JPH0689474A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH0689474A JPH0689474A JP13309992A JP13309992A JPH0689474A JP H0689474 A JPH0689474 A JP H0689474A JP 13309992 A JP13309992 A JP 13309992A JP 13309992 A JP13309992 A JP 13309992A JP H0689474 A JPH0689474 A JP H0689474A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】良好な書込み・読出し特性を有する光磁気記録
媒体を安定に得られる製造方法を提供する。 【構成】基板１の上に透明干渉層２を形成する透明干渉
層成膜工程ｃと、透明干渉層２の上に第１の光磁気層３
１を形成する第１の光磁気層成膜工程ｄと、第１の光磁
気層３１の上に第２の光磁気層３２を形成する第２の光
磁気層成膜工程ｆと、第２の光磁気層３２の上に誘電体
保護層４を形成する誘電体保護層成膜工程ｇとを少なく
とも含み、これらの工程は基板１を大気に曝すことなく
真空中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法におい
て、透明干渉層成膜工程ｃ，第１の光磁気層成膜工程ｄ
にひきつづき、第１の光磁気層３１を酸素プラズマにさ
らす酸素プラズマ暴露工程ｅを行った後、第２の光磁気
層成膜工程ｆ，誘電体保護層成膜工程ｇを行う。
媒体を安定に得られる製造方法を提供する。 【構成】基板１の上に透明干渉層２を形成する透明干渉
層成膜工程ｃと、透明干渉層２の上に第１の光磁気層３
１を形成する第１の光磁気層成膜工程ｄと、第１の光磁
気層３１の上に第２の光磁気層３２を形成する第２の光
磁気層成膜工程ｆと、第２の光磁気層３２の上に誘電体
保護層４を形成する誘電体保護層成膜工程ｇとを少なく
とも含み、これらの工程は基板１を大気に曝すことなく
真空中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法におい
て、透明干渉層成膜工程ｃ，第１の光磁気層成膜工程ｄ
にひきつづき、第１の光磁気層３１を酸素プラズマにさ
らす酸素プラズマ暴露工程ｅを行った後、第２の光磁気
層成膜工程ｆ，誘電体保護層成膜工程ｇを行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録媒体の製造
方法に関し、特に磁気光学効果を利用してレーザー光に
より情報の書込み・読出しを行う光磁気ディスク等の光
磁気記録媒体の製造方法に関する。
方法に関し、特に磁気光学効果を利用してレーザー光に
より情報の書込み・読出しを行う光磁気ディスク等の光
磁気記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光磁気記録媒体の製造方法につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【０００３】図５は従来例の光磁気記録媒体の製造方法
を説明するための製造工程図、図６は図５に示す従来例
を用いて製造された光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。
を説明するための製造工程図、図６は図５に示す従来例
を用いて製造された光磁気記録媒体の概略断面図であ
る。
【０００４】レーザー光により情報の書込み・読出しを
行う光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記
憶装置として優れた特徴を有している。
行う光ディスク等は、記録密度が高いことから大容量記
憶装置として優れた特徴を有している。
【０００５】一般に書換可能な光ディスク等の光記録媒
体としては、磁気カー効果を利用した光磁気形のものが
用いられている。
体としては、磁気カー効果を利用した光磁気形のものが
用いられている。
【０００６】代表的な光磁気記録媒体を図６に従来の一
例として示す（例えば、特願平３−０２８５０７）。
例として示す（例えば、特願平３−０２８５０７）。
【０００７】図６に示す従来例の光磁気記録媒体は、基
板１の上に透明干渉層２を設け、その上にＧｄＦｅＣｏ
の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の
光磁気層７１、その上にＴｂＦｅＴｉの非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光
磁気層７２、その上に誘電体保護層７４を順に設けたも
のである。
板１の上に透明干渉層２を設け、その上にＧｄＦｅＣｏ
の非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリー温度の第１の
光磁気層７１、その上にＴｂＦｅＴｉの非晶質合金のフ
ェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化可能な第２の光
磁気層７２、その上に誘電体保護層７４を順に設けたも
のである。
【０００８】書込みおよび読出し用のレーザー光は基板
１を通して入射し、第１の光磁気層７１の近傍でおよそ
φ１．４μｍになるようにフォーカシング・サーボによ
り集光される。レーザー光源としては波長８３００オン
グストローム前後の半導体レーザーが用いられる。
１を通して入射し、第１の光磁気層７１の近傍でおよそ
φ１．４μｍになるようにフォーカシング・サーボによ
り集光される。レーザー光源としては波長８３００オン
グストローム前後の半導体レーザーが用いられる。
