CN105793056A - 用于光记录介质的记录层和光记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种光记录介质，所述光记录介质包括透射型记录层，所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物。金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种。金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种。金属MC是Zr。金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31。所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。

Description

用于光记录介质的记录层和光记录介质
技术领域
本技术涉及用于光记录介质的记录层以及光记录介质。具体来讲，本技术涉及包含金属氧化物的用于光记录介质的记录层、以及具有所述记录层的光记录介质。
背景技术
近年来，在光记录介质中，为了进一步增加记录容量，广泛地采用通过层叠多个层来形成记录层的技术。在多层光记录介质中，为了使足够量的光到达位于距介质表面最内侧的记录层，采用能够透射用于记录和再现的激光的记录层(根据需要，下文中称为“透射型记录层”)，来作为位于所述最内侧记录层的上侧处的记录层。
作为透射型记录层的材料，提出了如下材料：所述材料包含从由钨(W)和钼(Mo)构成的组中选择出的至少一种金属的氧化物的材料、以及从由铜(Cu)、锰(Mn)、镍(Ni)和银(Ag)构成的组中选择出的至少一种金属的氧化物(例如，参见专利文献1)。
引文列表
专利文献
专利文献1：JP2013-86336A
发明内容
发明所要解决的技术问题
近年来，作为透射型记录层的材料，需要一种能够实现高透射率、高记录灵敏度和高S/N(高调制度)的材料。
因此，本技术的目的是提供一种能够实现高透射率、高记录灵敏度和高S/N(高调制度)的用于光记录介质的记录层、以及具有所述记录层的光记录介质。
解决技术问题的手段
为了解决上述问题，第一种技术提供了一种光记录介质，所述光记录介质包括透射型记录层，所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物。金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种金属。金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种金属。金属MC是Zr。金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31。所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。
第一种技术提供了一种用于光记录介质的记录层，包含：金属MA的氧化物；金属MB的氧化物；和金属MC的氧化物。金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种金属。金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种金属。金属MC是Zr。金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31。所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。
本发明的有益效果
如上所述，根据本技术，实现了高透射率、高记录灵敏度和高S/N(高调制度)。
附图说明
图1A是示出了根据本技术的实施方式的光记录介质的外观的实例的透视图。图1B是示出了根据本技术的实施方式的光记录介质的结构的实例的截面示意图。
图2是示出了各信息信号层的结构的实例的示意图。
图3是示出了实施例1至5以及比较例1至3的光记录介质的L1层的透射率和调制度的图表。
图4A是示出了实施例6至10以及比较例4和5的光记录介质的L1层的透射率和调制度的图表。图4B是示出了实施例6至10以及比较例4和5的光记录介质的L1层的记录功率的图表。
图5是示出了在实施例15至20的光记录介质的L1层中包括的记录层的折射率的图表。
具体实施方式
在本技术中，优选的是在基板上提供一个或多个透射型记录层并在透射型记录层上提供覆盖层。覆盖层的厚度并不受特别限制，且覆盖层包括基板、薄片、涂层等。由于可使用具有高NA的物镜作为高密度光记录介质，优选使用诸如薄片或涂层之类的光透射薄层作为覆盖层，从而能够通过从光透射层的一侧以光照射来进行信息信号的记录和再现。在这种情形下，基板可采用不透明材料。根据光记录介质的格式，覆盖层和基板的表面中的至少一个表面被适当地设置为用于记录和再现信息信号的光入射表面。
在本技术中，从增加存储可靠性的角度来讲，透射型记录层优选地进一步包括在透射型记录层的至少一个表面上的介电层，且更优选地包括在透射型记录层的两个表面上的介电层。从简化层结构和生产设备的角度来讲，优选地是单独使用透射型记录层，而不在透射型记录层的表面上提供介电层。
在本技术中，在使用两个或更多个透射型记录层的情形中，从生产率的角度来讲，每个透射型记录层优选地包含同种材料，即，金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物，且更优选地是金属MA、MB和MC具有相同的组成比。
在使用两个透射型记录层的情形中，包含在透射型记录层中的金属MC的含量优选地不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。此外，在使用三个透射型记录层的情形中，包含在透射型记录层中的金属MC的含量优选地不小于0.9原子％且不大于8.5原子％。
将按以下顺序描述本技术的实施方式。
1光记录介质的结构
2光记录介质的制造方法
3有益效果
4变型例
[1光记录介质的结构]
如图1A所示，根据本技术的一实施方式的光记录介质10具有圆盘形状，在所述圆盘的中心设有开口(在下文中称为“中心孔”)。注意，光记录介质10的形状不限于上述示例形状，也可以具有卡片形状。
如图1B所示，光记录介质10是所谓的一次写入型多层光记录介质，具有如下构造：在基板11的一个主表面上，按以下次序叠置信息信号层L0、中间层S1、信息信号层L1、…、中间层Sn、信息信号层Ln、作为覆盖层的光透射层12。在此，“n”例如为2或更大的整数，优选为3或更大的整数、或者4或更大的整数。信息信号层L0是相对于作为基准的表面C而布置在最内侧，而信息信号层L1至Ln被布置在信息信号层L0的上侧。因此，信息信号层L1至Ln被构造为透射用于记录或再现的激光。
在根据本实施方式的光记录介质10中，通过用激光从光透射层12侧的表面C照射信息信号层L0至Ln的每一个，来记录或再现信息信号。例如，通过具有在不小于0.84且不大于0.86的范围内的数值孔径的物镜，对波长范围不小于400nm且不大于410nm的激光进行会聚，以便用该激光从光透射层12侧照射信息信号层L0至Ln的每一个，由此来记录或再现信息信号。举例而言，对于405nm的波长和具有0.85的数值孔径NA的会聚透镜，信息信号层L0至Ln具有25GB或更大的存储容量。具有这种结构的光记录介质10例如包括多层蓝光光盘(BD：Blu-rayDisc(注册商标))。在下文中，用于记录或再现在信息信号层L0至Ln中的信息信号的激光所照射的表面C被称为“光照射表面C”。
