JP5799742B2 - 光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体 - Google Patents
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Description
本技術は、光情報記録媒体用記録層、および光情報記録媒体に関する。詳しくは、金属酸化物を含む光情報記録媒体用記録層およびそれを備える光情報記録媒体に関する。
これまでＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などが光情報記録媒体の市場を牽引してきた。しかし、近年では、テレビのハイビジョン化やＰＣ（Personal Computer）で取り扱うデータの急激な増大に伴い、光情報記録媒体の更なる大容量化が求められている。この要求に応えるべく、ＢＤ（Blu-ray Disc（登録商標））などの青色レーザに対応した大容量の光情報記録媒体が登場し、新たな大容量の光情報記録媒体の市場が立ち上がりつつある。
記録可能な光情報記録媒体としては、ＣＤ−ＲＷ(Compact Disc-ReWritable)、ＤＶＤ±ＲＷ(Digital Versatile Disc±ReWritable)に代表される書換型の光情報記録媒体と、ＣＤ−Ｒ（Compact Disc-Recordable）やＤＶＤ−Ｒ（Digital Versatile Disc-Recordable）に代表される追記型の光情報記録媒体とがあるが、特に、後者は低価格メディアとして市場の拡大に大きく貢献してきた。したがって、青色レーザに対応した大容量の光情報記録媒体においても、市場を拡大させるためには、追記型の光情報記録媒体の低価格化が必要になると考えられる。さらに光情報記録媒体は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）やフラッシュメモリなどと比べて、その記録再生原理から保存信頼性が高いと一般的に言われており、重要情報の保管に使われ始めるなどアーカイバルメディアとしての需要が近年高くなっている。
追記型の光情報記録媒体に用いられる記録材料としては、無機材料と有機色素材料とがある。従来の追記型の光情報記録媒体では記録材料として有機色素材料が主に検討されてきたが、近年の大容量の光情報記録媒体では記録材料として無機材料も広く検討されている。
広く検討されている無機材料として、パラジウム酸化物を主成分の一つとして含むものがある。例えば特許文献１では、亜鉛（Ｚｎ）またはアルミニウム（Ａｌ）と、パラジウム（Ｐｄ）と、酸素（Ｏ）とを主成分として含む無機記録層が提案されている。
しかし、パラジウムは産出量がごく少ない貴金属であるため、記録材料がパラジウム酸化物を主成分の一つとして含んでいると、光情報記録媒体の低価格化が困難となる。このため、パラジウムの含有量を低減しても、またはパラジウムを含有しなくとも、十分良好な記録特性を得ることができる記録層の実現が望まれる。
したがって、本技術の目的は、パラジウムの含有量を低減しても、またはパラジウムを含有しなくとも、十分良好な記録特性を得ることができる光情報記録媒体用記録層およびそれを備える光情報記録媒体を提供することにある。
本技術者らは、従来技術が有する上述の問題を解決すべく、鋭意検討した結果、パラジウムの含有量を低減しても、またはパラジウムを含有しなくとも、十分良好な記録特性を得ることができる金属Ｘと金属Ｙとの組み合わせを見出すに至った。
すなわち、第１の技術は、
光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
記録層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体である。
光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
記録層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体である。
第２の技術は、
光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
複数の記録層のうちの少なくとも一層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体である。
光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
複数の記録層のうちの少なくとも一層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体である。
第３の技術は、
金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体用記録層である。
金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体用記録層である。
本技術では、１層または複数層の情報信号層は基板上に設けられ、情報信号層上にカバー層が設けられていることが好ましい。このカバー層の厚さは特に限定されるものではなく、カバー層には、基板、シート、コーティング層などが含まれる。高密度の光情報記録媒体としては、高ＮＡの対物レンズを用いることから、カバー層としてシート、コーティング層などの薄い光透過層を採用し、この光透過層の側から光を照射することにより情報信号の記録および再生が行われる構成を有するものが好ましい。この場合、基板としては、不透明性を有するものを採用することも可能である。情報信号を記録または再生するための光の入射面は、光情報記録媒体のフォーマットに応じてカバー層側および基板側の表面の少なくとも一方に適宜設定される。
本技術では、記録層は金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、金属Ｘはタングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、金属Ｙは銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である。これにより、パラジウムの含有量を低減しても、またはパラジウムを含有せずとも、十分良好な記録特性を得ることができる。
以上説明したように、本技術によれば、パラジウムの含有量を低減しても、またはパラジウムを含有しなくとも、十分良好な記録特性を得ることができる光情報記録媒体用記録層を実現できる。このような記録層を光情報記録媒体に備えることで、媒体の低価格化を実現できる。
本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
１．第１の実施形態（単一の情報信号層を備えた光情報記録媒体の例）
２．第２の実施形態（複数の情報信号層を備えた光情報記録媒体の例）
１．第１の実施形態（単一の情報信号層を備えた光情報記録媒体の例）
２．第２の実施形態（複数の情報信号層を備えた光情報記録媒体の例）
＜１．第１の実施形態＞
［光情報記録媒体の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体１０は、いわゆる単層の追記型光情報記録媒体であり、図１に示すように、情報信号層Ｌ、カバー層である光透過層２がこの順序で基板１の一主面に積層された構成を有する。
［光情報記録媒体の構成］
図１は、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。この光情報記録媒体１０は、いわゆる単層の追記型光情報記録媒体であり、図１に示すように、情報信号層Ｌ、カバー層である光透過層２がこの順序で基板１の一主面に積層された構成を有する。
この第１の実施形態に係る光情報記録媒体１０では、光透過層２側の表面Ｃからレーザ光を情報信号層Ｌに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層２の側から情報信号層Ｌに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光情報記録媒体１０としては、例えば単層のＢＤ−Ｒが挙げられる。以下では、情報信号層Ｌに情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される表面Ｃを光照射面Ｃと称する。
以下、光情報記録媒体１０を構成する基板１、情報信号層Ｌ、および光透過層２について順次説明する。
（基板）
基板１は、例えば、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
基板１は、例えば、中央に開口（以下センターホールと称する）が形成された円環形状を有する。この基板１の一主面は、例えば、凹凸面となっており、この凹凸面上に情報信号層Ｌ０が成膜される。以下では、凹凸面のうち凹部をイングルーブＧin、凸部をオングルーブＧonと称する。
このイングルーブＧinおよびオングルーブＧonの形状としては、例えば、スパイラル状、同心円状などの各種形状が挙げられる。また、イングルーブＧinおよび／またはオングルーブＧonが、例えば、線速度の安定化やアドレス情報付加などのためにウォブル（蛇行）されている。
基板１の径（直径）は、例えば１２０ｍｍに選ばれる。基板１の厚さは、剛性を考慮して選ばれ、好ましくは０．３ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、より好ましくは０．６ｍｍ以上１．３ｍｍ以下、例えば１．１ｍｍに選ばれる。また、センタホールの径（直径）は、例えば１５ｍｍに選ばれる。
基板１の材料としては、例えば、プラスチック材料またはガラスを用いることができ、コストの観点から、プラスチック材料を用いることが好ましい。プラスチック材料としては、例えば、ポリカーボネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂などを用いることができる。
（情報信号層）
情報信号層Ｌは、レーザ光の照射により情報信号を記録可能な無機記録層を少なくとも備える。情報信号層Ｌは、保存信頼性向上の観点からすると、無機記録層の少なくとも一方の表面に隣接して設けられた保護層をさらに備えることが好ましく、無機記録層の両方の表面に隣接して設けられた保護層をさらに備えることがより好ましい。以下に、情報信号層の具体例として、第１および第２の構成例について説明する。
情報信号層Ｌは、レーザ光の照射により情報信号を記録可能な無機記録層を少なくとも備える。情報信号層Ｌは、保存信頼性向上の観点からすると、無機記録層の少なくとも一方の表面に隣接して設けられた保護層をさらに備えることが好ましく、無機記録層の両方の表面に隣接して設けられた保護層をさらに備えることがより好ましい。以下に、情報信号層の具体例として、第１および第２の構成例について説明する。
（第１の構成例）
図２Ａは、情報信号層の第１の構成例を示す模式図である。図２Ａに示すように、情報信号層Ｌは、無機記録層１１からなる。このような単純な構成とすることで、光情報記録媒体１０を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。
図２Ａは、情報信号層の第１の構成例を示す模式図である。図２Ａに示すように、情報信号層Ｌは、無機記録層１１からなる。このような単純な構成とすることで、光情報記録媒体１０を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。
（無機記録層）
無機記録層１１は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含んでいることが好ましい。金属Ｘとしては、酸化物となった場合にほぼ透明であり、その酸化物の消衰係数ｋが０または０に近い材料を用いることが好ましい。さらに上述した特性を有する金属Ｘのうちでも、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。このような材料を用いて、金属Ｙの酸化物の記録時の熱膨張を大きすぎないようにすることで、十分に広い記録パワーマージンを確保したり、記録前後の透過率変動を抑制することができる。
