CN107210051A - 信息记录介质以及信息记录介质的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的信息记录介质是包含基板和多个信息层、通过激光的照射来记录或读取信息的可刻录型信息记录介质，其中，至少一个信息层的记录膜为至少包含钨(W)和氧(O)的W‑O系记录膜，与W‑O系记录膜相接地设置有包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A。

Description

信息记录介质以及信息记录介质的制造方法
技术领域
本发明涉及通过光学手段记录或读取信息的高密度的信息记录介质及其制造方法。
背景技术
作为迄今为止被商品化的光学信息记录介质，有CD(Compact Disk)、DVD(DigitalVersatile Disk)、BD(Blu-ray(注册商标)Disc)。
作为BD的一例，符合BD-XL标准的100GB容量的介质已经商品化。在该BD-XL标准的介质中，设置3层信息层，并且每一个信息层的记录密度为33.4GB，由此能够实现100GB的高密度化。另外，最近也提出了通过进一步提高线密度以及采用脊/沟(Land/Groove)记录，使每介质的容量达到300GB容量以上。
作为光学信息记录介质的特长之一，可举出优异的长期保存性。因此，前述的大容量的介质是最适于长期保存公文、医疗图像和动态视频等重要的大容量数据的数据归档的介质。就作为这样的数据归档用途使用的介质而言，使用可刻录型(日文：追記型)信息记录介质。可刻录型信息记录介质中，使用各种各样的记录膜材料，可举出例如利用晶体-非晶体的相变的Te-O-Pd(参见专利文献1)、以及由气泡形成标记(凹坑)的W-O(参见专利文献2)和Ge-Bi-O(参见专利文献3)等。
在前述的可刻录型的信息记录介质中，为了优化记录灵敏度和调制度等光学设计、或者为了保护记录膜材料不受水分等的影响，设置有电介质膜。作为构成该电介质膜的材料的实例，可举出ZnS-SiO2和ITO(Indium Tin Oxide)等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国专利第3752177号公报
专利文献2：日本特开2012-161941公报
专利文献3：日本国专利第3802040号公报
发明内容
本发明的目的是提供一种光学信息记录介质，其具备信息层，该信息层具有包含钨(W)和氧(O)的记录膜，所述光学信息记录介质的长期保存后的记录特性(保质特性)进一步提高。
本发明所涉及的信息记录介质是包含基板和多个信息层、通过激光的照射来记录或读取信息的可刻录型信息记录介质，至少一个信息层的记录膜为至少包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜，与W-O系记录膜相接地设置有包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A。
另外，本发明所涉及的信息记录介质的制造方法包含两个以上形成信息层的工序，至少一个形成信息层的工序包含：工序(i)，形成包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜；和工序(ii)，形成包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A，工序(i)包括使用包含W和O的靶实施溅射，工序(ii)包括使用包含Sn和O的靶实施溅射。
本发明的信息记录介质显示出良好的信号特性和良好的信号保存性，并且具有良好的保质特性。另外，根据本发明的信息记录介质的制造方法，能够制作显示出良好的信号特性、良好的信号保存性、和良好的保质特性的信息记录介质。
附图说明
图1是本发明的实施方式1中的信息记录介质的截面图。
图2是本发明的实施方式2中的信息记录介质的截面图。
具体实施方式
(获得本发明的背景)
本发明人发现了在具有包含钨(W)和氧(O)的记录膜的信息记录介质中，长期保存后的记录特性(保质特性)方面的问题。用激光等照射对包含W和O的记录膜施加热从而升温至一定以上的温度时，膜中的氧发生分离并结合，形成成为标记(凹坑)的气泡。由于记录膜中形成了气泡的部分在发生光学变化的同时体积也在膨胀方向上发生变化，因此能够产生非常大的调制度作为信号特性。另外，气泡的形成是不可逆的变化，因此凹坑的长期保存性也优异。
另一方面，在长期保存形成有凹坑的信息记录介质的情况下，在未记录的部分中，记录膜中的各元素的结合状态发生改变，产生光学特性和/或物理硬度的变化，有时无法得到信息记录介质刚制作后获得的特性。具体而言，对于信息记录介质的记录、读取性能，有时发生保质特性的记录灵敏度的劣化、和/或i-MLSE(Integrated-Maximum LikelihoodSequence Estimation)的劣化。
该保质特性的劣化的程度存在记录膜中的W量越多，劣化的程度越大的倾向。在具有多个信息层的信息记录介质中，对于靠近激光照射侧的信息层，为了使激光透过后部的信息层从而确保后部的信息层中的高灵敏度的记录和读取，需要具有高的透射率。包含W和O的记录膜材料中，为了得到高的透射率，需要增加W量，因此越靠近激光照射侧的信息层，其保质特性的劣化越大。
本发明人提出了即使长期保存也难以发生包含W和O的记录膜的结构变化、或促进记录时的气泡形成的电介质材料。具体而言，本发明人发现：将包含含有30mol％以上锡氧化物的电介质材料的电介质膜与包含W和O的记录膜相接地设置时，能够得到良好的保质特性。
即，本发明的第1方案是一种信息记录介质，其为包含基板和多个信息层、通过激光的照射来记录或读取信息的可刻录型信息记录介质，至少一个信息层的记录膜为至少包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜，与W-O系记录膜相接地设置有包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A。
本发明的第2方案是第1方案的信息记录介质，其中，锡氧化物为SnO2。锡氧化物为SnO2时，存在能够进一步提高信息层的透射率的倾向，并且存在得到更好的保质特性的倾向。
本发明的第3方案是第1或第2方案中任一项方案的信息记录介质，其中，电介质膜A还包含元素M0(其中，M0为选自Si、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf和Y中的至少一种元素)的氧化物。通过含有这些元素，存在能够进一步提高信息层的透射率、或记录灵敏度的倾向。
本发明的第4方案是第1至第3方案中任一项方案的信息记录介质，其中，W-O系记录膜还包含元素M1(其中，M1为选自Ge、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、Cr和Mo中的至少一种元素)。在该方案中，存在得到更高的调制度的倾向。
本发明的第5方案是第1至第4方案中任一项方案的信息记录介质，其中，在至少一个信息层中，从信息记录介质的靠近照射激光的面的一侧，依次设置有电介质膜A、W-O系记录膜、和包含小于30mol％比例的SnO2的In2O3-SnO2电介质膜。在该方案中，存在得到更高的调制度和更高的记录灵敏度的倾向。
本发明的第6方案是第1至第5方案中任一项方案的信息记录介质，其中，在具有N(其中，N为正整数)个信息层、将信息记录介质的最靠近照射激光的面的信息层设为第N信息层、将最靠近基板的信息层设为第1信息层时，至少第N信息层具有W-O系记录膜和电介质膜A。保质特性在靠近激光照射侧的信息层中容易发生劣化。因此，通过将至少第N信息层设为具有电介质膜A的结构，第N信息层的保质特性与其他信息层的保质特性相比不会大幅降低，能够得到作为整体显示出良好的保质特性的介质。
本发明的第7方案是第1至第6方案中任一项方案的信息记录介质，其中，隔着基板在两面上具有信息层。根据该结构，能够实现信息记录介质的大容量化。
本发明的第8方案是第1至第7方案中任一项方案的信息记录介质，其中，在多个信息层具有引导槽、将靠近照射激光的面的一侧的槽设为沟、将远离照射激光的面的一侧的槽间设为脊时，在多个信息层的各记录膜中，在对应于沟和脊二者的位置记录信息。根据该结构，能够实现信息记录介质的大容量化。
本发明的第9方案是一种信息记录介质的制造方法，包含两个以上形成信息层的工序，至少一个形成信息层的工序包含：工序(i)，形成包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜；和工序(ii)，形成包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A，工序(i)包括使用包含W和O的靶实施溅射，工序(ii)包括使用包含Sn和O的靶实施溅射。根据该方案，能够得到第1方案的信息记录介质。
本发明的第10方案是第9方案的信息记录介质的制造方法，其中，在工序(i)中，使用添加氧的DC反应性溅射法。添加氧的DC(Direct Current)反应性溅射法能够预期得到高的成膜速率，因此根据该方案，能够缩短信息记录介质的生产节拍，并降低制造成本。
本发明的第11方案是第9或第10方案的信息记录介质的制造方法，其中，在工序(ii)中，使用DC溅射法。在形成电介质膜A的工序中，通过使用能够预期得到高的成膜速率的DC溅射法，能够缩短信息记录介质的生产节拍，并降低制造成本。
以下，一边参照合适的附图，一边对实施方式进行详细说明。但是，有时根据需要省略详细说明。例如，有时省略已经熟知的事项的详细说明、对于实质上相同的结构的重复说明。这是为了避免以下的说明不必要地过长，使本领域技术人员容易理解。
需要说明的是，附图和以下的说明是为了本领域技术人员充分理解本发明而提供的，并非意图由此来限定权利要求书中记载的主题。
(实施方式1)
作为实施方式1，说明使用激光进行信息的记录和读取的信息记录介质的一例。图1中示出了该光学信息记录介质的截面。本实施方式的信息记录介质100是隔着基板1在两侧分别各设置3层、合计6层的记录和读取信息的信息层，从覆盖层4一侧照射激光6，能够记录和读取各信息层中的信息的多层光学信息记录介质。激光6是波长405nm附近的蓝紫色区域的激光。
信息记录介质100是贴合了称为A面的A面信息记录介质101和称为B面的B面信息记录介质102而得的两面的信息记录介质。二个信息记录介质即A面信息记录介质101和B面信息记录介质102通过在它们的基板1的背面(与具有信息层的面的相反侧)贴合的层5而贴合。A面信息记录介质101和B面信息记录介质102各自在基板1上隔着中间分离层2和3等具有依次层叠了的第1信息层10、第2信息层20和第3信息层30，此外，具有与第3信息层30相接地设置的覆盖层4。第2信息层20和第3信息层30是透射型的信息层。
在信息记录介质100中，在基板1上形成引导槽的情况下，在本说明书中，将位于靠近照射激光6的面的一侧的槽间、即A面信息记录介质101的表面侧的槽间和B面信息记录介质102的表面侧的槽间简称为“沟”，并将位于远离照射激光6的面的一侧的槽、即A面信息记录介质101的表面侧的槽和B面信息记录介质102的表面侧的槽简称为“脊”。如果在对应于该沟和脊二者的位置在记录膜上形成凹坑、即如果实施脊-沟记录，则可以使例如每一个信息层的容量为50GB。在信息记录介质100中，可以在6个信息层中进行信息的记录和读取，因此信息记录介质100可以作为具有300GB容量的记录介质而提供。如后述所示，引导槽也可以形成于中间分离层2和3。特别地，优选在第2信息层20和第3信息层30中实施脊-沟记录的情况下，在中间分离层2和3中形成引导槽。
