TWI654604B - Recording layer for optical recording medium and optical recording medium - Google Patents

Recording layer for optical recording medium and optical recording medium

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Abstract

光記錄媒體具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物之透過型記錄層。金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少1種，金屬MC係Zr。金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)為0.37以上且1.31以下。透過型記錄層中之金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下。

Description

光記錄媒體用記錄層及光記錄媒體
本技術係關於一種光記錄媒體用記錄層及光記錄媒體。詳細而言，係關於一種包含金屬氧化物之光記錄媒體用記錄層及具備其之光記錄媒體。
近年來，於光記錄媒體中，為了進一步增大記錄容量而廣泛地採用使記錄層多層化之技術。於多層光記錄媒體中，為了使足夠之光自媒體表面到達至最裏側之記錄層，作為較最裏側之記錄層更處於近前側之記錄層，係使用可令用於記錄播放之雷射光透過的記錄層(以下適當地稱為「透過型記錄層」)。
作為透過型記錄層之材料，提出了包含選自由鎢(W)及Mo(鉬)所組成之群中之至少一種金屬之氧化物、及選自由Cu(銅)、Mn(錳)、Ni(鎳)及Ag(銀)所組成之群中之至少一種金屬之氧化物者(例如參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]
日本專利特開2013-86336號公報
近年來，作為透過型記錄層之材料，期望可實現高透過率、高 記錄感度及高S/N(高調變度)者。
因此，本技術之目的在於提供一種可實現高透過率、高記錄感度及高S/N(高調變度)的光記錄媒體用記錄層、及具備其之光記錄媒體。
為了解決上述課題，第1技術係一種光記錄媒體，其具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物之透過型記錄層，金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少一種，金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少1種，金屬MC係Zr，金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)係0.37以上且1.31以下，透過型記錄層中之金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下。
第2技術係一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物，金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少一種，金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少一種，金屬MC係Zr，金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)係0.37以上且1.31以下，透過型記錄層中之金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下。
如以上所說明般，根據本技術，可實現高透過率、高記錄感度及高S/N(高調變度)。
10‧‧‧光記錄媒體
11‧‧‧基板
12‧‧‧光透過層
21‧‧‧記錄層
22、23‧‧‧介電層
C‧‧‧光照射面
Gin‧‧‧內槽
Gon‧‧‧上槽
L0~Ln‧‧‧資訊信號層
S1~Sn‧‧‧中間層
圖1A係表示本技術之一實施形態之光記錄媒體之外觀之一例之立體圖。圖1B係表示本技術之一實施形態之光記錄媒體之構成之一例之概略剖面圖。
圖2係表示各資訊信號層之構成之一例之模式圖。
圖3係表示實施例1~5、比較例1~3之光記錄媒體之L1層的透過率及調變度之圖。
圖4A係表示實施例6~10、比較例4、5之光記錄媒體之L1層的透過率及調變度之圖。圖4B係表示實施例6~10、比較例4、5之光記錄媒體之L1層之記錄功率之圖。
圖5係表示實施例15~20之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之折射率之圖。
於本技術中，較佳為將1層或複數層透過型記錄層設置於基板上，且於該透過型記錄層上設置有覆蓋層。該覆蓋層之厚度並無特別限定，覆蓋層中包含基板、片材、塗佈層等。由於在高密度之光記錄媒體中，使用高NA(numerical aperture，數值孔徑)之物鏡，故而較佳為採用片材、塗佈層等較薄之光透過層作為覆蓋層，藉由自該光透過層之側照射光而進行資訊信號之記錄及播放。於此情形時，亦可採用具有不透明性者作為基板。用以記錄或播放資訊信號之光之入射面係根據光記錄媒體之格式而適當地設定於覆蓋層側及基板側之表面之至少一者。
於本技術中，就提高保存可靠性之觀點而言，較佳為於透過型記錄層之至少一個表面進而具備介電層，更佳為於透過型記錄層之兩個表面進而具備介電層。就層構成或製造設備之簡化之觀點而言，較佳為於透過型記錄層之任一表面皆不設置介電層而單獨地使用透過型記錄層。
於本技術中，於透過型記錄層之層數為2層以上之情形時，就生產性之觀點而言，較佳為該等透過型記錄層均包含同一種材料，即，包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物，更佳為該等金屬MA、MB、MC之相對比例相同。
於透過型記錄層之層數為2層之情形時，透過型記錄層中之金屬MC之含量較佳為0.9原子%以上且27.5原子%以下。又，於透過型記錄層之層數為3層之情形時，透過型記錄層中之金屬MC之含量較佳為0.9原子%以上且8.5原子%以下。
按照以下順序對本技術之實施形態進行說明。
1光記錄媒體之構成
2光記錄媒體之製造方法
3效果
4變化例
[1光記錄媒體之構成]
如圖1A所示，本技術之一實施形態之光記錄媒體10具有中央設置有開口(以下稱為「中心孔」)之圓盤形狀。再者，光記錄媒體10之形狀並不限定於此例，亦可設為卡片狀等。
如圖1B所示，光記錄媒體10係所謂多層可錄式光記錄媒體，具有資訊信號層L0、中間層S1、資訊信號層L1、‧‧‧、中間層Sn、資訊信號層Ln、及作為覆蓋層之光透過層12依序積層於基板11之一主面而成之構成。但，n例如為2以上之整數，較佳為3以上或4以上之整數。資訊信號層L0以表面C為基準位於最裏側，資訊信號層L1~Ln位於其近前。因此，資訊信號層L1~Ln構成為可令用於記錄或播放之雷射光透過。