【０００９】情報の書込みは、情報に対応させて高パワ
ーのレーザー光を照射することにより、第１の光磁気層
７１および第２の光磁気層７２にレーザー光のエネルギ
ーを吸収させ、それを熱エネルギーに変換させ、第２の
光磁気層７２をキュリー温度近傍に昇温させる。この状
態のときにこの部分を含む領域に記録バイアス磁界をか
けておくことにより、第２の光磁気層７２の垂直磁化の
向きを２値情報に対応させることができる。高パワーの
レーザー光の照射後の温度が下がった状態では、この書
込まれた第２の光磁気層７２の垂直磁化の向きは高キュ
リー温度の第１の光磁気層７１に転写される。
ーのレーザー光を照射することにより、第１の光磁気層
７１および第２の光磁気層７２にレーザー光のエネルギ
ーを吸収させ、それを熱エネルギーに変換させ、第２の
光磁気層７２をキュリー温度近傍に昇温させる。この状
態のときにこの部分を含む領域に記録バイアス磁界をか
けておくことにより、第２の光磁気層７２の垂直磁化の
向きを２値情報に対応させることができる。高パワーの
レーザー光の照射後の温度が下がった状態では、この書
込まれた第２の光磁気層７２の垂直磁化の向きは高キュ
リー温度の第１の光磁気層７１に転写される。
【００１０】情報の読出しは、直線偏光した低いパワー
の集束レーザー光を第１の光磁気層７１に照射し、そこ
からの反射光を検光子を介して光学的に検出することに
よる。光磁気膜は磁気カー効果により反射光の偏光面を
回転させる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θ
k が光磁気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用
して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化
の向きに対応した情報を光量変化として読み出すことが
できる。
の集束レーザー光を第１の光磁気層７１に照射し、そこ
からの反射光を検光子を介して光学的に検出することに
よる。光磁気膜は磁気カー効果により反射光の偏光面を
回転させる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θ
k が光磁気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用
して、反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化
の向きに対応した情報を光量変化として読み出すことが
できる。
【００１１】このような光磁気膜は非常に酸化しやすい
ので、透明干渉層２と誘電体保護層７４とで挟みこむこ
とにより光磁気層７１，７２が酸化することを防いでい
る。通常、透明干渉層２や誘電体保護層７４としては、
窒化シリコン膜が用いられている。
ので、透明干渉層２と誘電体保護層７４とで挟みこむこ
とにより光磁気層７１，７２が酸化することを防いでい
る。通常、透明干渉層２や誘電体保護層７４としては、
窒化シリコン膜が用いられている。
【００１２】図６のような従来の光磁気記録媒体の製造
は、図５のような製造方法で行われ、図５は従来の光磁
気記録媒体の製造工程図であり、スパッタ装置関係を特
に示している。
は、図５のような製造方法で行われ、図５は従来の光磁
気記録媒体の製造工程図であり、スパッタ装置関係を特
に示している。
【００１３】基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、
この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り
込み、第１の光磁気層７１を成膜する（第１の光磁気層
成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁
気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層７２を成膜す
る（第２の光磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬
送治具を誘電体保護層スパッタ室に送り込み誘電体保護
層７４を成膜する（誘電体保護層成膜工程ｇ）。しかる
後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気
に戻し、スパッタ装置内部から基板を取り出す（基板取
出工程ｉ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、
基板１を逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板
１と透明干渉層２との接着力を高める工程を入れる場合
もある。
装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパ
ッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気する（真空
排気工程ｂ）。ここで所定の真空度に到達した後、この
成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明
干渉層２を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、
この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り
込み、第１の光磁気層７１を成膜する（第１の光磁気層
成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁
気層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層７２を成膜す
