JP2001028148A - 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 - Google Patents
光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置Info
- Publication number
- JP2001028148A JP2001028148A JP2000140749A JP2000140749A JP2001028148A JP 2001028148 A JP2001028148 A JP 2001028148A JP 2000140749 A JP2000140749 A JP 2000140749A JP 2000140749 A JP2000140749 A JP 2000140749A JP 2001028148 A JP2001028148 A JP 2001028148A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- recording
- information
- light beam
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度・高線速度なオーバーライトにおける
Ｃ／Ｎ比、消去率及び感度がいずれも高く、クロス消去
が小さい光学的情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板上１に、少なくとも第１情報層
２、分離層３、第２情報層４、保護基板５をこの順に備
え、第２情報層４が、透明基板に近い側から順に、少な
くとも、光干渉層６、下側保護層７、記録層８、上側保
護層９及び反射層１０をこの順に積層した光学的情報記
録媒体とする。反射層１０は、レーザー光１１の波長λ
における屈折率を２．５以上とする。また、第２情報層
４は、透明基板側から入射する上記レーザー光に対し、
記録前の反射率よりも記録後の反射率が高くなる反射率
増加型とする。光干渉層６を省略し、記録層の波長λに
おける記録後屈折率ｎ2に対する記録前屈折率ｎ1の比を
０．８以下としてもよい。
Ｃ／Ｎ比、消去率及び感度がいずれも高く、クロス消去
が小さい光学的情報記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板上１に、少なくとも第１情報層
２、分離層３、第２情報層４、保護基板５をこの順に備
え、第２情報層４が、透明基板に近い側から順に、少な
くとも、光干渉層６、下側保護層７、記録層８、上側保
護層９及び反射層１０をこの順に積層した光学的情報記
録媒体とする。反射層１０は、レーザー光１１の波長λ
における屈折率を２．５以上とする。また、第２情報層
４は、透明基板側から入射する上記レーザー光に対し、
記録前の反射率よりも記録後の反射率が高くなる反射率
増加型とする。光干渉層６を省略し、記録層の波長λに
おける記録後屈折率ｎ2に対する記録前屈折率ｎ1の比を
０．８以下としてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に形成され
た薄膜に、レーザービーム等の高エネルギービームを照
射することにより、信号品質の高い情報信号を記録・再
生することのできる光学的情報記録媒体とその製造方
法、記録再生方法及び記録再生装置に関するものであ
る。
た薄膜に、レーザービーム等の高エネルギービームを照
射することにより、信号品質の高い情報信号を記録・再
生することのできる光学的情報記録媒体とその製造方
法、記録再生方法及び記録再生装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に形成したカルコゲン
材料の薄膜にレーザー光線を照射して局所的な加熱を行
い、照射条件の違いにより光学定数（屈折率ｎ、消衰係
数ｋ）が異なる非晶質相と結晶相との間で相変化させる
ことが可能であることが知られており、この現象を応用
した、いわゆる相変化型の光学的情報記録媒体の開発が
行われてきた。
材料の薄膜にレーザー光線を照射して局所的な加熱を行
い、照射条件の違いにより光学定数（屈折率ｎ、消衰係
数ｋ）が異なる非晶質相と結晶相との間で相変化させる
ことが可能であることが知られており、この現象を応用
した、いわゆる相変化型の光学的情報記録媒体の開発が
行われてきた。
【０００３】相変化型の光学的情報記録媒体において
は、単一のレーザービームのみを使い、レーザー出力を
記録レベルと消去レベルの２レベル間で情報信号に応じ
て変調し情報トラック上に照射することにより、既存の
信号を消去しつつ新しい信号を記録することが可能であ
る。この方法は光磁気記録のように磁気回路部品が不要
なことからヘッドが簡素化できる点、消去と記録が同時
に行えるため書換時間を短縮できる点で情報の記録に有
利である。
は、単一のレーザービームのみを使い、レーザー出力を
記録レベルと消去レベルの２レベル間で情報信号に応じ
て変調し情報トラック上に照射することにより、既存の
信号を消去しつつ新しい信号を記録することが可能であ
る。この方法は光磁気記録のように磁気回路部品が不要
なことからヘッドが簡素化できる点、消去と記録が同時
に行えるため書換時間を短縮できる点で情報の記録に有
利である。
【０００４】こうした光学的情報記録媒体では、繰り返
し使用する際の記録層の蒸発、基板の熱変形等を防止す
る目的で耐熱性に優れた誘電体を保護層として記録層の
上下に設け、更に、基板と反対側の保護層の上に入射光
を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化しやす
くする目的で金属材料の反射層を設けた４層以上の薄膜
を積層した構成が一般的である。
し使用する際の記録層の蒸発、基板の熱変形等を防止す
る目的で耐熱性に優れた誘電体を保護層として記録層の
上下に設け、更に、基板と反対側の保護層の上に入射光
を効率良く使い、冷却速度を向上させて非晶質化しやす
くする目的で金属材料の反射層を設けた４層以上の薄膜
を積層した構成が一般的である。
【０００５】相変化型の光学的情報記録媒体を高密度化
・大容量化するために、一般には、記録に用いる光源の
短波長化、対物レンズの高ＮＡ（開口数）化などによっ
てより小さいマークを形成し、記録マークの基板上にお
ける周方向の線密度及び径方向のトラック密度の向上が
図られている。また、線密度向上のために、マークの長
さに情報を持たせるマークエッジ記録が、トラック密度
向上のために、基板上に設けられたレーザー光案内用の
溝であるグルーブとその案内溝間のランドとの両方を記
録トラックとするランド＆グルーブ記録がそれぞれ提案
され、導入されている。
・大容量化するために、一般には、記録に用いる光源の
短波長化、対物レンズの高ＮＡ（開口数）化などによっ
てより小さいマークを形成し、記録マークの基板上にお
ける周方向の線密度及び径方向のトラック密度の向上が
図られている。また、線密度向上のために、マークの長
さに情報を持たせるマークエッジ記録が、トラック密度
向上のために、基板上に設けられたレーザー光案内用の
溝であるグルーブとその案内溝間のランドとの両方を記
録トラックとするランド＆グルーブ記録がそれぞれ提案
され、導入されている。
【０００６】さらに、このような記録可能な情報層を分
離層を介して複数積層し、容量を倍増させた記録媒体
（特開平９−２１２９１７号公報等）、及びこのような
複数の情報層のいずれか一つを選択して記録再生を行う
ための層認識手段及び層切り替え手段（特表平１０−５
０５１８８号公報等）が提案されている。
離層を介して複数積層し、容量を倍増させた記録媒体
（特開平９−２１２９１７号公報等）、及びこのような
複数の情報層のいずれか一つを選択して記録再生を行う
ための層認識手段及び層切り替え手段（特表平１０−５
０５１８８号公報等）が提案されている。
【０００７】また、高密度化のみならず、情報処理速
度、すなわち情報の記録再生の速度を向上させることも
重要で、そのために同じ半径位置でも高い回転数でディ
スクを回転させて記録再生を行う高線速度化も検討が進
められている。
度、すなわち情報の記録再生の速度を向上させることも
重要で、そのために同じ半径位置でも高い回転数でディ
スクを回転させて記録再生を行う高線速度化も検討が進
められている。
【０００８】単一ビームによるオーバーライトの場合、
非晶質部と結晶部とで光吸収率が異なり、また、結晶部
では融解潜熱が必要であるため、同じパワーのビームを
照射した場合、両者には到達温度の差が生じる。このた
め、オーバーライト時にオーバーライト前の信号の影響
を受けてマーク形状の歪みが生じてしまう。これによ
り、再生信号の時間軸方向の誤差（ジッタ）の増大や消
去率の低下が起こってしまう。この現象は、高線速度・
高密度になるほど顕著な課題となる。
非晶質部と結晶部とで光吸収率が異なり、また、結晶部
では融解潜熱が必要であるため、同じパワーのビームを
照射した場合、両者には到達温度の差が生じる。このた
め、オーバーライト時にオーバーライト前の信号の影響
を受けてマーク形状の歪みが生じてしまう。これによ
り、再生信号の時間軸方向の誤差（ジッタ）の増大や消
去率の低下が起こってしまう。この現象は、高線速度・
高密度になるほど顕著な課題となる。
【０００９】この課題を解決するために、結晶部及び非
晶質部に同じパワーのビームを照射した場合の両者の到
達温度を等しくする方法が提案されている（特開平１−
１４９２３８号公報等）。この方法によると、結晶部の
融解潜熱分を補償するために、波長λのレーザー光線に
対する結晶部の吸収率をＡｃ、非晶質部の吸収率をＡａ
として、吸収率比Ａｃ／Ａａが１．０より大きいことが
必要である。加えて、大きな信号振幅及び高いＣ／Ｎ比
を得るためには、波長λのレーザー光線に対する結晶部
の反射率をＲｃ、非晶質部の反射率をＲａとして、反射
率差ΔＲ＝Ｒｃ−Ｒａの絶対値が大きいほど望ましい。
晶質部に同じパワーのビームを照射した場合の両者の到
達温度を等しくする方法が提案されている（特開平１−
１４９２３８号公報等）。この方法によると、結晶部の
融解潜熱分を補償するために、波長λのレーザー光線に
対する結晶部の吸収率をＡｃ、非晶質部の吸収率をＡａ
として、吸収率比Ａｃ／Ａａが１．０より大きいことが
必要である。加えて、大きな信号振幅及び高いＣ／Ｎ比
を得るためには、波長λのレーザー光線に対する結晶部
の反射率をＲｃ、非晶質部の反射率をＲａとして、反射
率差ΔＲ＝Ｒｃ−Ｒａの絶対値が大きいほど望ましい。
【００１０】ΔＲの絶対値を大きくするには、ΔＲが正
の値をとる反射率減少型と、ΔＲが負の値をとる反射率
増加型の２つがある。反射率減少型では、Ｒｃを大きく
しやすいのでベースとなる反射率を高くでき、Ｒａをほ
とんど０にできるため、信号のコントラストを大きくで
きるという利点があるものの、前述のようにＡｃ／Ａａ
も同時に大きくするためには入射光の一部を透過させる
か、または記録層以外に吸収させるかのどちらかが必要
となり、入射光を効率よく利用する上で、また、光学設
計上の自由度の点で不利である。一方、反射率増加型で
は、ΔＲの絶対値を大きくするほどＡｃ／Ａａも同時に
大きくなるため、入射光の一部を透過させたり、記録層
以外に吸収させたりする必要がなく、入射光を効率よく
利用する上で、また、光学設計上の自由度の点で有利で
ある。
の値をとる反射率減少型と、ΔＲが負の値をとる反射率
増加型の２つがある。反射率減少型では、Ｒｃを大きく
しやすいのでベースとなる反射率を高くでき、Ｒａをほ
とんど０にできるため、信号のコントラストを大きくで
きるという利点があるものの、前述のようにＡｃ／Ａａ
も同時に大きくするためには入射光の一部を透過させる
か、または記録層以外に吸収させるかのどちらかが必要
となり、入射光を効率よく利用する上で、また、光学設
計上の自由度の点で不利である。一方、反射率増加型で
は、ΔＲの絶対値を大きくするほどＡｃ／Ａａも同時に
大きくなるため、入射光の一部を透過させたり、記録層
以外に吸収させたりする必要がなく、入射光を効率よく
利用する上で、また、光学設計上の自由度の点で有利で
ある。
【００１１】このような反射率増加型の記録媒体の構成
例としては、基板上にＡｕ等の半透過性の光干渉層、下
側保護層、記録層、上側保護層、反射層の少なくとも５
層をこの順に設け、特に前記光干渉層による光の干渉効
果を利用して反射率増加型でΔＲの絶対値を大きくする
構成（特開平７−７８３５４号公報、特開平７−１０５
５７４号公報、特開平７−２６２６０７号公報等）、あ
るいは基板上に高屈折率保護層、低屈折率保護層、高屈
折率保護層、記録層、上側保護層、反射層の少なくとも
６層をこの順に積層した構成等が開示されている。
例としては、基板上にＡｕ等の半透過性の光干渉層、下
側保護層、記録層、上側保護層、反射層の少なくとも５
層をこの順に設け、特に前記光干渉層による光の干渉効
果を利用して反射率増加型でΔＲの絶対値を大きくする
構成（特開平７−７８３５４号公報、特開平７−１０５
５７４号公報、特開平７−２６２６０７号公報等）、あ
るいは基板上に高屈折率保護層、低屈折率保護層、高屈
折率保護層、記録層、上側保護層、反射層の少なくとも
６層をこの順に積層した構成等が開示されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の反射率増加型の
記録媒体では、反射層としてＡｕ、Ａｌなどの金属材
料、またはこれらを主成分とする合金材料を用いてい
た。これらの反射層材料は、いずれも屈折率ｎが２．５
未満かつ消衰係数ｋが３以上であり、熱伝導率が５０Ｗ
／（ｍ・Ｋ）よりも大きく、薄膜材料のなかでは熱伝導
率が高い部類に入る。したがって、反射層による冷却効
果が大きすぎるために、現在入手可能なレーザーダイオ
ードではパワー不足となり、十分に記録層を昇温させる
ことができず、完全にマークが形成できなくなる場合が
ある（感度不足）。あるいは、記録時に膜面内での熱拡
散が大きくなり、隣接トラックのマークを消してしまう
おそれもある（クロス消去）。
記録媒体では、反射層としてＡｕ、Ａｌなどの金属材
料、またはこれらを主成分とする合金材料を用いてい
