JP2003091873A - 光学的情報記録媒体およびそれを用いた記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高い線速度でも信頼性よく情報の記録が可能
な光学的情報記録媒体およびそれを用いた記録方法を提
供する。 【解決手段】 第１の基板１１と、第１の基板１１に平
行に配置された第２の基板１２と、第１の基板１１と第
２の基板１２との間に配置された情報層２０とを備え、
情報層２０は、記録層２２と、記録層２２との距離が２
０ｎｍ以下となるように配置された誘電体層（下側誘電
体層２１／上側誘電体層２３）とを含む。記録層２２
は、第１の基板１１側から入射するレーザビーム１４の
照射によって、光学的に識別可能な２つ以上の異なる状
態間で変化する層であり、誘電体層はＺｎＳとＳｉとを
主成分として含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的情報記録媒
体およびそれを用いた記録方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、基板上に形成したカルコゲン
材料からなる薄膜にレーザビームを照射することによっ
て、非晶質相と結晶相との間で相変化させることが可能
であることが知られている。そして、この現象を応用し
た、いわゆる相変化方式の光学的情報記録媒体の研究開
発が盛んに行われている。

【０００３】相変化方式の記録媒体においては、記録レ
ベルと消去レベルの２つのパワーレベル間で出力を変調
させたレーザビームを記録媒体の情報トラックに照射す
ることによって、古い信号を消去しつつ、同時に新しい
信号を記録することが可能である。

【０００４】一般的に、こういった記録媒体では、情報
を記録するための情報層として、相変化する記録層だけ
ではなく記録層以外の層を含む多層膜が用いられる。た
とえば、誘電体材料からなる保護層または金属からなる
反射層を含む多層膜が情報層として用いられる。

【０００５】誘電体材料からなる保護層は、 １）外部からの機械的なダメージから記録層を保護する
働き、 ２）信号の書き換えを繰り返し行なった場合に起きる熱
的なダメージを低減して書き換え可能な回数を高める働
き、 ３）多重反射による干渉効果を利用して光学的特性の変
化をエンハンスする働き、 ４）外気からの影響による化学的な変化を防止する働
き、といった働きを有する。

【０００６】このような働きを達成する保護層の材料と
して、従来から、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ ₂、ＳｉＯ₂といった
酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄やＡｌＮといった窒化物、Ｓｉ−Ｏ−
Ｎといった酸窒化物（特開平３−１０４０３８号公報参
照）、ＺｎＳといった硫化物、ＳｉＣといった炭化物が
提案されている。また、保護層の材料として、ＺｎＳと
ＳｉＯ₂との混合物であるＺｎＳ−ＳｉＯ₂（特開昭６３
−１０３４５３号公報）も提案されている。これらの材
料の中で、商品化されている相変化光ディスクには、Ｚ
ｎＳ−ＳｉＯ₂が用いられている。

【０００７】ＺｎＳ−ＳｉＯ₂が用いられてきた理由の
１つは、これが誘電体の中では熱伝導率が小さく、記録
を行う際に生じる熱拡散を抑制できるので記録感度を高
くできることである。また、他の理由の１つは、この材
料は内部応力が小さいので、厚い層を形成しても割れが
生じにくく且つ記録層との接着性が高いことである。

【０００８】光学的情報記録媒体では、照射するレーザ
ビームの波長を短くすることによって記録密度を増やす
ことができる。また、レーザビームを集光する対物レン
ズの開口数を大きくすることによってレーザビームのス
ポット径を小さくし、記録密度を増やすことができる。
また、レーザビーム案内用の溝（グルーブ）および溝間
（ランド）の両方に情報を記録することによっても記録
密度を増やすことができる。さらに、複数の記録層を用
いることによっても記録密度を増やすことができる。複
数の記録層を備える記録媒体およびその記録・再生方法
については、すでに開示されている（特開平９−２１２
９１７号公報、ＷＯ９６／３１８７５公報、特開２００
０−３６１３０号公報）。また、複数の記録層から１つ
の記録層を選択して記録・再生を行うための層認識手段
および層切り替え手段が開示されている（ＷＯ９６／３
１８７５公報参照）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】光学的情報記録媒体で
は、記録・再生用の光源として汎用のレーザダイオード
を用いるのが一般的であるため、限られたレーザ出力の
範囲内で記録を行う必要がある。そのため、上述したよ
うに、記録層に隣接する誘電体層の材料として、従来か
らＺｎＳ−ＳｉＯ₂が用いられてきた。

【００１０】しかしながら、大容量の情報を短時間で記
録・再生するために、より高い線速度での記録・再生が
求められている。線速度が高くなるほど単位面積あたり
のレーザ照射時間が短くなるため、記録層の記録感度を
向上させることが必要である。特に、複数の記録層を備
える記録媒体の場合において、レーザの入射面から最も
遠い位置に配置された記録層の記録感度を向上させるこ
とは特に重要である。この点で、従来から用いられてき
たＺｎＳ−ＳｉＯ₂に代わる材料が求められている。記
録層の記録感度を向上させるためには、従来の誘電体よ
りも熱伝導率が低い誘電体からなる保護層を用いること
が必要となる。

【００１１】また、熱伝導率が低い誘電体からなる保護
層は、記録時の熱拡散によって隣接トラックのマークの
一部を消去してしまう現象（いわゆるクロス消去）を抑
制する効果もあり、高密度化のために好ましい。

【００１２】このような状況に鑑み、本発明は、高い線
速度でも信頼性よく情報の記録が可能な光学的情報記録
媒体、その製造方法、およびその記録・再生方法を提供
することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光学的情報記録媒体は、第１の基板と、前
記第１の基板に平行に配置された第２の基板と、前記第
１の基板と前記第２の基板との間に配置された情報層Ａ
とを備える光学的情報記録媒体であって、前記情報層Ａ
が、記録層と、前記記録層との距離が２０ｎｍ以下とな
るように配置された誘電体層とを含み、前記記録層は、
前記第１の基板側から入射する光ビームの照射によっ
て、光学的に識別可能な２つ以上の異なる状態間で変化
する層であり、前記誘電体層はＺｎＳとＳｉとを主成分
として含むことを特徴とする。本発明者らは、ＺｎＳ−
Ｓｉ（ＺｎＳとＳｉとの混合物）からなる誘電体層を用
いた記録媒体は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる誘電体層を
用いた記録媒体よりも低いレーザパワーで記録を行うこ
とができることを見出した。すなわち、ＺｎＳ−Ｓｉか
らなる誘電体層を用いることによって、記録感度が高い
記録媒体が得られる。さらに、ＺｎＳ−Ｓｉは熱的、化
学的および機械的に安定な材料である。さらに、ＺｎＳ
−Ｓｉは、スパッタリング法による成膜速度がＺｎＳ−
ＳｉＯ₂よりも大きいため、生産性の面からも好まし
い。

