CN104123953A - 光学记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种包括记录层的光学记录介质，该记录层包括反射层、两个介电层、以及相变记录层。两个介电层的相变记录层侧介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层的反射层侧介电层含有由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物、由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物、或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。

Description

光学记录介质
相关申请的交叉参考
本申请要求于2013年4月26日提交的日本在先专利申请JP2013-094785的权益，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本公开内容涉及包括相变记录层的光学记录介质。
背景技术
近年来，为了进一步增大存储容量，在光学记录介质中已经广泛地使用了用于多层化记录层的技术。已经为只重现型、一次写入型、和可重写型的各种光学记录介质进行了多层化技术的研究。
已经提出了包括两层结构的记录层的可重写多层光学记录介质，其中，第一记录层（L0层）、中间层、第二记录层（L2层）、以及光透射层依次堆叠在基板上。具有两层结构的光学记录介质使用可以透过用于在/从第一记录层进行记录/再生的激光束的记录层（下文中，可以称为“半透射记录层”）作为第二记录层。
第二记录层包括介电材料、金属、以及相变记录材料等的堆叠，使得可以表现出记录/再生性能。通常，第二记录层具有第一介电层、金属反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层依次堆叠在基板上的结构（例如，参照国际公开第2008/018225号）。
发明内容
理想地是提供一种具有良好的记录特性并且能够抑制缺陷发生的光学记录介质。
根据本公开内容的实施方式，一种光学记录介质，包括：记录层，包括反射层、两个介电层、以及相变记录层。两个介电层中的相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层中的反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
根据本公开另一实施方式的光学记录介质包括：记录层，包括第一介电层、反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层。第二介电层包括两个介电层，两个介电层中的相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层中的反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
在本技术中，优选地，记录层设置在基板上，并且覆盖层设置在记录层上。覆盖层的厚度没有特别限制，并且覆盖层包括基板、片、或者涂层。考虑到使用高NA（数值孔径）物镜，高密度光学记录介质优选地包括诸如片或涂层的透光薄层作为覆盖层，并且具有其中通过从透光层侧用光照射来记录或再生信息信号的配置。在该情况下，还可以使用不透明基板。根据光学记录介质的格式，用于记录或再生信息信号的光的入射表面适当地布置在覆盖层侧表面和基板侧表面的至少一个上。
光学记录介质包括多个记录层，其中至少一个优选地是具有上述配置的记录层。
在本技术中，具有上述配置的记录层优选地是透射记录层。术语“透射记录层”是指如下的记录层：其被配置为允许透射用于记录或再生信息信号的光，从而可以在从光照射表面看时布置于透射记录层后面的记录层上进行记录和再生。术语“光照射表面”是指光学记录介质的表面中的、以用于记录或再生信息信号的光照射的表面。因此，当记录层是透射记录层时，记录层设置在从照射表面看最内部的记录层前面，照射表面被用于记录或再生信息信号的光照射。
鉴于透射率的提高，两个介电层的记录层侧介电层优选地含有氧化钽。具有该配置的透射记录层特别优选地应用于具有包括三层以上的多层结构的光学记录介质。结果，可以实现良好的光学特性和记录特性。
在本技术中，两个介电层的相变记录层侧介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物，因此可以赋予相变记录层良好的助晶作用。两个介电层的反射层侧介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物，因此可以抑制缺陷的发生。
如上所述，根据本技术，可以提供具有良好的记录特性并且能够抑制缺陷发生的光学记录介质。
附图说明
图1A是示出根据本公开内容的实施方式的光学记录介质的外观的实例的透视图；
图1B是示出根据本公开内容的实施方式的光学记录介质的配置的实例的示意横截面图；
图2A是示出图1B中示出的记录层L0的配置的实例的示意图；
图2B是示出图1B中示出的记录层L1的配置的实例的示意图；
图2C是示出图1B中示出的记录层L2的配置的实例的示意图；
图3是示出参考例1-1至1-3的光学记录介质的DOW（直接重写）特性的评价结果的图表；
图4A是示出参考例2-1至2-3的光学记录介质的DOW特性的评价结果的图表；
图4B是示出参考例2-1至2-3的光学记录介质的i-MLSE（集成最大似然序列估计）和调制度的记录功率依赖性的图表；
图5是示出参考例2-4至2-7的光学记录介质的DOW特性的评价结果的图表；
图6A是示出实例2-1至2-4的光学记录介质的DOW特性的评价结果的图表；
图6B是示出实例2-1至2-4的DOW（1000）的i-MLSE和△iMLSE的评价结果的图表；
图7A是示出实例2-5的光学记录介质的DOW特性的评价结果的图表；
图7B是示出实例2-6的光学记录介质的DOW特性的评价结果的图表；
图8A是示出实例3-1至3-5的光学记录介质的DOW特性的评价结果的图表；
图8B是示出实例3-1至3-5的光学记录介质的-MLSE和△iMLSE的评价结果的图表；以及
图9是示出实例5-1至5-3的光学记录介质的i-MLSE和调制度的记录功率依赖性的图表。
具体实施方式
参照附图按如下顺序描述本发明的实施方式。
1概述
2光学记录介质的配置
3光学记录介质的制造方法
[1.概述]