於該一實施形態之光記錄媒體10中，藉由自光透過層12側之表面C將雷射光照射至各資訊信號層L0~Ln而進行資訊信號之記錄或播 放。例如，藉由具有0.84以上且0.86以下之範圍之數值孔徑之物鏡將具有400nm以上且410nm以下之範圍之波長之雷射光聚光，且藉由自光透過層12側照射至各資訊信號層L0~Ln而進行資訊信號之記錄或播放。資訊信號層L0~Ln例如相對於波長405nm、聚光透鏡之數值孔徑NA0.85具有25GB以上之記錄容量。作為此種光記錄媒體10，例如可列舉多層之藍光光碟(BD：Blu-ray Disc(註冊商標))。以下，將供雷射光照射之表面C稱為光照射面C，雷射光係用以使資訊信號層L0~Ln中記錄或播放資訊信號。
以下，依序對構成光記錄媒體10之基板11、資訊信號層L0~Ln、中間層S1~Sn、及光透過層12進行說明。
(基板)
基板11例如具有中央設置有中心孔之圓盤形狀。該基板11之一主面例如成為凹凸面，於該凹凸面上成膜有資訊信號層L0。以下，將凹凸面中之凹部稱為內槽(in-groove)Gin，將凸部稱為上槽(on-groove)Gon。
作為該內槽Gin及上槽Gon之形狀，例如可列舉螺旋狀、同心圓狀等各種形狀。又，內槽Gin及/或上槽Gon例如為了線速度之穩定化或地址資訊附加等而抖動(wobble，蜿蜒)。
基板11之徑(直徑)例如選擇為120mm。基板11之厚度係考慮剛性而選擇，較佳為0.3mm以上且1.3mm以下，更佳為0.6mm以上且1.3mm以下，例如選擇為1.1mm。又，中心孔之徑(直徑)例如選擇為15mm。
例如可使用塑膠材料或玻璃作為基板11之材料，就成本之觀點而言，較佳為使用塑膠材料。作為塑膠材料，例如可使用聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂、及丙烯酸系樹脂等。
(資訊信號層)
如圖2所示，資訊信號層L0~Ln例如包括：記錄層21，其具有上表面(第1主面)及下表面(第2主面)；介電層22，其鄰接於記錄層21之上表面而設置；及介電層23，其鄰接於記錄層21之下表面而設置。藉由設為此種構成，可提高資訊信號層L0~Ln之保存可靠性。此處，所謂上表面係指記錄層21之兩主面中之、照射有用以記錄或播放資訊信號之雷射光之側的主面，下表面係指與上述照射有雷射光之側相反側的主面、即基板側之主面。
(資訊信號層L1~Ln之記錄層)
資訊信號層L1~Ln之記錄層21係如下透過型記錄層，即，其構成為可令用於進行資訊信號之記錄或播放之雷射光透過，以便使自光照射面C觀察為更裏側之記錄層21進行記錄或播放。
資訊信號層L1~Ln中之至少1層記錄層21係包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物之無機記錄層。作為資訊信號層L1~Ln之所有記錄層21，可使用包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物之相同之材料，亦可根據資訊信號層L0~Ln之每個記錄層21所要求之特性(例如光學特性或耐久性等)而使用不同的材料。就生產性之觀點而言，作為資訊信號層L1~Ln之所有記錄層21，較佳為使用相同之材料。藉由如此般使用相同之材料，可提高光記錄媒體10之生產性。資訊信號層L1~Ln之層數越多的媒體，此種效果越顯著。
作為金屬MA，係使用如下材料，即，於變為氧化物之情形時具有某種程度之吸收係數，且氧化物之標準生成自由能量之絕對值小於金屬MB之氧化物之標準生成自由能量之絕對值。藉由使用此種材料，記錄層21可吸收雷射光且將其轉換為熱，且釋放出氧而膨脹。因此，可藉由雷射光之照射而進行資訊信號之記錄。作為具有上述特性之金屬MA，係使用選自由錳(Mn)及鎳(Ni)所組成之群中之至少1種。
就功率餘裕改善之觀點而言，作為金屬MA，較佳為使用Mn及Ni兩者。於此情形時，Mn相對於Ni之原子比(Mn/Ni)較佳為0.4以上且2.6以下。其原因在於，若原子比(Mn/Ni)處於此範圍內，則尤其可改善功率餘裕。就抑制於長期保存後對於雷射功率之感度劣化之觀點而言，作為金屬MA，較佳為使用Ni。
作為金屬MB，係使用如下材料，即，於變為氧化物之情形時大致透明、且其氧化物之消光係數k為0或接近0。作為具有上述特性之MB，使用選自由鎢(W)及鉬(Mo)所組成之群中之至少1種。
就功率餘裕改善之觀點而言，作為金屬MB，較佳為使用W及Mo兩者或Mo。於此情形時，W相對於Mo之原子比(W/Mo)較佳為2.0以下。其原因在於，若原子比(W/Mo)處於此範圍內，則尤其可改善功率餘裕。
金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)較佳為0.37以上且1.31以下，更佳為0.54以上且0.78以下。於記錄層21中之金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下之範圍之情形時，特佳為將原子比(MA/MB)設為上述數值範圍。若為0.37以上，則可將記錄層21之調變度設為40.0%以上，若為0.54以上，則可將記錄層21之調變度設為45.0%以上。另一方面，若為1.31以下，則可將記錄層21之透過率設為60.0%以上，若為0.78以下，則可將記錄層21之透過率設為70.0%以上。
若調變度為40.0以上，則可使用既有之家用驅動器來播放資訊信號。又，若調變度為45.0以上，則即便於產生因攝動導致之調變度之劣化之情形時，亦可使用既有之家用驅動器來播放資訊信號。
若最接近光照射面C之資訊信號層Ln(其中，n為3以上之整數，較佳為3)所包含之記錄層21的透過率為60.0%以上，則可使足夠之光量之雷射光到達至自光照射面C觀察較資訊信號層Ln配置於更裏側一 層的資訊信號層Ln-1。例如，若假定既有之家用驅動器之記錄功率之上限值為38.0mW，則可對資訊信號層Ln-1照射記錄功率為22.8mW之雷射光。
若資訊信號層Ln、Ln-1(其中，n為4以上之整數，較佳為4)所包含之記錄層21之透過率為70.0%以上，則可使足夠之光量之雷射光到達至自光照射面C觀察較資訊信號層Ln配置於更裏側2層的資訊信號層Ln-2。例如，若假定既有之家用驅動器之記錄功率之上限值為38.0mW，則可對資訊信號層Ln-2照射記錄功率為18.62mW之雷射光。
就改善功率餘裕、且抑制於長期保存後對於雷射功率之感度之劣化之觀點而言，較佳為使用Mn及Ni兩者作為金屬MA，且使用W及Mo兩者作為金屬MB。
金屬MC係Zr。藉由使記錄層21包含金屬MC之氧化物，可提高記錄層21之透過率及調變度。記錄層21中之金屬MC之含量較佳為0.9原子%以上且27.5原子%以下，更佳為0.9原子%以上且8.5原子%以下，進而較佳為5.5原子%以上且8.5原子%以下。於金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)為0.37以上且1.31以下之範圍之情形時，特佳為將金屬MC之含量設為上述數值範圍內。
若金屬MC之含量為0.9原子%以上，則可使調變度為40.0以上，若金屬MC之含量為5.5原子%以上，則可使調變度為45.0以上。藉由使調變度為40.0以上或45.0以上而獲得之優勢係如上所述。
