JP2001014746A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 室温において面内磁化状態であり臨界温度以
上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、垂直
磁化膜からなる記録磁性層とが、静磁結合してなる光磁
気記録媒体において、広い再生パワーマージンを得ると
ともに、再生分解能を向上する。 【解決手段】 再生磁性層１は、少なくとも、室温にお
いて面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化
状態に移行する。記録磁性層３は垂直磁化膜からなる。
再生磁性層１と記録磁性層２とは少なくとも上記臨界温
度近傍において静磁結合する。再生磁性層１は、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、または、ＧｄＴｂＣｏ
からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクが実用化
されている。このような光磁気ディスクでは、半導体レ
ーザから出射される光ビームを光記録媒体上に集光照射
することにより、光磁気記録媒体の局部温度を上昇させ
ることにより記録消去が行われる。そして、記録消去が
起こらない強度の光ビームを光磁気記録媒体に集光照射
し、その反射光の偏光状態を判別することにより、記録
情報の再生が行われる。しかし、従来より、このような
光磁気記録媒体では、光ビームのビームスポット径に対
して、記録された磁区の記録ビット径及び記録ビット間
隔が小さくなってくると、再生特性が劣化してくるとい
う問題がある。これは、目的とする記録ビット上に集光
された光ビームのビームスポット内に、隣接する記録ビ
ットが入るために、個々の記録ビットを分離して再生す
ることができなくなるためである。
【０００３】上記問題を解決する光磁気記録媒体とし
て、室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温
度で垂直磁化状態となる再生磁性層と、非磁性中間層
と、垂直磁化膜からなり情報を記録する記録磁性層とか
らなる光磁気記録媒体が提案されている（特開平９−１
８０２７６号公報）。また、光磁気記録媒体の再生特性
改善を目的として、室温において面内磁化状態であり臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態となる再生磁性層と、
臨界温度近傍にキュリー温度を有する面内磁化層と、非
磁性中間層と、垂直磁化膜からなり情報を記録する記録
磁性層とからなる光磁気記録媒体が提案されている（特
開平９−３２０１３４号公報）。
【０００４】これらの光磁気記録媒体では、臨界温度以
下の温度範囲において、再生磁性層が面内磁化状態とな
るため、記録磁性層へ記録された記録磁区情報が再生層
へと転写されず、記録磁区情報は再生されない。これに
対して、臨界温度以上の温度範囲において、再生磁性層
が垂直磁化状態となり、記録磁性層へ記録された記録磁
区情報が再生磁性層へと転写され、記録磁区情報が再生
される。このため、再生磁性層上に集光された光ビーム
のビームスポット内に、隣接する記録ビットが入る場合
においても、光ビームの再生パワーと再生磁性層が垂直
磁化状態となる臨界温度を適切に設定しておけば、個々
の記録ビットを分離して再生することができ、高密度に
記録された情報を再生することが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
光ディスクに対して、さらに大きな記録容量が求めら、
記録磁性層により小さい記録磁区を形成し、その記録磁
区を再生磁性層へと転写し安定して再生することが要求
されるようになった。上述の特開平９−１８０２７６号
公報および特開平９−３２０１３４号公報に記載の光磁
気記録媒体において、再生磁性層として用いているＧｄ
ＦｅＣｏは、垂直磁気異方性が小さく、温度上昇ととも
に再生磁性層のトータル磁化が極めて小さく、再生パワ
ーマージンが狭くなるため、より小さい記録磁区を再生
磁性層へと転写し安定して再生することができなくなる
という問題があった。
【０００６】本発明は上記課題を解決するものであっ
て、再生パワーマージンの広い光磁気記録媒体を提供す
ることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明の光磁気記録媒体は以下のようなものである。
【０００８】室温において面内磁化状態であり臨界温度
以上の温度で垂直磁化状態に移行するＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏ
を成分とする再生磁性層と、垂直磁化膜からなる記録磁
性層とを少なくとも有し、前記再生磁性層と前記記録磁
性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結合する光
磁気記録媒体において、前記再生磁性層に少なくともＴ
ｂ，Ｄｙのいずれかを含有させ、垂直磁気異方性定数と
反磁界エネルギーが等しくなる温度におけるトータル磁
化を、増大させたものである。
【０００９】また、室温において面内磁化状態であり臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層
と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有
し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前
記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体におい
て、前記再生磁性層は、（Ｇｄ1-XＴｂX）Z（Ｆｅ1-YＣ
ｏ Y）1-Zからなり、 ０．０１≦Ｘ≦０．２０ ０．３０≦Ｙ≦１．００ ０．３１≦Ｚ≦０．４１ なる条件式を満足するものえある。
【００１０】さらに、室温において面内磁化状態であり
臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性
層と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有
し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前
記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体におい
て、前記再生磁性層は、（Ｇｄ1-XＤｙX）Z（Ｆｅ1-YＣ
ｏY）1-Zからなり、 ０．０２≦Ｘ≦０．３５ ０．３５≦Ｙ≦０．７０ ０．２９≦Ｚ≦０．４０ なる条件式を満足するものである。
【００１１】また、室温において面内磁化状態であり臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層
と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有
し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前
記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体におい
て、前記再生磁性層は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＣ
ｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏからなり、垂直磁気異方性定数と
反磁界エネルギーが等しくなる温度におけるトータル磁
化が１２６ｅｍｕ／ｃｃ以上である。
【００１２】さらに、室温において面内磁化状態であり
臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性
層と、垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有
し、前記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前
記臨界温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体におい
て、前記再生磁性層は、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｄ，ＧｄＴ
ｂＣｏＮｄ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｄからなるものであ
る。
【００１３】また、室温において面内磁化状態であり臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行するＧｄ，Ｆ
ｅ，Ｃｏ，Ｎｄを成分とする再生磁性層と、垂直磁化膜
からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前記再生磁性
層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で
静磁結合する光磁気記録媒体において、前記再生磁性層
に少なくともＴｂ，Ｄｙのいずれかを含有させ、キュリ
ー温度を高めたものである。
【００１４】さらに、前記記録磁性層と前記再生磁性層
との間に、非磁性中間層を有するものである。
【００１５】また、前記記録磁性層と前記再生磁性層と
の間に、キュリー温度が前記臨界温度近傍以下の磁性中
間層を有するものである。
【００１６】さらに、前記記録磁性層と前記再生磁性層
との間に、キュリー温度が前記臨界温度近傍の面内磁化
層を有するものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、本発
明の第１の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００１８】まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説
明する。図１は第１の実施の形態の光磁気記録媒体の超
解像再生動作原理を説明する断面図である。
【００１９】第１の実施の形態の超解像光磁気記録媒体
は、図１に示すように、室温で面内磁化状態であり、臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷
移金属との合金からなる再生磁性層１と、非磁性中間層
２と、室温に補償温度を有する希土類金属と遷移金属と
の合金からなる記録磁性層３とが順次積層された構成で
ある。
【００２０】再生は、光ビーム４を再生磁性層１側から
集光照射することにより行われる。光ビーム４が照射さ
れると、媒体には光ビーム４の強度分布に対応したガウ
シアン分布状の温度分布が形成される。再生磁性層１
は、その温度分布に伴って徐々に面内磁化状態から垂直
磁化状態へと遷移し、ある臨界温度以上の温度で垂直磁
化状態となる。光ビーム４の照射にともない温度上昇し
た領域のみの記録磁性層３の磁化情報を、静磁結合によ
り、再生磁性層１へと転写し、光ビーム４により再生す
ることができる。ここで、記録磁性層３としては、最適
な静磁結合状態を実現するため、温度上昇とともにトー
タル磁化が大きくなり、温度上昇した領域において大き
な漏洩磁束が発生するように組成調整されており、室温
近傍に補償温度を有する垂直磁化膜である。また、非磁
性中間層２が、記録磁性層３と再生磁性層１との安定し
た静磁結合を実現する目的で設けられている。上記した
ように、この光磁気記録媒体の再生においては、再生磁
性層１が垂直磁化状態となる臨界温度以上の温度範囲に
おいて、記録磁性層３の磁化情報が、安定して再生磁性
層１へと転写され再生されることが望ましい。
【００２１】図２は、従来よりこの再生磁性層１として
用いられているＧｄ0.30（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.70の垂
直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ2の
温度依存性を示す図である。ここで示すＧｄ0.30（Ｆｅ
0.70Ｃｏ0.30）0.70からなる再生磁性層１の補償温度は
２８０℃であり、キュリー温度は３２０℃であった。磁
性薄膜が垂直磁化膜となるためには、Ｋｕ＞２πＭｓ2
であることが必要となる。従って、図２から、Ｇｄ0.30
（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.70からなる再生磁性層１は、１
１０℃以下の温度範囲において面内磁化状態であり、１
１０℃以上の温度範囲において垂直磁化状態であること
がわかる。ＧｄＦｅＣｏは垂直磁気異方性定数Ｋｕが小
さいため、垂直磁化状態となる温度範囲における反磁界
エネルギーを小さく維持する必要がある。従って、Ｇｄ
ＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となる温
度範囲におけるトータル磁化Ｍｓは必然的に小さくなっ
てしまう。たとえば、図２において再生磁性層１が垂直
磁化状態となっている２００℃における、ＧｄＦｅＣｏ
からなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓは４０ｅｍｕ
／ｃｃである。
【００２２】本発明の超解像光磁気記録媒体は、図１に
示すように、記録磁性層３から発生する漏洩磁束と、温
度上昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁
性層１のトータル磁化とが静磁結合することにより、記
