CN102629481A - 光学信息记录介质以及光学信息记录介质记录层 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了光学信息记录介质以及光学信息记录介质记录层。该光学信息记录介质包括：基板；设置在基板上的两个以上记录层；和设置在记录层上的保护层，其中，基板和保护层侧的其中一个表面为光照射面，除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，并且分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。

Description

光学信息记录介质以及光学信息记录介质记录层
技术领域
本发明涉及光学信息记录介质、其制造方法以及光学信息记录介质记录层。详细地，本发明涉及具有两个以上记录层的光学信息记录介质。
背景技术
迄今为止，光学信息记录介质的市场由CD(紧凑型光盘)、DVD(数字多功能光盘)等引领。然而，近年来，随着高清晰度电视的迅速增加以及由PC(个人电脑)处理的数据剧增，需要进一步增加光学信息记录介质的容量。为了满足这种需要，与诸如BD(蓝光光盘(注册商标))的蓝色激光兼容的大存储光学信息记录介质已经出现，并且新的大存储信息记录介质的市场正在建立。
尽管存在以CD-RW(可重写紧凑型光盘)和DVD±RW(可重写数字多功能光盘)为代表的可重写光学信息记录介质以及以CD-R(可记录紧凑型光盘)和DVD-R(可记录数字多功能光盘)为代表的一次写入型光学信息记录介质作为可记录光学信息记录介质，但是后者作为低成本介质特别明显有利于市场扩大。因此，为了扩大市场，利用与蓝色激光兼容的大存储光学信息记录介质，降低一次性写入型光学信息记录介质的成本同样视为很重要。此外，一般而言，与硬盘驱动器(HDD)或者闪存存储器相比，光学信息记录介质由于其记录和再生原理而具有高存储可靠性，并且需要作为档案介质(archival media)使用，从而开始用于关键信息的存储。
作为用于一次写入型光学信息记录介质的记录材料，存在无机材料和有机颜料材料。尽管有机颜料材料一直被主要考虑为现有技术的一次写入型光学信息记录介质的记录材料，但对于近年来的大存储光学信息记录介质，无机材料也正在被广泛考虑为用作记录材料。
例如，在日本未审查专利申请公开第2010-137545号中提出包括In氧化物和Pd氧化物的无机记录层，其中，Pd氧化物包括一氧化钯和二氧化钯，以及Pd原子相对于In原子和Pd原子的总量之比为6原子百分比至60原子百分比。此外，在日本未审查专利申请公开第2010-218636号中提出了包括In和Sn的一种或者两种、Pd和O的无机记录层。
顺便提及，近年来，为了进一步增加诸如DVD和BD的可记录高密度光学信息记录介质中的记录容量，已经广泛采用了增加记录层数的技术。对于多层光学信息记录介质，使用穿过记录层透射到位于最深位置处的记录层的前侧的激光，来执行信息信号相对于定位在距离信息读取面侧最深位置处的记录层的记录和再生。因此，记录层越多，激光在到达定位于最深位置处的记录层之前所透过的记录层越多，并且期望除了定位在距离信息读取面侧最深位置处的记录层之外的记录层具有高透射率。
对于一次写入型光学信息记录介质，通过增加记录层数来进一步增大记录容量的需求也正在增加，并且无机记录层的透射率的提高是满足这种需求的重要技术。
发明内容
期望提供一种具有优良透射率特性的光学信息记录介质及其制造方法以及光学信息记录介质记录层。
根据本发明的第一实施方式，提供一种光学信息记录介质，包括基板；设置在基板上的两个以上记录层；以及设置在记录层上的保护层，其中，基板和保护层的其中一侧的表面为其上照射有用于将信息信号记录在两个以上记录层上的光的光照射面，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，以及分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。
根据本发明的第二实施方式，提供一种光学信息记录介质记录层，包括：作为主要成分的W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物，其中，分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。
根据本发明的第三实施方式，提供一种光学信息记录介质制造方法，该方法包括以下步骤：使用光学信息记录介质靶材通过至少与氧气反应溅射来形成金属氧化物记录层，其中，光学信息记录介质靶材包括W、Pd和Cu作为主要成分，以及W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。
根据本发明的第一实施方式，保护层的厚度没有特别限制，并且保护层包括基板、薄片和涂覆层。作为高密度光学信息记录介质，其中采用诸如薄片或者涂覆层的薄光透射层作为保护层并且通过从光透射层侧照射光来执行信息信号的记录和再生的构造是优选的。在该情况下，采用非透明基板也是可行的。根据光学信息记录介质的格式，用于记录或者再生信息信号的光入射面被适当地设定为保护层侧和基板侧的表面中的至少一个表面。
根据本发明的第一实施方式和第二实施方式，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.37≤x1是优选的。
根据本发明的第三实施方式，W、Pd和Cu之比满足关系0.37≤x1是优选的。
根据本发明的第一实施方式和第二实施方式，分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.37≤x1≤1.26是优选的。
根据本发明的第三实施方式，W、Pd和Cu之比满足关系0.37≤x1≤1.26是优选的。
根据本发明的第一实施方式，优选的是，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的所有记录层均包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，以及分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1。在该情况下，x1值对于接近光照射面的记录层更大是优选的。
根据本发明的第一实施方式，优选的是，满足分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比x1对于接近所述光照射面的记录层为更大的关系。
根据本发明的第一实施方式至第三实施方式，原子比a、原子比b和原子比c分别满足关系10≤a≤70、2≤b≤50和10≤c≤70是优选的。
