JPH07244876A - 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法Info
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- JPH07244876A JPH07244876A JP6031073A JP3107394A JPH07244876A JP H07244876 A JPH07244876 A JP H07244876A JP 6031073 A JP6031073 A JP 6031073A JP 3107394 A JP3107394 A JP 3107394A JP H07244876 A JPH07244876 A JP H07244876A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 室温において面内磁化状態であり温度上昇に
伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温において垂
直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒体にお
いて、面内磁化成分を有する中間層が読み出し層の状態
変化を急峻にすべく形成されていることを特徴とする光
磁気記録媒体。 【効果】 本発明の構成によれば、読み出し層の状態変
化が急峻になることにより、さらなる高密度化が実現
し、読み出し層と記録層の交換結合状態を制御すること
により、記録特性の改善が実現する。
伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温において垂
直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒体にお
いて、面内磁化成分を有する中間層が読み出し層の状態
変化を急峻にすべく形成されていることを特徴とする光
磁気記録媒体。 【効果】 本発明の構成によれば、読み出し層の状態変
化が急峻になることにより、さらなる高密度化が実現
し、読み出し層と記録層の交換結合状態を制御すること
により、記録特性の改善が実現する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体と、その記録方法、読み出し方法に関
するものである。
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体と、その記録方法、読み出し方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】書き換え可能な光ディスクメモリとし
て、光磁気ディスクメモリが実用化されているが、従来
の光磁気ディスクメモリの欠点として、集光された半導
体レーザのビーム径に比べて記録ビット径及び記録ビッ
ト間隔が小さくなってくると、再生特性が劣化してくる
という問題がある。これは、集光されたレーザビームの
なかに隣接する記録ビットが入ってくるため、一つ一つ
の記録ビットを分離して再生することができなくなって
しまうためである。このような欠点を解消すべく、室温
では面内磁化膜であり、温度上昇にともない垂直磁化膜
となる読み出し層と垂直磁化膜である記録層とを有する
２層構造の光磁気記録媒体を使用して、レーザビーム径
より小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを分
離して再生する方法が特開平５−８１７１７号公報にお
いて提案されている。
て、光磁気ディスクメモリが実用化されているが、従来
の光磁気ディスクメモリの欠点として、集光された半導
体レーザのビーム径に比べて記録ビット径及び記録ビッ
ト間隔が小さくなってくると、再生特性が劣化してくる
という問題がある。これは、集光されたレーザビームの
なかに隣接する記録ビットが入ってくるため、一つ一つ
の記録ビットを分離して再生することができなくなって
しまうためである。このような欠点を解消すべく、室温
では面内磁化膜であり、温度上昇にともない垂直磁化膜
となる読み出し層と垂直磁化膜である記録層とを有する
２層構造の光磁気記録媒体を使用して、レーザビーム径
より小さい記録ビットでも、一つ一つの記録ビットを分
離して再生する方法が特開平５−８１７１７号公報にお
いて提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】特開平５−８１７１７
号公報において、レーザビーム径より小さい記録ビット
でも、一つ一つの記録ビットを分離して再生することが
可能となったが、記録媒体としてさらなる高密度化と記
録特性の改善が望まれている。
号公報において、レーザビーム径より小さい記録ビット
でも、一つ一つの記録ビットを分離して再生することが
可能となったが、記録媒体としてさらなる高密度化と記
録特性の改善が望まれている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の構成の光
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するため、室温にお
いて面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態と
なる読み出し層と、室温において垂直磁化状態である記
録層とからなる光磁気記録媒体において、面内磁化成分
を有する中間層が読み出し層の状態変化を急峻にすべく
形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体であ
り、本発明の第２の構成の光磁気記録媒体は、該光磁気
記録媒体において、面内磁化成分を有する中間層が記録
層のキュリー温度より低いキュリー温度を有することを
特徴とし、本発明の第３の構成の光磁気記録媒体は、該
光磁気記録媒体において、読み出し層の補償点と記録層
のキュリー点の温度差が１２０℃以下であり、かつ、面
内磁化成分を有する中間層が記録層のキュリー温度より
低いキュリー温度を有することを特徴とするものであ
る。
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するため、室温にお
いて面内磁化状態であり温度上昇に伴い垂直磁化状態と
なる読み出し層と、室温において垂直磁化状態である記
録層とからなる光磁気記録媒体において、面内磁化成分
を有する中間層が読み出し層の状態変化を急峻にすべく
形成されていることを特徴とする光磁気記録媒体であ
り、本発明の第２の構成の光磁気記録媒体は、該光磁気
記録媒体において、面内磁化成分を有する中間層が記録
層のキュリー温度より低いキュリー温度を有することを
特徴とし、本発明の第３の構成の光磁気記録媒体は、該
光磁気記録媒体において、読み出し層の補償点と記録層
のキュリー点の温度差が１２０℃以下であり、かつ、面
内磁化成分を有する中間層が記録層のキュリー温度より
低いキュリー温度を有することを特徴とするものであ
る。
【０００５】さらに、該光磁気記録媒体において、再生
出力が最も大きくなるように再生時の光パワーを最適化
することを特徴とする記録再生方法、及び、案内溝を設
けた該光磁気記録媒体において、ランド部分とグルーブ
部分の両方に記録することを特徴とする記録再生方法を
提供するものである。
出力が最も大きくなるように再生時の光パワーを最適化
することを特徴とする記録再生方法、及び、案内溝を設
けた該光磁気記録媒体において、ランド部分とグルーブ
部分の両方に記録することを特徴とする記録再生方法を
提供するものである。
【０００６】さらに、本発明の光磁気記録媒体は、中間
層がＧｄX （ＦｅY Ｃｏ1 - Y ）1 - X で表され、
（０．０５≦Ｘ≦０．１７，０≦Ｙ≦１）または、
（０．３０≦Ｘ≦０．９５，０≦Ｙ≦１）の範囲である
こと、または、中間層が（ＧｄY Ｄｙ1 - Y ）X Ｆｅ1
- X で表され、（０．０５≦Ｘ≦０．１５，０．３≦Ｙ
≦１．０）または、（０．３５≦Ｘ≦０．９５，０．３
≦Ｙ≦１．０）の範囲であることを特徴とし、その中間
層の膜厚が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴と
するものである。
層がＧｄX （ＦｅY Ｃｏ1 - Y ）1 - X で表され、
（０．０５≦Ｘ≦０．１７，０≦Ｙ≦１）または、
（０．３０≦Ｘ≦０．９５，０≦Ｙ≦１）の範囲である
こと、または、中間層が（ＧｄY Ｄｙ1 - Y ）X Ｆｅ1
- X で表され、（０．０５≦Ｘ≦０．１５，０．３≦Ｙ
≦１．０）または、（０．３５≦Ｘ≦０．９５，０．３
≦Ｙ≦１．０）の範囲であることを特徴とし、その中間
