JP2002298449A - 光ディスク原盤、光ディスク基板用スタンパー、及びこれらの製造方法、並びに光磁気記録媒体 - Google Patents
光ディスク原盤、光ディスク基板用スタンパー、及びこれらの製造方法、並びに光磁気記録媒体Info
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 原盤のカッティング工程における露光、現像
工程時に形成される細かな凹凸を除去し、高密度記録に
適した光ディスク用スタンパーを提供する。 【解決手段】 ガラス原盤上にフォトレジスト層を形成
する工程と、前記フォトレジスト層を形成したガラス原
盤に、光ビームを照射し、前記フォトレジストを露光す
るカッティング工程と、前記カッティング工程を経たフ
ォトレジスト層を現像して、露光部に対応した凹部を形
成する現像工程と、前記現像されたフォトレジスト層に
イオンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さにな
るまで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオ
ン処理工程を含むことを特徴とする。
工程時に形成される細かな凹凸を除去し、高密度記録に
適した光ディスク用スタンパーを提供する。 【解決手段】 ガラス原盤上にフォトレジスト層を形成
する工程と、前記フォトレジスト層を形成したガラス原
盤に、光ビームを照射し、前記フォトレジストを露光す
るカッティング工程と、前記カッティング工程を経たフ
ォトレジスト層を現像して、露光部に対応した凹部を形
成する現像工程と、前記現像されたフォトレジスト層に
イオンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さにな
るまで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオ
ン処理工程を含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク、特に高
密度記録用光ディスク製造用のガラス原盤及びスタンパ
ーの製造方法に関するものである。
密度記録用光ディスク製造用のガラス原盤及びスタンパ
ーの製造方法に関するものである。
【０００２】高密度記録用光ディスクの中でも特に、磁
壁移動検出方式の光磁気記録媒体を製造する上で有効な
ものである。
壁移動検出方式の光磁気記録媒体を製造する上で有効な
ものである。
【０００３】
【従来の技術】従来からの光ディスク基板用スタンパー
の製造方法について図１を用いて説明する。
の製造方法について図１を用いて説明する。
【０００４】図１（１）に示すように、研磨され、必要
に応じてシランカップリング材などのプライマーをスピ
ンコートした原盤ガラス１に、ポジ型フォトレジスト２
をスピンコートした後、原盤をクリーンオーブン等によ
りプリベークを行う。次に、図１（２）に示すように、
Ａｒイオンレーザー等を光源として搭載した露光装置
（カッティングマシン）により、原盤ガラス１の所定の
領域を記録信号に応じて変調された光ビームを用いて露
光する。３はカッティングマシンの光ビーム、４は露光
部、５は未露光部である。フォトレジストは使用目的に
よって、露光部分を使用するネガ型フォトレジスト、未
露光部分を使用するポジ型フォトレジストに別れている
ことは知られており、必要によって使い分けられる。図
１（３）にて無機アルカリ液と超純水とを混合し希釈し
た現像液でスピン洗浄し、露光部を除去する。この後、
純水洗浄、スピン乾燥を行い、その後、クリーンオーブ
ンでポストベークを行い光ディスク原盤が得られる。フ
ォトレジスト除去部が、グルーブ（溝）９、残留部がラ
ンド８となる。
に応じてシランカップリング材などのプライマーをスピ
ンコートした原盤ガラス１に、ポジ型フォトレジスト２
をスピンコートした後、原盤をクリーンオーブン等によ
りプリベークを行う。次に、図１（２）に示すように、
Ａｒイオンレーザー等を光源として搭載した露光装置
（カッティングマシン）により、原盤ガラス１の所定の
領域を記録信号に応じて変調された光ビームを用いて露
光する。３はカッティングマシンの光ビーム、４は露光
部、５は未露光部である。フォトレジストは使用目的に
よって、露光部分を使用するネガ型フォトレジスト、未
露光部分を使用するポジ型フォトレジストに別れている
ことは知られており、必要によって使い分けられる。図
１（３）にて無機アルカリ液と超純水とを混合し希釈し
た現像液でスピン洗浄し、露光部を除去する。この後、
純水洗浄、スピン乾燥を行い、その後、クリーンオーブ
ンでポストベークを行い光ディスク原盤が得られる。フ
ォトレジスト除去部が、グルーブ（溝）９、残留部がラ
ンド８となる。
【０００５】図１（４）にて光ディスク原盤表面にスパ
ッタリングによりニッケル膜などの導電膜６を成膜した
後、図１（５）において、このニッケル導電膜上にニッ
ケル電鋳を行う。１５はニッケル電鋳層である。ニッケ
ル電鋳面を裏面研磨後、図１（６）にて、光ディスク原
盤より金属スタンパーを剥離する。図１（７）にてスタ
ンパー７として完成する。
ッタリングによりニッケル膜などの導電膜６を成膜した
後、図１（５）において、このニッケル導電膜上にニッ
ケル電鋳を行う。１５はニッケル電鋳層である。ニッケ
ル電鋳面を裏面研磨後、図１（６）にて、光ディスク原
盤より金属スタンパーを剥離する。図１（７）にてスタ
ンパー７として完成する。
【０００６】また近年では、矩形に近い断面形状が要求
される深溝基板用スタンパーの作製には、異方性エッチ
ングを用いて光ディスク基盤用スタンパーを製造する方
法が提案されている。例えば、特開平７−１６１０８０
号公報には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用い
た光ディスク基板用のスタンパーの製造加工方法が述べ
られている。図２を用いて、反応性イオンエッチング方
式におけるランド部・グルーブ部記録基板用のスタンパ
ーの製造加工方法について説明する。
される深溝基板用スタンパーの作製には、異方性エッチ
ングを用いて光ディスク基盤用スタンパーを製造する方
法が提案されている。例えば、特開平７−１６１０８０
号公報には、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用い
た光ディスク基板用のスタンパーの製造加工方法が述べ
られている。図２を用いて、反応性イオンエッチング方
式におけるランド部・グルーブ部記録基板用のスタンパ
ーの製造加工方法について説明する。
【０００７】図２（１）において、研磨後十分洗浄され
た合成石英原盤１０の表面に、必要に応じてプライマー
をスピンコートし、ポジ型フォトレジスト２を塗布す
る。その後、原盤をクリーンオーブン等でプリベークす
る。図２（２）において、Ａｒイオンレーザー等を光源
とする露光装置（カッティングマシン）により、所定の
領域を記録信号に応じて変調された光ビーム３を用いて
露光する。その後、図２（３）にて前記無機アルカリ現
像液でスピン現像し、露光部４を除去する。後処理とし
ての純水シャワー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン
内で未露光部５をポストベークする。
た合成石英原盤１０の表面に、必要に応じてプライマー
をスピンコートし、ポジ型フォトレジスト２を塗布す
る。その後、原盤をクリーンオーブン等でプリベークす
る。図２（２）において、Ａｒイオンレーザー等を光源
とする露光装置（カッティングマシン）により、所定の
領域を記録信号に応じて変調された光ビーム３を用いて
露光する。その後、図２（３）にて前記無機アルカリ現
像液でスピン現像し、露光部４を除去する。後処理とし
ての純水シャワー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン
内で未露光部５をポストベークする。
【０００８】図２（４）ではその後、反応性イオンエッ
チング装置のチャンバー内に原盤を入れ、真空度１×１
０-4Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ3等のガスを導入し反
応性イオンエッチングを行いガラスマスター１３を得
る。
チング装置のチャンバー内に原盤を入れ、真空度１×１
０-4Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ3等のガスを導入し反
応性イオンエッチングを行いガラスマスター１３を得
る。
【０００９】図２（５）にて、濃硫酸と過酸化水素水を
混合した剥離液中にガラスマスター１３を浸し、残留レ
ジストを剥離し光ディスク原盤を得ることができる。図
中８はランド部、９はグルーブ部となる。図２（６）で
は洗浄後、ガラスマスター１３の表面にＮｉ導電膜６を
スパッタリングすることにより導電化する。図２（７）
において、更にＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層であ
る。図２（８）でその後、Ｎｉ電鋳面を研磨してから、
ガラスマスター１３よりＮｉ電鋳層１５を剥離する。以
上のような工程で、スタンパー７を完成する（図２
（９））。
混合した剥離液中にガラスマスター１３を浸し、残留レ
ジストを剥離し光ディスク原盤を得ることができる。図
中８はランド部、９はグルーブ部となる。図２（６）で
は洗浄後、ガラスマスター１３の表面にＮｉ導電膜６を
スパッタリングすることにより導電化する。図２（７）
において、更にＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層であ
る。図２（８）でその後、Ｎｉ電鋳面を研磨してから、
ガラスマスター１３よりＮｉ電鋳層１５を剥離する。以
上のような工程で、スタンパー７を完成する（図２
（９））。
【００１０】また、同様に反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ）を用い、原盤ガラスとして高価な石英ガラスでは
なく、従来から使用されているソーダライムなどを主原
料とした原盤ガラス上にＳｉＯ2膜等の薄膜を成膜し、
ランド部グルーブ部記録用基板のスタンパーの製造加工
方法も提案されている。例えば特願平１１−３３６７４
８号では、原盤ガラス上に複数の薄膜を積層し、フォト
レジストを塗布し、その後露光、現像した後に反応性イ
オンエッチングを用いて光ディスク基板用スタンパーを
製造加工する方法が述べられている。
ＩＥ）を用い、原盤ガラスとして高価な石英ガラスでは
なく、従来から使用されているソーダライムなどを主原
料とした原盤ガラス上にＳｉＯ2膜等の薄膜を成膜し、
ランド部グルーブ部記録用基板のスタンパーの製造加工
方法も提案されている。例えば特願平１１−３３６７４
８号では、原盤ガラス上に複数の薄膜を積層し、フォト
レジストを塗布し、その後露光、現像した後に反応性イ
オンエッチングを用いて光ディスク基板用スタンパーを
製造加工する方法が述べられている。
【００１１】以下図３を用いて、原盤ガラス上にＳｉＯ
2膜等の無機酸化物薄膜を成膜した原盤ガラスを用いた
反応性イオンエッチング方式におけるスタンパーの製造
加工方法について説明する。
2膜等の無機酸化物薄膜を成膜した原盤ガラスを用いた
反応性イオンエッチング方式におけるスタンパーの製造
加工方法について説明する。
【００１２】図３（１）において研磨された原盤ガラス
１を十分に洗浄した後、原盤ガラス１上に第一の薄膜層
としてＡｌ2Ｏ3膜２１を形成する。
１を十分に洗浄した後、原盤ガラス１上に第一の薄膜層
としてＡｌ2Ｏ3膜２１を形成する。
【００１３】図３（２）において第二の薄膜層としてＳ
ｉＯ2膜２２を１４０ｎｍ程度の厚みにスパッタリング
によって形成する。
ｉＯ2膜２２を１４０ｎｍ程度の厚みにスパッタリング
によって形成する。
【００１４】次に図３（３）にて、ＳｉＯ2膜２２の表
面に必要に応じてプライマーをスピンコートした後、ポ
ジ型フォトレジスト２をスピンコートする。図３（４）
にて、Ａｒイオンレーザー等を光源とする露光装置（カ
ッティングマシン）により、所定の領域を記録信号に応
じて変調された光ビーム３を用いて露光する。図３
（５）にてその後、前記無機アルカリ現像液でスピン現
像し、露光部４を除去する。後処理としての純水シャワ
ー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン内でポストベー
クする。図３（６）において、反応性イオンエッチング
装置のチャンバー内に原盤を入れ、真空度 １×１０-4
Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ3等のガスを導入し反応性
イオンエッチング１４を行う。エッチング時間を調整
し、所定のグルーブ深さ（第二の薄膜層ＳｉＯ2膜厚２
２に相当する分）に達するまでエッチングし、ガラスマ
スター１３を得る。次に図３（７）において、酸素プラ
ズマアッシングを行い、残留レジストを剥離する。その
後図３（８）において、現像液原液にガラスマスター１
３を浸漬し、露出部の第一の薄膜層であるＡｌ2Ｏ3膜２
１をウェットエッチングし光ディスク原盤１３を得る。
図中８はランド部、９はグルーブとなる。図３（９）洗
浄後、ガラスマスター１３の表面にＮｉ導電膜６をスパ
ッタリングすることにより導電化する。更に図３（１
０）にてＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層である。そ
の後、図３（１１）においてガラスマスター１３よりＮ
ｉ電鋳層１５を剥離する。
