JP2003331461A - 追記型光記録媒体 - Google Patents
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- G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
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- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/21—Circular sheet or circular blank
Abstract
(57)【要約】
【目的】 非晶質マークタイプの相変化型光記録媒体で
あって、記録された情報信号の劣化を低減できる追記型
の光記録媒体の提供を目的とする。 【構成】 本発明による光記録媒体の記録層は、互いに
隣接して配置された第１記録層及び第２記録層を含む。
光の照射による加熱・溶融によって少なくとも第２記録
層の成分の一部が第１記録層に拡散して、第１記録層の
当該拡散部分は、光の照射の前と比較して、非晶質相か
ら結晶質相への相変化のために、より大なるエネルギー
を要することを特徴とする。
あって、記録された情報信号の劣化を低減できる追記型
の光記録媒体の提供を目的とする。 【構成】 本発明による光記録媒体の記録層は、互いに
隣接して配置された第１記録層及び第２記録層を含む。
光の照射による加熱・溶融によって少なくとも第２記録
層の成分の一部が第１記録層に拡散して、第１記録層の
当該拡散部分は、光の照射の前と比較して、非晶質相か
ら結晶質相への相変化のために、より大なるエネルギー
を要することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録層の相変化を
利用した追記型の光記録媒体に関する。
利用した追記型の光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】記録層にレーザ光を照射してその一部分
を加熱して、互いに反射率の異なる結晶質相と非晶質
（アモルファス）相との間で記録層を相変化させて情報
を記録・再生する相変化型光記録媒体が公知である。従
来の相変化型光記録媒体の製造方法においては、基板上
に真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリン
グ法等の真空中での薄膜プロセスによって非晶質相から
なる記録層を形成した後に、これをレーザやハロゲンラ
ンプ等で加熱して結晶化させて、結晶質相からなる記録
層を有する光記録媒体を得ていた（以下において、かか
る非晶質相を結晶質相に結晶化する工程のことを「初期
化工程」と称する。）。
を加熱して、互いに反射率の異なる結晶質相と非晶質
（アモルファス）相との間で記録層を相変化させて情報
を記録・再生する相変化型光記録媒体が公知である。従
来の相変化型光記録媒体の製造方法においては、基板上
に真空蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリン
グ法等の真空中での薄膜プロセスによって非晶質相から
なる記録層を形成した後に、これをレーザやハロゲンラ
ンプ等で加熱して結晶化させて、結晶質相からなる記録
層を有する光記録媒体を得ていた（以下において、かか
る非晶質相を結晶質相に結晶化する工程のことを「初期
化工程」と称する。）。
【０００３】かかる光記録媒体への情報信号の記録時に
おいては、結晶質相からなる記録層にレーザ光を照射し
て、結晶質相を非晶質相に相変化させて記録マークを形
成して信号を記録していたのである。
おいては、結晶質相からなる記録層にレーザ光を照射し
て、結晶質相を非晶質相に相変化させて記録マークを形
成して信号を記録していたのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ユーザーが一度だけ情
報を記録できる追記型の光記録媒体の製造工程では、情
報信号の記録前の結晶質相からなる記録層を形成する工
程において、記録層が容易に非晶質相から結晶質相に変
化させられることが好ましい。他方、一度記録された情
報信号の劣化を防止するためには、当該記録層が非晶質
相から結晶質相に容易に変化しないことが好ましい。す
なわち、記録層は、情報信号の記録の前においては結晶
質相が、また、情報信号の記録の後においては非晶質相
がより安定であることが好ましいのである。
報を記録できる追記型の光記録媒体の製造工程では、情
報信号の記録前の結晶質相からなる記録層を形成する工
程において、記録層が容易に非晶質相から結晶質相に変
化させられることが好ましい。他方、一度記録された情
報信号の劣化を防止するためには、当該記録層が非晶質
相から結晶質相に容易に変化しないことが好ましい。す
なわち、記録層は、情報信号の記録の前においては結晶
質相が、また、情報信号の記録の後においては非晶質相
がより安定であることが好ましいのである。
【０００５】特開平１１−７３６９２号では、記録層を
基板上に形成する工程において、非晶質相ではなく、直
接、結晶質相からなる記録層を形成して、初期化工程を
省略することのできる追記型の光記録媒体の製造方法を