る（第２の光磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬
送治具を誘電体保護層スパッタ室に送り込み誘電体保護
層７４を成膜する（誘電体保護層成膜工程ｇ）。しかる
後、この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気
に戻し、スパッタ装置内部から基板を取り出す（基板取
出工程ｉ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、
基板１を逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板
１と透明干渉層２との接着力を高める工程を入れる場合
もある。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の製造方
法で作製された光磁気記録媒体は、良好な書込み・読出
し特性を安定に得ることが難しいという問題がある。
法で作製された光磁気記録媒体は、良好な書込み・読出
し特性を安定に得ることが難しいという問題がある。
【００１５】本発明の目的は、第１の光磁気層成膜工程
の後で、第２の光磁気層成膜工程の前に第１の光磁気層
を酸素プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工程を行うこ
とにより、上記の欠点を解消し、良好な書込み・読出し
特性を有する光磁気記録媒体を安定に得られる光磁気記
録媒体の製造方法を提供することにある。
の後で、第２の光磁気層成膜工程の前に第１の光磁気層
を酸素プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工程を行うこ
とにより、上記の欠点を解消し、良好な書込み・読出し
特性を有する光磁気記録媒体を安定に得られる光磁気記
録媒体の製造方法を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本第一の発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、基板の上に透明干渉層を形成する
透明干渉層成膜工程と、透明干渉層の上に第１の光磁気
層を形成する第１の光磁気層成膜工程と、第１の光磁気
層の上に第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜
工程と、第２の光磁気層の上に誘電体保護層を形成する
誘電体保護層成膜工程とを少なくとも含み、これらの工
程は前記基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行
う光磁気記録媒体の製造方法において、第１の光磁気層
成膜工程の後でかつ第２の光磁気層成膜工程の前に第１
の光磁気層を酸素プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工
程を行っている。
録媒体の製造方法は、基板の上に透明干渉層を形成する
透明干渉層成膜工程と、透明干渉層の上に第１の光磁気
層を形成する第１の光磁気層成膜工程と、第１の光磁気
層の上に第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜
工程と、第２の光磁気層の上に誘電体保護層を形成する
誘電体保護層成膜工程とを少なくとも含み、これらの工
程は前記基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行
う光磁気記録媒体の製造方法において、第１の光磁気層
成膜工程の後でかつ第２の光磁気層成膜工程の前に第１
の光磁気層を酸素プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工
程を行っている。
【００１７】本第二の発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、基板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工
程と、透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１
の光磁気層成膜工程と、第１の光磁気層の上に第２の光
磁気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、第２の光
磁気層の上に誘電体保護層を形成する誘電体保護層成膜
工程と、誘電体保護層の上に金属放熱層を形成する金属
放熱層成膜工程とを少なくとも含み、これらの工程は前
記基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁
気記録媒体の製造方法において、第１の光磁気層成膜工
程の後でかつ第２の光磁気層成膜工程の前に第１の光磁
気層を酸素プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工程を行
っている。
は、基板の上に透明干渉層を形成する透明干渉層成膜工
程と、透明干渉層の上に第１の光磁気層を形成する第１
の光磁気層成膜工程と、第１の光磁気層の上に第２の光
磁気層を形成する第２の光磁気層成膜工程と、第２の光
磁気層の上に誘電体保護層を形成する誘電体保護層成膜
工程と、誘電体保護層の上に金属放熱層を形成する金属
放熱層成膜工程とを少なくとも含み、これらの工程は前
記基板を大気に曝すことなく真空中で連続して行う光磁
気記録媒体の製造方法において、第１の光磁気層成膜工
程の後でかつ第２の光磁気層成膜工程の前に第１の光磁