【００１４】上記記録媒体では、前記第１の基板と前記
第２の基板との間に配置された複数の情報層を備え、前
記複数の情報層のうち前記第２の基板に最も近い情報層
が前記情報層Ａであってもよい。

【００１５】上記記録媒体では、前記情報層Ａは、前記
記録層よりも前記第２の基板側に配置された反射層を含
んでもよい。

【００１６】上記記録媒体では、前記記録層が、光学的
に識別可能な２つ以上の異なる状態間で可逆的に変化し
てもよい。この場合、前記記録層が、ＴｅおよびＳｂを
含む合金からなるものでもよい。また、前記記録層が、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合
金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、またはＡｇ−Ｉｎ
−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなるものでもよい。ま
た、前記記録層がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金からなり、前
記合金がＧｅを３０原子％以上の含有率で含んでもよ
い。また、前記記録層がＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金
からなり、前記合金がＧｅとＳｎとを合計で３０原子％
以上の含有率で含んでもよい。また、前記記録層の厚さ
が３ｎｍ以上２０ｎｍ以下であってもよい。

【００１７】上記記録媒体では、前記記録層が、光学的
に識別可能な２つの異なる状態間で不可逆的に変化して
もよい。この場合、前記記録層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇ
ａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
Ｉｒ、Ｐｔ、ＡｕおよびＢｉからなる群より選ばれる少
なくとも１つの元素Ｍと、Ｔｅと、Ｏとからなるもので
もよい。この場合、前記記録層中の酸素の含有率が２５
原子％以上６０原子％以下であり、前記記録層中の前記
元素Ｍの含有率が１原子％以上３５原子％以下であって
もよい。また、前記記録層の厚さが５ｎｍ以上７０ｎｍ
以下であってもよい。

【００１８】また、本発明の記録方法は、光ビームの照
射によって光学的に識別可能な２つ以上の異なる状態間
で変化する記録層と、ＺｎＳとＳｉとを主成分とする誘
電体層とを含む情報層を備える光学的情報記録媒体の記
録方法であって、ＶＬ（ｍ／秒）の線速度で記録を行う
第１の領域と、ＶＬよりも大きいＶＨ（ｍ／秒）の線速
度で記録を行う第２の領域とにおいてそれぞれ長さが等
しい記録マークを形成する場合に、第１のパワーと前記
第１のパワーよりも小さい第２のパワーとの間で前記光
ビームを変調することによって記録を行い、前記第１領
域において前記第１のパワーの前記光ビームを照射する
時間ＴＬ（秒）と、前記第２の領域において前記第１の
パワーの前記光ビームを照射する時間ＴＨ（秒）と、前
記ＶＬと、前記ＶＨとが、ＴＬ・ＶＬ＜ＴＨ・ＶＨの関
係を満たすことを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態
では、同一の部分については同一の符号を付して重複す
る説明を省略する場合がある。

【００２０】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
光学的情報記録媒体の一例として、１つの情報層を備え
る記録媒体について説明する。実施形態１の光学的情報
記録媒体１０（以下、記録媒体１０という場合がある）
の一部断面図を図１に示す。

【００２１】記録媒体１０は、透明な第１の基板１１
と、第１の基板１１に平行に配置された第２の基板１２
と、第１の基板１１と第２の基板１２との間に配置され
た情報層２０（情報層Ａ）とを備える。記録媒体１０で
は、対物レンズ１３を通って第１の基板１１側から入射
するレーザビーム１４によって情報の記録および再生が
行われる。レーザビーム１４の波長は、たとえば３００
μｍ〜９００μｍの範囲内であり、高密度記録には、５
００μｍ以下であることが好ましい。

【００２２】情報層２０には情報が記録される。情報層
２０は、複数の層が積層された多層膜であり、第１の基
板１１側から順に配置された、下側誘電体層２１、記録
層２２、上側誘電体層２３および反射層２４を備える。
なお、「下側」とは、記録層２２よりも第１の基板１１
側の位置を意味する。

【００２３】情報層２０では、透明な第１の基板１１を
透過したレーザビーム１４によって情報の記録・再生が
行われる。したがって、第１の基板１１の材料は、レー
ザビーム１４の波長においてほぼ透明であることが好ま
しい。第１の基板１１の材料としては、たとえば、ポリ
カーボネイト樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性
樹脂、ガラス、あるいはこれらを組み合わせた材料を用
いることができる。第１の基板１１は、円板状であり、
その厚さは特に限定されないが、たとえば０．０１ｍｍ
〜１．５ｍｍの範囲内である。なお、第１の基板１１
は、上記の樹脂をスピンコート法などによって下側誘電
体層２１上に塗布したのち硬化させることによって形成
された基板であってもよい。

【００２４】記録層２２は、情報の書き換えが何度でも
可能な書換形、または、未記録の領域に１度だけ情報の
書き込みが可能な追記形の記録層である。記録層２２
は、第１の基板１１側から入射する光ビーム（通常レー
ザビーム）の照射によって、光学的に識別可能な２つ以
上の異なる状態間で変化する層である。

【００２５】記録層２２が書換形である場合、その材料
としては、ＴｅおよびＳｂを含む合金（カルコゲナイ
ド：chalcogenide）を用いることができる。たとえば、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合
金を用いることができる。また、Ｓｂ−Ｔｅの共晶組成
をベースとしてＩｎ、Ｇｅ、ＡｕまたはＡｇといった元
素を添加した合金（たとえばＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系
合金やＡｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金）を用いる
ことができる。これらの材料は、記録用のレーザビーム
１４の照射によって、結晶相と非晶質相との間で可逆的
に変化する。この場合、結晶状態の部分における反射率
と非晶質状態の部分における反射率とが異なるため、再
生用のレーザビーム１４を照射することによって両者を
識別できる。ここで、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金とは、Ｇ
ｅとＳｂとＴｅとをそれらの合計が９０原子％以上とな
るように含む合金を意味する。同様に、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ系合金とは、ＧｅとＳｎとＳｂとＴｅとをそれ
らの合計が９０原子％以上となるように含む合金を意味
する。他の合金についても同様である。