た。これらの反射層材料は、いずれも屈折率ｎが２．５
未満かつ消衰係数ｋが３以上であり、熱伝導率が５０Ｗ
／（ｍ・Ｋ）よりも大きく、薄膜材料のなかでは熱伝導
率が高い部類に入る。したがって、反射層による冷却効
果が大きすぎるために、現在入手可能なレーザーダイオ
ードではパワー不足となり、十分に記録層を昇温させる
ことができず、完全にマークが形成できなくなる場合が
ある（感度不足）。あるいは、記録時に膜面内での熱拡
散が大きくなり、隣接トラックのマークを消してしまう
おそれもある（クロス消去）。
【００１３】前述のように、容量を倍増させるために情
報層を分離層を介して複数積層した記録媒体において
は、記録再生用のレーザー光が入射する側から数えて２
番目以降の情報層に対しては１番目の情報層を透過する
際に反射及び／または吸収により減衰した光量で記録再
生を行うため、感度不足がより大きな問題になる。
報層を分離層を介して複数積層した記録媒体において
は、記録再生用のレーザー光が入射する側から数えて２
番目以降の情報層に対しては１番目の情報層を透過する
際に反射及び／または吸収により減衰した光量で記録再
生を行うため、感度不足がより大きな問題になる。
【００１４】また、高密度記録化を図るためにレーザー
光を短波長化すると、レーザー光源からの出力が低下す
る傾向がある。このため、感度不足は、単一の情報層を
備えた媒体においても問題となる可能性がある。
光を短波長化すると、レーザー光源からの出力が低下す
る傾向がある。このため、感度不足は、単一の情報層を
備えた媒体においても問題となる可能性がある。
【００１５】そこで、本発明は、高密度・高線速度なオ
ーバーライトにおけるＣ／Ｎ比、高い消去率、小さいク
ロス消去を実現しながらも、感度が高い光学的情報記録
媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、こ
の光学情報記録媒体の製造方法、記録再生方法、及び記
録再生装置を提供することを目的とする。
ーバーライトにおけるＣ／Ｎ比、高い消去率、小さいク
ロス消去を実現しながらも、感度が高い光学的情報記録
媒体を提供することを目的とする。また、本発明は、こ
の光学情報記録媒体の製造方法、記録再生方法、及び記
録再生装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の光学的情報記録媒体は、透明基板上
に、少なくとも、第１情報層、分離層、第２情報層及び
保護基板をこの順に備え、前記第２情報層が、前記透明
基板に近い側から順に、少なくとも、光干渉層、下側保
護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる
２つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及び記
録に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．５以
上である反射層を積層したものであり、前記第２情報層
が、前記透明基板側から入射する前記記録に用いる光ビ
ームに対して記録前の反射率よりも記録後の反射率が高
いことを特徴とする。
め、本発明の第１の光学的情報記録媒体は、透明基板上
に、少なくとも、第１情報層、分離層、第２情報層及び
保護基板をこの順に備え、前記第２情報層が、前記透明
基板に近い側から順に、少なくとも、光干渉層、下側保
護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる
２つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及び記
録に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．５以
上である反射層を積層したものであり、前記第２情報層
が、前記透明基板側から入射する前記記録に用いる光ビ
ームに対して記録前の反射率よりも記録後の反射率が高
いことを特徴とする。
【００１７】上記光学的情報記録媒体は、いわゆる反射
率増加型の範疇に属し、反射層とともに光干渉層が用い
られている。この光干渉層は、光干渉により反射率の増
加（記録前後の反射率の差）を拡大する層である。
率増加型の範疇に属し、反射層とともに光干渉層が用い
られている。この光干渉層は、光干渉により反射率の増
加（記録前後の反射率の差）を拡大する層である。
【００１８】光干渉層は、具体的には、波長λにおける
屈折率が２以上であって消衰係数が２以下であるか、波
長λにおける屈折率が１以下であって消衰係数が３以上
であることが好ましい。
屈折率が２以上であって消衰係数が２以下であるか、波
長λにおける屈折率が１以下であって消衰係数が３以上
であることが好ましい。
【００１９】また、光干渉層の熱伝導率は、５０Ｗ／
（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。感度向上に有利
だからである。
（ｍ・Ｋ）以下であることが好ましい。感度向上に有利
だからである。
【００２０】上記光学情報記録媒体では、光干渉層が透
明基板に近い側から順に第１光干渉層及び第２光干渉層
の２層からなっていてもよい。この場合、波長λにおい
て、前記第２光干渉層の屈折率が前記第１光干渉層の屈
折率及び下側保護層の屈折率よりも小さく、前記第１光
干渉層の消衰係数及び前記第２光干渉層の消衰係数がい
ずれも１以下であることが好ましい。
明基板に近い側から順に第１光干渉層及び第２光干渉層
の２層からなっていてもよい。この場合、波長λにおい
て、前記第２光干渉層の屈折率が前記第１光干渉層の屈
折率及び下側保護層の屈折率よりも小さく、前記第１光
干渉層の消衰係数及び前記第２光干渉層の消衰係数がい
ずれも１以下であることが好ましい。
【００２１】また、本発明の第２の光学情報記録媒体
は、透明基板上に、少なくとも、第１情報層、分離層、
第２情報層及び保護基板をこの順に備え、前記第２情報
層が、前記透明基板に近い側から順に、少なくとも、下
側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異
なる２つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及
び記録に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．
５以上である反射層を積層したものであり、前記分離層
上に前記下側保護層が直接形成され、前記記録層におい
て、前記波長λにおける記録後の屈折率ｎ2に対する記
録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以下であり、前
記第２情報層が、前記透明基板側から入射する前記記録
に用いる光ビームに対して記録前の反射率よりも記録後
の反射率が高いことを特徴とする。
は、透明基板上に、少なくとも、第１情報層、分離層、
第２情報層及び保護基板をこの順に備え、前記第２情報
層が、前記透明基板に近い側から順に、少なくとも、下
側保護層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異
なる２つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及
び記録に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．
５以上である反射層を積層したものであり、前記分離層
上に前記下側保護層が直接形成され、前記記録層におい
て、前記波長λにおける記録後の屈折率ｎ2に対する記
録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以下であり、前
記第２情報層が、前記透明基板側から入射する前記記録
に用いる光ビームに対して記録前の反射率よりも記録後
の反射率が高いことを特徴とする。
【００２２】上記光学的情報記録媒体も、いわゆる反射
率増加型の範疇に属するが、分離層と下側保護層との間
に光干渉層は介在していない。この媒体では、光干渉層
を用いる代わりに、波長λにおける記録後の屈折率ｎ2
に対する記録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以下
である記録層が用いられている。
率増加型の範疇に属するが、分離層と下側保護層との間
に光干渉層は介在していない。この媒体では、光干渉層
を用いる代わりに、波長λにおける記録後の屈折率ｎ2
に対する記録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以下
である記録層が用いられている。
【００２３】上記第１及び第２の光学的情報記録媒体で
は、第１情報層が、少なくとも光ビームの照射により光
学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記
録層を有し、前記第１情報層が、記録に用いる光ビーム
に対して３０％以上の透過率を有することが好ましい。
感度向上に有利だからである。
は、第１情報層が、少なくとも光ビームの照射により光
学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記
録層を有し、前記第１情報層が、記録に用いる光ビーム
に対して３０％以上の透過率を有することが好ましい。
感度向上に有利だからである。
【００２４】上記第２の光学的情報記録媒体における記
録層は、２つの情報層を備えた媒体に限らず広く適用が
可能である。この記録層を有する本発明の第３の光学的
情報記録媒体は、透明基板上に、少なくとも、下側保護
層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる２
つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及び記録
に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．５以上
である反射層を備え、前記透明基板上に前記下側保護層
が直接形成され、前記記録層において、前記波長λにお
ける記録後の屈折率ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比
ｎ1／ｎ2が０．８以下であり、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高いことを特徴とする。
録層は、２つの情報層を備えた媒体に限らず広く適用が
可能である。この記録層を有する本発明の第３の光学的
情報記録媒体は、透明基板上に、少なくとも、下側保護
層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる２
つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及び記録
に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．５以上
である反射層を備え、前記透明基板上に前記下側保護層
が直接形成され、前記記録層において、前記波長λにお
ける記録後の屈折率ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比
ｎ1／ｎ2が０．８以下であり、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高いことを特徴とする。
【００２５】上記第１〜第３の光学的情報記録媒体にお
いては、反射層の波長λにおける屈折率が３．０以上で
あることが好ましい。また、反射層の波長λにおける消
衰係数が４．０以下であることが好ましい。
いては、反射層の波長λにおける屈折率が３．０以上で
あることが好ましい。また、反射層の波長λにおける消
衰係数が４．０以下であることが好ましい。
【００２６】さらに、反射層の熱伝導率は５０Ｗ／（ｍ
・Ｋ）以下が好適である。特に、光干渉層と反射層の熱
伝導率をともに上記範囲とすると、感度向上に特に適し
た媒体とすることができる。
・Ｋ）以下が好適である。特に、光干渉層と反射層の熱
伝導率をともに上記範囲とすると、感度向上に特に適し
た媒体とすることができる。
【００２７】また、上記光学的情報記録媒体において
は、下側保護層と記録層との間の界面及び記録層と上側
保護層との間の界面から選ばれる少なくとも一方に、さ
らに界面層を備えていることが好ましい。
は、下側保護層と記録層との間の界面及び記録層と上側
保護層との間の界面から選ばれる少なくとも一方に、さ
らに界面層を備えていることが好ましい。
【００２８】また、上記光学的情報記録媒体において
は、記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを含むこと
が好ましい。
は、記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ及びＴｅを含むこと
が好ましい。
【００２９】また、上記光学情報記録媒体においては、
Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅの原子数の比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅを
ｘ：ｙ：ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表示したときに、０．
１０≦ｘ≦０．５０、０．４０≦ｚ≦０．６０であるこ
とが好ましい。
Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅの原子数の比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅを
ｘ：ｙ：ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表示したときに、０．
１０≦ｘ≦０．５０、０．４０≦ｚ≦０．６０であるこ
とが好ましい。
【００３０】また、上記光学的情報記録媒体において
