JP4209557B2 - 光学情報記録媒体およびその初期化方法 - Google Patents
光学情報記録媒体およびその初期化方法 Download PDFInfo
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光を用いて大容量の情報を記録および再生する光学情報記録媒体と、その初期化方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
レーザ光を用いて信号を記録および再生することのできる光学情報記録媒体としては、相変化形光ディスク、光磁気ディスク、色素ディスク等がある。記録・消去可能な相変化型光ディスクでは、記録層材料として、一般にカルコゲン化物が用いられ、通常、記録層材料が結晶状態の場合を未記録状態とし、レーザ光を照射して記録層材料を溶融・急冷して非晶質状態とすることにより、信号が記録される。一方、信号を消去する場合は、記録時よりも低いパワーのレーザ光を照射して、記録層を結晶状態とする。また、記録した信号の再生は、記録層材料の相変化が生じないパワーのレーザ光を照射して行われる。
【0003】
カルコゲン化物からなる記録層は非晶質で成膜されるため、予め記録領域全面を結晶化して未記録状態を得る必要があり、この記録領域の全面結晶化が初期化と呼ばれる。初期化処理は、通常、ディスク製造工程の一部に組み込まれており、レーザ光源またはフラッシュ光源を用いて行われる。
【0004】
記録可能、あるいは記録・消去が可能な相変化型光ディスクの記録容量を増加させるために、いわゆる片面2層構成の記録媒体が提案されている。この片面2層構成の光ディスクは、基板上に2層の記録層を備えており、この基板を通して照射される(すなわち同じ方向から照射される)レーザ光により、信号の記録または消去が行われる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、片面2層構成の相変化型光ディスクにおいては、レーザ光入射面に近い側(基板に近い側)の第1の情報層を記録(非晶質マークの形成)によって反射率が低下する「Hi to Lo構成」(H−L構成)とするとともに、レーザ光入射面から遠い(基板から遠い)第2の情報層を記録(非晶質マークの形成)によって反射率が高くなる「Lo to Hi構成」(L−H構成)とすると、第1の情報層と第2の情報層との記録感度および再生信号レベルが揃った光学情報記録媒体を得ることができる(本出願人による特願平10−132982号明細書に提案されている構成)。
【0006】
相変化型片面多層構成の光学情報記録媒体の初期化プロセスにおいて重要な点は、各情報層の初期化時において、安定したフォーカス制御が可能であるかどうか、である。しかしながら、上記のように、第1の情報層をH−L構成、第2の情報層をL−H構成とした光学情報記録媒体では、第2の情報層では記録層が結晶状態の場合よりも非晶質状態である場合の反射率が高いものの、第1の情報層では記録層が結晶状態の場合よりも非晶質状態である場合の反射率が低くなる。このようにレーザ光の反射光量のバランスがとれていないため、記録領域における記録層の全面結晶化の際に、第2の情報層からフォーカス・エラー信号を得ることは容易であるが、第1の情報層からフォーカス・エラー信号を得ることが難しいという課題があった。
【0007】
そこで、本発明は、上記課題を解決する光学情報記録媒体の初期化方法、およびこれに適した光学情報記録媒体を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の第1の光学情報記録媒体は、基板上に、少なくとも、第1の情報層、光学分離層および第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる光学情報記録媒体であって、
前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域を備えていることを特徴とする。
【0009】
上記光学情報記録媒体では、基板の形状が円盤状であって、第1の情報層が存在し、第2の情報層が存在しない領域が、前記第1の情報層が存在する領域の最外周部および最内周部から選ばれる少なくとも一方に設けられていることが好ましい。また、第1の情報層が第1の記録層を含み、第2の情報層が第2の記録層を含み、前記第1および第2の記録層が、基板側からのレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態との間を可逆的に変化する材料からなることが好ましい。
【0010】
また、上記光学情報記録媒体では、第1および第2の記録層に記録された信号を再生するために基板側から照射される波長λ0のレーザ光に対し、
前記第1の記録層が非晶質状態であるときの第1の情報層の反射率R0(1amo)、前記第1の記録層が結晶状態であるときの前記第1の情報層の反射率R0(1cry)、前記第2の記録層が非晶質状態であるときの第2の情報層の反射率R0(2amo)、および前記第2の記録層が結晶状態であるときの前記第2の情報層の反射率R0(2cry)が、
R0(1amo)<R0(1cry)、およびR0(2amo)>R0(2cry)
の関係を満たすことが好ましい。
【0011】
また、上記目的を達成するために、本発明の光学情報記録媒体の第1の初期化方法は、基板上に、少なくとも、第1の情報層、光学分離層および第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる構成を有し、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域を備えている光学情報記録媒体を、前記基板側からレーザ光を照射して初期化する方法であって、
前記第1の情報層の初期化を、前記領域から開始することを特徴とする。
【0012】
上記第1の初期化方法では、第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R1(1前)、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の反射率R1(1後)、
