JP2008159207A - 光記録媒体及び光記録再生装置 - Google Patents

光記録媒体及び光記録再生装置 Download PDF

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Abstract

【課題】複数の情報層を備えた光記録媒体における、情報層の多層化による反射率及び反射率コントラストの悪化を防止する。
【解決手段】光記録媒体は、情報を記録する記録層を備えた情報層を複数有し、前記情報層の少なくとも1つは、光の照射によって光学定数が変化し、前記光の照射終了後に元の値に戻る光学変化層をさらに有すること。
【選択図】図4

Description

本発明は、情報の記録及び再生が可能な光記録媒体、光記録再生装置に関する。
CD、DVDに代表される光ディスクは、音声・画像・動画をはじめとするデータ保存用媒体として普及しており、読み出し専用型および書き込み型の媒体が実用化されている。これらの媒体の記録容量を向上させる方法のひとつに、記録層を多層化する多層光ディスクが提案されている。
光記録再生装置は、レーザー光をディスクに照射し、ディスクで反射されてピックアップに帰ってくる反射光の光量の大小によって記録部と未記録部を判定し、記録または再生を行う。
多層光ディスクにおいて、目的とする記録層に対して記録再生する際は、この層より光入射側から近い記録層を透過してきた光によってフォーカスし、記録再生を行う必要がある。そのため、記録層は記録再生光において半透明である必要がある。(例えば、特許文献1)さらに、層数を増やすにつれ、より記録層の透過率を高め、同時に反射率があらかじめ低くする必要がある。その結果、再生時に反射光の光量が小さくなり、SN比が悪くなってしまう。また、光のフォーカスがかかりづらくなり、あるいはフォーカスがかかっても再生時に外れてしまうといった問題がある。
特開2002−342980公報
本発明は、以上の問題点を鑑みてなされたもので、情報層の層数を増やしても、反射率、及び反射率コントラストが下がること無く、記録容量を高めた多層光記録媒体、光記録再生装置を提供することを目的とする。
本発明に関わる光記録媒体は、情報を記録する記録層を備えた情報層を複数有し、
前記情報層の少なくとも1つは、光の照射によって光学定数が変化し、前記光の照射終了後に元の値に戻る光学変化層を有することを特徴とする。
また、本発明に関わる光記録再生装置は、情報を記録する記録層を備えた情報層を複数有し、前記情報層の少なくとも1つが、光の照射によって光学定数が変化し、前記光の照射終了後に元の値に戻る光学変化層を有する光記録媒体と、前記光学変化層に第1の光を照射し、前記光学定数を変化させる第1照射手段と、前記光学定数が変化した状態で、前記記録層に第2の光を照射する第2照射手段と、を備えることを特徴とする。
本発明によれば、記録層を有する情報層を増やしても、反射率、及び反射率コントラストが下がること無く、記録容量を高めた多層光記録媒体、光記録再生装置を提供できる。
以下図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。以下の図面の記載において、同一または類似の部分には同一または類似の符号が付してある。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
まず、本発明の一実施形態による光記録媒体について説明する。この光記録媒体は、複数の情報層が積層されている。各情報層は記録層および保護層や反射層を含む。情報層の中には記録層とは別に、光照射によって光学定数の値が変化し、照射を停止すると元の値に戻る、光学定数変化層が設けられているものを含んでいる。この光学定数変化層の存在によって、記録再生時に、目的とする情報層に対し、記録再生光と共に光学定数変化層の光学定数の変化を誘起する、光学変化誘起光を照射することで、被記録再生層の反射率を上げ、同時に反射率コントラストを大きくすることができる。また、前述のように、多層光ディスクは、単層あたりの透過率を高めつつ、反射率も確保しなければならないため、光学設計におけるマージンが非常に狭くなる。一方、本実施形態の光学定数変化層の存在によって、記録再生時にのみ反射率が高くかつ反射率コントラストが大きく、記録再生時以外には反射率が低く、透過率が高くなるような膜設計にすることが可能である。
また、光学定数変化層は、必ずしも全ての情報層に具備しなければならないというものではなく、情報層の内のいずれか1つもしくは2つ以上に具備されていてもよい。
情報層の総数をnとし、各情報層を記録再生光の入射側から数えたときに、最も奥側の情報層であるn番目の情報層は、透過率を確保する必要が無いため、あらかじめ反射率の高い膜設計にすることが可能であり、光学変化層を設ける必要は無い。また、製膜による製造コストを考慮すると、本実施形態の光学変化層を設ける情報層は1層のみであることがより好ましい。
光学変化層と記録層、及び適宜選択された保護層や反射層などから成る情報層の膜厚は、500[nm]以下であることが好ましい。500[nm]を超えると、記録再生時に情報層内でビームが広がってビームスポットが大きくなるため、記録マークのサイズの肥大化による記録容量の低下、記録時に高い記録光パワーが必要になることによる光源の消費電力の高騰、といった結果を招くことになる。また、製膜に多くの時間を費やす必要があるため、コストアップにもつながる。また、光学変化層の材料や、情報層内において光学変化層を配置する位置は、組合せる膜の光学特性や情報層の信号極性に応じて適宜に変更可能であり、記録層より光入射側にあっても奥側であってもよい。
