JPH07311987A - 光磁気記録媒体とその製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体とその製造方法Info
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- JPH07311987A JPH07311987A JP12331194A JP12331194A JPH07311987A JP H07311987 A JPH07311987 A JP H07311987A JP 12331194 A JP12331194 A JP 12331194A JP 12331194 A JP12331194 A JP 12331194A JP H07311987 A JPH07311987 A JP H07311987A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気ディスク等の、偏光性ノイズを低減
し、かつ熱的安定性を高めた光磁気記録媒体とその製造
方法を得る。 【構成】 有機樹脂基板１０１上にＴａＯｘからなる第
１の誘電体層１０２を形成し、その上にＳｉＮからなる
第２の誘電体層１０３を形成し、この表面をスパッタエ
ッチング処理１０４する。また、その上に希土類金属と
鉄族遷移金属とを組み合わせた非晶質磁性合金からなる
記録層１０５を形成し、その表面をスパッタエッチング
処理１０６する。その上にＳｉＮからなる第３の誘電体
層１０７を形成し、更にその上にＡｌＴｉ合金からなる
反射層１０８と保護層１０９を形成する。記録層１０５
の表面をスパッタエッチングすることで、偏光性ノイズ
を低減し、記録媒体ノイズレベルを小さくすることが可
能となる。
し、かつ熱的安定性を高めた光磁気記録媒体とその製造
方法を得る。 【構成】 有機樹脂基板１０１上にＴａＯｘからなる第
１の誘電体層１０２を形成し、その上にＳｉＮからなる
第２の誘電体層１０３を形成し、この表面をスパッタエ
ッチング処理１０４する。また、その上に希土類金属と
鉄族遷移金属とを組み合わせた非晶質磁性合金からなる
記録層１０５を形成し、その表面をスパッタエッチング
処理１０６する。その上にＳｉＮからなる第３の誘電体
層１０７を形成し、更にその上にＡｌＴｉ合金からなる
反射層１０８と保護層１０９を形成する。記録層１０５
の表面をスパッタエッチングすることで、偏光性ノイズ
を低減し、記録媒体ノイズレベルを小さくすることが可
能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスク等のよう
に光磁気効果によって情報を記録しかつその書換えを行
う光磁気記録媒体に関し、特に偏光性ノイズを抑制した
ノイズレベルの低い光磁気記録媒体とその製造方法に関
する。
に光磁気効果によって情報を記録しかつその書換えを行
う光磁気記録媒体に関し、特に偏光性ノイズを抑制した
ノイズレベルの低い光磁気記録媒体とその製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、光ディスクは大容量ファイルメモ
リの一つとして注目されている。中でも光磁気ディスク
は記録情報の書換えが可能であるという利点があること
から、コードデータファイルメモリを始め、画像ファイ
ルメモリ等、広範囲な応用が各所で盛んに研究されてい
る。したがって、このような用途の拡大に伴って、さら
なる記録密度の向上及び高速化が期待されている。
リの一つとして注目されている。中でも光磁気ディスク
は記録情報の書換えが可能であるという利点があること
から、コードデータファイルメモリを始め、画像ファイ
ルメモリ等、広範囲な応用が各所で盛んに研究されてい
る。したがって、このような用途の拡大に伴って、さら
なる記録密度の向上及び高速化が期待されている。
【０００３】このような光磁気ディスクの一例を図３に
示す。同図において、ポリカーボネイト等の樹脂基板２
０１上に、ＳｉＮからなる第１の誘電体層２０２が形成
され、この第１の誘電体層２０２の表面はスパッタエッ
チング処理２０３されている。また、その上に希土類金
属と鉄族遷移金属との組み合わせによって形成されるＴ
ｂＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜からなる記録層２
０４が形成され、更にその上にＳｉＮからなる第２の誘
電体層２０５が形成されている。また、その上にＡｌ等
の反射層２０６が形成される。
示す。同図において、ポリカーボネイト等の樹脂基板２
０１上に、ＳｉＮからなる第１の誘電体層２０２が形成
され、この第１の誘電体層２０２の表面はスパッタエッ
