JP2001273673A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 長期保存後も記録・再生特性が安定な光記録
媒体およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１１と基板１１上に配置された記録
層１４とを備え、記録層１４が、光ビームの照射によっ
て結晶状態と非晶質状態との間で可逆的に相変化する相
変化層１４ｂと、相変化層１４ｂに隣接して配置され相
変化層１４ｂの結晶化を容易にする結晶核生成層１４ａ
とを含む。そして、相変化層１４ｂが結晶状態であり、
結晶核生成層１４ａが、Ｔｅを３３原子％以上６７原子
％以下の割合で含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光を照射すること
によって情報信号の記録・再生が可能な光記録媒体、お
よびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、カルコゲン材料からなる薄膜
にレーザ光を照射することによって、非晶質相（ａｍｏ
ｒｐｈｏｕｓ ｐｈａｓｅ）と結晶相（ｃｒｙｓｔａｌ
ｐｈａｓｅ）との間で薄膜を相変化させることができ
ることが知られている。そして、この現象を応用した、
いわゆる相変化方式の光記録媒体の開発が行われてき
た。

【０００３】相変化方式の光記録媒体では、相変化層
（記録層）の相変化を容易にする必要がある。このた
め、従来から、相変化層の結晶化を促進する材料からな
る層を相変化層に積層した光記録媒体が報告されている
（特開平５−３４２６２９号公報、特開平９−１６１３
１６号公報、特開平１１−７３６９２号公報、国際公開
番号ＷＯ９８／４７１４２号公報参照）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光記録媒体では以下のような問題があった。光記録媒体
では、マーク部分またはスペース部分のいずれか一方が
非晶質であり、通常はマーク部分が非晶質である。一般
に、非晶質にはいくつかの準安定なエネルギー状態が存
在し、非晶質を長期間または高温下で保存すると、非晶
質のエネルギー状態が保存前のエネルギー状態から変化
してしまう場合がある。そのため、最適な記録・再生条
件が保存前後で異なってしまい、同じ条件で記録・再生
を行っても保存前後で記録・再生特性が変化してしまう
ことがある。たとえば、記録層の非晶質部がより安定な
エネルギー状態に移ってしまった場合には、記録層が結
晶化しにくくなるため、情報信号のオーバーライト時に
おける消去率が低下してしまうことがある。

【０００５】上記課題を解決するため、本発明は、長期
保存後も記録・再生特性が安定な光記録媒体およびその
製造方法を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の光記録媒体は、基板と前記基板上に
配置された記録層とを備える光記録媒体であって、前記
記録層が、光ビームの照射によって結晶状態と非晶質状
態との間で可逆的に相変化する相変化層と、前記相変化
層に隣接して配置され前記相変化層の結晶化を容易にす
る結晶核生成層とを含み、前記相変化層が、非晶質状態
で成膜されたのち結晶化された層であり、前記結晶核生
成層が、Ｔｅを３３原子％以上６７原子％以下の割合で
含むことを特徴とする。上記第１の光記録媒体によれ
ば、長期保存後も記録・再生特性が安定な光記録媒体が
得られる。この光記録媒体は、本発明者らの実験によっ
て得られた新たな知見、すなわちＴｅを３３原子％以上
６７原子％以下の割合で含む結晶核生成層を用いること
によって、長期保存後の記録・再生特性が安定するとい
う知見に基づくものである。なお、この明細書でいう
「層」は、島状に形成された層も含む。

【０００７】また、上記目的を達成するため、本発明の
第２の光記録媒体は、第１の基板と、前記第１の基板に
対向するように配置された第２の基板と、前記第１およ
び第２の基板の間に配置された分離層と、前記第１の基
板と前記分離層との間に配置された第１の情報層と、前
記第２の基板と前記分離層との間に配置された第２の情
報層とを備える光記録媒体であって、前記第１および第
２の情報層から選ばれる少なくとも１つの層が記録層を
含み、前記記録層が、光ビームの照射によって結晶状態
と非晶質状態との間で可逆的に相変化する相変化層と、
前記相変化層に隣接して配置され前記相変化層の結晶化
を容易にする結晶核生成層とを含み、前記相変化層が、
非晶質状態で成膜されたのち結晶化された層であり、前
記結晶核生成層が、Ｔｅを３３原子％以上６７原子％以
下の割合で含むことを特徴とする。上記第２の光記録媒
体によれば、上記第１の光記録媒体と同様の効果が得ら
れるとともに、記録密度が特に高い光記録媒体が得られ
る。

【０００８】上記第１および第２の光記録媒体では、前
記結晶核生成層が、Ｓｎ−ＴｅおよびＰｂ−Ｔｅから選
ばれる少なくとも１つを含んでもよい。上記構成によれ
ば、長期保存後も記録・再生特性が特に安定な光記録媒
体が得られる。この光記録媒体は、本発明者らの実験に
よって得られた新たな知見、すなわちＳｎ−Ｔｅおよび
Ｐｂ−Ｔｅから選ばれる少なくとも１つを含む結晶核生
成層を用いることによって、長期保存後の記録・再生特
性が特に安定するという知見に基づくものである。な
お、「Ｓｎ−Ｔｅ」は、ＳｎとＴｅとの比に限定がな
く、上述したＴｅ含有量の範囲内であらゆる組成比のＳ
ｎＴｅを含む。同様に、「Ｐｂ−Ｔｅ」は、上述したＴ
ｅ含有量の範囲内であらゆる組成比のＰｂＴｅを含む。

【０００９】上記第１および第２の光記録媒体では、前
記相変化層が、ＧｅとＳｂとＴｅとを構成元素として含
み、前記相変化層中のＧｅとＳｂとＴｅとの原子数比
が、Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ｘ＋Ｙ＋
Ｚ＝１００、１０≦Ｘ≦４５、５≦Ｙ≦４０、４０≦Ｚ
≦６０）であってもよい。上記構成によれば、Ｃ／Ｎ比
および消去率が特に高い光記録媒体が得られる。

【００１０】上記第１および第２の光記録媒体では、前
記結晶核生成層が、酸素および窒素から選ばれる少なく
とも１つの元素を含んでもよい。

【００１１】上記第１および第２の光記録媒体では、前
記結晶核生成層の消衰係数が、０．５以上２．０以下で
あってもよい。上記構成によれば、特性のバランスがよ
い光記録媒体が得られる。

【００１２】上記第１および第２の光記録媒体では、前
記相変化層の平均層厚が、４ｎｍ以上１４ｎｍ以下であ
ってもよい。平均層厚を４ｎｍ以上とすることによっ
て、相変化層が結晶化しにくくなることを防止できる。
また、平均層厚を１４ｎｍ以下とすることによって、長
期保存後も安定して高い消去率が得られる。

