JP3499724B2 - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
特に、無機材料からなる記録層を有して１回のみ記録が
可能な追記型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、１回のみ記録が可能な光記録媒
体、いわゆる追記型光ディスクの記録層材料には、大別
して有機色素系と無機系との２種類がある。このうち、
ＣＤ−Ｒ等の有機色素系材料を記録層に用いた追記型光
ディスク（以下、有機色素系光ディスクという）は65％
以上の反射率を有しており、これにより一般に普及して
いる再生専用のＣＤ−ＲＯＭドライブあるいはＣＤプレ
ーヤーでの再生が可能となっている。
【０００３】一方、従来提案されてきた無機系材料を記
録層に有する追記型光ディスク（以下、無機系光ディス
クという）は反射率が比較的低く、上述したＣＤ−ＲＯ
Ｍドライブ等での再生が困難になっている。この再生互
換性能の差異により、現在では、有機色素系材料の記録
層を有するディスクが追記型光ディスク市場の大半を占
めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、有機色
素系光ディスクにはいくつかの短所がある。まず、有機
色素系光ディスクは、日常環境に存在する太陽光や電燈
のような比較的弱い光でさえも、長時間露光されること
により、記録層に用いられている有機色素が光分解をお
こし、初期の特性を失ってしまうという問題点があっ
た。したがって、例えば、信号を記録した有機色素系光
ディスクを太陽光が照射される状態に放置しておくとデ
ィスクに記録された信号が劣化し、場合によっては信号
が消去されることがある。
【０００５】次に、有機色素の光学的性質（屈折率や吸
収係数）は光の波長によって大きく変化するため、波長
に対する互換性がない。すなわち、反射率や吸収量をあ
る波長の光源に対して設計された色素系光ディスクは、
他の波長の光源に対しては反射率や吸収量が大きく変わ
ってしまうため、設計外の波長の光源をもつドライブで
は記録・再生できない場合があるという問題点があっ
た。
【０００６】さらに、有機色素は一般に硬度が低く、光
ディスクの機械的強度を弱める一因となっているという
問題点もあった。このような背景から、上述した有機色
素系光ディスクの短所を有さず、しかも高い反射率を示
してＣＤ−ＲＯＭドライブ等との再生互換性を実現でき
る無機系光ディスクが現在でもさかんに研究されてい
る。
【０００７】従来の無機系光ディスクの記録層として
は、例えば、（株）オプトロニクス社発行の「わかりや
すい光ディスク」の第４章に記載されているように、
(1)穴形成による記録層、 (2)層間の気泡形成を利用し
た記録層、 (3)層間の反応を利用した記録層、 (4)相変
化を利用した記録層、および (5)磁化反転を利用した記
録層、などがある。
【０００８】このうち、(1) の穴形成による記録層材料
としては、Ｔe 系の材料が広く知られ、記録の前後にお
ける高い反射率変化（変調度）が得られるが、65％を越
えるような高い記録前反射率は得られていないという問
題点があった。また、穴を形成し易く、かつ記録層を保
護するために、エアーサンドイッチと呼ばれる複雑な構
造を必要とするという問題点があった。
【０００９】さらに、穴形成による記録層上に紫外線硬
化型樹脂などの保護膜を形成する方法も提案されている
が、この場合、記録感度が著しく低下し、それを補うた
めに記録層の膜厚を薄くしなければならず、結果的に記
録前の反射率は10％程度しか得られていないという問題
点があった。次に、(2) の層間の気泡形成を利用した記
録層では、記録パワーが高すぎると形成された気泡が破
裂してしまうという問題点があった。
【００１０】また、(3) の層間の反応を利用するものと
しては、Ｂi とＳe との２層膜をはじめ、特開昭56-829
3 号公報、特開昭57-22095号公報、実開平4-89374 号、
特開平6-131693号公報などで複数の提案がなされている
が、ＣＤ−ＲＯＭドライブ等との再生互換性を得られる
65％を越えるような高い記録前反射率は得られていない
という問題点があった。
【００１１】また、(4) の相変化を利用した記録層は、
Ｇe Ｓb Ｔe 、Ａg Ｉn Ｓb Ｔe などの材料が実用化さ