層の膜厚が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴と
するものである。
【０００７】
【作用】本発明の第１の構成によれば、面内磁化成分を
有する中間層が読み出し層と記録層の交換結合状態を制
御し、読み出し層の状態変化が急峻になることにより、
さらなる高密度化が実現する。次に、本発明の第２の構
成によれば、同様な高密度化とともに、記録層のキュリ
ー温度近傍において読み出し層と記録層の磁気的交換結
合が存在しなくなり、より弱い磁界での記録が可能とな
る。次に、本発明の第３の構成によれば、再生層から発
生する浮遊磁界が小さくなり、同様な高密度化ととも
に、さらなる記録特性の改善が実現する。
有する中間層が読み出し層と記録層の交換結合状態を制
御し、読み出し層の状態変化が急峻になることにより、
さらなる高密度化が実現する。次に、本発明の第２の構
成によれば、同様な高密度化とともに、記録層のキュリ
ー温度近傍において読み出し層と記録層の磁気的交換結
合が存在しなくなり、より弱い磁界での記録が可能とな
る。次に、本発明の第３の構成によれば、再生層から発
生する浮遊磁界が小さくなり、同様な高密度化ととも
に、さらなる記録特性の改善が実現する。
【０００８】さらに、再生時の光パワーを最適化するこ
とにより、より高品質な信号を再生することが可能とな
り、案内溝のランドとグルーブの両方に記録することに
より、さらなる高密度化が実現する。
とにより、より高品質な信号を再生することが可能とな
り、案内溝のランドとグルーブの両方に記録することに
より、さらなる高密度化が実現する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
【００１０】本実施例の光磁気記録媒体は、図１に示す
ように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、中間
層４、記録層５、保護層６、オーバーコート層７がこの
順に積層された構成を有している。
ように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、中間
層４、記録層５、保護層６、オーバーコート層７がこの
順に積層された構成を有している。
【００１１】実施例１の光磁気記録媒体は、以下のよう
にして形成される。
にして形成される。
【００１２】Ａｌ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｆｅ，Ｃｏからなる５
元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、プリグルー
ブ及びプリピットを有するポリカーボネート製のディス
ク基板４をターゲットに対向して配置し、スパッタ装置
内を１×１０- 6 Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴ
ンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌのターゲットに電力
を供給して、ガス圧４×１０- 3 Ｔｏｒｒ、スパッタ速
度１２ｎｍ／ｍｉｎで、ＡｌＮからなる透明誘電体層２
を形成する。ここで、透明誘電体層２の膜厚は、再生特
性を改善するため、再生光の波長の１／４をその屈折率
で除した値程度に設定され、再生光の波長を８００ｎｍ
とすると、１０ｎｍ〜８０ｎｍ 程度の膜厚でよく、本
実施例においては、透明誘電体層の膜厚を ６０ｎｍ
とした。
元のターゲットを備えたスパッタ装置内に、プリグルー
ブ及びプリピットを有するポリカーボネート製のディス
ク基板４をターゲットに対向して配置し、スパッタ装置
内を１×１０- 6 Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴ
ンと窒素の混合ガスを導入し、Ａｌのターゲットに電力
を供給して、ガス圧４×１０- 3 Ｔｏｒｒ、スパッタ速
度１２ｎｍ／ｍｉｎで、ＡｌＮからなる透明誘電体層２
を形成する。ここで、透明誘電体層２の膜厚は、再生特
性を改善するため、再生光の波長の１／４をその屈折率
で除した値程度に設定され、再生光の波長を８００ｎｍ
とすると、１０ｎｍ〜８０ｎｍ 程度の膜厚でよく、本
実施例においては、透明誘電体層の膜厚を ６０ｎｍ
とした。
【００１３】次に、再度、１×１０- 6 Ｔｏｒｒまで真
空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃ
ｏのターゲットに電力を供給して、ガス圧を４×１０-
3 Ｔｏｒｒとし、スパッタ速度を１５ｎｍ／ｍｉｎとし
て、膜厚５０ｎｍのＧｄ0 . 2 6 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 .
1 8 ）0 . 7 4 からなる読み出し層３を形成した。こ
の読み出し層３は、室温で面内磁化状態であり、１００
℃以上の温度で垂直磁化状態となり、補償点を持たず、
キュリー点は３２０℃であった。
空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃ
ｏのターゲットに電力を供給して、ガス圧を４×１０-
3 Ｔｏｒｒとし、スパッタ速度を１５ｎｍ／ｍｉｎとし
て、膜厚５０ｎｍのＧｄ0 . 2 6 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 .
1 8 ）0 . 7 4 からなる読み出し層３を形成した。こ
の読み出し層３は、室温で面内磁化状態であり、１００
℃以上の温度で垂直磁化状態となり、補償点を持たず、
キュリー点は３２０℃であった。
【００１４】次に、各ターゲットに投入する電力を調整
し、同様な条件で、膜厚１０ｎｍのＧｄ0 . 3 5 （Ｆｅ
0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 6 5 からなる中間層４を形
成した。この中間層４は、３４０℃にキュリー点を有す
る面内磁化膜であった。
し、同様な条件で、膜厚１０ｎｍのＧｄ0 . 3 5 （Ｆｅ
0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 6 5 からなる中間層４を形
成した。この中間層４は、３４０℃にキュリー点を有す
る面内磁化膜であった。
【００１５】次に、Ｇｄに供給していた電力を停止し、
Ｄｙのターゲットに電力を供給し、同様な条件で、膜厚
５０ｎｍのＤｙ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 7 8 Ｃｏ0 . 2 2 ）
0 . 7 7 からなる記録層５を形成した。この記録層５
は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であり、キュ
リー点は２００℃であった。
Ｄｙのターゲットに電力を供給し、同様な条件で、膜厚
５０ｎｍのＤｙ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 7 8 Ｃｏ0 . 2 2 ）
0 . 7 7 からなる記録層５を形成した。この記録層５
は、ほぼ室温に補償点を有する垂直磁化膜であり、キュ
リー点は２００℃であった。
【００１６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス圧 ４×
１０- 3 Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１２ｎｍ／ｍｉｎで、
ＡｌＮからなる保護層６を形成する。ここで、保護層６
の膜厚は、磁性層を酸化等の腐食から保護することが可
能であればよく、本実施例においては、５０ｎｍとし
た。
し、Ａｌのターゲットに電力を供給して、ガス圧 ４×
１０- 3 Ｔｏｒｒ、スパッタ速度１２ｎｍ／ｍｉｎで、
ＡｌＮからなる保護層６を形成する。ここで、保護層６
の膜厚は、磁性層を酸化等の腐食から保護することが可
能であればよく、本実施例においては、５０ｎｍとし
た。
【００１７】次に、紫外線硬化樹脂、又は、熱硬化樹脂
をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、
加熱することによりオーバーコート層７を形成した。
をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射するか、
加熱することによりオーバーコート層７を形成した。
【００１８】比較のため、特開平５−８１７１７号公報
において提案されている中間層４が存在しない、図２に
示す構成の光磁気記録媒体を比較例１として、実施例１
