JPH1173692A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録層の初期化処理が製造の際の律速段階で
あった（Ｇｅ，Ｓｂ）−Ｔｅ系相変化型光記録媒体にお
いて、製造時間を短縮し、かつ、初回の書き換えから安
定した反射率を実現する。また、初期化処理が不要であ
る追記型の相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板上に、少なくとも１層のＴｅ系
薄膜と少なくとも１層の反応薄膜とからなる記録層を有
し、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とが接しており、Ｔｅ系薄膜
が、Ｔｅを９５原子％以上含有するＴｅ系材料を成膜し
たものであり、反応薄膜が、Ｇｅおよび／またはＳｂを
主成分とする（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものであ
り、反応薄膜構成材料とＴｅとの混合により相変化記録
材料が生成するものである光記録媒体。記録層形成後、
連続したレーザー光で照射することにより、Ｔｅ系薄膜
構成材料と反応薄膜構成材料との混合を行う。
あった（Ｇｅ，Ｓｂ）−Ｔｅ系相変化型光記録媒体にお
いて、製造時間を短縮し、かつ、初回の書き換えから安
定した反射率を実現する。また、初期化処理が不要であ
る追記型の相変化型光記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明基板上に、少なくとも１層のＴｅ系
薄膜と少なくとも１層の反応薄膜とからなる記録層を有
し、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とが接しており、Ｔｅ系薄膜
が、Ｔｅを９５原子％以上含有するＴｅ系材料を成膜し
たものであり、反応薄膜が、Ｇｅおよび／またはＳｂを
主成分とする（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものであ
り、反応薄膜構成材料とＴｅとの混合により相変化記録
材料が生成するものである光記録媒体。記録層形成後、
連続したレーザー光で照射することにより、Ｔｅ系薄膜
構成材料と反応薄膜構成材料との混合を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型の光記録
媒体と、その製造方法とに関する。
媒体と、その製造方法とに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録が可能で、しかも記録
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、ＤＶＤ−ＲＡＭに適用されることから注目さ
れている。
情報を消去して書き換えることが可能な光記録媒体が注
目されている。書き換え可能型の光記録媒体のうち相変
化型のものは、レーザー光を照射することにより記録層
の結晶状態を変化させて記録を行い、このような状態変
化に伴なう記録層の反射率変化を検出することにより再
生を行うものである。相変化型の光記録媒体は単一の光
ビームの強度を変調することによりオーバーライトが可
能であり、ＤＶＤ−ＲＡＭに適用されることから注目さ
れている。
【０００３】相変化型の光記録媒体には、結晶質状態と
非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の
安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを主成分とする（Ｇｅ，Ｓｂ）
−Ｔｅ系材料が用いられることが多い。
非晶質状態とで反射率の差が大きいこと、非晶質状態の
安定度が比較的高いことなどから、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅを主成分とする（Ｇｅ，Ｓｂ）
−Ｔｅ系材料が用いられることが多い。
【０００４】従来の相変化型光記録媒体では、真空成膜
装置などを用いて記録層を形成しているため、形成直後
の記録層は非晶質状である。これを書き換え型の媒体と
して利用する場合には、一般に初期化と呼ばれる操作に
より、記録層を結晶化する必要がある。
装置などを用いて記録層を形成しているため、形成直後
の記録層は非晶質状である。これを書き換え型の媒体と
して利用する場合には、一般に初期化と呼ばれる操作に
より、記録層を結晶化する必要がある。
【０００５】初期化の方法としては、成膜後に記録層の
結晶化温度まで基板を加熱して結晶化させる方法（特開
平２−３１３１号公報）、成膜後にレーザービームを照
射して結晶化させる固相初期化と呼ばれる方法（特開平
４−３６６４２４号公報、同２−２０１７３４号公報、
同３−７６０２７号公報）、カルコゲン化合物の光特性
を利用してフラッシュ光を成膜後の基板に照射し、いわ
ゆる光黒化によって擬似的に結晶化させる方法（特開平
４−２８１２１９号公報）、高周波を用いて誘導加熱に
よって結晶化させる方法、成膜中に基板を加熱して結晶
化させる方法（特開平２−９８８４７号公報）、第１層
目の誘電体を形成し、次いで記録層を形成した後、これ
を加熱して結晶化し、さらに誘電体を形成する方法（特
開平２−５２４６号公報）などが提案されている。
結晶化温度まで基板を加熱して結晶化させる方法（特開
平２−３１３１号公報）、成膜後にレーザービームを照
射して結晶化させる固相初期化と呼ばれる方法（特開平
４−３６６４２４号公報、同２−２０１７３４号公報、
同３−７６０２７号公報）、カルコゲン化合物の光特性
を利用してフラッシュ光を成膜後の基板に照射し、いわ
ゆる光黒化によって擬似的に結晶化させる方法（特開平
４−２８１２１９号公報）、高周波を用いて誘導加熱に
よって結晶化させる方法、成膜中に基板を加熱して結晶
化させる方法（特開平２−９８８４７号公報）、第１層
目の誘電体を形成し、次いで記録層を形成した後、これ
を加熱して結晶化し、さらに誘電体を形成する方法（特
開平２−５２４６号公報）などが提案されている。
【０００６】しかし、レーザービーム照射による初期化
は長時間を要し、生産性に問題がある。また、媒体全体
を加熱する方法では、安価な樹脂基板を使いにくいとい
う問題がある。すなわち、初期化処理の際の加熱によっ
て樹脂基板が歪み、トラッキングなどに支障をきたすよ
うになってしまう。また、フラッシュ光を用いる方法で
は、完全に結晶化するためには複数回の照射が必要であ
り、生産性に問題がある。
は長時間を要し、生産性に問題がある。また、媒体全体
を加熱する方法では、安価な樹脂基板を使いにくいとい
う問題がある。すなわち、初期化処理の際の加熱によっ
て樹脂基板が歪み、トラッキングなどに支障をきたすよ
うになってしまう。また、フラッシュ光を用いる方法で
は、完全に結晶化するためには複数回の照射が必要であ
り、生産性に問題がある。
【０００７】このため、現在、工業的に適当な方法とし
て利用されているのは、バルクイレーザーと呼ばれる装
置を用いる方法である。バルクイレーザーは、出力の高
いガスレーザーや半導体レーザーのビームをあまり絞ら
ずに照射して、多数のトラックを一挙に結晶化させる装
置である。バルクイレーザーでは、記録層を限定的に加
熱できるため基板の温度上昇が小さくなるので、耐熱性
の低い樹脂基板の利用が可能である。
て利用されているのは、バルクイレーザーと呼ばれる装
置を用いる方法である。バルクイレーザーは、出力の高
いガスレーザーや半導体レーザーのビームをあまり絞ら
ずに照射して、多数のトラックを一挙に結晶化させる装
置である。バルクイレーザーでは、記録層を限定的に加
熱できるため基板の温度上昇が小さくなるので、耐熱性
の低い樹脂基板の利用が可能である。
【０００８】しかし、バルクイレーザーでは、１２cm径
の光記録ディスクを初期化するときでさえ数分間程度の
時間が必要であるため、光記録ディスク生産工程におけ
る律速段階となっている。
の光記録ディスクを初期化するときでさえ数分間程度の
時間が必要であるため、光記録ディスク生産工程におけ
る律速段階となっている。
【０００９】従来の相変化型記録媒体で必要とされた初
期化処理を不要とするために、本出願人は、特願平７−
４７８２２号において、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系の記
録層を形成するに際し、Ｓｂ＋Ｉｎをスパッタする工程
とＡｇ＋Ｔｅをスパッタする工程とを分離して設ける
か、Ｓｂをスパッタする工程とＩｎをスパッタする工程
とＡｇ＋Ｔｅをスパッタする工程とを分離して設けるこ
とを提案している。このような工程により形成された記
録層は、少なくとも一部が結晶化している。この方法に
より形成された記録層は、繰り返し記録を行って層中の
元素を十分に拡散および混合した後では、上記したバル
クイレーザーにより初期化した場合と同様な反射率変化
が得られる。
期化処理を不要とするために、本出願人は、特願平７−
４７８２２号において、Ｉｎ−Ａｇ−Ｔｅ−Ｓｂ系の記
録層を形成するに際し、Ｓｂ＋Ｉｎをスパッタする工程
とＡｇ＋Ｔｅをスパッタする工程とを分離して設ける
か、Ｓｂをスパッタする工程とＩｎをスパッタする工程
とＡｇ＋Ｔｅをスパッタする工程とを分離して設けるこ
とを提案している。このような工程により形成された記
録層は、少なくとも一部が結晶化している。この方法に
より形成された記録層は、繰り返し記録を行って層中の
元素を十分に拡散および混合した後では、上記したバル
クイレーザーにより初期化した場合と同様な反射率変化
が得られる。
【００１０】しかし、上記特願平７−４７８２２号に
は、（Ｇｅ，Ｓｂ）−Ｔｅ系の相変化型記録層の初期化
エネルギーを小さくする方法についての記載はない。ま
た、上記特願平７−４７８２２号に記載された光記録媒
体では、形成直後から数回目までの書き換えに際して
は、従来の相変化型記録媒体と同様に消去率が安定しな
い。具体的には、形成時に結晶化した領域と書き換え時
に結晶化した領域とでは反射率が異なるため、書き換え
領域が記録層全面に及ぶまでは反射率が安定しないので
ある。書き換え型のデジタルバーサタイルディスク（Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ）などで利用されるマークエッジ記録の場
合には、このような反射率のばらつきが生じると、マー
クエッジと誤認されるという問題が生じ得る。
は、（Ｇｅ，Ｓｂ）−Ｔｅ系の相変化型記録層の初期化
エネルギーを小さくする方法についての記載はない。ま
た、上記特願平７−４７８２２号に記載された光記録媒
体では、形成直後から数回目までの書き換えに際して
は、従来の相変化型記録媒体と同様に消去率が安定しな
い。具体的には、形成時に結晶化した領域と書き換え時
に結晶化した領域とでは反射率が異なるため、書き換え
領域が記録層全面に及ぶまでは反射率が安定しないので
ある。書き換え型のデジタルバーサタイルディスク（Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭ）などで利用されるマークエッジ記録の場
合には、このような反射率のばらつきが生じると、マー
クエッジと誤認されるという問題が生じ得る。
【００１１】特開平８−１０６６４７号公報には、Ａｇ
ＳｂＴｅ2膜とＩｎ−Ｓｂ膜とが交互に積層されるか、
ＡｇＳｂＴｅ2膜とＩｎ膜とＳｂ膜とが交互に積層され
たＡｇＩｎＳｂＴｅ系人工格子膜よりなる記録層を設け
た相変化型記録媒体が記載されている。同公報では、結
晶化しているＡｇＳｂＴｅ2 膜を用いるために記録層全
体の初期化エネルギーがわずかで済むことを、効果のひ
とつにしている。
ＳｂＴｅ2膜とＩｎ−Ｓｂ膜とが交互に積層されるか、
ＡｇＳｂＴｅ2膜とＩｎ膜とＳｂ膜とが交互に積層され
たＡｇＩｎＳｂＴｅ系人工格子膜よりなる記録層を設け
た相変化型記録媒体が記載されている。同公報では、結
晶化しているＡｇＳｂＴｅ2 膜を用いるために記録層全
体の初期化エネルギーがわずかで済むことを、効果のひ
とつにしている。
【００１２】しかし、同公報には、（Ｇｅ，Ｓｂ）−Ｔ
ｅ系の相変化型記録層の初期化エネルギーを小さくする
方法については、記載がない。
ｅ系の相変化型記録層の初期化エネルギーを小さくする
方法については、記載がない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、記録
層の初期化処理が製造の際の律速段階であった（Ｇｅ，
Ｓｂ）−Ｔｅ系相変化型光記録媒体において、製造時間
を短縮し、かつ、書き換え初期から安定した反射率を実
現することである。また、本発明の他の目的は、初期化
処理が不要であり、かつ記録時と同じ線速度では書き換
えが不可能な追記型の相変化型光記録媒体を提供するこ
とである。
層の初期化処理が製造の際の律速段階であった（Ｇｅ，
Ｓｂ）−Ｔｅ系相変化型光記録媒体において、製造時間
を短縮し、かつ、書き換え初期から安定した反射率を実
現することである。また、本発明の他の目的は、初期化
処理が不要であり、かつ記録時と同じ線速度では書き換
えが不可能な追記型の相変化型光記録媒体を提供するこ
とである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（１０）のいずれかの構成により達成される。 （１） 透明基板上に、少なくとも１層のＴｅ系薄膜と
少なくとも１層の反応薄膜とからなる記録層を有し、Ｔ
ｅ系薄膜と反応薄膜とが接しており、Ｔｅ系薄膜が、Ｔ
ｅを９５原子％以上含有するＴｅ系材料を成膜したもの
であり、反応薄膜が、Ｇｅおよび／またはＳｂを主成分
とする（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものであり、反
応薄膜構成材料とＴｅとの混合により相変化記録材料が
生成するものである光記録媒体。 （２） Ｔｅ系薄膜が結晶化している上記（１）の光記
録媒体。 （３） Ｔｅ系材料および（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料の少な
くとも一方が元素Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、ＰｂおよびＢｉの少
なくとも１種）を含有し、記録層中の元素Ｍ含有率が５
原子％以下であり、かつＴｅ系材料の元素Ｍ含有率が５
原子％以下である上記（１）または（２）の光記録媒
体。 （４） Ｔｅ系薄膜の厚さが７nm以上である上記（１）
〜（３）のいずれかの光記録媒体。 （５） 透明基板側から反射率を測定したとき、製造直
後の反射率Ｒ0と、繰り返し記録後の記録層の結晶質部
における反射率ＲCと、繰り返し記録後の記録層の非晶
質部における最低反射率ＲAとの関係が ＲA＜Ｒ0≦ＲC である上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒体。 （６） レーザー光照射によりＴｅ系薄膜構成材料と反
