JP3995833B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光磁気記録再生装置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、書き換え可能な光記録媒体として、光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクが実用化されている。このような光磁気ディスクでは、半導体レーザから出射される光ビームを光記録媒体上に集光照射することにより、光磁気記録媒体の局部温度を上昇させることにより記録消去が行われる。そして、記録消去が起こらない強度の光ビームを光磁気記録媒体に集光照射し、その反射光の偏光状態を判別することにより、記録情報の再生が行われる。しかし、従来より、このような光磁気記録媒体では、光ビームのビームスポット径に対して、記録された磁区の記録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるという問題がある。これは、目的とする記録ビット上に集光された光ビームのビームスポット内に、隣接する記録ビットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生することができなくなるためである。
【０００３】
上記問題を解決する光磁気記録媒体として、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる再生磁性層と、非磁性中間層と、垂直磁化膜からなり情報を記録する記録磁性層とからなる光磁気記録媒体が提案されている（特開平９−１８０２７６号公報）。また、光磁気記録媒体の再生特性改善を目的として、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる再生磁性層と、臨界温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化層と、非磁性中間層と、垂直磁化膜からなり情報を記録する記録磁性層とからなる光磁気記録媒体が提案されている（特開平９−３２０１３４号公報）。
【０００４】
これらの光磁気記録媒体では、臨界温度以下の温度範囲において、再生磁性層が面内磁化状態となるため、記録磁性層へ記録された記録磁区情報が再生層へと転写されず、記録磁区情報は再生されない。これに対して、臨界温度以上の温度範囲において、再生磁性層が垂直磁化状態となり、記録磁性層へ記録された記録磁区情報が再生磁性層へと転写され、記録磁区情報が再生される。このため、再生磁性層上に集光された光ビームのビームスポット内に、隣接する記録ビットが入る場合においても、光ビームの再生パワーと再生磁性層が垂直磁化状態となる臨界温度を適切に設定しておけば、個々の記録ビットを分離して再生することができ、高密度に記録された情報を再生することが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、光ディスクに対して、さらに大きな記録容量が求めら、記録磁性層により小さい記録磁区を形成し、その記録磁区を再生磁性層へと転写し安定して再生することが要求されるようになった。上述の特開平９−１８０２７６号公報および特開平９−３２０１３４号公報に記載の光磁気記録媒体において、再生磁性層として用いているＧｄＦｅＣｏは、垂直磁気異方性が小さく、温度上昇とともに再生磁性層のトータル磁化が極めて小さく、再生パワーマージンが狭くなるため、より小さい記録磁区を再生磁性層へと転写し安定して再生することができなくなるという問題があった。
【０００６】
本発明は上記課題を解決するものであって、再生パワーマージンの広い光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成する本発明の光磁気記録媒体は以下のようなものである。
【０００９】
室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、前記再生磁性層は、（Ｇｄ_1-XＴｂ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zからなり、
０．０１≦Ｘ≦０．２０
０．３０≦Ｙ≦１．００
０．３１≦Ｚ≦０．４１
なる条件式を満足するものである。
【００１０】
さらに、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、前記再生磁性層は、（Ｇｄ_1-XＤｙ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zからなり、
０．０２≦Ｘ≦０．３５
０．３５≦Ｙ≦０．７０
０．２９≦Ｚ≦０．４０
なる条件式を満足するものである。
【００１４】
さらに、前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、非磁性中間層を有するものである。
【００１５】
また、前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、キュリー温度が前記臨界温度近傍以下の磁性中間層を有するものである。
【００１６】
さらに、前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、キュリー温度が前記臨界温度近傍の面内磁化層を有するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】
まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説明する。図１は第１の実施の形態の光磁気記録媒体の超解像再生動作原理を説明する断面図である。
【００１９】
第１の実施の形態の超解像光磁気記録媒体は、図１に示すように、室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生磁性層１と、非磁性中間層２と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属との合金からなる記録磁性層３とが順次積層された構成である。
【００２０】
再生は、光ビーム４を再生磁性層１側から集光照射することにより行われる。光ビーム４が照射されると、媒体には光ビーム４の強度分布に対応したガウシアン分布状の温度分布が形成される。再生磁性層１は、その温度分布に伴って徐々に面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移し、ある臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる。光ビーム４の照射にともない温度上昇した領域のみの記録磁性層３の磁化情報を、静磁結合により、再生磁性層１へと転写し、光ビーム４により再生することができる。ここで、記録磁性層３としては、最適な静磁結合状態を実現するため、温度上昇とともにトータル磁化が大きくなり、温度上昇した領域において大きな漏洩磁束が発生するように組成調整されており、室温近傍に補償温度を有する垂直磁化膜である。また、非磁性中間層２が、記録磁性層３と再生磁性層１との安定した静磁結合を実現する目的で設けられている。上記したように、この光磁気記録媒体の再生においては、再生磁性層１が垂直磁化状態となる臨界温度以上の温度範囲において、記録磁性層３の磁化情報が、安定して再生磁性層１へと転写され再生されることが望ましい。
【００２１】
図２は、従来よりこの再生磁性層１として用いられているＧｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70の垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²の温度依存性を示す図である。ここで示すＧｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70からなる再生磁性層１の補償温度は２８０℃であり、キュリー温度は３２０℃であった。磁性薄膜が垂直磁化膜となるためには、Ｋｕ＞２πＭｓ²であることが必要となる。従って、図２から、Ｇｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70からなる再生磁性層１は、１１０℃以下の温度範囲において面内磁化状態であり、１１０℃以上の温度範囲において垂直磁化状態であることがわかる。ＧｄＦｅＣｏは垂直磁気異方性定数Ｋｕが小さいため、垂直磁化状態となる温度範囲における反磁界エネルギーを小さく維持する必要がある。従って、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲におけるトータル磁化Ｍｓは必然的に小さくなってしまう。たとえば、図２において再生磁性層１が垂直磁化状態となっている２００℃における、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓは４０ｅｍｕ／ｃｃである。
【００２２】
本発明の超解像光磁気記録媒体は、図１に示すように、記録磁性層３から発生する漏洩磁束と、温度上昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁性層１のトータル磁化とが静磁結合することにより、記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと転写再生されるものであり、温度上昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁性層１のトータル磁化が小さくなると、この静磁結合力が弱くなり、記録磁性層３の磁化情報を、安定して再生磁性層１へと転写することができなくなる。さらに、再生パワーが上昇することにより、再生磁性層１がさらに温度上昇した場合、再生磁性層１の温度が補償温度へと近付き、再生磁性層１のトータル磁化がさらに小さくなり、ますます静磁結合力が弱くなることにより、再生パワーマージンが狭くなってしまうことになる。
【００２３】
次に、図３は、本発明の光磁気記録媒体で用いたＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²の温度依存性を示す図である。ここでは、代表的なＧｄＴｂＦｅＣｏとして、（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.38（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.62からなる再生磁性層１の磁気特性を示している。ＧｄＦｅＣｏ同様に、ＧｄＴｂＦｅＣｏが垂直磁化膜となるためには、Ｋｕ＞２πＭｓ²であることが必要となる。従って、図３から、（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.38（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.62からなる再生磁性層１は、図２の場合と同様に、１１０℃以下の温度範囲において面内磁化状態であり、１１０℃以上の温度範囲において垂直磁化状態であることがわかる。
【００２４】
ＧｄＴｂＦｅＣｏは、垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくすることが可能な希土類金属（Ｔｂ）を含有することにより、ＧｄＦｅＣｏより大きな垂直磁気異方性定数Ｋｕが実現される。そのため、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲におけるトータル磁化Ｍｓが、比較的大きい場合においても、再生磁性層１が垂直磁化状態となることが可能となる。たとえば、図３においてＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となっている２００℃における、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓは１４４ｅｍｕ／ｃｃであり、図２に示すＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓの３．６倍の大きさのトータル磁化Ｍｓを実現することができる。
【００２５】
従って、記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと静磁結合により転写再生される際、温度上昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが十分に大きくなり、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が十分に強くなることにより、記録磁性層３の磁化情報を、安定して再生磁性層１へと転写することができる。さらに、再生パワーが上昇することにより、再生磁性層１がさらに温度上昇した場合においても、再生磁性層１のトータル磁化の減少は比較的小さく、転写再生に必要な静磁結合力を得ることが可能であり、広い再生パワーマージンが得られる。
【００２６】