根据本发明的第一实施方式和第二实施方式，优选的是，除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分，以及分别包括在W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.17≤x2，其中，x2＝(0.1d+a)/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，c为Cu相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)以及d为Zn相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)。
根据本发明的第三实施方式，优选的是，光学信息记录介质靶材包括W、Pd、Cu和Zn作为主要成分，以及W、Pd、Cu和Zn之比优选满足关系0.17≤x2，其中，x2＝(0.1d+a)/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，c为Cu相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)以及d为Zn相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)。
根据本发明的第一实施方式和第二实施方式，在除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分的情况下，优选的是，分别包括在W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.37≤x2。
根据本发明的第三实施方式，在光学信息记录介质靶材包括W、Pd、Cu和Zn作为主要成分的情况下，W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.37≤x2是优选的。
根据本发明的第一实施方式和第二实施方式，在除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分的情况下，分别包括在W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.37≤x2≤1.26是优选的。
根据本发明的第三实施方式，在光学信息记录介质靶材包括W、Pd、Cu和Zn作为主要成分的情况下，W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.37≤x2≤1.26是优选的。
根据本发明的第一实施方式，在除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中至少一层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分的情况下，优选的是，除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的所有记录层均包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分，并且分别包括在W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.17≤x2。在该情况下，x2值对于接近光照射面的记录层为更大是优选的。
根据本发明的第一实施方式，在除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中至少一层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分的情况下，满足分别包括在W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比x2对于接近光照射面的记录层为更大的关系是优选的。
根据本发明的第一实施方式或者第二实施方式，在除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分的情况下，原子比a、原子比b、原子比c和原子比d分别满足关系10≤a≤70、2≤b≤50、10≤c≤70和5≤d≤60是优选的。
根据本发明的第三实施方式，在光学信息记录介质靶材包括W、Pd、Cu和Zn作为主要成分的情况下，原子比a、原子比b、原子比c和原子比d分别满足关系10≤a≤70、2≤b≤50、10≤c≤70和5≤d≤60是优选的。
根据本发明的第一实施方式，优选的是，还提供与记录层的两侧相邻设置的第一保护层和第二保护层，并且第一保护层和第二保护层为介电层或者透明导电层。
根据本发明的实施方式，通过分别包括在W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，则能够获得除位于距离光照射面最深位置处的记录层之外的记录层的良好透射率。
如上所述，根据本发明的实施方式，能够实现具有优良透射率特性的光学信息记录介质记录层以及包括该光学信息记录介质记录层的光学信息记录介质。
附图说明
图1A是示出了根据本发明实施方式的光学信息记录介质的构造例的轮廓截面图，以及图1B是示出了图1A所示的每一信息信号层的构造例的示意图；
图2A是示出了变量x与试验例1至试验例13的光学信息记录介质的透射率之间的关系的曲线图，以及图2B是示出了包括试验例1至试验例13的光学信息记录介质的透射率与最大记录功率Pwo之间的关系的曲线图；
图3是示出了试验例1至试验例13的光学信息记录介质的无机记录层的成分比的曲线图；以及
图4A是示出了试验例16至试验例27的光学信息记录介质中的L0层的i-MLSE与L0层的反射率之间的关系的曲线图，图4B是示出了试验例28至试验例39的光学信息记录介质中的L1层的透射率与L0层的反射率之间的关系的曲线图，以及图4C是示出了试验例40至试验例48的光学信息记录介质中的L1层的透射率与L0层的i-MLSE之间的关系的曲线图。
具体实施方式
下文将参考附图对本发明的实施方式作详细描述。
[光学信息记录介质的构造]
图1A是示出了根据本发明实施方式的光学信息记录介质的构造例的轮廓截面图。光学信息记录介质10为所谓的一次写入型光学信息记录介质，并且如图1A所示，该光学信息记录介质具有一种构造，其中，在基板1的主平面上顺次地层压有信息信号L0层、中间层S1、信息信号层L1、中间层S2、信息信号层L2、中间层S3、信息信号层L3和作为保护层(覆盖层)的光透射层2。根据需要，硬涂层3可以进一步设置在光透射层2侧的表面上。根据需要，阻挡层4可进一步设置在基板1侧的表面上。这里，在下文描述中，在不特别区分信息信号层L0至信息信号层L3的情况下，将指信息信号层L。
对于该实施方式的光学信息记录介质10，通过从光透射层2侧的平面C将激光照射在信息信号层L0至L3中的每一层上，来执行信息信号的记录或再生。例如，通过由具有在0.84至0.86范围内的数值孔径的物镜聚集波长在400nm至410nm范围内的激光并且从光透射层2侧照射信息信号层L0至信息信号层L3中的每一层，来执行信息信号的记录或再生。例如，作为光学信息记录介质10，示出了BD-R。下文中，由激光照射以将信息信号记录在信息信号层L0至L3上的平面C将被称为光照射面C。
