JP2003162844A - 光学情報記録媒体 - Google Patents

光学情報記録媒体

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JP2003162844A
JP2003162844A JP2001359607A JP2001359607A JP2003162844A JP 2003162844 A JP2003162844 A JP 2003162844A JP 2001359607 A JP2001359607 A JP 2001359607A JP 2001359607 A JP2001359607 A JP 2001359607A JP 2003162844 A JP2003162844 A JP 2003162844A
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optical
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Naomasa Nakamura
直正 中村
Keiichiro Yuzusu
圭一郎 柚須
Sumio Ashida
純生 芦田
Katsutaro Ichihara
勝太郎 市原
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Toshiba Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】記録特性に優れた光学情報記録媒体を提供する
こと。 【解決手段】この発明の光学情報記録媒体は、基板(1
1)と、光入射面(10)と、前記基板と前記光入射面との
間に配置された第1の反射層(12a)と、前記第1の反
射層と前記光入射面との間に配置され、且つ前記第1の
反射層上に積層された層であって、前記第1の反射層と
同一材料からなる第2の反射層(12b)と、前記第2の
反射層と前記光入射面との間に配置された層であって、
光ビームの照射を受けて結晶状態と非晶質状態を遷移す
る相変化光記録層(15)と、を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ビームを用い
て大容量の情報を記録及び再生することが可能な光学情
報記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、情報記録の分野においては光学情
報記録媒体及び光学情報記録方法に関する研究が各所で
進められている。光学情報記録媒体には、非接触で情報
を記録及び再生することが可能である。また、光学情報
記録媒体には、再生専用型、追記型、書き換え可能型が
あり、様々なメモリー形態に対応できる。このような光
学情報記録媒体は、安価に大容量ファイルを格納するこ
とが可能であり、産業用から民生用まで幅広い活用が期
待されている。
【0003】再生専用型のメモリー形態に対応した光デ
ィスクであるCD、LD、DVD(Digital Versatile Disc)等は
既に広く普及している。これら光ディスクは、情報信号
を示すピットやグルーブなどの凹凸パターンが形成され
た透明基板を有している。この透明基板上には、アルミ
ニウムなどの金属薄膜からなる反射膜が形成されてい
る。さらに、この反射膜上には、この反射層を酸化から
保護するための保護膜が形成されている。光ディスクに
対して入射される光ビームは、反射膜によって反射され
る。反射膜により反射された反射光には、情報信号を示
すピットやグルーブなどの凹凸パターンが反映されてい
る。従って、この反射光の変化を読み取ることにより、
情報信号を再生することができる。
【0004】書き換え可能型のメモリー形態に対応した
相変化型光ディスクは、既にPD、DVD-RAM、DVD-RWとして
市場を形成しつつあり、そのディスク構成は以下に示す
通りである。すなわち、透明基板の主面に透明誘電体が
形成され、この透明誘電体の上にGe、Sb、Te、In、Agなどを
主成分とする相変化記録層が形成されている。さらに、
相変化記録層の上に透明誘電体が形成され、この透明誘