応薄膜構成材料との混合が生じて記録マークが形成さ
れ、かつ記録マーク形成時の線速度でレーザー光を照射
したときには記録マークの結晶化が不可能である上記
（１）〜（５）のいずれかの光記録媒体。 （７） 上記（１）〜（５）のいずれかの光記録媒体の
記録層を連続したレーザー光で照射することにより、Ｔ
ｅ系薄膜構成材料と反応薄膜構成材料との混合を行う混
合処理工程を有する光記録媒体の製造方法。 （８） 混合処理工程において、レーザー光に対する記
録層の線速度ＶMを、書き換えを行うときのレーザー光
に対する記録層の線速度ＶWに対し ０．２ＶW≦ＶM となるように制御する上記（７）の光記録媒体の製造方
法。 （９） ＶW≦ＶM となるように制御する上記（８）の光記録媒体の製造方
法。 （１０） 上記（１）〜（６）のいずれかの光記録媒体
を製造する方法であって、記録層形成後、５０〜１２０
℃で熱処理する工程を有する光記録媒体の製造方法。
（１）〜（１０）のいずれかの構成により達成される。 （１） 透明基板上に、少なくとも１層のＴｅ系薄膜と
少なくとも１層の反応薄膜とからなる記録層を有し、Ｔ
ｅ系薄膜と反応薄膜とが接しており、Ｔｅ系薄膜が、Ｔ
ｅを９５原子％以上含有するＴｅ系材料を成膜したもの
であり、反応薄膜が、Ｇｅおよび／またはＳｂを主成分
とする（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものであり、反
応薄膜構成材料とＴｅとの混合により相変化記録材料が
生成するものである光記録媒体。 （２） Ｔｅ系薄膜が結晶化している上記（１）の光記
録媒体。 （３） Ｔｅ系材料および（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料の少な
くとも一方が元素Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓ
ｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄ
ｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、ＰｂおよびＢｉの少
なくとも１種）を含有し、記録層中の元素Ｍ含有率が５
原子％以下であり、かつＴｅ系材料の元素Ｍ含有率が５
原子％以下である上記（１）または（２）の光記録媒
体。 （４） Ｔｅ系薄膜の厚さが７nm以上である上記（１）
〜（３）のいずれかの光記録媒体。 （５） 透明基板側から反射率を測定したとき、製造直
後の反射率Ｒ0と、繰り返し記録後の記録層の結晶質部
における反射率ＲCと、繰り返し記録後の記録層の非晶
質部における最低反射率ＲAとの関係が ＲA＜Ｒ0≦ＲC である上記（１）〜（４）のいずれかの光記録媒体。 （６） レーザー光照射によりＴｅ系薄膜構成材料と反
応薄膜構成材料との混合が生じて記録マークが形成さ
れ、かつ記録マーク形成時の線速度でレーザー光を照射
したときには記録マークの結晶化が不可能である上記
（１）〜（５）のいずれかの光記録媒体。 （７） 上記（１）〜（５）のいずれかの光記録媒体の
記録層を連続したレーザー光で照射することにより、Ｔ
ｅ系薄膜構成材料と反応薄膜構成材料との混合を行う混
合処理工程を有する光記録媒体の製造方法。 （８） 混合処理工程において、レーザー光に対する記
録層の線速度ＶMを、書き換えを行うときのレーザー光
に対する記録層の線速度ＶWに対し ０．２ＶW≦ＶM となるように制御する上記（７）の光記録媒体の製造方
法。 （９） ＶW≦ＶM となるように制御する上記（８）の光記録媒体の製造方
法。 （１０） 上記（１）〜（６）のいずれかの光記録媒体
を製造する方法であって、記録層形成後、５０〜１２０
℃で熱処理する工程を有する光記録媒体の製造方法。
【００１５】
【作用および効果】従来の（Ｇｅ，Ｓｂ）−Ｔｅ系相変
化型記録媒体では、スパッタ法により形成された単層の
非晶質記録層を加熱・徐冷することにより、初期化（結
晶化）する。初期化後、書き換え（オーバーライト）用
レーザー光を照射すると、記録パワーを加えた領域では
記録層が溶融し、続く急冷により非晶質ないし微結晶と
なって反射率が低下し、記録マークとなる。一方、消去
パワーを加えた領域では変化は生じず、初期化後の反射
率が維持される。これ以降の書き換えの際にも、新たに
記録マークとする部位で記録パワーを加え、その他の部
位では消去パワーを加える。照射前の状態が結晶質であ
っても非晶質ないし微結晶であっても、記録パワーを加
えた部位は全て非晶質ないし微結晶の記録マークとな
り、また、消去パワーを加えた部位は全て結晶質とな
り、オーバーライト記録が可能となる。
化型記録媒体では、スパッタ法により形成された単層の
非晶質記録層を加熱・徐冷することにより、初期化（結
晶化）する。初期化後、書き換え（オーバーライト）用
レーザー光を照射すると、記録パワーを加えた領域では
記録層が溶融し、続く急冷により非晶質ないし微結晶と
なって反射率が低下し、記録マークとなる。一方、消去
パワーを加えた領域では変化は生じず、初期化後の反射
率が維持される。これ以降の書き換えの際にも、新たに
記録マークとする部位で記録パワーを加え、その他の部
位では消去パワーを加える。照射前の状態が結晶質であ
っても非晶質ないし微結晶であっても、記録パワーを加
えた部位は全て非晶質ないし微結晶の記録マークとな
り、また、消去パワーを加えた部位は全て結晶質とな
り、オーバーライト記録が可能となる。
【００１６】これに対し、本発明の光記録媒体では、Ｔ
ｅ系薄膜と反応薄膜とを積層した後、通常、混合処理を
施す。この混合処理とは、Ｔｅ系薄膜構成元素と反応薄
膜構成元素とを混合するために、レーザー光照射等によ
り記録層を加熱する処理のことである。混合処理によ
り、記録層は、Ｔｅ結晶相中にＧｅ−Ｓｂ等の非晶質相
が分散した状態となる。記録層の反射率は、混合処理前
は結晶化しているＴｅ系薄膜のために比較的高いが、混
合処理により低下する。ただし、混合処理後の反射率
は、非晶質部（記録マーク）における反射率よりは高く
なる。
ｅ系薄膜と反応薄膜とを積層した後、通常、混合処理を
施す。この混合処理とは、Ｔｅ系薄膜構成元素と反応薄
膜構成元素とを混合するために、レーザー光照射等によ
り記録層を加熱する処理のことである。混合処理によ
り、記録層は、Ｔｅ結晶相中にＧｅ−Ｓｂ等の非晶質相
が分散した状態となる。記録層の反射率は、混合処理前
は結晶化しているＴｅ系薄膜のために比較的高いが、混
合処理により低下する。ただし、混合処理後の反射率
は、非晶質部（記録マーク）における反射率よりは高く
なる。
【００１７】混合処理は、形成直後の記録層を記録可能
な状態に変化させるという意味において、従来の相変化
型記録媒体における初期化処理と同様である。しかし、
従来の初期化処理では、記録層は結晶化して反射率が上
がるが、混合処理では、記録層はＴｅ結晶相中に非晶質
が分散された状態となり、反射率は低下する。
な状態に変化させるという意味において、従来の相変化
型記録媒体における初期化処理と同様である。しかし、
従来の初期化処理では、記録層は結晶化して反射率が上
がるが、混合処理では、記録層はＴｅ結晶相中に非晶質
が分散された状態となり、反射率は低下する。
【００１８】混合処理後、上記した従来の相変化型記録
媒体と同様な記録および書き換え（オーバーライト）を
行うことになる。記録パワーを加えた領域では記録層が
溶融し、続く急冷により非晶質ないし微結晶となって記
録マークとなる。一方、消去パワーを加えた領域では、
ＧｅＴｅ2やＳｂ2Ｔｅ3等への結晶化が生じて反射率が
上昇する。これ以降の書き換えについては、上記した従
来の相変化型記録媒体と同様にして行われる。
媒体と同様な記録および書き換え（オーバーライト）を
行うことになる。記録パワーを加えた領域では記録層が
溶融し、続く急冷により非晶質ないし微結晶となって記
録マークとなる。一方、消去パワーを加えた領域では、
ＧｅＴｅ2やＳｂ2Ｔｅ3等への結晶化が生じて反射率が
上昇する。これ以降の書き換えについては、上記した従
来の相変化型記録媒体と同様にして行われる。
【００１９】本発明において、混合処理後、書き換えを
繰り返したときの記録マークおよび結晶質部の反射率変
化は、単層の非晶質記録層を初期化した従来の相変化型
記録媒体と同等に小さく、反射率の安定性が高い。
繰り返したときの記録マークおよび結晶質部の反射率変
化は、単層の非晶質記録層を初期化した従来の相変化型
記録媒体と同等に小さく、反射率の安定性が高い。
【００２０】ここで、本発明の光記録媒体において、製
造直後（混合処理前）の反射率をＲ0とし、繰り返し記
録後の記録層の結晶質部における反射率をＲCとし、繰
り返し記録後の記録層の非晶質部（記録マーク）におけ
る最低反射率をＲAとすると、 ＲA＜Ｒ0≦ＲC となる。なお、これらの反射率は、基板側から測定した
値である。また、非晶質部における最低反射率とは、非
晶質化が最も進んで最も反射率が低くなったときの値で
ある。記録層形成直後の反射率Ｒ0は、通常、ＲCよりは
低くなるが、上記したように結晶化しているＴｅ薄膜の
ために比較的高くなり、例えばＲCの６０％程度以上と
することができる。このため、混合処理の際にレーザー
光のフォーカシングを精度よく制御でき、均一な混合処
理が可能となる。また、反応薄膜も結晶化している場合
には、両薄膜の組成や厚さ等を最適なものとし、かつ、
記録層と共に媒体表面に設けられる誘電体層や反射層の
材質、厚さ等を最適なものとすることにより、Ｒ0をＲC
と同等にできる。このような場合には、混合処理を省略
することもできる。
造直後（混合処理前）の反射率をＲ0とし、繰り返し記
録後の記録層の結晶質部における反射率をＲCとし、繰
り返し記録後の記録層の非晶質部（記録マーク）におけ
る最低反射率をＲAとすると、 ＲA＜Ｒ0≦ＲC となる。なお、これらの反射率は、基板側から測定した
値である。また、非晶質部における最低反射率とは、非
晶質化が最も進んで最も反射率が低くなったときの値で
ある。記録層形成直後の反射率Ｒ0は、通常、ＲCよりは
低くなるが、上記したように結晶化しているＴｅ薄膜の
ために比較的高くなり、例えばＲCの６０％程度以上と
することができる。このため、混合処理の際にレーザー
光のフォーカシングを精度よく制御でき、均一な混合処
理が可能となる。また、反応薄膜も結晶化している場合
には、両薄膜の組成や厚さ等を最適なものとし、かつ、
記録層と共に媒体表面に設けられる誘電体層や反射層の
材質、厚さ等を最適なものとすることにより、Ｒ0をＲC
と同等にできる。このような場合には、混合処理を省略
することもできる。
【００２１】以下に説明するように、本発明では、レー
ザー光照射によって混合処理を行う際の媒体の線速度
を、従来の初期化処理の際に要求される媒体の線速度よ
りも著しく速くできるため、生産性が向上する。
ザー光照射によって混合処理を行う際の媒体の線速度
を、従来の初期化処理の際に要求される媒体の線速度よ
りも著しく速くできるため、生産性が向上する。
【００２２】従来の初期化処理では、スパッタ法により
形成された単層の非晶質記録層を加熱・徐冷して結晶化
する。一方、相変化型記録媒体においてオーバーライト
により非晶質の記録マークを消去する（結晶化する）際
にも、記録マークを加熱・徐冷する。形成直後の記録層
と記録マークとは非晶質という点では同じであるが両者
はエネルギー状態が異なるため、初期化の際にはより高
いエネルギーが必要となり、かつ、冷却速度を遅くする
ためにより遅い線速度が必要となる。ここで、オーバー
ライトの際に消去率が−２５dB以下となる線速度を書き
換え可能な線速度とし、消去率が最も良好となる線速度
を書き換え可能な最適線速度と定義すると、初期化に必
要な線速度は、書き換え可能な最適線速度の１／３〜１
／２程度となる。このため、レーザー光の照射により初
期化を行う場合には長時間を要するのである。
形成された単層の非晶質記録層を加熱・徐冷して結晶化
する。一方、相変化型記録媒体においてオーバーライト
により非晶質の記録マークを消去する（結晶化する）際
にも、記録マークを加熱・徐冷する。形成直後の記録層
と記録マークとは非晶質という点では同じであるが両者
はエネルギー状態が異なるため、初期化の際にはより高
いエネルギーが必要となり、かつ、冷却速度を遅くする
ためにより遅い線速度が必要となる。ここで、オーバー
ライトの際に消去率が−２５dB以下となる線速度を書き
換え可能な線速度とし、消去率が最も良好となる線速度
を書き換え可能な最適線速度と定義すると、初期化に必
要な線速度は、書き換え可能な最適線速度の１／３〜１
／２程度となる。このため、レーザー光の照射により初
期化を行う場合には長時間を要するのである。
【００２３】これに対し本発明では、混合処理の際のレ
ーザー光に対する記録層の線速度をＶMとし、混合処理
後の書き換え可能な最適線速度をＶWとすると、 ＶW≦ＶM とできる。このため、混合処理に要する時間は、従来の
初期化に要する時間よりも著しく短くなる。なお、線速
度ＶMを速くするためには混合処理の際にレーザー光の
パワーを上げればよい。ＶMの上限は特にないが、一般
のバルクイレーザーや記録装置を用いる場合には、通
常、 ＶM≦５ＶW となる。
ーザー光に対する記録層の線速度をＶMとし、混合処理
後の書き換え可能な最適線速度をＶWとすると、 ＶW≦ＶM とできる。このため、混合処理に要する時間は、従来の
初期化に要する時間よりも著しく短くなる。なお、線速
度ＶMを速くするためには混合処理の際にレーザー光の
パワーを上げればよい。ＶMの上限は特にないが、一般
のバルクイレーザーや記録装置を用いる場合には、通
常、 ＶM≦５ＶW となる。
【００２４】また、混合処理の際に線速度ＶMを遅くす
れば、低パワーのレーザー光で混合処理が可能となる。
このため、従来の初期化と同等の線速度で混合処理を行
う場合には、必要なレーザーパワーが極めて小さくて済
む。ただし、実用的な速度で混合処理を行うためには、
通常、 ０．２ＶW≦ＶM とすることが好ましい。
れば、低パワーのレーザー光で混合処理が可能となる。
このため、従来の初期化と同等の線速度で混合処理を行
う場合には、必要なレーザーパワーが極めて小さくて済
む。ただし、実用的な速度で混合処理を行うためには、
通常、 ０．２ＶW≦ＶM とすることが好ましい。
【００２５】本発明の光記録媒体は、上述した書き換え
可能型の他に、追記型として用いることもできる。本発
明の光記録媒体を追記型として用いる場合、両薄膜の混
合処理は行わない。本発明における追記型記録媒体は、
上述した書き換え方法を用いた場合、すなわち、書き換
え可能型記録媒体用の駆動装置を用いた場合に、記録は
可能であるが消去が不可能なものである。具体的には、
記録パワーを加えたときにＴｅ系薄膜と反応薄膜との混
合が可能であり、かつ、混合が生じた領域に記録時と同
じ線速度で消去パワーを加えたとき、その領域の結晶化
が不可能であるものである。本発明の光記録媒体では、
製造直後の反射率を比較的高くできると共に、混合処理
