WO2015083337A1 - 光記録媒体用記録層、および光記録媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
金属MBは、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
金属MCは、Zrであり、
金属MBに対する金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下であり、
透過型記録層中における金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下である光記録媒体である。
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含み、
金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
金属MBは、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
金属MCは、Zrであり、
金属MBに対する金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下であり、
透過型記録層中における金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下である光記録媒体用記録層である。
1 光記録媒体の構成
2 光記録媒体の製造方法
3 効果
4 変形例
図1Aに示すように、本技術の一実施形態に係る光記録媒体10は、中央に開口(以下「センターホール」と称する。)が設けられた円盤形状を有する。なお、光記録媒体10の形状はこの例に限定されるものではなく、カード状などとすることも可能である。
基板11は、例えば、中央にセンターホールが設けられた円盤形状を有する。この基板11の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層L0が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブGin、凸部をオングルーブGonと称する。
図2に示すように、情報信号層L0~Lnは、例えば、上面(第1の主面)および下面(第2の主面)を有する記録層21と、記録層21の上面に隣接して設けられた誘電体層22と、記録層21の下面に隣接して設けられた誘電体層23とを備える。このような構成とすることで、情報信号層L0~Lnの保存信頼性を向上することができる。ここで、上面とは、記録層21の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
情報信号層L1~Lnの記録層21は、光照射面Cから見て、さらに奥側の記録層21に対する記録または再生が可能なように、情報信号の記録または再生を行うためのレーザ光を透過可能に構成された透過型記録層である。
光照射面Cから見て最も奥側となる情報信号層L0の記録層21としては、公知の記録層を用いることができる。公知の記録層としては、例えば、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物と、Cu、Mn、NiおよびAgからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属の酸化物とを含む記録層、Pdの酸化物を含む記録層などを用いることができる。また、情報信号層L1~Lnの記録層21と同様に、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含む記録層を用いてもよい。
誘電体層22、23がガスバリア層として機能することで、記録層21の耐久性を向上することができる。また、記録層21の酸素の逃避やH2Oの侵入を抑制することで、記録層21の膜質の変化(主に反射率の低下として検出)を抑制し、記録層21として必要な膜質を確保することができる。
中間層S1~Snは、情報信号層L0~Lnを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ(イングルーブGinおよびオングルーブGon)を形成している。中間層S1~Snの厚みは、9μm~50μmに設定することが好ましい。中間層S1~Snの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層S1~Snは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
光透過層12は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板11に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層12を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率90パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂(例えばゼオネックス(登録商標))などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤(PSA:Pressure Sensitive Adhesive)などを用いることができる。
なお、図示しないが、光透過層12の表面(光照射面C)に、例えば機械的な衝撃や傷に対する保護、また利用者の取り扱い時の塵埃や指紋の付着などから、情報信号の記録再生品質を保護するためのハードコート層をさらに設けてもよい。ハードコート層には、機械的強度を向上させるためにシリカゲルの微粉末を混入したものや、溶剤タイプ、無溶剤タイプなどの紫外線硬化樹脂を用いることができる。機械的強度を有し、撥水性や撥油性を持たせるには、厚さを1μmから数μm程度とすることが好ましい。
次に、本技術の一実施形態に係る光記録媒体の製造方法の一例について説明する。
まず、一主面に凹凸面が形成された基板11を成形する。基板11の成形の方法としては、例えば、射出成形(インジェクション)法、フォトポリマー法(2P法:Photo Polymerization)などを用いることができる。