気層を酸素プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工程を行
っている。
【００１８】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００１９】図１は本第一の発明の一実施例の光磁気記
録媒体の製造方法を説明するための製造工程図、図３は
図１に示す実施例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
録媒体の製造方法を説明するための製造工程図、図３は
図１に示す実施例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
【００２０】図３に示す本実施例の光磁気記録媒体は、
基板１の上に透明干渉層２を設け、その上に第１の光磁
気層３１を設け、その表面を酸素プラズマにさらすこと
により表面を薄く酸化させ（低級酸化物層３３）、その
上に第２の光磁気層３２を設ける。しかる後、誘電体保
護層４を設けたものである。すなわち、図１の製造工程
図を用いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜用
搬送治具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送
治具をスパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気
する（真空排気工程ｂ）。ここで、所定の真空度に到達
した後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に
送り込み透明干渉層２を成膜する（透明干渉層成膜工程
ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパ
ッタ室に送り込み第１の光磁気層３１を成膜する（第１
の光磁気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を
酸素プラズマ暴露室に送り込み第１の光磁気層３１の表
面に薄い低級酸化物層３３を形成する（酸素プラズマ暴
露工程ｅ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気
層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層３２を成膜する
（第２の光磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬送
治具を誘電体保護層スパッタ室に送り込み誘電体保護層
４を成膜する（誘電体保護層成膜工程ｇ）。しかる後、
この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻
し、スパッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程
ｉ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を
逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板１と透明
干渉層２との接着力を高める工程を入れる場合もある。
酸素プラズマ暴露工程ｅは、光磁気層スパッタ室でおこ
なってもよいが、専用の真空室を設けたほうが望まし
い。
基板１の上に透明干渉層２を設け、その上に第１の光磁
気層３１を設け、その表面を酸素プラズマにさらすこと
により表面を薄く酸化させ（低級酸化物層３３）、その
上に第２の光磁気層３２を設ける。しかる後、誘電体保
護層４を設けたものである。すなわち、図１の製造工程
図を用いて説明すると、基板１をスパッタ装置の成膜用
搬送治具に装着し（基板装着工程ａ）、この成膜用搬送
治具をスパッタ装置の仕込室に送り、そこで真空に排気
する（真空排気工程ｂ）。ここで、所定の真空度に到達
した後、この成膜用搬送治具を透明干渉層スパッタ室に
送り込み透明干渉層２を成膜する（透明干渉層成膜工程
ｃ）。次に、この成膜用搬送治具を第１の光磁気層スパ
ッタ室に送り込み第１の光磁気層３１を成膜する（第１
の光磁気層成膜工程ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を
酸素プラズマ暴露室に送り込み第１の光磁気層３１の表
面に薄い低級酸化物層３３を形成する（酸素プラズマ暴
露工程ｅ）。次に、この成膜用搬送治具を第２の光磁気
層スパッタ室に送り込み第２の光磁気層３２を成膜する
（第２の光磁気層成膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬送
治具を誘電体保護層スパッタ室に送り込み誘電体保護層
４を成膜する（誘電体保護層成膜工程ｇ）。しかる後、
この成膜用搬送治具を取出室に送り、この室を大気に戻
し、スパッタ装置内部から基板を取出す（基板取出工程
ｉ）。ここで、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を
逆スパッタしたり、付着層を設けたりして基板１と透明
干渉層２との接着力を高める工程を入れる場合もある。
酸素プラズマ暴露工程ｅは、光磁気層スパッタ室でおこ
なってもよいが、専用の真空室を設けたほうが望まし
い。
【００２１】本発明において第１の光磁気層３１を酸素
プラズマにさらすことは、書込みを行う温度で第１の光
磁気層３１と第２の光磁気層３２とがほとんど交換結合
しないようにすることができ、書込みのときに第１の光
磁気層の磁化が第２の光磁気層の磁化の配向に悪影響を
及ぼさないようにすることができるためである。このこ
とにより、良好な書込み・読出し特性を有する光磁気記
録媒体を安定に製造することができるようになる。