【００２６】これらの材料の中でも、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
系合金であってＧｅを３０原子％以上の含有率で含む合
金、またはＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金であってＧｅ
とＳｎとを合計で３０原子％以上の含有率で含む合金を
用いた場合には、結晶と非晶質との間の光学的なコント
ラストが大きくなり、大きなＣ／Ｎ比が得られる。一
方、これらの材料は融点が高くなって記録感度が不足し
やすい。したがって、これらの材料を用いる場合には、
ＺｎＳとＳｉとを主成分として含む誘電体層（後述）を
用いることによる効果が特に大きい。

【００２７】また、記録層２２が書換形である場合、熱
伝導率、光学定数、耐熱性および信頼性といった特性を
調整するために、Ｏ、Ｎ、Ｆ、Ｃ、ＳおよびＢからなる
群より選ばれる少なくとも１つの元素を記録層２２の材
料に添加してもよい。これらの元素は、記録層２２全体
の１０原子％以下となるように添加される。

【００２８】記録層２２が書換形の場合、その厚さを３
ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることによって十分なＣ／Ｎ
比（Ｃａｒｒｉｅｒ ｔｏ Ｎｏｉｓｅ比）を得ること
ができる。記録層２２の厚さが３ｎｍ以上である場合に
は、十分な反射率および反射率変化が得られるため、十
分なＣ／Ｎ比が得られる。また、記録層の厚さが２０ｎ
ｍ以下である場合には、記録層２２の層内における熱拡
散が大きくなりすぎることを防止でき、その結果高密度
記録におけるＣ／Ｎ比が低くなることを防止できる。

【００２９】記録層２２が、追記形である場合には、Ａ
ｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、
Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＡｕおよびＢｉからなる群よ
り選ばれる少なくとも１つの元素Ｍと、Ｔｅと、Ｏ（酸
素）とからなる記録層を用いることができる。たとえ
ば、Ｔｅ−Ｏ−ＰｄやＴｅ−Ｏ−Ａｕといった材料から
なる記録層２２を用いることができる。これらの材料か
らなる記録層２２は、記録用のレーザビーム１４を照射
することによって、非晶質相から結晶相へ不可逆的に変
化する。これらの２つの状態は、再生用のレーザビーム
１４を照射することによって識別できる。なお、元素Ｍ
としては、ＰｄまたはＡｕを用いることが、十分な結晶
化速度および高い環境信頼性が得られる面から特に好ま
しい。

【００３０】追記形の記録層２２の材料は、酸素の含有
率が２５原子％以上６０原子％以下であり、元素Ｍの含
有率が１原子％以上３５原子％以下であることが好まし
い。酸素および元素Ｍの含有率をこの範囲とすることに
よって、十分なＣ／Ｎ比が得られる。記録層２２中の酸
素の含有率を２５原子％以上とすることによって、記録
層２２の熱伝導率が高すぎるために記録マークが大きく
なりすぎることを防止できる。また、記録層２２中の酸
素の含有率を６０原子％以下とすることによって、記録
層２２の熱伝導率が低くなりすぎるために記録パワーを
上げても記録マークが十分大きくならないことを防止で
きる。その結果、良好なＣ／Ｎ比が得られる。記録層２
２中の元素Ｍの含有率を１％以上とすることによって、
レーザビーム照射時にＴｅの結晶成長を促進する働きが
十分に発揮される。その結果、記録層２２の結晶化速度
を良好な値とすることができ、記録マークを高速で形成
できる。また、記録層２２中の元素Ｍの含有率を３５原
子％以下とすることによって、非晶質と結晶との間の反
射率変化を大きくでき、十分なＣ／Ｎ比が得られる。

【００３１】また、記録層２２が追記形である場合、熱
伝導率、光学定数、耐熱性または環境信頼性といった特
性を向上させるために、Ｎ、Ｆ、Ｃ、ＳおよびＢからな
る群より選ばれる少なくとも１つの元素を記録層２２の
材料に添加してもよい。これらの元素は、記録層２２全
体の１０原子％以下となるように添加される。

【００３２】また、記録層２２が追記形である場合、そ
の厚さを５ｎｍ以上７０ｎｍ以下とすることによって、
十分なＣ／Ｎ比を得ることができる。記録層２２の厚さ
が５ｎｍ以上である場合には、十分な反射率および反射
率変化が得られる。また、記録層２２の厚さが７０ｎｍ
以下である場合には、記録層２２の層内における熱拡散
が大きくなりすぎることを防止でき、高密度記録におい
ても十分なＣ／Ｎ比が得られる。

【００３３】下側誘電体層２１および上側誘電体層２３
から選ばれる少なくとも１つの層は、ＺｎＳとＳｉとを
主成分として含む誘電体からなる。ここで、「主成分」
とは、ＺｎＳとＳｉとを合計で９０モル％以上の含有率
となるように含むことを意味する。この誘電体には、熱
伝導率、光学定数、耐熱性または環境信頼性といった特
性を向上させるために、他の元素、たとえばＯ、Ｎ、
Ｆ、Ｃ、ＳおよびＢからなる群より選ばれる少なくとも
１つの元素を添加してもよい。これらの元素の添加量
は、１０原子％以内であり好ましくは５原子％以内であ
る。また、添加する元素の添加量はＳｉの２倍（より好
ましくは１倍）を越えないことが好ましい。ＺｎＳとＳ
ｉとの混合比は特に限定されないが、ＺｎＳの含有率が
３０モル％以上９８モル％以下であることが好ましく、
５０モル％以上９５モル％以下であることが特に好まし
い。具体的には、モル比で（ＺｎＳ）：（Ｓｉ）：（添
加元素の合計）＝（１−ｘ−ｙ）：ｘ：ｙとすると、
０．０２≦ｘ≦０．７且つ０≦ｙ≦０．７ｘであること
が好ましく、０．０５≦ｘ≦０．５且つ０≦ｙ≦０．５
ｘであることが好ましい。