3个信息层的有效反射率可以通过分别调整第1信息层10、第2信息层20和第3信息层30的反射率、以及第2信息层20和第3信息层30的透射率来进行控制。
在本说明书中，将在层叠了3个信息层的状态下测定的各信息层的反射率定义为有效反射率。在没有特殊说明的情况下，如果没有记载“有效”，则指的是未层叠时测定的反射率。另外，Rg表示沟部在未记录状态下的槽部反射率，Rl表示脊部在未记录状态下的槽间部反射率。
本实施方式中，作为一例，对设计为第1信息层10的有效Rg为3.5％、有效Rl为3.7％、第2信息层20的有效Rg为5.0％、有效Rl为5.2％、第3信息层30的有效Rg为6.5％、有效Rl为6.8％的结构进行说明。
在第3信息层30的透射率为79％、第2信息层20的透射率为75％的情况下，如果设计为第1信息层10的Rg为10.0％、Rl为10.5％、第2信息层20的Rg为8.0％、Rl为8.4％、第3信息层30的Rg为6.5％、Rl为6.8％，则能够得到前述的反射率。此处的透射率是指记录膜为未记录状态时的沟部和脊部的平均值。
接下来，对基板1、中间分离层2、中间分离层3、覆盖层4和贴合层5的功能、材料和厚度进行说明。
基板1是圆盘状的透明基板。作为基板1的材料，可以使用例如聚碳酸酯、非晶聚烯烃、或PMMA(Poly Methyl Methacrylate：聚甲基丙烯酸甲酯)等树脂、或玻璃。在基板1的第1信息层10一侧的表面上根据需要也可以形成用于引导激光的凹凸的引导槽。需要说明的是，在实施方式1中，基板1的厚度为例如约0.5mm，直径为例如约120mm。
另外，在基板1上形成引导槽的情况下，如前所述，将靠近激光6一侧的槽称为“沟”，将远离激光6一侧的槽间称为“脊”。沟面与脊面的高度差为例如10nm以上且30nm以下。
另外，在实施方式1中，沟-脊间的距离(沟的宽度方向的中心与该沟相邻的脊的宽度方向的中心之间的距离)为约0.225μm，但不限于此。
中间分离层2和3包含光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)、或者迟效热固型树脂等树脂、或电介质等。中间分离层2和3为对记录和读取所用的波长λ的激光的光吸收小的层时，能够使激光6高效地到达第1信息层10和第2信息层20。
中间分离层2和3是为了区分第1信息层10、第2信息层20和第3信息层30的聚焦位置而设置的。因此，中间分离层2和3的厚度可以设为例如由物镜的数值孔径(NA)与激光的波长λ所确定的焦点深度ΔZ以上。将焦点的光强度的基准假设为无像差的情况的80％时，ΔZ可以近似为
ΔZ＝λ/{2(NA)2}
另外，为了防止第2信息层20中的后焦点的影响，中间分离层2和中间分离层3的厚度可以设为不同的值。
在中间分离层2和3等中，也可以在激光的入射侧形成凹凸的引导槽。对于中间分离层2和3中设置的引导槽的高度差、和沟-脊间的距离，如关于基板1中设置的引导槽所作的说明那样地，在实施方式1中沟-脊间的距离为约0.225μm，但不限于此。
覆盖层4包含例如光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)、或者迟效热固型树脂等树脂、或电介质等。覆盖层4可以是对使用的激光的光吸收小的层。更具体而言，覆盖层4可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烃、或PMMA等树脂、或者玻璃而形成。使用这些材料的情况下，可以例如通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效热固型树脂等树脂作为粘接剂，将板状的构件贴合至第3信息层30中的第2电介质膜33来形成覆盖层4。覆盖层4的厚度例如可以设为NA＝0.85且能够进行良好的记录和读取的厚度即40μm～80μm左右，特别是可以设为50μm～65μm左右。
贴合层5包含例如光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效热固型树脂等树脂，使A面信息记录介质101与B面信息记录介质102粘接。也可以在贴合层5上设置遮蔽激光6的膜。
将信息记录介质100的厚度设为与BD标准的信息记录介质相同的厚度的情况下，中间分离层2和3以及覆盖层4的厚度的总和可以设定为100μm。例如，可以设定中间分离层2为约25μm厚、中间分离层3为约18μm厚、覆盖层4为约57μm厚、贴合层5为约1μm厚。
接下来，对第1信息层10的结构进行说明。第1信息层10通过在基板1的表面上至少依次层叠第1电介质膜11、记录膜12、和第2电介质膜13而形成。
第1电介质膜11具有调节光学距离从而提高记录膜12的光吸收率的功能、提高记录前后的反射光量的变化率从而增大信号振幅的功能、和控制记录凹坑的膨胀从而增大信号振幅的功能。另外，第1电介质膜11具有抑制水分侵入记录膜12的功能、和抑制记录膜中的氧向外部逃逸的功能。
第1电介质膜11是以锡氧化物的形式包含锡(Sn)和氧(O)、并且含有30mol％以上锡氧化物的电介质膜A。电介质膜A的详细情况在后文与第2信息层20的第2电介质膜23相关的部分进行说明。
根据本发明人的发现，处于离激光入射的面(覆盖层4的表面)最远的位置的第1信息层10存在其保质特性比第2和第3信息层20和30的保质特性更好的倾向。另外，可知：通过设置电介质膜A而得的效果在将电介质膜A设置于靠近激光的入射面一侧时更显著。
因此，在实施方式1中，第1电介质膜11不一定必须为电介质膜A，还可以包含锡氧化物以外的氧化物或其他的化合物。或者，即使第1电介质膜11包含锡或锡氧化物，锡的比例或锡氧化物的比例也可以比上述规定的比例低。
作为第1电介质膜11的材料，可以使用例如SiO2、ZnO、SnO2、Cr2O3、In2O3、Sb2O3、Bi2O3、Ga2O3、Al2O3、TiO2、Ta2O5、Nb2O5、Y2O3、ZrO2、HfO2和Dy2O3等氧化物，CN、TiN、ZrN、Si3N4、GeN、AlN、Ge-Si-N和Ge-Cr-N等氮化物，SiC等碳化物，ZnS等硫化物，以及LaF3、CeF3和YF3等氟化物。第1电介质膜11可以包含选自这些化合物中的2种以上的化合物的混合物。
作为具体的实例，可举出In2O3-SnO2(ITO)、ZnO-SnO2、ZrO2-Y2O3、ZrO2-SiO2-ZnO、ZrO2-In2O3、ZrO2-SiO2-In2O3、ZrO2-SiO2-In2O3-SnO2、ZrO2-Y2O3-In2O3、ZrO2-Cr2O3、ZrO2-SiO2-Cr2O3、ZrO2-Ga2O3、ZrO2-SiO2-Ga2O3、Ga2O3-Al2O3、Ga2O3-ZnO-Al2O3、SnO2-Sb2O3、SiO2-TiO2、TiO2-Nb2O5、ZrO2-SiO2-Al2O3、In2O3-Dy2O3、Bi2O3-SiO2、Al2O3-AlN、ZrO2-SiO2-ZnS、SiO2-ZnS和ZrO2-SiO2-LaF3等。在这些例示的组合中，二种以上的氧化物可以形成复合氧化物。在包含锡氧化物的组合中，锡氧化物的比例为30mol％以上的情况下，由该组合形成的膜为电介质膜A。
在上述列举的化合物中，制作为溅射靶时具有导电性的化合物能够通过DC溅射来形成膜，在第1电介质膜11的制作时能够预期得到高的成膜速率，因此能够导致信息记录介质的低成本化。
具有导电性的化合物例如为In2O3、和SnO2。第1电介质膜11的厚度例如可以是5nm～50nm。
第1电介质膜11的组成例如可以用X射线微分析仪(XMA：X-ray MicroAnalyser)、电子束微分析仪(EPMA：Electron Probe MicroAnalyser)、或卢瑟福背散射分析(RBS：Rutherford Backscattering Spectrometry)进行分析。
用溅射法形成的第1电介质膜11中不可避免地包含溅射气氛中存在的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分(O-H)、有机物(C)、空气(N、O)、溅射室中配置的夹具的组分(金属)和溅射靶所含的杂质(金属、半金属、半导体、电介质)等，不可避免的组分有时通过这些分析方法进行检测。在将第1电介质膜11所含的全部原子设为100原子％的情况下，作为上限可以包含10原子％的这些不可避免的组分。
另外，第1电介质膜11除了不可避免地包含的组分之外，满足规定的组成比即可。这一点也同样适用于后述的其他的电介质膜即第1电介质膜21、31和第2电介质膜13、23、33。
记录膜12是包含含有W和O、并且例如通过激光的照射O发生分离并结合从而形成气泡的材料的W-O系记录膜。优选包含3原子％以上(除去O，金属元素比为10原子％)的W，和40原子％以上的O。
另外，记录膜12可以进一步包含元素M1(其中，M1为选自Ge、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、Cr和Mo中的至少一种元素)，由此能够得到更加良好的信号特性。
Zn能够保持良好的信号特性，并提高透射率。通过添加选自Pd和Mn中的至少一种元素，能够在记录膜12中高效地吸收光，从而易于形成气泡，由此能够提高信号的调制度。
另外，选自Cu和Ag中的至少一种元素能够在记录膜12中使光高效地被吸收，并且具有高导电性，因此在用DC溅射法形成记录膜12的情况下，能够带来高的稳定性(持续性)。
记录膜12的厚度例如可以设为15nm～50nm。
记录膜12的组成可以用例如X射线微分析仪(XMA)、电子束微分析仪(EPMA)、或卢瑟福背散射分析(RBS)进行分析。
用溅射法形成的记录膜12中不可避免地包含溅射气氛中存在的稀有气体(Ar、Kr、Xe)、水分(O-H)、有机物(C)、空气(N、O)、溅射室中配置的夹具的组分(金属)和溅射靶所含的杂质(金属、半金属、半导体、电介质)等，这些不可避免的组分有时通过ICP(InductivityCoupled Plasma)发射光谱分析、XMA、和EPMA等分析进行检测。在将记录膜12所含的全部原子设为100原子％的情况下，作为上限可以包含10原子％的这些不可避免的组分。
另外，记录膜12除了不可避免地包含的组分之外，满足规定的组成比即可。这一点也同样适用于后述的记录膜22、和32。
第2电介质膜13与第1电介质膜11同样地，具有调节光学距离从而提高记录膜12的光吸收率的功能、提高记录前后的反射光量的变化率从而增大信号振幅的功能、和控制记录凹坑的膨胀从而增大信号振幅的功能。
另外，第2电介质膜13具有抑制水分侵入记录膜12的功能、和抑制记录膜中的氧向外部逃逸的功能。
第2电介质膜13与第1电介质膜11同样地，可以是电介质膜A，或者可以包含锡氧化物以外的氧化物或其他的化合物。或者，第2电介质膜13即使包含锡或锡氧化物，锡的比例或锡氧化物的比例可以低于电介质膜A中的比例。
第2电介质膜13与第1电介质膜11同样地，构成保质特性比较好的第1信息层10，因此不一定必须为电介质膜A。适于构成第2电介质膜13的化合物及其组合如在前文关于第1电介质膜11所作说明那样，因此在此省略其详细说明。