は、反射層が、少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＴｅから選ばれる少
なくとも１種の元素を含むことが好ましい。
は、反射層が、少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、
Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＴｅから選ばれる少
なくとも１種の元素を含むことが好ましい。
【００３１】また、上記目的を達成するために、本発明
の光学的情報記録媒体の製造方法は、上記第１または第
２の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、前記
透明基板上に前記第１情報層を、前記保護基板上に前記
第２情報層をそれぞれ積層する成膜工程と、前記第１情
報層と前記第２情報層とが向かい合うように前記透明基
板と前記保護基板とを前記分離層を介して貼り合わせる
密着工程と、前記第１情報層及び前記第２情報層をいず
れも記録可能な初期状態とする初期化工程とからなるこ
とを特徴とする。
の光学的情報記録媒体の製造方法は、上記第１または第
２の光学的情報記録媒体を製造する方法であって、前記
透明基板上に前記第１情報層を、前記保護基板上に前記
第２情報層をそれぞれ積層する成膜工程と、前記第１情
報層と前記第２情報層とが向かい合うように前記透明基
板と前記保護基板とを前記分離層を介して貼り合わせる
密着工程と、前記第１情報層及び前記第２情報層をいず
れも記録可能な初期状態とする初期化工程とからなるこ
とを特徴とする。
【００３２】上記光学的情報記録媒体の製造方法におい
ては、光ビームの波長λにおける反射層の消衰係数が
４．０以下であり、密着工程の後に、第１情報層に対し
て透明基板側から、第２情報層に対して保護基板側か
ら、それぞれ光を照射して初期化工程を行うことが好ま
しい。
ては、光ビームの波長λにおける反射層の消衰係数が
４．０以下であり、密着工程の後に、第１情報層に対し
て透明基板側から、第２情報層に対して保護基板側か
ら、それぞれ光を照射して初期化工程を行うことが好ま
しい。
【００３３】また、上記目的を達成するために、本発明
の光学的情報記録媒体の記録再生方法は、上記第１また
は第２の光学的情報記録媒体の記録再生方法であって、
前記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から
入射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うこ
とを特徴とする。
の光学的情報記録媒体の記録再生方法は、上記第１また
は第２の光学的情報記録媒体の記録再生方法であって、
前記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から
入射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うこ
とを特徴とする。
【００３４】上記光学的情報記録媒体の記録再生方法に
おいては、記録層の照射部を瞬時溶融させるに十分なパ
ワーレベルをＰ１、照射部を瞬時溶融させることができ
ないパワーレベルをＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ２≧
Ｐ３≧０）と表示したときに、前記パワーレベルＰ１と
前記パワーレベルＰ３の間で変調する複数のパルス列を
描く光ビームにより、記録しようとする少なくとも一部
のマークを前記記録層に記録し、マークを形成しないと
きには前記光ビームを前記パワーレベルＰ２で一定に保
つことが好ましい。
おいては、記録層の照射部を瞬時溶融させるに十分なパ
ワーレベルをＰ１、照射部を瞬時溶融させることができ
ないパワーレベルをＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ２≧
Ｐ３≧０）と表示したときに、前記パワーレベルＰ１と
前記パワーレベルＰ３の間で変調する複数のパルス列を
描く光ビームにより、記録しようとする少なくとも一部
のマークを前記記録層に記録し、マークを形成しないと
きには前記光ビームを前記パワーレベルＰ２で一定に保
つことが好ましい。
【００３５】また、上記光学的情報記録媒体の記録再生
方法においては、記録パルス列の最後のパルスの後に、
パワーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却区間
を設けることが好ましい。
方法においては、記録パルス列の最後のパルスの後に、
パワーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却区間
を設けることが好ましい。
【００３６】また、上記目的を達成するために、本発明
の光学情報記録媒体の記録再生装置は、上記第１または
第２の光学的情報記録媒体の記録再生装置であって、前
記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から入
射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うため
の層認識手段及び層切り替え手段を備えていることを特
徴とする。
の光学情報記録媒体の記録再生装置は、上記第１または
第２の光学的情報記録媒体の記録再生装置であって、前
記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から入
射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うため
の層認識手段及び層切り替え手段を備えていることを特
徴とする。
【００３７】上記光学的情報記録媒体の記録再生装置
は、記録層の照射部を瞬時溶融させるに十分なパワーレ
ベルをＰ１、照射部を瞬時溶融させることができないパ
ワーレベルをＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ２≧Ｐ３≧
０）と表示したときに、前記パワーレベルＰ１と前記パ
ワーレベルＰ３の間で変調する複数のパルス列を描く光
ビームにより、記録しようとする少なくとも一部のマー
クを前記記録層に記録し、マークを形成しないときには
前記光ビームを前記パワーレベルＰ２で一定に保つ光ビ
ーム強度変調手段をさらに備えていることが好ましい。
は、記録層の照射部を瞬時溶融させるに十分なパワーレ
ベルをＰ１、照射部を瞬時溶融させることができないパ
ワーレベルをＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ２≧Ｐ３≧
０）と表示したときに、前記パワーレベルＰ１と前記パ
ワーレベルＰ３の間で変調する複数のパルス列を描く光
ビームにより、記録しようとする少なくとも一部のマー
クを前記記録層に記録し、マークを形成しないときには
前記光ビームを前記パワーレベルＰ２で一定に保つ光ビ
ーム強度変調手段をさらに備えていることが好ましい。
【００３８】また、記録パルス列の最後のパルスの後
に、パワーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却
区間を設ける光ビーム強度変調手段を備えていることが
好ましい。
に、パワーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却
区間を設ける光ビーム強度変調手段を備えていることが
好ましい。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
について図面を用いて説明する。
について図面を用いて説明する。
【００４０】図１は本発明の光学的情報記録媒体の一形
態の構成断面図である。この媒体は、透明基板１上に、
第１情報層２、分離層３、第２情報層４及び保護基板５
をこの順に備えている。第２情報層は、透明基板１に近
い側から順に、光干渉層６、下側保護層７、記録層８、
上側保護層９、反射層（高屈折率材料層）１０をこの順
に備えている。
態の構成断面図である。この媒体は、透明基板１上に、
第１情報層２、分離層３、第２情報層４及び保護基板５
をこの順に備えている。第２情報層は、透明基板１に近
い側から順に、光干渉層６、下側保護層７、記録層８、
上側保護層９、反射層（高屈折率材料層）１０をこの順
に備えている。
【００４１】本発明の光学的情報記録媒体は、図２のよ
うに、光干渉層６として、透明基板１に近い側から順
に、第１光干渉層６１及び第２光干渉層６２の２層の積
層体を用いてもよい。
うに、光干渉層６として、透明基板１に近い側から順
に、第１光干渉層６１及び第２光干渉層６２の２層の積
層体を用いてもよい。
【００４２】また、記録層８の光学定数によっては、図
３のように、光干渉層６を形成しなくてもよい。この場
合は、図４に示すように、単一の情報層を備えた記録媒
体としても用いてもよい。
３のように、光干渉層６を形成しなくてもよい。この場
合は、図４に示すように、単一の情報層を備えた記録媒
体としても用いてもよい。
【００４３】なお、本発明の光学的情報記録媒体には、
図示した層以外の膜が含まれていても構わない。
図示した層以外の膜が含まれていても構わない。
【００４４】これらの媒体は、透明基板１の側からレー
ザー光１１を照射することにより、第１情報層２及び第
２情報層４の両方に対して記録再生を行うことができ
る。
ザー光１１を照射することにより、第１情報層２及び第
２情報層４の両方に対して記録再生を行うことができ
る。
【００４５】透明基板１の材料としては、ポリカーボネ
イト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、アートン樹脂、ガラス等を用いることができ
る。基板１の厚さは特に限定されないが、０．１〜２．
０ｍｍ程度が好適である。また、透明基板１の、膜を形
成する側の表面には、レーザー光１１のトラッキング案
内用のスパイラル状または同心円状の溝が設けられてい
ることが好ましい。
イト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフ
ィン樹脂、アートン樹脂、ガラス等を用いることができ
る。基板１の厚さは特に限定されないが、０．１〜２．
０ｍｍ程度が好適である。また、透明基板１の、膜を形
成する側の表面には、レーザー光１１のトラッキング案
内用のスパイラル状または同心円状の溝が設けられてい
ることが好ましい。
【００４６】光干渉層６としては、反射率増加型（記録
に伴う反射率の差異ΔＲが負）となり、その絶対値を大
きくすることを容易たらしめる目的で、レーザー光１１
の波長λにおいて屈折率が２以上かつ消衰係数が２以下
であるか、または屈折率が１以下かつ消衰係数が３以上
である材料を用いることが好ましい。
に伴う反射率の差異ΔＲが負）となり、その絶対値を大
きくすることを容易たらしめる目的で、レーザー光１１
の波長λにおいて屈折率が２以上かつ消衰係数が２以下
であるか、または屈折率が１以下かつ消衰係数が３以上
である材料を用いることが好ましい。
【００４７】さらに感度を高めるためには、光干渉層６
は、熱伝導率が低いこと（例えば５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
下）、または熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であっ
ても膜厚が２０ｎｍ以下であることが好ましい。例え
ば、波長６００〜８００ｎｍ程度の赤色波長域では、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の単体、あるいはこれら元素の少なく
とも１種を主成分とし、適宜他の元素を添加したＡｇ−
Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ等を、屈折
率ｎが１以下かつ消衰係数ｋが３以上である材料として
用いることができる。また、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体、ある
いはこれら元素の少なくとも１種を主成分とし、適宜他
の元素を添加したＳｉ−Ｗ、Ｓｉ−Ｃｒ，Ｇｅ−Ｓｉ−
Ｃｒ等を、屈折率ｎが２以上かつ消衰係数ｋが２以下で
ある材料として用いることができる。
は、熱伝導率が低いこと（例えば５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以
下）、または熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であっ
ても膜厚が２０ｎｍ以下であることが好ましい。例え
ば、波長６００〜８００ｎｍ程度の赤色波長域では、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ等の単体、あるいはこれら元素の少なく
とも１種を主成分とし、適宜他の元素を添加したＡｇ−
Ｐｄ、Ａｇ−Ｃｕ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉ等を、屈折
率ｎが１以下かつ消衰係数ｋが３以上である材料として
用いることができる。また、Ｓｉ、Ｇｅ等の単体、ある
いはこれら元素の少なくとも１種を主成分とし、適宜他
の元素を添加したＳｉ−Ｗ、Ｓｉ−Ｃｒ，Ｇｅ−Ｓｉ−
Ｃｒ等を、屈折率ｎが２以上かつ消衰係数ｋが２以下で
ある材料として用いることができる。
【００４８】下側保護層７及び上側保護層９としては、
レーザー光１１照射時の保護基板、記録層等の熱的損傷
によるノイズ増加の抑制、レーザー光に対する反射率、
吸収率及び反射光の位相の調整等の目的で、物理的・化
学的に安定であって、記録層の融点よりも融点及び軟化
温度が高く、記録層の材料と相固溶しない材料を用いる
ことが好ましい。
レーザー光１１照射時の保護基板、記録層等の熱的損傷
によるノイズ増加の抑制、レーザー光に対する反射率、
吸収率及び反射光の位相の調整等の目的で、物理的・化
学的に安定であって、記録層の融点よりも融点及び軟化