により反射率を大きく低下させることが可能なため、本
発明では初期化が不要でかつ特性の良好な追記型光記録
媒体が実現する。なお、このような追記型記録が可能な
記録層は、両薄膜の組成や厚さ等を適宜設定することに
より実現できる。
可能型の他に、追記型として用いることもできる。本発
明の光記録媒体を追記型として用いる場合、両薄膜の混
合処理は行わない。本発明における追記型記録媒体は、
上述した書き換え方法を用いた場合、すなわち、書き換
え可能型記録媒体用の駆動装置を用いた場合に、記録は
可能であるが消去が不可能なものである。具体的には、
記録パワーを加えたときにＴｅ系薄膜と反応薄膜との混
合が可能であり、かつ、混合が生じた領域に記録時と同
じ線速度で消去パワーを加えたとき、その領域の結晶化
が不可能であるものである。本発明の光記録媒体では、
製造直後の反射率を比較的高くできると共に、混合処理
により反射率を大きく低下させることが可能なため、本
発明では初期化が不要でかつ特性の良好な追記型光記録
媒体が実現する。なお、このような追記型記録が可能な
記録層は、両薄膜の組成や厚さ等を適宜設定することに
より実現できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２７】記録層 本発明の光記録媒体は、透明基板上に、少なくとも１層
のＴｅ系薄膜と少なくとも１層の反応薄膜とからなる記
録層を有する。記録層中において、Ｔｅ系薄膜と反応薄
膜とは接している。
のＴｅ系薄膜と少なくとも１層の反応薄膜とからなる記
録層を有する。記録層中において、Ｔｅ系薄膜と反応薄
膜とは接している。
【００２８】Ｔｅ系薄膜は、Ｔｅ含有率が９５原子％以
上、好ましくは９７原子％以上であるＴｅ系材料をスパ
ッタ法などにより成膜したものである。Ｔｅ系薄膜の厚
さは、７nm以上であることが好ましい。Ｔｅ系薄膜中の
Ｔｅ含有率が低すぎてもＴｅ系薄膜が薄すぎても、Ｔｅ
系薄膜の結晶化が困難となり、本発明の効果が実現しな
くなる。
上、好ましくは９７原子％以上であるＴｅ系材料をスパ
ッタ法などにより成膜したものである。Ｔｅ系薄膜の厚
さは、７nm以上であることが好ましい。Ｔｅ系薄膜中の
Ｔｅ含有率が低すぎてもＴｅ系薄膜が薄すぎても、Ｔｅ
系薄膜の結晶化が困難となり、本発明の効果が実現しな
くなる。
【００２９】反応薄膜は、Ｔｅとの混合により相変化材
料が生成される材料を成膜したものであり、具体的には
（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものである。（Ｇｅ，
Ｓｂ）系材料は、Ｇｅを主成分とするか、Ｓｂを主成分
とするか、ＧｅおよびＳｂを主成分とする。（Ｇｅ，Ｓ
ｂ）系材料中のＧｅとＳｂとの比率は、目的とする記録
層組成に応じて適宜決定すればよい。
料が生成される材料を成膜したものであり、具体的には
（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものである。（Ｇｅ，
Ｓｂ）系材料は、Ｇｅを主成分とするか、Ｓｂを主成分
とするか、ＧｅおよびＳｂを主成分とする。（Ｇｅ，Ｓ
ｂ）系材料中のＧｅとＳｂとの比率は、目的とする記録
層組成に応じて適宜決定すればよい。
【００３０】Ｔｅ系薄膜および／または反応薄膜は、元
素Ｍを含むことが好ましい。Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、ＰｂおよびＢ
ｉから選択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍ
は、非晶質相の安定性を増すためや、信号のＳ／Ｎを向
上することを目的として添加される。このような効果が
高いことから、元素ＭのうちではＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｗ、ＰｂおよびＢｉが好まし
い。
素Ｍを含むことが好ましい。Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、ＰｂおよびＢ
ｉから選択される少なくとも１種の元素である。元素Ｍ
は、非晶質相の安定性を増すためや、信号のＳ／Ｎを向
上することを目的として添加される。このような効果が
高いことから、元素ＭのうちではＳｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃ
ｒ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｗ、ＰｂおよびＢｉが好まし
い。
【００３１】元素Ｍの含有率は、記録層全体で好ましく
は５原子％以下、より好ましくは３原子％以下である。
記録層中でのＭ含有率が高すぎると、相変化に伴なう反
射率変化が小さくなって十分な変調度が得られなくな
る。上記のような効果を十分に発揮させるためには、記
録層中のＭ含有率を０．５原子％以上とすることが好ま
しい。
は５原子％以下、より好ましくは３原子％以下である。
記録層中でのＭ含有率が高すぎると、相変化に伴なう反
射率変化が小さくなって十分な変調度が得られなくな
る。上記のような効果を十分に発揮させるためには、記
録層中のＭ含有率を０．５原子％以上とすることが好ま
しい。
【００３２】なお、元素ＭをＴｅ系材料に含有させる場
合、Ｔｅ系材料中のＭ含有率は５原子％以下、好ましく
は３原子％以下とする。Ｔｅ系材料中のＭ含有率が高す
ぎると、Ｔｅ系薄膜をスパッタ法により形成する際にＴ
ｅ微細結晶の生成が元素Ｍによって抑制されてＴｅ系薄
膜の結晶化が生じず、本発明の効果が実現しなくなる。
Ｔｅ系薄膜は、実質的にＴｅだけ、またはＴｅと元素Ｍ
とだけからなることが好ましい。
合、Ｔｅ系材料中のＭ含有率は５原子％以下、好ましく
は３原子％以下とする。Ｔｅ系材料中のＭ含有率が高す
ぎると、Ｔｅ系薄膜をスパッタ法により形成する際にＴ
ｅ微細結晶の生成が元素Ｍによって抑制されてＴｅ系薄
膜の結晶化が生じず、本発明の効果が実現しなくなる。
Ｔｅ系薄膜は、実質的にＴｅだけ、またはＴｅと元素Ｍ
とだけからなることが好ましい。
【００３３】Ｔｅ系薄膜の厚さおよび反応薄膜の厚さ
は、目的とする記録層組成（両薄膜混合後の組成）が得
られるように、両薄膜の組成に応じて適宜決定すればよ
い。
は、目的とする記録層組成（両薄膜混合後の組成）が得
られるように、両薄膜の組成に応じて適宜決定すればよ
い。
【００３４】ただし、Ｔｅ系薄膜の厚さは、好ましくは
７nm以上、より好ましくは１０nm以上である。Ｔｅ系薄
膜が薄すぎると、Ｔｅ系薄膜が均質な結晶質膜とならず
に非晶質状態となり、本発明の効果が実現しない。な
お、Ｔｅ系薄膜の厚さの上限は、必要とされる記録層厚
さと両薄膜の組成とに応じて決定されるが、通常、１２
nm程度である。
７nm以上、より好ましくは１０nm以上である。Ｔｅ系薄
膜が薄すぎると、Ｔｅ系薄膜が均質な結晶質膜とならず
に非晶質状態となり、本発明の効果が実現しない。な
お、Ｔｅ系薄膜の厚さの上限は、必要とされる記録層厚
さと両薄膜の組成とに応じて決定されるが、通常、１２
nm程度である。
【００３５】反応薄膜の厚さは、一般に８〜１１nm程度
である。反応薄膜は連続膜である必要はない。
である。反応薄膜は連続膜である必要はない。
【００３６】なお、本明細書では、各薄膜の厚さを、成
膜レート×成膜時間で算出される計算値で表わす。
膜レート×成膜時間で算出される計算値で表わす。
【００３７】記録層は、１層のＴｅ系薄膜と１層の反応
薄膜とからだけ構成されていてもよいが、記録層を３層
以上の構成とすることにより、混合に必要なエネルギー
を小さくすることができる。記録層中に両薄膜が合計で
３層以上存在する場合、記録層は、Ｔｅ系薄膜と反応薄
膜とが交互に同数積層された偶数層構成であってもよ
く、両端が同種の薄膜となる奇数層構成であってもよい
が、奇数層構成であって記録層両端が反応薄膜であるも
のが最も好ましい。記録層両端が反応薄膜である構成、
すなわち、すべてのＴｅ系薄膜の両側に反応薄膜が存在
する構成とすることにより、両薄膜構成材料の混合が迅
速かつ均一に行われるので、混合に必要なエネルギーを
より小さくすることができる。
薄膜とからだけ構成されていてもよいが、記録層を３層
以上の構成とすることにより、混合に必要なエネルギー
を小さくすることができる。記録層中に両薄膜が合計で
３層以上存在する場合、記録層は、Ｔｅ系薄膜と反応薄
膜とが交互に同数積層された偶数層構成であってもよ
く、両端が同種の薄膜となる奇数層構成であってもよい
が、奇数層構成であって記録層両端が反応薄膜であるも
のが最も好ましい。記録層両端が反応薄膜である構成、
すなわち、すべてのＴｅ系薄膜の両側に反応薄膜が存在
する構成とすることにより、両薄膜構成材料の混合が迅
速かつ均一に行われるので、混合に必要なエネルギーを
より小さくすることができる。
【００３８】両薄膜の積層数が多すぎると記録層が厚く
なりすぎるので、記録層中におけるＴｅ系薄膜と反応薄
膜との間の界面の数は、１０以下とすることが好まし
く、記録層の厚さが５０nm以下となるように界面の数を
設定することが、より好ましい。記録層が厚すぎると、
誘電体層による放熱効果が不十分となって記録マークの
エッジが歪みやすくなり、ジッターやエラーレートの悪
化を招きやすい。
なりすぎるので、記録層中におけるＴｅ系薄膜と反応薄
膜との間の界面の数は、１０以下とすることが好まし
く、記録層の厚さが５０nm以下となるように界面の数を
設定することが、より好ましい。記録層が厚すぎると、
誘電体層による放熱効果が不十分となって記録マークの
エッジが歪みやすくなり、ジッターやエラーレートの悪
化を招きやすい。
【００３９】なお、記録層が薄すぎると、結晶相の成長
が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十分とな
るので、記録層の厚さは１５nm以上とすることが好まし
い。
が困難となり、相変化に伴なう反射率変化が不十分とな
るので、記録層の厚さは１５nm以上とすることが好まし
い。
【００４０】記録層全体の構成元素の原子比を 式Ｉ （ＧｅaＳｂbＴｅ1-a-b）1-cＭc で表わしたとき、好ましくは ０≦ａ≦１、 ０≦ｂ≦１、 ０≦ｃ≦０．０５ であり、より好ましくは ０．００５≦ｃ≦０．０３ である。
【００４１】追記型光記録媒体では、記録時の線速度に
応じた適当な結晶化速度をもつように、ａおよびｂを適
宜決定すればよい。
応じた適当な結晶化速度をもつように、ａおよびｂを適
宜決定すればよい。
【００４２】一方、書き換え可能型光記録媒体に適用す
る場合のａおよびｂは、より好ましくは ０．０５≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ であり、さらに好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２２、 ０．２２≦ｂ≦０．３３ である。書き換え可能型光記録媒体では、ａが小さすぎ
ると、記録マークが結晶化しにくくなり、消去率が低く
なってしまう。一方、ａが大きすぎると、多量のＴｅが
Ｇｅと結合することになり、その結果、Ｓｂが析出して
記録マークが形成されにくくなる。ｂが小さすぎると、
Ｔｅが多くなりすぎるために高温での保存時に記録マー
クが結晶化しやすくなって、信頼性が低くなってしま
う。一方、ｂが大きすぎると、Ｓｂが析出して記録マー
クが形成されにくくなる。
る場合のａおよびｂは、より好ましくは ０．０５≦ａ≦０．２５、 ０．２０≦ｂ≦０．４０ であり、さらに好ましくは ０．０８≦ａ≦０．２２、 ０．２２≦ｂ≦０．３３ である。書き換え可能型光記録媒体では、ａが小さすぎ
ると、記録マークが結晶化しにくくなり、消去率が低く
なってしまう。一方、ａが大きすぎると、多量のＴｅが
Ｇｅと結合することになり、その結果、Ｓｂが析出して
記録マークが形成されにくくなる。ｂが小さすぎると、
Ｔｅが多くなりすぎるために高温での保存時に記録マー
クが結晶化しやすくなって、信頼性が低くなってしま
う。一方、ｂが大きすぎると、Ｓｂが析出して記録マー
クが形成されにくくなる。
【００４３】ｃが小さすぎると、元素Ｍを添加したこと
による効果が十分に実現しない。一方、ｃが大きすぎる
と、共晶組成からずれてくるため、ｃの増大に伴って結
晶化速度が急激に低くなり、消去率が低下してしまう。
による効果が十分に実現しない。一方、ｃが大きすぎる
と、共晶組成からずれてくるため、ｃの増大に伴って結
晶化速度が急激に低くなり、消去率が低下してしまう。
【００４４】記録層の形成方法 上記各態様において、Ｔｅ系薄膜および反応薄膜の形成
は、いずれもスパッタ法により行うことが好ましい。ス
パッタ法によってＴｅ系薄膜を形成することにより、Ｔ
ｅ微細結晶の生成が促進されるので、Ｔｅ系薄膜と反応
薄膜との形成が終了した段階で、Ｔｅ系薄膜に必要とさ
れる結晶化が実質的に完了することになる。スパッタ条
件は特に限定されず、例えば、複数の元素を含む材料を
スパッタする際には、合金ターゲットを用いてもよく、
ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を用いてもよ
い。なお、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とは、どちらを先に形
成してもよいが、追記型として用いる場合には、記録光
入射側にＴｅ系薄膜が存在するように、Ｔｅ系薄膜を先
に形成する。形成順序をこのようにすることにより、記
録前が高反射率で記録後が低反射率となる、いわゆるHi
gh To Low記録が可能となる。
は、いずれもスパッタ法により行うことが好ましい。ス
パッタ法によってＴｅ系薄膜を形成することにより、Ｔ
ｅ微細結晶の生成が促進されるので、Ｔｅ系薄膜と反応
薄膜との形成が終了した段階で、Ｔｅ系薄膜に必要とさ
れる結晶化が実質的に完了することになる。スパッタ条
件は特に限定されず、例えば、複数の元素を含む材料を
スパッタする際には、合金ターゲットを用いてもよく、
ターゲットを複数個用いる多元スパッタ法を用いてもよ
い。なお、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とは、どちらを先に形
成してもよいが、追記型として用いる場合には、記録光
入射側にＴｅ系薄膜が存在するように、Ｔｅ系薄膜を先
に形成する。形成順序をこのようにすることにより、記
録前が高反射率で記録後が低反射率となる、いわゆるHi
gh To Low記録が可能となる。
【００４５】形成されたＴｅ系薄膜の結晶性が不十分で
ある場合には、記録層を熱処理すればＴｅ系薄膜の結晶
化を進めることができるので、必要に応じ結晶化促進の
ための熱処理を施してもよい。このときの熱処理温度は
５０〜１２０℃とすることが好ましい。熱処理温度が低
すぎると、結晶化に要する時間が長くなりすぎる。一
方、熱処理温度が高すぎると、ポリカーボネート等の樹
脂基板を用いた場合に基板にダメージを与えてしまう。
