説明する。本発明で
は、相変化型光記録媒体２が多層に構成されている。相
変化光記録媒体２への記録再生消去には、透過性剛性基
板１を介して入射されたレーザ光１０を用いる。
【００３３】前述したように、多層化された相変化型光
記録媒体間には、透過性スペーサ３が形成されている。
この透過性スペーサ３の厚さは使用される集光レンズ１
１の特性とレーザ光１０の波長から決まる焦点深度に比
べて十分厚く設定される。本発明では、透過性スペーサ
３としてフォトポリマ等の光硬化型樹脂が使用され、透
過性スペーサ３の膜厚は５μｍから５０μｍの範囲に設
定される。ここで、入射する集光レーザ光１０の集光位
置を可変とすることにより、相変化光記録媒体２に対し
て記録再生消去を行うことができる。
記録媒体間には、透過性スペーサ３が形成されている。
この透過性スペーサ３の厚さは使用される集光レンズ１
１の特性とレーザ光１０の波長から決まる焦点深度に比
べて十分厚く設定される。本発明では、透過性スペーサ
３としてフォトポリマ等の光硬化型樹脂が使用され、透
過性スペーサ３の膜厚は５μｍから５０μｍの範囲に設
定される。ここで、入射する集光レーザ光１０の集光位
置を可変とすることにより、相変化光記録媒体２に対し
て記録再生消去を行うことができる。
【００３４】本発明に係る光学情報記録媒体に使用され
る相変化型光記録媒体２は、図３（ａ）に示すように、
透明下部保護膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護
膜２３、透明反射膜２４を順次形成したもの、あるい
は、図３（ｂ）に示すように、透明下部保護膜２１、相
変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射膜２
４、透明干渉膜２５を順次形成したもので、相変化記録
膜２２にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする薄膜が使用
される。特に、Ge2Sb2Te5、Ge1Sb2Te4、Ge1Sb4Te7およ
びこれらにＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを少量添加したものが使用
される。また、透明下部保護膜２１、透明上部保護膜２
３、透明干渉膜２５には、ＺｎＳならびにＳｉＯ2を主
成分とする保護膜が使用される。また、透明反射膜２４
には、Ｓｉ、Ｇｅが使用でき、Ｓｉを主成分とする酸化
物、Ｓｉを主成分とする窒化物、Ｇｅを主成分とする酸
化物、さらにはＧｅを主成分とする窒化物が使用され
る。
る相変化型光記録媒体２は、図３（ａ）に示すように、
透明下部保護膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護
膜２３、透明反射膜２４を順次形成したもの、あるい
は、図３（ｂ）に示すように、透明下部保護膜２１、相
変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射膜２
４、透明干渉膜２５を順次形成したもので、相変化記録
膜２２にはＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを主成分とする薄膜が使用
される。特に、Ge2Sb2Te5、Ge1Sb2Te4、Ge1Sb4Te7およ
びこれらにＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを少量添加したものが使用
される。また、透明下部保護膜２１、透明上部保護膜２
３、透明干渉膜２５には、ＺｎＳならびにＳｉＯ2を主
成分とする保護膜が使用される。また、透明反射膜２４
には、Ｓｉ、Ｇｅが使用でき、Ｓｉを主成分とする酸化
物、Ｓｉを主成分とする窒化物、Ｇｅを主成分とする酸
化物、さらにはＧｅを主成分とする窒化物が使用され
る。
【００３５】相変化記録膜２２は５〜１０ｎｍ程度の厚
さで良いので、かなりの透過光が得られる。このユニッ
トを厚さ数１０μｍのフォトポリマ材等を使った透過性
スペーサ３を介して多層化する。例えば、反射膜にＳｉ
を用いた場合、１ユニットで３０〜５０％の透過光が生
じるよう、媒体設計が可能である。ｎ層構成の場合、最
上層である第ｎ層には金属反射層を持つ相変化媒体ユニ
ットを使用することもできる。
さで良いので、かなりの透過光が得られる。このユニッ
トを厚さ数１０μｍのフォトポリマ材等を使った透過性
スペーサ３を介して多層化する。例えば、反射膜にＳｉ
を用いた場合、１ユニットで３０〜５０％の透過光が生
じるよう、媒体設計が可能である。ｎ層構成の場合、最
上層である第ｎ層には金属反射層を持つ相変化媒体ユニ
ットを使用することもできる。
【００３６】本発明では、上層に形成された相変化型光
記録媒体に記録再生する際に、下層の相変化型光記録媒
体を透過したレーザ光を使用するので、相変化記録媒体
の透過率は、使用するレーザの波長においてある程度大
きくなるように設定される。これにより、上層の相変化
型光記録媒体からの反射光量を大きく減衰させることな
く、情報を記録、再生できる。
記録媒体に記録再生する際に、下層の相変化型光記録媒
体を透過したレーザ光を使用するので、相変化記録媒体
の透過率は、使用するレーザの波長においてある程度大
きくなるように設定される。これにより、上層の相変化
型光記録媒体からの反射光量を大きく減衰させることな
く、情報を記録、再生できる。
【００３７】
【実施例】次に本発明の有効性を確認するために、本発
明に係る光学情報記録媒体を作成した。
明に係る光学情報記録媒体を作成した。
【００３８】（実施例１）まず、透過性剛性基板１上に
透明下部保護膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護
膜２３、透明反射膜２４を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓ
ｉ透明反射膜２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
透明下部保護膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護
膜２３、透明反射膜２４を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓ
ｉ透明反射膜２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
【００３９】この媒体の透過率は、６９０ｎｍの波長に
おいて、記録膜が結晶の時に４０％、非晶質の時には６
８％であった。
おいて、記録膜が結晶の時に４０％、非晶質の時には６
８％であった。
【００４０】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
【００４１】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。このトラックを
再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。このトラックを
再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００４２】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１４ｍＷ、７ｍＷの条件でこ
のディスクに記録再生したところ、良好な再生信号が得
られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１４ｍＷ、７ｍＷの条件でこ
のディスクに記録再生したところ、良好な再生信号が得
られた。
【００４３】（実施例２）実施例２は、実施例１に透明
干渉膜２５を加えたものである。
干渉膜２５を加えたものである。
【００４４】まず、透過性剛性基板１上に透明下部保護
膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明
反射膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光
