TWI431621B - 光學資訊記錄媒體及其製造方法以及光學資訊記錄媒體記錄層 - Google Patents

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TWI431621B TW100147816A TW100147816A TWI431621B TW I431621 B TWI431621 B TW I431621B TW 100147816 A TW100147816 A TW 100147816A TW 100147816 A TW100147816 A TW 100147816A TW I431621 B TWI431621 B TW I431621B
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Description

光學資訊記錄媒體及其製造方法以及光學資訊記錄媒體記錄層
本發明係關於一種光學資訊記錄媒體及其製造方法以及一種光學資訊記錄媒體記錄層。詳言之，本發明係關於一種具有兩個或兩個以上記錄層之光學資訊記錄媒體。
光學資訊記錄媒體之市場迄今已由CD(光碟)、DVD(數位多功能光碟)及其類似者引領。然而，近年來，隨同高清晰度電視之激增及由PC(個人電腦)處置的資料之急劇增加，存在對光學資訊記錄媒體之容量之進一步增加的需求。為了滿足此需求，諸如BD(Blu-ray Disc(藍光光碟)(註冊商標))之與藍色雷射相容的大容量儲存光學資訊記錄媒體已問世，且新型大容量儲存資訊記錄媒體之市場正在建立。
雖然存在由CD-RW(光碟-可重寫)及DVD±RW(數位多功能光碟±可重寫)代表之可重寫光學資訊記錄媒體及由CD-R(光碟-可記錄)及DVD-R(數位多功能光碟-可記錄)代表之一次寫入型光學資訊記錄媒體作為可記錄光學資訊記錄媒體，但後者尤其已作為低成本媒體對市場之擴大貢獻巨大。因此，為了擴大市場，藉由與藍色雷射相容之大容量儲存光學資訊記錄媒體降低一次寫入型光學資訊記錄媒體之成本同樣被視為重要的。此外，通常認為，與硬碟機(HDD)或快閃記憶體相比，光學資訊記錄媒體具有高儲存可靠性(歸因於其記錄及再生原理)，且在用作存檔媒體方面有需求，開始用於關鍵資訊之儲存。
作為在一次寫入型光學資訊記錄媒體中使用之記錄材料，存在無機材料及有機顏料材料。雖然有機顏料材料已主要被考慮用於相關技術的一次寫入型光學資訊記錄媒體之記錄材料，但在近年來之大容量儲存光學資訊記錄媒體中，亦正廣泛考慮將無機材料用於記錄材料。
舉例而言，包括In氧化物及Pd氧化物之無機記錄層(其中Pd氧化物包括Pd一氧化物及Pd二氧化物，且Pd原子相對於In原子與Pd原子之總數的比率為6原子%至60原子%)被提議於日本未審查專利申請公開案第2010-137545號中。另外，包括In與Sn中之一或兩者、Pd及O的無機記錄層提議於日本未審查專利申請公開案第2010-218636號中。
附帶言之，近年來，為了進一步增加諸如DVD及BD之可記錄高密度光學資訊記錄媒體中之記錄容量，已廣泛採用用於增加記錄層之數目的技術。就多層光學資訊記錄媒體而言，使用已經由記錄層透射至定位於距資訊讀取面側最深位置處之記錄層之前側的雷射光執行關於定位於最深位置處之記錄層的資訊信號之記錄及再生。因此，存在的記錄層愈多，則在雷射光到達定位於最深位置處之記錄層之前透射經由之記錄層就愈多，且需要不同於定位於距資訊讀取面側最深位置處之記錄層的記錄層具有高透射率。
對於一次寫入型光學資訊記錄媒體而言，對藉由增加記錄層之數目來進一步增加記錄容量之需求亦正在增長，且在滿足此需求方面，無機記錄層之透射率的改良為重要技術。
需要提供一種具有優異透射率性質之光學資訊記錄媒體及其製造方法以及一種光學資訊記錄媒體記錄層。
根據本發明之第一實施例，提供一種光學資訊記錄媒體，該光學資訊記錄媒體包括：一基板；提供於該基板上之兩個或兩個以上記錄層；及提供於該等記錄層上之一保護層，其中該基板及該保護層之側中之一者的表面為一光輻照平面，用於在該兩個或兩個以上記錄層上記錄資訊信號之光輻照在該光輻照平面上，不同於在距該光輻照平面最深位置處之該記錄層的該等記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，且分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率滿足關係0.17x1 (其中x1 =a/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd及Cu之該總數的原子比率(原子%)，及c:Cu相對於W、Pd及Cu之該總數的原子比率(原子%))。
根據本發明之第二實施例，提供一種光學資訊記錄媒體記錄層，該光學資訊記錄媒體記錄層包括：作為主組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，其中分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率滿足關係0.17x1 (其中x1 =a/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd及Cu之該總數的原子比率(原子%)，及c:Cu相對於W、Pd及Cu之該總數的原子比率(原子%))。
根據本發明之第三實施例，提供一種光學資訊記錄媒體之製造方法，該方法包括：藉由使用一光學資訊記錄媒體標靶用至少氧之反應性濺鍍來形成一金屬氧化物記錄層，其中該光學資訊記錄媒體標靶包括作為主組分之W、Pd及Cu，且W、Pd及Cu之比率滿足關係0.17x1 (其中x1 =a/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd及Cu之該總數的原子比率(原子%)，及c:Cu相對於W、Pd及Cu之該總數的原子比率(原子%))。
根據本發明之第一實施例，保護層之厚度不受特定限制，且保護層包括基板、薄片及塗層。作為高密度光學資訊記錄媒體，採用諸如薄片或塗層之薄光透射層作為保護層及藉由自光透射層之側輻照光來執行資訊信號之記錄及再生的組態係較佳的。在此情況下，採用不透明基板亦係可能的。根據光學資訊記錄媒體之一格式，將用於記錄或再生資訊信號之光入射面適當地設定至保護層側及基板側的表面中之至少一者。
根據本發明之第一及第二實施例，較佳地，分別包括於W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率滿足關係0.37x1 。
根據本發明之第三實施例，較佳地，W、Pd及Cu之比率滿足關係0.37x1 。
根據本發明之第一及第二實施例，較佳地，分別包括於W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率滿足關係0.37x1 1.26。
根據本發明之第三實施例，較佳地，W、Pd及Cu之比率滿足關係0.37x1 1.26。