無機記録層１１は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含んでいることが好ましい。金属Ｘとしては、酸化物となった場合にほぼ透明であり、その酸化物の消衰係数ｋが０または０に近い材料を用いることが好ましい。さらに上述した特性を有する金属Ｘのうちでも、タングステン（Ｗ）およびモリブデン（Ｍｏ）からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましい。このような材料を用いて、金属Ｙの酸化物の記録時の熱膨張を大きすぎないようにすることで、十分に広い記録パワーマージンを確保したり、記録前後の透過率変動を抑制することができる。
金属Ｙとしては、酸化物となった場合にある程度の吸収係数を有し、かつ、酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値が金属Ｘのそれよりも小さい材料を用いることが好ましい。このような材料を用いることで、無機記録層１１がレーザ光を吸収して熱に変換し、酸素が放出されて膨らむことができる。したがって、レーザ光の照射により情報信号の記録が可能となる。上述した特性を有する金属Ｙのうちでも、銅（Ｃｕ）、マンガン（Ｍｎ）、ニッケル（Ｎｉ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。金属Ｙとして上記以外の金属材料を用いた場合に比して、情報信号を記録するためのレーザ光の記録パワーを低減することができるからである。金属Ｙは、パワーマージン向上の観点からすると、Ｃｕを少なくとも含む金属であることが好ましく、より好ましくはＣｕである。具体的には、Ｃｕを少なくとも含む金属は、Ｍｎ、ＮｉおよびＡｇからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属と、Ｃｕとの組合せである。貴金属の含有量が低減された無機記録層１１、または貴金属を含まない無機記録層（貴金属レス記録層）１１を実現する観点からすると、金属Ｙは、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、比率（ａ／ｂ）は、好ましくは０．１≦ａ／ｂ≦２．７、より好ましくは０．２５≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす。比率（ａ／ｂ）が０．１以上であると、良好なパワーマージンを得ることができる。一方、比率（ａ／ｂ）が２．７以下であると、将来の民生用ドライブで情報信号を記録することができる。
もしくは、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、比率（ａ／ｂ）は、好ましくは０．１≦ａ／ｂ≦１．３、より好ましくは０．２５≦ａ／ｂ≦１．３の関係を満たす。比率（ａ／ｂ）が０．１以上であると、良好なパワーマージンを得ることができる。一方、比率（ａ／ｂ）が１．３以下であると、現在の民生用ドライブでも情報信号を記録することができる。
もしくは、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｘの原子比率をａ、金属Ｘおよび金属Ｙの合計に対する金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、比率（ａ／ｂ）は、好ましくは０．１≦ａ／ｂ≦１．３、より好ましくは０．２５≦ａ／ｂ≦１．３の関係を満たす。比率（ａ／ｂ）が０．１以上であると、良好なパワーマージンを得ることができる。一方、比率（ａ／ｂ）が１．３以下であると、現在の民生用ドライブでも情報信号を記録することができる。
無機記録層１１は、金属Ｚの酸化物として亜鉛（Ｚｎ）の酸化物をさらに含み、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物と金属Ｚの酸化物とを主成分としていることが好ましい。これにより、金属Ｙの酸化物の含有量を低減し、光情報記録媒体１０を低廉化することができるからである。特に、金属ＹがＡｇを含んでいる場合には、無機記録層１１は金属Ｚの酸化物を含んでいることが好ましい。これにより、貴金属であるＡｇの含有量を低減し、光情報記録媒体１０を低廉化することができるからである。金属Ｘ、金属Ｙおよび金属Ｚの合計に対する金属Ｚの原子比率をｃとしたとき、原子比率ｃは５０原子％以下であることが好ましい。原子比率ｃを５０原子％以下とすることで、保存信頼性の低下を抑制することができる。
無機記録層１１が副成分として、ＰｄやＰｔなどの高価な貴金属を副成分として微量に含んでいてもよいが、光情報記録媒体１０の低廉化の観点からすると、無機記録層１１がＰｄやＰｔなどの高価な貴金属を含まないことが好ましい。なお、第１の実施形態に係る光情報記録媒体１０では、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含んでさえいればよく、ＰｄやＰｔなどの高価な貴金属の添加は、光情報記録媒体１０の記録特性にほとんど影響を及ぼさない。なお、Ａｇは、ここで言う高価な貴金属からは除かれるものとする。
（第２の構成例）
図２Ｂは、情報信号層の第２の構成例を示す模式図である。図２Ｂに示すように、情報信号層Ｌは、例えば、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する無機記録層１１と、無機記録層１１の下側面に隣接して設けられた第１保護層１２と、無機記録層１１の上側面に隣接して設けられた第２保護層１３とを備える。このような構成とすることで、無機記録層１１の耐久性を向上することができる。ここで、上側面とは、無機記録層１１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下側面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
図２Ｂは、情報信号層の第２の構成例を示す模式図である。図２Ｂに示すように、情報信号層Ｌは、例えば、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する無機記録層１１と、無機記録層１１の下側面に隣接して設けられた第１保護層１２と、無機記録層１１の上側面に隣接して設けられた第２保護層１３とを備える。このような構成とすることで、無機記録層１１の耐久性を向上することができる。ここで、上側面とは、無機記録層１１の両主面のうち、情報信号を記録または再生するためのレーザ光が照射される側の主面をいい、下側面とは、上述のレーザ光が照射される側とは反対側の主面、すなわち基板側の主面をいう。
（無機記録層）
無機記録層１１としては、上述の第１の構成例と同様のものを用いることができる。
無機記録層１１としては、上述の第１の構成例と同様のものを用いることができる。
（保護層）
第１保護層１２および第２保護層１３としては、誘電体層または透明導電層を用いることが好ましく、第１保護層１２および第２保護層１３のうちの一方として誘電体層を用い、他方として透明導電層を用いることも可能である。誘電体層または透明導電層が酸素バリア層として機能することで、無機記録層１１の耐久性を向上することができる。また、無機記録層１１の酸素の逃避を抑制することで、記録膜の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制することができ、無機記録層１１として必要な膜質を確保することができる。
第１保護層１２および第２保護層１３としては、誘電体層または透明導電層を用いることが好ましく、第１保護層１２および第２保護層１３のうちの一方として誘電体層を用い、他方として透明導電層を用いることも可能である。誘電体層または透明導電層が酸素バリア層として機能することで、無機記録層１１の耐久性を向上することができる。また、無機記録層１１の酸素の逃避を抑制することで、記録膜の膜質の変化（主に反射率の低下として検出）を抑制することができ、無機記録層１１として必要な膜質を確保することができる。
第１保護層１２および第２保護層１３の材料としては、例えば、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物が挙げられる。第１保護層１２および第２保護層１３の材料としては、互いに同一または異なる材料を用いることができる。酸化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇからなる群から選ばれる１種以上の元素の酸化物が挙げられる。窒化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、ＴａおよびＺｎからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物、好ましくはＳｉ、ＧｅおよびＴｉからなる群から選ばれる１種以上の元素の窒化物が挙げられる。硫化物としては、例えば、Ｚｎ硫化物が挙げられる。炭化物としては、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物、好ましくはＳｉ、Ｔｉ、およびＷからなる群より選ばれる１種以上の元素の炭化物が挙げられる。フッ化物としては、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａからなる群より選ばれる１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、例えば、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ2−Ｉｎ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＩＺ）、ＳｉＯ2−Ｃｒ2Ｏ3−ＺｒＯ2（ＳＣＺ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2（ＩＴＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−ＣｅＯ2（ＩＣＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3（ＩＧＯ）、Ｉｎ2Ｏ3−Ｇａ2Ｏ3−ＺｎＯ（ＩＧＺＯ）、Ｓｎ2Ｏ3−Ｔａ2Ｏ5（ＴＴＯ）、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2などが挙げられる。
（光透過層）
光透過層２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層２は、例えば、紫外線硬化樹脂などの感光性樹脂を硬化してなる樹脂層である。この樹脂層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル系樹脂が挙げられる。また、円環形状を有する光透過性シートと、この光透過性シートを基板１に対して貼り合わせるための接着層とから光透過層２を構成するようにしてもよい。光透過性シートは、記録および再生に用いられるレーザ光に対して、吸収能が低い材料からなることが好ましく、具体的には透過率９０パーセント以上の材料からなることが好ましい。光透過性シートの材料としては、例えば、ポリカーボネート樹脂材料、ポリオレフィン系樹脂（例えばゼオネックス（登録商標））などを用いることができる。接着層の材料としては、例えば、紫外線硬化樹脂、感圧性粘着剤（ＰＳＡ：Pressure Sensitive Adhesive）などを用いることができる。
光透過層２の厚さは、好ましくは１０μｍ以上１７７μｍ以下の範囲内から選ばれ、例えば１００μｍに選ばれる。このような薄い光透過層２と、例えば０．８５程度の高ＮＡ(numerical aperture)化された対物レンズとを組み合わせることによって、高密度記録を実現することができる。
［光情報記録媒体の製造方法］
次に、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。
次に、本技術の第１の実施形態に係る光情報記録媒体の製造方法の一例について説明する。
（基板の成形工程）
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
まず、一主面に凹凸面が形成された基板１を成形する。基板１の成形の方法としては、例えば、射出成形（インジェクション）法、フォトポリマー法（２Ｐ法：Photo Polymerization）などを用いることができる。
（情報信号層の形成工程）