【００３４】下側誘電体層２１または上側誘電体層２３
のいずれか一方が上記誘電体で形成されない場合には、
誘電体層の材料として、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓ
ｂ、ＢｉまたはＴｅといった元素の酸化物を用いること
ができる。また、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎまた
はＰｂといった元素の窒化物を用いることもできる。ま
た、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷまたはＳ
ｉといった元素の炭化物を用いることもできる。また、
ＺｎまたはＣｄの硫化物、セレン化物またはテルル化物
を用いることもできる。また、ＭｇまたはＣａのフッ化
物を用いることもでき、Ｃ、ＳｉまたはＧｅの単体を用
いることもできる。また、これらの混合物からなる材料
を用いてもよい。より具体的には、たとえば、ＺｎＳと
ＳｉＯ₂との混合物を用いることができる。

【００３５】反射層２４は、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｚｎ
またはＣｒといった金属、あるいはこれらの合金で形成
できる。また、反射層２４として、屈折率が異なる複数
の誘電体層からなる多層膜を用いてもよい。

【００３６】第２の基板１２は、記録媒体１０の情報層
を保護する機能を有する。第２の基板１２は、第１の基
板１１の材料として説明した材料で形成できる。ただ
し、第１の基板１１の材料と第２の基板１２の材料とは
異なってもよい。また、第２の基板１２は、レーザビー
ム１４の波長において透明でなくてもよい。第２の基板
１２の厚さは特に限定されないが、たとえば０．０１ｍ
ｍ〜３．０ｍｍ程度である。

【００３７】図１では、記録層２２と誘電体層とが接し
ている記録媒体１０について説明した。しかし、記録層
２２と下側誘電体層２１との界面、および記録層２２と
上側誘電体層２３との界面から選ばれる少なくとも１つ
の界面に界面層が配置されてもよい。このような記録媒
体の一例として、記録媒体１０ａの一部断面図を図２に
示す。記録媒体１０ａの情報層２０ａでは、記録層２２
と下側誘電体層２１との間に界面層２５が配置されてお
り、記録層２２と上側誘電体層２３との間に界面層２６
が配置されている。これらの界面層は、たとえば、記録
層の結晶化を促進して消去特性を向上させる働きや、記
録層と誘電体層との間で原子が拡散することを防止する
ことによって繰り返し記録特性を向上させる働きを有す
る。これらの界面層は、記録層との剥離や腐食が生じな
いといった信頼性を備えている必要がある。このような
要件を満たす界面層の材料としては、結晶化を促進させ
る効果および原子の拡散を防止する効果が高い、Ｓｉや
Ｇｅの窒化物を用いることができる（特開平５−２１７
２１１号公報、ＷＯ９７／３４２９８公報参照）。

【００３８】なお、ＺｎＳとＳｉとを主成分として含む
誘電体層（下側誘電体層２１および／または上側誘電体
層２４）の効果を高めるため、誘電体層と記録層２２と
の距離は、２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以下）と
する必要がある。したがって、界面層の厚さは、０．５
ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることが好ましい。

【００３９】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
光学的情報記録媒体の一例として、複数の情報層を備え
る記録媒体について説明する。実施形態２の光学的情報
記録媒体１０ｂ（以下、記録媒体１０ｂという場合があ
る）の一部断面図を図３に示す。

【００４０】記録媒体１０ｂは、透明な第１の基板１１
と、第１の基板１１に平行に配置された第２の基板１２
と、情報層２０および３０と、分離層３５とを備える。
情報層３０、分離層３５および情報層２０は、第１の基
板１１側からこの順序で配置されている。記録媒体１０
ｂでは、対物レンズ１３を通って第１の基板１１側から
入射するレーザビーム１４によって情報の記録・再生が
行われる。

【００４１】情報層２０および３０には、それぞれ独立
に情報が記録される。情報層２０は、実施形態１で説明
した情報層２０と同じである。情報層３０は、第１の基
板１１側から順に配置された下側誘電体層３１、記録層
３２および上側誘電体層３３を備える。なお、情報層３
０は、さらに上側誘電体層３３と情報層２０との間に配
置された反射層を備えてもよい。この場合の反射層は、
情報層２０の記録・再生に必要な光を透過させるため
に、反射層２４よりも反射率を低くする。また、情報層
３０は、記録層３２と下側誘電体層３１との界面、およ
び、記録層３２と上側誘電体層３３との界面から選ばれ
る少なくとも１つの界面に配置された界面層を備えても
よい。

【００４２】情報層３０は、書換形、追記形または再生
専用形のいずれであってもよい。情報層３０の各層は、
それぞれ情報層２０中の対応する層と同様の材料で形成
できる。ただし、情報層２０の記録・再生に必要な光を
透過させるために、情報層３０の透過率は３０％以上で
あることがある好ましい。この点を考慮し、情報層３０
の各層の材料および厚さが設定される。

【００４３】分離層３５は、たとえば紫外線硬化性樹脂
で形成できる。分離層３５の厚さは、情報層２０または
３０のいずれか一方を再生する際に、他方からのクロス
トークが小さくなるように調整する必要がある。このた
め、分離層３５の厚さは、対物レンズ１３の開口数ＮＡ
とレーザビーム１４の波長λによって決定される焦点深
度ΔＺ以上であることが必要である。焦点深度ΔＺは、
集光点の強度が無収差の８０％を基準としたならば、一
般的にΔＺ＝λ／｛２（ＮＡ）²｝と近似できる。たと
えば、λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５の場合はΔＺ＝
０．４７９μｍとなる。したがって、±０．５μｍ以内
は焦点深度内となってしまうので、この光学系を用いた
場合、分離層３５の厚さは１．０μｍよりも大きく設定
される。また、分離層３５の厚さは、情報層２０および
３０の２つの情報層における高密度な情報の記録・再生
を可能にできるような厚さに設定されることが好まし
い。そのため、分離層３５の厚さは、２つの記録層の距
離が対物レンズ１３を用いて集光可能な範囲内となるよ
うに設定される必要がある。

【００４４】図３には、２つの情報層を備える記録媒体
を示した。しかし、本発明の情報記録媒体は、第１の基
板１１と第２の基板１２との間に３つ以上の情報層を備
えてもよい。この場合、複数の情報層のうち、第２の基
板１２に最も近い情報層に、上述した情報層２０を用い
る。他の情報層は、情報層２０と同じ構成であっても異
なる構成であってもよい。

