WO2011034153A1 - 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット - Google Patents

光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット Download PDF

Info

Publication number
WO2011034153A1
WO2011034153A1 PCT/JP2010/066099 JP2010066099W WO2011034153A1 WO 2011034153 A1 WO2011034153 A1 WO 2011034153A1 JP 2010066099 W JP2010066099 W JP 2010066099W WO 2011034153 A1 WO2011034153 A1 WO 2011034153A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
recording layer
optical information
recording medium
information recording
oxide
Prior art date
Application number
PCT/JP2010/066099
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
田内　裕基
陽子 志田
剛 三木
康宏 曽根
Original Assignee
株式会社神戸製鋼所
ソニー株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2009217353A external-priority patent/JP5276557B2/ja
Priority claimed from JP2009217352A external-priority patent/JP5399184B2/ja
Application filed by 株式会社神戸製鋼所, ソニー株式会社 filed Critical 株式会社神戸製鋼所
Priority to US13/496,661 priority Critical patent/US8597757B2/en
Priority to KR1020127006899A priority patent/KR20120057629A/ko
Priority to CN2010800406833A priority patent/CN102640219A/zh
Priority to EP10817266.9A priority patent/EP2479751B1/en
Publication of WO2011034153A1 publication Critical patent/WO2011034153A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2437—Non-metallic elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41M—PRINTING, DUPLICATING, MARKING, OR COPYING PROCESSES; COLOUR PRINTING
    • B41M5/00—Duplicating or marking methods; Sheet materials for use therein
    • B41M5/26—Thermography ; Marking by high energetic means, e.g. laser otherwise than by burning, and characterised by the material used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B7/2433—Metals or elements of groups 13, 14, 15 or 16 of the Periodic System, e.g. B, Si, Ge, As, Sb, Bi, Se or Te
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24304—Metals or metalloids group 2 or 12 elements (e.g. Be, Ca, Mg, Zn, Cd)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24306—Metals or metalloids transition metal elements of groups 3-10
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24312—Metals or metalloids group 14 elements (e.g. Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/2432—Oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24035—Recording layers
    • G11B7/24038—Multiple laminated recording layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Definitions

