JP5399836B2 - 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体およびスパッタリングターゲット - Google Patents

Description

本発明は、光情報記録媒体用の記録層、光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットに関するものである。

光情報記録媒体（光ディスク）は、ＣＤ、ＤＶＤ、ＢＤといった光ディスクに代表され、記録再生方式により、再生専用型、追記型および書換え型の３種類に大別される。このうち追記型の光ディスクの記録方式は、主に、記録層を相変化させる相変化方式、複数の記録層を反応させる層間反応方式、記録層を構成する化合物を分解させる方式、記録層に孔やピットなどの記録マークを局所的に形成させる孔開け方式に大別される。

前記相変化方式では、記録層の結晶化による光学特性の変化を利用した材料が、記録層の材料として提案されている。例えば特許文献１では、Ｔｅ−Ｏ−Ｍ（Ｍは金属元素、半金属元素及び半導体元素から選ばれる少なくとも１種の元素)を含む記録層が提案され、特許文献２ではＳｂおよびＴｅを含む記録層が提案されている。

前記層間反応方式の光情報記録媒体の記録層としては、例えば特許文献３に、第一記録層をＩｎ−Ｏ−(Ｎｉ、Ｍｎ、Ｍｏ)を含む合金からなるものとし、かつ第二記録層をＳｅ及び／又はＴｅ元素、Ｏ（酸素）、及びＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒの中から選ばれた一つの元素を含む合金からなるものとした記録層が提案されている。また特許文献４では、第一記録層：Ｉｎ主成分とする金属、第二記録層：５Ｂ族または６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む、酸化物以外の金属あるいは非金属を積層して、加熱による反応または合金化により記録を行うことが提案されている。

前記記録層を構成する化合物を分解する方式の記録層として、例えば特許文献５には、窒化物を主成分とした記録層が示されており、該窒化物を加熱により分解することで記録を行う材料や、有機色素材料が検討されている。

前記孔開け方式の記録層としては、低融点金属材料からなるものが検討されている。例えば特許文献６では、Ｓｎ合金に３Ｂ族、４Ｂ族、５Ｂ族の元素を添加した合金からなるものが提案されている。特許文献７では、Ｎｉおよび／またはＣｏを１〜５０原子％の範囲で含有するＳｎ基合金からなる記録層が提案されている。また特許文献８には、Ｃｏを２０〜６５原子％含有するＩｎ合金、さらにこれにＳｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｉから選ばれる１種類以上の元素を１９原子％以下含有するＩｎ合金からなる記録層が示されている。

更に特許文献９には、実質的にＰｄ、Ａｇ、Ｏからなり、これらＰｄ、Ａｇ、Ｏの原子数の比率を規定した記録層が示されている。

特開２００５−１３５５６８号公報 特開２００３−３３１４６１号公報 特開２００３−３２６８４８号公報 特許第３４９９７２４号公報 国際公開第２００３／１０１７５０パンフレット 特開２００２−２２５４３３号公報 特開２００７−１９６６８３号公報 特許第４１１０１９４号公報 特開２００５−２３８５１６号公報

光情報記録媒体に求められる要求特性として、主に、再生に十分な反射率を有することや、実用的な記録レーザーパワーで記録が可能なこと、記録信号が再生に十分な信号振幅を有すること（高変調度であること）などが求められる。

しかし、従来技術として開示されている記録材料は、これらの要求特性を記録材料単体で満たすことが難しく、前記相変化方式では、記録層単独での反射率が低いため、光ディスク状態での反射率を高めるべく反射膜が必要であり、かつ変調度を増加させるため、記録層の上下にＺｎＳ−ＳｉＯ_２などの誘電体層も設ける必要があり、光ディスクを構成する層数が多くなる。また、前記層間反応方式でも複数の記録層が必要であることから、光ディスクを構成する層数が多くなる。このため膜層数が多くなり生産性が低下するという課題がある。これに対し前記孔開け方式は、記録層自体の反射率が高く、且つ、大きな変調度も確保できるため、光ディスクを構成する層の数を低減できるが、より高い記録感度を達成するにあたっては、更なる検討が必要である。また特許文献９の様に、ＰｄやＡｇの酸化物を形成するだけでは、安定かつ記録特性をより高めることが難しいと思われる。

本発明はこの様な事情に鑑みてなされたものであって、その目的は、光ディスクの層数を低減しながら上記要求特性を満たして、光情報記録媒体の生産性を高めることのできる光情報記録媒体用記録層と、該記録層を備えた光情報記録媒体、および該記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することにある。