開示している。記録層は、Te系材料からなる第１記録層
と、（Ge,Sb）系材料からなる第２記録層とを組み合わ
せた多層構造を有している。情報信号の記録時において
は、光記録パワーが与えられて、第１記録層と第２記録
層とが溶融して混合されるが、光記録パワーが遮断され
ると急激に冷却されて非晶質層として凝固する。すなわ
ち、光記録パワーのオン・オフによって、記録層が結晶
質相から非晶質相に変化して、情報信号が記録されるの
である。かかる追記型光記録媒体の製造方法において
は、Te系材料からなる第１記録層を直接、結晶質相とし
て基板上に形成するために、材料中のTeの純度を高める
必要がある。このとき、第１記録層は、非常に酸化され
やすく、取り扱いが非常に煩雑である。
基板上に形成する工程において、非晶質相ではなく、直
接、結晶質相からなる記録層を形成して、初期化工程を
省略することのできる追記型の光記録媒体の製造方法を
開示している。記録層は、Te系材料からなる第１記録層
と、（Ge,Sb）系材料からなる第２記録層とを組み合わ
せた多層構造を有している。情報信号の記録時において
は、光記録パワーが与えられて、第１記録層と第２記録
層とが溶融して混合されるが、光記録パワーが遮断され
ると急激に冷却されて非晶質層として凝固する。すなわ
ち、光記録パワーのオン・オフによって、記録層が結晶
質相から非晶質相に変化して、情報信号が記録されるの
である。かかる追記型光記録媒体の製造方法において
は、Te系材料からなる第１記録層を直接、結晶質相とし
て基板上に形成するために、材料中のTeの純度を高める
必要がある。このとき、第１記録層は、非常に酸化され
やすく、取り扱いが非常に煩雑である。
【０００６】更に、非晶質層からなる記録層にレーザ光
を照射して相変化させて情報信号を記録する結晶質マー
クによる情報記録の方法についても公知である。しかし
ながら、この場合、信号を記録する部分のエッジ制御が
困難であって、ジッタが大となるので追記型光記録媒体
としては好ましくないのである。そこで、本発明は、記
録層を結晶質相から非晶質相に相変化させて情報を記録
する非晶質マークタイプの相変化型光記録媒体であっ
て、記録された情報信号の劣化を低減できる追記型の光
記録媒体の提供を目的としている。
を照射して相変化させて情報信号を記録する結晶質マー
クによる情報記録の方法についても公知である。しかし
ながら、この場合、信号を記録する部分のエッジ制御が
困難であって、ジッタが大となるので追記型光記録媒体
としては好ましくないのである。そこで、本発明は、記
録層を結晶質相から非晶質相に相変化させて情報を記録
する非晶質マークタイプの相変化型光記録媒体であっ
て、記録された情報信号の劣化を低減できる追記型の光
記録媒体の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による光記録媒体
は、情報信号を記録するための光の照射による加熱・溶
融の後に冷却されて、結晶質相から非晶質相に相変化し
て情報を記録可能な記録層を含む光記録媒体であって、
前記記録層は、互いに隣接して配置された第１記録層及
び第２記録層を含み、前記光の照射による加熱・溶融に
よって少なくとも前記第２記録層の成分の一部が前記第
１記録層に拡散して、前記第１記録層の当該拡散部分
は、前記光の照射の前と比較して、非晶質相から結晶質
相への相変化のために、より大なるエネルギーを要する
成分に変化することを特徴とする。
は、情報信号を記録するための光の照射による加熱・溶
融の後に冷却されて、結晶質相から非晶質相に相変化し
て情報を記録可能な記録層を含む光記録媒体であって、
前記記録層は、互いに隣接して配置された第１記録層及
び第２記録層を含み、前記光の照射による加熱・溶融に
よって少なくとも前記第２記録層の成分の一部が前記第
１記録層に拡散して、前記第１記録層の当該拡散部分
は、前記光の照射の前と比較して、非晶質相から結晶質
相への相変化のために、より大なるエネルギーを要する
成分に変化することを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による光記録媒体を図面に
従って詳述する。図１に示すように、本発明による光記
録媒体10は、基体11上に、反射層12、第２誘電体層13、
記録層14、第１誘電体層15及び保護層16を、この順で積
層した構造を有している。記録層14は、第１記録層14a
と第２記録層14bとから形成されている。第１記録層14a
及び第２記録層14b等の材料の詳細については後述す
る。
従って詳述する。図１に示すように、本発明による光記
録媒体10は、基体11上に、反射層12、第２誘電体層13、
記録層14、第１誘電体層15及び保護層16を、この順で積
層した構造を有している。記録層14は、第１記録層14a
と第２記録層14bとから形成されている。第１記録層14a
及び第２記録層14b等の材料の詳細については後述す
る。
【０００９】本発明による相変化型光記録媒体10は、第
１記録層14a及び第２記録層14bが非晶質相として成膜さ
れた後に、初期化工程を経て、結晶質相に調整されてか
ら情報信号の記録に提供される非晶質マークタイプの相