第2电介质膜13的厚度例如可以是5nm～50nm。
第1电介质膜11、记录膜12、和第2电介质膜13的具体厚度可以通过基于矩阵法的计算来设计。通过调整各膜的厚度，能够增加记录膜12未记录时和记录时的反射光量的变化率、和/或调整记录部-未记录部间的反射光的相位差，从而优化读取信号的信号品质。
接下来，对第2信息层20的结构进行说明。第2信息层20通过在中间分离层2的表面上至少依次层叠第1电介质膜21、记录膜22、和第2电介质膜23而形成。
第1电介质膜21的功能和形状与前述的第1信息层10的第1电介质膜11的功能和形状相同，能够使用与关于第1电介质膜11例示的材料相同的材料形成。
第2信息层20处于比第1信息层10更靠近激光6的入射面的一侧，因此其保质特性存在比第1信息层10的保质特性更低的倾向。因此，通过将第1电介质膜21设为电介质膜A，能够进一步提高第2信息层20的保质特性。
然而，第2信息层20的保质特性比第1电介质膜21更容易受到第2电介质膜23带来的影响，如果将第2电介质膜23如后述所示设为电介质膜A，则不一定必须将第1电介质膜21设为电介质膜A。
记录膜22的功能和形状与前述的第1信息层10的记录膜12的功能和形状相同，能够使用与关于记录膜12例示的材料相同的材料形成。
第2信息层20需要在进行第1信息层10中的记录和读取时使激光通过。因此，可以使记录膜22中的W量比记录膜12中的W量增大，从而提高激光的透射率。具体而言，记录膜22中的W量可以是6原子％以上(除去O，金属元素比为20原子％)。
第2电介质膜23可以设为电介质膜A。如前所述，记录膜的W量多时，信息层的保质特性存在劣化的倾向。另外，对于保质特性，在与记录膜相接地设置的2个电介质膜中，容易受到靠近激光的入射面一侧的电介质膜带来的影响。因此，通过将含有高比例的锡或锡氧化物的电介质膜A用于第2电介质膜23，能够更有效地抑制第2信息层20的保质特性的劣化。
电介质膜A包含30mol％以上的锡氧化物。为了得到更好的保质特性，电介质膜A可以包含50mol％以上的锡氧化物。锡氧化物可以是SnO、SnO2和Sn3O4中的任一者。特别地，SnO2稳定，对激光的透射性也高。
第2电介质膜23为电介质膜A的情况下，为了提高透射率和记录灵敏度，第2电介质膜23还可以包含元素M0(其中，M0为选自Si、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf和Y中的至少一种元素)。可以以氧化物的形式包含元素M0。
对于第2电介质膜23，在溅射靶具有导电性的情况下，可以通过DC溅射法以高的成膜速率来形成。为了提高溅射靶的导电性，溅射靶(进而使用该靶而形成的电介质膜A)除了锡氧化物之外，可以包含选自In2O3、ZnO、和Nb2O5的一种或多种氧化物。
另外，为了进一步提高信息层的透射率，元素M0可以以选自SiO2、Al2O3、TiO2、和ZrO2中的一种或多种氧化物的形式包含于第2电介质膜23中。
对于电介质膜中的元素M0的氧化物的比例，只要锡氧化物的比例在上述范围内就没有特殊限制，例如可以是20mol％～70mol％。例如，为了提高溅射靶的导电率而使用选自In2O3、ZnO、和Nb2O5中的一种或多种氧化物的情况下，通过将该氧化物的比例设为例如20mol％～70mol％，能够得到更好的导电性。
另外，例如使用选自SiO2、Al2O3、TiO2、和ZrO2中的一种或多种氧化物的情况下，通过将氧化物的比例设为例如20mol％～70mol％，能够进一步提高信息层的透射率。
第2电介质膜23为电介质膜A的情况下，作为形成电介质膜A的氧化物的组合，具体而言，可举出SnO2-SiO2、SnO2-GeO2、SnO2-Al2O3、SnO2-Ga2O3、SnO2-In2O3、SnO2-ZnO、SnO2-Sb2O3、SnO2-Bi2O3、SnO2-Cr2O3、SnO2-V2O5、SnO2-Nb2O5、SnO2-Ta2O5、SnO2-TiO2、SnO2-ZrO2、SnO2-HfO2、SnO2-Y2O3、SnO2-In2O3-SiO2、SnO2-In2O3-GeO2、SnO2-In2O3-Al2O3、SnO2-In2O3-Ga2O3、SnO2-In2O3-ZnO、SnO2-In2O3-Sb2O3、SnO2-In2O3-Bi2O3、SnO2-In2O3-Cr2O3、SnO2-In2O3-V2O5、SnO2-In2O3-Nb2O5、SnO2-In2O3-Ta2O5、SnO2-In2O3-TiO2、SnO2-In2O3-ZrO2、SnO2-In2O3-HfO2、SnO2-In2O3-Y2O3、SnO2-SiO2-GeO2、SnO2-SiO2-Al2O3、SnO2-SiO2-Ga2O3、SnO2-SiO2-ZnO、SnO2-SiO2-Sb2O3、SnO2-SiO2-Bi2O3、SnO2-SiO2-Cr2O3、SnO2-SiO2-V2O5、SnO2-SiO2-Nb2O5、SnO2-SiO2-Ta2O5、SnO2-SiO2-TiO2、SnO2-SiO2-ZrO2、SnO2-SiO2-HfO2、SnO2-SiO2-Y2O3、SnO2-Al2O3-GeO2、SnO2-Al2O3-Ga2O3、SnO2-Al2O3-ZnO、SnO2-Al2O3-Sb2O3、SnO2-Al2O3-Bi2O3、SnO2-Al2O3-Cr2O3、SnO2-Al2O3-V2O5、SnO2-Al2O3-Nb2O5、SnO2-Al2O3-Ta2O5、SnO2-Al2O3-TiO2、SnO2-Al2O3-ZrO2、SnO2-Al2O3-HfO2、SnO2-Al2O3-Y2O3、SnO2-ZnO-GeO2、SnO2-ZnO-Ga2O3、SnO2-ZnO-Sb2O3、SnO2-ZnO-Bi2O3、SnO2-ZnO-Cr2O3、SnO2-ZnO-V2O5、SnO2-ZnO-Nb2O5、SnO2-ZnO-Ta2O5、SnO2-ZnO-TiO2、SnO2-ZnO-ZrO2、SnO2-ZnO-HfO2、SnO2-ZnO-Y2O3、SnO2-In2O3-SiO2-GeO2、SnO2-In2O3-SiO2-Al2O3、SnO2-In2O3-SiO2-Ga2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO、SnO2-In2O3-SiO2-Sb2O3、SnO2-In2O3-SiO2-Bi2O3、SnO2-In2O3-SiO2-Cr2O3、SnO2-In2O3-SiO2-V2O5、SnO2-In2O3-SiO2-Ta2O5、SnO2-In2O3-SiO2-TiO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2、SnO2-In2O3-SiO2-HfO2、SnO2-In2O3-SiO2-Y2O3、SnO2-SiO2-ZrO2-GeO2、SnO2-SiO2-ZrO2-Al2O3、SnO2-SiO2-ZrO2-Ga2O3、SnO2-SiO2-ZrO2-ZnO、SnO2-SiO2-ZrO2-Sb2O3、SnO2-SiO2-ZrO2-Bi2O3、SnO2-SiO2-ZrO2-Cr2O3、SnO2-SiO2-ZrO2-V2O5、SnO2-SiO2-ZrO2-Nb2O5、SnO2-SiO2-ZrO2-Ta2O5、SnO2-SiO2-ZrO2-TiO2、SnO2-SiO2-ZrO2-HfO2、SnO2-SiO2-ZrO2-Y2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-GeO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Al2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Ga2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Sb2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Bi2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Cr2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-V2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Nb2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Ta2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-TiO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-HfO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Y2O3、SnO2-1n2O3-SiO2-ZnO-GeO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Al2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Ga2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Sb2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Bi2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Cr2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-V2O5、Sn02-In2O3-SiO2-ZnO-Nb2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Ta2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-TiO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-HfO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZnO-Y2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-GeO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Al2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Ga2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Sb2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Bi2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Cr2O3、