JP2004185798A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数の情報層を有し、光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の放熱特性および光学特性が向上した光記録媒体を提供する。
【解決手段】 基板１１と、光透過層１３と、基板と保護層との間に、データを記録するＬ０層２０とＬ１層３０を備え、光透過層の表面の光入射面１３ａを介して、Ｌ０層またはＬ１層にレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０層またはＬ１層にデータを記録し、Ｌ０層またはＬ１層に記録されたデータを再生可能に構成された光記録媒体であって、Ｌ０層およびＬ１層のうち、光入射面から最も遠いＬ０層とは異なるＬ１層が、第一のＬ１記録膜３３ａ、第二のＬ１記録膜３３ｂと、第一のＬ１記録膜および第二のＬ１記録膜に対して、光入射面の側に位置し、酸化物を主成分とし、窒素が添加された第一の誘電体膜３４と、第一のＬ１記録膜および第二のＬ１記録膜に対して、光入射面と反対側に位置し、第一の誘電体膜よりも低い熱伝導性を有する第二の誘電体膜３２を備えたことを特徴とする光記録媒体。
【選択図】 図２

Description

本発明は、光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、複数の情報層を有し、光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の放熱特性および光学特性が向上した光記録媒体に関するものである。

従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体には、次第に、大きな記録容量が要求されるようになってきており、光記録媒体の記録容量を増大させるために、種々の提案がなされている。

その一つとして、二層の情報層を備えた光記録媒体が提案されており、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて、すでに実用化されている。

このように、二層の情報層を備えた再生専用の光記録媒体は、情報層を構成するプレピットが表面に形成された２枚の基板が、中間層を介して、積層された構造を有している。

また、近年、ユーザによるデータの記録が可能な光記録媒体（書き換え型光記録媒体）についても、二層の情報層を備えた光記録媒体が提案されている（特開２００１−２４３６５５号公報参照）。

特開２００１−２４３６５５号公報に開示された光記録媒体においては、相変化記録膜と、相変化記録膜を挟んで形成された誘電体膜（保護膜）によって情報層が形成され、かかる構造を有する２つの情報層が、中間層を介して、積層されている。

ユーザーによるデータの記録が可能な複数の情報層を有する光記録媒体にデータを記録する場合には、そのパワーが、再生パワーＰｒよりも高レベルの記録パワーＰｗに変調されたレーザビームをいずれかの情報層にフォーカスさせて、照射し、レーザビームが照射された情報層に含まれている記録膜の状態を変化させて、記録膜に記録マークを形成する。こうして、記録マークが形成された記録膜の領域の反射率は、記録マークが形成されていない記録膜のブランク領域とは異なるため、そのパワーが、再生パワーＰｒに設定されたレーザビームを、記録膜に照射して、記録膜によって反射されたレーザビームの光量検出することによって、データを再生することができる。

ユーザーによってデータの記録が可能な複数の情報層、すなわち、Ｌ０層、Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層、Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層（ここに、Ｌ０層は、光入射面から最も遠い情報層であり、Ｌｍ層は、光入射面に最も近い情報層である。）を備えた光記録媒体のＬ０層に、データを記録し、Ｌ０層に記録されたデータを再生する場合には、レーザビームは、Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層、Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層を介して、Ｌ０層に照射されることになる。したがって、所望のように、光入射面から最も遠い情報層にデータを記録し、光入射面からより遠い情報層からデータを再生するためには、その情報層よりも光入射面に近い情報層が十分に高い光透過率を有していることが必要であり、そのため、Ｌ１層、Ｌ２層、Ｌ３層、Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層には、反射膜を備えていないか、あるいは、きわめて薄い反射膜を備えているのが通常である。
特開２００１−２４３６５５号公報

このように、積層された複数の情報層を有する光記録媒体のＬ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層は、反射膜を備えていないか、あるいは、きわめて薄い反射膜を備えているに過ぎないため、Ｌ０層のように、十分なエンハンスメント効果を得ることができない。このため、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層においては、信号の出力（変調度）が十分に高くならないという問題があった。

このような問題を解決するためには、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層に含まれる誘電体膜の材料として、より屈折率ｎの高い材料を用いることが有効であると考えられるが、屈折率ｎの高い材料を用いると、誘電体膜の消衰係数ｋが高くなるという問題があった。

さらに、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層においては、反射膜による放熱効果が全く得られず、あるいは、十分に得られないため、レーザビームの熱が十分に放熱されず、これが信号特性を悪化させることがあった。

このような問題を解決するためには、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層に含まれる誘電体膜の材料としてより、熱伝導性の高い材料を用いることが有効であると考えられるが、熱伝導性の高い材料を用いると、放熱特性と光学特性を両立させることが困難であるという問題があった。

したがって、本発明は、複数の情報層を有し、光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の放熱特性および光学特性が向上した光記録媒体を提供することを目的とするものである。

本発明者は、本発明の前記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、酸化物を主成分として含む誘電体膜に、窒素を添加することによって、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋのレーザビームの波長に対する依存性を変化させることが可能になることを見出した。

本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報層を備え、前記基板および前記保護層の一方の表面によって構成された光入射面を介して、前記複数の情報層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報層にデータを記録し、前記複数の情報層に記録されたデータを再生可能に構成された光記録媒体であって、前記複数の情報層のうち、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも一つの情報層が、少なくとも１つの記録膜と、前記少なくとも１つの記録膜に対して、前記光入射面の側に位置し、酸化物を主成分とし、窒素が添加された第一の誘電体膜と、前記少なくとも１つの記録膜に対して、前記光入射面と反対側に位置し、前記第一の誘電体膜よりも低い熱伝導性を有する第二の誘電体膜を備えたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。

誘電体膜を形成するために広く用いられている酸化物のうち、ある酸化物の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、光の波長に大きく依存するため、データの記録および再生に用いるレーザビームの波長によっては、誘電体膜の屈折率ｎが低くなったり、消衰係数ｋが高くなったりし、とくに、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いる次世代型の光記録媒体において、このような酸化物によって、Ｌ１層，Ｌ２層，Ｌ３層，Ｌ４層、・・・、Ｌｍ層に含まれる誘電体膜を形成するときは、誘電体膜の消衰係数ｋが高くなって、誘電体膜に吸収されるレーザビームのエネルギーが大きくなり、光入射面から最も遠い情報層の記録感度が低下するという問題があったが、本発明によれば、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層に含まれる少なくとも１つの記録膜に対して、光入射面側に位置し、酸化物を主成分として含む第一の誘電体膜に、窒素を添加することによって、第一の誘電体膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋのレーザビームの波長に対する依存性を変化させることが可能になるから、窒素の添加量を制御することによって、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有する第一の誘電体膜を形成することができ、したがって、所望のように、光入射面から最も遠い情報層にデータを記録し、光入射面からより遠い情報層からデータを再生するために、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層に反射膜を設けず、あるいは、きわめて薄い反射膜を設けているに過ぎない場合においても、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層の変調度を向上させることが可能になるとともに、光記録媒体の記録感度を向上させることが可能になる。

また、本発明によれば、第二の誘電体膜は、第一の誘電体膜よりも熱伝導性が低いから、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層の放熱特性が、高くなりすぎて、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層の記録感度が悪化することを効果的に防止することが可能になる。

本発明において、好ましくは、第一の誘電体膜が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいる。第一の誘電体膜が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいるときは、第一の誘電体膜に窒素を添加した場合に、第一の誘電体膜の消衰係数ｋの低下が著しく、したがって、光記録媒体の記録感度を大幅に向上させることが可能になり、また、青色波長領域のレーザビームに対して、第一の誘電体膜の屈折率ｎを大幅に向上させることが可能になるとともに、第一の誘電体膜の消衰係数ｋの増大を防止することができ、したがって、とくに、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いた場合に、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層の変調度を大幅に向上させることが可能になるとともに、光記録媒体の記録感度を大幅に向上させることが可能になる。

本発明において、第一の誘電体膜への窒素の好ましい添加量は、第一の誘電体膜の主成分である酸化物の種類や、データの記録および再生に用いるレーザビームＬの波長によって異なるが、データの記録および再生に、青色波長領域のレーザビームを用いる場合、すなわち、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームを用いる場合には、第一の誘電体膜がＴａ_２Ｏ_５を主成分として含んでいるときは、１ないし１２原子％の窒素を第一の誘電体膜に添加することが好ましく、より好ましくは、２ないし１０原子％の窒素が、第一の誘電体膜に添加され、他方、第一の誘電体膜がＴｉＯ_２を主成分として含んでいるときは、１ないし５原子％の窒素を第一の誘電体膜に添加することが好ましく、より好ましくは、２ないし４原子％のの窒素が、第一の誘電体膜に添加される。ここに、第一の誘電体膜への窒素の添加量は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for chemical Analisys）、すなわち、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって求めることができる。