録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと転写再生さ
れるものであり、温度上昇とともに垂直磁化状態となっ
た温度領域の再生磁性層１のトータル磁化が小さくなる
と、この静磁結合力が弱くなり、記録磁性層３の磁化情
報を、安定して再生磁性層１へと転写することができな
くなる。さらに、再生パワーが上昇することにより、再
生磁性層１がさらに温度上昇した場合、再生磁性層１の
温度が補償温度へと近付き、再生磁性層１のトータル磁
化がさらに小さくなり、ますます静磁結合力が弱くなる
ことにより、再生パワーマージンが狭くなってしまうこ
とになる。
【００２３】次に、図３は、本発明の光磁気記録媒体で
用いたＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１の垂直磁
気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ2の温度
依存性を示す図である。ここでは、代表的なＧｄＴｂＦ
ｅＣｏとして、（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0.38（Ｆｅ0.50Ｃ
ｏ0.50）0.62からなる再生磁性層１の磁気特性を示して
いる。ＧｄＦｅＣｏ同様に、ＧｄＴｂＦｅＣｏが垂直磁
化膜となるためには、Ｋｕ＞２πＭｓ2であることが必
要となる。従って、図３から、（Ｇｄ0.90Ｔｂ0 .10）
0.38（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.62からなる再生磁性層１
は、図２の場合と同様に、１１０℃以下の温度範囲にお
いて面内磁化状態であり、１１０℃以上の温度範囲にお
いて垂直磁化状態であることがわかる。
【００２４】ＧｄＴｂＦｅＣｏは、垂直磁気異方性定数
Ｋｕを大きくすることが可能な希土類金属（Ｔｂ）を含
有することにより、ＧｄＦｅＣｏより大きな垂直磁気異
方性定数Ｋｕが実現される。そのため、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲
におけるトータル磁化Ｍｓが、比較的大きい場合におい
ても、再生磁性層１が垂直磁化状態となることが可能と
なる。たとえば、図３においてＧｄＴｂＦｅＣｏからな
る再生磁性層１が垂直磁化状態となっている２００℃に
おける、ＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトー
タル磁化Ｍｓは１４４ｅｍｕ／ｃｃであり、図２に示す
ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓ
の３．６倍の大きさのトータル磁化Ｍｓを実現すること
ができる。
【００２５】従って、記録磁性層３の磁化情報が、再生
磁性層１へと静磁結合により転写再生される際、温度上
昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁性層
１のトータル磁化Ｍｓが十分に大きくなり、再生磁性層
１と記録磁性層３との静磁結合力が十分に強くなること
により、記録磁性層３の磁化情報を、安定して再生磁性
層１へと転写することができる。さらに、再生パワーが
上昇することにより、再生磁性層１がさらに温度上昇し
た場合においても、再生磁性層１のトータル磁化の減少
は比較的小さく、転写再生に必要な静磁結合力を得るこ
とが可能であり、広い再生パワーマージンが得られる。
【００２６】次に、図４は、本発明の光磁気記録媒体で
用いるＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１の垂直磁
気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２πＭｓ2の温度
依存性を示す図である。ここでは、代表的なＧｄＤｙＦ
ｅＣｏとして、（Ｇｄ0.84Ｄｙ0.16）0.33（Ｆｅ0.50Ｃ
ｏ0.50）0.67からなる再生磁性層１の磁気特性を示して
いる。ＧｄＦｅＣｏ同様に、ＧｄＤｙＦｅＣｏが垂直磁
化膜となるためには、Ｋｕ＞２πＭｓ2であることが必
要となる。従って、図４から、（Ｇｄ0.84Ｄｙ0 .16）
0.33（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.67からなる再生磁性層１
は、１０５℃以下の温度範囲において面内磁化状態であ
り、１０５℃以上の温度範囲において垂直磁化状態であ
ることがわかる。
【００２７】ＧｄＤｙＦｅＣｏは、垂直磁気異方性定数
Ｋｕを大きくすることが可能な希土類金属（Ｄｙ）を含
有することにより、ＧｄＦｅＣｏより大きな垂直磁気異
方性定数Ｋｕが実現される。そのため、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態となる温度範囲
におけるトータル磁化Ｍｓが、比較的大きい場合におい
ても、再生磁性層１が垂直磁化状態となることが可能と
なる。たとえば、図４においてＧｄＤｙＦｅＣｏからな
る再生磁性層１が垂直磁化状態となっている２００℃に
おける、ＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトー
タル磁化Ｍｓは１１３ｅｍｕ／ｃｃであり、図２に示す
ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓ
の２．８倍の大きさのトータル磁化を実現することがで
きる。
【００２８】従って、記録磁性層３の磁化情報が、再生
磁性層１へと静磁結合により転写再生される際、温度上
昇とともに垂直磁化状態となった温度領域の再生磁性層
１のトータル磁化が十分に大きくなり、再生磁性層１と
記録磁性層３との静磁結合力が十分に強くなることによ
り、記録磁性層３の磁化情報を、安定して再生磁性層１
へと転写することができる。さらに、再生パワーが上昇
することにより、再生磁性層１がさらに温度上昇した場
合においても、再生磁性層１のトータル磁化の減少は比
較的小さく、転写再生に必要な静磁結合力を得ることが
可能であり、広い再生パワーマージンが得られる。
【００２９】また、後述（実施例１０）するように、再
生磁性層１をＧｄＴｂＣｏで構成した場合にも、同様の
効果を得ることができる。
【００３０】以上のように、本実施の形態の光磁気記録
媒体は、再生磁性層１にＴｂ，Ｄｙのいずれかを含有さ
せて、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数と反磁界エネ
ルギーが等しくなる温度におけるトータル磁化を、その
温度において垂直磁気異方性定数と反磁界エネルギーが
等しくなるＧｄＦｅＣｏ再生磁性層に比して、増大させ
たものであり、これにより、良好な再生パワーマージン
を実現することを可能とする。また、再生磁性層のキュ
リー温度を高くすることができ、再生磁性層のカー回転
角を大きくして再生信号品質を向上させることが可能と
なる。
【００３１】（第２の実施の形態）以下、本発明の第２
の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説
明する。図５は第２の実施の形態の光磁気記録媒体の超
解像再生動作原理を説明する断面図である。
【００３３】第２の実施の形態の超解像光磁気記録媒体
は、図５に示すように、室温で面内磁化状態であり、臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷
移金属との合金からなる再生磁性層１と、上記臨界温度
近傍の温度にキュリー温度を有する面内磁化層５と、非
磁性中間層２と、室温に補償温度を有する希土類金属と
遷移金属との合金からなる記録磁性層３とが順次積層さ
れた構成である。
【００３４】超解像再生は、基本的に第１の実施の形態
と同様であり、再生磁性層１が垂直磁化状態となった領
域のみの記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと
静磁結合により転写されることにより実現する。第２の
実施の形態においては、再生磁性層１に隣接して、上記
臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有する面内磁化層
５を積層し、再生磁性層１と面内磁化層５とを交換結合
させることにより、面内磁化層５がキュリー温度以下の
温度範囲において、再生磁性層１の磁化が強く面内磁化
状態に固定される。そのため、再生磁性層１における面
内磁化状態から垂直磁化状態への遷移がより急峻なもの
となり、再生分解能を向上させることができる。
【００３５】ここで、再生磁性層１自身が面内磁化状態
から垂直磁化状態へと遷移する温度範囲の磁化の向き
を、面内磁化層５の面内磁化との交換結合により、面内
磁化状態に固定しておくことにより、面内磁化層５のキ
ュリー温度以上の温度範囲のみにおいて、再生磁性層１
を垂直磁化状態とすることが可能となることから、面内
磁化層５のキュリー温度は、再生磁性層１自身が面内磁
化状態から垂直磁化状態となる温度、すなわち、Ｋｕ＝
２πＭｓ2となる温度とほぼ等しい温度に設定するか、
または、わずかに高い温度に設定することが望ましい。
【００３６】ここで、図２に示すＧｄＦｅＣｏからなる
再生磁性層１を第２の実施の形態の再生磁性層１として
用い、面内磁化層のキュリー温度を１４０℃に設定した
場合、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１の比較的トー
タル磁化の大きな温度範囲、すなわち、１００℃〜１４
０℃の温度範囲において、面内磁化層５との交換結合に
より、再生磁性層１の磁化が面内磁化状態に固定される
ため、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状
態となっている領域における、再生磁性層１のトータル
磁化Ｍｓは、第１の実施の形態に比べてさらに小さくな
り、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力がさら
に弱くなる。そのため、記録磁性層３の磁化情報を安定
して再生磁性層１へと転写することができなくなる。さ
らに、再生パワーが上昇し、再生磁性層１がさらに温度
上昇した場合、再生磁性層１のトータル磁化がさらに小
さくなることにより、ますます静磁結合力が弱くなり、
再生パワーマージンが狭くなってしまうことになる。
【００３７】第２の実施の形態においても、第１の実施
の形態と同じく、再生磁性層１が垂直磁化状態となる温
度範囲におけるトータル磁化Ｍｓを大きくすることが可
能な、図３及び図４に示すＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ、またはＧｄＴｂＣｏを用いることにより、再
生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力を強くし、記
録磁性層３の磁化情報を安定して再生磁性層１へと転写
することが可能になるとともに、広い再生パワーマージ
ンを得ることが可能となる。
【００３８】（第３の実施の形態）以下、本発明の第３
の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】まず、光磁気記録媒体の再生動作原理を説
明する。図６は第３の実施の形態の光磁気記録媒体の超
解像再生動作原理を説明する断面図である。
【００４０】第３の実施の形態の超解像光磁気記録媒体
は、図６に示すように、室温で面内磁化状態であり、臨
界温度以上の温度で垂直磁化状態となる希土類金属と遷
移金属との合金からなる再生磁性層１と、上記臨界温度
近傍の温度にキュリー温度を有する第１の面内磁化層６
と、上記臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有し、第
１の面内磁化層６と磁気的極性の異なる第２の面内磁化
層７と、非磁性中間層２と、室温に補償温度を有する希
土類金属と遷移金属との合金からなる記録磁性層３とが
順次積層された構成である。
【００４１】超解像再生は、基本的に第１の実施の形態
と同様であり、再生磁性層１が垂直磁化状態となった領
域のみの記録磁性層３の磁化情報が、再生磁性層１へと
静磁結合により転写されることにより実現する。第３の
実施の形態においては、再生磁性層１に隣接して、上記
臨界温度近傍の温度にキュリー温度を有し、磁気的極性
が互いに異なる第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層
７を積層し、再生磁性層１と第１の面内磁化層６及び第
２の面内磁化層７とを交換結合させることにより、第１
の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７がキュリー温度
以下の温度範囲において、再生磁性層１の磁化が強く面
内磁化状態に固定される。そのため、再生磁性層１にお
ける面内磁化状態から垂直磁化状態への遷移がより急峻
なものとなり、再生分解能を向上させることができる。
【００４２】ここで、単層の面内磁化層５のみ存在する
第２の実施の形態と、磁気的極性の異なる第１の面内磁
化層６と第２の面内磁化層７とが存在する第３の実施の
形態との比較を行なう。
【００４３】図７（ａ）及び（ｂ）は、単層の面内磁化
層８の磁化状態を、図７（ｃ）及び（ｄ）は、第１の面
内磁化層６と第２の面内磁化層７とが交換結合した場合
の磁化状態を示す比較図である。
【００４４】単層の面内磁化層８の場合、記録磁性層３
からの漏洩磁束が存在しない状態（ａ）においては、磁
化は完全に面内磁化状態である。ここで、面内磁化層８
はＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であり、トータル磁