プラズマにさらすことは、書込みを行う温度で第１の光
磁気層３１と第２の光磁気層３２とがほとんど交換結合
しないようにすることができ、書込みのときに第１の光
磁気層の磁化が第２の光磁気層の磁化の配向に悪影響を
及ぼさないようにすることができるためである。このこ
とにより、良好な書込み・読出し特性を有する光磁気記
録媒体を安定に製造することができるようになる。
【００２２】光磁気記録媒体は、図３に示すような構成
のままで、レーザー光を基板１を通して入射することに
より情報の書込み・読出しを行う場合もあるが、誘電体
保護層４の上にホットメルト剤を塗布することにより図
３の光磁気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わ
せて書込み・読出しを行う場合もある。このとき、誘電
体保護層４の上にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを
行ってから貼合わせてもよい。
のままで、レーザー光を基板１を通して入射することに
より情報の書込み・読出しを行う場合もあるが、誘電体
保護層４の上にホットメルト剤を塗布することにより図
３の光磁気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わ
せて書込み・読出しを行う場合もある。このとき、誘電
体保護層４の上にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを
行ってから貼合わせてもよい。
【００２３】書込みおよび読出し用のレーザー光は基板
１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近傍でおよそ
φ１．０〜φ１．４μｍになるようにフォーカシング・
サーボにより集光する。レーザー光源としては波長６７
００〜８３００オングストローム前後の半導体レーザー
を用いる。
１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近傍でおよそ
φ１．０〜φ１．４μｍになるようにフォーカシング・
サーボにより集光する。レーザー光源としては波長６７
００〜８３００オングストローム前後の半導体レーザー
を用いる。
【００２４】基板１としては、ポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。トラックピッチはおよそ０．８
〜１．６μｍである。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。トラックピッチはおよそ０．８
〜１．６μｍである。
【００２５】透明干渉層２の材料としては、窒化シリコ
ンまたは水素化炭化シリコンを主成分とするのが特に望
ましい。
ンまたは水素化炭化シリコンを主成分とするのが特に望
ましい。
【００２６】誘電体保護層４の材料としても、窒化シリ
コンまたは水素化炭化シリコンを主成分とするのが特に
望ましい。
コンまたは水素化炭化シリコンを主成分とするのが特に
望ましい。
【００２７】第１の光磁気層３１の材料としては、Ｇｄ
ＦｅＣｏやＧｄＮｄＦｅＣｏが特に望ましい。
ＦｅＣｏやＧｄＮｄＦｅＣｏが特に望ましい。
【００２８】第２の光磁気層３２の材料としては、Ｔｂ
ＦｅＴｉやＴｂＦｅＣｏＴｉが特に望ましい。
ＦｅＴｉやＴｂＦｅＣｏＴｉが特に望ましい。
【００２９】図２は本第二の発明の一実施例の光磁気記
録媒体の製造方法を説明するための製造工程図、図４は
図２に示す実施例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
録媒体の製造方法を説明するための製造工程図、図４は
図２に示す実施例を用いて製造された光磁気記録媒体の
概略断面図である。
【００３０】図４に示す本実施例の光磁気記録媒体は、
基板１の上に透明干渉層２を設け、その上に第１の光磁
気層３１を設け、その表面を酸素プラズマにさらすこと
により表面を薄く酸化させ（低級酸化物層３３）、その
上に第２の光磁気層３２を設け、その上に誘電体保護層
４を設ける。しかる後金属放熱層５を設けたものであ
る。すなわち、図２の製造工程図を用いて説明すると、
基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に装着し（基板
装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装置の仕
込室に送り、そこで真空に排気する（真空排気工程
ｂ）。ここで、所定の真空度に到達した後、この成膜用
搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層
２を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、この成
膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込み第
１の光磁気層３１を成膜する（第１の光磁気層成膜工程
ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を酸素プラズマ暴露室
に送り込み第１の光磁気層３１の表面に薄い低級酸化物
層３３を形成する（酸素プラズマ暴露工程ｅ）。次に、
この成膜用搬送治具を第２の光磁気層スパッタ室に送り
込み第２の光磁気層３２を成膜する（第２の光磁気層成
膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を誘電体保護層
スパッタ室に送り込み誘電体保護層４を成膜する（誘電
体保護層成膜工程ｇ）。次に、この成膜用搬送治具を金
属放熱層スパッタ室に送り込み金属放熱層５を成膜する
（金属放熱層成膜工程ｈ）。しかる後、この成膜用搬送