根據本發明之第一實施例，較佳地，不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的所有記錄層皆包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，且分別包括於W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率滿足關係0.17x1 。在此情況下，較佳地，對於靠近光輻照平面之記錄層，x1 之值變得較大。
根據本發明之第一實施例，較佳地，滿足對於靠近光輻照平面之記錄層分別包括於W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率x1 較大的關係。
根據本發明之第一至第三實施例，較佳地，原子比率a、原子比率b及原子比率c分別滿足關係10a70、2b50及10c70。
根據本發明之第一及第二實施例，較佳地，不同於在距該光輻照平面最深位置處之該記錄層的該等記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物，且分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.17x2 (其中x2 =(0.1d+a)/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之該總數的原子比率(原子%)，c:Cu相對於W、Pd、Cu及Zn之該總數的原子比率(原子%)，及d:Zn相對於W、Pd、Cu及Zn之該總數的原子比率(原子%))。
根據本發明之第三實施例，較佳地，一光學資訊記錄媒體標靶包括作為主組分之W、Pd、Cu及Zn，且W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.17x2 (其中x2 =(0.1d+a)/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之該總數的原子比率(原子%)，c:Cu相對於W、Pd、Cu及Zn之該總數的原子比率(原子%)，及d:Zn相對於W、Pd、Cu及Zn之該總數的原子比率(原子%))。
根據本發明之第一及第二實施例，在不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物的情況下，較佳地，分別包括於W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.37x2 。
根據本發明之第三實施例，在一光學資訊記錄媒體標靶包括作為主組分之W、Pd、Cu及Zn的情況下，較佳地，W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.37x2 。
根據本發明之第一及第二實施例，在不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物的情況下，較佳地，分別包括於W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.37x2 1.26。
根據本發明之第三實施例，在一光學資訊記錄媒體標靶包括作為主組分之W、Pd、Cu及Zn的情況下，較佳地，W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.37x2 1.26。
根據本發明之第一實施例，在不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物的情況下，較佳地，不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的所有記錄層包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物，且分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率滿足關係0.17x2 。在此情況下，較佳地，對於靠近光輻照平面之記錄層，x2 之值較大。
根據本發明之第一實施例，在不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物的情況下，較佳地，滿足對於靠近光輻照平面之記錄層分別包括於W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率x2 較大的關係。
根據本發明之第一或第二實施例，在不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物的情況下，較佳地，原子比率a、原子比率b、原子比率c及原子比率d分別滿足關係10a70、2b50、10c70及5d60。
根據本發明之第三實施例，在一光學資訊記錄媒體標靶包括作為主組分之W、Pd、Cu及Zn的情況下，較佳地，原子比率a、原子比率b、原子比率c及原子比率d分別滿足關係10a70、2b50、10c70及5d60。
根據本發明之第一實施例，較佳地，進一步提供經提供以在該等記錄層之兩側上鄰近的一第一保護層及一第二保護層，且該第一保護層及該第二保護層為介電層或透明傳導層。
根據本發明之實施例，藉由滿足關係0.17x1 的分別包括於W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物中的W、Pd及Cu之比率，可能獲得不同於在距光輻照平面最深位置處之記錄層的記錄層之有利透射率。
如上所述，根據本發明之實施例，可能實現一種具有優異透射率性質之光學資訊記錄媒體記錄層及一種包括其之光學資訊記錄媒體。
以下將參看圖式詳細描述本發明之實施例。
[光學資訊記錄媒體之組態]
圖1A為說明根據本發明之一實施例的光學資訊記錄媒體之一組態實例之簡要橫截面圖。此光學資訊記錄媒體10為所謂的一次寫入型光學資訊記錄媒體，且如在圖1A中所說明，具有以下組態：資訊信號L0層、中間層S1、資訊信號層L1、中間層S2、資訊信號層L2、中間層S3、資訊信號層L3及為保護層(覆蓋層)之光透射層2按此次序層壓於基板1之主平面上。可按必要性在光透射層2側之表面上進一步提供一硬塗佈層3。可按必要性在基板1側之表面上進一步提供一障壁層4。此處，在以下描述中，在未特別區分資訊信號層L0至L3之情況下，稱作資訊信號層L。
就該實施例之光學資訊記錄媒體10而言，藉由自光透射層2側之平面C在資訊信號層L0至L3中之每一者上輻照雷射光來執行資訊信號之記錄或再生。舉例而言，藉由由具有在0.84至0.86之範圍中的數值孔徑之接物鏡收集具有在400 nm至410 nm之範圍內的波長之雷射光且自光透射層2之側輻照資訊信號層L0至L3中之每一者來執行資訊信號之記錄或再生。將例如BD-R例示為此種光學資訊記錄媒體10。下文中，由用於在資訊信號層L0至L3上記錄資訊信號之雷射光輻照的平面C將被稱作光輻照平面C。
以下依序描述組態光學資訊記錄媒體10之基板1、資訊信號層L0至L3、中間層S1至S3、光透射層2、硬塗佈層3及障壁層4。
(基板)
基板1具有環形狀，例如，具有形成於中心處之開口(以下被稱作中心孔)。基板1之主平面為(例如)凹凸表面，且資訊信號L0層形成於凹凸表面上。下文中，凹凸表面之凹部分被稱作槽中Gin，且凸部分被稱作槽上Gon。