  • the present invention relates to a recording layer for an optical information recording medium, an optical information recording medium, and a sputtering target useful for forming the recording layer.
  • Optical information recording media are typified by optical discs such as CDs, DVDs, and BDs, and are roughly classified into three types according to recording / reproducing systems: read-only type, write-once type, and rewritable type.
  • the write-once type optical disc recording method mainly includes a phase change method for changing the phase of the recording layer, an interlayer reaction method for reacting a plurality of recording layers, a method for decomposing a compound constituting the recording layer, and a hole in the recording layer. It is roughly classified into a drilling method in which recording marks such as pits are locally formed.
  • Patent Document 1 proposes a recording layer containing Te—OM (where M is at least one element selected from a metal element, a metalloid element, and a semiconductor element), and Patent Document 2 proposes a recording layer containing Sb and Te. Layers have been proposed.
  • the first recording layer is made of an alloy containing In—O— (Ni, Mn, Mo), and the second recording layer is used.
  • the second recording layer is used.
  • a first recording layer a metal containing In as a main component
  • a second recording layer a metal other than an oxide or a nonmetal containing at least one element belonging to Group 5B or Group 6B are stacked.
  • Patent Document 5 shows a recording layer mainly composed of nitride, and recording can be performed by decomposing the nitride by heating. Materials to be performed and organic pigment materials are being studied.
  • Patent Document 6 proposes an alloy made of an alloy obtained by adding a 3B group, 4B group, or 5B group element to a Sn alloy.
  • Patent Document 7 proposes a recording layer made of a Sn-based alloy containing Ni and / or Co in the range of 1 to 50 atomic%.
  • Patent Document 8 discloses a recording layer comprising an In alloy containing 20 to 65 atomic percent of Co, and further containing an In alloy containing 19 atomic percent or less of one or more elements selected from Sn, Bi, Ge, and Si. It is shown.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2005-135568 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-331461
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2003-326848 Japanese Patent No. 3499724 International Publication No. 2003/101750
  • Pamphlet Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-225433 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2007-196683 Japanese Patent No. 4110194
  • optical information recording media The required characteristics required for optical information recording media are mainly that it has sufficient reflectivity for reproduction, recording with practical recording laser power (high recording sensitivity), and recording signal for reproduction. It is required to have sufficient signal amplitude (high modulation degree) and high signal strength (high C / N ratio).
  • the recording material disclosed as the prior art it is difficult for the recording material disclosed as the prior art to satisfy these required characteristics with the recording material alone.
  • the reflectance of the recording layer alone is low.
  • a reflection film is necessary, and in order to increase the degree of modulation, it is necessary to provide dielectric layers such as ZnS—SiO 2 above and below the recording layer, and the number of layers constituting the optical disk increases.
  • the interlayer reaction method also requires a plurality of recording layers, the number of layers constituting the optical disk increases. For this reason, there is a problem that the number of film layers increases and productivity decreases.
  • the perforation method has a high reflectivity of the recording layer itself and can secure a large degree of modulation, so that the number of layers constituting the optical disk can be reduced, but in achieving higher recording sensitivity, Further study is needed. Further, durability of the recording layer (particularly durability against high temperature and high humidity) is also required.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide optical information capable of increasing the productivity of an optical information recording medium by satisfying the above required characteristics while reducing the number of layers of an optical disk.
  • a recording layer for a recording medium an optical information recording medium comprising the recording layer and excellent in the durability of the recording layer (particularly, durability against high temperature and high humidity), and a sputtering target useful for forming the recording layer There is to do.
  • the present invention includes the following aspects.
  • a recording layer on which recording is performed by laser light irradiation An oxide of X metal whose absolute value of the standard free energy of formation of oxide relative to 1 mol of oxygen is larger than Pd and oxide Pd, and the oxide Pd contains Pd monoxide and Pd dioxide, and A recording layer for optical information recording media, wherein the ratio of Pd atoms to the total of X metal atoms and Pd atoms contained in the recording layer is 4 to 85 atomic%.
  • An optical information recording medium comprising a recording layer on which recording is performed by laser light irradiation,
  • the recording layer includes an oxide of X metal whose absolute value of the standard free energy of formation of oxide relative to 1 mol of oxygen is greater than Pd, and oxide Pd, and the oxide Pd includes monoxide Pd and dioxide Pd, and
  • the X metal contained in the recording layer is one or more selected from the group consisting of Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, and Al, according to (6) or (7) Optical information recording medium.
  • the dielectric layer is substantially composed of an oxide, a nitride, a sulfide, a carbide, or a mixture thereof. More preferably, the dielectric layer is made of an oxide, nitride, sulfide, carbide, or a mixture thereof, as described in any one of (7) to (9).
  • the oxide constituting the dielectric layer is selected from the group consisting of In, Zn, Sn, Al, Si, Ge, Ti, Ga, Ta, Nb, Hf, Zr, Cr, Bi, and Mg.
  • the nitride is a nitride of one or more elements selected from the group consisting of Si, Ge and Ti
  • the sulfide is a Zn sulfide
  • the optical information recording medium according to any one of (6) to (13), wherein recording is performed by generating bubbles in the portion of the recording layer irradiated with laser light and changing the volume.
  • a sputtering target comprising an alloy containing 4 to 85 atomic% of Pd in a ratio of Pd atoms to the total of X metal atoms and Pd atoms.
  • the X metal is at least one selected from the group consisting of Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, and Al.
  • a recording layer for an optical information recording medium having excellent recording sensitivity with a practical recording laser power (particularly, a recording layer for a write once optical information recording medium), and the recording layer,
  • An optical information recording medium excellent in durability (particularly, a write-once type optical information recording medium) can be provided.
  • a sputtering target useful for forming the recording layer can be provided.
  • excellent recording sensitivity means that a high degree of modulation can be realized with a relatively low recording laser power, as will be described in detail in the section of the examples described later.
  • the present inventors have conducted intensive research to realize a recording layer for an optical information recording medium that is superior in recording sensitivity at a practical recording laser power and superior in durability of the recording layer as compared with a conventional recording layer. It was.
  • an oxide of a metal hereinafter referred to as X metal
  • Pd is a recording layer containing Pd monoxide and Pd dioxide
  • the oxidized Pd is heated by the laser irradiation, decomposes to release oxygen, and is irradiated with the laser.
  • the recording method using the recording layer is different from the phase change method using the fact that the structure of the recording layer before the laser irradiation is amorphous and is amorphous after the laser irradiation. .
  • the reason why the recording layer of the present invention is excellent in recording sensitivity is that the transmittance is increased (that is, the reflectance is decreased) in the portion where bubbles are generated by laser irradiation compared to the portion where bubbles are not generated. It is conceivable that the modulation degree could be increased.
  • the refractive index can be increased as compared with the case where oxidized Pd is not included, and a high reflectance can be obtained. Further, since the light absorption rate of the film can be increased, the energy of the laser for signal recording can be efficiently changed to heat, and as a result, the decomposition of the oxidized Pd can be performed with a practical recording laser power. Is promoted, and the recording sensitivity can be sufficiently improved.
  • the ratio of Pd atoms to the total of metal atoms and Pd atoms whose absolute value of the standard free energy of formation of oxides relative to 1 mol of oxygen contained in the recording layer is larger than Pd (hereinafter referred to as “Pd atoms”).
  • the “Pd amount” may be 4 atomic% or more. If the amount of Pd is less than 4 atomic%, the amount of released oxygen is not sufficient because the amount of oxidized Pd that decomposes during laser irradiation is small, resulting in fewer bubbles, resulting in a lower signal intensity. Further, since the light absorption rate of the recording layer is also reduced, the laser power required for recording is increased, which is not preferable.
  • the amount of Pd is preferably 8 atomic% or more, more preferably 10 atomic% or more.
  • the upper limit of Pd amount is set to 85 atomic%.
  • the upper limit of the amount of Pd is preferably 50 atomic%, more preferably 45 atomic%.
  • the transmittance is required except for the recording layer farthest from the laser incident surface, but this transmittance can be increased by reducing the amount of Pd. Therefore, it is preferable that the recording layer that requires a certain degree of transmittance has a Pd content in the range of 4 to 30 atomic%.
  • the lowermost layer (the recording layer farthest from the laser incident surface) of a single-layer disk or multilayer disk needs a certain degree of reflectivity, so that the Pd content is preferably 30 to 85 atomic%. .
  • the recording sensitivity can be improved sufficiently.
  • Pd dioxide which is more unstable than monoxide Pd, is easily decomposed by laser irradiation to release oxygen, and Pd dioxide is present in the monoxide Pd that is more stable than Pd dioxide.
  • the natural decomposition of Pd dioxide is suppressed and a stable recording layer can be obtained.
  • the ratio of the Pd dioxide to the total of the Pd monoxide and the Pd dioxide is set as follows: It is preferable to set it as 5 mol% or more. On the other hand, if there is too much Pd dioxide relative to Pd monoxide, Pd dioxide cannot exist stably and it may be difficult to produce a recording layer.
  • the ratio of Pd dioxide is preferably 70 mol% or less. More preferably, it is 60 mol% or less.
  • the recording layer of the present invention contains an oxide of a metal (X metal) whose absolute value of the standard free energy of formation of the oxide with respect to 1 mol of oxygen is larger than Pd together with the above-mentioned Pd.
  • X metal a metal whose absolute value of the standard free energy of formation of the oxide with respect to 1 mol of oxygen is larger than Pd together with the above-mentioned Pd.
  • Examples of the metal (X metal) whose absolute value of the standard free energy of formation of oxide relative to 1 mol of oxygen is larger than Pd include Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, and Al (oxygen at room temperature).
  • the standard free energy of formation of oxide with respect to 1 mol is about ⁇ 150 kJ / mol of Pd, whereas Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu, and Al are ⁇ 520, ⁇ 640, and ⁇ 330, respectively. , -420, -420, -500, -270, -1050 kJ / mol).
  • the recording layer of the present invention contains an X metal oxide, and preferably contains 50 mol% or more of an X metal oxide.
  • the recording layer of the present invention may contain inevitable impurities inevitably mixed during production, in addition to the oxide of X metal and the oxidized Pd.
  • Sn, Al, Bi, Cu, Nb, Ti, Si, and Ta are included within a total of about 30 atomic% or less in the state of oxide or metal for the purpose of improving the absorption rate and controlling the refractive index. You may go out.
  • the thickness of the recording layer depends on the structure of the optical information recording medium, such as inserting other layers such as a metal compound layer and a metal layer above and below the recording layer.
  • the thickness of the recording layer is 5 to 100 nm. It is preferable that This is because if the film thickness of the recording layer is smaller than 5 nm, it is difficult to obtain a sufficient reflectance change by recording. More preferably, it is 10 nm or more, More preferably, it is 20 nm or more, Most preferably, it is 25 nm or more.
  • the film thickness of the recording layer is larger than 100 nm, it takes time to form the film, the productivity is lowered, and the laser power required for recording may be increased. More preferably, it is 70 nm or less, More preferably, it is 60 nm or less.
  • the recording layer of the present invention contains oxidized Pd (for example, PdO, PdO 2 , PdO X, etc.).
  • the recording layer is formed by sputtering. It is preferable. The sputtering method is preferable because the film thickness distribution uniformity within the disk surface can be secured.
  • the ratio of the oxygen flow rate to the Ar (argon) flow rate is 0.5 to 10.0 as sputtering conditions.
  • Other conditions in the sputtering method are not particularly limited, and a widely used method can be adopted.
  • the gas pressure is in the range of 0.1 to 1.0 Pa, for example, and the sputtering power is in the range of 0.5 to 20 W / cm 2 , for example. What is necessary is just to control to a range.