治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装
置内部から基板１を取出す（基板取出工程ｉ）。ここ
で、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタ
したり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層２と
の接着力を高める工程を入れる場合もある。酸素プラズ
マ暴露工程ｅは光磁気層スパッタ室でおこなってもよい
が、専用の真空室を設けたほうが望ましい。
基板１の上に透明干渉層２を設け、その上に第１の光磁
気層３１を設け、その表面を酸素プラズマにさらすこと
により表面を薄く酸化させ（低級酸化物層３３）、その
上に第２の光磁気層３２を設け、その上に誘電体保護層
４を設ける。しかる後金属放熱層５を設けたものであ
る。すなわち、図２の製造工程図を用いて説明すると、
基板１をスパッタ装置の成膜用搬送治具に装着し（基板
装着工程ａ）、この成膜用搬送治具をスパッタ装置の仕
込室に送り、そこで真空に排気する（真空排気工程
ｂ）。ここで、所定の真空度に到達した後、この成膜用
搬送治具を透明干渉層スパッタ室に送り込み透明干渉層
２を成膜する（透明干渉層成膜工程ｃ）。次に、この成
膜用搬送治具を第１の光磁気層スパッタ室に送り込み第
１の光磁気層３１を成膜する（第１の光磁気層成膜工程
ｄ）。次に、この成膜用搬送治具を酸素プラズマ暴露室
に送り込み第１の光磁気層３１の表面に薄い低級酸化物
層３３を形成する（酸素プラズマ暴露工程ｅ）。次に、
この成膜用搬送治具を第２の光磁気層スパッタ室に送り
込み第２の光磁気層３２を成膜する（第２の光磁気層成
膜工程ｆ）。次に、この成膜用搬送治具を誘電体保護層
スパッタ室に送り込み誘電体保護層４を成膜する（誘電
体保護層成膜工程ｇ）。次に、この成膜用搬送治具を金
属放熱層スパッタ室に送り込み金属放熱層５を成膜する
（金属放熱層成膜工程ｈ）。しかる後、この成膜用搬送
治具を取出室に送り、この室を大気に戻し、スパッタ装
置内部から基板１を取出す（基板取出工程ｉ）。ここ
で、透明干渉層成膜工程ｃの前には、基板を逆スパッタ
したり、付着層を設けたりして基板１と透明干渉層２と
の接着力を高める工程を入れる場合もある。酸素プラズ
マ暴露工程ｅは光磁気層スパッタ室でおこなってもよい
が、専用の真空室を設けたほうが望ましい。
【００３１】光磁気記録媒体は、図４に示すような構成
のままで、レーザー光を基板１を通して入射することに
より情報の書込み・読出しを行う場合もあるが、金属放
熱層５の上にホットメルト剤を塗布することにより図４
の光磁気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせ
て書込み・読出しを行う場合もある。このとき、金属放
熱層５の上にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行っ
てから貼合わせてもよい。
のままで、レーザー光を基板１を通して入射することに
より情報の書込み・読出しを行う場合もあるが、金属放
熱層５の上にホットメルト剤を塗布することにより図４
の光磁気記録媒体を基板１が外側になるように貼合わせ
て書込み・読出しを行う場合もある。このとき、金属放
熱層５の上にはＵＶ硬化樹脂等のオーバーコートを行っ
てから貼合わせてもよい。
【００３２】書込みおよび読出し用のレーザー光は基板
１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近傍でおよそ
φ１．０〜φ１．４μｍになるようにフォーカシング・
サーボにより集光する。レーザー光源としては波長６７
００〜８３００オングストローム前後の半導体レーザー
を用いる。
１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近傍でおよそ
φ１．０〜φ１．４μｍになるようにフォーカシング・
サーボにより集光する。レーザー光源としては波長６７
００〜８３００オングストローム前後の半導体レーザー
を用いる。
【００３３】金属放熱層５の材料としては、ＡｌＴｉ，
ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉＣｒ等のＡｌ合金やＮｉＣｒ合金が
特に望ましい。
ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉＣｒ等のＡｌ合金やＮｉＣｒ合金が
特に望ましい。
【００３４】この実施例において金属放熱層５を設ける
のは、第２の光磁気層への書込み磁区を安定に小さくで
きるようにするためである。
のは、第２の光磁気層への書込み磁区を安定に小さくで
きるようにするためである。
【００３５】この具体例について図４を用いて以下に説
明する。
明する。
【００３６】フォトポリマーによって案内溝が形成され
ている直径２００ｍｍ，厚さ１．１８ｍｍのガラスディ
スク基板１をスパッタ装置内に載置し、３×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下に真空排気した後、フォトポリマー層をおよそ
５オングストローム程度逆スパッタし、しかる後、シリ
コンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッ
タすることにより８００オングストローム厚の窒化シリ
コンの透明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより１６５
オングストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光