記録媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１
２０ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、ト
ラックピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次
スパッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２
１（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１
０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、
Ｓｉ透明反射膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉
膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。
膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明
反射膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光
記録媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１
２０ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、ト
ラックピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次
スパッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２
１（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１
０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、
Ｓｉ透明反射膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉
膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。
【００４５】この媒体の透過率は、６９０ｎｍの波長に
おいて、記録膜が結晶の時に３０％、非晶質の時には５
２％であった。
おいて、記録膜が結晶の時に３０％、非晶質の時には５
２％であった。
【００４６】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５（１２
０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５（１２
０ｎｍ厚）を成膜した。
【００４７】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の２つの相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスク
を回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍの
トラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記
録した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８．５ｍＷ、４．２ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の２つの相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスク
を回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍの
トラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記
録した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８．５ｍＷ、４．２ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００４８】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１５ｍＷ、７．５ｍＷの条件
でこのディスクに記録再生したところ、良好な再生信号
が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１５ｍＷ、７．５ｍＷの条件
でこのディスクに記録再生したところ、良好な再生信号
が得られた。
【００４９】（実施例３）実施例３は、実施例１で作成
したディスクを２枚用意し、相変化型光記録媒体側同士
を接着層を介して貼り合わせ、図２と同様の構成とし
た。
したディスクを２枚用意し、相変化型光記録媒体側同士
を接着層を介して貼り合わせ、図２と同様の構成とし
た。
【００５０】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。両面の光ディ
スク内の相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスク
を 回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、片面の半径３
０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに ２．２ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。この
トラックを再生したところ、良好な再生信号が得られ
た。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。両面の光ディ
スク内の相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスク
を 回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、片面の半径３
０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに ２．２ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。この
トラックを再生したところ、良好な再生信号が得られ
た。
【００５１】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型光記録媒体の位置に移動させた。
ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３
１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ１４ｍＷ、７ｍＷに設定した。こ
のトラックを再生したところ、良好な再生信号が得られ
た。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型光記録媒体の位置に移動させた。
ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３
１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ１４ｍＷ、７ｍＷに設定した。こ
のトラックを再生したところ、良好な再生信号が得られ
た。
【００５２】反対面についても同様の記録再生を行い、
良好に動作することを確認した。
良好に動作することを確認した。
【００５３】（実施例４）実施例４は、実施例２で作成
したディスクを２枚用意し、相変化型光記録媒体側同士
を接着層を介して貼り合わせ、図２と同様の構成とし
た。
したディスクを２枚用意し、相変化型光記録媒体側同士
を接着層を介して貼り合わせ、図２と同様の構成とし
た。