化の向きとＴＭモーメントの向きは平行となっている。
次に、漏洩磁束が存在する状態（ｂ）においては、トー
タル磁化が漏洩磁束と静磁結合することにより、トータ
ル磁化はその向きを漏洩磁束の向きと平行にしようとす
る力を受け、膜面に対してトータル磁化及びＴＭモーメ
ントの向きが傾いた状態となる。
【００４５】一方、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成の第１の面内磁
化層６とＲＥ−ｒｉｃｈ組成の第２の面内磁化層７とが
交換結合している場合、漏洩磁束が存在しない状態
（ｃ）においては、第１の面内磁化層６と第２の面内磁
化層７の磁化は、単層の面内磁化層８の場合と同様に、
共に完全に面内磁化状態となっている。ここで、第１の
面内磁化層６はＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であ
り、トータル磁化の向きとＴＭモーメントの向きは平行
となっており、第２の面内磁化層７はＲＥ−ｒｉｃｈ組
成の面内磁化膜であり、トータル磁化の向きとＴＭモー
メントの向きは反平行となっている。また、第１の面内
磁化層６と第２の面内磁化層７との間には、交換結合力
が働いているため、各層のＴＭモーメントの向きを平行
にするように、その磁化の向きが決定される。
【００４６】次に、漏洩磁束が存在する状態（ｄ）にお
いては、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７のト
ータル磁化が漏洩磁束と静磁結合することにより、それ
ぞれのトータル磁化の向きが、漏洩磁束の向きと平行に
なろうとする力を受けることになる。ここで、第１の面
内磁化層６と第２の面内磁化層７の磁気的極性が異なる
ため、第１の面内磁化層６のＴＭモーメントは上向きに
なり、第２の面内磁化層７のＴＭモーメントは下向きと
なる。このため、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化
層７との間に界面磁壁が形成されることになり、界面磁
壁形成による磁壁エネルギーが蓄積される。この場合、
静磁結合によるエネルギーと界面磁壁エネルギーとを合
せたトータルエネルギーが極小になるように磁化状態が
決定されるため、界面磁壁エネルギーが蓄積されること
により、トータル磁化及びＴＭモーメントの傾きは、単
層の面内磁化層８の場合に比べて小さくなる。以上のよ
うに、極性の異なる面内磁化層を交換結合させ、界面磁
壁を形成することにより、漏洩磁束に対して、面内磁化
状態であろうとする力を著しく強くすることができる。
【００４７】以上のように、より面内磁化状態であろう
とする力の強い、第１の面内磁化層６と第２の面内磁化
層７とが、再生磁性層１に積層されていることにより、
第３の実施の形態において、第２の実施の形態と比較し
て、さらに高い再生分解能を実現することが可能とな
る。
【００４８】しかし、第３の実施の形態においても、第
２の実施の形態同様に、再生磁性層１自身が面内磁化状
態から垂直磁化状態へと遷移する温度範囲の磁化の向き
を、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の面内
磁化との交換結合により、面内磁化状態に固定しておく
ことにより、比較的トータル磁化Ｍｓの大きな温度範
囲、すなわち、１００℃〜１４０℃の温度範囲におい
て、再生磁性層１の磁化が面内磁化状態に固定されるた
め、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性層１が垂直磁化状態
となっている領域における、再生磁性層１のトータル磁
化Ｍｓは、第１の実施の形態に比べてさらに小さくな
り、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力がさら
に弱くなる。そのため、記録磁性層３の磁化情報を、安
定して再生磁性層１へと転写することができなくなる。
さらに、再生パワーが上昇し、再生磁性層１がさらに温
度上昇した場合、再生磁性層１のトータル磁化がさらに
小さくなることにより、ますます静磁結合力が弱くな
り、再生パワーマージンが狭くなってしまうことにな
る。
【００４９】第３の実施の形態においても、第１の実施
の形態と同じく、再生磁性層１が垂直磁化状態となる温
度範囲におけるトータル磁化Ｍｓを大きくすることが可
能な、図３及び図４に示すＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙ
ＦｅＣｏまたはＧｄＴｂＣｏを用いることにより、再生
磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力を強くし、記録
磁性層３の磁化情報を安定して再生磁性層１へと転写す
ることが可能になるとともに、広い再生パワーマージン
を得ることが可能となる。
【００５０】（実施の形態４）従来より、短波長領域に
おける極カー回転角を大きくし、再生信号品質を向上さ
せることを目的として、ＧｄＦｅＣｏからなる再生磁性
層に、希土類金属であるＮｄを含有させることが試みら
れている。しかし、Ｎｄの添加量を多くしていくと、キ
ュリー温度が低くなり、極カー回転角が実質的に小さく
なるという問題がある。
【００５１】再生磁性層と記録磁性層とが交換結合して
いるような光磁気記録媒体においては、再生磁性層の垂
直磁気異方性定数Ｋｕが小さく、完全な垂直磁化膜にな
らないような再生磁性層であっても、記録磁性層との交
換結合により再生磁性層を垂直磁化状態とすることが可
能であり、垂直磁気異方性定数Ｋｕが比較的小さいＧｄ
ＮｄＦｅＣｏにおけるＣｏ含有量を相対的に大きくし
て、Ｎｄ添加によるキュリー温度低下を補償することが
できる。
【００５２】しかしながら、本発明のように、再生磁性
層１と記録磁性層３とが静磁結合しているような光磁気
記録媒体においては、再生磁性層１の垂直磁気異方性定
数Ｋｕが小さくなると、温度上昇にともない面内磁化状
態から垂直磁化状態へと遷移するという特性を実現する
ことができなくなる。従って、本発明のように、再生磁
性層１と記録磁性層３とが静磁結合しているような光磁
気記録媒体において、垂直磁気異方性定数Ｋｕが比較的
小さいＧｄＦｅＣｏＮｄにおけるＣｏ含有量を相対的に
大きくして、Ｎｄ添加によるキュリー温度低下を補償し
た場合、再生磁性層１を垂直磁化状態とすることが困難
となる。
【００５３】本実施の形態は、上記の問題点を解決すべ
く、再生磁性層１として、実施の形態１〜３と同様に垂
直磁気異方性定数Ｋｕを大きくすることが可能なＴｂま
たはＤｙからなる希土類金属を含有させ（ＧｄＴｂＦｅ
ＣｏＮｄ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｄ、ＧｄＴｂＣｏＮｄ）
を使用して、垂直磁気異方性定数が十分に大きくすると
ともに、Ｃｏ含有率を相対的に大きくして、Ｎｄ添加に
よるキュリー温度低下を補償し、短波長領域における極
カー回転角を大きくし、再生信号品質を向上させること
ができる。
【００５４】また、本実施の形態の再生磁性層１は、上
述した実施の形態１〜３のいずれの光磁気記録媒体にも
使用可能であり、それらと同様の構成により同様の効果
を得ることも期待である。
【００５５】以下、本発明の実施の形態１〜４について
の実施例を説明する。
【００５６】（実施例１）本発明の実施例１について、
図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例
では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合
について説明する。
【００５７】図８はこの光磁気ディスクの構成を示す断
面図である。この光磁気ディスクは、基板９、透明誘電
体層１０、再生磁性層１、非磁性中間層２、記録磁性層
３、保護層１１、オーバーコート層１２が、この順にて
積層されたディスク本体を有している。
【００５８】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられ、そして、
極カー効果として知られている光磁気効果によって情報
が再生されるようになっており、半導体レーザから出射
される光ビームが対物レンズにより再生磁性層１に絞り
込まれ記録再生が行われる。上記極カー効果とは、入射
表面に垂直な磁化の向きにより、反射光の偏光面の回転
の向きが逆方向になる現象である。
【００５９】基板９は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。
【００６０】透明誘電体層１０は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、Ａ
ｌＳｉＮ等の酸素を含まない材料で構成されることが望
ましく、その膜厚は、入射するレーザ光に対して、良好
な干渉効果が実現し、媒体のカー回転角が増大すべく設
定される必要があり、再生光の波長をλ，透明誘電体層
１０の屈折率をｎとした場合、透明誘電体層１０の膜厚
は（λ／４ｎ）程度に設定される。例えば、レーザ光の
波長を６８０ｎｍとした場合、透明誘電体層１０の膜厚
を４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度に設定すれば良い。
【００６１】再生磁性層１は、ＧｄＴｂＦｅＣｏからな
る磁性膜であり、その磁気特性が、室温において面内磁
化状態であり、温度上昇にともない、ある臨界温度以上
の温度で垂直磁化状態となるように組成調整されてい
る。
【００６２】再生磁性層１の臨界温度は、１００℃以上
２００℃以下であることが望ましい。該臨界温度が１０
０℃より低くなると、僅かな温度上昇により再生磁性層
１が垂直磁化状態となり、環境温度の変化に対して、安
定した再生特性を得ることができなくなる。また、臨界
温度が２００℃より高くなると、臨界温度と記録磁性層
３のキュリー温度が近接することにより、再生パワーマ
ージンを確保することが困難となる。
【００６３】再生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上８０
ｎｍ以下であることが望ましい。該再生磁性層１の膜厚
が１０ｎｍより薄くなると、該再生磁性層１からの反射
光が減少し、再生信号強度が著しく低下するとともに、
再生磁性層１を透過した光ビーム４が記録磁性層３の磁
化情報を再生することにより、再生分解能の劣化を招く
ことになる。また該膜厚を８０ｎｍより厚くすると、膜
厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【００６４】非磁性中間層２は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａｌ
ＳｉＮ等の誘電体、または、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁
性金属またはそれらの合金からなり、再生磁性層１と記
録磁性層３とが安定して静磁結合すべく、その膜厚が
０．５ｎｍ以上６０ｎｍ以下に設定されている。非磁性
中間層２の膜厚が０．５ｎｍより薄くなると、非磁性中
間層２が連続的に形成されず、安定した静磁結合状態を
維持することができなくなる。また、非磁性中間層２の
膜厚が６０ｎｍより厚くなると、記録磁性層３と再生磁
性層１との距離が離れることにより、安定した静磁結合
状態を維持できなくなる。
【００６５】記録磁性層３は、室温近傍に補償温度を有
する希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜からなり、
その膜厚が２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の範囲に設定され
ている。記録磁性層３の膜厚が２０ｎｍより薄くなる
と、記録磁性層３から発生する漏洩磁束が小さくなるこ
とにより、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
また、記録磁性層３の膜厚が８０ｎｍより厚くなると、
膜厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【００６６】保護層１１は、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ 等の誘電体、または、Ａｌ、Ｔｉ、Ｔａ等の非磁性
金属合金からなり、再生磁性層１及び記録磁性層３に用
いる希土類遷移金属合金の酸化を防止する目的で形成さ
れるものであり、その膜厚が５ｎｍ以上６０ｎｍ以下の
範囲に設定されている。
【００６７】オーバーコート層１２は、紫外線硬化樹脂
または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外
線を照射するか、または、加熱するかによって形成され
る。
【００６８】次に、この構成の光磁気ディスクの形成方
法及び記録再生特性の具体例を説明する。
【００６９】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【００７０】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＴｂＦｅＣ
ｏ合金ターゲットと、ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内の基板ホルダーに、０．
６μｍ幅のランド記録領域とグルーブ記録領域とがスパ
イラル状に形成されたランド・グルーブ記録可能なディ
スク状に形成されたポリカーボネート製の基板９を配置
する。そして、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒま
で真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、基板９上にＡｌＮからなる透明誘
電体層１０を膜厚６０ｎｍで形成する。
【００７１】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＧｄＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガ
ス圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記透明誘電体層１０上
に、（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0. 36（Ｆｅ0.40Ｃｏ0.60）
0.64からなる再生磁性層１を膜厚４０ｎｍで形成した。
その再生磁性層１は、室温において面内磁化状態であ
り、１１０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有し、
そのキュリー温度が３４０℃であり、補償温度は存在せ
ず、室温からキュリー温度までＲＥ−ｒｉｃｈ組成であ
った。
【００７２】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記再生磁性層１上にＡｌＮから
なる非磁性中間層２を膜厚５ｎｍで形成した。
【００７３】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧
４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記非磁性中間層２上に、Ｔ
ｂ0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20） 0.77からなる記録磁性層３
を膜厚５０ｎｍで形成した。その記録磁性層３は、２５
℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であっ
た。
【００７４】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録磁性層３上にＡｌＮから
なる保護層１１を膜厚２０ｎｍ形成した。
【００７５】最後に、上記保護層１１上に、紫外線硬化
樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外線を照射する
ことによりオーバーコート層１２を形成した。
【００７６】（２）記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光ピックアップを有する評価装置で、線速５ｍ
／ｓの条件で、磁界変調記録方式により、マーク長０．
３μｍの記録磁区をランド記録領域に形成し、その記録
磁区を再生した場合のＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パ
ワー依存性（ＣＮＲ１）を図９に示す。なお、ここで、
０．３μｍのマーク長とは、マーク長に対応する長さ
０．３μｍの記録磁区をマーク長の２倍の長さ０．６μ
ｍのピッチで連続形成したものである。
【００７７】比較例１として、膜厚４０ｎｍのＧｄ0.30
（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.70からなる再生磁性層１を用い
た光磁気ディスクにおけるＣＮＲの再生パワー依存性
（ＣＮＲ１１）を同図に示す。
【００７８】ＣＮＲ１（実施例１）及びＣＮＲ１１（比
較例１）ともに、超解像再生が実現することにより、再
生パワー上昇とともに再生磁性層１が面内磁化状態から
垂直磁化状態へと遷移し、それに伴いＣＮＲが大きくな
る。ＣＮＲが最大となる再生パワー１．６ｍＷにおい
て、ＣＮＲ１１が３５ｄＢであるのに対して、ＣＮＲ１
が３７ｄＢであり、実施例１において比較例１よりも２
ｄＢ程高いＣＮＲが得られている。これは、再生磁性層
１として、比較的大きなトータル磁化を有するＧｄＴｂ
ＦｅＣｏを用いることにより、再生磁性層１と記録磁性
層３との静磁結合がより強くなり、実施例１において、
より安定した超解像再生動作が実現したことによるもの
である。
【００７９】さらに、再生パワーを上昇させると、ＣＮ
Ｒ１１が急激に減少するのに対して、ＣＮＲ１はほとん
ど変化せず、実施例１において、より広い再生パワーマ
ージンが得られることがわかる。これは、再生磁性層１
として、より高い温度範囲においても比較的大きなトー
タル磁化を有するＧｄＴｂＦｅＣｏを用いることによ
り、再生パワーを上昇させ再生磁性層１の温度がより高
くなった領域においても、再生磁性層１と記録磁性層３
とが十分な強度で静磁結合し、実施例１においてより安
定した超解像再生動作が実現したことによるものであ
る。
【００８０】（実施例２）実施例１の光磁気ディスクに
おいて、再生磁性層１のみを、膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ
0.84Ｄｙ0.16）0.33（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.67に変え
て、実施例１と同じ条件で、記録再生特性を調査した。
実施例２におけるマーク長０．３μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ２）を図１０に
示す。実施例１において用いた比較例１の再生パワー依
存性を同図に示す。
【００８１】図１０から、実施例２（ＣＮＲ２）におい
ても、実施例１と同様に、比較例１（ＣＮＲ１１）に対
して、より安定した超解像再生動作が実現し、より高い
ＣＮＲが得られており、さらに、より広い再生パワーマ
ージンが得られることがわかる。
【００８２】以上、実施例１及び実施例２においては、
再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させ
ること目的として、非磁性中間層２を再生磁性層１と記
録磁性層３との間に設けた構成について説明を行なった
が、再生磁性層１と記録磁性層３とが少なくとも再生磁
性層１の臨界温度近傍において静磁結合していれば良
く、非磁性中間層２に限られるものではない。例えば、
Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等のキュリー温度が極めて低い
希土類金属を再生磁性層１と記録磁性層３との間に設け
た場合や、再生磁性層１と記録磁性層３との交換結合を
断ち切ることが可能な程に強い面内磁気異方性を有する
Ｆｅ，Ｃｏ等の遷移金属を再生磁性層１と記録磁性層３
との間に設けた場合においても、再生磁性層１と記録磁
性層３とを安定して静磁結合させることが可能であり、
この場合も、実施例１及び実施例２と同様な再生特性を
得ることができる。
【００８３】（実施例３）本発明の実施例３について、
図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例
では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合
について説明する。
【００８４】図１１はこの光磁気ディスクの構成を示す
断面図である。この光磁気ディスクは、基板９、透明誘
電体層１０、再生磁性層１、面内磁化層５、非磁性中間
層２、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１
２が、この順にて積層されたディスク本体を有してい
る。
【００８５】実施例３においては、実施例１と同様にし
て、基板９上に、膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０を形
成した後、（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0.36（Ｆｅ0.40Ｃｏ
0.60） 0.64からなる再生磁性層１を膜厚２０ｎｍで形成
した。その再生磁性層１は、室温において面内磁化状態
であり、１１０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有
し、そのキュリー温度が３４０℃であり、補償温度は存
在せず、室温からキュリー温度までＲＥ−ｒｉｃｈ組成
であった。
【００８６】再生磁性層１を形成した後、別途準備した
ＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、上記再
生磁性層１上に、Ｇｄ0.10（Ｆｅ0.97Ｃｏ0.03）0.90か
らなる面内磁化層５を膜厚２０ｎｍで形成した。その面
内磁化層のキュリー温度は１５０℃であり、室温から該
キュリー温度まで面内磁化状態であるＴＭ−ｒｉｃｈ組
成の面内磁化膜であった。
【００８７】次に、実施例１と同様にして、膜厚５ｎｍ
のＡｌＮからなる非磁性中間層２、膜厚５０ｎｍのＴｂ
0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録磁性層３、
膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコ
ート層１２を形成することにより作製した。
【００８８】上記光磁気ディスクを、実施例１と同様
に、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックア
ップを有する評価装置で、線速５ｍ／ｓの条件で、磁界
変調記録方式により、マーク長０．３μｍの記録磁区を
ランド記録領域に形成し、その記録磁区を再生した場合
のＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ
３）を図１２に示す。
【００８９】比較例３として、実施例３の媒体構成にお
いて、再生磁性層１として、膜厚２０ｎｍのＧｄ
0.30（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.70を用いた光磁気ディスク
におけるＣＮＲの再生パワー依存性（ＣＮＲ３３）を同
図に示す。
【００９０】実施例３のＣＮＲ３は、面内磁化層５によ
り低温領域における面内磁化マスクが強化され、再生分
解能が向上しており、実施例１のＣＮＲ１に比較して、
低再生パワーにおけるＣＮＲが小さくなり、２ｍＷの再
生パワーにおいて、実施例１よりも高い４１ｄＢのＣＮ
Ｒが得られている。
【００９１】また、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣ
ｏを用いたＣＮＲ３と、再生磁性層１としてＧｄＦｅＣ
ｏを用いたＣＮＲ３３とを比較すると、実施例１の場合
と同様に、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合が
より強くなり、実施例３において、より安定した超解像
再生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られており、さ
らに、より広い再生パワーマージンが得られることがわ
かる。
【００９２】（実施例４）実施例３の光磁気ディスクに
おいて、再生磁性層１のみを、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ
0.84Ｄｙ0.16）0.33（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.67に変え
て、実施例３と同じ条件で、記録再生特性を調査した。
実施例４におけるマーク長０．３μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ４）を図１３に
示す。実施例３において用いた比較例３の再生パワー依
存性を同図に示す。
【００９３】図１３から、実施例４においても、実施例
３と同様に、比較例３に対してより安定した超解像再生
動作が実現し、より高いＣＮＲが得られており、さら
に、より広い再生パワーマージンが得られることがわか
る。
【００９４】以上、実施例３及び実施例４においては、
再生磁性層１及び面内磁化層５と記録磁性層３とを安定
して静磁結合させること目的として、非磁性中間層２を
面内磁化層５と記録磁性層３との間に設けた構成につい
て説明を行なったが、少なくとも再生磁性層１の臨界温
度近傍において再生磁性層１と記録磁性層３とが静磁結
合していれば良く、非磁性中間層２に限られるものでは
ない。例えば、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等のキュリー温
度が極めて低い希土類金属を面内磁化層５と記録磁性層
３との間に設けた場合や、面内磁化層５と記録磁性層３
との交換結合を断ち切ることが可能な程に強い面内磁気
異方性を有するＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を面内磁化層５
と記録磁性層３との間に設けた場合においても、再生磁
性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させること
が可能であり、この場合も、実施例３及び実施例４と同
様な再生特性を得ることができる。また、面内磁化層５
の膜厚をさらに厚くすることによっても、再生磁性層１
と記録磁性層３とを安定して静磁結合させることが可能
であり、この場合も、実施例３及び実施例４と同様な再
生特性を得ることができる。
【００９５】また、実施例３及び実施例４において、再
生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である
ことが望ましい。該再生磁性層１の膜厚を薄くすること
により、面内磁化層５からの交換結合の効果が相対的に
強くなり、より高い再生分解能を得ることが可能となる
が、１０ｎｍより薄くなると、再生磁性層１からの反射