次に、図４は、本発明の光磁気記録媒体で用いるＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²の温度依存性を示す図である。ここでは、代表的なＧｄＤｙＦｅＣｏとして、（Ｇｄ_0.84Ｄｙ_0.16）_0.33（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.67からなる再生磁性層１の磁気特性を示している。ＧｄＦｅＣｏ同様に、ＧｄＤｙＦｅＣｏが垂直磁化膜となるためには、Ｋｕ＞２πＭｓ²であることが必要となる。従って、図４から、（Ｇｄ_0.84Ｄｙ_0.16）_0.33（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.67からなる再生磁性層１は、１０５℃以下の温度範囲において面内磁化状態であり、１０５℃以上の温度範囲において垂直磁化状態であることがわかる。
【００２７】
ＧｄＤｙＦｅＣｏは、垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくすることが可能な希土類金属（Ｄｙ）を含有することにより、ＧｄＦｅＣｏより大きな垂直磁気異方性定数Ｋｕが実現される。そのため、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲におけるトータル磁化Ｍｓが、比較的大きい場合においても、再生磁性層１が垂直磁化状態となることが可能となる。たとえば、図４においてＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となっている２００℃における、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓは１１３ｅｍｕ／ｃｃであり、図２に示すＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓの２．８倍の大きさのトータル磁化を実現することができる。
【００２８】
従って、記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと静磁結合により転写再生される際、温度上昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁性層１のトータル磁化が十分に大きくなり、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が十分に強くなることにより、記録磁性層３の磁化情報を、安定して再生磁性層１へと転写することができる。さらに、再生パワーが上昇することにより、再生磁性層１がさらに温度上昇した場合においても、再生磁性層１のトータル磁化の減少は比較的小さく、転写再生に必要な静磁結合力を得ることが可能であり、広い再生パワーマージンが得られる。
【００２９】
また、後述（実施例１０）するように、再生磁性層１をＧｄＴｂＣｏで構成した場合にも、同様の効果を得ることができる。
【００３０】
以上のように、本実施の形態の光磁気記録媒体は、再生磁性層１にＴｂ，Ｄｙのいずれかを含有させて、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数と反磁界エネルギーが等しくなる温度におけるトータル磁化を、その温度において垂直磁気異方性定数と反磁界エネルギーが等しくなるＧｄＦｅＣｏ再生磁性層に比して、増大させたものであり、これにより、良好な再生パワーマージンを実現することを可能とする。また、再生磁性層のキュリー温度を高くすることができ、再生磁性層のカー回転角を大きくして再生信号品質を向上させることが可能となる。
【００３１】
（第２の実施の形態）
以下、本発明の第２の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】
まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説明する。図５は第２の実施の形態の光磁気記録媒体の超解像再生動作原理を説明する断面図である。
【００３３】
第２の実施の形態の超解像光磁気記録媒体は、図５に示すように、室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生磁性層１と、上記臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有する面内磁化層５と、非磁性中間層２と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属との合金からなる記録磁性層３とが順次積層された構成である。
【００３４】
超解像再生は、基本的に第１の実施の形態と同様であり、再生磁性層１が垂直磁化状態となった領域のみの記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと静磁結合により転写されることにより実現する。第２の実施の形態においては、再生磁性層１に隣接して、上記臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有する面内磁化層５を積層し、再生磁性層１と面内磁化層５とを交換結合させることにより、面内磁化層５がキュリー温度以下の温度範囲において、再生磁性層１の磁化が強く面内磁化状態に固定される。そのため、再生磁性層１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移がより急峻なものとなり、再生分解能を向上させることができる。
【００３５】
ここで、再生磁性層１自身が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度範囲の磁化の向きを、面内磁化層５の面内磁化との交換結合により、面内磁化状態に固定しておくことにより、面内磁化層５のキュリー温度以上の温度範囲のみにおいて、再生磁性層１を垂直磁化状態とすることが可能となることから、面内磁化層５のキュリー温度は、再生磁性層１自身が面内磁化状態から垂直磁化状態となる温度、すなわち、Ｋｕ＝２πＭｓ²となる温度とほぼ等しい温度に設定するか、または、わずかに高い温度に設定することが望ましい。
【００３６】
ここで、図２に示すＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１を第２の実施の形態の再生磁性層１として用い、面内磁化層のキュリー温度を１４０℃に設定した場合、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１の比較的トータル磁化の大きな温度範囲、すなわち、１００℃〜１４０℃の温度範囲において、面内磁化層５との交換結合により、再生磁性層１の磁化が面内磁化状態に固定されるため、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となっている領域における、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓは、第１の実施の形態に比べてさらに小さくなり、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力がさらに弱くなる。そのため、記録磁性層３の磁化情報を安定して再生磁性層１へと転写することができなくなる。さらに、再生パワーが上昇し、再生磁性層１がさらに温度上昇した場合、再生磁性層１のトータル磁化がさらに小さくなることにより、ますます静磁結合力が弱くなり、再生パワーマージンが狭くなってしまうことになる。
【００３７】
第２の実施の形態においても、第１の実施の形態と同じく、再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲におけるトータル磁化Ｍｓを大きくすることが可能な、図３及び図４に示すＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ、またはＧｄＴｂＣｏを用いることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力を強くし、記録磁性層３の磁化情報を安定して再生磁性層１へと転写することが可能になるとともに、広い再生パワーマージンを得ることが可能となる。
【００３８】
（第３の実施の形態）
以下、本発明の第３の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】
まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説明する。図６は第３の実施の形態の光磁気記録媒体の超解像再生動作原理を説明する断面図である。
【００４０】
第３の実施の形態の超解像光磁気記録媒体は、図６に示すように、室温で面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷移金属との合金からなる再生磁性層１と、上記臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有する第１の面内磁化層６と、上記臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有し、第１の面内磁化層６と磁気的極性の異なる第２の面内磁化層７と、非磁性中間層２と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属との合金からなる記録磁性層３とが順次積層された構成である。
【００４１】
超解像再生は、基本的に第１の実施の形態と同様であり、再生磁性層１が垂直磁化状態となった領域のみの記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと静磁結合により転写されることにより実現する。第３の実施の形態においては、再生磁性層１に隣接して、上記臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有し、磁気的極性が互いに異なる第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７を積層し、再生磁性層１と第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７とを交換結合させることにより、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７がキュリー温度以下の温度範囲において、再生磁性層１の磁化が強く面内磁化状態に固定される。そのため、再生磁性層１における面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移がより急峻なものとなり、再生分解能を向上させることができる。
【００４２】
ここで、単層の面内磁化層５のみ存在する第２の実施の形態と、磁気的極性の異なる第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７とが存在する第３の実施の形態との比較を行なう。
【００４３】
図７（ａ）及び（ｂ）は、単層の面内磁化層８の磁化状態を、図７（ｃ）及び（ｄ）は、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７とが交換結合した場合の磁化状態を示す比較図である。
【００４４】
単層の面内磁化層８の場合、記録磁性層３からの漏洩磁束が存在しない状態（ａ）においては、磁化は完全に面内磁化状態である。ここで、面内磁化層８はＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であり、トータル磁化の向きとＴＭモーメントの向きは平行となっている。次に、漏洩磁束が存在する状態（ｂ）においては、トータル磁化が漏洩磁束と静磁結合することにより、トータル磁化はその向きを漏洩磁束の向きと平行にしようとする力を受け、膜面に対してトータル磁化及びＴＭモーメントの向きが傾いた状態となる。
【００４５】
一方、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成の第１の面内磁化層６とＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化層７とが交換結合している場合、漏洩磁束が存在しない状態（ｃ）においては、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７の磁化は、単層の面内磁化層８の場合と同様に、共に完全に面内磁化状態となっている。ここで、第１の面内磁化層６はＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であり、トータル磁化の向きとＴＭモーメントの向きは平行となっており、第２の面内磁化層７はＲＥ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であり、トータル磁化の向きとＴＭモーメントの向きは反平行となっている。また、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７との間には、交換結合力が働いているため、各層のＴＭモーメントの向きを平行にするように、その磁化の向きが決定される。
【００４６】