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-V2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Nb2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-Ta2O5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-TiO2、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnO-HfO2、SnO2-In203-Si02-ZrO2-ZnO-Y2O3、SnO2-Al2TiO5、SnO2-ZnAl2O4、SnO2-ZnCr2O4、SnO2-Zn2SiO4、SnO2-Bi2Sn2O7、SnO2-Bi4Ti3O12、SnO2-ZrSiO4、SnO2-Y3Al5O12、SnO2-In2O3-Al2TiO5、SnO2-In2O3-ZnAl2O4、SnO2-In2O3-ZnCr2O4、SnO2-In2O3-Zn2SiO4、SnO2-In2O3-Bi2Sn2O7、SnO2-In2O3-Bi4Ti3O12、SnO2-In2O3-ZrSiO4、SnO2-In2O3-Y3Al5O12、SnO2-SiO2-Al2TiO5、SnO2-SiO2-ZnAl2O4、SnO2-SiO2-ZnCr2O4、SnO2-SiO2-Bi2Sn2O7、SnO2-SiO2-Bi4Ti3O12、SnO2-SiO2-Y3Al5O12、SnO2-ZnO-Al2TiO5、SnO2-ZnO-Bi2Sn2O7、SnO2-ZnO-Bi4Ti3O12、SnO2-ZnO-ZrSiO4、SnO2-ZnO-Y3Al5O12、SnO2-In2O3-SiO2-Al2Ti05、SnO2-In2O3-SiO2-ZnAl2O4、SnO2-In2O3-SiO2-ZnCr2O4、SnO2-In2O3-SiO2-Bi2Sn2O7、SnO2-In2O3-SiO2-Bi4Ti3O12、SnO2-In2O3-SiO2-Y3Al5O12、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Al2TiO5、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnAl2O4、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-ZnCr2O4、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Zn2SiO4、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Bi2Sn2O7、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Bi4Ti3O12、SnO2-In2O3-SiO2-ZrO2-Y3Al5O12、SnO2-ZrSiO4-Al2TiO5、SnO2-ZrSiO4-ZnAl2O4、SnO2-ZrSiO4-ZnCr2O4、SnO2-ZrSiO4-Zn2SiO4、SnO2-ZrSiO4-Bi2Sn2O7、SnO2-ZrSiO4-Bi4Ti3O12和SnO2-ZrSiO4-Y3Al5O12等。在这些例示的组合中，二种以上的氧化物可以形成混合物，或者也可以形成复合氧化物。
第2电介质膜23不一定必须为电介质膜A，在其他的信息层中与包含W和O的记录膜相接地设置有电介质膜A的情况下，第2电介质膜23可以由关于第1信息层10的第1电介质膜11所作说明的选自氧化物、碳化物、硫化物和氟化物中的一种化合物、或它们的混合物形成。
第2电介质膜23不是电介质膜A的情况下，适于构成第2电介质膜23的化合物及其组合的具体例是如在前文关于第1电介质膜11所作说明那样，因此在此省略其详细说明。
第2电介质膜23为电介质膜A的情况下，第1电介质膜21可以是In2O3-SnO2(ITO)(其中，SnO2的比例小于30mol％，例如15mol％～20mol％)。ITO以高比例含有导电性高的In2O3，因此能够通过DC溅射法高效地进行成膜。
接下来，对第3信息层30的结构进行说明。第3信息层30通过在中间分离层3的表面上至少依次层叠第1电介质膜31、记录膜32、和第2电介质膜33而形成。
第3信息层30的结构基本上与第2信息层20相同。
第1电介质膜31具有与第2信息层20的第1电介质膜21相同的功能和形状。另外，第1电介质膜21与第1电介质膜21同样地，能够使用与关于第1信息层10的第1电介质膜11例示的材料相同的材料形成。
记录膜32的功能和形状与第2信息层20的记录膜22的功能和形状相同，与记录膜22同样地，能够使用与关于第1信息层10的记录膜12例示的材料相同的材料形成。
第3信息层30需要在进行第1和第2信息层10和20中的记录和读取时使激光通过。因此，可以使记录膜32的W量比第2信息层20的记录膜22中的W量进一步增大，从而提高记录膜32的激光的透射率。具体而言，记录膜32中的W量可以是8原子％以上(除去O，金属元素比为25原子％)。
第2电介质膜33具有与第2信息层20的第2电介质膜23相同的功能和形状。另外，第2电介质膜33能够使用与关于第2信息层20的第2电介质膜23例示的材料相同的材料形成。
第3信息层30最靠近激光的照射面(覆盖层4的表面)，记录膜32的W量大多被设计为大于其他的记录膜的W量，因此存在保质特性在3个信息层中为最低的倾向。因此，在实施方式1中，通过至少将第2电介质膜33设为电介质膜A，能够显著获得电介质膜A所带来的效果(抑制保质特性的降低)。
电介质膜A的具体结构如关于第2信息层20的第2电介质膜33所作说明那样，因此在此省略其详细说明。
第2电介质膜33为电介质膜A的情况下，第1电介质膜31可以是In2O3-SnO2(ITO)电介质膜(其中，以小于30mol％的比例含有SnO2)。如前所述，ITO膜能够通过DC溅射法高效地进行成膜。
第1电介质膜31为电介质膜A的情况下，第2电介质膜33可以不是电介质膜A。或者，在其他的信息层中，与包含W和O的记录膜相接地设置有电介质膜A的情况下，第2电介质膜33也可以不是电介质膜A。
第2电介质膜33不是电介质膜A的情况下，第2电介质膜33可以由关于第1信息层10的第1电介质膜11所作说明的选自氧化物、碳化物、硫化物和氟化物中的一种化合物、或它们的混合物形成。
第2电介质膜33不是电介质膜A的情况下，适于构成第2电介质膜33的化合物及其组合的具体例是如在前文关于第1电介质膜11所作说明那样，因此在此省略其详细说明。
在实施方式1的变形例中，在本实施方式所示的信息记录介质100中，任意信息层的记录膜可以是Te-O-Pd或Ge-Bi-O等其他的记录膜，即W-O系记录膜以外的记录膜。
或者，在其他的变形例中，根据需要，也可以设置反射膜和包含在上述未例示的材料的电介质膜。本发明所涉及的技术效果在这些变形例中也得以实现。
在另外的变形例的信息记录介质中，在单面(A面和B面)可以包含4个以上的信息层。这种情况下，将电介质膜A设置于至少第N信息层(N为相当于信息层数的正整数)时，显著获得本实施方式的效果。
本实施方式的效果与N数无关，在将电介质膜A设置于至少第N信息层和第(N-1)信息层中时，更显著地获得本实施方式的效果。在靠近激光的侧的信息层中保质特性容易发生劣化，因此若在靠近激光的2个信息层中设置电介质膜A，则容易缩小信息层间的保质特性的差异。
信息记录介质100的记录方式可以是线速度恒定的Constant Linear Velocity(CLV)、转速恒定的Constant Angular Velocity(CAV)、Zoned CLV和Zoned CAV的任一种。可以使用的数据位长为79.5nm。
信息在本实施方式的信息记录介质100上的记录和读取可以用物镜的数值孔径NA为0.85的光学系统来实施，或者可以用NA>i的光学系统来实施。
作为光学系统，可以使用固体浸没透镜(Solid Immersion Lens，SIL)、或固体浸没镜(Solid Immersion Mirror，SIM)。这种情况下，可以将中间分离层2和3、以及覆盖层4设为5μm以下的厚度。或者，也可以使用利用近场光的光学系统。
接下来，对在本实施方式中说明的信息记录介质100的制造方法进行说明。
首先，说明A面信息记录介质101的制造方法。
构成第1信息层10的第1电介质膜11、记录膜12和第2电介质膜13可以通过气相成膜法之一的溅射法形成。首先，将基板1(例如，厚度0.5mm)配置于成膜装置内。
接着，首先对第1电介质膜11进行成膜。此时，在基板1上形成引导槽时，在该引导槽侧对第1电介质膜11进行成膜。第1电介质膜11通过使用包含构成第1电介质膜11的电介质或混合电介质的溅射靶，在稀有气体气氛、或稀有气体与反应气体、例如与氧气、氮气的混合气体气氛下实施溅射而形成。
稀有气体为例如Ar气、Kr气、或Xe气，在成本方面Ar气是有利的。上述稀有气体对于将溅射的气氛气体设为稀有气体或其混合气体的任意的溅射法均适用。
溅射靶具有导电性的情况下，与RF(RF：Radio Frequency)溅射法相比，通过使用DC(DC：Direct Current)溅射法、或脉冲DC溅射法，能够获得更高的成膜速率。
另外，第1电介质膜11由多种电介质材料形成的情况下，可以实施使用各电介质材料的溅射靶从多个阴极同时堆积电介质材料的多靶溅射。
接着，在第1电介质膜11上对记录膜12进行成膜。记录膜12根据其组成，可以通过使用包含W合金或W-O合金的溅射靶，在稀有气体气氛或稀有气体与反应气体的混合气体气氛下实施溅射而形成。
上述的W合金靶具有导电性，因此与RF溅射法相比，通过使用DC溅射法、或脉冲DC溅射法，能够获得更高的成膜速率。通过在混合气体气氛中混合大量的氧气，能够在记录膜12中引入更多的氧。
记录膜12可以通过使用各构成元素的溅射靶从多个阴极同时堆积元素的多靶溅射法而形成。
接着，在记录膜12上对第2电介质膜13进行成膜。第2电介质膜13可以通过使用包含构成第2电介质膜13的电介质或混合电介质的溅射靶，在稀有气体气氛、或稀有气体与反应气体的混合气体气氛下实施溅射而形成。
另外，第2电介质膜13由多种电介质材料形成的情况下，可以实施多靶溅射。
接着，在第2电介质膜13上形成中间分离层2。中间分离层2可以通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效热固型树脂等树脂涂布于第1信息层10上并旋涂后，使树脂固化而形成。
需要说明的是，在中间分离层2设置引导槽的情况下，可以用以下方法形成中间分离层2：在将表面形成有规定形状的槽的转印用基板模具密合于固化前的树脂的状态下进行旋涂后，使树脂固化，然后从固化的树脂剥离转印用基板。
接着，形成第2信息层20。具体而言，首先，在中间分离层2之上形成第1电介质膜21。第1电介质膜21可以用与前述第1电介质膜11相同的方法形成。
接着，在第1电介质膜21上形成记录膜22。记录膜22可以用与前述记录膜12相同的方法形成。
接着，在记录膜22上形成第2电介质膜23。第2电介质膜23可以用与前述第2电介质膜13相同的方法形成。
接着，在第2电介质膜23上形成中间分离层3。中间分离层3可以用与前述中间分离层2相同的方法形成。