次に、例えばスパッタ法により、基板１上に情報信号層Ｌを形成する。情報信号層Ｌの具体的な形成工程は、情報信号層Ｌの構成により異なる。例えば、情報信号層Ｌとして上述の第１の構成例に示したものを採用する場合には、基板１上に無機記録層１１を形成することにより、情報信号層Ｌが形成される。また、情報信号層Ｌとして上述の第２の構成例に示したものを採用する場合には、基板１上に第１保護層１２、無機記録層１１、第２保護層１３を順次積層することにより、情報信号層Ｌが形成される。
以下に、第１保護層１２、無機記録層１１、および第２保護層１３の形成工程について具体的に説明する。
次に、例えばスパッタ法により、基板１上に情報信号層Ｌを形成する。情報信号層Ｌの具体的な形成工程は、情報信号層Ｌの構成により異なる。例えば、情報信号層Ｌとして上述の第１の構成例に示したものを採用する場合には、基板１上に無機記録層１１を形成することにより、情報信号層Ｌが形成される。また、情報信号層Ｌとして上述の第２の構成例に示したものを採用する場合には、基板１上に第１保護層１２、無機記録層１１、第２保護層１３を順次積層することにより、情報信号層Ｌが形成される。
以下に、第１保護層１２、無機記録層１１、および第２保護層１３の形成工程について具体的に説明する。
（第１保護層の成膜工程）
まず、基板１を、第１保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板１上に第１保護層１２を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
まず、基板１を、第１保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、基板１上に第１保護層１２を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
（無機記録層の成膜工程）
次に、基板１を、無機記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、第１保護層１２上に無機記録層１１を成膜する。
次に、基板１を、無機記録層成膜用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、第１保護層１２上に無機記録層１１を成膜する。
（無機記録層成膜用のターゲット）
無機記録層成膜用のターゲットとしては、金属Ｘおよび金属Ｙを主成分とする金属ターゲット、金属Ｘの酸化物および金属Ｙの酸化物を主成分とする金属酸化物ターゲットを用いることができ、直流スパッタ法により成膜可能である、金属Ｘおよび金属Ｙを主成分とした金属ターゲットを用いることが好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。これらのターゲットにおいて、金属Ｙの原子比率ｂに対する金属Ｘの原子比率ａの比率（ａ／ｂ）は、上述の無機記録層１１の比率（ａ／ｂ）と同様にすることが好ましい。
無機記録層成膜用のターゲットとしては、金属Ｘおよび金属Ｙを主成分とする金属ターゲット、金属Ｘの酸化物および金属Ｙの酸化物を主成分とする金属酸化物ターゲットを用いることができ、直流スパッタ法により成膜可能である、金属Ｘおよび金属Ｙを主成分とした金属ターゲットを用いることが好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。これらのターゲットにおいて、金属Ｙの原子比率ｂに対する金属Ｘの原子比率ａの比率（ａ／ｂ）は、上述の無機記録層１１の比率（ａ／ｂ）と同様にすることが好ましい。
無機記録層成膜用のターゲットとして、金属Ｚとして亜鉛（Ｚｎ）をさらに含む金属ターゲット、金属Ｚの酸化物として亜鉛（Ｚｎ）の酸化物をさらに含む金属酸化物ターゲットを用いるようにしてもよい。すなわち、無機記録層成膜用のターゲットとして、金属Ｘ、金属Ｙおよび金属Ｚを主成分とする金属ターゲット、金属Ｘの酸化物、金属Ｙの酸化物および金属Ｚの酸化物を主成分とする金属酸化物ターゲットを用いるようにしてもよい。これらのターゲットのうちでも、生産性を考慮すると、直流スパッタ法により成膜可能である、金属Ｘ、金属Ｙおよび金属Ｚを主成分とする金属ターゲットを用いることが好ましい。
（第２保護層の成膜工程）
次に、基板１を、第２保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、無機記録層１１上に第２保護層１３を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１上に情報信号層Ｌが形成される。
次に、基板１を、第２保護層形成用のターゲットが備えられた真空チャンバー内に搬送し、真空チャンバー内を所定の圧力になるまで真空引きする。その後、真空チャンバー内にＡｒガスやＯ2ガスなどのプロセスガスを導入しながら、ターゲットをスパッタして、無機記録層１１上に第２保護層１３を成膜する。スパッタ法としては、例えば高周波（ＲＦ）スパッタ法、直流（ＤＣ）スパッタ法を用いることができるが、特に直流スパッタ法が好ましい。直流スパッタ法は高周波スパッタ法に比して成膜レートが高いため、生産性を向上することができるからである。
以上により、基板１上に情報信号層Ｌが形成される。
（光透過層の形成工程）
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌ上に光透過層２が形成される。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体が得られる。
次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌ上に光透過層２が形成される。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体が得られる。
（効果）
第１の実施形態によれば、無機記録層１１は金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含んでいる（但し、金属Ｘはタングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、金属Ｙは銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である。）。したがって、Ｐｄの含有量を低減してＰｄの酸化物を副成分としても、またはＰｄを含有しなくとも、Ｐｄの酸化物を主成分の一つとして含む場合とほぼ同様の記録特性を維持できる。よって、Ｐｄの酸化物を主成分の一つとして含む場合とほぼ同様の記録特性を維持しつつ、媒体を低廉化することができる。
第１の実施形態によれば、無機記録層１１は金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含んでいる（但し、金属Ｘはタングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、金属Ｙは銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である。）。したがって、Ｐｄの含有量を低減してＰｄの酸化物を副成分としても、またはＰｄを含有しなくとも、Ｐｄの酸化物を主成分の一つとして含む場合とほぼ同様の記録特性を維持できる。よって、Ｐｄの酸化物を主成分の一つとして含む場合とほぼ同様の記録特性を維持しつつ、媒体を低廉化することができる。
＜２．第２の実施形態＞
［光情報記録媒体の構成］
図３は、本技術の第２の実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この光情報記録媒体２０は、いわゆる多層の追記型光情報記録媒体であり、図３に示すように、情報信号層Ｌ０、中間層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層２がこの順序で基板１の一主面に積層された構成を有する。
［光情報記録媒体の構成］
図３は、本技術の第２の実施形態に係る光情報記録媒体の一構成例を示す概略断面図である。第２の実施形態において第１の実施形態と同様の箇所には同一の符号を付して説明を省略する。この光情報記録媒体２０は、いわゆる多層の追記型光情報記録媒体であり、図３に示すように、情報信号層Ｌ０、中間層Ｓ１、情報信号層Ｌ１、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎ、カバー層である光透過層２がこの順序で基板１の一主面に積層された構成を有する。
この第２の実施形態に係る光情報記録媒体２０では、光透過層２側の光照射面Ｃからレーザ光を各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。例えば、４００ｎｍ以上４１０ｎｍ以下の範囲の波長を有するレーザ光を、０．８４以上０．８６以下の範囲の開口数を有する対物レンズにより集光し、光透過層２の側から各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに照射することにより、情報信号の記録または再生が行われる。このような光情報記録媒体２０としては、例えば多層のＢＤ−Ｒが挙げられる。
（情報信号層）
情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、レーザ光の照射により情報信号を記録可能な無機記録層を少なくとも備える。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、保存信頼性向上の観点からすると、無機記録層の少なくとも一方の表面に保護層をさらに備えることが好ましく、無機記録層の両方の表面に保護層を備えることがより好ましい。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの層構成は、全ての層で同一の構成としてもよく、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよいが、生産性の観点からすると、全ての層で同一の層構成とすることが好ましい。
以下に、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの具体例として、第１および第２の構成例について説明する。
情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、レーザ光の照射により情報信号を記録可能な無機記録層を少なくとも備える。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、保存信頼性向上の観点からすると、無機記録層の少なくとも一方の表面に保護層をさらに備えることが好ましく、無機記録層の両方の表面に保護層を備えることがより好ましい。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの層構成は、全ての層で同一の構成としてもよく、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて層構成を変えるようにしてもよいが、生産性の観点からすると、全ての層で同一の層構成とすることが好ましい。
以下に、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの具体例として、第１および第２の構成例について説明する。
（第１の構成例）
図４Ａは、各情報信号層の第１の構成例を示す模式図である。図４Ａに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、無機記録層２１からなる。このような単純な構成とすることで、光情報記録媒体１０を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。このような効果は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの層数が多い媒体ほど、顕著となる。
図４Ａは、各情報信号層の第１の構成例を示す模式図である。図４Ａに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、無機記録層２１からなる。このような単純な構成とすることで、光情報記録媒体１０を低廉化し、かつ、その生産性を向上することができる。このような効果は、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの層数が多い媒体ほど、顕著となる。
（無機記録層）
