JP5760464B2 - 光情報記録媒体 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 115
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 548
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 310
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 claims description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 27
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 149
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 description 81
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 74
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 41
- 230000008859 change Effects 0.000 description 40
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 38
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 34
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 34
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 31
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 27
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 26
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 26
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 16
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 12
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 12
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 10
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 10
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 10
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 9
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 9
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 8
- -1 thickness Substances 0.000 description 8
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 2-[3-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]-1,2,4-oxadiazol-5-yl]-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1=NOC(=N1)CC(=O)N1CC2=C(CC1)NN=N2 SXAMGRAIZSSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethanone Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C(CN1CC2=C(CC1)NN=N2)=O HMUNWXXNJPVALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020416 SiO2—Cr2O3—ZrO2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]ethanone Chemical compound C1CN(CC2=NNN=C21)CC(=O)N3CCN(CC3)C4=CN=C(N=C4)NCC5=CC(=CC=C5)OC(F)(F)F LDXJRKWFNNFDSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100060192 Anopheles gambiae ser4 gene Proteins 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017835 Sb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/2403—Layers; Shape, structure or physical properties thereof
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
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- G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
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- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25715—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing oxygen
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Description
この発明は、光情報記録媒体に関する。詳しくは、２層以上の情報信号層を有する光情報記録媒体に関する。
これまでＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などが光情報記録媒体の市場を牽引してきた。しかし、近年では、テレビのハイビジョン化やＰＣ（Personal Computer）で取り扱うデータの急激な増大に伴い、光情報記録媒体の更なる大容量化が求められている。この要求に応えるべく、ＢＤ（Blu-ray Disc（登録商標））などの青色レーザに対応した大容量の光情報記録媒体が登場し、新たな大容量の光情報記録媒体の市場が立ち上がりつつある。
記録可能な光情報記録媒体としては、ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc-ReWritable)、ＤＶＤ±ＲＷ(Digital Versatile Disc±ReWritable)に代表される書換型の光情報記録媒体と、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）やＤＶＤ−Ｒ（Digital Versatile Disc-Recordable）に代表される追記型の光情報記録媒体とがあるが、特に、後者は低価格メディアとして市場の拡大に大きく貢献してきた。したがって、青色レーザに対応した大容量の光情報記録媒体においても、市場を拡大させるためには、追記型の光情報記録媒体の低価格化が必要になると考えられる。さらに光情報記録媒体は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）やフラッシュメモリなどと比べて、その記録再生原理から保存信頼性が高いと一般的に言われており、重要情報の保管に使われ始めるなどアーカイバルメディアとしての需要が近年高くなっている。
追記型の光情報記録媒体に用いられる記録材料としては、無機材料と有機色素材料とがある。従来の追記型の光情報記録媒体では記録材料として有機色素材料が主に検討されてきたが、近年の大容量の光情報記録媒体では記録材料として無機材料も広く検討されている。
広く検討されている無機材料の１つとして、Ｐｄ酸化物を含む無機材料がある。例えば、特許文献１では、酸化Ｉｎおよび酸化Ｐｄを含み、この酸化Ｐｄが一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含み、かつ、Ｉｎ原子とＰｄ原子の合計に対するＰｄ原子の比率を６〜６０原子％とする無機記録層が提案されている。また、特許文献２では、Ｉｎおよび／またはＳｎとＰｄとＯとを含む無機記録層が提案されている。
ところで、近年では、記録可能なＤＶＤやＢＤなどの高密度の光情報記録媒体においては、記録容量をさらに増大させるために、記録層を多層化する技術が広く採用されている。多層の光情報記録媒体では、情報読み取り面側から最も奥に位置する記録層に対する情報信号の記録および再生は、その手前側にある記録層を透過したレーザ光を用いて行われることとなる。このため、情報読み取り面側から最も奥に位置する記録層以外の記録層において、情報信号の記録前後で情報信号層の透過率が大きく変動すると、最も奥に位置する記録層の実効的なレーザ強度が変動するために、最奥層の情報信号の記録が適切に行えなくなってしまう。特に３層以上の光情報記録媒体では、透過する情報信号層の数が多くなるので、最奥層に対して層数の掛け合わせとなる透過率変動の影響はかなり甚大になるので、層数が多い媒体ほど記録前後の透過率変動は小さくする必要がある。
しかしながら、本発明者の知見によれば、Ｐｄ酸化物を含む無機記録層を有する情報信号層では、情報信号の記録前後で透過率が大きく変動し、情報信号の記録および再生を適切に行えなくなってしまうことがある。
したがって、本技術の目的は、Ｐｄ酸化物を含む無機記録層を有する情報信号層において、情報信号の記録前後の情報信号層の透過率変動を抑制することができる光情報記録媒体を提供することにある。
上述の課題を解決するために、本技術は、
基板と、
基板上に設けられた２層以上の情報信号層と、
情報信号層上に設けられたカバー層と
を備え、
基板およびカバー層の側のいずれか一方の表面が、２層以上の情報信号層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面であり、
光照射面から最も奥側となる情報信号層以外の情報信号層のうちの少なくとも１層が、
Ｗ酸化物、およびＰｄ酸化物を含む無機記録層と、
無機記録層の第１の主面に設けられた第１保護層と、
無機記録層の第２の主面に設けられた第２保護層と
を備え、
第１保護層および第２保護層の少なくとも一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層である光情報記録媒体である。
基板と、
基板上に設けられた２層以上の情報信号層と、
情報信号層上に設けられたカバー層と
を備え、
基板およびカバー層の側のいずれか一方の表面が、２層以上の情報信号層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面であり、
光照射面から最も奥側となる情報信号層以外の情報信号層のうちの少なくとも１層が、
Ｗ酸化物、およびＰｄ酸化物を含む無機記録層と、
無機記録層の第１の主面に設けられた第１保護層と、
無機記録層の第２の主面に設けられた第２保護層と
を備え、
第１保護層および第２保護層の少なくとも一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層である光情報記録媒体である。
本技術において、カバー層の厚さは特に限定されるものではなく、カバー層には、基板、シート、コーティング層などが含まれる。高密度の光情報記録媒体としては、カバー層としてシート、コーティング層などの薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生が行われる構成を有するものが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光情報記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
本技術において、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層が、Ｉｎ酸化物およびＳｎ酸化物の混合物、または窒化ケイ素を主成分とすることが好ましい。第１保護層および第２保護層のうちの一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であり、他方が０以上０．６以下の消衰係数を有する層であることが好ましい。
本技術において、第１保護層および第２保護層のうち、光照射面とは反対側となる層が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であることが好ましく、第１保護層および第２保護層の両方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であることがより好ましい。
本技術において、第１保護層および第２保護層の一方が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であり、他方がＳｉ酸化物、Ｉｎ酸化物、およびＺｒ酸化物の複合酸化物、またはＩｎ酸化物、Ｇａ酸化物、およびＺｎ酸化物の複合酸化物を主成分として含む層であることが好ましい。
本技術において、無機記録層が、Ｗ酸化物、およびＰｄ酸化物に加えてＣｕ酸化物をさらに含んでいることが好ましく、Ｗ酸化物、Ｐｄ酸化物、およびＣｕ酸化物に加えてＺｎ酸化物をさらに含んでいることがより好ましい。
本技術によれば、無機記録層としてＷ酸化物、およびＰｄ酸化物を含むものを用いるとともに、第１保護層および第２保護層の少なくとも一方として０．０５以上の消衰係数を有するものを用いているので、情報信号層の記録前後の透過率変動を抑制することができる。また、第１保護層および第２保護層の少なくとも一方の消衰係数を０．６以下としているので、光照射面から最も奥側となる情報信号層以外の情報信号層として用いて要求される高い透過率を得ることができる。
以上説明したように、本技術によれば、Ｐｄ酸化物を含む無機記録層を有する情報信号層において、情報信号の記録前後の透過率変動を抑制することができる。
本発明者は上述の課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、（１）無機記録層の材料としてＰｄ酸化物にＩｎ酸化物を添加したものを用いること、（２）記録層に隣接する保護層として消衰係数ｋが０．０５未満のものを用いることとが、情報信号の記録前後における情報信号層の透過率変動に大きく影響を及ぼしていることを見出すに至った。
そこで、本発明者は、上述の（１）、および（２）の点を考慮して、情報信号層の透過率変動を抑制すべくさらに鋭意検討を行った。その結果、無機記録層の材料としてＩｎ酸化物に代えてＷ酸化物を添加したものを用い、記録層に隣接する保護層として消衰係数ｋが０．０５以上のものを用いることを見出すに至った。
本技術は上述の検討の結果、案出されたものである。
本技術は上述の検討の結果、案出されたものである。
本技術の実施形態について図面を参照しながら以下に説明する。
［光情報記録媒体の構成］
図１Ａは、本技術の一実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体１０は、いわゆる追記型の光情報記録媒体であり、図１Ａに示すように、情報信号層Ｌ０、中間層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ２、中間層Ｓ３、情報信号層Ｌ３、カバー層である光透過層２がこの順序で基板１の一主面に積層された構成を有する。必要に応じて、光透過層２側の表面にハードコート層３をさらに備えるようにしてもよい。必要に応じて、基板１側の表面にバリア層４をさらに備えるようにしてもよい。なお、以下の説明において、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３を特に区別しない場合には、情報信号層Ｌという。
［光情報記録媒体の構成］
図１Ａは、本技術の一実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体１０は、いわゆる追記型の光情報記録媒体であり、図１Ａに示すように、情報信号層Ｌ０、中間層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ２、中間層Ｓ３、情報信号層Ｌ３、カバー層である光透過層２がこの順序で基板１の一主面に積層された構成を有する。必要に応じて、光透過層２側の表面にハードコート層３をさらに備えるようにしてもよい。必要に応じて、基板１側の表面にバリア層４をさらに備えるようにしてもよい。なお、以下の説明において、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３を特に区別しない場合には、情報信号層Ｌという。
この一実施形態に係る光情報記録媒体１０では、光透過層２側の表面Ｃからレーザ光を各情報信号層Ｌ０〜Ｌ３に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層２の側から各情報信号層Ｌ０〜Ｌ３に照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光情報記録媒体１０としては、例えばＢＤ−Ｒが挙げられる。以下では、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３に情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される表面Ｃを光照射面Ｃと称する。