と同様にして形成した。
において提案されている中間層４が存在しない、図２に
示す構成の光磁気記録媒体を比較例１として、実施例１
と同様にして形成した。
【００１９】図３は、実施例１と比較例１について、そ
のカー回転角の温度依存性を読み出し層３側から測定し
た結果である。
のカー回転角の温度依存性を読み出し層３側から測定し
た結果である。
【００２０】室温において面内磁化状態であり、高温に
おいて垂直磁化状態となる読み出し層を用いて、光ビー
ムスポットよりも小さい微小記録ビットを再生する場
合、隣接記録ビットからの再生出力を低減するため、温
度上昇した部分以外において、再生出力が発生しないこ
と、すなわち、完全な面内磁化状態となり、カー回転角
が存在せず、温度上昇した部分のみにおいて、完全な垂
直磁化状態となり、大きな再生出力が得られることが望
ましい。つまり、カー回転角の温度依存性において、あ
る温度（１００℃程度）を境にして、カー回転角が急峻
に立ち上がることが望ましい。
おいて垂直磁化状態となる読み出し層を用いて、光ビー
ムスポットよりも小さい微小記録ビットを再生する場
合、隣接記録ビットからの再生出力を低減するため、温
度上昇した部分以外において、再生出力が発生しないこ
と、すなわち、完全な面内磁化状態となり、カー回転角
が存在せず、温度上昇した部分のみにおいて、完全な垂
直磁化状態となり、大きな再生出力が得られることが望
ましい。つまり、カー回転角の温度依存性において、あ
る温度（１００℃程度）を境にして、カー回転角が急峻
に立ち上がることが望ましい。
【００２１】図３において、比較例１は、室温において
も、ある程度のカー回転角が存在し、８０℃付近でカー
回転角が徐々に大きくなっていることが分かる。一方、
実施例１は、室温においてカー回転角がほぼゼロとなっ
ており、９０℃でカー回転角が急峻に立ち上がっている
ことが分かる。このことより、実施例１の光磁気記録媒
体が比較例１の光磁気記録媒体に比べて、より良好な再
生特性を得られることが分かる。
も、ある程度のカー回転角が存在し、８０℃付近でカー
回転角が徐々に大きくなっていることが分かる。一方、
実施例１は、室温においてカー回転角がほぼゼロとなっ
ており、９０℃でカー回転角が急峻に立ち上がっている
ことが分かる。このことより、実施例１の光磁気記録媒
体が比較例１の光磁気記録媒体に比べて、より良好な再
生特性を得られることが分かる。
【００２２】次に、実施例２として、実施例１と同様に
して、読み出し層３の組成をＧｄ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 5 6
Ｃｏ0 . 4 4 ）0 . 7 7 に変えた光磁気記録媒体を形
成した。この光磁気記録媒体は、読み出し層３が、室温
で面内磁化状態であり、１００℃以上の温度で垂直磁化
状態となり、補償点を２６０℃に持ち、キュリー点が４
５０℃である以外は実施例１と同様である。
して、読み出し層３の組成をＧｄ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 5 6
Ｃｏ0 . 4 4 ）0 . 7 7 に変えた光磁気記録媒体を形
成した。この光磁気記録媒体は、読み出し層３が、室温
で面内磁化状態であり、１００℃以上の温度で垂直磁化
状態となり、補償点を２６０℃に持ち、キュリー点が４
５０℃である以外は実施例１と同様である。
【００２３】比較のため、特開平５−８１７１７号公報
において提案されている中間層４が存在しない図２に示
す構成の光磁気記録媒体を比較例２として、実施例２と
同様にして形成した。
において提案されている中間層４が存在しない図２に示
す構成の光磁気記録媒体を比較例２として、実施例２と
同様にして形成した。
【００２４】図４は、実施例２と比較例２について、そ
のカー回転角の温度依存性を読み出し層３側から測定し
た結果である。
のカー回転角の温度依存性を読み出し層３側から測定し
た結果である。
【００２５】この場合も図３の場合と同様、カー回転角
の温度依存性において、ある温度（１００℃程度）を境
にして、カー回転角が急峻に立ち上がることが望まし
い。
の温度依存性において、ある温度（１００℃程度）を境
にして、カー回転角が急峻に立ち上がることが望まし
い。
【００２６】光磁気記録媒体においては、キュリー点が
高ければ高いほど、垂直磁化状態でのカー回転角が大き
くなり再生出力が大きくなるという効果を有する。従っ
て、読み出し層３の組成をＧｄ0 . 2 6 （Ｆｅ0 . 8 2
Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 7 4 からＧｄ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 5
6 Ｃｏ0 . 4 4 ）0 . 7 7 に変えて、キュリー温度を上
昇させることにより、垂直磁化状態でのカー回転角を相
対的に大きくすることが可能である。しかし、図４に示
す比較例２を見ると、カー回転角の立ち上がりは、比較
例１に比べて、さらになだらかなものとなっている。一
方、実施例２は、室温においてカー回転角がほぼゼロと
なっており、９０℃でカー回転角が急峻に立ち上がって
いることが分かる。このことより、実施例２の光磁気記
録媒体においても、実施例１同様により良好な再生特性
を得られることが分かる。以上は、本発明の光磁気記録
媒体の再生特性に関する説明である。次に、本発明の光
磁気記録媒体の記録特性について説明する。
高ければ高いほど、垂直磁化状態でのカー回転角が大き
くなり再生出力が大きくなるという効果を有する。従っ
て、読み出し層３の組成をＧｄ0 . 2 6 （Ｆｅ0 . 8 2
Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 7 4 からＧｄ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 5
6 Ｃｏ0 . 4 4 ）0 . 7 7 に変えて、キュリー温度を上
昇させることにより、垂直磁化状態でのカー回転角を相
対的に大きくすることが可能である。しかし、図４に示
す比較例２を見ると、カー回転角の立ち上がりは、比較
例１に比べて、さらになだらかなものとなっている。一
方、実施例２は、室温においてカー回転角がほぼゼロと
なっており、９０℃でカー回転角が急峻に立ち上がって
いることが分かる。このことより、実施例２の光磁気記
録媒体においても、実施例１同様により良好な再生特性
を得られることが分かる。以上は、本発明の光磁気記録
媒体の再生特性に関する説明である。次に、本発明の光
磁気記録媒体の記録特性について説明する。
【００２７】図５は、比較例１と本発明の実施例１及び
実施例１１の光磁気記録媒体におけるＣＮＲ（信号対雑
音比）の記録磁界依存性を示すものである。
実施例１１の光磁気記録媒体におけるＣＮＲ（信号対雑
音比）の記録磁界依存性を示すものである。
【００２８】測定光学系としては、波長１８０ｎｍの半
導体レーザ、ＮＡ０．５５の対物レンズを用いてディス
クのランド部分にレーザ光を絞りこんだ記録層５の磁化
方向をそろえた後、線速５ｍ／ｓで、６ｍＷのパワーの
レーザ光をパルス照射して、０．５μｍの長さの記録ビ
ットを１．０μｍピッチで形成した後、再生レーザーパ
ワーを２．１２．１ｍＶにしてＣＮＲの測定を行った。
導体レーザ、ＮＡ０．５５の対物レンズを用いてディス
クのランド部分にレーザ光を絞りこんだ記録層５の磁化
方向をそろえた後、線速５ｍ／ｓで、６ｍＷのパワーの
レーザ光をパルス照射して、０．５μｍの長さの記録ビ
ットを１．０μｍピッチで形成した後、再生レーザーパ
ワーを２．１２．１ｍＶにしてＣＮＲの測定を行った。
【００２９】実施例１１の光磁気記録媒体は、実施例１
の光磁気記録媒体における中間層４をＧｄ0 . 3 5 （Ｆ
ｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 6 5 から（Ｇｄ0 . 8 0
Ｄｙ0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8 に変えたものであ
り、中間層４が記録層５のキュリー点より低い１８０℃
のキュリー点を有する面内磁化膜となっている。
の光磁気記録媒体における中間層４をＧｄ0 . 3 5 （Ｆ
ｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 6 5 から（Ｇｄ0 . 8 0
Ｄｙ0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8 に変えたものであ
り、中間層４が記録層５のキュリー点より低い１８０℃