  • target As a sputtering target (hereinafter, simply referred to as “target”) used in the sputtering method, (A) an oxide of X metal (preferably one or more selected from the group consisting of Sn, Zn, Bi, Ge, Co, W, Cu and Al) (specifically, for example, an oxide of X metal) And Pd (for example, oxidized Pd and / or metal Pd), and the ratio of Pd atoms to the total of X metal atoms and Pd atoms contained in the sputtering target is 4 to 85 atom%
  • the sputtering target of the above (A) it is particularly preferable to use a material obtained by mixing and sintering an X metal oxide and a metal Pd powder in terms of productivity and composition of the formed thin film. This is preferable in terms of uniformity and thickness control.
  • impurities may be mixed in the sputtering target with a small amount.
  • the component composition of the sputtering target of the present invention does not prescribe even the trace components that are inevitably mixed, and the trace amounts of these unavoidable impurities are allowed as long as the above characteristics of the present invention are not impaired.
  • the optical information recording medium of the present invention is characterized in that the recording layer is provided.
  • the configuration other than the recording layer is not particularly limited, and a configuration known in the field of optical information recording media is adopted. be able to.
  • optical information recording medium of the present invention is characterized in that it includes the above-mentioned recording layer and the following dielectric layer formed adjacent to the recording layer. Yes.
  • the optical information recording medium of the present invention has a recording layer exhibiting the above excellent characteristics, but maintains the above excellent characteristics even in a high temperature and high humidity environment, that is, excellent durability. It is also necessary to secure it. Therefore, in the present invention, a dielectric layer is formed adjacent to the recording layer. Under the above environment, the oxidized Pd in the portion not irradiated with laser (that is, recording is not performed) is gradually reduced to release oxygen, resulting in a change in optical characteristics and a decrease in reflectance. Appearance is considered as a cause of the decrease in durability. However, it seems that by forming the dielectric layer adjacent to the recording layer, unnecessary decomposition of oxidized Pd (particularly Pd dioxide) in the recording layer can be suppressed and stably held.
  • the above-mentioned “formation of the dielectric layer adjacent to the recording layer” includes, for example, the case where the dielectric layer is formed between the substrate and the recording layer and adjacent to the recording layer, and / or the recording layer and will be described later. A case where it is formed between the light transmission layer and adjacent to the recording layer can be mentioned.
  • the dielectric layer also improves durability by acting as an oxygen barrier layer. By preventing the escape of oxygen in the recording layer, a change in reflectance (particularly, a decrease in reflectance) can be prevented, and the reflectance necessary for the recording layer can be ensured.
  • recording characteristics can be improved by forming a dielectric layer. This is because the thermal diffusion of the laser incident by the dielectric layer is optimally controlled to prevent the bubbles in the recording portion from becoming too large or the decomposition of the oxidized Pd from proceeding too much to collapse the bubbles. This is considered to be possible to optimize.
  • Examples of the material for the dielectric layer include oxides, nitrides, sulfides, carbides, fluorides, and mixtures thereof.
  • Examples of the oxides include In, Zn, Sn, Al, Si, Ge, Ti, and Ga.
  • the nitride includes a nitride of one or more elements selected from the group consisting of In, Sn, Ge, Cr, Si, Al, Nb, Mo, Ti, W, Ta, and Zn (preferably Si, Ge And nitrides of one or more elements selected from the group consisting of Ti) and the sulfides include Zn sulfides.
  • the carbide is a carbide of one or more elements selected from the group consisting of In, Sn, Ge, Cr, Si, Al, Ti, Zr, Ta and W (preferably from the group consisting of Si, Ti and W).
  • the carbide of one or more elements selected) and the fluoride include a fluoride of one or more elements selected from the group consisting of Si, Al, Mg, Ca, and La. Examples of such a mixture include ZnS—SiO 2 and the like.
  • the above compound (oxide or the like) containing at least one of In, Zn, Sn, Al, Si, Ti, and Mg, or a mixture thereof, and more preferable is In, Zn, Sn, The above compound containing any one or more of Al or a mixture thereof.
  • the film thickness of the dielectric layer is preferably 2 to 40 nm. This is because if the thickness is less than 2 nm, the effect of the dielectric layer (particularly, the effect as an oxygen barrier) is hardly exhibited. More preferably, it is 3 nm or more. On the other hand, if the film thickness of the dielectric layer is too thick, it is difficult to cause a change in the recording layer (generation of bubbles) due to laser irradiation, which may cause a decrease in recording characteristics. Therefore, the thickness of the dielectric layer is preferably 40 nm or less, more preferably 35 nm or less.
  • the present invention does not define the method for forming the dielectric layer, but it is preferable to form the dielectric layer by the sputtering method as in the recording layer.
  • the sputtering conditions are Ar flow rate, for example, in the range of 10 to 100 sccm, and when using a metal target as described below, the oxygen flow rate during oxide layer formation is For example, the range is 5 to 60 sccm, and the nitrogen flow rate when forming the nitride layer is, for example, 5 to 80 sccm.
  • the gas pressure may be in the range of 0.1 to 1.0 Pa, and the sputtering power may be in the range of 0.5 to 50 W / cm 2 , for example.
  • the configuration other than the recording layer and the dielectric layer is not particularly limited, and a configuration known in the field of optical information recording media can be adopted.
  • examples of the material of the substrate include polycarbonate resin, norbornene resin, cyclic olefin copolymer, and amorphous polyolefin.
  • the light transmission layer polycarbonate or ultraviolet curable resin can be used.
  • the light transmission layer it is preferable that the light transmission layer has a high transmittance with respect to a laser for recording and reproduction, and has a small light absorption rate.
  • the thickness of the substrate is, for example, 0.5 to 1.2 mm. In addition, the thickness of the light transmission layer is, for example, 0.1 to 1.2 mm.
  • the recording layer of the present invention exhibits high reflectivity and exhibits excellent recording characteristics by itself.
  • the recording layer may be above and / or below the recording layer to improve the durability of the recording layer.
  • an oxide layer, a sulfide layer, a metal layer, or the like may be provided. By laminating these layers, it is possible to suppress oxidation and decomposition, which are deterioration with time of the recording layer.
  • an optical adjustment layer may be provided between the substrate and the recording layer in order to further increase the reflectivity of the optical disk. Examples of the material of the optical adjustment layer include Ag, Au, Cu, Al, Ni, Cr, Ti, and alloys thereof.
  • a single-layer optical disc in which one recording layer and one light transmission layer are formed is shown.
  • the present invention is not limited to this, and two or more optical discs in which a plurality of recording layers and light transmission layers are stacked are shown. It may be.
  • an ultraviolet curable resin or a polycarbonate is used between a recording layer and a recording layer group composed of an optical adjustment layer or a dielectric layer laminated as necessary.
  • middle layer which consists of transparent resin etc.
  • a feature of the present invention is that the recording layer described above is employed, or that the recording layer described above is employed and a dielectric layer is formed adjacent to the recording layer, other than the recording layer and the dielectric layer.
  • the method of forming the substrate, the light transmission layer, the optical adjustment layer, the dielectric layer, the transparent intermediate layer, etc., and the optical information recording medium can be produced by forming it using a conventional method. That's fine.
  • optical information recording medium examples include CD, DVD, and BD.
  • a BD capable of recording and reproducing data by irradiating a recording layer with blue laser light having a wavelength of about 380 nm to 450 nm, preferably about 405 nm.
  • a specific example is -R.
  • Example 1 Production of optical disk A polycarbonate substrate (thickness: 1.1 mm, diameter: 120 mm, track pitch: 0.32 ⁇ m, groove depth: 25 nm) was used as a disk substrate, and a DC magnetron sputtering method was used on the substrate. , Recording layers having various contents of oxides of X metal and oxide Pd (the molar ratio of Pd monoxide and Pd in the total of Pd monoxide and Pd dioxide is as shown in Table 1) did. The film thickness of the recording layer was 40 nm.
  • Sputtering was performed by multi-source sputtering by simultaneous discharge of a plurality of targets of a pure X metal (Sn, Zn, Bi, In, Ge, Co, W, Cu) target and a pure Pd metal target.
  • the sputtering conditions for forming the recording layer were Ar flow rate: 10 sccm or 15 sccm and oxygen flow rate: 15 sccm or 24 sccm.
  • the gas pressure was 0.3 to 0.6 Pa
  • the DC sputtering power was 100 to 200 W
  • the substrate temperature was room temperature.
  • the component composition (Pd amount) of the formed recording layer was measured by ICP emission analysis, fluorescent X-ray analysis, or X-ray photoelectron spectroscopy.
  • an ultraviolet curable resin (“BRD-864” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) is spin-coated on the obtained recording layer, and then irradiated with ultraviolet rays to form a light transmission layer having a thickness of about 0.1 mm. Film was obtained to obtain an optical disk.
  • the state analysis of Pd was performed as follows. That is, the outermost surface spectrum of the recording layer is measured by X-ray photoelectron spectroscopy (the apparatus is Quantera SXM manufactured by Physical Electronics), and the peak separation of the Pd 3d 5/2 photoelectron spectrum is performed. Presence form of Pd present in: The molar ratio (mol%) of metal Pd, monoxide Pd, and Pd dioxide was determined. The charge was corrected using photoelectrons from the C1s level as a reference. The analysis was performed in a state where the light transmission layer (cover layer) of the optical disc was peeled off and a recording layer was formed on the polycarbonate substrate, and the analysis region was about ⁇ 200 ⁇ m. As an example of the spectrum, No. 1 in Table 1 was obtained. The Pd 3d 5/2 photoelectron spectrum of 2 is shown in FIG.
  • optical disc evaluation apparatus (“ODU-1000” manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd.) was used, a recording laser center wavelength was set to 405 nm, and a lens with NA (numerical aperture): 0.85 was used.
  • NA number of NA
  • Modulation degree (change rate of reflectance) (reflectance of unrecorded portion ⁇ reflectance of recorded portion) / (reflectance of unrecorded portion) (1)
  • Example 2 (1) Production of optical disk A polycarbonate substrate (thickness: 1.1 mm, diameter: 120 mm, track pitch: 0.32 ⁇ m, groove depth: 25 nm) was used as a disk substrate. And No. For 4 to 10, dielectric layers (lower) having the components and film thicknesses shown in Table 2 were formed by DC magnetron sputtering using an oxide target or a pure metal target.
  • the sputtering conditions for forming this dielectric layer (lower) are: Ar flow rate: 10-30 sccm, oxygen flow rate (when using a pure metal target as a target): 0-10 sccm, gas pressure: 0.2-0.4 Pa, DC sputtering power: 100 to 400 W, substrate temperature: room temperature.
  • a recording layer was formed. Specifically, on the substrate [No. For 4 to 10, recording layers were formed on the dielectric layer (lower) by DC magnetron sputtering. The film thickness of the recording layer was 40 nm. Sputtering was performed by multi-source sputtering by simultaneous discharge of two targets, a pure X element metal (Zn, W, Sn, Cu) target and a pure Pd metal target. The sputtering conditions for forming the recording layer were Ar flow rate: 10 sccm, oxygen flow rate: 15 sccm, gas pressure: 0.4 Pa, DC sputtering power: 100 to 200 W, and substrate temperature: room temperature.
  • an ultraviolet curable resin (“BRD-864” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) was spin-coated on the dielectric layer (top), and then irradiated with ultraviolet rays to give a film thickness of about 0.1 mm.
  • the optical transmission layer was formed to obtain an optical disk.
  • the recording layer contains oxide In and oxide Pd, and the oxide Pd contains monoxide Pd and dioxide Pd.
  • optical disk evaluation apparatus manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd., recording laser wavelength: 405 nm, NA (numerical aperture): 0.85
  • the laser is irradiated onto the track, and the laser beam of the unrecorded portion of the optical disk
  • the reflectance (initial reflectance) at a wavelength of 405 nm was determined in terms of the return light intensity.
  • the change in reflectance can be made sufficiently smaller than when the dielectric layer is not formed, and an optical information recording medium excellent in durability can be obtained. It can be seen that it can be realized.
  • a recording layer for an optical information recording medium having excellent recording sensitivity with a practical recording laser power (particularly, a recording layer for a write once optical information recording medium), and the recording layer,
  • An optical information recording medium excellent in durability (particularly, a write-once type optical information recording medium) can be provided.
  • a sputtering target useful for forming the recording layer can be provided.