作為槽中Gin及槽上Gon之形狀，例示了諸如螺旋形狀或同心圓形狀之各種形狀。另外，可使槽中Gin及槽上Gon中之一者或兩者擺動(彎曲)以便使線性速度穩定或增加位址資訊。
雖然只要直徑為剛性的基板1之直徑就不受特別限制，但選擇(例如)120 mm作為直徑。考慮到該剛性選擇基板1之厚度，且較佳地選擇0.3 mm至1.3 mm，且更佳地選擇0.6 mm至1.3 mm(例如，1.1 mm)。另外，舉例而言，選擇15 mm作為中心孔之直徑。
作為基板1之材料，可使用(例如)塑膠材料或玻璃，且自可成形性之觀點，較佳地使用塑膠材料。作為塑膠材料，舉例而言，可使用聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、丙烯酸樹脂或其類似者。另外，自成本之觀點，常使用聚碳酸酯樹脂。
(資訊信號層)
圖1B為說明圖1A中說明的每一資訊信號層之一組態實例之示意圖。如圖1B中所說明，資訊信號層L0至L3包括(例如)：一無機記錄層11；一第一保護層12，其經提供以在無機記錄層11之主平面上鄰近；及一第二保護層13，其經提供以鄰近於無機記錄層11之另一主平面。無機記錄層11之耐久性能夠藉由此組態而改良。
在不同於在距光輻照平面C最深位置處之資訊信號L0層的資訊信號層L1至L3中之無機記錄層11中之至少一者包括作為主組分之三種元素氧化物：W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物。包括於三種元素氧化物中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1 ，更佳地滿足關係0.37x1 ，再更佳地滿足關係0.37x1 1.26，且最佳地滿足關係0.56x1 1.26。在此種情況下，可能實現優異的透射率性質，同時維持對光學資訊記錄媒體之資訊信號層需求之性質。此處，作為對光學資訊記錄媒體之資訊信號層需求之性質，例示了有利的信號性質、寬記錄功率邊限、高再生耐久性、在記錄後對透射率的改變之抑制及其類似者。
此處，x1 為定義為x1 =a/(b+0.8c)之變數。
a:W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)
b:Pd相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)
c:Cu相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率(原子%)
自增加到達在距光輻照平面C最深位置處之資訊信號L0層的光之量之觀點，較佳地，不同於資訊信號L0層之資訊信號層L1至L3的所有無機記錄層11具有作為主組分之以上三種元素氧化物。在此情況下，包括於三種元素氧化物中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1 ，更佳地滿足關係0.37x1 ，再更佳地滿足關係0.37x1 1.26，且最佳地滿足關係0.56x1 1.26。另外，由於對於較靠近在最深位置處之層的資訊記錄層L通常需求較高記錄敏感性且透射率傾向於降低，因此靠近光輻照平面C之資訊信號層L常經設計以具有高透射率。因此，較佳地，對於靠近光輻照平面C之資訊信號層L，資訊信號層L1至L3的無機記錄層11之變數x1 之值為較大值。
自有利的信號性質、寬記錄功率邊限、高再生耐久性及在記錄後對透射率的改變之抑制之觀點，較佳地，資訊信號層L0至L3之所有無機記錄層11包括作為主組分之三種元素氧化物。在此情況下，包括於三種元素氧化物中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1 ，更佳地滿足關係0.37x1 ，再更佳地滿足關係0.37x1 1.26，且最佳地滿足關係0.56x1 1.26。另外，較佳地，對於靠近光輻照平面C之資訊信號層L，資訊信號層L0至L4的無機記錄層11之變數x1 之值為較大值。原因在於，對於靠近光輻照平面C之資訊信號層L，能夠增加透射率。
W相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率a較佳地處於10原子%至70原子%之範圍內，且更佳地，處於14.2原子%至31.8原子%之範圍內。若原子比率a小於10原子%，則透射率傾向於低。另一方面，若原子比率a超過70原子%，則記錄敏感性傾向於降低。
Pd相對於W、Pd及Cu之總數的原子比率b較佳地處於2原子%至50原子%之範圍內，且更佳地，處於4.4原子%至32.2原子%之範圍內。若原子比率b小於2原子%，則記錄功率邊限傾向於變得窄。另一方面，若原子比率b超過50原子%，則透射率傾向於低。
Cu相對於W、Pd及Cu的原子比率c較佳地處於10原子%至70原子%之範圍內，且更佳地，處於28.5原子%至68.1原子%之範圍內。若原子比率c小於10原子%，則再生耐久性傾向於變弱。另一方面，若原子比率c超過70原子%，則透射率傾向於減小。
較佳地，不同於在光輻照平面C之最深位置處之資訊信號L0層的資訊信號層L1至L3中之至少一者的無機記錄層11包括四種元素氧化物，其中將Zn氧化物添加至以上三種元素氧化物。包括於四種元素氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率較佳地滿足關係0.17x2 ，更佳地滿足關係0.37x2 ，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。藉由添加Zn氧化物，可能降低除了Zn氧化物以外的總量，同時滿足對光學資訊記錄媒體之資訊信號層需求之性質且維持優異的透射性質。亦即，可能藉由添加Zn氧化物降低昂貴的Pd氧化物之比率，從而實現成本減少。
此處，x2 為定義為x2 =(0.1d+a)/(b+0.8c)之變數。
a:W相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
b:Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
c:Cu相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
d:Zn相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率(原子%)
自增加到達在距光輻照平面C最深位置處之資訊信號L0層的光之量之觀點，較佳地，不同於資訊信號L0層之資訊信號層L1至L3的所有無機記錄層11包括作為主組分之四種元素氧化物。在此情況下，包括於四種元素氧化物中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x2 ，更佳地滿足關係0.37x2 ，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。另外，較佳地，對於靠近光輻照平面C之資訊信號層L，資訊信號層L1至L3的無機記錄層11之變數x2 之值為較大值。原因在於，對於靠近光輻照平面C之資訊信號層L，能夠增加透射率。