電体の上にアルミニウムなどの反射膜が形成されてい
る。さらにまた、反射膜の上に紫外線硬化型樹脂等より
なる保護膜が形成されている。透明基板上の相変化記録
層は、半導体レーザーからの光ビームの照射を受ける
と、非晶質状態と結晶質状態とを可逆的に遷移する。情
報再生時には、相変化記録層の記録部位からの反射光の
変化を読み取ることにより、情報信号が再生される。情
報記録時には、相変化記録層の記録部位に対して比較的
高出力で短パルスの光ビームを照射し、記録部位を融点
以上まで加熱した後急速冷却して、記録部位に非晶質記
録マークを形成する。情報消去時には、相変化記録層の
記録部位に対して記録時よりも低出力で長パルスの光ビ
ームを照射し、記録部位を結晶化温度以上且つ融点未満
に保持させて、或いは融点以上から冷却して記録部位を
結晶化させる。このように相変化光記録は、非晶質と結
晶質の反射率変化を利用して情報を記録する。このた
め、装置の光学系の構造が簡単である。相変化光記録
は、光磁気記録のように磁界を必要としない。また、相
変化光記録は、光強度変調による重ね書き(オーバーラ
イト)が容易で、データ転送速度が速いという特徴も持
っている。更に、相変化光記録は、DVD-ROMやCD-ROMを
はじめとする再生専用ディスクとの互換性にも優れてい
る。
【0005】ところで、上記のような光ディスクを高容
量化する方法として、光学ピックアップの対物レンズの
開口数NA(Numerical Aperture)を大きくして、再生光の
スポット径を小さくし、高記録密度化を達成する方法が
ある。例えばCDからDVDへの移行に際しては、基板の厚
さを1.2mmから0.6mmとして高NA化された光学系にも対応
可能にしている。高NA化に際しては、再生光が透過する
透明基板の厚さを薄くする必要がある。これは、高NA化
に伴い光学ピックアップの光軸に対してディスク面が垂
直からずれる角度、いわゆるチルト角により発生する収
差の許容量が小さくなるためである。このような理由か
らNAを大きくするほど透明基板の厚さを薄くし、またデ
ィスク内の基板厚分布を所定の範囲内に収める必要があ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記したDVD等の記
録再生型の光ディスクは、基板側から光ビームが入射す
る。つまり、反射層における光ビームの照射面は保護層
上に形成され、反射層と保護層の間に界面が形成され
る。このため、反射層における光ビームの照射面は、保
護層の表面が反映されるので、平滑性が保たれたもので
あった。一方、更なる高密度化を目的に記録再生光ビー
ムを短波長化し、光ピックアップのレンズを高NA化した
装置に適用される高NA対応光ディスクは、チルトマージ
ンの確保のため、上記した現行光ディスクとは逆順に層
が成膜される。このような高NA対応光ディスクは、反射
層、第2保護層、相変化記録層、第1保護層という順で
成膜される。このため、反射層の表面の状態が、反射層
の上に成膜される第2保護層、さらにその上に成膜され
る記録層、さらにその上に成膜される第1保護層に反映
される。一般的にAl合金が用いられる反射層の表面は、
金属薄膜特有の柱状成長により結晶粒が粗大化し粗くな
る。この反射層の表面粗さは、第2保護層を介して記録
層の表面を粗くする。高NA化により高密度化を目的とし
た高NA対応光ディスクに記録されるマークは、現行光デ
ィスクに記録されるマークより更に微小になっている。
つまり、上記したような記録層の表面の粗さは、高NA対
応光ディスクの記録再生特性に大きく影響してしまう。
具体的に言うと、記録層の表面の粗さは、再生時のノイ
ズ原因となったり、記録マーク形成時にマークエッジの
歪を引き起こしたりする。よって、高NA対応光ディスク
では、このような反射層表面の粗さ(凹凸)を抑制する
ことが望まれる。
【0007】基板面側から光ビームが入射するタイプの
現行光ディスクは、大量生産時の効率を上げるために、
反射層の分割成膜が行われている。この反射層の分割成
膜により、僅かに反射層の柱状成長が抑制される。しか
し、反射層の表面粗さは、波長の1/10以上で再生時のノ
イズ源やマークエッジの揺らぎ要因となる。このため、
上記した分割成膜による柱状成長の抑制では、良好な記
録再生特性を得るには十分ではない。また現行光ディス
クには、Al系材料が反射層として用いられているが、こ
れらは粗大結晶粒が成長しやすいことから逆順に成膜す
る高NA対応光ディスクには不向きである。なお、高NA対
応光ディスクの記録層表面粗さを低減する方法として、
反射層と基板の間に金属下地層を挿入する方法が、特開
平11-327890に提案されている。しかし、新たな層を増
やすためにディスク製造コストが上昇するという別の問
題が生じる。
【0008】この発明は、上記した問題を解決するため
になされたものであり、記録特性に優れた光学情報記録
媒体を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、この発明の光学情報記録媒体は、基板
と、光入射面と、前記基板と前記光入射面との間に配置
された第1の反射層と、前記第1の反射層と前記光入射
面との間に配置され、且つ前記第1の反射層上に積層さ
れた層であって、前記第1の反射層と同一材料からなる
第2の反射層と、前記第2の反射層と前記光入射面との
間に配置された層であって、光ビームの照射を受けて結
晶状態と非晶質状態を遷移する相変化光記録層と、を備
えている。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
【0011】本発明の一例に係る光学情報記録媒体に
は、一方の面から順に、光入射面、透明カバーシート、
保護層、相変化光記録層(以下記録層)、反射層、基板
が配置されている。つまり、反射層は基板上に形成され
ており、反射層を基準として、基板と反対側から光ビー
ムが入射する。最も重要な点は、反射層が第1の反射層
と第2の反射層で形成されており、これら第1の反射層
と第2の反射層が同一材料で形成されている。
【0012】上記した記録層は、光ビームの照射を受け
て結晶状態と非晶質状態を可逆的に遷移し、両状態間で
光学特性が異なる材料が用いられる。例えば、Ge-Sb-T
e,In-Sb-Te等3元系材料が挙げられる。またこれらの
材料にCo,Pt,Pd,Au,Ag,Ir,Nb,Ta,V,W,Ti,C
r,Zr,Bi,Sn等を少なくとも1種以上微量添加しても
記録層として良好な特性が得られる。良好な記録消去特
性を実現するためには記録層膜厚が、10nm以上20nm以下
であることが望ましく、平均の表面粗さRaは記録層膜厚
の1/50以上、1/10以下であることが望ましい。Raが1/50
になると表面エネルギーが小さくなり、記録層に積層し
た層との密着性が低下する。密着性の低下は繰り返し記
録特性や長期保存寿命の低下を招くため、Raが1/50以下
は適さない。またRaが1/10以上になると記録層の局所的
な膜厚変化に伴う光吸収率変化が無視できなくなり、記
録マークエッジに歪が生じ、ジッタ低下を招くため好ま
しくない。上記した構成により記録層として良好な特性
が得られ、記録層が結晶状態であるときの反射率が、記
録層が非晶質状態であるときの反射率より低くなる。
【0013】本発明の光学情報記録媒体における保護層
は、相変化記録層の機械的、化学的保護と同時に、光学
情報記録媒体としての光学特性を調整する干渉膜として
の役目も担っている。保護層としては、屈折率2.0以上
3.5以下、消衰係数0以上0.2以下の透明誘電体が好まし
い。保護層材料としては、例えば、Zn-S、Si-O、Si-N、
Ti-O、Ge-N、Ta-O、Al-N、Cr-O、SiCから選ばれる少な
くとも1種以上の材料が望ましい。なかでも、Si-OとZn-
Sの複合材料が好ましい。またこれら保護層材料に記録
層の結晶化を促進させる効果を持たせることも可能であ
る。なお、一般的に薄膜材料はプロセス条件により科学
量論比は大きく変化するため構成する元素比は特定しな
い。
【0014】本発明の光学情報記録媒体における反射層
は、照射された光ビームを反射させて光エネルギーを効
率よく利用するために必須である。また相変化記録媒体
特有の昇温降温プロセスを制御する上で放熱層としての
効果も合わせ持っている。
【0015】本発明の光学情報記録媒体における反射層
は、表面粗さを限りなく小さくするために同一材料から
成る第1の反射層と第2の反射層で形成される。基板上
に第1の反射層を形成して一定時間経た後、この第1の
反射層上に同一材料から成る第2の反射層を形成する。
第1と第2の反射層の間で薄膜形成を一時停止させたこ
とで結晶成長が止まるため、粗大粒の成長を抑制するこ
とができる。このとき第1の反射層成膜後から第2の反
射層成膜開始までの時間は数秒あれば十分で、5秒以上
であることが望ましい。このような反射層の分割は、反
射層材料によって分割数を変えることで、より詳細な表
面粗さの制御が可能となる。例えばAl系のような粗大粒
成長が起こり易い材料では、3分割、4分割とすることで
表面粗さの軽減効果が大きくなる。一方Ag系のような比
較的結晶粒が小さい材料では2分割でも十分な効果が得
られる。このように多分割した反射層上に形成された保
護層、記録層は必然的に表面粗さが小さくなり、ジッタ
特性などで代表される記録再生特性が著しく向上する。
上記したように、複数段階に分けて反射層を成膜するだ
けで(反射層の成膜工程を一時中断するだけで)、反射
層表面及び記録層表面の粗さを抑制することができる。
つまり、光学情報記録媒体の製造コストアップ無しで、
記録再生特性を向上させることができる。反射層材料と
してはAg、Al、Au、を主成分とした合金であることが望
ましく、より望ましくは5at%以下の添加元素を含み対
環境性に優れたAg合金が適している。また本発明の光学
情報記録媒体における反射層はその膜厚がトータルとし
て30nm以上200nm以下であることが望ましい。
【0016】本発明の光学情報記録媒体は、その断面形
状を電子顕微鏡等で観察することにより容易に見分ける
ことができる。例えば本発明によるAl系反射層を用いた
光学情報記録媒体を透過電子顕微鏡で観察した場合、第
1のAl系反射層と第2のAl系反射層が分離されている様
子がわかる。
【0017】本発明の光学情報記録媒体を構成する各層
は、一般的な物理蒸着法で形成することができる。RF/D
Cスパッタ法をはじめ、電子ビーム蒸着法、抵抗加熱蒸
着法、分子線エピタキシー(MBE)法など、あらゆる成膜
法で形成できる。上記のようなRFスパッタ法をはじめと
する各種薄膜形成法では成膜時のプロセス条件によって
膜特性が異なってくる。例えば表面凹凸の少ない反射層
を形成するにあたっては大きな成膜速度で作製すること
が望ましい。本発明の光学情報記録媒体によれば、新た
な層を増やすことなく反射層及び記録層の表面粗さを低
減することが可能となり、ディスク性能の向上が期待で
きる。
【0018】以下、本発明の光学情報記録媒体の実施例
1について説明する。
【0019】まず成膜装置内で5×10-4(Pa)以下まで排
気した1.1mm厚のPC基板上に、AlTiターゲットにDC電力1
kWを印加して、第1の反射層を50nm成膜し、10秒後に再
び成膜を開始し第2の反射層を50nm成膜する。つまり合
計100nmのAlTi反射層を成膜する。その後、RFマグネ
トロンスパッタ法にて、情報層が成膜される。即ち、Zn
S(80)-SiO2(20)ターゲットにRF電力1kWを印加して保護
層を15nm、引き続きアルゴンと窒素の混合ガス雰囲気中
でGeターゲットにRF電力500Wを印加してGeNを5nm、引き
続きGe40Sb8Te52ターゲットにRF電力250Wを印加して相
変化記録層を15nm、引き続きアルゴンと窒素の混合ガス
雰囲気中でGeターゲットにRF電力500Wを印加してGeNを5
nm、引き続きZnS(80)-SiO2(20)ターゲットにRF電力1kW
を印加して保護層を50nm、成膜する。この後、成膜装置
から取り出した基板の情報層がある面にUV硬化樹脂を塗
布した後、0.1mmポリカーボネイト(PC)カバー層を接着
させスピナーで回転させて樹脂を数ミクロンにし、紫外
線を照射して硬化させる。このようにして本発明の光学
情報記録媒体としてのディスクAが生成される。これに
対して、AlTi反射層100nmを連続して成膜し、他の層は
同条件で成膜したディスクをディスクBとして両ディス
クを比較する。
【0020】図1は、本発明の光学情報記録媒体の一例
のディスクAの層構成を示す図である。図1に示すよう
に、ディスクAの厚さ1.1mmのPC基板11上に、第1のAlTi
反射層12a、第2のAlTi反射層12b、 ZnS(80)-SiO2(20)
保護層13、GeN層14、Ge40Sb8Te52記録層15、GeN層16、Z
nS(80)-SiO2(20)保護層17、UV硬化樹脂層18、厚さ0.1mm
のPCシート19が順次積層されている。また、第1の反射
層12aを成膜してから所定時間後に第2の反射層12bを成
膜することにより、第1の反射層12a及び第2の反射層1
2bの間には境界12cが存在する。このディスクAは、PCシ
ート19側から光ビームの照射を受ける。つまり、PCシー
ト19の上面が、光入射面10である。
【0021】図2は、ディスクBの層構成を示す図であ
る。図2に示すように、ディスクBの厚さ1.1mmのPC基板2
1上に、AlTi反射層22、 ZnS(80)-SiO2(20)保護層23、Ge
N層24、Ge40Sb8Te52記録層25、GeN層26、ZnS(80)-SiO
2(20)保護層27、UV硬化樹脂層28、厚さ0.1mmのPCシート
29が順次積層されている。このディスクBにおける反射
層22中には境界は存在しない。
【0022】Si基板上にディスクA、Bと同じ手法で作製
したAlTi単層サンプルa1、b1と、AlTi反射層からGe40Sb
8Te52記録層まで成膜したサンプルa2、b2を用意した。
【0023】まずAlTi単層サンプルa1、b1の透過電子顕
微鏡(TEM)観察を行った。面内の結晶粒分布を観察した
ところ、その平均粒径はサンプルa1が34.2nmであったの
に対してサンプルb1は51.6nmであった。さらに両サンプ
ルの断面をTEM観察したところ、サンプルa1は成膜の中
断による境界が明瞭に観察され結晶成長が抑制されてい
る様子が明らかになった。一方、サンプルb1は基板から
の結晶成長が表面層まで達しており粗大結晶が形成され
ていた。
【0024】次にサンプルa2、b2を用いて記録層表面の
原子間力顕微鏡(AFM)観察を実施した。図3はサンプルa2
の記録層表面のAFM像を示す図であり、図4はサンプルb2
の記録層表面のAFM像を示す図である。相対的にサンプ
ルb2に比べてサンプルa2の表面は滑らかで、サンプルb2
の平均表面粗さRa:2.7nmに対して、サンプルa2のRaは0.
8nmで非常に良好な平滑性を示した。サンプルb2のRaは
記録層膜厚15nmの1/10以上であるのに対して、サンプル
a2のRaは記録層膜厚15nmの1/10以下になっている。この
ような媒体構造の違いが記録再生特性にどのような影響
を及ぼすかを検討した。両ディスクの記録再生特性を以
下の条件で評価する。
【0025】 レーザー出力 0.1〜6.0mW 光源波長 405nm ディスク回転数(線速度) 6.0m/s 対物レンズNA 0.85 トラックピッチ 0.30μm 最短ビット長 0.12μm 記録パターン 3T,11T 変調方式 (8,16)RLL 図5は、ディスクA及びディスクBの繰り返し記録回数に
よる最密パターン3TのCNRの変化を示す図である。本発
明の光学情報記録媒体としてのディスクAのCNRは、1000
0回にわたって52dB以上の高いレベルを維持している。
これに対して、ディスクBのCNRは49dB以下にとどまって
いる。ディスクAのCNRが高レベルになったのは、主に低
ノイズに起因したもので、AlTi反射層の微小結晶粒を、
ひいては記録層表面粗さが小さいことを反映した結果で
ある。
【0026】図6は、ディスクA及びディスクBの繰り返
し記録回数によるジッタの変化を示す図である。図6に
示したジッタ特性を見ると両ディスクの差は明らかであ
る。つまり、ディスクAのジッタが8%台の良好な値が得
られているのに対して、ディスクBのジッタは11%を超
えている。
【0027】以上、ディスクAとディスクBを比較検討し
た結果、本発明の光学情報記録媒体としてのディスクA
は、記録層の凹凸が少なく優れたジッタ特性を示すこと
が証明された。
【0028】次に、本発明の光学情報記録媒体の実施例
2について説明する。
【0029】反射層(第1のAlTi反射層12a及び第2のA
lTi反射層12b)を25nmずつ2分割したトータル50nmのAg
PdCuに替えて、実施例1のディスクAと同様の方法及び層
構成で光ディスクを作製した。図7は、ディスクAのAlTi
反射層をAgPdCu反射層に置き換えたディスクの繰り返し
記録回数によるジッタの変化を示す図である。AlTi反射
層に比べて粒径が小さいAgPdCu反射層の効果により、デ
ィスクAより更に優れたジッタ特性が得られており、100
00回の繰り返し記録において8%以下のジッタが得られ
ている。
【0030】次に、本発明の光学情報記録媒体の実施例
3について説明する。
【0031】反射層(第1のAlTi反射層12a及び第2のA
lTi反射層12b)をAlMoに替えて、実施例1のディスクAと
同様の方法及び層構成で光ディスクを作製した。但し、
AlMo反射層の分割数を適便変化させて記録層のRaを変化
させた。Raは、AFM観察を通して得られる。図8は、ディ
スクAのAlTi反射層をAlMo反射層に置き換えたディスク
におけるジッタ変化を示す図であり、詳しくはRa/t(tは
記録層膜厚)と初回記録時のジッタの関係、及びRa/tと1
0000回記録記録後のジッタの関係を示す図である。初回
記録時のジッタは、Ra/t≦0.1のとき8%前後の良好な特
性を示している。これに対して10000回記録後のジッタ
は、Ra/t>0.1のときだけでなくRa/t<0.02以下のときで
も増加しており、ディスク性能の低下が認められた。以
上の結果から記録層膜厚tに対するRaの比は0.02以上、
0.1以下が適性であることが示された。このように反射
率極性が異なるディスクでも本発明による効果が確認で
きた。
【0032】次に、本発明の光学情報記録媒体の実施例
4について説明する。
【0033】図9に示すように、1.1mm厚のPC基板31上に
AlMo(50nm*3)(つまりAlMo(50nm)反射層32a、AlMo(50n
m)反射層32b、AlMo(50nm)反射層32c)、ZnS-SiO2(15nm)
保護層33、GeN(5nm)層34、Ge30Sb16Te54(13nm)記録層3
5、GeN(5nm)層36、ZnS-SiO2(20nm)保護層37、SiO2(60n
m)保護層38、ZnS-SiO2(30nm)保護層39、UV硬化樹脂層4
0、PCシート41の順で積層されたディスクを作成した。
このディスクは、PCシート41側から光ビームの照射を受
ける。つまり、PCシート41の上面が、光入射面30であ
る。AlMo反射層は例えば6秒間の待機時間を経て3分割
されており(32a、32b、32c)、トータル150nm成膜され
ている。断面TEM観察の結果、粒成長の分断と、図9に模
式的に示した分割部の二つの境界32d、32eが確認され
た。先の実施例と同じくジッタ特性を評価したところ10
000回以上の繰り返し記録に対してジッタ7.5%〜8.5%の
範囲内に収まる良好な特性を示した。本実施例では、記
録前の反射率が記録後の反射率より低く約5%であっ
た。このように、反射率が低いとフォーカッシングやト
ラッキングが困難になり易く、特に高NA対応の媒体では
反射層の凹凸によってますますこの傾向が強くなる。本
実施例のように反射層を分割することにより、このよう
な反射率極性のディスクでも安定したトラッキングを得
ることが可能となった。
【0034】次に、本発明の光学情報記録媒体の実施例
5について説明する。
【0035】図10に示すように、1.1mm厚のPC基板51上
に、AlTi(50nm*2)(つまりAlTi(50nm)反射層52a、AlTi
(50nm)反射層52b)、ZnS-SiO2(30nm)保護層53、GeN(3n
m)層54、第2の記録層Ge2Sb2Te5(13nm)55、GeN層(3nm)5
6、ZnS-SiO2(90nm)保護層57、の順でスパッタ成膜され
ている。AlTiは例えば8秒間の待機時間を経て2分割さ
れており(52a、52b)、トータル100nm成膜されてい
る。平行して、PC基板51と同じトラック形状を有する0.
1mmPCシート65上に、ZnS-SiO2(30nm)保護層64、GeN(2n
m)層63、第1の記録層Ge40SbTe52(6.5nm)62、GeN(2n
m)層61、ZnS-SiO2(25nm)保護層60、AgPdCu(10nm)層59、
の順でスパッタ成膜されている。これら二つの媒体を膜
面同士で30μm のUV硬化樹脂層58を介して接着する。こ
のような記録層を2層有する光ディスクでは、光入射面
50より入射された光ビームを第1及び第2の記録層に独
立してフォーカスさせることで、夫々の層で記録再生が
可能となり、ディスクの高容量化を図ることができる。
断面TEM観察の結果、粒成長の分断と、図10に模式的
に示したAlTi反射層内の境界52cが確認された。ジッタ
特性を評価したところ10000回以上の繰り返し記録に対
して第1の記録層においてジッタ8.5%〜9.0%、第2の記
録層において7.5%〜8.0%の範囲内に収まる良好な特性を
示した。特に、第2の記録層においてはより小さなジッ
タが得られ効果が確認できた。
【0036】以上詳細に述べたように、この発明の光学
情報記録媒体は、優れたジッタ特性を得ることができ
る。
【0037】なお、本願発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない
範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施
形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、そ
の場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形
態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複
数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発
明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成
要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解
決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明
の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、
この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得
る。
【0038】
【発明の効果】この発明によれば、記録特性に優れた光
学情報記録媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の光学情報記録媒体の一例のディスクA
の層構成を示す図である。
【図2】ディスクBの層構成を示す図である。
【図3】サンプルa2の記録層表面のAFM像を示す図であ
る。
【図4】サンプルb2の記録層表面のAFM像を示す図であ
る。
【図5】ディスクA及びディスクBの繰り返し記録回数に
よる最密パターン3TのCNRの変化を示す図である。
【図6】ディスクA及びディスクBの繰り返し記録回数に
よるジッタの変化を示す図である。
【図7】ディスクAのAlTi反射層をAgPdCu反射層に置き
換えたディスクの繰り返し記録回数によるジッタの変化
を示す図である。
【図8】ディスクAのAlTi反射層をAlMo反射層に置き換
えたディスクにおけるジッタ変化を示す図であり、詳し
くはRa/t(tは記録層膜厚)と初回記録時のジッタの関
係、及びRa/tと10000回記録記録後のジッタの関係を示
す図である。
【図9】3層化された保護層を有するディスクの層構成
を示す図である。
【図10】2層化された記録層を有するディスクの層構
成を示す図である。
【符号の説明】
10…光入射面 11…PC基板 12a…第1のAlTi反射層 12b…第2のAlTi反射層 12c…境界 13…ZnS(80)-SiO2(20)保護層 14…GeN層 15…Ge40Sb8Te52記録層 16…GeN層 17…ZnS(80)-SiO2(20)保護層 18…UV硬化樹脂層 19…PCシート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11B 7/24 538 G11B 7/24 538F (72)発明者 芦田 純生 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 市原 勝太郎 神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Fターム(参考) 5D029 JB13 JB18 JB50 LB11 MA13 MA14

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、 光入射面と、 前記基板と前記光入射面との間に配置された第1の反射
    層と、 前記第1の反射層と前記光入射面との間に配置され、且
    つ前記第1の反射層上に積層された層であって、前記第
    1の反射層と同一材料からなる第2の反射層と、 前記第2の反射層と前記光入射面との間に配置された層
    であって、光ビームの照射を受けて結晶状態と非晶質状
    態を遷移する相変化光記録層と、 を備えたことを特徴とする光学情報記録媒体。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の光学情報記録媒体は、 前記記録層の平均表面粗さRaが、前記記録層の厚さの
    50分の1以上、10分の1以下であることを特徴とす
    る。
  3. 【請求項3】請求項1に記載の光学情報記録媒体は、 前記第1及び第2の反射層が、Ag合金を含むことを特
    徴とする。
  4. 【請求項4】請求項1に記載の光学情報記録媒体は、 前記記録層が結晶状態であるときの反射率が、前記記録
    層が非晶質状態であるときの反射率より低いことを特徴
    とする。
  5. 【請求項5】請求項4に記載の光学情報記録媒体は、 前記相変化記録層と前記光入射面の間に配置された3層
    から成る保護層を備えたことを特徴とする。
  6. 【請求項6】請求項1に記載の光学情報記録媒体の前記
    相変化記録層は、 夫々独立して記録再生可能な複数の記録層を含むたこと
    を特徴とする。
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