JP2005129192A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の記録層を備え、所望のようにデータを記録し、記録したデータを再生することができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】基板11と、基板11上に、第一の中間層12および第二の中間層13を介して、積層された第一の記録層20、第二の記録層30および第三の記録層40を備え、第二の記録層30および第三の記録層40が、いずれも、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素Ｍの単体と、記録用のレーザビームＬが照射されることにより、金属元素Ｍの単体と結合して、金属元素Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘとを、含み、これら第二の記録層30および第三の記録層40が、レーザビームＬの光入射面に近いほど、厚さが薄く形成されていることを特徴とする。
【選択図】図２

Description

本発明は、複数の記録層を有する追記型の光記録媒体に関するものであり、とくに、複数の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができ、かつ、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層にも、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができる光記録媒体に関するものである。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体に要求される記録容量は年々増大し、光記録媒体の記録容量を増大させるために、種々の提案がなされている。

その一つとして、二層の記録層を備えた光記録媒体が提案されており、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて、すでに実用化されている。

このように、二層の記録層を備えた再生専用の光記録媒体は、記録層を構成するプリピットが表面に形成された２枚の基板が、中間層を介して、積層された構造を有している。

また、近年、ユーザによるデータの記録が可能な書き換え型の光記録媒体についても、二層の記録層を備えた光記録媒体が提案されている（特開２００１−２４３６５５号公報参照）。

二層の記録層を備えた書き換え型の光記録媒体においては、記録膜と、記録膜を挟んで形成された誘電体膜（保護膜）とによって記録層が形成され、かかる構造を有する記録層が、中間層を介して、積層されている。

このような二層の記録層を備えた書き換え型の光記録媒体にデータを記録する場合には、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の記録層に合わせ、レーザビームのパワーを再生パワーＰｒよりも十分に高レベルの記録パワーＰｗに設定して、レーザビームを記録層に照射することによって、記録層に含まれている記録膜の相状態を変化させて、記録層の所定の部分に記録マークを形成する。

こうして形成された記録マークは、記録マークが形成されていないブランク領域とは異なる反射率を有するため、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の記録層に合わせ、パワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームを記録層に照射し、記録層からの反射光の光量を検出することによって、記録層に記録されたデータを再生することができる。

このように、二層の記録層が形成された書き換え型光記録媒体においては、レーザビームのフォーカスをいずれか一方の記録層に合わせて、レーザビームをその記録層に照射して、その記録層にデータを記録し、その記録層に記録されたデータが再生されるように構成されているため、光入射面から遠い側の記録層（以下、「第一の記録層」という）に、データを記録し、記録されたデータを再生するときに、光入射面から近い側の記録層（以下、「第二の記録層」という）を介して、第一の記録層に、レーザビームが照射されることになる。

したがって、所望のように、第一の記録層にデータを記録し、第一の記録層に記録されたデータを再生するためには、第二の記録層が、レーザビームに対して、十分に高い光透過率を有していることが必要である。
特開２００１−２４３６５５号公報

その一方で、第二の記録層に記録されたデータを再生したときに、高いＣ／Ｎ比を有する再生信号を得るためには、第二の記録層は、記録マークが形成された領域と、ブランク領域との間の反射率差が十分に大きい材料によって形成されていることが要求される。

同様な問題は、二層の記録層を有する追記型記録媒体においても生じ、第二の記録層には同様の特性が要求されている。

しかしながら、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外のすべての記録層が、レーザビームに対して、十分に高い光透過率を有し、かつ、記録マークが形成された領域と、ブランク領域との間の反射率差が十分に大きい特性を有する三層以上の記録層を備えたユーザによるデータの記録が可能な光記録媒体は開発されていなかった。

したがって、本発明は、複数の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができ、かつ、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層にも、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができる光記録媒体を提供することを目的とするものである。

本発明のかかる目的は、基板と、基板上に、少なくとも中間層を介して、積層された三層以上の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層が、いずれも、、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属Ｍと、記録用のレーザビームが照射されることにより、前記金属Ｍと結合して、前記金属Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘとを、含み、これら記録層が、前記レーザビームの光入射面に近いほど、厚さが薄く形成されていることを特徴とする光記録媒体によって達成される。

レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層は、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層にデータを記録し、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に記録されたデータを再生するときに、レーザビームが透過する層であるから、レーザビームに対して十分な光透過率を有していることが必要である。

その一方で、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層に記録されたデータを再生するときには、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層によって反射され、光入射面から出射したレーザビームのパワーが検出されて、再生信号が生成されるから、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層は、記録されたデータを再生したときに、高いレベルの再生信号を得ることができるのに十分な反射率を有していることが必要である。

本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層を形成した場合には、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層が、いずれも、レーザビームに対して、十分な光透過率を有することが見出されている。

したがって、本発明によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に、データを記録する場合に、レーザビームが、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に到達するまでに、レーザビームのパワーが低下することを最小限に抑制することができるから、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に、所望のように、データを記録することが可能となり、一方、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に記録されたデータを再生する場合にも、レーザビームのパワーが低下することを最小限に抑制することができるから、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能となる。

また、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層を形成した場合には、レーザビームの光入射面から遠い記録層であるほど、レーザビームに対する反射率を高くすることができることが見出されており、したがって、本発明によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層だけでなく、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層からも、データを、所望のように、再生することが可能となる。

本発明の好ましい実施態様においては、前記元素Ｘが、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素である。

Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮは、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素Ｍの単体と高い反応性を有しているため、元素Ｘとして、好ましく用いることができる。なかでも、６Ｂ族であるＯ、Ｓは、適度な反応性を有し、ＦやＣｌのような７Ｂ族の元素のように、反応性が高すぎて、記録用のレーザビームを照射せずとも、金属元素Ｍと反応してしまうといった不具合がなく、とくに好ましい。

本発明の好ましい実施態様においては、前記金属Ｍと前記元素Ｘを含む記録層が、さらに、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属元素を含んでいる。

本発明において、金属Ｍと元素Ｘを含む記録層が、Ｍｇを含んでいるときは、Ｍｇの含有量は、１８．５原子％ないし３３．７原子％であることが好ましく、２０原子％ないし３３．５原子％であることが、さらに好ましく、Ａｌを含んでいるときは、Ａｌの含有量は、１１原子％ないし４０原子％であることが好ましく、１８原子％ないし３２原子％であることが、さらに好ましく、また、Ｔｉを含んでいるときは、Ｔｉの含有量は、８原子％ないし３４原子％であることが好ましく、１０原子％ないし２６原子％であることが、さらに好ましい。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記基板上に、第一の記録層と、第二の記録層と、第三の記録層を、この順に備え、前記第二の記録層が、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、前記第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）が０．４０ないし０．７０の関係を満たすように形成されている。

第二の記録層および第三の記録層は、データを記録する記録層としての役割を果たす必要があるため、それぞれ、同等のパワーの記録用レーザビームを照射して、第二の記録層と第三の記録層に、同様にして、データを記録できるように、第二の記録層のレーザビームの光吸収量と、第三の記録層のレーザビームの光吸収量が等しくなることが好ましい。

さらに、第二の記録層に記録されたデータと、第三の記録層に記録されたデータを、同様にして、再生するためには、レーザビームを、第二の記録層にフォーカスして、レーザビームを第三の記録層を介して、第二の記録層に照射したときの第二の記録層のレーザビームに対する反射率と、レーザビームを第三の記録層にフォーカスして、レーザビームを第三の記録層に照射したときの第三の記録層のレーザビームに対する反射率が等しくなることが好ましい。

本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層および第三の記録層を形成した場合には、第二の記録層のレーザビームの光吸収量と、第三の記録層のレーザビームの光吸収量がほぼ等しく、かつ、光記録媒体に照射されるレーザビームのパワー（光強度）に対して、各記録層の光吸収率が、１０％ないし３０％の十分な光吸収率を有するように、第二の記録層および第三の記録層を形成し得ることが見出されており、したがって、本発明によれば、第二の記録層および第三の記録層のいずれの記録層にも、所望のように、データを記録することが可能となる。

さらに、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層および第三の記録層を、形成した場合には、第二の記録層の反射率と、第三の記録層の反射率がほぼ等しく、かつ、それぞれが十分な反射率を有するように、第二の記録層および第三の記録層を形成し得ることが見出されており、したがって、本発明によれば、第二の記録層および第三の記録層のいずれの記録層からも、データを、所望のように、再生することが可能となる。

本発明において、第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）は、０．４６ないし０．６９の関係を満たすことが好ましく、０．５０ないし０．６３の関係を満たすことが、より好ましい。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記基板上に、第一の記録層と、第二の記録層と、第三の記録層と、第四の記録層とを、この順に備え、第二の記録層が、２０ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、前記第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）が０．４８ないし０．９３の関係を満たすように形成され、前記第四の記録層の厚さ（Ｄ４）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ４／Ｄ２）が０．３９ないし０．７０の関係を満たすように形成されている。

本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を、形成した場合には、第二の記録層のレーザビームの光吸収量、第三の記録層のレーザビームの光吸収量、および第四の記録層のレーザビームの光吸収量がほぼ等しく、かつ、光記録媒体に照射されるレーザビームのパワー（光強度）に対して、各記録層の光吸収率が、１０％ないし２０％の十分な光吸収率を有するように、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成し得ることが見出されており、したがって、本発明によれば、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のいずれの記録層にも、所望のように、データを記録することが可能となる。

さらに、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を、形成した場合には、第二の記録層の反射率、第三の記録層の反射率、および第四の記録層の反射率がほぼ等しく、かつ、それぞれが十分な反射率を有するように、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成し得ることが見出されており、したがって、本発明によれば、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のいずれの記録層からも、記録したデータを、所望のように、再生することが可能となる。

本発明においては、前記第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）が、０．５０ないし０．９０の関係を満たし、かつ、前記第四の記録層の厚さ（Ｄ４）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ４／Ｄ２）が、０．３９ないし０．６５の関係を満たすように構成されることが、好ましく、前記第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）が、０．５７ないし０．８０の関係を満たし、かつ、前記第四の記録層の厚さ（Ｄ４）と前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ４／Ｄ２）が、０．４２ないし０．５４の関係を満たすように構成されることが、より好ましい。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記複数の記録層のうち、前記レーザビームの光入射面から最も遠い記録層が、Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜と、Ｓｉを主成分として含む第二の記録膜とを備えている。

本発明のさらに好ましい実施態様によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層が、Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜と、Ｓｉを主成分として含む第二の記録膜とを有しているから、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に記録されたデータを再生したときの再生信号のノイズレベルを、より低く抑えることができ、また、記録前後の反射率差を大きくすることができ、さらに、光記録媒体を、長期間保存した場合にも、記録されたデータが劣化するのを防止することもでき、光記録媒体の信頼性を高めることが可能となる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記基板と、前記レーザビームの光入射面から最も遠い記録層との間に、反射膜が形成されている。

本発明のさらに好ましい実施態様によれば、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に記録されたデータを再生する場合に、光入射面側から入射されたレーザビームが、反射膜の表面によって反射され、反射膜によって反射されたレーザビームは、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層で反射されたレーザビームと相互干渉し、この結果、記録前と記録後の反射率差を大きくすることができ、したがって、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に記録されたデータを、感度よく、再生することが可能となる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記複数の記録層が、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームを用いて、データの記録および再生が可能に構成されている。

金属Ｍと元素Ｘを含む記録層は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームに対して良好な光学特性を示すため、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームを用いて、データが記録され、記録されたデータが再生されるのが好ましい。

本発明の前記目的はまた、基板と、基板上に、少なくとも中間層を介して、積層された三層以上の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層が、いずれも、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含み、これら記録層が、前記レーザビームの光入射面に近いほど、厚さが薄く形成されていることを特徴とする光記録媒体によって達成される。

本発明において、前記誘電体材料は、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含んでいることが好ましい。

本発明によれば、複数の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層に、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができ、かつ、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層にも、所望のように、データを記録し、記録されたデータを再生することができる光記録媒体を提供することができる。

以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。

図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、約１２０ｍｍの外径と、１．２ｍｍの厚さを有する円板状に形成されており、図２に示されるように、支持基板１１と、第一の記録層２０と、第一の中間層１２と、第二の記録層３０と、第二の中間層１３と、第三の記録層４０と、光透過層１５とを備えている。

第一の記録層２０、第二の記録層３０および第三の記録層４０は、それぞれ、データを記録する記録層であり、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、三層の記録層を有している。

図２に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、光透過層１５にレーザビームＬが照射されるように構成され、光透過層１５の一方の表面によって、光入射面１５ａが構成されている。

図２に示されるように、第一の記録層２０が、光入射面１５ａから最も遠い記録層を構成し、第三の記録層４０が、光入射面１５ａに最も近い記録層を構成している。

第一の記録層２０、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０にデータを記録し、第一の記録層２０、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０に記録されたデータを再生する場合には、光入射面１５ａ側から、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有する青色レーザビームＬが照射され、その焦点が、第一の記録層２０、第二の記録層３０および第三の記録層４０のいずれか１つに合わされる。

したがって、第一の記録層２０にデータを記録し、第一の記録層２０に記録されたデータを再生するときには、第二の記録層３０および第三の記録層４０を介して、第一の記録層２０に、レーザビームＬが照射され、第二の記録層３０にデータを記録し、第二の記録層３０に記録されたデータを再生するときには、第三の記録層４０を介して、第二の記録層３０に、レーザビームＬが照射される。

支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。

支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。支持基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、表面粗度などの点から、ポリカーボネート樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。本実施態様においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光入射面１５ａを介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必要でない。

本実施態様においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。

図２に示されるように、支持基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。支持基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを第一の記録層２０に記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

グルーブ１１ａの深さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチは、とくに限定されるものではないが、０．２μｍないし０．４μｍに設定することが好ましい。

図２に示されるように、支持基板１１の表面上には、第一の記録層２０が形成されている。

図３は、第一の記録層２０の構造を示す略拡大断面図である。

図３に示されるように、第一の記録層２０は、支持基板１１側から、反射膜２１、第二の誘電体膜２２、第一の記録膜２３ａ、第二の記録膜２３ｂおよび第一の誘電体膜２４が積層されて、構成されている。

反射膜２１は、光入射面１５ａから入射されるレーザビームＬを反射し、再び、光入射面１５ａから出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂに生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。

反射膜２１を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、形成することができる。これらのうちでは、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらの合金が、高い反射率と高い熱伝導率を有しているため、反射膜２１を形成するために、好ましく使用される。

反射膜２１は、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さを有するように、形成されることが好ましい。反射膜２１の厚さが２０ｎｍ未満であると、反射膜２１の反射率を十分に高くすることが困難になるとともに、第一の記録層２０に生成された熱を放熱することが困難になり、その一方で、反射膜２１の厚さが２００ｎｍを越えていると、反射膜２１の成膜に長い時間を要するため、生産性を低下し、内部応力などによって、クラックが発生するおそれがある。

図３に示されるように、反射膜２１の表面上には、第二の誘電体膜２２が形成されている。

第二の誘電体膜２２は、支持基板１１の熱変形を防止する機能を有し、さらに、第一の誘電体膜２４とともに、第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂを保護する保護膜として機能する。

第二の誘電体膜２２を形成するための材料は、レーザビームＬの波長領域において、透明な誘電体材料であれば、とくに限定されるものではなく、たとえば、酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの組み合わせを主成分とする誘電体材料によって、第二の誘電体膜２２を形成することができ、第二の誘電体膜２２は、好ましくは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｇよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物によって形成される。第二の誘電体膜２２を形成するための誘電体材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物がとくに好ましく、また、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比としては、５０：５０ないし８５：１５であることが好ましく、略８０：２０であることが、さらに好ましい。

図３に示されるように、第二の誘電体膜２２の表面上には、第一の記録膜２３ａが形成され、さらに、その表面上には、第二の記録膜２３ｂが形成されている。

第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂは、データを記録する膜である。

本実施態様においては、第一の記録膜２３ａはＣｕを主成分として含み、第二の記録膜２３ｂはＳｉを主成分として含んでいる。

本明細書において、ある元素を主成分として含むとは、当該元素の含有量が５０原子％ないし１００原子％であることを意味する。

Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜２３ａには、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ａｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素が添加されていることが好ましい。これらの元素を、Ｃｕを主成分として含む膜に添加した場合には、再生信号のノイズレベルを低下させることが可能になるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることが可能になる。

第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂは、その総厚が、２ｎｍないし４０ｎｍとなるように形成されることが好ましい。

第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂの総厚が、２ｎｍ未満の場合には、レーザビームＬを照射する前後の反射率の変化が少なくなり、高いＣ／Ｎ比の再生信号を得ることができなくなり、一方、第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂの総厚が、４０ｎｍを越えると、記録感度が悪化してしまう。

第一の記録膜２３ａおよび第二の記録膜２３ｂのそれぞれの厚さは、とくに限定されるものではないが、第二の記録膜２３ｂの厚さと、第一の記録膜２３ａの厚さとの比、すなわち、第二の記録膜２３ｂの厚さ／第一の記録膜２３ａの厚さが、０．２ないし５．０であることが好ましい。

図３に示されるように、第二の記録膜２３ｂの表面には、第一の誘電体膜２４が形成されている。

第一の誘電体膜２４は、第二の誘電体膜２２と同様の材料によって形成することができる。

図２に示されるように、第一の記録層２０の表面には、第一の中間層１２が形成されている。

第一の中間層１２は、第一の記録層２０と第二の記録層３０を物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。

図２に示されるように、第一の中間層１２の表面には、交互に、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂが形成されている。第一の中間層１２の表面に形成されたグルーブ１２ａおよび／またはランド１２ｂは、第二の記録層３０にデータを記録する場合および第二の記録層３０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

図２に示されるように、第一の中間層１２の表面には、第二の記録層３０が形成され、第二の記録層３０の表面には、第二の中間層１３が形成されている。

第二の中間層１３は、第二の記録層３０と第三の記録層４０とを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。

図２に示されるように、第二の中間層１３の表面には、交互に、グルーブ１３ａおよびランド１３ｂが形成されている。第二の中間層１３の表面に形成されたグルーブ１３ａおよび／またはランド１３ｂは、第三の記録層４０にデータを記録する場合および第三の記録層４０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

グルーブ１２ａ、１３ａの深さおよびピッチは、支持基板１１の表面に設けられたグルーブ１１ａの深さおよびピッチと同程度に設定することができる。

第一の中間層１２および第二の中間層１３は、それぞれ、５μｍないし５０μｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、さらに好ましくは、１０μｍないし４０μｍの厚さを有するように、形成される。

第一の中間層１２は、第一の記録層２０にデータを記録し、第一の記録層２０に記録されたデータを再生するときに、レーザビームＬが通過し、第二の中間層１３は、第一の記録層２０にデータを記録し、第一の記録層２０に記録されたデータを再生するとき、および、第二の記録層３０にデータを記録し、第二の記録層３０に記録されたデータを再生するときに、レーザビームＬが通過するため、高い光透過率を有していることが必要である。

第一の中間層１２および第二の中間層１３を形成するための材料は、レーザビームに対する光透過性を有していれば、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

図２に示されるように、第二の中間層１３の表面には、第三の記録層４０が形成されている。

第二の記録層３０および第三の記録層４０は、データを記録する層であり、それぞれ、単一の膜によって構成されている。

本実施態様において、第二の記録層３０および第三の記録層４０は、それぞれ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含んでおり、誘電体材料は、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含むことが好ましい。ここに、本明細書において、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２は、ＺｎＳおよびＳｉＯ_２の混合物を意味し、Ｌａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎは、Ｌａ、Ｓｉ、ＯおよびＮの混合物を意味する。

具体的には、第二の記録層３０および第三の記録層４０が成膜されるに際して、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に対して、還元材として作用し、その結果、成膜後の第二の記録層３０および第三の記録層４０には、それぞれ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素とが含まれることになる。

また、本実施態様においては、第二の記録層３０および第三の記録層４０は、略同一の組成を有している。本明細書において、略同一の組成を有するとは、ＺｎまたはＬａ金属の単体、およびＳまたはＯの元素について、第二の記録層３０および第三の記録層４０が同一の元素を含み、第二の記録層３０と第三の記録層４０との間におけるＮｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との含有量の差が、±５原子％の範囲内であることを意味する。

本実施態様においては、第二の記録層３０および第三の記録層４０は、第二の記録層３０および第三の記録層４０の厚さを、それぞれ、Ｄ２およびＤ３とした場合に、Ｄ２＞Ｄ３の関係が満たされるように、形成されている。

第二の記録層３０は、第一の記録層２０にデータを記録し、第一の記録層２０に記録されたデータを再生するときに、レーザビームＬが透過する層であるから、第一の記録層２０にデータを記録し、第一の記録層２０に記録されたデータを再生したときに、高いレベルの再生信号を得ることができるのに十分な光透過率を有していることが必要であり、第三の記録層４０は、第一の記録層２０または第二の記録層３０にデータを記録し、第一の記録層２０または第二の記録層３０に記録されたデータを再生するときに、レーザビームＬが透過する層であるから、第一の記録層２０または第二の記録層３０にデータを記録し、第一の記録層２０または第二の記録層３０に記録されたデータを再生したときに、高いレベルの再生信号を得ることができるのに十分な光透過率を有していることが必要である。

その一方で、第二の記録層３０または第三の記録層４０に記録されたデータを再生するときには、第二の記録層３０または第三の記録層４０によって反射され、光入射面１５ａから出射したレーザビームＬの強度が検出されるから、第二の記録層３０および第三の記録層４０は、記録されたデータを再生したときに、高いレベルの再生信号を得ることができるのに十分な反射率を有していることが必要である。

本実施態様においては、第二の記録層３０および第三の記録層４０は、それぞれ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含むように形成されており、本発明者の研究によれば、こうした材料は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対する光透過率が高く、第一の記録層２０の上層に形成される記録層を構成する材料として、非常に、好適であることが見出されている。
また、本実施態様においては、第二の記録層３０および第三の記録層４０の厚さが、Ｄ２＞Ｄ３の関係を満たすように、第二の記録層３０および第三の記録層４０が形成されており、本発明者の研究によれば、かかる厚さを有するように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成した場合には、第二の記録層３０および第三の記録層４０が、いずれも、レーザビームＬに対して、より一層、高い光透過率を有することが見出されている。

したがって、本実施態様によれば、第一の記録層２０に、データを記録する場合に、レーザビームＬが、第一の記録層２０に到達するまでに、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することができるから、第一の記録層２０に、所望のように、データを記録することが可能となり、一方、第一の記録層２０に記録されたデータを再生する場合にも、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することができるから、第一の記録層２０に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能となる。

また、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成した場合には、光入射面１５ａから最も遠い記録層であるほど、レーザビームＬに対する反射率を高くすることができることが見出されており、したがって、本実施態様によれば、第一の記録層２０だけでなく、第二の記録層３０および第三の記録層４０からも、データを、所望のように、再生することが可能となる。

また、本実施態様においては、第二の記録層３０は、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されており、第三の記録層４０は、第三の記録層４０の厚さＤ３と、第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０の関係を満たすように形成されている。

第二の記録層３０および第三の記録層４０は、データを記録する記録層としての役割を果たす必要があるため、それぞれ、同等のパワーの記録用レーザビームを照射して、第二の記録層３０および第三の記録層４０に、同様にして、データが記録できるように、第二の記録層３０のレーザビームＬの光吸収量と、第三の記録層４０のレーザビームＬの光吸収量が等しくなることが好ましい。

さらに、第二の記録層３０に記録されたデータと、第三の記録層４０に記録されたデータを、同様にして、再生するためには、レーザビームＬを第二の記録層３０にフォーカスして、レーザビームＬを第三の記録層４０を介して、第二の記録層３０に照射したときの第二の記録層３０のレーザビームＬに対する反射率と、レーザビームＬを第三の記録層４０にフォーカスして、レーザビームＬを第三の記録層４０に照射したときの第三の記録層４０のレーザビームＬに対する反射率が等しくなることが好ましい。

本発明者の研究によれば、第二の記録層３０が、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、第三の記録層４０の厚さＤ３と、第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０の関係を満たすように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成した場合には、第二の記録層３０のレーザビームの光吸収量、および第三の記録層４０のレーザビームの光吸収量がほぼ等しく、かつ、光透過層１５を介して、照射されるレーザビームのパワー（光強度）に対して、第二の記録層２０および第三の記録層４０の光吸収率が、１０％ないし３０％の十分な光吸収率を有するように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成し得ることが見出されており、したがって、本実施態様によれば、第二の記録層３０および第三の記録層４０のいずれの記録層にも、所望のように、データを記録することが可能となる。

さらに、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成した場合には、第二の記録層３０の反射率および第三の記録層４０の反射率がほぼ等しく、かつ、それぞれが十分な反射率を有するように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成し得ることが見出されており、したがって、本実施態様によれば、第二の記録層３０および第三の記録層４０のいずれの記録層からも、データを、所望のように、再生することが可能となる。

図２に示されるように、第三の記録層４０の表面には、光透過層１５が形成されている。

光透過層１５は、レーザビームを透過させる層であり、その一方の表面によって、光入射面１５ａが構成されている。

光透過層１５は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。

光透過層１５を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、第一の中間層１２および第二の中間層１３と同様に、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

光透過層１５は、第一の記録層２０、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０に、データを記録し、第一の記録層２０、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０に記録されたデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。

以上のような構成を有する光記録媒体１０は、次のようにして、製造される。

図４ないし図８は、光記録媒体１０の製造方法を示す工程図である。

まず、図４に示されるように、スタンパ６０を用いて、表面に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された約１．１ｍｍの厚さを有する支持基体１１が、射出成形によって形成される。

次いで、図５に示されるように、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている基板１１の表面のほぼ全面に、スパッタリング法などの気相成長法によって、反射膜２１、第二の誘電体膜２２、第一の記録膜２３ａ、第二の記録膜２３ｂおよび第一の誘電体膜２４が順次、形成されて、第一の記録層２０が形成される。

次いで、図６に示されるように、第一の記録層２０の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、スタンパ６１を被せた状態で、スタンパ６１を介して、紫外線を照射することによって、表面に、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂを有し、５μｍないし５０μｍの厚さを有する第一の中間層１２が形成される。

次いで、図７に示されるように、第一の中間層１２の表面上に、第二の記録層３０が形成される。

以下においては、説明の便宜上、一例として、第二の記録層３０が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料のうち、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含むように形成される場合につき、説明を加える。

第一の中間層１２の表面上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含むターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含むターゲットとを用いて、スパッタリング法などの気相成長法により、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有する第二の記録層３０が形成される。

こうして、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含むターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含むターゲットとを用いて、スパッタリング法などの気相成長法により、第二の記録層３０を形成したときには、第二の記録層３０の成膜過程で、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が、還元剤として作用し、この結果、第二の記録層３０中に、ＺｎまたはＬａの金属が、単体の形で存在することになる。

具体的には、たとえば、ターゲットとして、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２を主成分として含むターゲットと、Ｍｇを主成分として含むターゲットを用いた場合には、Ｍｇが、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２に含まれるＺｎＳに対する還元剤として作用し、その結果として、第二の記録層３０中に、Ｚｎが均等に分散される。したがって、Ｚｎが、単体の形で、第二の記録層３０に含まれることになる。また、このとき、還元剤として用いられたＭｇは、ＺｎＳから分離、あるいは、ＺｎＳに含まれるＳの一部と結合して、ＭｇＳを形成すると考えられる。

本実施態様において、第二の記録層３０が、Ｍｇを含んでいるときには、Ｍｇの含有量は、１８．５原子％ないし３３．７原子％であることが好ましく、２０原子％ないし３３．５原子％であることが、さらに好ましく、Ａｌを含んでいるときには、Ａｌの含有量は、１１原子％ないし４０原子％であることが好ましく、１８原子％ないし３２原子％であることが、さらに好ましく、また、Ｔｉを含んでいるときには、Ｔｉの含有量は、８原子％ないし３４原子％であることが好ましく、１０原子％ないし２６原子％であることが、さらに好ましい。

次いで、第二の記録層３０の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、スタンパを被せた状態で、スタンパを介して、紫外線を照射することによって、表面に、グルーブ１３ａおよびランド１３ｂが形成された第二の中間層１３が形成される。

さらに、図８に示されるように、第二の中間層１３の表面上に、第二の記録層３０と同様にして、第三の記録層４０の厚さＤ３と第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０を満たす厚さを有する第三の記録層４０が形成される。

本実施態様においては、第二の記録層３０と第三の記録層４０は、略同じ組成を有しており、したがって、第三の記録層４０を形成する際には、第二の記録層３０を形成するのに用いたのと同じターゲットが用いられる。

さらに、図１に示されるように、第四の記録層５０の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、３０μｍないし２００μｍの厚さを有する光透過層１５が形成される。

こうして、光記録媒体１０が作製される。

以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０には、次のようにして、データが記録される。

本実施態様において、光記録媒体１０にデータを記録するにあたっては、光透過層１５の光入射面１５ａを介して、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが照射され、第一の記録層２０、第二の記録層３０および第三の記録層４０のいずれかに、レーザビームＬのフォーカスが合わせられる。

図９は、光記録媒体１０の第一の記録層２０、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０にデータを記録する際に、レーザビームＬのパワーを制御するレーザパワー制御信号のパルス列パターンを示すダイアグラムである。

図９に示されるように、光記録媒体１０の第一の記録層２０、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０にデータを記録するのに用いるレーザパワー制御信号のパルス列パターンは、記録パワーＰｗに対応するレベル、中間パワーＰｍに対応するレベルおよび基底パワーＰｂに対応するレベルの３つのレベルの間で、レベルが変調されたパルスによって構成されている。記録パワーＰｗ、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂのパワーは、Ｐｗ＞Ｐｍ≧Ｐｂの関係を満たしており、これに対応して、パルス列パターンの３つのレベルも、決定されている。

第一の記録層２０に、データを記録する場合には、図９に示されるパルス列パターンを有するレーザパワー制御信号にしたがって、レーザビームＬのパワーが変調され、こうして、パワーが変調されたレーザビームＬが、第一の記録層２０にフォーカスされて、光透過層１５、第三の記録層４０および第二の記録層３０を介して、第一の記録層２０に照射される。

図１０は、データが記録される前の第一の記録層２０の略断面図であり、図１１は、データが記録された後の第一の記録層２０の略断面図である。

記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが、第一の記録層２０に照射されると、第一の記録層２０が加熱され、図１１に示されるように、第一の記録膜２３ａに主成分として含まれる元素と、第二の記録膜２３ｂに主成分として含まれる元素とが混合され、混合領域Ｍが形成される。この混合領域Ｍは、それ以外の領域と、レーザビームＬに対する反射率が大きく異なるため、記録マークＭとして、利用することができる。

本実施態様においては、略同一の組成を有し、それぞれが、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含む第二の記録層３０および第三の記録層４０を備え、第二の記録層３０が、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、第三の記録層４０の厚さＤ３と、第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０の関係を満たすように、光記録媒体１０が構成されているから、第二の記録層３０および第三の記録層４０が、レーザビームＬに対して十分な光透過率を有しており、したがって、レーザビームＬが、第三の記録層４０および第二の記録層３０を透過する際に、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することができ、第一の記録層２０に、所望のように、データを記録することが可能となる。

一方、第一の記録層２０に記録されたデータを再生する場合にも、第三の記録層４０および第二の記録層３０を透過する際に、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することができ、また、第一の記録層２０で反射されたレーザビームＬが、第二の記録層３０および第三の記録層４０を透過する際に、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することが可能になるから、第一の記録層２０に記録されたデータを、所望のように、再生することもできる。

さらに、本実施態様においては、第一の記録膜２３ａと支持基板１１との間に、反射膜２１が形成されているから、反射膜２１によって反射されたレーザビームＬと、第一の記録層２０によって反射されたレーザビームＬとが相互干渉し、その結果、記録前と記録後の反射率差を大きくすることができ、したがって、第一の記録層２０に記録されたデータを、感度よく、再生することができる。

また、第二の記録層３０に、データを記録する場合には、図９に示されるパルス列パターンを有するレーザパワー制御信号にしたがって、レーザビームＬのパワーが変調され、こうして、パワーが変調されたレーザビームＬが、第二の記録層３０にフォーカスされ、光透過層１５、第三の記録層４０を介して、第二の記録層３０に照射される。

こうして第二の記録層３０に、レーザビームＬが照射されると、第二の記録層３０の相状態が変化して、第二の記録層３０に、データが記録される。以下、具体的な記録のメカニズムについて、第二の記録層３０が、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料のうち、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含んでいる場合を例に挙げて説明する。

すなわち、パワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが照射されると、第二の記録層３０が加熱され、加熱された第二の記録層３０の領域において、第二の記録層３０に含まれる単体のＺｎまたはＬａの金属が、ＳまたはＯと反応して、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ_２Ｏ_３となり、さらに、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ_２Ｏ_３の周辺に存在する非晶質状態のＺｎＳまたはＬａ_２Ｏ_３が、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ_２Ｏ_３を核として、結晶成長する。こうして、結晶状態のＺｎＳまたはＬａ_２Ｏ_３が生成された領域は、それ以外の領域と、３９０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対する反射率が大きく異なるので、これを利用して、データを記録することが可能となる。

第三の記録層４０に、データを記録する場合にも、第二の記録層３０と同様にして、第三の記録層４０に、レーザビームが照射され、データが記録される。

本実施態様においては、第二の記録層３０が、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、第三の記録層４０の厚さＤ３と、第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０の関係を満たすように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成しているから、第二の記録層３０のレーザビームの光吸収量および第三の記録層４０のレーザビームの光吸収量がほぼ等しく、かつ、光透過層１５を介して、照射されるレーザビームＬのパワーに対して、第二の記録層３０および第三の記録層４０の光吸収率が、１０％ないし３０％の十分な光吸収率を有するように、第二の記録層３０および第三の記録層４０を形成することができ、したがって、第二の記録層３０および第三の記録層４０のいずれの記録層にも、データを、所望のように、記録することが可能となる。

ここに、レーザビームＬの記録パワーＰｗのレベルは、データを記録する記録層ごとに設定される。

すなわち、第一の記録層２０に、データを記録する場合には、レーザビームＬを照射することによって、第一の記録膜２３ａに主成分として含まれる元素と、第二の記録膜２３ｂに主成分として含まれる元素とが混合して、混合領域Ｍが確実に形成されるレベルに、レーザビームＬの記録パワーＰｗが設定され、一方、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０に、データを記録する場合には、レーザビームＬを照射することによって、第二の記録層３０および第三の記録層４０のそれぞれに含まれるＺｎまたはＬａの金属と、ＳまたＯの元素とが、結合して、確実に、ＺｎＳあるいはＬａ_２Ｏ_３が生成されるレベルに、レーザビームＬの記録パワーＰｗが設定される。

また、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂのレベルも、データを記録する記録層ごとに設定される。

すなわち、第一の記録層２０に、データを記録する場合には、中間パワーＰｍあるいは基底パワーＰｂのレーザビームＬが照射されても、第一の記録膜２３ａに主成分として含まれる元素と、第二の記録膜２３ｂに主成分として含まれる元素とが混合することがないレベルに、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂが設定され、第二の記録層３０あるいは第三の記録層４０に、データを記録する場合には、中間パワーＰｍあるいは基底パワーＰｂのレーザビームＬが照射されても、第二の記録層３０および第三の記録層４０のそれぞれに含まれるＺｎまたはＬａの金属と、ＳまたＯの元素とが、結合することがないレベルに、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂが設定される。

とくに、基底パワーＰｂのレベルは、記録パワーＰｗのレーザビームＬが照射されて、加熱された領域が、レーザビームＬのレベルが基底パワーＰｂに切り換えられることによって、速やかに冷却されるように、きわめて低いレベルに設定される。

図１２は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図であり、図１３は、図１２のＢで示された部分の略拡大断面図である。

図１３に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１００は、支持基板１１と、支持基板１１の表面上に形成された第一の記録層２０と、第一の記録層２０の表面上に形成された第一の中間層１２と、第一の中間層１２の表面上に形成された第二の記録層３０と、第二の記録層３０の表面上に形成された第二の中間層１３と、第二の中間層１３の表面上に形成された第三の記録層４０と、第三の記録層４０の表面上に形成された第三の中間層１４と、第三の中間層１４の表面上に形成された第四の記録層５０と、第四の記録層５０の表面上に形成された光透過層１５とを備えており、第三の中間層１４および第四の記録層５０が形成され、記録層が四層構造を有している点を除き、図１および図２に示された光記録媒体１０と同様の構成を有している。

第三の中間層１４は、第三の記録層４０と第四の記録層５０とを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる役割を果たしている。

第三の中間層１４の表面には、グルーブ１４ａおよびランド１４ｂが形成されており、グルーブ１４ａおよびランド１４ｂは、それぞれ、第四の記録層５０に、データを記録し、第四の記録層５０に記録されたデータを再生する場合に、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

第三の中間層１４を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、第二の中間層１３および第一の中間層１２と同様に、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

第三の中間層１４は、５μｍないし５０μｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、１０μｍないし４０μｍの厚さを有するように形成されることが、より好ましい。

第四の記録層５０は、第二の記録層３０および第三の記録層４０と略同一の組成を有し、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含むように形成されている。

第四の記録層５０は、第二の記録層３０および第三の記録層４０と同様に、第三の中間層１４の表面上に、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含むターゲットと、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含むターゲットとを用いて、スパッタリング法により、形成される。

また、本実施態様においては、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０の厚さは、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０の厚さを、それぞれ、Ｄ２、Ｄ３およびＤ４とした場合に、Ｄ２＞Ｄ３＞Ｄ４の関係が満たされるように、形成されている。

本発明者の研究によれば、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０の厚さが、かかる関係を満たすように、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を形成した場合には、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０が、レーザビームＬに対して十分な光透過率を有することが見出されており、したがって、本実施態様によれば、第一の記録層２０に、データを記録する場合に、レーザビームＬが、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を透過する際に、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することが可能になるから、第一の記録層２０に、所望のように、データを記録することができ、一方、第一の記録層２０に記録されたデータを再生する場合にも、レーザビームＬが、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を透過する際に、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することができ、また、第一の記録層２０によって反射されたレーザビームＬが、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を透過する際に、レーザビームＬのパワーが低下することを最小限に抑制することが可能になるから、第一の記録層２０に記録されたデータを、所望のように、再生することが可能となる。

また、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を形成した場合には、光入射面１５ａから遠い記録層であるほど、レーザビームＬに対する反射率を高くすることができることが見出されており、したがって、本発明によれば、第一の記録層２０だけでなく、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０からも、データを、所望のように、再生することが可能となる。

さらに、本実施態様においては、第二の記録層３０が、２０ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、第三の記録層４０の厚さＤ３と、第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２が、０．４８ないし０．９３の関係を満たし、さらに、第四の記録層５０の厚さＤ４と、第二の記録層３０の厚さＤ２との比Ｄ４／Ｄ２が、０．３９ないし０．７０の関係を満たすように、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０が形成されている。

本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層２０、第三の記録層３０および第四の記録層４０を形成した場合には、第二の記録層３０のレーザビームの光吸収量、第三の記録層４０のレーザビームの光吸収量および第四の記録層５０のレーザビームの光吸収量がほぼ等しく、かつ、光透過層１５を介して、照射されるレーザビームＬのパワーに対して、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０の光吸収率が、１０％ないし２０％の十分な光吸収率を有するように、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を形成し得ることが見出されており、したがって、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０のいずれの記録層にも、データを、所望のように、記録することが可能となる。

さらに、本発明者の研究によれば、かかる組成および厚さを有するように、第二の記録層２０、第三の記録層３０および第四の記録層４０を形成した場合には、第二の記録層３０の反射率、第三の記録層４０の反射率および第四の記録層５０の反射率がほぼ等しく、かつ、それぞれが十分な反射率を有するように、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を形成し得ることが見出されており、したがって、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０のいずれの記録層からも、記録したデータを、所望のように、再生することができる。

以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。

実施例１
以下のようにして、光記録ディスクサンプル＃１を作製した。

まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有し、その表面に、グルーブピッチが０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成されたディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、グルーブおよびランドが形成された表面上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕの合金を主成分として含み、１００ｎｍを厚さを有する反射膜、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、３９ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分とし、２３原子％のＡｌと１３原子％のＡｕが添加された５ｎｍの厚さを有する第一の記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第二の記録膜および、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタリング法により形成し、第一の記録層を形成した。第一の誘電体膜および第二の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

次いで、第一の記録層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコート装置にセットし、ポリカーボネート基板を回転させながら、第一の記録層上に紫外線硬化性アクリル樹脂を、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、グルーブおよびランドが形成されたスタンパを載置し、スタンパを介して、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、スタンパを剥離して、その表面に、グルーブピッチが０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成された厚さ１５μｍの第一の中間層を形成した。

さらに、第一の中間層が形成された基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇからなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、３５ｎｍの厚さを有する第二の記録層を形成した。ここに、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットは、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

第二の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％であった。

ここに、第二の記録層に含まれるＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、理学電気工業株式会社製の蛍光Ｘ線装置「ＲＩＸ２０００」（商品名）を用いて、Ｒｈ管の管電圧＝５０ｋＶ、管電流＝５０ｍＡの条件で、Ｘ線を発生させ、ＦＰ法によって、測定した。ただし、Ｏはポリカーボネート基板中にも含まれているため、Ｏの含有量は、ＯがＳｉと結合して、ＳｉＯ_２の状態にあると仮定して、Ｓｉの含有量の２倍の原子％とした。

次いで、第二の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第二の中間層を形成し、さらに、第二の中間層の表面上に、第二の記録層の形成と同じ方法を用いて、第三の記録層を、スパッタリング法により、形成した。

第三の記録層の厚さは、１６ｎｍとし、第三の記録層の厚さＤ３と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２を、０．４６とした。

次いで、紫外線硬化性アクリル樹脂を、第三の記録層の表面上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、７０μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

こうして、光記録ディスクサンプル＃１を作製した。

次いで、第三の記録層の厚さＤ３を、１９ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．５４とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２を作製した。

さらに、第三の記録層の厚さＤ３を、２２ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．６３とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３を作製した。

また、第三の記録層の厚さＤ３を、２４ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．６９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスクサンプル＃４を作製した。

さらに、第三の記録層の厚さＤ３を、１０ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．２９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１を作製した。

また、第三の記録層の厚さＤ３を、１３ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．３７とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃２を作製した。

さらに、第三の記録層の厚さＤ３を、２７ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．７７とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃３を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃１を、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットして、第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層に、それぞれ、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームを照射し、第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層の反射率を測定した。

レーザビームのパワーは、１．０ｍＷに設定し、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層に、それぞれ、レーザビームを照射した。

ここに、光記録ディスクサンプル＃１が三層の記録層を有しており、第一の記録層に照射したレーザビームの反射成分中には、第一の記録層以外の第二の記録層および第三の記録層によって反射されたレーザビームも含まれているため、以下のようにして、第一の記録層以外の記録層からのレーザビームの反射成分を除去して、第一の記録層の反射率を算出した。

すなわち、まず、一つの記録層のみを有する光記録ディスクと、中間層を介して、積層された二層の記録層を有する光記録ディスクを準備し、中間層の厚みを変えて、各光記録ディスクにつき、下層側の記録層の反射率を測定し、測定した各光記録ディスクの反射率を比較した。

その結果、二層の記録層を有する光記録ディスクにつき、下層側の記録層の反射率を測定したところ、中間層の厚みが１０μｍの場合に、下層側の記録層の反射率のうちの８％が、上層側の記録層による反射成分であり、また、中間層の厚みが１５μｍの場合に、下層側の記録層の反射率のうちの２％が、上層側の記録層による反射成分であることが認められた。これらの結果をもとに、他の記録層によるレーザビームの反射成分を算出し、算出した反射成分を、第一の記録層に照射したレーザビームの反射成分中から除去することにより、第一の記録層の反射率を算出した。

さらに、第一の記録層の反射率、第二の記録層の反射率および第三の記録層の反射率のうち、反射率が最大であった反射率の値から、第一の記録層の反射率、第二の記録層の反射率および第三の記録層の反射率のうち、反射率が最小であった反射率の値を減じて、反射率差を算出した。

測定結果は、表１に示されている。

同様に、光記録ディスクサンプル＃２ないし＃４、および光記録ディスク比較サンプル＃１ないし＃３を、同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１および第三の記録層の反射率Ｒ２を測定して、反射率差を算出した。

測定結果は、表１に示されている。

表１に示されるように、Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０の範囲内にある光記録ディスクサンプル＃１ないし＃４においては、第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１およびＲ２が、いずれも、３％を越え、十分な反射率を有しており、一方、反射率差も、それぞれ、２．６％、０．５％、１．３％および２．５％となり、いずれも、３．０％以下で、第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層の反射率が、ほぼ等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ３／Ｄ２が、０．４０ないし０．７０の範囲外にある光記録ディスク比較サンプル＃１ないし＃３においては、光記録ディスク比較サンプル＃１の第三の記録層の反射率Ｒ２が３％未満であり、反射率差も、光記録ディスク比較サンプル＃１ないし＃３で、それぞれ、６．５％、４．５％および４．１％で、いずれも３％を越え、第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例２
以下のようにして、光記録ディスクサンプル＃５を作製した。

まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有し、その表面に、グルーブピッチが０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成されたディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、グルーブおよびランドが形成された表面上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕの合金を主成分として含み、１００ｎｍを厚さを有する反射膜、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、３９ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分とし、２３原子％のＡｌと１３原子％のＡｕが添加された５ｎｍの厚さを有する第一の記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第二の記録膜および、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタリング法により形成し、第一の記録層を形成した。第一の誘電体膜および第二の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

次いで、実施例１と同様にして、第一の記録層の表面上に、グルーブおよびランドが形成された１０μｍの厚さを有する第一の中間層を形成した。

さらに、第一の記録層および第一の中間層が形成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇからなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、第一の中間層の表面上に、３２ｎｍの厚さを有する第二の記録層を形成した。ここに、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットは、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

第二の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％であった。

次いで、第二の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１０μｍの厚さを有する第二の中間層を形成し、さらに、第二の中間層の表面上に、第二の記録層の形成と同じ方法を用いて、２４ｎｍの厚さを有する第三の記録層を、スパッタリング法により、形成した。

次いで、第三の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１０μｍの厚さを有する第三の中間層を形成し、さらに、第三の中間層の表面上に、第二の記録層を形成したのと同様にして、１８ｎｍの厚さを有する第四の記録層を、スパッタリング法により、形成した。

次いで、紫外線硬化性アクリル樹脂を、第四の記録層の表面上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、８５μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

こうして、光記録ディスクサンプル＃５を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃５を、実施例１で用いた光記録媒体評価装置にセットし、以下の条件で、光記録ディスクサンプル＃５に、データを記録した。

波長が４０５ｎｍの青色レーザビームを、記録用レーザビームとして用い、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、レーザビームを、光透過層を介して、第一の記録層に集光し、下記の記録信号条件で、（１、７）ＲＬＬ変調方式における２Ｔの長さの記録マークおよび８Ｔの長さの記録マークを、それぞれ、光記録ディスクサンプル＃５の第一の記録層に、形成した。

さらに、レーザビームを、光透過層を介して、第一の記録層に集光し、２Ｔないし８Ｔの長さの記録マークを、ランダムに組み合わせて、データを記録した。

レーザビームのパワーを変調するレーザパワー制御信号は、図９に示されるパルス列パターンを用い、レーザビームの記録パワーＰｗは、５ｍＷに設定し、中間パワーは、４ｍＷに設定し、基底パワーＰｂは、３ｍＷに設定した。

次いで、レーザビームの記録パワーＰｗを、５ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、５ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、第一の記録層にデータを記録した。

変調方式：（１，７）ＲＬＬ
記録線速度：５．３ｍ／秒
記録方式：オングルーブ記録
次いで、上述の光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃５の第一の記録層に、再生パワーに設定されたレーザビームを照射して、第一の記録層のデータが記録されている２本のトラックに挟まれたトラックに記録されたデータを再生し、記録マークが形成されていない部分の反射率と、２Ｔの長さの記録マークを形成して記録したデータを、再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比と、８Ｔの長さの記録マークを形成して記録したデータを、再生したのときの再生信号のＣ／Ｎ比と、２Ｔないし８Ｔの長さの記録マークをランダムに組み合わせて、記録したデータを再生したときのクロックジッタとを、それぞれ、測定した。

第一の記録層の反射率を測定するにあたっては、実施例１と同様に、第一の記録層にレーザビームを照射して測定した反射率から、他の層による反射分を除去して、求めた。

また、再生信号のＣ／Ｎ比の測定は、アドバンテスト株式会社製のスペクトラムアナライザー「スペクトラムアナライザーＸＫ１８０」（商品名）を用いて、測定した。

また、クロックジッタは、タイムインターバルアナライザによって、再生信号の「ゆらぎσ」を求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）により、算出した。また、クロックジッタの測定に際しては、リミットイコライザを使用し、ジッタの測定は、４ｍｓの時間で測定した。

データの再生にあたっては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームおよび開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用い、再生用レーザビームのパワーは０．７ｍＷとした。

測定結果は、表２に示されている。

表２には、記録パワーＰｗを５ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて、光記録ディスクサンプル＃５の第一の記録層に記録したデータを、再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗ、その記録パワーＰｗで、光記録ディスクサンプル＃５の第一の記録層に記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比およびジッタが示されている。

次いで、上述の光記録媒体評価装置を用いて、レーザビームを、光透過層を介して、光記録ディスクサンプル＃５の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれに、順次、集光し、（１、７）ＲＬＬ変調方式における２Ｔの長さの記録マークおよび８Ｔの長さの記録マークを形成した。

さらに、レーザビームを、光記録ディスクサンプル＃５の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれに、順次、集光し、８Ｔの長さの記録マークを、ランダムに組み合わせて、データを記録した。

レーザビームのパワーを変調するレーザパワー制御信号は、図９に示されるパルス列パターンを用い、レーザビームの記録パワーＰｗは、５ｍＷに設定し、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂは、それぞれ、４ｍＷと３ｍＷに設定した。

次いで、レーザビームの記録パワーＰｗを、第一の記録層にデータを記録したときと同様に、５ｍＷないし１２ｍＷの範囲で、５ｍＷから少しずつ、上げていき、順次、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層にデータを記録した。

次いで、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃５の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれに、再生パワーに設定されたレーザビームを、順次、照射し、記録マークが形成されていない部分の反射率と、２Ｔの長さの記録マークを形成して、記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比と、８Ｔの長さの記録マークを形成して、記録したデータを再生したのときの再生信号のＣ／Ｎ比と、２Ｔないし８Ｔの長さの記録マークをランダムに組み合わせて、記録したデータを再生したときのクロックジッタとを、それぞれ、測定した。

データの再生にあたっては、第一の記録層に記録されたデータを再生したときと同様に、データが記録されている２本のトラックに挟まれたトラックに記録されたデータを再生した。

また、光記録ディスクサンプル＃５の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、第一の記録層の反射率と同様にして、求めた。

測定結果は、表２に示されている。

表２には、記録パワーＰｗを５ｍＷないし１２ｍＷの範囲で変化させて、光記録ディスクサンプル＃５の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれに記録したデータを、再生したときに、最小のＣ／Ｎ比を得られたときの記録パワーＰｗ、その記録パワーＰｗで記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比およびジッタが示されている。

表２に示されるように、記録マークが形成されていない部分における第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、それぞれ、４．６％、３．７％、５．４％および４．７％であり、光記録ディスクサンプル＃５においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層が、いずれも、３．７％以上の反射率を有し、十分に高い反射率を有していることが判明した。

また、表２に示されるように、２Ｔの長さの記録マークあるいは８Ｔの長さの記録マークを形成して、記録したデータを再生したときの再生信号のＣ／Ｎ比は、光記録ディスクサンプル＃５の第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のいずれも、それぞれ、３９ｄＢ以上、４９ｄＢ以上で、高いＣ／Ｎ比の再生信号が得られることが判明した。

さらに、表２に示されるように、２Ｔないし８Ｔの長さを組み合わせた記録マークを形成して、記録したデータを再生したときの再生信号のジッタは、光記録ディスクサンプル＃５の第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のいずれにおいても、１１％以下で、ジッタの低い再生信号が得られることが判明した。

次いで、オージェ分光分析装置、光学式膜厚測定装置および透過型電子顕微鏡を用いて、光記録ディスクサンプル＃５の第四の記録層の状態を確認した。この結果、記録用のパワーに設定されたレーザビームが照射された第四の記録層の領域で、金属Ｚｎの存在と、金属Ｚｎと元素Ｓとの化合物の結晶成長が認められた。

本実施例においては、以下の分析と判断により、金属Ｚｎの存在が認められた状態を、第四の記録層に、金属Ｚｎが単体の形で含まれるとした。また、以下の分析と判断により、金属Ｚｎと元素Ｓの化合物の結晶成長が認められた状態を、金属Ｚｎと結合して、金属Ｚｎとの化合物の結晶を生成する元素Ｓが、第四の記録層に含まれるものとした。

具体的には、光記録ディスクサンプル＃５と同様の構成を有する光記録ディスクサンプルを三つ作成し、三つの光記録ディスクサンプルの第四の記録層の一部に、光記録ディスクサンプル＃５にデータを記録したのと同じようにして、データを記録した。

次いで、データが記録された三つの光記録ディスクサンプルのうちの一つにつき、カッターで切り込みを入れて、光透過層を剥がし、第四の記録層を露出させ、露出した第四の記録層の表面に、２０ｎｍの厚さを有し、Ａｌ_２Ｏ_３を主成分として含む誘電体膜と、１００ｎｍの厚さを有し、Ａｌを主成分として含む金属膜とを、スパッタリング法により、順次、形成した。ここに、誘電体膜を形成するのに、Ａｌ_２Ｏ_３を用いるとともに、金属膜を形成するのに、Ａｌを用いたのは、分析に影響しないように、第四の記録層に含まれる金属以外の材料を、金属膜と誘電体膜に使用する必要があるからである。また、金属膜を形成したのは、オージェ分光分析装置を用いた測定の際に、光記録ディスクサンプルが帯電するのを防止するためである。

次いで、誘電体膜および金属膜を形成した光記録ディスクサンプルの金属膜表面を、局部的にスパッタリングし、第四の記録層の表面の一部が露出するように、約２ｍｍの孔を形成した。

次いで、データが記録された光記録ディスクサンプルにおいて、第四の記録層のデータが記録された領域と、第四の記録層のデータ未記録の領域につき、オージェ分光分析装置を用いて、エネルギースペクトルを測定した。ここに、エネルギースペクトルの測定に際しては、アルバック・ファイ株式会社製のオージェ分光分析装置「ＳＡＭ６８０」を用い、測定条件を、加速電圧５ｋＶ、Ｔｉｌｔ３０ｄｅｇ、試料電流１０ｎＡ、Ａｒイオンビームスパッタエッチング加速電圧２ｋＶに設定して、測定した。

こうして、第四の記録層のデータが記録された領域と、第四の記録層のデータ未記録の領域につき、エネルギースペクトルを測定した結果、データが未記録の領域では、金属のエネルギースペクトルと、化合物のエネルギースペクトルが混在していると思われるスペクトルとが存在し、一方、データが記録された領域では、化合物のエネルギースペクトルのみが認められた。

次いで、先の三つの光記録ディスクサンプルのうちの他の一つの光記録ディスクサンプルにカッターで切れ込みを入れて、光透過層、第四の記録層および中間層を切り離し、切り離した光透過層、第四の記録層および中間層を、紫外線硬化樹脂を用いて、光透過層をスライドガラスに接するようにして、スライドガラス上に接着させた。

こうして形成した光記録ディスクサンプルにおいて、第四の記録層のデータが記録された領域と、第四の記録層のデータ未記録の領域につき、光学式膜厚測定装置を用いて、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する光吸収率を測定した。ここに、光吸収率の測定に際しては、ｓｔｅａｇ ＥＴＡ−ＯＰＴＩＫ株式会社製の光学式膜厚測定装置「ＥＴＡ−ＲＴ」（商品名）を用いた。

こうして、第四の記録層のデータが記録された領域と、第四の記録層のデータ未記録の領域につき、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する光吸収率を測定した結果、データが未記録の領域では、１７％の光吸収率を有し、一方、データが記録された領域では、１３％の光吸収率を有することが認められた。光吸収率の減少は、金属Ｚｎの自由電子が光を多く吸収し、元素Ｓと化合物を作ることで、金属Ｚｎの自由電子の数が少なくなり、光の吸収が減ったため、光吸収率が小さくなったと考えられる。

このように、オージェ分光分析装置によるエネルギースペクトルの測定によって、データが未記録の領域において、金属のエネルギースペクトルと、化合物のエネルギースペクトルとが混在し、一方、データが記録された領域において、化合物のエネルギースペクトルのみが確認できたという結果が得られ、また、光学式膜厚測定装置による光吸収率の測定によって、データが記録された領域において、データが未記録の領域に比べて、光吸収率が低下したという結果が得られたため、これらの結果から、第四の記録層に金属Ｚｎの存在と、記録用のレーザビームを照射した第四の記録層の領域では、金属Ｚｎが元素Ｓと結合して、化合物の結晶が生成されたと判断した。

次いで、データが記録された三つの光記録ディスクサンプルのうちの残りの１つの光記録ディスクサンプルにつき、透過電子顕微鏡装置を用いて、記録マークの電子回折パターンを測定した。このとき透過電子顕微鏡は、日本電子株式会社製の「ＪＥＭ−３０１０」（商品名）を用い、加速電圧は３００ｋＶに設定した。

ここでは、光記録ディスクサンプルを、ミクロトームを用いて切削し、透過電子顕微鏡用のサンプルを作成した。切断された断面において、第四の記録層の電子回折パターンを測定した結果、データが未記録の領域では、ＺｎＳのブロードな回折リングが認められ、一方、データが記録された領域では、ＺｎＳの回折スポットが認められた。これらの結果から、記録用のレーザビームを照射した第四の記録層の領域では、ＺｎＳの結晶が生成されたと判断した。

実施例３
射出成型法により作製された１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇからなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、１８ｎｍの厚さを有する記録層を形成して、光記録ディスクサンプル＃６を作製した。

ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

光記録ディスクサンプル＃６の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％であった。

次いで、射出成型法により作製された１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇからなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、２４ｎｍの厚さを有する記録層を形成して、光記録ディスクサンプル＃７を作製した。

ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

光記録ディスクサンプル＃７の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％であった。

さらに、射出成型法により作製された１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇからなるターゲットを用いて、スパッタリング法により、３２ｎｍの厚さを有する記録層を形成して、光記録ディスクサンプル＃８を作製した。

ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

光記録ディスクサンプル＃８の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％であった。

次いで、上述の光学式膜厚測定装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃６ないし＃８に、レーザビームを照射し、光記録ディスクサンプル＃６の記録層の光透過率Ｔ６、光記録ディスクサンプル＃７の記録層の光透過率Ｔ７、および光記録ディスクサンプル＃８の記録層の光透過率Ｔ８を、それぞれ、測定した。

測定結果は、表３に示されている。

表３に示されるように、光記録ディスクサンプル＃６の記録層の光透過率Ｔ６、光記録ディスクサンプル＃７の記録層の光透過率Ｔ７、および光記録ディスクサンプル＃８の記録層の光透過率Ｔ８は、それぞれ、８０％、６９％および６３％であり、いずれも、６０％を越える非常に高い光透過率を有していることが判明した。

実施例４
第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成するに際し、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含むターゲットに代えて、モル比が２０：３０：５０であるＬａ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２およびＳｉ_３Ｎ_４の混合物を主成分として含むターゲットを用いた点、および、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の厚さを、それぞれ、２８ｎｍ、１８ｎｍおよび１５ｎｍとした点を除き、光記録ディスクサンプル＃５と同様にして、光記録ディスクサンプル＃９を作製した。

ここに、光記録ディスクサンプル＃９の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層中のＬａ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＮの含有量は、それぞれ、６．２原子％、２４．１原子％、２３．１原子％、２４．６原子％および２２．０原子％であった。

ただし、Ｏはポリカーボネート基板中にも含まれているため、Ｏの含有量は、次のようにして求めた。

まず、光記録ディスクサンプル＃９に含まれるＮの含有量から、Ｓｉ_３Ｎ_４中のＮと結合しているＳｉの含有量を求め、求めたＳｉの含有量を、光記録ディスクサンプル＃９に含まれているＳｉの含有量から減算して、ＳｉＯ_２中のＳｉの含有量を求め、これを２倍して、ＳｉＯ_２中のＯの含有量を求めた。

次いで、光記録ディスクサンプル＃９に含まれるＬａの含有量から、Ｌａ_２Ｏ_３中のＬａと結合しているＯの含有量を求め、これに、ＳｉＯ_２中のＳｉと結合しているＯの含有量を加算して、光記録ディスクサンプル＃９に含まれるＯの含有量を算出した。

次いで、同じ光記録媒体評価装置を用いて、光記録ディスクサンプル＃９の第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれに、再生パワーに設定されたレーザビームを、順次、照射し、記録マークが形成されていない部分の反射率を測定した。ここに、レーザビームの再生パワーは、０．７ｍＷに設定した。

測定結果は、表４に示されている。

光記録ディスクサンプル＃９の第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、求めた。

表４に示されるように、記録マークが形成されていない部分における第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、それぞれ、３．３％、４．３％、４．８％および３．６％であり、光記録ディスクサンプル＃９においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層が、いずれも、３．０％以上の反射率を有し、十分に高い反射率を有していることが判明した。

次いで、オージェ分光分析装置、光学式膜厚測定装置および透過型電子顕微鏡を用い、実施例２と同様にして、光記録ディスクサンプル＃９の第四の記録層の状態を確認した。この結果、記録用のパワーに設定されたレーザビームが照射された第四の記録層の領域で、金属Ｌａの存在と、金属Ｌａと元素Ｏとの化合物の結晶成長が認められた。

実施例５
まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有し、その表面に、グルーブピッチが０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成されたディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

次いで、ポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、グルーブおよびランドが形成された表面上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕの合金を主成分として含み、１００ｎｍを厚さを有する反射膜、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、３７ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第一の記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第二の記録膜およびＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタ法により形成し、第一の記録層を形成した。第一の誘電体膜および第二の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

次いで、第一の記録層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコート装置にセットし、ポリカーボネート基板を回転させながら、第一の記録層上に紫外線硬化性アクリル樹脂を、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、グルーブおよびランドが形成されたスタンパを載置し、スタンパを介して、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、スタンパを剥離して、その表面に、グルーブピッチが０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成された厚さ１５μｍの第一の中間層を形成した。

次いで、第一の記録層および第一の中間層が形成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇを主成分として含むターゲットを用いて、スパッタリング法により、第一の中間層上に、３５ｎｍの厚さを有する第二の記録層を形成した。

ここに、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットは、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

また、第二の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２１．５原子％、１０．１原子％、２０．８原子％、２０．１原子％および２７．５原子％であった。

次いで、第二の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第二の中間層を形成し、さらに、第二の中間層の表面上に、第二の記録層の形成と同じ方法を用いて、第三の記録層を形成した。

第三の記録層は、１７ｎｍの厚さを有するように形成し、第三の記録層の厚さＤ３と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２を、０．４９とした。

次いで、第三の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第三の中間層を形成し、さらに、第三の中間層の表面上に、第二の記録層の形成と同じ方法を用いて、１５ｎｍの厚さを有する第四の記録層を形成した。

次いで、紫外線硬化性アクリル樹脂を、第四の記録層の表面上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、７０μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

こうして、光記録ディスクサンプル＃１０を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２０ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．５７とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１１を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２４ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．６９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１２を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２８ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．８０とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１３を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１０ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．２９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃４を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１３ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．３７とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃５を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、３３ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．９４とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃６を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃１０ないし＃１３ならびに光記録ディスク比較サンプル＃４ないし＃６を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃１０ないし＃１３ならびに光記録ディスク比較サンプル＃４ないし＃６につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表５に示されている。

表５に示されるように、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットおよびＭｇを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ３／Ｄ２が、０．４９ないし０．８０の範囲内にある光記録ディスクサンプル＃１０ないし＃１３においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越え、十分に高い反射率を有しており、一方、反射率差も、それぞれ、１．２％、０．１％、１．６％および２．９％で、いずれも、３．０％以下であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ３／Ｄ２が、０．４９ないし０．８０の範囲外にある光記録ディスク比較サンプル＃４ないし＃６においては、光記録ディスク比較サンプル＃４および＃５の第三の記録層の反射率Ｒ２が３％未満であり、反射率差も、光記録ディスク比較サンプル＃４および＃６においては、それぞれ、４．２％および３．７％で、いずれも３％を越え、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例６
第三の記録層の厚さＤ３を、２０ｎｍにするとともに、第四の記録層の厚さＤ４を、１４ｎｍとした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１４を作製した。ここに、第四の記録層の厚さＤ４と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ４／Ｄ２は、０．４０とした。

第四の記録層の厚さＤ４を、１５ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．４３とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１５を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１９ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．５４とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１６を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１０ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．２９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃７を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、２５ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．７１とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１４と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃８を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃１４ないし＃１６、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃７および＃８を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃１４ないし＃１６、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃７および＃８につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表６に示されている。

表６に示されるように、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットと、Ｍｇを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ４／Ｄ２が、０．４０ないし０．５４の範囲内である光記録ディスクサンプル＃１４ないし＃１６においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、一方、反射率差も、それぞれ、０．５％、０．３％および２．５％となり、いずれも、３．０％以下で、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ４／Ｄ２が、０．４０ないし０．５４の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃７および＃８においては、光記録ディスク比較サンプル＃７の第四の記録層の反射率Ｒ３が３％未満であり、反射率差も、光記録ディスク比較サンプル＃８においては、５．６％となり、３％を越え、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例７
まず、光記録ディスクサンプル＃１０と同様の方法を用いて、基板、第一の記録層および第一の中間層を、順次、形成した。
次いで、第一の中間層が形成された基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合ターゲットと、Ａｌを主成分として含むターゲットの両方を用いて、スパッタリング法により、２８ｎｍの厚さを有する第二の記録層を形成した。

ここに、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

また、第二の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、２２．２原子％、９．８原子％、１９．３原子％、１９．６原子％および２９．１原子％であった。

次いで、第二の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第二の中間層を形成し、さらに、第二の中間層の表面上に、第二の記録層を形成したのと同様にして、スパッタリング法により、第三の記録層を形成した。

第三の記録層は、１５ｎｍの厚さを有するように形成し、第三の記録層の厚さＤ３と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２を０．５４とした。

次いで、第三の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第三の中間層を形成し、さらに、第三の中間層の表面上に、第二の記録層を形成したのと同様にして、１２ｎｍの厚さを有する第四の記録層を、スパッタリング法により、形成した。

最後に、紫外線硬化性アクリル樹脂を、第四の記録層の表面上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、７０μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

こうして、光記録ディスクサンプル＃１７を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１８ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．６４とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１７と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１８を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２２ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．７９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１７と同様にして、光記録ディスクサンプル＃１９を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１０ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．３６とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１７と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃９を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２７ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．９６とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１７と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１０を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃１７ないし＃１９、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃９および＃１０を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃１７ないし＃１９、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃９および＃１０につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表７に示されている。

表７に示されるように、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットと、Ａｌを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ３／Ｄ２が、０．５４ないし０．７９の範囲内である光記録ディスクサンプル＃１７ないし＃１９においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、一方、反射率差も、それぞれ、０．７％、０．８％および２．４％で、いずれも、３．０％以下であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ３／Ｄ２が、０．５４ないし０．７９の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃９および＃１０においては、光記録ディスク比較サンプル＃９の第三の記録層の反射率Ｒ２が３％未満であり、反射率差も、光記録ディスク比較サンプル＃１０で、４．２％となり、３％を越え、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例８
第三の記録層の厚さＤ３を、１６．４ｎｍにするとともに、第四の記録層の厚さＤ４を、１１ｎｍとした点を除き、光記録ディスクサンプル＃１７と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２０を作製した。ここに、第四の記録層の厚さＤ４と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ４／Ｄ２は、０．３９とした。

第四の記録層の厚さＤ４を、１３ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．４６とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２１を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１６ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．５７とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２２を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１０ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．３６とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１１を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、２１ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．７５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１２を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、２５ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．８９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１３を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃２０ないし＃２２、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１１ないし＃１３を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃２０ないし＃２２、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１１ないし＃１３につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表８に示されている。

表８に示されるように、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットと、Ａｌを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ４／Ｄ２が、０．３９ないし０．５７の範囲内である光記録ディスクサンプル＃２０ないし＃２２においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、反射率差も、それぞれ、０．７％、０．６％および２．６％となり、いずれも、３．０％未満であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれの反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ４／Ｄ２が、０．３９ないし０．５７の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃１１ないし＃１３においては、光記録ディスク比較サンプル＃１１の第四の記録層の反射率Ｒ３、光記録ディスク比較サンプル＃１２の第二の記録層、第三の記録層の反射率Ｒ１、Ｒ２、ならびに、光記録ディスク比較サンプル＃１３の第一の記録層、第二の記録層および第三の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１およびＲ２が、３％未満であり、反射率差についても、光記録ディスク比較サンプル＃１２および＃１３においては、それぞれ、５．６％および７．７％となり、いずれも３％を越えて、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例９
まず、光記録ディスクサンプル＃１０と同様の方法を用いて、ポリカーボネート基板、第一の記録層および第一の中間層を、順次、形成した。
次いで、第一の中間層が形成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合ターゲットと、Ｚｎを主成分として含むターゲットの両方を用いて、スパッタリング法により、２１．２ｎｍの厚さを有する第二の記録層を形成した。

ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットとしては、ＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比が８０：２０の混合物を使用した。

また、第二の記録層中のＺｎ、Ｓｉ、ＯおよびＳの含有量は、それぞれ、４２．１原子％、９．７原子％、１８．４原子％および２９．８原子％であった。

次いで、第二の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第二の中間層を形成し、さらに、第二の中間層の表面上に、第二の記録層を形成したのと同様にして、スパッタリング法により、第三の記録層を形成した。

第三の記録層は、１２ｎｍの厚さを有するように形成し、第三の記録層の厚さＤ３と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２を０．５７とした。

次いで、第三の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第三の中間層を形成し、さらに、第三の中間層の表面上に、第二の記録層を形成したのと同様にして、１０．８ｎｍの厚さを有する第四の記録層を、スパッタリング法により、形成した。

最後に、紫外線硬化性アクリル樹脂を、第四の記録層の表面上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、７０μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

こうして、光記録ディスクサンプル＃２３を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１４ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．６６とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２３と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２４を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１６ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．７５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２３と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２５を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１９ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．９０とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２３と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２６を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１０ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．４７とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２３と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１４を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２１ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．９９とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２３と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１５を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃２３ないし＃２６、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１４および＃１５を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃２３ないし＃２６、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１４および＃１５につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表９に示されている。

表９に示されるように、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットと、Ｚｎを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ３／Ｄ２が、０．５７ないし０．９０の範囲内である光記録ディスクサンプル＃２３ないし＃２６においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、反射率差も、それぞれ、１．２％、０．０％および１．１％となり、いずれも、３．０％未満であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ３／Ｄ２が、０．５７ないし０．９０の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃１４および＃１５においては、光記録ディスク比較サンプル＃１４の第三の記録層の反射率Ｒ２が３％未満であり、反射率差についても、光記録ディスク比較サンプル＃１５で、３．８％となり、３％を越えて、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例１０
第三の記録層の厚さＤ３を、１４ｎｍにするとともに、第四の記録層の厚さＤ４を、９ｎｍとした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２３と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２７を作製した。ここに、第四の記録層の厚さＤ４と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ４／Ｄ２は、０．４２とした。

第四の記録層の厚さＤ４を、１１ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．５２とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２７と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２８を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１４．５ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．６８とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２７と同様にして、光記録ディスクサンプル＃２９を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、８ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．３８とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２７と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１６を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１６ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．７５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃２７と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１７を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃２７ないし＃２９、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１６および＃１７を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃２７ないし＃２９、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１６および＃１７につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表１０に示されている。

表１０に示されるように、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物ターゲットと、Ｚｎを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ４／Ｄ２が、０．４２ないし０．６８の範囲内である光記録ディスクサンプル＃２７ないし＃２９においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、反射率差も、それぞれ、１．３％、０．３％および２．９％となり、いずれも、３．０％未満であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれの反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ４／Ｄ２が、０．４２ないし０．６８の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃１６および＃１７においては、光記録ディスク比較サンプル＃１６の第四の記録層の反射率Ｒ３が３％未満であり、反射率差についても、光記録ディスク比較サンプル＃１７で、４．３％となり、３％を越えて、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例１１
まず、光記録ディスクサンプル＃１０と同様の方法を用いて、ポリカーボネート基板、第一の記録層および第一の中間層を、順次、形成した。
次いで、第一の中間層が形成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４およびＬａ_２Ｏ_３の混合物ターゲットと、Ｍｇを主成分として含むターゲットの両方を用いて、スパッタリング法により、４０ｎｍの厚さを有する第二の記録層を形成した。

ここに、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４およびＬａ_２Ｏ_３の混合物ターゲットとしては、モル比が３０：５０：２０の混合物を使用した。

また、第二の記録層中のＬａ、Ｓｉ、Ｍｇ、ＯおよびＮの含有量は、それぞれ、６．２原子％、２４．１原子％、２３．１原子％、２４．６原子％および２２．０原子％であった。

次いで、第二の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第二の中間層を形成し、さらに、第二の中間層の表面上に、第二の記録層を形成したのと同様にして、スパッタリング法により、第三の記録層を形成した。

第三の記録層は、２０ｎｍの厚さを有するように形成し、第三の記録層の厚さＤ３と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ３／Ｄ２を０．５０とした。

次いで、第三の記録層の表面上に、第一の中間層を形成したのと同様にして、１５μｍの厚さを有する第三の中間層を形成し、さらに、第三の中間層の表面上に、第三の記録層を形成したのと同様にして、１９ｎｍの厚さを有する第四の記録層を、スパッタリング法により、形成した。

最後に、紫外線硬化性アクリル樹脂を、第四の記録層の表面上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、７０μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

こうして、光記録ディスクサンプル＃３０を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、２５ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．６３とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３１を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、３０ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．７５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３２を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、３７ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．９３とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３３を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、１３ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を０．３３とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１８を作製した。

第三の記録層の厚さＤ３を、４２ｎｍとして、Ｄ３／Ｄ２を１．０５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３０と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃１９を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃３０ないし＃３３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１８および＃１９を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃３０ないし＃３３、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃１８および＃１９につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表１１に示されている。

表１１に示されるように、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４およびＬａ_２Ｏ_３の混合物ターゲットと、Ｍｇを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ３／Ｄ２が、０．５０ないし０．９５の範囲内である光記録ディスクサンプル＃３０ないし＃３３においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、反射率差も、それぞれ、１．２％、０．３％、１．６％および２．９％で、いずれも、３．０％未満であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層のそれぞれの反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ３／Ｄ２が、０．５０ないし０．９５の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃１８および＃１９においては、光記録ディスク比較サンプル＃１８の第三の記録層の反射率Ｒ２が３％未満であり、反射率差についても、光記録ディスク比較サンプル＃１８および＃１９で、それぞれ、３．５％および３．４％となり、３％を越えて、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

実施例１２
第三の記録層の厚さＤ３を、２４ｎｍにするとともに、第四の記録層の厚さＤ４を、１６ｎｍとした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３０と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３４を作製した。ここに、第四の記録層の厚さＤ４と第二の記録層の厚さＤ２との比Ｄ４／Ｄ２は、０．４０とした。

第四の記録層の厚さＤ４を、１９ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．４８とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３５を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、２２ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．５５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３６を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、２６ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．６５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３４と同様にして、光記録ディスクサンプル＃３７を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、１３ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．３３とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３４と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃２０を作製した。

第四の記録層の厚さＤ４を、３０ｎｍとして、Ｄ４／Ｄ２を０．７５とした点を除き、光記録ディスクサンプル＃３４と同様にして、光記録ディスク比較サンプル＃２１を作製した。

次いで、光記録ディスクサンプル＃３４ないし＃３７、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２０および＃２１を、実施例１と同じ光記録媒体評価装置に、順次、セットし、レーザビームを照射して、各光記録ディスクサンプルにつき、第一の記録層の反射率Ｒ０、第二の記録層の反射率Ｒ１、第三の記録層の反射率Ｒ２および第四の記録層の反射率Ｒ３を測定して、実施例１と同様にして、反射率差を算出した。

光記録ディスクサンプル＃３４ないし＃３７、ならびに光記録ディスク比較サンプル＃２０および＃２１につき、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率は、実施例１と同様にして、他の層による反射分を除去して、求めた。

測定結果は、表１２に示されている。

表１２に示されるように、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４およびＬａ_２Ｏ_３の混合物ターゲットと、Ｍｇを主成分として含むターゲットとを用いて、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層を形成した場合には、Ｄ４／Ｄ２が、０．４０ないし０．６５の範囲内である光記録ディスクサンプル＃３４ないし＃３７においては、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率Ｒ０、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３が、いずれも、３％を越えて、十分に高い反射率を有しており、反射率差も、それぞれ、１．２％、０．１％、１．３％および２．９％となり、いずれも、３．０％未満であり、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率が、ほぼ、等しくなることが判明した。

これに対して、Ｄ４／Ｄ２が、０．４０ないし０．６５の範囲外である光記録ディスク比較サンプル＃２０および＃２１においては、光記録ディスク比較サンプル＃２０の第四の記録層の反射率Ｒ３が３％未満であり、反射率差についても、光記録ディスク比較サンプル＃２１においては、４．２％となり、３％を越えて、第一の記録層、第二の記録層、第三の記録層および第四の記録層の反射率に、ばらつきが認められた。

本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

たとえば、図１および図２に示された実施態様においては、光記録媒体１０は、基板１１と、光透過層１５と、基板１１および光透過層１５の間に形成された三つの記録層第一の記録層２０、第二の記録層３０および第三の記録層４０を備え、図１２および図１３に示された実施態様においては、光記録媒体１００は、基板１１と、光透過層１５と、基板１１および光透過層１５の間に形成された四つの記録層第一の記録層２０、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を備えているが、本発明は、三層の記録層を有する光記録媒体および四層の記録層を有する光記録媒体に限定されるものではなく、広く、三層以上の記録層を有する光記録媒体に適用するすることができる。

また、図１および図２、図１２および図１３に示される実施態様においては、第二の記録層３０および第三の記録層４０、あるいは第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０に、ＺｎまたはＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属の単体を含ませるために、還元剤として、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含むターゲットを用い、第二の記録層３０および第三の記録層４０、あるいは第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を形成しているが、これに限られるものではなく、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を主成分として含むターゲットに代えて、ＺｎまたはＬａ主成分として含むターゲットを用いたスパッタリング法により、第二の記録層３０および第三の記録層４０、あるいは第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０を形成して、第二の記録層３０および第三の記録層４０、あるいは第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０に、ＺｎまたはＬａの金属の単体を含ませるようにしてもよい。

また、図１および図２、図１２および図１３に示される実施態様においては、第一の記録層２０が、Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜２３ａと、Ｓｉを主成分として含む第二の記録膜２３ｂとを有するように形成されているが、第一の記録層２０を、Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜２３ａと、Ｓｉを主成分として含む第二の記録膜２３ｂとを有するように形成することは必ずしも必要でなく、第一の記録層２０を、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含むように形成することもできる。

また、図１および図２、図１２および図１３に示される実施態様においては、第一の記録層２０が、Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜２３ａと、Ｓｉを主成分として含む第二の記録膜２３ｂとを有するように構成され、第一の記録膜２３ａに主成分として含まれる元素と、第二の記録膜２３ｂに主成分として含まれる元素と、を混合させて、データが記録される追記型の記録層より構成されているが、第一の記録層２０は、たとえば、再生専用の記録層であってもよい。この場合には、第一の記録層としての記録層はとくに設けられず、支持基板１１、あるいは、第一の中間層１２が、最下層の記録層として機能し、支持基板１１、あるいは、第一の中間層１２の表面上に、ピットが形成され、かかるピットによって、データが記録される。

また、図１および図２、図１２および図１３に示される実施態様においては、光記録媒体１０、１００が、光透過層１５を備えているが、光透過層１５に代えて、または、光透過層１５の表面上に、ハードコート組成物を主成分として含むハードコート層を設けてもよいし、さらに、潤滑性や防汚性の機能を付与するために、ハードコート層に潤滑剤を含ませてもよいし、ハードコート層の表面上に、潤滑剤を主成分として含む潤滑層を、別途、設けるようにしてもよい。

さらに、図１および図２、図１２および図１３に示される実施態様においては、レーザビームＬは、光透過層１５を介して、第一の記録層２０、第二の記録層３０および第三の記録層４０、あるいは第一の記録層２０、第二の記録層３０、第三の記録層４０および第四の記録層５０に照射されるように構成されているが、本発明は、約０．６ｍｍの厚さを有する光透過性基板と、約０．６ｍｍの厚さを有するダミー基板と、光透過性基板とダミー基板との間に、三層以上の記録層を備えたＤＶＤ型の光記録媒体に適用することもできる。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図である。 図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。 図３は、第一の記録層の構成を示す略拡大断面図である。。 図４は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法を示す工程図である。 図５は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法を示す工程図である。 図６は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法を示す工程図である。 図７は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法を示す工程図である。 図８は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の製造方法を示す工程図である。 図９は、光記録媒体にデータを記録する際に、レーザビームの強度を制御するレーザパワー制御信号のパルス列パターンを示すダイアグラムである。 図１０は、データが記録される前の第一の記録層の略断面図である。 図１１は、データが記録された後の第一の記録層の略断面図である。 図１２は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図である。 図１３は、図１２のＢで示された部分の略拡大断面図である。

符号の説明

１０ 光記録媒体
１１ 基板
１１ａ グルーブ
１１ｂ ランド
１２ 第一の中間層
１２ａ グルーブ
１２ｂ ランド
１３ 第二の中間層
１３ａ グルーブ
１３ｂ ランド
１４ 第三の中間層
１４ａ グルーブ
１４ｂ ランド
１５ 光透過層
２０ 第一の記録層
２１ 反射膜
２２ 第二の誘電体膜
２３ａ 第一の記録膜
２３ｂ 第二の記録膜
２４ 第一の誘電体膜
３０ 第二の記録層
４０ 第三の記録層
５０ 第四の記録層
６１ スタンパ
１００ 光記録媒体

Claims (9)

1. 基板と、基板上に、少なくとも中間層を介して、積層された三層以上の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層が、いずれも、、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属Ｍと、記録用のレーザビームが照射されることにより、前記金属Ｍと結合して、前記金属Ｍとの化合物の結晶を生成する元素Ｘとを、含み、これら記録層が、前記レーザビームの光入射面に近いほど、厚さが薄く形成されていることを特徴とする光記録媒体。
2. 前記元素Ｘが、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 前記レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層が、いずれも、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属を、さらに含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
4. 基板と、基板上に、少なくとも中間層を介して、積層された三層以上の記録層を備え、レーザビームの光入射面から最も遠い記録層以外の記録層が、いずれも、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｗ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＺｎおよびＬａからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属と、Ｓ、Ｏ、ＣおよびＮからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素との混合物を主成分として含む誘電体材料に、Ｍｇ、ＡｌおよびＴｉからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属が添加された材料を含み、これら記録層が、前記レーザビームの光入射面に近いほど、厚さが薄く形成されていることを特徴とする光記録媒体。
5. 前記誘電体材料が、ＺｎＳ・ＳｉＯ_２またはＬａ・Ｓｉ・Ｏ・Ｎを主成分として含んでいることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
6. 前記基板上に、第一の記録層と、第二の記録層と、第三の記録層を、この順に備え、前記第二の記録層が、１５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、前記第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）が０．４０ないし０．７０の関係を満たすように形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
7. 前記基板上に、第一の記録層と、第二の記録層と、第三の記録層と、第四の記録層とを、この順に備え、前記第二の記録層が、２０ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有し、前記第三の記録層の厚さ（Ｄ３）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ３／Ｄ２）が０．４８ないし０．９３の関係を満たすように形成され、前記第四の記録層の厚さ（Ｄ４）と、前記第二の記録層の厚さ（Ｄ２）との比（Ｄ４／Ｄ２）が０．３９ないし０．７０の関係を満たすように形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
8. 前記複数の記録層のうち、前記レーザビームの光入射面から最も遠い記録層が、Ｃｕを主成分として含む第一の記録膜と、Ｓｉを主成分として含む第二の記録膜とを備えていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光記録媒体。
9. 前記複数の記録層が、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームを用いて、データの記録および再生が可能に構成されたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光記録媒体。

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