無機記録層２１としては、上述の第１の実施形態における無機記録層１１と同様のものを用いることができる。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに含まれる無機記録層２１のすべてが、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分としていることが好ましい。これにより、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに含まれるＰｄの含有量を低減できる、またはＰｄを含まない情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを提供できる、という利点が得られる。また、金属Ｘのターゲットと金属Ｙのターゲットとをコスパッタすることにより、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎをすべて成膜することができるので、製造設備を簡略化できる、という利点も得られる。各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの無機記録層２１の比率（ａ／ｂ）を、各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに求められる記録特性や光学特性（例えば記録感度および透過特性）に応じて調整することが好ましい。この場合に、比率（ａ／ｂ）が大きいほど透過率が高く、また記録感度が低下する傾向がある。
無機記録層２１としては、上述の第１の実施形態における無機記録層１１と同様のものを用いることができる。情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに含まれる無機記録層２１のすべてが、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分としていることが好ましい。これにより、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに含まれるＰｄの含有量を低減できる、またはＰｄを含まない情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを提供できる、という利点が得られる。また、金属Ｘのターゲットと金属Ｙのターゲットとをコスパッタすることにより、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎをすべて成膜することができるので、製造設備を簡略化できる、という利点も得られる。各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎの無機記録層２１の比率（ａ／ｂ）を、各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎに求められる記録特性や光学特性（例えば記録感度および透過特性）に応じて調整することが好ましい。この場合に、比率（ａ／ｂ）が大きいほど透過率が高く、また記録感度が低下する傾向がある。
（第２の構成例）
図４Ｂは、各情報信号層の第２の構成例を示す模式図である。図４Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する無機記録層２１と、無機記録層２１の下側面に隣接して設けられた第１保護層２２と、無機記録層２１の上側面に隣接して設けられた第２保護層２３とを備える。このような構成とすることで、無機記録層２１の耐久性を向上することができる。
図４Ｂは、各情報信号層の第２の構成例を示す模式図である。図４Ｂに示すように、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎは、例えば、上側面（第２の主面）および下側面（第１の主面）を有する無機記録層２１と、無機記録層２１の下側面に隣接して設けられた第１保護層２２と、無機記録層２１の上側面に隣接して設けられた第２保護層２３とを備える。このような構成とすることで、無機記録層２１の耐久性を向上することができる。
（無機記録層）
無機記録層２１としては、上述の第１の構成例と同様のものを用いることができる。
無機記録層２１としては、上述の第１の構成例と同様のものを用いることができる。
（保護層）
第１保護層２２および第２保護層２３としてはそれぞれ、上述の第１の実施形態における第１保護層１２および第２保護層１３と同様のものを用いることができる。各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて、第１保護層２２および第２保護層２３の材料およびその組成比を適宜設定することが好ましい。
第１保護層２２および第２保護層２３としてはそれぞれ、上述の第１の実施形態における第１保護層１２および第２保護層１３と同様のものを用いることができる。各情報信号層Ｌ０〜Ｌｎごとに求められる特性（例えば光学特性や耐久性など）に応じて、第１保護層２２および第２保護層２３の材料およびその組成比を適宜設定することが好ましい。
（中間層）
中間層Ｓ１〜Ｓｎは、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓｎの厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１〜Ｓｎの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１〜Ｓｎは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
中間層Ｓ１〜Ｓｎは、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たし、その表面には凹凸面が設けられている。その凹凸面は、例えば、同心円状または螺旋状のグルーブ（イングルーブＧinおよびオングルーブＧon）を形成している。中間層Ｓ１〜Ｓｎの厚みは、９μｍ〜５０μｍに設定することが好ましい。中間層Ｓ１〜Ｓｎの材料は特に限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。また、中間層Ｓ１〜Ｓｎは、奥側の層への情報信号の記録または再生のためのレーザ光の光路となることから、十分に高い光透過性を有していることが好ましい。
［光情報記録媒体の製造方法］
次に、本技術の第２の実施形態に係る光情報記録媒体２０の製造方法の一例について説明する。
次に、本技術の第２の実施形態に係る光情報記録媒体２０の製造方法の一例について説明する。
まず、第１の実施形態と同様にして、基板を成形した後、その基板１上に情報信号層Ｌ０を形成する。次に、例えばスピンコート法により紫外線硬化樹脂を情報信号層Ｌ０上に均一に塗布する。その後、情報信号層Ｌ０上に均一に塗布された紫外線硬化樹脂に対してスタンパの凹凸パターンを押し当て、紫外線を紫外線硬化樹脂に対して照射して硬化させた後、スタンパを剥離する。これにより、スタンパの凹凸パターンが紫外線硬化樹脂に転写され、例えばイングルーブＧinおよびオングルーブＧonが設けられた中間層Ｓ１が情報信号層Ｌ０上に形成される。
次に、上述の情報信号層Ｌ０および中間層Ｓ１の形成工程と同様にして、中間層Ｓ１上に、情報信号層Ｌ１、中間層Ｓ２、情報信号層Ｌ２、・・・、中間層Ｓｎ、情報信号層Ｌｎをこの順序で中間層Ｓ１上に積層する。次に、例えばスピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ＵＶレジン）などの感光性樹脂を情報信号層Ｌｎ上にスピンコートした後、紫外線などの光を感光性樹脂に照射し、硬化する。これにより、情報信号層Ｌｎ上に光透過層２が形成される。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体２０が得られる。
以上の工程により、目的とする光情報記録媒体２０が得られる。
（効果）
第２の実施形態によれば、多層の光情報記録媒体２０の情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを、高価なＰｄの含有量が低減された無機記録層２１、または高価なＰｄを含有しない無機記録層（Ｐｄレス記録層）２１により形成するので、光情報記録媒体２０を低廉化することができる。
第２の実施形態によれば、多層の光情報記録媒体２０の情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを、高価なＰｄの含有量が低減された無機記録層２１、または高価なＰｄを含有しない無機記録層（Ｐｄレス記録層）２１により形成するので、光情報記録媒体２０を低廉化することができる。
情報信号層Ｌ０〜Ｌｎそれぞれの膜構成を単層または３層以下の膜構成とした場合には、多層の光情報記録媒体２０の層構成を簡略化することができる。したがって、多層の光情報記録媒体２０を低廉化し、かつ、その生産効率を向上することができる。特に、情報信号層Ｌ０〜Ｌｎを全て無機記録層２１からなる単層構成とした場合には、上述の低廉化および生産効率向上の効果が顕著である。
金属Ｙとして、Ｃｕ、Ｍｎ、およびＮｉからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる場合には、ＰｄやＡｇなどの貴金属の使用を低減、またはそれらの貴金属を無含有とすることができる。したがって、多層の光情報記録媒体２０をさらに低廉化することができる。
以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
以下の説明において、多層の光情報記録媒体の情報信号層を、基板側からレーザ光照射面側に向かって順にＬ０層（第１層）、Ｌ１層（第２層）、Ｌ２層（第３層）、・・・・と称する。
本技術の実施例について以下の順序で説明する。
１．Ｐｄ含有記録層とＰｄレス記録層との特性比較
２．Ｐｄレス記録層の組成
１．Ｐｄ含有記録層とＰｄレス記録層との特性比較
２．Ｐｄレス記録層の組成
＜１．Ｐｄ含有記録層とＰｄレス記録層との特性比較＞
（実施例１−１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層した。具体的な各層の構成および成膜条件は以下のようにした。
（実施例１−１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層した。具体的な各層の構成および成膜条件は以下のようにした。
第１保護層（基板側）
材料：ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3およびＺｒＯ2の混合体（以下ＳＩＺという。）
厚さ：１０ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
材料：ＳｉＯ2、Ｉｎ2Ｏ3およびＺｒＯ2の混合体（以下ＳＩＺという。）
厚さ：１０ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
無機記録層
材料：Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ
厚さ：４０ｎｍ
成膜条件：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｗターゲット、ＣｕターゲットおよびＺｎターゲットをコスパッタすることにより成膜した。但し、無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ＝１９．０原子％：６２．１原子％：１８．９原子％となるように、Ｗ、ＣｕおよびＺｎターゲットそれぞれの投入電力を調整した。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ１層（第２層）の透過率が得られるように調製した。以下では、このように組成が調製された無機記録層を、「Ｌ１相当」の無機記録層という。
材料：Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏ
厚さ：４０ｎｍ
成膜条件：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｗターゲット、ＣｕターゲットおよびＺｎターゲットをコスパッタすることにより成膜した。但し、無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ＝１９．０原子％：６２．１原子％：１８．９原子％となるように、Ｗ、ＣｕおよびＺｎターゲットそれぞれの投入電力を調整した。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ１層（第２層）の透過率が得られるように調製した。以下では、このように組成が調製された無機記録層を、「Ｌ１相当」の無機記録層という。