接着，形成第3信息层30。第3信息层30可以用基本上与前述第2信息层20相同的方法形成。
首先，在中间分离层3上形成第1电介质膜31。第1电介质膜31可以用与前述第1电介质膜11相同的方法形成。
接着，在第1电介质膜31上形成记录膜32。记录膜32可以用与前述记录膜12相同的方法形成。
接着，在记录膜32上形成第2电介质膜33。第2电介质膜33可以用与前述第2电介质膜13相同的方法形成。
任意的电介质膜和记录膜均可以通过将供给电力设为100W～10kW、并将成膜室的压力设为0.01Pa～10Pa而形成。
接着，在第2电介质膜33上形成覆盖层4。覆盖层4可以通过将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效热固型树脂等树脂涂布于第2电介质膜33上，并进行旋涂后使树脂固化而形成。或者，覆盖层4也可以用贴合包含聚碳酸酯、非晶聚烯烃、或PMMA等树脂、或着玻璃的圆盘状的基板的方法形成。
具体而言，可以用以下方法形成覆盖层4：将光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)或迟效热固型树脂等树脂涂布于第2电介质膜33，在使涂布的树脂密合于基板的状态下实施旋涂并均匀地拉伸树脂，然后使树脂固化。
为了提高信息记录介质的量产性、降低制造成本，各信息层中的各膜的成膜时间可以是每一层膜为10秒以下，特别是可以是5秒以下。
需要说明的是，作为各层的成膜方法，除了溅射法外，还可以使用真空蒸镀法、离子镀法、化学气相沉积法(CVD法：Chemical Vapor Deposition)和分子束外延法(MBE法：Molecular Beam Epitaxy)。
以这种方式，能够制造A面信息记录介质101。
以同样的方式，也能够制造B面信息记录介质102。
最后，在A面信息记录介质101中与基板1的设置有引导槽的面相反的面上均匀地涂布光固化型树脂(特别是紫外线固化型树脂)，将在B面信息记录介质的与基板1的设置有引导槽的面相反的面粘贴于涂布的树脂。然后，通过对树脂照射光使其固化，形成贴合层5。
或者，也可以将滞后固化型的光固化型树脂均匀地涂布于A面信息记录介质101后用光照射，然后，粘贴B面信息记录介质102，形成贴合层5。
以这种方式，能够制造实施方式1所涉及的两面具有信息层的信息记录介质100。
(实施方式2)
作为实施方式2，说明本发明的信息记录介质的另外一例。作为实施方式2，说明使用激光进行信息的记录和读取的信息记录介质的一例。
图2中示出了该光学信息记录介质的截面。本实施方式的信息记录介质200是在基板1上设置3层记录和读取信息的信息层，从覆盖层4一侧照射激光6，能够对各信息层记录和读取信息的多层光学信息记录介质。激光6是波长405nm附近的蓝紫色区域的激光。
与实施方式1不同，实施方式2的信息记录介质200是仅在单面具有信息层的介质。
信息记录介质200在基板1上隔着中间分离层2和3等具有依次层叠的第1信息层10、第2信息层20和第3信息层30，此外，具有与第3信息层相接地设置的覆盖层4。第2信息层20和第3信息层30是透射型的信息层。
在信息记录介质200中，在基板1上形成了引导槽的情况下，如果在对应于沟的位置在记录膜上形成凹坑，即如果实施沟记录，则例如根据BD-XL标准，可以使每一个信息层的容量为33.4GB。在信息记录介质200中，可以在3个信息层中进行信息的记录和读取，因此根据本实施方式，能够得到具有100GB容量的信息记录介质。
3个信息层的有效反射率可以通过分别调整第1、第2和第3信息层10、20和30的反射率、以及第2和第3信息层20和30的透射率来进行控制。
在本实施方式中，作为一例，对设计为第1信息层10的有效Rg为3.3％、第2信息层20的有效Rg为3.3％、第3信息层30的有效Rg为3.3％的结构进行说明。
第3信息层30的透射率为79％、第2信息层20的透射率为75％的情况下，如果设计为第1信息层10的Rg为9.2％、第2信息层20的Rg为5.3％、第3信息层30的Rg为3.3％，则能够得到前述的反射率。
接下来，对基板1、中间分离层2、中间分离层3和覆盖层4的功能、材料和厚度进行说明。
基板1是圆盘状的透明基板。作为基板1的材料，可以使用与实施方式1中的基板1相同的材料。在本实施方式中，基板的厚度为约1.1mm，沟间的距离为约0.32μm，但厚度和沟间的距离不限于此。
中间分离层2和3能够使用与实施方式1中的中间分离层2和3相同的材料形成，另外，厚度也能够与实施方式1的中间分离层2和3同样地进行设计。
在本实施方式中，在中间分离层2和3中可以设置引导槽。在本实施方式中，将沟间的距离设为约0.32μm，但不限于此。
覆盖层4可以使用与实施方式1中的覆盖层4相同的材料形成。另外，厚度也能够与实施方式1的覆盖层4同样地进行设计。
在符合BD标准的情况下，可以将中间分离层2和3的厚度与覆盖层4的厚度的总和设定为100μm。例如，可以设定中间分离层2为约25μm厚、中间分离层3为约18μm厚、覆盖层4为约57μm厚。
第1信息层10通过在基板1的表面上至少依次层叠第1电介质膜11、记录膜12、和第2电介质膜13而形成。第1信息层10可以通过与实施方式1中的第1信息层10相同的方法形成。
第2信息层20通过在中间分离层2的表面上至少依次层叠第1电介质膜21、记录膜22、和第2电介质膜23而形成。第2信息层20可以通过与实施方式1中的第2信息层20相同的方法形成。
第3信息层30通过在中间分离层3的表面上至少依次层叠第1电介质膜31、记录膜32、和第2电介质膜33而形成。第3信息层30可以通过与实施方式1中的第3信息层30相同的方法形成。
以这种方式，能够制造实施方式2所涉及的单面具有信息层的信息记录介质200。
如上所述，将实施方式作为本发明所涉及的技术的例示进行了说明。为此，提供了附图和详细的说明。
因此，在附图和详细的说明中记载的构成要素中，不仅包含为了解决问题所必须的必要的构成要素，为了例示上述技术，也可以包含不是为了解决问题所必要的构成要素。因此，这些非必要的构成要素记载于附图或说明书中，不应直接认定为这些非必要的构成要素是必须的。
另外，上述实施方式是为了例示本发明中的技术，因此可以在权利要求书的范围内或其对等范围内进行各种变更、替换、添加、省略等。
接下来，用实施例对本发明的技术进行详细说明。
实施例
用实施例对本发明的更具体的实施方式进行进一步详细说明。
(实施例1)
在本实施例中，对图1所示的信息记录介质100的一例及其制造方法进行说明。
首先，对A面信息记录介质101的结构进行说明。作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(厚度0.5mm)。在该基板1上依次通过溅射法对作为第1电介质膜11的厚度11nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜12的厚度30nm的包含W20Cu25Zn20Mn35(原子％)的氧化物的膜、作为第2电介质膜13的厚度11nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜进行成膜。
此处，将记录膜的组成表示为W20Cu25Zn20Mn35-O。以后，其他的记录膜也同样地，元素比以仅记载金属元素比(原子％)的形式表示。例如，记录膜由钨(W)、铜(Cu)、锌(Zn)和锰(M)的氧化物组成、将这4个金属元素合计设为100原子％时W的比例为25％原子、Cu的比例为25原子％、Zn的比例为25原子％、Mn的比例为25原子％的情况下，记录膜的组成表示为W25Cu25Zn25Mn25-O。
另外，(In2O3)83(SnO2)17(mol％)是通常使用的In2O3-SnO2(ITO)系透明导电膜，经常由(In2O3)90(SnO2)10(wt％)表示。在本说明书中，包含二种以上的氧化物的电介质膜的组成均由mol％表示。因此，为了易于与这些电介质膜的组成进行比较，(In2O3)90(SnO2)10(wt％)在本说明书中表示为(In2O3)83(SnO2)17(mol％)。
对于构成第1信息层10的膜的厚度，在没有第2信息层20和第3信息层30的情况下，以使第1信息层10的反射率在未记录状态下Rg≈10.0％、Rl≈10.5％的方式进行确定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
第1电介质膜11和第2电介质膜13的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜12的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。
接着，在第1信息层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的中间分离层2，并在中间分离层2上形成第2信息层20。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜21的厚度15nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜22的厚度30nm的W35Cu15Zn35Mn15-O膜、作为第2电介质膜23的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜，从而形成第2信息层20。
第2电介质膜23的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使在没有第3信息层30的情况下的第2信息层20的反射率在未记录状态下Rg≈8.0％、Rl≈8.3％、透射率为64％～68％的方式进行设定。反射率和透射率是照射波长405nm的激光时的反射率和透射率。
另外，第1电介质膜21的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜22的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜23的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
接着，在第2信息层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的中间分离层3，并在中间分离层3上形成第3信息层30。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜31的厚度15nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜32的厚度30nm的W40Cu5Zn40Mn15-O膜、作为第2电介质膜33的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜，从而形成第3信息层30。
第2电介质膜33的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使第3信息层30的反射率在未记录状态下Rg≈6.5％、Rl≈6.8％、透射率为67％～72％的方式进行设定。反射率和透射率是照射波长405nm的激光时的反射率和透射率。