のキュリー点を有する面内磁化膜となっている。
【００３０】この記録磁界依存性から、記録に必要とさ
れる磁界強度を判断することが可能である。すなわち、
ＣＮＲが飽和する磁界の絶対値が小さいほど、より弱い
磁界で記録が可能であり、記録しやすいことを意味して
いる。
れる磁界強度を判断することが可能である。すなわち、
ＣＮＲが飽和する磁界の絶対値が小さいほど、より弱い
磁界で記録が可能であり、記録しやすいことを意味して
いる。
【００３１】比較例１においては、読み出し層３が、記
録層５に接して存在し、読み出し層３のキュリー点が記
録層５のキュリー点より高いため、読み出し層３と記録
層５が強く交換結合し、記録のために１００ｋＡ／ｍの
強い磁界を必要とする。これに対して実施例１において
は、必要とされる磁界強度は４０ｋＡ／ｍであり、Ｇｄ
0 . 3 5 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 7 5 からな
る面内磁化状態の中間層４を設けることにより、記録特
性が改善される。 次に、実施例１１においては、必要
とされる磁界強度は２０ｋＡ／ｍであり、そのキュリー
点が記録層５のキュリー点より低い（Ｇｄ0 . 8 0 Ｄｙ
0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8 からなる面内磁化状態
の中間層４を設けることにより、記録層５のキュリー点
近傍において、読み出し層３と記録層５との交換結合が
解除されることにより、さらに記録特性が改善される。
録層５に接して存在し、読み出し層３のキュリー点が記
録層５のキュリー点より高いため、読み出し層３と記録
層５が強く交換結合し、記録のために１００ｋＡ／ｍの
強い磁界を必要とする。これに対して実施例１において
は、必要とされる磁界強度は４０ｋＡ／ｍであり、Ｇｄ
0 . 3 5 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 7 5 からな
る面内磁化状態の中間層４を設けることにより、記録特
性が改善される。 次に、実施例１１においては、必要
とされる磁界強度は２０ｋＡ／ｍであり、そのキュリー
点が記録層５のキュリー点より低い（Ｇｄ0 . 8 0 Ｄｙ
0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8 からなる面内磁化状態
の中間層４を設けることにより、記録層５のキュリー点
近傍において、読み出し層３と記録層５との交換結合が
解除されることにより、さらに記録特性が改善される。
【００３２】次に、図６は、比較例２と本発明の実施例
２及び実施例２１の光磁気記録媒体におけるＣＮＲ（信
号対雑音比）の記録磁界依存性を示すものである。記録
層５の磁化方向をそろえた後、線速５ｍ／ｓで、６ｍＷ
のパワーのレーザ光をパルス照射して、０．５μｍの長
さの記録ビットを１．０μｍピッチで形成した後、再生
レーザーパワーを２．１ｍＶにしてＣＮＲの測定を行っ
た。
２及び実施例２１の光磁気記録媒体におけるＣＮＲ（信
号対雑音比）の記録磁界依存性を示すものである。記録
層５の磁化方向をそろえた後、線速５ｍ／ｓで、６ｍＷ
のパワーのレーザ光をパルス照射して、０．５μｍの長
さの記録ビットを１．０μｍピッチで形成した後、再生
レーザーパワーを２．１ｍＶにしてＣＮＲの測定を行っ
た。
【００３３】実施例２１の光磁気記録媒体は、実施例２
の光磁気記録媒体における中間層４をＧｄ0 . 3 5 （Ｆ
ｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 6 5 から（Ｇｄ0 . 8 0
Ｄｙ0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8 に変えたものであ
り、中間層４が記録層５のキュリー点より低い１８０℃
のキュリー点を有する面内磁化膜となっている。
の光磁気記録媒体における中間層４をＧｄ0 . 3 5 （Ｆ
ｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 6 5 から（Ｇｄ0 . 8 0
Ｄｙ0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8 に変えたものであ
り、中間層４が記録層５のキュリー点より低い１８０℃
のキュリー点を有する面内磁化膜となっている。
【００３４】比較例２においては、読み出し層３が記録
層５に接して存在し、読み出し層３のキュリー点が記録
層５のキュリー点より高いため、読み出し層３と記録層
５が強く交換結合している。読み出し層３のキュリー点
を高くしたことにより、この交換結合力は、比較例１に
比べてさらに大きくなっており、記録のため、１３０ｋ
Ａ／ｍのさらに強い磁界を必要とされる。
層５に接して存在し、読み出し層３のキュリー点が記録
層５のキュリー点より高いため、読み出し層３と記録層
５が強く交換結合している。読み出し層３のキュリー点
を高くしたことにより、この交換結合力は、比較例１に
比べてさらに大きくなっており、記録のため、１３０ｋ
Ａ／ｍのさらに強い磁界を必要とされる。
【００３５】これに対して実施例２においては、必要と
される磁界強度は５０ｋＡ／ｍであり、Ｇｄ0 . 3 5
（Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 7 5 からなる面内磁
化状態の中間層４を設けることにより、記録特性が改善
される。次に、実施例２１においては、必要とされる磁
界強度は１０ｋＡ／ｍ であり、そのキュリー点が記録
層５のキュリー点より低い（Ｇｄ0 . 8 0 Ｄｙ0 . 2
0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8からなる面内磁化状態の中間
層４を設けることにより、記録層５のキュリー点近傍に
おいて、読み出し層３と記録層５との交換結合が解除さ
れるとともに、記録層５のキュリー点と読み出し層３の
補償点が近づくことにより、記録層５のキュリー点近傍
において読み出し層３から発生する浮遊磁界が低減さ
れ、さらに記録特性が改善される。
される磁界強度は５０ｋＡ／ｍであり、Ｇｄ0 . 3 5
（Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0 . 7 5 からなる面内磁
化状態の中間層４を設けることにより、記録特性が改善
される。次に、実施例２１においては、必要とされる磁
界強度は１０ｋＡ／ｍ であり、そのキュリー点が記録
層５のキュリー点より低い（Ｇｄ0 . 8 0 Ｄｙ0 . 2
0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 8からなる面内磁化状態の中間
層４を設けることにより、記録層５のキュリー点近傍に
おいて、読み出し層３と記録層５との交換結合が解除さ
れるとともに、記録層５のキュリー点と読み出し層３の
補償点が近づくことにより、記録層５のキュリー点近傍
において読み出し層３から発生する浮遊磁界が低減さ
れ、さらに記録特性が改善される。
【００３６】次に図７は、実施例２１において、読み出
し層３の組成を調整し、その補償点の位置を変えた際
に、記録に必要とされる磁界強度がどのように変化する
かを調べた結果である。
し層３の組成を調整し、その補償点の位置を変えた際
に、記録に必要とされる磁界強度がどのように変化する
かを調べた結果である。
【００３７】横軸は、記録層５のキュリー点（２００
℃）と読み出し層３の補償点の差を表しており、縦軸
は、その光磁気記録媒体において記録に必要とされる磁
界強度を表している。この図から、記録層５のキュリー
点（２００℃）と読み出し層３の補償点の差が１２０℃
以下で、記録に必要とされる磁界強度が低減され始めて
いることが分かる。
℃）と読み出し層３の補償点の差を表しており、縦軸
は、その光磁気記録媒体において記録に必要とされる磁
界強度を表している。この図から、記録層５のキュリー
点（２００℃）と読み出し層３の補償点の差が１２０℃
以下で、記録に必要とされる磁界強度が低減され始めて
いることが分かる。
【００３８】次に、図８は、実施例１の光磁気記録媒体
に、０．５μｍの長さの記録ビットを１．０μｍピッチ
で同様に形成した記録ビット列を再生する際の再生光パ
ワー依存性を示すものである。再生光パワーを強くする
ことにより、温度上昇により、読み出し層３において垂
直磁化状態となった範囲が広くなることにより、光パワ
ーの上昇とともに、ＣＮＲは徐々に大きくなる。しか
し、２．１ｍＷ以上の光パワーを投入すると、隣接記録
ビットの部分まで垂直磁化状態になってしまい、ＣＮＲ