【００１３】また、上記目的を達成するため、本発明の
光記録媒体の製造方法は、相変化層と前記相変化層に隣
接して配置された結晶核生成層とを含む記録層を備える
光記録媒体の製造方法であって、（ａ）前記相変化層を
非晶質状態となるように成膜する工程と、（ｂ）前記
（ａ）の工程の前または後に、前記結晶核生成層を形成
する工程と、（ｃ）前記（ａ）および（ｂ）の工程のの
ちに、非晶質状態の前記相変化層に光ビームを照射して
前記相変化層を結晶化する工程とを含み、前記相変化層
が、光ビームの照射によって結晶状態と非晶質状態との
間で可逆的に相変化する層であり、前記結晶核生成層
が、前記相変化層の結晶化を容易にする層であり且つＴ
ｅを３３原子％以上６７原子％以下の割合で含むことを
特徴とする。上記製造方法によれば、長期保存後も記録
・再生特性が安定な光記録媒体を製造できる。

【００１４】上記製造方法では、前記結晶核生成層が、
Ｓｎ−ＴｅおよびＰｂ−Ｔｅから選ばれる少なくとも１
つを含んでもよい。

【００１５】上記製造方法では、前記相変化層が、Ｇｅ
とＳｂとＴｅとを構成元素として含み、前記相変化層中
のＧｅとＳｂとＴｅとの原子数比が、Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ
＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００、１０≦Ｘ
≦４５、５≦Ｙ≦４０、４０≦Ｚ≦６０）であってもよ
い。

【００１６】上記製造方法では、前記（ｂ）の工程は、
酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つ元素を含む
雰囲気中で前記結晶核生成層を形成する工程を含み、前
記（ｃ）の工程は、前記結晶核生成層から前記元素を離
脱させる工程を含んでもよい。上記構成によれば、結晶
核生成層を非晶質状態で形成しやすくなり、相変化層を
非晶質状態で形成しやすくなる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら一例を説明する。

【００１８】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
光記録媒体について一例を説明する。実施形態１の光記
録媒体１０について、一部断面図を図１に示す。

【００１９】図１を参照して、光記録媒体１０は、基板
１１と、基板１１上に順に積層された下側保護層１２、
下側界面層１３、記録層１４、上側界面層１５、上側保
護層１６、光吸収補正層１７、反射層１８およびオーバ
ーコート層１９とを備える。光記録媒体１０は、図１の
矢印の方向から、記録・再生用のレーザ光Ｌを照射する
ことによって、情報信号の記録・再生を行う。

【００２０】基板１１は、円板状の透明な基板である。
基板１１の材料としては、たとえば、ポリカーボネイト
樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリオレフィン
樹脂、ノルボルネン系樹脂、紫外線硬化性樹脂、または
ガラスを用いることができる。基板１１の厚さは、特に
限定はないが、たとえば、０．０５ｍｍ〜２．０ｍｍ程
度である。また、基板１１の表面のうち記録層１４側の
表面には、トラッキング制御用のスパイラル状または同
心円状の溝が形成されていてもよい。

【００２１】記録層１４は、基板側から順に積層された
結晶核生成層１４ａおよび相変化層１４ｂを備える。

【００２２】相変化層１４ｂは、レーザ光の照射によっ
て結晶相と非晶質相との間で可逆的に相変化する層であ
る。相変化層１４ｂは、レーザ光を照射することによっ
てその光学定数（屈折率ｎ、消衰係数ｋ）が変化する材
料を用いて形成できる。たとえば、相変化層１４ｂの材
料として、ＴｅやＳｅをベースとするカルコゲナイドを
用いることができる。このようなカルコゲナイドとして
は、たとえば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｐｄ−
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓ
ｂ−Ｔｅ、Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｕ
−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｂｉ−Ｔｅ、Ｇｅ−
Ｓｂ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｔ
ｅ−Ａｕ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃｒ、Ｉｎ−Ｓｅ、Ｉｎ
−Ｓｅ−Ｃｏなどを主成分とする合金が挙げられる。ま
た、これらの合金に窒素や酸素などを添加した合金を用
いてもよい。特に、相変化層１４ｂが、ＧｅとＳｂとＴ
ｅとを構成元素として含むことが好ましく、たとえば、
Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが好ましい。この場合、相変化層１４
ｂ中のＧｅとＳｂとＴｅとの原子数比が、Ｇｅ：Ｓｂ：
Ｔｅ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１００、１０
≦Ｘ≦４５、５≦Ｙ≦４０、４０≦Ｚ≦６０）であるこ
とが特に好ましい。

【００２３】実施形態１の光記録媒体１０では、情報信
号の記録・再生を行う前の初期状態において、相変化層
１４ｂが結晶状態である。相変化層１４ｂは、非晶質状
態となるように成膜される。すなわち、相変化層１４ｂ
の成膜直後（いわゆるａｓ−ｄｅｐｏ）の状態は非晶質
状態であり、成膜後に初期化工程（光ビームの照射）に
よって結晶化される。

【００２４】相変化層１４ｂの平均層厚は、４ｎｍ以上
１４ｎｍ以下であることが好ましい。相変化層１４ｂが
薄すぎると、レーザ光の照射によって加熱された後の冷
却速度が大きくなりすぎて相変化層１４ｂが結晶化しに
くくなる場合があるが、結晶核生成層１４ａの平均層厚
を４ｎｍ以上とすることによって、そのような問題を回
避できる。また、相変化層１４ｂが厚くなりすぎると、
結晶核生成層１４ａの効果が相変化層１４ｂの層全体に
及ばない場合があるが、結晶核生成層１４ａの平均層厚
を１４ｎｍ以下とすることによって、そのような問題を
回避できる。

【００２５】結晶核生成層１４ａは、結晶核を生成する
ことによって、相変化層１４ｂが非晶質相から結晶相に
変化しやすくするための層である。すなわち、結晶核生
成層１４ａは、情報信号の書き込みまたは消去のため
に、非晶質状態である相変化層１４ｂにレーザ光を照射
して結晶化する際に、相変化層１４ｂの結晶化を促進す
る層である。

【００２６】結晶核生成層１４ａは、Ｔｅを３３原子％
以上６７原子％以下含む。具体的には、結晶核生成層１
４ａの材料として、ＮａＣｌ型の安定な結晶であるＳｎ
−Ｔｅ、Ｐｂ−Ｔｅ、またはこれらを含む材料を用いる
ことができる。