在包括具有堆叠膜（其中，堆叠膜包括半透射反射层、介电层、相变记录层）的透射记录层的光学记录介质中，介电层的材料选择对于赋予透射记录层（半透射记录层）良好的记录特性而言是重要的。赋予了相变记录层助晶功能（crystallization promoting function）的氧化物材料被用作与相变记录层接触的介电层的材料。根据发明人的发现，优选地，将氧化钽或由氧化硅、氧化铟、和氧化锆组成的复合氧化物用作该氧化物材料。
根据发明人从实验获得的发现，在通过溅射方法沉积上述氧化物材料时，通过在沉积气（deposition gas）中添加氧，可以进一步提高相变记录层的助晶性能，从而改善记录特性，例如，功率裕度、DOW（直接重写）特性等。
然而，当如上所述在溅射方法中通过向沉积气添加氧来形成介电层时，特别是在与介电层接触的半透射层（例如，Ag合金层）的外围部分发生劣化，因此，没有在光学记录介质的整个表面获得良好的记录特性。
因此，发明人对能够赋予相变记录层良好的助晶性能并且在光学记录介质的整个表面实现良好的记录特性的技术进行了研究。结果，发明人发现以下技术，两个介电层与半透射反射层接触形成，并且在沉积两个介电层中的半透射反射层侧的下介电层时，不在沉积气中添加氧，而在沉积相变记录层侧的上介电层时，在沉积气中添加氧。
然而，发明人通过进行光学记录介质的可靠性测试对如上所述包括两个介质层的光学记录介质的特性进行了研究，得到了以下的发现。当选择由氧化铟和氧化锡组成的复合氧化物（ITO）或氮化硅（SiN）作为下介电层的材料时，在透射记录层中出现了缺陷。
因此，发明人深入地研究了抑制缺陷出现。结果，发明人得出了以下结论，通过使用由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物、由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物、或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物作为下介电层的材料，可以抑制缺陷的出现。
[2光学记录介质的配置]
如图1A所示，根据本公开内容实施方式的光学记录介质10具有在其中心设置有孔（下文中称为“中心孔”）的盘状形状。光学记录介质10的形状不限于该示例，并且可以使用卡形。
如图1B所示，光学记录介质10具有如下的配置，其中，记录层L0、中间层S1、记录层L1、中间层S2、记录层L2、以及用作覆盖层的透光层12顺序堆叠在基板11的主表面上。光学记录介质10是可以在其中擦除并重写数据的三层可重写光学记录介质。
在光学记录介质10中，通过用来自透光层12侧的表面C的激光束照射各个记录层L0至L2，记录或再生信息信号。波长范围在400nm以上且410nm以下的激光束被数值孔径范围在0.84以上且0.86以下的物镜汇聚，并且从透光层12侧施加于各个记录层L0至L2，记录或再生信息信号。光学记录介质10的实例是三层BD-RE（蓝光光盘可重写）。利用用于在/从各个记录层L0至L2记录或再生信息信号的激光束照射的表面C称为“光束照射表面C”。
按以下的顺序描述构成光学记录介质10的基板11、记录层L0至L2、中间层S1和S2、以及透光层12。
（基板11）
基板11具有例如在其中心设置有中心孔的盘形。基板11的主表面例如是上面形成了记录层L0的凹凸表面。在下文中，在凹凸表面中，凹部称为“槽中Gin”，并且凸部称为“槽上Gon”。
槽中Gin和槽上Gon的形状的实例包括诸如螺旋形状、同心圆形状等等的各种形状。槽中Gin和/或槽上Gon是摆动的，用于稳定线速度和添加地址信息。
例如，选择120mm作为基板11的直径。鉴于刚性，优选地，选择0.3mm以上且1.3mm以下，更优选地，0.6mm以上且1.3mm以下，例如，1.1mm作为基板11的厚度。例如，选择15mm作为中心孔的直径。
例如，可以使用塑料材料或玻璃作为基板11的材料，并且鉴于成本，优选地使用塑料材料。可以使用的塑料材料的实例包括聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、丙烯酸树脂等。
（记录层L0）
如图2A所示，记录层L0包括堆叠膜，该堆叠膜例如通过在基板11上顺序堆叠反射层21、第一介电层22、相变记录层23、第二介电层24而形成。第一介电层22具有堆叠了下介电层22a和上介电层22b的两层结构。下介电层22a设置在反射层21侧，并且上介电层22b设置在相变记录层23侧。第二介电层24具有堆叠了下介电层24a和上介电层24b的两层结构。下介电层24a设置在相变记录层23侧，并且上介电层24b设置在中间层S1侧。
构成反射层21的材料的实例包括均含有诸如Al、Ag、Au、Ni、Cr、Ti、Pd、Co、Si、Ta、W、Mo、或Ge、或者其合金的元素作为主要成分的材料。其中，鉴于实用性，Al基、Ag基、Au基、Si基、和Ge基材料是优选的。合金的优选实例包括Al-Ti、Al-Cr、Al-Cu、Al-Mg-Si、Ag-Nd-Cu、Ag-Pd-Cu、Ag-Pd-Ti、和Si-B。鉴于光学特性和热特性，优选地从这些材料中选择材料。例如，鉴于即使在短波长区域中的高反射率，优选地使用Al基或Ag基材料。
下介电层22a、上介电层22b、下介电层24a、和上介电层24b是保护相变记录层23并且还控制光学特性和热稳定性的层。构成这些介电层22a、22b、24a、和24b的介电材料例如含有选择以下各项构成的组中的至少一种：氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、和氟化物。氧化物的实例是从由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi、以及Mg组成的组中选择的至少一种元素的氧化物。氮化物的实例是从由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta、以及Zn组成的组中选择的至少一种元素的氮化物，并且优选地，从由Si、Ge、以及Ti构成的组中选择的至少一种元素的氮化物。硫化物的实例是Zn硫化物。碳化物的实例是从由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta、以及W组成的组中选择的至少一种元素的碳化物，并且优选地是从由Si、Ti、以及W构成的组中选择的至少一种元素的碳化物。氟化物的实例是从由Si、Al、Mg、Ca、以及La组成的组中选择的至少一种元素的氟化物。混合物的实例包括ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO等。