チング処理２０３されている。また、その上に希土類金
属と鉄族遷移金属との組み合わせによって形成されるＴ
ｂＦｅＣｏのような非晶質磁性合金膜からなる記録層２
０４が形成され、更にその上にＳｉＮからなる第２の誘
電体層２０５が形成されている。また、その上にＡｌ等
の反射層２０６が形成される。
【０００４】この光磁気ディスクでは、周知のように、
外部磁界を加えた状態でレーザ光等による加熱を行うこ
とにより記録層２０５における磁化の方向として情報を
記録し、この磁化の方向に伴う偏光方向によって情報の
再生を行い、かつ逆方向の磁界を加えることで情報の消
去を可能とする。
外部磁界を加えた状態でレーザ光等による加熱を行うこ
とにより記録層２０５における磁化の方向として情報を
記録し、この磁化の方向に伴う偏光方向によって情報の
再生を行い、かつ逆方向の磁界を加えることで情報の消
去を可能とする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
た光磁気ディスクでは、再生信号の低周波数領域、特に
５ＭＨｚ以下の周波数領域での媒体ノイズレベルが大き
いという問題が生じている。このため、再生信号のジッ
タが大きく、信号再生時のウインドマージンが狭くな
り、記録密度の向上の妨げとなっている。また、光磁気
ディスクにおける記録情報が熱によって消失される等の
熱的安定性が劣化され易いという問題もある。
た光磁気ディスクでは、再生信号の低周波数領域、特に
５ＭＨｚ以下の周波数領域での媒体ノイズレベルが大き
いという問題が生じている。このため、再生信号のジッ
タが大きく、信号再生時のウインドマージンが狭くな
り、記録密度の向上の妨げとなっている。また、光磁気
ディスクにおける記録情報が熱によって消失される等の
熱的安定性が劣化され易いという問題もある。
【０００６】
【発明の目的】本発明の目的は、偏光性ノイズを低減し
て媒体ノイズレベルを小さくした光磁気記録媒体を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、熱的安定
性を高めた光磁気記録媒体を提供する。更に、本発明の
目的は、媒体ノイズレベルを小さくし、かつ熱的安定性
を高めた光磁気記録媒体の製造方法を提供することにあ
る。
て媒体ノイズレベルを小さくした光磁気記録媒体を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、熱的安定
性を高めた光磁気記録媒体を提供する。更に、本発明の
目的は、媒体ノイズレベルを小さくし、かつ熱的安定性
を高めた光磁気記録媒体の製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、有機樹脂基板の上に、第１の誘電体層と、第２の誘
電体層と、非晶質磁性合金からなる記録層と、第３の誘
電体層と、反射層とを順次積層した構成とされ、前記第
２の誘電体層の表面と記録層の表面はそれぞれスパッタ
エッチング処理された構成とされる。例えば、有機樹脂
基板はポリカーボネイトで形成され、第１の誘電体層は
ＴａＯｘで形成され、第２の誘電体層はＳｉＮで形成さ
れ、記録層は希土類金属と鉄族遷移金属との組み合わせ
によって形成され、第３の誘電体層はＳｉＮで形成さ
れ、反射層はＡｌＴｉ合金で形成される。
は、有機樹脂基板の上に、第１の誘電体層と、第２の誘
電体層と、非晶質磁性合金からなる記録層と、第３の誘
電体層と、反射層とを順次積層した構成とされ、前記第
２の誘電体層の表面と記録層の表面はそれぞれスパッタ
エッチング処理された構成とされる。例えば、有機樹脂
基板はポリカーボネイトで形成され、第１の誘電体層は
ＴａＯｘで形成され、第２の誘電体層はＳｉＮで形成さ
れ、記録層は希土類金属と鉄族遷移金属との組み合わせ
によって形成され、第３の誘電体層はＳｉＮで形成さ
れ、反射層はＡｌＴｉ合金で形成される。
【０００８】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、有機樹脂基板上にＴａＯｘからなる第１の誘電体層
を形成する工程と、この第１の誘電体層の上にＳｉＮか
らなる第２の誘電体層を形成する工程と、この第２の誘
電体層の表面をスパッタエッチング処理する工程と、前
記第２の誘電体層の上に希土類金属と鉄族遷移金属とを
組み合わせた非晶質磁性合金からなる記録層を形成する
工程と、この記録層の表面をスパッタエッチング処理す
る工程と、前記記録層の上にＳｉＮからなる第３の誘電
体層を形成する工程と、この第３の誘電体層の上にＡｌ
Ｔｉ合金からなる反射層を形成する工程とを含んでい
る。ここで、記録層表面のスパッタエッチング処理量が