第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R1(2前)、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)、および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)が、
R1(1前)<R1(1後)、R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、および
R1(1前)<R1(2後)×[T1(1前)]2
の関係を満たすことが好ましい。
【0013】
また、上記目的を達成するために、本発明の光学情報記録媒体の第2の初期化方法は、基板上に、少なくとも、第1の情報層、光学分離層および第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる光学情報記録媒体を、前記基板側からレーザ光を照射して初期化する方法であって、
少なくとも、前記第1の情報層と前記第2の情報層とが形成されている領域においては、前記第2の情報層を初期化してから前記第1の情報層を初期化することを特徴とする。
【0014】
上記第2の初期化方法では、第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T2(1前)、および前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の透過率T2(1後)が、
T2(1前)>T2(1後)
の関係を満たすことが好ましい。
【0015】
また、上記第2の初期化方法では、第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R1(1前)、
第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R1(2前)、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)および
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)、ならびに、
前記第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R2(1前)、
前記第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R2(2前)、および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T2(1前)が、
R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、R1(2前)>R1(2後)、および
R2(1前)<R2(2前)×[T2(1前)]2
の関係を満たすことが好ましい。
【0016】
また、上記第2の初期化方法では、第1の情報層を初期化するレーザ光の波長λ1と第2の情報層を初期化するレーザ光の波長λ2とが等しいことが好ましい。
【0017】
また、上記目的を達成するために、本発明の第3の光学情報記録媒体の初期化方法は、基板上に、少なくとも、第1の情報層、光学分離層および第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる構成を有し、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域を備えている光学情報記録媒体を、前記基板側からレーザ光を照射して初期化する方法であって、
前記第1の情報層の初期化を、前記領域から開始し、
少なくとも、前記第1の情報層と前記第2の情報層とが形成されている領域においては、前記第2の情報層を初期化してから前記第1の情報層を初期化することを特徴とする。
【0018】
上記第3の初期化方法では、第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R1(1前)、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の反射率R1(1後)、
第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R1(2前)、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)および
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)、
ならびに、
前記第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の第1の情報層の透過率T2(1前)、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の透過率T2(1後)が、
R1(1前)<R1(1後)、R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、
R1(1前)<R1(2後)×[T1(1前)]2、およびT2(1前)>T2(1後)
の関係を満たすことが好ましい。
【0019】
また、上記第3の初期化方法では、第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R1(1前)、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の反射率R1(1後)、
第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R1(2前)、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)、
ならびに、
前記第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R2(1前)、
前記第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R2(2前)、および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T2(1前)が、
R1(1前)<R1(1後)、R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、