面に必要に応じてプライマーをスピンコートした後、ポ
ジ型フォトレジスト２をスピンコートする。図３（４）
にて、Ａｒイオンレーザー等を光源とする露光装置（カ
ッティングマシン）により、所定の領域を記録信号に応
じて変調された光ビーム３を用いて露光する。図３
（５）にてその後、前記無機アルカリ現像液でスピン現
像し、露光部４を除去する。後処理としての純水シャワ
ー、スピン乾燥の後、クリーンオーブン内でポストベー
クする。図３（６）において、反応性イオンエッチング
装置のチャンバー内に原盤を入れ、真空度 １×１０-4
Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ3等のガスを導入し反応性
イオンエッチング１４を行う。エッチング時間を調整
し、所定のグルーブ深さ（第二の薄膜層ＳｉＯ2膜厚２
２に相当する分）に達するまでエッチングし、ガラスマ
スター１３を得る。次に図３（７）において、酸素プラ
ズマアッシングを行い、残留レジストを剥離する。その
後図３（８）において、現像液原液にガラスマスター１
３を浸漬し、露出部の第一の薄膜層であるＡｌ2Ｏ3膜２
１をウェットエッチングし光ディスク原盤１３を得る。
図中８はランド部、９はグルーブとなる。図３（９）洗
浄後、ガラスマスター１３の表面にＮｉ導電膜６をスパ
ッタリングすることにより導電化する。更に図３（１
０）にてＮｉ電鋳を行う。１５はＮｉ電鋳層である。そ
の後、図３（１１）においてガラスマスター１３よりＮ
ｉ電鋳層１５を剥離する。
【００１５】以上のようにして、スタンパー７を完成す
る（図３（１２））。また、使用用途によっては、剥離
した金属スタンパーをマスタースタンパーとし、表面に
不導体膜処理等を行いマザースタンパー／サンスタンパ
ーと言ったスタンパーファミリーを作製することも可能
である。（図示せず）
る（図３（１２））。また、使用用途によっては、剥離
した金属スタンパーをマスタースタンパーとし、表面に
不導体膜処理等を行いマザースタンパー／サンスタンパ
ーと言ったスタンパーファミリーを作製することも可能
である。（図示せず）
【００１６】その後、プレス打ち抜き等を行い所望の形
状にし、金属スタンパーが完成する。この金属スタンパ
ーを使用して、射出成形法や２Ｐ法によって凹形状の記
録信号を有する光ディスク基板を複製する。この後光デ
ィスク基板上にアルミニウム等の金属反射膜や磁性膜を
形成して光ディスクを形成する。
状にし、金属スタンパーが完成する。この金属スタンパ
ーを使用して、射出成形法や２Ｐ法によって凹形状の記
録信号を有する光ディスク基板を複製する。この後光デ
ィスク基板上にアルミニウム等の金属反射膜や磁性膜を
形成して光ディスクを形成する。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】従来の技術を用いて、
スタンパーを作製した場合、図４に示すように、ランド
部８、特に未露光部５の表面、凹部斜面側壁部の形状が
粗くなる問題があった。
スタンパーを作製した場合、図４に示すように、ランド
部８、特に未露光部５の表面、凹部斜面側壁部の形状が
粗くなる問題があった。
【００１８】これは、図１におけるカッティング工程
（２）、スパッタリング時（４）、スタンパーのレジス
ト除去時におこる。
（２）、スパッタリング時（４）、スタンパーのレジス
ト除去時におこる。
【００１９】スパッタリング時においては、スパッタリ
ングする膜の粒子径や均一性が原因となり、レジスト除
去時では、レジストを除去する薬品の使用に起因してい
る。しかし、カッティング工程に起因するものが一番粗
さに対して大きい。
ングする膜の粒子径や均一性が原因となり、レジスト除
去時では、レジストを除去する薬品の使用に起因してい
る。しかし、カッティング工程に起因するものが一番粗
さに対して大きい。
【００２０】記録情報を変調し、露光する光ビームは、
ガウス分布を持つ。そのため、レジストが露光される部
分は、目的とする部分だけとは限らない。光の漏れこみ
や裏面反射が存在するため、目的とする部分以外も露光
されてしまい、この部分に対しても現像が行われるた
め、細かな凹凸が存在することになる。
ガウス分布を持つ。そのため、レジストが露光される部
分は、目的とする部分だけとは限らない。光の漏れこみ
や裏面反射が存在するため、目的とする部分以外も露光
されてしまい、この部分に対しても現像が行われるた
め、細かな凹凸が存在することになる。
【００２１】また、反応性イオンエッチング法などによ
ってえられた金属スタンパーであっても、ランド部グル
ーブ部の平坦部ではほぼ同等である表面粗さが、側壁部
では非常に粗されていることが確認されている。これ
は、原盤ガラス上に塗布されたフォトレジストが、光ビ
ームによる露光、現像後にフォトレジスト／原盤ガラス
の境界面上に微細なカスとして残っているためと考えら
れる。
ってえられた金属スタンパーであっても、ランド部グル
ーブ部の平坦部ではほぼ同等である表面粗さが、側壁部
では非常に粗されていることが確認されている。これ
は、原盤ガラス上に塗布されたフォトレジストが、光ビ
ームによる露光、現像後にフォトレジスト／原盤ガラス
の境界面上に微細なカスとして残っているためと考えら
れる。
【００２２】この問題は、トラックピッチが狭くなるほ
ど、形成する凸部が大きいほど、顕著になる。そのた
め。光ディスクを高密度化する上で非常に大きな課題と
なる。
ど、形成する凸部が大きいほど、顕著になる。そのた
め。光ディスクを高密度化する上で非常に大きな課題と
なる。
【００２３】光ディスクの高記録密度化ために様々な試
みが成されおり、例えば、特開平６−２９０４９６号公
報には、磁壁移動検出方式による光磁気記録の高密度化
が提案されている。磁壁移動検出方式では、読み出し光
スポットの温度勾配による磁壁の移動現象を利用して、
線（トラック）方向に光スポット径で制約される限界を
超えた再生分解能を得ることが出来る。この側壁部が粗
された基板を用いて、光磁気記録再生を行うと、再生ス
ポットが側壁の粗さによって散乱されて反射光量が変動
し、情報再生信号中の基板ノイズを増加させ、信号のＳ
／Ｎを悪化させてしまう。特に、前述した磁壁移動検出
方式の光磁気記録媒体とこのような深溝基板を組み合わ
せた場合では、信号のＳ／Ｎ劣化に加えて、ランド部の
肩部に発生する数十ｎｍ程度の皺状の粗さが磁壁の円滑
な移動を妨げるという問題点があった。
みが成されおり、例えば、特開平６−２９０４９６号公
報には、磁壁移動検出方式による光磁気記録の高密度化
が提案されている。磁壁移動検出方式では、読み出し光
スポットの温度勾配による磁壁の移動現象を利用して、
線（トラック）方向に光スポット径で制約される限界を
超えた再生分解能を得ることが出来る。この側壁部が粗
された基板を用いて、光磁気記録再生を行うと、再生ス
ポットが側壁の粗さによって散乱されて反射光量が変動
し、情報再生信号中の基板ノイズを増加させ、信号のＳ
／Ｎを悪化させてしまう。特に、前述した磁壁移動検出
方式の光磁気記録媒体とこのような深溝基板を組み合わ
せた場合では、信号のＳ／Ｎ劣化に加えて、ランド部の
肩部に発生する数十ｎｍ程度の皺状の粗さが磁壁の円滑
な移動を妨げるという問題点があった。
【００２４】上記問題点に関して従来より改善案として
ベーキング処理による、表面性を緩慢にする方法があ
る。従来からの製造方法で、フォトレジストへの光ビー
ムによる露光後、現像によってパターン形成を行った
後、フォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処
理するハードベーキング処理を行い溝の表面性の改善を
試みた。
ベーキング処理による、表面性を緩慢にする方法があ
る。従来からの製造方法で、フォトレジストへの光ビー
ムによる露光後、現像によってパターン形成を行った
後、フォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処
理するハードベーキング処理を行い溝の表面性の改善を
試みた。
【００２５】この改善案の製造方法では、側壁部分の大
半がなだらかになり、粗さが形状的に改善された部分は
見られるものの、走査型電子顕微鏡の観察によりランド
部、グルーブ部の平坦部と側壁との境界面に、まだ荒れ
が残っていることが判明した。
半がなだらかになり、粗さが形状的に改善された部分は
見られるものの、走査型電子顕微鏡の観察によりランド
部、グルーブ部の平坦部と側壁との境界面に、まだ荒れ
が残っていることが判明した。
【００２６】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであって、その目的は、カッティン
グ工程時に露光され、現像工程時に形成される細かな凹
凸を除去し、高密度記録に適した光ディスク用スタンパ
ーの製造方法を提供することである。
鑑みてなされたものであって、その目的は、カッティン
グ工程時に露光され、現像工程時に形成される細かな凹
凸を除去し、高密度記録に適した光ディスク用スタンパ
ーの製造方法を提供することである。
【００２７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記、問題点を
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、低ノイズレベルでかつ、凹部斜面側壁部が滑らかな
光ディスク基板の製造を可能とした光ディスク基板成形
用スタンパーの製造方法を提供することにある。
解決するためになされたもので、その目的とするところ
は、低ノイズレベルでかつ、凹部斜面側壁部が滑らかな
光ディスク基板の製造を可能とした光ディスク基板成形
用スタンパーの製造方法を提供することにある。
【００２８】本発明によれば、かかる問題点の解決は、
光ディスク原盤ならびに光ディスク基板用スタンパーの
製造方法に、ガラス原盤上にフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記フォトレジスト層を形成したガラス原盤
に、光ビームを照射し、前記フォトレジストを露光する
カッティング工程と、前記カッティング工程を経たフォ
トレジスト層を現像して、露光部に対応した凹部を形成
する現像工程と、前記現像されたフォトレジスト層にイ
オンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さになる
まで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオン
処理工程とを含ませることにより達成することができ
る。
光ディスク原盤ならびに光ディスク基板用スタンパーの
製造方法に、ガラス原盤上にフォトレジスト層を形成す
る工程と、前記フォトレジスト層を形成したガラス原盤
に、光ビームを照射し、前記フォトレジストを露光する
カッティング工程と、前記カッティング工程を経たフォ
トレジスト層を現像して、露光部に対応した凹部を形成
する現像工程と、前記現像されたフォトレジスト層にイ
オンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さになる
まで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオン
処理工程とを含ませることにより達成することができ
る。
【００２９】更に、現像されたフォトレジスト層にイオ
ンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さになるま
で、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオン処
理工程を行う前後どちらかに、前記フォトレジスト層を
その溶融点近傍の温度で加熱処理することにより達成さ
れる。
ンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さになるま
で、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオン処
理工程を行う前後どちらかに、前記フォトレジスト層を
その溶融点近傍の温度で加熱処理することにより達成さ
れる。
【００３０】更に光ディスク原盤より剥離して得られた
光ディスク基板用スタンパーの金属表面をエッチングに
よって所定の溝形状になるように前記スタンパーの凸部
を変化させることをすることにより達成される。
光ディスク基板用スタンパーの金属表面をエッチングに
よって所定の溝形状になるように前記スタンパーの凸部
を変化させることをすることにより達成される。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下に本発明の光ディスク原盤の
製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
製造方法について図面を用いて詳細に説明する。
【００３２】（第一の実施の形態）図５に、本発明の第
一の実施の形態における製造方法の工程を示す。まずフ
ォトレジスト層形成工程において、ガラス原盤にポジ型
フォトレジスト層をスピンコートにより形成する。フォ
トレジスト層の膜厚は、光ディスクの凹部の深さに対応
するため、例えば１０〜３００ｎｍ程度の厚さに設定さ
れる。その後、約９０℃の温度で加熱処理して、フォト
レジスト層を乾燥させる。
一の実施の形態における製造方法の工程を示す。まずフ
ォトレジスト層形成工程において、ガラス原盤にポジ型
フォトレジスト層をスピンコートにより形成する。フォ
トレジスト層の膜厚は、光ディスクの凹部の深さに対応
するため、例えば１０〜３００ｎｍ程度の厚さに設定さ