の低下が発生する。この様子は、実施例１１、実施例
２、実施例２１においても同様に観測され、本発明の光
磁気記録媒体においては、より高品質な信号を再生する
ために、光パワーを最適化する必要のあることが分か
る。光磁気記録媒体においては、少なくとも４５ｄＢ以
上のＣＮＲが必要とされており、この場合、最適レーザ
ーパワー２．１ｍＶに対して−２０％〜＋１７％の範囲
内で再生レーザーパワーを設定する必要がある。
に、０．５μｍの長さの記録ビットを１．０μｍピッチ
で同様に形成した記録ビット列を再生する際の再生光パ
ワー依存性を示すものである。再生光パワーを強くする
ことにより、温度上昇により、読み出し層３において垂
直磁化状態となった範囲が広くなることにより、光パワ
ーの上昇とともに、ＣＮＲは徐々に大きくなる。しか
し、２．１ｍＷ以上の光パワーを投入すると、隣接記録
ビットの部分まで垂直磁化状態になってしまい、ＣＮＲ
の低下が発生する。この様子は、実施例１１、実施例
２、実施例２１においても同様に観測され、本発明の光
磁気記録媒体においては、より高品質な信号を再生する
ために、光パワーを最適化する必要のあることが分か
る。光磁気記録媒体においては、少なくとも４５ｄＢ以
上のＣＮＲが必要とされており、この場合、最適レーザ
ーパワー２．１ｍＶに対して−２０％〜＋１７％の範囲
内で再生レーザーパワーを設定する必要がある。
【００３９】次に図９は、光磁気記録媒体を１．４μｍ
ピッチで等しい幅のランドとグルーブが形成されたディ
スク基板上に形成し、そのランドとグルーブの両方に記
録を行う場合の様子を説明する図である。この場合、光
スポットは真ん中のランド部分の信号を再生すべくトラ
ッキングされているが、隣接グルーブ部分にまたがって
照射されることにより、隣接グルーブからの再生信号を
検出してしまうクロストークが信号品質に大きな影響を
与える。
ピッチで等しい幅のランドとグルーブが形成されたディ
スク基板上に形成し、そのランドとグルーブの両方に記
録を行う場合の様子を説明する図である。この場合、光
スポットは真ん中のランド部分の信号を再生すべくトラ
ッキングされているが、隣接グルーブ部分にまたがって
照射されることにより、隣接グルーブからの再生信号を
検出してしまうクロストークが信号品質に大きな影響を
与える。
【００４０】比較例１及び比較例２においては、このク
ロストークが−２７ｄＢ程度であったのに対して、実施
例１、実施例１１、実施例２、実施例２１においては、
−３５ｄＢ〜−３７ｄＢと低いクロストークしか発生せ
ず、本発明の光磁気記録媒体が、ランドとグルーブの両
方に記録を行う記録再生方法においてクロストークを極
めて小さくすることが可能となった。
ロストークが−２７ｄＢ程度であったのに対して、実施
例１、実施例１１、実施例２、実施例２１においては、
−３５ｄＢ〜−３７ｄＢと低いクロストークしか発生せ
ず、本発明の光磁気記録媒体が、ランドとグルーブの両
方に記録を行う記録再生方法においてクロストークを極
めて小さくすることが可能となった。
【００４１】尚、本発明の光磁気記録媒体は実施例１、
実施例１１、実施例２、実施例２１に記載の組成に限定
されるものではない。
実施例１１、実施例２、実施例２１に記載の組成に限定
されるものではない。
【００４２】本発明の光磁気記録媒体における中間層４
は、実施例１・２のＧｄ0 . 3 5 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0
. 1 8 ）0 . 6 5 または、実施例１１・２１の（Ｇｄ0
. 8 0 Ｄｘ0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 6 に限定され
るものではない。
は、実施例１・２のＧｄ0 . 3 5 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0
. 1 8 ）0 . 6 5 または、実施例１１・２１の（Ｇｄ0
. 8 0 Ｄｘ0 . 2 0 ）0 . 4 2 Ｆｅ0 . 5 6 に限定され
るものではない。
【００４３】実施例１・２において、中間層４として
は、完全な面内磁化状態である必要はなく、磁化が膜面
に対してある程度傾いているような中間層４を採用して
も、読み出し層３と記録層５の交換結合状態を制御する
ことが可能であり、本発明における記録特性の改善とい
う効果を得ることができる。ＧｄＦｅＣｏにおいては、
補償組成に対して希土類金属が多く含まれているＲＥｒ
ｉｃｈ組成側と、遷移金属が多く含まれているＴＭｒｉ
ｃｈ組成側とにおいて、このような面内磁化状態が実現
される。
は、完全な面内磁化状態である必要はなく、磁化が膜面
に対してある程度傾いているような中間層４を採用して
も、読み出し層３と記録層５の交換結合状態を制御する
ことが可能であり、本発明における記録特性の改善とい
う効果を得ることができる。ＧｄＦｅＣｏにおいては、
補償組成に対して希土類金属が多く含まれているＲＥｒ
ｉｃｈ組成側と、遷移金属が多く含まれているＴＭｒｉ
ｃｈ組成側とにおいて、このような面内磁化状態が実現
される。
【００４４】中間層４としてＧｄX （ＦｅY Ｃｏ1 -
Y ）1 - X の系において、（０．０５≦Ｘ≦０．１７，
０≦Ｙ≦１：ＴＭｒｉｃｈ）または、（０．３０≦Ｘ≦
０．９５，０≦Ｙ≦１：ＲＥｒｉｃｈ）の範囲で、実施
例１・２に関連して、図３、４、５、６に示す効果を得
ることが可能である。Ｘ＜０．０５または、０．９５＜
Ｘにおいては、中間層４の多結晶化によるノイズ上昇が
顕著となり、良好な再生特性を得ることが困難となると
ともに、面内磁気異方性が強くなり過ぎることにより、
良好な交換結合状態を実現出来なくなり、読み出し層を
温度上昇とともに、垂直磁化状態とすることが困難とな
る。
Y ）1 - X の系において、（０．０５≦Ｘ≦０．１７，
０≦Ｙ≦１：ＴＭｒｉｃｈ）または、（０．３０≦Ｘ≦
０．９５，０≦Ｙ≦１：ＲＥｒｉｃｈ）の範囲で、実施
例１・２に関連して、図３、４、５、６に示す効果を得
ることが可能である。Ｘ＜０．０５または、０．９５＜
Ｘにおいては、中間層４の多結晶化によるノイズ上昇が
顕著となり、良好な再生特性を得ることが困難となると
ともに、面内磁気異方性が強くなり過ぎることにより、
良好な交換結合状態を実現出来なくなり、読み出し層を
温度上昇とともに、垂直磁化状態とすることが困難とな
る。
【００４５】また、実施例１・２において、膜厚１０ｎ
ｍの場合について例示しているが、これに限定されるも
のではない。図１０は、実施例１の構成において、中間
層４の膜厚を変えた際の再生特性を調べたものである。
記録ビットとしては、磁界依存性測定時と同様に、０．
５μｍの長さの記録ビットを１．０μｍピッチで形成し
た。中間層４の膜厚が小さくなると、中間層４の存在効
果が小さくなり、実質的に中間層４が存在しない２層構
造と同様な状態に近づき、ＣＮＲは低下する。また、中
間層４の膜厚が大きくなると、記録層５から読み出し層
３へ働く交換結合力が小さくなり過ぎることにより、良
好な再生特性を得ることが困難となり、ＣＮＲが低下す
る。図１０から判断して、デジタル記録で必要とされる
ＣＮＲ（４５ｄＢ）を得るためには、中間層４の膜厚が
２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが必要である。
ｍの場合について例示しているが、これに限定されるも
のではない。図１０は、実施例１の構成において、中間
層４の膜厚を変えた際の再生特性を調べたものである。
記録ビットとしては、磁界依存性測定時と同様に、０．
５μｍの長さの記録ビットを１．０μｍピッチで形成し
た。中間層４の膜厚が小さくなると、中間層４の存在効
果が小さくなり、実質的に中間層４が存在しない２層構
造と同様な状態に近づき、ＣＮＲは低下する。また、中
間層４の膜厚が大きくなると、記録層５から読み出し層
３へ働く交換結合力が小さくなり過ぎることにより、良
好な再生特性を得ることが困難となり、ＣＮＲが低下す
る。図１０から判断して、デジタル記録で必要とされる
ＣＮＲ（４５ｄＢ）を得るためには、中間層４の膜厚が
２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることが必要である。
【００４６】次に、実施例１１・２１においても、中間
層４としては、完全な面内磁化状態である必要はなく、
磁化が膜面に対してある程度傾いているような中間層４
を採用しても、読み出し層３と記録層５の交換結合状態
を制御することが可能であり、本発明における記録特性
の改善という効果を得ることができる。ＧｄＤｙＦｅに
おいては、補償組成に対して希土類金属が多く含まれて