温度が高く、記録層の材料と相固溶しない材料を用いる
ことが好ましい。
【００４９】このような材料としては、例えば、Ｙ、Ｃ
ｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ等の酸化物、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の窒化物、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ等の炭化
物、Ｚｎ、Ｃｄ等の硫化物、セレン化物またはテルル化
物、Ｍｇ、Ｃａ等のフッ化物、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単
体、あるいはこれらの混合物からなる誘電体または誘電
体に準ずる材料を挙げることができる。下側保護層７と
上側保護層９は、必要に応じて異なる材料を用いてもよ
いし、同一の材料を用いることもできる。
ｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅ等の酸化物、
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、
Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ等の窒化物、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｉ等の炭化
物、Ｚｎ、Ｃｄ等の硫化物、セレン化物またはテルル化
物、Ｍｇ、Ｃａ等のフッ化物、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ等の単
体、あるいはこれらの混合物からなる誘電体または誘電
体に準ずる材料を挙げることができる。下側保護層７と
上側保護層９は、必要に応じて異なる材料を用いてもよ
いし、同一の材料を用いることもできる。
【００５０】記録層８としては、レーザー光を照射する
ことによりその光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）が変
化する材料を用いることが好ましい。このような材料と
しては、ＴｅやＳｅをベースとするカルコゲナイド、例
えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ−Ａ
ｕ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｒ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ
−Ｃｏ等を主成分とする合金系、あるいはこれらに窒
素、酸素等を適宜添加した合金系を挙げることができ
る。なお、反射層（高屈折率材料層）１０としては、反
射率増加型で、すなわちΔＲが負の値をとり、その絶対
値を大きくすることを容易たらしめ、なおかつ冷却速度
を調整する目的で、レーザー光の波長λにおいて、屈折
率ｎが２．５以上、より好ましくは３．０以上である材
料を用いる。例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅの群から選ばれる１つま
たは複数の元素を含む材料を用いることができる。これ
らの材料は、感度を高める目的で、熱伝導率が低い（例
えば５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下）ことがより好ましい。な
お、上記元素の酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、ホ
ウ化物、硫化物、セレン化物、あるいは複数元素の化合
物等を用いる場合は、化学量論組成近傍のものを用いて
もよいし、必要に応じて化学量論組成からずれた組成の
ものを用いてもよく、これらの混合物を用いてもよい。
ことによりその光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）が変
化する材料を用いることが好ましい。このような材料と
しては、ＴｅやＳｅをベースとするカルコゲナイド、例
えばＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｐｄ−Ｇｅ−Ｓｂ
−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ−Ａ
ｕ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｒ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｅ
−Ｃｏ等を主成分とする合金系、あるいはこれらに窒
素、酸素等を適宜添加した合金系を挙げることができ
る。なお、反射層（高屈折率材料層）１０としては、反
射率増加型で、すなわちΔＲが負の値をとり、その絶対
値を大きくすることを容易たらしめ、なおかつ冷却速度
を調整する目的で、レーザー光の波長λにおいて、屈折
率ｎが２．５以上、より好ましくは３．０以上である材
料を用いる。例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｔｅの群から選ばれる１つま
たは複数の元素を含む材料を用いることができる。これ
らの材料は、感度を高める目的で、熱伝導率が低い（例
えば５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下）ことがより好ましい。な
お、上記元素の酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物、ホ
ウ化物、硫化物、セレン化物、あるいは複数元素の化合
物等を用いる場合は、化学量論組成近傍のものを用いて
もよいし、必要に応じて化学量論組成からずれた組成の
ものを用いてもよく、これらの混合物を用いてもよい。
【００５１】図２に示したように、光干渉層６として、
第１光干渉層６１及び第２光干渉層６２を積層して用い
る場合は、下側保護層７及び上側保護層９用として例示
した誘電体または誘電体に準ずる材料を用いることがで
きる。ただし、反射率増加型で、すなわちΔＲが負の値
をとり、その絶対値を大きくすることを容易たらしめる
目的で、レーザー光の波長λにおいて、第２光干渉層の
屈折率が、隣接する層である第１光干渉層及び下側保護
層７の屈折率よりも小さくなるように、各層の材料を組
み合わせることが好ましい。
第１光干渉層６１及び第２光干渉層６２を積層して用い
る場合は、下側保護層７及び上側保護層９用として例示
した誘電体または誘電体に準ずる材料を用いることがで
きる。ただし、反射率増加型で、すなわちΔＲが負の値
をとり、その絶対値を大きくすることを容易たらしめる
目的で、レーザー光の波長λにおいて、第２光干渉層の
屈折率が、隣接する層である第１光干渉層及び下側保護
層７の屈折率よりも小さくなるように、各層の材料を組
み合わせることが好ましい。
【００５２】第１情報層２としては、第２情報層４と同
様、レーザー光１１で記録再生できる情報層であればよ
いが、例えば、記録層８用として例示した記録材料の記
録層と、この記録層の両側に設けられた、保護層用とし
て例示した材料の保護層とを少なくとも含む多層構成と
することができる。ただし、第２情報層４に対して記録
再生を行うためには、レーザー光１１の光量の３０％以
上が第１情報層を透過することが好ましい。
様、レーザー光１１で記録再生できる情報層であればよ
いが、例えば、記録層８用として例示した記録材料の記
録層と、この記録層の両側に設けられた、保護層用とし
て例示した材料の保護層とを少なくとも含む多層構成と
することができる。ただし、第２情報層４に対して記録
再生を行うためには、レーザー光１１の光量の３０％以
上が第１情報層を透過することが好ましい。
【００５３】また、第１情報層２は、記録はできない
が、予め透明基板１の表面上に凹凸パターンとして蓄え
られた情報を再生するための再生専用層であってもよ
い。媒体１枚あたりに蓄えられる情報量が少なくはなる
が、第１情報層及び分離層は必須ではない。
が、予め透明基板１の表面上に凹凸パターンとして蓄え
られた情報を再生するための再生専用層であってもよ
い。媒体１枚あたりに蓄えられる情報量が少なくはなる
が、第１情報層及び分離層は必須ではない。
【００５４】分離層３としては、第１情報層及び第２情
報層のそれぞれに対してレーザー光１１で記録再生を行
うために、レーザー光の波長λにおいて透明で、耐熱性
及び接着性の高い材料であることが好ましく、接着樹脂
（例えば紫外線硬化性樹脂）、両面テープ、誘電体膜等
を用いることができる。また、分離層３の厚さは、第１
情報層２及び第２情報層４のいずれか一方に対して記録
再生を行う際に、他方に記録されている信号情報が漏れ
込むことを避けるために、例えば２μｍ以上であること
が好ましい。また、第１情報層２及び第２情報層４のい
ずれにもレーザー光１１をフォーカシングさせるため
に、基材厚さとの合計を基材厚さ公差の範囲内に収める
ことが好ましく、例えば１００μｍ以下が好適である。
報層のそれぞれに対してレーザー光１１で記録再生を行
うために、レーザー光の波長λにおいて透明で、耐熱性
及び接着性の高い材料であることが好ましく、接着樹脂
（例えば紫外線硬化性樹脂）、両面テープ、誘電体膜等
を用いることができる。また、分離層３の厚さは、第１
情報層２及び第２情報層４のいずれか一方に対して記録
再生を行う際に、他方に記録されている信号情報が漏れ
込むことを避けるために、例えば２μｍ以上であること
が好ましい。また、第１情報層２及び第２情報層４のい
ずれにもレーザー光１１をフォーカシングさせるため
に、基材厚さとの合計を基材厚さ公差の範囲内に収める
ことが好ましく、例えば１００μｍ以下が好適である。
【００５５】保護基板５としては、例えば、透明基板と
同様のものを用いることができるが、透明でない材料を
用いてもよく、透明基板１とは厚さ、溝形状が異なって
いてもよい。例えば、スパイラルの方向は逆でもよい。
また、分離層の第２情報層側の表面に、第２情報層用の
案内溝を２Ｐ法によって形成することも可能である。保
護基板は、接着剤等を用いて第２情報層に貼り合わせて
もよいし、スピンコート法によりオーバーコート樹脂層
として形成してもよい。
同様のものを用いることができるが、透明でない材料を
用いてもよく、透明基板１とは厚さ、溝形状が異なって
いてもよい。例えば、スパイラルの方向は逆でもよい。
また、分離層の第２情報層側の表面に、第２情報層用の
案内溝を２Ｐ法によって形成することも可能である。保
護基板は、接着剤等を用いて第２情報層に貼り合わせて
もよいし、スピンコート法によりオーバーコート樹脂層
として形成してもよい。
【００５６】また、下側保護層７と記録層８の間及び記
録層８と上側保護層９との間のいずれか一方または両方
の界面に、繰り返し記録時の層界面における原子の相互
拡散を抑制するために、界面層を設けてもよい。また、
第１情報層の記録層に隣接して、同様の界面層を設けて
もよい。
録層８と上側保護層９との間のいずれか一方または両方
の界面に、繰り返し記録時の層界面における原子の相互
拡散を抑制するために、界面層を設けてもよい。また、
第１情報層の記録層に隣接して、同様の界面層を設けて
もよい。
【００５７】界面層は、保護層用として例示した材料か
ら、上記役割を果たす誘電体材料を適宜選択して形成す
ればよいが、特にＧｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の窒化物、
酸化物、炭化物、あるいはこれらの混合物を主成分とす
る材料が最も適している。
ら、上記役割を果たす誘電体材料を適宜選択して形成す
ればよいが、特にＧｅ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の窒化物、
酸化物、炭化物、あるいはこれらの混合物を主成分とす
る材料が最も適している。
【００５８】以下、光学的情報記録媒体の製造方法の一
形態について説明する。この製造方法は、成膜工程、密
着工程、初期化工程を含み、この順に各工程が実施され
る。
形態について説明する。この製造方法は、成膜工程、密
着工程、初期化工程を含み、この順に各工程が実施され
る。
【００５９】成膜工程では、案内溝が予め形成された透
明基板１の表面に第１情報層２を、案内溝が予め形成さ
れた保護基板５の表面に第２情報層４をそれぞれ形成す
る。これらの情報層は、例えば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitax
y）法等通常の気相薄膜堆積法によって形成すればよ
い。成膜レート、製造コスト、得られる膜の品質等の観
点からは、スパッタリング法が最もバランスがよい。成
膜は、一般には、高真空状態のチャンバー内に不活性ガ
スを流しながら行われるが、酸素、窒素等その他の気体
を混入させながら成膜する場合もある。これにより、膜
中にＯ原子、Ｎ原子等を混入させて、膜の特性や各原子
の結合状態を調整できる。これらの原子の混入は、繰り
返し特性や耐湿性の向上に有効な場合がある。
明基板１の表面に第１情報層２を、案内溝が予め形成さ
れた保護基板５の表面に第２情報層４をそれぞれ形成す
る。これらの情報層は、例えば真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical V
apor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitax
y）法等通常の気相薄膜堆積法によって形成すればよ
い。成膜レート、製造コスト、得られる膜の品質等の観
点からは、スパッタリング法が最もバランスがよい。成
膜は、一般には、高真空状態のチャンバー内に不活性ガ
スを流しながら行われるが、酸素、窒素等その他の気体
を混入させながら成膜する場合もある。これにより、膜
中にＯ原子、Ｎ原子等を混入させて、膜の特性や各原子
の結合状態を調整できる。これらの原子の混入は、繰り
返し特性や耐湿性の向上に有効な場合がある。
【００６０】密着工程では、透明基板１と保護基板５と