れているが、いずれの材料も65％を越えるような高い記
録前反射率と高い変調度とを両立するものは見出されて
いないという問題点があった。さらに、(5) の磁化反転
を利用した記録層は、ほとんどが情報の再生に磁気光学
効果を利用するもので、特殊な光学系を必要とするとい
う問題点があった。
【００１２】本発明はこのような従来の問題点に鑑み、
ＣＤ−ＲＯＭドライブ等との十分な再生互換性を得られ
る65％以上の反射率と、記録の前後における高い変調度
とを併せ持つ無機系記録層を有する、安価で製作の容易
な光記録媒体を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題が解決しようとする課題】このため、請求項１に
係る発明では、記録用光ビームおよび再生用光ビームに
対して略透明な基板と、該基板上に積層され、Ｉn を主
成分とする金属からなる第１の記録層と、該第１の記録
層上に積層され、元素周期表の５Ｂ族または６Ｂ族に属
する少なくとも１種類の元素を含む、酸化物以外の金属
あるいは非金属からなり、前記基板側からの光ビーム照
射による加熱で、前記第１の記録層と合金を形成するこ
とにより情報信号を記録する第２の記録層と、を含んで
光記録媒体を構成する。
【００１４】これにより、未記録状態では第１の記録層
のＩn を主成分とする金属による高い反射率が得られ、
光ビーム照射による記録後には第１の記録層と第２の記
録層との合金が形成されて反射率が大きく低下する。前
記第２の記録層に含まれる周期表の５Ｂ族または６Ｂ族
に属する少なくとも１種類の元素としては、請求項２に
係る発明のように、Ａs 、Ｓe 、Ｓb 、Ｔe、Ｂi 、か
ら選ばれるものが好ましい。より具体的には、請求項３
に係る発明のようにＩn 、Ｓb およびＴe を含むものが
第２の記録層として好ましく、請求項４に係る発明のよ
うにＳb を主成分とするもの、請求項５に係る発明のよ
うにＴe を主成分とするもの、請求項６に係る発明のよ
うにＢi を主成分とするもの、なども好ましく用いられ
る。
【００１５】高い反射率を有すると共に、光ビーム照射
による加熱での合金形成を円滑に行なうためには、前記
第１の記録層の膜厚は、請求項７に係る発明のように、
５nm〜50nmの範囲に、前記第２の記録層の膜厚は、請求
項８に係る発明のように、５nm〜 200nmの範囲にするの
が好ましい。請求項９に係る発明では、前記第２の記録
層上に積層した保護膜を有するものとして、高い耐久性
を有する片面記録方式の光記録媒体を形成する。
【００１６】また、請求項10に係る発明では、前記基板
と前記第１の記録層と前記第２の記録層とを含んで構成
される組の、前記第２の記録層側に、接着層を介して積
層した上部基板を有するものとして、さらに機械的強度
を高める。また、請求項11に係る発明では、前記基板と
前記第１の記録層と前記第２の記録層とを含んで構成さ
れる組を２組有し、各組の前記第２の記録層側を対向さ
せ、接着層を介して一体に形成し、両面記録方式の光記
録媒体とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図１は、本発明の光記録媒体の構
成例を示す断面図である。光記録媒体１は、基板２の上
面に、第１の記録層３、第２の記録層４、および保護層
５を順次積層して構成されている。
【００１８】基板２は、用いる光ビームに対して透明で
ある材質、例えば、樹脂やガラス等から構成することが
好ましく、特に、取り扱いが容易で安価であることから
樹脂が好ましい。樹脂として具体的には例えば、ポリカ
ーボネイト樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ＡＢＳ
樹脂等を用いることができる。基板の形状および寸法は
特に限定されないが、通常、ディスク状であり、その厚
さは、通常、0.5 〜３mm程度、直径は40〜360mm 程度で
ある。基板の表面には、トラッキング用やアドレス用等
のために、グルーブ等の所定のパターンが必要に応じて
設けられる。
【００１９】第１の記録層３は、Ｉn を主成分とする金
属からなっている。高い反射率を得るという観点からは
単体のＩn あるいはＩn の濃度の高い合金が好ましく、
膜構造の緻密化や記録感度の向上の観点からはＩn 濃度
を下げた合金が好ましい。光記録媒体の要求性能に応じ
てその組成を選ぶことができる。 Ｉn と混合してＩn合