下文将依次描述构成光学信息记录介质10的基板1、信息信号层L0至L3、中间层S1至S3、光透射层2、硬涂层3和阻挡层4。
(基板)
基板1具有环形，例如，具有形成在中央的开口(下文中，被称作中心孔)。基板1的主平面例如为凹凸表面，并且信息信号L0层形成在凹凸表面上。下文中，凹凸表面的凹部被称为槽内Gin，以及凸部被称为槽上Gon。
例如，作为槽内Gin和槽上Gon的形状，示例出了诸如螺旋形或者同心圆形的各种形状。此外，槽内Gin和槽上Gon中的一个或者两个均可制成不稳定(曲折)以稳定线速度或地址信息。
尽管只要基板1的直径严格固定其就没有特别限制，例如选择120mm作为直径。在考虑刚性的情况下选择基板1的厚度，并且优选选择0.3mm至1.3mm，以及更优选地选择0.6mm至1.3mm，例如1.1mm。此外，例如，选择15mm作为中心孔的直径。
作为基板1的材料，例如，可以使用塑料材料或者玻璃，并且从可成形性角度来看，优选使用塑料材料。例如，作为塑料材料，可以使用聚碳酸酯树脂、聚烯烃树脂、丙烯树脂等。此外，从成本角度来看，通常使用聚碳酸酯树脂。
(信息信号层)
图1B是示出了图1A中所示的每一信息信号层的构造例的示意图。如图1B所示，信息信号层L0至L3例如包括无机记录层11、设置为与无机记录层11的主平面相邻的第一保护层12和设置为与无机记录层11的另一主平面相邻的第二保护层13。通过这种构造，能够提高无机记录层11的耐久性。
在除与光照射面C相距最深的位置处的信息信号L0层之外的信息信号层L1至L3中的无机记录层11中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物的三种元素氧化物作为主要成分。包括在三种元素氧化物中的W、Pd和Cu之比优选满足关系0.17≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x1≤1.26。这样，能够在保持光学信息记录介质的信息信号层所要求的性质的同时实现优良的透射率特性。这里，作为光学信息记录介质的信息信号层所要求的特性，示例出了良好的信号特性、广记录功率裕度、高再生耐久性、对在记录后的透射率改变的抑制等。
这里，x1是被定义为x1＝a/(b+0.8c)的变量。
a：W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)
b：Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)
c：Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)
从增加到达位于与光照射面C相距最深的位置处的信息信号L0层的光的数量角度来看，除了信息信号L0层之外的信息信号层L1至L3中的所有无机记录层11均具有以上三种元素氧化物作为主要成分。在该情况下，包括在三种元素氧化物中的W、Pd和Cu之比优选地满足关系0.17≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x1≤1.26。此外，由于更接近位于最深位置处的层的信息记录层L一般要求较高的记录敏感度并且透射率趋于降低，所以接近光照射面C的信息信号层L通常被设计为具有高透射率。因此，信息信号层L1至L3的无机记录层11的变量x1值对于接近光照射面C的信息信号层L为较大值是优选的。
从良好的信号特性、广记录功率裕度、高再生耐久性以及对记录后的透射率改变的抑制角度来看，信息信号层L0至L3的所有无机记录层11均包括三种元素氧化物作为主要成分是优选的。在该情况下，包括在三种元素氧化物中的W、Pd和Cu之比优选地满足0.17≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1≤1.26，并且最优选地满足关系0.56≤x1≤1.26。此外，信息信号层L0至L4的无机记录层11的变量x1值对于接近光照射面C的信息信号层L为较大值是优选的。原因在于接近光照射面C的信息信号层L能够增加透射率。
W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比a优选地在10原子百分比至70原子百分比的范围内，以及更优选地在14.2原子百分比至31.8原子百分比的范围内。如果原子比a小于10原子百分比，则透射率趋于较低。另一方面，如果原子比a超过70原子百分比，则记录敏感度趋于降低。
Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比b优选地在2原子百分比至50原子百分比的范围内，并且更优选地在4.4原子百分比至32.2原子百分比的范围内。如果原子比b小于2原子百分比，则记录功率裕度趋于变窄。另一方面，如果原子比b超过50原子百分比，则透射率趋于为低。
Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比c优选地在10原子百分比至70原子百分比的范围内，并且更优选地在28.5原子百分比至68.1原子百分比的范围内。如果原子比c小于10原子百分比，则再生耐久性趋于弱化。另一方面，如果原子比c超过70原子百分比，则透射率趋于降低。
除了位于光照射面C的最深位置处的信息信号L0层之外的信息信号层L1至L3中的至少一层的无机记录层11优选地包括四种元素氧化物，其中，锌氧化物被添加至以上三种元素氧化物。包括在四种元素氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比优选地满足关系0.17≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x2≤1.26。通过添加锌氧化物，能够在满足光学信息记录介质的信息信号层所要求的特定以及保持优良透射率特性的同时降低除锌氧化物之外的总量。即，能够通过添加Zn氧化物来降低昂贵的Pd氧化物的比例，从而实现成本降低。
这里，x2是被定义为x2＝(0.1d+a)/(b+0.8c)的变量。
a：W相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)
b：Pd相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)
c：Cu相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)
d：Zn相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)