次に、例えばスパッタ法により、基板11上に、誘電体層23、記録層21、および誘電体層22を順次積層することにより、情報信号層L0を形成する。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層L0上に均一に塗布する。その後、情報信号層L0上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブGinおよびオングルーブGonが設けられた中間層S1が情報信号層L0上に形成される。
次に、例えばスパッタ法により、中間層S1上に、誘電体層23、記録層21、および誘電体層22を順次積層することにより、情報信号層L1を形成する。以下に、情報信号層L1の各層の形成工程について具体的に説明する。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層L1上に均一に塗布する。その後、情報信号層L1上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブGinおよびオングルーブGonが設けられた中間層S2が情報信号層L1上に形成される。
次に、上述の情報信号層L1および中間層S2の形成工程と同様にして、中間層S2上に、情報信号層L2、中間層S2、情報信号層L3、・・・、中間層Sn、情報信号層Lnをこの順序で中間層S2上に積層する。
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂(UVレジン)などの感光性樹脂を情報信号層Ln上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ln上に光透過層12が形成される。
以上の工程により、目的とする光記録媒体10が得られる。
本実施形態によれば、情報信号層L1~Ln層のうちの少なくとも1層の記録層21は、金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含んでいる。記録層21中における金属MBに対する金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下であり、かつ、記録層21中における金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下の範囲内である。これにより、高透過率、高記録感度および高変調度(すなわち高S/N)を実現できる。
上述の実施形態では、多層の情報信号層がすべて、同一の層構成を有する場合について説明したが、情報信号層ごとに求められる特性(例えば光学特性や耐久性など)に応じて層構成を変えるようにしてもよい。但し、生産性の観点からすると、全ての情報信号層を同一の層構成とすることが好ましい。
まず、射出成形により、厚さ1.1mmのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に誘電体層(基板側)、記録層、誘電体層(光透過層側)を順次積層することにより、第1情報信号層(以下「L0層」と称する。)を形成した。
誘電体層(基板側)
材料:ITO
厚さ:10nm
記録層
材料:Pd-W-Zn-Cu-O
厚さ:35nm
誘電体層(光透過層側)
材料:ITO
厚さ:10nm
以下に、L1層の各層の構成を示す。
誘電体層(基板側)
材料:ITO
厚さ:10nm
記録層
材料:Mn-W-Zr-O
厚さ:35nm
誘電体層(光透過層側)
材料:ITO
厚さ:10nm
以下に、具体的な記録層の成膜条件を示す。
Arガス流量:10~15sccm
O2ガス流量:15~24sccm
投入電力:100~200W
以上により、目的とする光記録媒体を得た。
記録層中のMn、Wの原子比a/b、Zrの含有量cが、表2に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、L1層の記録層を形成する以外は実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Niターゲット、WターゲットおよびZrターゲットを用いて、Ni-W-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のNi、Wの原子比a/b、Zrの含有量cが、表3に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Agターゲット、WターゲットおよびZrターゲットを用いて、Ag-W-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のAg、Wの原子比a/b、Zrの含有量cが、表3に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Coターゲット、WターゲットおよびZrターゲットを用いて、Co-W-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のCo、Wの原子比a/b、Zrの含有量cが、表3に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、MoターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-Mo-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のMn、Moの原子比a/b、Zrの含有量cが、表3に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、TaターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-Ta-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のMn、Taの原子比a/b、Zrの含有量cが、表3に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、VターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-V-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のMn、Vの原子比a/b、Zrの含有量cが、表3に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Wターゲット、Zrターゲット、CuターゲットおよびZnターゲットを用いて、Mn-W-Zr-Cu-Zn-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のMn、Wの原子比a/b、Zr、Cu、Znの含有量c、d(d1、d2)が、表4に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Wターゲット、Zrターゲット、Cuターゲット、ZnターゲットおよびMgターゲットを用いて、Mn-W-Zr-Cu-Zn-Mg-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のMn、Wの原子比a/b、Zr、Cu、Zn、Mgの含有量c、d(d1、d2)、eが、表4に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
