TWI449039B

TWI449039B - A recording layer for optical information recording medium, and an optical information recording medium

Info

Publication number: TWI449039B
Application number: TW100145749A
Authority: TW
Inventors: Yuki Tauchi; Yoko Shida
Original assignee: Kobe Steel Ltd
Priority date: 2010-12-28
Filing date: 2011-12-12
Publication date: 2014-08-11
Also published as: CN102568503B; JP5346915B2; CN102568503A; JP2012139876A; TW201232533A

Description

光學資訊記錄媒體用記錄層，及光學資訊記錄媒體

本發明涉及光資訊記錄媒體用記錄層和光資訊記錄媒體。

光資訊記錄媒體(光碟)由CD、DVD、BD這樣的光碟代表，根據記錄再生方式，被大致區分為唯讀型、單次寫入型、重寫型三類。其中，單次寫入型的光碟的記錄方式，主要被大致區分為如下方式：使記錄層產生相變的相變方式；使多個記錄層產生反應的層間反應方式；使構成記錄層的化合物產生分解的分解方式；使記錄層上局部性地形成孔和凹坑等的記錄標記的開孔方式。

在前述相變方式中，作為記錄層的材料提出的是，利用了基於記錄層的結晶化造成光學特性變化的材料。例如在專利文獻1中，提出了含有Te-O-M(M為從金屬元素、半金屬元素和半導體元素中選出的至少一種元素)的記錄層，在專利文獻2中，提出了含有Sb和Te的記錄層。

作為前述層間反應方式的光資訊記錄媒體的記錄層，例如在專利文獻3中提出有一種記錄層，其使第一記錄層由含有In-O-(Ni、Mn、Mo)的合金構成，並且使第二記錄層由含有Se和/或Te元素、O(氧)、以及從Ti、Pd、Zr之中選出的一個元素的合金構成。另外在專利文獻4中提出，第一記錄層含有以In為主成分的金屬，第二記錄層含有屬於5B或6B族元素的至少一種元素，層疊氧化物以外的金屬或非金屬，通過加熱帶來的反應或合金化進行記錄。

作為分解構成前述記錄層的化合物的分解方式的記錄層，例如在專利文獻5中，公開了以氮化物為主成分的記錄層，其研究的是，通過加熱來分解該氮化物，從而進行記錄的材料和有機色素材料。

作為前述開孔方式的記錄層，研究了由低熔點金屬材料構成的記錄層。例如在專利文獻6中，提出有一種由在Sn合金中添加有3B族、4B族、5B族的元素的合金構成的記錄層。另外在專利文獻7中，提出有一種由Sn基合金構成的記錄層，該Sn基合金在1～50原子%的範圍內含有Ni和/或Co。此外在專利文獻8中公開有一種由In合金構成的記錄層，該In合金含有20～65原子%的Co，其中還含有從Sn、Bi、Ge、Si中選出的一種以上的元素19原子%以下。另外在專利文獻9中公開有一種記錄層，其由Pd、Ag、O構成，該Pd、Ag、O的原子數的比率被控制在規定範圍內。

[專利文獻1]特開2005-135568號公報

[專利文獻2]特開2003-331461號公報

[專利文獻3]特開2003-326848號公報

[專利文獻4]日本專利第3499724號公報

[專利文獻5]國際公開第2003/101750號手冊

[專利文獻6]特開2002-225433號公報

［專利文獻7〕特開2007-196683號公報

［專利文獻8〕日本專利第4110194號公報

〔專利文獻9〕特開2005-238516號公報

在光資訊記錄媒體所要求的需求特性中，要求的有：通過寫入鐳射的入射，具有可充分再生記錄訊號的訊號振幅(高調變度)；訊號強度高(高C/N比)；難以產生劣化和環境劣化的高耐久性。C/N比是載波雜訊比(Carrier to Noise ratio)的意思，讀取時的訊號和背景的噪音輸出級別的比。