【００２７】結晶核生成層１４ａに、Ｓｎ−ＴｅやＰｂ
−Ｔｅを用いる場合、Ｔｅの含有量が化学量論組成比で
ある５０原子％から少しずれても、結晶核を生成する効
果は維持される。しかし、Ｔｅの含有量が化学量論組成
比から大きくずれると結晶構造が変わってしまい、所望
の効果が得られなくなる。このため、結晶核生成層１４
ａに含まれるＴｅは、３３原子％以上６７原子％である
ことが必要であり、特に４０原子％以上６０原子％以下
であることが好ましい。

【００２８】また、結晶核生成層１４ａの消衰係数は、
０．５以上２．０以下であることが好ましい。

【００２９】結晶核生成層１４ａを備える記録層１４で
は、相変化層１４ｂが結晶化しやすくなりすぎ、マーク
サイズが小さくなって信号振幅が低下してしまう可能性
がある。また、結晶核生成層１４ａを相変化層１４ｂよ
りも基板１１側に形成した場合、すなわち、結晶核生成
層１４ａを相変化層１４ｂの下地層として形成した場
合、相変化層１４ｂの一部または全部が、成膜の際に結
晶化してしまうことがある。この場合には、相変化層１
４ｂの結晶粒径が大きくなりすぎるか、あるいは不揃い
となってしまう。その結果、記録開始前後で結晶粒径に
差が生じてしまい、記録開始当初におけるノイズが大き
くなってＣ／Ｎ比が低下してしまう可能性がある。

【００３０】Ｃ／Ｎ比のそのような低下を防止するため
に、結晶核生成層１４ａが、相変化層１４ｂの融点より
も低い温度で離脱する元素を含むことが好ましい。具体
的には、結晶核生成層１４ａが、酸素および窒素から選
ばれる少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。こ
のような材料を用いた場合、結晶核生成層１４ａは、成
膜直後は非晶質状態であり、規則的な結晶構造を持たな
い。このことはＸ線回折パターンを観察することで容易
に確認できる。これにより、相変化層１４ｂが結晶化し
やすくなりすぎることを抑制し、信号振幅の低下を防ぐ
ことができる。また、結晶核生成層１４ａを相変化層１
４ｂの下地層として形成した場合も、相変化層１４ｂが
成膜時に結晶化することを防止できる。

【００３１】非晶質状態の相変化層１４ｂは、レーザ光
などを用いたアニールによって結晶化できる。その際、
レーザ光の照射条件などを最適化することによって結晶
粒径を調整することができる。その結果、結晶粒径の差
に起因するノイズを低減でき、Ｃ／Ｎ比の低下を防ぐこ
とができる。

【００３２】下側保護層１２および上側保護層１６は、
レーザ光Ｌの照射によって基板１１や記録層１４の熱的
損傷が生じてノイズが増加することを抑制するため、お
よび、レーザ光Ｌに対する反射率、吸収率および反射光
の位相を調整するために形成される。このため、下側保
護層１２および上側保護層１６は、物理的・化学的に安
定で、記録層１４の融点よりも融点および軟化温度が高
く、記録層１４の材料と固溶しない材料によって形成さ
れることが好ましい。たとえば、Ｙ、Ｃｅ、Ｔｉ、Ｚ
ｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ
ｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、ＢｉおよびＴｅなどの酸化物を用いる
ことができる。また、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、
Ｍｏ、Ｗ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎお
よびＰｂなどの窒化物を用いることもできる。また、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、ＷおよびＳｉなど
の炭化物を用いることもできる。また、ＺｎまたはＣｄ
などの硫化物を用いることもできる。また、セレン化物
またはテルル化物を用いることもできる。また、Ｍｇ、
Ｃａなどのフッ化物を用いることもできる。また、Ｃ、
Ｓｉ、またはＧｅ、またはこれらの混合物からなる誘電
体を用いることもできる。

【００３３】なお、下側保護層１２と上側保護層１６と
は、必要に応じて異なる材料・組成のものを用いてもよ
いし、同一の材料・組成のものを用いてもよい。

【００３４】下側界面層１３および上側界面層１５は、
記録・再生時において、下側保護層１２および上側保護
層１６と記録層１４との間で原子の相互拡散が起こるこ
とを防止するために形成される。下側界面層１３および
上側界面層１５は、上記目的を達成できる材料で形成さ
れる。中でも、Ｇｅ、Ｓｉ、Ａｌ、およびＣｒなどの窒
化物、酸化物、炭化物を主成分とする材料、またはこれ
らの混合物を主成分とする材料が好ましい。

【００３５】下側界面層１３および上側界面層１５は、
いずれか一方を設けるだけでも上記効果を発揮するが、
両方設けることがより好ましい。下側界面層１３および
上側界面層１５の両方を設ける場合は、必要に応じて異
なる材料・組成のものを用いてもよいし、同一の材料・
組成のものを用いてもよい。

【００３６】光吸収補正層１７は、相変化層１４ｂが結
晶状態である場合の光吸収率と、相変化層１４ｂが非晶
質状態である場合の光吸収率との比を調整し、オーバー
ライト時にマーク形状が歪まないようにするために形成
される。また、光吸収補正層１７は、相変化層１４ｂが
結晶状態である場合の反射率と、相変化層１４ｂが非晶
質である場合の反射率との差を大きくし、信号振幅を大
きくするために形成される。このため、光吸収補正層１
７は、屈折率が高く、適度に光を吸収する材料で形成さ
れる。たとえば、屈折率ｎが３以上６以下で、消衰係数
ｋが１以上４以下である材料を用いることができる。具
体的には、非晶質状態のＧｅ合金またはＳｉ合金を用い
ることができ、たとえば、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｇｅ−Ｍｏ、Ｓ
ｉ−Ｃｒ、Ｓｉ−Ｍｏ、またはＳｉ−Ｗなどの合金を用
いることができる。また、結晶性の金属、半金属または
半導体を用いてもよく、たとえば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｎ−Ｔｅ、またはＰｂ−Ｔｅ
などを用いることもできる。

【００３７】反射層１８は、入射するレーザ光Ｌを効率
良く利用するため、および、記録層１４の冷却速度を向
上させて記録層１４を非晶質化しやすくするために形成
される。このため、反射層１８は、熱伝導率が高い金属
材料、またはこれに耐湿性の向上または熱伝導率の調整
などのために他の元素を添加した金属材料を用いること
ができる。たとえば、Ａｌ、Ａｕ、ＡｇまたはＣｕ、あ
るいはこれらの合金を用いることができる。具体的に
は、Ａｌ−Ｃｒ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ
−Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ−Ｔｉなどの合金を用いることもで
きる。ただし、線速度などの記録条件あるいは記録層の
組成などによっては、反射層１８の冷却効果がなくとも
十分非晶質化しやすい場合もあり、反射層１８を省略す
ることも可能である。