上記課題を解決し得た本発明の光情報記録媒体用記録層は、レーザー光の照射により記録が行われる記録層であって、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含み、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であるところに特徴を有する。

前記Ｘ金属は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上（より好ましくはＩｎ）が好ましい。

本発明の記録層は、レーザー光の照射された部分に気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる記録方式の光情報記録媒体の記録層に適している。

本発明には、前記記録層を備えている点に特徴を有する光情報記録媒体も含まれる。

前記光情報記録媒体は、前記記録層に隣接して誘電体層が形成されていることが好ましい。

更に本発明には、前記記録層形成用のスパッタリングターゲットであって、スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であるところに特徴を有するスパッタリングターゲットも含まれる。

前記Ｘ金属は、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上（より好ましくはＩｎ）が好ましい。

本発明によれば、実用的な比較的低い記録レーザーパワーで高変調度を達成できる（以下、この様な特性を「記録感度に優れた」ということがある）光情報記録媒体用記録層（特には、追記型光情報記録媒体用記録層）、および該記録層を備えた光情報記録媒体（特には、追記型光情報記録媒体）を提供することができる。また、本発明によれば、上記記録層の形成に有用なスパッタリングターゲットを提供することができる。

本発明者らは、従来の記録層よりも記録感度に優れた光情報記録媒体用記録層を実現すべく鋭意研究を行った。その結果、従来の記録層とは異なり、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（Ｘ金属）の酸化物、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇを含む記録層とすれば、該記録層にレーザーを照射させたときに、Ｘ金属の酸化物中に含まれる前記酸化Ｐｄと酸化Ａｇが、レーザー照射により加熱され、分解し酸素を放出して安定的に記録層の組織を変化させる、具体的には、レーザーが照射された部分に気泡を生成させて不可逆的な記録を行うようにすれば、従来よりも記録感度を格段に高めうることを見出した。

上記記録層による記録方式では、レーザー照射前の記録層の構造はアモルファスであり、レーザー照射後もアモルファスである点で、アモルファスがレーザー照射により結晶に変化することを利用した相変化方式と相違する。

本発明の記録層が記録感度に優れている理由として、レーザー照射により気泡が発生した部分では、気泡の発生していない部分と比べて透過率が増加（即ち、反射率が低下）することで、変調度を大きくすることができたことが考えられる。

上記効果を十分発現させるには、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、
・Ｐｄ原子の比率：１０〜６０原子％、
・Ａｇ原子の比率：５〜４５原子％、および
・Ｐｄ原子とＡｇ原子の合計量：７５原子％以下
を満たすようにする必要がある。

上記Ｐｄ原子の比率が１０原子％を下回ると、レーザー照射時に分解する酸化Ｐｄが少ないため、放出される酸素量が十分でなく生成する気泡が不足し、記録感度向上の効果が小さくなる。また、酸化Ａｇのみでは酸素放出による形態変化が不十分であり、酸化Ｐｄがある程度必要である。これらの観点から、本発明ではＰｄ原子の比率を１０原子％以上とした。Ｐｄ原子の比率は、好ましくは１５原子％以上である。

更に本発明では、上記酸化Ｐｄと共に酸化Ａｇを含有させることにより、酸化Ｐｄによる記録感度の向上効果を、酸化Ａｇの還元による酸素放出により、十分高め得ることができる。この様な効果を発揮させるため、Ａｇ原子の比率を５原子％以上とする。Ａｇ原子は好ましくは８原子％以上である。

一方、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共にＸ金属の酸化物を含有させることによって、後述する通り、レーザー照射による記録部分の形態変化を最適化することができる。この様に本発明では、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に、Ｘ金属の酸化物の存在も重要であることから、Ｐｄ原子の上限を６０原子％（好ましい上限は５０原子％、より好ましい上限は４５原子％）、Ａｇ原子の上限を４５原子％（好ましい上限は４０原子％）とすると共に、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量の上限を７５原子％（即ち、Ｘ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対する、Ｘ金属原子の比率の下限を２５原子％）とした。Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量の上限は、好ましくは６０原子％である。