作為上述現有技術所公開的記錄材料，以記錄材料單體難以滿足這些要求。

在相變方式中，記錄層單獨的反射率低，所以應該提高光碟狀態下的反射率，需要反射膜，並且為了增加調製度，需要在記錄層的上下設置ZnS-SiO₂ 等介電體層(介電質膜)，構成光碟的層數增多，生產率差。由於層間反應方式也需要多層記錄層，因此構成光碟的層數增多，生產率差。

在分解方式中，作為記錄層，使用有機色素材料的光資訊記錄媒體被廣泛使用，但是，因為難以吸收藍色鐳射和藍紫色鐳射這樣短波長(400nm附近)的可見光線，所以得不到良好的記錄資訊，不能提高記錄密度。另外，使用了有機色素材料的光資訊記錄媒體，抑制日光等的光造成的劣化和長期保存造成的劣化有困難。

相對於此，前述開孔方式，因為記錄層自身的反射率高，並且也能夠確保大的調變度，所以能夠降低構成光碟的層數，但要達成更高的記錄靈敏度時，還需要進一步研究。

本發明鑒於這種情況而做，其目的在於，提供一種既能夠降低光碟的層數，又滿足上述要求特性，能夠提高光資訊記錄媒體的生產率的光資訊記錄媒體用記錄層，和具有該記錄層的光資訊記錄媒體。

能夠解決上述課題的本發明，是光資訊記錄媒體用記錄層，即通過鐳射的照射而進行記錄的非晶質之記錄層，其具有如下要旨：含有Mn氧化物，在構成前述記錄層中所含氧化物的全部金屬元素中所占的Mn的原子比為80原子%以下，並且不含金屬Mn。

此外，也優選的實施方式是，還含有從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物。

本發明還包括光資訊記錄媒體，其特徵在於，具有前述光資訊記錄媒體用記錄層。

此外，本發明的優選實施方式，是一種光資訊記錄媒體，其在前述光資訊記錄媒體用記錄層之上和/或之下，層疊有介電體層。

本發明的前述光記錄資訊媒體，優選不含金屬層。

另外優選的實施方式為，前述光資訊記錄媒體，具有多層前述光資訊記錄媒體用記錄層，並在多層光資訊記錄媒體用記錄層的層間具有透明中間層。

根據本發明，能夠提高實用性的記錄鐳射功率下的記錄靈敏度優異的光資訊記錄媒體用記錄層(特別是單次寫入型光資訊記錄媒體用記錄層)，和具有該記錄層的光資訊記錄媒體(特別是單次寫入型光資訊記錄媒體)。

還有，在本說明書中，所謂“記錄靈敏度優異”，如後述的實施例一欄中所詳述的，意思是，通過對記錄層照射鐳射(寫入鐳射)，即使是比較低的記錄鐳射功率，大致5～15mW，也能夠實現高C/N比和高調變度。

本發明者們，為了實現通過寫入鐳射的照射，記錄靈敏度優異的單次寫入型光資訊記錄媒體用記錄層而進行了銳意研究。其結果發現，如果使用的記錄層，其含有與現有的記錄層不同的材料，即，其是含有Mn氧化物的記錄層，或是優選含有Mn氧化物，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物的記錄層，則能夠達成預期的目的。若對上述記錄層照射鐳射，則Mn氧化物被鐳射加熱分解，放出氧(O₂ 氣)，在被鐳射照射的部分生成氣泡。其結果是，膜形狀變化，標記形成。如果採用這樣的伴隨著鐳射照射而來的氣泡生成的不可逆的記錄方式，則發現記錄靈敏度比以往提高，從而完成了本發明。

在本發明的記錄層進行的記錄方式中，鐳射照射前的記錄層的構造為非晶質，在鐳射照射後也是非晶質，這一點與相變方式不同，相變方式利用的是，非晶質通過鐳射照射而變成結晶。

作為本發明的記錄層記錄靈敏度優異的理由被認為是，在通過鐳射照射而發生氣泡，進行標記形成的部分，與沒有發生氣泡的部分(即，未形成標記的部分)相比，透射率增加(即反射率降低)，從而能夠增大調變度。