【００３８】オーバーコート層１９には、耐熱性および
接着性の高い材料、たとえば、紫外線硬化性樹脂などの
接着樹脂を用いることができる。また、オーバーコート
層１９として、反射層１８上にダミー基板を貼り合わせ
てもよい。ダミー基板は、接着樹脂、両面テープ、およ
び誘電体膜などを用いて貼り合わせることができる。ま
た、オーバーコート層１９の代わりに、他の光記録媒体
を貼り合わせて両面構造の光記録媒体を形成してもよ
い。

【００３９】以上、実施形態１の光記録媒体について説
明したが、本発明の光記録媒体は上記構成に限定されな
い。たとえば、結晶核生成層１４ａは、相変化層１４ｂ
と上側界面層１５との間に形成してもよく、相変化層１
４ｂの両側に形成してもよい（以下の実施形態において
も同様である）。また、本発明の光記録媒体は上述の記
録層を備えるものであれば、他の構成に特に限定はない
（以下の実施形態においても同様である）。たとえば、
界面層、保護層、光吸収層、反射層、およびオーバーコ
ート層などの層は、光記録媒体に求められる性能に応じ
て追加、変更、削除してもよい。

【００４０】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
光記録媒体の他の一例について説明する。実施形態２の
光記録媒体２０の一部断面図を図２（Ａ）に示す。

【００４１】図２（Ａ）を参照して、光記録媒体２０
は、第１の基板２１と、第１の基板２１に対向するよう
に配置された第２の基板２２と、分離層２３と、第１の
情報層２４と、第２の情報層２５とを備える。分離層２
３は、第１の基板２１と第２の基板２２との間に配置さ
れる。第１の情報層２４は、第１の基板２１と分離層２
３との間に配置される。第２の情報層２５は、第２の基
板２２と分離層２３との間に配置される。すなわち、光
記録媒体２０は、第１の基板２１の上方に形成された第
１の情報層２４および第２の情報層２５と、第１の情報
層２４と第２の情報層２５との間に配置された分離層２
３とを備える。なお、光記録媒体２０は、必要に応じ
て、実施形態１で説明した保護層や、界面層、オーバー
コート層を備えてもよい。一例として、第１のオーバー
コート層２６と第２のオーバーコート層２７とを備える
光記録媒体２０ａの一部断面図を図２（Ｂ）に示す。

【００４２】第１の基板２１には、基板１１と同様のも
のを用いることができる。

【００４３】第２の基板２２には、基板１１と同様のも
のを用いることができる。また、第２の基板２２には、
第１の基板２１とは異なり、透明でない基板を用いるこ
ともできる。第２の基板２２は、第１の基板２１とは、
材質、厚さなどが異なってもよい。また、第１の基板２
１の表面および第２の基板２２の表面に溝を形成する場
合には、それらの溝の形状やスパイラルの方向が逆でも
よい。また、分離層２３の第２の情報層２５側の表面
に、第２の情報層２５用の案内溝を２Ｐ法（ｐｈｏｔｏ
ｐｏｌｙｍｅｒ法）によって形成する場合には、第２の
基板２２は、第２の情報層２５側の表面に溝を形成しな
くてもよい。

【００４４】第２の基板２２は、接着剤などを用いて第
２の情報層２５の上に貼り合わせてもよい。また、第２
の基板２２は、第２の情報層２５上にオーバーコート用
の樹脂を塗布して硬化させることによって形成してもよ
い。

【００４５】第１の情報層２４および第２の情報層２５
から選ばれる少なくとも１つの層は、実施形態１で説明
した記録層１４（結晶核生成層１４ａおよび相変化層１
４ｂ）を含み、書き換え可能な層である。

【００４６】第１の情報層２４または第２の情報層２５
のいずれかが記録層１４を含まない場合、その層は、書
き換え可能な層または再生専用の層のいずれでもよい。
再生専用の層は、ＣＤ−ＲＯＭなどで一般に用いられる
構成によって形成できる。たとえば、情報信号に対応し
た凹凸パターンが形成された基板上に、基板とは屈折率
が異なる材料からなる層を形成すればよい。

【００４７】第１の情報層２４が記録層１４を有する書
き換え可能な情報層である場合、第２の情報層２５に十
分なパワーで記録または再生を行うため、第１の情報層
２４の透過率を高くすることが必要である。そのために
は、第１の情報層２４に含まれる記録層１４は薄いこと
が好ましい。しかし、一般的に、相変化層１４ｂが薄い
ほど、相変化層１４ｂの冷却速度が高くなって結晶化能
が低下するため、消去性能が不十分となりやすい。しか
しながら、光記録媒体２０では、記録層１４が結晶核生
成層１４ａを含むため、結晶化能が向上し、相変化層１
４ｂが薄くても十分な消去性能が得られる。

【００４８】また、第２の情報層２５が記録層１４を有
する書き換え可能な情報層である場合には、第１の情報
層２４を透過したレーザ光で信頼性よく記録を行えるよ
うに、および、十分な反射光量が得られるように、第２
の情報層の記録感度および反射率を高くする必要があ
る。そのためには、相変化層１４ｂは少ない光吸収でも
効率的に温度が上昇する必要があり、相変化層１４ｂは
薄いことが好ましい。上述したように、光記録媒体２０
では、記録層１４が結晶核生成層１４ａを含むため、相
変化層１４ｂが薄くても十分な消去性能が得られる 分離層２３は、第１の情報層２４と第２の情報層２５と
の間のクロストークを防止するために形成される。光記
録媒体２０では、第１の情報層２４および第２の情報層
２５のそれぞれに対してレーザ光Ｌを用いて記録または
再生を行う。このため、分離層２３は、レーザ光Ｌの波
長λにおける吸収係数が小さく、耐熱性および接着性の
高い材料からなることが好ましい。具体的には、分離層
２３として、紫外線硬化性樹脂などの接着樹脂、両面テ
ープ、または誘電体膜、あるいはこれらを適宜組み合わ
せたものを用いることもできる。

【００４９】光記録媒体２０では、第１の情報層２４ま
たは第２の情報層２５のどちらか一方に対して記録・再
生を行う際に、他方の層への記録を防止すること、およ
び他方の層の情報信号の再生を防止することが必要とな
る。このため、分離層２３の厚さは、焦点深度以上であ
ることが必要である。具体的には、分離層２３の厚さは
２μｍ以上であることが好ましい。また、第１の情報層
２４および第２の情報層２５のどちらにもレーザ光Ｌを
集光できるように、分離層２３の厚さは、１００μｍ以
下であることが好ましい。

【００５０】（実施形態３）実施形態３では、本発明の
光記録媒体の製造方法について一例を説明する。なお、
上記実施形態で説明した部分と同様の部分については、
同一の符号を付して重複する説明を省略する。

