JP6781679B2 - 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
当該記録層1は、W(タングステン)酸化物及びCo(コバルト)酸化物を含有する。また、当該記録層1は、全金属原子に対するCo原子の含有量が10原子%超70原子%以下である。なお、W酸化物及びCo酸化物は、O(酸素)のみと構成される酸化物の他、当該記録層1に含まれる他の元素との複合酸化物であってもよい。
当該記録層1は、例えばスパッタリング法によって形成することができる。スパッタリング法によれば、ディスク面内での層厚分布の均一化を図りやすい。特に、当該記録層1の生産性や面内均一性、厚さ制御を容易かつ確実に行うことができる点から、焼結体ターゲットを用いてアルゴン及び酸素の混合ガスを導入してスパッタリングを行う反応性スパッタリング法を用いることが好ましい。
上記スパッタリング法で用いるスパッタリングターゲットとしては、W酸化物又は金属W粉末と、Co酸化物又は金属Co粉末とを混合し焼結させたものを用いることができる。また、上記スパッタリングターゲットは、In酸化物又は金属In粉末、Zn酸化物又は金属Zn粉末、或いはCu酸化物又は金属Cu粉末をさらに含有していてもよく、Ag酸化物又は金属Ag粉末をさらに含有していてもよい。また、上記スパッタリングターゲットに含まれる全金属原子に対するCo原子の含有量としては、10原子%超70原子%以下が好ましい。なお、上記スパッタリングターゲットは、必要に応じて上述のIn酸化物、Zn酸化物、Cu酸化物及びAg酸化物以外の金属酸化物を含有していてもよく、上述の金属In粉末、金属Zn粉末、金属Cu粉末及び金属Ag粉末以外の金属粉末を含有していてもよい。但し、上記スパッタリングターゲットは、必要に応じて含有される金属酸化物及び金属粉末以外は不可避的不純物を除いて含有しないことが好ましい。
当該光情報記録媒体は、上述のように当該記録層1と、当該記録層1の表面側に積層される光透過層2と、当該記録層1の裏面側に積層される基板3とを備える。当該光情報記録媒体は、誘電体層及び反射層を有しないことが好ましい。具体的には、当該光情報記録媒体は、当該記録層1に誘電体層が積層されていないことが好ましく、また当該記録層1のレーザー照射面の反対側の面に反射層が積層されていないことが好ましい。当該光情報記録媒体は、当該記録層1の変調度が十分に高いので、必ずしも誘電体層及び反射層を配設することを要しない。当該光情報記録媒体は、誘電体層及び/又は反射層が積層されていないことによって、全体の層数を少なくすることで生産性を高めることができる。
直径12cm、厚さ1.1mm、トラックピッチ0.32μm、溝深さ25nmのポリカーボネート基板を用い、この基板上にマグネトロンスパッタリング法により表1に示す組成の記録層を形成した。記録層の平均厚さは40nmとした。なお、上記記録層の両面には保護層として平均厚さ10nmのIn酸化物層を形成した。上記記録層を形成するスパッタリングターゲットとしては、W酸化物ターゲット及びCo酸化物ターゲット(並びに他の選択的金属酸化物ターゲット)を用い、同時放電による多元スパッタリングによって上記記録層を形成した。
上述の手順で作製した光ディスクの反射率、記録パワー(記録レーザーパワー)、ジッター値及び変調度を以下の方法で測定及び評価した。
反射率[%]は、光ディスク評価装置(パルステック工業社製の「ODU−1000」)を用い、記録レーザー中心波長は405nmとし、NA(開口数)0.85のレンズを用い、レーザーをトラック上に照射し、光ディスクにおける未記録部分のレーザー光の戻り光強度によって求めた。この測定結果を表1に示す。
加速環境試験として、温度80℃、相対湿度85%の環境下に96時間保持し、試験後の反射率を上記と同様に測定した。この加速環境試験前後の反射率の変化率を以下の基準で評価した。この評価結果を表1に示す。
A:加速環境試験前後の反射率の変化率が−10%以上10%以下
B:加速環境試験前後の反射率の変化率が−10%未満又は10%超
上記光ディスク評価装置を用いて、線速4.92m/s、基準クロック66MHzの条件で、2Tから8Tのランダム信号を種々の記録パワーで記録した。続いて、テクトロニクス社製のタイムインターバルアナライザ「TA−810」を用い、ジッター値[%](再生レーザーパワー0.3mWでの記録再生時の再生信号の時間軸上のゆらぎを示す値)を測定した。さらに、ジッター値が最小となる記録パワーでの変調度[%](反射率の変化率)を下記式に基づいて算出した。
変調度=(未記録部分の反射率−記録部分の反射率)/未記録部分の反射率
この測定結果を表1に示す。
A:ジッター値が7%以下、かつ変調度が45%以上
B:ジッター値が7%超10%以下、又はジッター値が7%以下かつ変調度が45%未満
C:ジッター値が10%超
上記ジッター値が最小となる記録パワーを本実施例における記録パワー[mW]とした。この測定結果を表1に示す。なお、表1における、「−」は、評価装置のトラッキングにかかわらず測定できなかったことを意味する。
表1に示すように、記録層がW酸化物及びCo酸化物を含有し、全金属原子に対するCo原子の含有量が10原子%超70原子%以下であるNo.3〜5、No.7〜10は、ジッター値に優れ、実用的な記録レーザーパワーでの記録感度に優れていると共に、反射特性も良好である。特に、Agの含有量が十分に調整されているNo.3〜5、No.7,9,10は、変調度にも優れており、より品質が高められている。
2 光透過層
3 基板
3a 溝
Claims (11)
- レーザー光の照射によって記録が行われる光情報記録媒体用記録層であって、
タングステン酸化物及びコバルト酸化物を含有し、
全金属原子に対するコバルト原子の含有量が40原子%以上70原子%以下であり、
インジウム酸化物及び銅酸化物をさらに含有し、
全金属原子に対するインジウム原子の含有量が15原子%以上、かつ全金属原子に対する銅原子の含有量が30原子%以上である記録層。
- 亜鉛酸化物をさらに含有する請求項1に記載の記録層。
- 銀酸化物をさらに含有し、
全金属原子に対する銀原子の含有量が20原子%以下である請求項1又は請求項2に記載の記録層。 - レーザー光の照射によって気泡を生成する請求項1、請求項2又は請求項3に記載の記録層。
- 平均厚さが5nm以上60nm以下である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の記録層。
- 請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の記録層を備える光情報記録媒体。
- 上記記録層のレーザー照射面の反対側の面に反射層が積層されていない請求項6に記載の光情報記録媒体。
- 誘電体層が積層されていない請求項6又は請求項7に記載の光情報記録媒体。
- レーザー光の照射によって記録が行われる光情報記録媒体用記録層をスパッタリングにより形成するためのスパッタリングターゲットであって、
タングステン及びコバルトを含有し、
全金属原子に対するコバルト原子の含有量が40原子%超70原子%以下であり、
インジウム酸化物及び銅酸化物をさらに含有し、
全金属原子に対するインジウム原子の含有量が15原子%以上、
全金属原子に対する銅原子の含有量が30原子%以上であるスパッタリングターゲット。
- 亜鉛をさらに含有する請求項9に記載のスパッタリングターゲット。
- 銀をさらに含有し、
全金属原子に対する銀原子の含有量が20原子%以下である請求項9又は請求項10に記載のスパッタリングターゲット。
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