下文中，对构成光记录介质10的基板11、信息信号层L0至Ln、中间层S1至Sn和光透射层12依次进行描述。
(基板)
举例而言，基板11具有圆盘形状，在所述圆盘的中心设有中心孔。所述基板11的一个主表面例如为凹凸表面，在所述凹凸表面上形成信息信号层L0。在下文中，凹凸表面中的凹陷部分被称为“内凹部(in-groove)Gin”，而凹凸表面中的凸出部分被称为“外凸部(on-groove)Gon”。
所述内凹部Gin和外凸部Gon的形状包括各种形状，举例而言，诸如螺旋形或同心圆形。此外，内凹部Gin或外凸部Gon例如是摆动的(蜿蜒的)，以便稳定线速度或者添加地址信息。
基板11的直径例如可选择为120mm。基板11的厚度在考虑到刚度的情况下，可选择为、且优选为不小于0.3mm且不大于1.3mm，更优选为不小于0.6mm且不大于1.3mm。例如，基板11的厚度可选择为1.1mm。中心孔的直径例如可选择为15mm。
作为基板11的材料，举例而言，可使用塑料材料或玻璃，且从成本的角度来讲，优选地使用塑料材料。作为塑料材料，例如可以使用聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、丙烯酸树脂等。
(信息信号层)
如图2所示，信息信号层L0至Ln的每一个例如包括具有上表面(第一主表面)和下表面(第二主表面)的记录层21、与记录层21的上表面邻接设置的介电层22、以及与记录层21的下表面邻接设置的介电层23。通过形成这样的结构，能够提高信息信号层L0至Ln的存储可靠性。在此，上表面是指记录层21的两个主表面之中的、受到用于记录或再现信息信号的激光照射的一侧的主表面，而下表面是指记录层21的两个主表面之中的、与受到上述激光照射的那侧相对的一侧的主表面，即，基板侧的主表面。
(信息信号层L1至Ln的记录层)
信息信号层L1至Ln的记录层21是透射型记录层，该透射型记录层被构造为能够透射用于记录或再现信息信号的激光，以使得能够对当从光照射表面C来看时位于更内侧的记录层21进行记录或再现。
信息信号层L1至Ln之中的至少一个信息信号层的记录层21是包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物的无机记录层。信息信号层L1至Ln的所有记录层21可由包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物的相同材料形成。或者，根据各自所需特性(例如，光学特性、耐久性等等)，信息信号层L0至Ln的记录层21也可由各自不同的材料形成。从生产率的角度来讲，优选的是使用相同的材料来形成信息信号层L1至Ln的所有记录层21。通过使用相同的材料，可提高光记录介质10的生产率。这种效果在信息信号层L1至Ln的数量较多的介质中更为显著。
对于金属MA，使用如下的材料：当该材料氧化时具有一定程度的吸收系数，且氧化物的标准生成自由能的绝对值小于金属MB的氧化物的标准生成自由能的绝对值。通过使用这样的材料，记录层21吸收激光并将激光转换为热量，由此释放氧气，并且记录层21能够膨胀。因此，能够通过用激光照射来记录信息信号。对于具有上述特性的金属MA，可使用从由锰(Mn)和镍(Ni)构成的组中选择出的至少一种。
从改善功率裕度的角度来讲，优选使用Mn和Ni二者作为金属MA。在这种情形下，Mn与Ni的原子比(Mn/Ni)优选地不小于0.4且不大于2.6。这是因为当原子比(Mn/Ni)在该范围内时，能够显著改善功率裕度。从防止在保存很长时间之后对于激光功率的灵敏度劣化的角度来讲，优选地使用Ni作为金属MA。
对于金属MB，使用如下的材料：当该材料氧化时基本上是透明的，且所述氧化物的消光系数“k”为零或者接近于零。对于具有上述特性的金属MB，可使用从由钨(W)和钼(Mo)构成的组中选择出的至少一种。
从改善功率裕度的角度来讲，优选使用W和Mo二者作为金属MB。在这种情形下，W与Mo的原子比(W/Mo)优选地不大于2.0。这是因为当原子比(W/Mo)在该范围内时，能够显著改善功率裕度。
金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)优选地不小于0.37且不大于1.31，更优选地不小于0.54且不大于0.78。当记录层21中的金属MC的含量在不小于0.9原子％且不大于27.5原子％的范围内时，原子比(MA/MB)尤其优选的是被设定在上述数值范围内。如果原子比(MA/MB)不小于0.37，则记录层21可被形成为具有不小于40.0％的调制度。此外，如果原子比(MA/MB)不小于0.54，则记录层21可被形成为具有不小于45.0％的调制度。而另一方面，如果原子比(MA/MB)不大于1.31，则记录层21可被形成为具有不小于60.0％的透射率。此外，如果原子比(MA/MB)不大于0.78，则记录层21可被形成为具有不小于70.0％的透射率。
如果调制度不小于40.0，则可通过利用现有的消费者驱动来再现信息信号。此外，如果调制度不小于45.0，则即使当由于扰动而导致调制度劣化时，也可通过利用现有的消费者驱动来再现信息信号。
如果在最靠近光照射表面C的信息信号层Ln(在此，“n”为3或更大的整数，优选为3)中包括的记录层21具有不小于60.0％的透射率，则足够量的激光能够到达信息信号层Ln-1，所述信息信号层Ln-1是在当从光照射表面C来看时比信息信号层Ln更靠内侧一层的位置处设置的。例如，假设现有的消费者驱动的记录功率的上限为38.0mW，则能够将具有22.8mW的记录功率的激光照射到信息信号层Ln-1。
如果在信息信号层Ln和Ln-1(在此，“n”为4或更大的整数，优选为4)中包括的记录层21具有不小于70.0％的透射率，则足够量的激光能够到达信息信号层Ln-2，所述信息信号层Ln-2是在当从光照射表面C来看时比信息信号层Ln更靠内侧两层的位置处设置的。例如，假设现有的消费者驱动的记录功率的上限为38.0mW，则能够将具有18.62mW的记录功率的激光照射到信息信号层Ln-2。
从改善功率裕度、并且防止在保存很长时间之后对于激光功率的灵敏度的劣化的角度来讲，优选地使用Mn和Ni二者作为金属MA，并且同时使用W和Mo二者作为金属MB。
金属MC是Zr。通过在记录层21中添加金属MC的氧化物，能够改善记录层21的透射率和调制度。记录层21中的金属MC的含量优选地不小于0.9原子％且不大于27.5原子％，更优选地不小于0.9原子％且不大于8.5原子％，进一步优选地不小于5.5原子％且不大于8.5原子％。当金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)在不小于0.37且不大于1.31的范围内时，金属MC的含量特别优选的是设定在上述数值范围内。
如果金属MC的含量不小于0.9原子％，则可以获得不小于40.0的调制度。此外，如果金属MC的含量不小于5.5原子％，则可以获得不小于45.0的调制度。通过将调制度设定为不小于40.0或不小于45.0而能够获得的效果已经如上所述。
而另一方面，如果金属MC的含量不大于27.5原子％，则可以将记录功率设定为不大于22.8mW。此外，如果金属MC的含量不大于8.5原子％，则可以将记录功率设定为不大于18.62mW。如果记录功率不大于22.8mW，则可以通过利用现有的消费者驱动，针对信息信号层Ln-1的记录层21来记录信息信号。其原因如下。即，假设现有的消费者驱动的记录功率的上限为38.0mW，并且假设最靠近光照射表面C的信息信号层Ln的记录层21的透射率不小于60％，则照射到信息信号层Ln-1的激光的记录功率不大于22.8mW。因此，用于针对信息信号层Ln-1来记录信息信号的激光的记录功率优选地被设定为不大于22.8mW。应注意，38.0mW的记录功率不是半导体激光器的记录功率，而是入射到光记录介质10的光照射表面C或信息信号层Ln的激光的记录功率。