以下、光情報記録媒体１０を構成する基板１、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３、中間層Ｓ１〜Ｓ３、光透過層２、ハードコート層３、およびバリア層４について順次説明する。
（基板）
基板１は、例えば、中央に開口（以下センターホールという。）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
基板１は、例えば、中央に開口（以下センターホールという。）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、線速度安定化やアドレス情報を付加するためにウォブル（蛇行）されている。
基板１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センターホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
基板１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
（情報信号層）
図１Ｂは、図１Ａに示した各情報信号層の一構成例を示す模式図である。図１Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３は、例えば、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する無機記録層１１と、無機記録層１１の下側面に隣接して設けられた第１保護層１２と、無機記録層１１の上側面に隣接して設けられた第２保護層１３とを備える。このような構成とすることで、情報信号層Ｌの保存信頼性を向上することができる。ここで、上側面とは、無機記録層１１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下側面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
図１Ｂは、図１Ａに示した各情報信号層の一構成例を示す模式図である。図１Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３は、例えば、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する無機記録層１１と、無機記録層１１の下側面に隣接して設けられた第１保護層１２と、無機記録層１１の上側面に隣接して設けられた第２保護層１３とを備える。このような構成とすることで、情報信号層Ｌの保存信頼性を向上することができる。ここで、上側面とは、無機記録層１１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下側面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
（無機記録層）
無機記録層１１は、Ｐｄ酸化物を含む無機記録材料（以下「ＰｄＯ系材料」という。）を主成分としている。ＰｄＯ系材料としては、Ｗ酸化物、およびＰｄ酸化物の２元系酸化物（以下「ＷＰＯ」という。）、好ましくはＷＰＯにさらにＣｕ酸化物を加えた３元系酸化物（以下「ＷＣＰＯ」という。）、より好ましくはＷＣＰＯにさらにＺｎ酸化物を加えた４元系酸化物（以下「ＷＺＣＰＯ」という。）が用いられる。ＰｄＯ系材料としてＷＰＯを用いることで、情報信号の記録前後の透過率変化を抑制することができる。ＰｄＯ系材料としてＷＣＰＯを用いることで、上述の透過率変化の抑制に加え、再生耐久性を向上することができる。ＰｄＯ系材料としてＷＺＣＰＯを用いることで、ＷＣＰＯを用いた場合とほぼ同等の無機記録層１１の特性を維持しつつ、無機記録層１１中のＰｄ酸化物の含有量、具体的にはＰｄの含有率を減らすことができる。貴金属材料であるＰｄの含有量を減らすことで、光情報記録媒体１０を低廉化することができる。
無機記録層１１は、Ｐｄ酸化物を含む無機記録材料（以下「ＰｄＯ系材料」という。）を主成分としている。ＰｄＯ系材料としては、Ｗ酸化物、およびＰｄ酸化物の２元系酸化物（以下「ＷＰＯ」という。）、好ましくはＷＰＯにさらにＣｕ酸化物を加えた３元系酸化物（以下「ＷＣＰＯ」という。）、より好ましくはＷＣＰＯにさらにＺｎ酸化物を加えた４元系酸化物（以下「ＷＺＣＰＯ」という。）が用いられる。ＰｄＯ系材料としてＷＰＯを用いることで、情報信号の記録前後の透過率変化を抑制することができる。ＰｄＯ系材料としてＷＣＰＯを用いることで、上述の透過率変化の抑制に加え、再生耐久性を向上することができる。ＰｄＯ系材料としてＷＺＣＰＯを用いることで、ＷＣＰＯを用いた場合とほぼ同等の無機記録層１１の特性を維持しつつ、無機記録層１１中のＰｄ酸化物の含有量、具体的にはＰｄの含有率を減らすことができる。貴金属材料であるＰｄの含有量を減らすことで、光情報記録媒体１０を低廉化することができる。
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３のうちの少なくとも１層の無機記録層１１が、ＷＣＰＯを主成分として含んでいることが好ましい。ＷＣＰＯに含まれるＷ、Ｐｄ、およびＣｕの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ1、より好ましくは０．３７≦ｘ1、さらに好ましくは０．３７≦ｘ1≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ1≦１．２６の関係を満たしている。これにより、光情報記録媒体の情報信号層として求められる特性を満たしつつ、優れた透過特性を実現できる。ここで、光情報記録媒体の情報信号層として求められる特性としては、低ｉ−ＭＬＳＥ、高パワーマージン、高再生耐久性や低記録後透過率変化などが挙げられる。
但し、ｘ1は、ｘ1＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
ａ：Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＷの原子比率［原子％］
ｂ：Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＰｄの原子比率［原子％］
ｃ：Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＣｕの原子比率［原子％］
但し、ｘ1は、ｘ1＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
ａ：Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＷの原子比率［原子％］
ｂ：Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＰｄの原子比率［原子％］
ｃ：Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＣｕの原子比率［原子％］
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０に到達する光量を増やす観点からすると、情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３が有する無機記録層１１が全て、高透過率であることが好ましい。
また、高透過率に加え、一方、高透過率でも高透過率層として求められる特性の確保の観点からすると、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３が有する無機記録層１１全てが、ＷＣＰＯを主成分として含んでいることが好ましい。この場合、ＷＣＰＯに含まれるＷ、Ｐｄ、およびＣｕの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ1、より好ましくは０．３７≦ｘ1、さらに好ましくは０．３７≦ｘ1≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ1≦１．２６の関係を満たしている。また、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３の無機記録層１１の変数ｘ1の値は、光照射面Ｃに近い情報信号層Ｌのものほど大きな値となることが好ましい。光照射面Ｃに近い情報信号層Ｌほど透過率を高い設計をすることが好ましいからである。
Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＷの原子比率ａは、好ましくは１０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは１４．２原子％以上３１．８原子％以下の範囲内である。原子比率ａが１０原子％未満であると、低透過率となる傾向がある。一方、原子比率ａが７０原子％を超えると、透過率は高いが記録感度不足となる傾向がある。
Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＰｄの原子比率ｂは、好ましくは２原子％以上５０原子％以下、より好ましくは４．４原子％以上３２．２原子％以下の範囲内である。原子比率ｂが２原子％未満であると、低記録パワーマージンとなる傾向がある。一方、原子比率ｂが５０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
Ｗ、Ｐｄ、およびＣｕの合計に対するＣｕの原子比率ｃは、好ましくは１０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは２８．５原子％以上６８．１原子％以下の範囲内である。原子比率ｃが１０原子％未満であると、低再生耐久性となる傾向がある。一方、原子比率ｃが７０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３のうちの少なくとも１層の無機記録層１１が、ＷＣＰＯにさらにＺｎ酸化物を加えたＷＺＣＰＯを主成分として含んでいることが好ましい。ＷＺＣＰＯに含まれるＷ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ2、より好ましくは０．３７≦ｘ2、さらに好ましくは０．３７≦ｘ2≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ2≦１．２６の関係を満たしている。これにより、光情報記録媒体の記録層として求められる特性を満たしつつ、優れた透過特性を実現できるとともに、Ｗ酸化物、Ｐｄ酸化物、およびＣｕ酸化物の含有量を減らすことができる。Ｗ酸化物、Ｐｄ酸化物、およびＣｕ酸化物、特に貴金属を含むＰｄ酸化物の含有量を減らすことで、光情報記録媒体１０を低廉化することができる。
但し、ｘ2＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
ａ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＷの原子比率［原子％］
ｂ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＰｄの原子比率［原子％］
ｃ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＣｕの原子比率［原子％］
ｄ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＺｎの原子比率［原子％］
但し、ｘ2＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
ａ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＷの原子比率［原子％］
ｂ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＰｄの原子比率［原子％］
ｃ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＣｕの原子比率［原子％］
ｄ：Ｗ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの合計に対するＺｎの原子比率［原子％］
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０に到達する光量を増やす観点からすると、情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３が有する無機記録層１１が全て、高透過率であることが好ましい。
また、高透過率に加え、一方、高透過率でも高透過率層として求められる特性の確保と光情報媒体の低廉化の観点からすると、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３が有する無機記録層１１全てが、ＷＺＣＰＯを主成分として含んでいることが好ましい。この場合、ＷＺＣＰＯに含まれるＷ、Ｐｄ、およびＣｕの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ2、より好ましくは０．３７≦ｘ2、さらに好ましくは０．３７≦ｘ2≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ2≦１．２６の関係を満たしている。また、情報信号層Ｌ０〜Ｌ３の無機記録層１１の変数ｘ2の値は、光照射面Ｃに近い情報信号層Ｌのものほど大きな値となることが好ましい。光照射面Ｃに近い情報信号層Ｌほど透過率を高くすることができるからである。
Ｗ、Ｐｄ、Ｃｕ、およびＺｎの合計に対するＷの原子比率ａは、好ましくは１０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは１４．２原子％以上３１．８原子％以下の範囲内である。原子比率ａが１０原子％未満であると、低透過率となる傾向がある。一方、原子比率ａが７０原子％を超えると、記録感度不足となる傾向がある。
Ｗ、Ｐｄ、Ｃｕ、およびＺｎの合計に対するＰｄの原子比率ｂは、好ましくは２原子％以上５０原子％以下、より好ましくは４．４原子％以上３２．２原子％以下の範囲内である。原子比率ｂが２原子％未満であると、低記録パワーマージンとなる傾向がある。一方、原子比率ｂが５０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
Ｗ、Ｐｄ、Ｃｕ、およびＺｎの合計に対するＣｕの原子比率ｃは、好ましくは１０原子％以上７０原子％以下、より好ましくは２８．５原子％以上４３．４原子％以下の範囲内である。原子比率ｃが１０原子％未満であると、低再生耐久性となる傾向がある。一方、原子比率ｃが７０原子％を超えると、低透過率となる傾向がある。
Ｗ、Ｐｄ、Ｃｕ、およびＺｎの合計に対するＺｎの原子比率ｄは、好ましくは５原子％以上６０原子％以下、より好ましくは１７原子％以上４１原子％以下の範囲内である。原子比率ｄが５原子％未満であると、低廉化効果が薄くなる傾向がある。一方、原子比率ｄが６０原子％を超えると、保存信頼性悪化となる傾向がある。
ＷＣＰＯおよびＷＺＣＰＯ以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３の材料としては、例えば、Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物の混合酸化物を主成分とした材料を用いることも可能である。但し、光情報記録媒体の情報信号層として求められる特性を満たしつつ、優れた透過特性と記録前後の情報信号層の透過率変動抑制を実現できる観点からすると、ＷＣＰＯまたはＷＺＣＰＯを用いることが好ましい。
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０の材料としては、例えば、Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物の混合酸化物を主成分とした材料を用いることも可能である。但し、高記録パワーマージンの観点からすると、上述のＷＣＰＯまたはＷＺＣＰＯを用いることが好ましい。
無機記録層１１の厚さは、好ましくは２５ｎｍ以上６０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内である。２５ｎｍ未満であると、ｉ−ＭＬＳＥ悪化や低変調度と信号品質悪化となる傾向がある。一方、６０ｎｍを超えると、低記録パワーマージンとなる傾向がある。
（第１保護層、第２保護層）
第１保護層１２および第２保護層１３としては、誘電体層または透明導電層を用いることが好ましく、第１保護層１２および第２誘電体層１３のうちの一方として誘電体層を用い、他方として透明導電層を用いることも可能である。誘電体層または透明導電層が酸素バリア層として機能することで、無機記録層１１の耐久性を向上することができる。また、無機記録層１１の酸素の逃避を抑制することで、記録膜の膜質の変化（特に反射率の低下として観察可能）を抑制することができ、無機記録層１１として必要な特性を確保することができる。さらに、誘電体層または透明導電層を設けることで、記録特性を向上させることができる。これは、誘電体層または透明導電層に入射したレーザ光の熱拡散が最適に制御されて、記録部分における泡が大きくなりすぎたり、Ｐｄ酸化物の分解が進みすぎて泡がつぶれるといったことが抑制され、泡の形状を最適化することができるためと考えられる。
第１保護層１２および第２保護層１３としては、誘電体層または透明導電層を用いることが好ましく、第１保護層１２および第２誘電体層１３のうちの一方として誘電体層を用い、他方として透明導電層を用いることも可能である。誘電体層または透明導電層が酸素バリア層として機能することで、無機記録層１１の耐久性を向上することができる。また、無機記録層１１の酸素の逃避を抑制することで、記録膜の膜質の変化（特に反射率の低下として観察可能）を抑制することができ、無機記録層１１として必要な特性を確保することができる。さらに、誘電体層または透明導電層を設けることで、記録特性を向上させることができる。これは、誘電体層または透明導電層に入射したレーザ光の熱拡散が最適に制御されて、記録部分における泡が大きくなりすぎたり、Ｐｄ酸化物の分解が進みすぎて泡がつぶれるといったことが抑制され、泡の形状を最適化することができるためと考えられる。