Abstract

　記録特性の優れた光情報記録媒体用記録層、その記録層を備えた光情報記録媒体、および上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供する。レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。

Description

光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
　本発明は、光情報記録媒体用の記録層、光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットに関するものである。
　光情報記録媒体（光ディスク）は、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤといった光ディスクに代表され、記録再生方式により、再生専用型、追記型および書換え型の３種類に大別される。このうち追記型の光ディスクの記録方式は、主に、記録層を相変化させる相変化方式、複数の記録層を反応させる層間反応方式、記録層を構成する化合物を分解させる方式、記録層に孔やピットなどの記録マークを局所的に形成させる孔開け方式に大別される。
　前記相変化方式では、記録層の結晶化による光学特性の変化を利用した材料が、記録層の材料として提案されている。例えば特許文献１では、Ｔｅ－Ｏ－Ｍ（Ｍは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の元素)を含む記録層が提案され、特許文献２ではＳｂおよびＴｅを含む記録層が提案されている。
　前記層間反応方式の光情報記録媒体の記録層としては、例えば特許文献３に、第一記録層をＩｎ－Ｏ－(Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ)を含む合金からなるものとし、かつ第二記録層をＳｅ及び／又はＴｅ元素、Ｏ（酸素）、及びＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれた一つの元素を含む合金からなるものとした記録層が提案されている。また特許文献４では、第一記録層：Ｉｎを主成分とする金属、第二記録層：５Ｂ族または６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む、酸化物以外の金属あるいは非金属を積層して、加熱による反応または合金化により記録を行うことが提案されている。
　前記記録層を構成する化合物を分解する方式の記録層として、例えば特許文献５には、窒化物を主成分とした記録層が示されており、該窒化物を加熱により分解することで記録を行う材料や、有機色素材料が検討されている。
　前記孔開け方式の記録層としては、低融点金属材料からなるものが検討されている。例えば特許文献６では、Ｓｎ合金に３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族の元素を添加した合金からなるものが提案されている。また特許文献７では、Ｎｉおよび／またはＣｏを１～５０原子％の範囲で含有するＳｎ基合金からなる記録層が提案されている。更に特許文献８には、Ｃｏを２０～６５原子％含有するＩｎ合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩｎ合金からなる記録層が示されている。
日本国特開２００５－１３５５６８号公報 日本国特開２００３－３３１４６１号公報 日本国特開２００３－３２６８４８号公報 日本国特許第３４９９７２４号公報 国際公開第２００３／１０１７５０号パンフレット 日本国特開２００２－２２５４３３号公報 日本国特開２００７－１９６６８３号公報 日本国特許第４１１０１９４号公報
　光情報記録媒体に求められる要求特性として、主に、再生に十分な反射率を有すること、実用的な記録レーザーパワーで記録が可能なこと（高記録感度を有すること）、記録信号が再生に十分な信号振幅を有すること（高変調度であること）、および信号強度が高いこと（高Ｃ／Ｎ比であること）などが求められる。
　しかし、従来技術として開示されている記録材料は、これらの要求特性を記録材料単体で満たすことが難しく、前記相変化方式では、記録層単独での反射率が低いため、光ディスク状態での反射率を高めるべく反射膜が必要であり、かつ変調度を増加させるため、記録層の上下にＺｎＳ－ＳｉＯ２などの誘電体層を設ける必要があり、光ディスクを構成する層数が多くなる。また、前記層間反応方式でも複数の記録層が必要であることから、光ディスクを構成する層数が多くなる。このため膜層数が多くなり生産性が低下するという課題がある。これに対し前記孔開け方式は、記録層自体の反射率が高く、且つ、大きな変調度も確保できるため、光ディスクを構成する層の数を低減できるが、より高い記録感度を達成するにあたっては、更なる検討が必要である。また、上記記録層の耐久性（特には、高温高湿に対する耐久性）も要求される。
　本発明はこの様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、光ディスクの層数を低減しながら上記要求特性を満たして、光情報記録媒体の生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録層と、該記録層を備え、記録層の耐久性（特には、高温高湿に対する耐久性）に優れた光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することにある。
　本発明は以下の態様を含む。
（１）レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、
　酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きいＸ金属の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含む記録層であり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％である光情報記録媒体用記録層。
（２）前記Ｘ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である（１）に記載の光情報記録媒体用記録層。
（３）前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比率が、５～７０モル％である（１）または（２）に記載の光情報記録媒体用記録層。
（４）膜厚が５～１００ｎｍである（１）～（３）のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録層。
（５）レーザー光の照射された部分に気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる（１）～（４）のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録層。
（６）レーザー光の照射により記録が行われる記録層を備えた光情報記録媒体であって、
　前記記録層は、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きいＸ金属の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含み、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％である光情報記録媒体。
（７）更に、該記録層に隣接して形成される誘電体層を備えた（６）に記載の光情報記録媒体。
（８）前記記録層に含まれるＸ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である（６）または（７）に記載の光情報記録媒体。
（９）前記記録層に含まれる一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比率が、５～７０モル％である（６）～（８）の何れかに記載の光情報記録媒体。
（１０）前記誘電体層が、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、またはその混合物を含む（７）～（９）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
　なお、上記（１０）の光情報記録媒体は、好ましくは、前記誘電体層が、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、またはその混合物から実質的になる（７）～（９）のいずれかに記載の光情報記録媒体であり、より好ましくは、前記誘電体層が、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、またはその混合物からなる（７）～（９）のいずれかに記載の光情報記録媒体である。
（１１）前記誘電体層を構成する、前記酸化物はＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上の元素の酸化物であり、前記窒化物はＳｉ、ＧｅおよびＴｉよりなる群から選択される１種以上の元素の窒化物であり、前記硫化物はＺｎ硫化物であり、前記炭化物はＳｉ、ＴｉおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物である（１０）に記載の光情報記録媒体。
（１２）前記誘電体層の膜厚が２～４０ｎｍである（７）～（１１）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１３）前記記録層の膜厚が５～１００ｎｍである（６）～（１２）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１４）前記記録層におけるレーザー光の照射された部分に、気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる（６）～（１３）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１５）（１）～（１４）のいずれかに記載の記録層形成用スパッタリングターゲットであって、
　Ｘ金属の酸化物とＰｄを含み、かつ、スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％であるスパッタリングターゲット。
（１６）（１）～（１４）のいずれかに記載の記録層形成用スパッタリングターゲットであって、
　Ｘ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率で４～８５原子％のＰｄを含む合金からなるスパッタリングターゲット。
（１７）前記Ｘ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である（１５）または（１６）に記載のスパッタリングターゲット。
　本発明によれば、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れた光情報記録媒体用記録層（特には、追記型光情報記録媒体用記録層）、および該記録層を備え、記録層の耐久性に優れた光情報記録媒体（特には、追記型光情報記録媒体）を提供することができる。また、本発明によれば、上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することができる。
　尚、本明細書において、「記録感度に優れる」とは、後記する実施例の欄で詳述する通り、比較的低い記録レーザーパワーで高変調度を実現できることを意味する。
実施例１におけるＰｄの状態分析結果（Ｐｄ ３ｄ５／２光電子スペクトル）である。
　本発明者らは、従来の記録層よりも、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れ、また、記録層の耐久性に優れる光情報記録媒体用記録層を実現すべく鋭意研究を行った。その結果、従来の記録層とは異なり、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含む記録層とすれば、該記録層にレーザーが照射したときに、前記酸化Ｐｄが、レーザー照射により加熱され、分解して酸素を放出し、レーザーが照射された部分に気泡を生成させて不可逆的な記録を行うことができ、かつ、この記録方式が従来よりも記録感度を格段に高めうる方式であること、また、誘電体層を上記記録層に隣接して形成すれば、この記録層の耐久性を格段に高めうることを見出した。
　上記記録層による記録方式では、レーザー照射前の記録層の構造はアモルファスであり、レーザー照射後もアモルファスである点で、アモルファスがレーザー照射により結晶に変化することを利用した相変化方式と相違する。
　本発明の記録層が記録感度に優れている理由として、レーザー照射により気泡が発生した部分では、気泡の発生していない部分と比べて透過率が増加（即ち、反射率が低下）することで、変調度を大きくすることができたことが考えられる。
　また、上記の通り酸化Ｐｄを含有させることにより、酸化Ｐｄを含まない場合に比べて屈折率を大きくすることができ、高い反射率を得ることができる。更には、膜の光吸収率を大きくすることができるため、信号記録のためのレーザーのエネルギーを効率的に熱に変えることができ、結果として、実用的な記録レーザーパワーで上記酸化Ｐｄの分解が促進されて、記録感度を十分に向上させることができる。
　これらの効果を十分発現させるには、記録層に含まれる、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属原子とＰｄ原子との合計に対する、Ｐｄ原子の比率（以下「Ｐｄ量」ということがある）を４原子％以上とする必要がある。Ｐｄ量が４原子％を下回ると、レーザー照射時に分解する酸化Ｐｄが少ないため、放出される酸素量が十分でなく生成する気泡が少なくなり、結果として信号強度が小さくなる。また記録層の光吸収率も小さくなるため、記録に必要なレーザーパワーが大きくなり好ましくない。前記Ｐｄ量は、好ましくは８原子％以上、より好ましくは１０原子％以上である。一方、前記Ｐｄ量が８５原子％を超えると、変調度が小さくなるため、本発明ではＰｄ量の上限を８５原子％とした。前記Ｐｄ量の上限は、好ましくは５０原子％、より好ましくは４５原子％である。
　ところで、記録層が２層以上存在する多層光ディスクでは、レーザー入射面から最も遠い記録層以外は透過率が要求されるが、この透過率は、Ｐｄ量の低減により高めることができる。よって、ある程度の透過率が必要とされる記録層は、Ｐｄ量を４～３０原子％の範囲内とすることが好ましい。一方、一層ディスクや多層ディスクの一番下の層（レーザー入射面から最も遠い記録層）は、ある程度の反射率が必要とされることから、Ｐｄ量は３０～８５原子％とすることが好ましい。
　上記酸化Ｐｄが、特に一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものとすれば、記録感度をより十分に向上させることができる。その理由として、一酸化Ｐｄよりも不安定な二酸化Ｐｄが、レーザー照射により容易に分解して酸素を放出すること、および、二酸化Ｐｄに比べて安定な一酸化Ｐｄ中に二酸化Ｐｄを存在させることで、この二酸化Ｐｄの自然分解が抑制されて、安定な記録層が得られることが考えられる。
　上記二酸化Ｐｄの分解による酸素放出量を高めて、記録による十分な反射率変化を得る、また、記録感度の向上を図るには、前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比率を、５モル％以上とすることが好ましい。一方、一酸化Ｐｄに対し二酸化Ｐｄが多過ぎると、二酸化Ｐｄは安定的に存在することができず、記録層の作製が困難となるおそれがあるため、前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比率は７０モル％以下とすることが好ましい。より好ましくは６０モル％以下である。
　本発明の記録層は、上記酸化Ｐｄと共に、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（Ｘ金属）の酸化物を含むものである。この様に、酸化Ｐｄよりも安定な金属酸化物を酸化Ｐｄと共に含有させることによって、該酸化Ｐｄが分解したときの酸素放出による形態変化を明瞭かつ大きくすることができ、記録による十分な反射率変化を得ることができ、また、記録感度の向上を得ることができる。