磁気層３１を形成し、その後、酸素プラズマにさらすこ
とによりおおよそ数オングストロームの低級酸化物層３
３を設け、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴ
ンガスでスパッタすることにより６９０オングストロー
ム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第２の光磁気層３２を形
成し、次に、シリコンターゲットをアルゴンと窒素との
混合ガスでスパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの誘電体保護層４を設けた。その
上にＡｌＴｉ合金ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＡｌＴｉの
金属放熱層５を設け、図４に示すような構成にした。こ
の後、スパッタ装置から基板１を大気中に取り出した。
次に、この金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコ
ートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μ
ｍ厚の貼合保護膜を形成し、このような２枚のディスク
を、基板１が外側で各膜が内側になるようにホットメル
トで貼合わせた。このようにして作製した光磁気記録媒
体を３６００ｒｐｍで回転させ、波長８３００オングス
トロームの半導体レーザー光を基板１を通して第１の光
磁気層３１上でおよそφ１．４μｍに絞って照射した。
半径８７．５ｍｍのところで記録周波数１０ＭＨｚの信
号をデューティ５０％の２値の光変調で記録パワー９．
５ｍＷで、記録磁界２５０エルステッドで書込みを行っ
たところ、５７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記録感度がよく
かつ信号品質もよい光磁気記録媒体であることが確認さ
れた。
ている直径２００ｍｍ，厚さ１．１８ｍｍのガラスディ
スク基板１をスパッタ装置内に載置し、３×１０-7Ｔｏ
ｒｒ以下に真空排気した後、フォトポリマー層をおよそ
５オングストローム程度逆スパッタし、しかる後、シリ
コンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッ
タすることにより８００オングストローム厚の窒化シリ
コンの透明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏター
ゲットをアルゴンガスでスパッタすることにより１６５
オングストローム厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光
磁気層３１を形成し、その後、酸素プラズマにさらすこ
とによりおおよそ数オングストロームの低級酸化物層３
３を設け、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲットをアルゴ
ンガスでスパッタすることにより６９０オングストロー
ム厚のＴｂＦｅＴｉの非晶質の第２の光磁気層３２を形
成し、次に、シリコンターゲットをアルゴンと窒素との
混合ガスでスパッタすることにより８００オングストロ
ーム厚の窒化シリコンの誘電体保護層４を設けた。その
上にＡｌＴｉ合金ターゲットをアルゴンガスでスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＡｌＴｉの
金属放熱層５を設け、図４に示すような構成にした。こ
の後、スパッタ装置から基板１を大気中に取り出した。
次に、この金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコ
ートし、ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μ
ｍ厚の貼合保護膜を形成し、このような２枚のディスク
を、基板１が外側で各膜が内側になるようにホットメル
トで貼合わせた。このようにして作製した光磁気記録媒
体を３６００ｒｐｍで回転させ、波長８３００オングス
トロームの半導体レーザー光を基板１を通して第１の光
磁気層３１上でおよそφ１．４μｍに絞って照射した。
半径８７．５ｍｍのところで記録周波数１０ＭＨｚの信
号をデューティ５０％の２値の光変調で記録パワー９．
５ｍＷで、記録磁界２５０エルステッドで書込みを行っ
たところ、５７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記録感度がよく
かつ信号品質もよい光磁気記録媒体であることが確認さ
れた。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光磁気記
録媒体の製造方法は、透明干渉層成膜工程ｃ，第１の光
磁気層成膜工程ｄにひきつづき、第１の光磁気層を酸素
プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工程ｅを行った後、
第２の光磁気層成膜工程ｆ，誘電体保護層成膜工程ｇを
行うことにより、良好な書込み・読出し特性を有する光
磁気記録媒体を安定に得られるという効果がある。
録媒体の製造方法は、透明干渉層成膜工程ｃ，第１の光
磁気層成膜工程ｄにひきつづき、第１の光磁気層を酸素
プラズマにさらす酸素プラズマ暴露工程ｅを行った後、
第２の光磁気層成膜工程ｆ，誘電体保護層成膜工程ｇを
行うことにより、良好な書込み・読出し特性を有する光
磁気記録媒体を安定に得られるという効果がある。
【図１】本第一の発明の一実施例の光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための製造工程図である。