熱処理は反射率の向上が飽和するまで行えばよいので、
熱処理時間は特に限定されないが、通常、１時間以上、
好ましくは３時間以上である。この熱処理は、光記録媒
体全体をオーブンなどにより加熱することにより行えば
よい。
ある場合には、記録層を熱処理すればＴｅ系薄膜の結晶
化を進めることができるので、必要に応じ結晶化促進の
ための熱処理を施してもよい。このときの熱処理温度は
５０〜１２０℃とすることが好ましい。熱処理温度が低
すぎると、結晶化に要する時間が長くなりすぎる。一
方、熱処理温度が高すぎると、ポリカーボネート等の樹
脂基板を用いた場合に基板にダメージを与えてしまう。
熱処理は反射率の向上が飽和するまで行えばよいので、
熱処理時間は特に限定されないが、通常、１時間以上、
好ましくは３時間以上である。この熱処理は、光記録媒
体全体をオーブンなどにより加熱することにより行えば
よい。
【００４６】上記熱処理は、本発明を追記型の光記録媒
体に適用する場合に特に有効である。本発明を追記型光
記録媒体に適用する場合には、混合処理は行わないの
で、Ｔｅ系薄膜の結晶化の程度が重要となる。Ｔｅ系薄
膜の結晶化が進んでいるほど、記録マークとその周囲と
の間の反射率差を大きくできるので、高い変調度が得ら
れる。また、上記熱処理は、追記型光記録媒体における
記録再生特性の安定化にも有効である。記録光照射によ
り記録マークを形成する際には、記録マーク周囲の温度
も上昇するので、Ｔｅ系薄膜の結晶化が不十分である
と、記録マーク形成時にその周囲の結晶化が進み、反射
率が上がってしまう。このため、再生信号の波形が変形
し、ジッターやエラーの悪化原因となる。これに対し、
Ｔｅ系薄膜が十分に結晶化していて反射率が実質的に飽
和状態にあれば、記録マーク周囲での反射率上昇は生じ
ない。
体に適用する場合に特に有効である。本発明を追記型光
記録媒体に適用する場合には、混合処理は行わないの
で、Ｔｅ系薄膜の結晶化の程度が重要となる。Ｔｅ系薄
膜の結晶化が進んでいるほど、記録マークとその周囲と
の間の反射率差を大きくできるので、高い変調度が得ら
れる。また、上記熱処理は、追記型光記録媒体における
記録再生特性の安定化にも有効である。記録光照射によ
り記録マークを形成する際には、記録マーク周囲の温度
も上昇するので、Ｔｅ系薄膜の結晶化が不十分である
と、記録マーク形成時にその周囲の結晶化が進み、反射
率が上がってしまう。このため、再生信号の波形が変形
し、ジッターやエラーの悪化原因となる。これに対し、
Ｔｅ系薄膜が十分に結晶化していて反射率が実質的に飽
和状態にあれば、記録マーク周囲での反射率上昇は生じ
ない。
【００４７】なお、本発明を書き換え可能型光記録媒体
に適用する場合には、Ｔｅ系薄膜の結晶化が不十分であ
っても混合処理の条件を制御することなどにより解決で
きるので、上記熱処理は、通常、追記型光記録媒体だけ
に適用される。ただし、書き換え可能型光記録媒体に適
用した場合でも、混合処理の際にレーザービームのフォ
ーカスサーボが容易になるという利点がある。
に適用する場合には、Ｔｅ系薄膜の結晶化が不十分であ
っても混合処理の条件を制御することなどにより解決で
きるので、上記熱処理は、通常、追記型光記録媒体だけ
に適用される。ただし、書き換え可能型光記録媒体に適
用した場合でも、混合処理の際にレーザービームのフォ
ーカスサーボが容易になるという利点がある。
【００４８】上記熱処理は、Ｔｅ系薄膜の結晶化の程度
の指標ともなる。上記熱処理により記録層の反射率が向
上する場合には、Ｔｅ系薄膜の結晶化が不十分であると
いうことになり、上記熱処理によっても記録層の反射率
が向上しない場合、すなわち、反射率が飽和している場
合には、十分に結晶化していることになる。ただし、熱
処理前の反射率が熱処理後の反射率の９５％以上であれ
ば、実用的には十分な特性であるといえるので、熱処理
を施さないで使用することもできる。
の指標ともなる。上記熱処理により記録層の反射率が向
上する場合には、Ｔｅ系薄膜の結晶化が不十分であると
いうことになり、上記熱処理によっても記録層の反射率
が向上しない場合、すなわち、反射率が飽和している場
合には、十分に結晶化していることになる。ただし、熱
処理前の反射率が熱処理後の反射率の９５％以上であれ
ば、実用的には十分な特性であるといえるので、熱処理
を施さないで使用することもできる。
【００４９】混合処理および書き換え 本発明の光記録媒体に対する混合処理は、前述したよう
にレーザー光照射によって行うことが好ましい。なお、
オーブンなどにより光記録媒体全体を熱処理することに
よっても混合処理は可能であるが、Ｔｅ系薄膜と反応薄
膜との間で十分な相互拡散を生じさせるためには比較的
高温の熱処理が必要であるため、安価な樹脂基板を用い
ることが困難となる。
にレーザー光照射によって行うことが好ましい。なお、
オーブンなどにより光記録媒体全体を熱処理することに
よっても混合処理は可能であるが、Ｔｅ系薄膜と反応薄
膜との間で十分な相互拡散を生じさせるためには比較的
高温の熱処理が必要であるため、安価な樹脂基板を用い
ることが困難となる。
【００５０】本発明の光記録媒体に対する書き換えは、
前述したように行われる。記録パワーは、パルス状に加
えてもよい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記録
することにより記録マークでの蓄熱が抑制され、記録マ
ーク後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えること
ができるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照射
により消去率も向上する。記録パワーおよび消去パワー
の具体的値は、実験的に決定することができる。なお、
再生用レーザー光には、記録層の結晶状態に影響を与え
ない低パワーのものを用いる。
前述したように行われる。記録パワーは、パルス状に加
えてもよい。一つの信号を少なくとも２回の照射で記録
することにより記録マークでの蓄熱が抑制され、記録マ
ーク後端部の膨れ（ティアドロップ現象）を抑えること
ができるので、Ｃ／Ｎが向上する。また、パルス状照射
により消去率も向上する。記録パワーおよび消去パワー
の具体的値は、実験的に決定することができる。なお、
再生用レーザー光には、記録層の結晶状態に影響を与え
ない低パワーのものを用いる。
【００５１】本発明の光記録媒体への記録に際し、レー
ザー光に対する記録層の線速度は、通常、０．８〜２０
m/s程度、好ましくは１．２〜１６m/sである。書き換え
可能な最適線速度は、記録層の組成を変更することによ
り制御することができる。具体的には、例えばＴｅ含有
率を高くすることにより、書き換え可能な最適線速度を
速くすることができる。
ザー光に対する記録層の線速度は、通常、０．８〜２０
m/s程度、好ましくは１．２〜１６m/sである。書き換え
可能な最適線速度は、記録層の組成を変更することによ
り制御することができる。具体的には、例えばＴｅ含有
率を高くすることにより、書き換え可能な最適線速度を
速くすることができる。
【００５２】本発明の光記録媒体は、混合処理、書き換
えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例えば１００
〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
えおよび再生に用いる光を、広い波長域、例えば１００
〜５０００nmの範囲から自在に選択できる。
【００５３】媒体構造 図１の光記録媒体 本発明の記録媒体の構成例を、図１に示す。この光記録
媒体は、基体２上に第１誘電体層３１、記録層４、第２
誘電体層３２、反射層５および保護層６をこの順に設け
た片面記録型（単板型）媒体である。なお、この片面記
録型媒体を２枚用い、保護層６が内側になるように接着
層により接着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用
できる。また、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着
層により接着した媒体にも、本発明は適用できる。
媒体は、基体２上に第１誘電体層３１、記録層４、第２
誘電体層３２、反射層５および保護層６をこの順に設け
た片面記録型（単板型）媒体である。なお、この片面記
録型媒体を２枚用い、保護層６が内側になるように接着
層により接着した両面記録型の媒体にも、本発明は適用
できる。また、上記片面記録型媒体と保護基体とを接着
層により接着した媒体にも、本発明は適用できる。
【００５４】誘電体層３１、３２ 図１において、第１誘電体層３１は、記録層の酸化を防
ぎ、また、記録時に記録層から基体に伝わる熱を遮断し
て基体を保護する。第２誘電体層３２は、記録層を保護
すると共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により
放出するために設けられる。また、両誘電体層を設ける
ことにより、変調度を向上させることができる。
ぎ、また、記録時に記録層から基体に伝わる熱を遮断し
て基体を保護する。第２誘電体層３２は、記録層を保護
すると共に、記録後、記録層に残った熱を熱伝導により
放出するために設けられる。また、両誘電体層を設ける
ことにより、変調度を向上させることができる。
【００５５】第１誘電体層および第２誘電体層に用いる
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。
誘電体材料は特に限定されず、各種誘電体やそれらの混
合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ＺｎＳ−Ｓｉ
Ｏ2など、透明な各種セラミックスを用いればよく、ま
た、各種ガラスなどを用いてもよい。また、例えば、Ｌ
ａ、Ｓｉ、ＯおよびＮを含有する所謂LaSiONや、Ｓｉ、
Ａｌ、ＯおよびＮを含有する所謂SiAlON、あるいはＹを
含有するSiAlON等も好ましく用いることができる。
【００５６】ただし、第１誘電体層および第２誘電体層
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させることが好ましい。以下、硫化亜
鉛を含有する誘電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。Ｚ
ｎＳ含有誘電体層には、０〜１０００℃においてその硫
化物生成標準自由エネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネ
ルギーより低い元素（以下、金属元素Ａという）を含有
させることが好ましい。ＺｎＳ含有誘電体層中に金属元
素Ａを含有させることにより、繰り返しオーバーライト
の際のＳ遊離を抑制することができ、これによりジッタ
ー増大を防ぐことができるので、繰り返しオーバーライ
ト可能な回数を増やすことができる。
の少なくとも一方には、屈折率等の特性の最適化のため
に硫化亜鉛を含有させることが好ましい。以下、硫化亜
鉛を含有する誘電体層をＺｎＳ含有誘電体層という。Ｚ
ｎＳ含有誘電体層には、０〜１０００℃においてその硫
化物生成標準自由エネルギーがＺｎＳ生成標準自由エネ
ルギーより低い元素（以下、金属元素Ａという）を含有
させることが好ましい。ＺｎＳ含有誘電体層中に金属元
素Ａを含有させることにより、繰り返しオーバーライト
の際のＳ遊離を抑制することができ、これによりジッタ
ー増大を防ぐことができるので、繰り返しオーバーライ
ト可能な回数を増やすことができる。
【００５７】金属元素Ａとしては、Ｃｅ、Ｃａ、Ｍｇ、
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Kでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ/
mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/mo
l、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
Ｓｒ、ＢａおよびＮａの少なくとも１種を用いることが
好ましく、硫化物生成標準自由エネルギーが小さいこと
から、Ｃｅを用いることが特に好ましい。例えば３００
Kでは、ＺｎＳ生成標準自由エネルギーは約−２３０kJ/
mol、ＣｅＳ生成標準自由エネルギーは約−５４０kJ/mo
l、ＣａＳ生成標準自由エネルギーは約−５１０kJ/mo
l、ＭｇＳ生成標準自由エネルギーは約−３９０kJ/mo
l、ＳｒＳ生成標準自由エネルギーは約−５００kJ/mo
l、ＢａＳ生成標準自由エネルギーは約−４６０kJ/mo
l、Ｎａ2Ｓ生成標準自由エネルギーは約−４００kJ/mol
である。
【００５８】ＺｎＳ含有誘電体層中において、全金属元
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライトにより生じるジッター増大を抑制する効果
が実現しない。なお、金属元素Ａの添加による効果を十
分に実現するためには、金属元素Ａの比率を好ましくは
０．０１原子％以上、より好ましくは０．０３原子％以
上とする。全金属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ
線分析やＥＰＭＡ（電子線プローブＸ線マイクロアナリ
シス）などにより測定することができる。なお、金属元
素Ａの比率を算出する際には、Ｓｉ等の半金属も金属元
素として扱う。
素に対する金属元素Ａの比率は、２原子％未満、好まし
くは１．５原子％以下、より好ましくは１．３原子％以
下である。金属元素Ａの比率が高すぎると、繰り返しオ
ーバーライトにより生じるジッター増大を抑制する効果
が実現しない。なお、金属元素Ａの添加による効果を十
分に実現するためには、金属元素Ａの比率を好ましくは
０．０１原子％以上、より好ましくは０．０３原子％以
上とする。全金属元素中の金属元素Ａの比率は、蛍光Ｘ
線分析やＥＰＭＡ（電子線プローブＸ線マイクロアナリ
シス）などにより測定することができる。なお、金属元
素Ａの比率を算出する際には、Ｓｉ等の半金属も金属元
素として扱う。
【００５９】誘電体層中において、金属元素Ａは、単
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
体、硫化物、酸化物、フッ化物等のいずれの形態で存在
していてもよい。
【００６０】ＺｎＳ含有誘電体層には、硫化亜鉛以外の
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ4）の少なくとも１種が好ましい。
化合物、例えば、各種酸化物、窒化物、フッ化物等が含
有されていることが好ましい。このような化合物として
は、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ2、ＳｉＯ）、酸化タ