２０Åから５０Åの範囲とする。
は、有機樹脂基板上にＴａＯｘからなる第１の誘電体層
を形成する工程と、この第１の誘電体層の上にＳｉＮか
らなる第２の誘電体層を形成する工程と、この第２の誘
電体層の表面をスパッタエッチング処理する工程と、前
記第２の誘電体層の上に希土類金属と鉄族遷移金属とを
組み合わせた非晶質磁性合金からなる記録層を形成する
工程と、この記録層の表面をスパッタエッチング処理す
る工程と、前記記録層の上にＳｉＮからなる第３の誘電
体層を形成する工程と、この第３の誘電体層の上にＡｌ
Ｔｉ合金からなる反射層を形成する工程とを含んでい
る。ここで、記録層表面のスパッタエッチング処理量が
２０Åから５０Åの範囲とする。
【０００９】
【作用】記録層の表面をスパッタエッチングすること
で、偏光性ノイズを低減し、記録媒体ノイズレベルを小
さくすることが可能となる。また、これと同時に熱的安
定性を高めることが可能となる。
で、偏光性ノイズを低減し、記録媒体ノイズレベルを小
さくすることが可能となる。また、これと同時に熱的安
定性を高めることが可能となる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板１０１の表面にＴａＯｘからなる厚さ３００Åの第１
の誘電体層１０２が形成されており、その上にはＳｉＮ
からなる厚さ８００Åの第２の誘電体層１０３が形成さ
れている。この第２の誘電体層１０３の表面は７Å程度
の厚さだけスパッタエッチングされており、これにより
その表面にスパッタエッチング処理１０４が施される。
更に、その上にＴｂＦｅＣｏＴｉからなる厚さ２５０Å
の記録層１０５が形成され、その表面は２０〜５０Åの
厚さだけスパッタエッチングされてスパッタエッチング
処理１０６が施される。その上に、ＳｉＮからなる厚さ
３２０Åの第３の誘電体層１０７が形成され、更にその
上にはＡｌＴｉからなる厚さ３００Åの金属反射層１０
８が形成される。なお、その上には紫外線硬化樹脂から
なる保護層１０９が形成されている。
する。図１は本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
厚さ１．２ｍｍ、直径１３０ｍｍのポリカーボネイト基
板１０１の表面にＴａＯｘからなる厚さ３００Åの第１
の誘電体層１０２が形成されており、その上にはＳｉＮ
からなる厚さ８００Åの第２の誘電体層１０３が形成さ
れている。この第２の誘電体層１０３の表面は７Å程度
の厚さだけスパッタエッチングされており、これにより
その表面にスパッタエッチング処理１０４が施される。
更に、その上にＴｂＦｅＣｏＴｉからなる厚さ２５０Å
の記録層１０５が形成され、その表面は２０〜５０Åの
厚さだけスパッタエッチングされてスパッタエッチング
処理１０６が施される。その上に、ＳｉＮからなる厚さ
３２０Åの第３の誘電体層１０７が形成され、更にその
上にはＡｌＴｉからなる厚さ３００Åの金属反射層１０
８が形成される。なお、その上には紫外線硬化樹脂から
なる保護層１０９が形成されている。
【００１１】前記各層はインラインスパッタ装置を用い
て形成される。即ち、第１誘電体層（ＴａＯｘ層）１０
２は、Ｔａターゲットを用い、ターゲットと基板１０１
の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ
２）とし、ＡｒとＯ２のガス流量比をＡｒ／Ｏ２＝１０
０／５５（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．２（Ｐ
ａ）の条件で成膜する。
て形成される。即ち、第１誘電体層（ＴａＯｘ層）１０
２は、Ｔａターゲットを用い、ターゲットと基板１０１
の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ
２）とし、ＡｒとＯ２のガス流量比をＡｒ／Ｏ２＝１０
０／５５（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．２（Ｐ
ａ）の条件で成膜する。
【００１２】第２の誘電体層（ＳｉＮ層）１０３は、Ｓ
ｉターゲットを用い、ターゲットと基板１０１の距離を
１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ２）と
し、ＡｒとＮ２のガス流量比をＡｒ／Ｎ２＝１００／５
５（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．３（Ｐａ）の
条件で成膜する。また、この第２の誘電体層１０３の表
面は、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ２）、Ａｒ＝２５