第１保護層１２の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上２０ｎｍ以下の範囲内である。２ｎｍ未満であると、記録層へのバリア効果が小さくなる傾向がある。一方、２０ｎｍを超えると、記録パワーマージンが小さくなる傾向がある。
第２保護層１３の厚さは、好ましくは２ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内である。２ｎｍ未満であると、記録層へのバリア効果が小さくなる傾向がある。一方、５０ｎｍを超えると、記録パワーマージンが小さくなる傾向がある。
情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３が有する第１保護層１２および第２保護層１３の構成は、高透過率の実現に加え、（ａ）良好なパワーマージンの実現、（ｂ）記録前後の透過率変化の抑制、（ｃ）良好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制との両立の観点から選択することが好ましい。
以下、（ａ）良好なパワーマージンの実現、（ｂ）記録前後の透過率変化の抑制、（ｃ）良好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制との両立の観点から、第１保護層１２および第２保護層１３の構成について順次説明する。
以下、（ａ）良好なパワーマージンの実現、（ｂ）記録前後の透過率変化の抑制、（ｃ）良好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制との両立の観点から、第１保護層１２および第２保護層１３の構成について順次説明する。
（ａ）良好なパワーマージンの実現
良好なパワーマージンを実現する観点からすると、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方が、複合酸化物として、Ｓｉ酸化物、Ｉｎ酸化物、およびＺｒ酸化物の３元系酸化物（ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2：以下「ＳＩＺ」という。）またはＩｎ酸化物、Ｇａ酸化物、およびＺｎ酸化物の３元系酸化物（Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ：以下「ＩＧＺＯ」という。）を主成分として含んでいることが好ましい。なお、第１保護層１２および第２保護層１３の材料としては同一の材料または組成比を採用することが可能であるが、この例に限定されず第１保護層１２および第２保護層１３として異なる材料または組成比を採用するようにしてもよい。例えば、第１保護層および第２保護層の両方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことも可能であるが、この例に限定されず第１保護層および第２保護層の一方がＳＩＺを主成分として含み、他方がＩＧＺＯを主成分として含むようにしてもよい。
良好なパワーマージンを実現する観点からすると、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方が、複合酸化物として、Ｓｉ酸化物、Ｉｎ酸化物、およびＺｒ酸化物の３元系酸化物（ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2：以下「ＳＩＺ」という。）またはＩｎ酸化物、Ｇａ酸化物、およびＺｎ酸化物の３元系酸化物（Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ：以下「ＩＧＺＯ」という。）を主成分として含んでいることが好ましい。なお、第１保護層１２および第２保護層１３の材料としては同一の材料または組成比を採用することが可能であるが、この例に限定されず第１保護層１２および第２保護層１３として異なる材料または組成比を採用するようにしてもよい。例えば、第１保護層および第２保護層の両方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことも可能であるが、この例に限定されず第１保護層および第２保護層の一方がＳＩＺを主成分として含み、他方がＩＧＺＯを主成分として含むようにしてもよい。
第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む場合、無機記録層１１としてＷＣＰＯを主成分として含むものを採用することが好ましく、ＷＣＰＯにさらにＺｎ酸化物を加えたＷＺＣＰＯを主成分として含むものを採用することがより好ましい。無機記録層１１がＷＣＰＯまたはＷＺＣＰＯを主成分とする場合には、無機記録層１１がＷＣＰＯまたはＷＺＣＰＯ以外のＰｄＯ系材料を主成分とする場合に比してより良好なパワーマージンを得ることができる。無機記録層１１がＷＺＣＰＯを主成分とする場合には、光情報記録媒体１０を低廉化することができるという利点をさらに得ることができる。これは、ＷＣＰＯにＺｎ酸化物をさらに含有させることで、ＷＣＰＯを薄めることができるので、貴金属材料であるＰｄの含有量を減らすことができるからである。
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３のうちの少なくとも１層が、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする構成を採用していることが好ましく、第１保護層１２および第２保護層１３の両方の層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする構成を採用していることがより好ましい。このような構成を採用することで透過率を高く維持することができ、情報信号層Ｌ０に到達するレーザ光の光量を高くすることができる。
情報信号層Ｌ０に到達するレーザ光の光量を増加させる観点からすると、光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３の全てが、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする構成を採用していることが好ましく、第１保護層１２および第２保護層１３の両方の層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする構成を採用していることがより好ましい。
光照射面Ｃから最も近い情報信号層Ｌ３の透過率を高く維持する観点からすると、情報信号層Ｌ３が有する第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層が、消衰係数が小さいＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とすることが好ましく、それらの両層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とすることがより好ましい。情報信号層Ｌ１〜Ｌ３のうちで光照射面Ｃから最も近い情報信号層Ｌ３の透過率を最も高くする理由は、一般的に透過率とトレードオフとなる記録感度とのバランス化で、情報信号層Ｌ３の層単体で高透過率かつ低記録感度とし、一方光照射面Ｃから遠い情報信号層Ｌほど透過率を低くして層単体で高感度とするような組み合わせにより構成された多層層媒体は、透過率と感度の組み合わせにより多層媒体としてみた各層の記録感度がほぼ一定とすることができるからである。なお、ＳＩＺ、ＩＧＺＯの消衰係数ｋは、０．００である。
第１保護層１２および第２保護層１３のいずれか一方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことで、良好なパワーマージンを得ることができるが、さらに良好なパワーマージンを得る観点からすると、第１保護層１２および第２保護層１３の両方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含んでいることが好ましい。第１保護層１２および第２保護層１３のいずれか一方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする構成を採用する場合、無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とすることが好ましい。無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことで、無機記録層１１の上側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む場合に比して、パワーマージンをより向上することができるからである。
第１保護層１２および第２保護層１３のいずれか一方の層がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む構成とする場合、他方の層が主成分とする材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができ、具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＣＺ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＣｅＯ2（ＩＣＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3（ＩＧＯ）、Ｓｎ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5（ＴＴＯ）、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2などが挙げられる。
（ｂ）記録前後の透過率変化の抑制
第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であることが好ましい。消衰係数ｋが０．０５未満であると、情報信号層Ｌの記録前後の透過率変化が大きくなる傾向がある。一方、消衰係数ｋが０．６を超えると、情報信号層Ｌの透過率が低下し、情報信号層Ｌ１〜Ｌ３として十分な透過率が得られなくなる傾向がある。なお、第１保護層１２および第２保護層１３の消衰係数としては同一の消衰係数を採用することも可能であるが、この例に限定されず第１保護層１２および第２保護層１３として異なる消衰係数を採用するようにしてもよい。
第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であることが好ましい。消衰係数ｋが０．０５未満であると、情報信号層Ｌの記録前後の透過率変化が大きくなる傾向がある。一方、消衰係数ｋが０．６を超えると、情報信号層Ｌの透過率が低下し、情報信号層Ｌ１〜Ｌ３として十分な透過率が得られなくなる傾向がある。なお、第１保護層１２および第２保護層１３の消衰係数としては同一の消衰係数を採用することも可能であるが、この例に限定されず第１保護層１２および第２保護層１３として異なる消衰係数を採用するようにしてもよい。
第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層である場合、無機記録層１１としてＷＰＯ、好ましくはＷＣＰＯ、より好ましくはＷＺＣＰＯを主成分として含むものが採用される。このような組合せにより、記録前後の透過率変化を低く抑えることができる。なお、無機記録層１１としてＷＣＰＯを主成分として含むものを採用した場合には、透過率変化の抑制に加え、パワーマージンの向上という利点がさらに得られる。無機記録層１１としてＷＺＣＰＯを主成分として含むものを採用した場合には、透過率変化の抑制、およびパワーマージンの向上に加え、光情報記録媒体１０の低廉化という利点がさらに得られる。また、透過率変化の抑制の観点から、無機記録層１１としてＷＺＰＯを主成分として含むものを採用するようにしてもよい。
光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３のうちの少なくとも１層が、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する構成を採用していることが好ましく、第１保護層１２および第２保護層１３の両方の層が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する構成を採用していることがより好ましい。消衰係数ｋが０．０５未満であると、情報信号層Ｌ０に到達するレーザ光の光量が情報信号の記録前後において大きく変化する傾向がある。消衰係数ｋが０．６を超えると、情報信号層Ｌ０に到達するレーザ光の光量が減少し、十分な光量のレーザ光が情報信号層Ｌ０に到達しなくなる傾向がある。
情報信号の記録前後における、情報信号層Ｌ０に到達するレーザ光の光量変化を抑制する観点からすると、光照射面Ｃから最も奥側となる情報信号層Ｌ０以外の情報信号層Ｌ１〜Ｌ３の全てが、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方の層が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する構成を採用していることが好ましく、第１保護層１２および第２保護層１３の両方の層が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する構成を採用していることがより好ましい。
第１保護層１２および第２保護層１３のいずれか一方が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有することで、記録前後の透過率変化を抑制することができるが、さらに記録前後の透過率変化を抑制する観点からすると、第１保護層１２および第２保護層１３の両方が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有することが好ましい。第１保護層１２および第２保護層１３のいずれか一方が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する構成を採用する場合、無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有することが好ましい。無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有することで、無機記録層１１の上側面に設けられる第１の保護層１２が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する場合に比して、記録前後の透過率変化をより抑制することができるからである。
第１保護層１２および第２保護層１３のいずれか一方の層が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する場合、他方の層が０以上０．６以下の消衰係数を有することが好ましい。他方の層の消衰係数を０．６以下にすることで、情報信号層Ｌの透過率を向上することができるからである。
０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する第１保護層１２および第２保護層の材料としては、例えば、Ｉｎ酸化物およびＳｎ酸化物の混合物、窒化ケイ素を用いることができる。ここで、窒化ケイ素は、窒素が非化学量論的組成を有するもの（不完全窒化物）であり、具体的にはＳｉＮｘ（ｘ＜１．０）で表される。
０以上０．６以下の消衰係数を有する第１保護層１２および第２保護層１３の材料としては、例えば、誘電体材料または透明導電材料を用いることができ、具体的には、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ，およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＩＺ）、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＣＺ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＣｅＯ2（ＩＣＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3（ＩＧＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5（ＴＴＯ）、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2などが挙げられる。
（ｃ）良好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制との両立
第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方が、ＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする層であり、他方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数ｋを有する層であることが好ましい。これにより、好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制とを両立することができる。
第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方が、ＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする層であり、他方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数ｋを有する層であることが好ましい。これにより、好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制とを両立することができる。
光照射面Ｃに２番目に近い情報信号層Ｌ２では、第１保護層１２および第２保護層１３の少なくとも一方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分とする層であり、他方が０．０５以上０．６以下の消衰係数ｋを有する層であることが好ましい。これにより、光照射面Ｃに２番目に近い情報信号層Ｌ２において、好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制とを両立することができる。