金を形成する元素としては、例えばＡu 、Ａg 、Ａl 、
Ｂe 、Ｃu 、Ｆe 、Ｇe 、Ｐb 、Ｓi 、Ｓn 、Ｔa 、
Ｖ、Ｚn 等があげられる。
【００２０】 第２の記録層４は、周期表の５Ｂ族また
は６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む、酸化
物以外の金属あるいは非金属であり、このような元素と
しては、スパッタリング等により容易に薄膜化でき、比
較的安価なＡs 、Ｓe 、Ｓb 、Ｔe 、Ｂi が好ましい
が、Ｐo も使用できる。これらの元素は単体の薄膜とし
て用いてもよいし、あるいはそれらを含む合金の形で用
いることもできる。合金としては例えば、Ｉn Ｓb Ｔe
、Ａg Ｉn Ｓb Ｔe 、Ａu Ｉn Ｓb Ｔe 、Ｇe Ｓb Ｔe
、Ｐ d Ｇ e Ｓ b Ｔ e などが例としてあげられる。また、
単体での薄膜形成が困難なＮ、Ｐ、Ｓについても、それ
ぞれ、窒化物、リン化物、硫化物の形態で第２の記録層
中に含ませることができる。
【００２１】このような第１の記録層３および第２の記
録層４を有する光記録媒体１において、基板２側から所
定パワーの記録用光ビームが照射された部位では、第１
の記録層３と第２の記録層４とが合金（固溶体、共融混
合物、または化合物）を形成する。記録用光ビームの照
射時に第１の記録層３と第２の記録層４とが混合する方
式には２通りの場合が考えられる。第１の場合は、第１
の記録層３と同様に第２の記録層４も光ビームの照射に
よる加熱によって融解し、融解した液体同士が混合する
場合である。第２の場合は、第２の記録層４は光ビーム
の照射による加熱によって融解しないが、融解した第１
の記録層の融液に第２の記録層が溶解することによっ
て、拡散・混合する場合である。
【００２２】いずれにしても、第１の記録層３のＩn 単
体あるいはＩn 合金は融点が低く、半導体レーザーなど
による光ビームの照射によって容易に融解するため、光
照射による合金形成を行なうことができる。また、記録
・再生光が入射してくる基板側に、反射率の高いＩn を
主成分とする金属からなる第１の記録層３が配置されて
いるので、未記録状態において高い反射率を実現するこ
とができる。
【００２３】第２の記録層４含まれる周期表の５Ｂ族あ
るいは６Ｂ族の元素は、Ｉn と混合および／または反応
することにより金属間化合物あるいは半導体を形成し、
Ｉnの金属性を低下させる作用がある。したがって、記
録ビームが照射され、第１記録層３中のＩn と第２の記
録層４が混合した部分において、金属Ｉn とは大きく屈
折率の異なる記録マークが形成される。これにより、記
録マーク部の反射率は大きく減少し、変調度の大きな "
high to low"の記録が行われる。
【００２４】このような未記録状態における高い反射率
と、記録後の高い変調度とを確実に得るためには、第１
の記録層３の膜厚は、５nm〜50nmの範囲が好ましく、さ
らに好ましくは10nm〜30nmの範囲がよい。第１の記録層
の膜厚が厚いほど記録前の反射率は高くなるが、膜厚50
nm以上では反射率はほぼ飽和し、逆に膜厚の増加にとも
なって光ビームによる加熱が不十分になり、記録感度が
低下してしまう。また第１の記録層３の膜厚が５nmを下
回ると記録前の反射率、記録前後の反射率変化共に小さ
くなり好ましくない。
【００２５】一方、第２の記録層４の膜厚は、第２の記
録層４に含まれる５Ｂ族または６Ｂ族の量にも依存する
が、概ね５〜200nm の範囲が好ましく、５〜50nmの範囲
がさらに好ましい。第２の記録層４の膜厚が５nm未満で
あると、記録後も反射率があまり低下せず、十分な変調
度が得られない。また、200nm 以上の厚さになると、光
ビームによる加熱が不十分になり、記録感度が低下する
おそれがある。
【００２６】保護層５は、耐擦傷性や耐腐食性の向上の
ために設けられる。この保護層５は種々の有機系の物質
から構成されることが好ましいが、特に、放射線硬化型
化合物やその組成物を、電子線、紫外線等の放射線によ
り硬化させた物質から構成されることが好ましい。保護
層の厚さは、通常、0.1 〜 100μm 程度であり、スピン
コート、グラビア塗布、スプレーコートなど、通常の方
法により形成すればよい。
【００２７】図２は、上述した、基板２上に、第１の記
録層３、第２の記録層４および保護層５を積層し、さら