上記酸化Ｐｄが、特に一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄを含むものであれば、記録感度をより十分に向上させることができるので好ましい。その理由として、一酸化Ｐｄよりも不安定な二酸化Ｐｄが、レーザー照射により容易に分解して酸素を放出すること、および、二酸化Ｐｄに比べて安定な一酸化Ｐｄ中に二酸化Ｐｄを存在させることで、この二酸化Ｐｄの自然分解が抑制されて、安定な記録層が得られることが考えられる。

上記二酸化Ｐｄの分解による酸素放出量を高めて、記録による十分な反射率変化を得るには、前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比を、３モル％以上とすることが好ましい。より好ましくは５モル％以上である。

一方、一酸化Ｐｄに対し二酸化Ｐｄが多過ぎると、二酸化Ｐｄは安定的に存在することができず、記録層の作製が困難となるため、前記一酸化Ｐｄと二酸化Ｐｄの合計に対する二酸化Ｐｄの比は７０モル％以下とすることが好ましい。より好ましくは６０モル％以下である。

本発明の記録層は、上述した通り、上記酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に、酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（Ｘ金属）の酸化物を必須とするものである。この様に、酸化Ｐｄや酸化Ａｇよりも安定な金属酸化物（Ｘ金属の酸化物）を、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に含有させることによって、該酸化Ｐｄや酸化Ａｇが分解したときの酸素放出による形態変化を明瞭かつ大きくすることができ、記録による十分な反射率変化、即ち高変調度を達成することができる。

ＰｄやＡｇよりも酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値が大きい金属（Ｘ金属）としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌが挙げられる（室温における酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーは、Ｐｄが約−１５０ｋＪ/ｍｏｌ、Ａｇが−４０ｋＪ/ｍｏｌであるのに対し、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ａｌがそれぞれ−５００、−５２０、−６４０、−３３０、−４２０、−４２０、−５００、−２７０、−１０５０ｋＪ／ｍｏｌである）。このうち好ましくはＩｎ、Ｂｉ、即ち、前記酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと共に含まれるＸ金属の酸化物として、酸化Ｉｎや酸化Ｂｉが好ましい。

尚、本発明の記録層には、前記Ｘ金属の酸化物、前記酸化Ｐｄおよび前記酸化Ａｇを含む他、金属Ｐｄが含まれうる場合がある。また、作製時に不可避的に混入する不可避不純物が含まれ得る。

また本発明の記録層は、吸収率の向上や屈折率の制御を目的として、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｔａを合計約３０原子％以下の範囲内で、例えば酸化物として含んでいてもよい。

記録層の膜厚は、記録層の上下に誘電体層や光学調整層等の他の層を挿入するなど、光情報記録媒体の構造にもよるが、記録層を単層で使用する場合（上記誘電体層や光学調整層等を設けない場合）には、記録層の膜厚を５〜１００ｎｍとすることが好ましい。記録層の膜厚が５ｎｍより小さいと、記録による十分な反射率変化が得られにくいからである。より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは２５ｎｍ以上である。一方、記録層の膜厚が１００ｎｍより大きいと、膜の形成に時間がかかり、生産性が低下すると共に、記録に必要なレーザーパワーが大きくなるため好ましくない。記録層の膜厚は、より好ましくは７０ｎｍ以下、更に好ましくは６０ｎｍ以下である。

本発明の記録層は、スパッタリング法で形成することが好ましい。スパッタリング条件としては、Ａｒ流量：１０〜１００ｓｃｃｍ、酸素流量：１０〜１００ｓｃｃｍとすることが挙げられる。また、スパッタリング法におけるその他の条件は、汎用されるスパッタリング条件を採用することができ、ガス圧を例えば０．１〜１．０Ｐａの範囲、スパッタ電力を例えば０．５〜２０Ｗ／ｃｍ^２の範囲に制御することが挙げられる。

前記スパッタリング法で本発明の記録層を形成するにあたっては、スパッタリングターゲット（以下、単に「ターゲット」ということがある）として、スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子（好ましくはＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上、より好ましくはＩｎ）、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、
・Ｐｄ原子の比率：１０〜６０原子％、
・Ａｇ原子の比率：５〜４５原子％、および
・Ｐｄ原子とＡｇ原子の合計量：７５原子％以下
を満たすものを用いる。

上記ターゲットの具体的態様としては、Ｘ金属が酸化物として含まれる（即ち、Ｘ金属の酸化物）と共に、Ｐｄ原子が金属Ｐｄおよび／または酸化Ｐｄ、かつＡｇ原子が金属Ａｇおよび／または酸化Ａｇとして含まれるものが挙げられる。

