JP2000306271A - 光学記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光学記録媒体およびその製造方法Info
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 消去したときのノイズレベル、記録したとき
のノイズレベルを低減することができる光学記録媒体の
製造方法を提供する。 【解決手段】 最初に、基板２上に反射膜６をスパッタ
法により形成する。つぎに、反射膜６の表面をスパッタ
エッチングにより平滑化処理を行う。この平滑化処理に
より、反射膜６の表面粗さＲａを０．７５ｎｍ以下にす
る。つぎに、反射膜６上に誘電体膜３をスパッタ法によ
り形成する。つぎに、誘電体膜３の上に記録膜４をスパ
ッタ法により形成する。つぎに、記録膜４上に誘電体膜
５をスパッタ法により形成する。つぎに、誘電体膜５の
上に紫外線硬化型樹脂からなる有機物保護膜７を形成す
る。
のノイズレベルを低減することができる光学記録媒体の
製造方法を提供する。 【解決手段】 最初に、基板２上に反射膜６をスパッタ
法により形成する。つぎに、反射膜６の表面をスパッタ
エッチングにより平滑化処理を行う。この平滑化処理に
より、反射膜６の表面粗さＲａを０．７５ｎｍ以下にす
る。つぎに、反射膜６上に誘電体膜３をスパッタ法によ
り形成する。つぎに、誘電体膜３の上に記録膜４をスパ
ッタ法により形成する。つぎに、記録膜４上に誘電体膜
５をスパッタ法により形成する。つぎに、誘電体膜５の
上に紫外線硬化型樹脂からなる有機物保護膜７を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学記録媒体およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学記録媒体は、高密度な記録媒
体として注目されている。図７は、光学記録媒体のう
ち、光磁気記録媒体の従来例を示す断面図である。光磁
気記録媒体は、例えばポリカーボネート等からなる透明
な基板２の上に、誘電体膜３、磁性膜からなる記録膜
４、誘電体膜５、および金属からなる反射膜６が順次積
層されて成り、透明な基板２側からレーザ光９を照射し
て信号の記録・再生を行うようにしている。
体として注目されている。図７は、光学記録媒体のう
ち、光磁気記録媒体の従来例を示す断面図である。光磁
気記録媒体は、例えばポリカーボネート等からなる透明
な基板２の上に、誘電体膜３、磁性膜からなる記録膜
４、誘電体膜５、および金属からなる反射膜６が順次積
層されて成り、透明な基板２側からレーザ光９を照射し
て信号の記録・再生を行うようにしている。
【０００３】一方、さらなる高密度記録のために開発さ
れたのが以下に述べる光磁気記録媒体である。これは、
例えば基板上に、反射膜、誘電体膜、記録膜、誘電体
膜、および有機物保護膜が順次積層されて成り、基板と
は反対側の有機物保護膜側からレーザ光を照射して信号
の記録・再生を行うようにしたものである（以下、「表
面読み光磁気記録媒体」という）。
れたのが以下に述べる光磁気記録媒体である。これは、
例えば基板上に、反射膜、誘電体膜、記録膜、誘電体
膜、および有機物保護膜が順次積層されて成り、基板と
は反対側の有機物保護膜側からレーザ光を照射して信号
の記録・再生を行うようにしたものである（以下、「表
面読み光磁気記録媒体」という）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表面読
み光磁気記録媒体では、消去ノイズ、記録ノイズ等のデ
ィスクノイズが、透明基板側からのレーザ光照射による
記録・再生を行う従来の光磁気記録媒体に比べて、大き
くなるといった問題がある。
み光磁気記録媒体では、消去ノイズ、記録ノイズ等のデ
ィスクノイズが、透明基板側からのレーザ光照射による
記録・再生を行う従来の光磁気記録媒体に比べて、大き
くなるといった問題がある。
【０００５】なお、記録ノイズとは、光磁気記録媒体に
あっては、外部から一定周波数で磁界を与えながら、レ
ーザ光を収束・照射して記録した後に再生したときのノ
イズをいう。また、消去ノイズとは、ＤＣイレーズ、つ
まり外部から一方向に磁界を与えながら、レーザ光を収
束・照射して記録信号を消去した後に再生したときのノ
イズをいう。
あっては、外部から一定周波数で磁界を与えながら、レ
ーザ光を収束・照射して記録した後に再生したときのノ
イズをいう。また、消去ノイズとは、ＤＣイレーズ、つ
まり外部から一方向に磁界を与えながら、レーザ光を収
束・照射して記録信号を消去した後に再生したときのノ
イズをいう。
【０００６】本発明は、このような課題に鑑みてなされ
たものであり、消去ノイズ、記録ノイズ等のディスクノ
イズを低減することができる光学記録媒体およびその製
造方法を提供することを目的とする。
たものであり、消去ノイズ、記録ノイズ等のディスクノ
イズを低減することができる光学記録媒体およびその製
造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光学記録媒体
は、少なくとも１つの基板の上に反射膜が形成され、基
板とは反対側からの光照射によって、情報の記録または
再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であっ
て、上記反射膜の表面が平滑化処理されているものであ
る。
は、少なくとも１つの基板の上に反射膜が形成され、基
板とは反対側からの光照射によって、情報の記録または
再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であっ
て、上記反射膜の表面が平滑化処理されているものであ
る。
【０００８】また、本発明の光学記録媒体は、少なくと
も１つの基板の上に反射膜が形成され、さらにこの反射
膜上に少なくとも１層の誘電体膜が形成され、上記基板
とは反対側からの光照射によって、情報の記録または再
生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であって、
上記反射膜および上記誘電体膜のうち少なくとも１つの
表面が平滑化処理されているものである。
も１つの基板の上に反射膜が形成され、さらにこの反射
膜上に少なくとも１層の誘電体膜が形成され、上記基板
とは反対側からの光照射によって、情報の記録または再
生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体であって、
上記反射膜および上記誘電体膜のうち少なくとも１つの
表面が平滑化処理されているものである。
【０００９】また、本発明の光学記録媒体の製造方法
は、基板上に反射膜を形成する工程を有する光学記録媒
体の製造方法であって、上記工程の後に、上記反射膜の
表面の平滑化処理をする工程を有するものである。
は、基板上に反射膜を形成する工程を有する光学記録媒
体の製造方法であって、上記工程の後に、上記反射膜の
表面の平滑化処理をする工程を有するものである。
【００１０】また、本発明の光学記録媒体の製造方法
は、基板上に反射膜を形成する第１の工程と、上記反射
膜上に少なくとも１層の誘電体膜を形成する第２の工程
を有する光学記録媒体の製造方法であって、以下の工程
のうちいずれか一方の工程、または双方の工程を有する
ものである。すなわち、（イ）上記第１の工程の後に、
上記反射膜の表面の平滑化処理をする工程と、（ロ）上
記第２の工程の後に、上記誘電体膜のうち少なくとも１
つの表面の平滑化処理をする工程である。
は、基板上に反射膜を形成する第１の工程と、上記反射
膜上に少なくとも１層の誘電体膜を形成する第２の工程
を有する光学記録媒体の製造方法であって、以下の工程
のうちいずれか一方の工程、または双方の工程を有する
ものである。すなわち、（イ）上記第１の工程の後に、
上記反射膜の表面の平滑化処理をする工程と、（ロ）上
記第２の工程の後に、上記誘電体膜のうち少なくとも１
つの表面の平滑化処理をする工程である。
【００１１】本発明の光学記録媒体およびその製造方法
によれば、反射膜の表面が平滑化処理されているので、
反射膜での散乱光を低減することができると考えられ
る。
によれば、反射膜の表面が平滑化処理されているので、
反射膜での散乱光を低減することができると考えられ
る。
【００１２】また、本発明の光学記録媒体およびその製
造方法によれば、反射膜および誘電体膜のうち少なくと
も１つの表面が平滑化処理されているので、反射膜での
散乱光の低減、および記録膜の平坦化による磁気特性の
向上の、いずれか一方または双方を図ることができると
考えられる。
造方法によれば、反射膜および誘電体膜のうち少なくと
も１つの表面が平滑化処理されているので、反射膜での
散乱光の低減、および記録膜の平坦化による磁気特性の
向上の、いずれか一方または双方を図ることができると
考えられる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。まず、本発明に係る光学記録媒体の構成に
ついて図１を参照しながら説明する。図１は、本発明に
係る光学記録媒体の１例である光磁気記録媒体を示す断
面図である。図１からわかるように、光学記録媒体１
は、基板２、反射膜６、誘電体膜３、記録膜４、誘電体
膜５、および有機物保護膜７より構成されている。
て説明する。まず、本発明に係る光学記録媒体の構成に
ついて図１を参照しながら説明する。図１は、本発明に
係る光学記録媒体の１例である光磁気記録媒体を示す断
面図である。図１からわかるように、光学記録媒体１
は、基板２、反射膜６、誘電体膜３、記録膜４、誘電体
膜５、および有機物保護膜７より構成されている。
