JPH06124488A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPH06124488A JPH06124488A JP27023792A JP27023792A JPH06124488A JP H06124488 A JPH06124488 A JP H06124488A JP 27023792 A JP27023792 A JP 27023792A JP 27023792 A JP27023792 A JP 27023792A JP H06124488 A JPH06124488 A JP H06124488A
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- Japan
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- recording
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- magneto
- recording layer
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 基板上に、透明な誘電体からなる保護層、磁
性体からなる記録層及び反射層とからなるスパッタ法で
成膜された多層構造の記録膜を有するディスク状の光磁
気記録媒体において、前記記録層の成膜時に成膜とエッ
チングとを交互に行なう光磁気記録媒体の製造方法。 【効果】 記録層を成膜する際に、成膜とエッチングを
数回繰り返して行なうことによって、ＲＥ−ＴＭ膜成膜
中に膜内に取り込まれた酸素を叩き出し、記録層内の酸
素の含有率を飛躍的に減らすことができるため耐環境性
が向上する。
性体からなる記録層及び反射層とからなるスパッタ法で
成膜された多層構造の記録膜を有するディスク状の光磁
気記録媒体において、前記記録層の成膜時に成膜とエッ
チングとを交互に行なう光磁気記録媒体の製造方法。 【効果】 記録層を成膜する際に、成膜とエッチングを
数回繰り返して行なうことによって、ＲＥ−ＴＭ膜成膜
中に膜内に取り込まれた酸素を叩き出し、記録層内の酸
素の含有率を飛躍的に減らすことができるため耐環境性
が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に形成された多層
の薄膜よりなる記録膜上にレーザー光を照射し、情報の
記録、再生、消去を行なうことのできる光磁気記録媒体
に関するものである。
の薄膜よりなる記録膜上にレーザー光を照射し、情報の
記録、再生、消去を行なうことのできる光磁気記録媒体
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報量の増大に伴い大容量の情報
を記録することができる記録媒体の開発が急がれてい
る。その中でもレーザー光を利用して高密度な情報の記
録再生ができる光ディスクがすでに実用されている。
を記録することができる記録媒体の開発が急がれてい
る。その中でもレーザー光を利用して高密度な情報の記
録再生ができる光ディスクがすでに実用されている。
【０００３】光ディスクには、一回だけ記録が可能な追
記型と記録した情報を消去でき何度も書き換えることが
できる書換え可能型があるが、今後コンピュータの外部
メモリとして使用する場合、情報の書換えを行なうこと
ができる書換え可能型が有望視されている。
記型と記録した情報を消去でき何度も書き換えることが
できる書換え可能型があるが、今後コンピュータの外部
メモリとして使用する場合、情報の書換えを行なうこと
ができる書換え可能型が有望視されている。
【０００４】書換え可能な光ディスクとしては、情報の
記録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁界の印加
により磁性体層の磁化方向を変えることで行ない、磁気
光カー効果によるレーザー光の偏光方向の回転を利用し
て情報を読み出すことにより高密度な情報の記録再生が
できる方式が実用されている。例えば、特開昭５９−２
１７２４８号公報には、その記録媒体として、まず、基
板上に誘電体からなる保護層を設け、次に強磁性体を主
体とする記録層を設け、更に誘電体からなる保護層を介
して、又は介さないで直接反射層を設けて、カー効果に