（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタ
エッチングし、７Å程度エッチングしてスパッタエッチ
ング処理１０４を行う。
ｉターゲットを用い、ターゲットと基板１０１の距離を
１５（ｃｍ）とし、パワー密度を８（Ｗ／ｃｍ２）と
し、ＡｒとＮ２のガス流量比をＡｒ／Ｎ２＝１００／５
５（ＳＣＣＭ）とし、スパッタガス圧０．３（Ｐａ）の
条件で成膜する。また、この第２の誘電体層１０３の表
面は、パワー密度０．１５（Ｗ／ｃｍ２）、Ａｒ＝２５
（ＳＣＣＭ）、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件でスパッタ
エッチングし、７Å程度エッチングしてスパッタエッチ
ング処理１０４を行う。
【００１３】記録層（ＴｂＦｅＣｏＴｉ層）１０５は、
ＴｂターゲットとＦｅＣｏＴｉ合金ターゲット（Ｆｅ
Ｃｏ Ｔｉ ａｔｍ％）を用いた２元ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、基板１０１を回転させながら成膜す
る。このとき、ターゲットと基板との距離を１０（ｃ
ｍ）とし、Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金ターゲ
ットのパワー密度をそれぞれ１．５（Ｗ／ｃｍ２），
３．０（Ｗ／ｃｍ２）とし、Ａｒ＝５０（ＳＣＣＭ）、
ガス圧０．１４（Ｐａ）の条件で行う。そして、この記
録層１０５の表面は、前記第２の誘電体層１０３の表面
のスパッタエッチングと同じ条件でスパッタエッチング
してスパッタエッチング処理１０６とする。但し、エッ
チング量は２０〜５０Åの範囲とする。
ＴｂターゲットとＦｅＣｏＴｉ合金ターゲット（Ｆｅ
Ｃｏ Ｔｉ ａｔｍ％）を用いた２元ＤＣマグネトロン
スパッタ法により、基板１０１を回転させながら成膜す
る。このとき、ターゲットと基板との距離を１０（ｃ
ｍ）とし、Ｔｂターゲット及びＦｅＣｏＴｉ合金ターゲ
ットのパワー密度をそれぞれ１．５（Ｗ／ｃｍ２），
３．０（Ｗ／ｃｍ２）とし、Ａｒ＝５０（ＳＣＣＭ）、
ガス圧０．１４（Ｐａ）の条件で行う。そして、この記
録層１０５の表面は、前記第２の誘電体層１０３の表面
のスパッタエッチングと同じ条件でスパッタエッチング
してスパッタエッチング処理１０６とする。但し、エッ
チング量は２０〜５０Åの範囲とする。
【００１４】第３の誘電体層（ＳｉＮ層）１０７は、第
２の誘電体層１０３と同じ条件で成膜を行う。
２の誘電体層１０３と同じ条件で成膜を行う。
【００１５】金属反射層（ＡｌＴｉ合金層）１０８は、
Ｔｉを１Ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用
い、Ａｒガスをスパッタガスとしてターゲットと基板１
０１の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を３．０
（Ｗ／ｃｍ２）とし、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成
膜する。保護層（紫外線硬化樹脂層）１０９は、紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布する。
Ｔｉを１Ｗｔ％含有するＡｌＴｉ合金ターゲットを用
い、Ａｒガスをスパッタガスとしてターゲットと基板１
０１の距離を１５（ｃｍ）とし、パワー密度を３．０
（Ｗ／ｃｍ２）とし、ガス圧０．１（Ｐａ）の条件で成
膜する。保護層（紫外線硬化樹脂層）１０９は、紫外線
硬化樹脂をスピンコート法により塗布する。
【００１６】ここで、本発明において記録層１０５の表
面を処理したことにより形成されるスパッタエッチング
処理１０６の効果を確認するために、スパッタエッチン
グ量を０から７０Åの間で種々に変化させた試料を作成
する。ここでは、１０Å単位で変化させた８種類の試料
を作成した。そして、これらの試料を単板状態でマグネ
ットハブ付けを行い偏光性のノイズの測定を行った。こ
の偏光性ノイズの測定は、試料を初期化した後、次に示
す測定条件によりＭＯヘッド検出器の差信号出力を測定
することで行っている。なお、この場合、それぞれのス
パッタエッチング量の相違により反射率が異なるため、
戻り光量が一定となるように再生時のパワーを調節して
いる。
面を処理したことにより形成されるスパッタエッチング
処理１０６の効果を確認するために、スパッタエッチン
グ量を０から７０Åの間で種々に変化させた試料を作成
する。ここでは、１０Å単位で変化させた８種類の試料