次に、漏洩磁束が存在する状態（ｄ）においては、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７のトータル磁化が漏洩磁束と静磁結合することにより、それぞれのトータル磁化の向きが、漏洩磁束の向きと平行になろうとする力を受けることになる。ここで、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７の磁気的極性が異なるため、第１の面内磁化層６のＴＭモーメントは上向きになり、第２の面内磁化層７のＴＭモーメントは下向きとなる。このため、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７との間に界面磁壁が形成されることになり、界面磁壁形成による磁壁エネルギーが蓄積される。この場合、静磁結合によるエネルギーと界面磁壁エネルギーとを合せたトータルエネルギーが極小になるように磁化状態が決定されるため、界面磁壁エネルギーが蓄積されることにより、トータル磁化及びＴＭモーメントの傾きは、単層の面内磁化層８の場合に比べて小さくなる。以上のように、極性の異なる面内磁化層を交換結合させ、界面磁壁を形成することにより、漏洩磁束に対して、面内磁化状態であろうとする力を著しく強くすることができる。
【００４７】
以上のように、より面内磁化状態であろうとする力の強い、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７とが、再生磁性層１に積層されていることにより、第３の実施の形態において、第２の実施の形態と比較して、さらに高い再生分解能を実現することが可能となる。
【００４８】
しかし、第３の実施の形態においても、第２の実施の形態同様に、再生磁性層１自身が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度範囲の磁化の向きを、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の面内磁化との交換結合により、面内磁化状態に固定しておくことにより、比較的トータル磁化Ｍｓの大きな温度範囲、すなわち、１００℃〜１４０℃の温度範囲において、再生磁性層１の磁化が面内磁化状態に固定されるため、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となっている領域における、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓは、第１の実施の形態に比べてさらに小さくなり、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力がさらに弱くなる。そのため、記録磁性層３の磁化情報を、安定して再生磁性層１へと転写することができなくなる。さらに、再生パワーが上昇し、再生磁性層１がさらに温度上昇した場合、再生磁性層１のトータル磁化がさらに小さくなることにより、ますます静磁結合力が弱くなり、再生パワーマージンが狭くなってしまうことになる。
【００４９】
第３の実施の形態においても、第１の実施の形態と同じく、再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲におけるトータル磁化Ｍｓを大きくすることが可能な、図３及び図４に示すＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏまたはＧｄＴｂＣｏを用いることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力を強くし、記録磁性層３の磁化情報を安定して再生磁性層１へと転写することが可能になるとともに、広い再生パワーマージンを得ることが可能となる。
【００５０】
（実施の形態４）
従来より、短波長領域における極カー回転角を大きくし、再生信号品質を向上させることを目的として、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層に、希土類金属であるＮｄを含有させることが試みられている。しかし、Ｎｄの添加量を多くしていくと、キュリー温度が低くなり、極カー回転角が実質的に小さくなるという問題がある。
【００５１】
再生磁性層と記録磁性層とが交換結合しているような光磁気記録媒体においては、再生磁性層の垂直磁気異方性定数Ｋｕが小さく、完全な垂直磁化膜にならないような再生磁性層であっても、記録磁性層との交換結合により再生磁性層を垂直磁化状態とすることが可能であり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが比較的小さいＧｄＮｄＦｅＣｏにおけるＣｏ含有量を相対的に大きくして、Ｎｄ添加によるキュリー温度低下を補償することができる。
【００５２】
しかしながら、本発明のように、再生磁性層１と記録磁性層３とが静磁結合しているような光磁気記録媒体においては、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが小さくなると、温度上昇にともない面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移するという特性を実現することができなくなる。従って、本発明のように、再生磁性層１と記録磁性層３とが静磁結合しているような光磁気記録媒体において、垂直磁気異方性定数Ｋｕが比較的小さいＧｄＦｅＣｏＮｄにおけるＣｏ含有量を相対的に大きくして、Ｎｄ添加によるキュリー温度低下を補償した場合、再生磁性層１を垂直磁化状態とすることが困難となる。
【００５３】
本実施の形態は、上記の問題点を解決すべく、再生磁性層１として、実施の形態１〜３と同様に垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくすることが可能なＴｂまたはＤｙからなる希土類金属を含有させ（ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｄ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｄ、ＧｄＴｂＣｏＮｄ）を使用して、垂直磁気異方性定数が十分に大きくするとともに、Ｃｏ含有率を相対的に大きくして、Ｎｄ添加によるキュリー温度低下を補償し、短波長領域における極カー回転角を大きくし、再生信号品質を向上させることができる。
【００５４】
また、本実施の形態の再生磁性層１は、上述した実施の形態１〜３のいずれの光磁気記録媒体にも使用可能であり、それらと同様の構成により同様の効果を得ることも期待である。
【００５５】
以下、本発明の実施の形態１〜４についての実施例を説明する。
【００５６】
（実施例１）
本発明の実施例１について、図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
【００５７】
図８はこの光磁気ディスクの構成を示す断面図である。この光磁気ディスクは、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、非磁性中間層２、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【００５８】
このような光磁気ディスクでは、その記録方式としてキュリー温度記録方式が用いられ、そして、極カー効果として知られている光磁気効果によって情報が再生されるようになっており、半導体レーザから出射される光ビームが対物レンズにより再生磁性層１に絞り込まれ記録再生が行われる。上記極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向になる現象である。
【００５９】
基板９は、例えばポリカーボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００６０】
透明誘電体層１０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望ましく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好な干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設定される必要があり、再生光の波長をλ，透明誘電体層１０の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層１０の膜厚は（λ／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の波長を６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層１０の膜厚を４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度に設定すれば良い。
【００６１】
再生磁性層１は、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁化状態であり、温度上昇にともない、ある臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となるように組成調整されている。
【００６２】
再生磁性層１の臨界温度は、１００℃以上２００℃以下であることが望ましい。該臨界温度が１００℃より低くなると、僅かな温度上昇により再生磁性層１が垂直磁化状態となり、環境温度の変化に対して、安定した再生特性を得ることができなくなる。また、臨界温度が２００℃より高くなると、臨界温度と記録磁性層３のキュリー温度が近接することにより、再生パワーマージンを確保することが困難となる。
【００６３】
再生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることが望ましい。該再生磁性層１の膜厚が１０ｎｍより薄くなると、該再生磁性層１からの反射光が減少し、再生信号強度が著しく低下するとともに、再生磁性層１を透過した光ビーム４が記録磁性層３の磁化情報を再生することにより、再生分解能の劣化を招くことになる。また該膜厚を８０ｎｍより厚くすると、膜厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【００６４】
非磁性中間層２は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属またはそれらの合金からなり、再生磁性層１と記録磁性層３とが安定して静磁結合すべく、その膜厚が０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下に設定されている。非磁性中間層２の膜厚が０．５ｎｍより薄くなると、非磁性中間層２が連続的に形成されず、安定した静磁結合状態を維持することができなくなる。また、非磁性中間層２の膜厚が６０ｎｍより厚くなると、記録磁性層３と再生磁性層１との距離が離れることにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
【００６５】
記録磁性層３は、室温近傍に補償温度を有する希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、その膜厚が２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定されている。記録磁性層３の膜厚が２０ｎｍより薄くなると、記録磁性層３から発生する漏洩磁束が小さくなることにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。また、記録磁性層３の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、膜厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【００６６】
保護層１１は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ 等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性金属合金からなり、再生磁性層１及び記録磁性層３に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成されるものであり、その膜厚が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されている。
【００６７】
オーバーコート層１２は、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、または、加熱するかによって形成される。
【００６８】
次に、この構成の光磁気ディスクの形成方法及び記録再生特性の具体例を説明する。
【００６９】
（１）光磁気ディスクの形成方法
上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明する。
【００７０】
まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内の基板ホルダーに、０．６μｍ幅のランド記録領域とグルーブ記録領域とがスパイラル状に形成されたランド・グルーブ記録可能なディスク状に形成されたポリカーボネート製の基板９を配置する。そして、スパッタ装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、基板９上にＡｌＮからなる透明誘電体層１０を膜厚６０ｎｍで形成する。