光が減少し、再生信号強度が著しく低下してしまう。ま
た、膜厚を６０ｎｍより厚くすると、面内磁化層５から
の交換結合の効果が相対的に弱くなり、再生分解能の向
上が期待できなくなるとともに、膜厚増加による記録感
度劣化が著しくなる。
【００９６】また、実施例３及び実施例４において、面
内磁化層５の膜厚は、５ｎｍ以上であることが望まし
い。該面内磁化層５の膜厚が薄くなることにより、面内
磁化層５の効果が相対的に弱くなり、該面内磁化層５の
膜厚が５ｎｍより薄くなると、再生分解能の向上が期待
できなくなる。
【００９７】また、実施例３及び実施例４において、面
内磁化層５と非磁性中間層２とのトータル膜厚が６０ｎ
ｍ以下に設定されていることが望ましい。トータル膜厚
が６０ｎｍより厚くなると、記録磁性層３と再生磁性層
１との距離が離れることにより、安定した静磁結合状態
を維持できなくなる。
【００９８】（実施例５）本発明の実施例５について、
図面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例
では、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合
について説明する。
【００９９】図１４はこの光磁気ディスクの構成を示す
断面図である。この光磁気ディスクは、基板９、透明誘
電体層１０、再生磁性層１、第１の面内磁化層６、第２
の面内磁化層７、非磁性中間層２、記録磁性層３、保護
層１１、オーバーコート層１２が、この順にて積層され
たディスク本体を有している。
【０１００】実施例５においては、実施例１と同様にし
て、基板９上に、膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１０を形
成した後、（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0.36（Ｆｅ0.40Ｃｏ
0.60） 0.64からなる再生磁性層１を膜厚２０ｎｍで形成
した。その再生磁性層１は、室温において面内磁化状態
であり、１１０℃の温度で垂直磁化状態となる特性を有
し、そのキュリー温度が３４０℃であり、補償温度は存
在せず、室温からキュリー温度までＲＥ−ｒｉｃｈ組成
であった。
【０１０１】再生磁性層１を形成した後、別途準備した
第１のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、
上記再生磁性層１上に、Ｇｄ0.10（Ｆｅ0.97Ｃｏ0.03）
0.90からなる第１の面内磁化層６を膜厚１０ｎｍで形成
した。その面内磁化層のキュリー温度は１５０℃であ
り、室温から該キュリー温度まで面内磁化状態であるＴ
Ｍ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であった。
【０１０２】次に、別途準備した第２のＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットに電力を供給して、上記第１の面内磁化層
６上に、Ｇｄ0.48（Ｆｅ0.95Ｃｏ0.05）0.52からなる第
２の面内磁化層７を膜厚１０ｎｍで形成した。その面内
磁化層のキュリー温度は１５０℃であり、室温からキュ
リー温度まで面内磁化状態であるＲＥ−ｒｉｃｈ組成の
面内磁化膜であった。
【０１０３】次に、実施例１と同様にして、膜厚５ｎｍ
のＡｌＮからなる非磁性中間層２、膜厚５０ｎｍのＴｂ
0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録磁性層３、
膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコ
ート層１２を形成することにより作製した。
【０１０４】上記光磁気ディスクを、実施例１と同様
に、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックア
ップを有する評価装置で、線速５ｍ／ｓの条件で、磁界
変調記録方式により、マーク長０．３μｍの記録磁区を
ランド記録領域に形成し、その記録磁区を再生した場合
のＣＮＲ（信号対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ
５）を図１５に示す。
【０１０５】比較例５として、実施例５の媒体構成にお
いて、膜厚２０ｎｍのＧｄ0.30（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）
0.70からなる再生磁性層１を用いた光磁気ディスクにお
けるＣＮＲの再生パワー依存性（ＣＮＲ５５）を同図に
示す。
【０１０６】実施例５のＣＮＲ５は、第１の面内磁化層
６及び第２の面内磁化層７により、低温領域における面
内磁化マスクが強化され、再生分解能が向上しており、
実施例１のＣＮＲ１及び実施例３のＣＮＲ３に比較し
て、低再生パワーにおけるＣＮＲが小さくなり、２ｍＷ
の再生パワーにおいて、実施例１及び実施例３よりも高
い４２ｄＢのＣＮＲが得られている。
【０１０７】また、再生磁性層１としてＧｄＴｂＦｅＣ
ｏを用いたＣＮＲ５と、再生磁性層１としてＧｄＦｅＣ
ｏを用いたＣＮＲ５５とを比較すると、実施例１及び実
施例３の場合と同様に、再生磁性層１と記録磁性層３と
の静磁結合がより強くなっている実施例５において、よ
り安定した超解像再生動作が実現し、より高いＣＮＲが
得られるとともに、より広い再生パワーマージンが得ら
れることがわかる。
【０１０８】（実施例６）実施例５の光磁気ディスクに
おいて、再生磁性層１のみを、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ
0.84Ｄｙ0.16）0.33（Ｆｅ0.50Ｃｏ0.50）0.67に変え
て、実施例５と同じ条件で、記録再生特性を調査した。
実施例６におけるマーク長０．３μｍでのＣＮＲ（信号
対雑音比）の再生パワー依存性（ＣＮＲ６）を図１６に
示す。実施例５において用いた比較例５の再生パワー依
存性を同図に示す。
【０１０９】図１６から、実施例６においても、実施例
５と同様に、比較例５に対して、より安定した超解像再
生動作が実現し、より高いＣＮＲが得られるとともに、
より広い再生パワーマージンが得られることがわかる。
【０１１０】以上、実施例５及び実施例６においては、
再生磁性層１及び第１の面内磁化層６及び第２の面内磁
化層７と記録磁性層３とを安定して静磁結合させること
目的として、非磁性中間層２を第２の面内磁化層７と記
録磁性層３との間に設けた構成について説明を行なった
が、再生磁性層１と記録磁性層３とが静磁結合していれ
ば良く、非磁性中間層２に限られるものではない。例え
ば、Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｎｄ等のキュリー温度が極めて
低い希土類金属を第２の面内磁化層７と記録磁性層３と
の間に設けた場合や、第２の面内磁化層７と記録磁性層
３との交換結合を断ち切ることが可能な程に強い面内磁
気異方性を有するＦｅ，Ｃｏ等の遷移金属を第２の面内
磁化層７と記録磁性層３との間に設けた場合において
も、再生磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合
させることが可能であり、この場合も、実施例５及び実
施例６と同様な再生特性を得ることができる。
【０１１１】また、第１の面内磁化層６及び第２の面内
磁化層７の膜厚をさらに厚くすることによっても、再生
磁性層１と記録磁性層３とを安定して静磁結合させるこ
とが可能であり、この場合も、実施例５及び実施例６と
同様な再生特性を得ることができる。
【０１１２】また、実施例５及び実施例６において、再
生磁性層１の膜厚は、１０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である
ことが望ましい。該再生磁性層１の膜厚を薄くすること
により、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７か
らの交換結合による効果が相対的に強くなり、より高い
再生分解能を得ることが可能となるが、１０ｎｍより薄
くなると、該再生磁性層１からの反射光が減少し、再生
信号強度が著しく低下してしまう。また該膜厚を６０ｎ
ｍより厚くすると、第１の面内磁化層６及び第２の面内
磁化層７からの交換結合による効果が相対的に弱くな
り、再生分解能の向上が期待できなくなるとともに、膜
厚増加による記録感度劣化が著しくなる。
【０１１３】また、実施例５及び実施例６において、第
１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の膜厚は、そ
れぞれ、５ｎｍ以上であることが望ましい。第１の面内
磁化層６及び第２の面内磁化層７の膜厚が薄くなること
により、第１の面内磁化層６及び第２の面内磁化層７の
効果が相対的に弱くなり、再生分解能の向上が期待でき
なくなる。
【０１１４】また、実施例５及び実施例６において、第
１の面内磁化層６と第２の面内磁化層７と非磁性中間層
２とのトータル膜厚が６０ｎｍ以下に設定されているこ
とが望ましい。トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなる
と、記録磁性層３と再生磁性層１との距離が離れること
により、安定した静磁結合状態を維持できなくなる。
【０１１５】（実施例７）本発明の実施例７について図
面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例で
は、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合に
ついて説明する。
【０１１６】実施例７の光磁気ディスクは、図１７に示
すように、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、
透明誘電体からなる非磁性中間層１３、反射層１４、記
録磁性層３、保護層１１、オーバーコート層１２がこの
順にて順次積層された構成を有している。
【０１１７】実施例７の光磁気ディスクは、実施例１に
おいて、非磁性中間層２を透明誘電体からなる非磁性中
間層１３とし、更に反射層１４を設けることにより、多
層膜構造において発生する干渉効果を利用したカー回転
角の増大を図ることが可能となる。さらに、反射層１４
において光ビーム４が反射されることにより、記録磁性
層３からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１
に転写された情報のみを再生することが可能となり、超
解像再生特性を改善することが可能となる。
【０１１８】実施例７の光磁気ディスクとして、実施例
１に記載の光磁気ディスクの形成方法と同様にして、基
板９上にＡｌＮからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１
０、膜厚４０ｎｍの（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0.36（Ｆｅ
0.40Ｃｏ0.60）0.64からなる再生磁性層１、膜厚１０ｎ
ｍのＡｌＮからなる光ビーム４に対して透明な非磁性中
間層１３、膜厚１０ｎｍのＡｌ0.8Ｔｉ0.2からなる反射
層１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮから
なる保護層１１、オーバーコート層１２を順次形成し
た。
【０１１９】実施例１と同様にして、マーク長０．３μ
ｍにおけるＣＮＲを測定した結果、実施例１の場合、再
生パワー１．６ｍＷにおいて、３７ｄＢのＣＮＲが得ら
れたのに対して、実施例７の場合、再生パワー２．０ｍ
Ｗにおいて、３８ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例１より
も良好な超解像再生特性が得られることが確認された。
また、実施例７においても、実施例１と同様に広い再生
パワーマージンが得られた。
【０１２０】実施例７において、透明誘電体からなる非
磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ
2Ｏ3等の非磁性誘電体を用いることが可能であり、反射
層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の非
磁性金属、または、それらの非磁性金属からなる合金を
用いることが可能である。
【０１２１】また、良好な干渉効果を得るためには、透
明誘電体層１０の膜厚を実施例１と同じく、４０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１の膜厚を５０
ｎｍ以下とすることが望ましい。該膜厚が５０ｎｍより
厚くなると、再生磁性層１を透過する光量が少なくな
り、干渉効果によりカー回転角を増大させることが困難
となる。
【０１２２】また、カー回転角を効果的に増大させるた
めには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１２３】また、反射層１４により、記録磁性層５か
らの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写
された情報のみを再生するためには、該反射層１４の膜
厚を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１２４】また、透明誘電体からなる非磁性中間層１
３と反射層１４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以下とする
ことが望ましい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くな