另一方面，若金屬MC之含量為27.5原子%以下，則可使記錄功率成為22.8mW以下，若金屬MC之含量為8.5原子%以下，則可使記錄功率成為18.62mW以下。若記錄功率為22.8mW以下，則可使用既有之家用驅動器對資訊信號層Ln-1之記錄層21記錄資訊信號。其係依據以下理由。即，於假定既有之家用驅動器之記錄功率之上限值為38.0 mW，並且將最接近光照射面C之資訊信號層Ln之記錄層21之透過率設定為60%以上之情形時，照射至資訊信號層Ln-1之雷射光之記錄功率變為22.8mW以下。因此，用以對資訊信號層Ln-1記錄資訊信號之雷射光之記錄功率較佳為設定為22.8mW以下。再者，記錄功率38.0mW並非半導體雷射之記錄功率，而是意指入射至光記錄媒體10之光照射面C或資訊信號層Ln之雷射光之記錄功率。
若記錄功率為18.62mW以下，則可使用既有之家用驅動器使資訊信號層Ln-2之記錄層21記錄資訊信號。其係依據以下理由。即，於假定既有之家用驅動器之記錄功率之上限值為38.0mW，並且將資訊信號層Ln、Ln-1兩者之記錄層21之透過率設定為70%以上之情形時，照射至資訊信號層Ln-2之記錄層21之雷射光之記錄功率變為18.62mW以下。因此，用以使資訊信號層Ln-2之記錄層21記錄資訊信號的雷射光之記錄功率較佳為設定為18.62mW以下。
記錄層21亦可進而包含金屬MD之氧化物。金屬MD係選自由銅(Cu)及鋅(Zn)所組成之群中之至少1種。藉由包含金屬MD之氧化物，可減少金屬MA之氧化物之含量，且可使光記錄媒體10低廉化。
記錄層21亦可進而包含金屬ME之氧化物。金屬ME係鎂(Mg)。藉由包含金屬ME之氧化物，可降低記錄層21之折射率，且可使鄰接於記錄層21之上表面而設置之介電層22之厚度較薄。因此，可使光記錄媒體10低廉化。記錄層21中之Mg之含量較佳為6.6原子%以上且43.0原子%以下，更佳為7.57原子%以上且43.0原子%以下，進而較佳為20.1原子%以上且43.0原子%以下。若Mg之含量為6.6原子%以上，則可使記錄層21之折射率為2.24以下。若折射率為2.24以下，則能於將鄰接於記錄層21之上表面而設置之介電層22之厚度減薄為26nm以下之狀態下確保4%以下之反射率。若以此方式降低反射率，則容易使資訊信號層L1~Ln之各層之反射率一致。另一方面，若Mg之含量為 43.0原子%以下，則記錄層21之折射率變為1.97以上，即便於介電層22之厚度為6nm以上之狀態下亦可使反射率為3.3%以上。若反射率為3.3%以上，則可對使用既有之家用驅動器之資訊信號層Ln-1之記錄層21之播放確保高S/N。其係依據以下理由。即，為了利用既有之家用驅動器確保足以進行播放之S/N，必需2%以上之反射率，於將最接近光照射面C之資訊信號層Ln之記錄層21之透過率設定為60%以上之情形時，作為資訊信號層Ln-1之反射率必需3.3%以上之反射率。因此，對於資訊信號層Ln-1之反射率，較佳為確保3.3%以上。
記錄層21亦可進而包含金屬MF。作為金屬MF，可使用選自由錫(Sn)、鉍(Bi)、鍺(Ge)、鈷(Co)、鋁(Al)、銦(In)、銀(Ag)、鈀(Pd)、鎵(Ga)、Te(碲)、V(釩)、矽(Si)、鉭(Ta)、鍺(Ge)、鉻(Cr)、及鋱(Tb)所組成之群中之至少1種。
(資訊信號層L0之記錄層)
作為自光照射面C觀察成為最裏側之資訊信號層L0之記錄層21，可使用公知之記錄層。作為公知之記錄層，例如可使用包含選自由W及Mo所組成之群中之至少1種金屬之氧化物、及選自由Cu、Mn、Ni及Ag所組成之群中之至少1種金屬之氧化物之記錄層、及包含Pd之氧化物之記錄層等。又，亦可與資訊信號層L1~Ln之記錄層21同樣地，使用包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物之記錄層。
(介電層)
藉由使介電層22、23作為阻氣層而發揮功能，可提高記錄層21之耐久性。又，藉由抑制記錄層21之氧之逃逸或H2O之侵入，可抑制記錄層21之膜質之變化(主要檢測反射率之降低)，而確保作為記錄層21所必需之膜質。
作為介電層22、23之材料，例如包含選自由氧化物、氮化物、 硫化物、碳化物及氟化物所組成之群中之至少1種以上。作為介電層22、23之材料，可使用彼此相同或不同之材料。作為氧化物，例如可列舉選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg所組成之群中之1種以上之元素之氧化物。作為氮化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn所組成之群中之1種以上之元素之氮化物，較佳可列舉選自由Si、Ge及Ti所組成之群中之1種以上之元素之氮化物。 作為硫化物，例如可列舉Zn硫化物。作為碳化物，例如可列舉選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W所組成之群中之1種以上之元素之碳化物，較佳可列舉選自由Si、Ti、及W所組成之群中之1種以上之元素之碳化物。作為氟化物，例如可列舉選自由Si、Al、Mg、Ca及La所組成之群中之1種以上之元素之氟化物。作為其等之混合物，例如可列舉ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2-Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2、Al2O3-ZnO、Al2O3-BaO等。
(中間層)
中間層S1~Sn發揮使資訊信號層L0~Ln於物理性及光學性上以足夠之距離隔開之作用，且於其表面設置有凹凸面。其凹凸面例如形成有同心圓狀或螺旋狀之溝槽(內槽Gin及上槽Gon)。中間層S1~Sn之厚度較佳為設定為9μm~50μm。中間層S1~Sn之材料並無特別限定，但較佳為使用紫外線硬化性丙烯酸樹脂。又，中間層S1~Sn成為用於向裏側之層進行資訊信號之記錄或播放的雷射光之光路，因此較佳為具有足夠高之光透過性。
(光透過層)
光透過層12例如為使紫外線硬化樹脂等感光性樹脂硬化而成之 樹脂層。作為該樹脂層之材料，例如可列舉紫外線硬化型之丙烯酸系樹脂。又，亦可由具有圓環形狀之光透過性片材、及用以將該光透過性片材貼合於基板11之接著層來構成光透過層12。光透過性片材較佳為由對於用於記錄及播放之雷射光的吸收能力較低的材料構成，具體而言，較佳為由透過率90%以上之材料構成。作為光透過性片材之材料，例如可使用聚碳酸酯樹脂材料、聚烯烴系樹脂(例如，可使用ZEONEX(註冊商標))等。作為接著層之材料，例如可使用紫外線硬化樹脂、壓力感應性黏著劑(PSA：Pressure Sensitive Adhesive)等。
光透過層12之厚度較佳為選自10μm以上且177μm以下之範圍內，例如選擇為100μm。藉由組合此種較薄之光透過層12與例如0.85左右之經高NA(numerical aperture，數值孔徑)化之物鏡，可實現高密度記錄。
(硬塗層)