その他の態様として、Ｘ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子のいずれもが金属、即ち、これらの元素を含む合金からなるものが挙げられる。

尚、上記元素（Ｘ金属原子、Ｐｄ原子、Ａｇ原子）が酸化物の形態でターゲット中に存在する場合、上記元素の比率は、酸化物における酸素原子を除いた原子換算で求めた値を示す。

上記ターゲットとしては、特に、Ｘ金属の酸化物、金属Ｐｄおよび金属Ａｇの粉末を混合し、焼結させたものを用いることが、生産性や形成された薄膜の組成の面内均一性や厚み制御の点で好ましい。上記ターゲットには、製造時に不可避に混入する不可避不純物が含まれ得る。

記録層の形成には、上記ターゲットを用いてスパッタリングを行う他、例えば、Ｘ金属ターゲット、金属Ｐｄターゲット（純Ｐｄ金属ターゲット）、および金属Ａｇターゲット（純Ａｇ金属ターゲット）を用い、これらを同時放電させて多元スパッタリングを行うことも挙げられる。

本発明の光情報記録媒体は、上記優れた特性を示す記録層を有しているが、高温高湿環境下においても上記優れた特性を維持することのできる優れた耐久性を確保するには、記録層に隣接して誘電体層の形成されたものが好ましい。上記高温高湿環境下においては、レーザーを照射していない（即ち、記録を行っていない）部分の酸化Ｐｄや酸化Ａｇが徐々に還元して酸素を放出し、その結果、光学特性が変化し反射率の低下となって現れることが、耐久性の低下の原因として考えられる。しかし誘電体層を形成することで、酸化Ｐｄ（特には二酸化Ｐｄ）や酸化Ａｇの不要な分解を抑制して安定的に保持することができるものと思われる。

上記「記録層に隣接して誘電体層を形成」の態様には、例えば、基板と記録層との間であって記録層に隣接して形成する場合、および／または、記録層と後述する光透過層との間であって記録層に隣接して形成する場合が挙げられる。

上記誘電体層は、酸素バリア層として働くことによっても耐久性を向上させる。酸化Ｐｄや酸化Ａｇの分解で生じる酸素の逃散を防止することで、反射率の変化（特には反射率の低下）を防止でき、記録層として必要な反射率を確保することができるものと考えられる。

更に誘電体層を形成することで記録特性を向上させることもできる。これは、誘電体層により入射したレーザーの熱拡散が最適に制御されて、記録部分における泡が大きくなりすぎたり、酸化Ｐｄの分解が進みすぎて泡が潰れるといったことが防止され、泡の形状を最適化できるためと考えられる。

前記誘電体層の素材としては、酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物またはその混合物が挙げられ、前記酸化物としては、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｃｒ、ＢｉおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上の元素の酸化物が挙げられる。前記窒化物としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎｂ、Ｍｏ、ＴｉおよびＺｎよりなる群から選択される１種以上の元素の窒化物（好ましくはＳｉおよび／またはＧｅの窒化物）が挙げられ、前記硫化物としてはＺｎ硫化物が挙げられる。前記炭化物としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、ＴａおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物（好ましくはＳｉ、ＴｉおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素の炭化物）、前記フッ化物としては、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、ＣａおよびＬａよりなる群から選択される１種以上の元素のフッ化物が挙げられる。これらの混合物としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２等が挙げられる。このうち好ましいのは、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｇのいずれか１種以上を含む上記化合物（酸化物等）またはその混合物であり、より好ましくはＩｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌのいずれか１種以上を含む上記化合物またはその混合物である。

誘電体層の膜厚は、１〜４０ｎｍとすることが好ましい。１ｎｍ未満では上記誘電体層の効果（特には、酸素バリアとしての効果）が十分発揮され難いためである。より好ましくは３ｎｍ以上である。一方、誘電体層の膜厚が厚すぎると、レーザー照射による記録層の変化が生じ難くなり、記録特性の低下をもたらすため好ましくない。よって誘電体層の膜厚は、４０ｎｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは３５ｎｍ以下である。