ると、再生磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎること
により、両者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再
生を行なうことができなくなる。
【０１２５】実施例７においては、再生磁性層１として
ＧｄＴｂＦｅＣｏを用いた場合について説明を行なった
が、再生磁性層１としてＧｄＤｙＦｅＣｏ用いた場合に
おいても実施例７と同様な再生特性を得ることが可能で
ある。
【０１２６】（実施例８）本発明の実施例８について図
面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例で
は、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合に
ついて説明する。
【０１２７】実施例８の光磁気ディスクは、図１８に示
すように、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、
面内磁化層５、透明誘電体からなる非磁性中間層１３、
反射層１４、記録磁性層３、保護層１１、オーバーコー
ト層１２がこの順にて順次積層された構成を有してい
る。
【０１２８】実施例８の光磁気ディスクは、実施例３に
おいて、非磁性中間層２を透明誘電体からなる非磁性中
間層１３とし、更に反射層１４を設けることにより、多
層膜構造において発生する干渉効果を利用したカー回転
角の増大を図ることが可能となる。さらに、反射層１４
において光ビーム４が反射されることにより、記録磁性
層３からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１
に転写された情報のみを再生することが可能となり、超
解像再生特性を改善することが可能となる。
【０１２９】実施例８の光磁気ディスクとして、実施例
３に記載の光磁気ディスクの形成方法と同様にして、基
板９上にＡｌＮからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１
０、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0.38（Ｆｅ
0.40Ｃｏ0.60）0.62からなる再生磁性層１、膜厚２０ｎ
ｍのＧｄ0.10（Ｆｅ0.97Ｃｏ0.03）0.90からなる面内磁
化層５、膜厚１０ｎｍのＡｌＮからなる光ビーム４に対
して透明な非磁性中間層１３、膜厚１０ｎｍのＡｌ0.8
Ｔｉ0.2からなる反射層１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ 0.23
（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.77からなる記録磁性層３、膜厚
２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層１１、オーバーコート
層１２を順次形成した。
【０１３０】実施例３と同様にして、マーク長０．３μ
ｍにおけるＣＮＲを測定した結果、実施例３の場合、再
生パワー２．０ｍＷにおいて、４１ｄＢのＣＮＲが得ら
れたのに対して、実施例８の場合、再生パワー２．４ｍ
Ｗにおいて、４２ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例３より
も良好な超解像再生特性が得られることが確認された。
また、実施例８においても、実施例３と同様に広い再生
パワーマージンが得られた。
【０１３１】実施例８において、透明誘電体からなる非
磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ
2Ｏ3等の非磁性誘電体を用いることが可能であり、反射
層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の非
磁性金属、または、それらの非磁性金属からなる合金を
用いることが可能である。
【０１３２】また、良好な干渉効果を得るためには、透
明誘電体層１０の膜厚を実施例３と同じく、４０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１と面内磁化層
５とのトータル膜厚を５０ｎｍ以下とすることが望まし
い。該トータル膜厚が５０ｎｍより厚くなると、再生磁
性層１を透過する光量が少なくなり、干渉効果によりカ
ー回転角を増大させることが困難となる。
【０１３３】また、カー回転角を効果的に増大させるた
めには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１３４】また、反射層１４により、記録磁性層５か
らの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写
された情報のみを再生するためには、該反射層１４の膜
厚を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１３５】また、面内磁化層５と透明誘電体からなる
非磁性中間層１３と反射層１４とのトータル膜厚を６０
ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が６０
ｎｍより厚くなると、再生磁性層１と記録磁性層５とが
離れすぎることにより、両者の間の静磁結合力が弱くな
り、安定した再生を行なうことができなくなる。
【０１３６】実施例８においては、再生磁性層１として
ＧｄＴｂＦｅＣｏを用いた場合について説明を行なった
が、再生磁性層１としてＧｄＤｙＦｅＣｏ用いた場合に
おいても実施例８と同様な再生特性を得ることが可能で
ある。
【０１３７】（実施例９）本発明の実施例９について図
面に基づいて説明すれば以下の通りである。本実施例で
は、光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合に
ついて説明する。
【０１３８】実施例９の光磁気ディスクは、図１９に示
すように、基板９、透明誘電体層１０、再生磁性層１、
第１の面内磁化層６、第２の面内磁化層７、透明誘電体
からなる非磁性中間層１３、反射層１４、記録磁性層
３、保護層１１、オーバーコート層１２がこの順にて順
次積層された構成を有している。
【０１３９】実施例９の光磁気ディスクは、実施例５に
おいて、非磁性中間層２を透明誘電体からなる非磁性中
間層１３とし、更に反射層１４を設けることにより、多
層膜構造において発生する干渉効果を利用したカー回転
角の増大を図ることが可能となる。さらに、反射層１４
において光ビーム４が反射されることにより、記録磁性
層３からの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１
に転写された情報のみを再生することが可能となり、超
解像再生特性を改善することが可能となる。
【０１４０】実施例９の光磁気ディスクとして、実施例
５に記載の光磁気ディスクの形成方法と同様にして、基
板９上にＡｌＮからなる膜厚６０ｎｍの透明誘電体層１
０、膜厚２０ｎｍの（Ｇｄ0.90Ｔｂ0.10）0.36（Ｆｅ
0.40Ｃｏ0.60）0.64からなる再生磁性層１、膜厚１０ｎ
ｍのＧｄ0.10（Ｆｅ0.97Ｃｏ0.03）0.90からなる第１の
面内磁化層６、膜厚１０ｎｍのＧｄ0.48（Ｆｅ0.95Ｃｏ
0.05）0.52からなる第２の面内磁化層７、膜厚１０ｎｍ
のＡｌＮからなる光ビーム４に対して透明な非磁性中間
層１３、膜厚１０ｎｍのＡｌ0.8Ｔｉ0.2からなる反射層
１４、膜厚５０ｎｍのＴｂ0.23（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）
0.77からなる記録磁性層３、膜厚２０ｎｍのＡｌＮから
なる保護層１１、オーバーコート層１２を順次形成し
た。
【０１４１】実施例５と同様にして、マーク長０．３μ
ｍにおけるＣＮＲを測定した結果、実施例５の場合、再
生パワー２．０ｍＷにおいて、４２ｄＢのＣＮＲが得ら
れたのに対して、実施例９の場合、再生パワー２．４ｍ
Ｗにおいて、４２．５ｄＢのＣＮＲが得られ、実施例５
よりも良好な超解像再生特性が得られることが確認され
た。また、実施例９においても、実施例５と同様に広い
再生パワーマージンが得られた。
【０１４２】実施例９において、透明誘電体からなる非
磁性中間層１３は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ
2Ｏ3等の非磁性誘電体を用いることが可能であり、反射
層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｃｕ等の非
磁性金属、または、それらの非磁性金属からなる合金を
用いることが可能である。
【０１４３】また、良好な干渉効果を得るためには、透
明誘電体層１０の膜厚を実施例５と同じく、４０ｎｍ以
上１００ｎｍ以下に設定し、再生磁性層１と第１の面内
磁化層６と第２の面内磁化層７とのトータル膜厚を５０
ｎｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が５０
ｎｍより厚くなると、再生磁性層１を透過する光量が少
なくなり、干渉効果によりカー回転角を増大させること
が困難となる。
【０１４４】また、カー回転角を効果的に増大させるた
めには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１４５】また、反射層１４により、記録磁性層５か
らの信号再生をより完全に遮断し、再生磁性層１に転写
された情報のみを再生するためには、該反射層１４の膜
厚を少なくとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１４６】また、第１の面内磁化層６と第２の面内磁
化層７と透明誘電体からなる非磁性中間層１３と反射層
１４とのトータル膜厚を６０ｎｍ以下とすることが望ま
しい。該トータル膜厚が６０ｎｍより厚くなると、再生
磁性層１と記録磁性層５とが離れすぎることにより、両
者の間の静磁結合力が弱くなり、安定した再生を行なう
ことができなくなる。
【０１４７】実施例９においては、再生磁性層１として
ＧｄＴｂＦｅＣｏを用いた場合について説明を行なった
が、再生磁性層１としてＧｄＤｙＦｅＣｏ用いた場合に
おいても実施例９と同様な再生特性を得ることが可能で
ある。
【０１４８】（実施例１０）本実施例においては、実施
例３に記載した媒体構成のＧｄＴｂＦｅＣｏからなる再
生磁性層１の組成を変えて、再生磁性層１の磁気特性及
び記録再生特性を調査した結果を示す。
【０１４９】再生磁性層１を（Ｇｄ1-XＴｂX）Z（Ｆｅ
1-YＣｏY）1-Zとして、再生磁性層１のキュリー温度、
及び、実施例３と同様な記録再生を行なった際のＣＮＲ
を表１及び表２に示す。
【０１５０】
【表１】
【０１５１】
【表２】 表１及び表２において、Ｘ，Ｙ，Ｚは、それぞれ、再生
磁性層１の組成を、Ｔｃは再生磁性層１のキュリー温度
を、ＣＮＲ（２．０）は再生パワー２．０ｍＷにおける
ＣＮＲを、ＣＮＲ（２．５）は再生パワー２．５ｍＷに
おけるＣＮＲを、Ｍｓは、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反
磁界エネルギー２πＭｓ2が等しくなる温度におけるト
ータル磁化Ｍｓを表している。また、（１−０）の光磁
気ディスク及び（２−０）の光磁気ディスクは、比較例
３に示すＧｄＦｅＣｏを再生磁性層１として用いた場合
の結果を示すものである。また、表１及び表２におい
て、Ｚの値は、再生磁性層１が面内磁化状態から垂直磁
化状態へと遷移する温度が、およそ１１０℃程度になる
ように組成調整して決められたものである。
【０１５２】まず、表１について説明する。表１では、
Ｘの値を変化させている。Ｘ＝０．００５である（１−
１）の光磁気ディスクは、Ｔｂ含有率が小さすぎるため
に、再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくす
るという目的が達成されず、（１−０）の光磁気ディス
クと同程度のＣＮＲしか得られなかった。
【０１５３】Ｘ＝０．０１０である（１−２）の光磁気
ディスクは、Ｔｂ含有率が大きくなることにより、再生
磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるととも
に、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなること
により、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が
強くなり、安定した転写再生が行われることにより、
（１−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．
０）が得られる。特に、ＣＮＲ（２．５）が（１−０）
の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再
生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１５４】さらに、Ｔｂ含有率を大きくした場合、Ｘ
＝０．２００である（１−７）の光磁気ディスクまで
は、（１−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ
（２．０）及びＣＮＲ（２．５）が得られていることが
わかる。
【０１５５】さらに、Ｔｂ含有率を大きくした、Ｘ＝
０．２４０である（１−８）の光磁気ディスクにおける
ＣＮＲ（２．０）は、（１−０）の光磁気ディスクのＣ
ＮＲ（２．０）よりも大幅に低くなってしまった。これ
は、Ｔｂ含有率が大きくなりことにより、再生磁性層１