第２保護層（光透過層側）
材料：ＳＩＺ
厚さ：２４ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
材料：ＳＩＺ
厚さ：２４ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）を第２保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
（実施例１−２）
無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ＝２６．５原子％：４７．３原子％：２６．２原子％となるように、Ｗ、ＣｕおよびＺｎターゲットそれぞれの投入電力を調整したこと以外は、実施例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ３層（第４層）の透過率が得られるように調製した。以下では、このように組成が調製された無機記録層を、「Ｌ３相当」の無機記録層という。
無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ＝２６．５原子％：４７．３原子％：２６．２原子％となるように、Ｗ、ＣｕおよびＺｎターゲットそれぞれの投入電力を調整したこと以外は、実施例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ３層（第４層）の透過率が得られるように調製した。以下では、このように組成が調製された無機記録層を、「Ｌ３相当」の無機記録層という。
（比較例１−１）
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層した。具体的な各層の構成および成膜条件は以下のようにした。
まず、射出成形により、厚さ１．１ｍｍのポリカーボネート基板を成形した。なお、このポリカーボネート基板上には、イングルーブおよびオングルーブを有する凹凸面を形成した。次に、スパッタ法によりポリカーボネート基板の凹凸面上に第１保護層、無機記録層、第２保護層を順次積層した。具体的な各層の構成および成膜条件は以下のようにした。
第１保護層（基板側）
材料：ＳＩＺ
厚さ：１０ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
材料：ＳＩＺ
厚さ：１０ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
無機記録層
材料：Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ
厚さ：４０ｎｍ
成膜条件：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｗターゲット、Ｃｕターゲット、ＺｎターゲットおよびＰｄターゲットをコスパッタすることにより成膜した。
但し、無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃ、ｄが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝３１．３原子％：４０．７原子％：１２．４原子％：１５．６原子％となるように、Ｗ、Ｃｕ、ＺｎおよびＰｄターゲットそれぞれの投入電力を調整した。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ１層（第２層）の透過率が得られるように調製した。すなわち、無機記録層を、Ｌ１相当としての無機記録層とした。
材料：Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏ
厚さ：４０ｎｍ
成膜条件：ＡｒガスとＯ2ガスとの混合ガス雰囲気下にて、Ｗターゲット、Ｃｕターゲット、ＺｎターゲットおよびＰｄターゲットをコスパッタすることにより成膜した。
但し、無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃ、ｄが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝３１．３原子％：４０．７原子％：１２．４原子％：１５．６原子％となるように、Ｗ、Ｃｕ、ＺｎおよびＰｄターゲットそれぞれの投入電力を調整した。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ１層（第２層）の透過率が得られるように調製した。すなわち、無機記録層を、Ｌ１相当としての無機記録層とした。
第２保護層（光透過層側）
材料：ＳＩＺ、厚さ：２４ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
材料：ＳＩＺ、厚さ：２４ｎｍ
成膜条件：ＳＩＺターゲットをＲＦスパッタリングして成膜した。
次に、スピンコート法により、紫外線硬化樹脂（ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社製、商品名：ＳＫ８３００）を第２保護層上に均一塗布し、これに紫外線を照射して硬化させることにより、厚さ１００μｍを有する光透過層を形成した。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
以上により、目的とする光情報記録媒体を得た。
（比較例１−２）
無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃ、ｄが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝３５．４原子％：１７．１原子％：３５．１原子％：１２．４原子％となるように、Ｗ、Ｃｕ、ＺｎおよびＰｄターゲットそれぞれの投入電力を調整したこと以外は、比較例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ３層（第４層）の透過率が得られるように調製した。すなわち、無機記録層を、Ｌ３相当としての無機記録層とした。
無機記録層中のＷ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃ、ｄが、表１に示すように、ａ：ｂ：ｃ：ｄ＝３５．４原子％：１７．１原子％：３５．１原子％：１２．４原子％となるように、Ｗ、Ｃｕ、ＺｎおよびＰｄターゲットそれぞれの投入電力を調整したこと以外は、比較例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。ここで、無機記録層の組成を、４層の光情報記録媒体のＬ３層（第４層）の透過率が得られるように調製した。すなわち、無機記録層を、Ｌ３相当としての無機記録層とした。
（透過率評価）
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記媒体の透過率を、分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対する透過率を測定した。その結果を表１に示す。
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記媒体の透過率を、分光高度計（日本分光（株）製、商品名：Ｖ−５３０）を用いて、記録波長４０５ｎｍに対する透過率を測定した。その結果を表１に示す。
（反射率評価）
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体の反射率をディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで測定した。その結果を表１に示す。
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体の反射率をディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍで測定した。その結果を表１に示す。
（ｉ−ＭＬＳＥ特性（１））
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値を求めた。記録パワーＰｗに対するｉ−ＭＬＳＥ値の結果を図５Ａおよび図５Ｂに示す。
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値を求めた。記録パワーＰｗに対するｉ−ＭＬＳＥ値の結果を図５Ａおよび図５Ｂに示す。
（ｉ−ＭＬＳＥ特性（２））
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥ値を横軸に記録パワーＰｗをＰｗｏで規格化したＰｗ Ｒａｔｉｏとした結果を図６Ａおよび図６Ｂに示す。ここで、ｉ−ＭＬＳＥを記録パワーに対し求め、１４％を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈとの中間値を最適記録パワーＰｗｏとした。
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥ値を横軸に記録パワーＰｗをＰｗｏで規格化したＰｗ Ｒａｔｉｏとした結果を図６Ａおよび図６Ｂに示す。ここで、ｉ−ＭＬＳＥを記録パワーに対し求め、１４％を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈとの中間値を最適記録パワーＰｗｏとした。
（ＳＥＲ特性）
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体のランダムシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ＳＥＲを求めた。そのＰｗ Ｒａｔｉｏに対するＳＥＲ値の結果を図７Ａおよび図７Ｂに示す。
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体のランダムシンボルエラーレート（ＳＥＲ）を以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ＳＥＲを求めた。そのＰｗ Ｒａｔｉｏに対するＳＥＲ値の結果を図７Ａおよび図７Ｂに示す。
（変調度）
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体の変調度を以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、変調度（信号振幅比）を求めた。そのＰｗ Ｒａｔｉｏに対する変調度の結果を図８Ａおよび図８Ｂに示す。
上述のようにして得られた実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体の変調度を以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、変調度（信号振幅比）を求めた。そのＰｗ Ｒａｔｉｏに対する変調度の結果を図８Ａおよび図８Ｂに示す。
表１は、実施例１−１、１−２、比較例１−１、１−２の光情報記録媒体の構成および評価結果を示す。
表１、図３Ａ〜図８Ｂから以下のことがわかる。
Ｐｄレス記録層を用いた実施例１−１、１−２でも、Ｐｄ含有記録層を用いた比較例１−１、１−２と同程度のｉ−ＭＬＳＥ特性、ＳＥＲ特性および変調度が得られることがわかる。したがって、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏを記録材料として用いることで、Ｐｄを含有しなくとも、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏを記録材料として用いた場合とほぼ同等の特性を維持できる。
Ｐｄレス記録層を用いた実施例１−１、１−２でも、Ｐｄ含有記録層を用いた比較例１−１、１−２と同程度のｉ−ＭＬＳＥ特性、ＳＥＲ特性および変調度が得られることがわかる。したがって、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏを記録材料として用いることで、Ｐｄを含有しなくとも、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｐｄ−Ｏを記録材料として用いた場合とほぼ同等の特性を維持できる。