【００５１】まず、基板１１の案内溝が形成された側の
表面上に、下側保護層１２、下側界面層１３、記録層１
４（結晶核生成層１４ａおよび相変化層１４ｂ）、上側
界面層１５、上側保護層１６、光吸収補正層１７および
反射層１８を形成する。これらの層は、一般的な気相薄
膜堆積法、たとえば、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＭＢＥ（Ｍｏ
ｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法によっ
て形成できる。これらの方法の中でも、成膜レート、製
造コスト、および形成される層の品質などを考慮する
と、記録層１４の形成にはスパッタリング法が好まし
い。

【００５２】実施形態１で説明したように、結晶核生成
層１４ａは、Ｔｅを３３原子％以上６７原子％以下含む
層であり、Ｓｎ−ＴｅまたはＰｂ−Ｔｅからなることが
好ましい。

【００５３】相変化層１４ｂは、非晶質状態で成膜され
る。一般的な成膜条件では、相変化層１４ｂは非晶質状
態で成膜される。特に、高パワーで成膜速度が速い条件
で成膜することによって、相変化層１４ｂを確実に非晶
質状態で成膜することができる。

【００５４】結晶核生成層１４ａが、相変化層１４ｂよ
りも基板１１側に配置される場合には、相変化層１４ｂ
を形成する前に結晶核生成層１４ａを形成する。また、
相変化層１４ｂが、結晶核生成層１４ａよりも基板１１
側に配置される場合には、相変化層１４ｂを形成したの
ちに結晶核生成層１４ａを形成する 酸素および窒素から選ばれる少なくとも１つの元素を含
む結晶核生成層１４ａを形成する場合には、酸素および
窒素から選ばれる少なくとも１つの元素を含む雰囲気中
で結晶核生成層１４ａを形成すればよい。具体的には、
成膜装置内（チャンバ内）に上記元素を導入すればよ
い。これによって、結晶核生成層１４ａの特性や各原子
の結合状態を調整することができ、繰り返し特性（ｃｙ
ｃｌａｂｉｌｉｔｙ）や耐湿性などを向上させるのに有
効な場合がある。

【００５５】反射層１８を形成したのち、オーバーコー
ト層１９を形成する。オーバーコート層１９は、スピン
コート法によって反射層１８上に紫外線硬化性樹脂を塗
布し、これに紫外線を照射して硬化させることによって
形成できる。

【００５６】次に、記録層１４の初期化を行う。具体的
には、記録層１４にレーザ光などの光ビームを照射する
ことによって、非晶質状態の相変化層１４ｂを結晶化さ
せる。結晶核生成層１４ａが窒素または酸素を含む場合
には、この初期化工程の際に、それらの元素が結晶核生
成層１４ａから離脱する。これによって、結晶核生成層
１４ａの機能、すなわち結晶核を生成する機能が十分に
発揮されるようになる。このようにして、光記録媒体１
０を製造できる。なお、初期化工程は、オーバーコート
層１９を形成する前に行ってもよい。

【００５７】なお、実施形態２で説明した光記録媒体２
０を製造する場合も、上記方法と同様の製造方法で製造
できる。分離層２３、第１の情報層２４および第２の情
報層２５は、上述した気相薄膜堆積法によって形成でき
る。

【００５８】実施形態２で説明した光記録媒体２０ａを
形成する場合には、まず、第１の基板２１上に第１の情
報層２４および第１のオーバーコート層２６を形成し、
第２の基板２２上に第２の情報層２５および第２のオー
バーコート層２７を形成する。次に、第１のオーバーコ
ート層２６と第２のオーバーコート層２７とを、分離層
２３を介して接着すればよい。たとえば、分離層２３に
紫外線硬化性樹脂を用い、２枚の基板を貼り合わせた後
に紫外線を照射すればよい。この場合、初期化工程は、
２枚の基板を接着する前または接着した後に行うことが
できる。このようにして、光記録媒体２０ａを製造でき
る。

【００５９】以上、本発明の光記録媒体の製造方法につ
いて説明したが、本発明の製造方法は、以下で説明する
情報信号の記録工程をさらに含んでもよい。

【００６０】以下、本発明の光記録媒体を用いた情報信
号の記録・再生方法について、一例を説明する。光記録
媒体の記録・再生装置について、一例の構成を図３に示
す。

【００６１】図３に示す記録・再生装置３０は、レーザ
ダイオード３１、ハーフミラー３２、対物レンズ３３、
フォトディテクター３４、およびモータ３５を備える。
モータ３５によって、光記録媒体３６が回転させられ
る。光記録媒体３６は、本発明の光記録媒体であり、基
板１１側または第１の基板２１側からレーザ光Ｌが照射
される。

【００６２】レーザダイオード３１から射出されたレー
ザ光Ｌは、ハーフミラー３２および対物レンズ３３を通
じて、光記録媒体３６上にフォーカシングされ、情報信
号の記録・再生が行われる。

【００６３】情報信号の記録を行う際には、レーザ光Ｌ
の強度を、図４に示すパルス波形のように変調する。す
なわち、レーザ光Ｌの強度を、パワーレベルＰ１、Ｐ２
およびＰ３（ただし、Ｐ１＞Ｐ２≧Ｐ３≧０）の間で変
調する。パワーレベルＰ１は、レーザ光Ｌを照射するこ
とによって相変化層１４ｂを瞬時に溶融させるに十分な
パワーレベルである。パワーレベルＰ２およびＰ３は、
レーザ光Ｌを照射しても相変化層１４ｂを瞬時に溶融さ
せることが不可能なパワーレベルである。なお、レーザ
強度の変調は、半導体レーザの駆動電流を変調すること
によって行うことができる。また、電気光学変調器や、
音響光学変調器などの手段を用いてレーザ強度を変調し
てもよい。

【００６４】情報信号のマークは、結晶状態の相変化層
１４ｂを非晶質状態にすることによって形成される。マ
ークは、パワーレベルＰ１の単一矩形パルスを光記録媒
体３６に照射することによって形成できる。また、長い
マークを形成する場合には、パワーレベルＰ１、Ｐ２お
よびＰ３の間で変調された複数のパルスの列からなる記
録パルス列を用いることが好ましい。このようなパルス
列を用いることによって、過熱を防止し、マーク幅を均
一にすることができる。マークを形成しない部分、また
はマークを消去する部分に対しては、パワーレベルＰ２
のレーザ光Ｌを照射する。