本発明は、前記誘電体層の形成方法についてまで規定するものではないが、前記記録層と同じくスパッタリング法で形成することが好ましい。

前記誘電体層をスパッタリング法で形成するにあたっては、スパッタリング条件として、Ａｒ流量を、例えば１０〜１００ｓｃｃｍの範囲とし、下記の通り金属ターゲットを用いる場合には、酸化物層形成時の酸素流量を、例えば５〜６０ｓｃｃｍの範囲、窒化物層形成時の窒素流量を、例えば５〜８０ｓｃｃｍの範囲とすることが挙げられる。また、ガス圧を例えば０．１〜１．０Ｐａの範囲、スパッタ電力を例えば０．５〜５０Ｗ／ｃｍ^２の範囲とすることが挙げられる。

前記誘電体層の形成に用いるスパッタリングターゲットとしては、上記化合物（酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物）からなるターゲットの他、該化合物における酸素、窒素、硫黄、炭素、フッ素以外の構成元素を含む金属ターゲット（純金属や合金からなるターゲット）を用いることができる。

本発明の光情報記録媒体は、上記記録層を備えている点に特徴を有しており、好ましくは更に誘電体層を備えているものである。上記記録層や誘電体層以外は、光情報記録媒体の分野に公知の構成を採用することができる。

光情報記録媒体（光ディスク）として、その構造が、レーザーのガイド用の溝が刻まれた基板上に記録層が積層され、更にその上に光透過層を積層したものが挙げられる。

例えば、前記基板の素材としては、ポリカーボネート樹脂、ノルボルネン系樹脂、環状オレフィン系共重合体、非晶質ポリオレフィンなどが挙げられる。また、前記光透過層としては、ポリカーボネートや紫外線硬化樹脂を用いることができる。光透過層の材質としては記録再生を行うレーザーに対して高い透過率を持ち、光吸収率が小さいことが好ましい。前記基板の厚さは、例えば０．５〜１．２ｍｍとすることが挙げられる。また前記光透過層の厚さは、例えば０．１〜１．２ｍｍとすることが挙げられる。

本発明の記録層は、高い反射率を示し、記録層単独で優れた記録特性を示すものであるが、必要に応じて光ディスクとしての反射率をより高めるべく、基板と記録層との間に更に光学調整層を設けてもよい。前記光学調整層の素材としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ等やそれらの合金などが例示される。

尚、上記では、記録層および光透過層がそれぞれ１層ずつ形成された１層光ディスクを示しているが、これに限定されず、記録層および光透過層が複数積層された２層以上の光ディスクであってもよい。

前記記録層を複数備える場合には、記録層と必要に応じて積層される光学調整層や誘電体層からなる記録層群と別の記録層群との間に、例えば紫外線硬化樹脂等からなる透明中間層を有していてもよい。

本発明の特徴は、前述した記録層（好ましくは、更に誘電体層）を採用した点にあり、この記録層や誘電体層以外の、基板や光透過層、更には光学調整層や透明中間層などの形成方法については特に限定されず、通常行われている方法で形成して、光情報記録媒体を製造すればよい。

光情報記録媒体としてＣＤ、ＤＶＤ、またはＢＤが挙げられ、例えば波長が約３８０ｎｍから４５０ｎｍ、好ましくは約４０５ｎｍの青色レーザー光を記録層に照射し、データの記録および再生を行うことが可能なＢＤ−Ｒが具体例として挙げられる。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えて実施することも可能であり、それらは本発明の技術的範囲に包含される。

（１）光ディスクの作製
ディスク基板として、ポリカーボネート基板（厚さ：１．１ｍｍ、直径：１２０ｍｍ、トラックピッチ：０．３２μｍ、溝深さ：２５ｎｍ）を用い、該基板上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化Ｉｎ、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇからなる種々の記録層を形成した。記録層の膜厚は４０ｎｍとした。上記記録層は、純Ｉｎ金属ターゲット、純Ｐｄ金属ターゲット、および純Ａｇ金属ターゲットの３つのターゲット（表１のＮｏ．５、８は、このうちの２つのターゲット）の同時放電による多元スパッタリングを行って形成した。

上記記録層形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０ｓｃｃｍ、酸素流量：１０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．４Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００〜２００Ｗ、基板温度：室温とした。

成膜した記録層の成分組成［Ｉｎ原子＋Ｐｄ原子＋Ａｇ原子に対する、Ｉｎ原子の比率（原子％）、Ｐｄ原子の比率（原子％）、Ａｇ原子の比率（原子％）］は、蛍光Ｘ線分析法またはＩＣＰ発光分析法により測定して求めた。