れる。その後、約９０℃の温度で加熱処理して、フォト
レジスト層を乾燥させる。
【００３３】次に、フォトレジスト層を形成したガラス
原盤を記録する情報を元に変調したレーザー光によって
露光するカッティング工程を行う。露光されたガラス原
盤を例えばアルカリ系の現像液を用いて現像し、凹部を
形成する。現像後、ポストベークし、記録信号に応じた
凹部が形成されたフォトレジスト層を、酸素イオン又は
オゾン、又はその両方によってイオン処理する。その
後、導電膜をスパッタにより形成し、メッキ、剥離・洗
浄工程を経て、スタンパーを作製する。
原盤を記録する情報を元に変調したレーザー光によって
露光するカッティング工程を行う。露光されたガラス原
盤を例えばアルカリ系の現像液を用いて現像し、凹部を
形成する。現像後、ポストベークし、記録信号に応じた
凹部が形成されたフォトレジスト層を、酸素イオン又は
オゾン、又はその両方によってイオン処理する。その
後、導電膜をスパッタにより形成し、メッキ、剥離・洗
浄工程を経て、スタンパーを作製する。
【００３４】イオン処理は、例えばエッチング装置に酸
素を導入することで行う。フォトレジスト層は、このイ
オン処理により、膜厚が急速に減少する。
素を導入することで行う。フォトレジスト層は、このイ
オン処理により、膜厚が急速に減少する。
【００３５】図６にイオン処理時間とレジスト膜厚の関
係を示す。この時、図６の縦軸は、フォトレジスト層の
膜厚を示しており、横軸は、処理時間を示している。フ
ォトレジスト層の膜厚は、２０秒で約１０ｎｍ、６０秒
で約３０ｎｍの減少が見られる。
係を示す。この時、図６の縦軸は、フォトレジスト層の
膜厚を示しており、横軸は、処理時間を示している。フ
ォトレジスト層の膜厚は、２０秒で約１０ｎｍ、６０秒
で約３０ｎｍの減少が見られる。
【００３６】このとき、現像工程で形成された凹部の表
面及び斜面は、フォトレジスト層が除去されるときに露
光時に生じた表面の細かな凹凸による荒れが消失する。
その結果、光ディスクのランド、グルーブに対応する部
分の形状を容易に正確に作製することができる。
面及び斜面は、フォトレジスト層が除去されるときに露
光時に生じた表面の細かな凹凸による荒れが消失する。
その結果、光ディスクのランド、グルーブに対応する部
分の形状を容易に正確に作製することができる。
【００３７】イオン処理により、レジスト除去を行う際
には、最終の目的とする凹部の深さに加えて、レジスト
減少分の膜厚を考慮することにより、所要の凹部の深さ
を得る必要がある。図６に示した例では、レジスト膜厚
を約１７５ｎｍで形成した後、６０秒間のイオン処理に
より３０ｎｍ程度減少させて、所要の凹部を形成した
が、所要の凹部の深さ及びイオン処理時間によってレジ
スト膜厚を調整すれば良い。
には、最終の目的とする凹部の深さに加えて、レジスト
減少分の膜厚を考慮することにより、所要の凹部の深さ
を得る必要がある。図６に示した例では、レジスト膜厚
を約１７５ｎｍで形成した後、６０秒間のイオン処理に
より３０ｎｍ程度減少させて、所要の凹部を形成した
が、所要の凹部の深さ及びイオン処理時間によってレジ
スト膜厚を調整すれば良い。
【００３８】また、前記イオン処理工程を含ませること
により凹部底部のガラス原盤の表面粗さを低減する効果
も見出された。例えば本実施形態において表面粗さＲａ
＝０．５ｎｍの原盤ガラスを用いたが、イオン処理時間
６０秒にて作製した光ディスク原盤凹部底部（即ちガラ
ス面）の表面粗さを測定したところＲａ＝０．３２ｎｍ
であった。これは、前記イオン処理により原盤ガラス表
面が研磨されたものと考えられる。この様な効果は特に
溝部のみを記録トラックに用いるグルーブ記録用光ディ
スク（例えば図１６に示すが如き）の基板ノイズを低減
するのに特に有効である。
により凹部底部のガラス原盤の表面粗さを低減する効果
も見出された。例えば本実施形態において表面粗さＲａ
＝０．５ｎｍの原盤ガラスを用いたが、イオン処理時間
６０秒にて作製した光ディスク原盤凹部底部（即ちガラ
ス面）の表面粗さを測定したところＲａ＝０．３２ｎｍ
であった。これは、前記イオン処理により原盤ガラス表
面が研磨されたものと考えられる。この様な効果は特に
溝部のみを記録トラックに用いるグルーブ記録用光ディ
スク（例えば図１６に示すが如き）の基板ノイズを低減
するのに特に有効である。
【００３９】また、本発明の製造方法は、イオン処理を
行うことにより、ピット形状周辺の細かな凹凸の粗さが
整うため、ピットによってトラッキング等の信号を得る
サンプルサーボ方式において、サーボピットの信号品質
が著しく向上するため、サンプルサーボ基板を作製する
スタンパーに対してより効果が得られる。
行うことにより、ピット形状周辺の細かな凹凸の粗さが
整うため、ピットによってトラッキング等の信号を得る
サンプルサーボ方式において、サーボピットの信号品質
が著しく向上するため、サンプルサーボ基板を作製する
スタンパーに対してより効果が得られる。
【００４０】（第二の実施の形態）図７に、本発明の第
二の実施の形態における製造方法の工程を示す。フォト
レジスト層形成工程において、ガラス原盤にポジ型フォ
トレジスト層をスピンコートにより形成する。フォトレ
ジスト層の膜厚は、光ディスクの凹部の深さに対応する
ため、例えば１０〜３００ｎｍ程度の厚さに設定され
る。その後、約９０℃の温度で加熱処理（プリベーク）
して、フォトレジスト層を乾燥させる。
二の実施の形態における製造方法の工程を示す。フォト
レジスト層形成工程において、ガラス原盤にポジ型フォ
トレジスト層をスピンコートにより形成する。フォトレ
ジスト層の膜厚は、光ディスクの凹部の深さに対応する
ため、例えば１０〜３００ｎｍ程度の厚さに設定され
る。その後、約９０℃の温度で加熱処理（プリベーク）
して、フォトレジスト層を乾燥させる。
【００４１】次に、フォトレジスト層を形成したガラス
原盤を記録する情報を元に変調したレーザー光によって
露光するカッティング工程を行う。露光されたフォトレ
ジスト層を例えばアルカリ系の現像液を用いて現像し、
凹部を形成する。現像後、加熱（ポストベーク）した
後、記録信号に応じた凹部が形成されたフォトレジスト
層を、酸素イオン又はオゾン、又はその両方によってイ
オン処理する。その後、フォトレジスト層の溶融点近傍
の温度で加熱処理（ハードベーク）を行い、導電膜をス
パッタリングにより形成し、メッキ、剥離・洗浄工程を
経て、スタンパーを作製する。
原盤を記録する情報を元に変調したレーザー光によって
露光するカッティング工程を行う。露光されたフォトレ
ジスト層を例えばアルカリ系の現像液を用いて現像し、
凹部を形成する。現像後、加熱（ポストベーク）した
後、記録信号に応じた凹部が形成されたフォトレジスト
層を、酸素イオン又はオゾン、又はその両方によってイ
オン処理する。その後、フォトレジスト層の溶融点近傍
の温度で加熱処理（ハードベーク）を行い、導電膜をス
パッタリングにより形成し、メッキ、剥離・洗浄工程を
経て、スタンパーを作製する。
【００４２】第二の実施の形態では、レジスト膜パター
ンを形成した原盤をイオン処理した後、フォトレジスト
層をその溶融点近傍の温度で加熱処理し、凹部の表面又
は斜面を流動化させて細かな凹凸を除くことで更に粗れ
を取り除く。
ンを形成した原盤をイオン処理した後、フォトレジスト
層をその溶融点近傍の温度で加熱処理し、凹部の表面又
は斜面を流動化させて細かな凹凸を除くことで更に粗れ
を取り除く。
【００４３】ここで減少させる粗さは、露光時に形成さ
れるものに加えて、イオン処理工程で発生したものが含
まれる。
れるものに加えて、イオン処理工程で発生したものが含
まれる。
【００４４】図８にイオン処理時間とフォトレジスト表
面の表面粗さＲａの関係を示す。縦軸は、平均表面粗さ
Ｒａを示しており、横軸は、イオン処理時間を示す。イ
オン処理時間が増加すると、約３０秒までは表面粗さが
直線的に大きく変化し、その後緩やかに増加する傾向が
見られる。これは、イオンがレジスト表面に衝突し、不
均一にレジストを除去させていくことから起こる。
面の表面粗さＲａの関係を示す。縦軸は、平均表面粗さ
Ｒａを示しており、横軸は、イオン処理時間を示す。イ
オン処理時間が増加すると、約３０秒までは表面粗さが
直線的に大きく変化し、その後緩やかに増加する傾向が
見られる。これは、イオンがレジスト表面に衝突し、不
均一にレジストを除去させていくことから起こる。
【００４５】本発明では、このイオン処理によって形成
された粗さをフォトレジスト層の溶融点近傍の温度によ
って加熱処理を行う。この加熱処理工程によってフォト
レジスト層の凹部の表面を流動化させて、粗さを低減す
ることが可能となり、イオン処理工程の時間を長くと
り、露光によって生じた凹凸を十分に除去することがで
きる。
された粗さをフォトレジスト層の溶融点近傍の温度によ
って加熱処理を行う。この加熱処理工程によってフォト
レジスト層の凹部の表面を流動化させて、粗さを低減す
ることが可能となり、イオン処理工程の時間を長くと
り、露光によって生じた凹凸を十分に除去することがで
きる。
【００４６】フォトレジスト層の溶融点は、材料によっ
て異なるが、１００℃〜１６０℃程度であるため、その
近傍の温度によって加熱すればよい。本実施の形態で
は、１５０℃の対流オーブンを用いて１０〜３０分加熱
処理を行った結果、イオン処理を６０秒実施した後にお
いても、Ｒａの初期値０．４ｎｍ程度にまで低減するこ
とが可能となった。
て異なるが、１００℃〜１６０℃程度であるため、その
近傍の温度によって加熱すればよい。本実施の形態で
は、１５０℃の対流オーブンを用いて１０〜３０分加熱
処理を行った結果、イオン処理を６０秒実施した後にお
いても、Ｒａの初期値０．４ｎｍ程度にまで低減するこ
とが可能となった。
【００４７】表１に融点１６０℃のフォトレジストＡを
用いて、加熱温度１５０℃における加熱時間に対する平
均表面粗さＲａの変化を示す。図６と同様に、加熱方法
は、対流オーブンを用いた。Ｒａは、時間と共に減少
し、２０分で１ｎｍを下回った。通常、光ディスクに用
いられるスタンパーのＲａは、１ｎｍ以下でないとノイ
ズの原因となる可能性があるため、ここでは、１ｎｍ以
下を基準とする。従って、このフォトレジストを用いた
時の加熱時間は、２０分程度加えれば良い。
用いて、加熱温度１５０℃における加熱時間に対する平
均表面粗さＲａの変化を示す。図６と同様に、加熱方法
は、対流オーブンを用いた。Ｒａは、時間と共に減少
し、２０分で１ｎｍを下回った。通常、光ディスクに用
いられるスタンパーのＲａは、１ｎｍ以下でないとノイ
ズの原因となる可能性があるため、ここでは、１ｎｍ以
下を基準とする。従って、このフォトレジストを用いた
時の加熱時間は、２０分程度加えれば良い。
【００４８】
【表１】
【００４９】表２に、フォトレジストＡを用いて加熱時
間を３０分に固定し、加熱温度を上昇させた時の、Ｒａ
の変化を示す。Ｒａは、加熱温度１３０℃から、急激に
減少し初め、１４０℃で１ｎｍを下回った。
間を３０分に固定し、加熱温度を上昇させた時の、Ｒａ
の変化を示す。Ｒａは、加熱温度１３０℃から、急激に
減少し初め、１４０℃で１ｎｍを下回った。
【００５０】
【表２】
【００５１】表３に融点１５０℃のフォトレジストＢを
用いて、加熱温度１４０℃における加熱時間に対する平
均表面粗さＲａの変化を示す。フォトレジストＢにおい
ても、２０分以上の加熱で、１ｎｍを下回る。
用いて、加熱温度１４０℃における加熱時間に対する平
均表面粗さＲａの変化を示す。フォトレジストＢにおい
ても、２０分以上の加熱で、１ｎｍを下回る。
【００５２】
【表３】
【００５３】表４にフォトレジストＢを用いて加熱時間
を３０分に固定し、加熱温度を上昇させた時の、Ｒａの
変化を示す。Ｒａは、加熱温度１２０℃以上の温度で１
ｎｍを下回った。
を３０分に固定し、加熱温度を上昇させた時の、Ｒａの
変化を示す。Ｒａは、加熱温度１２０℃以上の温度で１
ｎｍを下回った。
【００５４】
【表４】
【００５５】表１〜４の結果、加熱処理は、フォトレジ
ストの溶融点近傍が望ましく、更に溶融点から−３０℃
程度が望ましい。また、加熱時間は、加熱温度によって
変化するため、加熱処理温度から選べばよい。
ストの溶融点近傍が望ましく、更に溶融点から−３０℃
程度が望ましい。また、加熱時間は、加熱温度によって
変化するため、加熱処理温度から選べばよい。
【００５６】また、本実施の形態では、オーブンを用い
て加熱処理を行ったが、これに限定されるものではな
く、ホットプレートや赤外線ヒータなどを用いて加熱し
ても良い。その際、加熱されるフォトレジスト層の温度
が溶融点近傍であれば良く、その雰囲気中の温度はさら
に高くても良い。
て加熱処理を行ったが、これに限定されるものではな
く、ホットプレートや赤外線ヒータなどを用いて加熱し
ても良い。その際、加熱されるフォトレジスト層の温度
が溶融点近傍であれば良く、その雰囲気中の温度はさら
に高くても良い。
【００５７】また、本発明の製造方法は、イオン処理時
間を伸ばせるため、ピット形状周辺の細かな凹凸の粗さ
を更に十分に整わせることが出来る。従って、ピットに
よってトラッキング等の信号を得るサンプルサーボ方式
において、サーボピットの信号品質が著しく向上し、サ
ンプルサーボ基板を作製するスタンパーに対してより効
果を得ることが出来る。
間を伸ばせるため、ピット形状周辺の細かな凹凸の粗さ
を更に十分に整わせることが出来る。従って、ピットに
よってトラッキング等の信号を得るサンプルサーボ方式
において、サーボピットの信号品質が著しく向上し、サ
ンプルサーボ基板を作製するスタンパーに対してより効
果を得ることが出来る。
【００５８】（第三の実施の形態）本実施形態では、上