另外，如本發明通過在記錄層中含有Mn氧化物，與不含Mn氧化物的記錄層相比，能夠加大膜的光吸收率，因此能夠將寫入光的鐳射的能量高效率地轉換成熱能。此外在本發明中，在構成記錄層所含的氧化物的全部金屬元素(優選為Mn和從In、Zn、Sn和Cu構成的群中選出的至少一種元素)中，因為適當控制著其中所占的Mn量的比(原子比)，所以能夠控制記錄所需要的鐳射功率。其結果是，根據本發明，在實用的記錄鐳射的功率(大致5～15mW)，上述氧化Mn的分解被促進，能夠使記錄靈感度提高。

還有，本發明的記錄層不含金屬Mn。這是由於，若金屬Mn包含在記錄層中，則金屬Mn的氧化和分解進行，耐久性降低。因此，本發明的記錄層不含金屬Mn，從而能夠抑制記錄層因環境劣化造成的長期可靠性降低。根據本發明者們的研究結果，因為適當控制了上述Mn量的比(原子比)，所以如後述的實施例所示，能夠得到良好的特性。

以下，詳細說明本發明的記錄層的結構。在本說明書中，為了說明的方便，有將從In、Zn、Sn和Cu構成群出選出的至少一種元素稱為X群元素的情況。

如前述，本發明的記錄層，是通過鐳射的照射進行記錄的記錄層，其特徵在於，含有Mn氧化物。優選的本發明的記錄層，含有Mn氧化物，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物。如上述在記錄層中，不含金屬Mn。

本發明的記錄層含有Mn氧化物，只要Mn氧化物的形態是通常存在的形態，則沒有特別限定。作為Mn氧化物，除了MnO、Mn₃ O₄ 、Mn₂ O₃ 、MnO₂ 等這樣由Mn和氧(O)構成的氧化物以外，還可以列舉與上述記錄層中所含的其他元素(X群元素=In、Zn、Sn和Cu的至少一種)的複合氧化物(X-Mnx-Oy)。

在本發明的記錄層中，含有上述Mn氧化物，並且需要Mn在構成記錄層所含的氧化物的全部金屬元素中所占的原子比為80原子%以下。若Mn被含有超過80原子%，則通過鐳射照射無法良好地形成氣泡，得不到記錄信號。

本發明的記錄層，除了Mn氧化物以外，也可以含有從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物。這些氧化物在膜折射率的控制和記錄靈敏度(調製度和C/N比)的控制上有用。In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物的形態也是通常存在的形態，沒有特別限定，例如對於In氧化物來說，可例示In₂ O₃ 等，Zn氧化物可例示ZnO等，Sn氧化物可例示SnO或SnO₂ 等，Cu氧化物可例示CuO、Cu₂ O等。在本發明中，含有上述氧化物的至少一種即可，可以分別單獨含有In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物，也可以含有兩種以上的氧化物。其中優選的氧化物是In氧化物。

還有，記錄層中含有上述選擇氧化物，即In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物時，優選不含它們的金屬元素(即，金屬In、金屬Zn、金屬Sn、金屬Cu)。這是因為，這些金屬元素會從其他氧化物奪取氧而發生氧化，在這樣的情況下，會對記錄層的特性造成影響。

為了得到記錄靈敏度優異的記錄層，優選在構成形成本發明的記錄層的氧化物(Mn氧化物，和優選從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物)的金屬元素(Mn和X群元素)中所占的Mn量的原子比(由下式表示，以下有簡稱為“Mn比”的情況)為10原子%以上。

Mn量(原子%)={[Mn]/([Mn]+[In]+[Zn]+[Sn]+[Cu])}×100

式中，[Mn]、[In]、[Zn]、[Sn]和[Cu]意思分別是，在本發明的記錄層中所含的Mn量(原子%)、In量(原子%)、Zn量(原子%)、Sn量(原子%)、Cu量(原子%)。