【００７１】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層１０上に、（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.36（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.64からなる再生磁性層１を膜厚４０ｎｍで形成した。その再生磁性層１は、室温において面内磁化状態であり、１１０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、そのキュリー温度が３４０℃であり、補償温度は存在せず、室温からキュリー温度までＲＥ−ｒｉｃｈ組成であった。
【００７２】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記再生磁性層１上にＡｌＮからなる非磁性中間層２を膜厚５ｎｍで形成した。
【００７３】
次に、再度、スパッタ装置内を１×１０^-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ｔｂ_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77からなる記録磁性層３を膜厚５０ｎｍで形成した。その記録磁性層３は、２５℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であった。
【００７４】
次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０^-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録磁性層３上にＡｌＮからなる保護層１１を膜厚２０ｎｍ形成した。
【００７５】
最後に、上記保護層１１上に、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射することによりオーバーコート層１２を形成した。
【００７６】
（２）記録再生特性
上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップを有する評価装置で、線速５ｍ／ｓの条件で、磁界変調記録方式により、マーク長０．３μｍの記録磁区をランド記録領域に形成し、その記録磁区を再生した場合のＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ１）を図９に示す。なお、ここで、０．３μｍのマーク長とは、マーク長に対応する長さ０．３μｍの記録磁区をマーク長の２倍の長さ０．６μｍのピッチで連続形成したものである。
【００７７】
比較例１として、膜厚４０ｎｍのＧｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70からなる再生磁性層１を用いた光磁気ディスクにおけるＣＮＲの再生パワー依存性（ＣＮＲ１１）を同図に示す。
【００７８】
ＣＮＲ１（実施例１）及びＣＮＲ１１（比較例１）ともに、超解像再生が実現することにより、再生パワー上昇とともに再生磁性層１が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移し、それに伴いＣＮＲが大きくなる。ＣＮＲが最大となる再生パワー１．６ｍＷにおいて、ＣＮＲ１１が３５ｄＢであるのに対して、ＣＮＲ１が３７ｄＢであり、実施例１において比較例１よりも２ｄＢ程高いＣＮＲが得られている。これは、再生磁性層１として、比較的大きなトータル磁化を有するＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合がより強くなり、実施例１において、より安定した超解像再生動作が実現したことによるものである。
【００７９】
さらに、再生パワーを上昇させると、ＣＮＲ１１が急激に減少するのに対して、ＣＮＲ１はほとんど変化せず、実施例１において、より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。これは、再生磁性層１として、より高い温度範囲においても比較的大きなトータル磁化を有するＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることにより、再生パワーを上昇させ再生磁性層１の温度がより高くなった領域においても、再生磁性層１と記録磁性層３とが十分な強度で静磁結合し、実施例１においてより安定した超解像再生動作が実現したことによるものである。
【００８０】
（実施例２）
実施例１の光磁気ディスクにおいて、再生磁性層１のみを、膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ_0.84Ｄｙ_0.16）_0.33（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.67に変えて、実施例１と同じ条件で、記録再生特性を調査した。実施例２におけるマーク長０．３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ２）を図１０に示す。実施例１において用いた比較例１の再生パワー依存性を同図に示す。
【００８１】
図１０から、実施例２（ＣＮＲ２）においても、実施例１と同様に、比較例１（ＣＮＲ１１）に対して、より安定した超解像再生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られており、さらに、より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。
【００８２】
以上、実施例１及び実施例２においては、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させること目的として、非磁性中間層２を再生磁性層１と記録磁性層３との間に設けた構成について説明を行なったが、再生磁性層１と記録磁性層３とが少なくとも再生磁性層１の臨界温度近傍において静磁結合していれば良く、非磁性中間層２に限られるものではない。例えば、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等のキュリー温度が極めて低い希土類金属を再生磁性層１と記録磁性層３との間に設けた場合や、再生磁性層１と記録磁性層３との交換結合を断ち切ることが可能な程に強い面内磁気異方性を有するＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を再生磁性層１と記録磁性層３との間に設けた場合においても、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させることが可能であり、この場合も、実施例１及び実施例２と同様な再生特性を得ることができる。
【００８３】
（実施例３）
本発明の実施例３について、図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
【００８４】
図１１はこの光磁気ディスクの構成を示す断面図である。この光磁気ディスクは、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、面内磁化層５、非磁性中間層２、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【００８５】
実施例３においては、実施例１と同様にして、基板９上に、膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０を形成した後、（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.36（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.64からなる再生磁性層１を膜厚２０ｎｍで形成した。その再生磁性層１は、室温において面内磁化状態であり、１１０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、そのキュリー温度が３４０℃であり、補償温度は存在せず、室温からキュリー温度までＲＥ−ｒｉｃｈ組成であった。
【００８６】
再生磁性層１を形成した後、別途準備したＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、上記再生磁性層１上に、Ｇｄ_0.10（Ｆｅ_0.97Ｃｏ_0.03）_0.90からなる面内磁化層５を膜厚２０ｎｍで形成した。その面内磁化層のキュリー温度は１５０℃であり、室温から該キュリー温度まで面内磁化状態であるＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であった。
【００８７】
次に、実施例１と同様にして、膜厚５ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間層２、膜厚５０ｎｍのＴｂ_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコート層１２を形成することにより作製した。
【００８８】
上記光磁気ディスクを、実施例１と同様に、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップを有する評価装置で、線速５ｍ／ｓの条件で、磁界変調記録方式により、マーク長０．３μｍの記録磁区をランド記録領域に形成し、その記録磁区を再生した場合のＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ３）を図１２に示す。
【００８９】
比較例３として、実施例３の媒体構成において、再生磁性層１として、膜厚２０ｎｍのＧｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70を用いた光磁気ディスクにおけるＣＮＲの再生パワー依存性（ＣＮＲ３３）を同図に示す。
【００９０】
実施例３のＣＮＲ３は、面内磁化層５により低温領域における面内磁化マスクが強化され、再生分解能が向上しており、実施例１のＣＮＲ１に比較して、低再生パワーにおけるＣＮＲが小さくなり、２ｍＷの再生パワーにおいて、実施例１よりも高い４１ｄＢのＣＮＲが得られている。
【００９１】
また、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣｏを用いたＣＮＲ３と、再生磁性層１としてＧｄＦｅＣｏを用いたＣＮＲ３３とを比較すると、実施例１の場合と同様に、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合がより強くなり、実施例３において、より安定した超解像再生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られており、さらに、より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。
【００９２】
（実施例４）
実施例３の光磁気ディスクにおいて、再生磁性層１のみを、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.84Ｄｙ_0.16）_0.33（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.67に変えて、実施例３と同じ条件で、記録再生特性を調査した。実施例４におけるマーク長０．３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ４）を図１３に示す。実施例３において用いた比較例３の再生パワー依存性を同図に示す。
【００９３】
図１３から、実施例４においても、実施例３と同様に、比較例３に対してより安定した超解像再生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られており、さらに、より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。
【００９４】
以上、実施例３及び実施例４においては、再生磁性層１及び面内磁化層５と記録磁性層３とを安定して静磁結合させること目的として、非磁性中間層２を面内磁化層５と記録磁性層３との間に設けた構成について説明を行なったが、少なくとも再生磁性層１の臨界温度近傍において再生磁性層１と記録磁性層３とが静磁結合していれば良く、非磁性中間層２に限られるものではない。例えば、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等のキュリー温度が極めて低い希土類金属を面内磁化層５と記録磁性層３との間に設けた場合や、面内磁化層５と記録磁性層３との交換結合を断ち切ることが可能な程に強い面内磁気異方性を有するＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を面内磁化層５と記録磁性層３との間に設けた場合においても、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させることが可能であり、この場合も、実施例３及び実施例４と同様な再生特性を得ることができる。また、面内磁化層５の膜厚をさらに厚くすることによっても、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させることが可能であり、この場合も、実施例３及び実施例４と同様な再生特性を得ることができる。