記第一の実施の形態で作製したスタンパーを例えばアル
ゴンイオン、酸素イオンにおいてエッチングし、先のイ
オン処理工程で残留した凹部の表面又は斜面の細かな凹
凸を除いた。
記第一の実施の形態で作製したスタンパーを例えばアル
ゴンイオン、酸素イオンにおいてエッチングし、先のイ
オン処理工程で残留した凹部の表面又は斜面の細かな凹
凸を除いた。
【００５９】図８に示したように、先のイオン処理工程
では、イオン処理時間が増加すると、約３０秒までは表
面粗さが直線的に大きく変化し、その後緩やかに増加す
る。
では、イオン処理時間が増加すると、約３０秒までは表
面粗さが直線的に大きく変化し、その後緩やかに増加す
る。
【００６０】本実施の形態では、このイオン処理によっ
て形成された粗さの転写されたスタンパーをエッチング
することによって粗さを低減する。
て形成された粗さの転写されたスタンパーをエッチング
することによって粗さを低減する。
【００６１】アルゴンイオンによるイオンエッチングを
行った結果、Ｒａ３．６ｎｍであった表面の粗さを、
０．４ｎｍ程度にまで低減することが可能となった。ま
た、アルゴンの代わりに酸素イオン、ＣＦ4イオンを用
いて行った結果においても、Ｒａ０．４ｎｍとなる。
行った結果、Ｒａ３．６ｎｍであった表面の粗さを、
０．４ｎｍ程度にまで低減することが可能となった。ま
た、アルゴンの代わりに酸素イオン、ＣＦ4イオンを用
いて行った結果においても、Ｒａ０．４ｎｍとなる。
【００６２】本実施の形態では、イオンエッチング装置
を用いて行ったが、プラズマエッチング等他のエッチン
グ方法においても同様の効果が得られる。
を用いて行ったが、プラズマエッチング等他のエッチン
グ方法においても同様の効果が得られる。
【００６３】このエッチング処理を行うと、表面の粗さ
を低減すると同時に、スタンパー凸部の形状も変化す
る。エッチング時間を長くとると、凸部が削れた形状と
なり、このスタンパーから光ディスク基板を成形する
際、離型性が向上する。これは、凸部の角が取れた形状
となるため、スタンパーと樹脂の間の密着性が低下し、
樹脂がはがれやすくなることに起因している。しかし、
エッチング条件によっては、所用とする基板形状が得ら
れなくなる。
を低減すると同時に、スタンパー凸部の形状も変化す
る。エッチング時間を長くとると、凸部が削れた形状と
なり、このスタンパーから光ディスク基板を成形する
際、離型性が向上する。これは、凸部の角が取れた形状
となるため、スタンパーと樹脂の間の密着性が低下し、
樹脂がはがれやすくなることに起因している。しかし、
エッチング条件によっては、所用とする基板形状が得ら
れなくなる。
【００６４】本実施の形態では、イオンエッチング装置
を用いて、Ａｒイオン又はＣＦ4、又はＯ2を導入し、高
周波電力５０Ｗ〜３００Ｗ、５秒から２０分の間で行っ
た。凸部の形状の変化は、５０Ｗ１０分程度より起こ
り、３００Ｗ時では、数分で大きく変化した。
を用いて、Ａｒイオン又はＣＦ4、又はＯ2を導入し、高
周波電力５０Ｗ〜３００Ｗ、５秒から２０分の間で行っ
た。凸部の形状の変化は、５０Ｗ１０分程度より起こ
り、３００Ｗ時では、数分で大きく変化した。
【００６５】また、本発明の製造方法は、イオン処理の
残留粗さ成分を取り除くことができるため、ピット形状
周辺の細かな凹凸の粗さを更に十分に整わせることが出
来る。従って、ピットによってトラッキング等の信号を
得るサンプルサーボ方式において、サーボピットの信号
品質が著しく向上し、サンプルサーボ基板を作製するス
タンパーに対してより効果を得ることが出来る。
残留粗さ成分を取り除くことができるため、ピット形状
周辺の細かな凹凸の粗さを更に十分に整わせることが出
来る。従って、ピットによってトラッキング等の信号を
得るサンプルサーボ方式において、サーボピットの信号
品質が著しく向上し、サンプルサーボ基板を作製するス
タンパーに対してより効果を得ることが出来る。
【００６６】（第四の実施の形態）第四の実施の形態で
は、上記第二の実施の形態により作製したスタンパーを
例えばアルゴンイオン、酸素イオンにおいてエッチング
し、先のイオン処理後の加熱処理工程においても残留し
た凹部の表面又は斜面の細かな凹凸を除く。
は、上記第二の実施の形態により作製したスタンパーを
例えばアルゴンイオン、酸素イオンにおいてエッチング
し、先のイオン処理後の加熱処理工程においても残留し
た凹部の表面又は斜面の細かな凹凸を除く。
【００６７】また、本発明の製造方法は、イオン処理、
加熱処理の残留粗さ成分を取り除くことができるため、
ピット形状周辺の細かな凹凸の粗さを更に十分に整わせ
ることが出来る。従って、ピットによってトラッキング
等の信号を得るサンプルサーボ方式において、サーボピ
ットの信号品質が著しく向上し、サンプルサーボ基板を
作製するスタンパーに対してより効果を得ることが出来
る。
加熱処理の残留粗さ成分を取り除くことができるため、
ピット形状周辺の細かな凹凸の粗さを更に十分に整わせ
ることが出来る。従って、ピットによってトラッキング
等の信号を得るサンプルサーボ方式において、サーボピ
ットの信号品質が著しく向上し、サンプルサーボ基板を
作製するスタンパーに対してより効果を得ることが出来
る。
【００６８】（第五の実施の形態）以下、磁壁移動検出
方式の光磁気記録媒体に適用した例を示す。詳細に入る
前に、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）を用いて磁壁移動検出方
式について簡単に説明する。図９は、磁壁移動検出方式
の光磁気記録媒体およびその再生方法における作用を説
明するため模式図である。
方式の光磁気記録媒体に適用した例を示す。詳細に入る
前に、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）を用いて磁壁移動検出方
式について簡単に説明する。図９は、磁壁移動検出方式
の光磁気記録媒体およびその再生方法における作用を説
明するため模式図である。
【００６９】図９（ａ）は、磁壁移動検出方式に用いら
れる光磁気記録媒体の模式的断面図である。この媒体の
磁性層は、第１の磁性層１１１、第２の磁性層１１２、
第３の磁性層１１３が順次積層されてなる。第１の磁性
層１１１は、周囲温度近傍の温度において前記第３の磁
性層１１３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移
動度大きな垂直磁化膜からなり、前記第２の磁性層１１
２は、前記第１の磁性層１１１および第３の磁性層１１
３よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、前記第３
の磁性層１１３は垂直磁化膜である。各層中の矢印１１
４は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相
互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１５が形成されて
いる。１１６は読み出し用の光スポット、矢印１１８は
記録媒体の光スポットに対する移動方向である。
れる光磁気記録媒体の模式的断面図である。この媒体の
磁性層は、第１の磁性層１１１、第２の磁性層１１２、
第３の磁性層１１３が順次積層されてなる。第１の磁性
層１１１は、周囲温度近傍の温度において前記第３の磁
性層１１３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移
動度大きな垂直磁化膜からなり、前記第２の磁性層１１
２は、前記第１の磁性層１１１および第３の磁性層１１
３よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、前記第３
の磁性層１１３は垂直磁化膜である。各層中の矢印１１
４は原子スピンの向きを表している。スピンの向きが相
互に逆向きの領域の境界部には磁壁１１５が形成されて
いる。１１６は読み出し用の光スポット、矢印１１８は
記録媒体の光スポットに対する移動方向である。
【００７０】図９（ｂ）は、光磁気記録媒体上に形成さ
れる温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再
生用に照射されている光スポットによって媒体上に形成
され、光スポットの手前側から温度が上昇し、光スポッ
トの後方に温度のピークが来る。ここで位置Ｘｓにおい
ては、媒体温度が第２の磁性層１１２のキュリー温度近
傍の温度Ｔｓになっている。
れる温度分布を示すグラフである。この温度分布は、再
生用に照射されている光スポットによって媒体上に形成
され、光スポットの手前側から温度が上昇し、光スポッ
トの後方に温度のピークが来る。ここで位置Ｘｓにおい
ては、媒体温度が第２の磁性層１１２のキュリー温度近
傍の温度Ｔｓになっている。
【００７１】図９（ｃ）は、（ｂ）の温度分布に対応す
る第１の磁性層１１１の磁壁エネルギー密度σ１の分布
を示すグラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー
密度σ１ の勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁
壁に対して力Ｆ１＝∂σ／∂Ｘが作用する。この力Ｆ１
は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように
作用する。第１の磁性層１１１は、磁壁抗磁力が小さく
磁壁移動度が大きいので、単独では、この力Ｆ１によっ
て容易に磁壁が移動する。しかし、位置Ｘｓより手前
（図では右側）の領域では、まだ媒体温度がＴｓより低
く、磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層１１３と交換結合
しているために、第３の磁性層中の磁壁の位置に対応し
た位置に第１の磁性層中の磁壁も固定されている。
る第１の磁性層１１１の磁壁エネルギー密度σ１の分布
を示すグラフである。この様にＸ方向に磁壁エネルギー
密度σ１ の勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁
壁に対して力Ｆ１＝∂σ／∂Ｘが作用する。この力Ｆ１
は、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように
作用する。第１の磁性層１１１は、磁壁抗磁力が小さく
磁壁移動度が大きいので、単独では、この力Ｆ１によっ
て容易に磁壁が移動する。しかし、位置Ｘｓより手前
（図では右側）の領域では、まだ媒体温度がＴｓより低
く、磁壁抗磁力の大きな第３の磁性層１１３と交換結合
しているために、第３の磁性層中の磁壁の位置に対応し
た位置に第１の磁性層中の磁壁も固定されている。
【００７２】磁壁移動検出方式においては、図９（ａ）
に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置Ｘｓにあると、媒
体温度が第２の磁性層１１２のキュリー温度近傍の温度
Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層１１１と第３の磁性層１
１３との間の交換結合が切断される。この結果、第１の
磁性層中の磁壁１１５は、破線矢印１１７で示した様
に、より温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな領域へ
と”瞬間的”に移動する。このような磁壁の移動現象
は、隣接する記録トラック間が磁気的に分断されている
（即ち磁気的に結合していない）場合、よりスムーズに
起こる事が知られている。
に示す様に、磁壁１１５が媒体の位置Ｘｓにあると、媒
体温度が第２の磁性層１１２のキュリー温度近傍の温度
Ｔｓまで上昇し、第１の磁性層１１１と第３の磁性層１
１３との間の交換結合が切断される。この結果、第１の
磁性層中の磁壁１１５は、破線矢印１１７で示した様
に、より温度が高く磁壁エネルギー密度の小さな領域へ
と”瞬間的”に移動する。このような磁壁の移動現象
は、隣接する記録トラック間が磁気的に分断されている
（即ち磁気的に結合していない）場合、よりスムーズに
起こる事が知られている。
【００７３】再生用の光スポット１１６の下を磁壁１１
５が通過すると、光スポット内の第１の磁性層１１１の
原子スピンは全て一方向に揃う。そして、媒体の移動に
伴って磁壁１１５が位置Ｘｓに来る度に、光スポットの
下を磁壁１１５が瞬間的に移動し光スポット内の原子ス
ピンの向きが反転して全て一方向に揃う。この結果、図
９（ａ）に示す様に、再生信号振幅は記録されている磁
壁の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ
最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干
渉等の問題から解放される。磁壁移動の発生は、磁壁移
動領域の磁化反転に伴う再生用レーザビームの偏光面の
回転として、従来の光磁気ヘッドで検出することが出来
る。
５が通過すると、光スポット内の第１の磁性層１１１の
原子スピンは全て一方向に揃う。そして、媒体の移動に
伴って磁壁１１５が位置Ｘｓに来る度に、光スポットの
下を磁壁１１５が瞬間的に移動し光スポット内の原子ス
ピンの向きが反転して全て一方向に揃う。この結果、図
９（ａ）に示す様に、再生信号振幅は記録されている磁
壁の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ
最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干