从增加到达位于与光照射面C相距最深的位置处的信息信号L0层的光的数量角度来看，除了信息信号L0层之外的信息信号层L1至L3的所有无机记录层11均包括四种元素氧化物作为主要成分。在该情况下，包括在四种元素氧化物中的W、Pd和Cu之比优选地满足关系0.17≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x2≤1.26。此外，优选的是，信息信号层L1至L3的无机记录层11的变量x2值对于接近光照射面C的信息信号层L为较大值。原因在于针对接近光照射面C的信息信号层L可增加透射率。
此外，从良好的信号特性、广记录功率裕度、高再生耐久性、记录后的透射率改变的抑制以及低成本角度来看，信息信号层L0至L3的所有无机记录层11均包括四种元素氧化物作为主要成分是优选的。在该情况下，包括在四种元素氧化物中的W、Pd和Cu之比优选地满足0.17≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x2≤1.26。此外，因为更接近位于最深位置处的信息记录层L一般需要较高的记录敏感度并且透射率趋于降低，所以接近光照射面C的信息信号层L通常被设计为具有高透射率。因此，信息信号层L1至L3的无机记录层11的变量x2值对于接近光照射面C的信息信号层L为较大值是优选的。
W相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比a优选地在10原子百分比至70原子百分比的范围内，并且更优选地在14.2原子百分比至31.8原子百分比的范围内。如果原子比a小于10原子百分比，则透射率趋于较低。另一方面，如果原子比a超过70原子百分比，则记录敏感度趋于降低。
Pd相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比b优选地在2原子百分比至50原子百分比的范围内，并且更优选地在4.4原子百分比至32.2原子百分比的范围内。如果原子比b小于2原子百分比，则记录功率裕度趋于变窄。另一方面，如果原子比b超过50原子百分比，则透射率趋于较低。
Cu相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比c优选地在10原子百分比至70原子百分比的范围内，并且更优选地在28.5原子百分比至43.4原子百分比的范围内。如果原子比c小于10原子百分比，则再生耐久性趋于弱化。另一方面，如果原子比c超过70原子百分比，则透射率趋于降低。
Zn相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比d优选地在5原子百分比至60原子百分比的范围内，并且更优选地在17原子百分比至41原子百分比的范围内。如果原子比d小于5原子百分比，则成本减少效果趋于弱化。另一方面，如果原子比d超过60原子百分比，则高温度和高湿度环境下的耐久性趋于弱化。
作为除了上述三种元素氧化物和四种元素氧化物之外的信息信号层L1至L3的材料，例如，能够使用In氧化物和Pd氧化物的混合物。然而，尽管由此能够获得光学信息记录介质的信息信号层L的优良透射率特性，但因为由于形成记录标记时产生的大量气泡而导致在记录前后的特性改变趋于增加，并且未实现作为所需要的特性之一的对记录后的透射率改变的抑制，所以使用上述三种元素氧化物或者四种元素氧化物是优选的。
作为位于距离光照射面C最深位置处的信息信号L0层的材料，还能够使用氧化物和Pd氧化物的混合物。然而，从记录功率裕度特性的角度来看，使用上述三种元素氧化物或者四种元素氧化物是优选的。
无机记录层11的厚度优选地在25nm至60nm的范围内，并且更优选地为30nm至50nm。如果厚度小于25nm，则信号特性趋于恶化。另一方面，如果厚度超过60nm，则记录功率裕度趋于变窄。
使用介电层或者透明导电层作为第一保护层12和第二保护层13是优选的，并且能够针对第一保护层12和第二保护层13中的一个使用介电层，并且针对另一保护层使用透明导电层。通过用作氧气阻挡层的介电层或者透明导电层，能够提高无机记录层11的耐久性。此外，通过抑制氧气从无机记录层11漏出，能够抑制记录膜的膜质量的改变(主要检测为反射率降低)，并且能够保证无机记录层11所需要的膜质量。此外，通过提供介电层或者透明导电层，能够提高记录特性。可以认为原因在于通过最佳地抑制入射在介电层或者透明导电层上的激光热扩散、抑制记录部分上的气泡以免变得太大、以及抑制气泡因进行中的钯氧化物分解而弹得太远，所以能够使记录期间的气泡的形式最优化。
作为第一保护层12和第二保护层13的材料，例如，示例出了氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或者它们的混合物。作为第一保护层12和第二保护层13的材料，可使用彼此相同或者彼此不同的材料。作为氧化物，例如，示例出具有选自由In、Zn、Sn、Al、Si、Ge、Ti、Ga、Ta、Nb、Hf、Zr、Cr、Bi和Mg组成的群组中的一种以上元素的氧化物。作为氮化物，例如，示例出具有选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Nb、Mo、Ti、Nb、Mo、Ti、W、Ta和Zn组成的群组的一种以上元素的氮化物，并且更优选地，示例出具有选自由Si、Ge和Ti组成的群组的一种以上元素的氮化物。作为硫化物，例如，示例出锌硫化物。作为碳化物，例如，示例出具有选自由In、Sn、Ge、Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta和W组成的群组的一种以上元素的碳化物，并且更优选地，示例出具有选自由Si、Ti和W组成的群组的一种以上元素的碳化物。作为氟化物，例如，示例出具有选自由Si、Al、Mg、Ca和La组成的群组的一种以上元素的氟化物。作为它们的混合物，例如，示例出ZnS-SiO2、SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)、SiO2--Cr2O3-ZrO2(SCZ)、In2O3-SnO2(ITO)、In2O3-CeO2(ICO)、In2O3-Ga2O3(IGO)、In2O3-Ga2O3-ZnO(IGZO)、Sn2O3-Ta2O5(TTO)、TiO2-SiO2等。
第一保护层12的厚度优选地在2nm至20nm的范围内。如果厚度小于2nm，则阻挡效果趋于降低。另一方面，如果厚度超过20nm，则记录功率裕度趋于变窄(恶化)。
第二保护层13的厚度优选地在2nm至50nm的范围内。如果厚度小于2nm，则阻挡效果趋于降低。另一方面，如果厚度超过50nm，则记录功率裕度趋于变窄(恶化)。