変化型光記録媒体である。図２を参照すると、情報信号
を記録する場合にあっては、レーザ光が光記録媒体10の
保護層16の上から照射される。レーザ光は、第１誘電体
層15を通過して、記録層14に到達する。記録層14は、公
知の相変化型光記録媒体の記録層と同様に、レーザ光を
吸収して熱を発生して、溶融する。記録層14の溶融した
部分17においては、第１記録層14a及び第２記録層14bの
間で互いに原子の相互拡散が生じる。
１記録層14a及び第２記録層14bが非晶質相として成膜さ
れた後に、初期化工程を経て、結晶質相に調整されてか
ら情報信号の記録に提供される非晶質マークタイプの相
変化型光記録媒体である。図２を参照すると、情報信号
を記録する場合にあっては、レーザ光が光記録媒体10の
保護層16の上から照射される。レーザ光は、第１誘電体
層15を通過して、記録層14に到達する。記録層14は、公
知の相変化型光記録媒体の記録層と同様に、レーザ光を
吸収して熱を発生して、溶融する。記録層14の溶融した
部分17においては、第１記録層14a及び第２記録層14bの
間で互いに原子の相互拡散が生じる。
【００１０】続いて、レーザ光の照射が遮断されると、
記録層14の溶融した部分17は急速に冷却されて、非晶質
相として固化する。すなわち、レーザ光の照射によっ
て、記録層14の溶融した部分17は、結晶質相から非晶質
相に相変化するのである。かかる相変化において、光屈
折率が変化することで、情報信号が記録できるのであ
る。ここで、第１記録層14a及び第２記録層14bの材料の
組み合わせは、レーザ光の照射によって記録層14が溶融
した時において、第１記録層14a及び第２記録層14bの原
子の相互拡散によって、その拡散前と比較して、結晶化
速度が遅くなる、つまり非晶質相がより安定となるよう
に変化する材料が選択されるのである。具体的には、こ
れに限定されるものではないが、例えば、(a) Sb70Te30
の単体、若しくは、これにAg、Ge、In、Sb等を添加した
材料、(b) GeTeやSb2Te3の単体、若しくはこれらの混合
物、若しくは、これにSb、Te、Snなどを添加した材料、
からなる組み合わせがある。(a)の材料は、一般に、G
e、Teの量が増加すると、結晶化速度が遅くなる（つま
り、非晶質相がより安定になる）性質を有している。ま
た、(b)の材料は、Sb2Te3＋GeTeの化学量論組成からず
れてSbの量が増加すると、結晶化速度が遅くなる性質を
有している。すなわち、(a)及び(b)の材料が溶融して、
(b)から(a)にGeやTeが拡散するとともに、(a)から(b)に
Sbが拡散することで、拡散前と比較して、(a)及び(b)の
材料とも、非晶質相がより安定となるのである。換言す
れば、原子の拡散によって、非晶質相から結晶質相への
相変化のために、より大なるエネルギを要する成分に変
化するのである。ここで、(a)は、成膜直後の非晶質相
の状態においては、結晶化速度が早い（つまり、結晶質
相が安定である）ことが好ましい。一般的に、(a)は、
共晶組成の共晶組成物又はその近傍の組成の固溶体であ
ることが好ましい。また、(b)は、Sb2Te3＋GeTeの化学
量論組成の近傍の組成であることが好ましい。
記録層14の溶融した部分17は急速に冷却されて、非晶質
相として固化する。すなわち、レーザ光の照射によっ
て、記録層14の溶融した部分17は、結晶質相から非晶質
相に相変化するのである。かかる相変化において、光屈
折率が変化することで、情報信号が記録できるのであ
る。ここで、第１記録層14a及び第２記録層14bの材料の
組み合わせは、レーザ光の照射によって記録層14が溶融
した時において、第１記録層14a及び第２記録層14bの原
子の相互拡散によって、その拡散前と比較して、結晶化
速度が遅くなる、つまり非晶質相がより安定となるよう
に変化する材料が選択されるのである。具体的には、こ
れに限定されるものではないが、例えば、(a) Sb70Te30
の単体、若しくは、これにAg、Ge、In、Sb等を添加した
材料、(b) GeTeやSb2Te3の単体、若しくはこれらの混合
物、若しくは、これにSb、Te、Snなどを添加した材料、
からなる組み合わせがある。(a)の材料は、一般に、G
e、Teの量が増加すると、結晶化速度が遅くなる（つま
り、非晶質相がより安定になる）性質を有している。ま
た、(b)の材料は、Sb2Te3＋GeTeの化学量論組成からず
れてSbの量が増加すると、結晶化速度が遅くなる性質を
有している。すなわち、(a)及び(b)の材料が溶融して、
(b)から(a)にGeやTeが拡散するとともに、(a)から(b)に
Sbが拡散することで、拡散前と比較して、(a)及び(b)の
材料とも、非晶質相がより安定となるのである。換言す
れば、原子の拡散によって、非晶質相から結晶質相への
相変化のために、より大なるエネルギを要する成分に変
化するのである。ここで、(a)は、成膜直後の非晶質相
の状態においては、結晶化速度が早い（つまり、結晶質
相が安定である）ことが好ましい。一般的に、(a)は、
共晶組成の共晶組成物又はその近傍の組成の固溶体であ
ることが好ましい。また、(b)は、Sb2Te3＋GeTeの化学
量論組成の近傍の組成であることが好ましい。