還有，記錄層中不含In、Zn、Sn、Cu時，分別作為0原子%計算。

在此，若Mn低於10原子%，則鐳射照射時分解的氧化Mn少，因此放出的氧量不充分，生成的氣泡變少，結果是訊號強度(C/N比)變小。另外在記錄層存在2層以上的多層光碟中，距鐳射入射面最遠的記錄層要求有一定程度的透射率。若Mn比低於10原子%，則記錄層的光吸收率也變小，因此記錄所需要的鐳射功率變大，不為優選。Mn比優選為10原子%以上，更優選為12原子%以上，進一步優選為15原子%以上。

可是，若氧化Mn多，則調變度變小，因此Mn比為80原子%以下，優選為70原子%以下，更優選為60原子%以下。

本發明的記錄層，如上述含有Mn氧化物，並可含有在製作時不可避免混入的不可避免的雜質。另外優選本發明的記錄層含有Mn氧化物，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物，並可含有在製作時不可避免混入的不可避免的雜質。

上述記錄層的優選的膜厚，在記錄層之上和/或之下插入介電體層等其他層的情況，和沒有這些其他層的情況是不同的。雖然根據光資訊記錄媒體的構造也有所不同，但主要在單層使用記錄層時(不設介電體層時)，優選使記錄層的膜厚為10～60nm。若記錄層的膜厚過薄，則分解的Mn量變少，因此難以獲得記錄帶來的充分的反射率變化。更優選為20nm以上，特別優選為30nm以上。另一方面，若記錄層的膜厚過厚，則膜的形成花費時間，生產率降低，並且記錄所需要的鐳射功率變大。更優選為50nm以下，進一步優選為45nm以下。另外，在記錄層之上和/或之下設置介電體層時，優選使記錄層的膜厚為2～50nm，更優選為3nm以上，進一步優選為5nm以上，再更進一步優選為10nm以上，更優選為40nm以下，進一步優選為15nm以下。

本發明的記錄層如上述，含有Mn氧化物(特定的比例的Mn)，優選含有Mn氧化物，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物，但為了得到這樣的形態的記錄層，優選以濺射法形成記錄層。根據濺射法，還能夠確保碟片面內的膜厚分佈均勻性，因此優選。

為了以濺射法形成含有上述氧化物的記錄層，進行反應性濺射，作為濺射條件，優選調整氣體流量而進行。特別是優選使氧流量對於Ar(氬)流量的比為0.5倍以上，更優選為1.0倍以上。另外，氧流量對於Ar流量的比優選為5.0倍以下。濺射法的其他條件沒有特別限定，能夠採用通用的方法，將氣壓控制在例如0.1～1.0Pa的範圍，將濺射電子控制在例如0.5～20W/cm² 的範圍。

作為前述濺射法中使用的濺射靶材(以下僅稱為“靶材”)，可列舉含有Mn氧化物，餘量是不可避免的雜質的靶材。

優選的靶材為，(A)含有Mn氧化物，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物，餘量為不可避免的雜質。或者也可以使用(B)含有Mn金屬靶材，和從In、Zn、Sn和Cu構成的群中選出的至少一種元素的金屬靶材來替代上述(A)的靶材，使它們同時放電而進行多元濺射。此外也可以使用(C)金屬和氧化物混合靶材。金屬元素通過導入氧而成為氧化物。

也能夠使用如下濺射靶材，即，相對於上述(A)～(C)的濺射靶材所含的Mn原子，和從In原子、Zn原子、Sn原子和Cu原子構成的群中選出的至少一種原子(實際含有的原子)的合計，Mn原子的比率為10～80原子%。

還有，作為上述(A)和(C)的濺射靶材，特別是將Mn的金屬粉末或Mn氧化物的粉末，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物或金屬的粉末進行混合，使之燒結，使用這樣的濺射靶材，在生產率和所形成的薄膜的組成的面內均勻性和厚度控制的點上優選。在上述濺射靶材的製造時，儘管微量，但還是有雜質混入濺射靶材中。但是，本發明的濺射靶材的成分組成，沒有規定至這些不可避免混入的微量成分，只要不阻礙本發明的上述特性，這些不可避免的雜質的微量混入是被允許的。