R1(1前)<R1(2後)×[T1(1前)]2、R1(2前)>R1(2後)、および
R2(1前)<R2(2前)×[T2(1前)]2
の関係を満たすことが好ましい。
【0020】
上記第3の初期化方法においても、第1の情報層を初期化するレーザ光の波長λ1と第2の情報層を初期化するレーザ光の波長λ2が等しいことが好ましい。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。図1〜図3は、本発明の一実施形態に係る光学情報記録媒体(光ディスク)を示し、図1は光ディスクの部分切り欠き斜視図、図2は部分切り欠き平面図、図3は断面図である。なお、図2は、光ディスクを基板1側から見た平面図である。この光ディスクは、情報層を2層(第1の情報層21、第2の情報層22)備え、情報層がそれぞれ1層の記録層(第1の記録層4、第2の記録層11)を含む片面2層構成の相変化型光ディスクであり、各情報層への信号の記録、再生等、さらに初期化を行うレーザ光は、基板1側から入射する。
【0022】
基板1は、ポリカーボネート、PMMA等の樹脂板、ガラス板等の透明材料から構成することが好ましい。基板は、紫外線硬化樹脂を用いて形成してもよい。基板の表面は、スパイラル状または同心円状の連続溝(案内溝、トラック)で覆われていることが好ましい。なお、基板1は、スピンコート法を用いて形成してもよい。この場合は、例えば、保護基板15上に第2の情報層22を成膜した後、表面が連続溝で覆われた光学分離層7を2P法で形成し、さらにその上に第1の情報層21を成膜し、この第1の情報層上にスピンコート法で樹脂を塗布して基板とすればよい。スピンコート法で基板1を形成する場合、基板の厚さは、通常数10μm以下となる。
【0023】
保護層2,6,9,13の材料は、物理的・化学的に安定であって、第1の記録層4や第2の記録層11に用いる材料の融点よりも高い融点と軟化温度とを有し、かつ記録層材料と相固溶しないことが好ましい。このような材料としては、例えば、Al2O3、SiO2、Ta2O5、MoO3、WO3、ZrO2、ZnS、AlN、BN、Si3N4、TiN、ZrN、PbF2、MgF2等の誘電体、またはこれら材料の適当な組み合わせから構成できる。ただし、上記に例示した材料に含まれる元素は、化学量論比から外れた値となっていてもよい。また、保護層に用いる材料は、必ずしも、誘電体であり、また透明である必要はなく、例えば可視光線および赤外線に対して光吸収性を有するZnTe等を用いてもよい。なお、各情報層21,22における一対の保護層は、同一材料で形成してもよいが、異なる材料で形成すると、熱的、光学的なディスク設計の自由度が大きくなるという利点が得られる。
【0024】
界面層3,5,10,12の材料は、一般式X-N、X-O-N、X-Cのいずれかにより表されるか、あるいはこれらの混合物であることが好ましい。ここで、Xは、特に限定されないが、Ge、Cr、Si、AlおよびTeから選ばれる少なくとも一つの元素が好ましい。また、界面層には、窒素が含まれていることが好ましい。界面層は必須の層ではないが、この層を形成すると、記録層4,11を構成する元素と、保護層2,6,9,13を構成する元素との相互拡散が抑制され、記録消去の繰り返し特性が向上する。
【0025】
記録層4,11の材料は、結晶状態と非晶質状態との間を可逆的に変化すればよく、Te、In、Se等を主成分とする相変化材料を用いることができる。相変化材料の主成分としては、Te-Sb-Ge、Te-Ge、Te-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-Au、Sb-Se、Sb-Te、Sb-Se-Te、In-Te、In-Se、In-Se-Tl、In-Sb、In-Sb-Se、In-Se-Te等が挙げられる。第1および第2の記録層4,11は、通常、非晶質状態で成膜され、照射されるレーザ光等のエネルギーを吸収して結晶化(初期化)する。記録層の材料は、相変化に伴い、光学定数(屈折率n、消衰係数k)も変化する。
【0026】
記録消去の繰り返し特性が良好な記録層を形成するためには、Ge,Sb,Teの3元素を主成分とする材料を用いることが好ましい。また、実験により確認したところでは、記録層は、GexSbyTez(x、y、zは原子比)により表示して、0.10≦x≦0.35,0.10≦y,0.45≦z≦0.65,x+y+z=1の範囲にある材料から構成することが特に好ましい。
【0027】
光学分離層7は、第2の情報層22に信号を記録・再生するために照射するレーザ光の波長に対して、透明な材料を用いて形成すればよく、第1の情報層21と第2の情報層22とを光学的に分離する機能を有する。光学分離層に供する材料としては、紫外線硬化樹脂、光ディスク貼り合わせ用の両面テープ(例えば日東電工(株)製の粘着シート「DA−8320」)等を例示できる。光学分離層は、スピンコート法、2P法等によって作製される。光学分離層を2P法で作製する場合には、次の2つの場合がある。第1には、基板1上に第1の情報層21を成膜した後、表面にスパイラル状または同心円状の連続溝で覆われた光学分離層を2P法で形成し、さらにその上に第2の情報層を成膜する場合である。この場合、保護基板15は形成しなくても構わない。第2には、保護基板15上に第2の情報層を成膜した後、表面がスパイラル状または同心円状の連続溝で覆われた光学分離層を2P法で形成し、さらにその上に第1の情報層を成膜する場合である。この場合には、基板1はスピンコート法等で形成される。
【0028】
半透過層8は、Au,Al,Si等の金属元素を主成分とし、第2の記録層11における光吸収補正構成を実現するためには形成することが好ましいが、必須の層ではない。また、半透過層に代えて、屈折率が異なる2種類の誘電体層を積層して用いても、半透過層と同様の光学特性を得ることができる。
【0029】
反射層14は、Au,Al,Ni,Fe,Cr等の金属元素、またはこれらの合金から形成することが好ましい。反射層14は、必須の層ではないが、第2の記録層11への光吸収効率を高めるためには、形成することが好ましい。
【0030】