【００５４】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。両面の光ディ
スク内の相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスク
を 回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、片面の半径３
０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに ２．２ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ８．５ｍＷ、４．２ｍＷに設定し
た。このトラックを再生したところ、良好な再生信号が
得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。両面の光ディ
スク内の相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスク
を 回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、片面の半径３
０ｍｍのトラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに ２．２ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーをそれぞれ８．５ｍＷ、４．２ｍＷに設定し
た。このトラックを再生したところ、良好な再生信号が
得られた。
【００５５】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型光記録媒体の位置に移動させた。
ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３
１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーを それぞれ１５ｍＷ、７．５ｍＷに設定し
た。このトラックを再生したところ、良好な再生信号が
得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型光記録媒体の位置に移動させた。
ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３
１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の
信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨｚ（Ｄ
ｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、再生
信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワーと
消去パワーを それぞれ１５ｍＷ、７．５ｍＷに設定し
た。このトラックを再生したところ、良好な再生信号が
得られた。
【００５６】反対面についても同様の記録再生を行い、
良好に動作することを確認した。
良好に動作することを確認した。
【００５７】（実施例５）実施例５は、実施例２のＳｉ
透明反射膜２４の代わりにＧｅ透明反射膜２４を使用し
たものである。
透明反射膜２４の代わりにＧｅ透明反射膜２４を使用し
たものである。
【００５８】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、 ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇ
ｅ透明反射膜２４（７５ｎｍ）、ZnS-SiO2透明干渉膜２
５（１２０ｎｍ厚）を形成した。Ｇｅ膜は、Ｇｅターゲ
ットを用いて、Ａｒガスによるスパッタリングにより作
成した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、 ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇ
ｅ透明反射膜２４（７５ｎｍ）、ZnS-SiO2透明干渉膜２
５（１２０ｎｍ厚）を形成した。Ｇｅ膜は、Ｇｅターゲ
ットを用いて、Ａｒガスによるスパッタリングにより作
成した。
【００５９】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇｅ透明反射
膜２４（７５ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５（１２
０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇｅ透明反射
膜２４（７５ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５（１２
０ｎｍ厚）を成膜した。
【００６０】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８．８ｍＷ、４．４ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８．８ｍＷ、４．４ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００６１】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１４．２ｍＷ、７．２ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１４．２ｍＷ、７．２ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
【００６２】（実施例６）実施例６は、実施例２のＳｉ
透明反射膜２４の代わりにＳｉＯ透明反射膜２４を使用
したものである。
透明反射膜２４の代わりにＳｉＯ透明反射膜２４を使用
したものである。
【００６３】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓ
ｉＯ透明反射膜２４（１２０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干
渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＳｉＯ膜は、Ｓ
ｉターゲットを用い、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中で
反応性スパッタリングにより作成した。次に、スピンコ
ート法により、前記相変化型記録媒体上に、紫外線硬化
型樹脂を２５μｍ厚さに塗布した。その後、透明スタン
パを用いて、スタンパにあらかじめ形成されたトラッキ
ング溝を前記紫外線硬化樹脂上に転写し、紫外線照射に
より、前記樹脂を硬化させた。この後、スタンパを除去
することにより、トラックピッチ１．０μｍの良好な溝
を前記樹脂に転写できた。引き続き、スパッタ法によ
り、前記溝が形成された樹脂上に、ZnS-SiO2から成る透
明下部保護膜２１（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化
記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３
（１８ｎｍ厚）、ＳｉＯ透明反射膜２４（１２０ｎｍ
厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を成膜
した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓ
ｉＯ透明反射膜２４（１２０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干
渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＳｉＯ膜は、Ｓ
ｉターゲットを用い、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中で
反応性スパッタリングにより作成した。次に、スピンコ