記録層の透過率を７０％台とした実施例１−２（Ｌ３相当の無機記録層）でも、記録層の透過率を６０％台とした実施例１−１（Ｌ１相当の無機記録層）とほぼ同等な特性が得られる。したがって、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏを主成分とする無機記録層では、組成の調整により透過率を変化させても、良好な特性を維持することができる。すなわち、Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏを主成分とする無機記録層は、多層の光情報記録媒体に用いて好適なものであると考えられる。
＜２．Ｐｄレス記録層の組成＞
（実施例２−２〜２−５、参考例２−１）
Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏに代えてＷ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝４〜５０原子％：５０〜９６原子％の範囲となるように、ＷおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製したこと以外は、実施例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（実施例２−２〜２−５、参考例２−１）
Ｗ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏに代えてＷ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝４〜５０原子％：５０〜９６原子％の範囲となるように、ＷおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製したこと以外は、実施例１−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（実施例３−２〜３−４、参考例３−１）
金属ＸとしてＷに代えてＭｏを用いたＭｏ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＭｏ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝４〜３１原子％：６９〜９６原子％の範囲となるように、ＭｏおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＸとしてＷに代えてＭｏを用いたＭｏ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＭｏ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝４〜３１原子％：６９〜９６原子％の範囲となるように、ＭｏおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（実施例４−２〜４−４、参考例４−１）
金属ＹとしてＣｕに代えてＭｎを用いたＷ−Ｍｎ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｍｎそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝６〜５５原子％：４５〜９４原子％の範囲となるように、ＷおよびＭｎターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＹとしてＣｕに代えてＭｎを用いたＷ−Ｍｎ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｍｎそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝６〜５５原子％：４５〜９４原子％の範囲となるように、ＷおよびＭｎターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（実施例５−２〜５−４、参考例５−１）
金属ＹとしてＣｕに代えてＮｉを用いたＷ−Ｎｉ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｎｉそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝５〜３６原子％：６４〜９５原子％の範囲となるように、ＷおよびＮｉターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＹとしてＣｕに代えてＮｉを用いたＷ−Ｎｉ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｎｉそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝５〜３６原子％：６４〜９５原子％の範囲となるように、ＷおよびＮｉターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（実施例６−２〜６−４、参考例６−１）
金属ＹとしてＣｕに代えてＡｇを用いたＷ−Ａｇ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ａｇそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝６〜４０原子％：６０〜９４原子％の範囲となるように、ＷおよびＡｇターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＹとしてＣｕに代えてＡｇを用いたＷ−Ａｇ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ａｇそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝６〜４０原子％：６０〜９４原子％の範囲となるように、ＷおよびＡｇターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（実施例７−１、７−２）
金属酸化物としてＺｎ酸化物をさらに含むＷ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃが、表２に示すように、ａ：ｂ＝２３〜３６原子％：６４〜７７原子％の範囲となり、（ａ＋ｂ）：ｃ＝７３．８原子％〜８１．１原子％：１８．９原子％〜２６．２原子％の範囲となるように、Ｗ、ＣｕおよびＺｎターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属酸化物としてＺｎ酸化物をさらに含むＷ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂ、ｃが、表２に示すように、ａ：ｂ＝２３〜３６原子％：６４〜７７原子％の範囲となり、（ａ＋ｂ）：ｃ＝７３．８原子％〜８１．１原子％：１８．９原子％〜２６．２原子％の範囲となるように、Ｗ、ＣｕおよびＺｎターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（比較例２）
金属ＸとしてＷに代えてＳｉを用いたＳｉ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＳｉ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１０原子％：９０原子％となるように、ＳｉおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＸとしてＷに代えてＳｉを用いたＳｉ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＳｉ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１０原子％：９０原子％となるように、ＳｉおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（比較例３）
金属ＸとしてＷに代えてＴｅを用いたＴｅ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＴｅ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１５原子％：８５原子％となるように、ＴｅおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＸとしてＷに代えてＴｅを用いたＴｅ−Ｃｕ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＴｅ、Ｃｕそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１５原子％：８５原子％となるように、ＴｅおよびＣｕターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（比較例４）
金属ＹとしてＣｕに代えてＳｂを用いたＷ−Ｓｂ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｓｂそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝２０原子％：８０原子％となるように、ＷおよびＳｂターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＹとしてＣｕに代えてＳｂを用いたＷ−Ｓｂ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｓｂそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝２０原子％：８０原子％となるように、ＷおよびＳｂターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（比較例５）
金属ＹとしてＣｕに代えてＧｅを用いたＷ−Ｇｅ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｇｅそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝２０原子％：８０原子％となるように、ＷおよびＧｅターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＹとしてＣｕに代えてＧｅを用いたＷ−Ｇｅ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｇｅそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝２０原子％：８０原子％となるように、ＷおよびＧｅターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（比較例６）
金属ＸとしてＷに代えてＭｏを用い、金属ＹとしてＣｕに代えてＳｎを用いたＭｏ−Ｓｎ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＭｏ、Ｓｎそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１５原子％：８５原子％となるように、ＭｏおよびＳｎターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＸとしてＷに代えてＭｏを用い、金属ＹとしてＣｕに代えてＳｎを用いたＭｏ−Ｓｎ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＭｏ、Ｓｎそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１５原子％：８５原子％となるように、ＭｏおよびＳｎターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（比較例７）
金属ＹとしてＣｕに代えてＮｂを用いたＷ−Ｎｂ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｎｂそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１５原子％：８５原子％となるように、ＷおよびＮｂターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