【００１１】次に、基体11、反射層12、第２誘電体層1
3、第１誘電体層15及び保護層16は、従来の光記録媒体
において使用されている公知の材料のいずれであっても
よい。例えば、基体11及び保護層16は、ガラスやポリカ
ーボネートの如きプラスチック樹脂であって、情報信号
の記録に使用される光源の波長に対して透明な材料が好
ましい。また、これらのプラスチック樹脂等を複数、貼
り合わせたものであってもよい。更に、紫外線硬化樹脂
等をスピンコート法等で塗布し、硬化させたものであっ
てもよい。
3、第１誘電体層15及び保護層16は、従来の光記録媒体
において使用されている公知の材料のいずれであっても
よい。例えば、基体11及び保護層16は、ガラスやポリカ
ーボネートの如きプラスチック樹脂であって、情報信号
の記録に使用される光源の波長に対して透明な材料が好
ましい。また、これらのプラスチック樹脂等を複数、貼
り合わせたものであってもよい。更に、紫外線硬化樹脂
等をスピンコート法等で塗布し、硬化させたものであっ
てもよい。
【００１２】第２誘電体層13及び第１誘電体層15は、記
録層14の酸化防止とディスク基板の熱変形防止のための
保護層であって、典型的には、ZnS、SiO2やZnS-SiO2な
どが好ましい。また、Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Ceなど
の金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属硫化物、
金属セレン化物等の金属化合物及びその混合物のいずれ
であってもよい。更に、単層であっても、複数の層から
構成されていてもよい。
録層14の酸化防止とディスク基板の熱変形防止のための
保護層であって、典型的には、ZnS、SiO2やZnS-SiO2な
どが好ましい。また、Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta、Ceなど
の金属窒化物、金属酸化物、金属炭化物、金属硫化物、
金属セレン化物等の金属化合物及びその混合物のいずれ
であってもよい。更に、単層であっても、複数の層から
構成されていてもよい。
【００１３】反射層12は、情報の記録に使用される光源
の波長に対して、高い反射率を有する材料が好ましい。
典型的には、Al、Au、Ag、Cu及びCrなどの金属材料膜
や、これらの合金及び混合物等からなるものであっても
よい。
の波長に対して、高い反射率を有する材料が好ましい。
典型的には、Al、Au、Ag、Cu及びCrなどの金属材料膜
や、これらの合金及び混合物等からなるものであっても
よい。
【００１４】
【比較例】まず、公知の方法で製造された追記型の相変
化型光記録媒体について、オーバーライト記録を行った
ときの情報信号の劣化についての特性を比較例として計
測した。図３を参照しつつ説明すると、基体11は、厚さ
1.1mm、直径120mmのポリカーボネート樹脂からなるディ
スクであって、0.315μmのピッチでスパイラル溝が表面
に形成されている。基体11上には、厚さ100nmのAg-Pd-C
u合金からなる反射層12、厚さ8nmのZnS-SiO2からなる第
２誘電体層13、厚さ14nmのGe-In-Sb-Teからなる記録層1
4、厚さ35nmのZnS-SiO2からなる第１誘電体層15が、こ
の順にスパッタリング法によって成膜された。更に、こ
の上から、紫外線硬化樹脂を接着剤に用いて、0.1mmの
厚さとなるようにポリカーボネート樹脂シートを貼り合
わせた。次に、波長810nmの半導体レーザを使用して、
記録層14を結晶質化させた（初期化工程）。
化型光記録媒体について、オーバーライト記録を行った
ときの情報信号の劣化についての特性を比較例として計
測した。図３を参照しつつ説明すると、基体11は、厚さ
1.1mm、直径120mmのポリカーボネート樹脂からなるディ
スクであって、0.315μmのピッチでスパイラル溝が表面
に形成されている。基体11上には、厚さ100nmのAg-Pd-C
u合金からなる反射層12、厚さ8nmのZnS-SiO2からなる第
２誘電体層13、厚さ14nmのGe-In-Sb-Teからなる記録層1
4、厚さ35nmのZnS-SiO2からなる第１誘電体層15が、こ
の順にスパッタリング法によって成膜された。更に、こ
の上から、紫外線硬化樹脂を接着剤に用いて、0.1mmの
厚さとなるようにポリカーボネート樹脂シートを貼り合
わせた。次に、波長810nmの半導体レーザを使用して、
記録層14を結晶質化させた（初期化工程）。
【００１５】かかる非晶質マークタイプの従来の相変化
型光記録媒体において、信号パターンの形成は、光記録
媒体を光ディスク評価用ドライブ装置に載置して、線速
度10m/sで回転させながら、開口数0.85の光学系を通し
た波長405nmのレーザ光をディスク保護層16の側から入
射させて行った。記録にはマルチパスを用いて、記録パ
ワーは5.0mW、ウィンドウ幅は15.13nsecであって、１−
７変調のランダムパターンを記録した。
型光記録媒体において、信号パターンの形成は、光記録
媒体を光ディスク評価用ドライブ装置に載置して、線速
度10m/sで回転させながら、開口数0.85の光学系を通し