例如，作为信息信号层L0至L3，使用以下构造的组合是优选的。对于接近位于最深位置处的层的L1层(其中，需要高敏感度并且x1与x2的成分比变小)，因为趋于存在大量的Pd和Cu，并且因此记录后的透射率改变趋于较大，所以通过使用具有等于或者大于0.05的消光系数k的第一保护层12和第二保护层13来抑制透射率改变是优选的。此外，对于需要高透射率并且x1与x2的成分比变大的L3层，由于功率裕度趋于窄，同时记录后的透射率改变较小，所以通过使用第一保护层12和第二保护层13的SIZ或者IGZO来保证功率裕度是优选的。此外，L2层使用L1层和L3层的层组合，并且通过这样做，即使所需要的记录层材料或者敏感度或者透射率不同，每一层就功率裕度或者透射率改变抑制而言的特性也能够被均化。
由W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物三种成分组成的混合物在下文将适当地被称为“WCPO”。此外，由W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物四种成分组成的混合物将适当地被称作“WZCPO”。
(信息信号L0层)
第一保护层12：ITO
无机记录层11：WCPO(0.4≤x1≤0.6)，优选地WZCPO(0.4≤x2≤0.6)
第二保护层13：ITO
(信息信号层L1)
第一保护层12：消光系数k在0.05至0.6范围内的材料，优选为ITO
无机记录层11：WCPO(0.5≤x1≤0.9)，优选地为WZCPO(0.5≤x2≤0.9)
第二保护层13：消光系数k在0.05至0.6范围内的材料，优选地为ITO
(信息信号层L2)
第一保护层12：消光系数k在0.05至0.6范围内的材料，优选地为ITO
无机记录层11：WCPO(0.8≤x1≤1.2)，优选地为WZCPO(0.8≤x2≤1.2)
第二保护层13：SIZ或者IGZO
(信息信号层L3)
第一保护层12：SIZ或者IGZO
无机记录层11：WCPO(0.8≤x1≤1.2)，优选地为WZCPO(0.8≤x2≤1.2)
第二保护层13：SIZ或者IGZO
(中间层)
中间层S1至S3起到物理和光学地分离L0、L1、L2和L3以保持足够大的距离的作用，凹凸表面设置在中间层的表面上，并且同心圆或者螺旋形槽(槽内Gin和槽上Gon)形成在该凹凸表面上。中间层S1至中间层S3的厚度优选地被设定为9μm至50μm，并且例如，S1为15μm，S2为20μm，以及S3为10μm。尽管中间层S1至S3的材料没有特别限制，但优选地使用紫外线可固化丙烯树脂，并且由于中间层S1至S3成为用于将数据记录和再生至背层的激光的光路，所以材料具有足够高的光透射率是优选的。
(光透射层)
例如，光透射层2为固化诸如如紫外线可固化树脂的光敏感树脂的树脂层。例如，作为树脂层，示例出了紫外线可固化型丙烯酸树脂。此外，光透射层2可由环形光透射薄片和用于将光透射薄片粘贴在基板1上的粘合层构成。优选的是，光透射薄片由相对于用于记录和再生的激光而具有低吸收性的材料组成，以及具体地，光透射薄片由具有等于或者大于90％透射率的材料组成是优选的。作为光透射薄片的材料，例如，可以使用聚碳酸酯树脂材料、聚烯烃树脂(例如，ZEONEX(注册商标))等。作为粘合层的材料，例如，可以使用紫外线可固化树脂、压敏粘合剂(PSA)等。
光透射层2的厚度优选地从10μm至177μm的范围选择，并且例如选择53.5μm。通过组合薄光透射层2与具有例如约0.85高NA(数值孔径)的物镜，能够实现高密度记录。
(硬涂层)
硬涂层3用于提供光照射面C上的抗刮特性等。作为硬涂层3的材料，例如，可使用丙烯酸树脂、有机硅树脂、氟树脂、有机无机混合树脂等。
(阻挡层)
阻挡层4用于在膜形成处理期间抑制从基板1的背面排气(水分释放)。此外，阻挡层4还用作抑制吸收基板1的背面上的水分的防潮层。尽管只要可抑制从基板1的背面排气(水分释放)，构成阻挡层4的材料就没有特别限制，但是为了举例，可使用具有低气体透过率的电介质。作为电介质，例如，可使用SiN、SiO2、TiN、AlN、ZnS-SiO2等。阻挡层4的厚度优选地被设定为5nm至40nm。如果厚度小于5nm，则抑制从基板背面排气的阻挡功能趋于降低。原因在于，另一方面，如果厚度大于40nm，则与抑制排气的阻挡功能为较低的情况几乎没有任何区别，以及此外，生产率趋于降低。阻挡层4的水分透过率优选地小于等于每天5×10-5g/cm2。
对于上述构造的光学信息记录介质10，当激光照射在无机记录层11上时，Pd氧化物由激光加热并分解以释放氧气，并且在由激光照射的部分上产生气泡。由此可执行信息信号的不可逆记录。
[光学信息记录介质的制造方法]
接下来，将描述根据本发明实施方式的光学信息记录介质的制造方法的实施例。
(基板的形成处理)
首先，形成在主平面上形成凹凸表面的基板1。作为基板1的形成方法，例如，可使用注射成型方法、光致聚合方法(2P方法)等。
(信息信号层的形成处理)
接着，例如，通过溅射方法在基板1上顺次层压第一保护层12、无机记录层11和第二保护层13来形成信息信号L0层。
下文将详细地描述第一保护层12、无机记录层11和第二保护层13的形成处理。
(第一保护层的膜形成处理)
首先，将基板1运送至真空室中，在真空室中，提供包括电介质材料或者透明导电材料作为主要成分的靶材，以及将真空室的内部抽成真空，直到真空室达到预定压力。然后，通过在将诸如Ar气体或者O2气体的处理气体引入到真空室的同时溅射靶材，而在基板1上形成第一保护层12。尽管可使用例如射频(RF)溅射方法或者直流(DC)溅射方法作为溅射方法，但直流溅射方法是特别优选的。原因是由于直流溅射方法相比于射频溅射方法而具有较高的膜形成速率，所以能够提高生产率。
(无机记录层的膜形成处理)
接着，将基板1搬送至真空室中，在真空室中，提供用于无机记录层膜形成的靶材，并且将真空室的内部抽成真空，直到真空室达到预定压力为止。然后，通过在将诸如Ar气体或者O2气体的处理气体引入到真空室的同时溅射靶材，在第一保护层12上形成无机记录层11。
这里，用于无机记录层膜形成的靶材至少包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物三种元素氧化物作为主要成分。包括在三种元素氧化物中的W、Pd和Cu之比优选地满足关系0.17≤x1，更优选地满足关系0.37≤xX，更优选地满足关系0.37≤x1≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x1≤1.26。这里，如上所述，x1是被定义为x1＝a/(b+0.8c)的变量。
用于无机记录层膜形成的靶材包括四种元素氧化物作为主要成分是优选的，其中，Zr氧化物被进一步添加到以上三种元素氧化物。包括在四种元素氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比优选地满足关系0.17≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x2≤1.26。这里，如上所述，x2是被定义为x2＝(0.1d+a)/(b+0.8c)的变量。