保護基板15は、例えばスピンコートした樹脂層でもよく、また、基板1と同様、樹脂板、ガラス板から構成してよい。光学分離層7の表面に第2の情報層22の案内溝を2P法によって形成する場合には、保護基板15の表面は平面でよく、例えば接着剤を用いて第2の情報層22上に貼り合わせて形成することができる。なお、光学分離層7の表面に第2の情報層22の案内溝を形成しない場合には、保護基板15の表面をスパイラル状または同心円状の連続溝(案内溝)で覆う構成とすることが好ましい。この場合には、保護基板15の表面に直接第2の情報層22が形成され、基板1上に形成された第1の情報層21と光学分離層7を介して貼り合わされることになる。
【0031】
なお、2組の片面2層の相変化型光ディスクを第2の情報層どうしを内側にして接着剤等を用いて貼り合わせることにより、両面から記録、再生可能な4層構造の光学情報記録媒体としてもよい。
【0032】
図1および図2に示したように、本実施形態の光ディスクには、レーザ光の入射側(基板1側)から見て、第1の情報層が存在し、第2の情報層が存在しない領域が設けられる。本実施形態では、上記領域を、リング状(ドーナツ状)に設けられた記録領域の最内周側に設けている。上記領域は、図4および図5に示すように、記録領域の最外周側に設けてもよい。このように、円盤状基板の上方に設けられたリング状の記録領域において、第1の情報層のみが存在する領域は、この領域の最外周側および/または最内周側に形成することが好ましい。
【0033】
第1の情報層のみが存在する領域は、例えば、第1の情報層を成膜する際に用いる内周マスクの外径を第2の情報層を成膜する際に用いる内周マスクの外径よりも小さくする、あるいは、第1の情報層を成膜する際に用いる外周マスクの内径を第2の情報層を成膜する際に用いる外周マスクの内径よりも大きくすることにより形成することができる。
【0034】
なお、第1の記録層4、第2の記録層11、保護層2,6,9,13、界面層3,5,10,12、半透過層8、反射層14等上記各層の成膜方法としては、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学蒸着法(CVD法)、レーザスパッタリング法等を適用できる。
【0035】
第1の情報層に求められる特に重要な特性は、高透過率、高感度、高速でオーバライト可能であることであり、未記録部においてもある程度大きい反射率が得られることである。透過率を大きくするためには、第1の記録層以外に光を吸収する層(例えば反射層)がない構成とすることが好ましい。このような特性を得るために、記録のためのレーザ光の波長に対して、第1の記録層が非晶質状態であるときの第1の情報層の光吸収率が、第1の記録層が結晶状態であるときの第1の情報層の光吸収率よりも低くなる光吸収補正構成を有することが好ましい。
【0036】
第2の情報層に求められる特に重要な特性は、高感度、高反射率、高速でオーバライト可能であることである。これらの特性を得るためには、第1の情報層を記録(非晶質マークの形成)によって反射率が低下するH−L構成とし、第2の情報層を記録(非晶質マークの形成)によって反射率が高くなるL−H構成とすることが好ましい。このような構成によれば、第1の情報層と第2の情報層との記録感度、および再生信号レベルの揃った片面多層の光学情報記録媒体を実現することができる。
【0037】
上記特性を満足するための構成を下記に例示する。第1の情報層として、第1の記録層を厚さ7nmのGe-Sb-Teとし、第1の記録層に接して基板側に厚さ100nm、基板と反対側に厚さ110nmのZnS-SiO2混合物層を形成する。また、第2の情報層として、光学分離層上に、厚さ10nmのAu、厚さ70nmのZnS-SiO2、厚さ10nmのGe-Sb-Te、厚さ80nmのZnS-SiO2、厚さ16nmのAl-Crをこの順に形成する。特に消去特性を改善する目的で、各記録層と各保護層との間に窒化物等からなる界面層を設けても構わない。いずれの構成にしても、第1の情報層の反射率は、第1の記録層が結晶状態の場合よりも非晶質状態の場合のほうが小さく、第2の情報層の反射率は、第2の記録層が結晶状態の場合よりも非晶質状態の場合のほうが大きい。なお、上記構成は、基本的には、いずれも波長660nm近傍のレーザ光を記録・再生に用いることを前提として設計された構成である。
【0038】
次に、上記片面2層構成の相変化型光ディスクをレーザ光を用いて、初期化する方法について説明する。初期化は、成膜時点において非晶質状態にある第1および第2の記録層を記録領域において全面結晶化するプロセスである。初期化工程を短時間に終了させるためには、大出力のレーザ光を用いて各記録層を結晶化させることが好ましい。この観点からは、初期化に用いるレーザ光としては、記録・再生に用いる波長660nmのレーザ光よりも、波長800nm前後の近赤外域のレーザ光が好ましい。近赤外レーザ光により、高出力光を安価に得られるからである。
【0039】
初期化装置の一形態の概略を図6に示す。この例では、レーザ光源26から照射されたレーザ光は対物レンズ25によって、スピンドルモータ24により回転している光ディスク23の第1の情報層または第2の情報層上に、例えば非点収差法を用いてフォーカシングされる。このフォーカシングには、各情報層から得られるフォーカス・エラー信号を用いることが好ましい。ただし、フォーカシング制御は、ナイフエッジ法等、種々の方法をとることもできる。なお、図6に示した装置は、光ディスクへの信号の記録、再生にも用いることができる。この装置には、信号の再生のために、フォトディテクター27が準備されている。
【0040】
ところで、前述のように、記録・再生のためのレーザ光の波長に対し、本実施形態の光ディスクでは、第1の情報層の反射率は、第1の記録層が結晶状態の場合よりも非晶質状態の場合のほうが小さく、第2の情報層の反射率は、第2の記録層が結晶状態の場合よりも非晶質状態の場合のほうが大きい。このような反射率の大小関係は、波長780nm、830nm等、大出力が入手容易な波長のレーザ光に対しても同様である。このような反射率の大小関係は、特願平10−132982号明細書で提案されている構成についても同様に成立する。
【0041】