ンタル（Ｔａ2Ｏ5）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ラ
ンタン（Ｌａ2Ｏ3）、窒化ケイ素（Ｓｉ3Ｎ4）、窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）、フッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）およびフッ化トリ
ウム（ＴｈＦ4）の少なくとも１種が好ましい。
【００６１】ＺｎＳ含有誘電体層中における硫化亜鉛の
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。
含有量は、好ましくは５０〜９５モル％、より好ましく
は７０〜９０モル％である。ＺｎＳが少なすぎると、熱
伝導率が高くなりすぎると共に屈折率が小さくなりす
ぎ、高Ｃ／Ｎが得られにくくなる。一方、ＺｎＳが多す
ぎると、オーバーライト耐久性が低くなってしまう。誘
電体層中のＺｎＳ含有量は、蛍光Ｘ線分析などにより求
めたＳ量とＺｎ量とに基づいて決定し、例えばＳに対し
Ｚｎが過剰であった場合には、過剰なＺｎは他の化合
物、例えばＺｎＯとして含有されているものとする。
【００６２】なお、以上ではＺｎＳ含有誘電体層中に金
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ2）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ2混合物からなるものな
どが挙げられる。
属元素Ａを含有させる構成について説明したが、ＺｎＳ
含有誘電体層と記録層との間に金属元素Ａを含有する中
間層を設ける構成としてもよい。このような中間層とし
ては、例えば、酸化セリウム（ＣｅＯ2）単体からなる
もの、あるいはＺｎＳ−ＣｅＯ2混合物からなるものな
どが挙げられる。
【００６３】第１誘電体層および第２誘電体層の一方だ
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。
けをＺｎＳ含有誘電体層とする場合、他方の誘電体層、
すなわち硫化亜鉛を含有しない誘電体層に用いる誘電体
材料は特に限定されず、ＺｎＳ以外の上記各種誘電体を
用いればよい。
【００６４】第１誘電体層および第２誘電体層の屈折率
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。
は、波長４００〜８５０nmの範囲で１．４以上、特に
１．８以上であることが好ましい。上記波長範囲は、現
在のＣＤプレーヤの使用波長である７８０nmや、次世代
の記録波長として実用化が進められている６３０〜６８
０nmを含むものであり、本発明の光記録媒体に対し好ま
しく使用される波長範囲である。
【００６５】第１誘電体層３１の厚さは、好ましくは５
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。
０〜３００nm、より好ましくは１００〜２５０nmであ
る。第１誘電体層をこのような厚さとすることにより、
記録に際しての基体損傷を効果的に防ぐことができ、し
かも変調度も高くなる。第２誘電体層３２の厚さは、好
ましくは１０〜３０nm、より好ましくは１３〜２０nmで
ある。第２誘電体層をこのような厚さとすることにより
冷却速度が速くなるので、記録マークのエッジが明瞭と
なってジッターが少なくなる。また、このような厚さと
することにより、変調度を高くすることができる。
【００６６】各誘電体層は、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ2からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ2やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ2やＭｇ
Ｆ2からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ2とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。
相成長法により形成することが好ましい。誘電体層中に
金属元素Ａを含有させるためには、様々な方法を利用す
ることができる。例えば、金属元素ＡがＣｅである場合
には、Ｃｅ単体やＣｅＯ2からなるチップを、誘電体層
の主成分となる主ターゲット上に載せたものをターゲッ
トとして用いてもよく、主ターゲット中にＣｅＯ2やそ
の他のＣｅ化合物として含有させてもよい。また、金属
元素ＡとしてＣａやＭｇを用いる場合、上記主ターゲッ
ト上にＣａＯやＭｇＯからなるチップを載せてターゲッ
トとしてもよいが、これらには潮解性があるので、好ま
しくない。したがって、この場合には、ＣａＦ2やＭｇ
Ｆ2からなるチップを主ターゲット上に載せてターゲッ
トとすることが好ましい。金属元素ＡとしてＳｒ、Ｂ
ａ、Ｎａなどを用いる場合も、潮解性の点で、酸化物チ
ップよりもフッ化物チップを用いるほうが好ましい。ま
た、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎａは、酸化物やこれ以
外の化合物として主ターゲット中に含有させて用いても
よい。なお、主ターゲットには、ＺｎＳ−ＳｉＯ2など
のような複合ターゲットを用いてもよく、主ターゲット
としてＺｎＳとＳｉＯ2とをそれぞれ単独で用いるよう
な多元スパッタ法を利用してもよい。
【００６７】ＺｎＳ含有誘電体層は、Ａｒ中で通常のス
パッタ法により形成してもよいが、上記金属元素Ａを含
有させる場合には、好ましくはＡｒとＯ2との混合雰囲
気中でスパッタを行う。このような混合雰囲気中でスパ
ッタを行うことにより、繰り返しオーバーライト時のジ
ッター増大を抑える効果が、より高くなる。スパッタ時
のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上記主
ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有効で
あるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主ターゲ
ットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合物を
含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰囲気
中へのＯ2導入量を流量比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表した
とき、この流量比は好ましくは３０％以下、より好まし
くは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、記録
パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去
パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させるため
には、上記流量比を好ましくは５％以上、より好ましく
は１０％以上とする。
パッタ法により形成してもよいが、上記金属元素Ａを含
有させる場合には、好ましくはＡｒとＯ2との混合雰囲
気中でスパッタを行う。このような混合雰囲気中でスパ
ッタを行うことにより、繰り返しオーバーライト時のジ
ッター増大を抑える効果が、より高くなる。スパッタ時
のＯ2導入は、金属元素Ａ単体からなるチップを上記主
ターゲット上に載せてスパッタを行う場合に特に有効で
あるが、金属元素Ａの化合物からなるチップを主ターゲ
ットに載せたり、主ターゲットに金属元素Ａの化合物を
含有させたりする場合にも有効である。スパッタ雰囲気
中へのＯ2導入量を流量比Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）で表した
とき、この流量比は好ましくは３０％以下、より好まし
くは２５％以下である。Ｏ2導入量が多すぎると、記録
パワーは低下するが消去パワーは変化しないため、消去
パワーマージンが極度に狭くなってしまい、好ましくな
い。なお、Ｏ2導入による効果を十分に発揮させるため
には、上記流量比を好ましくは５％以上、より好ましく
は１０％以上とする。
【００６８】記録層４ 記録層の構成は、前述したとおりである。
【００６９】反射層５ 反射層の材質は特に限定されないが、通常、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこれらの１種以
上を含む合金などの高反射率金属から構成すればよい。
反射層の厚さは、３０〜２００nmとすることが好まし
い。厚さが前記範囲未満であると十分な反射率が得にく
くなる。また、前記範囲を超えても反射率の向上は小さ
く、コスト的に不利になる。反射層は、スパッタ法や蒸
着法等の気相成長法により形成することが好ましい。
ｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ等の単体あるいはこれらの１種以
上を含む合金などの高反射率金属から構成すればよい。
反射層の厚さは、３０〜２００nmとすることが好まし
い。厚さが前記範囲未満であると十分な反射率が得にく
くなる。また、前記範囲を超えても反射率の向上は小さ
く、コスト的に不利になる。反射層は、スパッタ法や蒸
着法等の気相成長法により形成することが好ましい。
【００７０】保護層６ 保護層は、耐擦傷性や耐食性の向上のために設けられ
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
る。この保護層は種々の有機系の物質から構成されるこ
とが好ましいが、特に、放射線硬化型化合物やその組成
物を、電子線、紫外線等の放射線により硬化させた物質
から構成されることが好ましい。保護層の厚さは、通
常、０．１〜１００μm程度であり、スピンコート、グ
ラビア塗布、スプレーコート、ディッピング等、通常の
方法により形成すればよい。
【００７１】接着層 接着層を構成する接着剤は特に限定されず、例えば、ホ
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
ットメルト型接着剤、紫外線硬化型接着剤、常温硬化型
接着剤等のいずれであってもよく、粘着剤であってもよ
い。
【００７２】図２の光記録媒体 図２に、本発明の光記録媒体の他の構成例を示す。この
構成の光記録媒体では、オーバーライトによるジッター
増大を抑制することが可能である。本明細書では、この
構成の光記録媒体を、吸収率補正構造の媒体という。以
下、吸収率補正構造を選択する理由を説明する。
構成の光記録媒体では、オーバーライトによるジッター
増大を抑制することが可能である。本明細書では、この
構成の光記録媒体を、吸収率補正構造の媒体という。以
下、吸収率補正構造を選択する理由を説明する。
【００７３】相変化型光記録媒体では、結晶−非結晶間
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
（結晶状態）における光吸収率（Ａｃ）と記録マーク
（非結晶状態）における光吸収率（Ａａ）とが異なるこ
とが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。なお、Ａｃ
およびＡａは、いずれも記録再生用レーザー光の波長に
おける値である。このため、オーバーライト領域が結晶
であったか非結晶であったかによって記録感度および消
去率が異なることになる。この結果、オーバーライトに
よって形成される記録マークに長さおよび幅のばらつき
が生じて、ジッターが大きくなり、エラーとなることも
ある。高密度化のために記録マークの両端に情報を担持
させるマークエッジ記録を行っている場合には、記録マ
ークの長さの変動の影響を受けやすいため、エラーがさ
らに多くなってしまう。
の反射率の違いを利用するため、記録マーク以外の領域
（結晶状態）における光吸収率（Ａｃ）と記録マーク
（非結晶状態）における光吸収率（Ａａ）とが異なるこ
とが多く、一般にＡｃ＜Ａａとなっている。なお、Ａｃ
およびＡａは、いずれも記録再生用レーザー光の波長に
おける値である。このため、オーバーライト領域が結晶
であったか非結晶であったかによって記録感度および消
去率が異なることになる。この結果、オーバーライトに
よって形成される記録マークに長さおよび幅のばらつき
が生じて、ジッターが大きくなり、エラーとなることも
ある。高密度化のために記録マークの両端に情報を担持
させるマークエッジ記録を行っている場合には、記録マ
ークの長さの変動の影響を受けやすいため、エラーがさ
らに多くなってしまう。
【００７４】この問題を解決するためには、ＡｃをＡａ
に近づけることが好ましく、より好ましくはＡｃ／Ａａ
≧０．９とし、さらに好ましくはＡｃ／Ａａ≧１とし、
最も好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ／Ａａ＞１
とすることが望ましい。このためには、記録層やそれを
挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、
通常の構造の媒体では、Ａｃ／Ａａを大きくしていくと
記録マーク以外の領域における媒体からの反射率（Ｒ
ｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率（Ｒａ）と
の差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問題が生
じてしまう。
に近づけることが好ましく、より好ましくはＡｃ／Ａａ
≧０．９とし、さらに好ましくはＡｃ／Ａａ≧１とし、
最も好ましくは、潜熱の影響を考慮してＡｃ／Ａａ＞１
とすることが望ましい。このためには、記録層やそれを
挟んで設けられる誘電体層の厚さを制御すればよいが、
通常の構造の媒体では、Ａｃ／Ａａを大きくしていくと
記録マーク以外の領域における媒体からの反射率（Ｒ
ｃ）と記録マークにおける媒体からの反射率（Ｒａ）と
の差が小さくなって、Ｃ／Ｎが低くなるという問題が生
じてしまう。
【００７５】このような事情から、例えば特開平８−１
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。
２４２１８号公報では、基体上に第１誘電体層、記録
層、第２誘電体層、反射層、第３誘電体層、紫外線硬化
樹脂層を順に積層した構成の光学情報記録媒体におい
て、Ａｃ＞Ａａとし、反射層として透過性の極薄金属
膜、ＳｉまたはＧｅを用い、第３誘電体層として屈折率
が１．５より大きな誘電体を用いる旨の提案がなされて
いる。光透過性の反射層と高屈折率の第３誘電体層とを
設けることにより、Ｒｃ−Ｒａを大きく保ったままＡｃ
／Ａａを上記範囲とすることが可能となる。
【００７６】なお、ＡｃおよびＡａは、記録層、誘電体
層、反射層等の各層の光学定数と記録再生用レーザー光
の波長とから、算出することができる。