金属ＹとしてＣｕに代えてＮｂを用いたＷ−Ｎｂ−Ｏにより、無機記録層を形成した。また、その無機記録層中のＷ、Ｎｂそれぞれの原子比率ａ、ｂが、表２に示すように、ａ：ｂ＝１５原子％：８５原子％となるように、ＷおよびＮｂターゲットそれぞれの投入電力を調製した。これ以外のことは、参考例２−１と同様にして光情報記録媒体を得た。
（最適記録パワーＰｗｏ）
上述のようにして得られた光情報記録媒体の初期状態の最適記録パワーＰｗｏを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥを求めた。このｉ−ＭＬＳＥを記録パワーに対し求め、１４％を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈとの中間値を最適記録パワーＰｗｏとした。その結果を表２、図９Ａおよび図９Ｂに示す。ここで、ｉ−ＭＬＳＥ１４％はエラー補正が破綻しないｉ−ＭＬＳＥの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。また、記録パワーは、半導体レーザの記録パワーではなく、光情報記録媒体の光照射面に入射するレーザ光の記録パワーを意味する。
なお、図９Ａおよび図９Ｂに示した近似直線は、最小二乗法による線形近似から求めた。
上述のようにして得られた光情報記録媒体の初期状態の最適記録パワーＰｗｏを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥを求めた。このｉ−ＭＬＳＥを記録パワーに対し求め、１４％を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ、高い側をＰｗｈとし、ＰｗｌとＰｗｈとの中間値を最適記録パワーＰｗｏとした。その結果を表２、図９Ａおよび図９Ｂに示す。ここで、ｉ−ＭＬＳＥ１４％はエラー補正が破綻しないｉ−ＭＬＳＥの上限値であり、これを超えると再生データに欠陥が発生して信号品質が著しく悪いと言われている。また、記録パワーは、半導体レーザの記録パワーではなく、光情報記録媒体の光照射面に入射するレーザ光の記録パワーを意味する。
なお、図９Ａおよび図９Ｂに示した近似直線は、最小二乗法による線形近似から求めた。
（パワーマージンＰＭ´）
上述のようにして得られた光情報記録媒体のＳＥＲに対するパワーマージンＰＭ´を以下のようにして求めた。まず、ＳＥＲを記録パワーに対し求め、４×１０-3を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ´、高い側をＰｗｈ´とした。次に、求めた記録パワーＰｗｌ´、Ｐｗｈ´、最適記録パワーＰｗｏを下記の式（１）に代入してＳＥＲに対するパワーマージンＰＭ´を求めた。その結果を表２に示す。
ＰＭ´＝（Ｐｗｈ´−Ｐｗｌ´）／Ｐｗｏ ・・・（１）
上述のようにして得られた光情報記録媒体のＳＥＲに対するパワーマージンＰＭ´を以下のようにして求めた。まず、ＳＥＲを記録パワーに対し求め、４×１０-3を超える記録パワーの低い側をＰｗｌ´、高い側をＰｗｈ´とした。次に、求めた記録パワーＰｗｌ´、Ｐｗｈ´、最適記録パワーＰｗｏを下記の式（１）に代入してＳＥＲに対するパワーマージンＰＭ´を求めた。その結果を表２に示す。
ＰＭ´＝（Ｐｗｈ´−Ｐｗｌ´）／Ｐｗｏ ・・・（１）
（ｉ−ＭＬＳＥ）
上述のようにして得られた光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値を求めた。その結果を表２に示す。
上述のようにして得られた光情報記録媒体のｉ−ＭＬＳＥを以下のようにして求めた。ディスクテスタ（パルステック社製、商品名：ＯＤＵ−１０００）を用いて、ＮＡ＝０．８５、記録波長４０５ｎｍ、記録線速７．６９ｍ／ｓで１層あたり３２ＧＢ密度の１−７変調データを記録再生して、ｉ−ＭＬＳＥ値を求めた。その結果を表２に示す。
（特性評価）
上述のようにして得られた光情報記録媒体の特性を以下のようにして評価した。その結果を表２に示す。
○：ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下であり、パワーマージンが１０％以上である。
△：ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下であり、パワーマージンが１０％未満である。
×：ｉ−ＭＬＳＥが１２％未満であり、パワーマージンが１０％未満である。
なお、ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下であると、十分に良好な記録状態であり、再生系のばらつきがあっても良好な再生特性を得ることができる。パワーマージンが１０％以上であると、記録時にレーザーパワーが変動したときにも、安定した記録特性を維持することができる。
上述のようにして得られた光情報記録媒体の特性を以下のようにして評価した。その結果を表２に示す。
○：ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下であり、パワーマージンが１０％以上である。
△：ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下であり、パワーマージンが１０％未満である。
×：ｉ−ＭＬＳＥが１２％未満であり、パワーマージンが１０％未満である。
なお、ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下であると、十分に良好な記録状態であり、再生系のばらつきがあっても良好な再生特性を得ることができる。パワーマージンが１０％以上であると、記録時にレーザーパワーが変動したときにも、安定した記録特性を維持することができる。
表２は、光情報記録媒体の構成および評価結果を示す。
表２から以下のことがわかる。
実施例２−２〜２−５、３−２〜３−４、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、３−１、４−１、５−１、６−１、比較例２〜７の評価結果から、金属ＸとしてＷまたはＭｏを用い、金属ＹとしてＣｕ、Ｍｎ、ＮｉまたはＡｇを用いることで、ｉ−ＭＬＳＥを１２％以下にできることがわかる。なお、金属ＸとしてＷとＭｏとを組み合わせて用いた材料系でも、金属ＹとしてＣｕ、Ｍｎ、ＮｉおよびＡｇを２種以上組み合わせて用いた材料系でも、上記と同様の効果が得られると推測される。
実施例７−１、７−２の評価結果から、無機記録層が金属Ｘの酸化物および金属Ｙの酸化物に加えて金属Ｚの酸化物（Ｚｎの酸化物）をさらに含んでいる場合にも、ｉ−ＭＬＳＥを１２％以下にできることがわかる。
実施例２−２〜２−５、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、４−１、５−１、６−１の評価結果から、金属ＹとしてＣｕを用いることで、金属ＹとしてＭｎ、ＮｉまたはＡｇを用いた場合に比してパワーマージンを向上できることがわかる。なお、Ｃｕをそれ以外の金属Ｙ（Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｇ）と組み合わせて用いた場合にも、金属ＹとしてＭｎ、ＮｉまたはＡｇを単体で用いた場合に比してパワーマージンを向上できると推測される。
実施例２−２〜２−５、３−２〜３−４、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、３−１、４−１、５−１、６−１、比較例２〜７の評価結果から、金属ＸとしてＷまたはＭｏを用い、金属ＹとしてＣｕ、Ｍｎ、ＮｉまたはＡｇを用いることで、ｉ−ＭＬＳＥを１２％以下にできることがわかる。なお、金属ＸとしてＷとＭｏとを組み合わせて用いた材料系でも、金属ＹとしてＣｕ、Ｍｎ、ＮｉおよびＡｇを２種以上組み合わせて用いた材料系でも、上記と同様の効果が得られると推測される。
実施例７−１、７−２の評価結果から、無機記録層が金属Ｘの酸化物および金属Ｙの酸化物に加えて金属Ｚの酸化物（Ｚｎの酸化物）をさらに含んでいる場合にも、ｉ−ＭＬＳＥを１２％以下にできることがわかる。
実施例２−２〜２−５、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、４−１、５−１、６−１の評価結果から、金属ＹとしてＣｕを用いることで、金属ＹとしてＭｎ、ＮｉまたはＡｇを用いた場合に比してパワーマージンを向上できることがわかる。なお、Ｃｕをそれ以外の金属Ｙ（Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｇ）と組み合わせて用いた場合にも、金属ＹとしてＭｎ、ＮｉまたはＡｇを単体で用いた場合に比してパワーマージンを向上できると推測される。
表２、図９Ａおよび図９Ｂから以下のことがわかる。
表２に示した実施例２−２〜２−５、３−２〜３−４、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、３−１、４−１、５−１、６−１の評価結果から、比率（ａ／ｂ）を０．１以上とすることで、ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下とし、かつ、パワーマージンを１０％以上にできることがわかる。無機記録層が金属Ｚの酸化物（Ｚｎの酸化物）をさらに含んでいる場合にも、比率（ａ／ｂ）を０．１以上とすることで、上記と同様の効果を得ることができると推測される。
表２に示した実施例２−２〜２−５、３−２〜３−４、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、３−１、４−１、５−１、６−１の評価結果から、比率（ａ／ｂ）を０．２５以上とすることで、パワーマージンをさらに向上できることがわかる。
図９Ａおよび図９Ｂから、比率（ａ／ｂ）が増加するに従って、最適記録パワーＰｗｏが増加する傾向があることがわかる。
図９Ａから、比率（ａ／ｂ）を１．３以下にすることで、各金属Ｘ（＝Ｃｕ、Ｍｎ）と金属Ｙ（＝Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｇ）との組み合わせにおいて、最適記録パワーＰｗｏを約２５ｍＷ以下とすることができる。ここで、最適記録パワー２５ｍＷは、現在の民生用ドライブに搭載された半導体レーザにおいて、出射可能と考えられるレーザ光の記録パワーの最大値である。
図９Ｂから、比率（ａ／ｂ）を２．７以下にすることで、各金属Ｘ（＝Ｃｕ、Ｍｎ）と金属Ｙ（＝Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｇ）との組み合わせにおいて、最適記録パワーＰｗｏを約５０ｍＷ以下とすることができる。ここで、最適記録パワー５０ｍＷは、将来の民生用ドライブに搭載される半導体レーザにおいて、出射可能になると考えられるレーザ光の記録パワーの最大値である。
以上の点を総合すると、比率（ａ／ｂ）を０．１以上２．７以下とすることが好ましく、０．２５以上２．７以下とすることがより好ましい。もしくは、比率（ａ／ｂ）を０．１以上１．３以下とすることが好ましく、０．２５以上１．３以下とすることがより好ましい。
表２に示した実施例２−２〜２−５、３−２〜３−４、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、３−１、４−１、５−１、６−１の評価結果から、比率（ａ／ｂ）を０．１以上とすることで、ｉ−ＭＬＳＥが１２％以下とし、かつ、パワーマージンを１０％以上にできることがわかる。無機記録層が金属Ｚの酸化物（Ｚｎの酸化物）をさらに含んでいる場合にも、比率（ａ／ｂ）を０．１以上とすることで、上記と同様の効果を得ることができると推測される。
表２に示した実施例２−２〜２−５、３−２〜３−４、４−２〜４−４、５−２〜５−４、６−２〜６−４、参考例２−１、３−１、４−１、５−１、６−１の評価結果から、比率（ａ／ｂ）を０．２５以上とすることで、パワーマージンをさらに向上できることがわかる。
図９Ａおよび図９Ｂから、比率（ａ／ｂ）が増加するに従って、最適記録パワーＰｗｏが増加する傾向があることがわかる。