再者，雖未圖示，但亦可於光透過層12之表面(光照射面C)進而設置硬塗層，該硬塗層例如用於對機械衝擊或損傷之保護、及保護資訊信號之記錄播放品質而避免利用者使用時之塵埃或指紋之附著等。於硬塗層中可使用為了提高機械強度而混入有矽膠之微粉末者、或溶劑型、無溶劑型等之紫外線硬化樹脂。為了使之具有機械強度且具有撥水性或撥油性，較佳為將厚度設為1μm至數μm左右。
[2光記錄媒體之製造方法]
接下來，對本技術之一實施形態之光記錄媒體之製造方法之一例進行說明。
(基板之成形步驟)
首先，成形一主面形成有凹凸面之基板11。作為基板11之成形方法，例如可使用射出成形(injection)法、光聚合法(2P法：Photo Polymerization)等。
(資訊信號層L0之形成步驟)
接下來，例如利用濺鍍法於基板11上依序積層介電層23、記錄層21、及介電層22，藉此形成資訊信號層L0。
(中間層之形成步驟)
接下來，例如藉由旋轉塗佈法而將紫外線硬化樹脂均勻塗佈於資訊信號層L0上。其後，將壓模之凹凸圖案抵壓於均勻塗佈於資訊信號層L0上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使之硬化之後，將壓模剝離。藉此，壓模之凹凸圖案被轉印於紫外線硬化樹脂，使例如設置有內槽Gin及上槽Gon之中間層S1形成於資訊信號層L0上。
(資訊信號層L1之形成步驟)
接下來，例如利用濺鍍法於中間層S1上依序積層介電層23、記錄層21、及介電層22，藉此形成資訊信號層L1。以下，對資訊信號層L1之各層之形成步驟具體地進行說明。
首先，將基板11搬送至具備介電層形成用靶之真空腔室內，將真空腔室內進行抽真空直至變為特定之壓力為止。其後，一面向真空腔室內導入氬氣或氧氣等處理氣體一面對靶進行濺鍍而於基板11上成膜介電層23。作為濺鍍法例如可使用高頻(RF)濺鍍法、直流(DC)濺鍍法，但直流濺鍍法尤佳。其原因在於，由於直流濺鍍法與高頻濺鍍法相比裝置較便宜且成膜率較高，故而可降低製造成本而提高生產性。
接下來，將基板11搬送至具備記錄層成膜用靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空直至變為特定之壓力為止。其後，一面向真空腔室內導入氬氣或氧氣等處理氣體一面對靶進行濺鍍而於介電層23上成膜記錄層21。
作為記錄層成膜用之靶，可使用包含金屬MA、金屬MB、及金屬MC之金屬靶、及包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬 MC之氧化物之金屬氧化物靶，就可利用直流濺鍍法成膜之觀點而言，較佳為使用上述金屬靶。由於直流濺鍍法之成膜率比高頻濺鍍法高，故而可提高生產性。於上述金屬靶及金屬氧化物靶中，金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)較佳為0.37以上且1.31以下，更佳為0.54以上且0.78以下。於上述金屬靶及金屬氧化物靶中，金屬MC(=Zr)之含量較佳為0.9原子%以上且27.5原子%以下，更佳為0.9原子%以上且8.5原子%以下，進而較佳為5.5原子%以上且8.5原子%以下。
上述金屬靶亦可進而包含選自由金屬MD及金屬ME所組成之群中之至少1種。又，上述金屬氧化物靶亦可進而包含選自由金屬MD之氧化物及金屬ME之氧化物所組成之群中之至少1種。上述金屬靶及金屬氧化物靶中之金屬ME(=Mg)之含量較佳為6.6原子%以上且43.0原子%以下，更佳為7.57原子%以上且43.0原子%以下，進而較佳為20.1原子%以上且43.0原子%以下。上述金屬靶亦可進而包含金屬MF。又，上述金屬氧化物靶亦可進而包含金屬MF之氧化物。
接下來，將基板11搬送至具備介電層形成用靶之真空腔室內，將真空腔室內抽真空直至變為特定之壓力為止。其後，一面向真空腔室內導入氬氣或氧氣等處理氣體一面對靶進行濺鍍而於記錄層21上成膜介電層22。作為濺鍍法例如可使用高頻(RF)濺鍍法、直流(DC)濺鍍法，但直流濺鍍法尤佳。其原因在於，由於直流濺鍍法之成膜率高於高頻濺鍍法，故而可提高生產性。藉由以上步驟而於中間層S1上形成資訊信號層L1。
(中間層之形成步驟)
接下來，例如利用旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均勻塗佈於資訊信號層L1上。其後，將壓模之凹凸圖案抵壓於均勻塗佈於資訊信號層L1上之紫外線硬化樹脂，對紫外線硬化樹脂照射紫外線使之硬化之後，將壓模剝離。藉此，壓模之凹凸圖案被轉印至紫外線硬化樹脂， 使例如設置有內槽Gin及上槽Gon之中間層S2形成於資訊信號層L1上。
(資訊信號層L2~Ln及中間層S3~Sn之形成步驟)
接下來，與上述資訊信號層L1及中間層S2之形成步驟同樣，於中間層S2上依序積層資訊信號層L2、中間層S2、資訊信號層L3、‧‧‧、中間層Sn、資訊信號層Ln。
(光透過層之形成步驟)
接下來，例如利用旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂(UV樹脂)等感光性樹脂旋轉塗佈於資訊信號層Ln上之後，將紫外線等之光照射至感光性樹脂，使之硬化。藉此，於資訊信號層Ln上形成光透過層12。
藉由以上步驟而獲得作為目的之光記錄媒體10。
[3效果]
根據本實施形態，資訊信號層L1~Ln層中之至少1層記錄層21包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物。記錄層21中之金屬MA相對於金屬MB之原子比(MA/MB)為0.37以上且1.31以下，且記錄層21中之金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下之範圍內。藉此，可實現高透過率、高記錄感度及高調變度(即，高S/N)。
[4變化例]
於上述實施形態中，已對多層資訊信號層均具有相同之層構成之情形進行了說明，但亦可根據對每個資訊信號層要求之特性(例如光學特性或耐久性等)改變層構成。但是，就生產性之觀點而言，較佳為將所有資訊信號層設為相同之層構成。
又，於上述實施形態中，已對資訊信號層具備記錄層、鄰接於記錄層之上表面而設置之介電層、及鄰接於記錄層之下表面而設置之介電層之構成進行了說明，但資訊信號層之構成並不限定於此。例 如，亦可僅於記錄層之上表面及下表面之任一者設置介電層。又，亦可僅由記錄層單層構成資訊信號層。藉由設為此種單純之構成，可使光記錄媒體低廉化且可提高其生產性。資訊信號層之層數越多之媒體，該效果越顯著。
又，於上述實施形態中，已以對於如下光記錄媒體應用本技術之情形為例進行了說明，該光記錄媒體具有於基板11上依序積層有複數層資訊信號層、光透過層之構成、且藉由自該光透過層側將雷射光照射至複數層資訊信號層而進行資訊信號之記錄或播放，但本技術並不限定於此例。例如，亦可將本技術應用於如下光記錄媒體，即，對具有於基板上依序積層有複數層資訊信號層、保護層之構成、且藉由自基板側將雷射光照射至複數層資訊信號層而進行資訊信號之記錄或播放的光記錄媒體；或具有於2片基板之間設置有複數層資訊信號層之構成、且藉由自至少一個基板之側將雷射光照射至複數層資訊信號層而進行資訊信號之記錄或播放的光記錄媒體。