しかも、第1の情報層では、透過率、記録感度、信号変調度を同時に高める必要があるため、通常、第1の記録層が非晶質状態における第1の情報層の反射率は数%台と非常に低くなる。これとは対照的に、第2の情報層は、第1の情報層を透過したレーザ光で記録された信号を再生することから、記録層が非晶質状態であれ結晶状態であれ、第1の情報層よりも高い反射率を選ぶ必要がある。これは、初期化に用いるレーザ光として、波長660nm、780nm、830nm等当該技術分野で一般に適用されているいずれのレーザ光を用いても、第1の情報層の記録層が非晶質の場合、第1の情報層から得られるフォーカス・エラー信号は、第2の情報層から得られるフォーカス・エラー信号に比べて常に小さくなり、第1の情報層からのフォーカスエラー信号が得にくくなることを意味する。
【0042】
しかし、第2の情報層が第1の情報層上に形成されていない領域では、第1の情報層からフォーカス・エラー信号を得ることは容易である。すなわち、例えば初期化装置の検出器のゲインを高めれば、第1の情報層から容易にフォーカス・エラー信号を得ることができる。一方、第1の情報層上に第2の情報層が存在する領域では、初期化装置の検出器のゲインを高めても、両情報層のフォーカス・エラー信号の比は変わらないため、第1の情報層にフォーカシングすることはやはり困難である。
【0043】
一旦、第1の情報層にフォーカシングして初期化を開始すれば、初期化のためのレーザ光が照射されている領域内に結晶化領域が生成して反射率が高まるため、初期化装置の検出器に到達する光量が増える。したがって、第2の情報層が存在する領域においても、第1の情報層の初期化を継続することは、(照射領域をスキャニングさせて初期化を続けても)比較的容易となる。
【0044】
このように、第1の情報層のみが形成されている領域から第1の情報層を初期化していく本発明の初期化方法の一形態は、第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対し、▲1▼初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が初期化後の第1の情報層から得られる反射光量よりも小さく、▲2▼初期化前の第1の情報層から得られる反射光量よりも、第2の情報層から得られる反射光量が大きい場合に特に好適である。このような場合には、第1の情報層から得られるフォーカス・エラー信号が、初期化によって大きくなり、初期化の結果、第1の情報層から得られるフォーカス・エラー信号の強度が、第2の情報層から得られるフォーカス・エラー信号の強度に近づくからである。
【0045】
なお、第1の情報層と第2の情報層とから得られる各フォーカス・エラー信号の強度を比較するためには、第1の情報層の反射率と、第2の情報層の反射率に第1の情報層の透過率の二乗を掛けた値とを比較すればよい。第2の情報層から得られる信号強度は、第1の情報層を2度通過するからである。
【0046】
次に、第1の情報層と第2の情報層との初期化の順序について説明する。
第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対し、初期化前の第1の情報層の透過率が初期化後の第1の情報層の透過率よりも大きい場合は、第1の情報層よりも先に第2の情報層を初期化することが好ましい。最初に第1の情報層を初期化すると第2の情報層の初期化時に第1の情報層の透過率が低減し、第2の情報層の初期化に必要なレーザパワーが相対的に大きくなるからである。
【0047】
このように、第1の情報層よりも先に第2の情報層を初期化する本発明の初期化方法の一形態は、特に、▲1▼第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が初期化前の第2の情報層から得られる反射光量よりも小さく、▲2▼波長λ1のレーザ光に対する、初期化前の第2の情報層から得られる反射光量が初期化後の第2の情報層から得られる反射光量よりも大きく、▲3▼第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が初期化前の第2の情報層から得られる反射光量よりも小さい場合に適用することが好ましい。この順に初期化することにより、第1の情報層から得られるフォーカス・エラー信号と第2の情報層から得られるフォーカス・エラー信号との強度のアンバランスが矯正される(両者の強度比が1に近づく)からである。
【0048】
上記2つの形態を組み合わせた初期化方法は、本発明の最も好ましい形態に相当する。この形態では、第1の情報層の初期化の開始点を、第1の情報層上に第2の情報層がない領域とするとともに、上記両情報層が形成されている領域では、第2の情報層を第1の情報層よりも先に初期化する。
【0049】
この形態が特に効果的にその機能を発揮する場合について説明する。第1には、▲1▼第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が初期化後に得られる反射光量よりも小さく、▲2▼波長λ1のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が、初期化前・後いずれの第2の情報層から得られる反射光量よりも小さく、▲3▼第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層の透過率が初期化後の第1の情報層の透過率よりも大きい場合である。
【0050】
第2には、▲1▼第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が初期化後に得られる反射光量よりも小さく、▲2▼波長λ1のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が、初期化前・後いずれの第2の情報層から得られる反射光量よりも小さく、▲3▼波長λ1のレーザ光に対する、第2の情報層の反射率が初期化前に比べて初期化後が小さく、▲4▼第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、初期化前の第1の情報層から得られる反射光量が、初期化前の第2の情報層から得られる反射光量よりも小さい場合である。
【0051】
なお、初期化の各形態において、第1の情報層と第2の情報層とを同じ波長のレーザ光で初期化してもよい。また、第2の情報層を先に初期化する場合であっても、必ずしも、第2の情報層を完全に初期化し終わってから第1の情報層の初期化を開始する必要はなく、初期化用の光源を情報層ごとに準備した初期化装置を用いて、第2の情報層の初期化処理を行いながら、第2の情報層の初期化が終了した領域において第1の情報層を初期化してもよい。また、レーザ光源は1つであっても、レーザ光をビームスプリッターで2つ以上に分割して、各情報層にレーザ光を照射して、照射する位置をずらしながら各情報層を初期化してもよい。この場合には、第2の情報層の初期化が済んだ領域において第1の情報層の初期化が行われるようなビーム配列とする。