た波長405nmのレーザ光をディスク保護層16の側から入
射させて行った。記録にはマルチパスを用いて、記録パ
ワーは5.0mW、ウィンドウ幅は15.13nsecであって、１−
７変調のランダムパターンを記録した。
【００１６】１回目の記録では、約10％の良好なジッタ
が得られた。更に、２回目のオーバーライト記録を行っ
た後に計測したジッタは約10％であって、100回の繰り
返しオーバーライト記録を行った後に計測したジッタ
は、約11％であった。かかるレベルにおいては、オーバ
ライト記録によって記録したデータが改竄される可能性
を含むので追記型の光記録媒体としては不適切である。
が得られた。更に、２回目のオーバーライト記録を行っ
た後に計測したジッタは約10％であって、100回の繰り
返しオーバーライト記録を行った後に計測したジッタ
は、約11％であった。かかるレベルにおいては、オーバ
ライト記録によって記録したデータが改竄される可能性
を含むので追記型の光記録媒体としては不適切である。
【００１７】
【実施例１】本発明の実施例による光記録媒体におい
て、オーバーライト記録を行ったときの情報信号の劣化
についての特性を計測した。再度、図１を参照して説明
する。第１記録層14a及び第２記録層14bの材料の組み合
わせとして、(Sb70Te30)+Ge+In+Sbの組成を有するGe-In
-Sb-Te及びGeTeがそれぞれ選択された。なお、第１記録
層14aがGeTe、第２記録層14bがGe+In+Sb-Teであっても
よい。基体11は、厚さ1.1mm、直径120mmのポリカーボネ
ート樹脂からなるディスクであって、0.320μmのピッチ
でスパイラル溝が表面に形成されている。基体11上に
は、厚さ100nmのAg-Pd-Cu合金からなる反射層12、厚さ6
nmのZnS-SiO2からなる第２誘電体層13、厚さ6nmのGeTe
からなる第２記録層14b、厚さ8nmのGe-In-Sb-Teからな
る第１記録層14a、厚さ40nmのZnS-SiO2からなる第１誘
電体層15が、この順にスパッタリング法によって成膜さ
れた。更に、この上から、0.1mmの厚さとなるようにポ
リカーボネート樹脂シートを紫外線硬化樹脂を接着剤に
用いて貼り合わせた。なお、この時点では、第１記録層
14a及び第２記録層14bのいずれとも非晶質相である。次
に、波長810nmの半導体レーザを使用して、第１記録層1
4a及び第２記録層14bを結晶質化させる初期化を行っ
た。以上によって、情報信号を記録する前の状態、すな
わち、第１記録層14a及び第２記録層14bが結晶質相を有
する、非晶質マークタイプの相変化型光記録媒体が完成
するのである。
て、オーバーライト記録を行ったときの情報信号の劣化
についての特性を計測した。再度、図１を参照して説明
する。第１記録層14a及び第２記録層14bの材料の組み合
わせとして、(Sb70Te30)+Ge+In+Sbの組成を有するGe-In
-Sb-Te及びGeTeがそれぞれ選択された。なお、第１記録
層14aがGeTe、第２記録層14bがGe+In+Sb-Teであっても
よい。基体11は、厚さ1.1mm、直径120mmのポリカーボネ
ート樹脂からなるディスクであって、0.320μmのピッチ
でスパイラル溝が表面に形成されている。基体11上に
は、厚さ100nmのAg-Pd-Cu合金からなる反射層12、厚さ6
nmのZnS-SiO2からなる第２誘電体層13、厚さ6nmのGeTe
からなる第２記録層14b、厚さ8nmのGe-In-Sb-Teからな
る第１記録層14a、厚さ40nmのZnS-SiO2からなる第１誘
電体層15が、この順にスパッタリング法によって成膜さ
れた。更に、この上から、0.1mmの厚さとなるようにポ
リカーボネート樹脂シートを紫外線硬化樹脂を接着剤に
用いて貼り合わせた。なお、この時点では、第１記録層
14a及び第２記録層14bのいずれとも非晶質相である。次
に、波長810nmの半導体レーザを使用して、第１記録層1
4a及び第２記録層14bを結晶質化させる初期化を行っ
た。以上によって、情報信号を記録する前の状態、すな
わち、第１記録層14a及び第２記録層14bが結晶質相を有
する、非晶質マークタイプの相変化型光記録媒体が完成
するのである。
【００１８】ここで、上記した比較例と同じ条件で実施
例１による光記録媒体に情報信号を記録して、オーバー
ライト記録を行ったときの情報信号の劣化について測定
した。すなわち、信号パターン形成は、光記録媒体を光
ディスク評価用ドライブ装置に搭載して、線速10m/sで
回転させながら、開口数0.85の光学系を通した波長405n
mのレーザ光をディスク保護層16の側から入射させて行
った。記録には、マルチパスを用いて、記録パワーは5.
0mW、ウィンドウ幅は、15.13nsecとして、１−７変調の
ランダムパターンを記録した。
例１による光記録媒体に情報信号を記録して、オーバー
ライト記録を行ったときの情報信号の劣化について測定
した。すなわち、信号パターン形成は、光記録媒体を光
ディスク評価用ドライブ装置に搭載して、線速10m/sで
回転させながら、開口数0.85の光学系を通した波長405n
mのレーザ光をディスク保護層16の側から入射させて行
った。記録には、マルチパスを用いて、記録パワーは5.