いるＲＥｒｉｃｈ組成側と、遷移金属が多く含まれてい
るＴＭｒｉｃｈ組成側とにおいて、このような面内磁化
状態が実現される。
層４としては、完全な面内磁化状態である必要はなく、
磁化が膜面に対してある程度傾いているような中間層４
を採用しても、読み出し層３と記録層５の交換結合状態
を制御することが可能であり、本発明における記録特性
の改善という効果を得ることができる。ＧｄＤｙＦｅに
おいては、補償組成に対して希土類金属が多く含まれて
いるＲＥｒｉｃｈ組成側と、遷移金属が多く含まれてい
るＴＭｒｉｃｈ組成側とにおいて、このような面内磁化
状態が実現される。
【００４７】中間層４として（ＧｄY Ｄｙ1 - Y ）X Ｆ
ｅ1 - X の系において、（０．０５≦Ｘ≦０．１５，
０．３≦Ｙ≦１．０：ＴＭｒｉｃｈ）または、（０．３
５≦Ｘ≦０．９５，０．３≦Ｙ≦１．０：ＲＥｒｉｃ
ｈ）の範囲で、実施例１１・２１に関連して、図３、
４、５、６に示す効果を得ることが可能である。ここ
で、Ｙ＜０．３の範囲においては、中間層４におけるＤ
ｙ含有率が上昇することにより、中間層４のキュリー温
度が１３０℃以下となり、記録層５と読み出し層３の磁
気的結合状態が弱くなり過ぎることにより、良好な再生
を行うことが出来なくなる。
ｅ1 - X の系において、（０．０５≦Ｘ≦０．１５，
０．３≦Ｙ≦１．０：ＴＭｒｉｃｈ）または、（０．３
５≦Ｘ≦０．９５，０．３≦Ｙ≦１．０：ＲＥｒｉｃ
ｈ）の範囲で、実施例１１・２１に関連して、図３、
４、５、６に示す効果を得ることが可能である。ここ
で、Ｙ＜０．３の範囲においては、中間層４におけるＤ
ｙ含有率が上昇することにより、中間層４のキュリー温
度が１３０℃以下となり、記録層５と読み出し層３の磁
気的結合状態が弱くなり過ぎることにより、良好な再生
を行うことが出来なくなる。
【００４８】また、０．３≦Ｙ≦０．８５の範囲におい
ては、中間層４のキュリー温度が、本実施例の記録層５
のキュリー温度（２００℃）となり、実施例１１・１２
に関連する記録磁界の低減を実現することができる。
ては、中間層４のキュリー温度が、本実施例の記録層５
のキュリー温度（２００℃）となり、実施例１１・１２
に関連する記録磁界の低減を実現することができる。
【００４９】また、０．８５＜Ｙ≦１．０の範囲におい
ては、中間層４のキュリー温度が、本実施例の記録層５
のキュリー温度（２００℃）以上となるため、記録磁界
の低減の効果は小さくなるが、実施例１・２と同様な効
果を得ることができる。
ては、中間層４のキュリー温度が、本実施例の記録層５
のキュリー温度（２００℃）以上となるため、記録磁界
の低減の効果は小さくなるが、実施例１・２と同様な効
果を得ることができる。
【００５０】Ｘ＜０．０５または、０．９５＜Ｘにおい
ては、中間層４の多結晶化によるノイズ上昇が顕著とな
り、良好な再生特性を得ることが困難となるとともに、
面内磁気異方性が強くなり過ぎることにより、良好な交
換結合状態を実現出来なくなり、読み出し層３を温度上
昇とともに垂直磁化状態とすることが困難となる。
ては、中間層４の多結晶化によるノイズ上昇が顕著とな
り、良好な再生特性を得ることが困難となるとともに、
面内磁気異方性が強くなり過ぎることにより、良好な交
換結合状態を実現出来なくなり、読み出し層３を温度上
昇とともに垂直磁化状態とすることが困難となる。
【００５１】また、実施例１１・２１において、膜厚１
０ｎｍの場合について例示しているが、これに限定され
るものではない。実施例１１・２１においても実施例１
・２と同様に、中間層４の膜厚が２ｎｍ以上５０ｎｍ以
下である場合に、デジタル記録で必要とされるＣＮＲ
（４５ｄＢ）を得ることができる。
０ｎｍの場合について例示しているが、これに限定され
るものではない。実施例１１・２１においても実施例１
・２と同様に、中間層４の膜厚が２ｎｍ以上５０ｎｍ以
下である場合に、デジタル記録で必要とされるＣＮＲ
（４５ｄＢ）を得ることができる。
【００５２】中間層４の材料としては、実施例で示した
ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅ以外に、ＤｙＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ等が面内磁化状態実現可能な磁性材料として
好適である。
ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅ以外に、ＤｙＦｅＣｏ，Ｇ
ｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ，ＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ等が面内磁化状態実現可能な磁性材料として
好適である。
【００５３】尚、読み出し層３のＧｄＦｅＣｏの組成
は、上記のＧｄ0 . 2 6 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0
. 7 4 ，Ｇｄ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 5 0 Ｃｏ0 . 4 4 ）0
. 7 7 に限定されるものではない。本発明の趣旨に沿え
ば、読み出し層３としては、室温でほぼ面内磁化を有
し、室温以上の温度で面内磁化から垂直磁化に移行すれ
ばよい。希土類遷移金属合金においては、希土類と遷移
金属の比率を変えれば、希土類と遷移金属の磁化が釣り
合う補償温度が変わる。ＧｄＦｅＣｏはこの補償温度付
近で垂直磁化を示す材料であることから、ＧｄとＦｅＣ
ｏの比率を変えてやれば、面内磁化から垂直磁化に移行
する温度もこれについて変わる。
は、上記のＧｄ0 . 2 6 （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1 8 ）0
. 7 4 ，Ｇｄ0 . 2 3 （Ｆｅ0 . 5 0 Ｃｏ0 . 4 4 ）0
. 7 7 に限定されるものではない。本発明の趣旨に沿え
ば、読み出し層３としては、室温でほぼ面内磁化を有
し、室温以上の温度で面内磁化から垂直磁化に移行すれ
ばよい。希土類遷移金属合金においては、希土類と遷移
金属の比率を変えれば、希土類と遷移金属の磁化が釣り
合う補償温度が変わる。ＧｄＦｅＣｏはこの補償温度付
近で垂直磁化を示す材料であることから、ＧｄとＦｅＣ
ｏの比率を変えてやれば、面内磁化から垂直磁化に移行
する温度もこれについて変わる。
【００５４】図１１はＧｄX （Ｆｅ0 . 8 2 Ｃｏ0 . 1
8 ）1 - X の系においてＸ、すなわちＧｄの組成を変え
た場合の補償温度、キュリー温度を調べた結果である。
8 ）1 - X の系においてＸ、すなわちＧｄの組成を変え
た場合の補償温度、キュリー温度を調べた結果である。
【００５５】補償温度が室温（２５℃）以上にある組成
範囲は、同図から明らかなようにＸが０．１８以上でで
ある。このうち好ましくは、０．１９＜Ｘ＜０．２９の
範囲である。この範囲であれば、記録層と積層した実使
用構成において、面内から垂直方向に磁化の向きが移行
する温度が室温〜２００℃程度の範囲となる。この温度
があまり高すぎると、再生用のレーザーパワーが記録用
のレーザーパワーと同じぐらい高くなってしまし、記録
層への記録がなされ記録情報を乱す恐れが出てくる。
範囲は、同図から明らかなようにＸが０．１８以上でで
ある。このうち好ましくは、０．１９＜Ｘ＜０．２９の
範囲である。この範囲であれば、記録層と積層した実使
用構成において、面内から垂直方向に磁化の向きが移行
する温度が室温〜２００℃程度の範囲となる。この温度
があまり高すぎると、再生用のレーザーパワーが記録用
のレーザーパワーと同じぐらい高くなってしまし、記録
層への記録がなされ記録情報を乱す恐れが出てくる。
【００５６】次に上記の系において、ＦｅとＣｏの比率
を変えた場合ＧｄX （Ｆｅ1 - Y ＣｏY ）1 - X におい
て、Ｙを変えた場合の特性の変化について説明する。
を変えた場合ＧｄX （Ｆｅ1 - Y ＣｏY ）1 - X におい
て、Ｙを変えた場合の特性の変化について説明する。
【００５７】図１２は、Ｃｏが０の場合、すなわち、Ｇ
ｄX Ｆｅ1 - X の特性を示す図である。同図において、
例えばＧｄ組成がＸ＝０．３の場合、補償温度は約１２
０℃キュリー温度は約２００℃である。
ｄX Ｆｅ1 - X の特性を示す図である。同図において、
例えばＧｄ組成がＸ＝０．３の場合、補償温度は約１２
０℃キュリー温度は約２００℃である。
【００５８】図１３はＦｅが０の場合、すなわち、Ｇｄ
X Ｃｏ1 - X の特性を示す図である。同図において、Ｇ