另外，自有利的信號性質、寬記錄功率邊限、高再生耐久性、在記錄後對透射率的改變之抑制及低成本之觀點，較佳地，資訊信號層L0至L3之所有無機記錄層11包括作為主組分之四種元素氧化物。在此情況下，包括於三種元素氧化物中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x2 ，更佳地滿足關係0.37x2 ，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。另外，由於對於較靠近在最深位置處之層的資訊記錄層L通常需求較高記錄敏感性且透射率傾向於降低，因此靠近光輻照平面C之資訊信號層L常經設計以具有高透射率。因此，較佳地，對於靠近光輻照平面C之資訊信號層L，資訊信號層L1至L3的無機記錄層11之變數x2 之值為較大值。
W相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率a較佳地處於10原子%至70原子%之範圍內，且更佳地，處於14.2原子%至31.8原子%之範圍內。若原子比率a小於10原子%，則透射率傾向於低。另一方面，若原子比率a超過70原子%，則記錄敏感性傾向於降低。
Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之總數的原子比率b較佳地處於2原子%至50原子%之範圍內，且更佳地，處於4.4原子%至32.2原子%之範圍內。若原子比率b小於2原子%，則記錄功率邊限傾向於變得窄。另一方面，若原子比率b超過50原子%，則透射率傾向於低。
Cu相對於W、Pd、Cu及Zn的原子比率c較佳地處於10原子%至70原子%之範圍內，且更佳地，處於28.5原子%至43.4原子%之範圍內。若原子比率c小於10原子%，則再生耐久性傾向於變弱。另一方面，若原子比率c超過70原子%，則透射率傾向於減小。
Zn相對於W、Pd、Cu及Zn的原子比率d較佳地處於5原子%至60原子%之範圍內，且更佳地，處於17原子%至41原子%之範圍內。若原子比率d小於5原子%，則成本減少效應傾向於變弱。另一方面，若原子比率d超過60原子%，則在高溫及高濕環境下之耐久性傾向於變弱。
作為不同於以上描述之三種元素氧化物及四種元素氧化物的資訊信號層L1至L3之材料，舉例而言，可能使用In氧化物與Pd氧化物之混合物。然而，雖然藉此能夠獲得光學資訊記錄媒體之資訊信號層L之優異的透射性質，但由於在記錄前及後的性質之改變傾向於增加(歸因於當形成記錄標記時產生的大量氣泡)及未實現在記錄後對透射率的改變之抑制(其為需求的性質中之一者)，因此較佳地，使用以上描述之三種元素氧化物或四種元素氧化物。
作為在距光輻照平面C最深位置處之資訊信號L0層的材料，亦可能使用氧化物與Pd氧化物之混合物。然而，自記錄功率邊限性質之觀點，較佳地，使用以上描述之三種元素氧化物或四種元素氧化物。
無機記錄層11之厚度較佳地處於25 nm至60 nm、且更佳地為30 nm至50 nm之範圍內。若厚度小於25 nm，則信號性質傾向於惡化。另一方面，若厚度超過60 nm，則記錄功率邊限傾向於變窄。
較佳地，使用介電層或透明傳導層作為第一保護層12及第二保護層13，且可能將介電層用於第一保護層12及第二保護層13中之一者，且將透明傳導層用於另一者。藉由充當氧障壁層之介電層或透明傳導層，可能改良無機記錄層11之耐久性。另外，藉由抑制氧自無機記錄層11逸散，可能抑制記錄膜之膜品質的改變(主要地偵測為反射率之降低)，且可能保證對無機記錄層11需求之膜品質。此外，藉由提供介電層或透明傳導層，可能改良記錄性質。據認為原因為，藉由最佳地抑制自入射於介電層或透明傳導層上的雷射光之熱擴散，抑制記錄部分上之氣泡使之不會變得過大，且抑制氣泡因Pd氧化物之瓦解過度地進行而爆裂，可能使在記錄期間的氣泡之形式最佳化。
作為第一保護層12及第二保護層13之材料，舉例而言，例示了氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或其混合物。作為第一保護層12及第二保護層13之材料，能夠使用彼此相同或不同之材料。舉例而言，作為氧化物，例示了具有選自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi及Mg構成之群的一或多種元素之氧化物。舉例而言，作為氮化物，例示了具有選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta及Zn構成之群的一或多種元素之氮化物，且更佳地，具有選自由Si、Ge及Ti構成之群的一或多種元素之氮化物。舉例而言，作為硫化物，例示了Zn硫化物。舉例而言，作為碳化物，例示了具有選自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta及W構成之群的一或多種元素之碳化物，且更佳地，具有選自由Si、Ti及W構成之群的一或多種元素之碳化物。舉例而言，作為氟化物，例示了具有選自由Si、Al、Mg、Ca及La構成之群的一或多種元素之氟化物。舉例而言，作為其混合物，例示了ZnS-SiO2 、SiO2 -In2 O3 -ZrO2 (SIZ)、SiO2- -Cr2 O3 -ZrO2 (SCZ)、In2 O3 -SnO2 (ITO)、In2 O3 -CeO2 (ICO)、In2 O3 -Ga2 O3 (IGO)、In2 O3 -Ga2 O3 -ZnO(IGZO)、Sn2 O3 -Ta2 O5 (TTO)、TiO2 -SiO2 及其類似者。
第一保護層12之厚度較佳地處於2 nm至20 nm之範圍內。若厚度小於2 nm，則障壁效應傾向於減少。另一方面，若厚度超過20 nm，則記錄功率邊限傾向於變窄(惡化)。
第二保護層13之厚度較佳地處於2 nm至50 nm之範圍內。若厚度小於2 nm，則障壁效應傾向於減少。另一方面，若厚度超過50 nm，則記錄功率邊限傾向於變窄(惡化)。
舉例而言，作為資訊信號層L0至L3，較佳地使用以下組態之組合。對於靠近在最深位置處之層的L1層(在該L1層處需求高度的敏感性且x1 與x2 之組合物比率變得小)，由於傾向於存在大量Pd及Cu且因此在記錄後的透射率之改變傾向於大，因此較佳地，使用具有等於或大於0.05之消光係數k的第一保護層12及第二保護層13抑制透射率之改變。另外，對於需求高透射率且x1 與x2 之組合物比率變得大之L3層，由於功率邊限傾向於窄，同時在記錄後的透射率之改變小，因此較佳地，將SIZ或IGZO用於第一保護層12及第二保護層13來保證功率邊限。另外，L2層使用L1層與L3層之層組合，且在此種情況下，即使記錄層之材料或所需求的敏感性或透射率之程度不同，仍能夠使就功率邊限或對透射率的改變之抑制而言的每一層之性質相等。
由三種組分：W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物構成之混合物以下將適當地被稱作「WCPO」。另外，由四種組分：W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物構成之混合物將適當地被稱作「WZCPO」。
(資訊信號L0層)