作为用于无机记录层膜形成的靶材的三种元素氧化物或者四种元素氧化物，与无机记录层11具有相同成分的氧化物是优选的。
此外，可通过至少与氧气进行反应溅射来形成无机记录层11。在该情况下，作为光学信息记录介质靶材，优选的是使用W、Pd和Cu为主要成分的WCP金属靶材。W、Pd和Cu之比优选地满足关系0.17≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1，更优选地满足关系0.37≤x1≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x1≤1.26。这里，如上所述，x1是被定义为x1＝a/(b+0.8c)的变量。
此外，作为光学信息记录介质靶材，使用W、Pd、Cu和Zn为主要成分的WZCP金属靶材是优选的。W、Pd、Cu和Zn之比优选地满足关系0.17≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2，更优选地满足关系0.37≤x2≤1.26，以及最优选地满足关系0.56≤x2≤1.26。这里，如上所述，x2是被定义为x2＝(0.1d+a)/(b+0.8c)的变量。
(第二保护层的膜形成处理)
接着，将基板1送到提供包括电介质材料或者透明导电材料的靶材的真空室中，并且将真空室的内部抽成真空，直到真空室达到预定压力为止。然后，通过在将诸如Ar气体或者O2气体的处理气体引入真空室的同时溅射靶材，在无机记录层11上形成第二保护层13。尽管可使用例如射频(RF)溅射方法或者直流(DC)溅射方法作为溅射方法，但直流溅射方法是特别优选的。原因是由于直流溅射方法相比于射频溅射方法具有较高的膜形成速率，所以能够提高生产率。
通过以上方法，在基板1上形成信息信号L0层。
(中间层的形成处理)
接着，例如，通过旋转涂覆方法，将紫外线可固化树脂均匀涂覆在信息信号L0层上。然后，在紫外线可固化树脂上照射紫外线辐射以及通过将压模的凹凸图样压在紫外线可固化树脂(均匀涂敷在信息信号L0层上)上来固化树脂之后，移除压模。这样，将压模的凹凸图样转印到紫外线可固化树脂上，并且例如，在信息信号L0层上形成其上设置槽内Gin和槽上Gon的中间层S1。
(信息信号层和中间层的形成处理)
接着，类似于上述的信息信号L0层和中间层S1的形成处理，在中间层S1上顺次地层压信息信号层L1、中间层S2、信息信号层L2、中间层S3和信息信号层L3。此时，通过适当地调整膜形成条件或者靶材成分，可适当地调整构成信息信号层L1至L3的第一保护层12、无机记录层11和第二保护层13的膜厚度或成分。此外，通过适当地调整旋转涂覆方法的条件，可适当地调整中间层S1至S3的厚度。
(光透射层的形成处理)
接着，在通过旋转涂覆方法将诸如紫外线可固化树脂(UV树脂)的光敏感树脂旋转涂覆在信息信号层L3上之后，例如，诸如紫外线线的光照射在光敏感树脂上使得将树脂固化。这样，在信息信号层L3上形成光透射层2。
通过以上方法来获得期望的光学信息记录介质。
实施例
尽管下文将使用试验例来详细描述本发明，但是本发明并不仅限于这些试验例。
此外，多层光学信息记录介质的信息信号层从基板侧到激光照射面侧依次被称为L0层、L1层、L2层...。
将以下面的顺序来描述试验例。
1.无机记录层的成分
2.两层光学信息记录介质的透射率范围
3.四层光学信息记录介质的透射率范围
<1.无机记录层的成分>
(试验例1至15)
首先，通过注射成型来形成具有厚度1.1mm的聚碳酸酯基板。这里，具有槽的凹凸表面形成在聚碳酸酯基板上。接着，通过溅射方法，在聚碳酸酯基板上顺次地层压第一保护层、无机记录层和第二保护层。每一层的具体构造如下。
第一保护层
材料：SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)，厚度：10nm
无机记录层
材料：WZCPO，厚度：40nm
第二保护层
材料：SiO2-In2O3-ZrO2(SIZ)，厚度：25nm
针对试验例1至15中的每一个来调整靶材成分，使得无机记录层的WZCPO内的Cu、Zn、Pd和W各自的原子比c、d、b和a为表1中所示的值。
接着，通过旋转涂覆方法将紫外线可固化树脂(由索尼化学及信息装置公司制造，产品名称：SK8300)均匀涂覆在第二保护层上，以及通过照射紫外线线来固化树脂，获得具有100μm厚度的光透射层。
通过以上方法，获得期望的光学信息记录介质。
(透射率估计)
使用分光光度计(由JASCO公司制造，产品名称：V530)来测量关于记录波长405nm而如上所述获得的试验例1至15的光学信息记录介质的透射率。在表1中示出了结果。
接着，使用测量的透射率和原子比c、d、b和a来执行线性近似。在图2A中示出了结果。在图2A中，横轴表示变量x(＝(0.1d+a)/(b+0.8c))，以及纵轴表示透射率。如图2A所示，线性近似由y＝25.642x+45.441表示。这里，y表示透射率[％]，以及x表示(0.1d+a)/(b+0.8c)。作为执行线性近似的方法，通过针对每一比而乘以一系数来确定各系数，使得确定系数R2的功率最大，其中，具有较小消光系数的W氧化物和Zn氧化物的每一比的总和作为分子，以及具有较大消光系数的Pd氧化物和Cu氧化物的每一比的总和作为分母。
(最佳记录功率估计)
使用光盘测试仪(由日本帕路斯科技株式会社制造，产品名称：ODU-1000)，利用405nm的记录波长和7.69m/s的记录线速度来记录并再生具有每层32GB密度的1-7调制数据以确定i-MLSE值最小的记录功率，以及采用该功率作为最佳记录功率Pwo。在图2B中示出了结果。这里，i-MLSE值为相当于高密度记录和再生的现有技术的抖动的信号估计指数，并且值越小，信号特性越良好。
表1示出了试验例1至15的无机记录层的成分比、变量x和透射率。图3为示出试验例1至13的无机记录层的成分比的曲线图。
表1
从图2A中所示的线性近似来推断出下文。
对于大于等于50％的透射率，变量x为大于等于0.17是优选的。
对于大于等于55％的透射率，变量x为大于等于0.37是优选的。
对于大于等于60％的透射率，变量x为大于等于0.56是优选的。
对于小于等于78％的透射率，变量x为小于等于1.26是优选的。
这里，对于多层光学信息记录介质，等于或者高于L1层的信息信号层(L1层、L2层、L3层...)的透射率大于等于55％是优选的。下文将描述透射率优选大于等于55％的原因。这里，对于使用除了WZCPO之外的记录膜成分(ZnS-SiO2-Sb-Sn、TePdO等)的两层光盘，为了增加L0层的反射率，L1层的透射率大于等于50％是优选的。
从图2B中所示的线性近似推断出下文。
可以看出，对于小于等于20mW的最佳记录功率Pwo，透射率优选为小于等于78％是优选的。这里，最佳记录功率Pwo：20mW为消费者驱动装置的最佳记录功率Pwo的上限值。如果超过上限值，因为不提供所要求的激光量，所以标记气泡在记录期间的形成变得不充分，结果，信号特性恶化。