渉等の問題から解放される。磁壁移動の発生は、磁壁移
動領域の磁化反転に伴う再生用レーザビームの偏光面の
回転として、従来の光磁気ヘッドで検出することが出来
る。
【００７４】このような構成の光磁気記録媒体のトラッ
ク上に０．１μｍ間隔で記録された磁区を波長λ＝６８
０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５の通常の光ヘッド（光スポット
径≒１μｍ）を用いて、磁壁移動検出方式によりＣ／Ｎ
比約４０ｄＢで再生できることが知られている。
ク上に０．１μｍ間隔で記録された磁区を波長λ＝６８
０ｎｍ、ＮＡ＝０．５５の通常の光ヘッド（光スポット
径≒１μｍ）を用いて、磁壁移動検出方式によりＣ／Ｎ
比約４０ｄＢで再生できることが知られている。
【００７５】図１１は、前述の磁壁移動検出に用いる光
磁気記録媒体をランド部グルーブ部基板に成膜した様子
を示すものである。光ビーム１２５の入射方向から遠い
記録トラック８をランド部、入射方向に近い記録トラッ
ク９をグルーブ部と呼ぶ。ランド部グルーブ部記録にお
いては、ランドトラックを記録再生する際には、グルー
ブ部がトラッキング用のガイド溝となり、グルーブトラ
ックを記録再生する際には、ランド部がトラッキング用
のガイド溝となって、隣接するランド部とグルーブ部に
同時に記録ができるので、トラック方向の記録密度の向
上に有効である。
磁気記録媒体をランド部グルーブ部基板に成膜した様子
を示すものである。光ビーム１２５の入射方向から遠い
記録トラック８をランド部、入射方向に近い記録トラッ
ク９をグルーブ部と呼ぶ。ランド部グルーブ部記録にお
いては、ランドトラックを記録再生する際には、グルー
ブ部がトラッキング用のガイド溝となり、グルーブトラ
ックを記録再生する際には、ランド部がトラッキング用
のガイド溝となって、隣接するランド部とグルーブ部に
同時に記録ができるので、トラック方向の記録密度の向
上に有効である。
【００７６】前述したように、磁壁移動検出方式を用い
ることにより、線方向記録密度を向上させることが出来
るので、これとランド部グルーブ部記録を組み合わせる
ことにより、面記録密度を従来の光磁気記録との比較で
飛躍的に向上させることが可能である。
ることにより、線方向記録密度を向上させることが出来
るので、これとランド部グルーブ部記録を組み合わせる
ことにより、面記録密度を従来の光磁気記録との比較で
飛躍的に向上させることが可能である。
【００７７】さらに、ランド部グルーブ部記録におい
て、磁壁移動を容易にするための工夫としては、図３に
示すような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開
平９−１６１３２１号公報参照）を用いることが効果的
である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成
膜すれば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側壁
部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが
出来る。これより、ランド部とグルーブ部夫々に対し
て、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成する
ことが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移
動が起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラ
ック９の機械的距離（ランドトラック８の表面とグルー
ブトラック９の表面の高さ距離）は、少なくとも磁性膜
の合計膜厚（実施例では８０ｎｍ）を超えた８０〜３０
０ｎｍ程度に選ぶと良い。即ち、光ディスク基板上に設
けられた溝の深さは８０から３００ｎｍ程度とするのが
好ましい。また、光ディスク基板上に設けられた溝の深
さは光磁気ディスク再生用ビームの波長をλ、基板屈折
率をｎとして、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６のいず
れかであることがより好ましい。
て、磁壁移動を容易にするための工夫としては、図３に
示すような急峻なテーパ部を有する所謂深溝基板（特開
平９−１６１３２１号公報参照）を用いることが効果的
である。この基板に指向性の高い成膜方法で磁性膜を成
膜すれば、テーパ部（即ち、ランドとグルーブ間の側壁
部）には実質的に磁性膜が堆積しないようにすることが
出来る。これより、ランド部とグルーブ部夫々に対し
て、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形成する
ことが可能になり、磁気的にトラックが分断され磁壁移
動が起こり易くなる。ランドトラック８とグルーブトラ
ック９の機械的距離（ランドトラック８の表面とグルー
ブトラック９の表面の高さ距離）は、少なくとも磁性膜
の合計膜厚（実施例では８０ｎｍ）を超えた８０〜３０
０ｎｍ程度に選ぶと良い。即ち、光ディスク基板上に設
けられた溝の深さは８０から３００ｎｍ程度とするのが
好ましい。また、光ディスク基板上に設けられた溝の深
さは光磁気ディスク再生用ビームの波長をλ、基板屈折
率をｎとして、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６のいず
れかであることがより好ましい。
【００７８】加えて、側壁部に磁性膜が堆積しないよう
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こら
ず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光
スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロス
トークが発生することはない。
にすることは、隣接トラックへの熱干渉を抑制し、クロ
スイレーズ耐性を向上する上でも有効である。また同時
に、磁壁移動検出方式にとっては、再生時に隣接トラッ
クからのクロストークを抑制する効果が期待できる。な
ぜなら、再生時に隣接トラックを磁壁移動開始温度Ｔｓ
以上に加熱しないように出来るからである。このため、
隣接トラックに記録された磁区では、磁壁移動が起こら
ず、通常の光磁気再生が行われるが、記録マーク長を光
スポットの分解能以下に選択しておけば、大きなクロス
トークが発生することはない。
【００７９】前述した磁気的なトラックの分断効果、ク
ロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制効果の相
乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わ
せは、面記録密度を飛躍的に向上させることが可能であ
る。（詳細な説明は、日本応用磁気学会誌 Ｖｏｌ．２
３， Ｎｏ．２， １９９９，ｐ７６４−７６９，白鳥
「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高密度化」
を参照）
ロスイレーズ耐性向上およびクロストーク抑制効果の相
乗効果により、深溝基板と磁壁移動検出方式の組み合わ
せは、面記録密度を飛躍的に向上させることが可能であ
る。（詳細な説明は、日本応用磁気学会誌 Ｖｏｌ．２
３， Ｎｏ．２， １９９９，ｐ７６４−７６９，白鳥
「磁壁移動検出方式による光磁気ディスクの高密度化」
を参照）
【００８０】図１６は、前述の磁壁移動検出に用いる光
磁気記録媒体をグルーブ記録用基板に成膜した様子を示
すものである。グルーブ記録用基板を用いた場合、記録
トラックであるグルーブ面（凹部底部）は光ディスク原
盤のガラス面の表面形状が転写される。従って、実施形
態１で解説したように本発明による光ディスクスタンパ
−から得られたグルーブ面の表面粗さが小さい基板を用
いることにより、ノイズが低く信号品位の優れた磁壁移
動検出に用いる光磁気記録媒体を得る事ができる。この
ようなグルーブ記録用基板を用いた場合は、ランドトラ
ック８とグルーブトラック９の機械的距離は、少なくと
も磁性膜の合計膜厚（実施例では８０ｎｍ）を超えた８
０〜３００ｎｍ程度に選ぶと、ランドグルーブ基板の時
と同様に、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形
成することが可能になり、磁気的にトラックが分断され
磁壁移動が起こり易くなる。また、ランド部分を高いパ
ワーのレーザー光を照射することによりランド部分の磁
性を劣化させ記録トラックであるグルーブ間を磁気的に
分断することができる。この場合はランドトラック８と
グルーブトラック９の機械的距離は浅くすることができ
るので２０〜３００ｎｍの範囲で選ぶことができる。
磁気記録媒体をグルーブ記録用基板に成膜した様子を示
すものである。グルーブ記録用基板を用いた場合、記録
トラックであるグルーブ面（凹部底部）は光ディスク原
盤のガラス面の表面形状が転写される。従って、実施形
態１で解説したように本発明による光ディスクスタンパ
−から得られたグルーブ面の表面粗さが小さい基板を用
いることにより、ノイズが低く信号品位の優れた磁壁移
動検出に用いる光磁気記録媒体を得る事ができる。この
ようなグルーブ記録用基板を用いた場合は、ランドトラ
ック８とグルーブトラック９の機械的距離は、少なくと
も磁性膜の合計膜厚（実施例では８０ｎｍ）を超えた８
０〜３００ｎｍ程度に選ぶと、ランドグルーブ基板の時
と同様に、側壁部に磁壁が実質的に存在しない磁区を形
成することが可能になり、磁気的にトラックが分断され
磁壁移動が起こり易くなる。また、ランド部分を高いパ
ワーのレーザー光を照射することによりランド部分の磁
性を劣化させ記録トラックであるグルーブ間を磁気的に
分断することができる。この場合はランドトラック８と
グルーブトラック９の機械的距離は浅くすることができ
るので２０〜３００ｎｍの範囲で選ぶことができる。
【００８１】
【実施例】以下実施例を参照して、本発明を具体的に説
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるも
のではない。
【００８２】比較例 本発明において、基準となる従来方法で作製された光デ
ィスク基板成形用スタンパーを下記の方法で作製した。
また表面観察として走査型電子顕微鏡（日立製作所：Ｓ
ＥＭ−４０００）によって観察を行った。
ィスク基板成形用スタンパーを下記の方法で作製した。
また表面観察として走査型電子顕微鏡（日立製作所：Ｓ
ＥＭ−４０００）によって観察を行った。
【００８３】図１は本発明の比較例である、従来方法で
ランド部グルーブ部記録基板用スタンパーの製造方法を
示す図である。
ランド部グルーブ部記録基板用スタンパーの製造方法を
示す図である。
【００８４】外形２００ｍｍ、厚さ６ｍｍで表面粗度Ｒ
ａ＝５ｎｍ以下に研磨された原盤ガラス１を用意し十分
洗浄する。原盤ガラス１に、シランカップリング材、Ｈ
ＭＤＳをスピンコートし下地処理をした後、ポジ型フォ
トレジスト２（東京応化製：ＴＳＭＲ−８９００）を同
じくスピンコートし、フォトレジスト膜厚を１８０ｎｍ
となるようにした。シランカップリング材はＨＭＤＳを
使用したが限定されるものでは無い。原盤ガラス１をプ
リベークした後、次に光源としてＡｒイオンレーザーを
搭載した露光装置により、原盤ガラスの半径２４ｍｍか
ら４０ｍｍまでの領域を光ビーム３により露光した。な
おトラックピッチは１．２μｍであり現像後に幅が０．
６μｍのランド幅グルーブ幅となるようなゾーンが出来
るよう、半径位置によりレーザーパワーを変更しながら
断続的に露光を行った。露光時の原盤ガラスの回転数は
９００ｒｐｍ、レーザー光のスポット径は約０．４５μ
ｍである。光源としてＡｒイオンレーザーを使用してい
るが、その他にもＨｅ−Ｃｄイオンレーザーや電子線、
紫外線等、他の光源による露光装置でも特に限定はしな
い。
ａ＝５ｎｍ以下に研磨された原盤ガラス１を用意し十分
洗浄する。原盤ガラス１に、シランカップリング材、Ｈ
ＭＤＳをスピンコートし下地処理をした後、ポジ型フォ
トレジスト２（東京応化製：ＴＳＭＲ−８９００）を同
じくスピンコートし、フォトレジスト膜厚を１８０ｎｍ
となるようにした。シランカップリング材はＨＭＤＳを
使用したが限定されるものでは無い。原盤ガラス１をプ
リベークした後、次に光源としてＡｒイオンレーザーを
搭載した露光装置により、原盤ガラスの半径２４ｍｍか
ら４０ｍｍまでの領域を光ビーム３により露光した。な
おトラックピッチは１．２μｍであり現像後に幅が０．
６μｍのランド幅グルーブ幅となるようなゾーンが出来
るよう、半径位置によりレーザーパワーを変更しながら
断続的に露光を行った。露光時の原盤ガラスの回転数は
９００ｒｐｍ、レーザー光のスポット径は約０．４５μ
ｍである。光源としてＡｒイオンレーザーを使用してい
るが、その他にもＨｅ−Ｃｄイオンレーザーや電子線、
紫外線等、他の光源による露光装置でも特に限定はしな
い。
【００８５】その後、無機アルカリ液（ヘキスト社製：
ＡＺデベロッパー）と超純水とを質量比１：２の割合で
混合し希釈した現像液でスピン洗浄した。この時の現像
条件は前純水洗浄時間６００秒、現像時間３０秒、後純
水時間９００秒、スピン乾燥時間６０秒であり、その
後、９０℃のクリーンオーブンで３０分間ポストベーク
した。その後原盤ガラス１表面にスパッタリングにより
１００ｎｍのニッケル導電膜６を形成した。なおスパッ
タリング法以外にも無電解めっき法や真空蒸着法等を使
用することも可能であり、限定される物ではない。