が、膜面同士が向かい合うように（第１情報層と第２情
報層とが内側となるように）、分離層３を介して貼り合
わされる。密着工程は、例えば、いずれか一方の膜面上
に紫外線硬化性樹脂をスピンコート等の方法により塗布
して両基板を加圧・密着させ、紫外光を照射して紫外線
硬化性樹脂を硬化させて行われる。
が、膜面同士が向かい合うように（第１情報層と第２情
報層とが内側となるように）、分離層３を介して貼り合
わされる。密着工程は、例えば、いずれか一方の膜面上
に紫外線硬化性樹脂をスピンコート等の方法により塗布
して両基板を加圧・密着させ、紫外光を照射して紫外線
硬化性樹脂を硬化させて行われる。
【００６１】初期化工程では、第１情報層２及び第２情
報層４に対して、それぞれ透明基板１側及び保護基板５
側から、レーザー光等のエネルギー光を照射することに
より、全面を初期化（通常は結晶化）させる。
報層４に対して、それぞれ透明基板１側及び保護基板５
側から、レーザー光等のエネルギー光を照射することに
より、全面を初期化（通常は結晶化）させる。
【００６２】ここで、上記媒体の光学的特性について説
明する。多層膜について各層の材料の屈折率、消衰係数
及び膜厚を定め、全ての界面についてエネルギー保存則
に基づき各界面における光エネルギー収支の連立方程式
を立てこれを解くと、多層膜全体としての入射する光ビ
ームに対する反射率、透過率及び各層の吸収率を求める
ことができる。この手法は例えばマトリックス法として
公知である（久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７
１年等）。
明する。多層膜について各層の材料の屈折率、消衰係数
及び膜厚を定め、全ての界面についてエネルギー保存則
に基づき各界面における光エネルギー収支の連立方程式
を立てこれを解くと、多層膜全体としての入射する光ビ
ームに対する反射率、透過率及び各層の吸収率を求める
ことができる。この手法は例えばマトリックス法として
公知である（久保田広著「波動光学」岩波書店、１９７
１年等）。
【００６３】ここでは、その一例として、第２情報層の
ように、レーザー光（ここでは波長６６０ｎｍとした）
入射側から順に、基板または樹脂層／光干渉層／下側保
護層／記録層／上側保護層／反射層／基板または樹脂
層、という多層構造媒体について、Ｒｃ、Ｒａ、Ａｃ、
Ａａ等の値を計算した。各層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋ
を、基板または樹脂層がｎ＝１．６、ｋ＝０．０、光干
渉層がｎ＝４．０、ｋ＝０．２（膜厚３０ｎｍ）、下側
保護層がｎ＝２．１、ｋ＝０．０、記録層が非晶質状態
でｎ＝４．１、ｋ＝１．６、結晶状態でｎ＝３．９、ｋ
＝４．２（膜厚１０ｎｍ）、上側保護層がｎ＝２．１、
ｋ＝０．０とし、様々な高屈折率材料からなる反射層の
ｎ及びｋの組み合わせについて、下側保護層、上側保護
層及び反射層の膜厚を変化させながら、Ｒｃ≧１５％の
範囲でΔＲが負の値をとる場合の、その絶対値の最大値
｜ΔＲ｜maxを求めた結果を（表１）に示す。
ように、レーザー光（ここでは波長６６０ｎｍとした）
入射側から順に、基板または樹脂層／光干渉層／下側保
護層／記録層／上側保護層／反射層／基板または樹脂
層、という多層構造媒体について、Ｒｃ、Ｒａ、Ａｃ、
Ａａ等の値を計算した。各層の屈折率ｎ及び消衰係数ｋ
を、基板または樹脂層がｎ＝１．６、ｋ＝０．０、光干
渉層がｎ＝４．０、ｋ＝０．２（膜厚３０ｎｍ）、下側
保護層がｎ＝２．１、ｋ＝０．０、記録層が非晶質状態
でｎ＝４．１、ｋ＝１．６、結晶状態でｎ＝３．９、ｋ
＝４．２（膜厚１０ｎｍ）、上側保護層がｎ＝２．１、
ｋ＝０．０とし、様々な高屈折率材料からなる反射層の
ｎ及びｋの組み合わせについて、下側保護層、上側保護
層及び反射層の膜厚を変化させながら、Ｒｃ≧１５％の
範囲でΔＲが負の値をとる場合の、その絶対値の最大値
｜ΔＲ｜maxを求めた結果を（表１）に示す。
【００６４】
【表１】
【００６５】（表１）より、大きな｜ΔＲ｜maxの得ら
れる反射層の光学定数（ｎ、ｋ）の範囲は、およそ、ｎ
が２．５未満かつｋが３．０以上の領域と、ｎが２．５
以上の領域とにある。また、いずれのｎ、ｋにおいても
Ａｃ／Ａａの値は１．５よりも大きかった。
れる反射層の光学定数（ｎ、ｋ）の範囲は、およそ、ｎ
が２．５未満かつｋが３．０以上の領域と、ｎが２．５
以上の領域とにある。また、いずれのｎ、ｋにおいても
Ａｃ／Ａａの値は１．５よりも大きかった。
【００６６】従来、反射率増加型の記録媒体の反射層と
して用いられてきたＡｌ、Ａｕあるいはこれらの合金な
どの材料は、いずれもｎが２．５未満かつｋが３．０以
上であり、大きな｜ΔＲ｜maxが得られる領域にある
（表１）。しかし、これらの材料は、いずれも熱伝導率
が大きく、感度向上には適していない。また、記録時に
おける記録層の熱分布が膜厚方向に急峻であって面内方
向に緩やかになってしまうから、クロス消去も大きくな
る。
して用いられてきたＡｌ、Ａｕあるいはこれらの合金な
どの材料は、いずれもｎが２．５未満かつｋが３．０以
上であり、大きな｜ΔＲ｜maxが得られる領域にある
（表１）。しかし、これらの材料は、いずれも熱伝導率
が大きく、感度向上には適していない。また、記録時に
おける記録層の熱分布が膜厚方向に急峻であって面内方
向に緩やかになってしまうから、クロス消去も大きくな
る。
【００６７】これに対し、ｎが２．５以上の領域では、
Ｓｉ、Ｇｅをはじめ、各種誘電体材料、半金属・半導体
材料、金属材料であっても低熱伝導率な材料等、熱伝導
率が低い材料が存在する。これらの材料を用いた反射層
が、Ａｌ、Ａｕあるいはこれらの合金などを用いた反射
層と比べて光学的に劣らない、すなわち反射率増加型で
十分な反射率変化が得られることは（表１）より確認で
きる。また、熱伝導率が低いことから高い感度が得られ
ることも期待できる。また、記録時における記録層の熱
分布が面内方向に急峻かつ膜厚方向に緩やかになるの
で、クロス消去を小さくする効果もあると考えられる。
Ｓｉ、Ｇｅをはじめ、各種誘電体材料、半金属・半導体
材料、金属材料であっても低熱伝導率な材料等、熱伝導
率が低い材料が存在する。これらの材料を用いた反射層
が、Ａｌ、Ａｕあるいはこれらの合金などを用いた反射
層と比べて光学的に劣らない、すなわち反射率増加型で
十分な反射率変化が得られることは（表１）より確認で
きる。また、熱伝導率が低いことから高い感度が得られ
ることも期待できる。また、記録時における記録層の熱
分布が面内方向に急峻かつ膜厚方向に緩やかになるの
で、クロス消去を小さくする効果もあると考えられる。
【００６８】また、反射層として熱伝導率が低い材料を
用い、さらに光干渉層としても同様に熱伝導率が低い材
料を用いるか、光干渉層を省略すると、記録時における
記録層の冷却速度が遅くなって記録層が非晶質化しにく
くなるという問題が生じるおそれがある。しかし、この
問題は、記録層の材料を、結晶化速度の速い化学両論組
成近傍から適度に離れた組成とするか、あるいは構成元
素以外の不純物となる元素を適度に含んだ組成として非
晶質化することにより容易に解決できる。
用い、さらに光干渉層としても同様に熱伝導率が低い材
料を用いるか、光干渉層を省略すると、記録時における
記録層の冷却速度が遅くなって記録層が非晶質化しにく
くなるという問題が生じるおそれがある。しかし、この
問題は、記録層の材料を、結晶化速度の速い化学両論組
成近傍から適度に離れた組成とするか、あるいは構成元
素以外の不純物となる元素を適度に含んだ組成として非
晶質化することにより容易に解決できる。
【００６９】また、上記の問題は、冷却能が高い追加の
反射層を、記録層から見て遠い側に形成することによっ
ても解決することができる。冷却能が高い反射層は、通
常、記録層の昇温を妨げて感度低下の原因となるが、上
記形態のように熱伝導率が低い反射層と併用すれば、感
度低下は問題とならない。
反射層を、記録層から見て遠い側に形成することによっ
ても解決することができる。冷却能が高い反射層は、通
常、記録層の昇温を妨げて感度低下の原因となるが、上
記形態のように熱伝導率が低い反射層と併用すれば、感
度低下は問題とならない。
【００７０】また、上記光干渉層に代えて、レーザー光
入射側から順に、第１光干渉層及び第２光干渉層をこの
順に設けた多層構造の媒体（図２）についても、第１光
干渉層をｎ＝２．１、ｋ＝０．０、膜厚７０ｎｍ、第２
光干渉層をｎ＝１．５、ｋ＝０．０、膜厚１００ｎｍと
して、上記と同様の計算を行った。その結果、（表２）
に示すように（表１）とほとんど同じ結果が得られた。
入射側から順に、第１光干渉層及び第２光干渉層をこの
順に設けた多層構造の媒体（図２）についても、第１光
干渉層をｎ＝２．１、ｋ＝０．０、膜厚７０ｎｍ、第２
光干渉層をｎ＝１．５、ｋ＝０．０、膜厚１００ｎｍと
して、上記と同様の計算を行った。その結果、（表２）
に示すように（表１）とほとんど同じ結果が得られた。
【００７１】
【表２】
【００７２】さらに、光干渉層を除いた膜構成（図３）
において上記と同様の計算を行った結果を（表３）に示
す。また、光干渉層を除き、かつ記録層の結晶状態の屈
折率を小さくして（ｎ＝２．０）、同様の計算を行った
結果を（表４）に示す。
において上記と同様の計算を行った結果を（表３）に示
す。また、光干渉層を除き、かつ記録層の結晶状態の屈
折率を小さくして（ｎ＝２．０）、同様の計算を行った
結果を（表４）に示す。
【００７３】
【表３】
【００７４】
【表４】
【００７５】（表３）では、単に光干渉層を省略してい
るため、全体にΔＲの値が小さくなっている。これに対
し、（表４）では、光干渉層を省略しているにもかかわ
らず、記録層の屈折率を調整しているため、光干渉層を
形成した（表１）と同様の結果が得られている。これ
は、記録層の結晶状態における屈折率ｎｃを小さくし
て、非晶質状態の屈折率ｎａに対する比（ｎｃ／ｎａ）
を、０．９５（３．９／４．１）から０．４９（２．０
／４．１）へと低下させたからである。上記と同様の計
算により、上記屈折率の比率（ｎｃ／ｎａ）を０．８以
下とすると、光干渉層がなくても、反射率増加型の構成
の媒体においてΔＲを実用上好ましい程度に大きくでき
ることが確認できた。
るため、全体にΔＲの値が小さくなっている。これに対
し、（表４）では、光干渉層を省略しているにもかかわ
らず、記録層の屈折率を調整しているため、光干渉層を
形成した（表１）と同様の結果が得られている。これ
は、記録層の結晶状態における屈折率ｎｃを小さくし
て、非晶質状態の屈折率ｎａに対する比（ｎｃ／ｎａ）
を、０．９５（３．９／４．１）から０．４９（２．０
／４．１）へと低下させたからである。上記と同様の計
算により、上記屈折率の比率（ｎｃ／ｎａ）を０．８以
下とすると、光干渉層がなくても、反射率増加型の構成
の媒体においてΔＲを実用上好ましい程度に大きくでき
ることが確認できた。
【００７６】なお、材料によっては、波長λにより、上
記屈折率の比率（ｎｃ／ｎａ）が大きく変化する場合が
ある。具体的には、波長が短いほど上記比率（ｎｃ／ｎ
ａ）は小さくなることが多い。そこで、特に光干渉層を
用いない場合には、レーザー光の波長λは５００ｎｍ以
下とすることが好ましい。
記屈折率の比率（ｎｃ／ｎａ）が大きく変化する場合が
ある。具体的には、波長が短いほど上記比率（ｎｃ／ｎ
ａ）は小さくなることが多い。そこで、特に光干渉層を
用いない場合には、レーザー光の波長λは５００ｎｍ以
下とすることが好ましい。
【００７７】図５は、本発明による光学的情報記録媒体
の記録・再生を行うための装置の概略図である。この装
置では、レーザーダイオード１２を出たレーザー光１１
は、ハーフミラー１３及び対物レンズ１４を経て、モー
ター１５によって回転している光ディスク１６上にフォ
ーカシングされ、情報信号の記録・再生が行われる。
の記録・再生を行うための装置の概略図である。この装
置では、レーザーダイオード１２を出たレーザー光１１
は、ハーフミラー１３及び対物レンズ１４を経て、モー
ター１５によって回転している光ディスク１６上にフォ
ーカシングされ、情報信号の記録・再生が行われる。
【００７８】情報信号の記録を行う際には、図６に示す
パルス波形を用いてレーザーを変調する。すなわち、レ
ーザー光１１の強度を、少なくとも、光を照射した場合
においても照射部を瞬時溶融させるに十分なパワーレベ
ルＰ１、光を照射しても照射部を瞬時溶融させることが
不可能なパワーレベルＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ２
≧Ｐ３≧０）の間で変調する。なお、レーザー強度の変
調は、半導体レーザーの駆動電流を変調して行うことが
好ましいが、電気光学変調器、音響光学変調器等の手段
を用いても行ってもよい。
パルス波形を用いてレーザーを変調する。すなわち、レ
ーザー光１１の強度を、少なくとも、光を照射した場合
においても照射部を瞬時溶融させるに十分なパワーレベ
ルＰ１、光を照射しても照射部を瞬時溶融させることが
不可能なパワーレベルＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞Ｐ２
≧Ｐ３≧０）の間で変調する。なお、レーザー強度の変
調は、半導体レーザーの駆動電流を変調して行うことが
好ましいが、電気光学変調器、音響光学変調器等の手段
を用いても行ってもよい。
【００７９】なお、上記で瞬時溶融とは、詳しくは、レ
ーザー光の走査速度に依存する当該レーザー光の照射時
間内において溶融するという意味である。
ーザー光の走査速度に依存する当該レーザー光の照射時
間内において溶融するという意味である。
【００８０】マークを形成する部分に対しては、パワー
レベルＰ１の単一矩形パルスでもよいが、特に長いマー
クを形成する場合は、過剰な熱を省き、マーク幅を均一
に、かつクロス消去を低減する目的で、パワーレベルＰ
１、Ｐ２及びＰ３との間で変調された複数のパルスの列
からなる記録パルス列を用いることが好ましい。マーク
を形成しない、あるいはマークを消去する部分に対して
は、パワーレベルＰ２で一定に保つとよい。
レベルＰ１の単一矩形パルスでもよいが、特に長いマー