0mW、ウィンドウ幅は、15.13nsecとして、１−７変調の
ランダムパターンを記録した。
【００１９】１回目の記録では、約10%の良好なジッタ
が得られた。更に、２回目のオーバーライト記録を行っ
たがジッタの測定は不能なレベルであった。更に、１回
目の記録後、消去パワーに曝した後、再び記録を行って
も、ジッタの測定は不能なレベルにあって、追記型光記
録媒体として好ましいことが確認された。
が得られた。更に、２回目のオーバーライト記録を行っ
たがジッタの測定は不能なレベルであった。更に、１回
目の記録後、消去パワーに曝した後、再び記録を行って
も、ジッタの測定は不能なレベルにあって、追記型光記
録媒体として好ましいことが確認された。
【００２０】
【実施例２】第１記録層14a及び第２記録層14bの材料の
組み合わせとして、(Sb70Te30)+Ge+In+Sbの組成を有す
るGe-In-Sb-Te及びSb2Te3の組成を有するSb-Teがそれぞ
れ選択された。基体11は、厚さ1.1mm、直径120mmのポリ
カーボネート樹脂からなるディスクであって、0.315μm
のピッチでスパイラル溝が表面に形成されている。基体
11上には、厚さ100nmのAg-Pd-Cu合金からなる反射層1
2、厚さ6nmのZnS-SiO2からなる第２誘電体層13、厚さ12
nmのSb-Teからなる第２記録層14b、厚さ8nmのGe-In-Sb-
Teからなる第１記録層14a、厚さ40nmのZnS-SiO2からな
る第１誘電体層15が、この順にスパッタリング法によっ
て成膜された。更に、この上から、0.1mmの厚さとなる
ようにポリカーボネート樹脂シートを紫外線硬化樹脂を
接着剤に用いて貼り合わせた。続いて、波長810nmの半
導体レーザを使用して、第１記録層14a及び第２記録層1
4bの初期化を行って結晶質化させた。
組み合わせとして、(Sb70Te30)+Ge+In+Sbの組成を有す
るGe-In-Sb-Te及びSb2Te3の組成を有するSb-Teがそれぞ
れ選択された。基体11は、厚さ1.1mm、直径120mmのポリ
カーボネート樹脂からなるディスクであって、0.315μm
のピッチでスパイラル溝が表面に形成されている。基体
11上には、厚さ100nmのAg-Pd-Cu合金からなる反射層1
2、厚さ6nmのZnS-SiO2からなる第２誘電体層13、厚さ12
nmのSb-Teからなる第２記録層14b、厚さ8nmのGe-In-Sb-
Teからなる第１記録層14a、厚さ40nmのZnS-SiO2からな
る第１誘電体層15が、この順にスパッタリング法によっ
て成膜された。更に、この上から、0.1mmの厚さとなる
ようにポリカーボネート樹脂シートを紫外線硬化樹脂を
接着剤に用いて貼り合わせた。続いて、波長810nmの半
導体レーザを使用して、第１記録層14a及び第２記録層1
4bの初期化を行って結晶質化させた。
【００２１】かかる実施例２による光記録媒体におい
て、情報信号を記録して、オーバーライト記録を行った
ときの情報信号の劣化について測定した。なお、実施例
１と測定条件は、ほぼ同様であるが、記録パワーは3.0m
Wであることのみ異なっている。１回目の記録では、約1
2%の良好なジッタが得られた。更に、２回目のオーバー
ライト記録を行ったがジッタの測定は不能なレベルであ
った。更に、１回目の記録後、消去パワーに曝した後、
再び記録を行っても、ジッタの測定は不能なレベルにあ
って、追記型光記録媒体として好ましいことが確認され
た。
て、情報信号を記録して、オーバーライト記録を行った
ときの情報信号の劣化について測定した。なお、実施例
１と測定条件は、ほぼ同様であるが、記録パワーは3.0m
Wであることのみ異なっている。１回目の記録では、約1
2%の良好なジッタが得られた。更に、２回目のオーバー
ライト記録を行ったがジッタの測定は不能なレベルであ
った。更に、１回目の記録後、消去パワーに曝した後、
再び記録を行っても、ジッタの測定は不能なレベルにあ
って、追記型光記録媒体として好ましいことが確認され
た。
【００２２】
【実施例３】更に、図４を参照して説明する。第１記録
層14a及び第２記録層14bの材料の組み合わせとして、(S
b70Te30)+Ge+In+Sbの組成を有するGe-In-Sb-Te及びSb2T
e3の組成を有するSb-Teがそれぞれ選択された。基体11
は、厚さ1.1mm、直径120mmのポリカーボネート樹脂から
なるディスクであって、0.315μmのピッチでスパイラル
溝が表面に形成されている。基体11上には、厚さ15nmの
Ag-Pd-Cu合金からなる反射層12、厚さ7nmのZnS-SiO2か
らなる第２誘電体層13、厚さ2nmのSb-Teからなる第２記
録層14b、厚さ4nmのGe-In-Sb-Teからなる第１記録層14a
を、この順にスパッタリング法によって成膜された。な
お、第１誘電体層は設けなかった。更に、この上から、
0.1mmの厚さとなるようにポリカーボネート樹脂シート
を紫外線硬化樹脂を接着剤に用いて貼り合わせた。続い
て、波長810nmの半導体レーザを使用して、第１記録層1
4a及び第２記録層14bの初期化を行って結晶質化させ
た。
層14a及び第２記録層14bの材料の組み合わせとして、(S
b70Te30)+Ge+In+Sbの組成を有するGe-In-Sb-Te及びSb2T
e3の組成を有するSb-Teがそれぞれ選択された。基体11
は、厚さ1.1mm、直径120mmのポリカーボネート樹脂から
なるディスクであって、0.315μmのピッチでスパイラル
溝が表面に形成されている。基体11上には、厚さ15nmの
Ag-Pd-Cu合金からなる反射層12、厚さ7nmのZnS-SiO2か
らなる第２誘電体層13、厚さ2nmのSb-Teからなる第２記
録層14b、厚さ4nmのGe-In-Sb-Teからなる第１記録層14a
を、この順にスパッタリング法によって成膜された。な
お、第１誘電体層は設けなかった。更に、この上から、
0.1mmの厚さとなるようにポリカーボネート樹脂シート
を紫外線硬化樹脂を接着剤に用いて貼り合わせた。続い
て、波長810nmの半導体レーザを使用して、第１記録層1
4a及び第２記録層14bの初期化を行って結晶質化させ
た。
【００２３】かかる実施例３による光記録媒体におい
て、情報信号を記録して、オーバーライト記録を行った
ときの情報信号の劣化について測定した。なお、実施例
１と測定条件は、ほぼ同様であるが、記録パワーは5.5m
Wであることのみ異なっている。１回目の記録では、約1