相变记录层23是可以通过例如激光束的照射重复地在上面记录信息信号的记录层。具体地，相变记录层23是例如通过激光照射而在非晶相和结晶相之间可逆地变化来在上面记录和重写信息信号的记录层。例如，可以使用共晶相变材料或化合物类相变材料作为相变记录层23的材料。相变材料的实例包括含有GeSbTe、SbTe、BiGeTe、BiGeSbTe、AgInSbTe、GeSnSbTe作为主要成分的相变材料。如果需要，可以向含有这种主要成分的相变材料中添加诸如Ag、In、Cr、和Mn的至少一种金属材料。
（记录层L1）
如图2B所示，记录层L1是透射记录层的实例，并且包括，例如，通过在中间层S1上顺序堆叠第一介电层31、半透射反射层32、第二介电层33、相变记录层34、以及第三介电层35形成的堆叠膜。
第二介电层33具有两层结构，其中，堆叠了下介电层33a和上介电层33b。下介电层33a设置在相变记录层34侧设置的半透射反射层上。
第三介电层35具有三层结构，其中，堆叠了下介电层35a、中间介电层35b、以及上介电层35c。下介电层35a设置在相变记录层34侧，上介电层35c设置在中间层S2侧，并且中间介电层35b设置在下介电层35a和上介电层35b之间。
第一介电层31是保护半透射反射层32的层。与上述的下介电层22a的材料相同的材料可以示例作为构成第一介电层31的介电材料。
半透射反射层32被配置为允许用于记录或再生信息信号的激光束透射。具体地，半透射层32具有以下程度的透射率，其使得可以在从光束照射表面C看时设置在含有半透射反射层32的记录层L1后面的记录层L0上记录信息信号，或者从记录层L0再生信息信号。
相变记录层34与上述相变记录层23相同。然而，根据需要的特性，可以为相变记录层34选择与上述相变记录层23不同的厚度、组成等。
当相变记录层34含有铋、锗、碲、银时，银的含量相对于铋、锗、碲、银的总量优选地在2.0at%以上且3.5at%以下的范围内。利用2.0at%以上的银含量，可以实现良好的存储可靠性。另一方面，利用3.5%以下的银含量，可以获得良好的记录特性。
下介电层33a、上介电层33b、下介电层35a、中间介电层35b、以及上介电层35c是保护相变记录层34并且控制光学特性和热稳定性的层。
下介电层33a含有由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。因此，可以抑制出现缺陷。
在将氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物用作下介电层33a的材料时，铟的含量相对于硅、铟、锆的总量优选地在66.7at%（原子%）以上且94.7at%以下的范围内，例如，选择大约82at%。使用该范围中的铟含量，可以获得良好的记录特性。
下介电层33a的厚度优选地在3nm以上且20nm以下的范围内。使用具有3nm以上厚度的下介电层33a，可以获得良好的记录特性。另一方面，使用具有厚度为20nm以下的下介电层33a，可以抑制生产率（生产节拍）的下降以及材料成本的增大。
上介电层33b含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。由于含有这种介电材料，因此可以实现良好的助晶性能。考虑到提高透射率，优选地含有这些介电材料中的氧化钽。
与上述下介电层22a相同的材料可以示例为构成下介电层35a、中间介电层35b、以及上介电层35c的介电材料。
优选地，将由氧化硅、氧化铬、氧化锆组成的复合氧化物用作下介电层35a的材料。这是因为可以获得良好的记录特性。
（记录层L2）
如图2C所示，记录层L2是透射记录层的实例，并且包括例如通过在中间层S2上顺序堆叠第一介电层41、半透射反射层42、第二介电层43、相变记录层44、第三介电层45形成的堆叠膜。
第二介电层43具有两层结构，其中，堆叠了下介电层43a和上介电层43b。下介电层43a设置在半透射反射层42侧，并且上介电层43b设置在相变记录层44侧。
第三介电层45具有三层结构，其中，例如，堆叠了下介电层45a、中间介电层45b、以及上介电层45c。下介电层45a设置在相变记录层44侧，上介电层45c设置在透光层12侧，并且中间介电层45b设置在下介电层45a和上介电层45c之间。
第一介电层41是保护半透射反射层42的层。与上述下介电层22a相同的材料可以示例为构成第一介电层41的介电材料。
半透射反射层42被配置为允许用于记录或再生信息信号的激光束透过。具体地，半透射层42具有以下程度的透射率，其使得可以在记录层L0或L1上记录信息信号，或者可以从记录层L0和L1再生信息信号，在从光束照射表面C看时，记录层L0和L1设置在含有半透射反射层42的记录层L2后面。
相变记录层44与上述相变记录层34相同。然而，根据需要的特性，可以为相变记录层44选择与上述相变记录层34不同的厚度、组成等。
下介电层43a、上介电层43b、下介电层45a、中间介电层45b、以及上介电层45c是保护相变记录层44并且控制光学特性和热稳定性的层。
下介电层43a含有由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。因此，可以抑制出现缺陷。
在将氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物用作下介电层43a的材料时，铟的含量相对于硅、铟、锆的总量优选地在66.7at%以上且94.7at%以下的范围内，例如，选择大约82at%。使用该范围中的铟含量，可以获得良好的记录特性。
下介电层43a的厚度优选地在3nm以上且20nm以下的范围内。使用具有3nm以上厚度的下介电层43a，可以获得良好的记录特性。另一方面，使用具有厚度为20nm以下的下介电层43a，可以抑制生产率（生产节拍）的下降以及材料成本的增大。
上介电层43b含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。由于含有这种介电材料，因此可以实现良好的助晶性能。考虑到提高透射率，优选地含有这些介电材料中的氧化钽。
与上述下介电层22a相同的材料可以示例为构成下介电层45a、中间介电层45b、以及上介电层45c的介电材料。
优选地，将由氧化硅、氧化铬、氧化锆组成的复合氧化物用作下介电层45a的材料。这是因为可以获得良好的记录特性。
（中间层S1和S2）