又，於上述實施形態中，已以複數層資訊信號層均為可錄式記錄層之情形為例進行了說明，但複數層資訊信號層除具備可錄式記錄層以外亦可進而具備可錄式以外之記錄層。
[實施例]
以下，藉由實施例對本技術具體地進行說明，但本技術並不僅限定於該等實施例。
(實施例1~5、比較例1~3)
首先，藉由射出成形而成形厚度1.1mm之聚碳酸酯基板。再者，於該聚碳酸酯基板上形成具有內槽及上槽之凹凸面。接下來，利用濺鍍法於聚碳酸酯基板之凹凸面上依序積層介電層(基板側)、記錄層、及介電層(光透過層側)，藉由形成第1資訊信號層(以下稱為「L0層」)。
以下，表示L0層之各層之構成。
介電層(基板側)
材料：ITO(Indium Tin Oxides，氧化銦錫)
厚度：10nm
記錄層
材料：Pd-W-Zn-Cu-O
厚度：35nm
介電層(光透過層側)
材料：ITO
厚度：10nm
接下來，藉由旋轉塗佈法而將紫外線硬化樹脂均勻塗佈於L0層上。其後，將壓模之凹凸圖案抵壓於均勻塗佈於L0層上之紫外線硬化樹脂，將紫外線照射至紫外線硬化樹脂使之硬化之後，將壓模剝離。藉由其等而形成具有內槽及上槽之厚度15μm之中間層。
接下來，藉由於中間層上依序積層介電層(基板側)、記錄層、及介電層(光透過層側)而形成第2資訊信號層(以下稱為「L1層」)。
以下，表示L1層之各層之構成。
介電層(基板側)
材料：ITO
厚度：10nm
記錄層
材料：Mn-W-Zr-O
厚度：35nm
介電層(光透過層側)
材料：ITO
厚度：10nm
記錄層係如以下般成膜。藉由於氬氣與氧氣之混合氣體環境下同時對Mn靶、W靶、Zr靶進行濺鍍而成膜。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn、W之原子比a/b、及Zr之含量c變為表1所示之比率之方式，調整各靶之投入電力。此處，a表示記錄層中之金屬MA(=Mn)之含量，b表示記錄層中之金屬MB(=W)之含量。又，以變為氧濃度較高之混合氣體環境之方式調整氬氣與氧氣之流量比。
以下，表示具體之記錄層之成膜條件。
氬氣流量：10~15sccm
氧氣流量：15~24sccm
投入電力：100~200W
接下來，利用旋轉塗佈法將紫外線硬化樹脂均勻塗佈於L1層上，並對其照射紫外線使之硬化，藉此而形成具有厚度85μm之光透過層。
藉由以上步驟而獲得作為目的之光記錄媒體。
(實施例6~10、比較例4、5)
以記錄層中之Mn、W之原子比a/b、Zr之含量c變為表2所示之值之方式調整各靶之投入電力，除形成L1層之記錄層以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例11、12)
使用Ni靶、W靶及Zr靶，藉由Ni-W-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Ni、W之原子比a/b、Zr之含量c變為表3所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(比較例6)
使用Ag靶、W靶及Zr靶藉由Ag-W-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Ag、W之原子比a/b、及Zr之含量c變 為表3所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(比較例7)
使用Co靶、W靶及Zr靶，藉由Co-W-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Co、W之原子比a/b、Zr之含量c變為表3所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例11、12)
使用Mn靶、Mo靶及Zr靶，藉由Mn-Mo-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn、Mo之原子比a/b、及Zr之含量c變為表3所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(比較例8)
使用Mn靶、Ta靶及Zr靶，藉由Mn-Ta-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn、Ta之原子比a/b、及Zr之含量c變為表3所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(比較例9)
使用Mn靶、V靶及Zr靶，藉由Mn-V-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn、V之原子比a/b、Zr之含量c變為表3所示之比率之方式，調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例15)
使用Mn靶、W靶、Zr靶、Cu靶及Zn靶，藉由Mn-W-Zr-Cu-Zn-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn、W之原子比a/b、Zr、Cu、Zn之含量c、d(d1、d2)變為表4所示之比率之方 式，調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例16~20)
使用Mn靶、W靶、Zr靶、Cu靶、Zn靶及Mg靶，藉由Mn-W-Zr-Cu-Zn-Mg-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn、W之原子比a/b、Zr、Cu、Zn、Mg之含量c、d(d1、d2)、及e變為表4所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(評價)
對如上述般獲得之實施例1~20、比較例1~9之光記錄媒體之L1層進行以下評價。
(透過率)
使用分光高度計(日本分光(股)製、商品名：V-530)，測定L1層對於記錄波長405nm之透過率。
(記錄功率)
使用磁碟測試器(Pulstec公司製，商品名：ODU-1000)以記錄波長405nm、記錄線速7.69m/s來記錄播放每1層為32GB密度之1-7調變資料，而求出i-MLSE。相對於記錄功率求出該i-MLSE，將超過14%之記錄功率較低之側設為Pwl，將較高之側設為Pwh，將Pwl與Pwh之中間值設為記錄功率(最佳記錄功率)Pwo。此處，i-MLSE14%係錯誤修正未失敗之i-MLSE之上限值，據說，若超過該值則播放資料會產生缺陷而信號品質會顯著劣化。又，記錄功率並非半導體雷射之記錄功率，係指入射至L1層之雷射光之記錄功率。
(調變度)
使用磁碟測試器(Pulstec公司製，商品名：ODU-1000)，以記錄波長405nm、記錄線速7.69m/s來記錄播放每1層為32GB密度之1-7調 變資料而求出調變度(信號振幅比)。
(折射率)
以如下方式求出記錄層之折射率。首先，利用濺鍍法於Si晶圓上形成具有與L1層中所含之記錄層同樣之組成的薄膜而製作評價樣本。接下來，使用分光橢圓儀(J.A.woollam co.製，商品名：VASE series Ellipsometers(HS-190 monochromator))，測定使波長405nm之雷射光垂直入射至評價樣本之薄膜之膜面時的折射率n。