【００４５】また、上記の記録媒体を２枚用意し、それ
ぞれの第２の基板１２を対向させて貼りあわせることに
よって、媒体１枚あたりに蓄積できる情報量をさらに２
倍にすることができる。

【００４６】以下に、実施形態１および２で説明した光
学的情報記録媒体の製造方法について説明する。

【００４７】記録媒体の情報層を構成する各層（分離層
３５を除く）は、たとえば真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor
Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）
法といった一般的な気相堆積法（Vapor Phase Depositi
on Method）によって形成できる。また、分離層３５
は、たとえば、紫外線硬化性樹脂をスピンコート法によ
って塗布して、紫外線を照射することによって樹脂を硬
化させることによって形成できる。また、粘着性のシー
トを貼り付けるといった方法によっても分離層３５を形
成できる。

【００４８】本発明の製造方法では、ＺｎＳとＳｉとを
主成分とする誘電体層（下側誘電体層２１および／また
は上側誘電体層２３）をスパッタリング法によって形成
する。具体的には、ＺｎＳの粉末とＳｉの粉末とを含む
ターゲットを、不活性ガスを流したスパッタリング装置
中（不活性ガス雰囲気中）でスパッタリングすることに
よって誘電体層を形成する。不活性ガスには、たとえば
ＡｒガスやＫｒガスを用いることができる。

【００４９】記録媒体は、第１の基板１１上に上記の各
層を積層したのち、情報層の上に第２の基板１２を形成
または貼り合わせることによって形成できる。また、記
録媒体は、第２の基板１２上に上記の各層を積層したの
ち、情報層の上に第１の基板１１を形成または貼り合わ
せることによって形成できる。後者の方法は、第１の基
板１１が薄い（０．４ｍｍ以下）場合に適している。後
者の方法において、第２の基板１２および分離層３５に
凹凸パターン（たとえばレーザビーム案内用の溝（groo
ve）やアドレスピット）を形成する場合には、あらかじ
め凹凸パターンが形成された第２の基板１２および分離
層３５を用いる必要がある。このような凹凸パターン
は、インジェクション法を用いて、凹凸パターンが形成
されたスタンパの形状を転写することによって形成でき
る。また、形成する基板や分離層が薄いためにインジェ
クション法によって形成することが困難な場合には、２
Ｐ法（photo-polymerization法）を用いることができ
る。

【００５０】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
記録方法について説明する。この記録方法は、書換形お
よび追記形のいずれの光記録媒体にも適用できる。

【００５１】本発明の記録方法に用いられる記録・再生
装置の一例の構成を図４に模式的に示す。図４の記録・
再生装置４０は、レーザダイオード４１と、ハーフミラ
ー４２と、モータ４３と、フォトディテクター４４と、
対物レンズ１３とを備える。記録・再生装置４０によっ
て、記録媒体４５の記録・再生が行われる。記録媒体４
５は、モータ４３によって回転される。記録媒体４５
は、実施形態１または２で説明した本発明の光学的情報
記録媒体である。

【００５２】レーザダイオード４１から出射されたレー
ザビーム１４は、ハーフミラー４２および対物レンズ１
３を透過し、記録媒体４５にフォーカシングされる。特
定のパワーのレーザビーム１４を記録媒体４５に照射す
ることによって、情報の記録が行われる。また、特定の
パワーのレーザビーム１４を記録媒体４５に照射し、そ
の反射光をフォトディテクター４４で検出することによ
って、情報の再生が行われる。

【００５３】情報信号の記録、すなわち記録マークの形
成を行う場合には、通常、レーザビーム１４の強度を複
数のパワーレベル間で変調する。レーザ強度の変調は、
レーザダイオード４１の駆動電流を変調することによっ
て簡単に行うことができる。また、電気光学変調器や音
響光学変調器などの手段を用いてレーザ強度を変調する
ことも可能である。

【００５４】記録マークは、ピークパワーＰ１の単一矩
形パルスのレーザビームを記録層に照射することによっ
て形成できる。しかし、長い記録マークを形成する場合
は、過熱を防いで記録マーク幅を均一にするために、変
調された複数のレーザパルスの列からなる記録パルス列
を用いることが好ましい。そのような記録パルス列の一
例を図５に示す。図５の横軸は、時間を示し、縦軸はレ
ーザビームのパワーを示す。このパルス列では、まず、
ピークパワーＰ１のレーザパルスと、ボトムパワーＰ３
（Ｐ３＜Ｐ１）のレーザパルスとを交互に照射すること
によって、記録層の一部を変化させて記録マークを形成
する。また、パルス列の最後尾には、図５に示すよう
に、冷却パワーＰ４（Ｐ４＜Ｐ３）を照射する冷却区間
を設けてもよい。記録マークを形成しない部分には、パ
ワーがバイアスパワーＰ２（Ｐ２＜Ｐ１）で一定に保た
れたレーザビームを照射する。

【００５５】光学的情報記録媒体の記録・再生方法で
は、異なる線速で記録・再生を行う場合がある。ここ
で、ＶＬ（ｍ／秒）の線速で記録を行う第１の領域と、
ＶＬよりも大きいＶＨ（ｍ／秒）の線速で記録を行う第
２の領域とにおける記録について説明する。情報の記録
は、ピークパワーＰ１（第１のパワー）と、Ｐ１よりも
小さいボトムパワーＰ３（第２のパワー）との間で照射
するレーザビーム１４を変調することによって行う。第
１の領域および第２の領域で、それぞれ長さが等しい記
録マークを形成すると仮定した場合、第１の領域におい
てはピークパワーＰ１のレーザビーム１４をＴＬ（秒）
だけ照射し、第２の領域においては、ピークパワーＰ１
のレーザビーム１４をＴＨ（秒）だけ照射する。このと
き、ＴＬ・ＶＬ＜ＴＨ・ＶＨの関係を満たすようにＶ
Ｌ、ＶＨ、ＴＬおよびＴＨの値を決定する。線速が高く
なるほど、記録マーク間の熱干渉が小さくなるため、Ｔ
Ｌ・ＶＬの値とＴＨ・ＶＨの値とを等しくしてしまうと
線速が高い第１の領域における記録マークが小さくなっ
てしまう。したがって、異なる線速で記録してもマーク
エッジの位置が揃うように、ＴＨ・ＶＨをＴＬ・ＶＬよ
りも適度に大きくする必要がある。

【００５６】ここで、記録マークの長さやその前後のス
ペースの長さ、隣接する記録マークの長さなどで決まる
記録パターンが異なることによって、マークエッジ位置
に不揃いが生じ、ジッタ増大の原因となることがある。
本発明の記録・再生方法では、マークエッジ位置の不揃
いを防止してジッタを改善するために、上記パルス列の
各パルスの位置または長さをパターン毎にエッジ位置が
揃うように調整し、補償することができる。

【００５７】こうして記録された情報信号を再生する場
合には、パワーレベルＰｒ（Ｐｒ＜Ｐ１）の連続光を記
録媒体に照射し、その反射光をフォトディテクター４４
で検出し、反射光量の変化を再生信号として出力する。

【００５８】また、図３に示したような複数の情報層を
備える記録媒体に情報を記録・再生する場合、複数の情
報層のうちの１つを選択して情報を記録・再生すること
が必要になる。そのためには、各情報層を認識する手段
と、記録・再生する情報層を切り替える手段などが必要
である。このような手段は、たとえばＷＯ９６／３１８
７５公報に記載されている。また、このような手段は、
既に商品化されている再生専用ＤＶＤの再生装置などに
も搭載されており、これらの公知の手段を用いることが
できる。

【００５９】

【実施例】以下、実施例によって本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。

【００６０】（実施例１）実施例１では、ＺｎＳ−Ｓｉ
誘電体層を用いた本発明の光ディスクと、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂誘電体層を用いた光ディスクとを、記録感度の観点
から比較した一例について説明する。作製した光ディス
クは、グルーブの部分の記録層において非晶質の部分を
結晶化することによって記録を行う光ディスクであり、
追記形の光ディスクである。

【００６１】以下に、光ディスクの作製方法について説
明する。透明基板（第１の基板１１）には、片面にグル
ーブ（ピッチ：０．７４μｍ、深さ：約４０ｎｍ）が形
成された、ポリカーボネイト樹脂からなる基板（直径：
約１２ｃｍ、厚さ：約０．６ｍｍ）を用いた。

【００６２】この透明基板のグルーブが形成された側
に、ＺｎＳ−Ｓｉからなる下側誘電体層（厚さ：約８０
ｎｍ）、Ｔｅ−Ｏ−Ｐｄからなる記録層（厚さ：約５０
ｎｍ）、ＺｎＳ−Ｓｉからなる上側誘電体層（厚さ：約
１４０ｎｍ）、およびＡｌ−Ｃｒからなる反射層（厚
さ：約８０ｎｍ）をこの順序で積層した。

【００６３】これらの各層は、直径１００ｍｍで厚さ６
ｍｍ程度のターゲットを用いたスパッタリング法で形成
した。下側誘電体層および上側誘電体層は、ＺｎＳ−Ｓ
ｉ（モル比８０：２０）のターゲットを用いて形成し
た。記録層は、Ｔｅ−Ｐｄ（原子数比９０：１０）のタ
ーゲットを用いて形成した。反射層は、Ａｌ−Ｃｒ（原
子数比９８：２）のターゲットを用いて形成した。下誘
電体層および上誘電体層はＲＦ電源（印加パワー：５０
０Ｗ）で形成し、記録層はＤＣ電源（印加パワー：１０
０Ｗ）で形成し、反射層はＤＣ電源（印加パワー：５０
０Ｗ）で形成した。記録層は、ＡｒとＯ₂との混合ガス
（流量比４５：５５）の雰囲気中（ガス圧：約０．２Ｐ
ａ）で形成した。下側誘電体層、上側誘電体層および反
射層は、Ａｒガス雰囲気中（ガス圧：約０．２Ｐａ）で
形成した。

【００６４】こうして形成された情報層上に、紫外線硬
化性樹脂を挟んでダミー基板（第２の基板１２）を貼り
合わせたのち、紫外線を照射して樹脂を硬化させた。さ
らに、このディスクを９０℃で約２時間アニールした。
このようにして、本発明の光ディスク（以下、ディスク
Ａという）を作製した。

【００６５】一方、下側誘電体層および／または上側誘
電体層を、ＺｎＳ−Ｓｉに代えてＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形
成したことを除いて、ディスクＡと同様に光ディスクを
作製した。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる誘電体層は、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂（モル比８０：２０）のターゲットを用い
たスパッタリング法によって形成した。下側誘電体層の
みをＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形成した光ディスクをディスク
Ｂとする。上側誘電体層のみをＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形成
した光ディスクをディスクＣとする。下側誘電体層およ
び上側誘電体層の両方をＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形成した光
ディスクをディスクＤとする。なお、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂
からなる誘電体層の厚さは、材料を変えてもその光学的
特性がほとんど変わらないようにするため、ＺｎＳ−Ｓ
ｉからなる誘電体層と光路長が同じになるように設定し
た。

【００６６】上記ディスクのうち記録層が非晶質状態で
ある部分（未記録部分）の反射率を分光器を用いて測定
したところ、ディスクＡ、Ｂ、ＣおよびＤともに約２７
％であった。

【００６７】上記ディスクのグルーブに対し、開口数Ｎ
Ａ＝０．６のレンズで集光した波長６６０ｎｍのレーザ
ビームを照射することによって、４．３ＭＨｚの単一信
号を記録した。記録は、ディスクを線速３．５ｍ／秒で
回転させながら行った。記録に用いたレーザビームとし
ては、ピークパワーＰ１とバイアスパワーＰ２との間で
変調された単一の矩形パルス（パルス幅：３８．６ｎ
ｓ）を用いた。バイアスパワーＰ２は１．０ｍＷとし、
再生パワーＰｒも１．０ｍＷとした。この条件で、ピー
クパワーＰ１を変化させて未記録のトラックに１回だけ
記録を行い、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナラ
イザーで測定した。各ディスクについて、Ｃ／Ｎ比が最
大となるピークパワーＰ１Ｍを（表１）に示す。