ｄ組成がＸ＝０．３の場合、補償温度は約２２０℃、キ
ュリー温度は約４００℃である。
X Ｃｏ1 - X の特性を示す図である。同図において、Ｇ
ｄ組成がＸ＝０．３の場合、補償温度は約２２０℃、キ
ュリー温度は約４００℃である。
【００５９】以上のことから、Ｇｄ組成が同じであって
も、Ｃｏ量が増えると、補償温度及びキュリー温度が上
昇することがわかる。
も、Ｃｏ量が増えると、補償温度及びキュリー温度が上
昇することがわかる。
【００６０】読み出し層のキュリー温度は、再生時の極
カー回転角ができるだけ大きい方が、高いＣＮ比を得ら
れることから、高い方が有利である。ただし、あまりＣ
ｏ量を増やしすぎると面内から垂直に磁化方向が移行す
る温度も高くなるので注意が必要である。
カー回転角ができるだけ大きい方が、高いＣＮ比を得ら
れることから、高い方が有利である。ただし、あまりＣ
ｏ量を増やしすぎると面内から垂直に磁化方向が移行す
る温度も高くなるので注意が必要である。
【００６１】これらの点を考慮して、ＧｄX （Ｆｅ1 -
Y ＣｏY ）1 - X におけるＣｏ量Ｙの値は、０．１＜Ｙ
＜０．５の範囲がよい。
Y ＣｏY ）1 - X におけるＣｏ量Ｙの値は、０．１＜Ｙ
＜０．５の範囲がよい。
【００６２】上記のＧｄＦｅＣｏ読み出し層３の面内磁
化から垂直磁化に移行する温度等の特性は、当然のこと
ながら中間層４、記録層５の組成、膜厚等の影響を受け
る。これは、両層の間に磁気的な交換結合力が働くから
である。従って中間層４、記録層５の材料、組成、膜厚
により、読み出し層の最適な組成、膜厚が変わることは
明らかである。
化から垂直磁化に移行する温度等の特性は、当然のこと
ながら中間層４、記録層５の組成、膜厚等の影響を受け
る。これは、両層の間に磁気的な交換結合力が働くから
である。従って中間層４、記録層５の材料、組成、膜厚
により、読み出し層の最適な組成、膜厚が変わることは
明らかである。
【００６３】以上説明した通り、本発明の光磁気ディス
クの読み出し層材料としては、面内磁化から垂直磁化へ
の移行が急峻であるＧｄＦｅＣｏが最適であるが、以下
に述べる希土類遷移金属合金でも、同様の効果が得られ
る。
クの読み出し層材料としては、面内磁化から垂直磁化へ
の移行が急峻であるＧｄＦｅＣｏが最適であるが、以下
に述べる希土類遷移金属合金でも、同様の効果が得られ
る。
【００６４】ＧｄX Ｆｅ1 - X は、図１２に示すような
特性を有しており、０．２４＜Ｘ＜０．３５の範囲で室
温以上に補償温度を有する。
特性を有しており、０．２４＜Ｘ＜０．３５の範囲で室
温以上に補償温度を有する。
【００６５】ＧｄX Ｃｏ1 - X は、図１３に示すような
特性を有しており、０．２０＜Ｘ＜０．３５の範囲で室
温以上に補償温度を有する。
特性を有しており、０．２０＜Ｘ＜０．３５の範囲で室
温以上に補償温度を有する。
【００６６】遷移金属として、ＦｅＣｏ合金を用いたＧ
ｄＦｅＣｏ以外の材料として、ＴｂX （ＦｅY Ｃｏ1 -
Y ）1 - X は、０．２０＜Ｘ＜０．３０（このとき、Ｆ
ｅの組成比Ｙは任意）の範囲で室温以上に補償温度を有
する。
ｄＦｅＣｏ以外の材料として、ＴｂX （ＦｅY Ｃｏ1 -
Y ）1 - X は、０．２０＜Ｘ＜０．３０（このとき、Ｆ
ｅの組成比Ｙは任意）の範囲で室温以上に補償温度を有
する。
【００６７】ＤｙX （ＦｅY Ｃｏ1 - Y ）1 - X は、
０．２４＜Ｘ＜０．３３（このとき、Ｆｅの組成比Ｙは
任意）の範囲で室温以上に補償温度を有する。
０．２４＜Ｘ＜０．３３（このとき、Ｆｅの組成比Ｙは
任意）の範囲で室温以上に補償温度を有する。
【００６８】ＨｏX （ＦｅY Ｃｏ1 - Y ）1 - X は、
０．２５＜Ｘ＜０．４５（このとき、Ｆｅの組成比Ｙは
任意）の範囲で室温以上に補償温度を有する。
０．２５＜Ｘ＜０．４５（このとき、Ｆｅの組成比Ｙは
任意）の範囲で室温以上に補償温度を有する。
【００６９】以上の材料に加えて、光ピックアップの光
源である半導体レーザ波長が、前述の７８０ｎｍより短
くなった場合に、その波長での極カー回転角が大きな材
料も、本発明の読み出し層用の材料として好適に用いら
れる。
源である半導体レーザ波長が、前述の７８０ｎｍより短
くなった場合に、その波長での極カー回転角が大きな材
料も、本発明の読み出し層用の材料として好適に用いら
れる。
【００７０】光磁気ディスク等の光ディスクにおいて、
その記録密度を制限するのは光ビームの大きさであり、
これはレーザ波長と対物レンズの開口数により決まるも
のである。従って、今よりも波長の短い半導体レーザが
出現すれば、それだけ光磁気ディスクの記録密度は向上
する。現在では、既に６７０〜６８０ｎｍの波長の半導
体レーザがほぼ実用化レベルにあり、波長４００ｎｍ以
下のＳＨＧレーザも精力的に研究が進められている。
その記録密度を制限するのは光ビームの大きさであり、
これはレーザ波長と対物レンズの開口数により決まるも
のである。従って、今よりも波長の短い半導体レーザが
出現すれば、それだけ光磁気ディスクの記録密度は向上
する。現在では、既に６７０〜６８０ｎｍの波長の半導
体レーザがほぼ実用化レベルにあり、波長４００ｎｍ以
下のＳＨＧレーザも精力的に研究が進められている。
【００７１】希土類遷移金属合金の極カー回転角は、波
長依存性を有しており、一般には、波長が短くなる極カ
ー回転角は減少してしまう。このとき短波長で極カー回
転角の大きい膜を用いると信号強度が大きくなり、高品
質の再生信号が得られる光磁気ディスクを提供できる。
長依存性を有しており、一般には、波長が短くなる極カ
ー回転角は減少してしまう。このとき短波長で極カー回
転角の大きい膜を用いると信号強度が大きくなり、高品
質の再生信号が得られる光磁気ディスクを提供できる。
【００７２】上記第１実施例においては、読み出し層３
の膜厚を５０ｎｍとしたが、膜厚はこれに限定されるも
のではない。
の膜厚を５０ｎｍとしたが、膜厚はこれに限定されるも
のではない。
【００７３】情報の記録再生は、図１の通り、読み出し
層側からなされるが、読み出し層の膜厚が薄すぎると、
記録層の情報が透けてしまい、読み出し層の面内磁化に
よるマスク効果が小さくなる。
層側からなされるが、読み出し層の膜厚が薄すぎると、
記録層の情報が透けてしまい、読み出し層の面内磁化に
よるマスク効果が小さくなる。
【００７４】前述の通り、読み出し層の磁気特性は記録
層の影響を受けるため、各々の材料、組成によって読み
出し層の膜厚は変わってくるが、読み出し層の厚みとし
ては、２０ｎｍ以上が必要である。また、好適には５０
ｎｍ以上であれば良く、あまり厚すぎると記録層の情報
が転写されなくなるので１００ｎｍ程度の以下の膜厚が
好適である。
層の影響を受けるため、各々の材料、組成によって読み
出し層の膜厚は変わってくるが、読み出し層の厚みとし
ては、２０ｎｍ以上が必要である。また、好適には５０
ｎｍ以上であれば良く、あまり厚すぎると記録層の情報
が転写されなくなるので１００ｎｍ程度の以下の膜厚が
好適である。
【００７５】なお、記録層５の材料は、従来の光磁気デ
ィスクで開発、使用されている材料、すなわち、室温か
らキュリー温度まで垂直磁化を示す材料であり、そのキ
ュリー温度が記録に適した温度範囲、すなわち、１５０
℃〜２５０℃程度であればよい。
ィスクで開発、使用されている材料、すなわち、室温か
らキュリー温度まで垂直磁化を示す材料であり、そのキ
ュリー温度が記録に適した温度範囲、すなわち、１５０
℃〜２５０℃程度であればよい。
【００７６】上記実施例では記録層としてＤｙＦｅＣｏ
を採用した。ＤｙＦｅＣｏは、その垂直磁気異方性が小
さい材料であり、そのため、記録の際に必要な外部磁界
が低くても記録が行える。
を採用した。ＤｙＦｅＣｏは、その垂直磁気異方性が小
さい材料であり、そのため、記録の際に必要な外部磁界
が低くても記録が行える。
【００７７】これは、特に磁界変調オーバーライト記録
方式においては、非常に有利な点となり、記録用外部磁
界発生装置の小型化、低消費電力化が可能となる。
方式においては、非常に有利な点となり、記録用外部磁
界発生装置の小型化、低消費電力化が可能となる。
【００７８】実施例で示した材料ＤｙＦｅＣｏ以外にＴ
ｂＦｅＣｏ、ＧｂＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏが好適で
ある。また、これらの材料以外に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｎ、Ｂｅ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の元素を添加す
ると、より長期信頼性を向上させることができる。ま