加え磁性体層を透過した光のファラディー効果を併用し
て磁気光効果を大きくした構造のものが提案されてい
る。
記録及び消去をレーザー光による加熱と外部磁界の印加
により磁性体層の磁化方向を変えることで行ない、磁気
光カー効果によるレーザー光の偏光方向の回転を利用し
て情報を読み出すことにより高密度な情報の記録再生が
できる方式が実用されている。例えば、特開昭５９−２
１７２４８号公報には、その記録媒体として、まず、基
板上に誘電体からなる保護層を設け、次に強磁性体を主
体とする記録層を設け、更に誘電体からなる保護層を介
して、又は介さないで直接反射層を設けて、カー効果に
加え磁性体層を透過した光のファラディー効果を併用し
て磁気光効果を大きくした構造のものが提案されてい
る。
【０００５】上記の目的に用いられる強磁性体からなる
記録層には、一般に希土類金属と３ｄ遷移金属のアモル
ファス合金（以下ＲＥ−ＴＭ膜という）が用いられてい
る。ＲＥ−ＴＭ膜はアモルファスであるため、粒界によ
るノイズが少なく、また磁気容易軸が膜面に対し垂直に
なる組成領域を持つという利点を持っている。しかし、
希土類金属は非常に酸化され易いために、膜の保磁力や
垂直磁気異方性が経時的に劣化するという欠点をも併せ
て持っている。
記録層には、一般に希土類金属と３ｄ遷移金属のアモル
ファス合金（以下ＲＥ−ＴＭ膜という）が用いられてい
る。ＲＥ−ＴＭ膜はアモルファスであるため、粒界によ
るノイズが少なく、また磁気容易軸が膜面に対し垂直に
なる組成領域を持つという利点を持っている。しかし、
希土類金属は非常に酸化され易いために、膜の保磁力や
垂直磁気異方性が経時的に劣化するという欠点をも併せ
て持っている。
【０００６】ＲＥ−ＴＭ膜を酸化させる原因としては、
保護層を通過した酸素によるものとＲＥ−ＴＭ膜成膜中
に膜内に取り込まれた酸素によるものとがある。前者を
防ぐためには、保護層に酸素を通過しづらい材質を用い
る方法がある。また、保護層はカー効果のエンハンス層
も兼ねており、一般に光の屈折率及び透過率が大きい必
要があるため、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＳ等
が用いられる。 また、後者を防ぐためには、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜成膜時の真空度を高真空にまで排気することによっ
てＲＥ−ＴＭ膜に取り込まれる酸素量を減らす方法が取
られている。
保護層を通過した酸素によるものとＲＥ−ＴＭ膜成膜中
に膜内に取り込まれた酸素によるものとがある。前者を
防ぐためには、保護層に酸素を通過しづらい材質を用い
る方法がある。また、保護層はカー効果のエンハンス層
も兼ねており、一般に光の屈折率及び透過率が大きい必
要があるため、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｎＳ等
が用いられる。 また、後者を防ぐためには、ＲＥ−Ｔ
Ｍ膜成膜時の真空度を高真空にまで排気することによっ
てＲＥ−ＴＭ膜に取り込まれる酸素量を減らす方法が取
られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
方法でＲＥ−ＴＭ膜の酸化を防いでも、基板からの脱ガ
ス等によりＲＥ−ＴＭ膜成膜中に酸素が取り込まれるた
め、ＲＥ−ＴＭ膜を酸化から保護する効果は不十分であ
り、ＲＥ−ＴＭ膜中の希土類金属の優先的な酸化によ
り、記録再生特性が経時的に劣化してくる。
方法でＲＥ−ＴＭ膜の酸化を防いでも、基板からの脱ガ
ス等によりＲＥ−ＴＭ膜成膜中に酸素が取り込まれるた
め、ＲＥ−ＴＭ膜を酸化から保護する効果は不十分であ
り、ＲＥ−ＴＭ膜中の希土類金属の優先的な酸化によ
り、記録再生特性が経時的に劣化してくる。
【０００８】本発明が解決しようとする課題は、記録層
の酸素含有量を減らし、ディスクの耐環境性を向上させ
ることができる光磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
の酸素含有量を減らし、ディスクの耐環境性を向上させ
ることができる光磁気記録媒体の製造方法を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板上に、透明な誘電体からなる保護層、