に、接着層６を介して上部基板７を積層した光記録媒体
11の構成を示す断面図である。接着層６は、種々の有機
系の物質から構成されることが望ましいが、熱可塑性物
質、粘着性物質、放射線硬化型化合物やその組成物を電
子線や放射線により硬化させた物質から構成されること
が望ましい。接着層６の厚さは 0.1〜 100μm程度であ
り、接着層６を構成する物質により選ばれる最適な方
法、例えば、スピンコート、グラビア塗布、スプレーコ
ート、ロールコートなどにより形成すればよい。
【００２８】上部基板７は、上述した基板２と同様の樹
脂あるいはガラスで構成することができる。このような
構成では、光記録媒体11の上面も上部基板７で強固に保
護されると共に、光記録媒体11全体の機械的強度および
耐久性が向上する。また、図３は、基板２、第１の記録
層３、第２の記録層４および保護層５からなる組を２組
有し、各組の保護層５側（第２の記録層４側）を対向さ
せ、接着層８を介して一体に形成した、両面記録方式の
光記録媒体12の構成を示す断面図である。接着層８の構
成は、図２の接着層６と同様である。
【００２９】このような構成では、高い機械的強度を得
られるとともに、1 枚の光記録媒体に倍の容量の情報の
記録が可能となる。尚、図２および図３においては、保
護層５を省くこともできる。また、基板２と第１の記録
層３との間に、反射率の調整、熱伝導の調整、記録層の
腐食防止などの目的で透明な別の層を設けてもよい。さ
らに、第１の記録層３と第２の記録層４との間に、第１
の記録層３と第２の記録層４との合金形成速度を調整す
る目的で薄い中間層を設けてもよい。
【００３０】本発明の光記録媒体では、記録及び再生
は、基板２側から第１の記録層３及び第２の記録層４に
光ビームを照射することによって行なう。具体的な記録
方法としては、様々な方法が選択できるが、１つの好ま
しい方法として、円板状の光記録媒体を回転させ、基板
２を通して記録用光ビームを記録層上に集光する方法が
あげられる。本発明の光記録媒体では、上記光ビームに
対する記録層の相対速度は、使用する光ビームの波長に
応じて、実験的に決定することができる。
【００３１】記録用光ビームは、記録すべき信号に応じ
てパワーの強弱またはオン・オフを制御する。また、マ
ーク長記録を行なう際には、図４に示すようなマルチパ
ルスを用い、記録マークの幅の均一化をはかることも可
能である。記録用光ビームの記録パワーＰｗおよびボト
ムパワーＰｂの具体的値は、使用する光ビームの波長に
応じて実験的に決定することができる。
【００３２】一方、再生用光ビームは、記録が行われな
い程度の低パワーの光ビームであり、具体的なパワーは
使用する光ビームの波長に応じて決定することができ
る。
【００３３】［実施例および比較例］以下に、実施例お
よび比較例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。 （実施例１）図１と同様に、螺旋状の案内溝を有する透
明なポリカーボネート基板２（直径12cm、板厚1.2 mm、
トラックピッチ 1.6μm 、溝幅約 0.5μm 、溝深さ約60
nm）上に、第１の記録層３としてＩn 20nm、第２の記録
層４としてＴe 20nmをスパッタ法により順次形成した。
その上に紫外線硬化型樹脂約10μm をスピンコート法に
より塗布し、紫外線を照射して硬化させて保護層５を形
成し、光記録媒体１とした。
【００３４】次に、ＣＤ−Ｒ用の評価機を用い、この光
記録媒体１を、光スポットと媒体の相対速度が1.2m/sと
なるように回転させ、波長785nm 、対物レンズのＮＡが
0.5の光ピックアップを用い、基板２側から案内溝上に
焦点を結ぶように光ビームを照射して、反射光の強度を
測定した。さらに、同じ装置を用いて基準クロック4.32
MHz のＥＦＭ信号を記録し、11T信号の振幅を測定し
た。この際、記録ストラテジは、ＣＤ−Ｒの規格書（通
称「オレンジブック パートII」）の図2.2 に記載され
ている "Alternative writestrategy" を使用し、記録
パワーは４mWから13.5mWの範囲で適当な値を選択した。
再生パワーは 0.6mWとした。また、反射率は、フィリッ
プス社製の標準ＣＤ(5B2) の所定の半径位置を同じ装置
を用いて再生パワー 0.6mWで読み出した時の反射光の強
度を基準に校正して求めた。
【００３５】（実施例２）第２の記録層をＴe 30nmとし