如果记录功率不大于18.62mW，则可以通过利用现有的消费者驱动，针对信息信号层Ln-2的记录层21来记录信息信号。其原因如下。即，假设现有的消费者驱动的记录功率的上限为38.0mW，并且假设信息信号层Ln和Ln-1每一个的记录层21的透射率不小于70％，则照射到信息信号层Ln-2的记录层21的激光的记录功率不大于18.62mW。因此，用于针对信息信号层Ln-2的记录层21来记录信息信号的激光的记录功率优选地被设定为不大于18.62mW。
记录层21可进一步包含金属MD的氧化物。金属MD是从由铜(Cu)和锌(Zn)构成的组中选择出的至少一种。通过包含金属MD的氧化物，可减少金属MA的氧化物的含量，并且能够以较低的成本来生产光记录介质10。
记录层21可进一步包含金属ME的氧化物。金属ME是镁(Mg)。通过包含金属ME的氧化物，可降低记录层21的折射率，并且能够减少与记录层21的上表面邻接设置的介电层22的厚度。结果，能够以较低的成本来生产光记录介质10。记录层21中的Mg的含量优选地不小于6.6原子％且不大于43.0原子％，更优选地不小于7.57原子％且不大于43.0原子％，进一步优选地不小于20.1原子％且不大于43.0原子％。如果Mg的含量不小于6.6原子％，则记录层21具有不大于2.24的折射率。当折射率不大于2.24时，在与记录层21的上表面邻接设置的介电层22的厚度变薄到不大于26nm的状态下，可以确保不大于4％的反射率。通过上述这样降低反射率，信息信号层L1至Ln的各层更易于具有相似的反射率。另一方面，如果Mg的含量不大于43.0原子％，则记录层21具有不小于1.97的折射率，且在介电层22的厚度不小于6nm的状态下可以获得不小于3.3％的反射率。当反射率不小于3.3％时，在通过利用现有的消费者驱动来对信息信号层Ln-1的记录层21进行再现时，可以确保高S/N。其原因如下。即，为了确保足以通过利用现有的消费者驱动进行再现的S/N值，反射率必须不小于2％。因此，当最靠近光照射表面C的信息信号层Ln的记录层21的透射率被设定为不小于60％时，信息信号层Ln-1必须具有不小于3.3％的反射率。因此，信息信号层Ln-1的反射率优选的是确保不小于3.3％。
记录层21可进一步包含金属MF的氧化物。金属MF是从由锡(Sn)、铋(Bi)、锗(Ge)、钴(Co)、铝(Al)、铟(In)、银(Ag)、钯(Pd)、镓(Ga)、碲(Te)、钒(V)、硅(Si)、钽(Ta)、锗(Ge)、铬(Cr)和铽(Tb)构成的组中选择出的至少一种。
(信息信号层L0的记录层)
作为当从光照射面C来看时位于最内侧的信息信号层L0的记录层21，可使用公知的记录层。作为公知的记录层，例如，可以使用包含从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种金属的氧化物、并且包含从由Cu、Mn、Ni和Ag构成的组中选择出的至少一种金属的氧化物的记录层，可以使用包含Pd的氧化物的记录层，等等。此外，与信息信号层L1至Ln的记录层21的情形中一样，也可以使用包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物的记录层。
(介电层)
通过使介电层22和23起到阻气层的作用，能够改善记录层21的耐久性。此外，通过防止记录层21中的氧的逸出以及H2O的渗入，能够防止记录层21的膜质量的变化(主要是检测为反射率降低)，并且能够确保记录层21的必需的膜质量。
介电层22和23的材料例如包括从由氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、和氟化物构成的组中选择出的至少一种。作为介电层22和23的材料，可以使用彼此相同的材料或者彼此不同的材料。所述氧化物例如包括从由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg构成的组中选择出的至少一种元素的氧化物。所述氮化物例如包括从由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn构成的组中选择出的至少一种元素的氮化物，优选地包括从由Si、Ge和Ti构成的组中选择出的至少一种元素的氮化物。所述硫化物例如包括Zn的硫化物。所述碳化物例如包括从由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W构成的组中选择出的至少一种元素的碳化物，优选地包括从由Si、Ti和W构成的组中选择出的至少一种元素的碳化物。所述氟化物例如包括从由Si、Al、Mg、Ca和La构成的组中选择出的至少一种元素的氟化物。这些化合物的混合物例如包括ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO等。
(中间层)
中间层S1至Sn的作用是将信息信号层L0至Ln彼此分隔开，以便具有物理上和光学上充分的距离，并且中间层S1至Sn的表面上设有凹凸表面。所述凹凸表面形成有沟槽，所述沟槽例如是同心圆形或螺旋形的沟槽(内凹部Gin和外凸部Gon)。中间层S1至Sn的厚度优选地设定为9至50微米。中间层S1至Sn的材料不受特别限制，但优选为紫外线固化型丙烯酸树脂。此外，由于中间层S1至Sn被用作用于记录或再现信息信号的激光到达内侧层的光路，因此中间层S1至Sn优选地具有足够高的光透射性。
(光透射层)
光透射层12例如是通过使诸如紫外线固化树脂之类的光敏树脂固化而形成的树脂层。所述树脂层的材料例如包括紫外线固化型丙烯酸树脂。在另一种情况下，光透射层12也可由具有圆环形的光透射薄片、和用于将该光透射薄片粘合至基板11的粘合层构成。光透射薄片优选地由对于用于记录和再现的激光具有低吸收能力的材料制成，具体来讲，光透射薄片优选地由具有不小于90％的透射率的材料制成。作为光透射薄片的材料，例如可以使用聚碳酸酯树脂材料、聚烯烃树脂(例如，“ZEONEX”(注册商标))等等。作为粘合层的材料，例如可以使用紫外线固化树脂，压敏粘合剂(PSA)等等。
光透射层12的厚度优选为在不小于10微米且不大于177微米的范围内选择，例如光透射层12的厚度可选择为100微米。通过将这样薄的光透射层12与具有例如约0.85的高数值孔径(NA)的物镜相结合，可以实现高密度记录。
(硬涂层)
另外，尽管图中未示出，但是可以在光透射层12的表面(光照射表面C)上进一步设置硬涂层，该硬涂层可用于例如保护该表面免受机械冲击和损伤，而且即使当用户使用时有灰尘和指纹附着至该表面时，也能保护信息信号的记录和再现质量。作为硬涂层，可以使用混有用于改善机械强度的硅胶的细粉颗粒的材料，或者溶剂型或无溶剂型等的紫外线固化树脂。硬涂层的厚度优选地设定在1微米至约几微米的范围内，以使硬涂层具有足够的机械强度、拒水性和拒油性。
[2光记录介质的制造方法]
接下来，将描述根据本技术的一实施方式的光记录介质的制造方法的实例。
(形成基板的步骤)
首先，形成基板11，在基板11的一个主表面上形成有凹凸表面。作为形成基板11的方法，例如可采用注射成型方法、光聚合方法(2P法：PhotoPolymerization)等。
(形成信息信号层L0的步骤)
接下来，通过例如溅射法，按以下次序在基板11上叠置介电层23、记录层21和介电层22，以形成信息信号层L0。
(形成中间层的步骤)