第一保護層12:ITO
無機記錄層11:WCPO(0.4x1 0.6)，較佳地，WZCPO(0.4x2 0.6)
第二保護層13:ITO
(資訊信號層L1)
第一保護層12：消光係數k在0.05至0.6之範圍內的材料，較佳地，ITO
無機記錄層11:WCPO(0.5x1 0.9)，較佳地，WZCPO(0.5x2 0.9)
第二保護層13：消光係數k在0.05至0.6之範圍內的材料，較佳地，ITO
(資訊信號層L2)
第一保護層12：消光係數k在0.05至0.6之範圍內的材料，較佳地，ITO
無機記錄層11:WCPO(0.8x1 1.2)，較佳地，WZCPO(0.8x2 1.2)
第二保護層13:SIZ或IGZO
(資訊信號層L3)
第一保護層12:SIZ或IGZO
無機記錄層11:WCPO(0.8x1 1.2)，較佳地，WZCPO(0.8x2 1.2)
第二保護層13:SIZ或IGZO
(中間層)
中間層S1至S3起到實體且光學上分開L0、L1、L2與L3以保持足夠距離之作用，在其表面上提供凹凸表面，且同心圓或螺旋形凹槽(槽中Gin及槽上Gon)形成於其上。中間層S1至S3之厚度較佳地設定至9 μm至50 μm，且例如，S1為15 μm，S2為20 μm，且S3為10 μm。雖然中間層S1至S3之材料不受特別限制，但較佳地，使用紫外線可固化丙烯酸樹脂，且由於中間層S1至S3變為用於資料之記錄及再生之雷射光之至底層的光路，因此較佳地，該等材料具有足夠高的透光率。
(光透射層)
光透射層2為感光樹脂(諸如，紫外線可固化樹脂)固化於之樹脂層。舉例而言，作為此樹脂層，例示了紫外線可固化型丙烯酸系樹脂。另外，光透射層2可由環形光透射薄片及用於將光透射薄片黏貼於基板1上之黏著層組態。較佳地，光透射薄片由具有關於在記錄及再生中使用之雷射光之低可吸收性的材料構成，且特定言之，較佳地，光透射薄片由具有等於或大於90%之透射率的材料構成。舉例而言，作為光透射薄片之材料，可使用聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂(例如，ZEONEX(註冊商標))或其類似者。舉例而言，作為黏著層之材料，可使用紫外線可固化樹脂、壓敏黏著劑(PSA)或其類似者。
光透射層2之厚度較佳地選自10 μm至177 μm之範圍，且例如，選擇53.5 μm。藉由將此薄光透射層2與具有(例如)大致0.85之高NA(數值孔徑)的接物鏡組合，能夠實現高密度記錄。
(硬塗佈層)
硬塗佈層3係用於對光輻照平面C賦與抗擦傷性質及其類似者。舉例而言，作為硬塗佈層3之材料，可使用丙烯酸系樹脂、聚矽氧樹脂、氟樹脂、有機無機混合樹脂或其類似者。
(障壁層)
障壁層4係用於抑制在膜形成過程期間自基板1之後面的排氣(濕氣釋放)。另外，障壁層4亦充當抑制在基板1之後面上的濕氣吸收的防濕氣層。雖然只要能夠抑制自基板1之後面的排氣(濕氣釋放)，組態障壁層4之材料就不受特別限制，但為了給出一實例，可使用具有低透氣性之介電質。舉例而言，作為此介電質，可使用SiN、SiO2 、TiN、AlN、ZnS-SiO2 或其類似者。障壁層4之厚度較佳地設定至5 nm至40 nm。若厚度小於5 nm，則抑制自基板後面之排氣的障壁功能傾向於降低。原因為，另一方面，若厚度大於40 nm，則幾乎不存在與當抑制排氣之障壁功能較低時的情況之任何差異，且另外，生產率傾向於降低。較佳地，障壁4之透濕氣性等於或小於每天5×10-5 g/cm2 。
藉由以上描述的組態之光學資訊記錄媒體10，當雷射光輻照於無機記錄層11上時，Pd氧化物由雷射光加熱且瓦解以釋放氧，且氣泡產生於由雷射光輻照之部分上。藉此能夠執行資訊信號之不可逆記錄。
[光學資訊記錄媒體之製造方法]
接下來，將描述根據本發明之一實施例的光學資訊記錄媒體之製造方法之一實例。
(基板之形成過程)
首先，形成凹凸表面形成於主平面上之基板1。舉例而言，作為基板1之形成方法，可使用射出形成方法、光聚合方法(2P方法)及其類似者。
(資訊信號層之形成過程)
接下來，藉由用(例如)濺鍍方法在基板1上依序層壓第一保護層12、無機記錄層11及第二保護層13來形成資訊信號L0層。
以下將詳細描述第一保護層12、無機記錄層11及第二保護層13之形成過程。
(第一保護層之膜形成過程)
首先，將基板1輸送至提供了包括作為主組分之介電材料或透明傳導材料的標靶之真空室內，且使真空室之內部抽真空，直至真空室達到預定壓力。接著藉由濺鍍標靶同時將諸如Ar氣體或O2 氣體之製程氣體引入至真空室內，使第一保護層12形成於基板1上。雖然可將(例如)射頻(RF)濺鍍方法或直流(DC)濺鍍方法用作濺鍍方法，但直流濺鍍方法尤其較佳。原因為，由於與射頻濺鍍方法相比，直流濺鍍方法具有高膜形成速率，因此可能改良生產率。
(無機記錄層之膜形成過程)
接下來，將基板1輸送至提供了用於無機記錄層膜形成之標靶的真空室內，且使真空室之內部抽真空，直至真空室達到預定壓力。接著藉由濺鍍標靶同時將諸如Ar氣體或O2 氣體之製程氣體引入至真空室內，使無機記錄層11形成於第一保護層12上。
此處，用於無機記錄層膜形成之標靶包括作為主組分的至少三種元素氧化物：W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物。包括於三種元素氧化物中的W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1 ，更佳地滿足關係0.37x1 ，再更佳地滿足關係0.37x1 1.26，且最佳地滿足關係0.56x1 1.26。此處，如上所述，x1 為定義為x1 =a/(b+0.8c)之變數。
較佳地，用於無機記錄層膜形成之標靶包括作為主組分的四種元素氧化物，其中將Zn氧化物進一步添加至以上三種元素氧化物。包括於四種元素氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之比率較佳地滿足關係0.17x2 ，更佳地滿足關係0.37x2 ，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。此處，如上所述，x2 為定義為x2 =(0.1d+a)/(b+0.8c)之變數。
由於作為用於無機記錄層膜形成之標靶的三種元素氧化物或四種元素氧化物，與無機記錄層11具有相同的組合物之氧化物係較佳的。
另外，可藉由用至少氧之反應性濺鍍形成無機記錄層11。在此情況下，作為光學資訊記錄媒體標靶，較佳地，使用W、Pd及Cu為主組分之WCP金屬標靶。W、Pd及Cu之比率較佳地滿足關係0.17x1 ，更佳地滿足關係0.37x1 ，再更佳地滿足關係0.37x1 1.26，且最佳地滿足關係0.56x1 1.26。此處，如上所述，x1 為定義為x1 =a/(b+0.8c)之變數。
另外，作為光學資訊記錄媒體標靶，較佳地，使用W、Pd、Cu及Zn為主組分之WZCP金屬標靶。W、Pd、Cu及Zn之比率較佳地滿足關係0.17x2 ，更佳地滿足關係0.37x2 ，再更佳地滿足關係0.37x2 1.26，且最佳地滿足關係0.56x2 1.26。此處，如上所述，x2 為定義為x2 =(0.1d+a)/(b+0.8c)之變數。