た以外は、実施例１と同様に光記録媒体を作製し、実施
例１と同様の測定を行なった。 （実施例３)第１の記録層をＩn 30nmとした以外は、実
施例１と同様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の
測定を行なった。
【００３６】（実施例４）第１の記録層をＩn 30nm、第
２の記録層をＴe 30nmとした以外は、実施例１と同様に
光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行なっ
た。 （実施例５）第２の記録層をＢi 30nmとした以外は、実
施例１と同様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の
測定を行なった。
【００３７】（実施例６）第２の記録層をＩn13 Ｓb50
Ｔe37 合金20nmとした以外は、実施例１と同様に光記録
媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行なった。 （実施例７）第２の記録層をＩn13 Ｓb50 Ｔe37 合金30
nmとした以外は、実施例１と同様に光記録媒体を作製
し、実施例１と同様の測定を行なった。
【００３８】（実施例８)第１の記録層をＩn 30nmとし
た以外は、実施例６と同様に光記録媒体を作製し、実施
例１と同様の測定を行なった。 （実施例９)第１の記録層をＩn 30nmとした以外は、実
施例７と同様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の
測定を行なった。
【００３９】（実施例10)第１の記録層をＩn 10nmとし
た以外は、実施例６と同様に光記録媒体を作製し、実施
例１と同様の測定を行なった。 （実施例11）第２の記録層をＩn13 Ｓb50 Ｔe37 合金10
nmとした以外は、実施例10と同様に光記録媒体を作製
し、実施例１と同様の測定を行なった。
【００４０】（実施例12）第１の記録層をＩn93 Ｓn7合
金18nmとした以外は、実施例６と同様に光記録媒体を作
製し、実施例１と同様の測定を行なった。 （実施例13）第１の記録層をＩn95 Ａg5合金18nmとした
以外は、実施例６と同様に光記録媒体を作製し、実施例
１と同様の測定を行なった。
【００４１】 （実施例14） 第１の記録層をＩn 14nm、第２の記録層をＧe19 Ｓb35
Ｔe46 合金20nmとした以外は、実施例１と同様に光記録
媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行なった。
【００４２】
【００４３】（比較例１）第２の記録層を炭素20nmとし
た以外は、実施例１と同様に光記録媒体を作製し、実施
例１と同様の測定を行なった。しかし、４〜13.5mWのい
ずれの記録パワーで記録しても再生波形はフラットであ
り、信号を記録することはできなかった。
【００４４】（比較例２）第２の記録層をＡl 20nmとし
た以外は、実施例１と同様に光記録媒体を作製し、実施
例１と同様の測定を行なった。しかし、４〜13.5mWのい
ずれの記録パワーで記録しても再生波形はフラットであ
り、信号を記録することはできなかった。 （比較例３）第２の記録層をＳn 20nmとした以外は、実
施例１と同様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の
測定を行なった。しかし、４〜13.5mWのいずれの記録パ
ワーで記録しても再生波形は振幅が小さく、良好な特性
は得られなかった。
【００４５】（比較例４）第１の記録層をＡl 20nmとし
た以外は、実施例６と同様に光記録媒体を作製し、実施
例１と同様の測定を行なった。しかし、４〜13.5mWのい
ずれの記録パワーで記録しても再生波形はフラットであ
り、信号を記録することはできなかった。 （比較例５）第２の記録層を設けず、記録層をＩn 20nm
単層とした以外は、実施例１と同様に光記録媒体を作製
し、実施例１と同様の測定を行なった。これは穴形成に
よる記録層に保護層を設けた場合の一例である。
【００４６】（比較例６）紫外線硬化型樹脂の保護層を
設けず、Ｉn 記録層を露出させた以外は、比較例５と同
様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行な