接下来，通过例如旋涂法将紫外线固化树脂均匀地涂敷在信息信号层L0上。随后，将印模(stamper)的凹凸图案按压在已被均匀涂敷在信息信号层L0上的紫外线固化树脂上，接下来在用紫外线照射紫外线固化树脂以使其固化之后，剥离印模。这样，印模的凹凸图案被转印到紫外线固化树脂上，并在信息信号层L0上形成中间层S1，在中间层S1上设有例如内凹部Gin和外凸部Gon。
(形成信息信号层L1的步骤)
接下来，通过例如溅射法，按以下次序在中间层S1上叠置介电层23、记录层21和介电层22，以形成信息信号层L1。下文中将具体描述形成信息信号层L1的各个层的步骤。
首先，将基板11搬送到设有用于形成介电层的靶材的真空腔室内，所述真空腔室内被抽真空至预定压力。之后，在将诸如Ar气和O2气之类的工艺气体引入真空腔室内的同时，通过溅射所述靶材，在基板11上沉积(成膜)介电层23。作为所述溅射法，例如可采用射频(RF)溅射法或直流(DC)溅射法，但尤其优选采用直流溅射法。这是因为与使用射频溅射法的情形相比，直流溅射法可使用较低成本的装置，并且沉积速率较高，因此能够在降低生产成本的同时提高生产率。
接下来，将基板11搬送到设有用于沉积记录层的靶材的真空腔室内，所述真空腔室内被抽真空至预定压力。之后，在将诸如Ar气和O2气之类的工艺气体引入真空腔室内的同时，通过溅射所述靶材，在介电层23上沉积记录层21。
作为用于沉积记录层的靶材，可使用包含金属MA、金属MB和金属MC的金属靶材，或者包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物的金属氧化物靶材，并且从通过直流溅射法进行沉积的适用性角度来讲，优选使用上述金属靶材。与射频溅射法相比，直流溅射法的沉积速率较高，因此能够提高生产率。在上述金属靶材和金属氧化物靶材中，金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)优选地不小于0.37且不大于1.31，更优选地不小于0.54且不大于0.78。在上述金属靶材和金属氧化物靶材中，金属MC(＝Zr)的含量优选地不小于0.9原子％且不大于27.5原子％，更优选地不小于0.9原子％且不大于8.5原子％，进一步优选地不小于5.5原子％且不大于8.5原子％。
上述金属靶材可进一步包括从由金属MD和金属ME构成的组中选择出的至少一种。此外，上述金属氧化物靶材可进一步包括从由金属MD的氧化物和金属ME的氧化物构成的组中选择出的至少一种。上述金属靶材和金属氧化物靶材中的金属ME(＝Mg)的含量优选地不小于6.6原子％且不大于43.0原子％，更优选地不小于7.57原子％且不大于43.0原子％，进一步优选地不小于20.1原子％且不大于43.0原子％。上述金属靶材可进一步包括金属MF。此外，上述金属氧化物靶材可进一步包括金属MF的氧化物。
接下来，将基板11搬送到设有用于形成介电层的靶材的真空腔室内，且所述真空腔室内被抽真空至预定压力。之后，在将诸如Ar气和O2气之类的工艺气体引入真空腔室内的同时，通过溅射所述靶材，在记录层21上沉积介电层22。作为所述溅射法，例如可采用射频(RF)溅射法或直流(DC)溅射法，但尤其优选采用直流溅射法。这是因为与射频溅射法的情形相比，直流溅射法的沉积速率较高，因此能够提高生产率。由此，在中间层S1上形成信息信号层L1。
(形成中间层的步骤)
接下来，通过例如旋涂法，将紫外线固化树脂均匀地涂敷在信息信号层L1上。随后，将印模的凹凸图案按压在已被均匀涂敷在信息信号层L1上的紫外线固化树脂上，接下来在用紫外线照射紫外线固化树脂以使其固化之后，剥离印模。这样，印模的凹凸图案被转印到紫外线固化树脂上，并在信息信号层L1上形成中间层S2，在中间层S2上设有例如内凹部Gin和外凸部Gon。
(形成信息信号层L2至Ln和中间层S3至Sn的步骤)
接下来，通过与上述形成信息信号层L1和间隔层S2的步骤相同的方式，按以下次序在中间层S2上叠置信息信号层L2、中间层S3、信息信号层L3、……、中间层Sn和信息信号层Ln。
(形成光透射层的步骤)
接下来，通过例如旋涂法将诸如紫外线固化树脂(UV树脂)之类的光敏树脂旋涂在信息信号层Ln上，然后用诸如紫外线之类的光照射光敏树脂，以使其固化。由此，在信息信号层Ln上形成光透射层12。
通过上述步骤，获得期望的光记录介质10。
[3有益效果]
根据本实施方式，信息信号层L1至Ln之中的至少一个信息信号层的记录层21包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物。记录层21中的金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31，记录层21中的金属MC的含量在不小于0.9原子％且不大于27.5原子％的范围内。由此，可以实现高透射率、高记录灵敏度和高调制度(即，高S/N)。
[4变型例]
尽管在上述实施方式中已经对多个信息信号层都具有相同层结构的情形进行了描述，但是层结构可以根据各个信息信号层所需要的特性(例如光学特性和耐久性等)而发生改变。应注意，然而，从生产率的角度来讲，优选的是将全部的信息信号层构造为具有相同的层结构。
此外，尽管在上述实施方式中已经描述了具有记录层、与记录层的上表面邻接设置的介电层、和与记录层的下表面邻接设置的介电层的信息信号层的结构，但信息信号层的结构并不限于此。例如，可仅在记录层的上表面和下表面之一上设置介电层。在另一实例中，信息信号层可仅由单个记录层构成。通过形成这种简单的结构，能够以较低的成本来生产光记录介质，并且能够提高其生产率。这种效果在信息信号层的层数较多的介质中更为显著。
在上述实施方式中作为实例描述了将本技术应用于通过在基板11上依次叠置多个信息信号层和光透射层而构建的、并且通过从所述光透射层侧以激光照射多个信息信号层而进行信息信号的记录或再现的光记录介质的情形。然而，本技术并不限于该实例。例如，也可以将本技术应用于其它光记录介质。例如，将本技术应用于通过在基板上依次叠置多个信息信号层和保护层而构建的、并且通过从基板侧以激光照射多个信息信号层而进行信息信号的记录或再现的光记录介质。在另一实例中，将本技术应用于通过在两个基板之间设置多个信息信号层而构建的、并且通过从至少一个基板侧以激光照射多个信息信号层而进行信息信号的记录或再现的光记录介质。
此外，尽管在上述实施方式中已经作为实例描述了其中多个信息信号层全部是一次写入型记录层的情形，但是除了一次写入型记录层之外，多个信息信号层还可进一步包括除一次写入型记录层之外的记录层。
[实施例]
下面，将通过参照实施例对本技术进行具体描述，但本技术并不仅仅限于这些实施例。
(实施例1至5以及比较例1至3)
首先，通过注射成型，形成厚度为1.1mm的聚碳酸酯基板。在这种情形下，在所述聚碳酸酯基板上，形成具有内凹部和外凸部的凹凸表面。然后，通过溅射法，在所述聚碳酸酯基板的凹凸表面上依次叠置介电层(基板侧)、记录层、介电层(光透射层侧)，由此形成第一信息信号层(下文中称为“L0层”)。
L0层的各个层的构成描述如下。
介电层(基板侧)
材料：ITO
厚度：10nm
记录层
材料：Pd-W-Zn-Cu-O
厚度：35nm
介电层(光透射层侧)
材料：ITO
厚度：10nm
接下来，通过旋涂法将紫外线固化树脂均匀地涂敷在L0层上。之后，将印模的凹凸图案按压在已被均匀涂敷在L0层上的紫外线固化树脂上，然后在用紫外线照射紫外线固化树脂以使其固化之后，剥离印模。由此，形成厚度为15微米且具有内凹部和外凸部的中间层。
然后，在中间层上依次叠置介电层(基板侧)、记录层和介电层(光透射层侧)，以形成第二信息信号层(下文中称为“L1层”).