中间层S1和S2具有将记录层L0至L2之间隔开足够物理和光学距离的功能，并且每个都具有凹凸表面。凹凸表面具有形成于其中的同心圆状或螺旋状凹槽（槽中Gin和槽上Gon）。中间层S1和S2中的每个的厚度都优选地设置为9μm至50μm。中间层S1和S2的材料没有特别限制，并且优选地使用紫外线固化型丙烯酸树脂。此外，中间层S1和S2优选地具有足够高的光透射率，这是因为中间层S1和S2用作用于在/从最内层记录/再生信息信号的激光束的光学路径。
（透光层12）
透光层12是例如通过固化诸如紫外线固化树脂等的光敏树脂形成的树脂层。树脂层的材料的实例是紫外线固化型丙烯酸树脂。此外，透光层12可以包括具有环形形状的透光片以及用于将透光片结合到基板11的粘接层。透光片优选地由对于用于记录和再生的激光束的吸收率低的材料组成，特别地，具有90%以上的透光率的材料。透光片的材料的实例包括聚碳酸酯树脂材料、聚烯烃树脂（例如，ZEONEX（注册商标））等。粘接层的材料的实例包括紫外线固化性树脂、压敏粘合剂（PSA）等。
透光层12的厚度优选地从10μm以上且177μm以下的范围内选择，例如，100μm。通过将透光薄层12与具有较高NA（数值孔径）（例如，大约0.85）的物镜组合，可以实现高密度记录。
（硬涂层）
虽然在附图中未示出，但是硬涂层可以进一步设置在透光层12的表面（激光照射表面）上，以免受机械冲击和破坏以及保护信息信号的记录/再生质量免受灰尘和在握持期间用户指印的粘附。可以将混合有用于提高机械强度的硅胶细粉的溶剂型或无溶剂型的紫外线固化性树脂用作硬涂层。为了赋予机械强度以及拒水性和拒油性，厚度优选地大约为1μm至几μm。
[3.光记录介质的制造方法]
接下来，将描述根据本公开内容实施方式的用于制造光学记录介质的方法。
（形成基板11的步骤）
首先，形成基板11，在其主表面上具有凹凸表面。例如，可以使用注塑成型法、光聚合法（2P方法）等作为用于形成基板11的方法。
（形成记录层L0的步骤）
然后，例如通过溅射方法在基板11上顺序堆叠反射层21、下介电层22a、上介电层22b、相变记录层23、下介电层24a、上介电层24b。结果，在基板11上形成了记录层L0。
（形成中间层S1的步骤）
然后，例如通过旋涂法向记录层L0均匀地涂布紫外线固化树脂。然后，在均匀涂布紫外线固化树脂上按下压模的凹凸图案，通过紫外线照射固化树脂，然后去除压模。结果，压模的凹凸图案被转印到紫外线固化树脂，在记录层L0上形成了例如设置有槽中Gin和槽上Gon的中间层S1。
（形成记录层L1的步骤）
接下来，例如通过溅射方法在中间层S1上顺序堆叠第一介电层31、半透射反射层32、下介电层33a、上介电层33b、相变记录层34、下介电层35a、中间介电层35b、以及上介电层35c。结果，在中间层S1上形成了记录层L1。
优选地，如下沉积下介电层33a和上介电层33b。首先，在引入诸如Ar气的稀有气体作为处理气的同时溅射靶，从而在半透射反射层32上沉积下介电层33a。然后，在引入诸如Ar气的稀有气体和氧气作为处理气的同时溅射靶，从而在下介电层33a上沉积上介电层33b。该沉积可以在记录层L1的整个表面上实现良好的记录特性。
（形成中间层S2的步骤）
然后，例如通过旋涂法向记录层L1均匀地涂布紫外线固化树脂。然后，在均匀涂布的紫外线固化树脂上按下压模的凹凸图案，通过紫外线照射固化树脂，然后去除压模。结果，压模的凹凸图案被转印到紫外线固化树脂，在记录层L1上形成了例如设置有槽中Gin和槽上Gon的中间层S2。
（形成记录层L2的步骤）
然后，例如通过溅射方法在中间层S2上顺序堆叠第一介电层41、半透射反射层42、下介电层43a、上介电层43b、相变记录层44、下介电层45a、中间介电层45b、以及上介电层45c。结果，在中间层S2上形成了记录层L2。
优选地，使用与如上所述的针对下介电层33a和上介电层33b相同的方法沉积下介电层43a和上介电层43b。该沉积可以在记录层L2的整个表面上实现良好的记录特性。
（形成透光层的步骤）
然后，例如，通过旋涂方法在记录层L2上旋涂诸如紫外线固化树脂（UV树脂）的光敏树脂，然后通过照射诸如紫外线光的光将光敏树脂固化。结果，在记录层L2上形成了透光层12。
通过上述步骤可以制造期望的光学记录介质10。
[实例]
虽然以下参照实例详细描述了本公开内容，但是本公开内容不限于这些实例。在以下的实例中，与上述实施方式对应的部分用相同的参考标号表示（参照图1B和图2A至2C）。
以下描述了实例中的符号。
SiO2)x1-(In2O3)y1-(ZrO2)z1的下标x1、y1、z1每个都表示mol%（然而，x1+y1+z1=100[mol%]）。
(ZnS)x2-(SiO2)y2的下标x2和y2每个都表示mol%（然而，x2+y2=100[mol%]）。
Gex3-Sby3-Tez3的下标x3、y3、和z3每个都表示at.%（然而，x3+y3+z3=100[at.%]）。
Bix4-Gey4-Tez4的下标x4、y4、和z4中的每个都表示at.%（然而，x4+y4+z4=100[at.%]）。
Bix5-Gey5-Tez5-Agw5的下标x5、y5、z5、和w5中的每个都表示at.%（然而，x5+y5+z5+w5=100[at.%]）。
DOW(n)表示在光学记录介质10上直接覆盖n次。
以下按以下顺序描述了实例。
I.第二介电层的材料和DOW特性之间的关系
II.由于含氧的处理气的使用带来的信号特性的改善
III.记录信号质量和存储可靠性对添加的Ag量的依赖性
IV.第二介电层的下介电层的组成
V.第二介电层的下介电层的厚度
VI.第二介电层的下介电层的组成和存储可靠性之间的关系
VII.第二介电层的上介电层的组成和信号特性之间的关系
[I.第二介电层的材料和DOW特性之间的关系]
（参考例1-1至1-3）
（形成基板11的步骤）
首先形成直径为120mm、厚度为0.1mm、以及具有轨道节距为0.32μm的凹槽的聚碳酸酯基板11。
（形成记录层L0的步骤）
然后，例如通过溅射法在聚碳酸酯基板11上顺序堆叠具有以下的组成和厚度的反射层21、下介电层22a、上介电层22b、相变记录层23、下介电层24a、和上介电层24b。结果，在基板11上形成了记录层L0。
上介电层24b：SiN，60nm
下介电层24a：(ZnS)80-(SiO2)20，18nm
相变记录层23：Ge5.5-Sb74.4-Te20.1，9nm
上介电层22b：(ZnS)80-(SiO2)20，11.5nm
下介电层22a：SiN，3nm
反射层21：Ag合金(AgPdCu)，80nm
（形成中间层S1的步骤）
然后，例如，通过旋涂法向记录层L0均匀地涂布紫外线固化树脂。然后，在均匀涂布的紫外线固化树脂上按下压模的凹凸图案，用紫外线照射固化树脂，然后移走压模。结果，形成了厚度为25μm且具有轨道节距为0.32μm的凹槽的中间层S1。