本発明において、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームによって、光記録媒体に、データが記録可能であることが好ましい。Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含む第一の誘電体膜は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームに対して、高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有している。

本発明において、前記第二の誘電体膜が、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成されていることが好ましい。

ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物は、成膜レートが高く、生産性に優れているとともに、３８０ないし４５０ｎｍの波長λを有する青色レーザビームに対して、比較的高い屈折率ｎと、比較的低い消衰係数ｋを有している。また、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物は、Ｔａ_２Ｏ_５やＴｉＯ_２に比して、熱伝導性が低いから、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層の放熱特性が、高くなりすぎて、光入射面から最も遠い情報層とは異なる情報層の記録感度が悪化することを効果的に防止することが可能になる。

本発明の好ましい実施態様においては、前記少なくとも一つの情報層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、前記第一の記録膜の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、ＴｉおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録膜に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成され、前記レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録膜に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とが混合して、記録マークが形成されるように構成されている。

本明細書において、第一の記録膜が、ある元素を主成分として含むとは、第一の記録膜に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいい、第二の記録膜が、ある元素を主成分として含むとは、第二の記録膜に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいう。

本発明者の研究によれば、複数の情報層のうち、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも一つの情報層を、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、前記第一の記録膜の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、ＴｉおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録膜に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成した場合には、データを記録する際に、レーザビームによって、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合して、記録マークが形成され、反射率を大きく変化させることができ、データを良好な感度で記録することが可能になるとともに、記録マークが形成された領域とブランク領域との３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームに対する光透過率の差が４％以下となり、この情報層を介して、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームレーザビームを照射して、光入射面から最も遠い情報層にデータを記録し、光入射面から最も遠い情報層から、データを再生する場合に、レーザビームが通過する情報層の領域に、記録マークが形成された領域とブランク領域との境界が含まれているときでも、所望のように、光入射面から最も遠い情報層にデータを記録し、光入射面から最も遠い情報層から、データを再生することができることが見出されている。

本発明において、第二の記録膜は、レーザビームの照射を受けたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録膜の近傍に位置していればよく、第二の記録膜が、第一の記録膜に接触していることは必ずしも必要でなく、第一の記録膜と第二の記録膜の間に、誘電体膜などの一または二以上の他の膜が介在していてもよい。

本発明において、好ましくは、前記第二の記録膜が、前記第一の記録膜に接するように、形成されている。

本発明において、光記録媒体の光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも一つの情報層は、第一の記録膜および第二の記録膜に加えて、一もしくは二以上のＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含む記録膜、または、一もしくは二以上のＣｕ、Ａｌ、Ｚｎ、ＴｉおよびＡｇよりなる群から選ばれる元素を主成分として含む記録膜を備えていてもよい。

レーザビームが照射されたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合して、記録マークが形成される理由は必ずしも明らかでないが、レーザビームが照射されたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素および第二の記録膜に主成分として含まれている元素が、部分的にあるいは全体として、溶融ないし拡散し、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合された領域が形成されるものと推測される。

こうして、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合されて、形成された領域の再生のためのレーザビームに対する反射率と、それ以外の領域の再生のためのレーザビームに対する反射率とは大きく異なるので、反射率の大きな差異を利用して、記録されたデータを高感度で再生することができる。

さらに、本発明者の研究によれば、これらの元素は、環境に対する負荷が小さく、これらの元素を用いて、成膜された記録膜は優れた表面平滑性を有していることが判明している。

本発明において、好ましくは、第一の記録膜が、Ｓｉを主成分として含んでいる。

本発明において、好ましくは、第二の記録膜が、Ｃｕを主成分として含んでいる。

とくに、Ｃｕを主成分として含む第二の記録膜を、真空蒸着法やスパッタリング法などの気相成長法を用いて成膜した場合には、第二の記録膜の表面平滑性がきわめて高いため、従来に比して、初期の記録特性を向上させることが可能となる。このように、本発明にかかる光記録媒体は、記録膜の表面平滑性が優れているから、とくに、レーザビームのスポットを非常に小さく絞って、データの記録を行う場合の記録特性を大幅に改善することができる。さらに、Ｃｕは非常に安価であるため、光記録媒体の材料コストを低減させることができる。

本発明において、第二の記録膜に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とは異なる少なくとも一種の元素が添加されていることが好ましい。

このように、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とは異なる少なくとも一種の元素を、第二の記録膜に添加することにより、第二の記録膜の酸化あるいは硫化に対する安定性を大幅に向上させることができ、第二の記録膜に主成分として含まれているＣｕなどの腐食に起因する第二の記録膜の剥離などの光記録媒体の外観不良や、長期保存後における光記録媒体の反射率の変化を効果的に防止することが可能となる。

本発明の好ましい実施態様においては、前記保護層が光透過性材料によって形成され、レーザビームが、前記保護層を介して、前記複数の情報層に照射されるように構成されている。

本発明によれば、複数の情報層を有し、光入射面から最も遠い情報層以外の情報層の放熱特性および光学特性が向上した光記録媒体を提供することが可能になる。

以下、添付図面に基づき、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。

図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。

図２に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層（保護層）１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１層３０とを備えている。

Ｌ０層２０およびＬ１層３０は、データを記録する情報層であり、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、二層の情報層を有している。

Ｌ０層２０は、光入射面１３ａから遠い情報層を構成し、支持基板１１側から、反射膜２１、第四の誘電体膜２２、第二のＬ０記録膜２３ｂ、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第三の誘電体膜２４が積層されて、構成されている。

一方、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａから近い情報層を構成し、支持基板１１側から、第二の誘電体膜３２、第二のＬ１記録膜３３ｂ、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第一の誘電体膜３４が積層されて、構成されている。

支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度と約１．２ｍｍの厚さを確保するための支持体として、機能する。

支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではない。支持基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂やポリオレフィン樹がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板２１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。本実施態様においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光入射面１３ａを介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必要でない。

図２に示されるように、支持基板１１の表面には、中心部近傍から外縁部に向けて、交互に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが螺旋状に形成されている。支持基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、Ｌ０層２０に、データを記録する場合およびＬ０層２０から、データを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

グルーブ１１ａの深さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチは、とくに限定されるものではないが、０．２μｍないし０．４μｍに設定することが好ましい。

透明中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。

図２に示されるように、透明中間層１２の表面には、交互に、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂが設けられている。透明中間層１２の表面に形成されたグルーブ１２ａおよび／またはランド１２ｂは、Ｌ１層３０にデータを記録する場合およびＬ０層２０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。

グルーブ１２ａの深さおよびピッチは、支持基板１１の表面に設けられたグルーブ１１ａの深さおよびピッチと同程度に設定することができる。

透明中間層１２は、５μｍないし５０μｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、さらに好ましくは、１０μｍないし４０μｍの厚さを有するように、形成される。

透明中間層１２を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

透明中間層１２は、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。

光透過層１３は、レーザビームを透過させる層であり、その一方の表面によって、光入射面１３ａが構成されている。

光透過層１３は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。

光透過層１３を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、透明中間層１２と同様に、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。

光透過層１３は、Ｌ１層３０の表面に、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、接着することによって、形成されてもよい。

光透過層１３は、光記録媒体１０に、データを記録し、光記録媒体１０から、データを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有していることが必要である。

図２に示されるように、Ｌ１層３０は、第二のＬ１記録膜３３ｂと、第一のＬ１記録膜３３ａを備え、第一のＬ１記録膜３３ａは、Ｓｉを主成分として含み、第二のＬ１記録膜３３ｂはＣｕを主成分として含んでいる。

再生信号のノイズレベルを低下させ、保存信頼性を向上させるために、第二のＬ１記録膜３３ｂに、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ１または２以上の元素が添加されていることが好ましい。

同様にして、図２に示されるように、Ｌ０層２０は、第二のＬ０記録膜２３ｂと、第一のＬ０記録膜２３ａを備え、第一のＬ０記録膜２３ａは、Ｓｉを主成分として含み、第二のＬ０記録膜２３ｂはＣｕを主成分として含んでいる。

再生信号のノイズレベルを低下させ、保存信頼性を向上させるために、第二のＬ０記録膜２３ｂに、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ１または２以上の元素が添加されていることが好ましい。

図３は、図１に示された光記録媒体のＬ１層３０にレーザビームが照射された後の状態を示す略一部拡大断面図である。

図３に示されるように、光入射面１３ａを介して、光記録媒体１０のＬ１層３０に、レーザビームＬが照射されると、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれているＣｕとが速やかに溶融ないし拡散して、ＳｉとＣｕとが混合した領域Ｍが形成され、記録マークＭが形成される。

図３に示されるように、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれているＣｕが混合して、記録マークＭが形成されると、記録マークＭが形成された領域の反射率が大きく変化し、したがって、こうして記録マークＭが形成された領域の反射率は、その周囲のＬ１層３０の領域の反射率と大きく異なることになるので、Ｌ１層３０に記録されたデータを再生する際に、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得ることが可能になる。

図４は、図１に示された光記録媒体のＬ０層２０にレーザビームが照射された後の状態を示す略一部拡大断面図である。

光入射面１３ａを介して、光記録媒体１０のＬ０層２０に、レーザビームＬが照射されると、図４に示されるように、第一のＬ０記録膜３３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれているＣｕとが速やかに溶融ないし拡散して、ＣｕとＳｉとが混合した領域Ｍが形成され、記録マークＭが形成される。

図４に示されるように、第一のＬ０記録膜２３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれているＣｕが混合して、記録マークＭが形成されると、記録マークＭが形成された領域の反射率が大きく変化し、したがって、こうして記録マークＭが形成された領域の反射率は、その周囲のＬ０層２０の領域の反射率と大きく異なることになるので、Ｌ０層２０に記録されたデータを再生する際に、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）が得ることが可能になる。

Ｌ１層３０は、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが透過するから、Ｌ１層３０の記録マークＭが形成された領域の光透過率と、Ｌ１層３０の記録マークＭが形成されていないブランク領域の光透過率の差が大きいと、Ｌ０層２０にデータを記録する際に、レーザビームＬが透過するＬ１層３０の領域が、記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０に照射されるレーザビームＬの光量が大きく変化するとともに、Ｌ０層２０からデータを再生する際に、Ｌ０層２０で反射され、Ｌ１層３０を透過して、検出されるレーザビームＬの光量が大きく変化し、その結果、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域が記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０に対する記録特性やＬ０層２０から再生される信号の振幅が大きく変化してしまうという問題が生じる。

とくに、Ｌ０層２０に記録されたデータを再生するときに、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域に、記録マークＭが形成された領域とブランク領域との境界が含まれている場合には、レーザビームＬのスポット内における反射率分布が一定とならないため、所望のように、Ｌ０層２０に記録されたデータを再生することは不可能である。

本発明者の研究によれば、所望のように、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０から、データを再生するためには、Ｌ１層３０の記録マークＭが形成された領域の光透過率と、ブランク領域の光透過率の差が、４％以下であることが必要であり、２％以下であることが好ましいことが見出されている。

また、本発明者の研究によれば、ＳｉとＣｕとが混合して、形成された記録マークＭの領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率と、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂとが積層されたＬ１層３０のブランク領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率との差は４％以下であり、約４０５ｎｍの波長のレーザビームＬに対しては、記録マークＭが形成されたＬ１層３０の領域の光透過率と、Ｌ１層３０のブランク領域の光透過率との差は１％以下であることが見出されている。

したがって、本実施態様においては、Ｌ１層３０の第一のＬ１記録膜３３ａがＳｉを主成分として含み、Ｌ１層３０の第二のＬ１記録膜３３ｂがＣｕを主成分として含み、光透過層１３を介して、レーザビームＬが照射されたときに、第一のＬ１記録膜３３ａ主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、記録マークＭが形成されるように構成されているから、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０にレーザビームＬを照射することによって、所望のように、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０に記録されたデータを再生することが可能になる。

Ｌ１層３０は、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが透過するから、高い光透過性を有していることが必要であり、そのためには、Ｌ１層３０は、その膜厚が、Ｌ０層２０の膜厚よりも、薄くなるように形成されることが好ましい。

具体的には、第一のＬ０記録膜２３ａと第二のＬ０記録膜２３ｂの総厚は、２ｎｍないし４０ｎｍの膜厚を有するように形成されることが好ましく、第一のＬ１記録膜３３ａと第二のＬ１記録膜３３ｂの総厚は、２ｎｍないし１５ｎｍの膜厚を有するように、形成されることが好ましい。

第一のＬ０記録膜２３ａと第二のＬ０記録膜２３ｂの総厚および第一のＬ１記録膜３３ａと第二のＬ１記録膜３３ｂの総厚が、２ｎｍ未満である場合には、レーザビームＬを照射する前後の反射率の変化が少なくなり、高い強度の再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなる。

一方、第一のＬ１記録膜３３ａと第二のＬ１記録膜３３ｂの総厚が１５ｎｍを越えると、Ｌ１層３０の光透過率が低下し、Ｌ０層２０へのデータの記録特性およびＬ０層２０からのデータの再生特性が悪化してしまう。

また、第一のＬ０記録膜２３ａと第二のＬ０記録膜２３ｂの総厚が４０ｎｍを越えると、Ｌ０層２０の記録感度が悪化してしまう。

さらに、レーザビームＬを照射する前後の反射率の変化を十分に大きくするために、Ｌ０層２０に含まれる第一のＬ０記録膜２３ａの厚さと第二のＬ０記録膜２３ｂの厚さとの比（第一のＬ０記録膜２３ａの厚さ／第二のＬ０記録膜２３ｂの厚さ）およびＬ１層３０に含まれる第一のＬ１記録膜３３ａの厚さと第二のＬ１記録膜３３ｂの厚さとの比（第一のＬ１記録膜３３ａの厚さ／第二のＬ１記録膜３３ｂの厚さ）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。

第三の誘電体膜２４および第四の誘電体膜２２は、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜３３を保護する保護膜として機能し、第一の誘電体膜３４および第二の誘電体膜３２は、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂを保護する保護膜として機能する。これによって、データを記録した後、長期間にわたって記録されたデータの劣化が効果的に防止される。

第四の誘電体膜２２、第三の誘電体膜２４、第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４は、レーザビームＬを照射する前後の光学特性の変化を増大する役割も果たしており、したがって、第四の誘電体膜２２、第三の誘電体膜２４、第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４は、高い屈折率ｎを有する材料によって形成されていることが好ましい。

その一方で、レーザビームＬの照射時に、第四の誘電体膜２２、第三の誘電体膜２４、第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４に吸収されるレーザビームＬのエネルギーが大きいと、光記録媒体１０の記録感度が低下するから、第四の誘電体膜２２、第三の誘電体膜２４、第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４は、低い消衰係数ｋを有する材料を有する材料によって形成されていることが好ましい。

さらに、本実施態様においては、Ｌ１層３０は反射膜を備えておらず、Ｌ０層２０に比べて放熱特性が低いから、第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４を形成するための材料は、Ｌ１層３０の放熱特性を考慮して、決定することが好ましい。

そこで、本実施態様においては、Ｌ０層２０に含まれた第四の誘電体膜２２および第三の誘電体膜２４は、成膜レートが高く、生産性に優れているとともに、３８０ないし４５０ｎｍの波長λを有する青色レーザビームに対して、比較的高い屈折率ｎと比較的低い消衰係数ｋを有するＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物（モル比：８０：２０）によって形成されている。

これに対し、Ｌ１層３０に含まれた第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含み、添加物として、窒素を含むように、形成され、第二の誘電体膜３２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物（モル比：８０：２０）によって形成されている。Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含み、添加物として、窒素を含む第一の誘電体膜３４は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物（モル比：８０：２０）によって形成された第四の誘電体膜２２、第三の誘電体膜２４および第二の誘電体膜３２よりも高い熱伝導率を有している。

Ｔａ_２Ｏ_５あるいはＴｉＯ_２の屈折率ｎおよび消衰係数ｋは、光の波長に大きく依存するため、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を用いて、誘電体膜を形成した場合に、データの記録および再生に用いるレーザビームの波長によっては、誘電体膜の屈折率ｎが低くなったり、消衰係数ｋが高くなったりして、光記録媒体の光学特性が悪化するという問題があり、とくに、データの記録および再生に、３８０ないし４５０ｎｍの波長λを有する青色レーザビームを用いる次世代型の光記録媒体において、誘電体膜の消衰係数ｋが高くなって、良好な光学特性を得ることができないという問題があった。

しかしながら、本発明者の研究によれば、酸化物を主成分として含む誘電体膜に、窒素を添加することによって、誘電体膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋのレーザビームの波長に対する依存性を変化させることができ、窒素の添加量を制御することによって、所望の波長を有するデータ記録および再生用のレーザビームに対して、十分に高い屈折率ｎと十分に低い消衰係数ｋを有する誘電体膜を形成し得ることが見出されている。

すなわち、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含まない誘電体膜の屈折率ｎ０と、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含む誘電体膜の屈折率ｎとの差（ｎ０−ｎ）は、データ記録および再生に用いるレーザビームＬの波長が短いほど、小さく、また、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含まない誘電体膜の消衰係数ｋ０と、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含む誘電体膜の消衰係数ｋとの差（ｋ０−ｋ）は、データ記録および再生に用いるレーザビームＬの波長が短いほど、大きくなることが見出されており、とくに、窒素の添加量を選択することによって、データ記録および再生に、青色波長域のレーザビームＬ、すなわち、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合においても、誘電体膜の屈折率ｎがｎ０よりも大きく、かつ、誘電体膜の消衰係数ｋがｋ０よりも小さくなるように、誘電体膜の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを設定することが可能になることが見出されている。

また、本発明者のさらなる研究によれば、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体膜の屈折率ｎ０は、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、大きく低下するのに対し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体膜の屈折率ｎは、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、大きく増大し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体膜の消衰係数ｋは、窒素が添加されていない誘電体膜の消衰係数ｋ０よりも小さく、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、より一層小さくなることが見出されており、また、ＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体膜の屈折率ｎ０は、レーザビームＬの波長が変化しても、ほとんど変化しないのに対し、ＴｉＯ_２を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体膜の屈折率ｎは、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、増大し、ＴｉＯ_２を主成分として含み、所定量の窒素が添加されている誘電体膜の消衰係数ｋは、窒素が添加されていない誘電体膜の消衰係数ｋ０よりも小さく、レーザビームＬの波長が短くなるにつれて、より一層小さくなることが見出されている。

したがって、本実施態様においては、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の屈折率ｎが、それぞれ、十分に高くなり、かつ、消衰係数ｋが、それぞれ、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されている。

このように、本実施態様においては、Ｌ１層３０に含まれている２つのＬ１記録膜のうち、光入射面１３ａに近い第一の誘電体膜３４が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含み、添加物として、窒素を含んでいるから、Ｌ１層３０の放熱特性を十分に向上させることができ、したがって、第二の誘電体膜３２を、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素が含まれるように形成すると、Ｌ１層３０の放熱特性が高くなりすぎ、かえって、Ｌ１層３０の記録感度を低下させるおそれがあるから、Ｌ１層３０に含まれた第二の誘電体膜３２は、Ｌ０層２０に含まれた第四の誘電体膜２２および第三の誘電体膜２４と同様に、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物（モル比：８０：２０）によって形成されている。

第一の誘電体膜２２、第二の誘電体膜２４、第三の誘電体膜３２および第四の誘電体膜３４の厚さは、とくに限定されるものではないが、１ｎｍないし１５０ｎｍの厚さを有していることが好ましい。これら誘電体膜の厚さが１ｎｍ未満である場合には、保護膜としての機能が十分でなくなり、その一方で、これら誘電体膜の厚みが１５０ｎｍを超えている場合には、成膜に要する時間が長くなって、生産性が低下したり、内部応力によって、Ｌ０層２０の第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂならびにＬ１層３０の第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂにクラックが発生するおそれがある。

第一の誘電体膜２２、第二の誘電体膜２４、第三の誘電体膜３２および第四の誘電体膜３４は、一層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、二層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。第一の誘電体膜３４を複数の誘電体膜からなる積層構造を有するように形成する場合には、複数の誘電体膜の全てが、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含んでいることが好ましいが、第一の誘電体膜３４を構成する一部の誘電体膜のみが、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含んでいてもよい。

反射膜２１は、光入射面１３ａから、入射したレーザビームＬを反射し、光透過層１３から出射させるとともに、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに生成された熱を放熱させる機能を有している。

反射膜２１の厚さは、とくに限定されるものではないが、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さを有するように、反射膜２１が形成されることが好ましい。反射膜２１の厚さが２０ｎｍ未満の場合には、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに生成された熱を、所望のように放熱することが困難になり、一方、反射膜２１の厚さが２００ｎｍを越えている場合には、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、内部応力によって、反射膜２１に、クラックが発生するおそれがある。

反射膜２１を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ａｕなどによって、反射膜２１を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｌとＴｉとの合金などのこれらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる。

以上のような構成を有する光記録媒体１０は、たとえば、以下のようにして、製造される。

図５ないし図８は、光記録媒体１０の製造プロセスを示す工程図である。

まず、図５に示されるように、スタンパ４０を用い、射出成形法によって、表面に、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された支持基板１１が作製される。

次いで、図６に示されるように、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された支持基板１１の表面上に、反射膜２１、第四の誘電体膜２２、第二のＬ０記録膜２３ｂ、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第三の誘電体膜２４が、気相成長法を用いて、形成される。

すなわち、図６に示されるように、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが形成された支持基板１１の表面上に、反射膜２１が形成される。

反射膜２１は、たとえば、反射膜２１の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、反射膜２１の表面上に、第四の誘電体膜２２が形成される。第四の誘電体膜２２は、たとえば、第四の誘電体膜２２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

さらに、第四の誘電体膜２２の表面上に、第二のＬ０記録膜２３ｂが形成される。第二のＬ０記録膜２３ｂは、第二のＬ０記録膜２３ｂの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、第二のＬ０記録膜２３ｂの表面上に、第一のＬ０記録膜２３ａが形成される。第一のＬ０記録膜２３ａも、第一のＬ０記録膜２３ａの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

さらに、第一のＬ０記録膜２３ａの表面上に、第三の誘電体膜２４が形成される。第三の誘電体膜２４は、たとえば、第三の誘電体膜２２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、図７に示されるように、Ｌ１層３０上に、紫外線硬化性樹脂をスピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、スタンパ４１を被せた状態で、スタンパ４１を介して、紫外線を照射することによって、表面に、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂが形成された透明中間層１２が形成される。

次いで、図８に示されるように、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂが形成された透明中間層１２の表面上に、第二の誘電体膜３２、第二のＬ１記録膜３３ｂ、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第一の誘電体膜３４が、気相成長法を用いて、形成される。

すなわち、図８に示されるように、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂが形成された透明中間層１２の表面上に、第二の誘電体膜３２が形成される。第二の誘電体膜３２は、たとえば、第二の誘電体膜３２の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、第二の誘電体膜３２の表面上に、第二のＬ１記録膜３３ｂが形成される。第二のＬ１記録膜３３ｂは、第二のＬ１記録膜３３ｂの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

さらに、第二のＬ１記録膜３３ｂの表面上に、第一のＬ１記録膜３３ａが形成される。第一のＬ１記録膜３３ａも、第一のＬ１記録膜３３ａの構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって形成することができ、気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられる。

次いで、第一のＬ１記録膜３３ａの表面上に、第一の誘電体膜３４が形成される。

本実施態様においては、第一の誘電体膜３４は、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスをスパッタリングガスとして用い、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などの酸化物をターゲットとしたスパッタリング法によって、形成され、その結果、第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５、ＴｉＯ_２などの酸化物を主成分として含み、窒素が添加された組成を有している。ここに、第一の誘電体膜３４中の窒素の含有量は、第一の誘電体膜３４が高い屈折率ｎと低い消衰係数ｋを有するように、決定されており、第一の誘電体膜３４中の窒素の含有量は、スパッタリングガス中の窒素ガスの割合を制御することによって、制御することができる。

最後に、第一の誘電体膜３４の表面上に、光透過層１３が形成される。光透過層１３は、たとえば、粘度調整されたアクリル系の紫外線硬化性樹脂あるいはエポキシ系の紫外線硬化性樹脂を、スピンコーティング法などによって、第一の誘電体膜３４の表面に塗布して、塗膜を形成し、紫外線を照射して、塗膜を硬化させることによって、形成することができる。

以上のようにして、光記録媒体１０が製造される。

以上のように構成された光記録媒体１０に、データを記録するにあたっては、光透過層１３の光入射面１３ａに、その強度が変調されたレーザビームＬが照射され、Ｌ０層２０に含まれた第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂあるいはＬ１層３０に含まれた第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに、レーザビームＬのフォーカスが合わせられる。

好ましくは、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームＬが、光記録媒体１０にデータを記録し、再生するために用いられ、本実施態様においては、０．８５の開口数を有する対物レンズによって、光透過層１３を介して、Ｌ０層２０に含まれた第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂあるいはＬ１層３０に含まれた第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに集光されるように構成されている。

Ｌ１層３０に含まれた第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに、レーザビームＬがフォーカスされたときは、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、図３に示されるように、記録マークＭが形成される。

このとき、Ｌ１層３０の光入射面１３ａ側に位置する第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含んでおり、高い熱伝導率を有しているから、レーザビームＬによって、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに生成された熱を速やかに放熱することができ、したがって、Ｌ１層３０に、反射膜が形成されていないにもかかわらず、Ｌ１層３０に記録されたデータを再生したときに、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに生成された熱に起因して、再生信号の特性が悪化することを効果的に防止することが可能になる。

一方、Ｌ０層２０に含まれた第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに、レーザビームＬがフォーカスされたときは、第一のＬ０記録膜２３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、図４に示されるように、記録マークＭが形成される。

このとき、レーザビームＬは、Ｌ１層３０を介して、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに照射されるから、Ｌ１層３０に含まれた第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４に吸収されるレーザビームＬのエネルギーが大きいと、Ｌ０層２０の記録感度が低下するが、本実施態様においては、第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含み、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の消衰係数ｋが、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されているから、Ｌ０層２０の記録感度の低下を効果的に防止することが可能になる。

また、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、形成された記録マークＭの領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率と、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂとが積層されたＬ１層３０のブランク領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率との差はきわめて小さいから、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域が記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０に対する記録特性が大きく変化することを効果的に防止することが可能になり、したがって、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０にレーザビームＬを照射することによって、所望のように、Ｌ０層２０にデータを記録することが可能になる。

他方、光記録媒体１０のＬ１層３０に記録されたデータを再生する場合には、光透過層１３の光入射面１３ａに、強度変調されたレーザビームＬが照射され、Ｌ１層３０に、レーザビームＬがフォーカスされ、Ｌ１層３０によって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。

本実施態様においては、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれているＣｕが混合して、記録マークＭが形成され、記録マークＭが形成された領域の反射率は、その周囲のＬ１層３０の領域の反射率と大きく異なるから、Ｌ１層３０に記録されたデータを再生する際に、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが可能になる。

また、本実施態様においては、光透過率の低下を防止するため、Ｌ１層３０は反射膜を備えていないが、Ｌ１層３０に含まれた第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含み、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の消衰係数ｋが、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されているから、変調度、すなわち、記録マークが形成されたＬ１層３０の領域と、記録マークが形成されていないＬ１層３０の領域との光反射率の差を増大させることが可能になる。

一方、光記録媒体１０のＬ０層２０に記録されたデータを再生する場合には、光透過層１３の光入射面１３ａに、強度変調されたレーザビームＬが照射され、Ｌ０層２０に、レーザビームＬがフォーカスされ、Ｌ０層２０によって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。

本実施態様においては、レーザビームＬは、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０に照射されるが、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、形成された記録マークＭの領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率と、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａと、Ｃｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂとが積層されたＬ１層３０のブランク領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率との差はきわめて小さいから、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域が記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０から再生される信号の振幅が大きく変化することを効果的に防止することが可能になる。さらに、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域に、記録マークＭが形成された領域とブランク領域との境界が含まれている場合においても、レーザビームＬのスポット内における反射率分布がばらつくことを効果的に防止することが可能になる。

また、本実施態様においては、レーザビームＬは、Ｌ１層３０を介して、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに照射されるから、Ｌ１層３０に含まれた第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４に吸収されるレーザビームＬのエネルギーが大きいと、Ｌ０層２０によって反射され、検出されるレーザビームＬの光量が低下するが、本実施態様においては、第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含み、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の消衰係数ｋが、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されているから、Ｌ０層２０によって反射され、検出されるレーザビームＬの光量の低下を十分に抑制することが可能になる。

図９ないし図１２は、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０にデータを記録する際に、レーザビームＬのパワーを変調するパルスパターンを示す波形図であり、図９は、２Ｔ信号を記録する場合のパルスパターン、図１０は、３Ｔ信号を記録する場合のパルスパターン、図１１は、４Ｔ信号を記録する場合のパルスパターン、図１２は、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号を含むランダム信号を記録する場合のパルスパターンを、それぞれ、示している。

図９ないし図１２に示されるように、レーザビームＬのパワーは、記録パワーＰｗ、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂの３つのレベルの間で変調される。ここに、Ｐｗ＞Ｐｍ＞Ｐｂである。

記録パワーＰｗは、Ｌ０層２０に、記録パワーＰｗのレーザビームＬを照射することによって、第一のＬ０記録膜２３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれたＣｕとが加熱されて、混合し、記録マークＭが形成され、Ｌ１層３０に、記録パワーＰｗのレーザビームＬを照射することによって、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが加熱されて、混合し、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、一方、中間パワーＰｍおよび基底パワーＰｂは、Ｌ０層２０に、中間パワーＰｍあるいは基底パワーＰｂのレーザビームＬが照射されても、第一のＬ０記録膜２３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれたＣｕとが実質的に混合することがなく、Ｌ１層３０に、中間パワーＰｍあるいは基底パワーＰｂのレーザビームＬが照射されても、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが実質的に混合することがないような低いレベルに設定される。とくに、基底パワーＰｂは、記録パワーＰｗのレーザビームＬの照射によって加熱された第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂの領域あるいは第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂの領域が、基底パワーＰｂのレーザビームＬを照射することによって、冷却されるようなきわめて低いレベルに設定される。

光記録媒体１０に２Ｔ信号を記録する場合には、図９に示されるように、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍから、記録パワーＰｗに増大され、所定の時間ｔ_ｔｏｐ経過後に、記録パワーＰｗから、基底パワーＰｂに低下され、所定の時間ｔ_ｃｌ経過後に、基底パワーＰｂから、中間パワーＰｍに増大されるように、変調される。

一方、光記録媒体１０に３Ｔ信号を記録する場合には、図１０に示されるように、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍから、記録パワーＰｗに増大され、所定の時間ｔ_ｔｏｐ経過後に、記録パワーＰｗから、基底パワーＰｂに低下され、所定の時間ｔ_Ｏｆｆ経過後に、基底パワーＰｂから、記録パワーＰｗに増大され、所定の時間ｔ_ｌｐ経過後に、記録パワーＰｗから、基底パワーＰｂに低下され、所定の時間ｔ_ｃｌ経過後に、基底パワーＰｂから、中間パワーＰｍに増大されるように、変調される。

また、光記録媒体１０に４Ｔ信号を記録する場合には、図１１に示されるように、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍから、記録パワーＰｗに増大され、所定の時間ｔ_ｔｏｐ経過後に、記録パワーＰｗから、基底パワーＰｂに低下され、所定の時間ｔ_Ｏｆｆ経過後に、基底パワーＰｂから、記録パワーＰｗに増大され、所定の時間ｔ_ｍｐ経過後に、記録パワーＰｗから、基底パワーＰｂに低下され、所定の時間ｔ_Ｏｆｆ経過後に、基底パワーＰｂから、記録パワーＰｗに増大され、所定の時間ｔ_ｌｐ経過後に、記録パワーＰｗから、基底パワーＰｂに低下され、所定の時間ｔ_ｃｌ経過後に、基底パワーＰｂから、中間パワーＰｍに増大されるように、変調される。

さらに、光記録媒体１０に、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号を含むランダム信号を記録する場合には、図１２に示されるように、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍから、記録パワーＰｗに増大され、期間ｔ_ｔｏｐ、期間ｔ_ｍｐおよび期間ｔ_ｌｐの間、記録パワーＰｗに保持され、期間ｔ_Ｏｆｆおよび期間ｔ_ｃｌの間、基底パワーＰｂに保持され、期間ｔ_ｃｌが経過した後に、基底パワーＰｂから、中間パワーＰｍに増大されるように、変調される。

図９ないし図１２に示されたパルスパターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調し、光記録媒体１０にデータを記録する場合には、レーザビームＬのパワーが記録パワーＰｗに設定された直後に、レーザビームＬのパワーが基底パワーＰｂに変調されるから、反射膜が設けられていないＬ１層３０にデータを記録するときにも、Ｌ１層３０に、熱が過剰に蓄積されることが防止され、したがって、Ｌ１層３０に、反射膜が形成されていないにもかかわらず、Ｌ１層３０に記録されたデータを再生したときに、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに生成された熱に起因して、再生信号の特性が悪化することを効果的に防止することが可能になる。

本実施態様によれば、Ｌ１層３０の光入射面１３ａ側に位置する第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含んでおり、高い熱伝導率を有しているから、Ｌ１層３０にデータを記録する場合に、レーザビームＬによって、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに生成された熱を速やかに放熱することができ、したがって、Ｌ１層３０に、反射膜が形成されていないにもかかわらず、Ｌ１層３０に記録されたデータを再生したときに、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに生成された熱に起因して、再生信号の特性が悪化することを効果的に防止することが可能になる。

また、Ｌ０層２０にデータを記録する場合には、レーザビームＬは、Ｌ１層３０を介して、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに照射されるから、Ｌ１層３０に含まれた第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４に吸収されるレーザビームＬのエネルギーが大きいと、Ｌ０層２０の記録感度が低下するが、本実施態様によれば、第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含み、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の消衰係数ｋが、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されているから、Ｌ０層２０の記録感度の低下を効果的に防止することが可能になる。

さらに、本実施態様によれば、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、形成された記録マークＭの領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率と、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂとが積層されたＬ１層３０のブランク領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率との差はきわめて小さいから、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域が記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０に対する記録特性が大きく変化することを効果的に防止することが可能になり、したがって、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０にレーザビームＬを照射することによって、所望のように、Ｌ０層２０にデータを記録することが可能になる。

また、本実施態様によれば、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれているＣｕが混合して、記録マークＭが形成され、記録マークＭが形成された領域の反射率は、その周囲のＬ１層３０の領域の反射率と大きく異なるから、光記録媒体１０のＬ１層３０に記録されたデータを再生する際に、高い再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることが可能になる。

さらに、本実施態様によれば、光透過率の低下を防止するため、Ｌ１層３０は反射膜を備えていないが、Ｌ１層３０に含まれた第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含み、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の消衰係数ｋが、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されているから、変調度、すなわち、記録マークが形成されたＬ１層３０の領域と、記録マークが形成されていないＬ１層３０の領域との光反射率の差を増大させることが可能になる。

また、光記録媒体１０のＬ０層２０に記録されたデータを再生する場合には、レーザビームＬは、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０に照射されるが、本実施態様によれば、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれたＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれたＣｕとが混合して、形成された記録マークＭの領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率と、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａと、Ｃｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂとが積層されたＬ１層３０のブランク領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率との差はきわめて小さいから、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域が記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０から再生される信号の振幅が大きく変化することを効果的に防止することが可能になる。さらに、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域に、記録マークＭが形成された領域とブランク領域との境界が含まれている場合においても、レーザビームＬのスポット内における反射率分布がばらつくことを効果的に防止することが可能になる。

さらに、光記録媒体１０のＬ０層２０に記録されたデータを再生する場合に、レーザビームＬは、Ｌ１層３０を介して、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに照射されるから、Ｌ１層３０に含まれた第二の誘電体膜３２および第一の誘電体膜３４に吸収されるレーザビームＬのエネルギーが大きいときは、Ｌ０層２０によって反射され、検出されるレーザビームＬの光量が低下するが、本実施態様によれば、第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分とし、添加物として、窒素を含み、データの記録および再生に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬを用いた場合に、第一の誘電体膜３４の消衰係数ｋが、十分に低くなるように、第一の誘電体膜３４への窒素の添加量が決定されているから、Ｌ０層２０によって反射され、検出されるレーザビームＬの光量の低下を十分に抑制することが可能になる。

以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。

実施例１
まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

こうして作製されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、Ｔａ_２Ｏ_５ターゲットを用い、８００Ｗのパワーで、スパッタリングを実行し、ポリカーボネート基板の表面に、３０ｎｍの厚さを有し、Ｔａ_２Ｏ_５を、主成分として含む誘電体層を形成した。

スパッタリングガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い、窒素ガスの流量を０ないし３５ＳＣＣＭの範囲で、変化させて、誘電体層に添加された窒素の添加量が異なるサンプル＃１−１ないサンプル＃１−６を作製した。

次いで、サンプル＃１−１ないサンプル＃１−６の誘電体層中に含まれた窒素の含有量を測定し、スパッタリングガスとして、用いた混合ガスの組成と、サンプル＃１−１ないサンプル＃１−６の誘電体層への窒素の添加量との関係を求めた。

測定結果は、表１に示されている。

ここに、誘電体層中に含まれた窒素の含有量は、ＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光法：ＸＰＳ）によって検出されたＴａ−４ｆピーク（ピーク位置：約２８．２〜３７．４ｅＶ）、Ｏ−１ｓピーク（ピーク位置：約５２３〜５４３ｅＶ）およびＮ−１ｓピーク（ピーク位置：約３９０〜４１０ｅＶ）のピーク面積に、それぞれのピーク感度係数（Sensitivity Factor）、すなわち、０．５９６、２．９９４および４．５０５を乗ずることによって、求めた。

次いで、サンプル＃１−１ないしサンプル＃１−６に、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームおよび６８０ｎｍのレーザビームを、それぞれ、照射して、屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の屈折率ｎとの関係および誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

こうして求められた誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の屈折率ｎとの関係は、図１３に示され、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係は、図１４に示されている。

図１３に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含む誘電体層に添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、窒素の小さくなることが認められた。

これに対し、図１３に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含む誘電体層に添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、大きくなるが、窒素の添加量が約６原子％を越えると、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなることが認められた。

一方、図１４に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加すると、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋおよび６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、いずれも、小さくなり、添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなることが認められた。

また、図１４に示されるように、誘電体層への窒素の添加量が約６原子％ないし約１０原子％の範囲では、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋおよび６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、いずれも、ゼロであったが、誘電体層への窒素の添加量が約１０原子％を越えると、大きくなることがわかった。

さらに、図１４に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、誘電体層に窒素を添加すると、大幅に小さくなることが認められた。

次いで、サンプル＃１−１およびサンプル＃１−２に照射するレーザビームの波長を３５０ｎｍないし８００ｎｍの範囲内で変化させ、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係およびレーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果は、図１５に示され、レーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果は、図１６に示されている。

図１５に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃１−１の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、小さくなるのに対し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、３．３原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃１−２の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、増大し、約４７０ｎｍ以下の波長を有するレーザビームに対しては、サンプル＃１−２の方が、サンプル＃１−１よりも、屈折率ｎが高くなることが認められた。

また、図１６に示されるように、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃１−１の消衰係数ｋは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、ほぼ線形に増大するのに対し、Ｔａ_２Ｏ_５を主成分として含み、３．３原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃１−２の消衰係数ｋは、レーザビームの波長が変化しても、ほとんど変化せず、３５０ｎｍないし８００ｎｍの波長を有するレーザビームに対する消衰係数ｋは、サンプル＃１−１の方が、サンプル＃１−２よりも小さく、レーザビームの波長が短くなるほど、その差が大きくなることがわかった。

実施例２
まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

こうして作製されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ＴｉＯ_２ターゲットを用い、８００Ｗのパワーで、スパッタリングを実行し、ポリカーボネート基板の表面に、３０ｎｍの厚さを有し、ＴｉＯ_２を、主成分として含む誘電体層を形成した。

スパッタリングガスとしては、アルゴンガスと窒素ガスの混合ガスを用い、窒素ガスの流量を０ないし３５ＳＣＣＭの範囲で、変化させて、誘電体層に添加された窒素の添加量が異なるサンプル＃２−１ないサンプル＃２−８を作製した。

次いで、サンプル＃２−１ないサンプル＃２−８の誘電体層中に含まれた窒素の含有量を測定し、スパッタリングガスとして、用いた混合ガスの組成と、サンプル＃２−１ないサンプル＃２−８の誘電体層への窒素の添加量との関係を求めた。

測定結果は、表２に示されている。

ここに、誘電体層中に含まれた窒素の含有量は、ＥＳＣＡ（Electron Spectroscopy for chemical Analisys）、すなわち、ＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）によって検出されたチタンの２ｐピーク（ピーク位置：約４４３．８ないし４７３．８ｅＶ）、酸素の１ｓピーク（ピーク位置：約５２３ないし５４３ｅＶ）および窒素の１ｓピーク（ピーク位置：約３９０ないし４１０ｅＶ）のピーク面積に、それぞれのピーク感度係数（Sensitivity Factor）、すなわち、１．７０３、２．９９４および４．５０５を乗じることよって、求めた。

次いで、サンプル＃２−１ないしサンプル＃２−８に、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームおよび６８０ｎｍのレーザビームを、それぞれ、照射して、屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と光記録媒体の屈折率ｎとの関係および誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

こうして求められた誘電体層への窒素の添加量（原子％）と誘電体層の屈折率ｎとの関係は、図１７に示され、誘電体層への窒素の添加量（原子％）と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係は、図１８に示されている。

図１７に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、ＴｉＯ_２を主成分として含む誘電体層に添加した窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、大きくなるが、窒素の添加量が約４．５原子％を越えると、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、徐々に小さくなることが認められた。

これに対して、図１７に示されるように、６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の屈折率ｎは、ＴｉＯ_２を主成分として含む誘電体層に、窒素を添加しても、ほとんど変わらないことが判明した。

他方、図１８に示されるように、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなるが、窒素の添加量が約２．７原子％を越えると、逆に増大することがわかった。

また、図１８に示されるように、６８０ｎｍの波長を有するレーザビームに対する誘電体層の消衰係数ｋは、窒素の添加量（原子％）が多くなるほど、小さくなるが、窒素の添加量が約３原子％を越えると、逆に増大することがわかった。

次いで、サンプル＃２−１およびサンプル＃２−３に照射するレーザビームの波長を３５０ｎｍないし８００ｎｍの範囲内で変化させ、誘電体層の屈折率ｎおよび消衰係数ｋを測定し、レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係およびレーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を求めた。

レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果は、図１９に示され、レーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果は、図２０に示されている。

図１９に示されるように、ＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃２−１の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなっても、それほど変化しなかったのに対し、ＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃２−３の屈折率ｎは、レーザビームの波長が短くなるにつれて、増大し、青色波長域のレーザビームに対し、屈折率ｎがきわめて大きくなることがわかった。

また、図２０に示されるように、ＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素が添加されていない誘電体層を備えたサンプル＃２−１の消衰係数ｋおよびＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された誘電体層を備えたサンプル＃２−３の消衰係数ｋは、ともに、レーザビームの波長が短くなるにつれて、増大することが認められ、レーザビームの波長にかかわらず、サンプル＃２−１の消衰係数ｋの方が、サンプル＃２−３の消衰係数ｋよりも大きいことがわかった。

実施例３
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃３−１を作製した。

まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有するディスク状のポリカーボネート基板を作製した。

次いで、こうして作成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板の表面上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕを含む１００ｎｍの厚さを有する反射膜、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２７ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌと１３原子％のＡｕを添加物として含む５ｎｍの厚さを有する第二のＬ０記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第一のＬ０記録膜およびＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、２５ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜を、順次、スパッタリング法によって、形成し、ポリカーボネート基板の表面上に、Ｌ０層を形成した。

第三の誘電体膜および第四の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

さらに、その表面に、Ｌ０層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコーティング装置にセットし、ポリカーボネート基板を回転させながら、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調製した樹脂溶液を、第三の誘電体膜上に塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、グルーブおよびランドが形成されたスタンパを載置し、スタンパを介して、塗膜に、紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、スタンパを剥離して、その表面に、トラックピッチ（グルーブピッチ）が０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成された厚さ２０μｍの透明中間層を形成した。

次いで、その表面に、Ｌ０層および透明中間層が形成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、Ｌ０層上に形成された透明中間層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、１３ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌと１３原子％のＡｕを添加物として含む５ｎｍの厚さを有する第二のＬ１記録膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第一のＬ０記録膜およびＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された２７ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタリング法によって、形成し、透明中間層の表面に、Ｌ１層を形成した。

第二の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

さらに、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調製した樹脂溶液を、第一の誘電体膜上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、８０μｍの厚さを有する光透過層を形成し、光記録媒体サンプル＃３−１を作製した。

比較例１
１６ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜を形成し、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、３１ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃３−１を作製したのと同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１を作製した。

ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

比較例２
ＴｉＯ_２を主成分として含み、２．９原子％の窒素が添加された２０ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃３−１を作製したのと同様にして、光記録媒体比較サンプル＃２を作製した。

比較例３
１４ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜を形成し、ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を含み、３１ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を形成した点を除き、光記録媒体比較サンプル＃２を作製したのと同様にして、光記録媒体比較サンプル＃３を作製した。

ＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ_２のモル比率は、８０：２０であった。

光記録媒体サンプル＃３−１、光記録媒体比較サンプル＃１、光記録媒体比較サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃３を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、波長が４０５ｎｍのレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、Ｌ１層に、光透過層を介して、集光し、２Ｔ信号を記録した。

レーザビームのパワーは、図９に示されたパルスパターンを用いて、変調した。ここに、中間パワーＰｍは１．５ｍＷに、基底パワーＰｂは０．１ｍＷに固定し、記録パワーＰｗは変化させた。

次いで、上述の光媒体評価装置を用いて、光記録媒体サンプル＃３−１、光記録媒体比較サンプル＃１、光記録媒体比較サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃３に記録されたデータを再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。レーザビームのパワーは、０．７ｍＷに設定した。

測定結果は、図２１に示されている。

図２１に示されるように、光記録媒体サンプル＃３−１に記録されたデータを再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比が最も高かった。

さらに、光記録媒体サンプル＃３−１、光記録媒体比較サンプル＃１、光記録媒体比較サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃３を、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、上述したのと同様にして、Ｌ１層に、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を含むランダム信号を記録した。

次いで、上述の光媒体評価装置を用いて、光記録媒体サンプル＃３−１、光記録媒体比較サンプル＃１、光記録媒体比較サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃３に記録されたデータを再生して、データが記録されたトラックに挟まれたトラックから得られた再生信号のクロックジッタを測定した。クロックジッターは、タイムインターバルアナライザにより、再生信号のゆらぎ（σ）を求め、σ／Ｔｗにより算出した。ここに、Ｔｗはクロックの１周期である。

測定結果は、図２２に示されている。

さらに、再生信号のクロックジッタが最も低かった記録パワーＰｗを求めるとともに、その記録パワーＰｗで記録されたデータを再生して得られた再生信号の変調度を求めた。

測定結果は、表３に示されている。

図２２および表３に示されるように、光記録媒体サンプル＃３−１に記録されたデータを再生して得た再生信号のクロックジッタが最も低いことがわかった。

また、光記録媒体サンプル＃３−１に記録されたデータを再生して得た再生信号のクロックジッタが最小となる記録パワーＰｗは６．４ｍＷであり、記録感度も良好であった。

さらに、記録パワーＰｗを６．４ｍＷに設定して、記録されたデータを再生して得られた信号の変調度は５１．８％であり、最も高いことが判明した。

本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

たとえば、前記実施態様においては、Ｌ０層２０の第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂが、互いに接触するように形成されているが、Ｌ０層２０の第二のＬ０記録膜２３ｂは、レーザビームの照射を受けたときに、第一のＬ０記録膜２３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれているＣｕとが混合して、記録マークＭが形成されるように、第一のＬ０記録膜２３ａの近傍に配置されていればよく、Ｌ０層２０の第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂが、互いに接触するように形成されていることは必ずしも必要でなく、第一のＬ０記録膜２３ａと第二のＬ０記録膜２３ｂの間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。

さらに、前記実施態様においては、Ｌ１層３０の第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂが、互いに接触するように形成されているが、Ｌ１層３０の第二のＬ１記録膜３３ｂは、レーザビームの照射を受けたときに、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれているＳｉと、第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれているＣｕとが混合して、記録マークＭが形成されるように、第一のＬ１記録膜３３ａの近傍に配置されていればよく、Ｌ１層３０の第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂが、互いに接触するように形成されていることは必ずしも必要でなく、第一のＬ１記録膜３３ａと第二のＬ１記録膜３３ｂの間に、誘電体層などの一または二以上の他の層が介在していてもよい。

また、前記実施態様においては、Ｌ０層２０は、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂを備えているが、Ｌ０層２０が、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第二のＬ０記録膜２３ｂに加えて、第一のＬ０記録膜２３ａに主成分として含まれている元素と同じ元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録膜または第二のＬ０記録膜２３ｂに主成分として含まれている元素と同じ元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録膜を備えていてもよい。

さらに、前記実施態様においては、Ｌ１層３０は、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂを備えているが、Ｌ１層３０が、第一のＬ１記録膜３３ａおよび第二のＬ１記録膜３３ｂに加えて、第一のＬ１記録膜３３ａに主成分として含まれている元素と同じ元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録膜または第二のＬ１記録膜３３ｂに主成分として含まれている元素と同じ元素を主成分として含む一もしくは二以上の記録膜を備えていてもよい。

さらに、前記実施態様においては、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第一のＬ１記録膜３３ａは、それぞれ、Ｓｉを主成分として含んでいるが、第一のＬ０記録膜２３ａおよび第一のＬ１記録膜３３ａが、それぞれ、Ｓｉを主成分として含んでいることは必ずしも必要でなく、Ｓｉに代えて、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいてもよい。

また、前記実施態様においては、第二のＬ０記録膜２３ｂおよび第二のＬ１記録膜３３ｂは、それぞれ、Ｃｕを主成分として含んでいるが、第二のＬ０記録膜２３ｂおよび第二のＬ１記録膜３３ｂが、それぞれ、Ｃｕを主成分として含んでいることは必ずしも必要でなく、Ｃｕに代えて、Ａｌ、Ｚｎ、ＴｉおよびＡｇよりなる群から選ばれる元素を主成分として含んでいてもよい。

また、前記実施態様においては、第一のＬ０記録膜２３ａが光透過層１３側に配置され、第二のＬ０記録膜２３ｂが支持基板１１側に配置されているが、第一のＬ０記録膜２３ａを支持基板１１側に配置し、第二のＬ０記録膜２３ｂを光透過層１３側に配置することもできる。

さらに、前記実施態様においては、第一のＬ１記録膜３３ａが光透過層１３側に配置され、第二のＬ１記録膜３３ｂが支持基板１１側に配置されているが、第一のＬ１記録膜３３ａを支持基板１１側に配置し、第二のＬ１記録膜３３ｂを光透過層１３側に配置することもできる。

また、前記実施態様においては、Ｌ１層３０は、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂを備えているが、Ｌ１層３０が、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ１記録膜３３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ１記録膜３３ｂを備えていることは必ずしも必要でなく、Ｌ１層３０が、単一の記録膜を備えていてもよい。

さらに、前記実施態様においては、Ｌ０層２０は、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ０記録膜２３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ０記録膜２３ｂを備えているが、Ｌ０層２０が、Ｓｉを主成分として含む第一のＬ０記録膜２３ａとＣｕを主成分として含む第二のＬ０記録膜２３ｂを備えていることは必ずしも必要でなく、Ｌ０層２０が、単一の記録膜を備えていてもよい。さらには、最下の情報層であるＬ０層２０は、ピットによって形成されていてもよい。

また、前記実施態様においては、Ｌ１層３０は反射膜を備えていないが、Ｌ１層３０が反射膜を備えていないことは必ずしも必要でなく、Ｌ１層３０が、Ｌ０層２０に含まれた反射膜２１よりも薄い反射膜を備えていてもよい。

さらに、前記実施態様においては、第一の誘電体膜３４は、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいるが、第一の誘電体膜３４が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいることは必ずしも必要でなく、第一の誘電体膜３４が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２以外の酸化物を主成分として含んでいてもよい。

また、前記実施態様においては、第二の誘電体膜３２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成されているが、第二の誘電体膜３２は、第一の誘電体膜３４よりも熱伝導率が低い材料によって形成されていればよく、第二の誘電体膜３２が、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成されていることは必ずしも必要でない。

さらに、前記実施態様においては、第三の誘電体膜２４および第四の誘電体膜２２は、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成されているが、第三の誘電体膜２４および第四の誘電体膜２２を、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成することは必ずしも必要でなく、Ａｌ_２Ｏ_３、ＡｌＮ、ＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＣｅＯ_２、ＺｎＳ、ＴａＯなど、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｔｉなどの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いて、第三の誘電体膜２４および第四の誘電体膜２２を形成することもできる。

さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、情報層として、Ｌ０層２０およびＬ１層３０を備えているが、光記録媒体１０が、情報層として、Ｌ０層２０およびＬ１層３０を備えていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体１０が、３層以上の情報層を備えていてもよい。光記録媒体１０が、３層以上の情報層を備えている場合には、光入射面１３ａから最も遠い情報層以外のすべての情報層の光入射面１３ａ側の誘電体膜が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素を添加物として含んでいることが好ましいが、これに限定されるものではなく、光入射面１３ａから最も遠い情報層以外の少なくとも一つの情報層に含まれる光入射面１３ａ側の誘電体膜が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含み、窒素を添加物として含むとともに、支持基板１１側の誘電体膜が、光入射面１３ａ側の誘電体膜よりも熱伝導率の低い材料によって形成されていればよい。

また、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、光透過層１３を備え、レーザビームＬが、光透過層１３を介して、Ｌ０層２０およびＬ１層３０に照射されるように構成されているが、本発明はかかる構成の光記録媒体に限定されるものではなく、光記録媒体が、光透過性材料によって形成された基板と、保護層との間に、Ｌ０層２０およびＬ１層３０を備え、レーザビームＬが、基板を介して、Ｌ０層２０およびＬ１層３０に照射されるように構成されていてもよい。

図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図である。 図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。 図３は、図１に示された光記録媒体のＬ１層にレーザビームが照射された後の状態を示す略一部拡大断面図である。 図４は、図１に示された光記録媒体のＬ０層にレーザビームが照射された後の状態を示す略一部拡大断面図である。 図５は、光記録媒体の製造プロセスを示す工程図である。 図６は、光記録媒体の製造プロセスを示す工程図である。 図７は、光記録媒体の製造プロセスを示す工程図である。 図８は、光記録媒体の製造プロセスを示す工程図である。 図９は、光記録媒体のＬ０層あるいはＬ１層に、２Ｔ信号を記録する場合に、レーザビームのパワーを変調するパルスパターンを示す波形図である。 図１０は、光記録媒体のＬ０層あるいはＬ１層に、３Ｔ信号を記録する場合に、レーザビームのパワーを変調するパルスパターンを示す波形図である。 図１１は、光記録媒体のＬ０層あるいはＬ１層に、４Ｔ信号を記録する場合に、レーザビームのパワーを変調するパルスパターンを示す波形図である。 図１２は、光記録媒体のＬ０層あるいはＬ１層に、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号を含むランダム信号を記録する場合に、レーザビームのパワーを変調するパルスパターンを示す波形図である。 図１３は、実施例１において、誘電体層への窒素の添加量と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図１４は、実施例１において、誘電体層への窒素の添加量と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図１５は、実施例１において、レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図１６は、実施例１において、レーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図１７は、実施例２において、誘電体層への窒素の添加量と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図１８は、実施例２において、誘電体層への窒素の添加量と、誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図１９は、実施例２において、レーザビームの波長と誘電体層の屈折率ｎとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図２０は、実施例２において、レーザビームの波長と誘電体層の消衰係数ｋとの関係を測定した結果を示すグラフである。 図２１は、光記録媒体サンプル＃３−１、光記録媒体比較サンプル＃１、光記録媒体比較サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃３に記録されたデータを再生して得た信号のＣ／Ｎ比を測定した結果を示すグラフである。 図２２は、光記録媒体サンプル＃３−１、光記録媒体比較サンプル＃１、光記録媒体比較サンプル＃２および光記録媒体比較サンプル＃３に記録されたデータを再生して得た信号のクロックジッタを測定した結果を示すグラフである。

符号の説明

１０ 光記録媒体
１１ 支持基板
１１ａ，１２ａ グルーブ
１１ｂ，１２ｂ ランド
１２ 透明中間層
１３ 光透過層
１３ａ 光入射面
２０ Ｌ０層
２１ 反射膜
２２ 第四の誘電体膜
２３ａ 第一のＬ０記録膜
２３ｂ 第二のＬ０記録膜
２４ 第三の誘電体膜
３０ Ｌ１層
３２ 第二の誘電体膜
３３ａ 第一のＬ１記録膜
３３ｂ 第二のＬ１記録膜
３４ 第一の誘電体膜
Ｌ レーザビーム

Claims (8)

1. 基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報層を備え、前記基板および前記保護層の一方の表面によって構成された光入射面を介して、前記複数の情報層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報層にデータを記録し、前記複数の情報層に記録されたデータを再生可能に構成された光記録媒体であって、前記複数の情報層のうち、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも一つの情報層が、少なくとも１つの記録膜と、前記少なくとも１つの記録膜に対して、前記光入射面の側に位置し、酸化物を主成分とし、窒素が添加された第一の誘電体膜と、前記少なくとも１つの記録膜に対して、前記光入射面と反対側に位置し、前記第一の誘電体膜よりも低い熱伝導性を有する第二の誘電体膜を備えたことを特徴とする光記録媒体。
2. 第一の誘電体膜が、Ｔａ_２Ｏ_５またはＴｉＯ_２を主成分として含んでいることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
3. 前記第二の誘電体膜が、ＺｎＳとＳｉＯ_２との混合物によって形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
4. 前記少なくとも一つの情報層が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、ＢｉおよびＡｌよりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、前記第一の記録膜の近傍に設けられ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、ＴｉおよびＡｇよりなる群から選ばれ、第一の記録膜に含まれた元素とは異なる元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成されたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の光記録媒体。
5. 前記第二の記録膜が、前記第一の記録膜に接するように、形成されていることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
6. 前記第一の記録膜が、Ｓｉを主成分として含み、前記第二の記録膜が、Ｃｕを主成分として含んでいることを特徴とする請求項４または５に記載の光記録媒体。
7. 前記第二の記録膜に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とは異なる少なくとも一種の元素が添加されていることを特徴とする請求項４ないし６のいずれか１項に記載の光記録媒体。
8. 前記保護層が光透過性材料によって形成され、レーザビームが、前記保護層を介して、前記複数の情報層に照射されるように構成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の光記録媒体。

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