另外，第1电介质膜31的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜33的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
然后，将紫外线固化型树脂涂布于第2电介质膜33上，并进行旋涂后，通过紫外线使树脂固化，从而形成覆盖层4，完成A面信息记录介质101的制作。
接下来，对B面信息记录介质102的结构进行说明。作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(厚度0.5mm)。将引导槽的螺旋旋转方向设为与在前述A面信息记录介质101的基板1上形成的引导槽的螺旋旋转方向相反的方向。在该基板1上，形成第1信息层10、中间分离层2、第2信息层20、中间分离层3、第3信息层30和覆盖层4。
对于B面信息记录介质102，以使各信息层的结构(各膜的组成、厚度、各信息层的反射率和透射率等)与A面信息记录介质101的各信息层的结构相同的方式形成构成各信息层的膜(第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜)。各膜通过与在A面信息记录介质101的形成中采用的方法相同的方法来形成。覆盖层4也设为与A面信息记录介质101的覆盖层4相同的结构，并用相同的方法形成。
中间分离层2和3也是与A面信息记录介质101的中间分离层2和3相同的结构。但是，在B面信息记录介质102中，在中间分离层2和3中设置的螺旋状的引导槽的旋转方向与在A面信息记录介质101的中间分离层2和3中设置的引导槽的螺旋旋转方向相反。
最后，在与A面信息记录介质101的基板1的形成有引导槽的面相反的面上均匀地涂布紫外线固化型树脂，并将与B面信息记录介质102的基板1的形成有引导槽的面相反的面粘贴于涂布的树脂。然后，通过紫外线使树脂固化，从而形成贴合层5。以这种方式，制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100，制作A面信息记录介质101与B面信息记录介质102的第2信息层20的第2电介质膜23和第3信息层30的第2电介质膜33包含SnO2、(SnO2)70(In2O3)30(mol％)、(SnO2)50(In2O3)50(mol％)、(SnO2)30(In2O3)70(mol％)、(SnO2)70(ZrO2)30(mol％)、(SnO2)70(Al2O3)30(mol％)、(SnO2)70(TiO2)30(mol％)、(SnO2)70(Sb2O3)30(mol％)、(SnO2)70(Ta2O5)30(mol％)、(SnO2)50(ZrO2)25(In2O3)25(mol％)和(SnO2)50(ZrO2)15(SiO2)15(In2O3)20(mol％)的介质。将这些介质的光盘编号分别设为1-101～1-111。
为了进行比较，制作信息记录介质100中的A面信息记录介质101与B面信息记录介质102的第2电介质膜23和第2电介质膜33包含(In2O3)90(SnO2)10(wt％)(＝(In2O3)83(SnO2)17(mol％))的介质。将该介质的光盘编号设为1-001。
对各实施例(光盘编号1-101～1-111)和比较例(光盘编号1-001)，进行第2信息层20和第3信息层30的记录灵敏度和保质特性的评价。
用于信号评价的评价装置的激光的波长为405nm，物镜的数值孔径NA为0.85，对沟和脊进行信息的记录。将记录的线速度设为14.00m/s(4倍速)，将读取的线速度设为7.00m/s(2倍速)。将数据位长设为79.5nm，进行每一个信息层50GB密度的记录。
作为对于第1信息层和第2信息层将读取功率设为1.4mW、对于第3信息层将读取功率设为1.1mW的读取光，使用以2∶1高频叠加(调制)的激光。进行基于随机信号(2T～8T)的记录，对于信号品质，通过PR(1233321)ML(Pattern Recognition and Machine Learning)信号处理进行数据复合，作为i-MLSE进行评价，将记录灵敏度设为i-MLSE为最佳值时的激光功率。
对于保质特性，使光盘在85℃、80％RH、100小时的条件下进行加速试验，通过加速试验前后的记录灵敏度和i-MLSE的变化量进行评价。记录灵敏度的变化量根据下式进行计算。
((加速试验后的记录灵敏度)-(初始的记录灵敏度))÷(初始的记录灵敏度)×100％
i-MLSE的变化量根据下式进行计算。
(加速试验后的i-MLSE)-(初始的i-MLSE)
关于A面信息记录介质101的第2信息层20的评价结果示于表1，关于A面信息记录介质101的第3信息层30的评价结果示于表2，关于B面信息记录介质102的第2信息层20的评价结果示于表3，关于B面信息记录介质102的第3信息层30的评价结果示于表4。
[表1]
[表2]
[表3]
[表4]
如这些表所示，在本实施例的任意信息记录介质100中，与比较例的光盘编号1-001相比，加速试验后的记录灵敏度和i-MLSE的变化量都少，得到良好的保质特性。优选记录灵敏度的变化量大致为+15％以下，i-MLSE的变化量大致小于+1.5％。
由光盘编号1-101～104可以观察到SnO2量越多保质特性越好的倾向。另外，由光盘编号1-105～107可以观察到通过添加ZrO2、Al2O3、或TiO2，光盘透射率增大的倾向。另外，从光盘编号1-108～109可以观察到通过添加Sb2O3或Ta2O5，记录灵敏度提高的倾向。
(实施例2)
在本实施例中，对图1所示的信息记录介质100的一例及其制造方法进行说明。
首先，对A面信息记录介质101的结构进行说明。基板1和第1信息层10的结构和制作方法与实施例1相同。
接着，在第1信息层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的中间分离层2，并在中间分离层2上形成第2信息层20。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜21的厚度15nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜22的厚度30nm的W35Cu15Zn35Mn15-O膜、作为第2电介质膜23的厚度15nm的电介质膜A即(SnO2)50(In2O3)50(mol％)膜进行成膜。
各膜的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使在没有第3信息层30的情况下的第2信息层20的反射率在未记录状态下Rg≈8.0％、Rl≈8.3％、透射率为约66％的方式进行设定。反射率和透射率是照射波长405nm的激光时的反射率和透射率。
另外，第1电介质膜21的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜22的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜23的成膜在Ar气氛下使用DC电源进行。
接着，在第2信息层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的中间分离层3，并在中间分离层3上形成第3信息层30。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜31的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)、作为记录膜32的厚度30nm的W40Cu5Zn40Mn15-O膜、作为第2电介质膜33的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜。
第1电介质膜31和第2电介质膜33的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使第3信息层30的反射率在未记录状态下Rg≈6.5％、Rl≈6.8％、透射率为67％～72％的方式进行设定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
另外，第1电介质膜31的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜33的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
然后，将紫外线固化型树脂涂布于第2电介质膜33上，并进行旋涂后，通过紫外线使树脂固化，形成覆盖层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，对B面信息记录介质102的结构进行说明。基板1和第1信息层10的结构和制作方法与实施例1的B面信息记录介质102的基板1和第1信息层10的结构和制作方法相同。
接着，形成中间分离层2、第2信息层20、中间分离层3、第3信息层30和覆盖层4。对于B面信息记录介质102，以使各信息层的结构(各膜的组成、厚度、以及各信息层的反射率和透射率等)与A面信息记录介质101的各信息层的结构相同的方式形成构成各信息层的膜(第1电介质膜、记录膜、第2电介质膜)。各膜通过与在A面信息记录介质101的形成中采用的方法相同的方法来形成。
覆盖层4也设为与A面信息记录介质101的覆盖层4相同的结构，并用相同的方法形成。中间分离层2和3也是与A面信息记录介质101的中间分离层2和3相同的结构。
但是，在B面信息记录介质102中，对于在中间分离层2和3中设置的螺旋状的引导槽，使螺旋的旋转方向与在A面信息记录介质101的中间分离层2和3中设置的引导槽的螺旋的旋转方向相反。
最后，在与A面信息记录介质101的基板1的形成有引导槽的面相反的面上均匀地涂布紫外线固化型树脂，并将与B面信息记录介质102的基板1的形成有引导槽的面相反的面粘贴于涂布的树脂。然后，通过紫外线使树脂固化，从而形成贴合层5。以这种方式，制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100，制作A面信息记录介质101与B面信息记录介质102的第3信息层30的第1电介质膜31和第2电介质膜33都包含SnO2、(SnO2)70(In2O3)30(mol％)、(SnO2)50(In2O3)50(mol％)、(SnO2)30(In2O3)70(mol％)、(SnO2)70(ZrO2)30(mol％)、(SnO2)70(Al2O3)30(mol％)、(SnO2)70(TiO2)30(mol％)、(SnO2)70(Sb2O3)30(mol％)、(SnO2)70(Ta2O5)30(mol％)、(SnO2)50(ZrO2)25(In2O3)25(mol％)和(SnO2)50(ZrO2)15(SiO2)15(In2O3)20(mol％)的介质。将这些介质的光盘编号分别设为1-112～1-122。
在实施例2中，为了进行比较，也使用在实施例1中为了进行比较而使用的介质(光盘编号1-001)。
实施例和比较例的信息记录介质的信号评价与实施例1同样地进行。
关于A面信息记录介质101的第3信息层30的评价结果示于表5，关于B面信息记录介质102的第3信息层30的评价结果示于表6。