層、反射層等の各層の光学定数と記録再生用レーザー光
の波長とから、算出することができる。
【００７７】図２に示す光記録媒体は、反射層５を上記
特開平８−１２４２１８号公報に記載された反射層と同
様な構成とし、反射層５と保護層６との間に第３誘電体
層３３を設けた片面記録型媒体である。この構成におい
ても、図１に示す片面記録型媒体と同様に、２枚を接着
して両面記録型媒体としたり、保護基体を接着したりし
てもよい。
特開平８−１２４２１８号公報に記載された反射層と同
様な構成とし、反射層５と保護層６との間に第３誘電体
層３３を設けた片面記録型媒体である。この構成におい
ても、図１に示す片面記録型媒体と同様に、２枚を接着
して両面記録型媒体としたり、保護基体を接着したりし
てもよい。
【００７８】図２において反射層５は、光透過率が高い
極薄の金属層から構成されるか、記録・再生波長が含ま
れる近赤外から赤外域にかけての透過性が高いＳｉやＧ
ｅ等から構成されることが好ましい。反射層の厚さは、
記録層の記録マーク以外の領域と記録マークとの間での
吸収率差を補正できるように適宜決定すればよい。反射
層の好ましい厚さ範囲は構成材料によって大きく異なる
ので、構成材料に応じて厚さを適宜決定すればよい。例
えばＡｕ等の金属を用いる場合には、反射層の厚さを好
ましくは４０nm以下、より好ましくは１０〜３０nmと
し、ＳｉまたはＧｅを用いる場合には、反射層の厚さを
好ましくは８０nm以下、より好ましくは３０〜７０nmと
する。反射層が薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招き、反射層
が厚すぎると前述した吸収率補正効果が不十分となる。
極薄の金属層から構成されるか、記録・再生波長が含ま
れる近赤外から赤外域にかけての透過性が高いＳｉやＧ
ｅ等から構成されることが好ましい。反射層の厚さは、
記録層の記録マーク以外の領域と記録マークとの間での
吸収率差を補正できるように適宜決定すればよい。反射
層の好ましい厚さ範囲は構成材料によって大きく異なる
ので、構成材料に応じて厚さを適宜決定すればよい。例
えばＡｕ等の金属を用いる場合には、反射層の厚さを好
ましくは４０nm以下、より好ましくは１０〜３０nmと
し、ＳｉまたはＧｅを用いる場合には、反射層の厚さを
好ましくは８０nm以下、より好ましくは３０〜７０nmと
する。反射層が薄すぎるとＣ／Ｎの低下を招き、反射層
が厚すぎると前述した吸収率補正効果が不十分となる。
【００７９】反射層を金属から構成する場合、Ａｕまた
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
はＡｕ合金が好ましい。Ａｕ合金としては、Ａｕを主成
分とし、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｔｉ、ＢｉおよびＳｂの少な
くとも１種を含むものが好ましい。
【００８０】この反射層も、スパッタ法や蒸着法等の気
相成長法により形成することが好ましい。
相成長法により形成することが好ましい。
【００８１】反射層５上に必要に応じて設けられる第３
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
誘電体層３３は、好ましくは保護層６よりも屈折率の高
い材料から構成する。このような第３誘電体層を設ける
ことにより、前記特開平８−１２４２１８号公報記載の
発明と同様に、記録マークとそれ以外の領域との間の反
射率差を大きく保ったまま、前記Ａｃ／Ａａを大きくす
ることができる。
【００８２】第３誘電体層の構成材料は、第１誘電体層
および第２誘電体層の説明において挙げた各種誘電体か
ら選択すればよい。ただし、第３誘電体層は記録層に接
していないため、上記金属元素Ａを含有させる必要はな
い。
および第２誘電体層の説明において挙げた各種誘電体か
ら選択すればよい。ただし、第３誘電体層は記録層に接
していないため、上記金属元素Ａを含有させる必要はな
い。
【００８３】第３誘電体層の厚さは、好ましくは３０〜
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
１２０nm、より好ましくは４０〜９０nmである。第３誘
電体層が薄すぎると信号出力が低くなってしまい、厚す
ぎると、隣接トラックの信号が消去される現象（クロス
イレーズ）が生じてしまう。
【００８４】上記したようにＡｃとＡａとを制御する構
造では、通常、透明基板の下側から照射される記録再生
用レーザー光の一部が透過し、反射層側から出射され
る。このときの透過率、すなわち入射光に対する透過光
の比率は、通常、１％程度以上、特に３％程度以上であ
る。なお、この透過率は、透明基板上に無機層だけが存
在する状態で測定した値である。すなわち、図２の構成
では保護層６を除いた状態であり、記録層、誘電体層、
反射層等の無機層間での多重反射の結果としての透過率
を意味する。この透過率は、分光光度計で測定すること
ができる。測定する領域は特に限定されず、結晶質部で
あっても非晶質部であってもよいが、通常は、グルーブ
の存在しない結晶質領域（ミラー部）で測定すればよ
い。
造では、通常、透明基板の下側から照射される記録再生
用レーザー光の一部が透過し、反射層側から出射され
る。このときの透過率、すなわち入射光に対する透過光
の比率は、通常、１％程度以上、特に３％程度以上であ
る。なお、この透過率は、透明基板上に無機層だけが存
在する状態で測定した値である。すなわち、図２の構成
では保護層６を除いた状態であり、記録層、誘電体層、
反射層等の無機層間での多重反射の結果としての透過率
を意味する。この透過率は、分光光度計で測定すること
ができる。測定する領域は特に限定されず、結晶質部で
あっても非晶質部であってもよいが、通常は、グルーブ
の存在しない結晶質領域（ミラー部）で測定すればよ
い。
【００８５】図２に示す光記録媒体において、基体２、
第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２および
保護層６は、図１に示す光記録媒体と同様な構成とすれ
ばよい。
第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３２および
保護層６は、図１に示す光記録媒体と同様な構成とすれ
ばよい。
【００８６】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００８７】実施例１ 射出成形によりグルーブを同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を形成し、図１の構成を有
する光記録ディスクとした。グルーブは、幅０．７４μ
m、深さ６５nm、ピッチ１．４８μmとした。
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５および保護層６を形成し、図１の構成を有
する光記録ディスクとした。グルーブは、幅０．７４μ
m、深さ６５nm、ピッチ１．４８μmとした。
【００８８】第１誘電体層３１は、ＺｎＳおよびＳｉＯ
2をターゲットとしてスパッタ法により形成した。Ｓｉ
Ｏ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）は１５モル％とした。第１誘
電体層３１の厚さは１７５nmとした。
2をターゲットとしてスパッタ法により形成した。Ｓｉ
Ｏ2／（ＺｎＳ＋ＳｉＯ2）は１５モル％とした。第１誘
電体層３１の厚さは１７５nmとした。
【００８９】次に、スパッタ法により厚さ１１nmのＴｅ
系薄膜（Ｔｅ１００％）を、続いて厚さ９nmの反応薄膜
（Ｇｅ0.5Ｓｂ0.5）を形成し、記録層４とした。反応薄
膜の組成はＩＣＰにより測定した。なお、本明細書の実
施例では、記録層に関係する組成をすべて原子比で表わ
してある。記録層形成後、結晶状態を電子線回折により
調べたところ、Ｔｅ系薄膜が結晶化していることが確認
された。一方、反応薄膜は非晶質であった。
系薄膜（Ｔｅ１００％）を、続いて厚さ９nmの反応薄膜
（Ｇｅ0.5Ｓｂ0.5）を形成し、記録層４とした。反応薄
膜の組成はＩＣＰにより測定した。なお、本明細書の実
施例では、記録層に関係する組成をすべて原子比で表わ
してある。記録層形成後、結晶状態を電子線回折により
調べたところ、Ｔｅ系薄膜が結晶化していることが確認
された。一方、反応薄膜は非晶質であった。
【００９０】第２誘電体層３２は、第１誘電体層３１と
同様にして形成した。第２誘電体層３２の厚さは２０nm
とした。
同様にして形成した。第２誘電体層３２の厚さは２０nm
とした。
【００９１】反射層５はＡｌ−Ｃｒをターゲットに用い
てスパッタ法により形成し、厚さは１５０nmとした。保
護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗
布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保
護層厚さは５μmであった。
てスパッタ法により形成し、厚さは１５０nmとした。保
護層６は、紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗
布後、紫外線照射により硬化して形成した。硬化後の保
護層厚さは５μmであった。
【００９２】このようにして作製した相変化型光記録デ
ィスクを、サンプル１Ａとした。
ィスクを、サンプル１Ａとした。
【００９３】比較のために、合金ターゲットを用いて単
層構造の記録層を形成した以外はサンプル１Ａと同様に
して、サンプル１Ｂを作製した。サンプル１Ｂの記録層
の厚さは、サンプル１ＡのＴｅ系薄膜と反応薄膜との合
計厚さと同じとし、また、サンプル１Ｂの記録層の組成
は、サンプル１ＡのＴｅ系薄膜と反応薄膜とを合わせた
ものとした。
層構造の記録層を形成した以外はサンプル１Ａと同様に
して、サンプル１Ｂを作製した。サンプル１Ｂの記録層
の厚さは、サンプル１ＡのＴｅ系薄膜と反応薄膜との合
計厚さと同じとし、また、サンプル１Ｂの記録層の組成
は、サンプル１ＡのＴｅ系薄膜と反応薄膜とを合わせた
ものとした。
【００９４】製造直後の各サンプルの反射率（Ｒ0）
は、サンプル１Ａが１６．７％、サンプル１Ｂが７．９
％であった。なお、本明細書の実施例における反射率
は、再生光を基板を通して入射させたときに、ディスク
評価機のＲＦ信号出力を換算することにより求めた値で
ある。また、測定波長は、特に断らない限り６３７nmで
ある。
は、サンプル１Ａが１６．７％、サンプル１Ｂが７．９
％であった。なお、本明細書の実施例における反射率
は、再生光を基板を通して入射させたときに、ディスク
評価機のＲＦ信号出力を換算することにより求めた値で
ある。また、測定波長は、特に断らない限り６３７nmで
ある。
【００９５】次に、各サンプルに対し、波長６３７nm、
ＮＡ０．６のディスク評価機で下記の処理および評価を
行った。なお、記録信号は、１−７ＲＬＬとし、パルス
分割を行った。
ＮＡ０．６のディスク評価機で下記の処理および評価を
行った。なお、記録信号は、１−７ＲＬＬとし、パルス
分割を行った。
【００９６】まず、サンプル１Ｂを線速度２m/sで回転
させながら、出力８mWのレーザー光を照射することによ
り、記録層の初期化（結晶化）を行った。初期化後、反
射率は１６．８％に向上していた。また、初期化後、書
き換え可能な最適線速度を測定したところ、６m/sであ
った。したがって、初期化の際の線速度は、書き換え可
能な最適線速度の１／３となる。なお、初期化の際の線
速度を、書き換え可能な線速度と同じ６m/sとすると、
結晶化が不可能であった。
させながら、出力８mWのレーザー光を照射することによ
り、記録層の初期化（結晶化）を行った。初期化後、反
射率は１６．８％に向上していた。また、初期化後、書
き換え可能な最適線速度を測定したところ、６m/sであ
った。したがって、初期化の際の線速度は、書き換え可
能な最適線速度の１／３となる。なお、初期化の際の線
速度を、書き換え可能な線速度と同じ６m/sとすると、
結晶化が不可能であった。
【００９７】次に、サンプル１Ａを６m/sで回転させな
がら、出力５mWのレーザー光を照射した。レーザー光照
射後、反射率は１２．８％に低下し、Ｔｅ系薄膜と反応
薄膜とが混合されたことがわかった。サンプル１Ａの書
き換え可能な最適線速度を調べたところ、６m/sであっ
た。したがって、書き換え可能な最適線速度と同じ線速
度で混合処理が可能であったことがわかる。
がら、出力５mWのレーザー光を照射した。レーザー光照
射後、反射率は１２．８％に低下し、Ｔｅ系薄膜と反応
薄膜とが混合されたことがわかった。サンプル１Ａの書
き換え可能な最適線速度を調べたところ、６m/sであっ
た。したがって、書き換え可能な最適線速度と同じ線速
度で混合処理が可能であったことがわかる。
【００９８】混合処理後のサンプル１Ａに対し、記録パ
ワー１１mW、消去パワー５mWでオーバーライトを行い、
オーバーライトに伴う反射率の変化を調べた。結果を図
３に示す。図３には、消去部の反射率Ｒtopと、記録マ
ークの反射率Ｒbottomとを示してある。サンプル１Ａで
は、１０回オーバーライト後、結晶質部の反射率
（ＲC）が１７．８％、非晶質部の反射率（ＲA）が８．
４％であった。図３から、オーバーライト２回目以降で
安定した反射率が得られていることがわかる。また、混
合処理時のパワーと消去パワーとが同じで、混合処理時
の線速度と書き換え可能な最適線速度とが同じであるこ
とから、混合処理は初期化に比べて、低パワーでしかも
迅速に行うことが可能であることがわかる。
ワー１１mW、消去パワー５mWでオーバーライトを行い、
オーバーライトに伴う反射率の変化を調べた。結果を図
３に示す。図３には、消去部の反射率Ｒtopと、記録マ
ークの反射率Ｒbottomとを示してある。サンプル１Ａで
は、１０回オーバーライト後、結晶質部の反射率
（ＲC）が１７．８％、非晶質部の反射率（ＲA）が８．
４％であった。図３から、オーバーライト２回目以降で
安定した反射率が得られていることがわかる。また、混
合処理時のパワーと消去パワーとが同じで、混合処理時
の線速度と書き換え可能な最適線速度とが同じであるこ
とから、混合処理は初期化に比べて、低パワーでしかも
迅速に行うことが可能であることがわかる。
【００９９】一方、サンプル１Ｂについても同様なオー
バーライトを行ったところ、オーバーライト１０回後、
結晶質部の反射率（ＲC）は１７．０％、非晶質部の反
射率（ＲA）は８．０％であった。
バーライトを行ったところ、オーバーライト１０回後、
結晶質部の反射率（ＲC）は１７．０％、非晶質部の反
射率（ＲA）は８．０％であった。
【０１００】実施例２ 記録層を３層構成としたほかは実施例１のサンプル１Ａ
と同様にして、サンプル２Ａを作製した。記録層は、基
板側から、反応薄膜、Ｔｅ系薄膜、反応薄膜の順で形成
した。Ｔｅ系薄膜は、サンプル１Ａと同組成で厚さは１