L1层的各个层的构成描述如下。
介电层(基板侧)
材料：ITO
厚度：10nm
记录层
材料：Mn-W-Zr-O
厚度：35nm
介电层(光透射层侧)
材料：ITO
厚度：10nm
如下所述，沉积记录层。通过在Ar气和O2气的混合气氛中共同溅射Mn靶材、W靶材和Zr靶材，进行沉积。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与W的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表1中所示的比率。在此，符号“a”表示记录层中的金属MA(＝Mn)的含量，符号“b”表示记录层中的金属MB(＝W)的含量。此外，对Ar气和O2气的流量比进行调整，以获得具有高氧浓度的混合气氛。
用于沉积记录层的具体条件描述如下。
Ar气的流量：10至15sccm
O2气的流量：15至24sccm
提供的电力：100至200W
接下来，通过旋涂法将紫外线固化树脂均匀地涂敷在L1层上，然后用紫外线照射紫外线固化树脂以使其固化，由此形成厚度为85微米的光透射层。
由此，获得期望的光记录介质。
(实施例6至10以及比较例4和5)
L1层的记录层是通过如下方式形成的：对提供至每个靶材的电力进行调整，以使所述记录层中的Mn与W的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表2中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例11和12)
通过利用Ni靶材、W靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Ni-W-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Ni与W的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表3中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(比较例6)
通过利用Ag靶材、W靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Ag-W-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Ag与W的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表3中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(比较例7)
通过利用Co靶材、W靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Co-W-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Co与W的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表3中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例13和14)
通过利用Mn靶材、Mo靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-Mo-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与Mo的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表3中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(比较例8)
通过利用Mn靶材、Ta靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-Ta-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与Ta的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表3中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(比较例9)
通过利用Mn靶材、V靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-V-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与V的原子比“a/b”以及Zr的含量“c”为如表3中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例15)
通过利用Mn靶材、W靶材、Zr靶材、Cu靶材和Zn靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-W-Zr-Cu-Zn-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与W的原子比“a/b”、Zr的含量“c”以及Cu和Zn的含量“d(d1,d2)”为如表4中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例16至20)
通过利用Mn靶材、W靶材、Zr靶材、Cu靶材、Zn靶材和Mg靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-W-Zr-Cu-Zn-Mg-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与W的原子比“a/b”、Zr的含量“c”、Cu和Zn的含量“d(d1,d2)”以及Mg的含量“e”为如表4中所示的比率。除此之外，按照与实施例1的情形相同的方式获得光记录介质。
(评估)
对如上所述获得的实施例1至20以及比较例1至9的光记录介质的L1层，进行如下评估。
(透射率)
通过利用分光光度计(由日本分光(JASCO)公司制造，产品名称：V-530)，相对于405nm的记录波长，对L1层的透射率进行测量。
(记录功率)
通过利用磁盘测试仪(由PulstecIndustrial公司制造，产品名称：ODU-1000)，相对于405nm的记录波长、7.69m/s的记录线速度，对每一层32GB密度的1-7调制类型的数据进行记录和再现，由此测得i-MLSE的值。针对所述i-MLSE的值来计算记录功率。然后，超过14％的记录功率的下限值和上限值分别由Pwl和Pwh表示，Pwl和Pwh的中间值被用作记录功率(最佳记录功率)Pwo。在这种情形下，i-MLSE14％是当错误校正被恰当地执行时的i-MLSE的上限值。如果i-MLSE的值超过14％，则再现数据有可能会出现缺陷，且信号质量显著劣化。在此，所述记录功率不是半导体激光器的记录功率，而是入射到L1层的激光的记录功率。
(调制度)
通过利用磁盘测试仪(由PulstecIndustrial公司制造，产品名称：ODU-1000)，相对于405nm的记录波长、7.69m/s的记录线速度，对每一层32GB密度的1-7调制类型的数据进行记录和再现，由此测得调制度(信号振幅比)的值。
(折射率)
如下测量记录层的折射率。首先，通过溅射法，在Si晶片上沉积与L1层所包括的记录层具有相同组成的薄膜，由此制得用于评估的样品。然后，通过利用光谱型椭偏仪(由J.A.woollamco.制造，产品名称：VASE系列椭偏仪(HS-190单色器))，测量当将波长405nm的激光垂直入射到评估样品的薄膜的膜表面时的折射率“n”。