[表5]
[表6]
如这些表所示，在本实施例的任意信息记录介质100中，与比较例的光盘编号1-001相比，加速试验后的记录灵敏度和i-MLSE的变化量都少，得到良好的保质特性。
另外，若将光盘编号1-112～115与比较例的光盘编号1-001相比，则存在SnO2量越多保质特性越好的倾向。另外，由光盘编号1-116～118可以观察到通过添加ZrO2、Al2O3、或TiO2，光盘透射率增大的倾向。另外，由光盘编号1-119～120可以观察到通过添加Sb2O3或Ta2O5，记录灵敏度提高的倾向。
(实施例3)
在本实施例中，对图1所示的信息记录介质100的一例及其制造方法进行说明。
首先，对A面信息记录介质101的结构进行说明。作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(厚度0.5mm)。
在该基板1上依次通过溅射法对作为第1电介质膜11的厚度11nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜12的厚度30nm的W20Cu25Zn20Mn35-O膜、作为第2电介质膜13的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜。
第2电介质膜13的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使在没有第2信息层20和第3信息层30的情况下的第1信息层10(未记录状态)的反射率在未记录状态下Rg≈10.0％、RI≈10.5％的方式进行设定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
第1电介质膜11在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜12的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜13的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
接着，在第1信息层10上依次形成中间分离层2、第2信息层20、中间分离层3、第3信息层30和覆盖层4。这些层的结构和制造方法与在实施例1中制作的介质的A面信息记录介质101的这些层的结构和制造方法相同。
接下来，对B面信息记录介质102的结构进行说明。作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的聚碳酸酯基板(厚度0.5mm)。将引导槽的螺旋旋转方向设为与在前述A面信息记录介质101的基板1上形成的引导槽的螺旋旋转方向相反的方向。
在该基板1上依次通过溅射法对作为第1电介质膜11的厚度11nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜12的厚度30nm的W20Cu25Zn20Mn35-O膜、作为第2电介质膜13的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜。
第2电介质膜13的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使在没有第2信息层20和第3信息层30的情况下的第1信息层10(未记录状态)的反射率在未记录状态下Rg≈10.0％、Rl≈10.5％的方式进行设定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
另外，第1电介质膜11的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜12的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜13的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
接着，在第1信息层10上依次形成中间分离层2、第2信息层20、中间分离层3、第3信息层30和覆盖层4。这些层的结构和制造方法与在实施例1中制作的介质的A面信息记录介质101的这些层的结构和制造方法相同。
但是，在中间分离层2和3中设置的螺旋状的引导槽的旋转方向与在A面信息记录介质101的中间分离层2和3中设置的引导槽的螺旋旋转方向相反。
最后，在与A面信息记录介质101的基板1的形成有引导槽的面相反的面上均匀地涂布紫外线固化型树脂，并将与B面信息记录介质102的基板1的形成有引导槽的面相反的面粘贴于涂布的树脂。然后，通过紫外线使树脂固化，从而形成贴合层5。以这种方式，制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100，制作A面信息记录介质101与B面信息记录介质102的第1信息层10的第2电介质膜13、第2信息层20的第2电介质膜23、和第3信息层30的第2电介质膜33包含(SnO2)70(In2O3)30(mol％)、(SnO2)50(In2O3)50(mol％)和(SnO2)30(In2O3)70(mol％)的介质。将这些介质的光盘编号分别设为1-123～1-125。
在实施例3中，为了进行比较，也使用在实施例1中为了进行比较而使用的介质(光盘编号1-001)。
实施例和比较例的信息记录介质的信号评价与实施例1同样地进行。
A面信息记录介质101的第1信息层10的评价结果示于表7，B面信息记录介质102的第1信息层10的结果示于表8。评价第2信息层20和第3信息层30时，光盘编号1-123的评价结果与光盘编号1-102的评价结果相同、光盘编号1-124的评价结果与光盘编号1-103的评价结果相同、光盘编号1-125的评价结果与光盘编号1-104的评价结果相同，均为良好，因此在表中省略其表示。
[表7]
[表8]
如这些表所示，在本实施例的任意信息记录介质100中，与比较例的光盘编号1-001相比，加速试验后的记录灵敏度和i-MLSE的变化量都少，得到良好的保质特性。
(实施例4)
在本实施例中，对图2所示的信息记录介质200的一例及其制造方法进行说明。
作为基板1，准备形成有螺旋状的引导槽(深度20nm，轨道间距(沟-沟间距离)0.32μm)的聚碳酸酯基板(厚度1.1mm)。在该基板1上依次通过溅射法对作为第1电介质膜11的厚度10nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜12的厚度30nm的W20Cu25Zn20Mn35-O膜、作为第2电介质膜13的厚度15nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜进行成膜。
对于构成第1信息层10的膜的厚度，以使在没有第2信息层20和第3信息层30的情况下的第1信息层10的反射率在未记录状态下Rg≈9.2％的方式进行确定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
第1电介质膜11和第2电介质膜13的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜12的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。
接着，在第1信息层10上形成设置有螺旋状的引导槽(深度20nm，轨道间距(沟-沟间距离)0.32μm)的中间分离层2，并在中间分离层2上形成第2信息层20。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜21的厚度13nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜22的厚度30nm的W35Cu15Zn35Mn15-O膜、作为第2电介质膜23的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜，从而形成第2信息层20。
第2电介质膜23的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，在405nm的激光下，以使在没有第3信息层30的情况下的第2信息层20的反射率在未记录状态下Rg≈5.3％、透射率为64％～68％的方式进行设定。反射率和透射率是照射波长405nm的激光时的反射率和透射率。
另外，第1电介质膜21的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜22的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜23的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
接着，在第2信息层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度20nm，轨道间距(沟-沟间距离)0.32μm)的中间分离层3，并在中间分离层3上形成第3信息层30。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜31的厚度14nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜32的厚度30nm的W40Cu5Zn40Mn15-O膜、作为第2电介质膜33的包含含有30mol％以上SnO2的氧化物电介质材料的膜(电介质膜A)进行成膜，从而形成第3信息层30。
第2电介质膜33的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使第3信息层30的反射率在未记录状态下Rg≈3.3％、透射率为67％～72％的方式进行设定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
第1电介质膜31的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜33的成膜在Ar气氛或Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源或RF电源进行。
然后，将紫外线固化型树脂涂布于第2电介质膜33上，并进行旋涂后，通过紫外线使树脂固化，形成覆盖层4，完成本实施例的信息记录介质200的制作。
作为本实施例的信息记录介质200，制作第2电介质膜23和第2电介质膜33包含SnO2、(SnO2)70(In2O3)30(mol％)、(SnO2)50(In2O3)50(mol％)、(SnO2)30(In2O3)70(mol％)、(SnO2)70(ZrO2)30(mol％)、(SnO2)70(Al2O3)30(mol％)、(SnO2)70(TiO2)30(mol％)、(SnO2)70(Sb2O3)30(mol％)、(SnO2)70(Ta2O5)30(mol％)、(SnO2)50(ZrO2)25(In2O3)25(mol％)和(SnO2)50(ZrO2)15(SiO2)15(In2O3)20(mol％)的介质。将这些介质的光盘编号分别设为2-101～2-111。