磁性体からなる記録層及び反射層とからなるスパッタ法
で成膜された多層構造の記録膜を有するディスク状の光
磁気記録媒体において、前記記録層の成膜時に成膜とエ
ッチングとを交互に行なうことを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法を提供する。
するために、基板上に、透明な誘電体からなる保護層、
磁性体からなる記録層及び反射層とからなるスパッタ法
で成膜された多層構造の記録膜を有するディスク状の光
磁気記録媒体において、前記記録層の成膜時に成膜とエ
ッチングとを交互に行なうことを特徴とする光磁気記録
媒体の製造方法を提供する。
【００１０】即ち、スパッタガスとして不活性ガスを用
いてＲＥ−ＴＭ膜を成膜し、更にスパッタガスに不活性
ガスを用いてエッチングを行なう行程を数回繰り返すこ
とによって、ＲＥ−ＴＭ膜成膜中に膜内に取り込まれた
酸素を叩き出し、記録層内の酸素の含有率を飛躍的に減
らすことができるのである。このときのエッチングレー
トが速すぎるとＲＥ−ＴＭ膜面を平滑にすることが困難
となるため、エッチングレートは０．３nm／秒以下にす
る必要がある。
いてＲＥ−ＴＭ膜を成膜し、更にスパッタガスに不活性
ガスを用いてエッチングを行なう行程を数回繰り返すこ
とによって、ＲＥ−ＴＭ膜成膜中に膜内に取り込まれた
酸素を叩き出し、記録層内の酸素の含有率を飛躍的に減
らすことができるのである。このときのエッチングレー
トが速すぎるとＲＥ−ＴＭ膜面を平滑にすることが困難
となるため、エッチングレートは０．３nm／秒以下にす
る必要がある。
【００１１】
【作用】以上のような方法により、ＲＥ−ＴＭ膜内の酸
素を飛躍的に減少させることができるため、希土類金属
の優先的な酸化がなくなり、膜の保磁力や垂直磁気異方
性の経時変化及び記録再生特性の劣化を防ぐことができ
るのである。
素を飛躍的に減少させることができるため、希土類金属
の優先的な酸化がなくなり、膜の保磁力や垂直磁気異方
性の経時変化及び記録再生特性の劣化を防ぐことができ
るのである。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の実施例と比較例により詳細に
説明する。
説明する。
【００１３】（実施例１）厚さ１．２mm、外径９０mmの
円板で片面に１．６μｍピッチのスパイラル状のグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂よりなる基板を、自公
転が可能な基板取り付け部を有するスパッタリング装置
内に配置し、まずスパッタリング装置内を３×１０-7Ｔ
ｏｒｒ以下まで排気し、 ＡｒとＮ2との混合ガスの圧力
が１０ミリＴｏｒｒで、かつ窒素ガスの含有量が５モル
％の雰囲気中でＳｉターゲットを用いて反応性スパッタ
を行ない、 厚さが１００nmのＳｉＮXからなる誘電体層
を形成した。
円板で片面に１．６μｍピッチのスパイラル状のグルー
ブを有するポリカーボネート樹脂よりなる基板を、自公
転が可能な基板取り付け部を有するスパッタリング装置
内に配置し、まずスパッタリング装置内を３×１０-7Ｔ
ｏｒｒ以下まで排気し、 ＡｒとＮ2との混合ガスの圧力
が１０ミリＴｏｒｒで、かつ窒素ガスの含有量が５モル
％の雰囲気中でＳｉターゲットを用いて反応性スパッタ
を行ない、 厚さが１００nmのＳｉＮXからなる誘電体層
を形成した。
【００１４】次に、Ａｒガスの圧力が３ミリＴｏｒｒで
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて厚さが５nmの記録
層を設けた後、Ａｒガスの圧力が３ミリＴｏｒｒで深さ
１nmだけエッチングした。これらの操作を６回繰り返す
ことで厚さが２４nmの記録層を成膜した。また、この時
のエッチングレートは０．０５nm／秒とした。
ＴｂＦｅＣｏ合金ターゲットを用いて厚さが５nmの記録
層を設けた後、Ａｒガスの圧力が３ミリＴｏｒｒで深さ
１nmだけエッチングした。これらの操作を６回繰り返す
ことで厚さが２４nmの記録層を成膜した。また、この時
のエッチングレートは０．０５nm／秒とした。
【００１５】更に上記と同様の方法で、 厚さが３０nm
のＳｉＮXからなる誘電体層を形成した。そして最後に
Ａｌターゲットを用いて厚さが４５nmの反射層を形成し
た。