上述のようにして得られた実施例1~20、比較例1~9の光記録媒体のL1層に対して以下の評価を行った。
分光高度計(日本分光(株)製、商品名:V-530)を用いて、記録波長405nmに対するL1層の透過率を測定した。
ディスクテスタ(パルステック社製、商品名:ODU-1000)を用いて、記録波長405nm、記録線速7.69m/sで1層あたり32GB密度の1-7変調データを記録再生して、i-MLSEを求めた。このi-MLSEを記録パワーに対し求め、14%を超える記録パワーの低い側をPwl、高い側をPwhとし、PwlとPwhとの中間値を記録パワー(最適記録パワー)Pwoとした。ここで、i-MLSE14%はエラー補正が破綻しないi-MLSEの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。また、記録パワーは、半導体レーザの記録パワーではなく、L1層に入射するレーザ光の記録パワーを意味する。
ディスクテスタ(パルステック社製、商品名:ODU-1000)を用いて、記録波長405nm、記録線速7.69m/sで1層あたり32GB密度の1-7変調データを記録再生して、変調度(信号振幅比)を求めた。
記録層の屈折率を以下のようにして求めた。まず、スパッタリング法により、Siウェハ上に、L1層に含まれる記録層と同様の組成を有する薄膜を製膜して評価サンプルを作製した。次に、分光エリプソメータ(J.A.woollam co.製、商品名:VASE series Ellipsometers (HS-190 monochromator))を用いて、波長405nmのレーザ光を評価サンプルの薄膜の膜面に対して垂直入射させたときの屈折率nを測定した。
上述の透過率、記録パワーおよび変調度の評価結果を用いて、実施例1~14、比較例1~9の光記録媒体のL1層を以下の基準で評価した。
◎:70.0%≦T、Pwo≦18.62mW、45.0≦M
○:60.0%≦T<70.0%、18.62mW<Pwo≦22.8mW、40.0≦M<45.0
×:T<60.0%、22.8mW<Pwo、M<40.0
但し、T:透過率、Pwo:記録パワー、M:変調度である。
上述の透過率、記録パワーおよび変調度の評価結果を用いて、実施例15~20の光記録媒体のL1層を以下の基準で評価した。
◎+:70.0%≦T、Pwo≦22.8mW、45.0≦M、1.970≦n≦2.240
◎-:70.0%≦T、Pwo≦22.8mW、45.0≦M、n<1.970、2.240<n
a/b:記録層中にける金属MBに対する金属MAの比率(原子比)
c:記録層中にける金属MCの含有量(原子%)(但し、表1~表3中では、cは、金属MA、MBおよびMCの合計量に対する金属MCの原子比率(原子%)も意味する。)
d:記録層中にける金属MDの含有量(原子%)(具体的には、d1:記録層中におけるCuの含有量(原子%)、d2:記録層中におけるZnの含有量(原子%))
e:記録層中にける金属MEの含有量(原子%)
図3に示した近似直線Mから、40.0≦Mにするためには0.37≦a/bにすることが好ましく、45≦Mにするためには0.54≦a/bにすることが好ましいことがわかる。
以上により、透過率T、変調度Mをそれぞれ60.0%≦T、40.0≦Mにするためには、0.37≦a/b≦1.31とすることが好ましく、透過率T、変調度Mをそれぞれ70.0%≦T、45.0≦Mにするためには、0.54≦a/b≦0.78とすることが好ましい。
図4Bに示した近似直線PWOから、PWO≦22.8mWにするためには記録層中におけるZrの含有量cをc≦27.5原子%にすることが好ましく、PWO≦18.62mWにするためには記録層中におけるZrの含有量cをc≦8.5原子%にすることが好ましいことがわかる。
以上により、変調度M、記録パワーPWOをそれぞれ40.0≦M、PWO≦22.8mWにするためには、記録層中におけるZrの含有量cを0.9原子%≦c≦27.5原子%にすることが好ましく、変調度M、記録パワーPWOをそれぞれ45≦M、PWO≦18.62mWにするためには、記録層中におけるZrの含有量cを5.5原子%≦c≦8.5原子%とすることが好ましい。
表3に示した比較例6、7の評価結果から、金属MAとしてMnに代えてAg、Coを用いた場合には、透過率T、記録パワーPWOをそれぞれ60.0%≦T、PWO≦22.8mWとすることはできるが、変調度Mを40.0≦Mとすることが困難であることがわかる。
表3に示した実施例13、14の評価結果から、金属MBとしてWに代えてMoを用いた場合にも、透過率T、記録パワーPWO、変調度Mをそれぞれ60%≦T、PWO≦22.8mW、40.0≦Mとすることができることがわかる。
表3に示した比較例8、9の評価結果から、金属MBとしてWに代えてTa、Vを用いた場合には、透過率T、記録パワーPWOをそれぞれ60.0%≦T、PWO≦22.8mWとすることはできるが、変調度Mを40.0≦Mとすることが困難であることがわかる。
表4に示した実施例15~20の評価結果から、金属MEとしてMgをさらに記録層に添加すると、記録層の屈折率が低下することがわかる。また、記録層中におけるMgの添加量が増加するに従って、記録層の屈折率が低下する傾向があることがわかる。
図5に示した近似直線nから、屈折率を2.240以下にするためには、記録層中におけるMgの含有量eを6.6原子%以上にすることが好ましく、屈折率を2.140以下にするためには、記録層中におけるMgの含有量eを20.1原子%以上にすることが好ましいことがわかる。また、屈折率を1.97以下にするためには、記録層中におけるMgの含有量eを43.0原子%以上にすることが好ましいことがわかる。