の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなりすぎ、再生磁性
層１において安定した面内磁化状態を形成することがで
きなかったことによるものである。
【０１５６】表１より、（Ｇｄ1-XＴｂX）Ｚ（Ｆｅ1-Y
ＣｏY）1-Zからなる再生磁性層１においては、０．０１
≦Ｘ≦０．２０、及び、０．３１≦Ｚ≦０．４１が望ま
しいことがわかる。この範囲は、垂直磁気異方性定数Ｋ
ｕと反磁界エネルギー２πＭｓ2が等しくなる温度にお
けるトータル磁化Ｍｓでいうと、Ｍｓが１２６ｅｍｕ／
ｃｃ以上（表１では２２５ｅｍｕ／ｃｃ以下）となる範
囲である。
【０１５７】次に、表２について説明する。表２はＹの
値を変化させている。Ｙ＝０．２５である（２−１）の
光磁気ディスクは、Ｃｏ含有率が小さすぎるとともに、
希土類金属の含有率（Ｚ）が大きくなってしまうため、
再生磁性層１のキュリー温度が極めて低くなり、再生磁
性層１の極カー回転角が小さくなることにより、再生信
号強度が低下し、（２−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ
（２．０）よりも低いＣＮＲ（２．０）しか得られなか
った。
【０１５８】Ｙ＝０．３０である（２−２）の光磁気デ
ィスクは、Ｃｏ含有率が大きくなることにより、再生磁
性層１のキュリー温度が高くなり、再生磁性層１の極カ
ー回転角が大きくなることにより、再生信号強度が低下
しなくなる。同時に、Ｔｂを含有していることにより、
垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるとともに、再生磁
性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなることにより、再
生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が強くなり、
安定した転写再生が行われることになる。そのため、
（２−２）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）は、
（２−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも
高くなっている。特に、ＣＮＲ（２．５）が（２−０）
の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再
生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１５９】さらに、Ｃｏ含有率を大きくした場合、Ｃ
ｏ含有率の上昇とともに再生磁性層１のキュリー温度が
上昇し、Ｙ＝１．００である（２−７）の光磁気ディス
クにおいても良好なＣＮＲ（２．０）及びＣＮＲ（２．
５）が得られていることがわかる。
【０１６０】表２より、（Ｇｄ1-XＴｂX）Z（Ｆｅ1-YＣ
ｏY）1-Zからなる再生磁性層１においては、０．３０≦
Ｙ≦１．００が望ましいことがわかる。
【０１６１】（実施例１１）本実施例においては、実施
例４に記載した媒体構成のＧｄＤｙＦｅＣｏからなる再
生磁性層１の組成を変えて、再生磁性層１の磁気特性及
び記録再生特性を調査する。
【０１６２】再生磁性層１を（Ｇｄ1-XＤｙX）Z（Ｆｅ
1-YＣｏY）1-Zとして、再生磁性層１のキュリー温度、
及び、実施例３と同様な記録再生を行なった際のＣＮＲ
を表３及び表４に示す。
【０１６３】
【表３】
【０１６４】
【表４】 表３及び表４において、Ｘ，Ｙ，Ｚは、それぞれ、再生
磁性層１の組成を、Ｔｃは再生磁性層１のキュリー温度
を、ＣＮＲ（２．０）は再生パワー２．０ｍＷにおける
ＣＮＲを、ＣＮＲ（２．５）は再生パワー２．５ｍＷに
おけるＣＮＲを表している。また、（３−０）の光磁気
ディスク及び（４−０）の光磁気ディスクは、比較例３
に示すＧｄＦｅＣｏを再生磁性層１として用いた場合の
結果を示すものである。また、表３及び表４において、
Ｚの値は、再生磁性層１が面内磁化状態から垂直磁化状
態へと遷移する温度が、およそ１１０℃程度になるよう
に組成調整して決められたものである。
【０１６５】まず、表３について説明する。表３は、Ｘ
の値を変化させている。Ｘ＝０．０１である（３−１）
の光磁気ディスクは、Ｄｙ含有率が小さすぎるために、
再生磁性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕを大きくすると
いう目的が達成されず、（３−０）の光磁気ディスクと
同程度のＣＮＲしか得られなかった。
【０１６６】Ｘ＝０．０２である（３−２）の光磁気デ
ィスクは、Ｄｙ含有率が大きくなることにより、再生磁
性層１の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるととも
に、再生磁性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなること
により、再生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が
強くなり、安定した転写再生が行われることにより、
（３−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．
０）が得られる。特に、ＣＮＲ（２．５）が（３−０）
の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再
生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１６７】さらに、Ｄｙ含有率を大きくした場合、Ｘ
＝０．３５である（３−７）の光磁気ディスクまでは、
（３−０）の光磁気ディスクよりも高いＣＮＲ（２．
０）及びＣＮＲ（２．５）が得られていることがわか
る。
【０１６８】さらに、Ｔｂ含有率を大きくした、Ｘ＝
０．４０である（３−８）の光磁気ディスクにおけるＣ
ＮＲ（２．０）は、（３−０）の光磁気ディスクのＣＮ
Ｒ（２．０）よりも大幅に低くなってしまった。これ
は、Ｄｙ含有率が大きくなりことにより、再生磁性層１
の垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなりすぎ、再生磁性
層１において安定した面内磁化状態を形成することがで
きなかったことによるものである。
【０１６９】表３より、（Ｇｄ1-XＤｙX）Z（Ｆｅ1-YＣ
ｏY）1-Zからなる再生磁性層１においては、０．０２≦
Ｘ≦０．３５、及び、０．２９≦Ｚ≦０．４０が望まし
いことがわかる。この範囲は、垂直磁気異方性定数Ｋｕ
と反磁界エネルギー２πＭｓ 2が等しくなる温度におけ
るトータル磁化Ｍｓでいうと、Ｍｓが１２５ｅｍｕ／ｃ
ｃ以上（表３では２０３ｅｍｕ／ｃｃ以下）となる範囲
である。
【０１７０】次に、表４について説明する。Ｙ＝０．３
０である（４−１）の光磁気ディスクは、Ｃｏ含有率が
小さすぎるとともに、希土類金属の含有率（Ｚ）が大き
くなってしまうため、再生磁性層１のキュリー温度が極
めて低くなり、再生磁性層１の極カー回転角が小さくな
ることにより、再生信号強度が低下し、（４−０）の光
磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも低いＣＮＲ
（２．０）しか得られなかった。
【０１７１】Ｙ＝０．３５である（４−２）の光磁気デ
ィスクは、Ｃｏ含有率が大きくなることにより、再生磁
性層１のキュリー温度が高くなり、再生磁性層１の極カ
ー回転角が大きくなることにより、再生信号強度が低下
しなくなる。同時に、Ｄｙを含有していることにより、
垂直磁気異方性定数Ｋｕが大きくなるとともに、再生磁
性層１のトータル磁化Ｍｓが大きくなることにより、再
生磁性層１と記録磁性層３との静磁結合力が強くなり、
安定した転写再生が行われることになる。そのため、
（４−２）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）は、
（４−０）の光磁気ディスクのＣＮＲ（２．０）よりも
高くなっている。特に、ＣＮＲ（２．５）が（４−０）
の光磁気ディスクに比べて極めて大きくなっており、再
生パワーマージンが広がっていることがわかる。
【０１７２】さらに、Ｃｏ含有率を大きくした場合、Ｃ
ｏ含有率の上昇とともに再生磁性層１のキュリー温度が
上昇し、Ｙ＝０．７０である（４−６）の光磁気ディス
クにおいても良好なＣＮＲ（２．０）及びＣＮＲ（２．
５）が得られていることがわかる。しかし、それ以上Ｃ
ｏ含有率を大きくして、Ｙ＝０．８０とした（４−７）
の光磁気ディスクにおいては、再生磁性層１を垂直磁化
状態とすることができず、極めて低いＣＮＲしか得られ
なかった。
【０１７３】表４より、（Ｇｄ1-XＤｙX）Z（Ｆｅ1-YＣ
ｏY）1-Zからなる再生磁性層１においては、０．３５≦
Ｙ≦０．７０が望ましいことがわかる。
【０１７４】以上示した実施例１０及び実施例１１の結
果から、（Ｇｄ1-XＴｂX）Z（Ｆｅ1 -YＣｏY）1-Zでは、 ０．０１≦Ｘ≦０．２０ ０．３０≦Ｙ≦１．００ ０．３１≦Ｚ≦０．４１ が望ましく、（Ｇｄ1-XＤｙX）Z（Ｆｅ1-YＣｏY）1-Zで
は、 ０．０２≦Ｘ≦０．３５ ０．３５≦Ｙ≦０．７０ ０．２９≦Ｚ≦０．４０ が望ましいと言える。
【０１７５】また、以上の結果から、再生磁性層１とし
ては、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エネルギー２π
Ｍｓ2が等しくなる温度におけるトータル磁化Ｍｓが１
２６ｅｍｕ／ｃｃ程度以上となるものが良いと言える。
【０１７６】なお、実施例１０及び実施例１１において
は、実施例３及び実施例４に記載の図１１に示す媒体構
成を用いて、ＧｄＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＤｙＦｅＣｏの
使用可能な組成範囲を決めたが、同様な再生原理に基づ
き超解像再生が行われる図８・図１４・図１７・図１８
・図１９に示す媒体構成の光磁気ディスクにおいても、
同じ組成範囲のＧｄＴｂＦｅＣｏ及びＧｄＤｙＦｅＣｏ
並びにＧｄＴｂＣｏを使用することが可能である。
【０１７７】（実施例１２）本実施例では、Ｎｄを含む
ことにより、短波長領域における極カー回転角を増大さ
せた光磁気ディスクについて説明する。
【０１７８】表５は、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏＮ
ｄ、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｄ、ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｄ、及
び、ＧｄＴｂＣｏＮｄからなる再生磁性層１において、
面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐ、
キュリー温度Ｔｃ、波長６８０ｎｍ・測定温度１２０℃
における極カー回転角θｋ（６８０）、波長４００ｎｍ
・測定温度１２０℃における極カー回転角θｋ（４０
０）を調べた結果を示すものである。ここで、θｋ（６
８０）及びθｋ（４００）は、室温において磁界を印加
し、再生磁性層の磁化を垂直磁化状態に飽和させた時の
極カー回転角を示している。
【０１７９】
【表５】 Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.70からなる再生磁性層
は、１１０°で面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移
し、キュリー温度Ｔｃが３２０℃であり、測定波長６８
０ｎｍでの極カー回転角θｋ（６８０）が０．３９°で
あったが、測定波長が４００ｎｍと短くなることによ
り、極カー回転角θｋ（４００）は０．３１°となり、
短波長化によりカー回転角が大幅に減少してしまう。
【０１８０】次に、ＮｄをＧｄＦｅＣｏに添加したＧｄ
0.30（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.50Ｎｄ 0.20からなる再生磁
性層は、上記ＧｄＦｅＣｏと同様に１２０°で面内磁化
状態から垂直磁化状態へと遷移したが、Ｎｄが添加され
たことにより、キュリー温度Ｔｃが２００℃と大幅に低
くなってしまった。そのため、θｋ（６８０）が０．３
０°であり、θｋ（４００）が０．２８°であった。こ
のように、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.70Ｃｏ0.30）0.50Ｎｄ0.20
においては、短波長化によるカー回転角の減少は抑制さ
れたが、キュリー温度が低下にともなう極カー回転角の
減少が著しく、再生信号強度の低下を招くことになる。
【０１８１】次に、Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.40Ｃｏ0.60）0.50
Ｎｄ0.20は、ＧｄＦｅＣｏＮｄのＣｏ含有率を大きくし
て、キュリー温度を上昇させることにより、θｋ（６８
０）及びθｋ（４００）を増加させた再生磁性層であ
る。この再生磁性層のθｋ（６８０）及びθｋ（４０
０）は、それぞれ、磁界を印加して膜面垂直方向に磁化
を飽和させた時の極カー回転角を示している。Ｇｄ0.30
（Ｆｅ0.40Ｃｏ0.60）0.50Ｎｄ0.20の場合、θｋ（６８
０）が０．４２°、θｋ（４００）が０．４０°とな
り、短波長化によるカー回転角の減少は抑制されるとと
もに、キュリー温度が３４０℃と高くなることにより、
大きな極カー回転角が得られている。しかし、Ｃｏ添加
量が多くなることにより、磁化が大きくなるとともに、
垂直磁気異方性定数が小さくなるため、いかなる温度範