造方法を説明するための製造工程図である。
【図２】本第二の発明の一実施例の光磁気記録媒体の製
造方法を説明するための製造工程図である。
造方法を説明するための製造工程図である。
【図３】図１に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図４】図２に示す実施例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
【図５】従来例の光磁気記録媒体の製造方法を説明する
ための製造工程図である。
ための製造工程図である。
【図６】図５に示す従来例を用いて製造された光磁気記
録媒体の概略断面図である。
録媒体の概略断面図である。
１ 基板 ２ 透明干渉層 ３１，７１ 第１の光磁気層 ３２，７２ 第２の光磁気層 ３３ 低級酸化物層 ４，７４ 誘電体保護層 ５ 金属放熱層 ａ 基板装着工程 ｂ 真空排気工程 ｃ 透明干渉層成膜工程 ｄ 第１の光磁気層成膜工程 ｅ 酸素プラズマ暴露工程 ｆ 第２の光磁気層成膜工程 ｇ 誘電体保護層成膜工程 ｈ 金属放熱層成膜工程 ｉ 基板取出工程
Claims (2)
- 【請求項１】基板の上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、前記透明干渉層の上に第１の光磁気層を
形成する第１の光磁気層成膜工程と、前記第１の光磁気
層の上に第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜
工程と、前記第２の光磁気層の上に誘電体保護層を形成
する誘電体保護層成膜工程とを少なくとも含み、これら
の工程は前記基板を大気に曝すことなく真空中で連続し
て行う光磁気記録媒体の製造方法において、 前記第１の光磁気層成膜工程の後でかつ前記第２の光磁
気層成膜工程の前に前記第１の光磁気層を酸素プラズマ
にさらす酸素プラズマ暴露工程を行うことを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】基板の上に透明干渉層を形成する透明干渉
層成膜工程と、前記透明干渉層の上に第１の光磁気層を
形成する第１の光磁気層成膜工程と、前記第１の光磁気
層の上に第２の光磁気層を形成する第２の光磁気層成膜
工程と、前記第２の光磁気層の上に誘電体保護層を形成
する誘電体保護層成膜工程と、前記誘電体保護層の上に
金属放熱層を形成する金属放熱層成膜工程とを少なくと
も含み、これらの工程は前記基板を大気に曝すことなく
真空中で連続して行う光磁気記録媒体の製造方法におい
て、 前記第１の光磁気層成膜工程の後でかつ前記第２の光磁
気層成膜工程の前に前記第１の光磁気層を酸素プラズマ
にさらす酸素プラズマ暴露工程を行うことを特徴とする
光磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309992A JPH0689474A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13309992A JPH0689474A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0689474A true JPH0689474A (ja) | 1994-03-29 |
Family
ID=15096807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13309992A Pending JPH0689474A (ja) | 1992-05-26 | 1992-05-26 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0689474A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910076A2 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-21 | Sony Corporation | Magneto-optical disc and manufacturing method thereof |
| EP1045381A2 (en) * | 1999-04-16 | 2000-10-18 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
-
1992
- 1992-05-26 JP JP13309992A patent/JPH0689474A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0910076A2 (en) * | 1997-10-14 | 1999-04-21 | Sony Corporation | Magneto-optical disc and manufacturing method thereof |
| EP0910076A3 (en) * | 1997-10-14 | 2000-11-15 | Sony Corporation | Magneto-optical disc and manufacturing method thereof |
| EP1045381A2 (en) * | 1999-04-16 | 2000-10-18 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
| EP1045381A3 (en) * | 1999-04-16 | 2000-11-15 | Sony Corporation | Magneto-optical disk |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981104 |