　前記酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値が、Ｐｄよりも大きい金属（Ｘ金属）としては、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌが挙げられる（室温における酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーは、Ｐｄが約－１５０ｋＪ／ｍｏｌであるのに対し、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌが、それぞれ－５２０、－６４０、－３３０、－４２０、－４２０、－５００、－２７０、－１０５０ｋＪ／ｍｏｌである）。ここで、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーとは、
　例えばＡｌの場合、
　４／３Ａｌ＋Ｏ２＝２／３Ａｌ２Ｏ３
　の反応における値であり、Ｚｎの場合、
　２Ｚｎ＋Ｏ２＝２ＺｎＯ
　で表される反応における値である。
　本発明の記録層は、上記の通りＸ金属の酸化物を含むものであり、好ましくはＸ金属の酸化物を５０モル％以上含むものである。尚、本発明の記録層には、前記Ｘ金属の酸化物と、前記酸化Ｐｄとを含む他、作製時に不可避的に混入する不可避不純物が含まれ得る。更に、吸収率の向上や屈折率の制御を目的として、Ｓｎ、Ａｌ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａを、酸化物または金属の状態で合計約３０原子％以下の範囲内で含んでいてもよい。
　記録層の膜厚は、記録層の上下に金属化合物層や金属層等の他の層を挿入するなど、光情報記録媒体の構造にもよるが、例えば、記録層の膜厚を５～１００ｎｍとすることが好ましい。記録層の膜厚が５ｎｍより小さいと、記録による十分な反射率変化が得られにくいおそれがあるからである。より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは２５ｎｍ以上である。一方、記録層の膜厚が１００ｎｍより大きいと、膜の形成に時間がかかり、生産性が低下すると共に、記録に必要なレーザーパワーが大きくなるおそれがある。より好ましくは７０ｎｍ以下、更に好ましくは６０ｎｍ以下である。
　本発明の記録層は、上記の通り、酸化Ｐｄ（例えば、ＰｄＯ、ＰｄＯ２、ＰｄＯＸ等）を含むものであるが、この様な形態の記録層を得るには、スパッタリング法で記録層を形成することが好ましい。スパッタリング法によれば、ディスク面内での膜厚分布均一性も確保できるため好ましい。
　上記酸化Ｐｄを含む記録層をスパッタリング法で形成するには、スパッタリング条件として、特に、Ａｒ（アルゴン）流量に対する酸素流量の比を０．５～１０．０とすることが好ましい。スパッタリング法におけるその他の条件は特に限定されず、汎用される方法を採用することができ、ガス圧を例えば０．１～１．０Ｐａの範囲、スパッタ電力を例えば０．５～２０Ｗ／ｃｍ２の範囲に制御すれば良い。
　前記スパッタリング法で用いるスパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」ということがある）としては、
（Ａ）Ｘ金属（好ましくは、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上）の酸化物（具体的には、例えばＸ金属の酸化物を５０モル％以上含む）と、Ｐｄ（例えば酸化Ｐｄおよび／または金属Ｐｄ）とを含み、かつ、スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％である点に特徴を有するスパッタリングターゲットや、
（Ｂ）Ｘ金属（好ましくは、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上）原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率で４～８５原子％のＰｄ（例えば金属Ｐｄ）を含む、Ｘ金属を基とする合金からなる点に特徴を有するスパッタリングターゲットを用いることが挙げられる。また、
（Ｃ）Ｘ金属ターゲット（純Ｘ金属ターゲット）と金属Ｐｄターゲット（純Ｐｄ金属ターゲット）を用い、これらを同時放電させて多元スパッタリングを行うことが挙げられる。
　なお、上記（Ａ）のスパッタリングターゲットとしては、特に、Ｘ金属の酸化物と金属Ｐｄの粉末を混合し、焼結させたものを用いることが、生産性や形成された薄膜の組成の面内均一性や厚み制御の点で好ましい。上記スパッタリングターゲットの製造に当たり、微量ながら不純物がスパッタリングターゲット中に混入することがある。しかし、本発明のスパッタリングターゲットの成分組成は、それら不可避に混入してくる微量成分まで規定するものではなく、本発明の上記特性が阻害されない限り、それら不可避不純物の微量混入は許容される。
　本発明の光情報記録媒体は、上記記録層を備えている点に特徴を有しており、上記記録層以外の構成は特に限定されず、光情報記録媒体の分野に公知の構成を採用することができる。
　また、本発明の光情報記録媒体の別の態様としては、上記記録層を備えていると共に、該記録層に隣接して形成される下記の誘電体層を備えた点に特徴を有している。
　本発明の光情報記録媒体の別の態様としては、上記優れた特性を示す記録層を有しているが、高温高湿環境下においても上記優れた特性を維持、即ち、優れた耐久性を確保することも必要である。そこで本発明では、記録層に隣接して誘電体層を形成する。上記環境下においては、レーザー照射していない（即ち、記録を行っていない）部分の酸化Ｐｄが徐々に還元して酸素を放出し、その結果、光学特性が変化し反射率の低下となって現れることが、耐久性の低下の原因として考えられる。しかし誘電体層を記録層に隣接して形成することで、記録層における酸化Ｐｄ（特には二酸化Ｐｄ）の不要な分解を抑制して安定的に保持することができるものと思われる。
　上記「記録層に隣接して誘電体層を形成」の態様には、例えば、基板と記録層との間であって記録層に隣接して形成する場合、および／または、記録層と後述する光透過層との間であって記録層に隣接して形成する場合が挙げられる。
　上記誘電体層は、酸素バリア層として働くことによっても耐久性を向上させる。記録層中の酸素の逃散を防止することで、反射率の変化（特には反射率の低下）を防止でき、記録層として必要な反射率を確保することができる。
　更に誘電体層を形成することで記録特性を向上させることもできる。これは、誘電体層により入射したレーザーの熱拡散が最適に制御されて、記録部分における泡が大きくなりすぎたり、酸化Ｐｄの分解が進みすぎて泡が潰れるといったことが防止され、泡の形状を最適化できるためと考えられる。
　前記誘電体層の素材としては、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物が挙げられ、前記酸化物としては、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上の元素の酸化物が挙げられる。前記窒化物としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎよりなる群から選択される１種以上の元素の窒化物（好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物）が挙げられ、前記硫化物としてはＺｎ硫化物が挙げられる。前記炭化物としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物（好ましくはＳｉ、ＴｉおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物）、前記フッ化物としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａよりなる群から選択される１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、ＺｎＳ－ＳｉＯ２等が挙げられる。このうちより好ましいのは、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇのいずれか１種以上を含む上記化合物（酸化物等）またはその混合物であり、更に好ましくはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌのいずれか１種以上を含む上記化合物またはその混合物である。
　誘電体層の膜厚は、２～４０ｎｍとすることが好ましい。２ｎｍ未満では上記誘電体層の効果（特には、酸素バリアとしての効果）が十分発揮され難いためである。より好ましくは３ｎｍ以上である。一方、誘電体層の膜厚が厚すぎると、レーザー照射による記録層の変化（気泡の生成）が生じ難くなり、記録特性の低下をもたらすおそれがあるため好ましくない。よって誘電体層の膜厚は、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは３５ｎｍ以下である。
　本発明は、前記誘電体層の形成方法についてまで規定するものではないが、前記記録層と同じくスパッタリング法で形成することが好ましい。
　前記誘電体層をスパッタリング法で形成するにあたっては、スパッタリング条件として、Ａｒ流量を、例えば１０～１００ｓｃｃｍの範囲とし、下記の通り金属ターゲットを用いる場合には、酸化物層形成時の酸素流量を、例えば５～６０ｓｃｃｍの範囲、窒化物層形成時の窒素流量を、例えば５～８０ｓｃｃｍの範囲とすることが挙げられる。また、ガス圧を例えば０．１～１．０Ｐａの範囲、スパッタ電力を例えば０．５～５０Ｗ／ｃｍ２の範囲とすることが挙げられる。
　前記誘電体層の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、上記化合物（酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物）からなるターゲットの他、該化合物における酸素、窒素、硫黄、炭素、フッ素以外の構成元素を含む金属ターゲット（純金属や合金からなるターゲット）を用いることができる。
　本発明の光情報記録媒体は、上記記録層および誘電体層以外の構成は特に限定されず、光情報記録媒体の分野に公知の構成を採用することができる。
　光情報記録媒体（光ディスク）として、その構造が、レーザーのガイド用の溝が刻まれた基板上に記録層や誘電体層が積層され、更にその上に光透過層を積層したものが挙げられる。
　例えば、前記基板の素材としては、ポリカーボネート樹脂、ノルボルネン系樹脂、環状オレフィン系共重合体、非晶質ポリオレフィンなどが挙げられる。また、前記光透過層としては、ポリカーボネートや紫外線硬化樹脂を用いることができる。光透過層の材質としては記録再生を行うレーザーに対して高い透過率を持ち、光吸収率が小さいことが好ましい。前記基板の厚さは、例えば０．５～１．２ｍｍとすることが挙げられる。また前記光透過層の厚さは、例えば０．１～１．２ｍｍとすることが挙げられる。
　本発明の記録層は、高い反射率を示し、記録層単独で優れた記録特性を示すものであるが、必要に応じて、記録層の耐久性向上のため、記録層の上および／または下に、酸化物層や硫化物層、金属層等を設けても良い。これらの層を積層することにより、記録層の経時劣化である酸化や分解を抑制することができる。また、光ディスクとしての反射率をより高めるべく、基板と記録層との間に光学調整層を設けてもよい。前記光学調整層の素材としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等やそれらの合金などが例示される。
　なお、上記では、記録層および光透過層がそれぞれ１層ずつ形成された１層光ディスクを示しているが、これに限定されず、記録層および光透過層が複数積層された２層以上の光ディスクであってもよい。
　前記２層以上の光ディスクの場合、記録層と必要に応じて積層される光学調整層や誘電体層からなる記録層群と別の記録層群との間に、例えば紫外線硬化樹脂またはポリカーボネートなどの透明樹脂等からなる透明中間層を有していてもよい。
　本発明の特徴は、前述した記録層を採用した点、または、前述した記録層を採用すると共に、この記録層に隣接して誘電体層を形成する点にあり、記録層や誘電体層以外の基板や光透過層、更には、光学調整層や誘電体層、透明中間層などの形成方法については特に限定されず、通常行われている方法で形成して、光情報記録媒体を製造すればよい。
　光情報記録媒体としてＣＤ、ＤＶＤ、またはＢＤが挙げられ、例えば波長が約３８０ｎｍから４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍの青色レーザー光を記録層に照射し、データの記録および再生を行うことが可能なＢＤ－Ｒが具体例として挙げられる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えて実施することも可能であり、それらは本発明の技術的範囲に包含される。
（実施例１）
（１）光ディスクの作製
　ディスク基板として、ポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、該基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ｘ金属の酸化物と酸化Ｐｄ（一酸化Ｐｄおよび二酸化Ｐｄの合計に占める、一酸化Ｐｄ、二酸化Ｐｄの各モル比は表１に示す通りである）の含有量が種々の記録層を形成した。記録層の膜厚は４０ｎｍとした。スパッタリングは、純Ｘ金属（Ｓｎ，Ｚｎ，Ｂｉ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ）ターゲット、純Ｐｄ金属ターゲットの複数のターゲットの同時放電による多元スパッタリングを行った。上記記録層形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０ｓｃｃｍまたは１５ｓｃｃｍ、かつ酸素流量：１５ｓｃｃｍまたは２４ｓｃｃｍとした。また、ガス圧：０．３～０．６Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００～２００Ｗ、基板温度：室温とした。
　成膜した記録層の成分組成（Ｐｄ量）は、ＩＣＰ発光分析法、蛍光Ｘ線分析法、またはＸ線光電子分光法により測定した。
　次いで、得られた記録層の上に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ－８６４」）をスピンコートした後、紫外線を照射して膜厚約０．１ｍｍの光透過層を成膜し、光ディスクを得た。
　Ｐｄの状態分析は次の様にして行った。即ち、Ｘ線光電子分光法（装置は、Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製 Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ）で記録層の最表面スペクトルを測定し、Ｐｄ ３ｄ５／２光電子スペクトルのピーク分離を行い、ピーク面積比から、記録層中に存在するＰｄの存在形態：金属Ｐｄ、一酸化Ｐｄ、二酸化Ｐｄのモル比（モル％）を求めた。帯電の補正にはＣ１ｓ準位からの光電子を基準として行った。上記分析は、上記光ディスクの光透過層（カバー層）を剥離してポリカーボネート基板上に記録層が形成された状態で行い、分析領域は約φ２００μｍとした。上記スペクトルの一例として、表１におけるＮｏ．２のＰｄ ３ｄ５／２光電子スペクトルを図１に示す。
（２）光ディスクの評価
　作製した光ディスクについて下記の通り評価した。即ち、光ディスク評価装置（パルステック工業社製「ＯＤＵ－１０００」）を用い、記録レーザー中心波長は４０５ｎｍとし、ＮＡ（開口数）：０．８５のレンズを用いた。下記に示す反射率は、上記装置を用い、レーザーをトラック上に照射し、光ディスクにおける未記録部分のレーザー光の戻り光強度から求めた。
　上記光ディスク評価装置を用いて、線速：４．９２ｍ／ｓ、基準クロック：６６ＭＨｚの条件で、２Ｔから８Ｔのランダム信号を種々の記録レーザーパワー（記録パワー）で記録した。そして、横河電機社製タイムインターバルアナライザーＴＡ８１０を用いて測定したジッター値（再生レーザーパワー０．３ｍＷでの記録再生時の再生信号の時間軸上のゆらぎを示す値）が最小となる記録レーザーパワー（記録パワー）を求め（値は表１に示す通りである）、このジッター値が最小となる記録パワーでの変調度（反射率の変化率）を下記式（１）から求めた。そして、この変調度が０．４０以上であるものを合格とした。
　変調度（反射率の変化率）＝（未記録部分の反射率－記録部分の反射率）／（未記録部分の反射率） …（１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
  