（形成记录层L1的步骤）
然后，例如通过溅射方法在中间层S1上顺序堆叠具有以下的组成和厚度的介电层31、半透射反射层32、介电层33、相变记录层34、下介电层35a、中间介电层35b、和上介电层35c。结果，在中间层S1上形成了记录层L1。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.0-Ge42.5-Te50.0，6.5nm
介电层33：具有如表1所示的针对每个样本而改变的组合物的单层结构的介电层，6nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
表1示出了参考例1-1至1-3的光学记录介质10的记录层L1的介电层33的组成和厚度。
表1
（形成中间层S2的步骤）
然后，例如通过旋涂法向记录层L1均匀地涂布紫外线固化树脂。然后，在均匀涂布的紫外线固化树脂上按下压模的凹凸图案，通过紫外线照射固化树脂，然后去除压模。结果，形成了厚度为18μm且具有轨道节距为0.32μm的凹槽的中间层S2。
（形成记录层L2的步骤）
然后，例如，通过溅射方法在中间层S2上顺序堆叠具有如下的组成和厚度的介电层41、半透射反射层42、下介电层43a、上介电层43b、相变记录层44、下介电层45a、中间介电层45b、和上介电层45c。结果，在中间层S2上形成了记录层L2。
上介电层45c：SiN，18nm
中间介电层45b：(ZnS)80-(SiO2)20，22nm
下介电层45a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层44：Bi5.05-Ge42.94-Te50.51-Ag1.5，6.5nm
上介电层43b：(SiO2)35-(In2O3)30-(ZrO2)35，2nm
下介电层43a：(SiO2)15-(In2O3)70-(ZrO2)15，4nm
半透射反射层42：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层41：TiO2，12nm
（形成透光层12的步骤）
然后，例如通过旋涂法向记录层L2均匀地涂布紫外线固化树脂，然后通过照射诸如紫外线光的光进行固化，从而形成了厚度为57μm的透光层12。
因此，制造了期望的三层光学记录介质10。
[评价]
如下评价如上所述制造的参考例1-1至1-3的光学记录介质10的记录层L1的DOW特性。
（DOW特性）
使用光盘测试仪（由Pulstec Industrial Co.,Ltd.制造，商标名ODU-1000），以数值孔径NA=0.85、记录波长λ=405nm、以及记录速度v=7.69m/s重复地记录和再生密度为33GB/层的1-7调制数据，并且在每次记录和再生时确定i-MLSE。结果在图3中示出。
图3揭示了如下内容。
当使用Ta2O3作为介电层33的材料时，i-MLSE基本上是恒定的，而与记录次数的增加无关。另一方面，当使用(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)作为介电层33的材料时，i-MLSE显示出随着记录次数的增加而增大的趋势。
当使用(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)作为介电层33的材料时，DOW特性趋于通过In2O3含量的增大而改善。
<II.由于含氧的处理气的使用带来的信号特性的改善>
（基准例2-1至2-3）
在形成记录层L1的介电层33的步骤中，如表2所示，针对每个样本而改变的处理气中的氩气和氧气的含量。此外，在形成记录层L1的相变记录层34的步骤中，使用BiGeTe-Ag形成相变记录层34。作为添加剂的Ag的含量为2.0at%。此外，省略了形成中间层S2和记录层L2。除了以上内容，用与参考例1-1相同的方法制造两层光学记录介质10。
表2示出了参考例2-1至2-3的光学记录介质10的记录层L1的介电层33的配置和沉积条件。在表2中，氩气和氧气中的每个的含量（%）是流动速率比。
表2
（参考例2-4至2-7）
在形成记录层L1的介电层33的步骤中，如表3所示改变每个样本的处理气中的氩气和氧气的含量。此外，在形成记录层L1的相变记录层34的步骤中，使用BiGeTe-Ag形成相变记录层34。作为添加剂的Ag的含量为3.0at%。除了以上内容，用与参考例1-1相同的方法制造三层光学记录介质10。
在参考例2-1至2-7中，Ag的含量（at%）表示Ag相对于相变记录层34中含有的Bi、Ge、Te、和Ag的总量的含量。用作相变记录层34的基剂（base agent）的BiGeTe合金是以17：1（=GeTe：Bi2Te3）的摩尔比含有GeTe化合物和Bi2Te3化合物的材料组合物。
表3示出了参考例2-4至2-7的光学记录介质10的记录层L1的介电层33的配置和沉积条件。在表2（应为表3）中，氩气和氧气中的每个的含量（%）是流动速率比。
表3
[评价]
如下评价如上所述制造的参考例2-1至2-7的光学记录介质10的i-MLSE和调制度（信号振幅比）对DOW特性和记录功率Pw的依赖性。
（DOW特性）
通过与参考例1-1至1-3相同的方法评价光学记录介质10中的每个的记录层L2的DOW特性。结果在图4A和5中示出。
（i-MLSE和调制度对记录功率Pw的依赖性）
使用光盘测试仪（由Pulstec Industrial Co.,Ltd.制造，商标名ODU-1000），以数值孔径NA=0.85、记录波长λ=405nm、以及记录线性速度v=7.69m/s重复地记录和再生密度为33GB/层的1-7调制数据，以确定i-MLSE和调制度相对记录功率Pw的变化。结果在图4B中示出。
图4A和4B揭示了如下内容。
通过在介电层33的沉积期间向处理气添加氧气，可以改善记录特性（DOW特性和功率裕度）。改善程度随着添加的氧气量的增加而增大。这种效果可能因为以下事实而呈现：通过在用于沉积介电层33的处理气中添加氧气来提高相变记录层34的助晶性能。
图5示出了与图4A相同的趋势。
<III.记录信号质量和存储可靠性对添加的Ag量的依赖性>
（实例1-1至1-8）
用与参考例1-1相同的方法制造三层光学记录介质10，除了通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：BiGeTe-Ag，6.5nm
上介电层33b：Ta2O5，2nm