クを形成する場合は、過剰な熱を省き、マーク幅を均一
に、かつクロス消去を低減する目的で、パワーレベルＰ
１、Ｐ２及びＰ３との間で変調された複数のパルスの列
からなる記録パルス列を用いることが好ましい。マーク
を形成しない、あるいはマークを消去する部分に対して
は、パワーレベルＰ２で一定に保つとよい。
【００８１】さらに、上記複数のパルス列の直後にパワ
ーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却区間を設
けると、特に熱過剰になり易いマーク後端部分の熱を除
去できる。この冷却区間を設けると、クロス消去を低減
する効果を高めることができる。逆に、非晶質化しにく
くマーク幅が細くなり易いマーク前端部分においては、
マーク幅を後端と揃えるために、複数のパルス列のう
ち、先頭のパルスだけその幅を広くしたり（図６）、そ
のパワーレベルをＰ１よりも高くしてもよい。
ーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却区間を設
けると、特に熱過剰になり易いマーク後端部分の熱を除
去できる。この冷却区間を設けると、クロス消去を低減
する効果を高めることができる。逆に、非晶質化しにく
くマーク幅が細くなり易いマーク前端部分においては、
マーク幅を後端と揃えるために、複数のパルス列のう
ち、先頭のパルスだけその幅を広くしたり（図６）、そ
のパワーレベルをＰ１よりも高くしてもよい。
【００８２】一方、複数のパルス列の各パルス及びパル
ス間の長さを一定にすると、単一周波数で変調できるた
め変調手段が簡略化できる。
ス間の長さを一定にすると、単一周波数で変調できるた
め変調手段が簡略化できる。
【００８３】ここで、マークの長さやその前後のスペー
スの長さ、さらには隣のマークの長さ等の各パターンに
よってマークエッジ位置に不揃いが生じ、ジッタ増大の
原因となることがある。上記記録再生方法は、これを防
止し、ジッタを改善するために、上記パルス列の各パル
スの位置または長さをパターン毎にエッジ位置が揃うよ
うに必要に応じて調整・補償して行うことが好ましい。
スの長さ、さらには隣のマークの長さ等の各パターンに
よってマークエッジ位置に不揃いが生じ、ジッタ増大の
原因となることがある。上記記録再生方法は、これを防
止し、ジッタを改善するために、上記パルス列の各パル
スの位置または長さをパターン毎にエッジ位置が揃うよ
うに必要に応じて調整・補償して行うことが好ましい。
【００８４】こうして記録された情報信号を再生する場
合には、第１情報層２及び第２情報層４に記録されてい
る情報が消去されない程度のパワーのレーザー光１１を
光ディスク１６に照射し、その反射光をフォトディテク
ター１７に入射させ、その反射光量変化を再生信号とし
て検出すればよい。
合には、第１情報層２及び第２情報層４に記録されてい
る情報が消去されない程度のパワーのレーザー光１１を
光ディスク１６に照射し、その反射光をフォトディテク
ター１７に入射させ、その反射光量変化を再生信号とし
て検出すればよい。
【００８５】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説
明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものでは
ない。
明するが、本発明は以下の実施例に制限されるものでは
ない。
【００８６】透明基板として、ポリカーボネイト樹脂か
らなり、直径１２ｃｍ、厚さ０．５８ｍｍ、グルーブ及
びランド幅はともに０．６μｍ、グルーブ深さは約７０
ｎｍのものを用いた。この透明基板のグルーブが形成さ
れた表面上に、第１情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）ターゲット
を用いて膜厚約１００ｎｍの下側保護層、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ（原子数比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２９：２１：５０）
ターゲットを用いて膜厚約７ｎｍの記録層、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）ターゲ
ットを用いて膜厚約１１０ｎｍの上側保護層の各層をス
パッタリング法により順次積層した。
らなり、直径１２ｃｍ、厚さ０．５８ｍｍ、グルーブ及
びランド幅はともに０．６μｍ、グルーブ深さは約７０
ｎｍのものを用いた。この透明基板のグルーブが形成さ
れた表面上に、第１情報層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ
2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）ターゲット
を用いて膜厚約１００ｎｍの下側保護層、Ｇｅ−Ｓｂ−
Ｔｅ（原子数比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２９：２１：５０）
ターゲットを用いて膜厚約７ｎｍの記録層、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）ターゲ
ットを用いて膜厚約１１０ｎｍの上側保護層の各層をス
パッタリング法により順次積層した。
【００８７】また、同じ基板を保護基板として用い、そ
のグルーブが形成された表面上に、第２情報層として、
Ｓｉターゲットを用いて膜厚約４０ｎｍの反射層、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）
ターゲットを用いて膜厚約８０ｎｍの上側保護層、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ（原子数比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２９：２
１：５０）ターゲットを用いて膜厚約１０ｎｍの記録
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８
０：２０）ターゲットを用いて膜厚約７０ｎｍの下側保
護層、Ｓｉターゲットを用いて膜厚約３０ｎｍの光干渉
層の各層をスパッタリング法により順次積層した。ここ
で、第２情報層は、レーザー光入射側から見て逆順、す
なわち奥にある層から順に積層している。いずれも直径
１０ｃｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、記録層
以外はＡｒガス、記録層はＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガ
ス分圧は約５％）をスパッタガスとして成膜した。
のグルーブが形成された表面上に、第２情報層として、
Ｓｉターゲットを用いて膜厚約４０ｎｍの反射層、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）
ターゲットを用いて膜厚約８０ｎｍの上側保護層、Ｇｅ
−Ｓｂ−Ｔｅ（原子数比Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２９：２
１：５０）ターゲットを用いて膜厚約１０ｎｍの記録
層、ＺｎＳ−ＳｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８
０：２０）ターゲットを用いて膜厚約７０ｎｍの下側保
護層、Ｓｉターゲットを用いて膜厚約３０ｎｍの光干渉
層の各層をスパッタリング法により順次積層した。ここ
で、第２情報層は、レーザー光入射側から見て逆順、す
なわち奥にある層から順に積層している。いずれも直径
１０ｃｍ、厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用い、記録層
以外はＡｒガス、記録層はＡｒとＮ2の混合ガス（Ｎ2ガ
ス分圧は約５％）をスパッタガスとして成膜した。
【００８８】次に、第２情報層の膜面上に紫外線硬化性
樹脂を塗布し、第１情報層と膜面同士を向かい合わせて
両者を加圧・密着させ、紫外線光を照射して紫外線硬化
性樹脂を硬化させ、２つの情報層を有する１枚のディス
クとした（ディスクＡ）。その後、第１情報層及び２情
報層に対して、それぞれ透明基板及び保護基板の側から
レーザー光でアニールすることにより、全面を初期化、
すなわち結晶化させた。
樹脂を塗布し、第１情報層と膜面同士を向かい合わせて
両者を加圧・密着させ、紫外線光を照射して紫外線硬化
性樹脂を硬化させ、２つの情報層を有する１枚のディス
クとした（ディスクＡ）。その後、第１情報層及び２情
報層に対して、それぞれ透明基板及び保護基板の側から
レーザー光でアニールすることにより、全面を初期化、
すなわち結晶化させた。
【００８９】また、本発明のもう一つの実施例として、
Ｓｉからなる光干渉層の代わりに、ＳｉＯ2ターゲット
を用いて膜厚約１００ｎｍの第２光干渉層、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）ターゲ
ットを用いて膜厚約７０ｎｍの第１光干渉層を、保護基
板に近い側から順に積層したこと以外は、ディスクＡと
全く同じディスクＢを作製した。
Ｓｉからなる光干渉層の代わりに、ＳｉＯ2ターゲット
を用いて膜厚約１００ｎｍの第２光干渉層、ＺｎＳ−Ｓ
ｉＯ2（分子数比ＺｎＳ：ＳｉＯ2＝８０：２０）ターゲ
ットを用いて膜厚約７０ｎｍの第１光干渉層を、保護基
板に近い側から順に積層したこと以外は、ディスクＡと
全く同じディスクＢを作製した。
【００９０】さらに、比較例として、反射層Ｓｉの代わ
りにＡｌ−Ｃｒターゲット（原子数比Ａｌ：Ｃｒ＝９
８：２）を用いて膜厚約２０ｎｍの反射層を設けたこと
以外は、ディスクＡと全く同様に作製したディスクＣも
準備した。
りにＡｌ−Ｃｒターゲット（原子数比Ａｌ：Ｃｒ＝９
８：２）を用いて膜厚約２０ｎｍの反射層を設けたこと
以外は、ディスクＡと全く同様に作製したディスクＣも
準備した。
【００９１】ここで、実測により求めた波長６６０ｎｍ
における光学定数（（表１）の計算にはこの値を用い
た）は、基板及び樹脂がいずれもｎ＝１．６、ｋ＝０．
０、Ｓｉがｎ＝４．０、ｋ＝０．２、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
がｎ＝２．１、ｋ＝０．０、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが非晶質
状態でｎ＝４．１、ｋ＝１．６、結晶状態でｎ＝３．
９、ｋ＝４．２、ＳｉＯ2がｎ＝１．５、ｋ＝０．０、
Ａｌ−Ｃｒがｎ＝２．０、ｋ＝６．０であった。
における光学定数（（表１）の計算にはこの値を用い
た）は、基板及び樹脂がいずれもｎ＝１．６、ｋ＝０．
０、Ｓｉがｎ＝４．０、ｋ＝０．２、ＺｎＳ−ＳｉＯ2
がｎ＝２．１、ｋ＝０．０、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが非晶質
状態でｎ＝４．１、ｋ＝１．６、結晶状態でｎ＝３．
９、ｋ＝４．２、ＳｉＯ2がｎ＝１．５、ｋ＝０．０、
Ａｌ−Ｃｒがｎ＝２．０、ｋ＝６．０であった。
【００９２】これらのディスクを波長６６０ｎｍ、ＮＡ
０．６の光学系を用い、線速８．２ｍ／ｓ（半径位置約
４０ｍｍ、回転数約２０００ｒｐｍ）の条件でマークエ
ッジ記録を行い、以下の測定をした。まず、グルーブ及
びランドに９．７ＭＨｚの３Ｔ信号と２．６ＭＨｚの１
１Ｔ信号を交互に１１回記録し、３Ｔ信号が記録された
状態でこのトラックを再生してそのＣ／Ｎ比及び消去率
をスペクトラムアナライザーで測定した。ここで消去率
とは、３Ｔ信号の振幅と１１Ｔ残留信号の振幅の比とし
た。次にクロス消去を測定した。まず、グルーブに９．
７ＭＨｚの３Ｔ信号を記録し、このトラックを再生して
３Ｔ信号振幅Ａ０をスペクトラムアナライザーで測定す
る。次に、そのグルーブの両隣のランドに２．６ＭＨｚ
の１１Ｔ信号を多数回（ここでは１万回）繰り返し記録
し、再びグルーブを再生して３Ｔ信号振幅Ａ１をスペク
トラムアナライザーで測定する。こうして測定した３Ｔ
信号振幅の減衰比ΔＡ＝Ａ１−Ａ０をクロス消去評価の
指標とする。これと同じことをランドとグルーブを逆に
して行い、同様に３Ｔ信号振幅減衰比ΔＡを測定する。
０．６の光学系を用い、線速８．２ｍ／ｓ（半径位置約
４０ｍｍ、回転数約２０００ｒｐｍ）の条件でマークエ
ッジ記録を行い、以下の測定をした。まず、グルーブ及
びランドに９．７ＭＨｚの３Ｔ信号と２．６ＭＨｚの１
１Ｔ信号を交互に１１回記録し、３Ｔ信号が記録された
状態でこのトラックを再生してそのＣ／Ｎ比及び消去率
をスペクトラムアナライザーで測定した。ここで消去率
とは、３Ｔ信号の振幅と１１Ｔ残留信号の振幅の比とし
た。次にクロス消去を測定した。まず、グルーブに９．
７ＭＨｚの３Ｔ信号を記録し、このトラックを再生して
３Ｔ信号振幅Ａ０をスペクトラムアナライザーで測定す
る。次に、そのグルーブの両隣のランドに２．６ＭＨｚ
の１１Ｔ信号を多数回（ここでは１万回）繰り返し記録
し、再びグルーブを再生して３Ｔ信号振幅Ａ１をスペク
トラムアナライザーで測定する。こうして測定した３Ｔ
信号振幅の減衰比ΔＡ＝Ａ１−Ａ０をクロス消去評価の
指標とする。これと同じことをランドとグルーブを逆に
して行い、同様に３Ｔ信号振幅減衰比ΔＡを測定する。
【００９３】なお、信号を記録する際のレーザー変調波
形は、３Ｔ信号の場合はパルス幅５１．３ｎｓ（パワー
レベルＰ１）の単一矩形パルスとし、１１Ｔ信号の場合
は９個のパルスからなるパルス列（パワーレベルＰ１）
とし、その先頭は５１．３ｎｓ、２番目以降はすべて１
７．１ｎｓのパルス幅で、各パルス間（パワーレベルＰ
３）の幅も１７．１ｎｓとした。マークを記録しない部
分ではパワーレベルＰ２の連続光とした。パワーレベル
の決め方としては、記録パワーレベルＰ１は３Ｔ信号を
記録した場合にそのＣ／Ｎ比が４５ｄＢを超えるパワー
の下限値の１．５倍、パワーレベルＰ２及びＰ３は消去
率が１５ｄＢを超えるパワー範囲の中央値、再生パワー
レベルは第１情報層を再生する場合は２．０ｍＷ、第２