った。これは穴形成による記録層の一例である。 （比較例７）記録層をＴe 20nmとした以外は比較例５と
同様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行
なった。これは最も代表的な穴形成による記録層に保護
層を設けた場合の一例である。
【００４７】（比較例８）紫外線硬化型樹脂の保護層を
設けず、Ｔe 記録層を露出させた以外は、比較例５と同
様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行な
った。これは最も代表的な穴形成による記録層の一例で
ある。 （比較例９）第１の記録層をＩn13 Ｓb50 Ｔe37 合金20
nm、第２の記録層をＡl 20nmとした以外は、実施例１と
同様に光記録媒体を作製し、実施例１と同様の測定を行
なった。これは相変化を利用した記録層の一例で、この
場合、記録後の反射率が記録前の反射率より高くなる、
いわゆる "low to high"記録が行われた。
【００４８】上記の実施例および比較例で測定された、
記録前の案内溝部分の反射率（未記録反射率）、記録パ
ワー、および11T 信号の変調度（Ｉ11／Ｉtop ）を、表
１にまとめて示す。Ｉ11／Ｉtop は再生信号の最大振幅
を再生信号の最大電圧で割った値である。
【００４９】
【表１】
【００５０】 実施例１〜実施例９では、いずれも65％
を越える高い記録前反射率と 0.7を越える高い変調度
（記録前後の高い反射率変化）が得られている。また、
実施例10〜実施例 14でも、反射率はやや低いものの 0.7
を越える変調度が得られ、かつ比較的低いパワーで記録
が行なえており、光記録媒体として優れた性能が得られ
ている。
【００５１】一方、比較例１〜比較例３は、第２の記録
層に５Ｂ族および６Ｂ族に属する元素を含まない場合の
例で、いずれも記録前の高い反射率は得られたが、記録
前後の反射率変化は、小さいかほとんど変化しないとい
う結果だった。また、比較例４は第１の記録層にＩn 以
外の材料を用いた場合の例で、記録が行なえなかったか
記録前後の反射率変化がほとんどないという結果であっ
た。
【００５２】比較例５〜比較例８は、穴形成による記録
層に、保護膜を形成した場合と保護膜を形成しない場合
の例で、保護膜を形成しない場合には高い変調度が得ら
れているが、保護層を形成すると変調度が大幅に低下
し、しかも記録パワーを高くしなければ記録が行われな
くなった。比較例９は、相変化を利用した記録層の一例
で、記録前反射率、変調度とも本発明品より低い値であ
った。
【００５３】
【発明の効果】上述したように、請求項１に係る発明に
よれば、記録前は第１の記録層のＩnによる高い反射率
を有する一方、記録用光ビームの照射された部位では、
第１の記録層と第２の記録層とが合金を形成して反射率
が低下することにより、記録の前後で十分高い変調度を
得ることができるという効果がある。
【００５４】また、高い反射率により、ＣＤ−ＲＯＭド
ライブやＣＤプレーヤーとの再生互換性を有するため、
利用範囲を拡大することができるという効果もある。さ
らに、第１の記録層および第２の記録層はいずれも無機
物固体で形成されており、十分な硬度を有するので、光
記録媒体全体の機械的強度を保つことができるという効
果もある。
【００５５】また、請求項２〜請求項６に係る発明によ
れば、第１の記録層および第２の記録層の材料を最適化
することで、安定して高い変調度が得られ、情報信号の
高品質な記録・再生ができるという効果がある。また、
請求項７〜請求項８に係る発明によれば、第１の記録層
および第２の記録層の膜厚を最適化することで、高い反
射率を確保しつつ、比較的低いパワーの光ビームで確実
に情報信号を記録できるという効果がある。
【００５６】また、請求項９に係る発明によれば、第２
の記録層上に保護層を積層して設けることで、高い耐久
性を有する片面記録方式の光記録媒体を容易かつ安価に
形成することができるという効果がある。また、請求項
10に係る発明によれば、さらに上部基板を積層した構成
とすることで、より機械的強度の高い片面記録方式の光
記録媒体を形成することができるという効果がある。
【００５７】また、請求項11に係る発明によれば、記録
できる容量が大きい両面記録方式の光記録媒体を容易に
形成できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の光記録媒体の構成例を示す断面図