下介电层33a：(SiO2)15-(In2O3)70-(ZrO2)15，4nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
如表4所示，在相变记录层34中，作为添加剂的Ag的含量在0至4.0at%的范围内变化。Ag的含量（at%）表示Ag相对于相变记录层34中含有的Bi、Ge、Te、和Ag的总量的含量。用作相变记录层34的基剂的BiGeTe合金是以17：1（=GeTe：Bi2Te3）的摩尔百分比含有GeTe化合物和Bi2Te3化合物的材料组合物。
[评价]
如下评价了如上所述制造的实例1-1至1-8的光学记录介质10的记录层L2的记录的信号质量（初始特性）和存储可靠性。
（记录的信号质量）
如下确定如上所述制造的实例1-1至1-8的光学记录介质10的i-MLSE和调制度，以评价作为初始特性的记录的信号质量。使用光盘测试仪（由Pulstec Industrial Co.，Ltd.制造，商标名ODU-1000），以数值孔径NA=0.85、记录波长λ=405nm、以及记录线性速度v=7.69m/s记录和再生密度为33GB/层的1-7调制数据，以确定i-MLSE和调制度相对记录功率Pw的变化。结果在图6A至9B中示出。在图6A至9B中，通过用最佳记录功率Pwo正规化记录功率Pw获得的值（Pw/Pwo）在横坐标上示出。最佳记录功率Pwo是使i-MLSE在底部的记录功率，即，使i-MLSE变得最好的记录功率。表4示出了i-MLSE的底值。
（存储可靠性）
如下所述确定用于评价上述初始特性的实例1-1至1-8的光学记录介质10的存储可靠性。首先，用最佳记录功率Pwo在光学记录介质10上记录和再生信息信号，以测量i-MLSE。然后，上面已经记录了信息信号的光学记录介质10放置在80℃和85%的温室环境中15小时。然后，将光学记录介质10从温室环境中移走，然后再次测量记录的信息信号的i-MLSE，以根据下面的等式确定存储前后i-MLSE的变化（以下称为"△iMLSE(存储)"）。结果在表4中示出。
△iMLSE(存储)=[具有归一化值(Pw/Pwo)=1进行存储测试之后的i-MLSE]-[具有归一化值(Pw/Pwo)=1进行存储测试之前的i-MLSE]
表4示出了实例1-1至1-8的光学记录介质10的下介电层33a、上介电层33b、以及相变记录层34的配置和评价结果。
表4
表4揭示了如下内容。
使用添加的2.0at%以上的Ag含量，△iMLSE（存储）可以减小至1.0%以下。超过1.0%的△iMLSE（存储）在长期存储期间引起了信息信号的显著丢失。
使用添加的3.5at%以下的Ag含量，△iMLSE的底值可以减小到13.5%以下。随着△iMLSE的底值超过13.5%，不能获得良好的记录的信号。
因此，添加的Ag的含量优选地在2.0at%以上且3.5at%以下的范围内。
<IV.第二介电层的下介电层的组成>
通过与参考例1-1相同的方法制造三层光学记录介质10，除了通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.0-Ge42.5-Te50.0-Ag2.5，6.5nm
上介电层33b：Ta2O5，2nm
下介电层33a：具有如表5所示改变每个样本的组成的介电层
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
[评价]
通过与参考例1-1至1-3相同的方法评价如上所述制造的实例2-1至2-6的光学记录介质10的DOW特性。结果在图6A至7B以及表5中示出。接下来，根据下面的等式确定i-MLSE的变化（以下称为"△iMLSE(DOW)"）。结果在图6B和表5中示出。
△iMLSE(DOW)=[DOW(1000)的i-MLSE]-[DOW(0)的i-MLSE]
其中，DOW(1000)的i-MLSE和DOW(0)的i-MLSE是使用最佳记录功率Pwo评价的值。
表5示出了实例2-1至2-6的光学记录介质10的记录层L1的第二介电层33的配置和评价结果。
表5
图6A和6B以及表5揭示了如下内容。
当将SiO2-In2O3-ZrO2用作下介电层33a的材料时，DOW特性趋于通过增大In含量而被改善。这被认为是因为由于In含量的增大引起的下介电层33a的导热性的增大而引起的。
使用在66.7at%以上且94.7at%以下范围内的In含量，i-MLSE可以减小至13.5%以下作为基准值。使用13.5%以下的i-MLSE作为基准值，即使有面向消费者的驱动的再生系统的变化，也可以获得良好的再生特性。In含量（at%）的范围被转换成50mol%以上且90mol%以下的In2O3含量（mol%）的范围。In的含量表示In相对于Si、In、和Zr这三种成分的总量的含量。In2O3的含量表示In2O3相对于SiO2、In2O3、和ZrO2这三种成分的总量的含量。
使用33.3at%以上的In含量，变化△i-MLSE(DOW)可以减小到2%以下作为基准值。使用2%以下的变化△i-MLSE(DOW)作为基准值，即使有以面向消费者的驱动的再生系统的变化，也可以实现稳定的重复记录。
图7A和7B以及表5揭示了如下内容。
即使将含有氧化铟的SiO2-In2O3-ZrO2、In2O3-Ga2O3以外的或者是导电材料并且被认为具有高导热性的ZnO-Al2O3用作第二介电层33的下介电层33a的材料时，也能获得良好的DOW特性。
<V.第二介电层的下介电层的厚度>
（实例3-1至3-5）
使用与参考例1-1相同的方法制造三层光学记录介质10，除了使用溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.0Ge42.5Te50.0-Ag2.5，6.5nm
上介电层33b：Ta2O5，2nm
下介电层33a：具有如表6所示在2至6nm的范围内改变每个样本的厚度的(SiO2)15-(In2O3)70-(ZrO2)15
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
[评价]
通过与实例2-1至2-6相同的方法评价如上所述制造的实例3-1至3-5的光学记录介质10的DOW特性和△iMLSE(DOW)。结果在图8A和8B以及表6中示出。
表6示出了实例3-1至3-5的光学记录介质10的记录层L1的第二介电层33的配置和评价结果。
表6
当使用SiO2-In2O3-ZrO2作为下介电层33a的材料时，DOW特性趋于由于下介电层33a的厚度的减小而劣化。
使用厚度为3nm以上的下介电层33，可以将DOW(1000)的iMLSE的值改进到13.5%以下。