为了进行比较，制作信息记录介质200中的第2电介质膜23和第2电介质膜33包含(In2O3)90(SnO2)10(wt％)(＝(In2O3)83(SnO2)17(mol％))的介质。将该介质的光盘编号设为2-001。
对各实施例(光盘编号2-101～2-111)和比较例(光盘编号2-001)，将第2信息层20和第3信息层30的记录灵敏度和保质特性根据Blu-ray(注册商标)Disc标准之一即“BD-XL”标准进行评价。
用于信号评价的评价装置的激光的波长为405nm，物镜的数值孔径NA为0.85，对沟进行信息的记录。将记录的线速度设为14.72m/s(4倍速)，将读取的线速度设为7.36m/s(2倍速)。进行最小标记长(2T)为0.111μm、每一个信息层33.4GB密度的记录。
对于第1和第2信息层将读取功率设为1.4mW，对于第3信息层将读取功率设为1.1mW。作为读取光，使用以2∶1高频叠加(调制)的激光。
对于信号品质，通过PR(1222221)ML信号处理进行数据复合，作为i-MLSE进行评价，将记录灵敏度设为i-MLSE为最佳值时的激光功率。
并且，对于保质特性，使光盘在85℃、85％RH、100小时的条件下进行加速试验，通过加速试验前后的记录灵敏度和i-MLSE的变化量进行评价。记录灵敏度的变化量根据下式进行计算。
((加速试验后的记录灵敏度)-(初始的记录灵敏度))÷(初始的记录灵敏度)×100％
i-MLSE的变化量根据下式进行计算。
(加速试验后的i-MLSE)-(初始的i-MLSE)
关于第2信息层20的评价结果示于表9，关于第3信息层30的评价结果示于表10。
[表9]
[表10]
如这些表所示，在本实施例的任意信息记录介质200中，与比较例2-001相比，加速试验后的记录灵敏度和i-MLSE的变化量都少，得到良好的保质特性。优选记录灵敏度的变化量大致为+15％以下，i-MLSE的变化量大致小于+1.5％。
由光盘编号2-101～104可以观察到SnO2量越多保质特性越好的倾向。另外，由光盘编号2-105～107可以观察到通过添加ZrO2、Al2O3、或TiO2，光盘透射率增大的倾向。另外，从光盘编号2-108～109可以观察到通过添加Sb2O3或Ta2O5，记录灵敏度提高的倾向。
(实施例5)
在本实施例中，对图1所示的信息记录介质100的一例及其制造方法进行说明。
首先，对A面信息记录介质101的结构进行说明。基板1、第1信息层10、中间分离层2和第2信息层20的结构和制作方法与实施例2相同。
接着，在第2信息层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的中间分离层3，并在中间分离层3上形成第3信息层30。
具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜31的厚度15nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜32的厚度30nm的表11所示组成的膜、作为第2电介质膜33的厚度15nm的(SnO2)50(In2o3)50(mol％)膜(电介质膜A)进行成膜，从而形成第3信息层30。
第1电介质膜31和第2电介质膜33的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使第3信息层30的反射率在未记录状态下Rg≈6.5％、Rl≈6.8％、透射率为67％～72％的方式，对这些膜的厚度进行设定。反射率和透射率是照射波长405nm的激光时的反射率和透射率。
第1电介质膜31的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜33的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。
然后，将紫外线固化型树脂涂布于第2电介质膜33上，并进行旋涂后，通过紫外线使树脂固化，形成覆盖层4，制作A面信息记录介质101。
接下来，对B面信息记录介质102的结构进行说明。基板1、第1信息层10、中间分离层2和第2信息层20的结构和制作方法与实施例2相同。
接着，在第2信息层20上形成设置有螺旋状的引导槽(深度17nm，轨道间距(脊-沟间距离)0.225μm)的中间分离层3。将引导槽的螺旋旋转方向设为与前述A面信息记录介质101的中间分离层3的引导槽的螺旋旋转方向相反的方向。
在中间分离层3上形成第3信息层30。具体而言，依次通过溅射法对作为第1电介质膜31的厚度15nm的(In2O3)83(SnO2)17(mol％)膜、作为记录膜32的厚度30nm的表12所示组成的膜、作为第2电介质膜33的厚度15nm的(SnO2)50(In2o3)50(mol％)膜(电介质膜A)进行成膜，从而形成第3信息层30。
第1电介质膜31和第2电介质膜33的厚度通过基于矩阵法的计算来确定。具体而言，以使第3信息层30的反射率在未记录状态下Rg≈6.5％、Rl≈6.8％、透射率为67％～72％的方式，对这些膜的厚度进行设定。反射率是照射波长405nm的激光时的反射率。
第1电介质膜31的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。记录膜32的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用脉冲DC电源进行。第2电介质膜33的成膜在Ar+O2的混合气体气氛下使用DC电源进行。
然后，将紫外线固化型树脂涂布于第2电介质膜33上，并进行旋涂后，通过紫外线使树脂固化，形成覆盖层4，制作B面信息记录介质102。
最后，在与A面信息记录介质101的基板1的形成有引导槽的面相反的面上均匀地涂布紫外线固化型树脂，并将与B面信息记录介质102的基板1的形成有引导槽的面相反的面粘贴于涂布的树脂。然后，通过紫外线使树脂固化，从而形成贴合层5。以这种方式，制作本实施例的信息记录介质100。
作为本实施例的信息记录介质100，制作A面信息记录介质101与B面信息记录介质102的第3信息层30的记录膜32包含W40Zn40Mn20-O、W40Zn40Pd20-O、W40Cu5Zn40Pd15-O、W40Cu5Zn40Au15-O、W40Cu5Zn40Ni15-O、W40Cu5Zn40Co15-O、W40Cu5Zn40Fe15-O、W40Cu5Zn40Mn10Al5-O、W40Cu5Zn40Mn10Ag5-O和W40Cu5Zn40Mn10Bi5-O的介质。将这些介质的光盘编号分别设为1-126～1-135。
对光盘编号1-126～1-135的信息记录介质的保质特性与实施例1相同地进行评价。另外，也进行初始的记录灵敏度中的随机信号的调制度的评价。关于A面信息记录介质101的第3信息层30的评价结果示于表11，关于B面信息记录介质102的第3信息层30的评价结果示于表12。
[表11]
[表12]
如这些表所示，在本实施例的任意信息记录介质100中，初始的调制度均良好，为40％以上，并且得到良好的保质特性。由此，通过在具有包含钨和氧的记录膜的信息层上，适用包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜(电介质膜A)，得到了具有良好的保质特性的信息记录介质。
产业上的可利用性
本发明的信息记录介质及其制造方法在信息记录介质长期保存后也显示出良好的记录和读取特性，并具有高的可靠性，因此用于记录和保存大容量内容的多层可刻录型光盘中。具体而言，用于例如符合BD-XL标准的单面具有3层信息层的光盘(容量100GB)、和两面分别具有3层信息层的下一代光盘(容量300GB或500GB等)。
附图标记说明
100，200 信息记录介质
101 A面信息记录介质
102 B面信息记录介质
10，20，30 信息层
12，22，32 记录膜
11，21，31 第1电介质膜
13，23，33 第2电介质膜
1 基板
2，3 中间分离层
4 覆盖层
5 贴合层
6 激光

Claims (11)

1.一种信息记录介质，其为包含基板和多个信息层、通过激光的照射来记录或读取信息的可刻录型信息记录介质，
其中，至少一个信息层的记录膜为至少包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜，
与所述W-O系记录膜相接地设置有包含30mol％以上锡氧化物的电介质膜A。
2.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述锡氧化物为SnO2。
3.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述电介质膜A还包含元素M0的氧化物，其中，M0为选自Si、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf和Y中的至少一种元素。
4.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述W-O系记录膜还包含元素M1，其中，M1为选自Ge、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、Cr和Mo中的至少一种元素。
5.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，在所述至少一个信息层中，从所述信息记录介质的靠近照射所述激光的面的一侧，依次设置有所述电介质膜A、所述W-O系记录膜、和包含小于30mol％比例的SnO2的In2O3-SnO2电介质膜。
6.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，在具有N个信息层、将所述信息记录介质的最靠近照射所述激光的面的信息层设为第N信息层、将最靠近所述基板的信息层设为第1信息层时，至少第N信息层具有所述W-O系记录膜和所述电介质膜A，其中，N为正整数。
7.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，所述信息记录介质隔着所述基板在两面上具有所述信息层。
8.根据权利要求1所述的信息记录介质，其中，在所述多个信息层具有引导槽、将靠近照射所述激光的面的一侧的槽设为沟、将远离照射所述激光的面的一侧的槽间设为脊时，在所述多个信息层的各记录膜中，在对应于所述沟和所述脊二者的位置记录信息。
9.一种信息记录介质的制造方法，包含两个以上形成信息层的工序，
至少一个所述形成信息层的工序包含：
工序(i)，形成包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜；和工序(ii)，形成包含3Omol％以上锡氧化物的电介质膜A，
所述工序(i)包括使用包含W和O的靶实施溅射，
所述工序(ii)包括使用包含Sn和O的靶实施溅射。
10.根据权利要求9所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述工序(i)中，使用添加氧的DC反应性溅射法。
11.根据权利要求9所述的信息记录介质的制造方法，其中，在所述工序(ii)中，使用DC溅射法。
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