情報信号層Ｌ０〜Ｌ３としては、以下の構成を有するものを組み合わせて用いることが好ましい。高感度が求められるｘ1やｘ2が小さい組成比となる最奥層に近いＬ１層は、Ｐｄ、Ｃｕが多くなりやすいために記録後透過率変動が大きくなりやすいく、そのため消衰係数が０．０５以上の第１保護層１２と第２保護層１３を用い、透過率変動を抑制することが好ましい。また高透過率が求められるｘ1やｘ2が大きい組成比となるＬ３層は、記録後透過率変化は小さいがパワーマージンが狭くなりやすいので、第１保護層１２や第２保護層１３にＳＩＺやＩＧＺＯを用い、パワーマージンの確保をすることが好ましい。またＬ２層は、Ｌ１層とＬ３の層の組み合わせを用い、これらにより、記録層の材料や求められる感度や透過率が異なっても、パワーマージンや透過率変動抑制の各層の特性の均等化ができる。
（情報信号層Ｌ０）
第１保護層１２：ＩＴＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．４≦ｘ1≦０．６）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．４≦ｘ2≦０．６）
第２保護層１３：ＩＴＯ
第１保護層１２：ＩＴＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．４≦ｘ1≦０．６）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．４≦ｘ2≦０．６）
第２保護層１３：ＩＴＯ
（情報信号層Ｌ１）
第１保護層１２：消衰係数ｋが０．０５以上０．６以下の範囲内の材料、好ましくはＩＴＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．５≦ｘ1≦０．９）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．５≦ｘ2≦０．９）
第２保護層１３：消衰係数ｋが０．０５以上０．６以下の範囲内の材料、好ましくはＩＴＯ
第１保護層１２：消衰係数ｋが０．０５以上０．６以下の範囲内の材料、好ましくはＩＴＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．５≦ｘ1≦０．９）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．５≦ｘ2≦０．９）
第２保護層１３：消衰係数ｋが０．０５以上０．６以下の範囲内の材料、好ましくはＩＴＯ
（情報信号層Ｌ２）
第１保護層１２：消衰係数ｋが０．０５以上０．６以下の範囲内の材料、好ましくはＩＴＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．８≦ｘ1≦１．２）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．８≦ｘ2≦１．２）
第２保護層１３：ＳＩＺまたはＩＧＺＯ
第１保護層１２：消衰係数ｋが０．０５以上０．６以下の範囲内の材料、好ましくはＩＴＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．８≦ｘ1≦１．２）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．８≦ｘ2≦１．２）
第２保護層１３：ＳＩＺまたはＩＧＺＯ
（情報信号層Ｌ３）
第１保護層１２：ＳＩＺまたはＩＧＺＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．８≦ｘ1≦１．２）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．８≦ｘ2≦１．２）
第２保護層１３：ＳＩＺまたはＩＧＺＯ
第１保護層１２：ＳＩＺまたはＩＧＺＯ
無機記録層１１：ＷＣＰＯ（０．８≦ｘ1≦１．２）、好ましくはＷＺＣＰＯ（０．８≦ｘ2≦１．２）
第２保護層１３：ＳＩＺまたはＩＧＺＯ
（中間層）
中間層Ｓ１〜Ｓ３はＬ０とＬ１、Ｌ２、Ｌ３とを物理的及び光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられており、同心円若しくは螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓ３の厚みとしては９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましく、例えば、Ｓ１は１５μｍ、Ｓ２は２０μｍ、Ｓ３は１０μｍとされる。中間層Ｓ１〜Ｓ３の材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましく、また中間層Ｓ１〜Ｓ３は奥層へのデータの記録・再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
中間層Ｓ１〜Ｓ３はＬ０とＬ１、Ｌ２、Ｌ３とを物理的及び光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられており、同心円若しくは螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓ３の厚みとしては９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましく、例えば、Ｓ１は１５μｍ、Ｓ２は２０μｍ、Ｓ３は１０μｍとされる。中間層Ｓ１〜Ｓ３の材料としては特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましく、また中間層Ｓ１〜Ｓ３は奥層へのデータの記録・再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
（光透過層）
光透過層２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば４層媒体の場合には５３．５μｍに選ばれる。このような薄い光透過層２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
（ハードコート層）
ハードコート層３は、光照射面Ｃに耐擦傷性などを付与するためのものである。ハードコート層３の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、有機無機ハイブリッド系樹脂などを用いることができる。
ハードコート層３は、光照射面Ｃに耐擦傷性などを付与するためのものである。ハードコート層３の材料としては、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、有機無機ハイブリッド系樹脂などを用いることができる。
（バリア層）
バリア層４は、成膜工程において基板１の裏面からの脱ガス（水分放出）を抑制するものである。また、バリア層４は、基板１の裏面における水分の吸収を抑制する防湿層としても機能する。バリア層４を構成する材料としては、基板１の裏面からの脱ガス（水分放出）を抑制することができるものであればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、ガス透過性が低い誘電体を用いることができる。このような誘電体としては、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などを用いることができる。バリア層４の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定することが好ましい。５ｎｍ未満であると、基板裏面からの脱ガスを抑制するバリア機能が低下する傾向がる。一方、４０ｎｍを超えると、脱ガスを抑制するバリア機能がそれ以下の厚さの場合と殆ど変わらず、また、生産性の低下を招く傾向があるからである。バリア層４の水分透過率は、５×１０-5g/cm2・day以下であることが好ましい。
バリア層４は、成膜工程において基板１の裏面からの脱ガス（水分放出）を抑制するものである。また、バリア層４は、基板１の裏面における水分の吸収を抑制する防湿層としても機能する。バリア層４を構成する材料としては、基板１の裏面からの脱ガス（水分放出）を抑制することができるものであればよく特に限定されるものではないが、例示するならば、ガス透過性が低い誘電体を用いることができる。このような誘電体としては、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2などを用いることができる。バリア層４の厚さは、５ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定することが好ましい。５ｎｍ未満であると、基板裏面からの脱ガスを抑制するバリア機能が低下する傾向がる。一方、４０ｎｍを超えると、脱ガスを抑制するバリア機能がそれ以下の厚さの場合と殆ど変わらず、また、生産性の低下を招く傾向があるからである。バリア層４の水分透過率は、５×１０-5g/cm2・day以下であることが好ましい。
上述の構成を有する光情報記録媒体１０では、無機記録層１１にレーザ光が照射されると、Ｐｄ酸化物がレーザ光により加熱され、分解して酸素を放出し、レーザ光が照射された部分に気泡が生成される。これにより、情報信号の不可逆的な記録を行うことができる。
［光情報記録媒体の製造方法］
次に、本技術の一実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。
次に、本技術の一実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
（情報信号層の形成工）
次に、例えばスパッタリング法により、基板１上に、第１保護層１２、無機記録層１１、第２保護層１３を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。
以下に、第１保護層１２、無機記録層１１、および第２保護層１３の形成工程について具体的に説明する。
次に、例えばスパッタリング法により、基板１上に、第１保護層１２、無機記録層１１、第２保護層１３を順次積層することにより、情報信号層Ｌ０を形成する。
以下に、第１保護層１２、無機記録層１１、および第２保護層１３の形成工程について具体的に説明する。
（第１保護層の成膜工程）
まず、基板１を、第１保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第１保護層１２を成膜する。スパッタリング法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
まず、基板１を、第１保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、基板１上に第１保護層１２を成膜する。スパッタリング法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
（無機記録層の成膜工程）
次に、基板１を、無機記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１保護層１１上に無機記録層１２を成膜する。
次に、基板１を、無機記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、第１保護層１１上に無機記録層１２を成膜する。
（第２保護層の成膜工程）
次に、基板１を、第２保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、無機記録層１２上に第２保護層１３を成膜する。スパッタリング法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１上に情報信号層Ｌ０が形成される。
次に、基板１を、第２保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタリングして、無機記録層１２上に第２保護層１３を成膜する。スパッタリング法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタリング法、直流（ＤＣ）スパッタリング法を用いることができるが、特に直流スパッタリング法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１上に情報信号層Ｌ０が形成される。
（中間層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これらにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これらにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
ここで、無機記録層成膜用のターゲット、第１保護層形成用ターゲット、および第２保護層形成用ターゲットについて説明する。
（無機記録層成膜用のターゲット）
無機記録層成膜用のターゲットは、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｄを主成分としたＷＣＰ金属ターゲットでもよいし、Ｗ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｐｄ酸化物を主成分としたＷＣＰＯ酸化物ターゲットでも良く、生産性を考慮すると、成膜レートが比較的速くできるＤＣスパッタリングが可能なＷ、Ｃｕ、Ｐｄを主成分とした金属ターゲットを用いることが好ましい。ターゲットに含まれるＷ、Ｐｄ、およびＣｕの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ1、より好ましくは０．３７≦ｘ1、さらに好ましくは０．３７≦ｘ1≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ1≦１．２６の関係を満たしている。なお、ｘ1は、上述したように、ｘ1＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
無機記録層成膜用のターゲットは、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｄを主成分としたＷＣＰ金属ターゲットでもよいし、Ｗ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｐｄ酸化物を主成分としたＷＣＰＯ酸化物ターゲットでも良く、生産性を考慮すると、成膜レートが比較的速くできるＤＣスパッタリングが可能なＷ、Ｃｕ、Ｐｄを主成分とした金属ターゲットを用いることが好ましい。ターゲットに含まれるＷ、Ｐｄ、およびＣｕの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ1、より好ましくは０．３７≦ｘ1、さらに好ましくは０．３７≦ｘ1≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ1≦１．２６の関係を満たしている。なお、ｘ1は、上述したように、ｘ1＝ａ／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
無機記録層成膜用のターゲットは、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｚｎを主成分としたＷＺＣＰ金属ターゲットでもよいし、Ｗ酸化物、Ｃｕ酸化物、Ｐｄ酸化物、Ｚｎ酸化物を主成分としたＷＺＣＰＯ酸化物ターゲットでも良く、また金属と酸化物のＷＺＣＰＯ混合ターゲットでもよい。生産性を考慮すると、成膜レートが比較的速くできるＤＣスパッタリングが可能なＷ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｚｎを主成分とした金属ターゲットを用いることが好ましい。ターゲットに含まれるＷ、Ｐｄ、ＣｕおよびＺｎの割合が、好ましくは０．１７≦ｘ2、より好ましくは０．３７≦ｘ2、さらに好ましくは０．３７≦ｘ2≦１．２６、最も好ましくは０．５６≦ｘ2≦１．２６の関係を満たしている。なお、変数ｘ2は、上述したように、ｘ2＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）により定義される変数である。
無機記録層成膜用のターゲットのＷＣＰ、ＷＣＰＯおよびＷＺＣＰＯ、ＷＺＣＰＯとしては、無機記録層１１と同様の組成を有するものが好ましい。
（第１保護層形成用ターゲット、第２保護層形成用ターゲット）
パワーマージン向上の観点からすると、第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットの少なくとも一方が、ＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含んでいることが好ましく、両ターゲットがＳＩＺまたはＩＧＺＯを含んでいることがより好ましい。第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットのうちの一方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む場合、第１保護層形成用のターゲットがＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことが好ましい。無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことで、無機記録層１１の上側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む場合に比して、パワーマージンをより向上することができるからである。