<2.两层光学信息记录介质的透射率范围>
(试验例16至27)
首先，通过注射成型来形成具有1.1mm厚度的聚碳酸酯基板。这里，在聚碳酸酯基板上形成具有槽的凹凸表面。
接着，通过溅射方法在聚碳酸酯基板上顺次地层压第一保护层、无机记录层和第二保护层。这里，L0层为两层光学信息记录介质的L0层。
每一层的具体构造如下。
第一保护层
材料：ITO，厚度：10nm
无机记录层
材料：WZCPO，厚度：26nm至30nm
成分比：a＝10、b＝30、c＝30、d＝30
第二保护层
材料：TaN，厚度：6nm至16nm
调整试验例16至27的每一个的膜形成条件，使得无机记录层和第二保护层的厚度为表2中所示的值。
接着，通过旋转涂覆方法将紫外线可固化树脂(由索尼化学信息装置公司制造，产品名称：SK8300)均匀涂覆在第二保护层上，以及通过照射紫外线线将树脂固化，来获得具有100μm厚度的光透射层。
通过以上方法，获得仅包括L0层的光学信息记录介质。
(i-MLSE估计)
如下确定如上所述获得的试验例16至27的光学信息记录介质的i-MLSE。
使用光盘测试仪(由日本帕路斯科技株式会社制造，产品名称：ODU-1000)，通过以NA＝0.85、记录波长405nm和记录线速度7.69m/s记录和再生具有每层32GB密度的1-7调制数据，来测量i-MLSE值。
(反射率估计)
如下测量如上所述获得的试验例16至27的光学信息记录介质的反射率。这里，仅使用两层光学信息记录介质的L0层所制造的单层光学信息记录介质的反射率被称为L0层单独的反射率。使用光盘测试仪(由日本帕路斯科技株式会社制造，产品名称：ODU-1000)，以NA＝0.85以及405nm的波长来测量反射率。
表2示出了试验例16至27的光学信息记录介质的i-MLSE和透射率的测量结果。
表2
Figure BDA0000132904570000271
WZCPO：W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物的混合物
图4A是示出了如上所述确定的i-MLSE与反射率之间的关系的曲线图。从图4A可以看出，对于小于等于11％的L0层的i-MLSE值，重要的是L0层的反射率小于等于14％。这里，i-MLSE值11％是被认为可由消费者驱动装置校正的误差的上限值。尽管可通过使第一保护层、无机记录层和第二保护层的任意层或者其组合比上述膜厚度更薄来提高反射率，但是如果上述层中的任意层被制作得更薄，则i-MLSE值会恶化。据推测，因为在记录期间的气泡形成由于无机记录层的热累积或者热释放的改变而变得不适当，所以i-MLSE值恶化。
(试验例28至39)
以如上所述确定的L0层单独的反射率14％作为前提，通过光学模拟来确定两层光学信息记录介质的L0层相对于L1层的透射率的反射率。在表3和图4B中示出了其结果。这里，如果L0层的反射率为R，以及L1层的透射率为T，则R由以下公式(1)计算。
R＝14％(L0层单独的反射率)×T2    (1)
表3示出了L0层单独的反射率、L1层的透射率以及试验例28至39的光学信息记录介质的L0层的反射率。
表3
Figure BDA0000132904570000281
从图4B可以看出，对于大于等于4％的两层光学信息记录介质的L1层的反射率，L1层的透射率大于等于55％是很重要。这里，L1层的反射率4％为使用消费者两层兼容驱动装置再生的信息信号所要求的下限值。
<3.四层光学信息记录介质的透射率范围>
(试验例40至48)
测量当四层光学信息记录介质的L1层单独的透射率改变时L0层的i-MLSE。在表4和图4C中示出了结果。这里，由于L1的记录特性不是所关注的对象，所以通过根据以下条件调整无机记录层的厚度来执行L1层的透射率的调整。L1层的具体膜构造如下。
第一保护层
材料：ITO，厚度：7nm
无机记录层
材料：WZCPO，厚度：2nm至130nm
成分比：a＝25、b＝10、c＝40、d＝25
第二保护层
材料：ITO，厚度：10nm
L0层的具体膜构造如下。
第一保护层
材料：ITO，厚度：8nm
无机记录层
材料：WZCPO，厚度：30nm
成分比：a＝10、b＝30、c＝30、d＝30
第二保护层
材料：TaN，厚度：10nm
表4示出了L0层单独的反射率、L1层的透射率以及试验例40至48的光学信息记录介质的L0层的i-MLSE值。
表4
Figure BDA0000132904570000301
从图4C可以看出，对于小于等于11％的L0层的i-MLSE值，L1层的透射率大于等于55％是优选的。这里，i-MLSE值11％为可由消费者驱动装置校正的误差的上限值。原因是在L1层的透射率低的情况下，因为L0层的信号量减少，所以就认为未获得足够的用于再生的S/N。因此，L1的透射率越高，L0层的信号特性越好。
通过以上所述，可以看出，对于具有两层或者四层的多层光学信息记录介质，等于或者高于L1层的信息信号层(L1层、L2层、L3层...)的透射率大于等于55％是优选的。
尽管上文已经详细描述了本发明的实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，并且基于本发明的实施方式的技术思想的各种修改均是可行的。
例如，上述实施方式中所示例的构造、方法、处理、形状、材料、数值等仅为实施例，并且根据需要，可使用不同的构造、方法、处理、形状、材料、数值等。
此外，在不背离本发明的要点的范围内，可相互组合上述实施方式的构造、方法、处理、形状、材料、数值等。
此外，尽管已经描述了信息记录介质包括四层信息信号层的情况作为上述实施方式中的实施例，但是信息信号层的层数并不限于此，以及信息信号层能够具有两层以上的任意层数。
此外，尽管已经描述了将本发明应用于具有一种构造(其中在基板上顺次层压两个以上信息信号层和光透射层并且通过从光透射层侧在信息信号层上照射激光来执行信息信号的记录或者再生)的光学信息记录介质的情况作为上述实施方式中的实施例，但本发明并不限于所述实施例。例如，本发明可适用于具有以下构造的光学信息记录介质，在该构造中，在基板上顺次地层压两个以上的信息信号层和保护层并且通过从基板侧在两个以上信息信号层上照射激光来执行信息信号的记录或者再生，或者适用于具有以下构造的光学信息记录介质，在该构造中，在两个基板之间设置两个以上的信息信号层，同时通过从基板的一个侧面而在信息信号层上照射激光来执行信息信号的记录或者再生。
此外，尽管已经描述了通过溅射方法形成光学信息记录介质的每一层的情况作为上述实施方式中的实施例，但是膜形成方法并不限于此，并且可使用其他的膜形成方法。作为其他膜形成方法，例如，可以使用诸如热CVD、等离子CVD或者光CVD的CVD方法(化学气相沉积：使用化学反应来将薄膜与水蒸气分离的技术)、诸如真空沉积、等离子辅助沉积或者离子电镀的PVD方法(物理气相沉积：通过在真空中将物理气化的材料烧结在基板上来形成薄膜的技术)。