【図２】 本発明の光記録媒体の他の構成例を示す断面
図
【図３】 本発明の光記録媒体のさらに他の構成例を示
す断面図
【図４】 記録用光ビームのパルスストラテジの一例を
示す図
【符号の説明】
１、11、12 光記録媒体 ２ 基板 ３ 第１の記録層 ４ 第２の記録層 ５ 保護層 ６、８ 接着層 ７ 上部基板 Ｐｗ 記録パワー Ｐｂ ボトムパワー
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−31108（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−205181（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−190734（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−342632（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−160036（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−262685（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−168144（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−298726（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 511

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】記録用光ビームおよび再生用光ビームに対
    して略透明な基板と、 該基板上に積層され、Ｉn を主成分とする金属からなる
    第１の記録層と、 該第１の記録層上に積層され、元素周期表の５Ｂ族また
    は６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素を含む、酸化
    物以外の金属あるいは非金属からなり、前記基板側から
    の光ビーム照射による加熱で、前記第１の記録層と合金
    を形成することにより情報信号を記録する第２の記録層
    と、を含んで構成される光記録媒体。
  2. 【請求項２】前記第２の記録層が含む元素周期表の５Ｂ
    族または６Ｂ族に属する少なくとも１種類の元素は、Ａ
    s 、Ｓe 、Ｓb 、Ｔe 、Ｂi から選ばれる請求項１に記
    載の光記録媒体。
  3. 【請求項３】前記第２の記録層は、Ｉn 、Ｓb およびＴ
    e を含む請求項２に記載の光記録媒体。
  4. 【請求項４】前記第２の記録層は、Ｓb を主成分とする
    請求項１に記載の光記録媒体。
  5. 【請求項５】前記第２の記録層は、Ｔe を主成分とする
    請求項１に記載の光記録媒体。
  6. 【請求項６】前記第２の記録層は、Ｂi を主成分とする
    請求項１に記載の光記録媒体。
  7. 【請求項７】前記第１の記録層の膜厚が、５nm〜50nmの
    範囲にある請求項１〜請求項６のいずれか１つに記載の
    光記録媒体。
  8. 【請求項８】前記第２の記録層の膜厚が、５nm〜 200nm
    の範囲にある請求項１〜請求項７のいずれか１つに記載
    の光記録媒体。
  9. 【請求項９】前記第２の記録層上に積層した保護膜を有
    する請求項１〜請求項８のいずれか１つに記載の光記録
    媒体。
  10. 【請求項10】前記基板と前記第１の記録層と前記第２の
    記録層とを含んで構成される組の、前記第２の記録層側
    に、接着層を介して積層した上部基板を有する請求項１
    〜請求項９のいずれか１つに記載の光記録媒体。
  11. 【請求項11】前記基板と前記第１の記録層と前記第２の
    記録層とを含んで構成される組を２組有し、各組の前記
    第２の記録層側を対向させ、接着層を介して一体に形成
    した請求項１〜請求項９のいずれか１つに記載の光記録
    媒体。
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