(綜合評價)
使用上述透過率、記錄功率及調變度之評價結果，按以下基準評價實施例1~14、比較例1~9之光記錄媒體之L1層。
◎：70.0%≦T、Pwo≦18.62mW、45.0≦M
○：60.0%≦T<70.0%、18.62mW<Pwo≦22.8mW、40.0≦M<45.0
×：T<60.0%、22.8mW<Pwo、M<40.0
其中，T：透過率、Pwo：記錄功率、M：調變度。
(綜合評價)
使用上述透過率、記錄功率及調變度之評價結果，按以下基準評價實施例15~20之光記錄媒體之L1層。
◎+：70.0%≦T、Pwo≦22.8mW、45.0≦M、1.970≦n≦2.240
◎-：70.0%≦T、Pwo≦22.8mW、45.0≦M、n<1.970、2.240<n
表1表示實施例1~5、比較例1~3之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成及L1層之評價結果。
圖3表示實施例1~5、比較例1~3之光記錄媒體之L1層的透過率及調變度。再者，圖3所示之近似直線T、M係根據利用最小平方法之線形近似求出。
表2表示實施例6~10、比較例4、5之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成及L1層之評價結果。
圖4A表示實施例6~10、比較例4、5之光記錄媒體之L1層的透過 率及調變度。圖4B表示實施例6~10、比較例4、5之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之記錄功率。再者，圖4A、圖4B所示之近似直線T、M、PWO係根據利用最小平方法之線形近似求出。
表3表示實施例11~14、比較例6~9之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成及評價結果。
表4表示實施例15~20之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成。
表5表示實施例15~20之光記錄媒體之L1層之評價結果。
圖5表示實施例15~20之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之折射率。再者，圖5所示之近似直線n係根據利用最小平方法之線形近似求出。
再者，表1~表4中，記號a、b、d、e表示以下內容。
a/b：記錄層中之金屬MA相對於金屬MB之比率(原子比)
c：記錄層中之金屬MC之含量(原子%)(但是，表1~表3中，c亦指金屬MC相對於金屬MA、MB及MC之合計量的原子比率(原子%))
d：記錄層中之金屬MD之含量(原子%)(具體而言，d1：記錄層中之Cu之含量(原子%)，d2：記錄層中之Zn之含量(原子%))
e：記錄層中之金屬ME之含量(原子%)
關於金屬MA、MB，對媒體之特性而言，並非記錄層中之金屬MA、MB之含量較為重要，而是金屬MA相對於金屬MB之比率(原子比)較為重要，因此，表1~表4中記載有金屬MA相對於金屬MB之比率(原子比)。相對於此，關於金屬MA、MB以外之金屬MC、MD、ME，由於對媒體之特性而言，記錄層中之金屬MC、MD、ME之含量較為重要，故而表1~表4中記載有其等之含量。
由圖3所示之近似直線T可知，為了使60.0%≦T，較佳為使a/b≦ 1.31，為了使70.0%≦T，較佳為使a/b≦0.78。
由圖3所示之近似直線M可知，為了使40.0≦M，較佳為使0.37≦a/b，為了使45≦M，較佳為使0.54≦a/b。
根據以上情況，為了使透過率T、調變度M分別為60.0%≦T、40.0≦M，較佳為使0.37≦a/b≦1.31，為了使透過率T、調變度M分別為70.0%≦T、45.0≦M，較佳為使0.54≦a/b≦0.78。
由圖4A所示之近似直線M可知，為了使40.0≦M，較佳為使記錄層中之Zr之含量c為0.9原子%≦c，為了使45.0≦M，較佳為使記錄層中之Zr之含量c為5.5原子%≦c。
由圖4B所示之近似直線PWO可知，為了使PWO≦22.8mW，較佳為使記錄層中之Zr之含量c為c≦27.5原子%，為了使PWO≦18.62mW，較佳為使記錄層中之Zr之含量c為c≦8.5原子%。
根據以上敍述，為了使調變度M、記錄功率PWO分別為40.0≦M、PWO≦22.8mW，較佳為使記錄層中之Zr之含量c為0.9原子%≦c≦27.5原子%，為了使調變度M、記錄功率PWO分別為45≦M、PWO≦18.62mW，較佳為使記錄層中之Zr之含量c為5.5原子%≦c≦8.5原子%。
由表3所示之實施例11、12之評價結果可知，即便於使用Ni代替Mn作為金屬MA之情形時，亦可使透過率T、記錄功率PWO、調變度M分別為60%≦T、PWO≦22.8mW、40.0≦M。
由表3所示之比較例6、7之評價結果可知，於使用Ag、Co代替Mn作為金屬MA之情形時，可使透過率T、記錄功率PWO分別為60.0%≦T、PWO≦22.8mW，但難以使調變度M為40.0≦M。
由表3所示之實施例13、14之評價結果可知，即便於使用Mo代替W作為金屬MB之情形時，亦可使透過率T、記錄功率PWO、調變度M分別為60%≦T、PWO≦22.8mW、40.0≦M。
由表3所示之比較例8、9之評價結果可知，於使用Ta、V代替W 作為金屬MB之情形時，可使透過率T、記錄功率PWO分別為60.0%≦T、PWO≦22.8mW，但難以使調變度M為40.0≦M。
由表1、4中分別表示之實施例4、15之評價結果可知，即便進而將Cu、Zn作為金屬MD添加於記錄層，亦幾乎不會對透過率T、記錄功率PWO及調變度M之特性造成影響。
由表4所示之實施例15~20之評價結果可知，若進而將Mg作為金屬ME添加於記錄層，則記錄層之折射率會降低。又，可知，有隨著記錄層中之Mg之添加量增加而記錄層之折射率降低之傾向。
由圖5所示之近似直線n可知，為了使折射率為2.240以下，較佳為使記錄層中之Mg之含量e為6.6原子%以上，為了使折射率為2.140以下，較佳為使記錄層中之Mg之含量e為20.1原子%以上。又，可知，為了使折射率為1.97以下，較佳為使記錄層中之Mg之含量e為43.0原子%以上。
(實施例21)
以記錄層中之Mn相對於W之原子比a1/b1、及Zr之含量c變為表6所示之值之方式，調整各靶之投入電力，除形成L1層之記錄層以外，以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例22~24)
使用Mn靶、Ni靶、W靶及Zr靶，藉由Mn-Ni-W-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn及Ni之合計量相對於W之原子比(a1+a2)/b1、及Zr之含量c變為表6所示之比率之方式，調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例21同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例25)