パワーマージン向上の観点からすると、第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットの少なくとも一方が、ＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含んでいることが好ましく、両ターゲットがＳＩＺまたはＩＧＺＯを含んでいることがより好ましい。第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットのうちの一方がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む場合、第１保護層形成用のターゲットがＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことが好ましい。無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含むことで、無機記録層１１の上側面に設けられる第１の保護層１２がＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含む場合に比して、パワーマージンをより向上することができるからである。
記録前後における透過率変化の抑制の観点からすると、第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットの少なくとも一方が、０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなることが好ましく、両ターゲットが、０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなることがより好ましい。第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットのうちの一方が０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなる場合、第１保護層形成用のターゲットが０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなることが好ましい。無機記録層１１の下側面に設けられる第１の保護層１２が０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなることで、無機記録層１１の上側面に設けられる第１の保護層１２が０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなる場合に比して、記録前後における透過率変化を抑制することができるからである。
良好なパワーマージンの実現と記録前後の透過率変化の抑制との両立の観点からすると、第１保護層形成用のターゲット、および第２保護層形成用のターゲットの一方が、ＳＩＺまたはＩＧＺＯを主成分として含み、他方が、０．０５以上０．６以下の範囲内の消衰係数を有する材料からなることが好ましい。
（情報信号層および中間層の形成工程）
次に、上述の情報信号層Ｌ０および中間層Ｓ１の形成工程と同様にして、中間層Ｓ１上に、情報信号層Ｌ１、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ２、中間層Ｓ３、情報信号層Ｌ３をこの順序で中間層Ｓ１上に積層する。この際、成膜条件やターゲット組成などを適宜調整することにより、情報信号層Ｌ１〜Ｌ３を構成する第１保護層１２、無機記録層１１、および第２保護層１３の厚さや組成などを適宜調整するようにしてもよい。また、スピンコート法の条件を適宜調整することにより、中間層Ｓ１〜Ｓ３の厚さを適宜調整するようにしてもよい。
次に、上述の情報信号層Ｌ０および中間層Ｓ１の形成工程と同様にして、中間層Ｓ１上に、情報信号層Ｌ１、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ２、中間層Ｓ３、情報信号層Ｌ３をこの順序で中間層Ｓ１上に積層する。この際、成膜条件やターゲット組成などを適宜調整することにより、情報信号層Ｌ１〜Ｌ３を構成する第１保護層１２、無機記録層１１、および第２保護層１３の厚さや組成などを適宜調整するようにしてもよい。また、スピンコート法の条件を適宜調整することにより、中間層Ｓ１〜Ｓ３の厚さを適宜調整するようにしてもよい。
（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌ３上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌ３上に光透過層２が形成される。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体が得られる。
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌ３上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌ３上に光透過層２が形成される。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体が得られる。
以下、試験例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこの試験例のみに限定されるものではない。
以下では、多層の光情報記録媒体の情報信号層を、基板側からレーザ光照射面側に向かって順にＬ０層、Ｌ１層、Ｌ２層、・・・・と称する。
以下の試験例において第１保護層および第２保護層の消衰係数は以下のようにして測定したものである。シリコンウエハ上に第１保護層若しくは第２保護層を約１００ｎｍ積層させたサンプルを作製し、それを分光エリプソメータ（大塚電子（株）製、製品名：ＦＥ−５０００）にて媒体の記録波長である４０５ｎｍでの消衰係数を測定した。
試験例について以下の順序で説明する。
１．第１保護層および第２保護層の材料
２．ＷＺＣＰＯ以外のＰｄＯ材料
３．ＳＩＺ層の形成位置
４．無機記録層の組成
５．２層の光情報記録媒体の透過率範囲
６．４層の光情報記録媒体の透過率範囲
１．第１保護層および第２保護層の材料
２．ＷＺＣＰＯ以外のＰｄＯ材料
３．ＳＩＺ層の形成位置
４．無機記録層の組成
５．２層の光情報記録媒体の透過率範囲
６．４層の光情報記録媒体の透過率範囲
＜１．第１保護層および第２保護層の材料＞
（試験例１−１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。次に、ポリカーボネート基板上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ０層を形成した。
（試験例１−１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。次に、ポリカーボネート基板上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ０層を形成した。
Ｌ０層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ（Ｃｕ：Ｚｎ：Ｐｄ：Ｗ＝３０．０：３０．０：３０．０：１０．０（原子比率（原子％）））
厚さ：３０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ（Ｃｕ：Ｚｎ：Ｐｄ：Ｗ＝３０．０：３０．０：３０．０：１０．０（原子比率（原子％）））
厚さ：３０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
次に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ５５００Ｂ）をＬ０層上に均一に塗布した。その後、Ｌ０層上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、グルーブを有する、厚さ１５．５μｍの中間層が形成された。
次に、中間層上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層することにより、Ｌ２層を形成した。なお、Ｌ１層の形成は省略した。
Ｌ２層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３５：３０：３５（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ（Ｃｕ：Ｚｎ：Ｐｄ：Ｗ＝３５．０：２５．０：１０．０：３０．０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３５：３０：３５（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３５：３０：３５（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ（Ｃｕ：Ｚｎ：Ｐｄ：Ｗ＝３５．０：２５．０：１０．０：３０．０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３５：３０：３５（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
次に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂をＬ２層上に均一に塗布し、紫外線を照射して硬化させたることにより、中間層と同様の硬度を有する、厚さ３１．０μｍの樹脂層を形成した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）をＬ１層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ５３．５μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、Ｌ０層とＬ２層とを有する２層の光情報記録媒体を得た。この２層の光情報記録媒体では、Ｌ２層と光透過層との間に樹脂層を形成することにより、Ｌ２層の状態を擬似的に４層の光情報記録媒体のＬ２層の状態としている。
以上により、Ｌ０層とＬ２層とを有する２層の光情報記録媒体を得た。この２層の光情報記録媒体では、Ｌ２層と光透過層との間に樹脂層を形成することにより、Ｌ２層の状態を擬似的に４層の光情報記録媒体のＬ２層の状態としている。
（試験例１−２）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３０：４０：３０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３０：４０：３０（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３０：４０：３０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝３０：４０：３０（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
（試験例１−３）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＧＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｇａ2Ｏ3：ＺｎＯ＝２５：２５：５０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第２保護層（上側）
材料：ＩＧＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｇａ2Ｏ3：ＺｎＯ＝２５：２５：５０（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＧＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｇａ2Ｏ3：ＺｎＯ＝２５：２５：５０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第２保護層（上側）
材料：ＩＧＺＯ（Ｉｎ2Ｏ3：Ｇａ2Ｏ3：ＺｎＯ＝２５：２５：５０（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
（試験例１−４）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
（試験例１−５）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：Ｓｉ
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｎ2リアクティブスパッタ）
第２保護層（上側）
材料：Ｓｉ
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｎ2リアクティブスパッタ）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：Ｓｉ
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｎ2リアクティブスパッタ）
第２保護層（上側）
材料：Ｓｉ
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｎ2リアクティブスパッタ）
（初期状態のパワーマージン）
上述のようにして得られた試験例１−１〜１−５の光情報記録媒体のＬ２層の初期状態のパワーマージンを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ランダムシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を求めた。このＳＥＲを記録パワーに対し求め、４×１０-3を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈの中間を最適パワーＰｗｏとしたときに、パワーマージンＰＭは下記（１）式から求めた。ここで、ＳＥＲ４×１０-3はエラー補正が破綻しないＳＥＲの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。その結果を図２Ａ〜図４Ｂおよび表１に示す。
上述のようにして得られた試験例１−１〜１−５の光情報記録媒体のＬ２層の初期状態のパワーマージンを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ランダムシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を求めた。このＳＥＲを記録パワーに対し求め、４×１０-3を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈの中間を最適パワーＰｗｏとしたときに、パワーマージンＰＭは下記（１）式から求めた。ここで、ＳＥＲ４×１０-3はエラー補正が破綻しないＳＥＲの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。その結果を図２Ａ〜図４Ｂおよび表１に示す。
表１は、試験例１−１〜１−５の光情報記録媒体の評価結果を示す。
表１から以下のことがわかる。
第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺまたはＩＧＺＯを用いることで、パワーマージンを３０％以上とすることができる。なお、パワーマージンが３０％以上であると、民生用ドライブの記録パワー最適化の精度や、光情報記録媒体の面内感度ばらつきや、光情報記録媒体の温度や湿度による反りに伴う実記録パワー減少の影響を十分に吸収でき、エラーレートの低い良好な記録ができる。第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺを用いた場合には、ＩＧＺＯを用いた場合に比してパワーマージンをより広くすることができる。
第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺまたはＩＧＺＯを用いることで、情報信号層の透過率を向上することができる。したがって、光照射面から最も奥側に位置するＬ０層に到達するレーザ光の光量を増加させることができる。
ＳＩＺに対するＩｎ酸化物の含有量を４０ｍｏｌ％以上の範囲とすることで、、ターゲットの電気抵抗が小さくなることでＤＣスパッタリング法により成膜することがでる。したがって、成膜レートを向上し、生産性を向上することができる。
以上により、パワーマージンを向上し、かつ、透過率を高く維持するには、無機記録層に隣接させる第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺおよびＩＧＺＯを用いることが好ましく、ＩＧＺＯを用いることが特に好ましい。
また、生産性を向上するためには、ＳＩＺに対するＩｎ酸化物の含有量を４０ｍｏｌ％以上とすることが好ましいが、多すぎるとＳＩＺ薄膜の消衰係数が大きくなることで情報信号層の透過率が低下するので、情報記録層の求められる透過率や生産性に応じてＩｎ酸化物などの割合を選択することが好ましい。
第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺまたはＩＧＺＯを用いることで、パワーマージンを３０％以上とすることができる。なお、パワーマージンが３０％以上であると、民生用ドライブの記録パワー最適化の精度や、光情報記録媒体の面内感度ばらつきや、光情報記録媒体の温度や湿度による反りに伴う実記録パワー減少の影響を十分に吸収でき、エラーレートの低い良好な記録ができる。第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺを用いた場合には、ＩＧＺＯを用いた場合に比してパワーマージンをより広くすることができる。
第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺまたはＩＧＺＯを用いることで、情報信号層の透過率を向上することができる。したがって、光照射面から最も奥側に位置するＬ０層に到達するレーザ光の光量を増加させることができる。
ＳＩＺに対するＩｎ酸化物の含有量を４０ｍｏｌ％以上の範囲とすることで、、ターゲットの電気抵抗が小さくなることでＤＣスパッタリング法により成膜することがでる。したがって、成膜レートを向上し、生産性を向上することができる。
以上により、パワーマージンを向上し、かつ、透過率を高く維持するには、無機記録層に隣接させる第１保護層および第２保護層の材料としてＳＩＺおよびＩＧＺＯを用いることが好ましく、ＩＧＺＯを用いることが特に好ましい。