本發明的光資訊記錄媒體，具有的特徵是具備上述記錄層這一點，利用Mn的氧化物分解而發生的O₂ 氣體的效果來形成標記。

在本發明中，上述記錄層以外的構成沒有特別限定，能夠採用光資訊記錄媒體的領域中公知的構成。

本發明的光資訊記錄媒體，具有上述記錄層，還在記錄層之上和/或之下(至少單面)層疊有介電體層，由此，能夠省略以往為了提高反射率所需要的金屬層(Ag、Au、Cu、Al、Ni、Cr、Ti等的金屬層和其合金層)的形成。如上述本發明的記錄層，具有高反射率、變化率，因此即使不特別設置反射層，也可以充分地進行訊號再生。

另外，通過在記錄層之上和/或之下設置介電體層，能夠提高訊號強度，能夠進一步改善訊號特性。這是由於，防止了因鐳射照射導致記錄層分解而發生的氧的逃散，從而能夠降低反射率的降低，能夠確保作為記錄層所需要的反射率。

作為上述介電體層的種類可列舉公知的，可例示例如Si、Al、In、Zn、Zr、Ti、Nb、Ta、Cr、Sn等的氧化物；Si、Al、In、Ge、Cr、Nb、Mo、Ti等的氮化物；Zn硫化物；Cr、Si、Al、Ti、Zr、Ta等的碳化物；Mg、Ca、La等的氟化物；或其混合物等。若考慮生產率和記錄靈敏度的提高等，則優選使用In₂ O₃ 。

上述介電體層的膜厚，優選大致為2～30nm。若介電體層的膜厚過薄，則發生的O₂ 氣體的覆蓋性不充分，記錄靈敏度降低。另一方面，若介電體層的膜厚過厚，則由於光的干涉，導致作為層疊膜(記錄層+介電體層)整體吸收降低，因此需要的寫入鐳射功率變高，並且標記形成時的形態變化(氣泡的生成)難以發生，因此記錄靈敏度降低。若考慮這樣的情況，則將介電體層設於記錄層的下層(鐳射非入射側)時的優選的膜厚為3～15nm，設於記錄層的上層(鐳射入射側)時的優選的膜厚大致為2～30nm。

另外，作為光資訊記錄媒體(光碟)，其構造可列舉為，在刻有鐳射的引導用的凹槽的基板上層疊記錄層，再在其上層疊透光層。

例如，作為前述基板的原材，可列舉聚碳酸酯樹脂、降冰片烯系樹脂、環烯烴系共聚物、非晶聚烯烴等。另外，作為前述光透過層可以使用聚碳酸酯或紫外線硬化樹脂。作為透光層的材質，優選對於進行記錄再生的鐳射具有高透射率，光吸收率小。前述基板的厚度可列舉例如0.5～1.2mm。另外前述透光層的厚度可列舉例如0.1～1.2mm。

本發明的記錄層記錄特性優異，但為了記錄層的耐久性提高或記錄特性的進一步提高，也可以在記錄層的上層和/或下層，設置氧化物層、氮化物層、硫化物層等。通過層疊這些層，能夠改善記錄層的耐久性，並且能夠進一步提高記錄特性。

還有，上述顯示的是記錄層和透光層分別各形成1層的1層光碟，但並不限定於此，也可以是記錄層和透光層多層層疊的2層以上的光碟。

前述2層以上的光碟的情況下，由記錄層和根據需要層疊的光學調節層以及介電體層所構成的記錄層群與其他記錄層群之間，也可以具有例如由紫外線硬化樹脂或聚碳酸酯等透明樹脂等構成的透明中間層。通過設置透明中間層，能夠為了多層記錄而在縱深方向會聚鐳射的焦點。

本發明的特徵在於，採用前述的記錄層，優選的記錄層之上和/或之下設置有介電體層的層疊膜這一點，所述記錄層以外的基板和透光層，還有透明中間層等的形成方法沒有特別限定，以通常進行的方法形成來製造光資訊記錄媒體即可。