【００６５】また、図４に示すように、上記複数のパル
ス列の直後にパワーレベルＰ４（ただし、Ｐ２＞Ｐ４≧
０）のレーザ光を照射してもよい。このような冷却区間
を設けると、特に熱過剰になりやすいマーク後端部分の
熱を除去でき、マーク形状を整えるのに効果的である。
逆に、非晶質化しにくくマーク幅が細くなりやすいマー
ク前端部分においては、マーク幅を後端と揃えるため
に、複数のパルス列のうち先頭のパルスだけ時間を長く
したり、先頭のパルスのパワーレベルをＰ１よりも高く
してもよい。一方、上記複数のパルス列の各パルスおよ
びパルス間の時間を一定にすると、単一周波数で変調で
きるため、変調手段が簡略化できるという利点がある。

【００６６】光記録媒体の記録・再生では、マークの長
さ、マーク前後のスペースの長さ、および隣接するマー
クの長さなどに影響を受けてマークエッジ位置に不揃い
が生じ、ジッタ増大の原因となることがある。このよう
なジッタの増大を防止するため、上記パルス列の各パル
スの位置または長さを、パターン毎にエッジ位置が揃う
ように必要に応じて調整し、補償してもよい。

【００６７】こうして記録された情報信号を再生する場
合には、パワーレベルＰ５（ただし、Ｐ２＞Ｐ５＞０）
の連続光を光ディスクに照射し、その反射光をフォトデ
ィテクター３４に入射させ、その反射光量変化を再生信
号として検出する。

【００６８】

【実施例】以下、実施例を用いて本発明をさらに具体的
に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。

【００６９】（実施例１）実施例１では、実施形態１で
説明した光記録媒体１０を製造した一例について説明す
る。

【００７０】実施例１では、ポリカーボネイト樹脂から
なる基板（直径１２ｃｍ、厚さ０．６０ｍｍ）を用い
た。基板の表面には、グルーブおよびランド幅が共に
０．６μｍ、グルーブ深さが約７０ｎｍのスパイラル状
の溝を形成した。

【００７１】次に、基板のグルーブが形成された表面上
に、下側保護層（膜厚約１４０ｎｍ）、下側界面層（膜
厚約５ｎｍ）、結晶核生成層、相変化層（膜厚約９ｎ
ｍ）、上側界面層（膜厚約３ｎｍ）、上側保護層（膜厚
約４０ｎｍ）、光吸収補正層（膜厚約４０ｎｍ）、およ
び反射層（膜厚約８０ｎｍ）を順次積層した。このと
き、結晶核生成層の層厚、および配置が異なる複数のサ
ンプルを形成した。これらの各層は、直径１０ｃｍ、厚
さ６ｍｍ程度のターゲットを用いたスパッタリング法に
よって形成した。

【００７２】具体的には、下側保護層は、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ₂（モル比でＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）のターゲ
ットを用いて形成した。下側界面層は、Ｇｅターゲット
を用いて形成した。結晶核生成層は、Ｓｎ−Ｔｅ（原子
数比でＳｎ：Ｔｅ＝５０：５０）のターゲットを用いて
形成した。相変化層は、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ（原子数比で
Ｇｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝２９：２１：５０）のターゲットを
用いて形成した。上側界面層は、Ｇｅターゲットを用い
て形成した。上側保護層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂（モル比
でＺｎＳ：ＳｉＯ₂＝８０：２０）のターゲットを用い
て形成した。光吸収補正層は、Ｇｅ−Ｃｒ（原子数比で
Ｇｅ：Ｃｒ＝８０：２０）のターゲットを用いて形成し
た。反射層は、Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ（原子数比で９８：
１：１）のターゲットを用いて形成した。

【００７３】相変化層および界面層の形成には、スパッ
タガスとして、Ａｒと窒素との混合ガスを用いた。スパ
ッタガスに含まれる窒素ガスの量は、相変化層の形成時
には約５ｖｏｌ％とし、界面層の形成時には約４０ｖｏ
ｌ％とした。それ以外の層の形成には、スパッタガスと
して、Ａｒのみを用いた。なお、結晶核生成層の形成
は、ＤＣ電源を用い、スパッタパワー５０Ｗ、スパッタ
ガス圧０．３Ｐａの条件で行った。

【００７４】こうして形成された多層膜の表面上に、ス
ピンコート法によって紫外線硬化性樹脂を塗布した。そ
して、紫外線を照射して紫外線硬化性樹脂を硬化させる
ことによって、オーバーコート層を形成した。その後、
基板側からレーザ光を照射して相変化層をアニールする
ことによって、相変化層の全面を初期化、すなわち結晶
化させた。

【００７５】このようにして、結晶核生成層の層厚およ
び配置が異なる１０種類の光記録媒体を作製した。作製
した光記録媒体について、波長６６０ｎｍでＮＡ０．６
の光学系を用い、線速度８．２ｍ／ｓの条件でマークエ
ッジ記録を行い、以下の測定を行った。まず、グルーブ
およびランドに、９．７ＭＨｚの３Ｔ信号と２．６ＭＨ
ｚの１１Ｔ信号とを交互に１１回記録した。すなわち、
３Ｔ信号を６回と、１１Ｔ信号を５回記録した。そし
て、３Ｔ信号が記録された状態でこのトラックを再生
し、そのＣ／Ｎ比をスペクトラムアナライザーで測定し
た。さらに、その上に１１Ｔ信号を１回記録したとき
の、３Ｔ信号振幅の減衰比、すなわち消去率をスペクト
ラムアナライザーで測定した。

【００７６】このとき、３Ｔ信号を記録する場合には、
パルス幅２５．８ｎｓ（パワーレベルＰ１）の単一矩形
パルスを照射した。１１Ｔ信号を記録する場合には、９
個のパルスからなるパルス列（パワーレベルＰ１）を照
射した。このパルス列は、最初のパルスの幅が２５．８
ｎｓで、２番目から９番目までのパルスの幅がすべて
８．６ｎｓであり、各パルス間（パワーレベルＰ３）の
幅は８．６ｎｓとした。マークを記録しない部分では、
パワーレベルＰ２の連続光を照射した。なお、ここでは
Ｐ３＝Ｐ２とした。パワーレベルの決め方としては、記
録パワーレベルＰ１はＣ／Ｎ比が４５ｄＢを超えるパワ
ーの下限値の１．５倍であり、パワーレベルＰ２は消去
率が２０ｄＢを超えるパワー範囲の中央値であり、再生
パワーレベルＰ５は１．０ｍＷとした。

【００７７】以上の条件で測定を行った光記録媒体につ
いて、３Ｔ信号が記録されたままの状態で、９０℃・８
０％ＲＨ（Ｒｅｌａｔｉｖｅ Ｈｕｍｉｄｉｔｙ）の恒
温槽で１００時間保持する加速試験を行った。加速試験
後、加速試験前に記録したトラックを再生し、Ｃ／Ｎ比
を測定した。さらに、その上に１１Ｔ信号を１回記録し
たときの消去率も測定した。