　表１より、酸化Ｚｎ、酸化Ｓｎ等の、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きい金属（Ｘ金属）の酸化物と、酸化Ｐｄとを含むものであって、かつ該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含む記録層とすれば、変調度が高く、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れていることがわかる。
（実施例２）
（１）光ディスクの作製
　ディスク基板として、ポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用いた。そして、Ｎｏ．４～１０については、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化物ターゲットまたは純金属ターゲットを用い、表２に示す成分・膜厚の誘電体層（下）を形成した。この誘電体層（下）形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０～３０ｓｃｃｍ、酸素流量（ターゲットとして純金属ターゲットを用いる場合）：０～１０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．２～０．４Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００～４００Ｗ、基板温度：室温とした。
　次いで記録層を形成した。詳細には、前記基板上［Ｎｏ．４～１０については誘電体層（下）上］に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、記録層をそれぞれ形成した。記録層の膜厚は４０ｎｍとした。スパッタリングは、純Ｘ元素金属（Ｚｎ、Ｗ、Ｓｎ、Ｃｕ）ターゲット、純Ｐｄ金属ターゲットの２つのターゲットの同時放電による多元スパッタリングを行った。上記記録層形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０ｓｃｃｍ、酸素流量：１５ｓｃｃｍ、ガス圧：０．４Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００～２００Ｗ、基板温度：室温とした。
　次に、表２のＮｏ．３、５～１３について、酸化物ターゲットまたは純金属ターゲットを用い、上記誘電体層（下）と同様にして、表２に示す成分・膜厚の誘電体層（上）を形成した。
　次いで、Ｎｏ．１、２、４については記録層の上に、またＮｏ．３、５～１３については誘電体層（上）の上に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ－８６４」）をスピンコートした後、紫外線を照射して膜厚約０．１ｍｍの光透過層を成膜し、光ディスクを得た。
　尚、記録層が酸化Ｉｎと酸化Ｐｄを含むものであって、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであることを別途確認した。
（２）光ディスクの評価
　作製した光ディスクの耐久性について下記の通り評価した。
　光ディスク評価装置（パルステック工業社製「ＯＤＵ－１０００」、記録レーザー波長：４０５ｎｍ、ＮＡ（開口数）：０．８５）にて、レーザーをトラック上に照射し、光ディスクにおける未記録部分のレーザー光の戻り光強度から換算して、波長：４０５ｎｍでの反射率（初期反射率）を求めた。
　また、温度８０℃、相対湿度８５％の大気雰囲気中で９６時間保持する加速環境試験（恒温恒湿試験）を行って、試験後の反射率を上記と同様にして測定した。これらの結果を表２に併記する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　表２より、誘電体層を記録層に隣接して形成することにより、誘電体層を形成しない場合よりも反射率の変化を十分小さくすることができ、耐久性に優れた光情報記録媒体を実現できることがわかる。
　本出願を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。
　本出願は、2009年9月18日出願の日本特許出願（特願2009－217352）、2009年9月18日出願の日本特許出願（特願2009－217353）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。
　本発明によれば、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れた光情報記録媒体用記録層（特には、追記型光情報記録媒体用記録層）、および該記録層を備え、記録層の耐久性に優れた光情報記録媒体（特には、追記型光情報記録媒体）を提供することができる。また、本発明によれば、上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することができる。