【0052】
【実施例】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例により限定されるものではない。
【0053】
(実施例1)
表面が、ピッチ0.60μm、溝深さ70nmの凹凸の案内溝で覆われている半径120mm、厚さ0.58mmの円盤状ポリカーボネートを第1の基板として、その上にZnS-20mol%SiO2、Ge29Sb21Te50、ZnS-20mol%SiO2をこの順に、それぞれ、100nm、7nm、110nmの厚さとなるようにマグネトロンスパッタリング法を用いて成膜し、第1の情報層とした。一方、同じくピッチ0.60μm、溝深さ70nmの凹凸の案内溝で覆われている半径120mm、厚さ0.6mmの円盤状ポリカーボネートを第2の基板として、その上に順次、Al-2at%Cr、ZnS-20mol%SiO2、Ge29Sb21Te50、ZnS-20mol%SiO2、Auを、それぞれ、16nm、80nm、10nm、70nm、10nmの厚さとなるようにマグネトロンスパッタリング法で成膜し、第2の情報層とした。なお、第1の情報層は、円盤の半径20mmから59mmまでの領域に形成し、第2の情報層は円盤の半径23mmから59mmまでの領域に形成した。
【0054】
成膜を終えた第2の情報層上に、エポキシ系の紫外線硬化樹脂を塗布し、その上に第1の情報層が第2の情報層と向かい合うように、第1の基板と第2の基板とを密着させ、紫外線照射を行うことにより、第1の基板(基板)、第1の情報層、中間樹脂層(光学分離層)、第2の情報層,第2の基板(保護基板)の順に並んだ光ディスクを得た。なお、中間樹脂層の厚さとしては、30μm以上60μm以下が好ましい結果が得られたが、ここでは、厚さ40μmとした場合の実験結果について示す。
【0055】
これら光ディスクは、記録層の結晶状態を未記録状態、記録層の非晶質状態を記録マークとする。波長660nm、波長830nmのレーザ光に対する光学特性の設計値を(表1)に、実測値(溝による回折の影響を除去するため、光学特性は、案内溝のない鏡面基板を用いて測定した)を(表2)に示す。
【0056】
【表1】
【0057】
【表2】
【0058】
(表1)および(表2)から、作製した光ディスクにおいてほぼ設計どおりの光学特性が得られていることがわかる。なお、第2の情報層を再生する場合、手前の第1の情報層の存在によって、第2の情報層の反射率に、第1の情報層の透過率を2乗した値をかけた値が、実効的な第2の情報層の反射率になる。例えば、第1の情報層に記録がなされていない場合には、波長660nmにおける第2の情報層における未初期化時の反射率は38%×45%×45%=8%である。
【0059】
この光ディスクの各情報層の記録層を、図6に示した装置と同様の初期化装置を用いて初期化した。初期化に用いるレーザ光の波長は830nmとした。初期化のためのレーザ光は、各情報層にフォーカシングされた時、ディスク半径方向に100μm、周方向に20μmとなるように整形されている。
【0060】
第1の情報層の上に第2の情報層がある領域とない領域において、初期化を行う前にレーザを照射して、フォーカシングを行うためのフォーカス・エラー信号をオシロスコープを用いて観察した。検出器の感度はオートゲインコントローラによって調整した。各層から得られたフォーカス・エラー信号の振幅比を(表3)に示す。
【0061】
【表3】
【0062】
(表3)からわかるように、第1の情報層上に第2の情報層が存在する場合には、第1の情報層からフォーカス・エラー信号を分離することが極端に困難であった。実際、第2の情報層が存在する領域で第1の情報層にフォーカシングを行うことはできなかった。しかし、第2の情報層がない領域では、容易に第1の情報層にフォーカシングできた。第1の情報層は、線速度6m/s、レーザ電流値1000mAで初期化することができた。
【0063】
(実施例2)
実施例1で作製した光ディスクを用いて、第1の情報層および第2の情報層のいずれを先に初期化すれば好ましいか、図6に示した装置と同様の初期化装置を用いて検討した。ここでも、各情報層の初期化に用いたレーザ光の波長は830nmとした。初期化のためのレーザ光は、各情報層にフォーカシングされた時、ディスク半径方向に100μm、周方向に20μmとなるように整形されている。
【0064】
第1の情報層および第2の情報層がいずれも存在する領域において、初期化前の各層から得られるフォーカス・エラー信号の比は(表3)に示した通りである。2つの情報層が存在する領域では、最初に第1の情報層にフォーカシングすることは不可能であったが、第2の情報層を先に初期化した場合には、第1の情報層にフォーカシングでき、かつ、第1の情報層を初期化することができた。この時、第2の情報層は線速度8m/s、レーザ電流値1000mAで初期化できた。
【0065】
試みに、実施例1の方法を用いて最初に第1の情報層を初期化した後に、第2の情報層を初期化しようとすると、線速度を5m/sに落とさなければ1000mAで初期化することができなかった。しかも、第1の情報層を第2の情報層よりも先に初期化しようとすると、その逆の場合に比べて外乱に弱く、わずかの振動により第1の初期化作業中にフォーカシング動作が中断することがあった。しかし、第2の情報層を第1の情報層よりも先に初期化した場合には、外乱によりフォーカシング作業が中断されることはなかった。
【0066】
以上の結果から、第2の情報層を先に、続いて第1の情報層を初期化することにより、安定した初期化が実現できることがわかる。また、第1の情報層において初期化のためのフォーカシングを最初に行う場所は、前述のように、第1の情報層のみが存在し、第2の情報層が存在しない領域内が好ましい。
【0067】
(実施例3)