また、生産性を向上するためには、ＳＩＺに対するＩｎ酸化物の含有量を４０ｍｏｌ％以上とすることが好ましいが、多すぎるとＳＩＺ薄膜の消衰係数が大きくなることで情報信号層の透過率が低下するので、情報記録層の求められる透過率や生産性に応じてＩｎ酸化物などの割合を選択することが好ましい。
＜２．ＷＺＣＰＯ以外のＰｄＯ材料＞
（試験例２）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。次に、ポリカーボネート基板上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ０層を形成した。
（試験例２）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。次に、ポリカーボネート基板上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ０層を形成した。
Ｌ０層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝５０：５０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：３０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝５０：５０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：３０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
次に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ５５００Ｂ）をＬ０層上に均一に塗布した。その後、Ｌ０層上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、グルーブを有する、厚さ１５．５μｍの中間層が形成された。
次に、中間層上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ１層を形成した。
Ｌ１層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
Ｌ１層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
次に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ５５００Ｂ）をＬ１層上に均一に塗布した。その後、Ｌ１層上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、グルーブを有する、厚さ１９．５μｍの中間層が形成された。
次に、中間層上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ２層を形成した。
Ｌ２層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％）））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
Ｌ２層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＤＣスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％）））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
次に、スピンコート法により紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ５５００Ｂ）をＬ２層上に均一に塗布した。その後、Ｌ２層上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離した。これらにより、グルーブを有する、厚さ１１．５μｍの中間層が形成された。
次に、中間層上に第１保護層（下側）、無機記録層、第２保護層（上側）を順次積層することにより、Ｌ３層を形成した。
Ｌ３層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：３５ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝ ４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
Ｌ３層の各層の材料、厚さおよび成膜方法は以下のようにした。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
無機記録層
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｚｎ：Ｓｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％）））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：３５ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝ ４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）をＬ３層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ５３．５μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
（パワーマージン）
上述のようにして得られた試験例２の光情報記録媒体のＬ１層〜Ｌ３層について初期状態のパワーマージンを試験例１−１〜１−５と同様にして求めた。その結果を図５に示す。
上述のようにして得られた試験例２の光情報記録媒体のＬ１層〜Ｌ３層について初期状態のパワーマージンを試験例１−１〜１−５と同様にして求めた。その結果を図５に示す。
図５から以下のことがわかる。
無機記録層にＷＺＣＰＯ以外のＰｄＯ系材料用いた場合にも、無機記録層の表面にＳＩＺ層を用いることで、ＩＴＯ層を用いた場合に比してパワーマージンを広げることができる。ここで、Ｌ１層は上下保護層共にＩＴＯを用いているのに対し、Ｌ２層では第１保護層（下側）のみＩＴＯを第２保護層（上側）にＳＩＺを、Ｌ３層では上下保護層ともＳＩＺを用い、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の順にパワーマージンが広くなっていることが分かる。よって、ＳＩＺが高記録パワーマージンに効果があることが分かる。但し、ＷＺＣＰＯ層とＳＩＺ層とを組合せた場合の方が、パワーマージンの改善の度合いが大きい。
ここでは、第１保護層および第２保護層としてＳＩＺ層を用いた場合についてのみ示したが、第１保護層および第２保護層としてＩＧＺＯ層を用いた場合にも同様の効果が得られるものと考えられる。
無機記録層にＷＺＣＰＯ以外のＰｄＯ系材料用いた場合にも、無機記録層の表面にＳＩＺ層を用いることで、ＩＴＯ層を用いた場合に比してパワーマージンを広げることができる。ここで、Ｌ１層は上下保護層共にＩＴＯを用いているのに対し、Ｌ２層では第１保護層（下側）のみＩＴＯを第２保護層（上側）にＳＩＺを、Ｌ３層では上下保護層ともＳＩＺを用い、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３の順にパワーマージンが広くなっていることが分かる。よって、ＳＩＺが高記録パワーマージンに効果があることが分かる。但し、ＷＺＣＰＯ層とＳＩＺ層とを組合せた場合の方が、パワーマージンの改善の度合いが大きい。
ここでは、第１保護層および第２保護層としてＳＩＺ層を用いた場合についてのみ示したが、第１保護層および第２保護層としてＩＧＺＯ層を用いた場合にも同様の効果が得られるものと考えられる。
＜３．ＳＩＺ層の形成位置＞
（試験例３−１）
試験例１−４と同様にして光情報記録媒体を得た。
（試験例３−１）
試験例１−４と同様にして光情報記録媒体を得た。
（試験例３−２）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例３−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例３−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：１０ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
（試験例３−３）
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例３−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
Ｌ２層の第１保護層および第２保護層の材料、厚さおよび成膜方法を以下のようにした以外は試験例３−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
厚さ：２５ｎｍ
成膜方法：ＲＦスパッタリング法
（試験例３−４）
試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
試験例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（パワーマージン）
上述のようにして得られた試験例３−１〜３−４の光情報記録媒体のＬ２層について初期状態のパワーマージンを試験例１−１〜１−５と同様にして求めた。その結果を図６に示す。
上述のようにして得られた試験例３−１〜３−４の光情報記録媒体のＬ２層について初期状態のパワーマージンを試験例１−１〜１−５と同様にして求めた。その結果を図６に示す。
図６から以下のことがわかる。
第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＳＩＺを用いた場合には、第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＩＴＯを用いた場合に比してパワーマージンを向上することができる。
第１保護層（下側）の材料としてＳＩＺを用いた場合には、第２保護層（上側）の材料としてＳＩＺを用いた場合に比して、パワーマージンを向上することができる。
第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＳＩＺを用いた場合には、第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＳＩＺを用いた場合に比してパワーマージンを向上することができる。
以上により、良好なパワーマージンを得る観点からすると、第１保護層および第２保護層の一方の材料、特に第１保護層（下側）の材料としてＳＩＺを用いることが好ましく、第１保護層および第２保護層の両方の材料にＳＩＺを用いることがより好ましい。
ここでは、第１保護層および／または第２保護層としてＳＩＺ層を用いた場合についてのみ示したが、第１保護層および第２保護層としてＩＧＺＯ層を用いた場合にも同様の効果が得られるものと考えられる。
第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＳＩＺを用いた場合には、第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＩＴＯを用いた場合に比してパワーマージンを向上することができる。
第１保護層（下側）の材料としてＳＩＺを用いた場合には、第２保護層（上側）の材料としてＳＩＺを用いた場合に比して、パワーマージンを向上することができる。
第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＳＩＺを用いた場合には、第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＳＩＺを用いた場合に比してパワーマージンを向上することができる。
以上により、良好なパワーマージンを得る観点からすると、第１保護層および第２保護層の一方の材料、特に第１保護層（下側）の材料としてＳＩＺを用いることが好ましく、第１保護層および第２保護層の両方の材料にＳＩＺを用いることがより好ましい。
ここでは、第１保護層および／または第２保護層としてＳＩＺ層を用いた場合についてのみ示したが、第１保護層および第２保護層としてＩＧＺＯ層を用いた場合にも同様の効果が得られるものと考えられる。
＜４．無機記録層の組成＞
（試験例４−１〜４−１５）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層した。具体的な各層の構成は以下のようにした。
（試験例４−１〜４−１５）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層した。具体的な各層の構成は以下のようにした。
第１保護層
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：４０ｎｍ
第２保護層
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
但し、無機記録層のＷＺＣＰＯ中のＣｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｗそれぞれの原子比率ｃ、ｄ、ｂ、ａが表２に示す値となるように、試験例４−１〜４−１５ごとにターゲット組成を調製した。
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：４０ｎｍ
第２保護層
材料：ＳＩＺ、厚さ：１０ｎｍ
但し、無機記録層のＷＺＣＰＯ中のＣｕ、Ｚｎ、Ｐｄ、Ｗそれぞれの原子比率ｃ、ｄ、ｂ、ａが表２に示す値となるように、試験例４−１〜４−１５ごとにターゲット組成を調製した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）を第２保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
（透過率評価）
上述のようにして得られた試験例４−１〜４−１５の光情報記媒体の透過率を、分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対する透過率を測定した。その結果を表２に示す。
上述のようにして得られた試験例４−１〜４−１５の光情報記媒体の透過率を、分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対する透過率を測定した。その結果を表２に示す。
次に、測定した透過率と原子比率ｃ、ｄ、ｂ、ａとを用いて、比較的消衰係数の小さいＷ酸化物とＺｎ酸化物の各割合の和を分子に、比較的消衰係数の大きいＰｄ酸化物とＣｕ酸化物の各割合の和を分母と置き、決定係数Ｒ２乗が最も大きくなるように各割合に係数を掛けて各係数を決定し、近似直線を求めた。その結果を図７Ａに示す。図７Ａにおいて、横軸は変数ｘ（＝（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ））を示し、縦軸は透過率を示す。図７Ａに示すように、近似直線は、ｙ＝２５．６４２ｘ＋４５.４４１により表される。ここで、ｙは透過率［％］を示し、ｘは、（０．１ｄ＋ａ）／（ｂ＋０．８ｃ）を示す。
（最適記録パワー評価）
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値が最小となる記録パワーを求め、この記録パワーを最適記録パワーＰｗｏとした。その結果を図７Ｂに示す。
ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値が最小となる記録パワーを求め、この記録パワーを最適記録パワーＰｗｏとした。その結果を図７Ｂに示す。
表２は、試験例４−１〜４−１５の無機記録層の組成比と透過率とを示す。図８は、試験例４−１〜４−１３の無機記録層の組成比を示すグラフである。
図７Ａに示した近似直線ｙから以下のことがわかる。
透過率を５０％以上とするためには、変数ｘを０．１７以上とすることが好ましい。
透過率を５５％以上とするためには、変数ｘを０．３７以上とすることが好ましい。
透過率を６０％以上とするためには、変数ｘを０．５６以上とすることが好ましい。
透過率を７８％以下とするためには、変数ｘを１．２６以下とすることが好ましい。
なお、多層の光情報記録媒体では、Ｌ１層以上の情報信号層（Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層、・・・・）の透過率を５５％以上とすることが好ましい。透過率５５％以上が好ましい理由については、後述する。なお、ＷＺＣＰＯ以外の記録膜組成（ＺｎＳ−ＳｉＯ2−Ｓｂ−ＳｎやＴｅＰｄＯなど）を用いた２層ディスクではＬ０層の反射率を高くできることを考慮すると、Ｌ１層の透過率を５０％以上とすることが好ましい。
透過率を５０％以上とするためには、変数ｘを０．１７以上とすることが好ましい。
透過率を５５％以上とするためには、変数ｘを０．３７以上とすることが好ましい。
透過率を６０％以上とするためには、変数ｘを０．５６以上とすることが好ましい。
透過率を７８％以下とするためには、変数ｘを１．２６以下とすることが好ましい。
なお、多層の光情報記録媒体では、Ｌ１層以上の情報信号層（Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層、・・・・）の透過率を５５％以上とすることが好ましい。透過率５５％以上が好ましい理由については、後述する。なお、ＷＺＣＰＯ以外の記録膜組成（ＺｎＳ−ＳｉＯ2−Ｓｂ−ＳｎやＴｅＰｄＯなど）を用いた２層ディスクではＬ０層の反射率を高くできることを考慮すると、Ｌ１層の透過率を５０％以上とすることが好ましい。
図７Ｂに示した近似直線から以下のことがわかる。
最適記録パワーＰｗｏを２０ｍＷ以下とするためには、透過率を７８％以下とすることが好ましいことがわかる。ここで、最適記録パワーＰｗｏ：２０ｍＷは、民生用のドライブ装置の最適記録パワーＰｗｏの上限値である。この上限値を超えると、記録パワー不足となり、しいては信号品質の悪化となる。