ＡＺデベロッパー）と超純水とを質量比１：２の割合で
混合し希釈した現像液でスピン洗浄した。この時の現像
条件は前純水洗浄時間６００秒、現像時間３０秒、後純
水時間９００秒、スピン乾燥時間６０秒であり、その
後、９０℃のクリーンオーブンで３０分間ポストベーク
した。その後原盤ガラス１表面にスパッタリングにより
１００ｎｍのニッケル導電膜６を形成した。なおスパッ
タリング法以外にも無電解めっき法や真空蒸着法等を使
用することも可能であり、限定される物ではない。
【００８６】このニッケル導電膜６上にニッケル電鋳を
行い０．３ｍｍ厚のニッケル電鋳層１５を作製した。次
に、原盤ガラス１よりニッケル電鋳層１５を剥離し、保
護コート膜をスピンコート後、プレス打ち抜き機によっ
て打ち抜いた。
行い０．３ｍｍ厚のニッケル電鋳層１５を作製した。次
に、原盤ガラス１よりニッケル電鋳層１５を剥離し、保
護コート膜をスピンコート後、プレス打ち抜き機によっ
て打ち抜いた。
【００８７】そして、保護コート剥離後、残留フォトレ
ジスト除去のために、酸素プラズマアッシング装置（日
電アネルバ製：ＲＨ−２０）に剥離したニッケル電鋳層
１５を入れ真空度４×１０-3まで排気した後、酸素ガス
を導入しプラズマアッシングを行った。この時のガス流
量は８０ｓｃｃｍ、ガス圧は８０．Ｐａ、ＲＦ電力は１
００Ｗ、電極間距離は６０ｍｍ、エッチング時間は３０
秒である。このようにして、金属スタンパー７とした。
ジスト除去のために、酸素プラズマアッシング装置（日
電アネルバ製：ＲＨ−２０）に剥離したニッケル電鋳層
１５を入れ真空度４×１０-3まで排気した後、酸素ガス
を導入しプラズマアッシングを行った。この時のガス流
量は８０ｓｃｃｍ、ガス圧は８０．Ｐａ、ＲＦ電力は１
００Ｗ、電極間距離は６０ｍｍ、エッチング時間は３０
秒である。このようにして、金属スタンパー７とした。
【００８８】このようにして作製された金属スタンパー
から、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グルー
ブ部記録用基板を作製した。この基板上に前述の磁壁移
動検出用の光磁気記録媒体を以下の手順で作製した。
から、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グルー
ブ部記録用基板を作製した。この基板上に前述の磁壁移
動検出用の光磁気記録媒体を以下の手順で作製した。
【００８９】図１０は作製した光磁気記録媒体の層構成
を示す模式的断面図である。この図においては、透明基
板１２４上に、誘電体層１２３、第１の磁性層１２２、
第２の磁性層１２１、第３の磁性層１２０、誘電体層１
１９が順次積層されている。矢印１２５は記録再生のた
めの光ビームの入射する方向である。透明基板１２４と
してはポリカーボネート、誘電体層１２３としては、Ｓ
ｉ3Ｎ4を使用した。Ｓｉ3Ｎ4層成膜時にはＡｒガスに加
えてＮ2ガスを導入し、直流反応性スパッタにより膜厚
８０ｎｍを成膜した。引き続き、第１の磁性層としてＧ
ｄＣｏ層を３０ｎｍ、第２の磁性層としてＤｙＦｅ層を
１０ｎｍ、第３の磁性層としてＴｂＦｅＣｏ層を８０ｎ
ｍ順次成膜した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜し
た。これら各層は、マグネトロンスパッタ装置による連
続スパッタリングによって被着形成できる。特に各磁性
層は、真空を破ることなく連続成膜されることで、互い
に交換結合をしている。最後に、誘電体（保護）層１１
９としてＳｉ3Ｎ4層を同様に８０ｎｍ成膜した。
を示す模式的断面図である。この図においては、透明基
板１２４上に、誘電体層１２３、第１の磁性層１２２、
第２の磁性層１２１、第３の磁性層１２０、誘電体層１
１９が順次積層されている。矢印１２５は記録再生のた
めの光ビームの入射する方向である。透明基板１２４と
してはポリカーボネート、誘電体層１２３としては、Ｓ
ｉ3Ｎ4を使用した。Ｓｉ3Ｎ4層成膜時にはＡｒガスに加
えてＮ2ガスを導入し、直流反応性スパッタにより膜厚
８０ｎｍを成膜した。引き続き、第１の磁性層としてＧ
ｄＣｏ層を３０ｎｍ、第２の磁性層としてＤｙＦｅ層を
１０ｎｍ、第３の磁性層としてＴｂＦｅＣｏ層を８０ｎ
ｍ順次成膜した。各磁性層は、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｔｂ、Ｆ
ｅ、Ｃｏの各ターゲットに直流パワーを印加して成膜し
た。これら各層は、マグネトロンスパッタ装置による連
続スパッタリングによって被着形成できる。特に各磁性
層は、真空を破ることなく連続成膜されることで、互い
に交換結合をしている。最後に、誘電体（保護）層１１
９としてＳｉ3Ｎ4層を同様に８０ｎｍ成膜した。
【００９０】各磁性層の組成は、全て補償組成近傍にな
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が２１
０℃以上、第２の磁性層が１２０℃、第３の磁性層が２
９０℃程度となるように設定した。
るように調整し、キュリー温度は、第１の磁性層が２１
０℃以上、第２の磁性層が１２０℃、第３の磁性層が２
９０℃程度となるように設定した。
【００９１】積層膜として成膜した後、紫外線硬化型樹
脂（日本化薬製：ＩＮＣ−１１８）により膜面にハード
コートを形成した。紫外線硬化型樹脂は特に限定される
ものでは無い。このようにして作製した光ディスクを波
長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６のドライブ装置に
よって測定した。測定は積層膜からの反射光量信号をオ
シロスコープへ取り込み、ランド部グルーブ部各々のノ
イズレベルを測定した。測定はランド部グルーブ部の溝
幅が寸法的に等しくなるゾーンを選んだ。その結果はラ
ンドで０．２ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．２ｖ
（反射光量信号ＤＣ成分）＝９％となり、グルーブでは
０．３ｖ／２．５ｖ＝１２％となった。結果を図１４、
図１５内に（ｒｅｆ）として示す。
脂（日本化薬製：ＩＮＣ−１１８）により膜面にハード
コートを形成した。紫外線硬化型樹脂は特に限定される
ものでは無い。このようにして作製した光ディスクを波
長６８０ｎｍ、対物レンズＮＡ０．６のドライブ装置に
よって測定した。測定は積層膜からの反射光量信号をオ
シロスコープへ取り込み、ランド部グルーブ部各々のノ
イズレベルを測定した。測定はランド部グルーブ部の溝
幅が寸法的に等しくなるゾーンを選んだ。その結果はラ
ンドで０．２ｖ（反射光量信号ＡＣ成分）／２．２ｖ
（反射光量信号ＤＣ成分）＝９％となり、グルーブでは
０．３ｖ／２．５ｖ＝１２％となった。結果を図１４、
図１５内に（ｒｅｆ）として示す。
【００９２】また、成形後の基板を走査型電子顕微鏡で
観察した所、数十ｎｍ程度の皺状の荒れがランド肩部に
発生している事が観察された。
観察した所、数十ｎｍ程度の皺状の荒れがランド肩部に
発生している事が観察された。
【００９３】実施例１ 図１２は本発明の方法であるランド部グルーブ部記録基
板用スタンパーの製造方法を示す図である。比較例と同
様に金属スタンパーの作製を行った。但し、原盤ガラス
１上のフォトレジスト２の露光、現像工程が終えた後
に、図１２（４）のごとく原盤ガラス１を酸素プラズマ
アッシング装置へと入れ、その後真空度４×１０-3まで
排気した後、酸素ガスを導入しプラズマアッシング処理
１６を行った。この時のガス流量は８０ｓｃｃｍ、ガス
圧は８．０Ｐａ、ＲＦ電力は１００Ｗ、電極間距離は１
５０ｍｍ、エッチング時間は２０秒と設定し、フォトレ
ジスト膜厚が１０ｎｍエッチングされる条件である。ま
た原盤ガラス１のフォトレジスト２の塗布量は酸素プラ
ズマアッシング処理１６での目減り分を加味して１９０
ｎｍとした。酸素プラズマアッシング処理１６の後、ク
リーンオーブンに入れ、ベーキング処理１８を行った。
ベーキング条件は９０℃、１２０℃、１４０℃、１５０
℃、１７０℃の各々の条件で行った。
板用スタンパーの製造方法を示す図である。比較例と同
様に金属スタンパーの作製を行った。但し、原盤ガラス
１上のフォトレジスト２の露光、現像工程が終えた後
に、図１２（４）のごとく原盤ガラス１を酸素プラズマ
アッシング装置へと入れ、その後真空度４×１０-3まで
排気した後、酸素ガスを導入しプラズマアッシング処理
１６を行った。この時のガス流量は８０ｓｃｃｍ、ガス
圧は８．０Ｐａ、ＲＦ電力は１００Ｗ、電極間距離は１
５０ｍｍ、エッチング時間は２０秒と設定し、フォトレ
ジスト膜厚が１０ｎｍエッチングされる条件である。ま
た原盤ガラス１のフォトレジスト２の塗布量は酸素プラ
ズマアッシング処理１６での目減り分を加味して１９０
ｎｍとした。酸素プラズマアッシング処理１６の後、ク
リーンオーブンに入れ、ベーキング処理１８を行った。
ベーキング条件は９０℃、１２０℃、１４０℃、１５０
℃、１７０℃の各々の条件で行った。
【００９４】その後図１２（５）の様に、原盤ガラス１
上へスパッタリングによってニッケル導電膜６を形成
し、図１２（６）において導電膜６上へのニッケル電鋳
によりニッケル電鋳層１５を形成した。その後図１２
（７）にて原盤ガラス１よりニッケル電鋳層１５を剥離
した後、図１２（８）のごとく、Ａｒプラズマエッチン
グ処理１７を行った。使用した装置は酸素プラズマアッ
シング装置を使用し、別の配管系よりＡｒを導入した。
この時の条件はガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧は５．０
Ｐａ、ＲＦ電力は１５０Ｗ、電極間距離１５０ｍｍ、エ
ッチング時間は８．０分に設定し、剥離した電鋳層１５
の表面が１０ｎｍエッチングされた。
上へスパッタリングによってニッケル導電膜６を形成
し、図１２（６）において導電膜６上へのニッケル電鋳
によりニッケル電鋳層１５を形成した。その後図１２
（７）にて原盤ガラス１よりニッケル電鋳層１５を剥離
した後、図１２（８）のごとく、Ａｒプラズマエッチン
グ処理１７を行った。使用した装置は酸素プラズマアッ
シング装置を使用し、別の配管系よりＡｒを導入した。
この時の条件はガス流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧は５．０
Ｐａ、ＲＦ電力は１５０Ｗ、電極間距離１５０ｍｍ、エ
ッチング時間は８．０分に設定し、剥離した電鋳層１５
の表面が１０ｎｍエッチングされた。
【００９５】このようにして作製スタンパー７が完成す
る（図１２（９））。このスタンパー７から、２Ｐ法に
より直径８６．０ｍｍのランド部グルーブ部記録用基板
を作製した。
る（図１２（９））。このスタンパー７から、２Ｐ法に
より直径８６．０ｍｍのランド部グルーブ部記録用基板
を作製した。
【００９６】この基板表面に比較実験例と同様な磁壁移
動検出方式の光磁気媒体構成の膜を成膜した。
動検出方式の光磁気媒体構成の膜を成膜した。
【００９７】このようにして作製した光ディスクを比較
例と同様に測定した。ベーキング処理温度毎の違いは図
１４に示す。
例と同様に測定した。ベーキング処理温度毎の違いは図
１４に示す。
【００９８】その結果もっとも良い部分でランドでは
０．１ｖ／２．３ｖ＝４．３％となり、グルーブでは
０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。図１４（１）に
結果を示す。磁壁移動検出方式の光磁気媒体と本発明に
よる溝深さ１８０ｎｍの深溝基板を組み合わせた場合で
は、信号のＳ／Ｎ改善に加えて、ランド部の肩部に発生
する数十ｎｍ程度の皺状の荒れが軽減され、ランド部に
おける磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時の信
号ジッタを大幅に改善することができた。
０．１ｖ／２．３ｖ＝４．３％となり、グルーブでは
０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。図１４（１）に
結果を示す。磁壁移動検出方式の光磁気媒体と本発明に
よる溝深さ１８０ｎｍの深溝基板を組み合わせた場合で
は、信号のＳ／Ｎ改善に加えて、ランド部の肩部に発生
する数十ｎｍ程度の皺状の荒れが軽減され、ランド部に
おける磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時の信
号ジッタを大幅に改善することができた。
【００９９】実施例２ 実施例１と同様にスタンパーの作製を行った。但し、原
盤ガラス１を酸素プラズマアッシング装置へと入れる前
段階で、原盤ガラス１のベーキング処理１８を行った。
ベーキング条件は実施例１と同様である。その後原盤ガ
ラス１上へスパッタリングによってニッケル導電膜６を
形成し、導電膜６上へのニッケル電鋳によりニッケル電
鋳層１５とした。原盤ガラス１よりニッケル電鋳層１５
を剥離した後、実施例１と同様にＡｒエッチング１７を
行い、スタンパー７を完成した。
盤ガラス１を酸素プラズマアッシング装置へと入れる前
段階で、原盤ガラス１のベーキング処理１８を行った。
ベーキング条件は実施例１と同様である。その後原盤ガ
ラス１上へスパッタリングによってニッケル導電膜６を
形成し、導電膜６上へのニッケル電鋳によりニッケル電
鋳層１５とした。原盤ガラス１よりニッケル電鋳層１５
を剥離した後、実施例１と同様にＡｒエッチング１７を
行い、スタンパー７を完成した。
【０１００】このようにして作製されたスタンパー７か
ら、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グルーブ
部記録用基板を作製した。