のＳｉＮXからなる誘電体層を形成した。そして最後に
Ａｌターゲットを用いて厚さが４５nmの反射層を形成し
た。
【００１６】以上の方法で製膜を行なった記録膜につい
て、光磁気ディスク評価装置を用いて記録再生特性の測
定を経時的に行なった。測定は波長８３０nmの半導体レ
ーザーを用い、ディスクの回転数は１８００rpm、記録
周波数２．９MHz、記録レーザー出力４．５mW、再生レ
ーザー出力１．０mWの条件において半径２４．１mmの位
置で記録再生特性を調べた。その結果を図２に示した。
て、光磁気ディスク評価装置を用いて記録再生特性の測
定を経時的に行なった。測定は波長８３０nmの半導体レ
ーザーを用い、ディスクの回転数は１８００rpm、記録
周波数２．９MHz、記録レーザー出力４．５mW、再生レ
ーザー出力１．０mWの条件において半径２４．１mmの位
置で記録再生特性を調べた。その結果を図２に示した。
【００１７】図２に示した結果から、本実施例のディス
クは、２０００時間の環境試験（温度８０℃、湿度８５
％）において、記録再生特性の劣化が小さく、耐環境性
に優れていることが理解できる。
クは、２０００時間の環境試験（温度８０℃、湿度８５
％）において、記録再生特性の劣化が小さく、耐環境性
に優れていることが理解できる。
【００１８】（比較例１）実施例１で使用したものと同
様のポリカーボネート樹脂よりなる基板上に、実施例１
と同様の方法でＳｉＮXからなる誘電体層を成膜し、 続
いて実施例１と同様の方法であるが、記録層をエッチン
グすることなしに成膜し、誘電体層、反射層を順次製膜
した。
様のポリカーボネート樹脂よりなる基板上に、実施例１
と同様の方法でＳｉＮXからなる誘電体層を成膜し、 続
いて実施例１と同様の方法であるが、記録層をエッチン
グすることなしに成膜し、誘電体層、反射層を順次製膜
した。
【００１９】以上の方法で成膜した記録膜について実施
例１と同様の方法で記録再生特性の測定を経時的に行な
い、その結果を図２に示した。図２に示した結果から、
比較例１のディスクは記録再生特性の劣化が大きく、実
施例１のディスクと比較して耐環境性に劣っていること
が理解できる。
例１と同様の方法で記録再生特性の測定を経時的に行な
い、その結果を図２に示した。図２に示した結果から、
比較例１のディスクは記録再生特性の劣化が大きく、実
施例１のディスクと比較して耐環境性に劣っていること
が理解できる。
【００２０】（比較例２）実施例１で使用したものと同
様のポリカーボネート樹脂よりなる基板上に、実施例１
と同様の方法でＳｉＮXからなる誘電体層を成膜し、 続
いて実施例１と同様な方法で厚さが１３nmの記録層を設
けた後、Ａｒガスの圧力が３ミリＴｏｒｒで深さが１nm
だけ実施例と同様な方法でエッチングし、続いて実施例
１と同様な方法で厚さが１２nmの記録層を設け厚さが２
４nmの記録層を成膜した。
様のポリカーボネート樹脂よりなる基板上に、実施例１
と同様の方法でＳｉＮXからなる誘電体層を成膜し、 続
いて実施例１と同様な方法で厚さが１３nmの記録層を設
けた後、Ａｒガスの圧力が３ミリＴｏｒｒで深さが１nm
だけ実施例と同様な方法でエッチングし、続いて実施例
１と同様な方法で厚さが１２nmの記録層を設け厚さが２
４nmの記録層を成膜した。
【００２１】以上の方法で成膜した記録膜について実施
例１と同様の方法で記録再生特性の測定を経時的に行な
い、その結果を図２に示した。図２に示した結果から、
比較例２のディスクは記録再生特性の劣化がやや大き
く、実施例１と比較して耐環境性に劣っていることが理
解できる。
例１と同様の方法で記録再生特性の測定を経時的に行な
い、その結果を図２に示した。図２に示した結果から、
比較例２のディスクは記録再生特性の劣化がやや大き
く、実施例１と比較して耐環境性に劣っていることが理
解できる。
【００２２】（比較例３）実施例１で使用したものと同
様のポリカーボネート樹脂よりなる基板上に、実施例１
と同様の方法でＳｉＮXからなる誘電体層を成膜し、 続
いて実施例１と同様な方法で厚さが２４nmの記録層を成
膜した。ただし、この時のエッチングレートは０．５nm
／秒とした。 更に上記と同様の方法で厚さが３０nmの
ＳｉＮXからなる誘電体層を形成し、最後にＡｌターゲ
ットを用いて厚さが４５nmの反射層を形成した。
様のポリカーボネート樹脂よりなる基板上に、実施例１