情報層を再生する場合は２．５ｍＷとした。
形は、３Ｔ信号の場合はパルス幅５１．３ｎｓ（パワー
レベルＰ１）の単一矩形パルスとし、１１Ｔ信号の場合
は９個のパルスからなるパルス列（パワーレベルＰ１）
とし、その先頭は５１．３ｎｓ、２番目以降はすべて１
７．１ｎｓのパルス幅で、各パルス間（パワーレベルＰ
３）の幅も１７．１ｎｓとした。マークを記録しない部
分ではパワーレベルＰ２の連続光とした。パワーレベル
の決め方としては、記録パワーレベルＰ１は３Ｔ信号を
記録した場合にそのＣ／Ｎ比が４５ｄＢを超えるパワー
の下限値の１．５倍、パワーレベルＰ２及びＰ３は消去
率が１５ｄＢを超えるパワー範囲の中央値、再生パワー
レベルは第１情報層を再生する場合は２．０ｍＷ、第２
情報層を再生する場合は２．５ｍＷとした。
【００９４】上記測定を行った結果を表５に示す。
【００９５】
【表５】
【００９６】いずれのディスクのいずれの情報層におい
ても５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比及び２０ｄＢ以上の消去率
が得られており、実用的な記録媒体として用いるのに十
分な、良好な信号品質であるといえる。ところが、比較
例のディスクＣの第２情報層では、記録パワーレベルは
約１３ｍＷであり、現在量産され、入手可能な赤色半導
体レーザーとしては限界に近い出力であり、実用的な記
録媒体としては好ましいとはいえない。また、ディスク
Ｃの第２情報層においては、隣接トラックに繰り返し記
録したときの振幅減衰比ΔＡは３〜４ｄＢであり、グル
ーブ及びランドの幅等、ディスクの仕様にもよるが、高
密度な記録媒体としては不十分である。これに対し、本
実施例のディスクＡ及びディスクＢの第１情報層及び第
２情報層においては、記録パワーレベルＰ１は１１ｍＷ
程度またはそれ以下であり、隣接トラックに繰り返し記
録したときの振幅減衰比ΔＡは１ｄＢ程度またはそれ以
下であり、全ての観点から高密度記録に適した高感度な
記録媒体であるといえる。
ても５０ｄＢ以上のＣ／Ｎ比及び２０ｄＢ以上の消去率
が得られており、実用的な記録媒体として用いるのに十
分な、良好な信号品質であるといえる。ところが、比較
例のディスクＣの第２情報層では、記録パワーレベルは
約１３ｍＷであり、現在量産され、入手可能な赤色半導
体レーザーとしては限界に近い出力であり、実用的な記
録媒体としては好ましいとはいえない。また、ディスク
Ｃの第２情報層においては、隣接トラックに繰り返し記
録したときの振幅減衰比ΔＡは３〜４ｄＢであり、グル
ーブ及びランドの幅等、ディスクの仕様にもよるが、高
密度な記録媒体としては不十分である。これに対し、本
実施例のディスクＡ及びディスクＢの第１情報層及び第
２情報層においては、記録パワーレベルＰ１は１１ｍＷ
程度またはそれ以下であり、隣接トラックに繰り返し記
録したときの振幅減衰比ΔＡは１ｄＢ程度またはそれ以
下であり、全ての観点から高密度記録に適した高感度な
記録媒体であるといえる。
【００９７】
【発明の効果】以上説明したとおり、本発明によれば、
高密度・高線速度なオーバーライトにおけるＣ／Ｎ比、
消去率及び感度がいずれも高く、クロス消去の小さい大
容量な光学的情報記録媒体を提供することができる。
高密度・高線速度なオーバーライトにおけるＣ／Ｎ比、
消去率及び感度がいずれも高く、クロス消去の小さい大
容量な光学的情報記録媒体を提供することができる。
【図１】 本発明の光学的情報記録媒体の一形態の構成
断面図である。
断面図である。
【図２】 本発明の光学的情報記録媒体の別の一形態の
構成断面図である。
構成断面図である。
【図３】 本発明の光学的情報記録媒体のまた別の一形
態の構成断面図である。
態の構成断面図である。
【図４】 本発明の光学的情報記録媒体のまた別の一形
態の構成断面図である。
態の構成断面図である。
【図５】 本発明の光学的情報記録媒体の記録再生装置
の構成の概略を示す図である。
の構成の概略を示す図である。
【図６】 本発明の光学的情報記録媒体の記録再生に用
いるパルス波形の例を示す図である。
いるパルス波形の例を示す図である。
１ 透明基板 ２ 第１情報層 ３ 分離層 ４ 第２情報層 ５ 保護基板 ６ 光干渉層 ７ 下側保護層 ８ 記録層 ９ 上側保護層 １０ 反射層 １１ レーザー光 １２ レーザーダイオード １３ ハーフミラー １４ 対物レンズ １５ モーター １６ 光ディスク １７ フォトディテクター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５３８Ｃ ５４１ ５４１Ｂ 7/0045 7/0045 Ａ 7/26 7/26 7/30 7/30 Ｚ Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB13 JC06 LC05 LC06 LC17 MA13 MA16 MA17 5D090 AA01 BB05 BB12 BB17 CC11 DD01 EE02 KK03 5D121 AA07 FF11 GG26
Claims (26)
- 【請求項１】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、光干渉層、下側保護層、光ビームの照射によ
り光学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化す
る記録層、上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長
λにおける屈折率が２．５以上である反射層を積層した
ものであり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入
射する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射
率よりも記録後の反射率が高いことを特徴とする光学的
情報記録媒体。 - 【請求項２】 光干渉層の波長λにおける屈折率が２以
上であって消衰係数が２以下である請求項１に記載の光
学的情報記録媒体。 - 【請求項３】 光干渉層の波長λにおける屈折率が１以
下であって消衰係数が３以上である請求項１に記載の光
学的情報記録媒体。 - 【請求項４】 光干渉層の熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・
Ｋ）以下である請求項１に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項５】 光干渉層が透明基板に近い側から順に第
１光干渉層及び第２光干渉層の２層からなり、波長λに
おいて、前記第２光干渉層の屈折率が前記第１光干渉層
の屈折率及び下側保護層の屈折率よりも小さく、前記第
１光干渉層の消衰係数及び前記第２光干渉層の消衰係数
がいずれも１以下である請求項１に記載の光学的情報記
録媒体。 - 【請求項６】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記録層、
上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長λにおける
屈折率が２．５以上である反射層を積層したものであ
り、前記分離層上に前記下側保護層が直接形成され、前
記記録層において、前記波長λにおける記録後の屈折率
ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以
下であり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高いことを特徴とする光学的情
報記録媒体。 - 【請求項７】 第１情報層が、少なくとも光ビームの照
射により光学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で
変化する記録層を有し、前記第１情報層が、記録に用い
る光ビームに対して３０％以上の透過率を有する請求項
１または６に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項８】 透明基板上に、少なくとも、下側保護
層、光ビームの照射により光学的に検出可能な異なる２
つ以上の状態間で変化する記録層、上側保護層及び記録
に用いる光ビームの波長λにおける屈折率が２．５以上
である反射層を備え、前記透明基板上に前記下側保護層
が直接形成され、前記記録層において、前記波長λにお
ける記録後の屈折率ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比
ｎ1／ｎ2が０．８以下であり、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高いことを特徴とする光学的情
報記録媒体。 - 【請求項９】 反射層の波長λにおける屈折率が３．０
以上である請求項１、６または８に記載の光学的情報記
録媒体。 - 【請求項１０】 反射層の波長λにおける消衰係数が
４．０以下である請求項１、６または８に記載の光学的
情報記録媒体。 - 【請求項１１】 反射層の熱伝導率が５０Ｗ／（ｍ・
Ｋ）以下である請求項１、６または８に記載の光学的情
報記録媒体。 - 【請求項１２】 下側保護層と記録層との間の界面及び
記録層と上側保護層との間の界面から選ばれる少なくと
も一方に、さらに界面層を備えた請求項１、６または８
に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１３】 記録層が少なくともＧｅ、Ｓｂ及びＴ
ｅを含む請求項１、６または８に記載の光学的情報記録
媒体。 - 【請求項１４】 Ｇｅ、Ｓｂ及びＴｅの原子数の比Ｇ
ｅ：Ｓｂ：Ｔｅをｘ：ｙ：ｚ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）と表示
したときに、０．１０≦ｘ≦０．５０、０．４０≦ｚ≦
０．６０である請求項１３に記載の光学的情報記録媒
体。 - 【請求項１５】 反射層が、少なくともＴｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ及びＴｅから
選ばれる少なくとも１種の元素を含む請求項１、６また
は８に記載の光学的情報記録媒体。 - 【請求項１６】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、光干渉層、下側保護層、光ビームの照射によ
り光学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化す
る記録層、上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長
λにおける屈折率が２．５以上である反射層を積層した
ものであり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入
射する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射
率よりも記録後の反射率が高い光学情報記録媒体の製造
方法であって、 前記透明基板上に前記第１情報層を、前記保護基板上に
前記第２情報層をそれぞれ積層する成膜工程と、前記第
１情報層と前記第２情報層とが向かい合うように前記透
明基板と前記保護基板とを前記分離層を介して貼り合わ
せる密着工程と、前記第１情報層及び前記第２情報層を
いずれも記録可能な初期状態とする初期化工程とからな
ることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１７】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記録層、
上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長λにおける
屈折率が２．５以上である反射層を積層したものであ
り、前記分離層上に前記下側保護層が直接形成され、前
記記録層において、前記波長λにおける記録後の屈折率
ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以
下であり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高い光学情報記録媒体の製造方
法であって、 前記透明基板上に前記第１情報層を、前記保護基板上に
前記第２情報層をそれぞれ積層する成膜工程と、前記第
１情報層と前記第２情報層とが向かい合うように前記透
明基板と前記保護基板とを前記分離層を介して貼り合わ
せる密着工程と、前記第１情報層及び前記第２情報層を
いずれも記録可能な初期状態とする初期化工程とからな
ることを特徴とする光学的情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１８】 光ビームの波長λにおける反射層の消
衰係数が４．０以下であり、密着工程の後に、第１情報
層に対して透明基板側から、第２情報層に対して保護基
板側から、それぞれ光を照射して初期化工程を行う請求
項１６または１７に記載の光学的情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１９】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、光干渉層、下側保護層、光ビームの照射によ
り光学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化す
る記録層、上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長
λにおける屈折率が２．５以上である反射層を積層した
ものであり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入
射する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射
率よりも記録後の反射率が高い光学情報記録媒体の記録
再生方法であって、 前記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から