(综合评估)
使用上述透射率、记录功率和调制度的测量结果，基于以下标准，对实施例1至14和比较例1至9的光记录介质的L1层进行评估。
优异：T大于或等于70.0％，Pwo小于或等于18.62mW，M大于或等于45.0
好：T大于或等于60.0％且小于70.0％，Pwo大于18.62mW且小于或等于22.8mW，M大于或等于40.0且小于45.0
差：T小于60.0％，Pwo大于22.8mW，M小于40.0
在此，符号“T”表示透射率，符号“Pwo”表示记录功率，符号“M”表示“调制度”。
(综合评估)
使用上述透射率、记录功率和调制度的测量结果，基于以下标准，对实施例15至20的光记录介质的L1层进行评估。
优异+：T大于或等于70.0％，Pwo小于或等于22.8mW，M大于或等于45.0，n大于或等于1.970且小于或等于2.240
优异-：T大于或等于70.0％，Pwo小于或等于22.8mW，M大于或等于45.0，n小于1.970或大于2.240
表1示出了在实施例1至5和比较例1至3的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成以及对所述L1层的评估结果。
[表1]
图3示出了实施例1至5以及比较例1至3的光记录介质的L1层的透射率和调制度。应注意，图3中所示的近似直线“T”和“M”是利用最小二乘法通过线性近似计算得到的。
表2示出了在实施例6至10和比较例4和5的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成以及对所述L1层的评估结果。
[表2]
图4A示出了实施例6至10以及比较例4和5的光记录介质的L1层的透射率和调制度。图4B示出了在实施例6至10以及比较例4和5的光记录介质的L1层中包括的记录层的记录功率。应注意，图4A和图4B中所示的近似直线“T”、“M”和“Pwo”是利用最小二乘法通过线性近似计算得到的。
表3示出了在实施例11至14和比较例6至9的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成以及评估结果。
[表3]
表4示出了在实施例15至20的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成。
[表4]
表5示出了对实施例15至20的光记录介质的L1层的评估结果。
[表5]
图5示出了在实施例15至20的光记录介质的L1层中包括的记录层的折射率。应注意，图5中所示的近似直线“n”是利用最小二乘法通过线性近似计算得到的。
在此，表1至4中所示的符号“a”、“b”、“c”、“d”和“e”表示如下含义。
a/b：记录层中的金属MA与金属MB的比率(原子比)
c：记录层中的金属MC的含量(原子％)(应注意，在表1至3中，符号“c”表示金属MC相对于金属MA、金属MB和金属MC的总含量的原子比(原子％))。
d：记录层中的金属MD的含量(具体而言，符号“d1”表示记录层中Cu的含量(原子％)，符号“d2”表示记录层中Zn的含量(原子％))
e：记录层中的金属ME的含量(原子％)
关于金属MA和MB，对于介质的特性而言，记录层中的金属MA与金属MB的比率(原子比)比金属MA和金属MB的含量更重要。因此，在表1至4中示出了金属MA与金属MB的比率(原子比)。与之相比，关于除了金属MA和MB之外的金属MC、MD和ME，对于介质的特性而言，记录层中的金属MC、MD和ME的含量更重要。因此，在表1至4中示出了这些金属的含量。
如图3中的近似直线“T”所示，“a/b”的值优选地被设定为小于或等于1.31，以使“T”的值大于或等于60.0％，且“a/b”的值优选地被设定为小于或等于0.78，以使“T”的值大于或等于70.0％。
如图3中的近似直线“M”所示，“a/b”的值优选地被设定为大于或等于0.37，以使“M”的值大于或等于40.0，且“a/b”的值优选地被设定为大于或等于0.54，以使“M”的值大于或等于45。
因此，“a/b”的值优选地被设定为大于或等于0.37且小于或等于1.31，以使透射率“T”大于或等于60.0％且使调制度“M”大于或等于40.0。且“a/b”的值优选地被设定为大于或等于0.54且小于或等于0.78，以使透射率“T”大于或等于70.0％且使调制度“M”大于或等于45.0。
如图4A中的近似直线“M”所示，记录层中的Zr的含量“c”优选地被设定为大于或等于0.9原子％，以使“M”的值大于或等于40.0。且记录层中的Zr的含量“c”优选地被设定为大于或等于5.5原子％，以使“M”的值大于或等于45.0。
如图4B中的近似直线“Pwo”所示，记录层中的Zr的含量“c”优选地被设定为小于或等于27.5原子％，以使“Pwo”的值小于或等于22.8mW。且记录层中的Zr的含量“c”优选地被设定为小于或等于8.5原子％，以使“Pwo”的值小于或等于18.62mW。
因此，记录层中的Zr的含量“c”优选地被设定为大于或等于0.9原子％且小于或等于27.5原子％，以使调制度“M”大于或等于40且使记录功率“Pwo”小于或等于22.8mW。且记录层中的Zr的含量“c”优选地被设定为大于或等于5.5原子％且小于或等于8.5原子％，以使调制度“M”大于或等于45且使记录功率“Pwo”小于或等于18.62mW。
如表3中的实施例11和12的评估结果所示，在使用Ni代替Mn作为金属MA的情况下，透射率“T”可大于或等于60％，记录功率“Pwo”可小于或等于22.8mW，调制度“M”可大于或等于40.0。
如表3中的比较例6和7的评估结果所示，在使用Ag或Co代替Mn作为金属MA的情况下，透射率“T”可大于或等于60％，记录功率“Pwo”可小于或等于22.8mW，但是难以获得大于或等于40.0的调制度“M”。
如表3中的比较例13和14的评估结果所示，在使用Mo代替W作为金属MB的情况下，透射率“T”可大于或等于60％，记录功率“Pwo”可小于或等于22.8mW，调制度“M”可大于或等于40.0。
如表3中的比较例8和9的评估结果所示，在使用Ta或V代替W作为金属MB的情况下，透射率“T”可大于或等于60％，记录功率“Pwo”可小于或等于22.8mW，但是难以获得大于或等于40.0的调制度“M”。
如表1和表4中分别示出的实施例4和15的评估结果所示，即使在记录层中进一步添加Cu和Zn作为金属MD，透射率“T”、记录功率“Pwo”和调制度“M”的特性没有受到很大影响。
如表4中的实施例15至20的评估结果所示，当在记录层中进一步添加Mg作为金属ME时，记录层的折射率减小。此外，随着记录层中的Mg的添加量的增加，记录层的折射率趋于减小。
如图5中的近似直线“n”所示，记录层中的Mg的含量“e”优选地被设定为不小于6.6原子％，以使折射率不大于2.240。且记录层中的Mg的含量“e”优选地被设定为不小于20.1原子％，以使折射率不大于2.140。此外，记录层中的Mg的含量“e”优选地被设定为不小于43.0原子％，以使折射率不大于1.97。
(实施例21)
L1层的记录层是通过如下方式形成的：对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn与W的原子比“a1/b1”以及Zr的含量“c”为如表6中所示的值。除此之外，按照与实施例1相同的方式获得光记录介质。
(实施例22至24)