作為光資訊記錄媒體，可列舉CD、DVD或BD，作為具體例，例如可列舉BD-R，其可以將波長約380nm至450nm，優選約405nm的藍色鐳射照射到記錄層上，進行資料的記錄和再生。

[實施例]

以下，列舉實施例更具體地說明本發明，但本發明當然不受下述實施例限制，在不脫離前後述的宗旨的範圍內也可以適宜加以變更實施，這些均包含在本發明的技術範圍內。

在本實施例中，使用的記錄層由如下構成：Mn氧化物，和從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種，調查記錄層所含的Mn元素的比率和X群元素的組合對記錄特性等造成的影響。

(1)光碟的製作

本實施例中使用的光碟的構成概略模式圖顯示在圖1中。如圖1所示，光碟具有在聚碳酸酯基板1之上按順序層疊如下層的構造：介電體層2；含Mn氧化物的記錄層3；介電體層4；透光層5。

上述光碟的製作方法如下。

作為碟片基板，使用聚碳酸酯基板1(厚度：1.1mm，直徑：120mm，磁軌間距：0.32μm，凹槽深度：約25nm)，在基板1上，通過DC磁控管濺射法，依次形成表1記述的下側介電體層2、如表1所示Mn比不同的記錄層3、表1記述的上側介電體層4。記錄層3的膜厚為40nm，記錄層之上/之下分別層疊的介電體層2、4的厚度，上/下均為10nm。

用於記錄層形成的濺射，以如下方式進行。這時的濺射條件為，Ar流量：10sccm，並且氧流量：10sccm，氣壓：0.2Pa，DC濺射功率：100～200W，基板溫度：室溫。

表1的No.1、2中使用純Mn靶材。

表1的No.3～7中，利用純Mn和純Cu這兩種元素的靶材，通過多元濺射成膜，由此使Mn比變化。同樣在表1的No.8～12、15、16中，利用純Mn和純In這兩種元素的靶材，No.13中利用純Mn和純Sn這兩種元素的靶材，No.14中利用純Mn和純Zn這兩種元素的靶材。

在介電體層2、4中，使用濺射靶材，Ar流量：10sccm，並且氧流量：10sccm，氣壓：0.2Pa，DC濺射功率：100～200W，基板溫度：室溫，形成表1的成分組成的介電體層(濺射靶材是表1的成分組成的公知的濺射靶材，No.2、4～14是In₂ O₃ ，No.15是SnO₂ ，No.16是ZnO₂ )。

接著，在介電體層4上旋塗紫外線硬化性樹脂(日本化藥社制“BRD-864”)後，照射紫外線而形成膜厚約0.1mm的透光層，得到光碟。

記錄層的成分組成，以上述同樣的條件形成記錄層的單層膜(沒有介電體層)，使用ICP發光分析法對於該記錄層單層膜進行分析。

(XPS分析)

對於表1的各試料，通過XPS法，分析記錄層中所含的Mn和In、Zn、Sn、Cu等的狀態。具體來說，使用physical Electronics社製X射線光電子能譜儀Quantera SXM，實施基於最表面的廣域光電子能譜的定性分析。其後，通過Ar濺射從表面向深度方向進行蝕刻，在每個固定深度測量膜的構成元素和在最表面檢測到的元素的狹域光電子能譜。根據在各深度得到的狹域光電子能譜的面積強度比和相對靈敏度係數，計算深度方向組成分佈(原子%)。另外，根據各元素的混合能譜(montage spectrum)的峰值位置推定結合狀態。其結果是，在No.3～16的各試料中，未確認到記錄層中有Mn和X群原子作為金屬存在(記錄層3除了No.1、2全部含有Mn氧化物，不含金屬Mn，此外No.3～16含有X群元素的氧化物)。