を作成した。そして、これらの試料を単板状態でマグネ
ットハブ付けを行い偏光性のノイズの測定を行った。こ
の偏光性ノイズの測定は、試料を初期化した後、次に示
す測定条件によりＭＯヘッド検出器の差信号出力を測定
することで行っている。なお、この場合、それぞれのス
パッタエッチング量の相違により反射率が異なるため、
戻り光量が一定となるように再生時のパワーを調節して
いる。
【００１７】偏光性ノイズの測定条件 （ａ）線速（ｍ／ｓｅｃ）：９．４ （ｂ）周波数（ＭＨｚ） ：１．０〜１０．０ （ｃ）再生パワー（ｍＷ）：１．０〜１．９ （ｄ）ＶＢＷ（Ｈｚ） ：１００ （ｅ）ＲＢＷ（ｋＨｚ） ：３０
【００１８】また各試料に対して、記録信号の熱的安定
性（ΔＣ／Ｎ）の評価を行った。この評価は、各試料に
信号を記録した後、その部分に外部から情報消去方向に
５００（Ｏｅ）の磁界を印加し、同時に２．５（ｍＷ）
のレーザ光を３分間照射し、照射前後の再生信号の差を
とって評価結果としている。
性（ΔＣ／Ｎ）の評価を行った。この評価は、各試料に
信号を記録した後、その部分に外部から情報消去方向に
５００（Ｏｅ）の磁界を印加し、同時に２．５（ｍＷ）
のレーザ光を３分間照射し、照射前後の再生信号の差を
とって評価結果としている。
【００１９】１ＭＨｚにおける前記偏光性ノイズの測定
結果を図２の下側に示す。同じく熱的安定性の評価結果
を図２の上側に示す。偏光性ノイズは、スパッタエッチ
ング量が０Åから増加するのに伴って低下され、２０Å
以上ではほぼ一定の値となる。一方、熱的安定性は、ス
パッタエッチング量が０Åから増加していっても変化さ
れないが、６０Å以上になると急激に増加し、熱的安定
性が急激に劣化される。
結果を図２の下側に示す。同じく熱的安定性の評価結果
を図２の上側に示す。偏光性ノイズは、スパッタエッチ
ング量が０Åから増加するのに伴って低下され、２０Å
以上ではほぼ一定の値となる。一方、熱的安定性は、ス
パッタエッチング量が０Åから増加していっても変化さ
れないが、６０Å以上になると急激に増加し、熱的安定
性が急激に劣化される。
【００２０】以上のことから、スパッタエッチング処理
１０６を行う際のスパッタエッチング量を２０Å〜５０
Åの範囲に調整することにより、偏光性ノイズを抑制す
る一方で熱的安定性に優れた光磁気ディスクを得ること
ができる。特に、偏光性ノイズを抑制することにより、
光磁気ディスクにおける再生信号のジッタを低減でき、
信号再生時のウインドマージンを拡大でき、光磁気ディ
スクにおける高密度化が可能となる。
１０６を行う際のスパッタエッチング量を２０Å〜５０
Åの範囲に調整することにより、偏光性ノイズを抑制す
る一方で熱的安定性に優れた光磁気ディスクを得ること
ができる。特に、偏光性ノイズを抑制することにより、
光磁気ディスクにおける再生信号のジッタを低減でき、
信号再生時のウインドマージンを拡大でき、光磁気ディ
スクにおける高密度化が可能となる。
【００２１】ここで、前記実施例は光磁気ディスクに本
発明を適用した例を示しているが、光磁気カード等、他
の形式の記録媒体においても本発明を同様に適用するこ
とができる。また、記録層の組成やその膜厚、或いは他
の層の組成や膜厚は前記実施例のものに限定されるもの
ではなく、所望の光磁気記録媒体を得るために適宜変更
することは可能である。
発明を適用した例を示しているが、光磁気カード等、他
の形式の記録媒体においても本発明を同様に適用するこ
とができる。また、記録層の組成やその膜厚、或いは他
の層の組成や膜厚は前記実施例のものに限定されるもの
ではなく、所望の光磁気記録媒体を得るために適宜変更
することは可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
媒体は、有機樹脂基板の上に形成した記録層の表面をス
パッタエッチング処理した構成とすることにより、偏光
性ノイズを低減し、記録媒体ノイズレベルを小さくする
ことができるとともに、記録媒体における熱的安定性を
高めることができる効果もある。
媒体は、有機樹脂基板の上に形成した記録層の表面をス
パッタエッチング処理した構成とすることにより、偏光
性ノイズを低減し、記録媒体ノイズレベルを小さくする
ことができるとともに、記録媒体における熱的安定性を
高めることができる効果もある。
【００２３】また、本発明の光磁気記録媒体の製造方法
は、記録層を形成した後に、この記録層の表面を所要量
だけスパッタエッチングすることにより、偏光性ノイズ
を低減し、熱的安定性を高めた光磁気記録媒体を製造す
ることができる。
は、記録層を形成した後に、この記録層の表面を所要量
だけスパッタエッチングすることにより、偏光性ノイズ