通过利用Mn靶材、Ni靶材、W靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-Ni-W-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn和Ni的总含量与W的原子比“(a1+a2)/b1”以及Zr的含量“c”为如表6中所示的比率。除此之外，按照与实施例21的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例25)
通过利用Ni靶材、W靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Ni-W-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Ni与W的原子比“a2/b1”以及Zr的含量“c”为如表6中所示的比率。除此之外，按照与实施例21的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例26和27)
通过利用Mn靶材、Ni靶材、W靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-Ni-W-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn和Ni的总含量与W的原子比“(a1+a2)/b1”以及Zr的含量“c”为如表6中所示的比率。除此之外，按照与实施例4的情形相同的方式获得光记录介质。
应注意，在表6中所示的实施例21至25中，对沉积条件进行了调整，以使金属MA的含量“a”(＝a1+a2)都保持相同。此外，在表6中所示的实施例4、12、26和27中，对沉积条件进行了调整，以使金属MA的含量“a”(＝a1+a2)都保持相同。
(实施例28)
L1层的记录层是通过如下方式形成的：对提供至每个靶材的电力进行调整，以使所述记录层中的Mn与W的原子比“a1/b1”以及Zr的含量“c”为如表8中所示的值。除此之外，按照与实施例1相同的方式获得光记录介质。
(实施例29和30)
通过利用Mn靶材、W靶材、Mo靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-W-Mo-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn相对于W和Mo的总含量的原子比“a1/(b1+b2)”以及Zr的含量“c”为如表8中所示的比率。除此之外，按照与实施例28的情形相同的方式获得光记录介质。
(实施例31和32)
通过利用Mn靶材、W靶材、Mo靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-W-Mo-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn相对于W和Mo的总含量的原子比“a1/(b1+b2)”以及Zr的含量“c”为如表8中所示的比率。除此之外，按照与实施例4的情形相同的方式获得光记录介质。
应注意，在表8中所示的实施例4、13、14以及28至32中，对沉积条件进行了调整，以使金属MB的含量“b”(＝b1+b2)都保持相同。
(实施例33和34)
通过利用Mn靶材、Ni靶材、W靶材、Mo靶材和Zr靶材来形成L1层的记录层，以使所述记录层由Mn-Ni-W-Mo-Zr-O形成。在形成所述记录层时，对提供至每个靶材的电力进行调整，以使记录层中的Mn和Ni的总含量相对于W和Mo的总含量的原子比“(a1+a2)/(b1+b2)”以及Zr的含量“c”为如表10中所示的比率。除此之外，按照与实施例21的情形相同的方式获得光记录介质。
(评估)
对如上所述获得的实施例4、12至14以及21至34的光记录介质的L1层，进行如下评估。
(透射率)
按照与实施例1相同的方式，对L1层的透射率“T”进行测量。然后，使用测得的透射率“T”，基于以下标准，对实施例4、12至14以及21至34的光记录介质的L1层进行评估。
优异：T大于或等于70.0％
好：T大于或等于60.0％且小于70.0％
差：T小于60.0％
(记录功率)
按照与实施例1相同的方式，对L1层的记录功率(最佳记录功率)Pwo进行测量。然后，使用测得的记录功率Pwo，基于以下标准，对实施例4、12至14以及21至34的光记录介质的L1层进行评估。
优异：Pwo小于或等于18.62mW
好：Pwo大于18.62mW且小于或等于22.8mW
差：Pwo大于22.8mW
(调制度)
按照与实施例1相同的方式，对L1层的调制度(信号振幅比)“M”进行测量。然后，使用测得的调制度“M”，基于以下标准，对实施例4、12至14以及21至34的每一个的光记录介质的L1层进行评估。
优异：M大于或等于45.0
好：M大于或等于40.0且小于45.0
差：M小于40.0
(功率裕度)
如下测量相对于光记录介质的随机误码率(SER)的功率裕度PM。首先，测量相对于记录功率的SER，且超过4x10-3的记录功率的下限值和上限值分别由Pwl和Pwh表示。然后，将测得的记录功率Pwl和Pwh以及最佳记录功率Pwo代入以下公式，计算得到相对于SER的功率裕度PM。
PM[％]＝((Pwh–Pwl)/Pwo)x100
然后，利用计算得到的功率裕度PM，基于以下标准，对实施例4、12至14以及21至34的光记录介质的L1层进行评估。
优异：PM大于或等于28％
好：PM大于或等于20％且小于28％
差：PM小于20％
(灵敏度)
首先，测量在进行加速测试之前的L1层的记录功率(最佳记录功率)PwoA。然后，在以下条件下，对光记录介质进行加速测试。
温度：80℃
相对湿度(RH)：85％
加速时间：200小时
接下来，测量在进行加速测试之后的L1层的记录功率(最佳记录功率)PwoB。然后，通过以下公式计算灵敏度劣化量。
灵敏度劣化量[％]＝[((PwoA)–(PwoB))/(PwoA)]x100
然后，使用计算出的灵敏度劣化量，基于以下标准，对实施例4、12至14以及21至34的每一个的光记录介质的L1层进行评估。
优异：灵敏度劣化量不大于10％
好：灵敏度劣化量大于10％且不大于20％
差：灵敏度劣化量PM大于20％
表6示出了在实施例4、12以及21至27的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成。
[表6]
表7示出了实施例4、12以及21至27的光记录介质的L1层的评估结果。
[表7]
表8示出了在实施例4、13、14以及28至32的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成。
[表8]
表9示出了实施例4、13、14以及28至32的光记录介质的L1层的评估结果。
[表9]
表10示出了在实施例33和34的光记录介质的L1层中包括的记录层的组成。
[表10]
表11示出了实施例33和34的光记录介质的L1层的评估结果。
[表11]
在此，表6、8和10中的符号“a1”、“a2”、“b1”、“b2”和“c”表示如下含义。
a1：记录层中的Mn(金属MA1)的含量
a2：记录层中的Ni(金属MA2)的含量
b1：记录层中的W(金属MB1)的含量
b2：记录层中的Mo(金属MB2)的含量
c：记录层中的MC的含量(原子％)
从表6和表7可获知以下内容。即，通过使用Mn和Ni二者作为金属MA，能够显著改善功率裕度。当Mn与Ni的原子比(Mn/Ni)不小于0.4且不大于2.6时，能够显著改善功率裕度。与使用Mn和Ni二者作为金属MA或使用Mn作为金属MA的情形相比，利用Ni作为金属MA能够防止在加速测试之前和之后的灵敏度劣化。