ート法により、前記相変化型記録媒体上に、紫外線硬化
型樹脂を２５μｍ厚さに塗布した。その後、透明スタン
パを用いて、スタンパにあらかじめ形成されたトラッキ
ング溝を前記紫外線硬化樹脂上に転写し、紫外線照射に
より、前記樹脂を硬化させた。この後、スタンパを除去
することにより、トラックピッチ１．０μｍの良好な溝
を前記樹脂に転写できた。引き続き、スパッタ法によ
り、前記溝が形成された樹脂上に、ZnS-SiO2から成る透
明下部保護膜２１（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化
記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３
（１８ｎｍ厚）、ＳｉＯ透明反射膜２４（１２０ｎｍ
厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を成膜
した。
【００６４】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ９．０ｍＷ、４．５ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ９．０ｍＷ、４．５ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００６５】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１３．５ｍＷ、７．０ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１３．５ｍＷ、７．０ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
【００６６】（実施例７）実施例７は、実施例２のＳｉ
透明反射膜２４の代わりにＳｉＮ透明反射膜２４を使用
したものである。
透明反射膜２４の代わりにＳｉＮ透明反射膜２４を使用
したものである。
【００６７】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓ
ｉＮ透明反射膜２４（１１０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干
渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＳｉＮ膜は、Ｓ
ｉターゲットを用い、ＡｒとＮ2の混合ガス雰囲気中で
反応性スパッタリングにより作成した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓ
ｉＮ透明反射膜２４（１１０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干
渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＳｉＮ膜は、Ｓ
ｉターゲットを用い、ＡｒとＮ2の混合ガス雰囲気中で
反応性スパッタリングにより作成した。
【００６８】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、ＳｉＮ透明反
射膜２４（１１０ｎｍ厚）、 ZnS-SiO2透明干渉膜２５
（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、ＳｉＮ透明反
射膜２４（１１０ｎｍ厚）、 ZnS-SiO2透明干渉膜２５
（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
【００６９】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ９．０ｍＷ、４．４ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ９．０ｍＷ、４．４ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００７０】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１４．３ｍＷ、７．８ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１４．３ｍＷ、７．８ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
【００７１】（実施例８）実施例８は、実施例２のＳｉ
透明反射膜２４の代わりにＧｅＯ透明反射膜２４を使用
したものである。
透明反射膜２４の代わりにＧｅＯ透明反射膜２４を使用
したものである。
【００７２】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、 ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇ
ｅＯ透明反射膜２４（１００ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干
渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＧｅＯ膜は、Ｇ
ｅターゲットを用い、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中で
反応性スパッタリングにより作成した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、 ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇ
ｅＯ透明反射膜２４（１００ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干
渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＧｅＯ膜は、Ｇ
ｅターゲットを用い、ＡｒとＯ2の混合ガス雰囲気中で
反応性スパッタリングにより作成した。
【００７３】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、ＧｅＯ透明反
射膜２４（１００ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５
（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、ＧｅＯ透明反
射膜２４（１００ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５
（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
【００７４】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８．８ｍＷ、４．３ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８．８ｍＷ、４．３ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００７５】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１５．０ｍＷ、７．５ｍＷの
条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な再生
信号が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１５．０ｍＷ、７．５ｍＷの
条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な再生
信号が得られた。
【００７６】（実施例９）実施例９は、実施例２のＳｉ
透明反射膜２４の代わりにＧｅＮ透明反射膜２４を使用
したものである。
透明反射膜２４の代わりにＧｅＮ透明反射膜２４を使用
したものである。
【００７７】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇ
ｅＮ透明反射膜２４（９５ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉
膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＧｅＮ膜は、Ｇｅ
ターゲットを用い、ＡｒとＮ2の混合ガス雰囲気中で反
応性スパッタリングにより作成した。次に、スピンコー
ト法により、前記相変化型記録媒体上に、紫外線硬化型
樹脂を２５μｍ厚さに塗布した。その後、透明スタンパ
を用いて、スタンパにあらかじめ形成されたトラッキン
グ溝を前記紫外線硬化樹脂上に転写し、紫外線照射によ
り、前記樹脂を硬化させた。この後、スタンパを除去す
ることにより、トラックピッチ１．０μｍの良好な溝を
前記樹脂に転写できた。引き続き、スパッタ法により、
前記溝が形成された樹脂上に、ZnS-SiO2から成る透明下
部保護膜２１（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録
膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８
ｎｍ厚）、ＧｅＮ透明反射膜２４（９５ｎｍ厚）、ZnS-
SiO2透明干渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｇ
ｅＮ透明反射膜２４（９５ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉
膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。ＧｅＮ膜は、Ｇｅ
ターゲットを用い、ＡｒとＮ2の混合ガス雰囲気中で反
応性スパッタリングにより作成した。次に、スピンコー
ト法により、前記相変化型記録媒体上に、紫外線硬化型
樹脂を２５μｍ厚さに塗布した。その後、透明スタンパ
を用いて、スタンパにあらかじめ形成されたトラッキン
グ溝を前記紫外線硬化樹脂上に転写し、紫外線照射によ
り、前記樹脂を硬化させた。この後、スタンパを除去す
ることにより、トラックピッチ１．０μｍの良好な溝を
前記樹脂に転写できた。引き続き、スパッタ法により、
前記溝が形成された樹脂上に、ZnS-SiO2から成る透明下
部保護膜２１（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録
膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８
ｎｍ厚）、ＧｅＮ透明反射膜２４（９５ｎｍ厚）、ZnS-
SiO2透明干渉膜２５（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
【００７８】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのトラ
ックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録し
た後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）
の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次高調
波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワーをそ
れぞれ８．５ｍＷ、４．５ｍＷに設定した。このトラッ
クを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのトラ
ックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録し
た後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）
の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次高調
波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワーをそ
れぞれ８．５ｍＷ、４．５ｍＷに設定した。このトラッ
クを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００７９】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１４．７ｍＷ、７．３ｍＷの
条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な再生
信号が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに１．９ＭＨｚ
（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。なお、
再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録パワ
ーと消去パワーをそれぞれ１４．７ｍＷ、７．３ｍＷの
条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な再生
信号が得られた。
【００８０】（実施例１０）実施例１０は、実施例１の
最上層のＳｉ透明反射膜２４の代わりにＡｌ金属反射膜
２４を使用したものである。
最上層のＳｉ透明反射膜２４の代わりにＡｌ金属反射膜
２４を使用したものである。
【００８１】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４を順次形成し、相変化型光記録媒体２を作成し
た。透過性剛性基板１には、直径１２０ｍｍのポリカー
ボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．０
μｍ）を用いた。この基板上に順次スパッタ法により、
ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎｍ
厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS
-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射膜
２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４を順次形成し、相変化型光記録媒体２を作成し
た。透過性剛性基板１には、直径１２０ｍｍのポリカー
ボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．０
μｍ）を用いた。この基板上に順次スパッタ法により、
ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎｍ
厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS
-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射膜
２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
【００８２】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ａｌ金属反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ａｌ金属反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
【００８３】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ７．２ｍＷ、３．６ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ７．２ｍＷ、３．６ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００８４】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１３．５ｍＷ、６．９ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。な