(第二保護層之膜形成過程)
接下來，將基板1輸送至提供了包括作為主組分之介電材料或透明傳導材料的標靶之真空室內，且使真空室之內部抽真空，直至真空室達到預定壓力。接著藉由濺鍍標靶同時將諸如Ar氣體或O2 氣體之製程氣體引入至真空室內，使第二保護層13形成於無機記錄層11上。雖然可將(例如)射頻(RF)濺鍍方法或直流(DC)濺鍍方法用作濺鍍方法，但直流濺鍍方法尤其較佳。原因為，由於與射頻濺鍍方法相比，直流濺鍍方法具有高膜形成速率，因此可能改良生產率。
按照以上，將資訊信號L0層形成於基板1上。
(中間層之形成過程)
接下來，藉由(例如)旋塗方法將紫外線可固化樹脂均勻地塗覆於資訊信號L0層上。在接著在紫外線可固化樹脂上輻照紫外線輻射且藉由在均勻地塗覆於資訊信號L0層上之紫外線可固化樹脂上壓製壓模之凹凸圖案來固化樹脂後，移除壓模。在此種情況下，壓模之凹凸圖案轉印至紫外線可固化樹脂上，且例如，將其上提供有槽中Gin及槽上Gon之中間層S1形成於資訊信號L0層上。
(資訊信號層及中間層之形成過程)
接下來，類似於以上描述之資訊信號L0層及中間層S1之形成過程，將資訊信號層L1、中間層S2、資訊信號層L2、中間層S3及資訊信號層L3按此次序依序層壓於中間層S1上。此時，藉由適當調整膜形成條件或標靶組合物，可適當調整組態資訊信號層L1至L3的第一保護層12、無機記錄層11及第二保護層13之膜厚度或組合物。另外，藉由適當調整旋塗方法之條件，可適當調整中間層S1至S3之厚度。
(光透射層之形成過程)
接下來，在藉由(例如)旋塗方法在資訊信號層L3上旋塗了諸如紫外線可固化樹脂(UV樹脂)之感光樹脂後，使諸如紫外線之光輻照於感光樹脂上，以便使樹脂固化。在此種情況下，將光透射層2形成於資訊信號層L3上。
藉由以上過程獲得所要的光學資訊記錄媒體。
實例
雖然以下將使用測試實例詳細描述本發明，但本發明不僅限於此等測試實例。
另外，多層光學資訊記錄媒體之資訊信號層將按自基板側朝向雷射輻照平面側之次序被稱作L0層、L1層、L2層...。
將按以下次序描述測試實例。
1.無機記錄層之組合物
2.兩層光學資訊記錄媒體之透射率範圍
3.四層光學資訊記錄媒體之透射率範圍
<1.無機記錄層之組合物> (測試實例1至15)
首先，藉由射出成形形成具有1.1 mm之厚度的聚碳酸酯基板。此處，具有凹槽之凹凸表面形成於聚碳酸酯基板上。接下來，藉由濺鍍方法將第一保護層、無機記錄層及第二保護層依序層壓於聚碳酸酯基板上。每一層之特定組態如下。
第一保護層
材料：SiO2 -In2 O3 -ZrO2 (SIZ)，厚度：10 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：40 nm
第二保護層
材料：SiO2 -In2 O3 -ZrO2 (SIZ)，厚度：25 nm
針對測試實例1至15中之每一者調整標靶組合物，使得在無機記錄層之WZCPO內的Cu、Zn、Pd及W之各別原子比率c、d、b及a為在表1中說明之值。
接下來，藉由藉由旋塗方法在第二保護層上均勻地塗覆紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK8300)且藉由輻照紫外線使樹脂固化，獲得具有100 μm之厚度的光透射層。
按照以上，獲得所要的光學資訊記錄媒體。
(透射率評估)
使用光譜光度計(由JASCO Corporation製造，產品名稱：V530)量測如上描述所獲得的測試實例1至15之光學資訊記錄媒體之關於405 nm之記錄波長的透射率。結果展示於表1中。
接下來，使用量測之透射率及原子比率c、d、b及a執行線性近似。結果說明於圖2A中。在圖2A中，水平軸指示變數x(=0.1d+a)/(b+0.8c))，且垂直軸指示透射率。如圖2A中所說明，線性近似由y=25.642x+45.441表示。此處，y指示透射率[%]，且x指示(0.1d+a)/(b+0.8c)。作為執行線性近似之方式，藉由在每一比率上乘上一係數來判定每一係數，使得判定係數之冪R2為最大，其中具有相對小消光係數的W氧化物及Zn氧化物之每一比率之總和作為分子，且具有相對大消光係數的Pd氧化物及Cu氧化物之每一比率之總和作為分母。
(最佳記錄功率評估)
使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)，藉由405 nm之記錄波長及7.69 m/s之記錄線性速度記錄及再生具有每層32 GB之密度的1-7調變資料，以確定i-MLSE值最小時之記錄功率，且將此記錄功率取作最佳記錄功率Pwo。結果說明於圖2B中。此處，i-MLSE值為針對高密度記錄及再生的等效於相關技術之抖動之信號評估指數，且該值愈小，則信號性質愈有利。
表1說明測試實例1至15之無機記錄層的組合物比率、變數x及透射率。圖3為說明測試實例1至13之無機記錄層的組合物比率之曲線圖。
以下係自圖2A中所說明之線性近似推斷出的。
對於等於或大於50%之透射率，較佳地，變數x等於或大於0.17。
對於等於或大於55%之透射率，較佳地，變數x等於或大於0.37。
對於等於或大於60%之透射率，較佳地，變數x等於或大於0.56。
對於等於或小於78%之透射率，較佳地，變數x等於或小於1.26。
此處，藉由多層光學資訊記錄媒體，較佳地，等於或高於L1層的資訊信號層(L1層、L2層、L3層...)之透射率等於或大於55%。稍後將描述透射率等於或大於55%為較佳的之原因。此處，就使用不同於WZCPO之記錄膜組合物(ZnS-SiO2 -Sb-Sn、TePdO及其類似者)的兩層光碟而言，為了增大L0層之反射率，較佳地，L1層之透射率等於或大於50%。
以下係自圖2B中所說明之線性近似推斷出的。
看出，對於等於或小於20 mW之最佳記錄功率Pwo，較佳地，透射率等於或小於78%。此處，最佳記錄功率Pwo：20 mW為消費型光碟機裝置之最佳記錄功率Pwo之上限值。若超過了上限值，則在記錄期間的標記氣泡之形成變得不充分，此係因為未供應所需求之雷射量，且結果，信號性質惡化。
<2.兩層光學資訊記錄媒體之透射率範圍> (測試實例16至27)
首先，藉由射出成形形成具有1.1 mm之厚度的聚碳酸酯基板。此處，將具有凹槽之凹凸表面形成於聚碳酸酯基板上。
接下來，藉由濺鍍方法將第一保護層、無機記錄層及第二保護層依序層壓於聚碳酸酯基板上以建立L0層。此處，L0層為用於兩層光學資訊記錄媒體之L0層。
每一層之特定組態為如下。
第一保護層
材料：ITO，厚度：10 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：26 nm至30 nm
組合物比率：a=10、b=30、c=30、d=30
第二保護層
材料：TaN，厚度：6 nm至16 nm
調整用於測試實例16至27中之每一者的膜形成條件，使得無機記錄層及第二保護層之厚度為表2中展示之值。
接下來，藉由藉由旋塗方法在第二保護層上均勻地塗覆紫外線可固化樹脂(由Sony Chemical & Information Device Corporation製造，產品名稱：SK8300)且藉由輻照紫外線使樹脂固化，獲得具有100 μm之厚度的光透射層。