使用Ni靶、W靶及Zr靶藉由Ni-W-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Ni相對於W之原子比a2/b1、Zr之含量 c變為表6所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例21同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例26、27)
使用Mn靶、Ni靶、W靶及Zr靶，藉由Mn-Ni-W-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中Mn及Ni之合計量相對於W之原子比(a1+a2)/b1、及含量c變為表6所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例4同樣的方式獲得光記錄媒體。
再者，於表6所示之實施例4、12、21~27中，金屬MA之含量a(=a1+a2)均維持為相同量。
(實施例28)
以記錄層中之Mn相對於W之原子比a1/b1、Zr之含量c變為表8所示之值之方式，調整各靶之投入電力，除形成L1層之記錄層以外係以與實施例1同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例29、30)
使用Mn靶、W靶、Mo靶及Zr靶，藉由Mn-W-Mo-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn相對於W及Mo之合計量的原子比a1/(b1+b2)、及Zr之含量c變為表8所示之比率之方式，調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例28同樣的方式獲得光記錄媒體。
(實施例31、32)
使用Mn靶、W靶、Mo靶及Zr靶，藉由Mn-W-Mo-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn相對於W及Mo之合計量的原子比a1/(b1+b2)、及Zr之含量c變為表8所示之比率之方式，調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例4同樣的方式獲得光記錄媒體。
再者，於表8所示之實施例4、13、14、28~32中，金屬MB之含 量b(=b1+b2)均維持為相同量。
(實施例33、34)
使用Mn靶、Ni靶、W靶、Mo靶及Zr靶，藉由Mn-Ni-W-Mo-Zr-O而形成L1層之記錄層。於形成該記錄層時，以記錄層中之Mn及Ni之合計量相對於W及Mo之合計量的原子比(a1+a2)/(b1+b2)、及Zr之含量c變為表10所示之比率之方式調整各靶之投入電力。除此以外係以與實施例21同樣的方式獲得光記錄媒體。
(評價)
對以上述方式獲得之實施例4、12~14、21~34之光記錄媒體之L1層進行以下評價。
(透過率)
以與實施例1同樣的方式測定L1層之透過率T。接下來，使用測定出之透過率T，按照以下基準評價實施例4、12~14、21~34之光記錄媒體之L1層。
◎：70.0%≦T
○：60.0%≦T<70.0%
×：T<60.0%
(記錄功率)
以與實施例1同樣的方式求出L1層之記錄功率(最佳記錄功率)Pwo。接下來，使用所求出之記錄功率Pwo、按照以下基準評價實施例4、12~14、21~34之光記錄媒體之L1層。
◎：Pwo≦18.62mW
○：18.62mW<Pwo≦22.8mW
×：22.8mW<Pwo
(調變度)
以與實施例1同樣的方式求出L1層之調變度(信號振幅比)M。接 下來，使用所求出之記錄功率Pwo、按照以下基準評價實施例4、12~14、21~34之光記錄媒體之L1層。
◎：45.0≦M
○：40.0≦M<45.0
×：M<40.0
(功率餘裕)
以如下方式求出相對於光記錄媒體之隨機符元錯誤率(SER)的功率餘裕PM。首先，相對於記錄功率而求出SER，且將超過4×10-3之記錄功率較低之側設為Pwl，將較高之側設為Pwh。其次，將所求出之記錄功率Pwl、Pwh、最佳記錄功率Pwo代入下式而求出相對於SER之功率餘裕PM。
PM[%]=((Pwh-Pwl)/Pwo)×100
接下來，使用所求出之功率餘裕PM，按以下基準評價實施例4、12~14、21~34之光記錄媒體之L1層。
◎：28%≦PM
○：20%≦PM<28%
×：PM<20%
(感度)
首先，求出加速試驗前之L1層之記錄功率(最佳記錄功率)PwoA。其次，於以下條件下對光記錄媒體進行加速試驗。
溫度：80℃
相對濕度(Relative Humidity：RH)：85%、加速時間：200h
接下來，求出加速試驗後之L1層之記錄功率(最佳記錄功率)PwoB。接下來，根據下式求出感度劣化。
感度劣化[%]=[((PwoA)-(PwoB))/(PwoA)]×100
接下來，使用所求出之感度劣化，按以下基準評價實施例4、12~14、21~34之光記錄媒體之L1層。
◎：感度劣化為10%以下。
○：感度劣化超過10%為20%以下。
×：感度劣化超過20%。
表6表示實施例4、12、21~27之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成。
表7表示實施例4、12、21~27之光記錄媒體之L1層之評價結果。
表8表示實施例4、13、14、28~32之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成。
表9表示實施例4、13、14、28~32之光記錄媒體之L1層之評價結果。
表10表示實施例33、34之光記錄媒體之L1層中所含之記錄層之組成。
表11表示實施例33、34之光記錄媒體之L1層之評價結果。
再者，表6、表8、表10中，記號a1、a2、b1、b2、c表示以下內容。
a1：記錄層中之Mn(金屬MA1)之含量
a2：記錄層中之Ni(金屬MA2)之含量
b1：記錄層中之W(金屬MB1)之含量
b2：記錄層中之Mo(金屬MB2)之含量
c：記錄層中之MC之含量(原子%)
由表6、表7可知以下情況。若使用Mn及Ni兩者作為金屬MA，則尤其可改善功率餘裕。於Mn相對於Ni之原子比(Mn/Ni)為0.4以上且2.6以下之範圍內，尤其可改善功率餘裕。若使用Ni作為金屬MA，則與使用Mn及Ni兩者或Mn作為金屬MA之情形相比，可抑制加速試驗前後之感度劣化。
由表8、表9可知以下情況。若使用W及Mo兩者作為金屬MB，則尤其可改善功率餘裕。於W相對於Mo之原子比(W/Mo)為2.0以下之範圍內，尤其可改善功率餘裕。若使用Mo作為金屬MB，則與使用W作為金屬MB之情形相比，可改善功率餘裕。
由表9、表10可知以下情況。若使用Mn及Ni兩者作為金屬MA，且使用W及Mo兩者作為金屬MB，則可改善功率餘裕且可抑制加速試驗前後之感度劣化。
以上已對本技術之實施形態及實施例具體地進行了說明，但本技術並不限定於上述實施形態及實施例，可基於本技術之技術思想進行各種變形。