実施例1および実施例2において、第1の情報層、および第2の情報層を初期化した片面2層の光ディスクを用いて信号の記録・再生実験を行った。図6に示したと同様の構成を有する記録・再生装置を用いて、案内溝(グルーブ)と案内溝間(ランド)双方に信号を記録し、かつ再生した。記録および再生に用いたレーザ光源は波長660nmの半導体レーザ、対物レンズのNAは0.6とした。また、線速度9m/sでディスクを回転させながら、図7に示す記録パルスストラテジィを用いて、8/16,RLL(2,10)の変調方式で記録情報を記録した。ピークパワーおよびバイアスパワーは、繰り返しオーバライト記録したランダム信号の再生ジッタが最小となるように選択した。
【0068】
その結果、初期化を施した第1の情報層は、1回目から100回目までランダム信号を繰り返しオーバライト記録した場合の再生信号の最悪ジッタ値が10%と良好な値であった。ちなみに初期化をほどこしていない第1の情報層にはフォーカシングできなかったので信号を記録することができなかった。
【0069】
また、最初に第2の情報層を初期化し、続いて第1の情報層を初期化した場合、第2の情報層は、1回目から100回目までランダム信号を繰り返しオーバライト記録した場合の再生信号の最悪ジッタ値が10%と良好な値であった。
【0070】
また、最初に第1の情報層を初期化し、続いて第2の情報層を初期化した場合、第2の情報層は、1回目から100回目までランダム信号を繰り返しオーバライト記録した場合の再生信号の最悪ジッタ値が14%とよくなかった。これは、第1の情報層を最初に初期化したことによって第2の情報層の初期化時の線速度を5m/sに下げざるを得なかったことに起因していると考えられる。初期化時の線速度が遅いと第2の情報層に対する熱負荷が増加し、ディスクノイズが増加する傾向にあるからである。
【0071】
また、初期化を施していない第2の情報層に記録した場合には、1回目から10回目までの繰り返しオーバライト記録においては、再生信号のジッタ値は20%以上と非常に悪く、記録した情報を正しく再生することができなかった。
【0072】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、片面から複数の情報層に信号を記録できる大容量の光学情報記録媒体を、レーザ光を用いて安定して初期化することができる。特に、本発明は、基板に近い側の情報層をH−L構成とするとともに、基板から遠い情報層をL−H構成とした場合の光学情報記録媒体の初期化に好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の光学情報記録媒体の一形態を示す部分切り欠き斜視図である。
【図2】 本発明の光学情報記録媒体の一形態を示す部分切り欠き平面図である。
【図3】 本発明の光学情報記録媒体の一形態を示す部分断面図である。
【図4】 本発明の光学情報記録媒体の別の一形態を示す部分切り欠き斜視図である。
【図5】 本発明の光学情報記録媒体の別の一形態を示す部分切り欠き平面図である。
【図6】 本発明の初期化方法 および光学情報記録媒体への信号の記録・再生等を行う装置の構成を示す図である。
【図7】 本発明の光学情報記録媒体に、信号を記録する際の、記録パルスの変調波形の一例を示す図である。
【符号の説明】
1 基板
2,6,9,13 保護層
3,5,10,12 界面層
4,11 記録層
7 光学分離層
8 半透過層
14 反射層
15 保護基板
23 光ディスク
26 半導体レーザ
27 フォトディテクター
Claims (8)
- 基板上に、少なくとも、第1の記録層を含む第1の情報層、光学分離層および第2の記録層を含む第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる光学情報記録媒体であって、
前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域を備え、
前記第1および第2の記録層が、基板側からのレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態との間を可逆的に変化する材料からなり、
前記第1および第2の記録層に記録された信号を再生するために基板側から照射される波長λ 0 のレーザ光に対し、
前記第1の記録層が非晶質状態であるときの第1の情報層の反射率R 0 (1amo) 、
前記第1の記録層が結晶状態であるときの前記第1の情報層の反射率R 0 (1cry) 、
前記第2の記録層が非晶質状態であるときの第2の情報層の反射率R 0 (2amo) 、
および前記第2の記録層が結晶状態であるときの前記第2の情報層の反射率R 0 (2cry) が、
R 0 (1amo) <R 0 (1cry) 、およびR 0 (2amo) >R 0 (2cry)
の関係を満たし、
前記R 0 (1amo) は、前記基板上に、前記第1の情報層および前記第2の情報層が存在する領域では、前記第1の情報層へのフォーカス引き込みが困難である一方、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域では、前記第1の情報層へのフォーカス引き込みが可能である反射率であり、
前記R 0 (2amo) は、前記基板上に、前記第1の情報層および前記第2の情報層が存在する領域では、前記第2の情報層へのフォーカス引き込みが可能である反射率である、光学情報記録媒体。 - 基板の形状が円盤状であって、
第1の情報層が存在し、第2の情報層が存在しない領域が、前記第1の情報層が存在する領域の最外周部および最内周部から選ばれる少なくとも一方に設けられている請求項1に記載の光学情報記録媒体。 - 基板上に、少なくとも、第1の記録層を含む第1の情報層、光学分離層および第2の記録層を含む第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる構成を有し、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域を備え、
前記第1および第2の記録層が、基板側からのレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態との間を可逆的に変化する材料からなる、光学情報記録媒体を、前記基板側からレーザ光を照射して初期化する方法であって、
第1の情報層を初期化する波長λ 1 のレーザ光に対し、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率がR 1 (1 前 ) 、