按照以上，獲得僅包括L0層之光學資訊記錄媒體。
(i-MLSE評估)
如下確定如上描述所獲得的測試實例16至27之光學資訊記錄媒體之i-MLSE。使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)，藉由以NA=0.85、405 nm之記錄波長及7.69 m/s之記錄線性速度以每層32 GB之密度記錄及再生1-7調變資料來量測i-MLSE值。
(反射率評估)
如下量測如上描述所獲得的測試實例16至27之光學資訊記錄媒體之反射率。此處，使用兩層光學資訊記錄媒體之僅L0層製造的單一層光學資訊記錄媒體之反射率被稱作L0層單獨之反射率。使用光碟測試器(由Pulstec Industrial Co.,Ltd.製造，產品名稱：ODU-1000)以NA=0.85及405 nm之記錄波長量測反射率。
表2說明測試實例16至27之光學資訊記錄媒體的i-MLSE及透射率之量測結果。
圖4A為說明如上所述確定之i-MLSE與反射率之間的關係之曲線圖。自圖4A看出，為了使L0層之i-MLSE值等於或小於11%，重要地是L0層之反射率等於或小於14%。此處，i-MLSE值11%為據稱可由消費型光碟機裝置進行錯誤校正之上限值。雖然能夠藉由使第一保護層、無機記錄層及第二保護層中之任一者或組合比以上膜厚度薄來改良反射率，但若使以上中之任何者更薄，則i-MLSE值將惡化。假定i-MLSE值惡化係因為在記錄期間的氣泡之形成變得不適當(作為無機記錄層之熱積聚或熱釋放的改變之結果)。
(測試實例28至39)
以如上所述確定之L0層單獨之反射率為14%作為前提，藉由光學模擬確定了關於兩層光學資訊記錄媒體之L1層之透射率的L0層之反射率。其結果說明於表3及圖4B中。此處，若L0層之反射率為R且L1之透射率為T，則藉由以下式(1)計算R。
R=14%(L0層單獨之反射率)×T2 　(1)
表3說明測試實例28至39之光學資訊記錄媒體的L0層單獨之反射率、L1層之透射率及L0層之反射率。
自圖4B看出，為了使兩層光學資訊記錄媒體之L1層之反射率等於或大於4%，重要地是L1層之透射率等於或大於55%。此處，L1層之反射率4%為對於使用消費型兩層相容光碟機裝置再生資訊信號所需之下限值。
<3.四層光學資訊記錄媒體之透射率範圍> (測試實例40至48)
量測當改變四層光學資訊記錄媒體的L1層單獨之透射率時的L0層之i-MLSE。結果說明於表4及圖4C中。此處，由於L1之記錄性質並非所關注之主體，因此藉由根據以下條件調整無機記錄層之厚度來執行L1層之透射率之調整。L1層之特定膜組態為如下。
第一保護層
材料：ITO，厚度：7 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：2 nm至130 nm
組合物比率：a=25、b=10、c=40、d=25
第二保護層
材料：ITO，厚度：10 nm
L0層之特定膜組態為如下。
第一保護層
材料：ITO，厚度：8 nm
無機記錄層
材料：WZCPO，厚度：30 nm
組合物比率：a=10、b=30、c=30、d=30
第二保護層
材料：TaN，厚度：10 nm
表4說明測試實例40至48之光學資訊記錄媒體的L0層單獨之反射率、L1層之透射率及L0層之i-MLSE值。
自圖4C看出，為了使L0層之i-MLSE值等於或小於11%，重要地是L1層之透射率等於或大於55%。此處，i-MLSE值11%為可由消費型光碟機裝置進行錯誤校正之上限值。原因為，在L1層之透射率低之情況下，由於L0層之信號量減少，因此認為未獲得用於再生之足夠的S/N。因此，L1之透射率愈高，則L0層之信號性質愈好。
按照以上，可看出，在具有兩個層或四個層之多層光學資訊記錄媒體之情況下，較佳地，等於L1層或在L1層上的資訊信號層(L1層、L2層、L3層...)之透射率等於或大於55%。
雖然以上已詳細描述了本發明之實施例，但本發明不限於以上描述之實施例，且基於本發明之實施例之技術理念的各種修改係可能的。
舉例而言，在以上描述之實施例中例示的組態、方法、製程、形狀、材料、數值及其類似者僅為實例，且可按需要使用不同的組態、方法、製程、形狀、材料、數值及其類似者。
另外，在不脫離本發明之要旨的範圍內，可將以上描述之實施例的組態、方法、製程、形狀、材料、數值及其類似者相互組合。
此外，雖然已將當資訊記錄媒體包括四層資訊信號層時之情況描述為以上描述之實施例中的一實例，但資訊信號層的層之數目不限於此，且資訊信號層可能具有兩個層或兩個以上層之任一數目個層。
此外，雖然已將當本發明應用於具有一組態(其中兩個或兩個以上資訊信號層及一光透射層按此次序層壓於基板上且其中藉由自光透射層側在資訊信號層上輻照雷射光來執行資訊信號之記錄或再生)之光學資訊記錄媒體時之情況描述為以上描述之實施例中的一實例，但本發明不限於此實例。舉例而言，本發明能夠應用於具有一組態(其中兩個或兩個以上資訊信號層及一保護層按此次序層壓於基板上且其中藉由自基板側在兩個或兩個以上資訊信號層上輻照雷射光來執行資訊信號之記錄或再生)之光學資訊記錄媒體，或應用於具有一組態(其中兩個或兩個以上資訊信號層經提供於兩個基板之間同時藉由自該等基板中之一者之側在資訊信號層上輻照雷射光來執行資訊信號之記錄或再生)之光學資訊記錄媒體。
另外，雖然已將藉由濺鍍方法形成光學資訊記錄媒體之每一層之情況描述為以上描述之實施例中的一實例，但膜形成方法不限於此，且可使用其他膜形成方法。舉例而言，作為其他膜形成方法，可使用諸如熱CVD、電漿CVD或光CVD之CVD方法(化學氣相沈積：使用化學反應將薄膜與蒸氣分離之技術)、諸如真空沈積、電漿輔助沈積或離子電鍍之PVD方法(物理氣相沈積：藉由在基板上在真空中聚結物理蒸發之材料形成薄膜之技術)。
本發明含有與在2011年2月3日在日本專利局申請之日本優先權專利申請案JP 2011-022181中揭示之標的物有關的標的物，該申請案之全部內容特此被以引用的方式併入。
熟習此項技術者應理解，可視設計要求及其他因素而出現各種修改、組合、子組合及更改，其限制條件為：該等修改、組合、子組合及更改在隨附之申請專利範圍或其等效物之範疇內。
1．．．基板
2．．．光透射層
3．．．硬塗佈層
4．．．障壁層
10．．．光學資訊記錄媒體
11．．．無機記錄層
12．．．第一保護層
13．．．第二保護層
C．．．光輻照平面
Gin．．．槽中
Gon．．．槽上
L0．．．資訊信號層
L1．．．資訊信號層
L2．．．資訊信號層
L3．．．資訊信號層
S1．．．中間層
S2．．．中間層
S3．．．中間層
圖1A為說明根據本發明之一實施例的光學資訊記錄媒體之一組態實例之簡要橫截面圖，且圖1B為說明在圖1A中說明的每一資訊信號層之一組態實例之示意圖；
圖2A為說明測試實例1至13的光學資訊記錄媒體之變數x與透射率之間的關係之曲線圖，且圖2B為說明包括測試實例1至13之光學資訊記錄媒體的透射率與最大記錄功率Pwo之間的關係之曲線圖；
圖3為說明測試實例1至13之光學資訊記錄媒體的無機記錄層之組合物比率之曲線圖；及