【００９５】
また、実施例３及び実施例４において、再生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが望ましい。該再生磁性層１の膜厚を薄くすることにより、面内磁化層５からの交換結合の効果が相対的に強くなり、より高い再生分解能を得ることが可能となるが、１０ｎｍより薄くなると、再生磁性層１からの反射光が減少し、再生信号強度が著しく低下してしまう。また、膜厚を６０ｎｍより厚くすると、面内磁化層５からの交換結合の効果が相対的に弱くなり、再生分解能の向上が期待できなくなるとともに、膜厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【００９６】
また、実施例３及び実施例４において、面内磁化層５の膜厚は、５ｎｍ以上であることが望ましい。該面内磁化層５の膜厚が薄くなることにより、面内磁化層５の効果が相対的に弱くなり、該面内磁化層５の膜厚が５ｎｍより薄くなると、再生分解能の向上が期待できなくなる。
【００９７】
また、実施例３及び実施例４において、面内磁化層５と非磁性中間層２とのトータル膜厚が６０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、記録磁性層３と再生磁性層１との距離が離れることにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
【００９８】
（実施例５）
本発明の実施例５について、図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
【００９９】
図１４はこの光磁気ディスクの構成を示す断面図である。この光磁気ディスクは、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、第１の面内磁化層６、第２の面内磁化層７、非磁性中間層２、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２が、この順にて積層されたディスク本体を有している。
【０１００】
実施例５においては、実施例１と同様にして、基板９上に、膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０を形成した後、（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.36（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.64からなる再生磁性層１を膜厚２０ｎｍで形成した。その再生磁性層１は、室温において面内磁化状態であり、１１０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、そのキュリー温度が３４０℃であり、補償温度は存在せず、室温からキュリー温度までＲＥ−ｒｉｃｈ組成であった。
【０１０１】
再生磁性層１を形成した後、別途準備した第１のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、上記再生磁性層１上に、Ｇｄ_0.10（Ｆｅ_0.97Ｃｏ_0.03）_0.90からなる第１の面内磁化層６を膜厚１０ｎｍで形成した。その面内磁化層のキュリー温度は１５０℃であり、室温から該キュリー温度まで面内磁化状態であるＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であった。
【０１０２】
次に、別途準備した第２のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、上記第１の面内磁化層６上に、Ｇｄ_0.48（Ｆｅ_0.95Ｃｏ_0.05）_0.52からなる第２の面内磁化層７を膜厚１０ｎｍで形成した。その面内磁化層のキュリー温度は１５０℃であり、室温からキュリー温度まで面内磁化状態であるＲＥ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であった。
【０１０３】
次に、実施例１と同様にして、膜厚５ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間層２、膜厚５０ｎｍのＴｂ_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコート層１２を形成することにより作製した。
【０１０４】
上記光磁気ディスクを、実施例１と同様に、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップを有する評価装置で、線速５ｍ／ｓの条件で、磁界変調記録方式により、マーク長０．３μｍの記録磁区をランド記録領域に形成し、その記録磁区を再生した場合のＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ５）を図１５に示す。
【０１０５】
比較例５として、実施例５の媒体構成において、膜厚２０ｎｍのＧｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70からなる再生磁性層１を用いた光磁気ディスクにおけるＣＮＲの再生パワー依存性（ＣＮＲ５５）を同図に示す。
【０１０６】
実施例５のＣＮＲ５は、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７により、低温領域における面内磁化マスクが強化され、再生分解能が向上しており、実施例１のＣＮＲ１及び実施例３のＣＮＲ３に比較して、低再生パワーにおけるＣＮＲが小さくなり、２ｍＷの再生パワーにおいて、実施例１及び実施例３よりも高い４２ｄＢのＣＮＲが得られている。
【０１０７】
また、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣｏを用いたＣＮＲ５と、再生磁性層１としてＧｄＦｅＣｏを用いたＣＮＲ５５とを比較すると、実施例１及び実施例３の場合と同様に、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合がより強くなっている実施例５において、より安定した超解像再生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られるとともに、より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。
【０１０８】
（実施例６）
実施例５の光磁気ディスクにおいて、再生磁性層１のみを、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.84Ｄｙ_0.16）_0.33（Ｆｅ_0.50Ｃｏ_0.50）_0.67に変えて、実施例５と同じ条件で、記録再生特性を調査した。実施例６におけるマーク長０．３μｍでのＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ６）を図１６に示す。実施例５において用いた比較例５の再生パワー依存性を同図に示す。
【０１０９】
図１６から、実施例６においても、実施例５と同様に、比較例５に対して、より安定した超解像再生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られるとともに、より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。
【０１１０】
以上、実施例５及び実施例６においては、再生磁性層１及び第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７と記録磁性層３とを安定して静磁結合させること目的として、非磁性中間層２を第２の面内磁化層７と記録磁性層３との間に設けた構成について説明を行なったが、再生磁性層１と記録磁性層３とが静磁結合していれば良く、非磁性中間層２に限られるものではない。例えば、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等のキュリー温度が極めて低い希土類金属を第２の面内磁化層７と記録磁性層３との間に設けた場合や、第２の面内磁化層７と記録磁性層３との交換結合を断ち切ることが可能な程に強い面内磁気異方性を有するＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を第２の面内磁化層７と記録磁性層３との間に設けた場合においても、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させることが可能であり、この場合も、実施例５及び実施例６と同様な再生特性を得ることができる。
【０１１１】
また、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の膜厚をさらに厚くすることによっても、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させることが可能であり、この場合も、実施例５及び実施例６と同様な再生特性を得ることができる。
【０１１２】
また、実施例５及び実施例６において、再生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることが望ましい。該再生磁性層１の膜厚を薄くすることにより、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７からの交換結合による効果が相対的に強くなり、より高い再生分解能を得ることが可能となるが、１０ｎｍより薄くなると、該再生磁性層１からの反射光が減少し、再生信号強度が著しく低下してしまう。また該膜厚を６０ｎｍより厚くすると、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７からの交換結合による効果が相対的に弱くなり、再生分解能の向上が期待できなくなるとともに、膜厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【０１１３】
また、実施例５及び実施例６において、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の膜厚は、それぞれ、５ｎｍ以上であることが望ましい。第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の膜厚が薄くなることにより、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の効果が相対的に弱くなり、再生分解能の向上が期待できなくなる。
【０１１４】
また、実施例５及び実施例６において、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７と非磁性中間層２とのトータル膜厚が６０ｎｍ以下に設定されていることが望ましい。トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、記録磁性層３と再生磁性層１との距離が離れることにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
【０１１５】
（実施例７）
本発明の実施例７について図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
【０１１６】
実施例７の光磁気ディスクは、図１７に示すように、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、透明誘電体からなる非磁性中間層１３、反射層１４、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２がこの順にて順次積層された構成を有している。
【０１１７】
実施例７の光磁気ディスクは、実施例１において、非磁性中間層２を透明誘電体からなる非磁性中間層１３とし、更に反射層１４を設けることにより、多層膜構造において発生する干渉効果を利用したカー回転角の増大を図ることが可能となる。さらに、反射層１４において光ビーム４が反射されることにより、記録磁性層３からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写された情報のみを再生することが可能となり、超解像再生特性を改善することが可能となる。
【０１１８】
実施例７の光磁気ディスクとして、実施例１に記載の光磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板９上にＡｌＮからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０、膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.36（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.64からなる再生磁性層１、膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなる光ビーム４に対して透明な非磁性中間層１３、膜厚１０ｎｍのＡｌ_0.8Ｔｉ_0.2からなる反射層１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコート層１２を順次形成した。