最適記録パワーＰｗｏを２０ｍＷ以下とするためには、透過率を７８％以下とすることが好ましいことがわかる。ここで、最適記録パワーＰｗｏ：２０ｍＷは、民生用のドライブ装置の最適記録パワーＰｗｏの上限値である。この上限値を超えると、記録パワー不足となり、しいては信号品質の悪化となる。
＜５．２層の光情報記録媒体の透過率範囲＞
（試験例５−１〜５−１２）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。
（試験例５−１〜５−１２）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、グルーブを有する凹凸面を形成した。
次に、スパッタリング法により、ポリカーボネート基板上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層することにより、Ｌ０層を作製した。ここで、Ｌ０層は、２層の光情報記録媒体用のＬ０層とした。
具体的な各層の構成は以下のようにした。
具体的な各層の構成は以下のようにした。
第１保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：２６ｎｍ〜３０ｎｍ
組成比：ａ＝１０、ｂ＝３０、ｃ＝３０、ｄ＝３０とした。
第２保護層
材料：ＴａＮ、厚さ：６ｎｍ〜１６ｎｍ
但し、無機記録層および第２保護層の厚さが表３に示す値となるように、試験例５−１〜５−１２ごとに成膜条件を調製した。
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：２６ｎｍ〜３０ｎｍ
組成比：ａ＝１０、ｂ＝３０、ｃ＝３０、ｄ＝３０とした。
第２保護層
材料：ＴａＮ、厚さ：６ｎｍ〜１６ｎｍ
但し、無機記録層および第２保護層の厚さが表３に示す値となるように、試験例５−１〜５−１２ごとに成膜条件を調製した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）を第２保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、Ｌ０層のみを有する光情報記録媒体を得た。
以上により、Ｌ０層のみを有する光情報記録媒体を得た。
（ｉ−ＭＬＳＥ評価）
上述のようにして得られた試験例５−１〜５−１２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値を求めた。
上述のようにして得られた試験例５−１〜５−１２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値を求めた。
（反射率評価）
上述のようにして得られた試験例５−１〜５−１２の光情報記録媒体の反射率をディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで測定した。なお、２層の光情報記録媒体のＬ０層のみを用いて作製された単層の光情報記録媒体の反射率を、Ｌ０層単独の反射率と称する
上述のようにして得られた試験例５−１〜５−１２の光情報記録媒体の反射率をディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで測定した。なお、２層の光情報記録媒体のＬ０層のみを用いて作製された単層の光情報記録媒体の反射率を、Ｌ０層単独の反射率と称する
表３は、試験例５−１〜５−１２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥおよび反射率の測定結果を示す。
図９Ａは、上述のようにして求めたｉ−ＭＬＳＥと反射率との関係を示すグラフである。図９Ａから、Ｌ０層のｉ−ＭＬＳＥ値を１１％以下にするためには、Ｌ０層の反射率を１４％以下にする必要があることがわかる。ここで、ｉ−ＭＬＳＥ値１１％は、民生用のドライブ装置によりエラー訂正可能な上限値である。反射率を向上させるには、上記膜厚よりも第１保護層、無機記録層、第２保護層いずれか若しくは組み合わせで各々を薄くする方向であったが、いずれも薄くさせるとｉ−ＭＬＳＥ値が悪化した。これは、無機記録層の蓄熱や放熱が変わり結果、記録時の泡の形成が不適切になるために悪化したと推測される。
（試験例５−１３〜５−２４）
上述のようにして求めたＬ０層単独の反射率１４％を前提として、２層の光情報記録媒体のＬ１層の透過率に対するＬ０層の反射率を計算により求めた。その結果を表４および図９Ｂに示す。ここで、Ｌ１層の透過率をＴとすると、Ｌ０層の反射率Ｒは下記（１）式を用い計算した。
Ｒ＝１４％（Ｌ０層単独の反射率）×Ｔ2 （１）
上述のようにして求めたＬ０層単独の反射率１４％を前提として、２層の光情報記録媒体のＬ１層の透過率に対するＬ０層の反射率を計算により求めた。その結果を表４および図９Ｂに示す。ここで、Ｌ１層の透過率をＴとすると、Ｌ０層の反射率Ｒは下記（１）式を用い計算した。
Ｒ＝１４％（Ｌ０層単独の反射率）×Ｔ2 （１）
表４は、試験例５−１３〜５−２４の光情報記録媒体のＬ０層単独の反射率、Ｌ１層の透過率およびＬ０層の反射率を示す。
図９Ｂから、２層の光情報記録媒体のＬ１層の反射率を４％以上にするためには、Ｌ１層の透過率は５５％以上とする必要があることがわかる。ここで、Ｌ１層の反射率４％は、民生用の２層対応ドライブ装置を用いて情報信号を再生するために必要な反射率の下限値である。
＜６．４層の光情報記録媒体の透過率範囲＞
（試験例６−１〜６−９）
４層の光情報記録媒体のＬ１層のみの透過率を変化させたときのＬ０層のｉ−ＭＬＳＥを測定した。その結果を表５および図９Ｃに示す。ここで、Ｌ１の記録特性は今回の目的ではないので、Ｌ１層の透過率の調整は下記の条件の通り無機記録層の厚さの調整とした。
（試験例６−１〜６−９）
４層の光情報記録媒体のＬ１層のみの透過率を変化させたときのＬ０層のｉ−ＭＬＳＥを測定した。その結果を表５および図９Ｃに示す。ここで、Ｌ１の記録特性は今回の目的ではないので、Ｌ１層の透過率の調整は下記の条件の通り無機記録層の厚さの調整とした。
Ｌ１層の具体的な膜構成は下記のとおりである。
第１保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：７ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：２ｎｍ〜１３０ｎｍ
組成比：ａ＝２５、ｂ＝１０、ｃ＝４０、ｄ＝２５
第２保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
第１保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：７ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：２ｎｍ〜１３０ｎｍ
組成比：ａ＝２５、ｂ＝１０、ｃ＝４０、ｄ＝２５
第２保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：１０ｎｍ
Ｌ０層の具体的な膜構成は下記のとおりである。
第１保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：８ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：３０ｎｍ
組成比：ａ＝１０、ｂ＝３０、ｃ＝３０、ｄ＝３０
第２保護層
材料：ＴａＮ、厚さ：１０ｎｍ
第１保護層
材料：ＩＴＯ、厚さ：８ｎｍ
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ、厚さ：３０ｎｍ
組成比：ａ＝１０、ｂ＝３０、ｃ＝３０、ｄ＝３０
第２保護層
材料：ＴａＮ、厚さ：１０ｎｍ
表５は、試験例６−１〜６−９の光情報記録媒体のＬ１層の透過率およびＬ０層のｉ−ＭＬＳＥ値を示す。
図９Ｃから、Ｌ０層のｉ−ＭＬＳＥ値を１１％以下とするためには、Ｌ１層の透過率を５５％以上とする必要があることがわかる。ここで、ｉ−ＭＬＳＥ値１１％は、民生用のドライブ装置によりエラー訂正可能な上限値である。Ｌ１層の透過率が低い場合には、Ｌ０層の信号量が低下するため、再生するに十分なＳ／Ｎが得られないからであると考えられる。よって、Ｌ１の透過率は高い方がＬ０層の信号特性は良くなる。
以上により、２層や４層などの多層の光情報記録媒体では、Ｌ１層以上の情報信号層（Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層、・・・・）の透過率は、５５％以上とすることが好ましいことがわかる。
（試験例７−１）
Ｌ２層の代わりにＬ１層として、Ｌ１層の無機記録層、第１保護層および第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして情報記録媒体を得た。
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ（Ｗ：Ｐｄ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２５：１０：４０：ｄ＝２５）
厚さ：４０ｎｍ
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
消衰係数ｋ：０.００
厚さ：７ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
消衰係数ｋ：０．００
厚さ：８ｎｍ
Ｌ２層の代わりにＬ１層として、Ｌ１層の無機記録層、第１保護層および第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例１−１と同様にして情報記録媒体を得た。
無機記録層
材料：ＷＺＣＰＯ（Ｗ：Ｐｄ：Ｃｕ：Ｚｎ＝２５：１０：４０：ｄ＝２５）
厚さ：４０ｎｍ
第１保護層（下側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
消衰係数ｋ：０.００
厚さ：７ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳＩＺ（ＳｉＯ2：Ｉｎ2Ｏ3：ＺｒＯ2＝４０：３０：４０（ｍｏｌ％））
消衰係数ｋ：０．００
厚さ：８ｎｍ
（試験例７−２）
Ｌ１層の第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：８ｎｍ
Ｌ１層の第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：８ｎｍ
（試験例７−３）
Ｌ１層の第１保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：７ｎｍ
Ｌ１層の第１保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：７ｎｍ
（試験例７−４）
Ｌ１層の第１保護層および第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：７ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：８ｎｍ
Ｌ１層の第１保護層および第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：７ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＩＴＯ（ＳｎＯ2：Ｉｎ2Ｏ3＝１０：９０（質量％））
消衰係数ｋ：０．０７
厚さ：８ｎｍ
（試験例７−５）
Ｌ１層の第１保護層および第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＳｉＮ（不完全窒化物）
消衰係数ｋ：０．２８
厚さ：７ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳｉＮ（不完全窒化物）
消衰係数ｋ：０．２８
厚さ：８ｎｍ
Ｌ１層の第１保護層および第２保護層の構成を以下のようにした以外は試験例７−１と同様にして情報記録媒体を得た。
第１保護層（下側）
材料：ＳｉＮ（不完全窒化物）
消衰係数ｋ：０．２８
厚さ：７ｎｍ
第２保護層（上側）
材料：ＳｉＮ（不完全窒化物）
消衰係数ｋ：０．２８
厚さ：８ｎｍ
（試験例７−６）
Ｌ１層の無機記録層の構成を以下のようにした以外は試験例７−４と同様にして情報記録媒体を得た。
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
Ｌ１層の無機記録層の構成を以下のようにした以外は試験例７−４と同様にして情報記録媒体を得た。
材料：Ｉｎ2Ｏ3−ＰｄＯ（Ｉｎ：Ｐｄ＝７０：３０（原子比率（原子％））
成膜方法：ＤＣスパッタリング法（Ｏ2リアクティブスパッタ）
厚さ：４０ｎｍ
（記録前後の透過率変化率）
上述のようにして得られた試験例７−１〜７−６の光情報記録媒体のＬ１層の透過率変化率を以下のようにして求めた。Ｌ１未記録時のＬ０反射率をＲ、Ｌ１記録時のＬ０反射率をＲ´、Ｌ１未記録時のＬ１透過率をＴ、Ｌ１記録時のＬ１透過率をＴとすると、記録前後の透過率変化率αは、前記（１）式とから下記（２）式で表すことができる。
α＝（Ｔ´／Ｔ）−１＝（Ｒ´／Ｒ）1/2−１ （２）
その結果を表６および図１０に示す。
上述のようにして得られた試験例７−１〜７−６の光情報記録媒体のＬ１層の透過率変化率を以下のようにして求めた。Ｌ１未記録時のＬ０反射率をＲ、Ｌ１記録時のＬ０反射率をＲ´、Ｌ１未記録時のＬ１透過率をＴ、Ｌ１記録時のＬ１透過率をＴとすると、記録前後の透過率変化率αは、前記（１）式とから下記（２）式で表すことができる。
α＝（Ｔ´／Ｔ）−１＝（Ｒ´／Ｒ）1/2−１ （２）
その結果を表６および図１０に示す。
表６および図１０は、試験例７−１〜７−６の光情報記録媒体の記録前後の透過率変化率の評価結果を示す。
表６および図１０から以下のことがわかる。
第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合には、第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＳＩＺ（ｋ＝０．００）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化を抑制することができる。
第１保護層（下側）の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合には、第２保護層（上側）の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化を抑制することができる。
第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合には、第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化を抑制することができる。
さらに第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＳｉＮ（ｋ＝０．２８）を用いた場合には、第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化をさらに抑制することができる。
以上により、記録前後の透過率変化を抑制する観点からすると、第１保護層および第２保護層の一方の材料、特に第１保護層（下側）の材料として消衰係数ｋが０．０５以上の材料（例えばＩＴＯ、ＳｉＮ）を用いることが好ましく、第１保護層および第２保護層の両方の材料として消衰係数ｋが０．０５以上の材料（例えばＩＴＯ）を用いることが、保存信頼性の観点より好ましい。ここで、透過率変化率の好ましい範囲として、α＝３％以下とした。４層媒体の場合には、最奥層以外の透過情報信号層が３層あり、トータルでＬ０層への影響を１０％以下とすると、各層３％以下でなくてはならない。Ｌ０層への透過率の影響が１０％以上となると、最奥層以外の上の情報信号層が全て記録されている部分と記録されていな部分でのＬ０層の実効記録パワーが大きく異なり、最適な記録状態から大きくずれることで信号悪化となるからである。
第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合には、第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＳＩＺ（ｋ＝０．００）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化を抑制することができる。
第１保護層（下側）の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合には、第２保護層（上側）の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化を抑制することができる。
第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合には、第１保護層および第２保護層の一方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化を抑制することができる。
さらに第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＳｉＮ（ｋ＝０．２８）を用いた場合には、第１保護層および第２保護層の両方の材料としてＩＴＯ（ｋ＝０．０７）を用いた場合に比して記録前後の透過率変化をさらに抑制することができる。
以上により、記録前後の透過率変化を抑制する観点からすると、第１保護層および第２保護層の一方の材料、特に第１保護層（下側）の材料として消衰係数ｋが０．０５以上の材料（例えばＩＴＯ、ＳｉＮ）を用いることが好ましく、第１保護層および第２保護層の両方の材料として消衰係数ｋが０．０５以上の材料（例えばＩＴＯ）を用いることが、保存信頼性の観点より好ましい。ここで、透過率変化率の好ましい範囲として、α＝３％以下とした。４層媒体の場合には、最奥層以外の透過情報信号層が３層あり、トータルでＬ０層への影響を１０％以下とすると、各層３％以下でなくてはならない。Ｌ０層への透過率の影響が１０％以上となると、最奥層以外の上の情報信号層が全て記録されている部分と記録されていな部分でのＬ０層の実効記録パワーが大きく異なり、最適な記録状態から大きくずれることで信号悪化となるからである。
（試験例８−１〜８−７）