図９Ａから、比率（ａ／ｂ）を１．３以下にすることで、各金属Ｘ（＝Ｃｕ、Ｍｎ）と金属Ｙ（＝Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｇ）との組み合わせにおいて、最適記録パワーＰｗｏを約２５ｍＷ以下とすることができる。ここで、最適記録パワー２５ｍＷは、現在の民生用ドライブに搭載された半導体レーザにおいて、出射可能と考えられるレーザ光の記録パワーの最大値である。
図９Ｂから、比率（ａ／ｂ）を２．７以下にすることで、各金属Ｘ（＝Ｃｕ、Ｍｎ）と金属Ｙ（＝Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ａｇ）との組み合わせにおいて、最適記録パワーＰｗｏを約５０ｍＷ以下とすることができる。ここで、最適記録パワー５０ｍＷは、将来の民生用ドライブに搭載される半導体レーザにおいて、出射可能になると考えられるレーザ光の記録パワーの最大値である。
以上の点を総合すると、比率（ａ／ｂ）を０．１以上２．７以下とすることが好ましく、０．２５以上２．７以下とすることがより好ましい。もしくは、比率（ａ／ｂ）を０．１以上１．３以下とすることが好ましく、０．２５以上１．３以下とすることがより好ましい。
以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第１および第２の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
また、上述の第１および第２の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
また、上述の第１および第２の実施形態では、基板上に１層または複数層の情報信号層、光透過層がこの順序で積層された構成を有し、この光透過層側からレーザ光を１層または複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体に対して本技術を適用した場合を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。例えば、基板上に１層または複数層の情報信号層、保護層がこの順序で積層された構成を有し、基板側からレーザ光を１層または複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体、または２枚の基板の間に１層または複数層の情報信号層が設けられた構成を有し、一方の基板の側からレーザ光を１層または複数層の情報信号層に照射することにより情報信号の記録または再生が行われる光情報記録媒体に対しても本技術は適用可能である。
また、上述の第２の実施形態では、複数の情報信号層に含まれる無機記録層がすべて同一の構成（すなわち、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含んでいる構成）を有している場合を例として説明したが、多層の光情報記録媒体の構成はこの例に限定されるものではない。例えば、複数の記録層のうちの少なくとも一層が、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを主成分として含む構成を採用することも可能である。
また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
上記記録層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（２）
光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
上記記録層は、実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（３）
光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（４）
光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（５）上記複数の記録層のすべてが、上記金属Ｘの酸化物と上記金属Ｙの酸化物とを含んでいる（３）または（４）記載の光情報記録媒体。
（６）
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす（１）〜（５）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（７）
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、約０．１以上約２．７以下である（１）〜（５）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（８）
上記記録層が、亜鉛の酸化物をさらに含んでいる（１）〜（７）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（９）
上記金属Ｙは、銅、マンガン、およびニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１種である（１）〜（８）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１０）
上記金属Ｙは、銅である（１）〜（８）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１１）
上記記録層の少なくとも一方の面に設けられた保護層をさらに備える（１）〜（１０）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１２）
上記保護層は、誘電体層または透明導電層である（１１）記載の光情報記録媒体。
（１３）
金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用記録層。
（１４）
実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用記録層。
（１５）
金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用ターゲット。
（１６）
実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用ターゲット。
（１）
光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
上記記録層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（２）
光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
上記記録層は、実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（３）
光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（４）
光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種である光情報記録媒体。
（５）上記複数の記録層のすべてが、上記金属Ｘの酸化物と上記金属Ｙの酸化物とを含んでいる（３）または（４）記載の光情報記録媒体。
（６）
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす（１）〜（５）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（７）
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、約０．１以上約２．７以下である（１）〜（５）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（８）
上記記録層が、亜鉛の酸化物をさらに含んでいる（１）〜（７）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（９）
上記金属Ｙは、銅、マンガン、およびニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１種である（１）〜（８）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１０）
上記金属Ｙは、銅である（１）〜（８）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１１）
上記記録層の少なくとも一方の面に設けられた保護層をさらに備える（１）〜（１０）のいずれかに記載の光情報記録媒体。
（１２）
上記保護層は、誘電体層または透明導電層である（１１）記載の光情報記録媒体。
（１３）
金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用記録層。
（１４）
実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用記録層。
（１５）
金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用ターゲット。
（１６）
実質的には金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とからなり、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいる光情報記録媒体用ターゲット。
１ 基板
２ 光透過層
１０、２０ 光情報記録媒体
１１、２１ 無機記録層
１２、２２ 第１保護層
１３、２３ 第２保護層
Ｌ、Ｌ０〜Ｌｎ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面
２ 光透過層
１０、２０ 光情報記録媒体
１１、２１ 無機記録層
１２、２２ 第１保護層
１３、２３ 第２保護層
Ｌ、Ｌ０〜Ｌｎ 情報信号層
Ｓ１〜Ｓｎ 中間層
Ｇin イングルーブ
Ｇon オングルーブ
Ｃ 光照射面
Claims (10)
- 光の照射により情報信号を記録可能な記録層を
備え、
上記記録層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体。 - 上記記録層が、亜鉛の酸化物をさらに含んでいる請求項１記載の光情報記録媒体。
- 上記金属Ｙは、銅、マンガン、およびニッケルからなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
- 上記金属Ｙは、銅である請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
- 上記金属Ｙは、銅と、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種とである請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
- 上記記録層の少なくとも一方の面に設けられた保護層をさらに備える請求項１から５のいずれかに記載の光情報記録媒体。
- 上記保護層は、誘電体層または透明導電層である請求項６記載の光情報記録媒体。
- 光の照射により情報信号を記録可能な複数の記録層を
備え、
上記複数の記録層のうちの少なくとも一層は、金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
上記金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種であり、
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体。 - 上記複数の記録層のすべてが、上記金属Ｘの酸化物と上記金属Ｙの酸化物とを含んでいる請求項８記載の光情報記録媒体。
- 金属Ｘの酸化物と金属Ｙの酸化物とを含み、
金属Ｘは、タングステンおよびモリブデンからなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
金属Ｙは、銅、マンガン、ニッケルおよび銀からなる群より選ばれる少なくとも１種を含み、
上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｘの原子比率をａ、上記金属Ｘおよび上記金属Ｙの合計に対する上記金属Ｙの原子比率をｂとしたとき、
比率（ａ／ｂ）は、０．１≦ａ／ｂ≦２．７の関係を満たす光情報記録媒体用記録層。
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