對於介電體層2、4也進行上述同樣的分析。

(2)光碟的評價

以如下方式評價製作的光碟的初期記錄特性(記錄鐳射的功率、C/N比、調變度)。

首先，使用PULSTEC工業社製“ODU-1000”的光碟評價裝置(記錄鐳射中心波長：405nm、NA(數值孔徑)：0.85)，照射再生/記錄鐳射，進行光碟的讀取、記錄。線速度作為4.92m/s進行評價。

關於調變度(C/N比成為最大的點的調變度)，使用橫河電機株式會社製數字示波器“DL1640”，測量記錄部分的最大反射率和最小反射率，基於下式進行計算。

調變度(比)=(最大反射率一最小反射率)/(最大反射率)

關於C/N比，使用ADVANTEST社製R3131A譜線分析器，測量能夠得到最高C/N比的記錄功率。詳細地說，就是反復記錄0.60μm的標記(相當於Blu-ray Disk的8T)，測量再生鐳射功率0.3mW下的訊號讀取時的4.12MHz頻率成分的信號強度(載波C/dB)，和其前後的頻率成分的訊號強度(噪音N/dB)，計算C/N比。

這些結果量並顯示在表1中。表1中記述了能夠得到最高C/N比時的記錄鐳射的功率(記錄功率)和該最高C/N比。

在本實施例中，調變度(比)為0.4以上，C/N比為43以上的為記錄靈敏度優異。

由表1能夠進行如下考察。首先，滿足本發明的規定No.4～16的記錄層，調變度和C/N比這兩方面均良好。即，確認到發揮出良好的記錄特性。

No.1、2是記錄層只由金屬Mn(100%)構成的比較例，No.2是在記錄的上下設有介電體層的例子。於是No.1、2均不能進行記錄，因此不能對於C/N比、調變度進行測量。

另外，No.3是沒有形成介電體層的例子，另一方面，No.4～16是在記錄層的上下形成介電體層的例子。相對於No.3，形成介電體層的No.5中，C/N比提高，調變度也提高4倍左右。因此可知，透過在記錄層上下設置介電體層，能夠得到更高的調變度。其理由被認為是由於，記錄鐳射輸入，Mn氧化物被分解時，通過使介電體層中嵌入發生的O₂ ，形態變化帶來的標記形成變得容易。

另外，記錄層的組成不是Mn氧化物和In氧化物，而是使用Mn氧化物和Sn或Zn的氧化物的記錄層(No.13、14)時，與含有Mn氧化物和In氧化物的記錄層(No.10)也同樣，能夠得到良好的調變度和C/N比。另外，使用Sn氧化物、Zn氧化物的介電體層(No.15、16)時，也與No.10(In氧化物的介電體層)同樣，能夠得到良好的調變度和C/N比。

1．．．基板

2、4．．．介電體層

3．．．記錄層

5．．．透光層

圖1是表示實施例1製作的光資訊記錄媒體的概略的模式圖。

1．．．基板

2、4．．．介電體層

3．．．記錄層

5．．．透光層

Claims

一種光資訊記錄媒體用記錄層，其特徵在於，是通過鐳射的照射進行記錄的非晶質之記錄層，其中，含有Mn氧化物，並不含金屬Mn，並且，構成前述記錄層中所含的氧化物的全部金屬元素中所占的Mn的原子比為80原子%以下。
如申請專利範圍第1項所述的光資訊記錄媒體用記錄層，其中，還含有從In氧化物、Zn氧化物、Sn氧化物和Cu氧化物構成的群中選出的至少一種氧化物。
一種光資訊記錄媒體，其特徵在於，具有申請專利範圍第1項或第2項所述的光資訊記錄媒體用記錄層。
如申請專利範圍第3項所述的光資訊記錄媒體，其中，在前述光資訊記錄媒體用記錄層之上和/或之下層疊有介電體層。
如申請專利範圍第3項或第4項所述的光資訊記錄媒體，其中，前述光記錄資訊媒體不含金屬層。
如申請專利範圍第3項或第4項所述的光資訊記錄媒體，其中，前述光資訊記錄媒體具有多層前述光資訊記錄媒體用記錄層，並且在前述多層光資訊記錄媒體用記錄層的層間具有透明中間層。