お、再生信号の２次高調波歪が最小となるように、記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１３．５ｍＷ、６．９ｍ
Ｗの条件でこのディスクに記録再生したところ、良好な
再生信号が得られた。
【００８５】（実施例１１）実施例１１は、実施例２の
最下層のGe2Sb2Te5相変化記録膜２２を１０ｎｍ厚から
３０ｎｍ厚に変更したものである。
最下層のGe2Sb2Te5相変化記録膜２２を１０ｎｍ厚から
３０ｎｍ厚に変更したものである。
【００８６】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（３０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO２上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、
Ｓｉ透明反射膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉
膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４、透明干渉膜２５を順次形成し、相変化型光記録
媒体２を作成した。透過性剛性基板１には、直径１２０
ｍｍのポリカーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラッ
クピッチ１．０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパ
ッタ法により、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１
（２３０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（３０
ｎｍ厚）、ZnS-SiO２上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、
Ｓｉ透明反射膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉
膜２５（１２０ｎｍ厚）を形成した。
【００８７】この媒体の透過率は、６９０ｎｍの波長に
おいて、記録膜が結晶の時に２２％、非晶質の時には４
０％であった。次に、スピンコート法により、前記相変
化型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに
塗布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパに
あらかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化
樹脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化さ
せた。この後、スタンパを除去することにより、トラッ
クピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写でき
た。引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された
樹脂上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３
０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ
厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透
明反射膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５
（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
おいて、記録膜が結晶の時に２２％、非晶質の時には４
０％であった。次に、スピンコート法により、前記相変
化型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２５μｍ厚さに
塗布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパに
あらかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化
樹脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化さ
せた。この後、スタンパを除去することにより、トラッ
クピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写でき
た。引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された
樹脂上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３
０ｎｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ
厚）、ZnS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透
明反射膜２４（６０ｎｍ厚）、ZnS-SiO2透明干渉膜２５
（１２０ｎｍ厚）を成膜した。
【００８８】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ９．５ｍＷ、４．８ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ９．５ｍＷ、４．８ｍＷに設定した。このト
ラックを再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００８９】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。記録
パワーと消去パワーをそれぞれ最大１８ｍＷ、９ｍＷに
設定したが、良好な記録ができなかった。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。記録
パワーと消去パワーをそれぞれ最大１８ｍＷ、９ｍＷに
設定したが、良好な記録ができなかった。
【００９０】（実施例１２）実施例１２は、実施例１の
紫外線硬化型樹脂の厚さを２５μｍから６０μｍに変更
したものである。
紫外線硬化型樹脂の厚さを２５μｍから６０μｍに変更
したものである。
【００９１】まず、透過性剛性基板１上に透明下部保護
膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明
反射膜２４を順次形成し、相変化型光記録媒体２を作成
した。透過性剛性基板１には、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．
０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパッタ法によ
り、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎｍ
厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS
-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射膜
２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
膜２１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明
反射膜２４を順次形成し、相変化型光記録媒体２を作成
した。透過性剛性基板１には、直径１２０ｍｍのポリカ
ーボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．
０μｍ）を用いた。この基板上に順次スパッタ法によ