圖4A為說明在測試實例16至27之光學資訊記錄媒體中的L0層之i-MLSE與L0層之反射率之間的關係之曲線圖，圖4B為說明在測試實例28至39之光學資訊記錄媒體中的L1層之透射率與L0層之反射率之間的關係之曲線圖，且圖4C為說明測試實例40至48之光學資訊記錄媒體的L1層之透射率與L0層之i-MLSE之間的關係之曲線圖。
1．．．基板
2．．．光透射層
3．．．硬塗佈層
4．．．障壁層
10．．．光學資訊記錄媒體
C．．．光輻照平面
Gin．．．槽中
Gon．．．槽上
L0．．．資訊信號層
L1．．．資訊信號層
L2．．．資訊信號層
L3．．．資訊信號層
S1．．．中間層
S2．．．中間層
S3．．．中間層

Claims (17)

  1. 一種光學資訊記錄媒體，其包含：一基板；提供於該基板上之兩個或兩個以上記錄層；及提供於該等記錄層上之一保護層，其中該基板及該保護層之一側中之一者的一表面為一光輻照平面，用於在該兩個或兩個以上記錄層上記錄資訊信號之光輻照在該光輻照平面上，不同於在距該光輻照平面一最深位置處之一記錄層的記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，及分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之一比率滿足關係0.17x1 (其中x1 =a/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%)，及c:Cu相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%))。
  2. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中不同於在距該光輻照平面最深位置處之該記錄層的該等記錄層中之至少一者包括作為主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物，及分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之該比率滿足一關係0.17x2 (其中x2 =(0.1d+a)/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd、Cu及Zn之一總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd、Cu及Zn之一總數的原子比率(原子%)，c:Cu相對於W、Pd、Cu及Zn之一總數的原子比率(原子%)，及d:Zn相對於W、Pd、Cu及Zn之一總數的原子比率(原子%))。
  3. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之該比率滿足一關係0.37x1 。
  4. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之該比率滿足一關係0.37x1 1.26。
  5. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中不同於在距該光輻照平面最深位置處之該記錄層的所有記錄層包括作為該等主組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，及分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之該比率滿足一關係0.17x1 。
  6. 如請求項5之光學資訊記錄媒體，其中對於較靠近該光輻照平面之記錄層，x1 之一值變得較大。
  7. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中滿足對於靠近該光輻照平面之記錄層分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之該比率x1 較大的一關係。
  8. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其中該原子比率a、該原子比率b及該原子比率c分別滿足關係10a70、2b50及10c70。
  9. 如請求項2之光學資訊記錄媒體，其中分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之該比率滿足一關係0.37x2 。
  10. 如請求項2之光學資訊記錄媒體，其中分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之該比率滿足一關係0.37x2 1.26。
  11. 如請求項2之光學資訊記錄媒體，其中不同於在距該光輻照平面最深位置處之該記錄層的所有記錄層包括作為該等主組分之W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物及Zn氧化物，及分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之該比率滿足一關係0.17x2 。
  12. 如請求項11之光學資訊記錄媒體，其中對於較靠近該光輻照平面之記錄層，x2 之一值變得較大。
  13. 如請求項2之光學資訊記錄媒體，其中滿足對於靠近該光輻照平面之記錄層分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物、該Cu氧化物及該Zn氧化物中的W、Pd、Cu及Zn之該比率x2 較大的一關係。
  14. 如請求項2之光學資訊記錄媒體，其中該原子比率a、該原子比率b、該原子比率c及該原子比率d分別滿足關係10a70、2b50、10c70及5d60。
  15. 如請求項1之光學資訊記錄媒體，其進一步包含：一第一保護層及一第二保護層，其經提供以在該等記錄層之兩側上鄰近，其中該第一保護層及該第二保護層為介電層或透明傳導層。
  16. 一種光學資訊記錄媒體記錄層，其包含：作為主組分之W氧化物、Pd氧化物及Cu氧化物，其中分別包括於該W氧化物、該Pd氧化物及該Cu氧化物中的W、Pd及Cu之一比率滿足一關係0.17x1 (其中x1 =a/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%)，及c:Cu相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%))。
  17. 一種一光學資訊記錄媒體之製造方法，其包含：藉由使用一光學資訊記錄媒體標靶用至少氧之反應性濺鍍來形成一金屬氧化物記錄層，其中該光學資訊記錄媒體標靶包括作為主組分之W、Pd及Cu，及W、Pd及Cu之一比率滿足一關係0.17x1 (其中x1 =a/(b+0.8c)，其中a:W相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%)，b:Pd相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%)，及c:Cu相對於W、Pd及Cu之一總數的原子比率(原子%))。
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