を低減し、熱的安定性を高めた光磁気記録媒体を製造す
ることができる。
【００２４】更に、本発明方法では、記録層表面のスパ
ッタエッチング処理量を２０Åから５０Åの範囲とする
ことで、偏光性ノイズの低減と熱的安定性の双方を好適
に改善することが可能となる。
ッタエッチング処理量を２０Åから５０Åの範囲とする
ことで、偏光性ノイズの低減と熱的安定性の双方を好適
に改善することが可能となる。
【図１】本発明の光磁気記録媒体の断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体のスパッタエッチング
量を相違させた試料について偏光性ノイズと熱的安定性
の測定を行った結果を示す図である。
量を相違させた試料について偏光性ノイズと熱的安定性
の測定を行った結果を示す図である。
【図３】従来の光磁気記録媒体の断面図である。
１０１ ポリカーボネイト基板 １０２ ＴａＯｘ層（第１の誘電体層） １０３ ＳｉＮ層（第２の誘電体層） １０４ スパッタエッチング処理 １０５ ＴｂＦｅＣｏＴｉ合金層（記録層） １０６ スパッタエッチング処理 １０７ ＳｉＮ層（第３の誘電体層） １０８ ＡｌＴｉ層（金属反射層） １０９ 保護層
Claims (4)
- 【請求項１】 有機樹脂基板と、この上に形成される第
１の誘電体層と、この第１の誘電体層の上に形成されて
その表面がスパッタエッチング処理されてなる第２の誘
電体層と、この第２の誘電体層の上に形成されてその表
面がスパッタエッチング処理されてなる非晶質磁性合金
からなる記録層と、この記録層の上に形成される第３の
誘電体層と、この第３の誘電体層の上に形成される反射
層とを備えることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 有機樹脂基板はポリカーボネイトで形成
され、第１の誘電体層はＴａＯｘで形成され、第２の誘
電体層はＳｉＮで形成され、記録層は希土類金属と鉄族
遷移金属との組み合わせによって形成され、第３の誘電
体層はＳｉＮで形成され、反射層はＡｌＴｉ合金で形成
される請求項２の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 有機樹脂基板上にＴａＯｘからなる第１
の誘電体層を形成する工程と、この第１の誘電体層の上
にＳｉＮからなる第２の誘電体層を形成する工程と、こ
の第２の誘電体層の表面をスパッタエッチング処理する
工程と、前記第２の誘電体層の上に希土類金属と鉄族遷
移金属とを組み合わせた非晶質磁性合金からなる記録層
を形成する工程と、この記録層の表面をスパッタエッチ
ング処理する工程と、前記記録層の上にＳｉＮからなる
第３の誘電体層を形成する工程と、この第３の誘電体層
の上にＡｌＴｉ合金からなる反射層を形成する工程とを
含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項４】 記録層表面のスパッタエッチング処理量
が２０Åから５０Åである請求項３の光磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12331194A JP2943606B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12331194A JP2943606B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH07311987A true JPH07311987A (ja) | 1995-11-28 |
| JP2943606B2 JP2943606B2 (ja) | 1999-08-30 |
Family
ID=14857412
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12331194A Expired - Lifetime JP2943606B2 (ja) | 1994-05-13 | 1994-05-13 | 光磁気記録媒体とその製造方法 |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP2943606B2 (ja) |
-
1994
- 1994-05-13 JP JP12331194A patent/JP2943606B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2943606B2 (ja) | 1999-08-30 |
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