【０１１９】
実施例１と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲを測定した結果、実施例１の場合、再生パワー１．６ｍＷにおいて、３７ｄＢのＣＮＲが得られたのに対して、実施例７の場合、再生パワー２．０ｍＷにおいて、３８ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例１よりも良好な超解像再生特性が得られることが確認された。また、実施例７においても、実施例１と同様に広い再生パワーマージンが得られた。
【０１２０】
実施例７において、透明誘電体からなる非磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の非磁性誘電体を用いることが可能であり、反射層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、または、それらの非磁性金属からなる合金を用いることが可能である。
【０１２１】
また、良好な干渉効果を得るためには、透明誘電体層１０の膜厚を実施例１と同じく、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１の膜厚を５０ｎｍ以下とすることが望ましい。該膜厚が５０ｎｍより厚くなると、再生磁性層１を透過する光量が少なくなり、干渉効果によりカー回転角を増大させることが困難となる。
【０１２２】
また、カー回転角を効果的に増大させるためには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１２３】
また、反射層１４により、記録磁性層５からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写された情報のみを再生するためには、該反射層１４の膜厚を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１２４】
また、透明誘電体からなる非磁性中間層１３と反射層１４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎることにより、両者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行なうことができなくなる。
【０１２５】
実施例７においては、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣｏを用いた場合について説明を行なったが、再生磁性層１としてＧｄＤｙＦｅＣｏ用いた場合においても実施例７と同様な再生特性を得ることが可能である。
【０１２６】
（実施例８）
本発明の実施例８について図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
【０１２７】
実施例８の光磁気ディスクは、図１８に示すように、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、面内磁化層５、透明誘電体からなる非磁性中間層１３、反射層１４、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２がこの順にて順次積層された構成を有している。
【０１２８】
実施例８の光磁気ディスクは、実施例３において、非磁性中間層２を透明誘電体からなる非磁性中間層１３とし、更に反射層１４を設けることにより、多層膜構造において発生する干渉効果を利用したカー回転角の増大を図ることが可能となる。さらに、反射層１４において光ビーム４が反射されることにより、記録磁性層３からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写された情報のみを再生することが可能となり、超解像再生特性を改善することが可能となる。
【０１２９】
実施例８の光磁気ディスクとして、実施例３に記載の光磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板９上にＡｌＮからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.38（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.62からなる再生磁性層１、膜厚２０ｎｍのＧｄ_0.10（Ｆｅ_0.97Ｃｏ_0.03）_0.90からなる面内磁化層５、膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなる光ビーム４に対して透明な非磁性中間層１３、膜厚１０ｎｍのＡｌ_0.8Ｔｉ_0.2からなる反射層１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコート層１２を順次形成した。
【０１３０】
実施例３と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲを測定した結果、実施例３の場合、再生パワー２．０ｍＷにおいて、４１ｄＢのＣＮＲが得られたのに対して、実施例８の場合、再生パワー２．４ｍＷにおいて、４２ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例３よりも良好な超解像再生特性が得られることが確認された。また、実施例８においても、実施例３と同様に広い再生パワーマージンが得られた。
【０１３１】
実施例８において、透明誘電体からなる非磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の非磁性誘電体を用いることが可能であり、反射層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、または、それらの非磁性金属からなる合金を用いることが可能である。
【０１３２】
また、良好な干渉効果を得るためには、透明誘電体層１０の膜厚を実施例３と同じく、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１と面内磁化層５とのトータル膜厚を５０ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が５０ｎｍより厚くなると、再生磁性層１を透過する光量が少なくなり、干渉効果によりカー回転角を増大させることが困難となる。
【０１３３】
また、カー回転角を効果的に増大させるためには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１３４】
また、反射層１４により、記録磁性層５からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写された情報のみを再生するためには、該反射層１４の膜厚を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１３５】
また、面内磁化層５と透明誘電体からなる非磁性中間層１３と反射層１４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎることにより、両者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行なうことができなくなる。
【０１３６】
実施例８においては、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣｏを用いた場合について説明を行なったが、再生磁性層１としてＧｄＤｙＦｅＣｏ用いた場合においても実施例８と同様な再生特性を得ることが可能である。
【０１３７】
（実施例９）
本発明の実施例９について図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明する。
【０１３８】
実施例９の光磁気ディスクは、図１９に示すように、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、第１の面内磁化層６、第２の面内磁化層７、透明誘電体からなる非磁性中間層１３、反射層１４、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２がこの順にて順次積層された構成を有している。
【０１３９】
実施例９の光磁気ディスクは、実施例５において、非磁性中間層２を透明誘電体からなる非磁性中間層１３とし、更に反射層１４を設けることにより、多層膜構造において発生する干渉効果を利用したカー回転角の増大を図ることが可能となる。さらに、反射層１４において光ビーム４が反射されることにより、記録磁性層３からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写された情報のみを再生することが可能となり、超解像再生特性を改善することが可能となる。
【０１４０】
実施例９の光磁気ディスクとして、実施例５に記載の光磁気ディスクの形成方法と同様にして、基板９上にＡｌＮからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ_0.90Ｔｂ_0.10）_0.36（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.64からなる再生磁性層１、膜厚１０ｎｍのＧｄ_0.10（Ｆｅ_0.97Ｃｏ_0.03）_0.90からなる第１の面内磁化層６、膜厚１０ｎｍのＧｄ_0.48（Ｆｅ_0.95Ｃｏ_0.05）_0.52からなる第２の面内磁化層７、膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなる光ビーム４に対して透明な非磁性中間層１３、膜厚１０ｎｍのＡｌ_0.8Ｔｉ_0.2からなる反射層１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ_0.23（Ｆｅ_0.80Ｃｏ_0.20）_0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコート層１２を順次形成した。
【０１４１】
実施例５と同様にして、マーク長０．３μｍにおけるＣＮＲを測定した結果、実施例５の場合、再生パワー２．０ｍＷにおいて、４２ｄＢのＣＮＲが得られたのに対して、実施例９の場合、再生パワー２．４ｍＷにおいて、４２．５ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例５よりも良好な超解像再生特性が得られることが確認された。また、実施例９においても、実施例５と同様に広い再生パワーマージンが得られた。
【０１４２】
実施例９において、透明誘電体からなる非磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ₂Ｏ₃等の非磁性誘電体を用いることが可能であり、反射層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、または、それらの非磁性金属からなる合金を用いることが可能である。
【０１４３】
また、良好な干渉効果を得るためには、透明誘電体層１０の膜厚を実施例５と同じく、４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１と第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７とのトータル膜厚を５０ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が５０ｎｍより厚くなると、再生磁性層１を透過する光量が少なくなり、干渉効果によりカー回転角を増大させることが困難となる。
【０１４４】
また、カー回転角を効果的に増大させるためには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１４５】
また、反射層１４により、記録磁性層５からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写された情報のみを再生するためには、該反射層１４の膜厚を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１４６】
また、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７と透明誘電体からなる非磁性中間層１３と反射層１４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎることにより、両者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行なうことができなくなる。
【０１４７】
実施例９においては、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣｏを用いた場合について説明を行なったが、再生磁性層１としてＧｄＤｙＦｅＣｏ用いた場合においても実施例９と同様な再生特性を得ることが可能である。