記録層中におけるWに対するMnの原子比a1/b1、Zrの含有量cが、表6に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、L1層の記録層を形成する以外は実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Niターゲット、WターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-Ni-W-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるWに対するMnおよびNiの合計量の原子比(a1+a2)/b1、Zrの含有量cが、表6に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例21と同様にして光記録媒体を得た。
Niターゲット、WターゲットおよびZrターゲットを用いて、Ni-W-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるWに対するNiの原子比a2/b1、Zrの含有量cが、表6に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例21と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Niターゲット、WターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-Ni-W-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるWに対するMnおよびNiの合計量の原子比(a1+a2)/b1、Zrの含有量cが、表6に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例4と同様にして光記録媒体を得た。
記録層中におけるWに対するMnの原子比a1/b1、Zrの含有量cが、表8に示す値となるように、各ターゲットの投入電力を調整して、L1層の記録層を形成する以外は実施例1と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Wターゲット、MoターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-W-Mo-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるWおよびMoの合計量に対するMnの原子比a1/(b1+b2)、Zrの含有量cが、表8に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例28と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Wターゲット、MoターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-W-Mo-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中のWおよびMoの合計量に対するMnの原子比a1/(b1+b2)、Zrの含有量cが、表8に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例4と同様にして光記録媒体を得た。
Mnターゲット、Niターゲット、Wターゲット、MoターゲットおよびZrターゲットを用いて、Mn-Ni-W-Mo-Zr-OによりL1層の記録層を形成した。この記録層の形成に際しては、記録層中におけるWおよびMoの合計量に対するMnおよびNiの合計量の原子比(a1+a2)/(b1+b2)、Zrの含有量cが、表10に示す比率となるように、各ターゲットの投入電力を調整した。これ以外のことは実施例21と同様にして光記録媒体を得た。
上述のようにして得られた実施例4、12~14、21~34の光記録媒体のL1層に対して以下の評価を行った。
実施例1と同様にしてL1層の透過率Tを測定した。次に、測定した透過率Tを用いて、実施例4、12~14、21~34の光記録媒体のL1層を以下の基準で評価した。
◎:70.0%≦T
○:60.0%≦T<70.0%
×:T<60.0%
実施例1と同様にしてL1層の記録パワー(最適記録パワー)Pwoを求めた。次に、求めた記録パワーPwoを用いて、実施例4、12~14、21~34の光記録媒体のL1層を以下の基準で評価した。
◎:Pwo≦18.62mW
○:18.62mW<Pwo≦22.8mW
×:22.8mW<Pwo
実施例1と同様にしてL1層の変調度(信号振幅比)Mを求めた。次に、求めた記録パワーPwoを用いて、実施例4、12~14、21~34の光記録媒体のL1層を以下の基準で評価した。
◎:45.0≦M
○:40.0≦M<45.0
×:M<40.0
光記録媒体のランダムシンボルエラーレート(SER)に対するパワーマージンPMを以下のようにして求めた。まず、SERを記録パワーに対し求め、4×10-3を超える記録パワーの低い側をPwl、高い側をPwhとした。次に、求めた記録パワーPwl、Pwh、最適記録パワーPwoを下記の式に代入してSERに対するパワーマージンPMを求めた。
PM[%]=((Pwh-Pwl)/Pwo)×100
◎:28%≦PM
○:20%≦PM<28%
×:PM<20%
まず、加速試験前におけるL1層の記録パワー(最適記録パワー)PwoAを求めた。次に、光記録媒体に対して以下の条件で加速試験を行った。
温度:80℃
相対湿度(Relative Humidity:RH):85%、
加速時間:200h
感度劣化[%]=[((PwoA)-(PwoB))/(PwoA)]×100
◎:感度劣化が10%以下である。
○:感度劣化が10%を超え20%以下である。
×:感度劣化が20%を超える。
a1:記録層中におけるMn(金属MA1)の含有量
a2:記録層中におけるNi(金属MA2)の含有量
b1:記録層中におけるW(金属MB1)の含有量
b2:記録層中におけるMo(金属MB2)の含有量
c:記録層中にけるMCの含有量(原子%)
(1)
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