り、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎｍ
厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS
-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射膜
２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
【００９２】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を６０μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を６０μｍ厚さに塗
布した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあ
らかじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹
脂上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
【００９３】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。このトラックを
再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。このトラックを
再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００９４】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させた
が、集光位置がフォーカスオフセットの範囲外であった
ため、焦点合わせができず、良好な記録再生ができなか
った。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させた
が、集光位置がフォーカスオフセットの範囲外であった
ため、焦点合わせができず、良好な記録再生ができなか
った。
【００９５】（実施例１３）実施例１３は、実施例１の
紫外線硬化型樹脂の厚さを２５μｍから２μｍに変更し
たものである。
紫外線硬化型樹脂の厚さを２５μｍから２μｍに変更し
たものである。
【００９６】透過性剛性基板１上に透明下部保護膜２
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４を順次形成し、相変化型光記録媒体２を作成し
た。透過性剛性基板１には、直径１２０ｍｍのポリカー
ボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．０
μｍ）を用いた。この基板上に順次スパッタ法により、
ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎｍ
厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS
-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射膜
２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
１、相変化記録膜２２、透明上部保護膜２３、透明反射
膜２４を順次形成し、相変化型光記録媒体２を作成し
た。透過性剛性基板１には、直径１２０ｍｍのポリカー
ボネート基板（板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．０
μｍ）を用いた。この基板上に順次スパッタ法により、
ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎｍ
厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、ZnS
-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射膜
２４（６０ｎｍ厚）を形成した。
【００９７】次に、スピンコート法により、前記相変化
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２μｍ厚さに塗布
した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあら
かじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹脂
上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
型記録媒体上に、紫外線硬化型樹脂を２μｍ厚さに塗布
した。その後、透明スタンパを用いて、スタンパにあら
かじめ形成されたトラッキング溝を前記紫外線硬化樹脂
上に転写し、紫外線照射により、前記樹脂を硬化させ
た。この後、スタンパを除去することにより、トラック
ピッチ１．０μｍの良好な溝を前記樹脂に転写できた。
引き続き、スパッタ法により、前記溝が形成された樹脂
上に、ZnS-SiO2から成る透明下部保護膜２１（２３０ｎ
ｍ厚）、Ge2Sb2Te5相変化記録膜２２（１０ｎｍ厚）、Z
nS-SiO2上部保護膜２３（１８ｎｍ厚）、Ｓｉ透明反射
膜２４（６０ｎｍ厚）を成膜した。
【００９８】こうして作成された本発明に係る光学情報
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。このトラックを
再生したところ、良好な再生信号が得られた。
記録媒体に記録再生消去を試みた。測定には、波長６９
０ｎｍの半導体レーザを搭載した光ヘッドを用いた。集
光レンズ１１の開口率は０．６であった。光ディスク内
の両相変化型記録媒体を初期化したのち、ディスクを回
転数 ３６００ｒｐｍにて回転させ、半径３０ｍｍのト
ラックに８．４ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号を記録
した後、同じトラックに２．２ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号をオーバライトした。なお、再生信号の２次
高調波歪が最小となるように、記録パワーと消去パワー
をそれぞれ８ｍＷ、４ｍＷに設定した。このトラックを
再生したところ、良好な再生信号が得られた。
【００９９】次に、光ヘッドのフォーカスサーボ回路に
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１４ｍＷ、７ｍＷの条件
でこのディスクに記録再生を試みたところ、再生信号に
第１層目の相変化型記録媒体の信号の回り込みが大き
く、良好な再生信号は得られなかった。
オフセットをかけて、レーザ光１０の集光位置を光ディ
スクの上部の相変化型型光記録媒体の位置に移動させ
た。ディスクを回転数３６００ｒｐｍにて回転させ、半
径３１ｍｍのトラックに８．０ＭＨｚ（Ｄｕｔｙ５０
％）の信号を記録した後、同じトラックに １．９ＭＨ
ｚ（Ｄｕｔｙ５０％）の信号をオーバライトした。記録
パワーと消去パワーをそれぞれ１４ｍＷ、７ｍＷの条件
でこのディスクに記録再生を試みたところ、再生信号に
第１層目の相変化型記録媒体の信号の回り込みが大き
く、良好な再生信号は得られなかった。
【０１００】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の採用によ
り、光学情報記録媒体の高密度記録再生消去特性を確保
する新規な光学情報記録媒体と光学情報記録再生消去方
法が得られる。本発明では、透過性剛性のある基板と、
その上に形成した複数の相変化型光学情報記録媒体が用
いられ、優れた高密度記録再生消去特性を持つ光学情報
記録媒体が得られ、高密度記録が可能となる効果があ
る。
り、光学情報記録媒体の高密度記録再生消去特性を確保
する新規な光学情報記録媒体と光学情報記録再生消去方
法が得られる。本発明では、透過性剛性のある基板と、
その上に形成した複数の相変化型光学情報記録媒体が用
いられ、優れた高密度記録再生消去特性を持つ光学情報