2%の良好なジッタが得られた。更に、２回目のオーバー
ライト記録を行ったがジッタの測定は不能なレベルであ
った。更に、１回目の記録後、消去パワーに曝した後、
再び記録を行っても、ジッタの測定は不能なレベルにあ
って、追記型光記録媒体として好ましいことが確認され
た。
て、情報信号を記録して、オーバーライト記録を行った
ときの情報信号の劣化について測定した。なお、実施例
１と測定条件は、ほぼ同様であるが、記録パワーは5.5m
Wであることのみ異なっている。１回目の記録では、約1
2%の良好なジッタが得られた。更に、２回目のオーバー
ライト記録を行ったがジッタの測定は不能なレベルであ
った。更に、１回目の記録後、消去パワーに曝した後、
再び記録を行っても、ジッタの測定は不能なレベルにあ
って、追記型光記録媒体として好ましいことが確認され
た。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、情報信号の記録後の記
録層が、成膜時の記録層よりも非晶質相がより安定に変
化しているので、記録マークを再び記録可能な状態に消
去してしまうことや、オーバーライト記録されることが
抑制され、ライトアットワンス型の記録ディスクとして
好ましいのである。
録層が、成膜時の記録層よりも非晶質相がより安定に変
化しているので、記録マークを再び記録可能な状態に消
去してしまうことや、オーバーライト記録されることが
抑制され、ライトアットワンス型の記録ディスクとして
好ましいのである。
【図１】本発明による光記録媒体の部分拡大断面図であ
る。
る。
【図２】本発明による光記録媒体の部分拡大断面図であ
る。
る。
【図３】比較例としての光記録媒体の部分拡大断面図で
ある。
ある。
【図４】本発明による他の光記録媒体の部分拡大断面図
である。
である。
10 光記録媒体
11 基体
12 反射層
13 第２誘電体層
14 記録層
15 第１誘電体層
16 保護層
17 溶融部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 三森 歩美
埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ
イオニア株式会社総合研究所内
(72)発明者 工藤 秀雄
埼玉県鶴ヶ島市富士見６丁目１番１号 パ
イオニア株式会社総合研究所内
Ｆターム(参考） 2H111 EA04 EA23 EA31 FA02 FB05
FB06 FB09 FB12 FB17 FB21
5D029 HA07 JA01 JB03 JB16 JC01
JC11
Claims (23)
- 【請求項１】 情報信号を記録するための光の照射によ
る加熱・溶融の後に冷却されて、結晶質相から非晶質相
に相変化して情報を記録可能な記録層を含む光記録媒体
であって、 前記記録層は、互いに隣接して配置された第１記録層及
び第２記録層を含み、前記光の照射による加熱・溶融に
よって少なくとも前記第２記録層の成分の一部が前記第
１記録層に拡散して、前記第１記録層の当該拡散部分
は、前記光の照射の前と比較して、非晶質相から結晶質
相への相変化のために、より大なるエネルギを要する成
分に変化することを特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】 前記光の照射による加熱・溶融によって
少なくとも前記第１記録層の成分の一部が前記第２記録
層に拡散して、前記第２記録層の当該拡散部分は、前記
光の照射の前と比較して、非晶質相から結晶質相への相
変化のために、より大なるエネルギを要する成分に変化
することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項３】 前記第１記録層は、結晶質層においてSb
-Te共晶体であることを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。 - 【請求項４】 前記第１記録層は、更に、Ag、Ge、In、
Sbからなるグループのうちの１つ以上の元素を含むこと
を特徴とする請求項３記載の光記録媒体。 - 【請求項５】 前記第１記録層は、結晶質層においてSb
-Te固溶体を含み、Ge又はTeの量の増加によって、結晶
化速度が遅くなることを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。 - 【請求項６】 前記第１記録層は、更に、Ag、Ge、In、
Sbからなるグループのうちの１つ以上の元素を含むこと
を特徴とする請求項５記載の光記録媒体。 - 【請求項７】 前記第２記録層は、Ge又は/及びTeを含
むことを特徴とする請求項３乃至６のうちの１に記載の
光記録媒体。 - 【請求項８】 前記第１記録層は、GeTe化合物を含み、
Sbを加えると結晶化速度が遅くなることを特徴とする請
求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項９】 前記第１記録層は、更に、Sb、Te、Snか
らなるグループのうちの１つ以上の元素を含むことを特
徴とする請求項８記載の光記録媒体。 - 【請求項10】 前記第１記録層は、Sb2Te3化合物を含
み、Sbの量の増加によって、結晶化速度が遅くなること
を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項11】 前記第１記録層は、更に、Sb、Te、Snか
らなるグループのうちの１つ以上の元素を含むことを特
徴とする請求項10記載の光記録媒体。 - 【請求項12】 前記第１記録層は、Sb2Te3-GeTe混合物
を含み、Sbの量の増加によって、結晶化速度が遅くなる
ことを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。 - 【請求項13】 前記第１記録層は、更に、Sb、Te、Snか
らなるグループのうちの１つ以上の元素を含むことを特
徴とする請求項12記載の光記録媒体。 - 【請求項14】 前記第２記録層は、Sbを含むことを特徴
とする請求項８乃至13のうちの１に記載の光記録媒体。 - 【請求項15】 前記第１記録層は、結晶質層においてSb
-Te共晶組成となる組成物を含み、且つ、前記第２記録
層は、Sbの量の増加によって結晶化速度が遅くなるGeTe
化合物を含むことを特徴とする請求項２記載の光記録媒
体。 - 【請求項16】 前記第１記録層は、更に、Ag、Ge、In、