入射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うこ
とを特徴とする光学的情報記録媒体の記録再生方法。 - 【請求項２０】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記録層、
上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長λにおける
屈折率が２．５以上である反射層を積層したものであ
り、前記分離層上に前記下側保護層が直接形成され、前
記記録層において、前記波長λにおける記録後の屈折率
ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以
下であり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高い光学情報記録媒体の記録再
生方法であって、 前記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から
入射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うこ
とを特徴とする光学的情報記録媒体の記録再生方法。 - 【請求項２１】 記録層の照射部を瞬時溶融させるに十
分なパワーレベルをＰ１、照射部を瞬時溶融させること
ができないパワーレベルをＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞
Ｐ２≧Ｐ３≧０）と表示したときに、前記パワーレベル
Ｐ１と前記パワーレベルＰ３の間で変調する複数のパル
ス列を描く光ビームにより、記録しようとする少なくと
も一部のマークを前記記録層に記録し、マークを形成し
ないときには前記光ビームを前記パワーレベルＰ２で一
定に保つ請求項１９または２０に記載の光学的情報記録
媒体の記録再生方法。 - 【請求項２２】 記録パルス列の最後のパルスの後に、
パワーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却区間
を設ける請求項２１に記載の光学的情報記録媒体の記録
再生方法。 - 【請求項２３】 透明基板上に、少なくとも第１情報
層、分離層、第２情報層、保護基板をこの順に備え、前
記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少な
くとも光干渉層、下側保護層、光ビームの照射により光
学的に検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記
録層、上側保護層及び前記光ビームの波長λにおける屈
折率が２．５以上である反射層を積層したものであり、
前記第２情報層は前記透明基板側から入射する前記光ビ
ームに対して記録前の反射率よりも記録後の反射率の方
が高い光学的情報記録媒体の記録再生装置であって、 前記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から
入射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うた
めの層認識手段及び層切り替え手段を備えていることを
特徴とする光学的情報記録媒体の記録再生装置。 - 【請求項２４】 透明基板上に、少なくとも、第１情報
層、分離層、第２情報層及び保護基板をこの順に備え、
前記第２情報層が、前記透明基板に近い側から順に、少
なくとも、下側保護層、光ビームの照射により光学的に
検出可能な異なる２つ以上の状態間で変化する記録層、
上側保護層及び記録に用いる光ビームの波長λにおける
屈折率が２．５以上である反射層を積層したものであ
り、前記分離層上に前記下側保護層が直接形成され、前
記記録層において、前記波長λにおける記録後の屈折率
ｎ2に対する記録前の屈折率ｎ1の比ｎ1／ｎ2が０．８以
下であり、前記第２情報層が、前記透明基板側から入射
する前記記録に用いる光ビームに対して記録前の反射率
よりも記録後の反射率が高い光学的情報記録媒体の記録
再生装置であって、 前記第１情報層及び第２情報層に、前記透明基板側から
入射する前記光ビームにより、情報の記録再生を行うた
めの層認識手段及び層切り替え手段を備えていることを
特徴とする光学的情報記録媒体の記録再生装置。 - 【請求項２５】 記録層の照射部を瞬時溶融させるに十
分なパワーレベルをＰ１、照射部を瞬時溶融させること
ができないパワーレベルをＰ２及びＰ３（但し、Ｐ１＞
Ｐ２≧Ｐ３≧０）と表示したときに、前記パワーレベル
Ｐ１と前記パワーレベルＰ３の間で変調する複数のパル
ス列を描く光ビームにより、記録しようとする少なくと
も一部のマークを前記記録層に記録し、マークを形成し
ないときには前記光ビームを前記パワーレベルＰ２で一
定に保つ光ビーム強度変調手段をさらに備えている請求
項２３または２４に記載の光学的情報記録媒体の記録再
生装置。 - 【請求項２６】 記録パルス列の最後のパルスの後に、
パワーレベルＰ４（但し、Ｐ２＞Ｐ４≧０）の冷却区間
を設ける光ビーム強度変調手段を備えている請求項２５
に記載の光学的情報記録媒体の記録再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000140749A JP2001028148A (ja) | 1999-05-12 | 2000-05-12 | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13090099 | 1999-05-12 | ||
| JP11-130900 | 1999-05-12 | ||
| JP2000140749A JP2001028148A (ja) | 1999-05-12 | 2000-05-12 | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001028148A true JP2001028148A (ja) | 2001-01-30 |
Family
ID=26465894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000140749A Pending JP2001028148A (ja) | 1999-05-12 | 2000-05-12 | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001028148A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025923A1 (fr) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement optique et procede d'enregistrement correspondant |
| WO2003088233A1 (fr) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique |
| WO2003098619A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-11-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7245578B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-07-17 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| JP2011154781A (ja) * | 2006-11-01 | 2011-08-11 | Panasonic Corp | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 |
-
2000
- 2000-05-12 JP JP2000140749A patent/JP2001028148A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025923A1 (fr) * | 2001-09-12 | 2003-03-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'enregistrement optique et procede d'enregistrement correspondant |
| US7304930B2 (en) | 2001-09-12 | 2007-12-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical information recording medium and recording method using the same |
| US7245578B2 (en) | 2001-09-26 | 2007-07-17 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
| WO2003088233A1 (fr) * | 2002-04-16 | 2003-10-23 | Sony Corporation | Support d'enregistrement optique |
| US7420908B2 (en) | 2002-04-16 | 2008-09-02 | Sony Corporation | Optical recording medium |
| WO2003098619A1 (fr) * | 2002-04-22 | 2003-11-27 | Tdk Corporation | Support d'enregistrement optique |
| JP2011154781A (ja) * | 2006-11-01 | 2011-08-11 | Panasonic Corp | 情報記録媒体および情報記録媒体の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6469977B2 (en) | Optical information recording medium, method for producing the same, and method and apparatus for recording/reproducing information thereon | |
| KR100506553B1 (ko) | 광정보 기록매체, 그 기록 및 재생방법, 및 광정보 기록 및 재생장치 | |
| EP0978831B1 (en) | Optical information recording medium and method for producing the same, method for recording and reproducing information thereon and recording/reproducing apparatus | |
| JP3638152B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、光学的情報記録・再生方法及び光学的情報記録・再生装置 | |
| JP2000298875A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4339999B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| KR100381852B1 (ko) | 광학정보 기록매체 | |
| KR100365675B1 (ko) | 광학적정보 기록매체와 그 제조방법, 기록재생방법 및기록재생장치 | |
| US7781146B2 (en) | Optical recording medium | |
| KR100382190B1 (ko) | 광기록매체 및 그 제조방법 | |
| EP1276105B1 (en) | Optical information recording medium and recording method using the same | |
| JP3853543B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、その記録再生方法および記録再生装置 | |
| JP2000222777A (ja) | 光学情報記録媒体 | |
| JP3012734B2 (ja) | 光学的情報記録媒体及びその構造設計方法 | |
| JP4209557B2 (ja) | 光学情報記録媒体およびその初期化方法 | |
| JPWO2003025923A1 (ja) | 光学的情報記録媒体およびそれを用いた記録方法 | |
| JP2001028148A (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法、記録再生方法及び記録再生装置 | |
| JP2002190139A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3087454B2 (ja) | 光学的情報記録媒体およびその構造設計方法 | |
| JP2002251778A (ja) | 光学的情報記録媒体、その製造方法、その記録方法及び記録装置 | |
| JP4227278B2 (ja) | 情報記録媒体とその製造方法およびその記録再生方法 | |
| JPH08329528A (ja) | 光記録媒体および記録再生方法 | |
| JPH08329529A (ja) | 光記録媒体および記録再生方法 | |
| JP4542922B2 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 | |
| JPWO2006112165A1 (ja) | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |