JPH02108254A - 光記録媒体 - Google Patents
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- JPH02108254A JPH02108254A JP25946488A JP25946488A JPH02108254A JP H02108254 A JPH02108254 A JP H02108254A JP 25946488 A JP25946488 A JP 25946488A JP 25946488 A JP25946488 A JP 25946488A JP H02108254 A JPH02108254 A JP H02108254A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録に係り、とくに情報の消え残り低減
に好適な光磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
に好適な光磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
垂直磁気異方性を有する磁性膜を記録膜として用いる光
磁気記録媒体では、磁性膜の磁化の向きを情報の“1”
、′0”に対応させるために、記録のみならず消去・再
記録が可能である。
磁気記録媒体では、磁性膜の磁化の向きを情報の“1”
、′0”に対応させるために、記録のみならず消去・再
記録が可能である。
光磁気記録媒体の構造には種々のものがあるが、磁性膜
上に直接あるいは適当な介在層を介して金属膜を設けた
光磁気記録媒体が、再生性能や耐食性が向上する点で有
利であることが特開昭61−17236あるいは特開昭
59−152552に記載されている。
上に直接あるいは適当な介在層を介して金属膜を設けた
光磁気記録媒体が、再生性能や耐食性が向上する点で有
利であることが特開昭61−17236あるいは特開昭
59−152552に記載されている。
しかしながら上記従来技術は、情報の消去を行なった際
の消え残りに対する配置aがなされていない、消去が不
完全で消え残りがある場合には、新たに記録された情報
の再生時に読み誤りが発生するおそれがあるため、光磁
気記録媒体の信頼性を損ってしまう。
の消え残りに対する配置aがなされていない、消去が不
完全で消え残りがある場合には、新たに記録された情報
の再生時に読み誤りが発生するおそれがあるため、光磁
気記録媒体の信頼性を損ってしまう。
消え残りが発生する場所は、レーザスポットが本来通過
すべき位置から離れたところが多い。すなわち、いわゆ
るオン・ランド記録の場合には、案内溝(グルーブ)内
の記録領域が、消去時のトラッキングずれのために消え
残りとなることがある。
すべき位置から離れたところが多い。すなわち、いわゆ
るオン・ランド記録の場合には、案内溝(グルーブ)内
の記録領域が、消去時のトラッキングずれのために消え
残りとなることがある。
本発明の目的は、消え残りという問題を大幅に低減でき
るような光磁気記録媒体とその製造方法を提供すること
にある。
るような光磁気記録媒体とその製造方法を提供すること
にある。
なお以下の説明は全てオン・ランド記録の場合について
述べているがグルーブ上に記録する場合(イン・グルー
ブ記録)においても同様な結果が得られる。
述べているがグルーブ上に記録する場合(イン・グルー
ブ記録)においても同様な結果が得られる。
上記目的はグルーブの上部にある金属膜の膜厚を、ラン
ドの上部にある金属膜の膜厚よりも厚くすることにより
達成される。イン・グルーブ記録の場合には、逆にラン
ドの上部にある金属膜の膜厚をグルーブの上部にある金
属膜の膜厚よりも厚くすることにより達成される。
ドの上部にある金属膜の膜厚よりも厚くすることにより
達成される。イン・グルーブ記録の場合には、逆にラン
ドの上部にある金属膜の膜厚をグルーブの上部にある金
属膜の膜厚よりも厚くすることにより達成される。
すなわち本発明においては、熱容量が、情報の書き込み
や消去が行なわれる部分において小さく、情報の書き込
みや消去が行なわれないグルーブなどの部分において大
きくなるように、適宜の金属膜などからなるヒートシン
クとなる膜を情報記録膜に接して設ける。
や消去が行なわれる部分において小さく、情報の書き込
みや消去が行なわれないグルーブなどの部分において大
きくなるように、適宜の金属膜などからなるヒートシン
クとなる膜を情報記録膜に接して設ける。
金属膜は、レーザ光により磁性膜に照射された光が磁性
膜に与えた熱を吸引する作用、すなわち。
膜に与えた熱を吸引する作用、すなわち。
ヒート・シンクとして働く。この働きは、金属膜の膜厚
が厚いほど大きい。
が厚いほど大きい。
グルーブ上に設けられた厚い金属膜は、レーザ光による
熱をより多く吸収するため、その直下にある磁性膜の温
度上昇を妨げる。これに対し、ランド上の磁性膜は、直
上にある金属膜の膜厚がグルーブ上の金属膜の膜厚より
も薄いためグルーブ上の磁性膜よりもより高温にまで熱
せられる。
熱をより多く吸収するため、その直下にある磁性膜の温
度上昇を妨げる。これに対し、ランド上の磁性膜は、直
上にある金属膜の膜厚がグルーブ上の金属膜の膜厚より
も薄いためグルーブ上の磁性膜よりもより高温にまで熱
せられる。
したがって適当なパワーのレーザ光を照射すればランド
上の磁性膜には記録磁区が形成されグルーブ上の磁性膜
には記録磁区が形成されないようにすることが可能であ
る。しかも、レーザ光の強度分布はガウス型であるため
、ランド上では強度が高くグルーブ」二ではもともと強
度が低い。このためグルーブ上の磁性膜には記録されな
いようなレーザ光強度を設定する際、その強度マージン
は充分大きく取ることが可能である。つまり、グルーブ
上には記録磁区を形成しないということが実現可能なレ
ーザ光の強度マージンが存在することを意味している。
上の磁性膜には記録磁区が形成されグルーブ上の磁性膜
には記録磁区が形成されないようにすることが可能であ
る。しかも、レーザ光の強度分布はガウス型であるため
、ランド上では強度が高くグルーブ」二ではもともと強
度が低い。このためグルーブ上の磁性膜には記録されな
いようなレーザ光強度を設定する際、その強度マージン
は充分大きく取ることが可能である。つまり、グルーブ
上には記録磁区を形成しないということが実現可能なレ
ーザ光の強度マージンが存在することを意味している。
以下、本発明の実施例を第1図から第4図により説明す
る。
る。
第2図に示すように、射出成型により作製されたポリカ
ーボネート基板1には1.6μmのピッチでU字形状を
有するグルーブ7が形成されている。該ポリカーボネー
ト基板1をまず80℃の真空中に3時間保持し、基板に
含まれる水分を十分脱水処理した。この後、ポリカーボ
ネート基板1を高周波マグネトロン・スパッタ装置内に
装填し、8 X 10−7Torr以下に真空槽内を排
気した後。
ーボネート基板1には1.6μmのピッチでU字形状を
有するグルーブ7が形成されている。該ポリカーボネー
ト基板1をまず80℃の真空中に3時間保持し、基板に
含まれる水分を十分脱水処理した。この後、ポリカーボ
ネート基板1を高周波マグネトロン・スパッタ装置内に
装填し、8 X 10−7Torr以下に真空槽内を排
気した後。
ArガスとN2ガスとの混合ガスを導入し、SiN焼結
体をターゲットとしてI X I 0−2Torrのガ
ス圧でスパッタし、SiN膜2を850人だけポリカー
ボネート基板1上に形成した。次いで同様な真空排気後
、Arガスを導入し、Tb−Fe−G o −N’ b
からなる合金ターゲットを5 X I O−’Torr
のガス圧でスパッタし、T b −F e −Co −
Nb磁性膜3を300人だけ形成した。次いで再び同様
な真空排気後、Arガスを導入し、A、 QとSiとの
合金よりなるA Q −S i合金ターゲットを2 X
10 ”Torrのガス圧でスパッタし、AQ−8i
金属膜4を900人形成した。
体をターゲットとしてI X I 0−2Torrのガ
ス圧でスパッタし、SiN膜2を850人だけポリカー
ボネート基板1上に形成した。次いで同様な真空排気後
、Arガスを導入し、Tb−Fe−G o −N’ b
からなる合金ターゲットを5 X I O−’Torr
のガス圧でスパッタし、T b −F e −Co −
Nb磁性膜3を300人だけ形成した。次いで再び同様
な真空排気後、Arガスを導入し、A、 QとSiとの
合金よりなるA Q −S i合金ターゲットを2 X
10 ”Torrのガス圧でスパッタし、AQ−8i
金属膜4を900人形成した。
このあと、第3図に示すように、Arガスを用い、I
X 10 ””Torrの圧力でランド部6上のAQ−
8i膜の膜厚が300人となるようにスパッタ・エッチ
を行なった。スパッタエッチに際してランド部はグルー
ブ部に対して凸になっているため、エツチングの進行速
度がグルーブ部よりも速い。
X 10 ””Torrの圧力でランド部6上のAQ−
8i膜の膜厚が300人となるようにスパッタ・エッチ
を行なった。スパッタエッチに際してランド部はグルー
ブ部に対して凸になっているため、エツチングの進行速
度がグルーブ部よりも速い。
このためグルーブ上のAQ−8i膜の膜厚は450Aに
とどまっている。
とどまっている。
該スパッタ・エッチの終了後、第1図に示すように、前
述したのと同じスパッタ条件によりSiN膜5を500
人の厚さだけ形成した。
述したのと同じスパッタ条件によりSiN膜5を500
人の厚さだけ形成した。
第4図は本発明になる他の実施例である。ガラス基板8
上にはレプリカ・プロセスにより、紫外線硬化樹脂層9
が約30μmの厚さ設けられている。該紫外線硬化樹脂
Jtv9にはV字形状を有するグルーブ7と、平坦なラ
ンド部6とが形成されている。
上にはレプリカ・プロセスにより、紫外線硬化樹脂層9
が約30μmの厚さ設けられている。該紫外線硬化樹脂
Jtv9にはV字形状を有するグルーブ7と、平坦なラ
ンド部6とが形成されている。
この基板8と樹脂層9を100℃の真空中で4時間脱水
処理した。このあとスパッタ装置内に装填し、8 X
10−7Torr以下に真空槽内を排気した後、Arと
NZとO2との混合ガスを導入し、AQとSiとの混合
焼結体をターゲットとして2×10″″”Torrのガ
ス圧でスパッタし、5i−AQ−0−N膜10を800
人の厚さ形成した。
処理した。このあとスパッタ装置内に装填し、8 X
10−7Torr以下に真空槽内を排気した後、Arと
NZとO2との混合ガスを導入し、AQとSiとの混合
焼結体をターゲットとして2×10″″”Torrのガ
ス圧でスパッタし、5i−AQ−0−N膜10を800
人の厚さ形成した。
このあと同様な真空排気後、Arガスを導入し、Fe−
Go金合金板の上にGdとTbのチップを配置した複合
ターゲットを6 X 10−8Torrのガス圧でスパ
ッタし、G d −T b −F e −Co膜11を
250人の厚さに形成した。
Go金合金板の上にGdとTbのチップを配置した複合
ターゲットを6 X 10−8Torrのガス圧でスパ
ッタし、G d −T b −F e −Co膜11を
250人の厚さに形成した。
次いで同様な真空排気後ArとNzと02との混合ガス
を導入し、Al1とSiとの混合焼結体をターゲットと
して2 X I O−”Torrのガス圧でスパッタし
、5i−AQ−0−N膜12を400人の厚さ形成した
。このあと再び同様な真空排気を行なった後、Arガス
を導入し、AΩのターゲットを3 X 10−’Tor
rのガス圧でスパッタし、AQ膜13を800人の厚さ
だけ形成した。
を導入し、Al1とSiとの混合焼結体をターゲットと
して2 X I O−”Torrのガス圧でスパッタし
、5i−AQ−0−N膜12を400人の厚さ形成した
。このあと再び同様な真空排気を行なった後、Arガス
を導入し、AΩのターゲットを3 X 10−’Tor
rのガス圧でスパッタし、AQ膜13を800人の厚さ
だけ形成した。
次に02ミリングによりAfl膜13をエッチし、ラン
ド部6上のAQ膜を300人の厚さにした。
ド部6上のAQ膜を300人の厚さにした。
このとき、前記実施例で述べたと同じ理由により5グル
ーブ7上のAQ膜の厚さは、7字の谷の位置から測定し
て400人の厚さであった。
ーブ7上のAQ膜の厚さは、7字の谷の位置から測定し
て400人の厚さであった。
なお、上記実施例においては、金属膜のエッチ法として
Arによるスパッタ・エッチと02によるミリングとを
示したが、これら以外にも1反応性イオン・エッチプラ
ズマ・エッチおよびウェット・エッチなどの手法が可能
である。また光磁気記録媒体の構造は前記2つの実施例
に限らず、種種の構造を用いることができるが、金属膜
が少なくとも一層設けられている必要がある。
Arによるスパッタ・エッチと02によるミリングとを
示したが、これら以外にも1反応性イオン・エッチプラ
ズマ・エッチおよびウェット・エッチなどの手法が可能
である。また光磁気記録媒体の構造は前記2つの実施例
に限らず、種種の構造を用いることができるが、金属膜
が少なくとも一層設けられている必要がある。
第5図はグルーブ上の金属膜の膜厚(tg)とランド上
の金属膜の膜厚(ta)に対しグルーブ上に記録磁区が
形成されない領域を示したものである。t、が大きいと
きにはグルーブ上には記録されにくい。しかしtaも大
きい場合にはランド上に磁区を形成するのに強いレーザ
光を必要とするため、より大きなtllが必要である。
の金属膜の膜厚(ta)に対しグルーブ上に記録磁区が
形成されない領域を示したものである。t、が大きいと
きにはグルーブ上には記録されにくい。しかしtaも大
きい場合にはランド上に磁区を形成するのに強いレーザ
光を必要とするため、より大きなtllが必要である。
すなわち。
j*/ltの値が大きいほどグルーブ上には記録されに
くい。
くい。
グルーブ上の信号強度がランド上の信号強度よりも40
dB以上低い場合にはグルーブ上の信号による影響はほ
ぼ無視できる。これを基準にして消え残りの影響の出な
いtr/1mの範囲を求めると1*/1mは1.1 以
上がより好ましく、最も好ましくはtg/ltが1.3
以上であった。ただし、金属膜の厚さが厚くなりすぎる
と記録感度の低下が著しくなり、実用上杆ましくない。
dB以上低い場合にはグルーブ上の信号による影響はほ
ぼ無視できる。これを基準にして消え残りの影響の出な
いtr/1mの範囲を求めると1*/1mは1.1 以
上がより好ましく、最も好ましくはtg/ltが1.3
以上であった。ただし、金属膜の厚さが厚くなりすぎる
と記録感度の低下が著しくなり、実用上杆ましくない。
そこで。
t5は1000Å以下の膜厚が好ましく、より好ましく
は700A以下、高記録感度を得るために最も好ましく
は500Å以下の厚さにするのがよい。
は700A以下、高記録感度を得るために最も好ましく
は500Å以下の厚さにするのがよい。
以上詳細に説明したように1本発明によれば。
グルーブ上の金属膜がランド上の金属膜の膜厚よりも厚
いためグルーブ上の磁性膜の記録感度が低下しグルーブ
上には磁区が形成されないようになる。このためトラッ
キングずれが発生した場合においても磁区はランド部に
のみ記録されるため、消え残りの発生が大幅に低減され
る。
いためグルーブ上の磁性膜の記録感度が低下しグルーブ
上には磁区が形成されないようになる。このためトラッ
キングずれが発生した場合においても磁区はランド部に
のみ記録されるため、消え残りの発生が大幅に低減され
る。
第1図、第2図、第3図は本発明の実施例のディスクの
断面図、第4図は本発明の他の実施例のディスクの断面
図、 第5図は金属膜の所要膜厚に 関する説明図である。 1゜ 8・・・基板、 3゜ 1・・・磁性膜、 4゜ 13・・・金 属膜。 勺(A) 強張 殴6キ 茅 図 芽 図
断面図、第4図は本発明の他の実施例のディスクの断面
図、 第5図は金属膜の所要膜厚に 関する説明図である。 1゜ 8・・・基板、 3゜ 1・・・磁性膜、 4゜ 13・・・金 属膜。 勺(A) 強張 殴6キ 茅 図 芽 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、案内溝(グルーブ)を有する基板上に、少なくとも
磁性膜と金属膜とが設けられた光磁気記録媒体において
、グルーブ上の金属膜の膜厚がグルーブとグルーブとの
間の平坦なランド上の金属膜の膜厚よりも厚いことを特
徴とする光磁気記録媒体。 2、グルーブ上の金属膜の膜厚をt_g、ランド上の金
属膜の膜厚をt_Lとしたとき t_g/t_L>1.1 であることを特徴とする、特許請求の範囲第1項記載の
光磁気記録媒体。 3、t_g/t_L>1.3であることを特徴とする、
特許請求の範囲第2項記載の光磁気記録媒体。 4、金属膜がAl又はAl−Si合金であることを特徴
とする、特許請求の範囲第1項、第2項および第3項記
載の光磁気記録媒体。 5、金属膜にスパッタ・エッチあるいはミリングを施す
工程を含むことを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25946488A JP2633927B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25946488A JP2633927B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02108254A true JPH02108254A (ja) | 1990-04-20 |
JP2633927B2 JP2633927B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17334435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25946488A Expired - Lifetime JP2633927B2 (ja) | 1988-10-17 | 1988-10-17 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2633927B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999026236A2 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | Seagate Technology, Inc. | Method for thermal crosstalk control on optical media |
US6203877B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
-
1988
- 1988-10-17 JP JP25946488A patent/JP2633927B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999026236A2 (en) * | 1997-11-17 | 1999-05-27 | Seagate Technology, Inc. | Method for thermal crosstalk control on optical media |
WO1999026236A3 (en) * | 1997-11-17 | 1999-09-02 | Seagate Technology | Method for thermal crosstalk control on optical media |
US6203877B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-03-20 | Nec Corporation | Optical information recording medium |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2633927B2 (ja) | 1997-07-23 |
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