Claims (18)

  1. 　レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、
    　酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きいＸ金属の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含む記録層であり、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％である光情報記録媒体用記録層。
  2. 　前記Ｘ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
  3. 　前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比率が、５～７０モル％である請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
  4. 　膜厚が５～１００ｎｍである請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
  5. 　レーザー光の照射された部分に気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる請求項１に記載の光情報記録媒体用記録層。
  6. 　レーザー光の照射により記録が行われる記録層を備えた光情報記録媒体であって、
    　前記記録層は、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄよりも大きいＸ金属の酸化物と、酸化Ｐｄとを含み、該酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含み、かつ、記録層に含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％である光情報記録媒体。
  7. 　更に、該記録層に隣接して形成される誘電体層を備えた請求項６に記載の光情報記録媒体。
  8. 　前記記録層に含まれるＸ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項６に記載の光情報記録媒体。
  9. 　前記記録層に含まれる一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比率が、５～７０モル％である請求項６に記載の光情報記録媒体。
  10. 　前記誘電体層が、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、またはその混合物を含む請求項７に記載の光情報記録媒体。
  11. 　前記誘電体層を構成する、前記酸化物はＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上の元素の酸化物であり、前記窒化物はＳｉ、ＧｅおよびＴｉよりなる群から選択される１種以上の元素の窒化物であり、前記硫化物はＺｎ硫化物であり、前記炭化物はＳｉ、ＴｉおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物である請求項１０に記載の光情報記録媒体。
  12. 　前記誘電体層の膜厚が２～４０ｎｍである請求項７に記載の光情報記録媒体。
  13. 　前記記録層の膜厚が５～１００ｎｍである請求項６に記載の光情報記録媒体。
  14. 　前記記録層におけるレーザー光の照射された部分に、気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる請求項６に記載の光情報記録媒体。
  15. 　請求項１または６に記載の記録層形成用スパッタリングターゲットであって、
    　Ｘ金属の酸化物とＰｄを含み、かつ、スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率が４～８５原子％であるスパッタリングターゲット。
  16. 　請求項１または６に記載の記録層形成用スパッタリングターゲットであって、
    　Ｘ金属原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率で４～８５原子％のＰｄを含む合金からなるスパッタリングターゲット。
  17. 　前記Ｘ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項１５に記載のスパッタリングターゲット。
  18. 　前記Ｘ金属が、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項１６に記載のスパッタリングターゲット。
PCT/JP2010/066099 2009-09-18 2010-09-16 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット WO2011034153A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/496,661 US8597757B2 (en) 2009-09-18 2010-09-16 Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target
KR1020127006899A KR20120057629A (ko) 2009-09-18 2010-09-16 광 정보 기록 매체용 기록층, 광 정보 기록 매체 및 스퍼터링 타깃
CN2010800406833A CN102640219A (zh) 2009-09-18 2010-09-16 光信息记录介质用记录层、光信息记录介质及溅射靶
EP10817266.9A EP2479751B1 (en) 2009-09-18 2010-09-16 Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-217352 2009-09-18
JP2009-217353 2009-09-18
JP2009217353A JP5276557B2 (ja) 2009-09-18 2009-09-18 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体
JP2009217352A JP5399184B2 (ja) 2009-09-18 2009-09-18 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011034153A1 true WO2011034153A1 (ja) 2011-03-24

Family

ID=43758753

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2010/066099 WO2011034153A1 (ja) 2009-09-18 2010-09-16 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8597757B2 (ja)
EP (1) EP2479751B1 (ja)
KR (1) KR20120057629A (ja)
CN (2) CN105931654B (ja)
TW (1) TWI457922B (ja)
WO (1) WO2011034153A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011132371A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 ソニー株式会社 光記録媒体
CN103000198A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 铼德科技股份有限公司 光学记录媒体以及记录材料
CN113348510A (zh) * 2019-02-01 2021-09-03 索尼集团公司 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5485091B2 (ja) 2010-09-16 2014-05-07 ソニー株式会社 光記録媒体
JP5935234B2 (ja) * 2011-02-03 2016-06-15 ソニー株式会社 光情報記録媒体
JP5760464B2 (ja) * 2011-02-03 2015-08-12 ソニー株式会社 光情報記録媒体
TWI722142B (zh) * 2016-04-08 2021-03-21 日商新力股份有限公司 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層
JP6661000B2 (ja) * 2018-06-07 2020-03-11 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
WO2019235226A1 (ja) * 2018-06-07 2019-12-12 株式会社神戸製鋼所 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
TWI727322B (zh) * 2018-08-09 2021-05-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 濺鍍靶及磁性膜