使用厚度为4nm以上的下介电层33a，可以将DOW(1000)的iMLSE的值改进到13.5%或以下，并且可以将DOW(1000)的变化△iMLSE(DOW)减小到2%以下。
即使具有超过6nm的更大厚度的下介电层33a，也不会引起光学特性和记录特性的问题。然而，考虑到生产率（生产节拍）和材料成本，下介电层33a的厚度优选是20nm以下。
因此，下介电层33a的厚度优选地在3nm以上且20nm以下的范围内，并且更优选地，在4nm以上以及10nm以下的范围内。
<VI.第二介电层的下介电层的组成和存储可靠性之间的关系>
参考例4-1至4-4
通过与参考例1-1相同的方法制造三层光学记录介质10，除了通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.55Ge43.06Te51.39，6.5nm
介电层33：具有如表7所示改变每个样本的组成的介电层，4nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
（实例4-1至4-6和参考例4-5至4-7）
通过与参考例1-1相同的方法制造三层光学记录介质10，除了通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.55Ge43.06Te51.39，6.5nm
上介电层33b：具有如表7所示针对每个样本改变的组成的介电层，2nm
下介电层33a：具有如表7所示针对每个样本改变的组成的介电层，4nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
[评价]
将如上所述制造的各个实例4-1至4-6以及参考例4-1至4-7的光学记录介质10以80℃和85%存储在恒温烘箱中200小时，以评价存储前后缺陷数的增加。通过使用光盘测试仪（由Pulstec Industrial Co.,Ltd.制造，商标名DDU-1000）观察30mm至35mm半径范围内的RF信号以及确定漏失信号的计数来评价缺陷数。结果在表7中示出。
表7示出了实例4-1至4-6以及参考例4-1至4-7的光学记录介质10的记录层L1的第二介电层33的配置和评价结果。
表7
表7揭示了如下内容。
参考例4-1：当使用具有含有ITO的单层结构的介电层作为第二介电层33时，缺陷数的增大超过了30。缺陷数的增大为30以下时，抑制了错误率的劣化，因此可以实现良好的长期存储性能。
参考例4-2、4-3、和4-4：当将Ta2O5或(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)用于第二介电层33时，缺陷数的增大为30以下，因此可以实现良好的存储可靠性。然而，使用该配置，没有实现良好的记录特性。
实例4-1至4-6：当第二介电层33具有两层结构，并且使用(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)、In2O3-Ga2O3、或ZnO-Al2O3作为下介电层33a的材料时，可以将缺陷数的增大减小至30以下。
在低In含量，助晶功能增大，但是DOW特性的劣化由于低导热性而趋于变得显著。另一方面，在高In含量，导热性增大，但是助晶功能减小，从而可能影响信息信号的记录。
比较例4-5至4-7：当第二介电层33具有两层结构，并且使用ITO或SiN作为下介电层33a的材料时，缺陷数的增大超过30。
因此，考虑到存储可靠性，优选地，第二介电层33具有两层结构，并且使用(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)、In2O3-Ga2O3、或ZnO-Al2O3作为下介电层33a的材料。
<VII.第二介电层的上介电层的组成和信号特性之间的关系>
（实例5-1）
通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。此外，省略了中间层S2和记录层L2的形成。除了上面的内容，使用与参考例1-1相同的方法制造两层光学记录介质10。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.05-Ge42.94-Te50.51-Ag1.5，6.8nm
上介电层33b：(SiO2)35-(In2O3)30-(ZrO2)35，4nm
下介电层33a：(SiO2)15-(In2O3)70-(ZrO2)15，4nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，12.5nm
（实例5-2）
通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。并且，省略了中间层S2和记录层L2的形成。除了上面的内容，使用与参考例1-1相同的方法制造两层光学记录介质10。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.0Ge42.5Te50.0-Ag2.5，6.5nm
上介电层33b：Ta2O5，2nm
下介电层33a：(SiO2)15-(In2O3)70-(ZrO2)15，4nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，11nm
（实例5-3）
通过溅射方法在中间层S1上形成包括具有如下的组成和厚度的堆叠膜的记录层L1。并且，省略了中间层S2和记录层L2的形成。除了上面的内容，使用与参考例1-1相同的方法制造两层光学记录介质10。
上介电层35c：SiN，30nm
中间介电层35b：(ZnS)80-(SiO2)20，20nm
下介电层35a：(SiO2)20-(Cr2O3)30-(ZrO2)50，2nm
相变记录层34：Bi5.0Ge42.5Te50.0-Ag2.5，6.8nm
上介电层33b：Ta2O5，4nm
下介电层33a：(SiO2)15-(In2O3)70-(ZrO2)15，4nm
半透射反射层32：Ag合金(AgPdCu)，9.5nm
介电层31：TiO2，12.5nm
[评价]
如下评价如上所述制造的实例5-1至5-3的光学记录介质10的光学特性和记录的信号质量。
（光学特性）
<透光率>
通过使用光谱仪（由JASCO制造，商标名：V-530）测量记录波长为405nm的记录层L1的透光率。结果在表8中示出。
<反射率>
通过使用光盘测试仪（由Pulstec Industrial Co..Ltd.制造，商标名：ODU-1000）NA=0.85且记录波长为405nm时的记录层L0的反射率。结果在表8中示出。