次に表１のＮｏ．１〜６、８については、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により、酸化Ｉｎターゲットを用い、誘電体層として酸化Ｉｎ層を１０ｎｍ形成した。この誘電体層形成のためのスパッタリング条件は、Ａｒ流量：１０ｓｃｃｍ、ガス圧：０．２Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー：１００〜２００Ｗ、基板温度：室温とした。

次いで、誘電体層の上（Ｎｏ．７については記録層の上）に、紫外線硬化性樹脂（日本化薬社製「ＢＲＤ−８６４」）をスピンコートした後、紫外線を照射して膜厚約０．１ｍｍの光透過層を成膜し、光ディスクを得た。

尚、表１のＮｏ．６は、上記記録層の形成に、ターゲットとして純Ｉｎ金属ターゲット、純Ｐｄ金属ターゲット、および純Ｃｕ金属ターゲットの３つのターゲットを用いてスパッタリングを行い、酸化Ｉｎ、酸化Ｐｄおよび酸化Ｃｕからなる記録層を形成した。

（２）光ディスクの評価
作製した光ディスクについて下記の通り評価した。即ち、光ディスク評価装置（パルステック工業社製「ＯＤＵ−１０００」）を用い、記録レーザー中心波長は４０５ｎｍとし、ＮＡ（開口数）：０．８５のレンズを用いた。下記に示す反射率は、上記装置を用い、レーザーをトラック上に照射し、光ディスクにおける未記録部分のレーザー光の戻り光強度から求めた。

上記光ディスク評価装置を用いて、線速：４．９２ｍ／ｓ、基準クロック：６６ＭＨｚの条件で、２Ｔから８Ｔのランダム信号を種々の記録レーザーパワー（記録パワー）で記録した。そして、横河電機製タイムインターバルアナライザーＴＡ８１０を用いて測定したジッター値（再生レーザーパワー０．３ｍＷでの記録再生時の再生信号の時間軸上のゆらぎを示す値）が最小となる記録レーザーパワー（記録パワー）を求めた（ジッター最小値および記録パワーは表１に示す通りである）。

このジッターが最小となる記録パワーでの変調度（反射率の変化率）を下記式（１）から求め、上記ジッター最小値が７％未満で、かつこの変調度が０．４０以上であるものを合格とした。
変調度（反射率の変化率）＝（未記録部分の反射率−記録部分の反射率）／（未記録部分の反射率） …（１）
これらの結果を表１に併記する。

表１より、本発明で規定する成分組成を満たす記録層（Ｎｏ．１〜４、７）は、変調度が高く、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れていることがわかる。

これに対し、本発明で規定する成分組成を満たさないＮｏ．５や６は、変調度が低く記録感度に劣るものとなった。またＮｏ．８は、変調度は高いものの、ジッター最小値が比較的大きくなった。

Claims (10)

1. レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録層であって、
   酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと、不可避不純物からなり、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
2. レーザー光の照射により記録が行われる光情報記録媒体用記録層であって、
   酸素１ｍｏｌに対する酸化物の標準生成自由エネルギーの絶対値がＰｄおよびＡｇよりも大きい金属（以下、Ｘ金属という）の酸化物と、酸化Ｐｄおよび酸化Ａｇと、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｓｉ、およびＴａよりなる群から選択される１種以上の元素を合計３０原子％以下と、不可避不純物からなり、記録層に含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であることを特徴とする光情報記録媒体用記録層。
3. 前記Ｘ金属が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項１または２に記載の光情報記録媒体用記録層。
4. 前記Ｘ金属がＩｎである請求項３に記載の光情報記録媒体用記録層。
5. レーザー光の照射された部分に気泡が生成し、体積変化することにより記録が行われる請求項１〜４のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録層。
6. 請求項１〜５のいずれかに記載の記録層を備えていることを特徴とする光情報記録媒体。
7. 前記記録層に隣接して誘電体層が形成された請求項６に記載の光情報記録媒体。
8. 請求項１〜５のいずれかに記載の光情報記録媒体用記録層形成用のスパッタリングターゲットであって、
   スパッタリングターゲットに含まれるＸ金属原子、Ｐｄ原子およびＡｇ原子の合計量に対し、Ｐｄ原子の比率が１０〜６０原子％、Ａｇ原子の比率が５〜４５原子％、かつＰｄ原子とＡｇ原子の合計量が７５原子％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
9. 前記Ｘ金属が、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｗ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選択される１種以上である請求項８に記載のスパッタリングターゲット。
10. 前記Ｘ金属がＩｎである請求項９に記載のスパッタリングターゲット。