【０１４８】
（実施例１０）
本実施例においては、実施例３に記載した媒体構成のＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１の組成を変えて、再生磁性層１の磁気特性及び記録再生特性を調査した結果を示す。
【０１４９】
再生磁性層１を（Ｇｄ_1-XＴｂ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zとして、再生磁性層１のキュリー温度、及び、実施例３と同様な記録再生を行なった際のＣＮＲを表１及び表２に示す。
【０１５０】
【表１】

【０１５１】
【表２】

表１及び表２において、Ｘ，Ｙ，Ｚは、それぞれ、再生磁性層１の組成を、Ｔｃは再生磁性層１のキュリー温度を、ＣＮＲ（２．０）は再生パワー２．０ｍＷにおけるＣＮＲを、ＣＮＲ（２．５）は再生パワー２．５ｍＷにおけるＣＮＲを、Ｍｓは、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²が等しくなる温度におけるトータル磁化Ｍｓを表している。また、（１−０）の光磁気ディスク及び（２−０）の光磁気ディスクは、比較例３に示すＧｄＦｅＣｏを再生磁性層１として用いた場合の結果を示すものである。また、表１及び表２において、Ｚの値は、再生磁性層１が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度が、およそ１１０℃程度になるように組成調整して決められたものである。
【０１５２】
まず、表１について説明する。表１では、Ｘの値を変化させている。Ｘ＝０．００５である（１−１）の光磁気ディスクは、Ｔｂ含有率が小さすぎるために、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという目的が達成されず、（１−０）の光磁気ディスクと同程度のＣＮＲしか得られなかった。
【０１５３】
Ｘ＝０．０１０である（１−２）の光磁気ディスクは、Ｔｂ含有率が大きくなることにより、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるとともに、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が強くなり、安定した転写再生が行われることにより、（１−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．０）が得られる。特に、ＣＮＲ（２．５）が（１−０）の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１５４】
さらに、Ｔｂ含有率を大きくした場合、Ｘ＝０．２００である（１−７）の光磁気ディスクまでは、（１−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．０）及びＣＮＲ（２．５）が得られていることがわかる。
【０１５５】
さらに、Ｔｂ含有率を大きくした、Ｘ＝０．２４０である（１−８）の光磁気ディスクにおけるＣＮＲ（２．０）は、（１−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも大幅に低くなってしまった。これは、Ｔｂ含有率が大きくなりことにより、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなりすぎ、再生磁性層１において安定した面内磁化状態を形成することができなかったことによるものである。
【０１５６】
表１より、（Ｇｄ_1-XＴｂ_X）Ｚ（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zからなる再生磁性層１においては、０．０１≦Ｘ≦０．２０、及び、０．３１≦Ｚ≦０．４１が望ましいことがわかる。この範囲は、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²が等しくなる温度におけるトータル磁化Ｍｓでいうと、Ｍｓが１２６ｅｍｕ／ｃｃ以上（表１では２２５ｅｍｕ／ｃｃ以下）となる範囲である。
【０１５７】
次に、表２について説明する。表２はＹの値を変化させている。Ｙ＝０．２５である（２−１）の光磁気ディスクは、Ｃｏ含有率が小さすぎるとともに、希土類金属の含有率（Ｚ）が大きくなってしまうため、再生磁性層１のキュリー温度が極めて低くなり、再生磁性層１の極カー回転角が小さくなることにより、再生信号強度が低下し、（２−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも低いＣＮＲ（２．０）しか得られなかった。
【０１５８】
Ｙ＝０．３０である（２−２）の光磁気ディスクは、Ｃｏ含有率が大きくなることにより、再生磁性層１のキュリー温度が高くなり、再生磁性層１の極カー回転角が大きくなることにより、再生信号強度が低下しなくなる。同時に、Ｔｂを含有していることにより、垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるとともに、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が強くなり、安定した転写再生が行われることになる。そのため、（２−２）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）は、（２−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも高くなっている。特に、ＣＮＲ（２．５）が（２−０）の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１５９】
さらに、Ｃｏ含有率を大きくした場合、Ｃｏ含有率の上昇とともに再生磁性層１のキュリー温度が上昇し、Ｙ＝１．００である（２−７）の光磁気ディスクにおいても良好なＣＮＲ（２．０）及びＣＮＲ（２．５）が得られていることがわかる。
【０１６０】
表２より、（Ｇｄ_1-XＴｂ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zからなる再生磁性層１においては、０．３０≦Ｙ≦１．００が望ましいことがわかる。
【０１６１】
（実施例１１）
本実施例においては、実施例４に記載した媒体構成のＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１の組成を変えて、再生磁性層１の磁気特性及び記録再生特性を調査する。
【０１６２】
再生磁性層１を（Ｇｄ_1-XＤｙ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zとして、再生磁性層１のキュリー温度、及び、実施例３と同様な記録再生を行なった際のＣＮＲを表３及び表４に示す。
【０１６３】
【表３】

【０１６４】
【表４】

表３及び表４において、Ｘ，Ｙ，Ｚは、それぞれ、再生磁性層１の組成を、Ｔｃは再生磁性層１のキュリー温度を、ＣＮＲ（２．０）は再生パワー２．０ｍＷにおけるＣＮＲを、ＣＮＲ（２．５）は再生パワー２．５ｍＷにおけるＣＮＲを表している。また、（３−０）の光磁気ディスク及び（４−０）の光磁気ディスクは、比較例３に示すＧｄＦｅＣｏを再生磁性層１として用いた場合の結果を示すものである。また、表３及び表４において、Ｚの値は、再生磁性層１が面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度が、およそ１１０℃程度になるように組成調整して決められたものである。
【０１６５】
まず、表３について説明する。表３は、Ｘの値を変化させている。Ｘ＝０．０１である（３−１）の光磁気ディスクは、Ｄｙ含有率が小さすぎるために、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくするという目的が達成されず、（３−０）の光磁気ディスクと同程度のＣＮＲしか得られなかった。
【０１６６】
Ｘ＝０．０２である（３−２）の光磁気ディスクは、Ｄｙ含有率が大きくなることにより、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるとともに、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が強くなり、安定した転写再生が行われることにより、（３−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．０）が得られる。特に、ＣＮＲ（２．５）が（３−０）の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１６７】
さらに、Ｄｙ含有率を大きくした場合、Ｘ＝０．３５である（３−７）の光磁気ディスクまでは、（３−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．０）及びＣＮＲ（２．５）が得られていることがわかる。
【０１６８】
さらに、Ｔｂ含有率を大きくした、Ｘ＝０．４０である（３−８）の光磁気ディスクにおけるＣＮＲ（２．０）は、（３−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも大幅に低くなってしまった。これは、Ｄｙ含有率が大きくなりことにより、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなりすぎ、再生磁性層１において安定した面内磁化状態を形成することができなかったことによるものである。
【０１６９】
表３より、（Ｇｄ_1-XＤｙ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zからなる再生磁性層１においては、０．０２≦Ｘ≦０．３５、及び、０．２９≦Ｚ≦０．４０が望ましいことがわかる。この範囲は、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²が等しくなる温度におけるトータル磁化Ｍｓでいうと、Ｍｓが１２５ｅｍｕ／ｃｃ以上（表３では２０３ｅｍｕ／ｃｃ以下）となる範囲である。
【０１７０】
次に、表４について説明する。Ｙ＝０．３０である（４−１）の光磁気ディスクは、Ｃｏ含有率が小さすぎるとともに、希土類金属の含有率（Ｚ）が大きくなってしまうため、再生磁性層１のキュリー温度が極めて低くなり、再生磁性層１の極カー回転角が小さくなることにより、再生信号強度が低下し、（４−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも低いＣＮＲ（２．０）しか得られなかった。
【０１７１】
Ｙ＝０．３５である（４−２）の光磁気ディスクは、Ｃｏ含有率が大きくなることにより、再生磁性層１のキュリー温度が高くなり、再生磁性層１の極カー回転角が大きくなることにより、再生信号強度が低下しなくなる。同時に、Ｄｙを含有していることにより、垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるとともに、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなることにより、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が強くなり、安定した転写再生が行われることになる。そのため、（４−２）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）は、（４−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも高くなっている。特に、ＣＮＲ（２．５）が（４−０）の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１７２】
さらに、Ｃｏ含有率を大きくした場合、Ｃｏ含有率の上昇とともに再生磁性層１のキュリー温度が上昇し、Ｙ＝０．７０である（４−６）の光磁気ディスクにおいても良好なＣＮＲ（２．０）及びＣＮＲ（２．５）が得られていることがわかる。しかし、それ以上Ｃｏ含有率を大きくして、Ｙ＝０．８０とした（４−７）の光磁気ディスクにおいては、再生磁性層１を垂直磁化状態とすることができず、極めて低いＣＮＲしか得られなかった。
【０１７３】
表４より、（Ｇｄ_1-XＤｙ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zからなる再生磁性層１においては、０．３５≦Ｙ≦０．７０が望ましいことがわかる。
【０１７４】
以上示した実施例１０及び実施例１１の結果から、（Ｇｄ_1-XＴｂ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zでは、
０．０１≦Ｘ≦０．２０
０．３０≦Ｙ≦１．００
０．３１≦Ｚ≦０．４１
が望ましく、
（Ｇｄ_1-XＤｙ_X）_Z（Ｆｅ_1-YＣｏ_Y）_1-Zでは、
０．０２≦Ｘ≦０．３５
０．３５≦Ｙ≦０．７０
０．２９≦Ｚ≦０．４０
が望ましいと言える。
【０１７５】
また、以上の結果から、再生磁性層１としては、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²が等しくなる温度におけるトータル磁化Ｍｓが１２６ｅｍｕ／ｃｃ程度以上となるものが良いと言える。