【００１４】基板２は、０．１〜１．２ｍｍの厚さの円
板状のものである。この基板２は、ガラス、ポリカーボ
ネート、アクリル樹脂（例えばＰＭＭＡ）、およびエポ
キシ樹脂などの透明な材料からなるものである。ただ
し、透明な材料に限定されるわけではなく、不透明な材
料であってもかまわない。また、基板２は、この上に積
層される種々の薄膜を支持する機能を有するものであ
る。
板状のものである。この基板２は、ガラス、ポリカーボ
ネート、アクリル樹脂（例えばＰＭＭＡ）、およびエポ
キシ樹脂などの透明な材料からなるものである。ただ
し、透明な材料に限定されるわけではなく、不透明な材
料であってもかまわない。また、基板２は、この上に積
層される種々の薄膜を支持する機能を有するものであ
る。
【００１５】基板２の上には、反射膜６が形成されてい
る。反射膜６は３０〜１００ｎｍの範囲の厚さを持つ膜
である。この反射膜６の材質としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａ
ｌ合金、Ａｇ合金などが用いられる。また、反射膜６
は、これら金属または合金の単一層膜または２以上の積
層膜からなっている。この反射膜６は、記録膜（後述す
る）を通過してきたレーザ光を反射させて再び記録膜を
通過させる機能を有している。なお、この反射膜６の表
面は、平滑化処理がなされている。反射膜６の平滑化処
理については後に詳述する。
る。反射膜６は３０〜１００ｎｍの範囲の厚さを持つ膜
である。この反射膜６の材質としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａ
ｌ合金、Ａｇ合金などが用いられる。また、反射膜６
は、これら金属または合金の単一層膜または２以上の積
層膜からなっている。この反射膜６は、記録膜（後述す
る）を通過してきたレーザ光を反射させて再び記録膜を
通過させる機能を有している。なお、この反射膜６の表
面は、平滑化処理がなされている。反射膜６の平滑化処
理については後に詳述する。
【００１６】反射膜６の上には、誘電体膜３が形成され
ている。この誘電体膜３は、１５０ｎｍ以下の厚さを有
している。また、誘電体膜３は、ＳｉＯ、Ｔｂ添加Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＮ、ＡｌＮｘ、Ｙ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｎ
Ｓなどからなっている。この誘電体膜３は、錆びやすい
記録膜の酸化を防止する機能を有し、また多重反射と干
渉の効果により見かけのカー回転角を増強（エンハン
ス）する機能を有している。なお、誘電体膜３は、単一
層膜からなるものばかりでなく、２層以上の積層膜から
なるものであることはかまわない。
ている。この誘電体膜３は、１５０ｎｍ以下の厚さを有
している。また、誘電体膜３は、ＳｉＯ、Ｔｂ添加Ｓｉ
Ｏ2、ＳｉＮ、ＡｌＮｘ、Ｙ2 Ｏ3 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｚｎ
Ｓなどからなっている。この誘電体膜３は、錆びやすい
記録膜の酸化を防止する機能を有し、また多重反射と干
渉の効果により見かけのカー回転角を増強（エンハン
ス）する機能を有している。なお、誘電体膜３は、単一
層膜からなるものばかりでなく、２層以上の積層膜から
なるものであることはかまわない。
【００１７】誘電体膜３の上には記録膜４が形成されて
いる。この記録膜４は５〜３０ｎｍの範囲の厚さを有し
ている。また、記録膜４は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣ
ｏなどのアモルファス希土類−遷移金属合金などからな
っている。記録膜４は、磁化方向が膜面に垂直方向に向
いている膜（以下、「垂直磁化膜」という）において、
記録したい部分をレーザ光で局部的に加熱するととも
に、逆方向の磁界を与えられることにより、その部分の
磁化が反転して、ビットが記録される。なお、記録膜４
は、単一層膜からなるものばかりでなく、２層以上の積
層膜からなるものであることはかまわない。
いる。この記録膜４は５〜３０ｎｍの範囲の厚さを有し
ている。また、記録膜４は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣ
ｏなどのアモルファス希土類−遷移金属合金などからな
っている。記録膜４は、磁化方向が膜面に垂直方向に向
いている膜（以下、「垂直磁化膜」という）において、
記録したい部分をレーザ光で局部的に加熱するととも
に、逆方向の磁界を与えられることにより、その部分の
磁化が反転して、ビットが記録される。なお、記録膜４
は、単一層膜からなるものばかりでなく、２層以上の積
層膜からなるものであることはかまわない。
【００１８】記録膜４の上には誘電体膜５が形成されて
いる。この誘電体膜５は、上述した誘電体膜３と同様の
厚さ、材質、および機能を有するものである。
いる。この誘電体膜５は、上述した誘電体膜３と同様の
厚さ、材質、および機能を有するものである。
【００１９】誘電体膜５の上には、有機物保護膜７が形
成されている。この有機物保護膜７は、１００μｍ以下
の厚さを有している。また、有機物保護膜７は、紫外線
硬化型樹脂からなっている。有機物保護膜７は、この膜
の下にある誘電体膜５、記録膜４、誘電体膜３、および
反射膜６を酸素・湿気などの外部環境にされされるのを
防止するとともに、誘電体膜５へのごみ・ほこりなどが
付着するのを防止し、さらにこれらの積層膜が他の物体
と接触することにより傷つくのを防止するなどの機能を
有している。
成されている。この有機物保護膜７は、１００μｍ以下
の厚さを有している。また、有機物保護膜７は、紫外線
硬化型樹脂からなっている。有機物保護膜７は、この膜
の下にある誘電体膜５、記録膜４、誘電体膜３、および
反射膜６を酸素・湿気などの外部環境にされされるのを
防止するとともに、誘電体膜５へのごみ・ほこりなどが
付着するのを防止し、さらにこれらの積層膜が他の物体
と接触することにより傷つくのを防止するなどの機能を
有している。
【００２０】つぎに、本発明に係る光学記録媒体を用い
た場合の、記録・再生の方法について説明する。図１の
光学記録媒体１では、基板２とは反対側からレーザ光９
を照射している。このレーザ光９の吸収熱により、記録
膜４がキュリー温度以上に加熱される。キュリー温度を
超えた温度にまで記録膜４が加熱されると、それまで磁
化されていたその記録膜４の保磁力がきわめて低下す
る。この現象を利用して、保磁力の磁化の向きを正逆２
進法として記録膜４に記録する。
た場合の、記録・再生の方法について説明する。図１の
光学記録媒体１では、基板２とは反対側からレーザ光９
を照射している。このレーザ光９の吸収熱により、記録
膜４がキュリー温度以上に加熱される。キュリー温度を
超えた温度にまで記録膜４が加熱されると、それまで磁
化されていたその記録膜４の保磁力がきわめて低下す
る。この現象を利用して、保磁力の磁化の向きを正逆２
進法として記録膜４に記録する。
【００２１】キュリー温度以上への加熱をもたらすレー
ザ光９と同時に、それ以前に記録膜４全体におよんでい
たａ方向の磁化方向とは反対の向きの磁界を印加する。
レーザ光９が遮断されると、記録膜４は高温から常温に
戻るが、記録膜４にアモルファス希土類−遷移金属合金
などを用いていると、キュリー温度のときの印加磁界方
向を記録したまま冷える。したがって、レーザ光９と外
部反転磁界とを同時に印加された部分だけが保磁力の磁
化の向きが反転し、情報の記録が行われる。外部からの
印加磁界の向きをａ方向にして再びレーザ光を収束・照
射すれば、記録した信号を消去することができる。
ザ光９と同時に、それ以前に記録膜４全体におよんでい
たａ方向の磁化方向とは反対の向きの磁界を印加する。
レーザ光９が遮断されると、記録膜４は高温から常温に
戻るが、記録膜４にアモルファス希土類−遷移金属合金
などを用いていると、キュリー温度のときの印加磁界方
向を記録したまま冷える。したがって、レーザ光９と外
部反転磁界とを同時に印加された部分だけが保磁力の磁
化の向きが反転し、情報の記録が行われる。外部からの
印加磁界の向きをａ方向にして再びレーザ光を収束・照
射すれば、記録した信号を消去することができる。
【００２２】記録した信号を再生するときには、記録並
びに消去の場合と異なり、レーザ光９の波としての性質
を利用する。半導体レーザから射出するレーザ光は、一
般によい直線偏波光となっているが、さらに直線偏波性
を良くするためには、偏光板を経て、光学記録媒体の記
録膜に照射させることも行われている。記録膜４から反
射されるレーザ光の偏波面、すなわち光の振動方向が記
録膜４の磁化の向きによって互いに反対方向に回転する
ので、回転の向きを検出することにより情報の再生が行
われる。この記録情報再生の際の光波と磁界との相互作
用、すなわち磁気光学効果には反射光の場合の磁気カー
効果と透過光の場合のファラデー効果とが利用される。
なお、本発明に係る光学記録媒体にあっては、情報の記
録または再生の少なくとも一方をすることができる。
びに消去の場合と異なり、レーザ光９の波としての性質
を利用する。半導体レーザから射出するレーザ光は、一
般によい直線偏波光となっているが、さらに直線偏波性
を良くするためには、偏光板を経て、光学記録媒体の記
録膜に照射させることも行われている。記録膜４から反
射されるレーザ光の偏波面、すなわち光の振動方向が記
録膜４の磁化の向きによって互いに反対方向に回転する
ので、回転の向きを検出することにより情報の再生が行
われる。この記録情報再生の際の光波と磁界との相互作
用、すなわち磁気光学効果には反射光の場合の磁気カー
効果と透過光の場合のファラデー効果とが利用される。
なお、本発明に係る光学記録媒体にあっては、情報の記
録または再生の少なくとも一方をすることができる。
【００２３】図１に示した光学記録媒体１は、上述した
ように、表面読み光磁気記録媒体である。この表面読み
光磁気記録媒体によれば高密度記録が可能となる。この
ように高密度記録が可能となる理由は、有機物保護膜の
厚さを基板の厚さよりも薄くすることにより、レンズの
開口数ＮＡを大きくすることができるので、レンズの焦
点におけるビームスポットサイズを小さくすることがで
きるからである。
ように、表面読み光磁気記録媒体である。この表面読み
光磁気記録媒体によれば高密度記録が可能となる。この
ように高密度記録が可能となる理由は、有機物保護膜の
厚さを基板の厚さよりも薄くすることにより、レンズの
開口数ＮＡを大きくすることができるので、レンズの焦
点におけるビームスポットサイズを小さくすることがで
きるからである。
【００２４】つぎに、本発明に係る光学記録媒体の製造
方法について説明する。この製造方法においては、最初
に、基板２上に反射膜６を、スパッタ法により形成す
る。この反射膜６のスパッタ条件は以下に示すとおりで
ある。 Ａｒガス圧：０．１〜０．２Ｐａ パワー：０．２〜１ｋＷ このスパッタの工程の後に、反射膜６の表面の平滑化処
理を行う。なお、反射膜６の平滑化処理については後に
詳述する。
方法について説明する。この製造方法においては、最初
に、基板２上に反射膜６を、スパッタ法により形成す
る。この反射膜６のスパッタ条件は以下に示すとおりで
ある。 Ａｒガス圧：０．１〜０．２Ｐａ パワー：０．２〜１ｋＷ このスパッタの工程の後に、反射膜６の表面の平滑化処
理を行う。なお、反射膜６の平滑化処理については後に
詳述する。
【００２５】つぎに、反射膜６上に誘電体膜３をスパッ
タ法により形成する。この誘電体膜３は、必要により２
層以上の積層膜としても良い。ここで、誘電体膜３のス
パッタ条件は以下に示すとおりである。ＡｒとＮ2 の混
合雰囲気中で ガス圧：０．３〜０．４Ｐａ パワー：１．０〜１．５ｋＷ
タ法により形成する。この誘電体膜３は、必要により２
層以上の積層膜としても良い。ここで、誘電体膜３のス
パッタ条件は以下に示すとおりである。ＡｒとＮ2 の混
合雰囲気中で ガス圧：０．３〜０．４Ｐａ パワー：１．０〜１．５ｋＷ
【００２６】つぎに、誘電体膜３の上に記録膜４をスパ
ッタ法により形成する。この記録膜４は、必要により２
層以上の積層膜としても良い。ここで、記録膜４のスパ
ッタ条件は以下に示すとおりである。 Ａｒガス圧：０．２〜０．３Ｐａ ＴｂＦｅＣｏとＧｄＦｅＣｏの２層膜
ッタ法により形成する。この記録膜４は、必要により２
層以上の積層膜としても良い。ここで、記録膜４のスパ
ッタ条件は以下に示すとおりである。 Ａｒガス圧：０．２〜０．３Ｐａ ＴｂＦｅＣｏとＧｄＦｅＣｏの２層膜
【００２７】つぎに、記録膜４上に誘電体膜５をスパッ
タ法により形成する。この誘電体膜５は、必要により２
層以上の積層膜としても良い。誘電体膜５の形成方法
は、誘電体膜３について述べた方法と同様である。
タ法により形成する。この誘電体膜５は、必要により２
層以上の積層膜としても良い。誘電体膜５の形成方法
は、誘電体膜３について述べた方法と同様である。
【００２８】つぎに、誘電体膜５の上に有機物保護膜７
を形成する。この有機物保護膜７は、スピンコート法に
より形成する。
を形成する。この有機物保護膜７は、スピンコート法に
より形成する。
【００２９】つぎに、反射膜６の表面粗さが、消去ノイ
ズおよび記録ノイズ等のディスクノイズに与える影響に
ついて、図２〜６を参照しながら説明する。まず、反射
膜である金属薄膜の表面粗さについて、図２を参照しな
がら説明する。図２は、基板上に形成したＡｌ薄膜、Ａ
ｇＡｌ薄膜、およびＡｇ薄膜についての、表面粗さＲａ
の測定結果を示した図である。図２に示すように、横軸
は用いたサンプル、すなわちＡｌ薄膜、ＡｇＡｌ薄膜、
およびＡｇ薄膜のサンプルを示し、縦軸はこのサンプル
についての表面粗さＲａ（ｎｍ）を示している。
ズおよび記録ノイズ等のディスクノイズに与える影響に
ついて、図２〜６を参照しながら説明する。まず、反射
膜である金属薄膜の表面粗さについて、図２を参照しな
がら説明する。図２は、基板上に形成したＡｌ薄膜、Ａ
ｇＡｌ薄膜、およびＡｇ薄膜についての、表面粗さＲａ
の測定結果を示した図である。図２に示すように、横軸
は用いたサンプル、すなわちＡｌ薄膜、ＡｇＡｌ薄膜、
およびＡｇ薄膜のサンプルを示し、縦軸はこのサンプル
についての表面粗さＲａ（ｎｍ）を示している。
【００３０】ここで、Ａｌ薄膜、ＡｇＡｌ薄膜、および
Ａｇ薄膜のサンプルの作製方法について説明する。Ａｌ
薄膜については、厚さ１ｍｍのガラス基板上に、Ａｒガ
ス圧：０．２Ｐａ、パワー：６００Ｗの条件でスパッタ
法により、３０ｎｍの厚さのＡｌ薄膜を形成した。
Ａｇ薄膜のサンプルの作製方法について説明する。Ａｌ
薄膜については、厚さ１ｍｍのガラス基板上に、Ａｒガ
ス圧：０．２Ｐａ、パワー：６００Ｗの条件でスパッタ
法により、３０ｎｍの厚さのＡｌ薄膜を形成した。
【００３１】ＡｌＡｇ薄膜については、厚さ１ｍｍのガ
ラス基板上に、Ａｒガス圧：０．２Ｐａ、パワー：Ａｌ
６００Ｗ、Ａｇ ２００Ｗ、ターゲットの組成比 Ａ
ｇ：Ａｌ＝１：１の条件でスパッタ法により、３０ｎｍ
の厚さのＡｌＡｇ薄膜を形成した。なお、ＡｇＡｌ合金
については、上述の組成比の他に、Ａｇ：Ａｌ＝２：８
〜８：２の範囲のものを用いることができる。
ラス基板上に、Ａｒガス圧：０．２Ｐａ、パワー：Ａｌ
６００Ｗ、Ａｇ ２００Ｗ、ターゲットの組成比 Ａ
ｇ：Ａｌ＝１：１の条件でスパッタ法により、３０ｎｍ
の厚さのＡｌＡｇ薄膜を形成した。なお、ＡｇＡｌ合金
については、上述の組成比の他に、Ａｇ：Ａｌ＝２：８
〜８：２の範囲のものを用いることができる。
【００３２】Ａｇ薄膜については、厚さ１ｍｍのガラス
基板上に、Ａｒガス圧：０．２Ｐａ、パワー：４００Ｗ
の条件下でスパッタ法により、３０ｎｍの厚さのＡｇ薄
膜を形成した。
基板上に、Ａｒガス圧：０．２Ｐａ、パワー：４００Ｗ
の条件下でスパッタ法により、３０ｎｍの厚さのＡｇ薄
膜を形成した。
【００３３】つぎに、表面粗さＲａについて説明する。
表面粗さＲａは、中心線平均粗さと呼ばれるものであ
り、粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さＬの部分
を抜き取り、この抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率
の方向をＹ軸、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したとき、
粗さ曲線の絶対値を積分し、その積分値を測定長さＬで
割った値と定義される。
表面粗さＲａは、中心線平均粗さと呼ばれるものであ
り、粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さＬの部分
を抜き取り、この抜き取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率
の方向をＹ軸、粗さ曲線をｙ＝ｆ（ｘ）で表したとき、
粗さ曲線の絶対値を積分し、その積分値を測定長さＬで
割った値と定義される。
【００３４】表面粗さＲａの測定は、原子間力顕微鏡Ａ
ＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ ＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｙ）（商品名：ＳＰＭ ＮＡＮＯＳＣＯＰＥ III 、デ
ジタルインスツルメンツ社製）を用いて行った。測定方
法は、とがった探針で試料間の原子間力を検知し、走査
することにより表面形状を観察するものである。
ＦＭ（Ａｔｏｍｉｃ ＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐ
ｙ）（商品名：ＳＰＭ ＮＡＮＯＳＣＯＰＥ III 、デ
ジタルインスツルメンツ社製）を用いて行った。測定方
法は、とがった探針で試料間の原子間力を検知し、走査
することにより表面形状を観察するものである。
【００３５】図２の測定結果から、従来反射膜の材料と
して用いられてきたＡｌ以外に、Ａｇ、あるいはＡｇＡ
ｌというような材料について、膜の表面粗さＲａを測定
すると、材料により異なる値が得られることがわかる。
すなわち、Ａｌ薄膜では、表面粗さＲａが約２．７５ｎ
ｍと大変大きな値を示している。なお、ガラス基板の表
面粗さＲａは０．３ｎｍである。このように、Ａｌ薄膜
の表面粗さＲａは、ガラス基板の表面粗さＲａと比較し
ても、大変大きな値であることがわかる。
して用いられてきたＡｌ以外に、Ａｇ、あるいはＡｇＡ
ｌというような材料について、膜の表面粗さＲａを測定
すると、材料により異なる値が得られることがわかる。
すなわち、Ａｌ薄膜では、表面粗さＲａが約２．７５ｎ
ｍと大変大きな値を示している。なお、ガラス基板の表
面粗さＲａは０．３ｎｍである。このように、Ａｌ薄膜
の表面粗さＲａは、ガラス基板の表面粗さＲａと比較し
ても、大変大きな値であることがわかる。
【００３６】ＡｇＡｌ薄膜では、表面粗さＲａが約０．
４ｎｍであり、Ａｌ薄膜に比較すると非常に小さな値で
ある。なお、ＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａは、ガラス基
板の表面粗さ０．３ｎｍと同程度であることがわかる。
４ｎｍであり、Ａｌ薄膜に比較すると非常に小さな値で
ある。なお、ＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａは、ガラス基
板の表面粗さ０．３ｎｍと同程度であることがわかる。
【００３７】Ａｇ薄膜では、表面粗さが約１．０ｎｍで
あり、ＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａの約２倍程度となっ
ている。なお、Ａｇ薄膜の表面粗さＲａは、ガラス基板
の表面粗さ０．３ｎｍよりも大きいことがわかる。
あり、ＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａの約２倍程度となっ
ている。なお、Ａｇ薄膜の表面粗さＲａは、ガラス基板
の表面粗さ０．３ｎｍよりも大きいことがわかる。
【００３８】これらの結果をまとめると、Ａｌ薄膜の表
面粗さＲａが非常に大きく、それに次いでＡｇ薄膜、Ａ
ｇＡｌ薄膜の順に小さくなっている。また、ガラス基板
の表面粗さＲａと比較した場合、Ａｇ薄膜の表面粗さＲ
ａは大きく、Ａｌ薄膜の表面粗さＲａはさらに大きい。
しかし、ＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａは、ガラス基板の
表面粗さと同程度である。
面粗さＲａが非常に大きく、それに次いでＡｇ薄膜、Ａ
ｇＡｌ薄膜の順に小さくなっている。また、ガラス基板
の表面粗さＲａと比較した場合、Ａｇ薄膜の表面粗さＲ
ａは大きく、Ａｌ薄膜の表面粗さＲａはさらに大きい。
しかし、ＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａは、ガラス基板の
表面粗さと同程度である。
【００３９】つぎに、金属膜と誘電体膜からなる積層膜
の表面粗さＲａについて、図３を参照しながら説明す
る。図３は、基板上に形成したＡｌ／ＳｉＮの積層膜、
Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｇ／ＡｇＡｌ／Ｓ
ｉＮの積層膜、およびＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜につい
てした、表面粗さＲａの測定結果を示した図である。図
３において、横軸はＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｌ／Ａｇ
Ａｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層
膜、およびＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜のサンプルを示
し、また縦軸は各サンプルの表面粗さＲａ（ｎｍ）を示
している。
の表面粗さＲａについて、図３を参照しながら説明す
る。図３は、基板上に形成したＡｌ／ＳｉＮの積層膜、
Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｇ／ＡｇＡｌ／Ｓ
ｉＮの積層膜、およびＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜につい
てした、表面粗さＲａの測定結果を示した図である。図
３において、横軸はＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｌ／Ａｇ
Ａｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層
膜、およびＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜のサンプルを示
し、また縦軸は各サンプルの表面粗さＲａ（ｎｍ）を示
している。
【００４０】ここで各サンプルの作製方法について説明
する。Ａｌ／ＳｉＮの積層膜については、厚さ１ｍｍの
ガラス基板上に、Ａｒガス圧：０．２Ｐａ、パワー：６
００Ｗの条件でスパッタ法により、厚さが３０ｎｍのＡ
ｌ薄膜を形成した。つぎに、このＡｌ薄膜の上に、Ａｒ
とＮ2 の混合雰囲気中で、ガス圧：０．３Ｐａ、パワ
ー：１．２ｋＷの条件でスパッタ法により、厚さが２０
ｎｍのＳｉＮ薄膜を形成した。
する。Ａｌ／ＳｉＮの積層膜については、厚さ１ｍｍの
ガラス基板上に、Ａｒガス圧：０．２Ｐａ、パワー：６
００Ｗの条件でスパッタ法により、厚さが３０ｎｍのＡ
ｌ薄膜を形成した。つぎに、このＡｌ薄膜の上に、Ａｒ
とＮ2 の混合雰囲気中で、ガス圧：０．３Ｐａ、パワ
ー：１．２ｋＷの条件でスパッタ法により、厚さが２０
ｎｍのＳｉＮ薄膜を形成した。
【００４１】Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜について
は、厚さ１ｍｍのガラス基板上に、上述のＡｌ薄膜形成
の条件と同一の条件により、厚さが２０ｎｍのＡｌ薄膜
を形成した。つぎに、このＡｌ薄膜の上に、Ａｒガス
圧：０．２Ｐａ、パワー：Ａｇ ２００Ｗ、Ａｌ ６０
０Ｗの条件でスパッタ法により、厚さが３０ｎｍのＡｇ
Ａｌ薄膜を形成した。つぎに、このＡｇＡｌ薄膜の上
に、上述のＳｉＮ薄膜形成の条件と同一の条件により、
厚さが２０ｎｍのＳｉＮ薄膜を形成した。
は、厚さ１ｍｍのガラス基板上に、上述のＡｌ薄膜形成
の条件と同一の条件により、厚さが２０ｎｍのＡｌ薄膜
を形成した。つぎに、このＡｌ薄膜の上に、Ａｒガス
圧：０．２Ｐａ、パワー：Ａｇ ２００Ｗ、Ａｌ ６０
０Ｗの条件でスパッタ法により、厚さが３０ｎｍのＡｇ
Ａｌ薄膜を形成した。つぎに、このＡｇＡｌ薄膜の上
に、上述のＳｉＮ薄膜形成の条件と同一の条件により、
厚さが２０ｎｍのＳｉＮ薄膜を形成した。
【００４２】Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜について
は、厚さ１ｍｍのガラス基板上に、Ａｒガス圧：０．２
Ｐａ、パワー：４００Ｗの条件でスパッタ法により、厚
さが２０ｎｍのＡｇ薄膜を形成した。つぎに、このＡｇ
薄膜の上に、上述のＡｇＡｌ薄膜形成の条件と同一の条
件により、厚さが３０ｎｍのＡｇＡｌ薄膜を形成した。
つぎに、このＡｇＡｌ薄膜の上に、上述のＳｉＮ薄膜形
成の条件と同一の条件により、厚さが２０ｎｍのＳｉＮ
薄膜を形成した。
は、厚さ１ｍｍのガラス基板上に、Ａｒガス圧：０．２
Ｐａ、パワー：４００Ｗの条件でスパッタ法により、厚
さが２０ｎｍのＡｇ薄膜を形成した。つぎに、このＡｇ
薄膜の上に、上述のＡｇＡｌ薄膜形成の条件と同一の条
件により、厚さが３０ｎｍのＡｇＡｌ薄膜を形成した。
つぎに、このＡｇＡｌ薄膜の上に、上述のＳｉＮ薄膜形
成の条件と同一の条件により、厚さが２０ｎｍのＳｉＮ
薄膜を形成した。
【００４３】ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜については、厚
さ１ｍｍのガラス基板上に、上述のＡｇＡｌ薄膜形成の
条件と同一の条件により、厚さが３０ｎｍのＡｇＡｌ薄
膜を形成した。つぎに、このＡｇＡｌ薄膜の上に、上述
したＳｉＮ薄膜形成の条件と同一の条件により、厚さが
２０ｎｍのＳｉＮ薄膜を形成した。
さ１ｍｍのガラス基板上に、上述のＡｇＡｌ薄膜形成の
条件と同一の条件により、厚さが３０ｎｍのＡｇＡｌ薄
膜を形成した。つぎに、このＡｇＡｌ薄膜の上に、上述
したＳｉＮ薄膜形成の条件と同一の条件により、厚さが
２０ｎｍのＳｉＮ薄膜を形成した。
【００４４】図３からわかるように、上述の積層膜につ
いて、膜の表面粗さＲａを調べると、材料により異なる
値が得られた。すなわち、Ａｌ／ＳｉＮの積層膜では、
表面粗さが約２．１ｎｍである。この値は、図２のＡｌ
薄膜の表面粗さ２．７５ｎｍに比較して若干小さくなっ
ている。なお、図７で説明した従来の光学記録媒体にお
いて、基板２の上に形成された誘電体膜３であるＳｉＮ
薄膜の表面粗さＲａは、０．４〜０．５ｎｍの範囲にあ
る。したがって、Ａｌ／ＳｉＮの積層膜では、下層のＡ
ｌ薄膜の上にＳｉＮ薄膜を積層すると、ＳｉＮがＡｌ薄
膜の凹部を若干埋めるものの、Ａｌ薄膜の表面粗さの影
響がＳｉＮ薄膜に現れるものと考えられる。
いて、膜の表面粗さＲａを調べると、材料により異なる
値が得られた。すなわち、Ａｌ／ＳｉＮの積層膜では、
表面粗さが約２．１ｎｍである。この値は、図２のＡｌ
薄膜の表面粗さ２．７５ｎｍに比較して若干小さくなっ
ている。なお、図７で説明した従来の光学記録媒体にお
いて、基板２の上に形成された誘電体膜３であるＳｉＮ
薄膜の表面粗さＲａは、０．４〜０．５ｎｍの範囲にあ
る。したがって、Ａｌ／ＳｉＮの積層膜では、下層のＡ
ｌ薄膜の上にＳｉＮ薄膜を積層すると、ＳｉＮがＡｌ薄
膜の凹部を若干埋めるものの、Ａｌ薄膜の表面粗さの影
響がＳｉＮ薄膜に現れるものと考えられる。
【００４５】Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜では、表
面粗さＲａが約１．７ｎｍである。この値は、Ａｌ／Ｓ
ｉＮ薄膜の表面粗さ２．１ｎｍに比較して若干小さくな
っている。なお、図２のＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａは
０．４ｎｍと小さな値であった。したがって、Ａｌ／Ａ
ｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜では、下層のＡｌ薄膜の上にＡ
ｇＡｌ薄膜およびＳｉＮ薄膜を積層すると、ＡｇＡｌが
Ａｌ薄膜の凹部を若干埋め、さらにＳｉＮがＡｇＡｌ薄
膜の凹部を若干埋めるものの、Ａｌ薄膜の表面粗さの影
響がＳｉＮ薄膜に現れるものと考えられる。
面粗さＲａが約１．７ｎｍである。この値は、Ａｌ／Ｓ
ｉＮ薄膜の表面粗さ２．１ｎｍに比較して若干小さくな
っている。なお、図２のＡｇＡｌ薄膜の表面粗さＲａは
０．４ｎｍと小さな値であった。したがって、Ａｌ／Ａ
ｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜では、下層のＡｌ薄膜の上にＡ
ｇＡｌ薄膜およびＳｉＮ薄膜を積層すると、ＡｇＡｌが
Ａｌ薄膜の凹部を若干埋め、さらにＳｉＮがＡｇＡｌ薄
膜の凹部を若干埋めるものの、Ａｌ薄膜の表面粗さの影
響がＳｉＮ薄膜に現れるものと考えられる。
【００４６】Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜では、表
面粗さが約０．９ｎｍである。この値は、図２のＡｇ薄
膜の表面粗さ約１．０ｎｍに比較して僅かに小さくなっ
ている。この小さくなる理由も、Ａｌ／ＡｇＡｌ／Ｓｉ
Ｎの積層膜におけると同様であると考えられる。ただ
し、Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜の場合と比較する
と、Ａｇ薄膜の上にＡｇＡｌ薄膜およびＳｉＮ薄膜を積
層した効果は小さいものと考えられる。しかし、Ａｇ／
ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜の場合も、ＡｇＡｌがＡｇ薄
膜の凹部を若干埋め、ＳｉＮがＡｇＡｌ薄膜の凹部を若
干埋めるものの、Ａｇ薄膜の表面粗さの影響がＳｉＮ薄
膜に現れていることがわかる。
面粗さが約０．９ｎｍである。この値は、図２のＡｇ薄
膜の表面粗さ約１．０ｎｍに比較して僅かに小さくなっ
ている。この小さくなる理由も、Ａｌ／ＡｇＡｌ／Ｓｉ
Ｎの積層膜におけると同様であると考えられる。ただ
し、Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜の場合と比較する
と、Ａｇ薄膜の上にＡｇＡｌ薄膜およびＳｉＮ薄膜を積
層した効果は小さいものと考えられる。しかし、Ａｇ／
ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜の場合も、ＡｇＡｌがＡｇ薄
膜の凹部を若干埋め、ＳｉＮがＡｇＡｌ薄膜の凹部を若
干埋めるものの、Ａｇ薄膜の表面粗さの影響がＳｉＮ薄
膜に現れていることがわかる。
【００４７】ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜では、表面粗さ
が約０．４ｎｍである。この値は、図２のＡｇＡｌ薄膜
の表面粗さ約０．４ｎｍと同じ値である。これはＡｇＡ
ｌ薄膜およびＳｉＮ薄膜双方の表面粗さＲａが小さいた
めであると考えられる。
が約０．４ｎｍである。この値は、図２のＡｇＡｌ薄膜
の表面粗さ約０．４ｎｍと同じ値である。これはＡｇＡ
ｌ薄膜およびＳｉＮ薄膜双方の表面粗さＲａが小さいた
めであると考えられる。
【００４８】これらの結果から、表面粗さＲａが大きい
金属薄膜に表面粗さＲａが小さい誘電体薄膜であるＳｉ
Ｎ薄膜を積層した場合、並びに、表面粗さＲａが大きい
金属薄膜に表面粗さが小さい金属薄膜を積層し、さらに
表面粗さＲａの小さい誘電体薄膜であるＳｉＮ薄膜を積
層した場合は、積層した金属薄膜および誘電体薄膜の表
面粗さＲａが小さいにもかかわらず、最下層の金属薄膜
の表面粗さＲａがその上の金属膜および誘電体薄膜の表
面粗さＲａに影響し、結果として、一番上の誘電体薄膜
の表面粗さＲａは最下層の金属の表面粗さＲａに近いも
のとなることがわかる。
金属薄膜に表面粗さＲａが小さい誘電体薄膜であるＳｉ
Ｎ薄膜を積層した場合、並びに、表面粗さＲａが大きい
金属薄膜に表面粗さが小さい金属薄膜を積層し、さらに
表面粗さＲａの小さい誘電体薄膜であるＳｉＮ薄膜を積
層した場合は、積層した金属薄膜および誘電体薄膜の表
面粗さＲａが小さいにもかかわらず、最下層の金属薄膜
の表面粗さＲａがその上の金属膜および誘電体薄膜の表
面粗さＲａに影響し、結果として、一番上の誘電体薄膜
の表面粗さＲａは最下層の金属の表面粗さＲａに近いも
のとなることがわかる。
【００４９】なお、ここで用いたサンプルについて、反
射膜としての適用性を、熱伝導の観点から述べる。上述
したように、光磁気記録媒体においては、レーザ光が遮
断されると、記録膜は高温から常温に戻るが、記録膜は
キュリー温度のときの印加磁界方向を記録したまま冷え
る。したがって、反射膜は、冷却時間を短くするため
に、熱伝導性が良いことが望まれる。
射膜としての適用性を、熱伝導の観点から述べる。上述
したように、光磁気記録媒体においては、レーザ光が遮
断されると、記録膜は高温から常温に戻るが、記録膜は
キュリー温度のときの印加磁界方向を記録したまま冷え
る。したがって、反射膜は、冷却時間を短くするため
に、熱伝導性が良いことが望まれる。
【００５０】ここで、Ａｇ単体、またはＡｌ単体は熱伝
導がよい。これに対して、ＡｇＡｌ合金は熱伝導が悪
い。したがって、図３に用いたサンプルのうち、ＡｇＡ
ｌ／ＳｉＮの積層膜は表面粗さＲａは小さいが、熱伝導
性が悪いので反射膜としては適していない。これに対し
て、Ａｌ／ＳｉＮ薄膜は熱伝導性は良いが、表面粗さＲ
ａが大きすぎて反射膜としては適していない。また、Ａ
ｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮ薄膜およびＡｇ／ＡｇＡｌ／Ｓｉ
Ｎ薄膜は、Ａｌ薄膜またはＡｇ薄膜を積層しているので
熱伝導性はよいが、表面粗さＲａはまだ大きいので何ら
かの方法によりこの表面粗さＲａを小さくすることが望
ましい。
導がよい。これに対して、ＡｇＡｌ合金は熱伝導が悪
い。したがって、図３に用いたサンプルのうち、ＡｇＡ
ｌ／ＳｉＮの積層膜は表面粗さＲａは小さいが、熱伝導
性が悪いので反射膜としては適していない。これに対し
て、Ａｌ／ＳｉＮ薄膜は熱伝導性は良いが、表面粗さＲ
ａが大きすぎて反射膜としては適していない。また、Ａ
ｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮ薄膜およびＡｇ／ＡｇＡｌ／Ｓｉ
Ｎ薄膜は、Ａｌ薄膜またはＡｇ薄膜を積層しているので
熱伝導性はよいが、表面粗さＲａはまだ大きいので何ら
かの方法によりこの表面粗さＲａを小さくすることが望
ましい。
【００５１】つぎに、金属薄膜をスパッタエッチングし
た後に、その上に誘電体膜を積層した場合、誘電体膜の
表面粗さＲａに対するスパッタエッチング時間の影響に
ついて、図４を参照しながら説明する。図４は、Ａｌ／
ＡｇＡｌの積層膜またはＡｇ／ＡｇＡｌの積層膜を一定
時間スパッタエッチングした後に、さらにそれぞれの上
にＳｉＮ膜を積層した場合の、ＳｉＮ膜の表面粗さＲａ
に対するスパッタエッチング時間の影響を示した図であ
る。図４において、横軸はスパッタエッチング時間
（分）を示し、縦軸は表面粗さＲａ（ｎｍ）を示してい
る。
た後に、その上に誘電体膜を積層した場合、誘電体膜の
表面粗さＲａに対するスパッタエッチング時間の影響に
ついて、図４を参照しながら説明する。図４は、Ａｌ／
ＡｇＡｌの積層膜またはＡｇ／ＡｇＡｌの積層膜を一定
時間スパッタエッチングした後に、さらにそれぞれの上
にＳｉＮ膜を積層した場合の、ＳｉＮ膜の表面粗さＲａ
に対するスパッタエッチング時間の影響を示した図であ
る。図４において、横軸はスパッタエッチング時間
（分）を示し、縦軸は表面粗さＲａ（ｎｍ）を示してい
る。
【００５２】サンプルとしては、Ａｌ／ＡｇＡｌ／Ｓｉ
Ｎの積層膜またはＡｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜を用
いた。ここで、サンプルの作製方法について説明する。
Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜については、まず図３
において説明したＡｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜のサ
ンプルと同じ条件により、Ａｌ／ＡｇＡｌの積層膜を形
成する。つぎに、このＡｌ／ＡｇＡｌの積層膜の表面の
ＡｇＡｌ層をスパッタエッチングする。スパッタエッチ
ングは、Ａｒガス圧：０．３０Ｐａ、パワー：５０Ｗの
条件で行った。また、スパッタエッチング時間は０分、
２分、４分、および６分の４通りとした。つぎに、図３
において説明したと同じ条件により、Ａｌ／ＡｇＡｌの
積層膜の上にＳｉＮ薄膜を２０ｎｍの厚さで形成した。
このように作製された４つのサンプルについて、その表
面粗さＲａを測定した。
Ｎの積層膜またはＡｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜を用
いた。ここで、サンプルの作製方法について説明する。
Ａｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜については、まず図３
において説明したＡｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜のサ
ンプルと同じ条件により、Ａｌ／ＡｇＡｌの積層膜を形
成する。つぎに、このＡｌ／ＡｇＡｌの積層膜の表面の
ＡｇＡｌ層をスパッタエッチングする。スパッタエッチ
ングは、Ａｒガス圧：０．３０Ｐａ、パワー：５０Ｗの
条件で行った。また、スパッタエッチング時間は０分、
２分、４分、および６分の４通りとした。つぎに、図３
において説明したと同じ条件により、Ａｌ／ＡｇＡｌの
積層膜の上にＳｉＮ薄膜を２０ｎｍの厚さで形成した。
このように作製された４つのサンプルについて、その表
面粗さＲａを測定した。
【００５３】Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜について
は、上述したＡｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜と同様な
方法により４つのサンプルを作製した。
は、上述したＡｌ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜と同様な
方法により４つのサンプルを作製した。
【００５４】図４からわかるように、Ａｌ／ＡｇＡｌ／
ＳｉＮの積層膜においては、スパッタエッチングをして
いないものは表面粗さＲａが約１．７ｎｍであるのに対
して、スパッタエッチングを６分間行ったものは表面粗
さＲａが約１．２ｎｍと小さくなっている。
ＳｉＮの積層膜においては、スパッタエッチングをして
いないものは表面粗さＲａが約１．７ｎｍであるのに対
して、スパッタエッチングを６分間行ったものは表面粗
さＲａが約１．２ｎｍと小さくなっている。
【００５５】また、Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜に
おいては、スパッタエッチングをしていないものは表面
粗さＲａが約０．９ｎｍであるのに対して、スパッタエ
ッチングを６分間行ったものは表面粗さＲａが約０．５
ｎｍと小さくなっている。
おいては、スパッタエッチングをしていないものは表面
粗さＲａが約０．９ｎｍであるのに対して、スパッタエ
ッチングを６分間行ったものは表面粗さＲａが約０．５
ｎｍと小さくなっている。
【００５６】これらの結果から、金属薄膜の平滑化処
理、すなわちスパッタエッチングを行い、金属薄膜の表
面粗さＲａを小さくすることにより、その上に形成され
た誘電体膜であるＳｉＮ膜の表面粗さＲａを小さくする
ことができることがわかる。特に、Ａｇ／ＡｇＡｌ／Ｓ
ｉＮの積層膜においては、その効果が大きいことがわか
る。
理、すなわちスパッタエッチングを行い、金属薄膜の表
面粗さＲａを小さくすることにより、その上に形成され
た誘電体膜であるＳｉＮ膜の表面粗さＲａを小さくする
ことができることがわかる。特に、Ａｇ／ＡｇＡｌ／Ｓ
ｉＮの積層膜においては、その効果が大きいことがわか
る。
【００５７】なお、表面粗さＲａが１ｎｍ以下の範囲で
は、金属薄膜とその上に形成されたＳｉＮ薄膜の表面粗
さＲａはほぼ等しいと考えて良い。これは、図２におけ
るＡｇＡｌ薄膜と図３におけるＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層
膜のそれぞれの表面粗さＲａがほぼ等しいこと、およ
び、図３のＡｇ薄膜と図３のＡｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの
積層膜のそれぞれの表面粗さＲａがほぼ等しいことか
ら、金属薄膜とその上に形成されたＳｉＮ薄膜の表面粗
さがほぼ等しいであろうことが類推できるからである。
は、金属薄膜とその上に形成されたＳｉＮ薄膜の表面粗
さＲａはほぼ等しいと考えて良い。これは、図２におけ
るＡｇＡｌ薄膜と図３におけるＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層
膜のそれぞれの表面粗さＲａがほぼ等しいこと、およ
び、図３のＡｇ薄膜と図３のＡｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの
積層膜のそれぞれの表面粗さＲａがほぼ等しいことか
ら、金属薄膜とその上に形成されたＳｉＮ薄膜の表面粗
さがほぼ等しいであろうことが類推できるからである。
【００５８】つぎに、金属膜の平坦化処理をした場合
の、表面粗さとノイズレベルの関係について図５を参照
しながら説明する。図５は、図４の例で得られた積層膜
に記録層、誘電体膜、および有機物保護膜を形成した光
磁気記録媒体についての、表面粗さＲａとノイズレベル
の関係を示した図である。図５からわかるように、横軸
はサンプルの表面粗さＲａ（ｎｍ）を示し、縦軸は記録
ノイズおよび消去ノイズのノイズレベル（ｄＢｍ）を示
している。
の、表面粗さとノイズレベルの関係について図５を参照
しながら説明する。図５は、図４の例で得られた積層膜
に記録層、誘電体膜、および有機物保護膜を形成した光
磁気記録媒体についての、表面粗さＲａとノイズレベル
の関係を示した図である。図５からわかるように、横軸
はサンプルの表面粗さＲａ（ｎｍ）を示し、縦軸は記録
ノイズおよび消去ノイズのノイズレベル（ｄＢｍ）を示
している。
【００５９】ここで、用いたサンプルの作製方法につい
て説明する。まず、図４で説明したＡｇ／ＡｇＡｌ／Ｓ
ｉＮの積層膜の４つのサンプルと同じもの、およびＡｌ
／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜のサンプルのうち２分間ス
パッタエッチングをしたサンプルと同じものを作製し
た。つぎに、これらのＳｉＮ薄膜の上に、ＡｒとＮ2 の
混合雰囲気中で、ガス圧：０．３０Ｐａ、パワー：１．
２ｋＷの条件でスパッタ法により、ＴｂＦｅＣＯとＧｄ
ＦｅＣｏの２層膜からなるＭＯ層を、膜厚が２層合計で
１５ｎｍのものを形成した。
て説明する。まず、図４で説明したＡｇ／ＡｇＡｌ／Ｓ
ｉＮの積層膜の４つのサンプルと同じもの、およびＡｌ
／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜のサンプルのうち２分間ス
パッタエッチングをしたサンプルと同じものを作製し
た。つぎに、これらのＳｉＮ薄膜の上に、ＡｒとＮ2 の
混合雰囲気中で、ガス圧：０．３０Ｐａ、パワー：１．
２ｋＷの条件でスパッタ法により、ＴｂＦｅＣＯとＧｄ
ＦｅＣｏの２層膜からなるＭＯ層を、膜厚が２層合計で
１５ｎｍのものを形成した。
【００６０】つぎに、このＭＯ層の上にＳｉＮ薄膜を、
図３で説明したと同じ条件で形成した。さらに、このＳ
ｉＮ薄膜の上に紫外線硬化型樹脂（商品名：ＳＤ−３０
１、大日本インキ社製）により有機物保護膜を２０μｍ
の厚さで形成した。このように作製したサンプルについ
て、記録ノイズおよび消去ノイズのノイズレベルを測定
した。このノイズレベルは、測定装置（商品名：Ｒ３２
６１Ａ ＳＰＥＣＴＲＵＭＡＮＡＬＩＺＥＲ、アドバン
テスト社製）を用いて、以下の方法により測定した。 消去ノイズ：一方向にＤＣイレーズした後の１ＭＨｚで
のノイズレベル 線速２．８ｍ／ｓ、再生パワー１ｍＷ 記録ノイズ：同一周波数（マーク長１．１２μｍ）で１
周記録した後、再生した時の１ＭＨｚでのノイズレベル 線速２．８ｍ／ｓ、再生パワー１ｍＷ
図３で説明したと同じ条件で形成した。さらに、このＳ
ｉＮ薄膜の上に紫外線硬化型樹脂（商品名：ＳＤ−３０
１、大日本インキ社製）により有機物保護膜を２０μｍ
の厚さで形成した。このように作製したサンプルについ
て、記録ノイズおよび消去ノイズのノイズレベルを測定
した。このノイズレベルは、測定装置（商品名：Ｒ３２
６１Ａ ＳＰＥＣＴＲＵＭＡＮＡＬＩＺＥＲ、アドバン
テスト社製）を用いて、以下の方法により測定した。 消去ノイズ：一方向にＤＣイレーズした後の１ＭＨｚで
のノイズレベル 線速２．８ｍ／ｓ、再生パワー１ｍＷ 記録ノイズ：同一周波数（マーク長１．１２μｍ）で１
周記録した後、再生した時の１ＭＨｚでのノイズレベル 線速２．８ｍ／ｓ、再生パワー１ｍＷ
【００６１】図５からわかるように、反射膜の表面粗さ
Ｒａに変化を与えた場合、この光学記録媒体の消去ノイ
ズおよび記録ノイズのディスクノイズは大きく低減され
ている。この場合、消去ノイズが−６０ｄＢ以下であれ
ば十分実用に適したものである。この消去ノイズが−６
０ｄＢ以下に相当する表面粗さＲａは約０．７５ｎｍ以
下である。したがって、反射膜の表面粗さＲａが０．７
５ｎｍ以下であるような構造を持つ光学記録媒体が望ま
しい。
Ｒａに変化を与えた場合、この光学記録媒体の消去ノイ
ズおよび記録ノイズのディスクノイズは大きく低減され
ている。この場合、消去ノイズが−６０ｄＢ以下であれ
ば十分実用に適したものである。この消去ノイズが−６
０ｄＢ以下に相当する表面粗さＲａは約０．７５ｎｍ以
下である。したがって、反射膜の表面粗さＲａが０．７
５ｎｍ以下であるような構造を持つ光学記録媒体が望ま
しい。
【００６２】ここで、反射膜の表面粗さＲａを小さくす
ることにより、消去ノイズおよび記録ノイズを低減でき
るのはつぎのような理由と考えられる。すなわち、反射
膜の表面が平滑化処理されているので、反射膜での散乱
光を低減することができるためであると考えられる。ま
た、反射膜が平滑化処理されているので、この反射膜の
上に形成される誘電体膜および記録膜が平坦化される。
したがって、この記録膜の平坦化により磁気特性の向上
を図ることができるためであると考えられる。
ることにより、消去ノイズおよび記録ノイズを低減でき
るのはつぎのような理由と考えられる。すなわち、反射
膜の表面が平滑化処理されているので、反射膜での散乱
光を低減することができるためであると考えられる。ま
た、反射膜が平滑化処理されているので、この反射膜の
上に形成される誘電体膜および記録膜が平坦化される。
したがって、この記録膜の平坦化により磁気特性の向上
を図ることができるためであると考えられる。
【００６３】つぎに、周波数と消去ノイズレベルの関係
について、図６を参照しながら説明する。図６は、表面
粗さＲａが１．５ｎｍおよび０．５ｎｍの場合の、周波
数と消去ノイズレベルの関係を示した図である。図６に
おいて、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は消去ノ
イズレベル（ｄＢｍ）を示している。ここでサンプル
は、図５で説明した表面粗さＲａが０．５ｎｍのものお
よび１．５ｎｍのものである。
について、図６を参照しながら説明する。図６は、表面
粗さＲａが１．５ｎｍおよび０．５ｎｍの場合の、周波
数と消去ノイズレベルの関係を示した図である。図６に
おいて、横軸は周波数（ＭＨｚ）を示し、縦軸は消去ノ
イズレベル（ｄＢｍ）を示している。ここでサンプル
は、図５で説明した表面粗さＲａが０．５ｎｍのものお
よび１．５ｎｍのものである。
【００６４】図６からわかるように、Ｒａ＝０．５ｎｍ
のものとＲａ＝１．５ｎｍのものについて、消去ノイズ
レベルを測定すると、周波数が６ＭＨｚ以下の範囲で
は、表面粗さＲａが小さい方が消去ノイズレベルが小さ
くなっている。ここで、実用上は１〜５ＭＨｚの周波数
が重要である。したがって、この周波数の範囲において
は、表面粗さＲａを小さくすると消去ノイズが小さくな
るという効果が現れている。
のものとＲａ＝１．５ｎｍのものについて、消去ノイズ
レベルを測定すると、周波数が６ＭＨｚ以下の範囲で
は、表面粗さＲａが小さい方が消去ノイズレベルが小さ
くなっている。ここで、実用上は１〜５ＭＨｚの周波数
が重要である。したがって、この周波数の範囲において
は、表面粗さＲａを小さくすると消去ノイズが小さくな
るという効果が現れている。
【００６５】以上のことから、本発明の実施の形態によ
れば、反射膜の表面を平滑化処理することにより、消去
ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを低減すること
ができる。すなわち、光学記録媒体の反射膜の表面粗さ
Ｒａを０．７５ｎｍ以下に小さくすることにより、消去
ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを低減すること
ができる。
れば、反射膜の表面を平滑化処理することにより、消去
ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを低減すること
ができる。すなわち、光学記録媒体の反射膜の表面粗さ
Ｒａを０．７５ｎｍ以下に小さくすることにより、消去
ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを低減すること
ができる。
【００６６】また、本発明の光学記録媒体を用いると、
消去ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを大きく低
減することができ、結果としてより大きなＣＮＲ（Ｃａ
ｒｒｉｅｒ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ、すなわち
搬送波レベルとランダム雑音の実効値との比率をいい、
Ｃ／Ｎ、またはＣＮ比ともいう。）が得られることとな
るから、光学記録媒体の記録密度の向上に大いに役立て
ることができる。
消去ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを大きく低
減することができ、結果としてより大きなＣＮＲ（Ｃａ
ｒｒｉｅｒ ｔｏ ｎｏｉｓｅ ｒａｔｉｏ、すなわち
搬送波レベルとランダム雑音の実効値との比率をいい、
Ｃ／Ｎ、またはＣＮ比ともいう。）が得られることとな
るから、光学記録媒体の記録密度の向上に大いに役立て
ることができる。
【００６７】なお、上述の発明の実施の形態において
は、金属膜を平坦化処理する例について説明したが、金
属膜を平坦化処理する代わりに、記録膜の下地となって
いる誘電体膜を平滑化処理しても良い。すなわち、誘電
体膜のスパッタエッチングによっても上述した発明の実
施の形態と同様な効果が得られる。すなわち、記録膜の
下地層となっている誘電体膜のうち少なくとも１つの表
面を平滑化処理することにより、消去ノイズ、記録ノイ
ズ等のディスクノイズを低減することができる。詳しく
は、誘電体膜の表面粗さＲａを０．７５ｎｍ以下にする
ことにより、光学記録媒体の消去ノイズ、記録ノイズ等
のディスクノイズは大きく低減される。これは、誘電体
膜のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されている
ので、その上に形成された記録膜が平坦化され、これに
より磁気特性の向上を図ることができるからである。
は、金属膜を平坦化処理する例について説明したが、金
属膜を平坦化処理する代わりに、記録膜の下地となって
いる誘電体膜を平滑化処理しても良い。すなわち、誘電
体膜のスパッタエッチングによっても上述した発明の実
施の形態と同様な効果が得られる。すなわち、記録膜の
下地層となっている誘電体膜のうち少なくとも１つの表
面を平滑化処理することにより、消去ノイズ、記録ノイ
ズ等のディスクノイズを低減することができる。詳しく
は、誘電体膜の表面粗さＲａを０．７５ｎｍ以下にする
ことにより、光学記録媒体の消去ノイズ、記録ノイズ等
のディスクノイズは大きく低減される。これは、誘電体
膜のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されている
ので、その上に形成された記録膜が平坦化され、これに
より磁気特性の向上を図ることができるからである。
【００６８】したがって、発明の実施の形態で説明した
例と上述のことを合わせて考えると、反射膜および誘電
体膜のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されてい
れば良いことになる。すなわち、反射膜および誘電体膜
のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されていれ
ば、消去ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを低減
することができる。これは、反射膜が平滑化処理されて
いれば、反射膜での散乱光の低減、および記録膜の平坦
化による磁気特性の向上を図ることができ、また、誘電
体膜のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されてい
れば、記録膜の平坦化による磁気特性の向上を図ること
ができるからである。
例と上述のことを合わせて考えると、反射膜および誘電
体膜のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されてい
れば良いことになる。すなわち、反射膜および誘電体膜
のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されていれ
ば、消去ノイズ、記録ノイズ等のディスクノイズを低減
することができる。これは、反射膜が平滑化処理されて
いれば、反射膜での散乱光の低減、および記録膜の平坦
化による磁気特性の向上を図ることができ、また、誘電
体膜のうち少なくとも１つの表面が平滑化処理されてい
れば、記録膜の平坦化による磁気特性の向上を図ること
ができるからである。
【００６９】また、上述の発明の実施の形態では、金属
膜の表面粗さＲａを小さくする方法として、スパッタエ
ッチング法について説明したが、この方法に限定される
わけではない。すなわち、金属膜の表面粗さＲａを小さ
くする他の方法としては、成膜装置、例えばイオンビー
ムスパッタ（ＩＢＳ）を使う方法なども採用することが
できる。
膜の表面粗さＲａを小さくする方法として、スパッタエ
ッチング法について説明したが、この方法に限定される
わけではない。すなわち、金属膜の表面粗さＲａを小さ
くする他の方法としては、成膜装置、例えばイオンビー
ムスパッタ（ＩＢＳ）を使う方法なども採用することが
できる。
【００７０】また、上述した発明の実施の形態において
は、いわゆる円盤状の光磁気ディスクについて説明した
が、本発明はこのような光磁気ディスクや形状に限られ
るものではなく、２層以上の情報層を有する光磁気ディ
スク、単層または２層以上の情報層を有する光ディス
ク、相変化型光ディスク、その他カード状またはシート
状の記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学
記録媒体に適用することができる。
は、いわゆる円盤状の光磁気ディスクについて説明した
が、本発明はこのような光磁気ディスクや形状に限られ
るものではなく、２層以上の情報層を有する光磁気ディ
スク、単層または２層以上の情報層を有する光ディス
ク、相変化型光ディスク、その他カード状またはシート
状の記録媒体等、情報層に金属薄膜を有する各種の光学
記録媒体に適用することができる。
【００７１】また、例えば２枚の透明基板上にそれぞれ
２層以上の情報層を形成し、これら透明基板の面をつき
合わせ接合して形成し、透明基板と反対側から光照射を
行うようにした構成とすることもできるなど種々の構造
とすることができる。
２層以上の情報層を形成し、これら透明基板の面をつき
合わせ接合して形成し、透明基板と反対側から光照射を
行うようにした構成とすることもできるなど種々の構造
とすることができる。
【００７２】また、本発明は上述の実施の形態に限らず
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採
り得ることはもちろんである。
本発明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採
り得ることはもちろんである。
【００７３】
【発明の効果】本発明は、以下に記載されるような効果
を奏する。反射膜の表面が平滑化処理されているので、
または、反射膜および誘電体膜のうち少なくとも１つの
表面が平滑化処理されているので、消去ノイズ、記録ノ
イズ等のディスクノイズを低減することができる。
を奏する。反射膜の表面が平滑化処理されているので、
または、反射膜および誘電体膜のうち少なくとも１つの
表面が平滑化処理されているので、消去ノイズ、記録ノ
イズ等のディスクノイズを低減することができる。
【図１】本発明に係る光学記録媒体の１例を示す断面図
である。
である。
【図２】基板上に形成したＡｌ薄膜、ＡｇＡｌ薄膜、お
よびＡｇ薄膜についての、表面粗さＲａの測定結果を示
した図である。
よびＡｇ薄膜についての、表面粗さＲａの測定結果を示
した図である。
【図３】基板上に形成したＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｌ
／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮ
の積層膜、およびＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜について
の、表面粗さＲａの測定結果を示した図である。
／ＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜、Ａｇ／ＡｇＡｌ／ＳｉＮ
の積層膜、およびＡｇＡｌ／ＳｉＮの積層膜について
の、表面粗さＲａの測定結果を示した図である。
【図４】Ａｌ／ＡｇＡｌの積層膜またはＡｇ／ＡｇＡｌ
の積層膜を一定時間スパッタエッチングした後に、さら
にそれぞれの上にＳｉＮ膜を積層した場合の、これらの
表面粗さＲａに対するスパッタエッチング時間の影響を
示した図である。
の積層膜を一定時間スパッタエッチングした後に、さら
にそれぞれの上にＳｉＮ膜を積層した場合の、これらの
表面粗さＲａに対するスパッタエッチング時間の影響を
示した図である。
【図５】図４の例で得られた積層膜に記録層、誘電体
膜、および有機物保護膜を形成した光磁気記録媒体につ
いての、表面粗さＲａとノイズレベルの関係を示した図
である。
膜、および有機物保護膜を形成した光磁気記録媒体につ
いての、表面粗さＲａとノイズレベルの関係を示した図
である。
【図６】表面粗さＲａが１．５ｎｍおよび０．５ｎｍの
場合の、消去ノイズレベルと周波数の関係を示した図で
ある。
場合の、消去ノイズレベルと周波数の関係を示した図で
ある。
【図７】光磁気記録媒体の従来例を示す断面図である。
１‥‥光学記録媒体、２‥‥基板、３‥‥誘電体膜、４
‥‥記録膜、５‥‥誘電体膜、６‥‥反射膜、７‥‥有
機物保護膜、８‥‥対物レンズ、９‥‥レーザ光
‥‥記録膜、５‥‥誘電体膜、６‥‥反射膜、７‥‥有
機物保護膜、８‥‥対物レンズ、９‥‥レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/10 ５２１ Ｇ１１Ｂ 11/10 ５２１Ｃ ５２３ ５２３ ５４１ ５４１Ｇ
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも１つの基板の上に反射膜が形
成され、 上記基板とは反対側からの光照射によって、情報の記録
または再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体で
あって、 上記反射膜の表面が平滑化処理されていることを特徴と
する光学記録媒体。 - 【請求項２】平滑化処理は、表面粗さＲａを０．７５ｎ
ｍ以下にする処理であることを特徴とする請求項１記載
の光学記録媒体。 - 【請求項３】 少なくとも１つの基板の上に反射膜が形
成され、さらにこの反射膜上に少なくとも１層の誘電体
膜が形成され、 上記基板とは反対側からの光照射によって、情報の記録
または再生の少なくとも一方がなされる光学記録媒体で
あって、 上記反射膜および上記誘電体膜のうち少なくとも１つの
表面が平滑化処理されていることを特徴とする光学記録
媒体。 - 【請求項４】平滑化処理は、表面粗さＲａを０．７５ｎ
ｍ以下にする処理であることを特徴とする請求項３記載
の光学記録媒体。 - 【請求項５】 基板上に反射膜を形成する工程を有する
光学記録媒体の製造方法であって、 上記工程の後に、上記反射膜の表面の平滑化処理をする
工程を有することを特徴とする光学記録媒体の製造方
法。 - 【請求項６】平滑化処理は、表面粗さＲａを０．７５ｎ
ｍ以下にする処理であることを特徴とする請求項５記載
の光学記録媒体の製造方法。 - 【請求項７】 基板上に反射膜を形成する第１の工程
と、 上記反射膜上に少なくとも１層の誘電体膜を形成する第
２の工程を有する光学記録媒体の製造方法であって、 以下の工程のうちいずれか一方の工程、または双方の工
程を有することを特徴とする光学記録媒体の製造方法。 （イ）上記第１の工程の後に、上記反射膜の表面の平滑
化処理をする工程 （ロ）上記第２の工程の後に、上記誘電体膜のうち少な
くとも１つの表面の平滑化処理をする工程 - 【請求項８】平滑化処理は、表面粗さＲａを０．７５ｎ
ｍ以下にする処理であることを特徴とする請求項７記載
の光学記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115128A JP2000306271A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
| US09/552,758 US6697323B1 (en) | 1999-04-22 | 2000-04-19 | Optical recording medium and method of manufacturing including smoothing treatment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115128A JP2000306271A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306271A true JP2000306271A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14654974
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11115128A Pending JP2000306271A (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 光学記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6697323B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000306271A (ja) |
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| EP1320091A1 (en) * | 2001-12-17 | 2003-06-18 | Fujitsu Limited | Magneto-optical recording medium |
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| KR100451160B1 (ko) * | 2002-02-09 | 2004-10-02 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록 매체 및 그 제조방법 |
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| KR100677205B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2007-02-05 | 엘지전자 주식회사 | 근접장 기록용 광 디스크 |
| KR100700519B1 (ko) * | 2001-05-04 | 2007-03-28 | 엘지전자 주식회사 | 근접장용 광자기 기록매체 및 그 제조방법 |
| JP2008284651A (ja) * | 2007-05-18 | 2008-11-27 | Dainippon Printing Co Ltd | メンブレン構造体の製造方法 |
| US7548505B2 (en) | 2001-07-18 | 2009-06-16 | Sony Corporation | Optical recording medium having a relationship between groove width and track pitch |
| TWI464805B (zh) * | 2010-03-29 | 2014-12-11 | Tokyo Electron Ltd | 低介電常數介電質之整合方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP2005029849A (ja) * | 2003-07-07 | 2005-02-03 | Kobe Steel Ltd | リフレクター用Ａｇ合金反射膜、及び、このＡｇ合金反射膜を用いたリフレクター、並びに、このＡｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP2009076129A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Kobe Steel Ltd | 読み出し専用の光情報記録媒体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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