例如，上述實施形態及實施例中列舉之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等歸根結底僅為示例，亦可視需要使用與其不同之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等。
又，上述實施形態及實施例之構成、方法、步驟、形狀、材料及數值等只要不脫離本技術之主旨，則可相互組合。
又，本技術亦可採用以下構成。
(1)一種光記錄媒體，其具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧 化物、及金屬MC之氧化物之透過型記錄層，上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，上述金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少1種，上述金屬MC係Zr，上述金屬MA相對於上述金屬MB之原子比(MA/MB)為0.37以上且1.31以下，上述透過型記錄層中之上述金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下。
(2)如(1)之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層進而包含金屬ME之氧化物，且上述金屬ME為Mg。
(3)如(2)之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層中之上述金屬ME之含量為6.6原子%以上且43.0原子%以下。
(4)如(1)至(3)中任一項之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層之層數為2層。
(5)如(1)至(3)中任一項之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層中之上述金屬MC之含量為0.9原子%以上且8.5原子%以下。
(6)如(5)之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層之層數為3層。
(7)如(1)至(6)中任一項之光記錄媒體，其中上述金屬MA相對於上述金屬MB之原子比(MA/MB)為0.54以上且0.78以下。
(8)如(1)至(7)中任一項之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層進而包含金屬MD之氧化物，且上述金屬MD係選自由Cu及Zn所組成之群中之至少1種。
(9)如(1)至(8)中任一項之光記錄媒體，其中上述金屬MA為Mn及Ni兩者。
(10)如(1)至(8)中任一項之光記錄媒體，其中上述金屬MB為W及 Mo兩者。
(11)如(1)至(8)中任一項之光記錄媒體，其中上述金屬MA為Mn及Ni兩者，上述金屬MB為W及Mo兩者。
(12)如(1)至(11)中任一項之光記錄媒體，其進而具備設置於上述透過型記錄層之至少一個面之介電層。
(13)如(1)至(11)中任一項之光記錄媒體，其進而具備設置於上述透過型記錄層之兩個面之介電層。
(14)一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、及金屬MC之氧化物，上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，上述金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少1種，上述金屬MC為Zr，上述金屬MA相對於上述金屬MB之原子比(MA/MB)為0.37以上且1.31以下，上述透過型記錄層中之上述金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下。

Claims (12)

  1. 一種光記錄媒體，其具備包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、及金屬ME之氧化物之透過型記錄層，上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，上述金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少1種，上述金屬MC為Zr，上述金屬ME為Mg，上述金屬MA相對於上述金屬MB之原子比(MA/MB)為0.37以上且1.31以下，上述透過型記錄層中之上述金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下，上述透過型記錄層中之上述金屬ME之含量為6.6原子%以上且43.0原子%以下。
  2. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層之層數為2層。
  3. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層中之上述金屬MC之含量為0.9原子%以上且8.5原子%以下。
  4. 如請求項3之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層之層數為3層。
  5. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬MA相對於上述金屬MB之原子比(MA/MB)為0.54以上且0.78以下。
  6. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述透過型記錄層進而包含金屬MD之氧化物，且上述金屬MD係選自由Cu及Zn所組成之群中之至少1種。
  7. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬MA為Mn及Ni兩者。
  8. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬MB為W及Mo兩者。
  9. 如請求項1之光記錄媒體，其中上述金屬MA為Mn及Ni兩者，上述金屬MB為W及Mo兩者。
  10. 如請求項1之光記錄媒體，其進而具備設置於上述透過型記錄層之至少一個面之介電層。
  11. 如請求項1之光記錄媒體，其進而具備設置於上述透過型記錄層之兩個面之介電層。
  12. 一種光記錄媒體用記錄層，其包含金屬MA之氧化物、金屬MB之氧化物、金屬MC之氧化物、及金屬ME之氧化物，上述金屬MA係選自由Mn及Ni所組成之群中之至少1種，上述金屬MB係選自由W及Mo所組成之群中之至少1種，上述金屬MC為Zr，上述金屬ME為Mg，上述金屬MA相對於上述金屬MB之原子比(MA/MB)滿足0.37以上且1.31以下之關係，上述透過型記錄層中之上述金屬MC之含量為0.9原子%以上且27.5原子%以下，上述透過型記錄層中之上述金屬ME之含量為6.6原子%以上且43.0原子%以下。
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