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6346635A (ja) * 1986-08-13 1988-02-27 Victor Co Of Japan Ltd 光学的記録媒体
JPS63175243A (ja) * 1987-01-14 1988-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録再生部材の製造方法
JP2002225433A (ja) 2001-02-01 2002-08-14 Ricoh Co Ltd 錫系光記録媒体
JP2003326848A (ja) 2002-05-10 2003-11-19 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
JP2003331461A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Pioneer Electronic Corp 追記型光記録媒体
WO2003101750A1 (en) 2002-06-03 2003-12-11 Pioneer Corporation Information recording medium and process for producing the same
JP3499724B2 (ja) 1997-05-22 2004-02-23 花王株式会社 光記録媒体
JP2004090610A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Sony Corp 光記録媒体
JP2005135568A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット
JP2006247897A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
JP2007196683A (ja) 2005-12-27 2007-08-09 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット
JP4110194B1 (ja) 2006-08-08 2008-07-02 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体
JP2009217352A (ja) 2008-03-07 2009-09-24 Canon Inc 情報漏えい抑止印刷システム
JP2009217353A (ja) 2008-03-07 2009-09-24 Canon Inc 印刷システム、印刷システムの管理プログラム、記憶媒体
WO2010055865A1 (ja) * 2008-11-12 2010-05-20 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
WO2010106946A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 ソニー株式会社 光記録媒体の製造方法、光記録媒体

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04110194A (ja) 1990-08-31 1992-04-10 Ricoh Co Ltd 熱転写記録媒体
US6033752A (en) 1997-05-22 2000-03-07 Kao Corporation Optical recording medium and method for recording optical information
JP4582755B2 (ja) * 2002-06-24 2010-11-17 Ｔｄｋ株式会社 光記録／再生方法および光記録媒体
JP2004348830A (ja) * 2003-05-21 2004-12-09 Samsung Electronics Co Ltd 微細構造描画用多層構造体と描画方法、及びそれを利用した光ディスクの原盤作製方法及びマスタリング方法
TW200506926A (en) * 2003-06-13 2005-02-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical information recording medium and method for manufacturing the same
WO2005018947A1 (ja) * 2003-08-21 2005-03-03 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. 記録媒体
EP1523002B1 (en) 2003-10-08 2008-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium, method of manufacturing the same, and sputtering target
CN1918672B (zh) 2004-03-09 2012-10-03 出光兴产株式会社 薄膜晶体管、薄膜晶体管基板、液晶显示装置、溅射靶、透明导电膜、透明电极及它们的制造方法
JP4548651B2 (ja) 2004-04-28 2010-09-22 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板
DE602005022044D1 (de) 2004-08-31 2010-08-12 Ricoh Kk Optisches worm-aufzeichnungsmedium (worm - write-once-read-many) und sputter-target davon
KR20070017759A (ko) * 2005-08-08 2007-02-13 삼성전자주식회사 초해상 정보 저장 매체, 기록/재생 장치 및 기록/재생 방법
US20090046566A1 (en) 2005-10-18 2009-02-19 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd.) Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target for optical information recording medium
JP4612689B2 (ja) * 2005-12-02 2011-01-12 パナソニック株式会社 光学的情報記録媒体とその記録再生方法及び記録再生装置
JP2007230207A (ja) 2006-02-03 2007-09-13 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット
TWI323460B (en) 2006-03-10 2010-04-11 Ritek Corp Write-once inorganic information recording medium and the forming method of it recording layer
JP4892562B2 (ja) * 2006-11-01 2012-03-07 パナソニック株式会社 情報記録媒体、その製造方法および情報記録媒体を形成するためのスパッタリングターゲット
US8124211B2 (en) 2007-03-28 2012-02-28 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium, sputtering target, and method for manufacturing the same
JP4924202B2 (ja) 2007-05-23 2012-04-25 トヨタ自動車株式会社 繊維束の樹脂含浸方法および繊維束樹脂含浸装置
CN101888933B (zh) * 2007-12-04 2013-05-29 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造法和记录再生装置
JP4969624B2 (ja) 2008-11-12 2012-07-04 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6346635A (ja) * 1986-08-13 1988-02-27 Victor Co Of Japan Ltd 光学的記録媒体
JPS63175243A (ja) * 1987-01-14 1988-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録再生部材の製造方法
JP3499724B2 (ja) 1997-05-22 2004-02-23 花王株式会社 光記録媒体
JP2002225433A (ja) 2001-02-01 2002-08-14 Ricoh Co Ltd 錫系光記録媒体
JP2003326848A (ja) 2002-05-10 2003-11-19 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
JP2003331461A (ja) 2002-05-15 2003-11-21 Pioneer Electronic Corp 追記型光記録媒体
WO2003101750A1 (en) 2002-06-03 2003-12-11 Pioneer Corporation Information recording medium and process for producing the same
JP2004090610A (ja) * 2002-07-09 2004-03-25 Sony Corp 光記録媒体
JP2005135568A (ja) 2003-10-08 2005-05-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット
JP2006247897A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
JP2007196683A (ja) 2005-12-27 2007-08-09 Kobe Steel Ltd 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体、並びにスパッタリング・ターゲット
JP4110194B1 (ja) 2006-08-08 2008-07-02 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体
JP2009217352A (ja) 2008-03-07 2009-09-24 Canon Inc 情報漏えい抑止印刷システム
JP2009217353A (ja) 2008-03-07 2009-09-24 Canon Inc 印刷システム、印刷システムの管理プログラム、記憶媒体
WO2010055865A1 (ja) * 2008-11-12 2010-05-20 株式会社神戸製鋼所 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
WO2010106946A1 (ja) * 2009-03-17 2010-09-23 ソニー株式会社 光記録媒体の製造方法、光記録媒体

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2479751A4 *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011132371A1 (ja) * 2010-04-19 2011-10-27 ソニー株式会社 光記録媒体
JP2011243270A (ja) * 2010-04-19 2011-12-01 Sony Corp 光記録媒体
US8685517B2 (en) 2010-04-19 2014-04-01 Sony Corporation Optical recording medium
CN103000198A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 铼德科技股份有限公司 光学记录媒体以及记录材料
CN113348510A (zh) * 2019-02-01 2021-09-03 索尼集团公司 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶
CN113348510B (zh) * 2019-02-01 2023-09-15 索尼集团公司 光记录介质、记录层以及记录层形成用溅射靶

Also Published As

Publication number Publication date
CN102640219A (zh) 2012-08-15
TWI457922B (zh) 2014-10-21
US8597757B2 (en) 2013-12-03
KR20120057629A (ko) 2012-06-05
US20120176883A1 (en) 2012-07-12
CN105931654A (zh) 2016-09-07
CN105931654B (zh) 2019-07-02
TW201126521A (en) 2011-08-01
EP2479751B1 (en) 2017-04-26
EP2479751A1 (en) 2012-07-25
EP2479751A4 (en) 2015-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2011034153A1 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP4969624B2 (ja) 光情報記録媒体
JP5346915B2 (ja) 光情報記録媒体用記録層、及び光情報記録媒体
WO2015083337A1 (ja) 光記録媒体用記録層、および光記録媒体
JP5399836B2 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
WO2012165472A1 (ja) 光情報記録媒体用記録膜および光情報記録媒体、並びに上記記録膜の形成に用いられるスパッタリングターゲット
WO2010055865A1 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP5276557B2 (ja) 光情報記録媒体用記録層および光情報記録媒体
JP5399184B2 (ja) 光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット
JP6781679B2 (ja) 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット
JP7130447B2 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
WO2021117470A1 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
JP2012020530A (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、およびスパッタリングターゲット
JP2009196312A (ja) 光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体、ならびに光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリングターゲット
WO2005044576A1 (ja) 光記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに光記録媒体の使用方法及び光記録装置

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201080040683.3

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 10817266

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20127006899

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2010817266

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13496661

Country of ref document: US

Ref document number: 2484/CHENP/2012

Country of ref document: IN

Ref document number: 2010817266

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE