JP2004241103A - 光記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、良好な光学特性を発揮することができる光記録媒体を提供する。
【解決手段】 第二の記録膜２２と第一の記録膜２１とを含む記録層１４と、記録層の近傍に設けられ、酸化物を主成分として含み、窒素が添加された第二の誘電体層１３および第一の誘電体層１５を備えたことを特徴とする光記録媒体。
【選択図】 図２

Description

本発明は光記録媒体およびその製造方法に関するものであり、さらに詳細には、データの記録および再生に用いるレーザビームに対して、良好な光学特性を発揮することができる光記録媒体およびその製造方法に関するものである。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。これらの光記録媒体は、ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭのように、データの追記や書き換えができないタイプの光記録媒体（ＲＯＭ型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒのように、データの追記はできるが、データの書き換えができないタイプの光記録媒体（追記型光記録媒体）と、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＷのように、データの書き換えが可能なタイプの光記録媒体（書き換え型光記録媒体）とに大別することができる。

ＲＯＭ型光記録媒体においては、製造段階において、基板に形成されるピットにより、データが記録されることが一般的であり、螺旋状に配列されたピットに沿って、レーザビームを照射し、レーザビームの反射光量を検出することによって、データを再生するように構成されている。

これに対して、追記型光記録媒体や書き換え型光記録媒体においては、基板上に螺旋状に設けられたグルーブおよび／またはランドに沿って、強度変調されたレーザビームを記録層に照射して、記録層に含まれた有機色素や相変化材料を、化学的におよび／または物理的に変化させ、記録マークを形成することにより、データを記録し、螺旋状のグルーブおよび／またはランドに沿って、記録層にレーザビームを照射し、レーザビームの反射光量を検出することによって、データを再生するように構成されている。

追記型光記録媒体や書き換え型光記録媒体においては、記録層を化学的および／または物理的に保護するとともに、変調度、すなわち、記録マークが形成された記録層の領域と、記録マークが形成されていない記録層の領域との光反射率の差が増大するように、記録層の近傍に、通常は、記録層に隣接して、誘電体層が設けられるのが一般的である。

このように、記録層の近傍に、誘電体層を設ける場合には、誘電体層が、高い変調度、すなわち、記録マークが形成された記録層の領域と、記録マークが形成されていない記録層の領域との光反射率の差を増大させるためには、誘電体層が高い屈折率ｎを有することが好ましく、また、誘電体層に吸収されるレーザビームのエネルギーを減少させて、データの記録感度を向上させ、反射率の低下を防止するためには、誘電体層が低い消衰係数ｋを有していることが好ましい。

しかしながら、従来の誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、光の波長に大きく依存するため、データの記録および再生に用いるレーザビームの波長によっては、誘電体層の屈折率ｎが低くなったり、消衰係数ｋが高くなったりして、光記録媒体の光学特性が悪化するという問題があった。

たとえば、誘電体層を形成するために広く用いられている酸化物のうち、ある酸化物は、レーザビームの波長が短くなると、消衰係数ｋが高くなるため、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いる次世代型の光記録媒体において、このような酸化物によって、誘電体層を形成するときは、良好な光学特性、すなわち、高い変調度と高い記録密度を得ることができないという問題があった。

したがって、本発明は、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、良好な光学特性を発揮することができる光記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の別の目的は、青色波長領域のデータ記録および再生用のレーザビームに対して、良好な光学特性を発揮することができる光記録媒体およびその製造方法を提供することにある。

本発明者らは、本発明の前記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、酸化物を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加することによって、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋのレーザビームの波長に対する依存性を変化させることが可能になることを見出した。

本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一つの記録層の近傍に設けられ、酸化物を主成分として含み、窒素が添加された誘電体層を備えたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。

誘電体層を形成するために広く用いられている酸化物のうち、ある酸化物の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、光の波長に大きく依存するため、データの記録および再生に用いるレーザビームの波長によっては、誘電体層の屈折率ｎが低くなったり、消衰係数ｋが高くなったりして、光記録媒体の光学特性が悪化するという問題があり、とくに、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いる次世代型の光記録媒体において、このような酸化物によって、誘電体層を形成するときは、誘電体層の消衰係数ｋが高くなって、良好な光学特性を得ることができないという問題があったが、本発明によれば、酸化物を主成分として含む誘電体層に、窒素が添加され、酸化物を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加することによって、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋのレーザビームの波長に対する依存性を変化させることが可能になるから、窒素の添加量を制御することによって、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有する誘電体層を形成することができ、したがって、良好な光学特性、すなわち、高い変調度と高い記録密度を有する光記録媒体を得ることが可能になる。

本発明において、好ましくは、誘電体層が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいる。誘電体層が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいるときは、誘電体層に窒素を添加した場合に、誘電体層の消衰係数ｋの低下が著しく、したがって、データの記録感度を大幅に向上させることが可能になり、また、青色波長領域のレーザビームに対して、誘電体層の屈折率ｎを大幅に向上させることが可能になるとともに、誘電体層の消衰係数ｋの増大を防止することができ、したがって、とくに、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いた場合に、高い変調度と高い記録密度を有する光記録媒体を得ることが可能になる。

本発明において、誘電体層への窒素の好ましい添加量は、誘電体層の主成分である酸化物の種類や、データの記録および再生に用いるレーザビームＬの波長によって異なるが、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いる場合、すなわち、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームを用いる場合には、誘電体層がＴａ_２Ｏ_５を主成分として含んでいるときは、１ないし１２原子％の窒素を誘電体層に添加することが好ましく、より好ましくは、２ないし１０原子％の窒素が、誘電体層に添加され、他方、誘電体層がＴｉＯ_２を主成分として含んでいるときは、１ないし５原子％の窒素を誘電体層に添加することが好ましく、より好ましくは、２ないし４原子％のの窒素が、誘電体層に添加される。ここに、誘電体層への窒素の添加量は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for chemical Analisys）、すなわち、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって求めることができる。

本発明において、光記録媒体が、酸化物を主成分として含む複数の誘電体層を有している場合、少なくとも１つの誘電体層に窒素が添加されていればよい。

本発明において、光記録媒体が、酸化物を主成分として含む複数の誘電体層を有している場合、記録層の光入射面側に位置する誘電体層に窒素が添加されていることが好ましく、すべての誘電体層に窒素が添加されていることがより好ましい。

本発明において、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームによって、記録層に、データが記録可能であることが好ましい。Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含む誘電体層は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームに対して、高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有している。

本発明の好ましい実施態様においては、前記少なくとも一つの記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、前記第一の記録膜の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録膜に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成され、前記レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録膜に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とが混合して、記録マークが形成されるように構成されている。

本明細書において、第一の記録膜が、ある元素を主成分として含むとは、第一の記録膜に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいい、第二の記録膜が、ある元素を主成分として含むとは、第二の記録膜に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいう。

本発明の好ましい実施態様において、第二の記録膜は、レーザビームの照射を受けたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録膜の近傍に位置していればよく、第二の記録膜が、第一の記録膜に接触していることは必ずしも必要でなく、第一の記録膜と第二の記録膜の間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。

本発明の好ましい実施態様において、好ましくは、前記第二の記録膜が、前記第一の記録膜に接するように、形成されている。

本発明の好ましい実施態様において、光記録媒体は、第一の記録膜および第二の記録膜に加えて、一もしくは二以上の第一の記録膜に主成分として含まれた元素を主成分として含む記録膜、または、一もしくは二以上の第二の記録膜に主成分として含まれた元素を主成分として含む記録膜を備えていてもよい。

レーザビームが照射されたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成される理由は必ずしも明らかでないが、レーザビームが照射されたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素および第二の記録膜に主成分として含まれている元素が、部分的にあるいは全体として、溶融ないし拡散し、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合された領域が形成されるものと推測される。

このように、本発明の好ましい実施態様によれば、レーザビームが照射されたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合して、第一の記録膜および第二の記録膜に、他の領域とは再生のためのレーザビームに対する反射率が異なる記録マークが形成されるとともに、少なくとも一つの誘電体層の記録マークに接する領域の少なくとも一部が結晶化して、少なくとも一つの誘電体層に、他の領域とは再生のためのレーザビームに対する反射率が異なる結晶化領域が形成されるから、記録マークが形成された領域の再生のためのレーザビームに対する反射率と、それ以外の領域の再生のためのレーザビームに対する反射率との差が十分に大きくなり、したがって、反射率の大きな差異を利用して、記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の向上した再生信号を得ることが可能になる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記第一の記録膜に隣接して、第一の誘電体膜が設けられ、前記第一の記録膜に接して形成された前記第二の誘電体膜に隣接して、第二の誘電体膜が設けられ、前記第一の誘電体膜および前記第二の誘電体膜が、それぞれ、酸化物を主成分として含み、窒素が添加されている。

本発明の好ましい実施態様においては、第一の記録膜が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいる。

本発明の好ましい実施態様においては、第二の記録膜に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｍｇ，Ｓｎ、Ａｕ，ＴｉおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素で、第二の記録膜に主成分として含まれている元素と異なる元素が添加されている。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、第一の記録膜が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録膜が、Ｃｕを主成分として含んでいる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、第一の記録膜が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｃｕを主成分として含む第二の記録膜に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐ、Ｃｒ、ＦｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている。

Ｃｕを主成分として含む第二の記録膜に、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐ、Ｃｒ、ＦｅおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録膜の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録膜および第二の記録膜中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｃｕを主成分として含む第二の記録膜に、Ａｌ、Ｚｎ、ＳｎおよびＡｕよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されている。

本発明の別の好ましい実施態様においては、第一の記録膜が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｃ、Ｓｎ、ＺｎおよびＣｕよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録膜が、Ａｌを主成分として含んでいる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ａｌを主成分として含む第二の記録膜に、Ｍｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＣｕよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。

Ａｌを主成分として含む第二の記録膜に、Ｍｇ、Ａｕ、ＴｉおよびＣｕよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録膜の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録膜および第二の記録膜中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。

本発明の他の好ましい実施態様においては、第一の記録膜が、Ｓｉ、Ｇｅ、ＣおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録膜が、Ｚｎを主成分として含んでいる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ｚｎを主成分として含む第二の記録膜に、Ｍｇ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。

Ｚｎを主成分として含む第二の記録膜に、Ｍｇ、ＣｕおよびＡｌよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録膜の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録膜および第二の記録膜中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。

本発明の他の好ましい実施態様においては、第一の記録膜が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録膜が、Ａｇを主成分として含んでいる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、Ａｇを主成分として含む第二の記録膜に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている。

Ａｇを主成分として含む第二の記録膜に、ＣｕおよびＰｄよりなる群から選ばれた少なくとも一種の元素が添加されている場合には、再生された信号中のノイズレベルをより低減させることが可能となるとともに、長期間の保存に対する信頼性を向上させることができ、さらに、第二の記録膜の熱伝導性が低下するため、レーザビームによって、第一の記録膜および第二の記録膜中に生成された熱が、効果的に、少なくとも一つの誘電体層に伝達され、少なくとも一つの誘電体層の結晶化を促進することが可能になる。

本発明の好ましい実施態様において、好ましくは、第一の記録膜および第二の記録膜は、第一の記録膜と第二の記録膜の総厚が２ｎｍないし４０ｎｍとなるように、より好ましくは、第一の記録膜と第二の記録膜の総厚が２ｎｍないし３０ｎｍになるように、さらに好ましくは、第一の記録膜と第二の記録膜の総厚が２ｎｍないし１５ｎｍになるように形成される。

本発明の好ましい実施態様においては、光記録媒体は、２以上の互いに離間した記録層と、各記録層の近傍に設けられた誘電体層を備え、少なくとも、光入射面に最も近い記録層の近傍に設けられた誘電体層が、酸化物を、主成分として含み、窒素を添加物として含んでいる。

本発明の好ましい実施態様によれば、少なくとも、光入射面に最も近い記録層の近傍に設けられた誘電体層が、酸化物を、主成分として含み、窒素を添加物として含んでいるから、光入射面に最も近い記録層の近傍に設けられた誘電体層は高い屈折率と低い消衰係数を有し、したがって、光入射面に最も近い記録層以外の記録層へのデータ記録特性および光入射面から離れた記録層からのデータ再生特性を大幅に向上させることが可能になる。

本発明のさらに好ましい実施態様においては、光入射面に最も近い記録層に対して、光入射面側に位置する誘電体層が、酸化物を、主成分として含み、窒素を添加物として含んでいる。

本発明の前記目的はまた、少なくとも１つの記録層と、前記少なくとも１つの記録層の近傍に設けられた誘電体層を備えた光記録媒体の製造方法であって、窒素ガスを含む混合ガス雰囲気下で、酸化物を気相成長させて、前記誘電体層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法によって達成される。

本発明によれば、混合ガス中の窒素ガスの含有量を制御することによって、所望の量の窒素が添加された誘電体層を形成することが可能になるから、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有する誘電体層を形成することができ、したがって、良好な光学特性、すなわち、高い変調度と高い記録密度を有する光記録媒体を得ることが可能になる。

本発明の好ましい実施態様においては、スパッタリングによって、酸化物を主成分として含み、窒素を添加物として含む誘電体層が形成される。

本発明によれば、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、良好な光学特性を発揮することができる光記録媒体およびその製造方法を提供することが可能になる。

また、本発明によれば、青色波長領域のデータ記録および再生用のレーザビームに対して、良好な光学特性を発揮することができる光記録媒体およびその製造方法を提供することが可能になる。

以下、添付図面に基づき、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。

本実施態様にかかる光記録媒体１０は、追記型の光記録媒体として構成されており、図２に示されるように、支持基板１１と、支持基板１１の表面上に形成された反射層１２と、反射層１２の表面上に形成された第二の誘電体層１３と、第二の誘電体層１３の表面上に形成された記録層１４と、記録層１４の表面上に形成された第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成された光透過層１６を備えている。

図２に示されるように、記録層１４は、第二の誘電体層１３の表面上に形成された第二の記録膜２２と、第二の記録膜２２の表面上に形成された第一の記録膜２１とによって構成されている。

本実施態様においては、図２に示されるように、光透過層１６の光入射面１６ａに、レーザビームＬが照射されて、光記録媒体１０にデータが記録され、光記録媒体１０から、データが再生されるように構成されている。

支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。

支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。支持基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、オレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂およびオレフィン樹脂がとくに好ましい。

本実施態様においては、支持基板１１は、約１．２ｍｍの厚さを有している。

支持基板１１の形状は、とくに限定されるものではないが、通常は、ディスク状、カード状あるいはシート状である。

本実施態様においては、データの記録および再生にあたって、レーザビームＬは支持基板１１を透過しないから、支持基板１１は高い光透過性を有している必要はない。

図２に示されるように、支持基板１１の表面には、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成されている。支持基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、データを記録する場合およびデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

反射層１２は、光透過層１６を介して、入射したレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１６から出射させる機能を有している。

反射層１２の厚さは、とくに限定されるものではないが、５ｎｍないし３００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍないし２００ｎｍであることが、とくに好ましい。

反射層１２を形成するための材料は、レーザビームＬを反射することができれば、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、反射層１２を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｌとＴｉとの合金などのこれらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射層１２を形成するために、好ましく用いられる。

反射層１２は、レーザビームＬを用いて、記録層１４に記録されたデータを再生するときに、多重干渉効果によって、記録部と未記録部との反射率の差を大きくして、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るために、設けられている。

第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２によって構成された記録層１４を保護する役割を果たす。したがって、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３により、長期間にわたって、記録層１４に記録されたデータの劣化を効果的に防止することができる。

第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、それぞれ、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含み、添加物として、窒素を含んでいる。

Ｔａ_２Ｏ_５あるいはＴｉＯ_２の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、光の波長に大きく依存するため、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を用いて、誘電体層を形成した場合に、データの記録および再生に用いるレーザビームの波長によっては、誘電体層の屈折率ｎが低くなったり、消衰係数ｋが高くなったりして、光記録媒体の光学特性が悪化するという問題があり、とくに、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームが用いる次世代型の光記録媒体において、誘電体層の消衰係数ｋが高くなって、良好な光学特性を得ることができないという問題があった。

しかしながら、本発明者の研究によれば、酸化物を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加することによって、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋのレーザビームの波長に対する依存性を変化させることができ、窒素の添加量を制御することによって、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、十分に高い屈折率ｎと十分に低い消衰係数ｋを有する誘電体層を形成し得ることが見出されている。

すなわち、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含まない誘電体層の屈折率ｎ０と、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含む誘電体層の屈折率ｎとの差（ｎ０−ｎ）は、データ記録および再生に用いるレーザビームＬの波長が短いほど、小さく、また、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含まない誘電体層の消衰係数ｋ０と、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含む誘電体層の消衰係数ｋとの差（ｋ０−ｋ）は、データ記録および再生に用いるレーザビームＬの波長が短いほど、大きくなることが見出されており、とくに、窒素の添加量を選択することによって、データ記録および再生に、青色波長域のレーザビームＬ、すなわち、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合においても、誘電体層の屈折率ｎがｎ０よりも大きく、かつ、誘電体層の消衰係数ｋがｋ０よりも小さくなるように、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを設定することが可能になることが見出されている。

また、本発明者のさらなる研究によれば、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層の屈折率ｎ０は、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、大きく低下するのに対し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体層の屈折率ｎは、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、大きく増大し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体層の消衰係数ｋは、窒素が添加されていない誘電体層の消衰係数ｋ０よりも小さく、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、より一層小さくなることが見出されており、また、ＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層の屈折率ｎ０は、レーザビームＬの波長が変化しても、ほとんど変化しないのに対し、ＴｉＯ_２を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体層の屈折率ｎは、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、増大し、ＴｉＯ_２を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体層の消衰係数ｋは、窒素が添加されていない誘電体層の消衰係数ｋ０よりも小さく、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、より一層小さくなることが見出されている。

したがって、本実施態様においては、データの記録および再生に、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高くなり、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への窒素の添加量が決定されている。

第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、互いに同じ材料によって形成されていてもよいが、異なる材料によって形成されていてもよい。

第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の層厚は、とくに限定されるものではないが、３ないし２００ｎｍであることが好ましい。第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が３ｎｍ未満であると、上述した効果が得られにくくなる。一方、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３の層厚が２００ｎｍを越えると、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、第一の誘電体層１５あるいは第二の誘電体層１３のもつ応力によって、光記録媒体１０にクラックが発生するおそれがある。

記録層１４は、データを記録する層である。

本実施態様においては、記録層１４は、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２によって構成され、第一の記録膜２１は、光透過層１６側に配置され、第二の記録膜２２は、基板１１側に配置されている。

本実施態様においては、第一の記録膜２１は、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含み、第二の記録膜２２は、Ｃｕを主成分として、含んでいる。

第二の記録膜２２に主成分として含まれているＣｕは、レーザビームが照射されたときに、第一の記録膜２１に主成分として含まれている元素とともに速やかに混合して、記録マークを形成し、これによって、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２に、データを速やかに記録することが可能になる。

第一の記録膜２１の記録感度を向上させるために、第一の記録膜２１に、さらに、Ｍｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕよりなる群から選ばれ１または２以上の元素が添加されていてもよい。

また、第二の記録膜２２の保存信頼性の向上させ、記録感度を向上させるために、第二の記録膜２２に、さらに、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれる少なくとも一種の元素が添加されていてもよい。第二の記録膜２２に添加すべき元素の添加量は、１原子％以上、５０原子％未満であることが好ましい。

第一の記録膜２１および第二の記録膜２２の総厚が厚くなればなるほど、レーザビームＬが照射される第一の記録膜２１の表面平滑性が低下し、その結果、再生された信号中のノイズレベルが高くなるとともに、記録感度が低下する。その一方で、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２の総厚が薄すぎると、データを記録する前後の反射率の差が少なくなり、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなり、膜厚制御も困難になる。

そこで、本実施態様においては、第一の記録膜２１と第二の記録膜２２の総厚が、２ｎｍないし４０ｎｍになるように、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２が形成されている。より高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得るとともに、再生信号中のノイズレベルをより一層低下させるためには、第一の記録膜２１と第二の記録膜２２の総厚が、２ｎｍないし２０ｎｍであることが好ましく、２ｎｍないし１５ｎｍであることがより好ましい。

第一の記録膜２１および第二の記録膜２２のそれぞれの膜厚は、とくに限定されるものではないが、記録感度を十分に向上させ、データを記録する前後の反射率の変化を十分に大きくするためには、第一の記録膜２１の膜厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであり、第二の記録膜２２の膜厚が、１ｎｍないし３０ｎｍであることが好ましい。さらに、レーザビームを照射する前後の反射率の変化を十分に大きくするために、第一の記録膜２１の膜厚と第二の記録膜２２の膜厚との比（第一の記録膜２１の膜厚／第二の記録膜２２の膜厚）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。

光透過層１６は、レーザビームＬが透過する層であり、１０μｍないし３００μｍの厚さを有していることが好ましく、より好ましくは、光透過層１６は、５０μｍないし１５０μｍの厚さを有している。

光透過層１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、スピンコーティング法などによって、光透過層１６を形成する場合には、紫外線硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂などが好ましく用いられ、より好ましくは、紫外線硬化性樹脂によって、光透過層１６が形成される。

光透過層１６は、第一の誘電体層１５の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。

以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。

まず、スタンパ（図示せず）を用い、射出成形法によって、表面に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された支持基板１１を作製する。

さらに、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された支持基板１１の表面上に、反射層１２が形成される。

反射層１２は、たとえば、反射層１２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、反射層１２の表面上に、第二の誘電体層１３が形成される。

本実施態様においては、第二の誘電体層１３は、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスをスパッタリングガスとして用い、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などの酸化物をターゲットとして用いたスパッタリング法によって、形成され、その結果、第二の誘電体層１３は、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などの酸化物を主成分として含み、窒素が添加された組成を有している。ここに、第二の誘電体層１３中の窒素の含有量は、第二の誘電体層１３が高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有するように、決定されており、第二の誘電体層１３中の窒素の含有量は、スパッタリングガス中の窒素ガスの割合を制御することによって、制御することができる。

さらに、第二の誘電体層１３の表面上に、第二の記録膜２２が形成される。第二の記録膜２２は、第二の記録膜２２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、第二の記録膜２２の表面上に、第一の記録膜２１が形成される。第一の記録膜２１も、第一の記録膜３１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

本実施態様においては、第一の記録膜２１と第二の記録膜２２の総厚が、２ｎｍないし４０ｎｍとなるように、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２が形成されるから、第一の記録膜２１の表面平滑性を向上させることができる。

さらに、第一の記録膜３１の表面上に、第一の誘電体層１５が形成される。

本実施態様においては、第一の誘電体層１５もまた、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスをスパッタリングガスとして用い、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などの酸化物をターゲットとしたスパッタリング法によって、形成され、その結果、第二の誘電体層１３は、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などの酸化物を主成分として含み、窒素が添加された組成を有している。ここに、第一の誘電体層１５中の窒素の含有量は、第一の誘電体層１５が高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有するように、決定されており、第一の誘電体層１５中の窒素の含有量は、スパッタリングガス中の窒素ガスの割合を制御することによって、制御することができる。

最後に、第一の誘電体層１５の表面上に、光透過層１６が形成される。光透過層１６は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体層１５の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。

以上のようにして、光記録媒体１０が製造される。

以上のような構成を有する光記録媒体１０に、たとえば、以下のようにして、データが記録される。

まず、図２に示されるように、所定のパワーを有するレーザビームＬが、光透過層１６を介して、第一の記録膜２１および第二の記録膜２２に照射される。

データを高い記録密度で、光記録媒体１０に記録するためには、４５０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームＬを、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０上に集束することが好ましく、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍであることがより好ましい。

本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬが、開口数が０．８５の対物レンズを用いて、光記録媒体１０上に集束される。

その結果、レーザビームＬが照射された領域において、第一の記録膜２１に主成分として含まれた元素と、第二の記録膜２２に主成分として含まれた元素とが混合されて、図３に示されるように、第一の記録膜２１に主成分として含まれた元素と、第二の記録膜２２に主成分として含まれた元素とが混合された混合領域が形成され、記録マークＭが形成される。

第一の記録膜２１に主成分として含まれた元素と、第二の記録膜２２に主成分として含まれた元素とが混合されて、記録マークＭが形成されると、記録マークＭが形成された領域の反射率が大きく変化し、したがって、こうして形成された記録マークＭの反射率は、その周囲の領域の反射率と大きく異なることになるので、記録されたデータを再生する際に、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得ることが可能になる。

本実施態様によれば、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への窒素の添加量が決定されているから、光記録媒体１０に、データを記録するにあたり、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に吸収されるレーザビームのエネルギーを減少させて、データの記録感度を向上させることが可能になり、光記録媒体１０から、データを再生するにあたり、変調度、すなわち、記録マークが形成された記録層１４の領域と、記録マークが形成されていない記録層１４の領域との光反射率の差を増大させることが可能になるとともに、記録層１４の反射率の低下を防止することが可能になる。

図４は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の層構成を示す略断面図である。

本実施態様にかかる光記録媒体は、書き換え型の光記録媒体として構成されており、図４に示されるように、支持基板１１と、支持基板１１の表面上に形成された反射層１２と、反射層１２の表面上に形成された第二の誘電体層１３と、第二の誘電体層１３の表面上に形成された記録層１４と、記録層１４の表面上に形成された第一の誘電体層１５と、第一の誘電体層１５の表面上に形成された光透過層１６を備えている。

本実施態様においても、光透過層１６の光入射面１６ａに、レーザビームＬが照射されて、光記録媒体１０にデータが記録され、光記録媒体１０から、データが再生されるように構成されている。

本実施態様にかかる光記録媒体１０の支持基板１１、反射層１２および光透過層１６は、それぞれ、図２に示された実施態様にかかる光記録媒体１０の支持基板１１、反射層１２および光透過層１６と同様の機能を有し、同様に構成されている。

本実施態様にかかる光記録媒体１０の第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３は、記録層１４を保護する役割を果たしている点を除き、図２に示された実施態様にかかる光記録媒体１０の第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３と同様の構成を有している。

すなわち、本実施態様においても、データの記録および再生に、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高くなり、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への窒素の添加量が決定されている。

記録層１４は、データを記録する層である。

本実施態様においては、記録層１４は、相変化材料によって形成されており、結晶状態にある場合の反射率と、アモルファス状態にある場合の反射率とが異なることを利用して、記録層１４にデータが記録され、記録層１４からデータが再生される。

記録層１４を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、高速で、データを直接的に上書きすることを可能にするためには、アモルファス状態から結晶状態への相変化に要する時間（結晶化時間）が短いことが好ましく、このような材料としては、ＳｂＴｅ系材料を挙げることができる。

ＳｂＴｅ系材料としては、ＳｂＴｅのみでもよいし、結晶化時間をより短縮するとともに、長期の保存に対する信頼性を高めるために、添加物が添加されていてもよい。

具体的には、組成式（Ｓｂ_ｘＴｅ_１−ｘ）_１−ｙＭ_ｙ（ＭはＳｂおよびＴｅを除く元素である。）で表されるＳｂＴｅ系材料のうち、０．５５≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦０．２５であるＳｂＴｅ系材料によって、記録層１４が形成されることが好ましく、０．６５≦ｘ≦０．８５、０≦ｙ≦０．２５であるＳｂＴｅ系材料によって、記録層１４が形成されることがより好ましい。

元素Ｍはとくに限定されるものではないが、結晶化時間を短縮し、保存信頼性を向上させるためには、元素Ｍが、Ｉｎ，Ａｇ，Ａｕ，Ｂｉ，Ｓｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｇｅ，Ｈ，Ｓｉ，Ｃ，Ｖ，Ｗ，Ｔａ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｐｄ，Ｎ，Ｏおよび希土類元素よりなる群から選ばれる１または２以上の元素であることが好ましい。とくに、保存信頼性を向上させるためには、元素Ｍが、Ａｇ，Ｉｎ，Ｇｅおよび希土類元素よりなる群から選ばれる１または２以上の元素によって構成されることが好ましい。

以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。

図２に示された光記録媒体１０と同様にして、まず、支持基板１１が作製され、支持基板１１の表面上に、反射層１２が形成される。

次いで、反射層１２の表面上に、図２に示された光記録媒体１０と同様にして、第二の誘電体層１３が形成される。

さらに、第二の誘電体層１３の表面上に、記録層１４が形成される。記録層１４は、記録層１４の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

さらに、図２に示された実施態様において、第一の記録膜２１の表面上に、第一の誘電体層１５を形成したのと同様にして、記録層１４の表面上に、第一の誘電体層１５が形成される。

最後に、第一の誘電体層１５の表面上に、光透過層１６が形成される。光透過層１６は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体層１５の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。

以上のようにして、図４に示された光記録媒体１０が製造される。

以上のような構成を有する光記録媒体１０に、たとえば、以下のようにして、データが記録される。

まず、所定のパワーを有するレーザビームＬが、光透過層１６を介して、記録層１４に照射される。

図２に示された前記実施態様と同様に、本実施態様においても、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬが、開口数が０．８５の対物レンズを用いて、光記録媒体１０上に集束される。

レーザビームＬを照射することにより、記録層１４の所定の領域を、相変化材料の融点以上の温度に加熱し、急冷するときは、その領域の状態がアモルファス状態になり、一方、レーザビームＬを照射することにより、記録層１４の所定の領域を、相変化材料の結晶化温度以上の温度に加熱し、除冷すると、その領域の状態は結晶化状態になる。

記録層１４のアモルファス状態になった領域により、記録マークが形成され、記録マークの長さと、隣り合った記録マークとの間のブランク領域の長さによって、記録層１４に記録されたデータが構成される。

本実施態様においては、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への窒素の添加量が決定されているから、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に吸収されるレーザビームのエネルギーを減少させて、データの記録感度を向上させることが可能になる。

一方、光記録媒体１０の記録層１４に記録されたデータを再生する場合には、光透過層１６の光入射面１６ａに、強度変調されたレーザビームＬが照射され、記録層１４に、レーザビームＬのフォーカスが合わせられる。

記録層１４の領域が、アモルファス状態である場合と、結晶化状態である場合とで、反射率が異なるから、記録層１４から反射されたレーザビームＬの光量を検出することにより、記録層１４に記録されたデータを再生することができる。

本実施態様においては、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への窒素の添加量が決定されているから、変調度、すなわち、記録マークが形成された記録層の領域と、記録マークが形成されていない記録層の領域との光反射率の差を増大させることが可能になるとともに、記録層１４の反射率の低下を防止することが可能になる。

本実施態様によれば、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３への窒素の添加量が決定されているから、光記録媒体１０に、データを記録するにあたり、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３に吸収されるレーザビームのエネルギーを減少させて、データの記録感度を向上させることが可能になり、光記録媒体１０から、データを再生するにあたり、変調度、すなわち、記録マークが形成された記録層の領域と、記録マークが形成されていない記録層の領域との光反射率の差を増大させることが可能になるとともに、記録層１４の反射率の低下を防止することが可能になる。

図５は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の層構成を示す略断面図である。

本実施態様にかかる光記録媒体３０は、追記型の光記録媒体として構成されており、図５に示されるように、支持基板３１と、透明中間層３２と、光透過層３３と、支持基板３１と透明中間層３２との間に設けられたＬ０層４０と、透明中間層３２と光透過層３３との間に設けられたＬ１層５０とを備えている。

Ｌ０層４０およびＬ１層５０は、データを記録する記録層であり、本実施態様にかかる光記録媒体３０は、二層の記録層を有している。

図５に示されるように、Ｌ０層４０は、光入射面３３ａから遠い記録層を構成し、支持基板３１側から、反射膜４１、第四の誘電体膜４２、第二のＬ０記録膜４３ａ、第一のＬ０記録膜４３ｂおよび第三の誘電体膜４４が積層されて、構成されている。

一方、Ｌ１層５０は、光入射面３３ａに近い記録層を構成し、図５に示されるように、支持基板３１側から、反射膜５１、第二の誘電体膜５２、第二のＬ１記録膜５３ａ、第一のＬ１記録膜５３ｂおよび第一の誘電体膜５４が積層されて、構成されている。

Ｌ０層４０に、データを記録し、Ｌ０層４０に記録されたデータを再生する場合には、光入射面３３ａに近い側に位置するＬ１層５０を介して、レーザビームＬが照射される。

支持基板３１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能し、図２に示された光記録媒体１０の支持基板１１と同様に、構成されている。

透明中間層３２は、Ｌ０層４０とＬ１層５０とを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。

図５に示されるように、透明中間層３２の表面には、支持基板３１の表面に形成されたグルーブ３１ａおよびランド３１ｂに対応して、交互に、グルーブ３２ａおよびランド３２ｂが設けられている。透明中間層３２の表面に形成されたグルーブ３２ａおよび／またはランド３２ｂは、Ｌ０層４０にデータを記録する場合およびＬ０層４０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

透明中間層３２は、１０μｍないし５０μｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、さらに好ましくは、１５μｍないし４０μｍの厚さを有するように、形成される。

透明中間層３２を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

透明中間層３２は、Ｌ０層４０にデータを記録し、Ｌ０層４０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。

透明中間層３２を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

光透過層３３は、レーザビームＬを透過させる層であり、その一方の表面によって、光入射面３３ａが構成されている。光透過層３３は、図２に示された光記録媒体１０の光透過層１６と同様に、構成されている。

Ｌ０層４０は、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含む第一のＬ０記録膜４３ｂと、Ｃｕを主成分として含む第二のＬ０記録膜４３ａを備えている。

再生信号のノイズレベルを低下させ、保存信頼性を向上させるために、第二のＬ０記録膜４３ａに、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ１または２以上の元素が添加されていることが好ましい。

Ｌ１層５０は、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜５３ｂと、Ｃｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜５３ａを備えている。

本実施態様において、Ｌ０層４０に含まれた第四の誘電体膜４２および第三の誘電体膜４４ならびにＬ１層５０に含まれた第三の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４は、いずれも、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含んでおり、第一の誘電体膜５４、第二の誘電体膜５２、第三の誘電体膜４４および第四の誘電体膜４２の各々への窒素の添加量は、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、それぞれの屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、決定されている。

図６は、図５に示された光記録媒体のＬ１層５０にレーザビームＬが照射された後の状態を示す略拡大断面図である。

図６に示されるように、光入射面３３ａを介して、光記録媒体３０のＬ１層５０に、レーザビームＬが照射されると、第二のＬ１記録膜５３ａに主成分として含まれているＣｕと、第一のＬ１記録膜５３ｂに主成分として含まれているＳｉとが速やかに溶融ないし拡散して、ＣｕとＳｉとが混合した領域Ｍが形成され、記録マークＭが形成される。

同様に、光入射面３３ａを介して、光記録媒体３０のＬ０４０に、レーザビームＬが照射されると、第二のＬ１記録膜４３ａに主成分として含まれているＣｕと、第一のＬ１記録膜４３ｂに主成分として含まれているＳｉとが速やかに溶融ないし拡散して、ＣｕとＳｉとが混合した領域Ｍが形成され、記録マークＭが形成される。

こうして、記録マークＭが形成されたＬ０層４０またはＬ１層５０の領域の反射率は、その周囲のＬ０層４０またはＬ１層５０の領域の反射率と大きく異なるため、Ｌ０層４０またはＬ１層５０に、レーザビームＬを照射し、Ｌ０層４０またはＬ１層５０によって、反射されたレーザビームＬの光量を検出することによって、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得ることができる。

本実施態様によれば、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、Ｌ０層４０に含まれた第四の誘電体膜４２および第三の誘電体膜４４の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、それらの消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第四の誘電体膜４２および第三の誘電体膜４４への窒素の添加量が決定されているから、光記録媒体１０のＬ０層４０に、データを記録するにあたり、第四の誘電体膜４２および第三の誘電体膜４４に吸収されるレーザビームのエネルギーを減少させて、データの記録感度を向上させることが可能になり、光記録媒体１０のＬ０層４０から、データを再生するにあたり、変調度、すなわち、記録マークが形成されたＬ０層４０の領域と、記録マークが形成されていないＬ０層４０の領域との光反射率の差を増大させることが可能になるとともに、Ｌ０層４０の反射率の低下を防止することが可能になる。

また、本実施態様によれば、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、Ｌ１層５０に含まれた第二の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、それらの消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第二の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４への窒素の添加量が決定されているから、光記録媒体１０のＬ１層５０に、データを記録するにあたり、第二の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４に吸収されるレーザビームのエネルギーを減少させて、データの記録感度を向上させることが可能になり、光記録媒体１０のＬ１層５０から、データを再生するにあたり、変調度、すなわち、記録マークが形成されたＬ１層５０の領域と、記録マークが形成されていないＬ１層５０の領域との光反射率の差を増大させることが可能になるとともに、Ｌ１層５０の反射率の低下を防止することが可能になる。

さらに、本実施態様によれば、４０５ｎｍの波長λを有するレーザビームＬに対して、Ｌ１層５０に含まれた第二の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高く、それらの消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第二の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４への窒素の添加量が決定されているから、Ｌ１層５０の光透過率を増大させることができ、したがって、Ｌ０層４０へのデータ記録特性およびＬ０層４０からのデータ再生特性を大幅に向上させることが可能になる。

以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。

実施例１
まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

こうして作製されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、Ｔａ_２Ｏ_５ターゲットを用い、８００Ｗのパワーで、スパッタリングを実行し、ポリカーボネート基板の表面に、３０ｎｍの厚さを有し、Ｔａ_２Ｏ_５を、主成分として含む誘電体層を形成した。

スパッタリングガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い、窒素ガスの流量を０ないし３５ＳＣＣＭの範囲で、変化させて、誘電体層に添加された窒素の添加量が異なるサンプル＃１−１ないサンプル＃１−６を作製した。

次いで、サンプル＃１−１ないサンプル＃１−６の誘電体層中に含まれた窒素の含有量を測定し、スパッタリングガスとして、用いた混合ガスの組成と、サンプル＃１−１ないサンプル＃１−６の誘電体層への窒素の添加量との関係を求めた。

測定結果は、表１に示されている。

ここに、誘電体層中に含まれた窒素の含有量は、ＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光法：ＸＰＳ）によって検出されたＴａ−４ｆピーク（ピーク位置：約２８．２〜３７．４ｅＶ）、Ｏ−１ｓピーク（ピーク位置：約５２３〜５４３ｅＶ）およびＮ−１ｓピーク（ピーク位置：約３９０〜４１０ｅＶ）のピーク面積に、それぞれのピーク感度係数（Sensitivity Factor）、すなわち、０．５９６、２．９９４および４．５０５を乗ずることによって、求めた。

次いで、サンプル＃１−１ないしサンプル＃１−６に、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームおよび６８０ｎｍのレーザビームを、それぞれ、照射して、屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の屈折率ｎとの関係および誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

こうして求められた誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の屈折率ｎとの関係は、図７に示され、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係は、図８に示されている。

図７に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含む誘電体層に添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、窒素の小さくなることが認められた。

これに対し、図７に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含む誘電体層に添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、大きくなるが、窒素の添加量が約６原子％を越えると、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなることが認められた。

一方、図８に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加すると、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋおよび６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、いずれも、小さくなり、添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなることが認められた。

また、図８に示されるように、誘電体層への窒素の添加量が約６原子％ないし約１０原子％の範囲では、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋおよび６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、いずれも、ゼロであったが、誘電体層への窒素の添加量が約１０原子％を越えると、大きくなることがわかった。

さらに、図８に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、誘電体層に窒素を添加すると、大幅に小さくなることが認められた。

次いで、サンプル＃１−１およびサンプル＃１−２に照射するレーザビームの波長を３５０ｎｍないし８００ｎｍの範囲内で変化させ、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係およびレーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果は、図９に示され、レーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果は、図１０に示されている。

図９に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃１−１の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、小さくなるのに対し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、３．３原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃１−２の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、増大し、約４７０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームに対しては、サンプル＃１−２の方が、サンプル＃１−１よりも、屈折率ｎが高くなることが認められた。

また、図１０に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃１−１の消衰係数ｋは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、ほぼ線形に増大するのに対し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、３．３原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃１−２の消衰係数ｋは、レーザビームの波長が変化しても、ほとんど変化せず、３５０ｎｍないし８００ｎｍの波長を有するレーザビームに対する消衰係数ｋは、サンプル＃１−１の方が、サンプル＃１−２よりも小さく、レーザビームの波長が短くなるほど、その差が大きくなることがわかった。

実施例２
まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

こうして作製されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＴｉＯ_２ターゲットを用い、８００Ｗのパワーで、スパッタリングを実行し、ポリカーボネート基板の表面に、３０ｎｍの厚さを有し、ＴｉＯ_２を、主成分として含む誘電体層を形成した。

スパッタリングガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い、窒素ガスの流量を０ないし３５ＳＣＣＭの範囲で、変化させて、誘電体層に添加された窒素の添加量が異なるサンプル＃２−１ないサンプル＃２−８を作製した。

次いで、サンプル＃２−１ないサンプル＃２−８の誘電体層中に含まれた窒素の含有量を測定し、スパッタリングガスとして、用いた混合ガスの組成と、サンプル＃２−１ないサンプル＃２−８の誘電体層への窒素の添加量との関係を求めた。

測定結果は、表２に示されている。

ここに、誘電体層中に含まれた窒素の含有量は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for chemical Analisys）、すなわち、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって検出されたチタンの２ｐピーク（ピーク位置：約４４３．８ないし４７３．８ｅＶ）、酸素の１ｓピーク（ピーク位置：約５２３ないし５４３ｅＶ）および窒素の１ｓピーク（ピーク位置：約３９０ないし４１０ｅＶ）のピーク面積に、それぞれのピーク感度係数（Sensitivity Factor）、すなわち、１．７０３、２．９９４および４．５０５を乗じることよって、求めた。

次いで、サンプル＃２−１ないしサンプル＃２−８に、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームおよび６８０ｎｍのレーザビームを、それぞれ、照射して、屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と光記録媒体の屈折率ｎとの関係および誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

こうして求められた誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の屈折率ｎとの関係は、図１１に示され、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係は、図１２に示されている。

図１１に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、ＴｉＯ_２を主成分として含む誘電体層に添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、大きくなるが、窒素の添加量が約４．５原子％を越えると、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、徐々に小さくなることが認められた。

これに対して、図１１に示されるように、６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、ＴｉＯ_２を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加しても、ほとんど変わらないことが判明した。

他方、図１２に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなるが、窒素の添加量が約２．７原子％を越えると、逆に増大することがわかった。

また、図１２に示されるように、６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなるが、窒素の添加量が約３原子％を越えると、逆に増大することがわかった。

次いで、サンプル＃２−１およびサンプル＃２−３に照射するレーザビームの波長を３５０ｎｍないし８００ｎｍの範囲内で変化させ、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係およびレーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果は、図１３に示され、レーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果は、図１４に示されている。

図１３に示されるように、ＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃２−１の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなっても、それほど変化しなかったのに対し、ＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃２−３の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、増大し、青色波長域のレーザビームに対し、屈折率ｎがきわめて大きくなることがわかった。

また、図１４に示されるように、ＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃２−１の消衰係数ｋおよびＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃２−３の消衰係数ｋは、ともに、レーザビームの波長が短くなるにつれて、増大することが認められ、レーザビームの波長にかかわらず、サンプル＃２−１の消衰係数ｋの方が、サンプル＃２−３の消衰係数ｋよりも大きいことがわかった。

実施例３
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃３−１を作製した。

まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

次いで、こうして作成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板の表面上に、Ａｇを主成分として含み、１００ｎｍの厚さを有する反射膜、ＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された１７ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌおよび１３原子％のＡｕが添加された５ｎｍの厚さを有する第二の記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第一の記録膜ならびにＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された１７ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタリング法によって、形成した。

さらに、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調製した樹脂溶液を、第一の誘電体膜上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

次いで、以下のようにして、光記録媒体サンプル＃３−２を作製した。

まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

次いで、こうして作成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板の表面上に、Ａｇを主成分として含み、１００ｎｍの厚さを有する反射膜、ＴｉＯ_２を主成分として含み、２０ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌおよび１３原子％のＡｕが添加された５ｎｍの厚さを有する第二の記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第一の記録膜ならびにＴｉＯ_２を主成分として含む２３ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタリング法によって、形成した。

さらに、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調製した樹脂溶液を、第一の誘電体膜上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、１００μｍの厚さを有する光透過層を形成した。

次いで、光記録媒体サンプル＃３−１および＃３−２に、最も高い変調度が得られる記録条件で、レーザビームを照射して、データを記録し、変調度を測定した。

得られた最も高い変調度と、最も高い変調度が得られたレーザビームのパワーの測定結果は、表３に示されている。

表３に示されるように、第一の誘電体膜および第二の誘電体膜に、窒素が添加されている光記録媒体サンプル＃３−１の方が、第一の誘電体膜および第二の誘電体膜に、窒素が添加されていない光記録媒体サンプル＃３−２よりも、パワーの低いレーザビームで、高い変調度が得られることが判明した。

したがって、ＴｉＯ_２を主成分として含む第一の誘電体膜および第二の誘電体膜に、窒素を添加することによって、光記録媒体の変調度および記録感度を向上させることができることがわかった。

本発明は、以上の実施態様に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

たとえば、図２および図３に示された実施態様ならびに図４に示された実施態様においては、第一の誘電体層１５および第二の誘電体層１３が、いずれも、添加物として、窒素を含み、図５および図６に示された実施態様においては、Ｌ０層４０に含まれた第四の誘電体膜４２および第三の誘電体膜４４ならびにＬ１層５０に含まれた第三の誘電体膜５２および第一の誘電体膜５４が、いずれも、添加物として、窒素を含んでいるが、光記録媒体１０、３０に形成されたすべての誘電体層ないし誘電体膜が、添加物として、窒素を含んでいることは好ましいが、必ずしも必要でなく、少なくとも１つの誘電体層ないし誘電体膜が、添加物として、窒素を含んでいればよく、記録層の光入射面側の誘電体層ないし誘電体膜が、添加物として、窒素を含んでいることが好ましい。

さらに、図２および図３に示された実施態様においては、第一の記録膜２１と第二の記録膜２２が、互いに接触するように形成されているが、第二の記録膜２２は、レーザビームLの照射を受けたときに、第一の記録膜２１に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜２２に主成分として含まれている元素とが混合して、記録マークＭが形成されるように、第一の記録膜２１の近傍に配置されていればよく、第一の記録膜２１と第二の記録膜２２が、互いに接触するように形成されていることは必ずしも必要でなく、第一の記録膜２１と第二の記録膜２２の間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。

また、図２および図３に示された実施態様ならびに図４に示された実施態様においては、光記録媒体１０は反射層１２を備え、図５に示された実施態様においては、Ｌ０層４０およびＬ１層５０は、それぞれ、反射膜４１、５１を備えているが、記録マークＭが形成された領域によって反射されたレーザビームＬのレベルと、記録マークＭが形成されていないブランク領域によって反射されたレーザビームＬのレベルの差が十分に大きい場合には、反射層１２および反射膜４１、５１を省略することもできる。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図である。 図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。 図３は、データが記録された後の図２に示された光記録媒体の略拡大断面図である。 図４は、本発明の別の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の層構成を示す略断面図である。 図５は、本発明の他の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の層構成を示す略断面図である。 図６は、データが記録された後の図５に示された光記録媒体の略拡大断面図である。 図７は、実施例１における誘電体層への窒素の添加量と誘電体層の屈折率ｎとの関係を示すグラフである。 図８は、実施例１における誘電体層への窒素の添加量と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係を示すグラフである。 図９は、実施例１におけるレーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を示すグラフである。 図１０は、実施例１におけるレーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を示すグラフである。 図１１は、実施例２における誘電体層への窒素の添加量と誘電体層の屈折率ｎとの関係を示すグラフである。 図１２は、実施例２における誘電体層への窒素の添加量と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係を示すグラフである。 図１３は、実施例２におけるレーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を示すグラフである。 図１４は、実施例１におけるレーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を示すグラフである。

符号の説明

１０ 光記録媒体
１１ 支持基板
１１ａ グルーブ
１１ｂ ランド
１２ 反射層
１３ 第二の誘電体層
１４ 記録層
１５ 第一の誘電体層
１６ 光透過層
１６ａ 光入射面
２１ 第一の記録膜
２２ 第二の記録膜
４０ Ｌ０層
４１ 反射膜
４２ 第四の誘電体膜
４３ａ 第二のＬ０記録膜
４３ｂ 第一のＬ０記録膜
４４ 第三の誘電体膜
５０ Ｌ１層
５１ 反射膜
５２ 第二の誘電体膜
５３ａ 第二のＬ１記録膜
５３ｂ 第二のＬ１記録膜
５４ 第一の誘電体膜
Ｌ レーザビーム
Ｍ 記録マーク

Claims (11)

1. 少なくとも一つの記録層と、前記少なくとも一つの記録層の近傍に設けられ、酸化物を主成分として含み、窒素が添加された誘電体層を備えたことを特徴とする光記録媒体。
2. 前記誘電体層が、Ｔａ_２Ｏ_５およびＴｉＯ_２よりなる群から選ばれた酸化物を主成分として含んでいることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 前記少なくとも一つの記録層が、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームによって、データを記録可能に構成されたことを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
4. 前記少なくとも一つの記録層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｃ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｃｕ、ＴｉおよびＢｉよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、前記第一の記録膜の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ａｌ、ＺｎおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録膜に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成されたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
5. 前記第二の記録層が、前記第一の記録層に接するように、形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
6. 前記第一の記録膜が、Ｓｉ、ＧｅおよびＳｎよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいることを特徴とする請求項４または５に記載の光記録媒体。
7. 前記第二の記録膜が、Ｃｕを主成分として含んでいることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
8. 前記第二の記録膜に、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｍｇ，Ｓｎ、Ａｕ，ＴｉおよびＰｄよりなる群から選ばれる元素で、前記第二の記録膜に主成分として含まれている元素と異なる元素が添加されていることを特徴とする請求項４ないし７のいずれか１項に記載の光記録媒体。
9. ２以上の互いに離間した記録層と、各記録層の近傍に設けられた誘電体層を備え、少なくとも、光入射面に最も近い記録層の近傍に設けられた誘電体層が、酸化物を、主成分として含み、窒素を添加物として含んでいることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光記録媒体。
10. 少なくとも１つの記録層と、前記少なくとも１つの記録層の近傍に設けられた誘電体層を備えた光記録媒体の製造方法であって、窒素ガスを含む混合ガス雰囲気下で、酸化物を気相成長させて、前記誘電体層を形成することを特徴とする光記録媒体の製造方法。
11. スパッタリング法によって、酸化物を主成分として含み、窒素を添加物として含む誘電体層を形成することを特徴とする請求項１０に記載の光記録媒体の製造方法。

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