【０１７６】
なお、実施例１０及び実施例１１においては、実施例３及び実施例４に記載の図１１に示す媒体構成を用いて、ＧｄＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＤｙＦｅＣｏの使用可能な組成範囲を決めたが、同様な再生原理に基づき超解像再生が行われる図８・図１４・図１７・図１８・図１９に示す媒体構成の光磁気ディスクにおいても、同じ組成範囲のＧｄＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＤｙＦｅＣｏ並びにＧｄＴｂＣｏを使用することが可能である。
【０１７７】
（実施例１２）
本実施例では、Ｎｄを含むことにより、短波長領域における極カー回転角を増大させた光磁気ディスクについて説明する。
【０１７８】
表５は、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＮｄ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｄ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｄ、及び、ＧｄＴｂＣｏＮｄからなる再生磁性層１において、面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐ、キュリー温度Ｔｃ、波長６８０ｎｍ・測定温度１２０℃における極カー回転角θｋ（６８０）、波長４００ｎｍ・測定温度１２０℃における極カー回転角θｋ（４００）を調べた結果を示すものである。ここで、θｋ（６８０）及びθｋ（４００）は、室温において磁界を印加し、再生磁性層の磁化を垂直磁化状態に飽和させた時の極カー回転角を示している。
【０１７９】
【表５】

Ｇｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.70からなる再生磁性層は、１１０°で面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移し、キュリー温度Ｔｃが３２０℃であり、測定波長６８０ｎｍでの極カー回転角θｋ（６８０）が０．３９°であったが、測定波長が４００ｎｍと短くなることにより、極カー回転角θｋ（４００）は０．３１°となり、短波長化によりカー回転角が大幅に減少してしまう。
【０１８０】
次に、ＮｄをＧｄＦｅＣｏに添加したＧｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.50Ｎｄ_0.20からなる再生磁性層は、上記ＧｄＦｅＣｏと同様に１２０°で面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移したが、Ｎｄが添加されたことにより、キュリー温度Ｔｃが２００℃と大幅に低くなってしまった。そのため、θｋ（６８０）が０．３０°であり、θｋ（４００）が０．２８°であった。このように、Ｇｄ_0.30（Ｆｅ_0.70Ｃｏ_0.30）_0.50Ｎｄ_0.20においては、短波長化によるカー回転角の減少は抑制されたが、キュリー温度が低下にともなう極カー回転角の減少が著しく、再生信号強度の低下を招くことになる。
【０１８１】
次に、Ｇｄ_0.30（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.50Ｎｄ_0.20は、ＧｄＦｅＣｏＮｄのＣｏ含有率を大きくして、キュリー温度を上昇させることにより、θｋ（６８０）及びθｋ（４００）を増加させた再生磁性層である。この再生磁性層のθｋ（６８０）及びθｋ（４００）は、それぞれ、磁界を印加して膜面垂直方向に磁化を飽和させた時の極カー回転角を示している。Ｇｄ_0.30（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.50Ｎｄ_0.20の場合、θｋ（６８０）が０．４２°、θｋ（４００）が０．４０°となり、短波長化によるカー回転角の減少は抑制されるとともに、キュリー温度が３４０℃と高くなることにより、大きな極カー回転角が得られている。しかし、Ｃｏ添加量が多くなることにより、磁化が大きくなるとともに、垂直磁気異方性定数が小さくなるため、いかなる温度範囲においても面内磁化状態となり、垂直磁化状態を実現することができなくなる。そのため、温度上昇にともない面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移することにより実現される本発明の超解像再生を実現することができなくなる。
【０１８２】
本実施例は、上記Ｇｄ_0.30（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.50Ｎｄ_0.20に、ＴｂまたはＤｙを含有させることにより、垂直磁気異方性定数を大きくし、Ｃｏ添加量を多くしてキュリー温度を高くした場合においても、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移を可能とし、本発明の超解像再生を実現するものである。
【０１８３】
（Ｇｄ_0.80Ｔｂ_0.20）_0.30（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.50Ｎｄ_0.20の場合、面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐが１１０℃、キュリー温度が３２０℃となり、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が実現し、本発明の超解像再生が可能となった。また、θｋ（６８０）が０．４１°、θｋ（４００）が０．３８°となり、短波長化によるカー回転角の減少は抑制されるとともに、高いキュリー温度に起因する大きな極カー回転角が得られた。
【０１８４】
また、（Ｇｄ_0.72Ｄｙ_0.28）_0.30（Ｆｅ_0.40Ｃｏ_0.60）_0.50Ｎｄ_0.20の場合においても、面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐが１１０℃、キュリー温度が３００℃となり、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が実現し、本発明の超解像再生が可能となった。また、θｋ（６８０）が０．３９°、θｋ（４００）が０．３７°となり、短波長化によるカー回転角の減少は抑制されるとともに、高いキュリー温度に起因する大きな極カー回転角が得られた。
【０１８５】
また、（Ｇｄ_0.72Ｔｂ_0.28）_0.30Ｃｏ_0.50Ｎｄ_0.20の場合においても、面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐが１１０℃、キュリー温度が３００℃となり、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移が実現し、本発明の超解像再生が可能となった。また、θｋ（６８０）が０．４０°、θｋ（４００）が０．３７°となり、短波長化によるカー回転角の減少は抑制されるとともに、高いキュリー温度に起因する大きな極カー回転角が得られた。
【０１８６】
以上、実施の形態１〜４及び実施例１〜１２において本発明について説明したが、本願発明はその主旨において様々な変形が可能である。
【０１８７】
実施の形態１〜３、実施例１〜１１においては、ＧｄＦｅＣｏにＴｂまたはＤｙを含有させた再生磁性層１またはＧｄＴｂＣｏからなる再生磁性層１を用いているが、この再生磁性層１は、上述のような元素を含有させることで、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ²が等しくなる温度において、その温度が略同一のＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏのみを成分とする再生磁性層に比して、トータルＭｓを向上させたものであれば良い。この主旨によれば、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ（またはＧｄ，Ｃｏ）にＴｂとＤｙの両方を含有させた再生磁性層であっても良いし、例えばＰｒ等の軽希土類金属を含有させたものであっても良い。
【０１８８】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、再生磁性層と記録磁性層との静磁結合力が大きくなり、より小さい記録磁区を上記再生磁性層へと転写し安定して再生することができ、再生パワーマージンを広くすることが可能となる。
【０１８９】
また、再生磁性層のキュリー温度を高くすることができ、再生磁性層のカー回転角を大きくして再生信号品質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の光磁気記録媒体の再生原理を説明する断面図である。
【図２】従来の再生磁性層の磁気特性である。
【図３】ＧｄＴｂＦｅＣｏ再生磁性層の磁気特性である。
【図４】ＧｄＤｙＦｅＣｏ再生磁性層の磁気特性である。
【図５】実施の形態２の光磁気記録媒体の再生原理を説明する断面図である。
【図６】実施の形態３の光磁気記録媒体の再生原理を説明する断面図である。
【図７】実施の形態３の光磁気記録媒体の再生原理を説明する断面図である。
【図８】実施例１の光磁気ディスクの構成を示す断面図である。
【図９】実施例１の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パワー依存性である。
【図１０】実施例２の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パワー依存性である。
【図１１】実施例３の光磁気ディスクの構成を示す断面図である。
【図１２】実施例３の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パワー依存性である。
【図１３】実施例４のＣＮＲの再生パワー依存性である。
【図１４】実施例５の光磁気ディスクの構成を示す断面図である。
【図１５】実施例５の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パワー依存性である。
【図１６】実施例６の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パワー依存性である。
【図１７】実施例７の光磁気ディスクの構成を示す断面図である。
【図１８】実施例８の光磁気ディスクの構成を示す断面図である。
【図１９】実施例９の光磁気ディスクの構成を示す断面図である。
【符号の説明】
１ 再生磁性層
２ 非磁性中間層
３ 記録磁性層
４ 光ビーム
５ 面内磁化層
６ 第１の面内磁化層
７ 第２の面内磁化層
８ 面内磁化層
９ 基板
１０ 透明誘電体層
１１ 保護層
１２ オーバーコート層
１３ 透明誘電体からなる非磁性中間層
１４ 反射層

Claims (5)

1. 室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、
   前記再生磁性層は、（Ｇｄ _1-X Ｔｂ _X ） _Z （Ｆｅ _1-Y Ｃｏ _Y ） _1-Z からなり、
   ０．０１≦Ｘ≦０．２０
   ０．３０≦Ｙ≦１．００
   ０．３１≦Ｚ≦０．４１
   なる条件式を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。
2. 室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、垂直磁化膜からなる記録磁性層と少なくともを有し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、
   前記再生磁性層は、（Ｇｄ _1-X Ｄｙ _X ） _Z （Ｆｅ _1-Y Ｃｏ _Y ） _1-Z からなり、
   ０．０２≦Ｘ≦０．３５
   ０．３５≦Ｙ≦０．７０
   ０．２９≦Ｚ≦０．４０
   なる条件式を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。
3. 請求項１または請求項２に記載の光磁気記録媒体において、
   前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、非磁性中間層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体において、
   前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、キュリー温度が前記臨界温度近傍以下の磁性中間層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光磁気記録媒体において、
   前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、キュリー温度が前記臨界温度近傍の面内磁化層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。

Images