１nmとし、反応薄膜はサンプル１Ａと同組成で厚さは
４．５nmとした。記録層の全厚は、サンプル１Ａと同じ
２０nmとなる。電子線回折の結果、Ｔｅ系薄膜が結晶化
していることが確認された。一方、反応薄膜は非晶質で
あった。サンプル２Ａの反射率（Ｒ0）は、１５．７％
であった。
と同様にして、サンプル２Ａを作製した。記録層は、基
板側から、反応薄膜、Ｔｅ系薄膜、反応薄膜の順で形成
した。Ｔｅ系薄膜は、サンプル１Ａと同組成で厚さは１
１nmとし、反応薄膜はサンプル１Ａと同組成で厚さは
４．５nmとした。記録層の全厚は、サンプル１Ａと同じ
２０nmとなる。電子線回折の結果、Ｔｅ系薄膜が結晶化
していることが確認された。一方、反応薄膜は非晶質で
あった。サンプル２Ａの反射率（Ｒ0）は、１５．７％
であった。
【０１０１】サンプル２Ａに対し、サンプル１Ａと同様
に、線速度６m/s、パワー５mWで混合処理を施した。混
合処理後の反射率は、１３．４％であった。混合処理
後、書き換え可能な最適線速度を調べたところ、６m/s
であった。
に、線速度６m/s、パワー５mWで混合処理を施した。混
合処理後の反射率は、１３．４％であった。混合処理
後、書き換え可能な最適線速度を調べたところ、６m/s
であった。
【０１０２】混合処理後のサンプル２Ａに対し、サンプ
ル１Ａと同様にしてオーバーライトを行い、オーバーラ
イトに伴う反射率の変化を調べた。結果を図４に示す。
サンプル２Ａでは、オーバーライト１０回後、結晶質部
の反射率（ＲC）が１７．０％、非晶質部の反射率
（ＲA）が８．６％であった。図４から、オーバーライ
トによるサンプル２Ａの反射率の変化が、図３に示すサ
ンプル１Ａの場合よりも小さいことがわかる。サンプル
２Ａの記録層は、Ｔｅ系薄膜の両側に反応薄膜が存在す
る構造であるため、両薄膜の混合がサンプル１Ａよりも
迅速かつ均一に行われて、初期から反射率が安定したと
考えられる。
ル１Ａと同様にしてオーバーライトを行い、オーバーラ
イトに伴う反射率の変化を調べた。結果を図４に示す。
サンプル２Ａでは、オーバーライト１０回後、結晶質部
の反射率（ＲC）が１７．０％、非晶質部の反射率
（ＲA）が８．６％であった。図４から、オーバーライ
トによるサンプル２Ａの反射率の変化が、図３に示すサ
ンプル１Ａの場合よりも小さいことがわかる。サンプル
２Ａの記録層は、Ｔｅ系薄膜の両側に反応薄膜が存在す
る構造であるため、両薄膜の混合がサンプル１Ａよりも
迅速かつ均一に行われて、初期から反射率が安定したと
考えられる。
【０１０３】実施例３ 反応薄膜の組成をＧｅ0.485Ｓｂ0.485Ｓｎ0.03としたほ
かはサンプル１Ａと同様にして、サンプル３Ａを作製し
た。サンプル３Ａの反射率（Ｒ0）は、１６．０％であ
った。
かはサンプル１Ａと同様にして、サンプル３Ａを作製し
た。サンプル３Ａの反射率（Ｒ0）は、１６．０％であ
った。
【０１０４】サンプル３Ａに対し、線速度５m/s、パワ
ー４mWで混合処理を施した。混合処理後の反射率は１
２．０％であった。混合処理後、書き換え可能な最適線
速度を調べたところ、５m/sであった。
ー４mWで混合処理を施した。混合処理後の反射率は１
２．０％であった。混合処理後、書き換え可能な最適線
速度を調べたところ、５m/sであった。
【０１０５】混合処理後のサンプル３Ａに対し、サンプ
ル１Ａと同様にしてオーバーライトを行ったところ、オ
ーバーライト１０回後、結晶質部の反射率（ＲC）は１
７．０％、非晶質部の反射率（ＲA）は６．８％であっ
た。反射率は、オーバーライト５回程度で安定した。
ル１Ａと同様にしてオーバーライトを行ったところ、オ
ーバーライト１０回後、結晶質部の反射率（ＲC）は１
７．０％、非晶質部の反射率（ＲA）は６．８％であっ
た。反射率は、オーバーライト５回程度で安定した。
【０１０６】実施例４ まず、厚さ１０nmのＴｅ系薄膜（Ｔｅ１００％）をスパ
ッタ法により形成し、次いで、厚さ１０nmの反応薄膜
（Ｇｅ１００％）をスパッタ法により形成して記録層と
し、また、第１誘電体層の厚さを７０nmとし、反射層の
厚さを５０nmとしたほかはサンプル１Ａと同様にして、
サンプル４Ａを作製した。サンプル４Ａの反射率
（Ｒ0）は２０．０％であった。電子線回折の結果、Ｔ
ｅ系薄膜が結晶化していることが確認された。一方、反
応薄膜は非晶質であった。
ッタ法により形成し、次いで、厚さ１０nmの反応薄膜
（Ｇｅ１００％）をスパッタ法により形成して記録層と
し、また、第１誘電体層の厚さを７０nmとし、反射層の
厚さを５０nmとしたほかはサンプル１Ａと同様にして、
サンプル４Ａを作製した。サンプル４Ａの反射率
（Ｒ0）は２０．０％であった。電子線回折の結果、Ｔ
ｅ系薄膜が結晶化していることが確認された。一方、反
応薄膜は非晶質であった。
【０１０７】次に、サンプル４Ａを線速度１０m/sで回
転させながら、消去パワーを加えず記録パワー６mWで１
−７ＲＬＬ信号を記録した。記録マークの非晶質部にお
ける反射率は１１％であった。
転させながら、消去パワーを加えず記録パワー６mWで１
−７ＲＬＬ信号を記録した。記録マークの非晶質部にお
ける反射率は１１％であった。
【０１０８】記録後のサンプル４Ａについて、記録時と
同じ線速度１０m/sでレーザー光を照射したところ、レ
ーザー光のパワーによらず記録マークを消去（結晶化）
できなかった。消去が可能となったのは、線速度を１m/
sまで遅くしたときであった。
同じ線速度１０m/sでレーザー光を照射したところ、レ
ーザー光のパワーによらず記録マークを消去（結晶化）
できなかった。消去が可能となったのは、線速度を１m/
sまで遅くしたときであった。
【０１０９】この結果から、本発明では、追記型として
使用可能な相変化型光記録媒体を初期化操作なしで実現
できることがわかる。
使用可能な相変化型光記録媒体を初期化操作なしで実現
できることがわかる。
【０１１０】以上の各実施例の結果から、本発明の効果
が明らかである。
が明らかである。
【０１１１】実施例５ 射出成形によりグルーブを同時形成した直径１２０mm、
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５、第３誘電体層３３および保護層６を形成
し、図２の構成を有する光記録ディスクとし、これをサ
ンプル５Ａとした。グルーブは、幅０．６０μm、深さ
５０nm、ピッチ１．２０μmとした。
厚さ０．６mmのディスク状ポリカーボネート基体２の表
面に、第１誘電体層３１、記録層４、第２誘電体層３
２、反射層５、第３誘電体層３３および保護層６を形成
し、図２の構成を有する光記録ディスクとし、これをサ
ンプル５Ａとした。グルーブは、幅０．６０μm、深さ
５０nm、ピッチ１．２０μmとした。
【０１１２】第１誘電体層３１は、厚さを１３０nmとし
たほかはサンプル１Ａと同様にして形成した。第２誘電
体層３２は、厚さを１５nmとしたほかはサンプル１Ａと
同様にして形成した。反射層５は、厚さを５０nmとし、
ターゲットにＳｉを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法に
より形成した。第３誘電体層３３は、厚さを６０nmと
し、ターゲットにＺｎＳ（８５モル％）−ＳｉＯ2（１
５モル％）を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形
成した。保護層６は、サンプル１Ａと同様にして形成し
た。
たほかはサンプル１Ａと同様にして形成した。第２誘電
体層３２は、厚さを１５nmとしたほかはサンプル１Ａと
同様にして形成した。反射層５は、厚さを５０nmとし、
ターゲットにＳｉを用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法に
より形成した。第３誘電体層３３は、厚さを６０nmと
し、ターゲットにＺｎＳ（８５モル％）−ＳｉＯ2（１
５モル％）を用いてＡｒ雰囲気中でスパッタ法により形
成した。保護層６は、サンプル１Ａと同様にして形成し
た。
【０１１３】記録層４は、サンプル２Ａと同じ積層順の
３層構成とした。ただし、Ｔｅ系薄膜の厚さは８．８nm
とし、反応薄膜の厚さは３．６nmとした。記録層の全厚
は、１６nmとなる。電子線回折の結果、Ｔｅ系薄膜が結
晶化していることが確認された。一方、反応薄膜は非晶
質であった。
３層構成とした。ただし、Ｔｅ系薄膜の厚さは８．８nm
とし、反応薄膜の厚さは３．６nmとした。記録層の全厚
は、１６nmとなる。電子線回折の結果、Ｔｅ系薄膜が結
晶化していることが確認された。一方、反応薄膜は非晶
質であった。
【０１１４】サンプル５Ａの保護層６を除いた状態で基
体２側から波長６８０nmのレーザー光を照射し、ミラー
部（結晶質）における透過率を分光光度計で測定したと
ころ、５５．０％であった。なお、サンプル５Ａの波長
６８０nmにおけるＡｃ／Ａａは、１．２５となる。
体２側から波長６８０nmのレーザー光を照射し、ミラー
部（結晶質）における透過率を分光光度計で測定したと
ころ、５５．０％であった。なお、サンプル５Ａの波長
６８０nmにおけるＡｃ／Ａａは、１．２５となる。
【０１１５】製造直後のサンプル５Ａの反射率（Ｒ0）
は、２１．０％であった。なお、この実施例における反
射率測定波長は、６８０nmである。
は、２１．０％であった。なお、この実施例における反
射率測定波長は、６８０nmである。
【０１１６】次に、サンプル５Ａを１２m/sで回転させ
ながら、出力８mWのレーザー光（波長６８０nm）を照射
した。レーザー光照射後、反射率は１８．３％に低下
し、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とが混合されたことがわかっ
た。サンプル５Ａの書き換え可能な最適線速度を調べた
ところ、１２m/sであった。したがって、書き換え可能
な最適線速度と同じ線速度で混合処理が可能であったこ
とがわかる。
ながら、出力８mWのレーザー光（波長６８０nm）を照射
した。レーザー光照射後、反射率は１８．３％に低下
し、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とが混合されたことがわかっ
た。サンプル５Ａの書き換え可能な最適線速度を調べた
ところ、１２m/sであった。したがって、書き換え可能
な最適線速度と同じ線速度で混合処理が可能であったこ
とがわかる。
【０１１７】混合処理後のサンプル５Ａに対し、記録再
生特性を調べたところ、サンプル２Ａと同様に、初期か
ら安定した特性が得られた。
生特性を調べたところ、サンプル２Ａと同様に、初期か
ら安定した特性が得られた。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図２】本発明の光記録媒体の構成例を示す部分断面図
である。
である。
【図３】相変化型光記録媒体に繰り返しオーバーライト
を行ったときの結晶質部の反射率Ｒtopと非晶質部の反
射率Ｒbottomとを表すグラフである。
を行ったときの結晶質部の反射率Ｒtopと非晶質部の反
射率Ｒbottomとを表すグラフである。
【図４】相変化型光記録媒体に繰り返しオーバーライト
を行ったときの結晶質部の反射率Ｒtopと非晶質部の反
射率Ｒbottomとを表すグラフである。
を行ったときの結晶質部の反射率Ｒtopと非晶質部の反
射率Ｒbottomとを表すグラフである。
２ 基体 ３１ 第１誘電体層 ３２ 第２誘電体層 ３３ 第３誘電体層 ４ 記録層 ５ 反射層 ６ 保護層
Claims (10)
- 【請求項１】 透明基板上に、少なくとも１層のＴｅ系
薄膜と少なくとも１層の反応薄膜とからなる記録層を有
し、Ｔｅ系薄膜と反応薄膜とが接しており、Ｔｅ系薄膜
が、Ｔｅを９５原子％以上含有するＴｅ系材料を成膜し
たものであり、反応薄膜が、Ｇｅおよび／またはＳｂを
主成分とする（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料を成膜したものであ
り、反応薄膜構成材料とＴｅとの混合により相変化記録
材料が生成するものである光記録媒体。 - 【請求項２】 Ｔｅ系薄膜が結晶化している請求項１の
光記録媒体。 - 【請求項３】 Ｔｅ系材料および（Ｇｅ，Ｓｂ）系材料
の少なくとも一方が元素Ｍ（Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔ
ｂ、Ｄｙ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕ、Ｔｌ、ＰｂおよびＢ
ｉの少なくとも１種）を含有し、記録層中の元素Ｍ含有
率が５原子％以下であり、かつＴｅ系材料の元素Ｍ含有
率が５原子％以下である請求項１または２の光記録媒
体。 - 【請求項４】 Ｔｅ系薄膜の厚さが７nm以上である請求
項１〜３のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項５】 透明基板側から反射率を測定したとき、
製造直後の反射率Ｒ0と、繰り返し記録後の記録層の結
晶質部における反射率ＲCと、繰り返し記録後の記録層
の非晶質部における最低反射率ＲAとの関係が ＲA＜Ｒ0≦ＲC である請求項１〜４のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項６】 レーザー光照射によりＴｅ系薄膜構成材
料と反応薄膜構成材料との混合が生じて記録マークが形
成され、かつ記録マーク形成時の線速度でレーザー光を
照射したときには記録マークの結晶化が不可能である請
求項１〜５のいずれかの光記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１〜５のいずれかの光記録媒体の
記録層を連続したレーザー光で照射することにより、Ｔ
ｅ系薄膜構成材料と反応薄膜構成材料との混合を行う混
合処理工程を有する光記録媒体の製造方法。 - 【請求項８】 混合処理工程において、レーザー光に対
する記録層の線速度ＶMを、書き換えを行うときのレー
ザー光に対する記録層の線速度ＶWに対し ０．２ＶW≦ＶM となるように制御する請求項７の光記録媒体の製造方
法。 - 【請求項９】ＶW≦ＶM となるように制御する請求項８の光記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１０】 請求項１〜６のいずれかの光記録媒体
を製造する方法であって、記録層形成後、５０〜１２０
℃で熱処理する工程を有する光記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10071412A JPH1173692A (ja) | 1997-06-27 | 1998-03-05 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US09/102,745 US6153355A (en) | 1997-06-27 | 1998-06-23 | Optical recording medium and method for preparing the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18754697 | 1997-06-27 | ||