と同様の方法でＳｉＮXからなる誘電体層を成膜し、 続
いて実施例１と同様な方法で厚さが２４nmの記録層を成
膜した。ただし、この時のエッチングレートは０．５nm
／秒とした。 更に上記と同様の方法で厚さが３０nmの
ＳｉＮXからなる誘電体層を形成し、最後にＡｌターゲ
ットを用いて厚さが４５nmの反射層を形成した。
【００２３】以上の方法で成膜した記録膜について実施
例１と同様の方法で記録再生特性の測定を経時的に行な
い、その結果を図２に示した。図２に示した結果から、
比較例３のディスクは記録再生特性の劣化がやや大き
く、実施例１と比較して耐環境性が劣っていることが理
解できる。
例１と同様の方法で記録再生特性の測定を経時的に行な
い、その結果を図２に示した。図２に示した結果から、
比較例３のディスクは記録再生特性の劣化がやや大き
く、実施例１と比較して耐環境性が劣っていることが理
解できる。
【００２４】
【発明の効果】記録層を成膜する際に、成膜とエッチン
グを数回繰り返して行なうことによって、ＲＥ−ＴＭ膜
成膜中に膜内に取り込まれた酸素を叩き出し、記録層内
の酸素の含有率を飛躍的に減らすことができるため耐環
境性が向上する。
グを数回繰り返して行なうことによって、ＲＥ−ＴＭ膜
成膜中に膜内に取り込まれた酸素を叩き出し、記録層内
の酸素の含有率を飛躍的に減らすことができるため耐環
境性が向上する。
【図１】本発明に係わる光磁気記録媒体の層構成の一例
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
１ 基板 ２ 誘電体からなる保護層 ３ 磁性体からなる記録層 ４ 反射層
【図２】実施例及び比較例１、２、３で得た光磁気記録
媒体の経時変化試験における記録再生特性の経時変化を
示した図表である。
媒体の経時変化試験における記録再生特性の経時変化を
示した図表である。
○ 実施例１ △ 比較例１ □ 比較例２ ▽ 比較例３
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に、透明な誘電体からなる保護
層、磁性体からなる記録層及び反射層とからなるスパッ
タ法で成膜された多層構造の記録膜を有するディスク状
の光磁気記録媒体において、前記記録層の成膜時に成膜
とエッチングとを交互に行なうことを特徴とする光磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１に記載のエッチングレートが
０．３nm／秒以下であることを特徴とする光磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27023792A JPH06124488A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27023792A JPH06124488A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06124488A true JPH06124488A (ja) | 1994-05-06 |
Family
ID=17483469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27023792A Pending JPH06124488A (ja) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06124488A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07334881A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
-
1992
- 1992-10-08 JP JP27023792A patent/JPH06124488A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07334881A (ja) * | 1994-06-10 | 1995-12-22 | Nec Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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