本发明包括于2011年2月3日向日本专利局提交的日本优先专利申请JP 2011-022181中所涉及的主题，其全部内容结合于此作为参考。
本领域的技术人员应当理解，根据设计需求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和变形，只要它们均包括在所附权利要求或其等价物的范围之内。

Claims (18)

1.一种光学信息记录介质，包括：
基板；
设置在所述基板上的两个以上的记录层；以及
设置在所述记录层上的保护层，
其中，所述基板侧和所述保护层侧中的一侧的表面为在其上照射用于将信息信号记录在所述两个以上的记录层上的光的光照射面，
除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，以及
分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。
2.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的记录层中的至少一层包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分，以及
分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物、所述Cu氧化物和所述Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.17≤x2，其中，x2＝(0.1d+a)/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)，c为Cu相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)以及d为Zn相对于W、Pd、Cu和Zn的总量的原子比(原子百分比)。
3.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.37≤x1。
4.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.37≤x1≤1.26。
5.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的所有记录层均包括W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物作为主要成分，以及
分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1。
6.根据权利要求5所述的光学信息记录介质，
其中，越接近所述光照射面的记录层，x1的值越大。
7.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中，满足以下关系：越接近所述光照射面的记录层，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比x1越大。
8.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，
其中，所述原子比a、所述原子比b和所述原子比c分别满足关系10≤a≤70、2≤b≤50和10≤c≤70。
9.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，
其中，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物、所述Cu氧化物和所述Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.37≤x2。
10.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，
其中，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物、所述Cu氧化物和所述Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.37≤x2≤1.26。
11.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，
其中，除位于距离所述光照射面最深位置处的记录层之外的所有记录层均包括W氧化物、Pd氧化物、Cu氧化物和Zn氧化物作为主要成分，以及
分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物、所述Cu氧化物和所述Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比满足关系0.17≤x2。
12.根据权利要求11所述的光学信息记录介质，
其中，越接近所述光照射面的记录层，x2的值越大。
13.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，
其中，满足以下关系：越接近所述光照射面的记录层，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物、所述Cu氧化物和所述Zn氧化物中的W、Pd、Cu和Zn之比x2越大。
14.根据权利要求2所述的光学信息记录介质，
其中，所述原子比a、所述原子比b、所述原子比c和所述原子比d分别满足关系10≤a≤70、2≤b≤50、10≤c≤70和5≤d≤60。
15.根据权利要求1或2所述的光学信息记录介质，还包括：
与所述记录层的两侧相邻设置的第一保护层和第二保护层，
其中，所述第一保护层和所述第二保护层为介电层或者透明导电层。
16.根据权利要求1所述的光学信息记录介质，所述基板的材料为塑料材料或者玻璃。
17.一种光学信息记录介质记录层，包括：
作为主要成分的W氧化物、Pd氧化物和Cu氧化物，
其中，分别包括在所述W氧化物、所述Pd氧化物和所述Cu氧化物中的W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。
18.一种光学信息记录介质的制造方法，包括以下步骤：
使用光学信息记录介质靶材通过至少与氧气反应溅射来形成金属氧化物记录层，
其中，所述光学信息记录介质靶材包括W、Pd和Cu作为主要成分，以及
W、Pd和Cu之比满足关系0.17≤x1，其中，x1＝a/(b+0.8c)，式中，a为W相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，b为Pd相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)，以及c为Cu相对于W、Pd和Cu的总量的原子比(原子百分比)。
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