た、記録層５の膜厚は、読み出し層の材料、組成、膜厚
との兼ね合いで決まるものであるが、２０ｎｍ程度以上
で１００ｎｍ以下が好適である。
ｂＦｅＣｏ、ＧｂＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏが好適で
ある。また、これらの材料以外に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｎ、Ｂｅ、Ｎｉのうち少なくとも１種類の元素を添加す
ると、より長期信頼性を向上させることができる。ま
た、記録層５の膜厚は、読み出し層の材料、組成、膜厚
との兼ね合いで決まるものであるが、２０ｎｍ程度以上
で１００ｎｍ以下が好適である。
【００７９】
【発明の効果】本発明の第１の構成によれば、読み出し
層の状態変化が急峻になることにより、さらなる高密度
化が実現する。次に、本発明の第２の構成によれば、同
様な高密度化とともに、より弱い磁界での記録が可能と
なる。次に、本発明の第３の構成によれば、同様な高密
度化とともに、さらなる記録特性の改善が実現する。
層の状態変化が急峻になることにより、さらなる高密度
化が実現する。次に、本発明の第２の構成によれば、同
様な高密度化とともに、より弱い磁界での記録が可能と
なる。次に、本発明の第３の構成によれば、同様な高密
度化とともに、さらなる記録特性の改善が実現する。
【００８０】さらに、再生光パワーの最適化により高品
質な信号を再生することが可能となり、案内溝のランド
とグルーブの両方に記録することにより、さらなる高密
度化が実現する。
質な信号を再生することが可能となり、案内溝のランド
とグルーブの両方に記録することにより、さらなる高密
度化が実現する。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成を示す説明図で
ある。
ある。
【図２】従来の光磁気記録媒体の構成を示す説明図であ
る。
る。
【図３】本発明の光磁気記録媒体の磁気特性を示す説明
図である。
図である。
【図４】本発明の光磁気記録媒体の磁気特性を示す説明
図である。
図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体の記録再生特性を示す
説明図である。
説明図である。
【図６】本発明の光磁気記録媒体の記録再生特性を示す
説明図である。
説明図である。
【図７】本発明の光磁気記録媒体の記録再生特性を示す
説明図である。
説明図である。
【図８】本発明の光磁気記録媒体の記録再生特性を示す
説明図である。
説明図である。
【図９】本発明の光磁気記録媒体の記録再生方法を示す
説明図である。
説明図である。
【図１０】本発明の光磁気記録媒体の記録再生特性を示
す説明図である。
す説明図である。
【図１１】本発明に係る読み出し層の磁気特性を示す図
である。
である。
【図１２】本発明に係る読み出し層の磁気特性を示す図
である。
である。
【図１３】本発明に係る読み出し層の磁気特性を示す図
である。
である。
１ 基板 ２ 透明誘電体層 ３ 読み出し層 ４ 記録層 ５ 中間層 ６ 保護層 ７ オーバーコート層 ８ 集光レンズ ９ レーザ光 １０ ランド部分 １１ グルーブ部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 室温において面内磁化状態であり、温度
上昇に伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温にお
いて垂直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒
体において、 面内磁化成分を有する中間層が読み出し層の状態変化を
急峻にすべく形成されていることを特徴とする光磁気記
録媒体。 - 【請求項２】 室温において面内磁化状態であり、温度
上昇に伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温にお
いて垂直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒
体において、 面内磁化成分を有する中間層が、記録層のキュリー温度
より低いキュリー温度を有することを特徴とする請求項
１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 室温において面内磁化状態であり、温度
上昇に伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温にお
いて垂直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒
体において、 読み出し層の補償点と記録層のキュリー点の温度差が１
２０℃以下であり、かつ、面内磁化成分を有する中間層
が記録層のキュリー温度より低いキュリー温度を有する
ことを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、再生出力が最も大きくなるように再生時の光パワー
を最適化することを特徴とする光磁気記録再生方法。 - 【請求項５】 案内溝を設けた請求項１記載の光磁気記
録媒体において、ランド部分とグルーブ部分の両方に記
録することを特徴とする光磁気記録再生方法。 - 【請求項６】 室温において面内磁化状態であり、温度
上昇に伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温にお
いて垂直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒
体において、 中間層がＧｄX （ＦｅY Ｃｏ1 - Y ）1 - X で表され、
（０．０５≦Ｘ≦０．１７，０≦Ｙ≦１）または、
（０．３０≦Ｘ≦０．９５，０≦Ｙ≦１）の範囲である
ことを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇に伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温におい
て垂直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒体
において、 中間層が（ＧｄY Ｄｙ1 - Y ）X Ｆｅ1 - X で表され、
（０．０５≦Ｘ≦０．１５，０．３≦Ｙ≦１．０）また
は、（０．３５≦Ｘ≦０．９５，０．３≦Ｙ≦１．０）
の範囲であることを特徴とする請求項１記載の光磁気記
録媒体。 - 【請求項８】 室温において面内磁化状態であり温度上
昇に伴い垂直磁化状態となる読み出し層と、室温におい
て垂直磁化状態である記録層とからなる光磁気記録媒体
において、 中間層の膜厚が２ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特
徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031073A JPH07244876A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法 |
| DE19506374A DE19506374C2 (de) | 1994-03-01 | 1995-02-23 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium sowie Verfahren zum Aufzeichnen und Abspielen unter Benutzung desselben |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6031073A JPH07244876A (ja) | 1994-03-01 | 1994-03-01 | 光磁気記録媒体及び光磁気記録再生方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07244876A true JPH07244876A (ja) | 1995-09-19 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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Country Status (3)
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| DE19506374C2 (de) | 1998-07-02 |
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