上記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MBは、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MCは、Zrであり、
上記金属MBに対する上記金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下である光記録媒体。
(2)
上記透過型記録層は、金属MEの酸化物をさらに含み、
上記金属MEは、Mgである(1)に記載の光記録媒体。
(3)
上記透過型記録層中における上記金属MEの含有量は、6.6原子%以上43.0原子%以下である(2)に記載の光記録媒体。
(4)
上記透過型記録層の層数が、2層である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(5)
上記透過型記録層中における上記金属MCの含有量は、0.9原子%以上8.5原子%以下である(1)から(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
(6)
上記透過型記録層の層数が、3層である(5)に記載の光記録媒体。
(7)
上記金属MBに対する上記金属MAの原子比(MA/MB)は、0.54以上0.78以下である(1)から(6)のいずれかに記載の光記録媒体。
(8)
上記透過型記録層は、金属MDの酸化物をさらに含み、
上記金属MDは、CuおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種である(1)から(7)のいずれかに記載の光記録媒体。
(9)
上記金属MAは、MnおよびNiの両方である(1)から(8)のいずれかに記載の光記録媒体。
(10)
上記金属MBは、WおよびMoの両方である(1)から(8)のいずれかに記載の光記録媒体。
(11)
上記金属MAは、MnおよびNiの両方であり、
上記金属MBは、WおよびMoの両方である(1)から(8)のいずれかに記載の光記録媒体。
(12)
上記透過型記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える(1)から(11)のいずれかに記載の光記録媒体。
(13)
上記透過型記録層の両方の面に設けられた誘電体層をさらに備える(1)から(11)のいずれかに記載の光記録媒体。
(14)
金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含み、
上記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MBは、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MCは、Zrであり、
上記金属MBに対する上記金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下である光記録媒体用記録層。
12 光透過層
10 光記録媒体
21 記録層
22、23 誘電体層
L0~Ln 情報信号層
S1~Sn 中間層
Gin イングルーブ
Gon オングルーブ
C 光照射面
Claims (14)
- 金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含む透過型記録層を備え、
上記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MBは、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MCは、Zrであり、
上記金属MBに対する上記金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下であり、
上記透過型記録層中における上記金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下である光記録媒体。 - 上記透過型記録層は、金属MEの酸化物をさらに含み、
上記金属MEは、Mgである請求項1に記載の光記録媒体。 - 上記透過型記録層中における上記金属MEの含有量は、6.6原子%以上43.0原子%以下である請求項2に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層の層数が、2層である請求項1に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層中における上記金属MCの含有量は、0.9原子%以上8.5原子%以下である請求項1に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層の層数が、3層である請求項5に記載の光記録媒体。
- 上記金属MBに対する上記金属MAの原子比(MA/MB)は、0.54以上0.78以下である請求項1に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層は、金属MDの酸化物をさらに含み、
上記金属MDは、CuおよびZnからなる群より選ばれる少なくとも1種である請求項1に記載の光記録媒体。 - 上記金属MAは、MnおよびNiの両方である請求項1に記載の光記録媒体。
- 上記金属MBは、WおよびMoの両方である請求項1に記載の光記録媒体。
- 上記金属MAは、MnおよびNiの両方であり、
上記金属MBは、WおよびMoの両方である請求項1に記載の光記録媒体。 - 上記透過型記録層の少なくとも一方の面に設けられた誘電体層をさらに備える請求項1に記載の光記録媒体。
- 上記透過型記録層の両方の面に設けられた誘電体層をさらに備える請求項1に記載の光記録媒体。
- 金属MAの酸化物と、金属MBの酸化物と、金属MCの酸化物とを含み、
上記金属MAは、MnおよびNiからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MBは、WおよびMoからなる群より選ばれる少なくとも1種であり、
上記金属MCは、Zrであり、
上記金属MBに対する上記金属MAの原子比(MA/MB)は、0.37以上1.31以下の関係を満たし、
上記透過型記録層中における上記金属MCの含有量は、0.9原子%以上27.5原子%以下である光記録媒体用記録層。
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