【００７８】このようにして測定した加速試験前後にお
けるＣ／Ｎ比および消去率について、測定結果を表１に
示す。

【００７９】

【表１】

【００８０】表１中、結晶核生成層の欄の下側とは、結
晶核生成層が、相変化層と下側界面層との間に形成され
ていることを示す。また、上側とは、結晶核生成層が、
相変化層と上側界面層との間に形成されていることを示
す。

【００８１】サンプル１は、結晶核生成層を形成しなか
った光記録媒体である。サンプル２〜８は、結晶核生成
層を相変化層の下側のみに形成した光記録媒体である。
サンプル９は、結晶核生成層を相変化層の上側のみに形
成した光記録媒体である。サンプル１０は、結晶核生成
層を相変化層の両側に形成した光記録媒体である。

【００８２】結晶核生成層が形成されていないサンプル
１では、加速試験前はＣ／Ｎ比が高く、消去率も十分な
値である。しかし、加速試験後は、消去率が８ｄＢ低下
してしまっている。これは、高温高湿条件で保持される
ことによって相変化層の結晶核生成能が低下するためで
あると考えられる。これに対し、結晶核生成層を設けた
サンプルでは、加速試験前も加速試験後も消去率が高か
った。特に、結晶核生成層の層厚が厚いサンプルは、消
去率が高かった。これは、結晶核生成層を構成するＳｎ
−Ｔｅには、相変化層の結晶核生成能を向上させる効果
があり、その効果が加速試験後も持続するためであると
考えられる。一方、結晶核生成層の層厚が厚いほど、加
速試験前のＣ／Ｎ比が小さくなった。

【００８３】また、サンプル８のように結晶核生成層が
一定より厚い場合には、成膜直後の段階で相変化層が結
晶状態であった。そして、サンプル８では、初回記録時
のＣ／Ｎ比が３０ｄＢ程度と低く、記録する度にＣ／Ｎ
比が向上し、２０回程度で約５０ｄＢとなり飽和すると
いう現象が見られた。このことから、実施例１の光記録
媒体では、結晶核生成層が３．０ｎｍ以上であると実用
的でないことがわかった。

【００８４】以上の結果から、実施例１の光記録媒体に
おいて、加速試験前後とも十分なＣ／Ｎ比および消去率
が得られ、実用性および信頼性が高かった光記録媒体
は、適当な層厚の結晶核生成層を設けた光記録媒体であ
った。この実施例の光記録媒体では、結晶核生成層の好
ましい層厚は、０．５ｎｍ以上かつ２．０ｎｍ以下であ
った。ただし、結晶核生成層の好ましい層厚は、スパッ
タパワー、スパッタガス圧、基板温度などの成膜条件、
および層の材料や構成によって変化する。たとえば、発
明者等の実験によると、結晶核生成層の膜厚が０．３ｎ
ｍ以上５ｎｍ以下の範囲内であれば、相変化層を非晶質
状態で成膜し、その効果を発揮させることが可能であっ
た。

【００８５】また、サンプル９および１０は、いずれも
サンプル４とほぼ同等のＣ／Ｎ比および消去率が得られ
た。この結果から、相変化層のいずれか一方側に結晶核
生成層を設けた光記録媒体、および、相変化層の両側に
結晶核生成層を設けた光記録媒体のいずれの光記録媒体
でも、同様な効果が得られることが分かった。

【００８６】（実施例２）実施例２では、結晶核生成層
が窒素を含む光記録媒体を作製した一例について説明す
る。実施例２では、結晶核生成層を形成する際に、結晶
核生成層に窒素を混入させた以外は、表１のサンプル４
の光記録媒体と同様の光記録媒体を作製した。

【００８７】結晶核生成層への窒素の混入は、結晶核生
成層を形成する際に、スパッタガスに窒素を混入するこ
とによって行った。その際、窒素分圧を変化させて複数
のサンプルを作製した。結晶核生成層の成膜は、ＤＣ電
源を用い、スパッタパワー１００Ｗ、スパッタガス圧
０．３Ｐａの条件で行った。スパッタガスには、アルゴ
ンと窒素との混合ガスを用いた。スパッタガスの総流量
は一定とし、アルゴンと窒素との割合を変えて窒素の分
圧（スパッタガス中の窒素ガスの量）を変化させた。

【００８８】このようにして形成した複数のサンプルに
ついて、実施例１と同様の測定を行った。測定結果を表
２に示す。

【００８９】

【表２】

【００９０】表２には、結晶核生成層の光学定数、すな
わち屈折率ｎおよび消衰係数ｋの値も示している。この
光学定数は、結晶核生成層の反射率および透過率から計
算した値である。その反射率および透過率は、サンプル
４および１１〜１６の結晶核生成層と同じ条件で石英基
板上に結晶核生成層（層厚が約１０ｎｍ）を形成し、測
定した。

【００９１】表２から明らかなように、Ｃ／Ｎ比は、窒
素分圧が高いほど高くなっており、スパッタガス中の窒
素量が２０ｖｏｌ％以上では５２ｄＢを超えていた。一
方、消去率は、窒素分圧が高いほど小さくなっているも
のの、３０ｄＢ以上の十分な値を保っていた。実施例１
では、５２ｄＢ以上のＣ／Ｎ比を得るためには結晶核生
成層の膜厚を０．５ｎｍ程度まで薄くせねばならず、そ
うすると加速試験後の消去率は３０ｄＢ未満となってし
まっていた。これに対し、結晶核生成層に窒素を含ませ
ることによって、５２ｄＢ以上のＣ／Ｎ比と、３０ｄＢ
以上の消去率とが両立できた。

【００９２】したがって、結晶核生成層は、適度に窒素
分圧の高い条件で成膜することが好ましい。具体的に
は、スパッタガス中の窒素量が２０ｖｏｌ％以上１００
ｖｏｌ％以下であることが好ましく、中でも、４０ｖｏ
ｌ％以上８０ｖｏｌ％以下であることが好ましい。スパ
ッタガス中の窒素量を４０ｖｏｌ％以上８０ｖｏｌ％以
下とすることによって、光記録媒体の各特性のバランス
がよくなる。ただし、好ましい窒素分圧の範囲は、スパ
ッタ電源の種類、スパッタパワー、スパッタガス圧など
によって変化すると考えられる。特に、ＲＦ電源を用い
た場合は窒素が膜中に取り込まれやすく、適当な窒素分
圧の範囲がＤＣ電源の場合のおよそ２〜３割程度になる
と予想される。そこで、光学定数、特に消衰係数ｋを指
標にすれば、いかなるスパッタ条件でも、所望の膜質が
得られる窒素分圧の範囲を特定することができると考え
られる。表２に示す結果から、好ましい消衰係数ｋの範
囲は０．６以上１．７以下であると考えられる。さら
に、本発明者らが実験を行ったところ、好ましい消衰係
数ｋの範囲は、０．５以上２．０以下であった。

【００９３】なお、以上はいずれも波長６６０ｎｍとい
う赤色波長域のレーザ光を用いた場合の結果であるが、
これは本発明の適用可能な条件を限定するものではな
い。たとえば、波長３８０〜４５０ｎｍの紫〜青色波長
域のレーザ光を用いても、結晶核生成層の効果は同様に
発揮されると考えられる。

【００９４】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づき他の実施形態に適用する
ことができる。

【００９５】

【発明の効果】以上説明したとおり、本発明の第１およ
び第２の光記録媒体によれば、長期保存後も記録・再生
特性が安定な光記録媒体が得られる。

【００９６】また、本発明の光記録媒体の製造方法によ
れば、本発明の光記録媒体を容易に製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光記録媒体について一例を示す一部
断面図である。

【図２】 本発明の光記録媒体について（Ａ）他の一
例、および（Ｂ）その他の一例を示す一部断面図であ
る。

【図３】 本発明の光記録媒体を用いた記録・再生方法
について記録・再生装置の一例を模式的に示す構成図で
ある。

【図４】 本発明の光記録媒体を用いた記録・再生方法
についてレーザ光のパルス波形の一例を示す模式図であ
る。

【符号の説明】 １０、２０、２０ａ、３６ 光記録媒体 １１ 基板 １２ 下側保護層 １３ 下側界面層 １４ 記録層 １４ａ 結晶核生成層 １４ｂ 相変化層 １５ 上側界面層 １６ 上側保護層 １７ 光吸収補正層 １８ 反射層 １９ オーバーコート層 ２１ 第１の基板 ２２ 第２の基板 ２３ 分離層 ２４ 第１の情報層 ２５ 第２の情報層 ２６ 第１のオーバーコート層 ２７ 第２のオーバーコート層 ３０ 記録・再生装置 ３１ レーザダイオード ３２ ハーフミラー ３３ 対物レンズ ３４ フォトディテクター ３５ モータ Ｌ レーザ光

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｘ (72)発明者 山田 昇 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA40 EA41 FA01 FA02 FA11 FA24 FB05 FB09 FB12 GA03 5D029 JA01 JB03 JB35 JC05 JC17 RA03 RA04 RA05 5D121 AA01 EE01 EE13 EE17 EE27 EE28 GG02 GG26

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と前記基板上に配置された記録層と
   を備える光記録媒体であって、 前記記録層が、光ビームの照射によって結晶状態と非晶
   質状態との間で可逆的に相変化する相変化層と、前記相
   変化層に隣接して配置され前記相変化層の結晶化を容易
   にする結晶核生成層とを含み、 前記相変化層が、非晶質状態で成膜されたのち結晶化さ
   れた層であり、 前記結晶核生成層が、Ｔｅを３３原子％以上６７原子％
   以下の割合で含むことを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 第１の基板と、前記第１の基板に対向す
   るように配置された第２の基板と、前記第１および第２
   の基板の間に配置された分離層と、前記第１の基板と前
   記分離層との間に配置された第１の情報層と、前記第２
   の基板と前記分離層との間に配置された第２の情報層と
   を備える光記録媒体であって、 前記第１および第２の情報層から選ばれる少なくとも１
   つの層が記録層を含み、 前記記録層が、光ビームの照射によって結晶状態と非晶
   質状態との間で可逆的に相変化する相変化層と、前記相
   変化層に隣接して配置され前記相変化層の結晶化を容易
   にする結晶核生成層とを含み、 前記相変化層が、非晶質状態で成膜されたのち結晶化さ
   れた層であり、 前記結晶核生成層が、Ｔｅを３３原子％以上６７原子％
   以下の割合で含むことを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 前記結晶核生成層が、Ｓｎ−Ｔｅおよび
   Ｐｂ−Ｔｅから選ばれる少なくとも１つを含む請求項１
   または２に記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記相変化層が、ＧｅとＳｂとＴｅとを
   構成元素として含み、 前記相変化層中のＧｅとＳｂとＴｅとの原子数比が、Ｇ
   ｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１
   ００、１０≦Ｘ≦４５、５≦Ｙ≦４０、４０≦Ｚ≦６
   ０）である請求項１ないし３のいずれかに記載の光記録
   媒体。
5. 【請求項５】 前記結晶核生成層が、酸素および窒素か
   ら選ばれる少なくとも１つの元素を含む請求項１ないし
   ４のいずれかに記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 前記結晶核生成層の消衰係数が、０．５
   以上２．０以下である請求項１ないし４のいずれかに記
   載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 前記相変化層の平均層厚が、４ｎｍ以上
   １４ｎｍ以下である請求項１ないし４のいずれかに記載
   の光記録媒体。
8. 【請求項８】 相変化層と前記相変化層に隣接して配置
   された結晶核生成層とを含む記録層を備える光記録媒体
   の製造方法であって、 （ａ）前記相変化層を非晶質状態となるように成膜する
   工程と、 （ｂ）前記（ａ）の工程の前または後に、前記結晶核生
   成層を形成する工程と、 （ｃ）前記（ａ）および（ｂ）の工程ののちに、非晶質
   状態の前記相変化層に光ビームを照射して前記相変化層
   を結晶化する工程とを含み、 前記相変化層が、光ビームの照射によって結晶状態と非
   晶質状態との間で可逆的に相変化する層であり、 前記結晶核生成層が、前記相変化層の結晶化を容易にす
   る層であり且つＴｅを３３原子％以上６７原子％以下の
   割合で含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
9. 【請求項９】 前記結晶核生成層が、Ｓｎ−Ｔｅおよび
   Ｐｂ−Ｔｅから選ばれる少なくとも１つを含む請求項８
   に記載の光記録媒体の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記相変化層が、ＧｅとＳｂとＴｅと
    を構成元素として含み、 前記相変化層中のＧｅとＳｂとＴｅとの原子数比が、Ｇ
    ｅ：Ｓｂ：Ｔｅ＝Ｘ：Ｙ：Ｚ（ただし、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１
    ００、１０≦Ｘ≦４５、５≦Ｙ≦４０、４０≦Ｚ≦６
    ０）である請求項８または９に記載の光記録媒体の製造
    方法。
11. 【請求項１１】 前記（ｂ）の工程は、酸素および窒素
    から選ばれる少なくとも１つ元素を含む雰囲気中で前記
    結晶核生成層を形成する工程を含み、 前記（ｃ）の工程は、前記結晶核生成層から前記元素を
    離脱させる工程を含む請求項８ないし１０のいずれかに
    記載の光記録媒体の製造方法。