囲においても面内磁化状態となり、垂直磁化状態を実現
することができなくなる。そのため、温度上昇にともな
い面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移することによ
り実現される本発明の超解像再生を実現することができ
なくなる。
【０１８２】本実施例は、上記Ｇｄ0.30（Ｆｅ0.40Ｃｏ
0.60）0.50Ｎｄ0.20に、ＴｂまたはＤｙを含有させるこ
とにより、垂直磁気異方性定数を大きくし、Ｃｏ添加量
を多くしてキュリー温度を高くした場合においても、面
内磁化状態から垂直磁化状態への遷移を可能とし、本発
明の超解像再生を実現するものである。
【０１８３】（Ｇｄ0.80Ｔｂ0.20）0.30（Ｆｅ0.40Ｃｏ
0.60）0.50Ｎｄ0.20の場合、面内磁化状態から垂直磁化
状態へと遷移する温度Ｔｐが１１０℃、キュリー温度が
３２０℃となり、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷
移が実現し、本発明の超解像再生が可能となった。ま
た、θｋ（６８０）が０．４１°、θｋ（４００）が
０．３８°となり、短波長化によるカー回転角の減少は
抑制されるとともに、高いキュリー温度に起因する大き
な極カー回転角が得られた。
【０１８４】また、（Ｇｄ0.72Ｄｙ0.28）0.30（Ｆｅ
0.40Ｃｏ0.60）0.50Ｎｄ0.20の場合においても、面内磁
化状態から垂直磁化状態へと遷移する温度Ｔｐが１１０
℃、キュリー温度が３００℃となり、面内磁化状態から
垂直磁化状態への遷移が実現し、本発明の超解像再生が
可能となった。また、θｋ（６８０）が０．３９°、θ
ｋ（４００）が０．３７°となり、短波長化によるカー
回転角の減少は抑制されるとともに、高いキュリー温度
に起因する大きな極カー回転角が得られた。
【０１８５】また、（Ｇｄ0.72Ｔｂ0.28）0.30Ｃｏ0.50
Ｎｄ0.20の場合においても、面内磁化状態から垂直磁化
状態へと遷移する温度Ｔｐが１１０℃、キュリー温度が
３００℃となり、面内磁化状態から垂直磁化状態への遷
移が実現し、本発明の超解像再生が可能となった。ま
た、θｋ（６８０）が０．４０°、θｋ（４００）が
０．３７°となり、短波長化によるカー回転角の減少は
抑制されるとともに、高いキュリー温度に起因する大き
な極カー回転角が得られた。
【０１８６】以上、実施の形態１〜４及び実施例１〜１
２において本発明について説明したが、本願発明はその
主旨において様々な変形が可能である。
【０１８７】実施の形態１〜３、実施例１〜１１におい
ては、ＧｄＦｅＣｏにＴｂまたはＤｙを含有させた再生
磁性層１またはＧｄＴｂＣｏからなる再生磁性層１を用
いているが、この再生磁性層１は、上述のような元素を
含有させることで、垂直磁気異方性定数Ｋｕと反磁界エ
ネルギー２πＭｓ2が等しくなる温度において、その温
度が略同一のＧｄ，Ｆｅ，Ｃｏのみを成分とする再生磁
性層に比して、トータルＭｓを向上させたものであれば
良い。この主旨によれば、Ｇｄ，Ｆｅ，Ｃｏ（またはＧ
ｄ，Ｃｏ）にＴｂとＤｙの両方を含有させた再生磁性層
であっても良いし、例えばＰｒ等の軽希土類金属を含有
させたものであっても良い。
【０１８８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、再生磁
性層と記録磁性層との静磁結合力が大きくなり、より小
さい記録磁区を上記再生磁性層へと転写し安定して再生
することができ、再生パワーマージンを広くすることが
可能となる。
【０１８９】また、再生磁性層のキュリー温度を高くす
ることができ、再生磁性層のカー回転角を大きくして再
生信号品質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態１の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図２】従来の再生磁性層の磁気特性である。
【図３】ＧｄＴｂＦｅＣｏ再生磁性層の磁気特性であ
る。
【図４】ＧｄＤｙＦｅＣｏ再生磁性層の磁気特性であ
る。
【図５】実施の形態２の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図６】実施の形態３の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図７】実施の形態３の光磁気記録媒体の再生原理を説
明する断面図である。
【図８】実施例１の光磁気ディスクの構成を示す断面図
である。
【図９】実施例１の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パワ
ー依存性である。
【図１０】実施例２の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パ
ワー依存性である。
【図１１】実施例３の光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。
【図１２】実施例３の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パ
ワー依存性である。
【図１３】実施例４のＣＮＲの再生パワー依存性であ
る。
【図１４】実施例５の光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。
【図１５】実施例５の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パ
ワー依存性である。
【図１６】実施例６の光磁気ディスクのＣＮＲの再生パ
ワー依存性である。
【図１７】実施例７の光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。
【図１８】実施例８の光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。
【図１９】実施例９の光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。
【符号の説明】
１ 再生磁性層 ２ 非磁性中間層 ３ 記録磁性層 ４ 光ビーム ５ 面内磁化層 ６ 第１の面内磁化層 ７ 第２の面内磁化層 ８ 面内磁化層 ９ 基板 １０ 透明誘電体層 １１ 保護層 １２ オーバーコート層 １３ 透明誘電体からなる非磁性中間層 １４ 反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５１１Ｑ ５１６ ５１６Ｆ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 室温において面内磁化状態であり臨界温
    度以上の温度で垂直磁化状態に移行するＧｄ，Ｆｅ，Ｃ
    ｏを成分とする再生磁性層と、垂直磁化膜からなる記録
    磁性層とを少なくとも有し、前記再生磁性層と前記記録
    磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結合する
    光磁気記録媒体において、 前記再生磁性層に少なくともＴｂ，Ｄｙのいずれかを含
    有させ、垂直磁気異方性定数と反磁界エネルギーが等し
    くなる温度におけるトータル磁化を、増大させたこと特
    徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 室温において面内磁化状態であり臨界温
    度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、
    垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前
    記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界
    温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、 前記再生磁性層は、（Ｇｄ1-XＴｂX）Z（Ｆｅ1-YＣ
    ｏY）1-Zからなり、 ０．０１≦Ｘ≦０．２０ ０．３０≦Ｙ≦１．００ ０．３１≦Ｚ≦０．４１ なる条件式を満足することを特徴とする光磁気記録媒
    体。
  3. 【請求項３】 室温において面内磁化状態であり臨界温
    度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、
    垂直磁化膜からなる記録磁性層と少なくともを有し、前
    記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界
    温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、 前記再生磁性層は、（Ｇｄ1-XＤｙX）Z（Ｆｅ1-YＣ
    ｏY）1-Zからなり、 ０．０２≦Ｘ≦０．３５ ０．３５≦Ｙ≦０．７０ ０．２９≦Ｚ≦０．４０ なる条件式を満足することを特徴とする光磁気記録媒
    体。
  4. 【請求項４】 室温において面内磁化状態であり臨界温
    度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、
    垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前
    記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界
    温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、 前記再生磁性層は、ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＣｏ，
    ＧｄＤｙＦｅＣｏからなり、垂直磁気異方性定数と反磁
    界エネルギーが等しくなる温度におけるトータル磁化が
    １２６ｅｍｕ／ｃｃ以上であることを特徴とする光磁気
    記録媒体。
  5. 【請求項５】 室温において面内磁化状態であり臨界温
    度以上の温度で垂直磁化状態に移行する再生磁性層と、
    垂直磁化膜からなる記録磁性層とを少なくとも有し、前
    記再生磁性層と前記記録磁性層とが少なくとも前記臨界
    温度近傍で静磁結合する光磁気記録媒体において、 前記再生磁性層は、ＧｄＴｂＦｅＣｏＮｄ，ＧｄＴｂＣ
    ｏＮｄ，ＧｄＤｙＦｅＣｏＮｄからなることを特徴とす
    る光磁気記録媒体。
  6. 【請求項６】 室温において面内磁化状態であり臨界温
    度以上の温度で垂直磁化状態に移行するＧｄ，Ｆｅ，Ｃ
    ｏ，Ｎｄを成分とする再生磁性層と、垂直磁化膜からな
    る記録磁性層とを少なくとも有し、前記再生磁性層と前
    記記録磁性層とが少なくとも前記臨界温度近傍で静磁結
    合する光磁気記録媒体において、 前記再生磁性層に少なくともＴｂ，Ｄｙのいずれかを含
    有させ、キュリー温度を高めたことを特徴とする光磁気
    記録媒体。
  7. 【請求項７】 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、非磁性中間
    層を有することを特徴とする光磁気記録媒体。
  8. 【請求項８】 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、キュリー温
    度が前記臨界温度近傍以下の磁性中間層を有することを
    特徴とする光磁気記録媒体。
  9. 【請求項９】 請求項１乃至請求項７のいずれかに記載
    の光磁気記録媒体において、 前記記録磁性層と前記再生磁性層との間に、キュリー温
    度が前記臨界温度近傍の面内磁化層を有することを特徴
    とする光磁気記録媒体。
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JPS62217445A (ja) * 1986-03-18 1987-09-24 Seiko Instr & Electronics Ltd 光磁気記録媒体
US5814400A (en) * 1990-05-18 1998-09-29 Hitachi, Ltd. Magneto-optical recording medium and method
US5498485A (en) 1992-01-21 1996-03-12 Sharp Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording medium and manufacturing method thereof
EP1143434A3 (en) * 1992-08-28 2001-12-12 Canon Kabushiki Kaisha A magnetooptical recording medium and information recording and reproducing methods using the recording medium
EP1158509A3 (en) * 1993-04-02 2002-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Magneto-optical recording method
JP3072812B2 (ja) * 1993-04-08 2000-08-07 キヤノン株式会社 光磁気記録媒体及び該媒体の情報再生方法
JPH09180276A (ja) 1995-12-25 1997-07-11 Sharp Corp 光磁気記録媒体およびその再生方法
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