（记录的信号质量）
通过与实例2-1至2-8相同的方法评价光学记录介质10的记录层L1的记录的信号质量。结果在图9中示出。
表8示出了实例5-1至5-3的光学记录介质10的光学特性的评价结果。
表8
记录层L1的透射率[%] 记录层L0的反射率[%]
实例5-1 51 1.52
实例5-2 54 1.66
实例5-3 54 1.63
图9和表8揭示了如下内容。
即使在将(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)和Ta2O5中的任一个用作上介电层33b的材料时，i-MLSE的底值也可以减小。此外，功率裕度可以增大。
当使用Ta2O5作为上介电层33b的材料时，相比于使用(SiO2)-(In2O3)-(ZrO2)作为上介电层33b的材料，可以提高记录层L1的透光率和记录层L0的反射率。
虽然上面已经详细描述了本公开的实施方式，但是本公开不限于上述实施方式，并且给予本公开的技术思想，可以进行各种修改。
例如，在上述实施方式中给出的配置、方法、步骤、形状、材料、和数值仅仅是实例，并且根据需求，可以使用与此不同的配置、方法、步骤、形状、材料、和数值。
此外，在不偏离本公开的主旨的情况下，在实施方式中描述的配置、方法、步骤、形状、材料、和数值可以组合。
此外，上述实施方式描述了具有如下配置的光学记录介质作为本技术的应用实例：其中，在基板上顺序堆叠了三个记录层和透光层，并且通过从透光层侧用激光束照射三个记录层来记录和再生信息信号。然而，本技术不限于该实例。例如，本技术可以应用于具有如下配置的光学记录介质：其中，三个记录层和保护层顺序堆叠在基板上，并且通过从基板侧用激光束照射三个记录层来记录和再生信息信号；或者具有如下配置的光学记录介质：其中，三个记录层设置在两个基板之间，并且通过从至少一个基板侧用激光束照射三个记录层来记录或再生信息信号。
虽然实施方式描述了具有三个记录层的光学记录介质作为本技术的应用的实例，但是本技术可以应用于具有多个记录层而不是三层的光学记录介质。
本技术还可以使用如下的配置。
（1）
一种光学记录介质，包括：记录层，包括反射层、两个介电层、以及相变记录层，其中，所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物；以及所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
（2）
根据（1）的光学记录介质，其中，相变记录层含有铋、锗、碲、和银。
（3）
根据（2）的光学记录介质，其中，银的含量相对于铋、锗、碲、和银的总量在2.0原子百分比以上且3.5原子百分比以下的范围。
（4）
根据权利要求（1）至（3）中任一个的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物；以及铟的含量相对于硅、铟、锆的总量在66.7原子百分比以上且94.7原子百分比以下的范围。
（5）
根据（1）至（4）中任一个的光学记录介质，其中，两个介电层中的所述反射层侧的介电层的厚度在3nm以上且20nm以下的范围。
（6）
根据（1）至（5）中任一个的光学记录介质，其中，两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽。
（7）
根据（1）至（6）中任一个的光学记录介质，其中，反射层含有银。
（8）
根据（1）至（7）中任一个的光学记录介质，其中，相变记录层是透射记录层。
（9）
一种光学记录介质，包括：记录层，包括第一介电层、反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层，其中，所述第二介电层包括两个介电层；所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物；以及所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
本领域普通技术人员应当理解，在所附权利要求及其等同物的范围内，根据设计需求和其他因素，可以进行各种修改、合并、子合并、和替换。

Claims (10)

1.一种光学记录介质，包括：
记录层，包括反射层、两个介电层、以及相变记录层，
其中，所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物；以及
所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述相变记录层含有铋、锗、碲、和银。
3.根据权利要求2所述的光学记录介质，其中，银的含量相对于铋、锗、碲、和银的总量在2.0原子百分比以上且3.5原子百分比以下的范围内。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质，
其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物；以及
铟的含量相对于硅、铟、锆的总量在66.7原子百分比以上且94.7原子百分比以下的范围内。
5.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层的厚度在3nm以上且20nm以下的范围内。
6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽。
7.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述反射层含有银。
8.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述相变记录层是透射记录层。
9.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铬、氧化锆组成的复合氧化物。
10.一种光学记录介质，包括：
记录层，包括第一介电层、反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层，
其中，所述第二介电层包括两个介电层；
所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物；以及
所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
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