ら、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グルーブ
部記録用基板を作製した。
【０１０１】実施例１と同様に成膜を行い光ディスクを
形成し、実施例１と同様に測定した。
形成し、実施例１と同様に測定した。
【０１０２】その結果もっとも良い部分でランドでは
０．１ｖ／２．３ｖ＝４．３％となり、グルーブでは
０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。図１４（２）に
結果を示す。実施例１と同様に信号再生時の信号ジッタ
を大幅に改善することができた。
０．１ｖ／２．３ｖ＝４．３％となり、グルーブでは
０．１５ｖ／２．５ｖ＝６％となった。図１４（２）に
結果を示す。実施例１と同様に信号再生時の信号ジッタ
を大幅に改善することができた。
【０１０３】実施例３ 図１３は本発明の方法であるランド部グルーブ部記録用
基板用スタンパーの製造方法を示す図である。
基板用スタンパーの製造方法を示す図である。
【０１０４】図１３（１）において外形２００ｍｍ、厚
さ６ｍｍで表面粗度５ｎｍ以下に裏面研磨された原盤ガ
ラス１表面に第一の薄膜層としてＡｌ2Ｏ3膜２１を２０
ｎｍ、その後図１３（２）にて第二の薄膜層としてＳｉ
Ｏ2膜２２を１６０ｎｍ成膜した。図１３（３）にて、
ＳｉＯ2膜２２上にシランカップリング材をスピンコー
トし下地処理をした後、ポジ型フォトレジスト２を同じ
くスピンコートし、フォトレジスト２膜厚を１００ｎｍ
となるようにした。図１３（４）では原盤ガラス１上の
フォトレジスト２へ光ビーム３による露光、図１３
（５）にて現像によって露光された部分４を除去した。
その後図１３（６）のごとく原盤ガラス１を酸素プラズ
マアッシング装置へと入れ、酸素ガスを導入しプラズマ
アッシング１６を実施例１の条件で行った。その後、ベ
ーキング処理１８を実施例１の条件で行い、図１３
（７）露出されたＳｉＯ2膜面を反応性イオンエッチン
グ１４によってエッチングし、溝深さ１６０ｎｍのガラ
スマスター１３を作製した。本実施例は、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）を例に説明するが、ドライエッチ
ングのうち異方性エッチングが可能なものならば、他に
スパッタエッチング（ＳＥ）、反応性イオンビームエッ
チング（ＲＩＢＥ）、スパッタイオンビームエッチング
（ＳＩＢＥ）などを用いることができる。反応性イオン
エッチング装置のチャンバー内に原盤ガラス１を入れ、
真空度 １×１０-4Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ3ガス
を導入しＳｉＯ2層２２に反応性イオンエッチング１４
を行う。ガス流量：６ｓｃｃｍ、ガス圧力：０．３Ｐ
ａ、ＲＦ電力：１００Ｗの条件で、エッチングレートは
２００Å／ｍｉｎ程度であった。ＣＨＦ3ガスは、Ｓｉ
Ｏ2層２２はエッチングするが、Ａｌ2Ｏ3層２１に対し
ては反応性が極めて低くほとんどエッチングしない（エ
ッチング選択比はＡｌ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝１：２０〜３０
程度）。従って、エッチング時間を厳密に調整しなくて
も、Ａｌ2Ｏ3層２１が露出した段階でエッチングが自動
的に停止する。つまり、Ａｌ2Ｏ3層２１はストッパ層と
して機能するので、エッチングする深さとエッチングレ
ートより算出される時間より、幾分過剰にエッチングを
行えば、エッチングチャンバー内の雰囲気の変動や不均
一などが多少発生しても、常に所定のグルーブ深さに場
所むらなくエッチングが達成される。本実施例では、エ
ッチングガスにＣＨＦ3を用いたが、これにＣＦ4ガスを
加えても良いし、ＣＦ4ガスにＨ2ガスを加えて使用して
も良好な結果が得られた。
さ６ｍｍで表面粗度５ｎｍ以下に裏面研磨された原盤ガ
ラス１表面に第一の薄膜層としてＡｌ2Ｏ3膜２１を２０
ｎｍ、その後図１３（２）にて第二の薄膜層としてＳｉ
Ｏ2膜２２を１６０ｎｍ成膜した。図１３（３）にて、
ＳｉＯ2膜２２上にシランカップリング材をスピンコー
トし下地処理をした後、ポジ型フォトレジスト２を同じ
くスピンコートし、フォトレジスト２膜厚を１００ｎｍ
となるようにした。図１３（４）では原盤ガラス１上の
フォトレジスト２へ光ビーム３による露光、図１３
（５）にて現像によって露光された部分４を除去した。
その後図１３（６）のごとく原盤ガラス１を酸素プラズ
マアッシング装置へと入れ、酸素ガスを導入しプラズマ
アッシング１６を実施例１の条件で行った。その後、ベ
ーキング処理１８を実施例１の条件で行い、図１３
（７）露出されたＳｉＯ2膜面を反応性イオンエッチン
グ１４によってエッチングし、溝深さ１６０ｎｍのガラ
スマスター１３を作製した。本実施例は、反応性イオン
エッチング（ＲＩＥ）を例に説明するが、ドライエッチ
ングのうち異方性エッチングが可能なものならば、他に
スパッタエッチング（ＳＥ）、反応性イオンビームエッ
チング（ＲＩＢＥ）、スパッタイオンビームエッチング
（ＳＩＢＥ）などを用いることができる。反応性イオン
エッチング装置のチャンバー内に原盤ガラス１を入れ、
真空度 １×１０-4Ｐａまで排気した後、ＣＨＦ3ガス
を導入しＳｉＯ2層２２に反応性イオンエッチング１４
を行う。ガス流量：６ｓｃｃｍ、ガス圧力：０．３Ｐ
ａ、ＲＦ電力：１００Ｗの条件で、エッチングレートは
２００Å／ｍｉｎ程度であった。ＣＨＦ3ガスは、Ｓｉ
Ｏ2層２２はエッチングするが、Ａｌ2Ｏ3層２１に対し
ては反応性が極めて低くほとんどエッチングしない（エ
ッチング選択比はＡｌ2Ｏ3：ＳｉＯ2＝１：２０〜３０
程度）。従って、エッチング時間を厳密に調整しなくて
も、Ａｌ2Ｏ3層２１が露出した段階でエッチングが自動
的に停止する。つまり、Ａｌ2Ｏ3層２１はストッパ層と
して機能するので、エッチングする深さとエッチングレ
ートより算出される時間より、幾分過剰にエッチングを
行えば、エッチングチャンバー内の雰囲気の変動や不均
一などが多少発生しても、常に所定のグルーブ深さに場
所むらなくエッチングが達成される。本実施例では、エ
ッチングガスにＣＨＦ3を用いたが、これにＣＦ4ガスを
加えても良いし、ＣＦ4ガスにＨ2ガスを加えて使用して
も良好な結果が得られた。
【０１０５】図１３（８）にて、ガラスマスター１３上
の残留フォトレジスト５をアセトンにより溶解洗浄し、
さらに酸素プラズマアッシングを行い残留フォトレジス
ト５を除去した後、図１３（９）において不要なＡｌ2
Ｏ3膜２１を除去するために、無機アルカリ液（ヘキス
ト社製：ＡＺデベロッパー）によってウェットエッチン
グを行った。時間は９分３０秒間アルカリ液中に浸漬し
た。その後図１３（１０）にて、ガラスマスター１３へ
ニッケル導電膜６をスパッタリングにて１００ｎｍ形成
し、図１３（１１）にてニッケル電鋳を行い、図１３
（１２）にてガラスマスターよりニッケル電鋳層１５を
剥離した。更に図１３（１３）のごとく、作製されたニ
ッケル電鋳層１５表面にＡｒエッチングを実施例１の条
件で行うことで、図１３（１４）に示したスタンパー７
が完成した。このようにして作製されたスタンパー７か
ら、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グルーブ
部記録用基板を作製した。
の残留フォトレジスト５をアセトンにより溶解洗浄し、
さらに酸素プラズマアッシングを行い残留フォトレジス
ト５を除去した後、図１３（９）において不要なＡｌ2
Ｏ3膜２１を除去するために、無機アルカリ液（ヘキス
ト社製：ＡＺデベロッパー）によってウェットエッチン
グを行った。時間は９分３０秒間アルカリ液中に浸漬し
た。その後図１３（１０）にて、ガラスマスター１３へ
ニッケル導電膜６をスパッタリングにて１００ｎｍ形成
し、図１３（１１）にてニッケル電鋳を行い、図１３
（１２）にてガラスマスターよりニッケル電鋳層１５を
剥離した。更に図１３（１３）のごとく、作製されたニ
ッケル電鋳層１５表面にＡｒエッチングを実施例１の条
件で行うことで、図１３（１４）に示したスタンパー７
が完成した。このようにして作製されたスタンパー７か
ら、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グルーブ
部記録用基板を作製した。
【０１０６】この基板表面に比較例と同様の積層膜を形
成した後、紫外線硬化型樹脂により膜面にハードコート
を形成した。このようにして作製した光ディスクを比較
例と同様に測定した。ベーキング処理温度毎での違いは
図１５（３）に示す。その結果最も良い部分でランドで
は０．０８ｖ／２．３ｖ＝３．５％となり、グルーブで
は０．１ｖ／２．５ｖ＝４％となった。実施例１と同様
に信号再生時の信号ジッタを大幅に改善することができ
た。
成した後、紫外線硬化型樹脂により膜面にハードコート
を形成した。このようにして作製した光ディスクを比較
例と同様に測定した。ベーキング処理温度毎での違いは
図１５（３）に示す。その結果最も良い部分でランドで
は０．０８ｖ／２．３ｖ＝３．５％となり、グルーブで
は０．１ｖ／２．５ｖ＝４％となった。実施例１と同様
に信号再生時の信号ジッタを大幅に改善することができ
た。
【０１０７】実施例４ 実施例３と同様にスタンパーの作製を行った。但し原盤
ガラス１への露光、現像を行い、原盤ガラス１へのベー
キング処理を実施例２の条件で行ってから、原盤ガラス
を酸素プラズマアッシング装置へ入れ、酸素ガスを導入
しプラズマアッシング処理１６を実施例１の条件で行っ
た。露出された薄膜ＳｉＯ2膜２１面を実施例３と同様
に反応性イオンエッチング１４し、溝深さ１６０ｎｍの
ガラスマスター１３を作製した。その後、実施例３と同
様にニッケル電鋳層１５を作製した。作製されたニッケ
ル電鋳層１５表面にＡｒエッチング処理１７を実施例１
の条件で行った。このようにして作製されたスタンパー
７から、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グル
ーブ部記録用基板を作製した。
ガラス１への露光、現像を行い、原盤ガラス１へのベー
キング処理を実施例２の条件で行ってから、原盤ガラス
を酸素プラズマアッシング装置へ入れ、酸素ガスを導入
しプラズマアッシング処理１６を実施例１の条件で行っ
た。露出された薄膜ＳｉＯ2膜２１面を実施例３と同様
に反応性イオンエッチング１４し、溝深さ１６０ｎｍの
ガラスマスター１３を作製した。その後、実施例３と同
様にニッケル電鋳層１５を作製した。作製されたニッケ
ル電鋳層１５表面にＡｒエッチング処理１７を実施例１
の条件で行った。このようにして作製されたスタンパー
７から、２Ｐ法により直径８６．０ｍｍのランド部グル
ーブ部記録用基板を作製した。
【０１０８】このスタンパー７より、作製された光ディ
スクに実施例１と同様な成膜を行い、その結果最も良い
部分でランドでは０．０８ｖ／２．３ｖ＝３．６％とな
り、グルーブでは０．１ｖ／２．５ｖ＝３．９％となっ
た（図１５（４））。実施例１と同様に信号再生時の信
号ジッタを大幅に改善することができた。
スクに実施例１と同様な成膜を行い、その結果最も良い
部分でランドでは０．０８ｖ／２．３ｖ＝３．６％とな
り、グルーブでは０．１ｖ／２．５ｖ＝３．９％となっ
た（図１５（４））。実施例１と同様に信号再生時の信
号ジッタを大幅に改善することができた。
【０１０９】前記実施例では、溝深さ１６０ｎｍ程度の
ランドグルーブ基板を用いたが、図１６に示すが如きグ
ルーブ記録用基板でも同等以上の効果が得られた。ま
た、ランド部分を高いパワーのレーザー光を照射するこ
とによりランド部分の磁性を劣化させ記録トラックであ
るグルーブ間を磁気的に分断する方式を採用した場合、
溝深さ２０ｎｍから３００ｎｍで適用することができ
た。
ランドグルーブ基板を用いたが、図１６に示すが如きグ
ルーブ記録用基板でも同等以上の効果が得られた。ま
た、ランド部分を高いパワーのレーザー光を照射するこ
とによりランド部分の磁性を劣化させ記録トラックであ
るグルーブ間を磁気的に分断する方式を採用した場合、
溝深さ２０ｎｍから３００ｎｍで適用することができ
た。
【０１１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、光ディス
ク基板用スタンパーの製造方法において、フォトレジス
ト上へイオンを照射し、前記現像された凹部が所定の深
さになるまで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させ
るイオン処理すること、更に前記イオン処理の前後どち
らかにベーキング処理を行う工程を行うことによって、
従来取りきれなかった原盤ガラス／フォトレジスト界面
上の微細なカスの除去を可能とし、基板の表面及び凹部
斜面側壁部が滑らかでノイズの低い光ディスク基板の製
造を可能とした。
ク基板用スタンパーの製造方法において、フォトレジス
ト上へイオンを照射し、前記現像された凹部が所定の深
さになるまで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させ
るイオン処理すること、更に前記イオン処理の前後どち
らかにベーキング処理を行う工程を行うことによって、
従来取りきれなかった原盤ガラス／フォトレジスト界面
上の微細なカスの除去を可能とし、基板の表面及び凹部
斜面側壁部が滑らかでノイズの低い光ディスク基板の製
造を可能とした。
【０１１１】また、金属スタンパーとなってからスタン
パー表面へＡｒプラズマエッチング処理を行う事で、矩
形性を良くすることができ、溝信号品位の高い低ノイズ
レベルな光ディスク基板用スタンパーを製造することが
可能である。
パー表面へＡｒプラズマエッチング処理を行う事で、矩
形性を良くすることができ、溝信号品位の高い低ノイズ
レベルな光ディスク基板用スタンパーを製造することが
可能である。
【０１１２】また、本発明によれば、サーボピットの信
号品質が著しく向上させるので、サンプルサーボ基板を
作製するスタンパーに対してより効果を得ることが出来
ることが確認された。
号品質が著しく向上させるので、サンプルサーボ基板を
作製するスタンパーに対してより効果を得ることが出来
ることが確認された。
【０１１３】また、本発明は、フォトレジストの光ビー
ムによる露光後にイオンを照射し、前記現像された凹部
が所定の深さになるまで、前記フォトレジスト層の厚さ
を減少させるイオン処理を行いその前後どちらかでベー
キング処理を行う事、また金属スタンパー表面にＡｒエ
ッチングを行うことを特徴とするため、微細パターン形
成のエッチング法としては、従来からの光ビームによる
露光、現像の方法、残留フォトレジストをマスクとして
使用するＣＨＦ系ガスによる反応性イオンエッチング法
であろうと選ばない事を特徴としており、このようなス
タンパーによって作製された光ディスクは溝壁面の荒さ
がランド部グルーブ部とほぼ等しく、なおかつ矩形性が
良く、低ノイズレベルの高品位な光ディスクの製造が可
能となる。またこれらの工程を付け加えても生産ライン
上では、新規に装置を付け加える必要性は無く、すべて
既存装置でおこなうことが可能であり、生産コストの上
昇を抑えることができる。
ムによる露光後にイオンを照射し、前記現像された凹部
が所定の深さになるまで、前記フォトレジスト層の厚さ
を減少させるイオン処理を行いその前後どちらかでベー
キング処理を行う事、また金属スタンパー表面にＡｒエ
ッチングを行うことを特徴とするため、微細パターン形
成のエッチング法としては、従来からの光ビームによる
露光、現像の方法、残留フォトレジストをマスクとして
使用するＣＨＦ系ガスによる反応性イオンエッチング法
であろうと選ばない事を特徴としており、このようなス
タンパーによって作製された光ディスクは溝壁面の荒さ
がランド部グルーブ部とほぼ等しく、なおかつ矩形性が
良く、低ノイズレベルの高品位な光ディスクの製造が可
能となる。またこれらの工程を付け加えても生産ライン
上では、新規に装置を付け加える必要性は無く、すべて
既存装置でおこなうことが可能であり、生産コストの上
昇を抑えることができる。
【０１１４】また磁壁移動検出方式の光磁気媒体と本発
明による基板を組み合わせた場合では、側壁部の荒れが
最小レベルとなった為、ランド部とグルーブ部における
磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時の信号ジッ
タを大幅に改善することができた。
明による基板を組み合わせた場合では、側壁部の荒れが
最小レベルとなった為、ランド部とグルーブ部における
磁壁の円滑な移動が可能になり、信号再生時の信号ジッ
タを大幅に改善することができた。
【図１】従来方式による光ディスク基盤用スタンパー製
造方法の工程図である。
造方法の工程図である。
【図２】反応性イオンエッチング方式による従来の光デ
ィスク基盤用スタンパー製造方法の工程図である。
ィスク基盤用スタンパー製造方法の工程図である。
【図３】原盤ガラスに薄膜を用いた反応性イオンエッチ
ング方式による従来の光ディスク基盤用スタンパー製造
方法の工程図である
ング方式による従来の光ディスク基盤用スタンパー製造
方法の工程図である
【図４】従来技術における光ディスク原盤の作製工程に
おける光ディスク原盤の断面図である。
おける光ディスク原盤の断面図である。
【図５】本実施の形態に用いた光ディスク原盤の作製工
程図である。
程図である。
【図６】本実施の形態に用いたイオン処理工程における
処理時間とフォトレジスト膜厚の関係図である。
処理時間とフォトレジスト膜厚の関係図である。
【図７】本実施の形態に用いた光ディスク原盤の作製工
程図である。
程図である。
【図８】本実施の形態に用いたイオン処理工程における
処理時間と平均表面粗さＲａの関係図である。
処理時間と平均表面粗さＲａの関係図である。
【図９】磁壁移動検出法式による光磁気記録媒体の概略
図である。
図である。
【図１０】磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体の層
構成を示す概略断面図である。
構成を示す概略断面図である。
【図１１】磁壁移動検出方式による光磁気記録媒体のラ
ンド部グルーブ部を示す概略図である。
ンド部グルーブ部を示す概略図である。
【図１２】実施例１，２における光ディスク基板用スタ
ンパー製造方法の工程図である。
ンパー製造方法の工程図である。
【図１３】実施例３，４における光ディスク基板用スタ
ンパー製造方法の工程図である。
ンパー製造方法の工程図である。
【図１４】実施例１,２におけるベーキング温度と信号
品位との関係を示すグラフである。
品位との関係を示すグラフである。
【図１５】実施例３,４におけるベーキング温度と信号
品位との関係を示すグラフである。
品位との関係を示すグラフである。
【図１６】グルーブ記録用光ディスクの概略図である。
１ 原盤ガラス ２ フォトレジスト ３ 光ビーム ４ 光ビーム露光部 ５ 未露光部（フォトレジスト） ６ ニッケル導電膜 ７ スタンパー ８ ランド ９ グルーブ １０ 石英ガラス １３ ガラスマスター １４ 反応性イオンエッチング １５ ニッケル電鋳層 １６ 酸素プラズマアッシング １７ Ａｒプラズマエッチング １８ ベーキング処理 ２１ Ａｌ2Ｏ3膜 ２２ ＳｉＯ2膜 １１１ 第１の磁性層 １１２ 第２の磁性層 １１３ 第３の磁性層 １１４ 原子スピン １１５ 磁壁 １１６ 読み出し用光スポット １１７ 磁壁の移動方向 １１８ 基板の移動方向 １１９ 誘電体層 １２０ 第３の磁性層 １２１ 第２の磁性層 １２２ 第１の磁性層 １２３ 誘電体層 １２４ 透明基板 １２５ 光ビーム入射方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５２１Ｆ ５４６ ５４６Ｄ ５８６ ５８６Ｄ (72)発明者 錦織 圭史 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 田中 浩二郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D075 EE03 GG16 5D121 BA01 BA05 BB04 BB14 BB33 CB08 GG04 GG07
Claims (20)
- 【請求項１】 ガラス原盤上にフォトレジスト層を形成
する工程と、前記フォトレジスト層を形成したガラス原
盤に、光ビームを照射し、前記フォトレジストを露光す
るカッティング工程と、前記カッティング工程を経たフ
ォトレジスト層を現像して、露光部に対応した凹部を形
成する現像工程と、前記現像されたフォトレジスト層に
イオンを照射し、前記現像された凹部が所定の深さにな
るまで、前記フォトレジスト層の厚さを減少させるイオ
ン処理工程を含むことを特徴とする光ディスク原盤の製
造方法。 - 【請求項２】 光ディスク原盤がグルーブ記録用光ディ
スクに対応していることを特徴とする請求項１の光ディ
スク原盤の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の光ディスク原盤の製造方
法において、ガラス原盤に石英ガラスを使用し、現像さ
れたフォトレジスト層にイオンを照射した後に、残留し
たフォトレジストをマスクとしてＣＨＦ系ガスにより、
石英ガラスに反応性イオンエッチングを行うことで、ガ
ラス原盤上に微細パターンを形成する工程を含む光ディ
スク原盤の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の光ディスク原盤の製造方
法において、ガラス原盤上に無機酸化物薄膜を形成した
ものをガラス原盤として使用し、現像されたフォトレジ
スト層にイオンを照射した後に、残留したフォトレジス
トをマスクとしてＣＨＦ系ガスにより、前記無機酸化物
薄膜を反応性イオンエッチングを行うことで、ガラスマ
スター上に微細パターンをエッチングする工程を含む光
ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の光ディスク原盤の製造方
法において、ガラス原盤上に形成した無機酸化物薄膜
は、ガラス板と材質が異なり、少なくとも１層以上成膜
することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の光ディスク原盤の製造方
法において、前記無機酸化物薄膜がＡｌ2Ｏ3膜とＳｉＯ
2膜の積層構造であり、Ａｌ2Ｏ3膜をエッチングストッ
パ層としてＳｉＯ2膜がエッチングされることを特徴と
する光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１から６のいずれか１項に記載の
光ディスク原盤の製造方法において、現像されたフォト
レジスト層にイオンを照射し、前記現像された凹部が所
定の深さになるまで、前記フォトレジスト層の厚さを減
少させるイオン処理工程において、フォトレジストを少
なくとも５ｎｍ以上エッチングすることを特徴とする光
ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項８】 請求項１から７のいずれか１項に記載の
光ディスク原盤の製造方法におけるカッティング工程に
おいて、カッティングされる記録情報が、サンプルサー
ボピットを有することを特徴とする光ディスク原盤の製
造方法。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれか１項に記載の
光ディスク原盤の製造方法において、現像されたフォト
レジスト層にイオンを照射し、前記現像された凹部が所
定の深さになるまで、前記フォトレジスト層の厚さを減
少させるイオン処理工程を行う前後どちらかに、前記フ
ォトレジスト層をその溶融点近傍の温度で加熱処理する
ことを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項１から９のいずれか１項に記載
の方法で製造された光ディスク原盤。 - 【請求項１１】 請求項１０に記載の光ディスク原盤表
面に導電膜を形成した後に、前記導電膜上に金属をメッ
キして光ディスク基板用スタンパーを作製する光ディス
ク基板用スタンパーの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項１１に記載の光ディスク基板用
スタンパーの製造方法において、製造されたスタンパ−
の金属表面をエッチングによって所定の溝形状になるよ
うに前記スタンパーの凸部を変化させることを特徴とす
る光ディスク基板用スタンパーの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項１１又は１２に記載の製造方法
により製造された光ディスク基板用スタンパー。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の光ディスク基板用
スタンパーを用いて製造した光ディスク基板上に、少な
くとも、第１、第２、第３の磁性層が順次積層されてい
る光磁気記録媒体であって、前記第１の磁性層は、周囲
温度近傍の温度において前記第３の磁性層に比べて相対
的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度大きな垂直磁化膜か
らなり、前記第２の磁性層は、前記第１の磁性層および
第３の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からな
り、前記第３の磁性層は垂直磁化膜であることを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項１５】 請求項１４記載の光磁気記録媒体にお
いて、光ディスク基板上に設けられた溝の深さは２０か
ら３００ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１６】 請求項１４記載の光磁気記録媒体にお
いて、光ディスク基板上に設けられた溝の深さは光磁気
ディスク再生用ビームの波長をλ、基板屈折率をｎとし
て、λ／３ｎ、２λ／３ｎ、５λ／６のいずれかである
ことを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１７】 請求項１４記載の光磁気記録媒体にお
いて、光ディスク基板上に設けられた溝の深さは前記第
１から第３の磁性層の合計膜厚よりも深いことを特徴と
する光磁気記録媒体。 - 【請求項１８】 請求項１４から１７のいずれか１項に
記載の光磁気記録媒体において、隣接する信号記録に用
いられるトラックの間が磁気的に分断されていることを
特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項１９】 請求項１４から１８のいずれか１項に
記載の光磁気記録媒体において、ランドおよびグルーブ
の双方が信号記録に用いられることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２０】 請求項１４から１８のいずれか１項に
記載の光磁気記録媒体において、グルーブのみが信号記
録に用いられることを特徴とする光磁気記録媒体。
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