第１保護層および第２保護層の消衰係数の値（ｋ＝０〜２）を変化させて、情報信号の記録前後における透過率差をシミュレーションにより求めた。なお、記録層の材料としてはＷＺＣＰＯを想定し、シミュレーションとしては多重干渉法を用いた。
第１保護層および第２保護層の消衰係数の値（ｋ＝０〜２）を変化させて、情報信号の記録前後における透過率差をシミュレーションにより求めた。なお、記録層の材料としてはＷＺＣＰＯを想定し、シミュレーションとしては多重干渉法を用いた。
表７は、情報信号の記録前におけるシミュレーションの設定条件を示す。
表８は、情報信号の記録後におけるシミュレーションの設定条件を示す。
なお、記録後には記録層に酸素の空孔が生成されることを考慮して、情報信号の記録前後で記録層の消衰係数ｋおよび屈折率ｎの値を仮定し、消衰係数ｋのみ変化させた。なお、その他の記録前の記録層や、第１保護層および第２保護層、中間層、ＰＳＡ（Pressure Sensitive Adhesive）の消衰係数ｋおよび屈折率ｎは実測値である。
表９および図１１は、シミュレーションの結果を示す。
表９および図１１から以下のことがわかる。
消衰係数が大きくなるに従って、情報信号の記録前後における透過率差が減少する傾向がある。なお、表９および図１１に示す透過率差の値（シミュレーション値）と、表６および図１０に示した透過率差の値（実験値）との間に違いがあるのは、シミュレーションではランドおよびグルーブの存在、および記録マークの大きさを考慮していないことと、実際には記録時に記録層の膨張もあるが、光学シミュレーションでは考慮していないためである。この結果からは、ＷＰＯ記録層に隣接する保護層の消衰係数が大きくなるほど、記録前後での情報信号層の透過率変動が小さくなることがよく分かる。
また、ＷＰＯ（Ｗ酸化物とＰｄ酸化物の混合物）主体の記録層では、記録時の酸素空孔の割合を面積比３０％としたが、ＩＰＯ（Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物の混合物）主体の記録層では、記録時の酸素空孔がＷＰＯよりも大きくなることから、記録前後の透過率変化がより大きくなるので、透過率変動抑制の観点からは、ＷＰＯ材料、好ましくはＷＺＣＰＯを記録層に用いることが好ましい。
消衰係数が大きくなるに従って、情報信号の記録前後における透過率差が減少する傾向がある。なお、表９および図１１に示す透過率差の値（シミュレーション値）と、表６および図１０に示した透過率差の値（実験値）との間に違いがあるのは、シミュレーションではランドおよびグルーブの存在、および記録マークの大きさを考慮していないことと、実際には記録時に記録層の膨張もあるが、光学シミュレーションでは考慮していないためである。この結果からは、ＷＰＯ記録層に隣接する保護層の消衰係数が大きくなるほど、記録前後での情報信号層の透過率変動が小さくなることがよく分かる。
また、ＷＰＯ（Ｗ酸化物とＰｄ酸化物の混合物）主体の記録層では、記録時の酸素空孔の割合を面積比３０％としたが、ＩＰＯ（Ｉｎ酸化物とＰｄ酸化物の混合物）主体の記録層では、記録時の酸素空孔がＷＰＯよりも大きくなることから、記録前後の透過率変化がより大きくなるので、透過率変動抑制の観点からは、ＷＰＯ材料、好ましくはＷＺＣＰＯを記録層に用いることが好ましい。
（試験例９−１〜９−１１）
第１保護層および第２保護層の消衰係数の値（ｋ＝０〜１）を変化させて、透過率をシミュレーションにより求めた。なお、シミュレーションとしては多重干渉法を用いた。
第１保護層および第２保護層の消衰係数の値（ｋ＝０〜１）を変化させて、透過率をシミュレーションにより求めた。なお、シミュレーションとしては多重干渉法を用いた。
表１０は、シミュレーションの設定条件を示す。
表１１および図１２は、シミュレーションの結果を示す。
表１１および図１２から以下のことがわかる。
第１保護層および第２保護層の消衰係数の値を０．６以下にすることにより、透過率を５５％以上にできることがわかる。
つまり、最奥層以外の情報信号層に求められる特性は、（１）記録前後での透過率変動の抑制と、（２）高透過率、であるが、（１）に対しては保護層の消衰係数が大きい方が好ましく、一方（２）に対しては保護層の消衰係数は小さい方がよいことが分かった。特に多層媒体になった場合には、その好ましい消衰係数の範囲は、０．０５以上０．６以下である。
第１保護層および第２保護層の消衰係数の値を０．６以下にすることにより、透過率を５５％以上にできることがわかる。
つまり、最奥層以外の情報信号層に求められる特性は、（１）記録前後での透過率変動の抑制と、（２）高透過率、であるが、（１）に対しては保護層の消衰係数が大きい方が好ましく、一方（２）に対しては保護層の消衰係数は小さい方がよいことが分かった。特に多層媒体になった場合には、その好ましい消衰係数の範囲は、０．０５以上０．６以下である。
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、この発明の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、上述の実施形態では、情報記録媒体が４層の情報信号層を備える場合を例として説明したが、情報信号層の層数はこれに限定されるものではなく、情報信号層は２層以上の任意の層数とすることが可能である。
また、上述の実施形態では、基板上に２以上の情報信号層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザ光を情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に２以上の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザ光を２以上の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体、または２枚の基板の間に２以上の情報信号層が設けられた構成を有し、一方の基板の側からレーザ光を情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体に対しても本技術は適用可能である。
また、上述の実施形態では、スパッタリング法により光情報記録媒体の各層を形成する場合を例として説明したが、成膜方法はこれに限定されるものではなく、他の成膜方法を用いてもよい。他の成膜方法としては、例えば、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、光ＣＶＤなどのＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition（化学蒸着法）：化学反応を利用して気相から薄膜を析出させる技術）のほか、真空蒸着、プラズマ援用蒸着、イオンプレーティングなどのＰＶＤ法（Physical Vapor Deposition（物理蒸着法）：真空中で物理的に気化させた材料を基板上に凝集させ、薄膜を形成する技術）などを用いることができる。
１ 基板
２ 光透過層
３ ハードコート層
４ バリア層
１０ 光情報記録媒体
１１ 無機記録層
１２ 第１保護層
１３ 第２保護層
Ｌ０〜Ｌ３ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓ３ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面
２ 光透過層
３ ハードコート層
４ バリア層
１０ 光情報記録媒体
１１ 無機記録層
１２ 第１保護層
１３ 第２保護層
Ｌ０〜Ｌ３ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓ３ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面
Claims (8)
- 基板と、
上記基板上に設けられた２層以上の情報信号層と、
上記情報信号層上に設けられたカバー層と
を備え、
上記基板および上記カバー層の側のいずれか一方の表面が、上記２層以上の情報信号層に情報信号を記録するための光が照射される光照射面であり、
上記光照射面から最も奥側となる情報信号層以外の情報信号層のうちの少なくとも１層が、
Ｗ酸化物、およびＰｄ酸化物を含む無機記録層と、
上記無機記録層の第１の主面に設けられた第１保護層と、
上記無機記録層の第２の主面に設けられた第２保護層と
を備え、
上記第１保護層および上記第２保護層の少なくとも一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層である光情報記録媒体。 - 上記消衰係数を有する層が、Ｉｎ酸化物およびＳｎ酸化物の混合物、または窒化ケイ素を主成分とする請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記第１保護層および上記第２保護層のうちの一方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であり、他方が０以上０．６以下の消衰係数を有する層である請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記第１保護層および上記第２保護層のうち、上記光照射面とは反対側となる層が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層である請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記第１保護層および上記第２保護層の両方が、０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層である請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記第１保護層および上記第２保護層の一方が０．０５以上０．６以下の消衰係数を有する層であり、他方がＳｉ酸化物、Ｉｎ酸化物、およびＺｒ酸化物の複合酸化物、またはＩｎ酸化物、Ｇａ酸化物、およびＺｎ酸化物の複合酸化物を主成分として含む層である請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記無機記録層が、Ｃｕ酸化物をさらに含んでいる請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記無機記録層が、Ｚｎ酸化物をさらに含んでいる請求項７記載の光情報記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011022183A JP5760464B2 (ja) | 2011-02-03 | 2011-02-03 | 光情報記録媒体 |
| TW100147850A TW201246205A (en) | 2011-02-03 | 2011-12-21 | Optical information recording medium |
| CN201210019002.6A CN102629479B (zh) | 2011-02-03 | 2012-01-20 | 光信息记录介质 |
| US13/358,000 US8642152B2 (en) | 2011-02-03 | 2012-01-25 | Optical information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011022183A JP5760464B2 (ja) | 2011-02-03 | 2011-02-03 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012164374A JP2012164374A (ja) | 2012-08-30 |
| JP5760464B2 true JP5760464B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=46587727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011022183A Active JP5760464B2 (ja) | 2011-02-03 | 2011-02-03 | 光情報記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8642152B2 (ja) |
| JP (1) | JP5760464B2 (ja) |
| CN (1) | CN102629479B (ja) |
| TW (1) | TW201246205A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5793881B2 (ja) * | 2011-02-03 | 2015-10-14 | ソニー株式会社 | 光情報記録媒体 |
| JP6201377B2 (ja) * | 2013-04-01 | 2017-09-27 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
| CN105793056B (zh) * | 2013-12-04 | 2019-10-29 | 索尼公司 | 用于光记录介质的记录层和光记录介质 |
| JP6838558B2 (ja) * | 2015-12-01 | 2021-03-03 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
| TWI722142B (zh) * | 2016-04-08 | 2021-03-21 | 日商新力股份有限公司 | 光記錄媒體及其製造方法、光記錄媒體用記錄層 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW556185B (en) * | 2000-08-17 | 2003-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recording medium and the manufacturing method thereof, record reproduction method and record reproduction device |
| JP4194064B2 (ja) * | 2001-03-15 | 2008-12-10 | 株式会社リコー | 相変化型光情報記録媒体 |
| JP2003178487A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Hitachi Ltd | 情報記録媒体および製造方法 |
| JP4086689B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2008-05-14 | 松下電器産業株式会社 | 光学的情報記録媒体とその製造方法 |
| JP2003317315A (ja) * | 2002-04-19 | 2003-11-07 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP2005022409A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録媒体とその製造方法 |
| JP2005135568A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 情報記録媒体とその製造方法、およびスパッタリングターゲット |
| JP2005178085A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JP5151418B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2013-02-27 | ソニー株式会社 | 追記型光記録媒体およびその製造方法 |
| JP4969625B2 (ja) | 2008-11-12 | 2012-07-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 光情報記録媒体 |
| JP2010218636A (ja) | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Sony Corp | 光記録媒体の製造方法、光記録媒体 |
| EP2479751B1 (en) * | 2009-09-18 | 2017-04-26 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Recording layer for optical information recording medium, optical information recording medium, and sputtering target |
-
2011
- 2011-02-03 JP JP2011022183A patent/JP5760464B2/ja active Active
- 2011-12-21 TW TW100147850A patent/TW201246205A/zh unknown
-
2012
- 2012-01-20 CN CN201210019002.6A patent/CN102629479B/zh active Active
- 2012-01-25 US US13/358,000 patent/US8642152B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8642152B2 (en) | 2014-02-04 |
| TW201246205A (en) | 2012-11-16 |
| CN102629479B (zh) | 2016-11-02 |
| US20120201993A1 (en) | 2012-08-09 |
| CN102629479A (zh) | 2012-08-08 |
| JP2012164374A (ja) | 2012-08-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140107 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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