【００６８】

【表１】

【００６９】Ｃ／Ｎ比が最大となるピークパワーＰ１Ｍ
が小さいほど、記録感度が高いことを意味する。表１に
示すように、ディスクＡ、Ｂ、ＣおよびＤのＣ／Ｎ比が
最大となるピークパワーＰ１Ｍは、それぞれ４．０ｍ
Ｗ、４．５ｍＷ、５．０ｍＷおよび６．０ｍＷであっ
た。なお、いずれのディスクにおいても、Ｃ／Ｎ比の最
大値は約５４ｄＢであった。

【００７０】このように、追記形記録媒体のグルーブに
おける結晶化記録を行った実施例１では、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂誘電体層に代えてＺｎＳ−Ｓｉ誘電体層を用いるこ
とによって、感度の高い光学的情報記録媒体が得られ
た。

【００７１】（実施例２）実施例２では、ＺｎＳ−Ｓｉ
誘電体層を用いた本発明の光ディスクと、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂誘電体層を用いた光ディスクとを、記録感度の観点
から比較した他の一例について説明する。作製した光デ
ィスクは、グルーブおよびランド（隣接する２つのグル
ーブの間の平坦部）の部分において、結晶相である記録
層の一部を非晶質化することによって記録を行う光ディ
スクであり、書換形の光ディスクである。

【００７２】透明基板（第１の基板１１）には、片面に
グルーブ（グルーブ幅：０．７４μｍ、ランド幅：０．
７４μｍ、深さ：約７０ｎｍ）が形成された、ポリカー
ボネイト樹脂からなる基板（直径：約１２ｃｍ、厚さ：
約０．６ｍｍ）を用いた。

【００７３】この透明基板のグルーブが形成された側
に、ＺｎＳ−Ｓｉからなる下側誘電体層（厚さ：約１２
０ｎｍ）、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる記録層（厚さ：約
１５ｎｍ）、ＺｎＳ−Ｓｉからなる上側誘電体層（厚
さ：約３０ｎｍ）、Ａｌ−Ｃｒからなる反射層（膜厚：
約１００ｎｍ）をこの順に積層した。これらの層は、直
径１００ｍｍで厚さ６ｍｍ程度のターゲットを用いたス
パッタリング法で形成した。下側誘電体層および上側誘
電体層は、ＺｎＳ−Ｓｉ（モル比８０：２０）のターゲ
ットを用いて形成した。記録層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ
（原子数比２２：２３：５５）のターゲットを用いて形
成した。反射層は、Ａｌ−Ｃｒ（原子数比９８：２）の
ターゲットを用いて形成した。下誘電体層および上誘電
体層はＲＦ電源（印加パワー：５００Ｗ）で形成し、記
録層はＤＣ電源（印加パワー：１００Ｗ）で形成し、反
射層はＤＣ電源（印加パワー：５００Ｗ）で形成した。
各層は、ガス圧を約０．２Ｐａに保った雰囲気中で形成
した。

【００７４】こうして形成された情報層上に、紫外線硬
化性樹脂を挟んでダミー基板を貼り合わせ、紫外線を照
射して樹脂を硬化させた。さらに、このディスクにレー
ザビームを照射することによって記録層の全面を結晶化
させた。このようにして、本発明の光ディスク（以下、
ディスクＥという）を作製した。

【００７５】一方、下側誘電体層および／または上側誘
電体層を、ＺｎＳ−Ｓｉに代えてＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形
成したことを除いて、ディスクＥと同様に光ディスクを
作製した。ＺｎＳ−ＳｉＯ₂からなる誘電体層は、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ₂（モル比８０：２０）のターゲットを用い
たスパッタリング法によって形成した。下側誘電体層の
みをＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形成した光ディスクをディスク
Ｆとする。上側誘電体層のみをＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形成
した光ディスクをディスクＧとする。下側誘電体層およ
び上側誘電体層の両方をＺｎＳ−ＳｉＯ₂で形成した光
ディスクをディスクＨとする。なお、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂
からなる誘電体層の厚さは、材料を変えてもその光学的
特性がほとんど変わらないようにするため、ＺｎＳ−Ｓ
ｉからなる誘電体層と光路長が同じになるようにした。

【００７６】上記ディスクのうち記録層が結晶状態であ
る部分（未記録部分）の反射率を分光器を用いて測定し
たところ、ディスクＥ、Ｆ、ＧおよびＨともに約１８％
であった。

【００７７】上記ディスクのグルーブおよびランドに対
し、開口数ＮＡ＝０．６のレンズで集光した波長６６０
ｎｍのレーザビームを照射することによって、９．７Ｍ
Ｈｚおよび２．７ＭＨｚの単一信号を交互に記録した。
記録は、ディスクを線速６ｍ／秒で回転させながら行っ
た。記録に用いたレーザビームとしては、ピークパワー
Ｐ１とバイアスパワーＰ２との間で変調された矩形パル
スを用いた。９．７ＭＨｚの信号は、パルス幅２５．７
ｎｓの単一パルスを用いて記録した。また、２．７ＭＨ
ｚの信号は、先頭パルス（パルス幅：２５．７ｎｓ）と
これに続く８個のサブパルス（パルス幅およびパルス間
隔：８．６ｎｓ）とからなるパルス列を用いて記録し
た。いずれの信号の記録においても、Ｐ２は４．０ｍＷ
とし、再生パワーＰｒは１．０ｍＷとした。この条件
で、９．７ＭＨｚの信号５個と２．７ＭＨｚの信号５個
とを交互に未記録のトラックに記録した。その後、さら
にピークパワーＰ１を変化させて９．７ＭＨｚの信号を
記録し、その信号のＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザ
ーで測定した。各ディスクについて、Ｃ／Ｎ比が最大と
なるピークパワーＰ１Ｍを（表２）に示す。

【００７８】

【表２】

【００７９】表２に示すように、ディスクＥ、Ｆ、Ｇお
よびＨのＣ／Ｎ比が最大となるピークパワーＰ１Ｍは、
それぞれ９．０ｍＷ、９．５ｍＷ、１０．５ｍＷおよび
１２．０ｍＷであった。また、いずれのディスクにおい
ても、Ｃ／Ｎ比の最大値は約５５ｄＢであった。

【００８０】また、これらのディスクの環境信頼性を調
べるために、温度９０℃・湿度８０％ＲＨの環境下にこ
れらのディスクを５００時間放置した。その結果、いず
れのディスクも、光学特性、記録・再生特性ともに変化
はなく良好な耐湿性を示した。