第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率がR 1 (2 前 ) であり、
前記R 1 ( 1前 ) は、前記基板上に、前記第1の情報層および前記第2の情報層が存在する領域では、前記第1の情報層へのフォーカス引き込みが困難である一方、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域では、前記第1の情報層へのフォーカス引き込みが可能である反射率であり、
前記R 1 (2 前 ) は、前記基板上に、前記第1の情報層および前記第2の情報層が存在する領域では、前記第2の情報層へのフォーカス引き込みが可能である反射率であり、
前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域から、前記第1の情報層の初期化を開始する光学情報記録媒体の初期化方法。 - 第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、
前記R 1 (1 前 ) 、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の反射率R1(1後)、
前記R 1 (2 前 ) 、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)、
および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)が、
R1(1前)<R1(1後)、R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、および R1(1前)<R1(2後)×[T1(1前)]2
の関係を満たす、請求項3記載の光学情報記録媒体の初期化方法。 - 基板上に、少なくとも、第1の記録層を含む第1の情報層、光学分離層および第2の記録層を含む第2の情報層をこの順に備え、前記第1および第2の情報層に前記基板を通して信号を記録し、かつ再生できる構成を有し、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域を備え、前記第1および第2の記録層が、基板側からのレーザ光の照射によって非晶質状態と結晶状態との間を可逆的に変化する材料からなる光学情報記録媒体を、前記基板側からレーザ光を照射して初期化する方法であって、
第1の情報層を初期化する波長λ 1 のレーザ光に対し、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率がR 1 (1 前 ) 、
第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率がR 1 (2 前 ) であり、
前記R 1 ( 1前 ) は、前記基板上に、前記第1の情報層および前記第2の情報層が存在する領域では、前記第1の情報層へのフォーカス引き込みが困難である一方、前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域では、前記第1の情報層へのフォーカス引き込みが可能である反射率であり、
前記R 1 (2 前 ) は、前記基板上に、前記第1の情報層および前記第2の情報層が存在する領域では、前記第2の情報層へのフォーカス引き込みが可能である反射率であり、
前記基板上に、前記第1の情報層が存在し、前記第2の情報層が存在しない領域から、前記第1の情報層の初期化を開始し、
少なくとも、前記第1の情報層と前記第2の情報層とが形成されている領域においては、前記第2の情報層を初期化してから前記第1の情報層を初期化する、光学情報記録媒体の初期化方法。 - 第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、
前記R 1 (1 前 ) 、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の反射率R1(1後)、
前記R 1 (2 前 ) 、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)、
ならびに、
前記第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の第1の情報層の透過率T2(1前)、前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の透過率T2(1後)が、
R1(1前)<R1(1後)、R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、
R1(1前)<R1(2後)×[T1(1前)]2、およびT2(1前)>T2(1後)
の関係を満たす、請求項5に記載の光学情報記録媒体の初期化方法。 - 第1の情報層を初期化する波長λ1のレーザ光に対する、
前記R 1 (1 前 ) 、
前記第1の情報層を初期化した後の前記第1の情報層の反射率R1(1後)、
前記R 1 (2 前 ) 、
前記第2の情報層を初期化した後の前記第2の情報層の反射率R1(2後)、および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T1(1前)、
ならびに、
前記第2の情報層を初期化する波長λ2のレーザ光に対する、
前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の反射率R2(1前)、
前記第2の情報層を初期化する前の前記第2の情報層の反射率R2(2前)、および前記第1の情報層を初期化する前の前記第1の情報層の透過率T2(1前)が、
R1(1前)<R1(1後)、R1(1前)<R1(2前)×[T1(1前)]2、
R1(1前)<R1(2後)×[T1(1前)]2、R1(2前)>R1(2後)、および
R2(1前)<R2(2前)×[T2(1前)]2
の関係を満たす、請求項5に記載の光学情報記録媒体の初期化方法。 - 第1の情報層を初期化するレーザ光の波長λ1と第2の情報層を初期化するレーザ光の波長λ2が等しい、請求項5に記載の光学情報記録媒体の初期化方法。
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