从表8和表9可获知以下内容。即，通过使用W和Mo二者作为金属MB，能够显著改善功率裕度。当W与Mo的原子比(W/Mo)不大于2.0时，能够显著改善功率裕度。与使用W作为金属MB的情形相比，使用Mo作为金属MB能够显著改善功率裕度。
从表9和表10可获知以下内容。即，通过使用Mn和Ni二者作为金属MA并且同时使用W和Mo二者作为金属MB，能够显著改善功率裕度，且能够防止在加速测试之前和之后的灵敏度劣化。
尽管以上具体描述了本技术的实施方式和实例，但本技术并不限于上述实施方式和实例，而可以基于本技术的构思进行各种修改。
例如，上述实施方式和实例中的结构、方法、步骤、形状、材料、数值等仅仅是示例性的，且可根据需要发生改变。
此外，上述实施方式和实例中的结构、方法、步骤、形状、材料、数值等可以通过改变其组合来使用，只要不超出本技术的构思即可。
此外，本技术也可被如下所述地构造。
(1)一种光记录介质，所述光记录介质包括透射型记录层，所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物，
其中金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种，
其中金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种，
其中金属MC是Zr，
其中金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31，并且
其中所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。
(2)根据(1)的光记录介质，
其中所述透射型记录层进一步包含金属ME的氧化物，并且
其中金属ME是Mg。
(3)根据(2)的光记录介质，
其中所述透射型记录层中的金属ME的含量不小于6.6原子％且不大于43.0原子％。
(4)根据(1)至(3)的任何一个的光记录介质，
其中所述透射型记录层的数目为两个。
(5)根据(1)至(3)的任何一个的光记录介质，
其中所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于8.5原子％。
(6)根据(5)的光记录介质，
其中所述透射型记录层的数目为三个。
(7)根据(1)至(6)的任何一个的光记录介质，
其中金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.54且不大于0.78。
(8)根据(1)至(7)的任何一个的光记录介质，
其中所述透射型记录层进一步包含金属MD的氧化物，并且
其中金属MD是从由Cu和Zn构成的组中选择出的至少一种。
(9)根据(1)至(8)的任何一个的光记录介质，
其中金属MA是Mn和Ni二者。
(10)根据(1)至(8)的任何一个的光记录介质，
其中金属MB是W和Mo二者。
(11)根据(1)至(8)的任何一个的光记录介质，
其中金属MA是Mn和Ni二者，并且
其中金属MB是W和Mo二者。
(12)根据(1)至(11)的任何一个的光记录介质，进一步包括在所述透射型记录层的至少一个表面上设置的介电层。
(13)根据(1)至(11)的任何一个的光记录介质，进一步包括在所述透射型记录层的两个表面的每一个表面上设置的介电层。
(14)一种用于光记录介质的记录层，所述记录层包含：
金属MA的氧化物；
金属MB的氧化物；和
金属MC的氧化物，
其中金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种，
其中金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种，
其中金属MC是Zr，
其中金属MA与金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31，并且
其中所述透射型记录层中的金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。
附图标记列表
11基板
12光透射层
10光记录介质
21记录层
22、23介电层
L0至Ln信息信号层
S1至Sn中间层
Gin内凹部
Gon外凸部
C光照射表面

Claims (14)

1.一种光记录介质，所述光记录介质包括透射型记录层，所述透射型记录层包含金属MA的氧化物、金属MB的氧化物和金属MC的氧化物，
其中所述金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种，
其中所述金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种，
其中所述金属MC是Zr，
其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31，并且
其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。
2.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述透射型记录层进一步包含金属ME的氧化物，并且
其中所述金属ME是Mg。
3.根据权利要求2所述的光记录介质，
其中所述透射型记录层中的所述金属ME的含量不小于6.6原子％且不大于43.0原子％。
4.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述透射型记录层的数目为两个。
5.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于8.5原子％。
6.根据权利要求5所述的光记录介质，
其中所述透射型记录层的数目为三个。
7.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.54且不大于0.78。
8.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述透射型记录层进一步包含金属MD的氧化物，并且
其中所述金属MD是从由Cu和Zn构成的组中选择出的至少一种。
9.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述金属MA是Mn和Ni二者。
10.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述金属MB是W和Mo二者。
11.根据权利要求1所述的光记录介质，
其中所述金属MA是Mn和Ni二者，并且
其中所述金属MB是W和Mo二者。
12.根据权利要求1所述的光记录介质，进一步包括在所述透射型记录层的至少一个表面上设置的介电层。
13.根据权利要求1所述的光记录介质，进一步包括在所述透射型记录层的两个表面的每一个表面上设置的介电层。
14.一种用于光记录介质的记录层，所述记录层包含：
金属MA的氧化物；
金属MB的氧化物；和
金属MC的氧化物，
其中所述金属MA是从由Mn和Ni构成的组中选择出的至少一种，
其中所述金属MB是从由W和Mo构成的组中选择出的至少一种，
其中所述金属MC是Zr，
其中所述金属MA与所述金属MB的原子比(MA/MB)不小于0.37且不大于1.31，并且
其中所述透射型记录层中的所述金属MC的含量不小于0.9原子％且不大于27.5原子％。
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