【００８１】このように、書換形記録媒体のランドおよ
びグルーブにおける非晶質化記録を行った実施例２で
は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂誘電体層に代えてＺｎＳ−Ｓｉ誘
電体層を用いることによって、感度の高い光学的情報記
録媒体が得られた。

【００８２】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の光学的情
報記録媒体は記録感度が高い。そのため、本発明によれ
ば、高い線速度における記録、または複数の情報層に対
する記録において、信頼性よく記録が行える。また、本
発明は、本発明の光学的情報記録媒体の製造方法および
記録方法を提供する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光学的情報記録媒体の一例を示す一
部断面図である。

【図２】 本発明の光学的情報記録媒体の他の一例を示
す一部断面図である。

【図３】 本発明の光学的情報記録媒体のその他の一例
を示す一部断面図である。

【図４】 本発明の光学的情報記録媒体の記録・再生装
置について一例の構成を模式的に示す図である。

【図５】 本発明の光学的情報記録媒体に信号を記録す
るために用いられるレーザビームの波形の一例を示す図
である。

【符号の説明】

１０、１０ａ、１０ｂ、４５ 光学的情報記録媒体 １１ 第１の基板 １２ 第２の基板 １３ 対物レンズ １４ レーザビーム ２０、２０ａ、３０ 情報層 ２１、３１ 下側誘電体層 ２２、３２ 記録層 ２３、３３ 上側誘電体層 ２４ 反射層 ２５、２６ 界面層 ３５ 分離層 ４０ 記録・再生装置 ４１ レーザダイオード ４２ ハーフミラー ４３ モータ ４４ フォトディテクター

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/24 ５４１ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５４１ Ｂ４１Ｍ 5/26 7/0045 Ａ Ｇ１１Ｂ 7/0045 Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA33 FA12 FA21 FA23 FA27 FB04 FB05 FB06 FB09 FB10 FB12 FB16 FB17 FB21 FB22 FB23 FB25 FB30 5D029 JA01 JB13 JB18 JB35 LA15 LB07 RA00 5D090 AA01 BB05 BB12 CC02 CC14 DD01 EE01 FF09 FF11 FF21 GG11 KK04 KK05 KK20

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板と、前記第１の基板に平行に
   配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の
   基板との間に配置された情報層Ａとを備える光学的情報
   記録媒体であって、 前記情報層Ａが、記録層と、前記記録層との距離が２０
   ｎｍ以下となるように配置された誘電体層とを含み、 前記記録層は、前記第１の基板側から入射する光ビーム
   の照射によって、光学的に識別可能な２つ以上の異なる
   状態間で変化する層であり、 前記誘電体層はＺｎＳとＳｉとを主成分として含むこと
   を特徴とする光学的情報記録媒体。
2. 【請求項２】 前記第１の基板と前記第２の基板との間
   に配置された複数の情報層を備え、 前記複数の情報層のうち前記第２の基板に最も近い情報
   層が前記情報層Ａである請求項１に記載の情報記録媒
   体。
3. 【請求項３】 前記情報層Ａは、前記記録層よりも前記
   第２の基板側に配置された反射層を含む請求項１に記載
   の情報記録媒体。
4. 【請求項４】 前記記録層が、光学的に識別可能な２つ
   以上の異なる状態間で可逆的に変化する請求項１ないし
   ３のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
5. 【請求項５】 前記記録層が、ＴｅおよびＳｂを含む合
   金からなる請求項４に記載の光学的情報記録媒体。
6. 【請求項６】 前記記録層が、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合
   金、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ
   −Ｔｅ系合金、またはＡｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系
   合金からなる請求項４に記載の光学的情報記録媒体。
7. 【請求項７】 前記記録層がＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系合金か
   らなり、 前記合金がＧｅを３０原子％以上の含有率で含む請求項
   ４に記載の光学的情報記録媒体。
8. 【請求項８】 前記記録層がＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系
   合金からなり、 前記合金がＧｅとＳｎとを合計で３０原子％以上の含有
   率で含む請求項４に記載の光学的情報記録媒体。
9. 【請求項９】 前記記録層の厚さが３ｎｍ以上２０ｎｍ
   以下である請求項４ないし８のいずれかに記載の光学的
   情報記録媒体。
10. 【請求項１０】 前記記録層が、光学的に識別可能な２
    つの異なる状態間で不可逆的に変化する請求項１ないし
    ３のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
11. 【請求項１１】 前記記録層が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
    Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇ
    ａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａ
    ｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、
    Ｉｒ、Ｐｔ、ＡｕおよびＢｉからなる群より選ばれる少
    なくとも１つの元素Ｍと、Ｔｅと、Ｏとからなる請求項
    １０に記載の光学的情報記録媒体。
12. 【請求項１２】 前記記録層中の酸素の含有率が２５原
    子％以上６０原子％以下であり、前記記録層中の前記元
    素Ｍの含有率が１原子％以上３５原子％以下である請求
    項１１に記載の光学的情報記録媒体。
13. 【請求項１３】 前記記録層の厚さが５ｎｍ以上７０ｎ
    ｍ以下である請求項１２に記載の光学的情報記録媒体。
14. 【請求項１４】 光ビームの照射によって光学的に識別
    可能な２つ以上の異なる状態間で変化する記録層と、Ｚ
    ｎＳとＳｉとを主成分とする誘電体層とを含む情報層を
    備える光学的情報記録媒体の記録方法であって、 ＶＬ（ｍ／秒）の線速度で記録を行う第１の領域と、Ｖ
    Ｌよりも大きいＶＨ（ｍ／秒）の線速度で記録を行う第
    ２の領域とにおいてそれぞれ長さが等しい記録マークを
    形成する場合に、第１のパワーと前記第１のパワーより
    も小さい第２のパワーとの間で前記光ビームを変調する
    ことによって記録を行い、 前記第１領域において前記第１のパワーの前記光ビーム
    を照射する時間ＴＬ（秒）と、前記第２の領域において
    前記第１のパワーの前記光ビームを照射する時間ＴＨ
    （秒）と、前記ＶＬと、前記ＶＨとが、ＴＬ・ＶＬ＜Ｔ
    Ｈ・ＶＨの関係を満たすことを特徴とする光学的情報記
    録媒体の記録方法。