| JP9-187546 | 1997-06-27 | ||
| JP10071412A JPH1173692A (ja) | 1997-06-27 | 1998-03-05 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1173692A true JPH1173692A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=26412516
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10071412A Pending JPH1173692A (ja) | 1997-06-27 | 1998-03-05 | 光記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6153355A (ja) |
| JP (1) | JPH1173692A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432502B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium and method of manufacturing the same |
| US6656559B2 (en) | 2000-10-03 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method therefor |
| US6733858B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-05-11 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method therefor |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6399173B1 (en) * | 1999-02-18 | 2002-06-04 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for making the same |
| US6365256B1 (en) * | 2000-02-29 | 2002-04-02 | Eastman Kodak Company | Erasable phase change optical recording elements |
| TW519637B (en) * | 2000-03-10 | 2003-02-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Information recording medium and its manufacturing method |
| JP3790673B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2006-06-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録方法、光記録装置および光記録媒体 |
| US20020160306A1 (en) * | 2001-01-31 | 2002-10-31 | Katsunari Hanaoka | Optical information recording medium and method |
| US7123569B2 (en) * | 2001-09-04 | 2006-10-17 | Imation Corp. | Optical data storage medium |
| JP2003331461A (ja) * | 2002-05-15 | 2003-11-21 | Pioneer Electronic Corp | 追記型光記録媒体 |
| US6896946B2 (en) * | 2002-06-06 | 2005-05-24 | Ritek Corporation | Initiation-free super-resolution optical medium |
| US7351516B2 (en) * | 2002-11-06 | 2008-04-01 | Ricoh Company, Ltd. | Optical information recording medium |
| US7235501B2 (en) | 2004-12-13 | 2007-06-26 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum hafnium oxide dielectrics |
| US7560395B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposited hafnium tantalum oxide dielectrics |
| WO2006120604A1 (en) * | 2005-05-13 | 2006-11-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Write once optical storage medium and method of writing data |
| US7410910B2 (en) | 2005-08-31 | 2008-08-12 | Micron Technology, Inc. | Lanthanum aluminum oxynitride dielectric films |
| US20070092681A1 (en) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Shuy Geoffrey W | Generating optical contrast using thin layers |
| US20080057255A2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-03-06 | Lanyo Technology Co., Ltd. | Contrast Inversion for Optical Recording |
| US20080056089A2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-03-06 | Lanyo Technology Co., Ltd. | Generating Optical Contrast Using Thin Layers |
| US20080056088A2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-03-06 | Lanyo Technology Co., Ltd. | Multiple Recording Structures for Optical Recording |
| US20080057256A2 (en) * | 2005-10-20 | 2008-03-06 | Lanyo Technology Co., Ltd. | Micro-Resonant Structure for Optical Recording |
| US7709402B2 (en) | 2006-02-16 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Conductive layers for hafnium silicon oxynitride films |
| US7563730B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-07-21 | Micron Technology, Inc. | Hafnium lanthanide oxynitride films |
| US7605030B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-10-20 | Micron Technology, Inc. | Hafnium tantalum oxynitride high-k dielectric and metal gates |
| US7432548B2 (en) | 2006-08-31 | 2008-10-07 | Micron Technology, Inc. | Silicon lanthanide oxynitride films |
| US7759747B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Tantalum aluminum oxynitride high-κ dielectric |
| US7544604B2 (en) | 2006-08-31 | 2009-06-09 | Micron Technology, Inc. | Tantalum lanthanide oxynitride films |
| US7776765B2 (en) | 2006-08-31 | 2010-08-17 | Micron Technology, Inc. | Tantalum silicon oxynitride high-k dielectrics and metal gates |
| JP2008097802A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-04-24 | Tdk Corp | 多層光記録媒体及び多層光記録媒体への記録方法 |
| CN113346012A (zh) * | 2021-04-30 | 2021-09-03 | 华中科技大学 | 一种非熔融超晶格相变薄膜材料 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670345A (en) * | 1985-02-22 | 1987-06-02 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Information recording medium |
| JPS62204442A (ja) * | 1986-03-03 | 1987-09-09 | Toshiba Corp | 光記録媒体および光記録媒体の記録方法 |
| JPS63251290A (ja) * | 1987-04-08 | 1988-10-18 | Hitachi Ltd | 光記録媒体と記録・再生方法及びその応用 |
| EP0294932B1 (en) * | 1987-06-11 | 1993-10-27 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | A method for recording and erasing information |
| JP2778237B2 (ja) * | 1990-09-25 | 1998-07-23 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体及び光学的記録・消去方法 |
| EP0594277B1 (en) * | 1992-10-21 | 1998-12-02 | Toray Industries, Inc. | Optical recording medium |
| EP0708962B1 (en) * | 1993-06-11 | 1999-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium and recording system |
| US5709978A (en) * | 1993-06-18 | 1998-01-20 | Hitachi, Ltd. | Supperresolution readout thin film and information recording medium |
| JPH08106647A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-23 | Ricoh Co Ltd | 相変化型記録媒体 |
| JP2806274B2 (ja) * | 1994-10-19 | 1998-09-30 | 日本電気株式会社 | 光学情報記録媒体 |
| JP2990036B2 (ja) * | 1995-02-13 | 1999-12-13 | ティーディーケイ株式会社 | 光記録媒体およびその製造方法 |
| US5736657A (en) * | 1995-03-31 | 1998-04-07 | Ricoh Company, Ltd. | Sputtering target |
| JPH09128803A (ja) * | 1995-10-31 | 1997-05-16 | Sony Corp | 光ディスク |
| KR0179259B1 (ko) * | 1996-04-13 | 1999-04-15 | 구자홍 | 상변화형 광기록매체 및 그의 제조방법 |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP10071412A patent/JPH1173692A/ja active Pending
- 1998-06-23 US US09/102,745 patent/US6153355A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6432502B1 (en) | 1999-11-17 | 2002-08-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium and method of manufacturing the same |
| US6656559B2 (en) | 2000-10-03 | 2003-12-02 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method therefor |
| US6733858B2 (en) | 2000-10-03 | 2004-05-11 | Tdk Corporation | Optical recording medium and optical recording method therefor |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6153355A (en) | 2000-11-28 |
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