Sbからなるグループのうちの１つ以上の元素を含むこと
を特徴とする請求項15記載の光記録媒体。 - 【請求項17】 前記第２記録層は、更に、Sb、Te、Snか
らなるグループのうちの１つ以上の元素を含むことを特
徴とする請求項15記載の光記録媒体。 - 【請求項18】 前記第１記録層は、結晶質層においてSb
-Te共晶組成となる組成物を含み、且つ、前記第２記録
層は、Sbの量の増加によって結晶化速度が遅くなるSb2T
e3-GeTe化合物を含むことを特徴とする請求項２記載の
光記録媒体。 - 【請求項19】 前記第１記録層は、更に、Ag、Ge、In、
Sbからなるグループのうちの１つ以上の元素を含むこと
を特徴とする請求項18記載の光記録媒体。 - 【請求項20】 前記第２記録層は、更に、Sb、Te、Snか
らなるグループのうちの１つ以上の元素を含むことを特
徴とする請求項18記載の光記録媒体。 - 【請求項21】 前記第１記録層は、結晶質層においてSb
-Te共晶組成となる組成物を含み、且つ、前記第２記録
層は、Sbの量の増加によって結晶化速度が遅くなるSb2T
e3-GeTe混合物を含むことを特徴とする請求項２記載の
光記録媒体。 - 【請求項22】 前記第１記録層は、更に、Ag、Ge、In、
Sbからなるグループのうちの１つ以上の元素を含むこと
を特徴とする請求項21記載の光記録媒体。 - 【請求項23】 前記第２記録層は、更に、Sb、Te、Snか
らなるグループのうちの１つ以上の元素を含むことを特
徴とする請求項21記載の光記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140090A JP2003331461A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 追記型光記録媒体 |
| US10/436,368 US6841218B2 (en) | 2002-05-15 | 2003-05-13 | Write once optical recording medium |
| CN03136403.9A CN1287370C (zh) | 2002-05-15 | 2003-05-15 | 一次写入型光记录介质 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140090A JP2003331461A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 追記型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003331461A true JP2003331461A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29701052
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002140090A Abandoned JP2003331461A (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 追記型光記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6841218B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003331461A (ja) |
| CN (1) | CN1287370C (ja) |
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| WO2011034188A1 (ja) | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット |
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| TWI254934B (en) | 2002-04-26 | 2006-05-11 | Tdk Corp | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| US7231649B2 (en) * | 2002-05-31 | 2007-06-12 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for optically recording data in the same |
| JP2004013938A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Tdk Corp | レーザビーム強度決定方法及びこれを実行可能な情報記録装置並びに光記録媒体 |
| US20040038080A1 (en) * | 2002-07-01 | 2004-02-26 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for recording data in the same |
| JP4059714B2 (ja) * | 2002-07-04 | 2008-03-12 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体 |
| JP4092147B2 (ja) | 2002-07-04 | 2008-05-28 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体及び光記録方法 |
| JP4282285B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2009-06-17 | Ｔｄｋ株式会社 | 光記録媒体及び光記録方法 |
| US20040076907A1 (en) * | 2002-10-22 | 2004-04-22 | Tdk Corporation | Optical recording medium and method for manufacturing the same |
| US7781146B2 (en) | 2002-11-22 | 2010-08-24 | Tdk Corporation | Optical recording medium |
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