記録媒体が得られ、高密度記録が可能となる効果があ
る。
【図１】本発明に係る光学情報記録媒体の構成を示す図
である。
である。
【図２】本発明に係る光学情報記録媒体の他の構成を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明に係る光学情報記録媒体の相変化型記録
媒体の構成を示す図である。
媒体の構成を示す図である。
１ 透過性剛性基板 ２ 相変化型光記録媒体 ３ 透過性スペーサ １０ レーザ光 １１ 集光レンズ ２１ 透明下部保護膜 ２２ 相変化記録膜 ２３ 透明上部保護膜 ２４ 透明反射膜 ２５ 透明干渉膜 １０１ 第１の透過性剛性基板 ２０１ 第２の透過性剛性基板 ３００ 接着層
Claims (17)
- 【請求項１】 透過性剛性基板上に、レーザ光の照射に
より記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う
相変化型光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積
層したことを特徴とする光学情報記録媒体。 - 【請求項２】 第１の透過性剛性基板上にレーザ光の照
射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を
行う相変化型光記録媒体を透過性スペーサを介して複数
積層した第１の光学情報記録媒体と、第２の透過性剛性
基板上にレーザ光の照射により記録膜の相変化によって
情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を透過性
スペーサを介して複数積層した第２の光学情報記録媒体
とを、前記相変化型光記録媒体同士を接着層を介して対
向させる形に貼り合わせて成ることを特徴とする光学情
報記録媒体。 - 【請求項３】 前記透過性剛性基板上に積層した前記相
変化型光記録媒体が透明下部保護膜、相変化記録膜、透
明上部保護膜、透明反射膜を順次形成して成ることを特
徴とする請求項１または２記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記透過性剛性基板上に積層した最上層
を除く前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相
変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射膜を順次形成し
たものであって、最上層の前記相変化型光記録媒体は、
透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、金属
反射膜を順次形成したものであることを特徴とする請求
項１または２記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記透過性剛性基板上に積層した前記相
変化型光記録媒体が、透明下部保護膜、相変化記録膜、
透明上部保護膜、透明反射膜、透明干渉膜を順次形成し
て成ることを特徴とする請求項１または２記載の光学情
報記録媒体。 - 【請求項６】 前記透過性剛性基板上に積層した最上層
を除く前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相
変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射膜、透明干渉膜
を順次形成したものであって、最上層の前記相変化型光
記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部
保護膜、金属反射膜を順次形成したものであることを特
徴とする請求項１または２記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記透過性スペーサが光硬化型樹脂であ
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６
記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項８】 前記相変化記録膜がＧｅ、Ｓｂ、Ｔｅを
主成分とすることを特徴とする請求項３、４、５または
６記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記透明下部保護膜と前記透明上部保護
膜がＺｎＳならびにＳｉＯ2を主成分とすることを特徴
とする請求項３、４、５または６記載の光学情報記録媒
体。 - 【請求項１０】 前記透明干渉膜がＺｎＳならびにＳｉ
Ｏ2を主成分とすることを特徴とする請求項５または６
記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１１】 前記透明反射膜がＳｉであることを特
徴とする請求項３、４、５または６記載の光学情報記録
媒体。 - 【請求項１２】 前記透明反射膜がＧｅであることを特
徴とする請求項３、４、５または６記載の光学情報記録
媒体。 - 【請求項１３】 前記透明反射膜がＳｉを主成分とする
酸化物であることを特徴とする請求項３、４、５または
６記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１４】 前記透明反射膜がＳｉを主成分とする
窒化物であることを特徴とする請求項３、４、５または
６記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１５】 前記透明反射膜がＧｅを主成分とする
酸化物であることを特徴とする請求項３、４、５または
６記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１６】 前記透明反射膜がＧｅを主成分とする
窒化物であることを特徴とする請求項３、４、５または
６記載の光学情報記録媒体。 - 【請求項１７】 透過性剛性基板上に、レーザ光の照射
により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行
う相変化型光記録媒体を形成し、透過性スペーサを介し
て複数の相変化型光記録媒体を積層した光学情報記録媒
体を用い、前記透過性剛性基板を介して入射する集光レ
ーザ光の集光位置を可変とすることにより、積層された
複数の前記相変化型記録媒体各層に情報を記録、再生、
消去することを特徴とする光学情報記録再生消去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9101239A JPH10293942A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9101239A JPH10293942A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10293942A true JPH10293942A (ja) | 1998-11-04 |
Family
ID=14295358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9101239A Pending JPH10293942A (ja) | 1997-04-18 | 1997-04-18 | 光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10293942A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-04-18 JP JP9101239A patent/JPH10293942A/ja active Pending
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| CN100350480C (zh) * | 2002-03-28 | 2007-11-21 | 三星电子株式会社 | 使用反应和扩散的记录方法、利用该记录方法记录的记录介质、以及用于该记录介质的记录/再现装置 |
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