光学変化層は、光学変化誘起光の照射により、記録再生光の波長における光学定数が変化する材料で構成されている。この材料としては、サーモクロミズム材料、あるいは過飽和吸収材料を用いることができる。
サーモクロミズム材料とは、熱を吸収することにより、化学的に構造変化を起こし、光学定数が変化する材料である。サーモクロミズム材料としては、金属酸化物等の無機サーモクロミズム物質、ラクトンやフルオラン等にアルカリを加えたもの、ロイコ色素等に有機酸を加えたもの等の有機サーモクロミズム物質が挙げられる。これらのうち、その禁制帯が温度により変化することによって、吸収端付近の波長の光学定数が変化する材料を用いることが好ましい。このような材料は、温度変化による化学的な構造変化を繰り返しても組成や形状が変化しにくく、耐久性に優れているからである。上記材料としては、具体的には、ZnO、SnO、CeO、NiO、In、TiO、Ta、VO、SrTiO、AlGe等が挙げられる。例えば、再生光の波長が380〜415nmの範囲内(例えば405nm)である場合、光学変化層としては、常温の吸収端波長が375nm付近であるZnO(酸化亜鉛)を用いることが特に好ましい。ZnO単膜の、波長405nmにおける屈折率n、消衰係数kの温度依存性を図1に示す。ZnOは、次世代の光ディスクに用いられる波長405nmにおいて、常温から温度上昇することで、屈折率・消衰係数が共に増加する膜材料である。温度が常温に復帰すると元の屈折率・消衰係数に戻る。一方、AlGeは、図2に波長405nmにおける屈折率n、消衰係数kの温度依存性のグラフを示すように、温度上昇によって屈折率・消衰係数が共に減少する材料である。この場合も温度が常温に復帰すると元の屈折率・消衰係数に戻る。
過飽和吸収材料は、入射光強度が低い時には光を吸収するが、光強度を上げるにつれ吸収係数が小さくなり、同時に屈折率も変化する。このような過飽和吸収材料としては、半導体微粒子分散膜やシアニン色素、フタロシアニン類等の有機色素が挙げられる。半導体微粒子分散膜の材料としては、Cu、Agのハロゲン化物、Cu酸化物、AgSe、AgTe、SrTe、SrSe、CaSi、ZnS、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe等が挙げられる。また半導体微粒子を分散させるのに必要な母材としては、SiO、Si、Ta、TiO、ZnS−SiO等の透明誘電体材料が挙げられる。これらの半導体微粒子分散膜の過飽和吸収効果を起こす波長を調整するには、波長にあわせて用いる半導体材料を選択し、また微粒子の粒径及び体積含有率を調整することで、脱励起の寿命及び励起確率を制御することが可能である。
情報層に用いられる記録層は、レーザー照射によって光学定数が変化し、記録マークが形成され、記録マーク部分とそれ以外の部分とでは再生光に対する反射率が大きく異なる性質を備えた材料で構成されている。このような記録層の材料としては、特に限定されるものではないが、記録マークの領域部分の結晶から非晶質への相変化による光学定数の変化を利用する相変化記録膜、または光により非可逆的に変化する、アゾ金属錯体色素、シアニン系等の有機色素膜、AlSi、Zn−S−Mg−O−Si等の無機系記録膜、二つの層を構成する元素からなる共晶合金を形成して記録マークとすることにより反射率を変化させる共融結晶化型記録膜、記録層に形成する記録マークの領域部分の形状変化(孔あけ、ピット形成、バブル形成、表面形状の変化)による反射率変化を利用する形状変化型記録膜、を用いることができる。また、記録層は基板や樹脂上に射出成形等によってあらかじめ形成された凹凸状のパターンであっても良い。
次に、上述した光記録媒体の記録再生方法について述べる。被記録再生層(光記録媒体の記録層のうち記録または再生対象とするもの)に対し、記録再生光を照射する手段と共に、前記光学定数変化層の光学定数の変化を誘起する光学変化誘起光を照射する手段を具備している。記録再生光と光学変化誘起光の2つの光を用いるが、光源を1つだけ用いて、ビームスプリッタ等で光を2つに分割して、それぞれ記録再生光用と光学変化誘起光用として用いる方法、及び2つの光源を用いる方法の2つがあり、どちらを使用してもよい。記録再生用光源としては通常光記録に用いられる半導体レーザー(LD)を用いることができる。一方、光学変化誘起用光源としては、半導体レーザーを用いることもできるが、波長を再生用と同じにする必要はない。なお、以下の説明では、記録再生装置(方法)は記録または再生を意味し、記録専用装置、再生専用装置、および記録と再生が可能な記録再生装置(方法)のいずれであってもよい。
また、光学変化誘起領域の面積は、記録再生光スポットの面積より広いことが好ましく、具体的には、光学変化誘起光のビームスポット径をra、記録再生光のビームスポット径をrbとしているときに、ra≧rb、であることが好ましい。ra<rbであると、記録再生光のビームスポット領域内において、光学変化誘起光による光学変化の効果を受けることの出来ない領域が存在することになり、本発明の顕著な効果が得られない。また、記録再生光のビームスポット内で、反射率の分布が出来ることになる為、再生信号の品質が著しく低下し、エラーレートの上昇につながる。一方、前述の理由により、光学変化誘起光の光源には、照射領域が広い光源、たとえば発光ダイオード、キセノンランプ、水銀ランプなどを用いることができる。また、光学変化層としてサーモクロミック材料を用いた場合は、赤外線ランプのような、熱源を光学変化誘起用に用いることができる。但し、光源は小型化が可能なものでなければ、記録再生装置の製造コストの高騰を招くことになるため、記録再生光、及び光学変化誘起光の波長は350[nm]以上850[nm]以下であることが好ましい。
本発明の一実施形態の記録再生方法において、図3に示すように、記録再生時の回転線速度をv、光学変化誘起光を照射してから、前記光学定数の変化が完了し、元の値に戻るまで要する時間をt、とするときに、記録再生光の光記録媒体上におけるビームスポットの中心と、光学変化誘起光の光記録媒体上におけるビームスポットの中心間の円周距離dを、d≦v×tであるように設けることが特に好ましい。d>v×tの場合、既に光学定数の変化が消失した後に記録再生を行うことになるため、本発明の効果は無くなることになる。
(第1の実施形態)・・・片面三層型書換型光記録媒体
次に、本発明の第1の実施形態について説明する。ここでは、書き換え可能な相変化光記録媒体に応用した実施形態について述べる。相変化光記録媒体は情報層の層数が2以上であれば良い。
本発明の第1の実施形態に関わる光記録媒体は、図4に示すように、片面三層型を有する書換型光記録媒体で構成されており、光入射側から、第1の基板1、第1の情報層2、スペーサー層3、第2の情報層4、スペーサー層5、第3の情報層6、第2の基板7の順に積層されて形成されている。更に、第1(2)の情報層は、光入射側からそれぞれ保護層である第1誘電体膜8(13)、記録層である相変化記録膜9(14)、保護層である第2誘電体膜10(15)、反射層である反射膜11(16)、光学変化層12(17)の順に積層されている。第3の情報層は、光入射側からそれぞれ保護層である第1誘電体膜18、記録層である相変化記録膜19、保護層である第2誘電体膜20、反射層21の順に積層されている。なお、以降では第1、2、3の情報層のことを、L0、L1、L2層と呼ぶことにする。
第1の基板は、記録再生光の波長で透明であり、情報層への光入射を妨げない材料で構成されている。構成する材料としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリカーボネイト、アモルファスポリオレフィン、熱可塑性ポリイミド、PET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエーテルニトリル)、PES(ポリエーテルサルホン)等の熱可塑性透明樹脂(プラスチック)、熱硬化型ポリイミド、紫外線硬化型アクリル樹脂等の熱硬化型透明樹脂、及びそれらの組み合わせが挙げられる。第1の基板の厚さは特に限定されるものではなく、0.1〜1.2mm程度の厚さが適当である。
保護層の材料としては、特に限定されるものではないが、記録再生光の波長で透明な材料で構成されている。具体的には、Al、AlN、ZnS、GeN、GeCrN,CeO、SiO、SiOC、SiN、SiC、SiO、Cr、Taからなる群より選択される少なくとも一種の誘電体を主成分とすることが好ましい。
記録層に用いられる相変化記録膜は、例えば、GeSbTeBi、GeSbTe、GeBiTe、GeSbTeSn、AgInSbTe、InSbTe、AgInGeSbTe、GeInSbTe、及びこれにSn、In、B、Mn等を添加した材料が挙げられる。相変化記録膜の上下または片側にGeN、ZrO、CrO、SiN等の界面層を設けてもよい。
反射層の材料としては、Ag、Al、Au、Cuを主成分とする合金が挙げられる。
光学変化層には、記録再生光波長として405nmを選択したため、ZnOを用いた。
第2の基板は、光記録媒体に適当な強度を付与し得る材料で構成されている。なお、第2の基板を構成する材料の光学的特性は、特に限定されるものではなく、透明であっても不透明であっても良い。基板を構成する材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネイト、アモルファスポリオレフィン、熱可塑性ポリイミド、PET、PEN、PES等の熱可塑性樹脂熱硬化型ポリイミド、紫外線硬化型アクリル樹脂等の熱硬化型樹脂、及びそれらの組み合わせが挙げられる。第2の基板の厚さは特に限定されるものではなく、例えば0.3〜1.2mm程度の厚さが適当である。
更に、第2の基板における内側の面上には、図示しない記録情報に対応した凹凸形状のピットや案内用の溝が形成されている。ピット或いは案内用の溝は、0.3〜1.6μm程度のピッチ、30〜200nm程度の深さが適当である。
記録再生時は、光入射側に近いL0層を再生する場合は、再生光のフォーカスをL0層に合わせ、第1の基板を通してL0層にアクセスする。L1層を再生する場合は、再生光のフォーカスをL1層に合わせ、第1の基板に加えてL0層、第1のスペーサー層を通じてL1層にアクセスする。L2層を再生する場合は、再生光のフォーカスをL2層に合わせ、第1の基板、L0層、第1のスペーサー層、L1層、第2のスペーサー層を通じてL2層にアクセスする。
本実施形態では、記録再生光波長を405nm、光学変化誘起光波長を650nmとした。光源は図5に示すように波長405nmと650nmのLDの2つを用い、それぞれ記録再生光用と光学変化誘起光用とした。光学変化誘起光用LD26から光学変化誘起光28を全反射ミラー27に照射し、反射された光学変化誘起光28をさらに光学変化誘起光用対物レンズ29を通して、光記録媒体22に照射する。その後、記録再生光LD23から記録再生光24を、記録再生光用対物レンズ25を通して光記録媒体22に照射する。尚、光学変化誘起光28と記録再生光24を光記録媒体22に照射する際、各々の焦点が光記録媒体22の同じ半径位置になるようにLD23、28、全反射ミラー27、対物レンズ25、25を配置し、光学変化誘起光28と記録再生光24の光軸をずらして光記録媒体22に照射する。
以下に本発明の第1の実施形態に関わる実施例を説明するが、本発明の主旨を超えない限り、本発明は以下に掲載される実施例に限定されるものでない。
(実施例1)・・・片面三層型書換型光記録媒体
トラックピッチ0.34μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ0.6mmのポリカーボネイト基板(以下、第1の基板という)上に、ZnS−SiO膜(厚さ=20nm)/GeInSbTe膜(厚さ=5nm)/ZnS−SiO膜(厚さ=20nm)/銀合金膜(厚さ=5nm)/ZnO膜(厚さ=30nm)の順に成膜し、これを第1の情報層L0とした。ZnS−SiO膜は保護層、GeInSbTe膜は記録層、銀合金膜は反射層であり、ZnO膜は第1の光学変化層である。全ての膜はスパッタリングによって成膜した。なお、以降L1、L2でもZnS−SiO膜、GeInSbTe膜を用いており、いずれにおいても前者は保護層、後者は記録層である。
続いて、第1の基板上の第1の光学変化層上に第1のスペーサー層としてUV硬化樹脂を20μm塗布した。次に、別工程で、トラックピッチ0.34μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ1.1mmのアクリル基板を用い、UV硬化樹脂表面と、アクリル基板とを合わせて配置して両側から均一に圧力をかけるとともに、UV光を照射して、UV硬化樹脂を硬化させてアクリル基板を剥離した。このUV硬化樹脂表面に、第2の情報層L1として、ZnS−SiO2膜(厚さ=20nm)/GeInSbTe膜(厚さ=5nm)/ZnS−SiO2膜(厚さ=20nm)/銀合金膜(厚さ=5nm)/ZnO膜(厚さ=30nm)の順に成膜した。
トラックピッチ0.34μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ0.6mmのポリカーボネイト基板(以下、第2の基板という)上に、第3の情報層L2として、銀合金膜(厚さ=50nm)/ZnS−SiO2膜(厚さ=20nm)/GeInSbTe膜(厚さ=15nm)/ZnS−SiO2膜(厚さ=20nm)の順に成膜した。最後に、第1の基板上の第2の光学変化層上に第2のスペーサー層としてUV硬化樹脂を20μm塗布し、UV硬化樹脂の塗布面と、第2の基板上のZnS−SiO2膜の成膜面とを貼り合わせることで図4に示すような片面三層書換型記録媒体を作製した。なお、このディスクをDisk−Aと呼ぶことにする。
(比較例1)・・・片面三層型書換型光記録媒体
本実施形態の光学変化層ZnO膜を設ける代わりに、ZnS−SiO膜を同じ膜厚だけ設ける点以外は実施例1と全く同じ材料及び工程によって、片面三層書換型記録媒体を作製した。なお、このディスクをDisk−Bと呼ぶことにする。
このようにして作製したDisk−A,Bを初期化装置に設置し、幅50μm、長さ1μmの長円形ビームを照射して全面の記録膜を初期化(結晶化)した。
このような光ディスクの記録・消去試験を以下のようにして行った。記録・消去試験には、図5のような光学系を用いた。NA=0.65の対物レンズと波長405nmのLDを記録再生用ピックアップとし、さらに、NA=0.45の対物レンズと波長650nmのLDを光学変化誘起光用に用いた。なお、光ディスク上での光学変化誘起光と記録再生光のビームスポットの中心間の円周距離を、1μm(円周角で2.5×10−4[rad])とした。記録線速度を5.6m/sec,3T(Tは信号の長さを表す指標である)信号(マーク長およびスペース長がいずれも0.26μm)を用いて記録試験を行った。
試験方法は以下の通りである。ランドまたはグルーブ・トラックの特性を評価する場合には、それぞれ他のトラックに書き込んだ信号の影響が出ないように配慮して実験を行った。CNR(Carrier to Noise Ratio)特性を以下のようにして測定した。まず、CNRの記録パワー、消去パワー依存性を測定し、最適パワーを求めた。次に、最適パワーでランダムパターンをランドまたはグルーブ・トラック上に10回オーバーライトし、さらに3Tの信号を書き込んだ。この時点で、そのトラック上の3T信号のCNRを測定した。
L0層、L1層、L2層の評価を実施した。記録再生前の記録再生光波長における反射率、透過率をRc、Tcとすると、Disk−Aは、L0:Rc=2.6%・Tc=79%、L1:Rc=2.4%・Tc=81%、L2:Rc=3.1%・Tc=0%であり、Disk−Bは、L0:Rc=3.0%・Tc=76%、L1:Rc=2.6%・Tc=75%、L2:Rc=3.1%・Tc=0%であり、L0層、L1層については、反射率はDisk−Bの方が高いが、そのために透過率は低くなった。記録実験時は、記録再生用の波長405nmのLDと共に、光学変化誘起用の波長650nmのLDも点灯させ、被記録再生層にフォーカスを合わせた。但し、L2層を記録再生する際は、波長650nmの光照射を停止した。記録後にマーク部、スペース部の反射率、透過率を、波長650nmの光を照射した状態で測定した。マーク部の反射率をRa、スペース部の反射率、透過率をRc*、Tc*とすると、Disk−Aは、L0:Rc*=3.6%・Ra=1.1%、Tc*=72%、L1:Rc*=3.1%・Ra=1.2%、Tc*=73%、L2:Rc*=3.1%・Ra=4.1%、Tc*=0%、であった。一方、Disk−BはほぼRc*=Rc、Tc=Tc*であり、L0:Ra=0.9%、L1:Ra=1.0%、L2:Ra=4.1%、であった。Disk−Aは光学変化誘起光の照射によってL0、L1層の反射率が上がり、また反射率コントラストも上がった。またL0、L1層のCNRを測定した所、Disk−Aは、反射率コントラストが大きいこと、また各層を再生している際に、光学変化層に光学変化誘起光が照射されていることで透過率が下がるために、非記録再生層からの層間クロストークが低減されることの2つの寄与によって、L0層:49.1dB、L1層:49.7dBと良好な値であったのに対し、Disk−BはL0層:43.5dB、L1層:42.9dBと低い値となった。またDisk−Aは光学変化誘起光の照射によって反射率が高くなるが、Disk−Bは反射率が低いため、ディスク評価時にフォーカスを一度かけてもしばらくしてフォーカスが外れるというトラブルが度々あった。なお、結果を表1にまとめて示す。
Figure 2008159207
反射率、透過率の単位は%、CNRの単位はdB。
(第2の実施形態)・・・片面三層型追記型光記録媒体
次に、本発明の光記録媒体の第2の実施形態について説明する。ここでは、追記型光記録媒体に応用した実施形態について述べる。追記型光記録媒体は情報層の層数が2以上であれば良い。
本発明の第2の実施形態に関わる光記録媒体は、図6に示すように、片面三層型を有する追記型光記録媒体で構成されており、光入射側から、第1の基板30、第1の情報層31、第1のスペーサー層32、第2の情報層33、第2のスペーサー層34、第3の情報層35、第2の基板36の順に積層されて形成されている。以降では第1、2、3の情報層のことを、L0、L1、L2層と呼ぶことにする。L0層の基本構成は、光入射側からそれぞれ第1の保護膜(図示せず)/光照射により非可逆的に記録がなされる有機色素記録膜37/第2の保護膜(図示せず)/金属反射膜38/第1の光学変化層39が順に積層されている。L1層の基本構成は、光入射側からそれぞれ第1の保護膜(図示せず)/光照射により非可逆的に記録がなされる有機色素記録膜40/第2の保護膜(図示せず)/金属反射膜41/第2の光学変化層42が順に積層されている。L2の基本構成は、光入射側からそれぞれ第1の保護膜43/光照射により非可逆的に記録がなされる有機色素記録膜44/第2の保護膜(図示せず)/金属反射膜45が順に積層されている。なお、ここでいう基板、保護膜、金属反射膜、スペーサー層の特性、材料等は、それぞれ、第1の実施形態で述べたものと同様なため、説明を省略する。
記録膜にはアゾ金属錯体色素膜を用いた。なお、第1、第2の誘電体保護膜は必ずしも全て配置しなければならないというものではなく、いずれか1つを具備するものであってもよい。誘電体膜を配置する位置は、組合せる膜の特性や光記録媒体の使用線速等の条件に応じて適宜に変更可能である。第1,2の情報層には、本実施形態の光学変化層が設けられている。
本実施形態では、記録再生光波長を405nm、光学変化誘起光波長を650nmとした。光源は図5に示すように波長405nmと650nmのLDの2つを用い、それぞれ記録再生光用と光学変化誘起光用とした。
以下に本発明の第2の実施形態に関わる実施例を説明するが、本発明の主旨を超えない限り、本発明は以下に掲載される実施例に限定されるものでない。
(実施例2)・・・片面三層型追記型光記録媒体
トラックピッチ0.4μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ0.6mmのポリカーボネイト基板(以下、第1の基板という)上に、有機色素膜(厚さ=12nm)/銀合金膜(厚さ=10nm)/ZnO膜(厚さ=30nm)の順に成膜し、これをL0層とした。ZnO膜は本実施形態の第1の光学変化層である。有機色素膜はスピンコートにより塗布し、銀合金とZnO膜はArガス中でスパッタリングによって成膜した。
続いて、第1の基板上の第1の光学変化層上に第1のスペーサー層としてUV硬化樹脂を20μm塗布した。次に、別工程で、トラックピッチ0.4μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ1.1mmのアクリル基板を用い、UV硬化樹脂表面と、アクリル基板とを合わせて配置して両側から均一に圧力をかけるとともに、UV光を照射して、UV硬化樹脂を硬化させてアクリル基板を剥離した。このUV硬化樹脂表面に、L1層として、有機色素膜(厚さ=10nm)/銀合金膜(厚さ=10nm)/ZnO膜(厚さ=25nm)の順に成膜した。
トラックピッチ0.4μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ0.6mmのポリカーボネイト基板(以下、第2の基板という)上に、L2層として、銀合金膜(厚さ=50nm)/有機色素膜(厚さ=20nm)/誘電体保護膜(厚さ=20nm)の順に成膜した。なお、誘電体保護膜にはSiO2を用い、スパッタリングによって成膜した。最後に、第1の基板上の第2の光学変化層上に第2のスペーサー層としてUV硬化樹脂を20μm塗布し、UV硬化樹脂の塗布面と、第2の基板上の誘電体保護膜の成膜面とを貼り合わせることで図に示すような片面三層追記型記録媒体を作製した。なお、このディスクをDisk−Cと呼ぶことにする。
(比較例2)・・・片面三層型追記型光記録媒体
本実施形態の光学変化層ZnO膜を省く以外は実施例2と全く同じ材料及び工程によって、片面三層追記型記録媒体を作製した。なお、このディスクをDisk−Dと呼ぶことにする。
上述した追記型光記録媒体の記録試験を以下のようにして行った。記録試験には、図5で示したように、NA=0.65の対物レンズと波長405nmのLDを記録再生用ピックアップとし、さらに、NA=0.45の対物レンズと波長650nmのLDを光学変化誘起光用の光学系を具備する光ディスク評価系を用いた。記録線速度を6.61m/secとし,3T(Tは信号の長さを表す指標である)信号(マーク長およびスペース長がいずれも0.306μm)のCNR(Carrier to Noise Ratio)を測定した。
L0層、L1層、L2層の評価を実施した。記録再生前の記録再生光波長における反射率、透過率をRc、Tcとすると、Disk−Cは、L0:Rc=2.2%・Tc=68%、L1:Rc=2.1%・Tc=64%、L2:Rc=2.6%・Tc=0%であり、Disk−Dは、L0:Rc=2.7%・Tc=65%、L1:Rc=2.6%・Tc=60%、L2:Rc=2.9%・Tc=0%であり、L0層、L1層については、反射率はDisk−Dの方が高いが、そのために透過率は低くなった。記録実験時は、記録再生用の波長405nmのLDと共に、光学変化誘起用の波長650nmのLDも点灯させ、被記録再生層にフォーカスを合わせた。但し、L2層を記録再生する際は、波長650nmの光照射を停止した。記録後にマーク部、スペース部の反射率、透過率を、波長650nmの光を照射した状態で測定した。マーク部の反射率をRa、スペース部の反射率、透過率をRc*、Tc*とすると、Disk−Cは、L0:Rc*=3.6%・Ra=1.1%、Tc*=63%、L1:Rc*=3.1%・Ra=1.2%、Tc*=60%、L2:Rc*=2.6%・Ra=1.1%、Tc*=0%、であった。一方、Disk−DはほぼRc*=Rc、Tc=Tc*であり、L0:Ra=0.9%、L1:Ra=1.0%、L2:Ra=1.1%、であった。Disk−Aは光学変化誘起光の照射によってL0、L1層の反射率が上がり、また反射率コントラストも上がった。またL0、L1層のCNRを測定した所、Disk−Cは、反射率コントラストが大きいこと、また各層を再生している際に、光学変化層に光学変化誘起光が照射されていることで透過率が下がるために、非記録再生層からの層間クロストークが低減されることの2つの寄与によって、L0層:48.7dB、L1層:49.5dBと良好な値であったのに対し、Disk−DはL0層:45.5dB、L1層:43.9dBと低い値となった。またDisk−Cは光学変化誘起光の照射によって反射率が高くなるが、Disk−Dは反射率が低いため、ディスク評価時にフォーカスを一度かけてもしばらくしてフォーカスが外れるというトラブルが度々あった。なお、結果を表2にまとめて示す。
Figure 2008159207
反射率、透過率の単位は%、CNRの単位はdB。
(第3の実施形態)・・・片面三層型再生専用型光記録媒体
次に、本発明の光記録媒体の第3の実施形態について説明する。ここでは、再生専用型光記録媒体に応用した実施形態について述べる。再生専用型光記録媒体は情報層の層数が2以上であれば良い。
本発明の第3の実施形態に関わる光記録媒体は、図7に示すように、片面三層型を有する再生専用型光記録媒体で構成されており、光入射側から、第1の基板46、第1の反射膜48、第1の光学変化層49、第1のスペーサー層50、第2の反射膜52、第2の光学変化層53、第2のスペーサー層54、第3の反射膜55、第2の基板57の順に積層されている。更に、第1の基板上、第1のスペーサー層上、及び、第2の基板上には、射出成形等によってピットが形成されており、それぞれ図示しない第1の記録層47、第2の記録層51、第3の記録層56となっている。以降では第1、2、3の情報層のことを、L0、L1、L2層と呼ぶことにする。なお、ここでいう基板、保護膜、金属反射膜、スペーサー層の特性、材料等は、それぞれ、第1の実施形態で述べたものと同様なため、説明を省略する。
本実施形態では、記録再生光波長と光学変化誘起光の波長を同一の405nmとした。光源は図8に示すように波長405nmのLD1つだけを用い、ビームスプリッタで光を2つに分割して、それぞれ記録再生光用と光学変化誘起光用とした。NA=0.65の対物レンズと波長405nmのLDを再生用ピックアップとし、さらに、記録再生光をビームスプリッタで分割し、NA=0.45の対物レンズを用いることで光学変化誘起光用の光学系を構成した。なお、光ディスク上での光学変化誘起光と記録再生光のビームスポットの位置が一致するような配置にした。
以下に本発明の第3の実施形態に関わる実施例を説明するが、本発明の主旨を超えない限り、本発明は以下に掲載される実施例に限定されるものでない。
(実施例3)・・・片面三層型再生専用型光記録媒体
トラックピッチ0.4μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ0.6mmのポリカーボネイト基板(以下、第1の基板という)の表面に射出成形を行い、第1の記録層を形成させた。次に、第1の記録層上に反射膜となる銀合金膜を2nm成膜し、さらに本実施形態の第1の光学変化層としてZnO膜を50nm成膜した。
続いて、第1の基板上の第1の光学変化層上に第1の中間層としてUV硬化樹脂を20μm塗布した。次に、別工程で1.1mm厚のアクリル基板に射出成形で第2の記録層を形成した基板を用い、UV硬化樹脂表面と、アクリル基板上に形成された第2の記録層とを合わせて配置して両側から均一に圧力をかけるとともに、UV光を照射して、UV硬化樹脂を硬化させてアクリル基板を剥離した。これによって、UV硬化樹脂上に第2の記録層を形成した。更に、第2の記録層上に、反射膜となる銀合金膜を2nm成膜し、さらに本実施形態の第2の光学変化層としてZnO膜を50nm成膜した。
トラックピッチ0.4μm、深さ50nmの溝が形成された厚さ0.6mmのポリカーボネイト基板(以下、第2の基板という)の表面に射出成形を行い、第3の記録層を形成させた。次に、第3の記録層上に第3の反射層となる銀合金膜を50nm成膜した。
最後に、第1の基板上の第2の光学変化層上に第2の中間層としてUV硬化樹脂を20μm塗布し、UV硬化樹脂の塗布面と、第2の基板上の第3の反射層の成膜面とを貼り合わせることで図に示すような片面三層再生専用型記録媒体を作製した。なお、このディスクをDisk−Eと呼ぶことにする。
(比較例3)・・・片面三層型再生専用型光記録媒体
本実施形態の光学変化層ZnO膜を省く以外は実施例3と全く同じ材料及び工程によって、片面三層再生専用型記録媒体を作製した。なお、このディスクをDisk−Fと呼ぶことにする。
各ディスクの3T信号(ピット長およびスペース長0.306μm)のCNR(Carrier to Noise Ratio)を測定した。
L0層、L1層、L2層の評価を実施した。再生前の再生光波長における反射率、透過率をRc、Tcとすると、Disk−Eは、L0:Rc=11.2%・Tc=xxx%、L1:Rc=12.5%・Tc=xxx%、L2:Rc=11.0%・Tc=0%であり、Disk−Fは、L0:Rc=13.8%・Tc=xxx%、L1:Rc=14.0%・Tc=xxx%、L2:Rc=11.0%・Tc=0%であり、L0層、L1層については、反射率はDisk−Fの方が高いが、そのために透過率は低くなった。再生実験時は、再生光と共に、光学変化誘起光を被再生層にフォーカスを合わせた。但し、L2層を再生する際は、シャッターにより光学変化誘起光の照射を停止した。記録後にピット部、スペース部の反射率、透過率を、光学変化誘起光を照射した状態で測定した。ピット部の反射率をRa、スペース部の反射率、透過率をRc*、Tc*とすると、Disk−Eは、L0:Rc*=15.8%・Ra=xxx%、Tc*=xxx%、L1:Rc*=16.2%・Ra=xxx%、Tc*=xxx%、L2:Rc*=11.0%・Ra=xxx%、Tc*=0%、であった。一方、Disk−FはほぼRc*=Rc、Tc=Tc*であり、L0:Ra=xxx%、L1:Ra=xxx%、L2:Ra=xxx%、であった。Disk−Eは光学変化誘起光の照射によってL0、L1層の反射率が上がり、また反射率コントラストも上がった。またL0、L1層のCNRを測定した所、Disk−Fは、反射率コントラストが大きいこと、また各層を再生している際に、光学変化層に光学変化誘起光が照射されていることで透過率が下がるために、非記録再生層からの層間クロストークが低減されることの2つの寄与によって、L0層:52.2dB、L1層:51.9dBと良好な値であったのに対し、Disk−FはL0層:48.5dB、L1層:47.2dBと低い値となった。またDisk−Eは光学変化誘起光の照射によって反射率が高くなるが、Disk−Fは反射率が低いため、ディスク評価時にフォーカスを一度かけてもしばらくしてフォーカスが外れるというトラブルが度々あった。なお、結果を表3にまとめて示す。
Figure 2008159207
反射率、透過率の単位は%、CNRの単位はdB。
なお、本発明は上記した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組合せにより、様々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組合せてもよい。
ZnO薄膜の波長405nmにおける光学定数の温度依存性を示すグラフ AlGe薄膜の波長405nmにおける光学定数の温度依存性を示すグラフ 本発明の一実施形態の記録再生方法を説明する概念図 本発明の実施例1を説明するディスクAの断面図。 本発明の実施例1の記録再生方法の光学系を説明する概念図。 本発明の実施例2を説明するディスクCの断面図。 本発明の実施例3を説明するディスクEの断面図。 本発明の実施例3の記録再生方法の光学系を説明する概念図。
符号の説明
1 第1の基板、2 第1の情報層、3 第1のスペーサー層、4 第2の情報層、5 第2のスペーサー層、6 第3の情報層、7 第2の基板、8 第1情報層の第1誘電体膜、9 第1情報層の相変化記録膜、10 第1情報層の第2誘電体膜、11 第1情報層の反射膜、12 第1の光学定数変化層、13 第2情報層の第1誘電体膜、14 第2情報層の相変化記録膜、15 第2情報層の第2誘電体膜、16 第2情報層の反射膜、17 第2の光学定数変化層、18 第3情報層の第1誘電体膜、19 第3情報層の相変化記録膜、20 第3情報層の第2誘電体膜、21 第3情報層の反射膜、22 本発明の光記録媒体、23 記録再生光LD、24 記録再生光、25 記録再生光用対物レンズ、26 光学変化誘起光用LD、27 全反射ミラー、28 光学変化誘起光、29 光学変化誘起光用対物レンズ、30 第1の基板、31 第1の情報層、32 第1のスペーサー層、33 第2の情報層、34 第2のスペーサー層、35 第3の情報層、36 第2の基板、37 第1情報層の有機色素記録膜、38 第1情報層の反射膜、39 第1の光学定数変化層、40 第2情報層の有機色素記録膜、41 第2情報層の反射膜、42 第2の光学定数変化層、43 第3情報層の誘電体保護膜、44 第3情報層の有機色素記録膜、45 第3情報層の反射膜、46 第1の基板、47 第1のピット(記録層)、48 第1の反射膜、49 第1の光学定数変化層、50 第1のスペーサー層、51 第2のピット(記録層)、52 第2の反射膜、53 第2の光学定数変化層、54 第2のスペーサー層、55 第3の反射膜、56 第3のピット(記録層)、57 第2の基板、58 本発明の光記録媒体、59 記録再生光LD、60 ビームスプリッタ、61 記録再生光、62 記録再生光用対物レンズ、63 全反射ミラー、64 光学変化誘起光用対物レンズ、65 光学変化誘起光

Claims (10)

  1. 情報を記録する記録層を備えた情報層を複数有し、前記情報層の少なくとも1つは、光の照射によって光学定数が変化し、前記光の照射終了後に元の値に戻る光学変化層をさらに有すること
    を特徴とする光記録媒体。
  2. 前記情報層の膜厚が500nm以下であり、前記光学変化層が前記記録層に対して、前記光の入射側とは反対側に配置されており、前記光学定数は、屈折率と消衰係数であって、前記光の照射によって前記屈折率と消衰係数がともに増加また減少すること、
    を特徴とする請求項1に記載の光記録媒体。
  3. 前記光学変化層の材料が、ZnO、SnO、CeO、NiO、In、TiO、Ta、VO、SrTiO、AlGe、からなる群より選択されること、
    を特徴とする請求項1または請求項2に記載の光記録媒体。
  4. 前記光学変化層が、透明材料と、
    前記透明材料中に溶解または分散した色素、前記透明材料中に分散した金属微粒子、前記透明材料中に分散した半導体微粒子、から成る群より選択される少なくともいずれかと、
    を含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光記録媒体。
  5. 前記記録層の材料が、相変化膜、有機色素膜、光磁気記録膜、からなる群より選択されること
    を特徴とする請求項1または請求項2に記載の光記録媒体。
  6. 前記記録層が、基板ないし樹脂に直接形成された凹凸のパターンを備えること
    を特徴とする請求項1または請求項2に記載の光記録媒体。
  7. 情報を記録する記録層を備えた情報層を複数有し、前記情報層の少なくとも1つが、光の照射によって光学定数が変化し、前記光の照射終了後に元の値に戻る光学変化層をさらに有する光記録媒体と、
    前記光学変化層に第1の光を照射し、前記光学定数を変化させる第1照射手段と、
    前記光学定数が変化した状態で、前記記録層に第2の光を照射する第2照射手段と、
    を備えることを特徴とする光記録再生装置。
  8. 前記第1及び第2の光の照射位置は、前記光記録媒体上の同じ案内用の溝上にあり、前記第1ビームスポット径をra、前記第2の光のビームスポット径をrbとするときに、ra≧rbであること、を特徴とする請求項7に記載の光記録再生装置。
  9. 前記光記録媒体の回転線速度をv、前記第1の光を照射してから、前記光学定数の変化が完了し、元の値に戻るまで要する時間をt、とするときに、前記第1と第2の光のビームスポット中心の間の円周距離dが、d≦v×tであること
    を特徴とする請求項8に記載の光記録再生装置。
  10. 前記第1の光の波長をλA、前記第2の光の波長をλBとするときに、λAとλBが共に350[nm]以上、850[nm]以下であること、を特徴とする請求項9に記載の光記録再生装置。
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